JP2022145539A - 基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パーティクルの含有量が少ない処理液を処理ユニットに供給できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、処理ユニットと、貯留部３１と、処理液配管３２と、ポンプ３４と、フィルター３５と、第１流量部３６と、第１返送管５１と、第１調整バルブ５２と、第２返送管４１と、分岐供給管１６と、第２流量部４２と、制御部とを備える。第１流量部３６は、処理液配管３２に配置され、処理液配管３２を流れる処理液の流量又は圧力を測定する。第１調整バルブ５２は、第１返送管５１に配置され、第１返送管５１を流れる処理液の流量を調整する。制御部は、第１流量部３６で測定された処理液の流量又は圧力に基づいて、第１調整バルブ５２の開度を制御する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。

半導体装置又は液晶表示装置等の製造工程では、半導体ウエハ又は液晶表示装置用ガラス基板等の基板を処理する基板処理装置が用いられる。基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。このような基板処理装置は、処理ユニットと、処理ユニットに対して供給される処理液を貯留する処理液タンクと、処理液タンク内の処理液を循環させる循環配管と、処理液タンク内の処理液を循環配管に送るポンプと、循環配管を流れる処理液を濾過するフィルターとを備える（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。

特開２０１３－１７５５５２号公報 特開２００７－２６６２１１号公報

しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の基板処理装置では、処理液中の複数のパーティクルがフィルターによって充分に除去されていないことがあった。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、パーティクルの含有量が少ない処理液を処理ユニットに供給できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

本発明に係る基板処理装置は、処理ユニットと、貯留部と、処理液配管と、ポンプと、フィルターと、第１流量部と、第１返送管と、第１調整バルブと、第２返送管と、分岐供給管と、第２流量部と、制御部とを備える。前記処理ユニットは、基板を処理液で処理する。前記貯留部は、前記処理液を貯留する。前記処理液配管は、前記貯留部に接続され、前記処理液が流れる。前記ポンプは、前記処理液配管に配置され、前記貯留部から前記処理ユニットに前記処理液を供給する。前記フィルターは、前記処理液配管に配置され、前記処理液中のパーティクルを捕捉する。前記第１流量部は、前記処理液配管に配置され、前記処理液配管を流れる前記処理液の流量又は圧力を測定する。前記第１返送管は、前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部へ前記処理液を返送する。前記第１調整バルブは、前記第１返送管に配置され、前記第１返送管を流れる前記処理液の流量を調整する。前記第２返送管は、前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部に前記処理液を返送する。前記分岐供給管は、前記第２返送管から分岐し、前記処理ユニットへ前記処理液を供給する。前記第２流量部は、前記第２返送管を流れる前記処理液の流量を測定する。前記制御部は、前記第１流量部で測定された前記処理液の前記流量又は前記圧力に基づいて、前記第１調整バルブの開度を制御する。

本発明に係る基板処理装置は、処理ユニットと、貯留部と、処理液配管と、ポンプと、フィルターと、第１流量計と、第１返送管と、第１調整バルブと、第２返送管と、分岐供給管と、第２流量計と、制御部とを備える。前記処理ユニットは、基板を処理液で処理する。前記貯留部は、前記処理液を貯留する。前記処理液配管は、前記貯留部に接続され、前記処理液が流れる。前記ポンプは、前記処理液配管に配置され、前記貯留部から前記処理ユニットに前記処理液を供給する。前記フィルターは、前記処理液配管に配置され、前記処理液中のパーティクルを捕捉する。前記第１流量計は、前記処理液配管に配置され、前記処理液配管を流れる前記処理液の流量を測定する。前記第１返送管は、前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部へ前記処理液を返送する。前記第１調整バルブは、前記第１返送管に配置され、前記第１返送管を流れる前記処理液の流量を調整する。前記第２返送管は、前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部に前記処理液を返送する。前記分岐供給管は、前記第２返送管から分岐し、前記処理ユニットへ前記処理液を供給する。前記第２流量計は、前記第２返送管に配置され、前記分岐供給管より上流側に位置し、前記分岐供給管を流れる前記処理液の流量を測定する。前記制御部は、前記第１流量計で測定された前記処理液の流量に基づいて、前記第１調整バルブの開度を制御する。

ある実施形態において、前記第２流量部は、前記第２返送管に配置され、前記分岐供給管より下流側に位置し、前記第２返送管を流れる前記処理液の圧力を測定する。

ある実施形態において、前記制御部は、前記処理液配管を流れる前記処理液の流量が所定流量になるように、前記第１調整バルブの開度を制御する。

ある実施形態において、前記基板処理装置は、前記処理液配管に配置された温調器を更に備える。前記温調器は、前記処理液配管を流れる前記処理液の温度を調整する。

ある実施形態において、前記基板処理装置は、前記第２返送管に配置され、前記第２返送管を流れる前記処理液の流量を調整する第２調整バルブを更に備える。前記制御部は、前記第１調整バルブの開度及び前記第２調整バルブの開度を制御する。

ある実施形態において、前記基板処理装置は、前記処理液配管に配置され、前記処理液配管を流れる前記処理液の温度を測定する温度計を更に備え、前記制御部は、前記温度計で測定された前記処理液の温度に基づいて、前記第２調整バルブの開度を制御する。

ある実施形態において、前記処理ユニットは、前記分岐供給管の下流端に配置されたノズルと、前記分岐供給管からの前記ノズルに対する前記処理液の供給と供給停止とを切替える切替部と、前記分岐供給管から分岐し、前記第２調整バルブより下流側で前記第２返送管に接続される第３返送管とを有する。

本発明に係る基板処理方法は、基板を処理液で処理する処理ユニットと、前記処理液を貯留する貯留部と、前記貯留部に接続され、前記処理液が流れる処理液配管と、前記処理液配管に配置されるポンプと、前記処理液配管に配置されるフィルターと、前記処理液配管に配置される第１流量部と、前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部へ前記処理液を返送する第１返送管と、前記第１返送管に配置され、前記第１返送管を流れる前記処理液の流量を調整する第１調整バルブと、前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部に前記処理液を返送する第２返送管と、前記第２返送管から分岐し、前記処理ユニットへ前記処理液を供給する分岐供給管と、前記第２返送管に配置される第２流量部とを備える基板処理装置の基板処理方法である。前記基板処理方法は、前記貯留部から前記処理液配管に前記処理液を供給する工程と、前記処理液中のパーティクルを捕捉する工程と、前記処理液配管を流れる前記処理液の流量又は圧力を測定する工程と、前記第２返送管を流れる前記処理液の流量又は圧力を測定する工程と、前記第１流量部で測定された前記処理液の流量又は圧力に基づいて、前記第１調整バルブの開度を制御する工程とを含む。

本発明に係る基板処理装置、及び基板処理方法よれば、パーティクルの含有量が少ない処理液を処理ユニットに供給できる。

本発明の実施形態１に係る基板処理装置の模式図である。 実施形態１に係る基板処理装置が備える処理タワーの模式図である。 実施形態１に係る基板処理装置を示すブロック図である。 実施形態１に係る基板処理装置の模式図である。 実施形態１の基板処理装置が備える制御部による処理を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置が備える処理タワーの模式図である。 本発明の実施形態３に係る基板処理装置が備える処理タワーの模式図である。 本発明の実施形態４に係る基板処理装置の模式図である。 実施形態４に係る基板処理装置が備える処理タワーの模式図である。 実施形態４に係る基板処理装置を示すブロック図である。

以下、図面（図１～図１０）を参照して本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法が処理の対象とする「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板等の各種基板を適用可能である。以下では主として、円板状の半導体ウエハを処理の対象とする基板処理装置及び基板処理方法を例に本実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法は、上記した半導体ウエハ以外の各種基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円板状に限定されず、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法は、各種形状の基板に対して適用可能である。

また、本実施形態において、「処理液」は、エッチング液と、リンス液と、ＳＣ１と、ＳＣ２とを含む。エッチング液は、基板Ｗをエッチングする。エッチング液は、例えば、フッ硝酸（フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ₃）との混合液）、フッ酸、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）又は、燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）である。リンス液は、基板Ｗをリンスする。具体的には、リンス液は、基板Ｗ上に残存するエッチング液を洗い流すために使用される。リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、又は、有機溶剤である。有機溶剤は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）又は硫酸である。ＳＣ１とＳＣ２との各々は、基板Ｗを洗浄する。ＳＣ１は、例えば、ＮＨ₄ＯＨとＨ₂Ｏ₂とを含む混合液である。処理液は、特に限定されないが、以下、実施形態１～３では、処理液がＩＰＡである場合について説明する。

［実施形態１］
以下、図１～図５を参照して本発明の実施形態１を説明する。まず、図１及び図２を参照して実施形態１の基板処理装置１００を説明する。図１は、実施形態１の基板処理装置１００の模式図である。詳しくは、図１は、基板処理装置１００の模式的な断面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置である。

図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の処理タワー１０と、複数の分岐供給管１６と、複数の外循環配管４１と、流体キャビネット３０と、プラットフォーム２０とを備える。複数の外循環配管４１の各々は、「第２返送管」の一例である。

流体キャビネット３０は、処理液タンク３１を含む。処理液タンク３１は、「貯留部」の一例である。処理液タンク３１は、処理液を貯留する。

複数の外循環配管４１の各々は、流体キャビネット３０から供給された処理液を処理液タンク３１へ返送する。複数の外循環配管４１の各々は、処理液が流れる流通路を有する管状部材である。具体的には、複数の外循環配管４１の各々の上流端は、流体キャビネット３０に連結されている。複数の外循環配管４１の各々の下流端は、処理液タンク３１に接続されている。

具体的には、複数の外循環配管４１は、例えば、第１外循環配管４１Ａと、第２外循環配管４１Ｂと、第３外循環配管４１Ｃとを含む。換言すれば、実施形態１に係る基板処理装置１００では、３本の外循環配管４１を備える。

複数の処理タワー１０は、例えば、第１処理タワー１０Ａと、第２処理タワー１０Ｂと、第３処理タワー１０Ｃとを含む。換言すれば、実施形態１に係る基板処理装置１００では、３個の処理タワー１０を備える。複数の処理タワー１０は、互いに同様の構成を有する。

複数の分岐供給管１６は、例えば、第１分岐供給管１６Ａと、第２分岐供給管１６Ｂと、第３分岐供給管１６Ｃとを含む。第１分岐供給管１６Ａは、第１外循環配管４１Ａから分岐し、第１処理タワー１０Ａに処理液を供給する。第２分岐供給管１６Ｂは、第２外循環配管４１Ｂから分岐し、第２処理タワー１０Ｂに処理液を供給する。第３分岐供給管１６Ｃは、第３外循環配管４１Ｃから分岐し、第３処理タワー１０Ｃに処理液を供給する。

続けて図２を参照して、第１処理タワー１０Ａについて説明する。図２は、実施形態１の基板処理装置１００が備える処理タワー１０の模式図である。詳しくは、図２は、処理タワー１０の模式的な断面図である。図２に示すように、第１処理タワー１０Ａは、複数の処理ユニット１１を備える。

複数の処理ユニット１１の各々は、処理液を基板Ｗに供給して、基板Ｗを処理する。複数の処理ユニット１１の各々は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の処理ユニット１１である。

具体的には、第１処理タワー１０Ａは、上下に積層された複数の処理ユニット１１を含む。複数の処理ユニット１１は、例えば、第１処理ユニット１１Ａと、第２処理ユニット１１Ｂと、第３処理ユニット１１Ｃとを含む。換言すれば、実施形態１に係る処理ユニット１１は、３個の処理ユニット１１を備える。

第１分岐供給管１６Ａは、例えば、第１供給管１６ＡＡと、第２供給管１６ＡＢと、第３供給管１６ＡＣとを含む。第１分岐供給管１６Ａの各々は、処理液が流れる流通路を有する管状部材である。

第１供給管１６ＡＡは、第１外循環配管４１Ａから第１処理ユニット１１Ａに処理液を供給する。第２供給管１６ＡＢは、第１外循環配管４１Ａから第２処理ユニット１１Ｂに処理液を供給する。第３供給管１６ＡＣは、第１外循環配管４１Ａから第３処理ユニット１１Ｃに処理液を供給する。複数の処理ユニット１１は、互いに同様の構成を有する。以下、第１処理ユニット１１Ａについて説明する。

第１処理ユニット１１Ａは、チャンバー１２と、スピンチャック１３と、ノズル１４と、開閉バルブ１５とを備える。チャンバー１２は略箱形状を有する。チャンバー１２は、基板Ｗ、スピンチャック１３及びノズル１４を収容する。スピンチャック１３は、基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線の周りに回転させる。

ノズル１４は、第１供給管１６ＡＡの下流端に接続されている。ノズル１４は、基板Ｗの上方に配置されている。その結果、ノズル１４は、基板Ｗの上方から、基板Ｗに向けて処理液を吐出する。

開閉バルブ１５は、第１供給管１６ＡＡを開閉する。つまり、開閉バルブ１５は、第１外循環配管４１Ａからのノズル１４に対する処理液の供給と供給停止とを切り替える。開閉バルブ１５は、例えば、電力で開閉が制御されるモータニードルバルブである。

続けて流体キャビネット３０について詳細に説明する。具体的には、流体キャビネット３０は、処理液配管３２と、第１返送管５１とを更に含む。

処理液配管３２は、処理液タンク３１に接続される。具体的には、処理液配管３２の上流端は、処理液タンク３１に接続されている。処理液配管３２は、処理液が流れる流通路を有する管状部材である。なお、処理液の流通方向に対して垂直な面における処理液配管３２の流通路の断面積は、合計断面積より大きい。合計断面積は、第１外循環配管４１Ａの流通路の断面積と、第２外循環配管４１Ｂの流通路の断面積と、第３外循環配管４１Ｃの流通路の断面積とを合計した面積を示す。

流体キャビネット３０は、ポンプ３４と、フィルター３５と、第１流量計３６と、ヒータ３７とを更に含む。第１流量計３６は、「第１流量部」の一例である。ヒータ３７は、「温調器」の一例である。第１流量計３６とポンプ３４とヒータ３７とフィルター３５とは、この順番に処理液配管３２の上流から下流に向かって、処理液配管３２に配置される。

第１流量計３６は、処理液配管３２を流れる処理液の流量を測定する。「流量」は、例えば、単位時間当たりに単位面積を通過する処理液の流量を示す。

ポンプ３４は、処理液タンク３１から処理液配管３２に処理液を供給する。ポンプ３４は、例えばベローズポンプである。ポンプ３４の材料は、例えば合成樹脂である。例えば、ポンプ３４内を高温のＩＰＡ（処理液）が流れると、ベローズポンプ等を構成する合成樹脂が溶出し、複数のパーティクルが発生することがある。よって、複数のパーティクルが含有されたＩＰＡ（処理液）が流れることがある。

ヒータ３７は、処理液配管３２を流れる処理液の温度を調整する。具体的には、ヒータ３７は、処理液配管３２を流れる処理液を加熱する。

フィルター３５は、処理液中の複数のパーティクルを捕捉する。具体的には、フィルター３５は、複数の孔が形成されている。複数の孔の各々は、処理液の流通方向に貫通する。詳細には、処理液が、フィルター３５の上流側から下流側に向かって流れ、複数の孔を通過する。フィルター３５の上流側を流れる処理液に含まれる複数のパーティクルは、複数の孔を通過する際に、複数の孔を区画する壁面によって吸着される。その結果、処理液中から複数のパーティクルが除去される。

フィルター３５は、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）親水膜をろ過膜として含む。ＰＴＦＥ親水膜は、ＰＴＦＥ製の基材の表面を親水化した膜である。フィルター３５として用いるＰＴＦＥ親水膜のポア径は、例えば、７ｎｍ（所定径）よりも小さい。例えば、７ｎｍ（所定径）以上のパーティクルがポア径を通過不可になり、フィルター３５の捕捉能力に応じて７ｎｍ（所定径）未満のパーティクルは壁面に吸着されて、処理液中から複数のパーティクルが除去される。なお、フィルター３５の捕捉能力は、例えば、フィルター３５を通過する処理液の種類（例えばＩＰＡに対する合成樹脂の溶解度等）、フィルター３５を通過する処理液の流量（パーティクルに作用する流速）、又は、フィルター３５を通過する処理液の温度によって変動する。

処理液配管３２の下流端は、複数の外循環配管４１に接続されている。その結果、複数の外循環配管４１の各々には、パーティクルが除去され、加熱された処理液が流れる。換言すれば、複数の処理タワー１０に、パーティクルが除去され、加熱された処理液を供給する。

流体キャビネット３０は、第１返送管５１と、第１調整バルブ５２とを更に含む。第１返送管５１は、処理液タンク３１から供給された処理液を処理液タンク３１へ返送する。具体的には、第１返送管５１の上流端は、処理液配管３２の下流端に接続されている。第１返送管５１の下流端は、処理液タンク３１に接続されている。第１返送管５１は、処理液が流れる流通路を有する管状部材である。なお、処理液の流通方向に対して垂直な面における第１返送管５１の流通路の断面積は、合計断面積より大きい。合計断面積は、第１外循環配管４１Ａの流通路の断面積と、第２外循環配管４１Ｂの流通路の断面積と、第３外循環配管４１Ｃの流通路の断面積とを合計した面積を示す。

詳細には、第１返送管５１の流通路の断面積は、複数の外循環配管４１の各々の流通路の断面積より大きい。また、第１返送管５１には、複数の外循環配管４１と異なり、処理タワー１０が接続されていない。また、第１返送管５１は、複数の外循環配管４１と異なり、流体キャビネット３０内に配置される。

第１調整バルブ５２は、第１返送管５１に配置される。第１調整バルブ５２は、第１返送管５１を流れる処理液の流量を調整する。第１調整バルブ５２は、開度を調節して、第１返送管５１を流れる処理液の流量を調整する。第１調整バルブ５２は、例えば、空気圧で開度が制御されるリリーフバルブである。空気圧で開度を制御できるため、制御部等は、第１調整バルブ５２を応答性よく制御できる。

再び図１に示すように、流体キャビネット３０は、複数の外循環流量計４２を更に含む。複数の外循環流量計４２の各々は、「第２流量部」の一例である。複数の外循環流量計４２は、例えば、第１外循環流量計４２Ａと、第２外循環流量計４２Ｂと、第３外循環流量計４２Ｃとを含む。

第１外循環流量計４２Ａは、第１外循環配管４１Ａに配置されている。具体的には、第１外循環流量計４２Ａは、第１分岐供給管１６Ａより上流側に配置されている。第１外循環流量計４２Ａは、第１外循環配管４１Ａを流れる処理液の流量を測定する。

第２外循環流量計４２Ｂは、第２外循環配管４１Ｂに配置されている。具体的には、第２外循環流量計４２Ｂは、第２分岐供給管１６Ｂより上流側に配置されている。第２外循環流量計４２Ｂは、第２外循環配管４１Ｂを流れる処理液の流量を測定する。

第３外循環流量計４２Ｃは、第３外循環配管４１Ｃに配置されている。具体的には、第３外循環流量計４２Ｃは、第３分岐供給管１６Ｃより上流側に配置されている。第３外循環流量計４２Ｃは、第３外循環配管４１Ｃを流れる処理液の流量を測定する。

また、基板処理装置１００は、複数の外循環調整バルブ４３を更に含む。複数の外循環調整バルブ４３の各々は、「第２調整バルブ」の一例である。複数の外循環調整バルブ４３は、プラットフォーム２０に配置されている。換言すれば、複数の外循環調整バルブ４３は、流体キャビネット３０外に配置されている。複数の外循環調整バルブ４３は、例えば、第１外循環調整バルブ４３Ａと、第２外循環調整バルブ４３Ｂと、第３外循環調整バルブ４３Ｃとを含む。

第１外循環調整バルブ４３Ａは、第１外循環配管４１Ａに配置されている。具体的には、第１外循環調整バルブ４３Ａは、第１分岐供給管１６Ａより下流側に配置されている。第１外循環調整バルブ４３Ａは、第１外循環配管４１Ａを流れる処理液の流量を調整する。第１外循環調整バルブ４３Ａは、開度を調節して、第１外循環配管４１Ａを流れる処理液の流量を調整する。第１外循環調整バルブ４３Ａは、例えば、空気圧で開度が制御されるリリーフバルブである。

第２外循環調整バルブ４３Ｂは、第２外循環配管４１Ｂに配置されている。具体的には、第２外循環調整バルブ４３Ｂは、第２分岐供給管１６Ｂより下流側に配置されている。第２外循環調整バルブ４３Ｂは、第２外循環配管４１Ｂを流れる処理液の流量を調整する。第２外循環調整バルブ４３Ｂは、開度を調節して、第２外循環配管４１Ｂを流れる処理液の流量を調整する。第２外循環調整バルブ４３Ｂは、例えば、空気圧で開度が制御されるリリーフバルブである。

第３外循環調整バルブ４３Ｃは、第３外循環配管４１Ｃに配置されている。具体的には、第３外循環調整バルブ４３Ｃは、第３分岐供給管１６Ｃより下流側に配置されている。第３外循環調整バルブ４３Ｃは、第３外循環配管４１Ｃを流れる処理液の流量を調整する。第３外循環調整バルブ４３Ｃは、開度を調節して、第３外循環配管４１Ｃを流れる処理液の流量を調整する。第３外循環調整バルブ４３Ｃは、例えば、空気圧で開度が制御されるリリーフバルブである。

続いて図３を参照して、制御装置６０について説明する。図３は、基板処理装置１００を示すブロック図である。図３に示すように、制御装置６０は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。具体的には、制御装置６０は、制御部６１と、記憶部６２とを含む。

制御部６１は、プロセッサーを有する。制御部６１は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有する。或いは、制御部６１は、汎用演算機を有してもよい。

記憶部６２は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。

記憶部６２は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部６２は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部６２はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。

制御部６１は、記憶部６２に記憶されているコンピュータプログラム及びデータに基づいて、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置６０は、第１調整バルブ５２と、第１外循環調整バルブ４３Ａと、第２外循環調整バルブ４３Ｂと、第３外循環調整バルブ４３Ｃとを制御する。また、制御装置６０は、第１流量計３６と、第１外循環流量計４２Ａと、第２外循環流量計４２Ｂと、第３外循環流量計４２Ｃとの各々から測定結果を取得する。

ここで、図１及び図３を参照して、基板処理装置１００が基板Ｗを処理する「第１状態」について説明する。「第１状態」は、第１処理タワー１０Ａと第２処理タワー１０Ｂと第３処理タワー１０Ｃとの全てで、基板Ｗを処理する状態を示す。

具体的には、制御部６１は、第１外循環配管４１Ａに流量ＲＡの処理液が流れるように、第１外循環流量計４２Ａで測定された処理液の流量に基づいて第１外循環調整バルブ４３Ａを制御する。また、第２外循環配管４１Ｂに流量ＲＢの処理液が流れるように、第２外循環流量計４２Ｂで測定された処理液の流量に基づいて第２外循環調整バルブ４３Ｂを制御する。更に、第３外循環配管４１Ｃに流量ＲＣの処理液が流れるように、第３外循環流量計４２Ｃで測定された処理液の流量に基づいて第３外循環調整バルブ４３Ｃを制御する。

また、制御部６１は、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるように、第１流量計３６で測定された処理液の流量に基づいて第１調整バルブ５２を制御する。所定流量ＲＴは、任意の流量であり、例えばフィルター３５の捕捉能力に応じて予め設定されている。その結果、所定流量ＲＴの処理液が、ヒータ３７とフィルター３５とをこの順番に通過する。そして、第１返送管５１に流量ＲＤの処理液が流れる。流量ＲＤの処理液は、所定流量ＲＴの処理液から、流量ＲＡの処理液と流量ＲＢの処理液と流量ＲＣの処理液とが除かれた流量の処理液である。

続けて図４を参照して、基板処理装置１００が基板Ｗを処理する「第２状態」について説明する。図４は、実施形態１に係る基板処理装置の模式図である。なお、図４は、基板処理装置１００が「第２状態」を実行している状態を示す図である。また、開いているバルブを白色で示し、閉じているバルブを黒色で示している。「第２状態」は、第１処理タワー１０Ａと第２処理タワー１０Ｂと第３処理タワー１０Ｃとの内のいずれかの処理タワー１０でメンテナンスする状態を示す。「第２状態」では、例えば、第１処理タワー１０Ａと第２処理タワー１０Ｂとで、基板Ｗを処理し、第３処理タワー１０Ｃをメンテナンスする。なお、複数の処理タワー１０を同時にメンテナンスしてもよい。

具体的には、メンテナンス作業者等は、第３処理タワー１０Ｃに含まれる全ての開閉バルブ１５を閉じる。そして、制御部６１は、第１外循環配管４１Ａに流量ＲＡの処理液が流れるように、第１外循環流量計４２Ａで測定された処理液の流量に基づいて第１外循環調整バルブ４３Ａを制御する。また、第２外循環配管４１Ｂに流量ＲＢの処理液が流れるように、第２外循環流量計４２Ｂで測定された処理液の流量に基づいて第２外循環調整バルブ４３Ｂを制御する。更に、第３外循環配管４１Ｃに処理液が流れないように、第３外循環流量計４２Ｃで測定された処理液の流量に基づいて第３外循環調整バルブ４３Ｃを制御する。

また、制御部６１は、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるように、第１流量計３６で測定された処理液の流量に基づいて第１調整バルブ５２を制御する。その結果、所定流量ＲＴの処理液が、ヒータ３７とフィルター３５とをこの順番に通過する。そして、第１返送管５１に流量（ＲＤ＋ＲＣ）の処理液が流れる。流量（ＲＤ＋ＲＣ）の処理液は、所定流量ＲＴの処理液から、流量ＲＡの処理液と流量ＲＢの処理液とが除かれた流量の処理液である。

以上、図１から図４に示すように、本発明の実施形態１について説明した。実施形態１によれば、制御部６１は、第１流量計３６で測定された処理液の流量に基づいて、第１調整バルブ５２を制御する。その結果、処理液配管３２を流れる処理液の流量が調整されるため、フィルター３５は、処理液中の複数のパーティクルを、効率よく捕捉できる。よって、パーティクルの含有量が少ない処理液を処理タワー１０に供給できる。

また、制御部６１は、処理液配管３２を流れる処理液の流量が所定流量ＲＴになるように、第１調整バルブ５２の開度を制御する。その結果、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるため、フィルター３５は、所定の捕捉能力を発揮する。よって、パーティクルの含有量が、より少ない処理液を処理タワー１０に供給できる。

そして、制御部６１は、第１調整バルブ５２の開度及び外循環調整バルブ４３の開度を制御する。その結果、「第１状態」でも「第２状態」でも、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるため、フィルター３５は、所定の捕捉能力を発揮する。よって、第３処理タワー１０Ｃをメンテナンスしつつ、パーティクルの含有量が、より少ない処理液を第１処理タワー１０Ａと第２処理タワー１０Ｂとに供給できる。

更に、ヒータ３７は、処理液配管３２を流れる処理液の温度を調整する。その結果、「第１状態」でも「第２状態」でも、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるため、ヒータ３７は、処理液の温度を一定温度に調整できる。よって、一定温度の処理液を処理タワー１０に供給できる。

続いて図５を参照して、実施形態１の基板処理方法を説明する。実施形態１の基板処理方法は、図１～図４を参照して説明した基板処理装置１００によって実行される。図５は、実施形態１の基板処理装置１００が備える制御部６１による処理を示すフローチャートである。

図５に示すように、まず、制御部６１は、第１外循環配管４１Ａに流量ＲＡの処理液が流れるように、第１外循環流量計４２Ａで測定された処理液の流量に基づいて第１外循環調整バルブ４３Ａを制御する。また、第２外循環配管４１Ｂに流量ＲＢの処理液が流れるように、第２外循環流量計４２Ｂで測定された処理液の流量に基づいて第２外循環調整バルブ４３Ｂを制御する。更に、第３外循環配管４１Ｃに流量ＲＣの処理液が流れるように、第３外循環流量計４２Ｃで測定された処理液の流量に基づいて第３外循環調整バルブ４３Ｃを制御する。また、制御部６１は、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるように、第１流量計３６で測定された処理液の流量に基づいて第１調整バルブ５２を制御する（ステップＳ１０１）。

制御部６１は、第１流量計３６で測定された処理液の流量が所定流量ＲＴであるか否かを判定する（ステップＳ１０２）。第１流量計３６で測定された処理液の流量が所定流量ＲＴであると制御部６１判定した場合（ステップＳ１０２のＹｅｓ）、ステップＳ１０２に戻る。

一方、第１流量計３６で測定された処理液の流量が所定流量ＲＴでないと制御部６１が判定した場合（ステップＳ１０２のＮｏ）、制御部６１は、第１流量計３６で測定された処理液の流量が所定流量ＲＴとなるように、第１調整バルブ５２を制御する（ステップＳ１０３）。処理が終了すると、ステップＳ１０２に戻る。

［実施形態２］
図６を参照して本発明の実施形態２について説明する。図６は、実施形態２に係る基板処理装置１００の模式図である。なお、図６は、基板処理装置１００が「第３状態」を実行している状態を示す図である。「第３状態」は、第１処理タワー１０Ａと第２処理タワー１０Ｂと第３処理タワー１０Ｃとの全てで、基板Ｗを処理し、少なくとも１個の処理ユニット１１をメンテナンスする状態を示す。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。

「第３状態」では、例えば、第１処理タワー１０Ａと第２処理タワー１０Ｂと第３処理タワー１０Ｃとの全てで、基板Ｗを処理し、第１処理タワー１０Ａの内の１個の処理ユニット１１Ａをメンテナンスする。具体的には、メンテナンス作業者等は、第１供給管１６ＡＡに配置された開閉バルブ１５を閉じる。そして、制御部６１は、第１外循環配管４１Ａに流量（ＲＡ－Ｒａ）の処理液が流れるように、第１外循環流量計４２Ａで測定された処理液の流量に基づいて第１外循環調整バルブ４３Ａを制御する。また、第２外循環配管４１Ｂに流量ＲＢの処理液が流れるように、第２外循環流量計４２Ｂで測定された処理液の流量に基づいて第２外循環調整バルブ４３Ｂを制御する。更に、第３外循環配管４１Ｃに流量ＲＣの処理液が流れるように、第３外循環流量計４２Ｃで測定された処理液の流量に基づいて第３外循環調整バルブ４３Ｃを制御する。

また、制御部６１は、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるように、第１流量計３６で測定された処理液の流量に基づいて第１調整バルブ５２を制御する。その結果、所定流量ＲＴの処理液が、ヒータ３７とフィルター３５とをこの順番に通過する。そして、第１返送管５１に流量（ＲＤ＋Ｒａ）の処理液が流れる。流量（ＲＤ＋Ｒａ）の処理液は、所定流量ＲＴの処理液から、流量（ＲＡ－Ｒａ）の処理液と流量ＲＢの処理液と流量ＲＣの処理液とが除かれた流量の処理液である。

以上、図６に示すように、本発明の実施形態２について説明した。実施形態２によれば、制御部６１は、第１流量計３６で測定された処理液の流量に基づいて、第１調整バルブ５２を制御する。その結果、「第１状態」でも「第３状態」でも、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるため、フィルター３５は、所定の捕捉能力を発揮する。よって、処理ユニット１１をメンテナンスしつつ、パーティクルの含有量が、より少ない処理液を他の処理ユニット１１に供給できる。

［実施形態３］
図７を参照して本発明の実施形態３について説明する。図７は、実施形態３に係る基板処理装置１００の模式図である。なお、図７は、基板処理装置１００が「第３状態」を実行している状態を示す図である。但し、実施形態２と異なる事項を説明し、実施形態２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、第３返送管１８を備える点で実施形態２と異なる。

図７に示すように、複数の処理ユニット１１の各々は、開閉バルブ１９と、第３返送管１８とを有する。開閉バルブ１９は、「切替部」の一例である。開閉バルブ１９は、分岐供給管１６からのノズル１４に対する処理液の供給と供給停止とを切替える。開閉バルブ１９は、例えば、電力で開閉が制御されるモータニードルバルブである。

第３返送管１８は、分岐供給管１６Ａから分岐する。第３返送管１８は、外循環調整バルブ４３より下流側で外循環配管４１に接続される。第３返送管１８は、処理液が流れる流通路を有する管状部材である。開閉バルブ１９が閉じたときに、第３返送管１８に処理液が流れる。その結果、加熱された処理液を第３返送管１８に循環させることにより、ノズル１４の温度を維持することができる。

具体的には、メンテナンス作業者等は、第１供給管１６ＡＡに接続されたノズル１４の開閉バルブ１９を閉じる。そして、制御部６１は、第１外循環配管４１Ａに流量（ＲＡ－Ｒａａ）の処理液が流れるように、第１外循環流量計４２Ａで測定された処理液の流量に基づいて第１外循環調整バルブ４３Ａを制御する。また、第２外循環配管４１Ｂに流量ＲＢの処理液が流れるように、第２外循環流量計４２Ｂで測定された処理液の流量に基づいて第２外循環調整バルブ４３Ｂを制御する。更に、第３外循環配管４１Ｃに流量ＲＣの処理液が流れるように、第３外循環流量計４２Ｃで測定された処理液の流量に基づいて第３外循環調整バルブ４３Ｃを制御する。

また、制御部６１は、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるように、第１流量計３６で測定された処理液の流量に基づいて第１調整バルブ５２を制御する。その結果、所定流量ＲＴの処理液が、ヒータ３７とフィルター３５とをこの順番に通過する。そして、第１返送管５１に流量（ＲＤ＋Ｒａａ）の処理液が流れる。流量（ＲＤ＋Ｒａａ）の処理液は、所定流量ＲＴの処理液から、流量（ＲＡ－Ｒａａ）の処理液と流量ＲＢの処理液と流量ＲＣの処理液とが除かれた流量の処理液である。

以上、図７に示すように、本発明の実施形態３について説明した。実施形態３によれば、制御部６１は、第１流量計３６で測定された処理液の流量に基づいて、第１調整バルブ５２を制御する。「第１状態」でも「第３状態」でも、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるため、フィルター３５は、所定の捕捉能力を発揮する。よって、処理ユニット１１をメンテナンスしつつ、パーティクルの含有量が、より少ない処理液を他の処理ユニット１１に供給できる。

［実施形態４］
図８及び図９を参照して本発明の実施形態４について説明する。図８は、実施形態４に係る基板処理装置１１００の模式図である。図９は、実施形態４の基板処理装置１１００が備える処理タワー１０１０の模式図である。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。

実施形態４では、処理液が硫酸である場合について説明する。図８及び図９に示すように、処理液タンク３１は、処理液を貯留する。処理液は、例えば硫酸を含む。硫酸の粘度は、低温では高く、高温では低くなる。高粘度の液体は、流量計で精度よく測定することが困難となる可能性がある。

実施形態４は、複数の外循環流量計４２に代えて、複数の外循環圧力計１０４２を備える点で実施形態１と異なる。具体的には、プラットフォーム２０は、複数の外循環圧力計１０４２を更に含む。複数の外循環圧力計１０４２の各々は、「第２流量部」の一例である。複数の外循環圧力計１０４２は、例えば、第１外循環圧力計１０４２Ａと、第２外循環圧力計１０４２Ｂと、第３外循環圧力計１０４２Ｃとを含む。

第１外循環圧力計１０４２Ａは、第１外循環配管４１Ａに配置されている。具体的には、第１外循環圧力計１０４２Ａは、第１分岐供給管１６Ａより下流側に配置されている。第１外循環圧力計１０４２Ａは、第１外循環調整バルブ４３Ａより上流側に配置されている。第１外循環圧力計１０４２Ａは、第１外循環配管４１Ａを流れる処理液の圧力を測定する。

第２外循環圧力計１０４２Ｂは、第２外循環配管４１Ｂに配置されている。具体的には、第２外循環圧力計１０４２Ｂは、第２分岐供給管１６Ｂより下流側に配置されている。第２外循環圧力計１０４２Ｂは、第２外循環調整バルブ４３Ｂより上流側に配置されている。第２外循環圧力計１０４２Ｂは、第２外循環配管４１Ｂを流れる処理液の圧力を測定する。

第３外循環圧力計１０４２Ｃは、第３外循環配管４１Ｃに配置されている。具体的には、第３外循環圧力計１０４２Ｃは、第３分岐供給管１６Ｃより下流側に配置されている。第３外循環圧力計１０４２Ｃは、第３外循環調整バルブ４３Ｃより上流側に配置されている。第３外循環圧力計１０４２Ｃは、第３外循環配管４１Ｃを流れる処理液の圧力を測定する。

流体キャビネット１０３０は、ポンプ３４と、フィルター３５と、第１流量計３６と、ヒータ３７と、温度計１０３８とを更に含む。第１流量計３６とポンプ３４とヒータ３７と温度計１０３８とフィルター３５とは、この順番に処理液配管３２の上流から下流に向かって、処理液配管３２に配置される。

温度計１０３８は、処理液配管３２を流れる処理液の温度を測定する。

続いて図１０を参照して、制御装置１０６０について説明する。図４は、基板処理装置１１００を示すブロック図である。図４に示すように、制御装置１０６０は、制御部６１と、記憶部１０６２とを含む。

記憶部１０６２は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、処理液配管３２を流れる処理液の温度と、配管を流れる処理液の圧力と、配管を流れる処理液の流量との関係を示す第１データを含む。なお、データは、ポンプ３４の回転数と配管を流れる処理液の流量との関係を把握してくことにより、処理液配管３２を流れる処理液の温度と、配管を流れる処理液の圧力と、ポンプ３４の回転数との関係を示す第２データであってもよい。

制御部６１は、記憶部１０６２に記憶されているコンピュータプログラム及びデータに基づいて、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０６０は、第１流量計３６と、第１外循環圧力計１０４２Ａと、第２外循環圧力計１０４２Ｂと、第３外循環圧力計１０４２Ｃと、温度計１０３８との各々から測定結果を取得する。制御装置１０６０は、第１データに基づいて、第１調整バルブ５２と、第１外循環調整バルブ４３Ａと、第２外循環調整バルブ４３Ｂと、第３外循環調整バルブ４３Ｃと、ポンプ３４とを制御する。具体的には、制御装置１０６０は、第１調整バルブ５２と、第１外循環調整バルブ４３Ａと、第２外循環調整バルブ４３Ｂと、第３外循環調整バルブ４３Ｃと、ポンプ３４とをフィードバック制御する。

以上、図８から図１０に示すように、本発明の実施形態４について説明した。実施形態４によれば、制御部６１は、第１流量計３６で測定された処理液の流量に基づいて、第１調整バルブ５２を制御する。その結果、処理液配管３２を流れる処理液の流量が調整されるため、フィルター３５は、処理液中の複数のパーティクルを、効率よく捕捉できる。よって、パーティクルの含有量が少ない処理液を処理タワー１０に供給できる。

また、実施形態４は、複数の外循環圧力計１０４２を備えるため、処理液が、高粘度の硫酸である場合でも、処理液配管３２を流れる処理液の流量を精度よく調整できる。よって、パーティクルの含有量が少ない処理液を処理タワー１０に供給できる。

以上、図面（図１～図１０）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

（１）例えば、「第２状態」では、第１処理タワー１０Ａと第２処理タワー１０Ｂとで、基板Ｗを処理し、第３処理タワー１０Ｃをメンテナンスしたが、特に限定されない。「第２状態」では、第１処理タワー１０Ａと第２処理タワー１０Ｂと第３処理タワー１０Ｃとで、メンテナンスとして、基板Ｗを処理する準備を実行してもよい。

具体的には、全ての開閉バルブ１５を閉じる。そして、制御部６１は、第１外循環配管４１Ａに処理液が流れないように、第１外循環流量計４２Ａで測定された処理液の流量に基づいて第１外循環調整バルブ４３Ａを制御する。また、第２外循環配管４１Ｂに処理液が流れないように、第２外循環流量計４２Ｂで測定された処理液の流量に基づいて第２外循環調整バルブ４３Ｂを制御する。更に、第３外循環配管４１Ｃに処理液が流れないように、第３外循環流量計４２Ｃで測定された処理液の流量に基づいて第３外循環調整バルブ４３Ｃを制御する。

また、制御部６１は、処理液配管３２に所定流量ＲＴの処理液が流れるように、第１流量計３６で測定された処理液の流量に基づいて第１調整バルブ５２を制御する。その結果、所定流量ＲＴの処理液が、ヒータ３７とフィルター３５とをこの順番に通過する。そして、第１返送管５１に流量（ＲＤ＋ＲＡ＋ＲＢ＋ＲＣ）の処理液が流れる。

（２）例えば、第１返送管５１の下流端は、処理液タンク３１に接続されたが、特に限定されない。第１返送管５１の下流端は、外循環配管４１の下流端に接続されてもよい。

（３）例えば、第１流量計３６とポンプ３４とヒータ３７とフィルター３５とは、この順番に処理液配管３２の上流から下流に向かって、処理液配管３２に配置されるが、特に限定されない。第１流量計３６は、処理液配管３２の任意の位置に配置されてもよい。

（４）例えば、外循環調整バルブ４３は、分岐供給管１６より下流側で外循環配管４１に配置されたが、特に限定されない。外循環流量計４２は、分岐供給管１６より上流側で外循環配管４１に配置されてもよい。

（５）例えば、メンテナンス作業者が、開閉バルブ１５と開閉バルブ１９とを操作したが、特に限定されない。制御装置６０が、開閉バルブ１５と開閉バルブ１９とを制御してもよい。

（６）例えば、流体キャビネット３０は、第１流量計３６を含んだが、特に限定されない。流体キャビネット３０は、第１流量計３６の代わりに、第１圧力計を含んでもよい。

本発明は、基板を処理する分野に有用である。

１６ ：分岐供給管
３１ ：処理液タンク（貯留部）
３２ ：処理液配管
３４ ：ポンプ
３５ ：フィルター
３６ ：第１流量計
４１ ：外循環配管（第２返送管）
４２ ：外循環流量計（第２流量計）
５１ ：第１返送管
５２ ：第１調整バルブ
１００ ：基板処理装置

Claims (9)

1. 基板を処理液で処理する処理ユニットと、
   前記処理液を貯留する貯留部と、
   前記貯留部に接続され、前記処理液が流れる処理液配管と、
   前記処理液配管に配置され、前記貯留部から前記処理液配管に前記処理液を供給するポンプと、
   前記処理液配管に配置され、前記処理液中のパーティクルを捕捉するフィルターと、
   前記処理液配管に配置され、前記処理液配管を流れる前記処理液の流量又は圧力を測定する第１流量部と、
   前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部へ前記処理液を返送する第１返送管と、
   前記第１返送管に配置され、前記第１返送管を流れる前記処理液の流量を調整する第１調整バルブと、
   前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部に前記処理液を返送する第２返送管と、
   前記第２返送管から分岐し、前記処理ユニットへ前記処理液を供給する分岐供給管と、
   前記第２返送管を流れる前記処理液の流量又は圧力を測定する第２流量部と、
   前記第１流量部で測定された前記処理液の前記流量又は前記圧力に基づいて、前記第１調整バルブの開度を制御する制御部と
   を備える、基板処理装置。
2. 基板を処理液で処理する処理ユニットと、
   前記処理液を貯留する貯留部と、
   前記貯留部に接続され、前記処理液が流れる処理液配管と、
   前記処理液配管に配置され、前記貯留部から前記処理液配管に前記処理液を供給するポンプと、
   前記処理液配管に配置され、前記処理液中のパーティクルを捕捉するフィルターと、
   前記処理液配管に配置され、前記処理液配管を流れる前記処理液の流量を測定する第１流量計と、
   前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部へ前記処理液を返送する第１返送管と、
   前記第１返送管に配置され、前記第１返送管を流れる前記処理液の流量を調整する第１調整バルブと、
   前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部に前記処理液を返送する第２返送管と、
   前記第２返送管から分岐し、前記処理ユニットへ前記処理液を供給する分岐供給管と、
   前記第２返送管に配置され、前記分岐供給管より上流側に位置し、前記分岐供給管を流れる前記処理液の流量を測定する第２流量計と、
   前記第１流量計で測定された前記処理液の流量に基づいて、前記第１調整バルブの開度を制御する制御部と
   を備える、基板処理装置。
3. 前記第２流量部は、前記第２返送管に配置され、前記分岐供給管より下流側に位置し、前記第２返送管を流れる前記処理液の圧力を測定する、請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、前記処理液配管を流れる前記処理液の流量が所定流量になるように、前記第１調整バルブの開度を制御する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 前記処理液配管に配置された温調器を更に備え、
   前記温調器は、前記処理液配管を流れる前記処理液の温度を調整する、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記第２返送管に配置され、前記第２返送管を流れる前記処理液の流量を調整する第２調整バルブを更に備え、
   前記制御部は、前記第１調整バルブの開度及び前記第２調整バルブの開度を制御する、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記処理液配管に配置され、前記処理液配管を流れる前記処理液の温度を測定する温度計を更に備え、
   前記制御部は、前記温度計で測定された前記処理液の温度に基づいて、前記第２調整バルブの開度を制御する、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記処理ユニットは、
   前記分岐供給管の下流端に配置されたノズルと、
   前記分岐供給管からの前記ノズルに対する前記処理液の供給と供給停止とを切替える切替部と、
   前記分岐供給管から分岐し、前記第２調整バルブより下流側で前記第２返送管に接続される第３返送管と
   を有する、請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置。
9. 基板を処理液で処理する処理ユニットと、
   前記処理液を貯留する貯留部と、
   前記貯留部に接続され、前記処理液が流れる処理液配管と、
   前記処理液配管に配置されるポンプと、
   前記処理液配管に配置されるフィルターと、
   前記処理液配管に配置される第１流量部と、
   前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部へ前記処理液を返送する第１返送管と、
   前記第１返送管に配置され、前記第１返送管を流れる前記処理液の流量を調整する第１調整バルブと、
   前記処理液配管の下流端に接続され、前記貯留部に前記処理液を返送する第２返送管と、
   前記第２返送管から分岐し、前記処理ユニットへ前記処理液を供給する分岐供給管と、
   前記第２返送管に配置される第２流量部と
   を備える基板処理装置の基板処理方法であって、
   前記貯留部から前記処理液配管に前記処理液を供給する工程と、
   前記処理液中のパーティクルを捕捉する工程と、
   前記処理液配管を流れる前記処理液の流量又は圧力を測定する工程と、
   前記第２返送管を流れる前記処理液の流量又は圧力を測定する工程と、
   前記第１流量部で測定された前記処理液の前記流量又は前記圧力に基づいて、前記第１調整バルブの開度を制御する工程と
   を含む、基板処理方法。

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