JP2022143763A - 層高レベル検知装置及び工業炉 - Google Patents

Abstract

【課題】ダスト等が付着することによる検知精度への影響を抑えることのできる層高レベル検知装置及び工業炉を提供する。【解決手段】工業炉１内の層高レベルをマイクロ波を用いて検知する層高レベル検知装置２であって、炉内にマイクロ波を発信する発信部、及び反射マイクロ波を受信する受信部を有するマイクロ波レベル検知計２１と、発信部及び受信部を炉内空間から隔てるフィルタ構造体２４と、フィルタ構造体２４にガスを供給するガス供給装置２７Ａとを備える。フィルタ構造体は、円板状の第１フィルタ材と、前記第１フィルタ材の炉内側に所定の隙間をもって配置された円環板状の第２フィルタ材とを有し、ガス供給装置２７Ａから供給されるガスが、前記第１フィルタ材の外周縁から前記隙間へ進入し、前記第２フィルタ材の内孔側へ向けて流れるように構成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、層高レベル検知装置及び工業炉に関し、特に、工業炉内の層高レベルをマイクロ波を用いて検知する層高レベル検知装置及びこの層高レベル検知装置を備える工業炉に関する。

工業用に使用される炉（工業炉）の一つとして、例えば一般廃棄物や産業廃棄物などの廃棄物を処理するために、廃棄物をガス化溶融して処理する廃棄物溶融炉がある。廃棄物溶融炉には、炉内における廃棄物の量を把握するための層高レベル検知装置が設けられており、この装置で検知する層高状況に応じて操業を行っている。

マイクロ波を利用したレベル検知計は、技術分野を問わず広く採用されている非接触式のレベル検知計である。しかし、廃棄物溶融炉にそのまま設置すると、炉内を上昇する高温ガスの熱によって損傷等が起こりやすいので、熱の影響を抑えるための保護対策が必要である。また、高温ガスに同伴するダスト、油分、水分など（以下、「ダスト等」という。）が付着することによる検知精度への影響を抑えるための対策も必要である。

このような高温ガスやダスト等の影響を抑える保護対策として、特許文献１には、マイクロ波レベル検知計の発信器及び受信器を炉内空間から隔てるように耐熱性を有するセラミック系繊維フィルタを配置し、このセラミック系繊維フィルタにパルスガスを供給する構成とした層高レベル検知装置が開示されている。そして特許文献１によると、このような構成としたことにより、内外面の内圧差やパルス圧力によるセラミック系繊維フィルタの変形能によって、表面に付着したダスト等を自動的に払い落すことが可能となり、その結果、ダスト等が付着することによる検知精度への影響も抑制することができるとされている。

確かに特許文献１の層高レベル検知装置により、従前に比べダスト等の付着を抑制することはできる。しかし、特許文献１のように内外面の内圧差やパルス圧力によるセラミック系繊維フィルタの変形能によってダスト等を払い落す方式では、ダストが多い場合、セラミック系繊維フィルタの炉内側表面に付着したダスト等を払い落すことは困難になる場合があり、依然としてダスト等が付着することによる検知精度への影響が見られることがあった。

特開２０１１－２１９１０号公報

本発明が解決しようとする課題は、ダスト等が付着することによる検知精度への影響を抑えることのできる層高レベル検知装置及び工業炉を提供することにある。

本発明の一観点によれば、次の層高レベル検知装置が提供される。
工業炉内の層高レベルをマイクロ波を用いて検知する層高レベル検知装置であって、
炉内にマイクロ波を発信する発信部、及び反射マイクロ波を受信する受信部を有するマイクロ波レベル検知計と、
前記発信部及び前記受信部を炉内空間から隔てるフィルタ構造体と、
前記フィルタ構造体にガスを供給するガス供給装置とを備え、
前記フィルタ構造体は、円板状の第１フィルタ材と、前記第１フィルタ材の炉内側に所定の隙間をもって配置された円環板状の第２フィルタ材とを有し、
前記ガス供給装置から供給されるガスが、前記第１フィルタ材の外周縁から前記隙間へ進入し、前記第２フィルタ材の内孔側へ向けて流れるように構成されている、層高レベル検知装置。

本発明の他の観点によれば、上記した層高レベル検知装置を備える工業炉が提供される。

本発明によれば、ガス供給装置から供給されるガスが、第１フィルタ材の外周縁から第２フィルタ材との間の隙間へ進入し、第２フィルタ材の内孔側へ向けて流れるように構成されているから、ガス供給装置から供給されるガスは、フィルタ構造体の炉内側中央部に積極的に誘導される。これにより、フィルタ構造体の炉内側表面へのダスト等の付着を抑制することができると共に、フィルタ構造体の炉内側表面に付着したダスト等を自動的に払い落すことができる。

本発明の一実施形態である層高レベル検知装置を備える工業炉の要部の概略断面図。 図１の層高レベル検知装置におけるフィルタ収納部２５近傍の具体的な構成例を示す断面図。 図１の層高レベル検知装置におけるフィルタ構造体の平面図。 図３のＡ－Ａ断面図。 図３のＢ－Ｂ断面図。 図４のＣ－Ｃ断面図。 図４のＤ－Ｄ断面図。

図１に、本発明の一実施形態である層高レベル検知装置を備える工業炉の要部を概略断面により示している。
本実施形態では、工業炉である廃棄物溶融炉１の上部に、層高レベル検知装置２を配置している。層高レベル検知装置２は、廃棄物溶融炉１の炉本体１１の上部に形成されたノズル１２に、仕切り弁３等を介して着脱可能に連結されたマイクロ波レベル検知計２１と、パージガス及びパルスガスが導入される導入口を有する第１の筒状体２２Ａを備えている。マイクロ波レベル検知計２１と第１の筒状体２２Ａとはフランジ２３Ａによって着脱可能に連結されている。具体的には、マイクロ波レベル検知計２１は、第１の筒状体２２Ａの上部側に着脱可能に設けられている。

なお、仕切り弁３は、例えばマイクロ波レベル検知計２１の保守作業を行う際にハンドル３１によって開閉するものであり、通常は弁を開いた状態にしている。また、図１では、マイクロ波レベル検知計２１や仕切り弁３を着脱可能にする構造としてフランジとボルト・ナットを用いているが、これに限定されることはない。

マイクロ波レベル検知計２１は、炉内にマイクロ波を発信する発信部、炉内にある廃棄物群の上面（すなわち、層高レベル）に反射したマイクロ波を受信する受信部、並びに発信及び受信したマイクロ波から例えば減衰量に基づいて層高レベルを演算により求める演算部（例えば、演算回路など）を有する。ただし、例えば廃棄物溶融炉１の全体動作を制御する制御部で層高レベルを求める構成とすることで、マイクロ波レベル検知計２１から演算部を省略することもできる。

なお、マイクロ波レベル検知計２１には、マイクロ波を送受信する送信部及び受信部として、例えば先端に向かうにつれて径が拡大するコーン形状のアンテナを装着してもよい。また、マイクロ波レベル検知計２１の先端とフランジ２３Ａとの隙間をなくすためのシール部材を設けるようにしてもよい。

第１の筒状体２２Ａの下面側に、当該筒状体２２Ａの内部空間と炉内空間とを仕切るフィルタ構造体２４が設けられている。すなわち、フィルタ構造体２４によって、マイクロ波レベル検知計２１が炉内空間から隔てられた構造となっている。フィルタ構造体２４の詳細な構成は後述するが、第１の筒状体２２Ａの下面側に対して着脱交換可能なカートリッジ式となっている。すなわち、第１の筒状体２２Ａの下面側には、カートリッジ式のフィルタ構造体２４を着脱交換可能に収納するフィルタ収納部２５が設けられている。

フィルタ収納部２５の下面側には第２の筒状体２２Ｂが接続されている。また、第２の筒状体２２Ｂの下面側にはフランジ２３Ｂを介して第３の筒状体２２Ｃが連結されている。そして、第３の筒状体２２Ｃの内部に、円筒状のネズミ返し部２６が設けられている。また、第３の筒状体２２Ｃの下面側にフランジ２３Ｃを介して仕切り弁３が連結されている。

図２に、フィルタ収納部２５近傍の具体的な構成例を断面により示している。この構成例では、第１の筒状体２２Ａの下面側に、フィルタ収納部２５がシール溶接によって接続され、フィルタ収納部２５の下面側に、第２の筒状体２２Ｂがシール溶接によって接続されている。そして、第２の筒状体２２Ｂの下面側にフランジ２３Ｂを介して第３の筒状体２２Ｃが連結されている。また、この構成例では、第２の筒状体２２Ｂを第３の筒状体２２Ｃの内部まで延長することで、これをネズミ返し部２６としている。

次に、フィルタ構造体２４の具体的な構成について説明する。
図３はフィルタ構造体２４の平面図、図４は図３のＡ－Ａ断面図、図５は図３のＢ－Ｂ断面図、図６は図４のＣ－Ｃ断面図、図７は図４のＤ－Ｄ断面図である。

フィルタ構造体２４は、第１フィルタ材２４１及び第２フィルタ材２４２がフィルタ材取付カセット２４３に配置されて一体化されたもので、図２に示したフィルタ収納部２５に対して着脱交換可能なカートリッジ式となっている。具体的にフィルタ構造体２４をフィルタ収納部２５に取り付ける際は、フィルタ材取付カセット２４３をフィルタ収納部２５に装入し、フランジ部２４３ａをフィルタ収納部２５のフランジ部２５ａにボルト２４３ｂで固定する。また、フィルタ構造体２４をフィルタ収納部２５から取り外す際は、ボルト２４３ｂによる固定を解除し、フィルタ材取付カセット２４３をフィルタ収納部２５から引き出す。
なお、フィルタ材取付カセット２４３及びフィルタ収納部２５はいずれも金属、具体的にはステンレス鋼よりなる。そして、フィルタ材取付カセット２４３とフィルタ収納部２５との接触面はメタルタッチになっている。

第１フィルタ材２４１は外径が１００ｍｍの円板状である。また、第２フィルタ材２４２は外径が１００ｍｍ、内径が４０ｍｍの円環板状であり、第１フィルタ材２４１の下方（炉内側）に所定の隙間Ｓをもって配置されている。具体的には図４に示すように、フィルタ材取付カセット２４３のフィルタ材設置部２４３ｃに、第２フィルタ材２４２をＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製のパッキン２４３ｄを介して設置する。次に、ＰＴＦＥ製の支持部材２４３ｅの先端部を挟むようにして第１フィルタ材２４１を第２フィルタ材２４２と整合するように設置する。このとき、第１フィルタ材２４１の上面と支持部材２４３ｅの上面は面一となるように第１フィルタ材２４１と支持部材２４３ｅの寸法関係を調整している。そして、第１フィルタ材２４１の上面及び支持部材２４３ｅの上面に跨るようにＰＴＦＥ製の固定部材２４３ｆを設置し、ボルト２４３ｇによりフィルタ材設置部２４３ｃに固定する。これにより、第１フィルタ材２４１及び第２フィルタ材２４２が、支持部材２４３ｅの先端部の厚み分、具体的には２ｍｍ程度の隙間Ｓをもって、フィルタ材設置部２４３ｃに一体的に設置される。ここで、固定部材２４３ｆは図３に表れているように、第１フィルタ材２４１の円周方向に沿って等間隔で複数箇所（本実施形態では４箇所）に設置される。また支持部材２４３ｅも固定部材２４３ｆに対応して複数箇所（本実施形態では４箇所）に設置される。本実施形態において、パッキン２４３ｄ、支持部材２４３ｅ及び固定部材２４３ｆの材質はＰＴＦＥとしたがこれには限定されず、耐熱性を有し、かつ第１フィルタ材２４１及び第２フィルタ材２４２を損傷させない他の材質としてもよい。
なお、フィルタ材設置部２４３ｃは開口部を有し、この開口部の下部径は８５ｍｍである。すなわち、本実施形態において第１フィルタ材２４１及び第２フィルタ材２４２よりなる二重フィルタの実効外径は８５ｍｍである。

第１フィルタ材２４１及び第２フィルタ材２４２はいずれも石英ガラスよりなる。石英ガラスは、マイクロ波透過率が高く、耐熱性にも優れていることから、工業炉内の層高レベルをマイクロ波を用いて検知する層高レベル検知装置において、フィルタ材の材質として最適である。また、石英ガラスは表面が平滑であることから、フィルタ材を石英ガラスとすることで、フィルタ材にダスト等が付着しにくくなると共に、付着したダスト等を払い落しやすくなる。
マイクロ波透過率が高い物質としては石英ガラスのほかに、ＰＴＦＥ、ポリスチレン、硼珪酸ガラス、アルミナ等があり、これらをフィルタ材の材質とすることもできる。ただし、マイクロ波透過率、耐熱性及び表面の平滑性を総合的に考慮すると、フィルタ材の材質としては石英ガラスが最適である。なお、本発明において第１フィルタ材２４１及び第２フィルタ材２４２はいずれも非通気性の材料（物質）で構成することが前提である。

再び図１を参照すると、層高レベル検知装置２は、フィルタ構造体２４によって炉内空間と隔てられた第１の筒状体２２Ａの内部空間に、パージガス及びパルスガスをそれぞれ供給するガス供給装置２７Ａ，２７Ｂを備えている。パージガスの供給装置２７Ａは、例えば窒素ガス等の不活性ガスの供給源２７１と接続されたガス供給管２７２を通じて連続的にパージガスを供給する。一方、パルスガスの供給装置２７Ｂは、例えば窒素ガス（等の不活性ガスの供給源２７１と接続されたガス供給管２７２に、パルスガスを発生させるためのパルスガスバルブ２７３及びブラスタタンク２７４が連結された構成である。

パージガスの供給装置２７Ａは、フィルタ構造体２４より上方の空間が炉内圧力よりも高い圧力でパージされるように不活性ガスを連続供給する。一方、パルスガスの供給装置２７Ｂは、時折、間欠的にパルスガスを発生するように動作が制御される。例えば、パルスガスバルブ２７３の弁体を開閉させることによって、ガスの圧力及び／又は流量を変動させてパルスガスを発生させることができる。この場合、バルブ自体の種類や形状等は限定されることはなく、自動で開閉動作を制御可能な一般的なバルブを用いることができる。さらに、開閉動作は、例えば現場に配置される制御盤によって自動又は手動で制御される。これに限られず、廃棄物溶融炉１の全体動作を制御する制御部で行うこともできる。制御部は、例えばＣＰＵを有するコンピュータによって構成することができ、パルスガスを発生させるタイミングなどの情報をメモリ等に格納しておくこともできる。

パルスガスを発生させるタイミングとしては、例えば予め決めた所定の周期（例えば、１時間毎など）で定期的に発生させるようにしてもよく、あるいは検知信号の乱れ（ノイズなど）が予め決めた閾値以上になったときに発生させるようにしてもよい。さらには、これら両方を組み合わせた制御を行ってもよい。

上述の構成を有する本実施形態の層高レベル検知装置２においては、マイクロ波を送受信して廃棄物の層高レベルを検知すると共に、少なくともフィルタ構造体２４より上方の空間が炉内圧力よりも高い圧力となるように不活性ガス（Ｎ_２）を供給してパージする。パージされたガス（Ｎ_２）は、フィルタ構造体２４に供給される。フィルタ構造体２４に供給されたガス（Ｎ_２）は、図６に概念的に示しているように第１フィルタ材２４１の外周縁に向かって流れ、その後、図７に概念的に示しているように第１フィルタ材の外周縁から第１フィルタ材２４１と第２フィルタ材２４２との間の隙間Ｓへ進入し、第２フィルタ材２４２の内孔２４２ａ側へ向けて流れる。すなわち、フィルタ構造体２４に供給されたガス（Ｎ_２）は、図５に概念的に示しているように第１フィルタ材２４１の外周縁から隙間Ｓへ進入し、第２フィルタ材２４２の内孔２４２ａ側へ向けて流れる。このように、フィルタ構造体２４に供給されたガス（Ｎ_２）は、フィルタ構造体２４の炉内側中央部に積極的に誘導される。これにより、フィルタ構造体２４の炉内側表面、特に第２フィルタ材２４２の内孔２４２ａから炉内側に露出している第１フィルタ材２４１の炉内側表面中央部へのダスト等の付着を抑制することができると共に、フィルタ構造体の炉内側表面、特に上述の第１フィルタ材２４１の炉内側表面中央部に付着したダスト等を自動的に払い落すことができる。その結果、ダスト等が付着することによる検知精度への影響を抑制することができる。したがって、長期に渡って安定した層高レベルの検知を行うことが可能となる。
また、フィルタ構造体２４より上方の空間が炉内圧力よりも高い圧力となるように不活性ガス（Ｎ_２）を供給してパージすることにより、マイクロ波レベル検知計２１を空冷することができるので、廃棄物溶融炉１からの熱の影響も抑制することができる。
ここで詳細は後述するが、本実施形態において上述した第１フィルタ材２４１の炉内側表面中央部は、マイクロ波レベル検知計２１から発信されるマイクロ波の中心側のより強いビームが通過する部分であり、本実施形態によれば上述の通り、マイクロ波のより強いビームが通過する部分において特にダスト等の付着を抑制することができることから、ダスト等が付着することによる検知精度への影響をさらに抑制することができる。

次に、層高レベル検知装置２における各部材の好ましい寸法関係等について説明する。
本実施形態においてマイクロ波レベル検知計２１が、初期径が７０ｍｍ、広がり角度が片側２度のマイクロ波を発信する場合、このマイクロ波には中心側により強いビームがあり、その外側により弱いビームがある。以下の説明ではより強いビームとより弱いビームとを総称してマイクロ波ビームという。また、図１には、このマイクロ波ビームの照射範囲を破線により概念的に示している。

本実施形態において、フィルタ構造体２４の上下に位置する第１の筒状体２２Ａ及び第２の筒状体２２Ｂの内径は、例えばマイクロ波ビームの照射範囲との隙間が１０ｍｍ程度となるように、必要最小限度の大きさとする。具体的に第１の筒状体２２Ａの内径は約９０ｍｍ、第２の筒状体２２Ｂの内径は約１１５ｍｍとしている。このように、フィルタ構造体２４の上下に位置する第１の筒状体２２Ａ及び第２の筒状体２２Ｂの内径を必要最小限度の大きさとすることで、フィルタ構造体２４を通過するガスの流速を高くすることができる。これにより、フィルタ構造体２４の炉内側表面へのダスト等の付着を抑制する効果と、フィルタ構造体２４の炉内側表面に付着したダスト等を払い落す効果が大きくなる。さらに、フィルタ構造体２４の上下に位置する第１の筒状体２２Ａ及び第２の筒状体２２Ｂの内径を必要最小限度の大きさとすることで、フィルタ構造体２４とフィルタ収納部２５とのメタルタッチの面積が減少するので、ガスのリーク量を低減することができる。
また、フィルタ構造体２４の上側にある第１の筒状体２２Ａの長さは、フィルタ構造体２４における二重フィルタ（第１フィルタ材２４１及び第２フィルタ材２４２）の実効外径を小さくしてフィルタ構造体２４を小型化する点から、ガス供給装置２７Ａ，２７Ｂを設置できる範囲でなるべく小さくする。具体的に第１の筒状体２２Ａの長さは約９０ｍｍとしている。
一方、フィルタ構造体２４の下側にある第２の筒状体２２Ｂの長さはマイクロ波ビームに干渉しない長さとする必要があり、本実施形態において第２の筒状体２２Ｂの長さは約９０ｍｍとしている。

上述の通り、フィルタ構造体２４における二重フィルタ（第１フィルタ材２４１及び第２フィルタ材２４２）の実効外径は８５ｍｍであり、これは、当該二重フィルタの位置におけるマイクロ波ビームの照射範囲径（約８０ｍｍ）から設定したものである。すなわち、当該二重フィルタの実効外径はマイクロ波ビームの照射範囲に若干の余裕代をもって設定する。
また、当該二重フィルタの位置におけるマイクロ波レベル検知計２１の測定限界径は約４０ｍｍであり、これに合わせて、第２フィルタ材２４２の内孔２４２ａの径を４０ｍｍに設定している。すなわち、本実施形態において第２フィルタ材２４２の内径（内孔２４２ａの径）はマイクロ波レベル検知計２１の測定限界径に合わせて設定している。

第３の筒状体２２Ｃの長さは３００ｍｍ以上であることが好ましく、本実施形態では約５００ｍｍとしている。第３の筒状体２２Ｃの長さを３００ｍｍ以上とすることにより、炉内からフィルタ構造体２４へのダスト等の飛来を抑制することができる。
また、本実施形態では第３の筒状体２２Ｃ内に、円筒状のネズミ返し部２６を備えている。本実施形態においてネズミ返し部２６は、図２に示したように第２の筒状体２２Ｂを第３の筒状体２２Ｃの内部まで延長したもので、このネズミ返し部２６の外径は、第１フィルタ材２４１及び第２フィルタ材２４２の外径より大きい。また、ネズミ返し部２６の突出長さは７５ｍｍであり、このネズミ返し部２６の下端部とマイクロ波ビームの照射範囲との隙間は１０ｍｍ程度以上となるのが好ましい。
このように、第３の筒状体２２Ｃ内にネズミ返し部２６を設けることで、炉内から第３の筒状体２２Ｃの内壁面に沿って上昇して来るダスト等がフィルタ構造体２４側へ侵入することを抑制することができる。

以上のように本実施形態によれば、フィルタ構造体２４の炉内側表面へのダスト等の付着を抑制することができると共に、フィルタ構造体２４の炉内側表面に付着したダスト等を自動的に払い落すことができる。また、廃棄物溶融炉１からの熱の影響も抑制することができる。

本実施形態では、フィルタ構造体２４にガスを供給するガス供給装置として、パージガスの供給装置２７Ａとパルスガスの供給装置２７Ｂを設けたが、パルスガスの供給装置２７Ｂは必ずしも必要ではなく省略可能である。また、パルスガスの供給装置２７Ｂを第１の筒状体２２Ａに設ける代わりに第２の筒状体２２Ｂに設け、フィルタ構造体２４の炉内側表面へ向けてパルスガスを噴出させるようにすることもできる。
また、本実施形態では、第１の筒状体２２Ａにパージガスの供給装置２７Ａとパルスガスの供給装置２７Ｂを設けたが、マイクロ波レベル検知計２１と第１の筒状体２２Ａとを連結しているフランジ２３Ａにパージガスの供給装置２７Ａとパルスガスの供給装置２７Ｂを設けることもできる。この場合、第１の筒状体２２Ａは省略可能であり、フィルタ構造体２４はマイクロ波レベル検知計２１の下側に設けることもできる。

また、本実施形態ではマイクロ波レベル検知計２１にアンテナがない形態を一例として示したが、この形態に限定されることはなく、例えばコーン形状、お椀形状、円筒状、矩形状などのアンテナをマイクロ波レベル検知計２１に備える形態であってもよい。この場合、アンテナを収容する筒状体（すなわち、アンテナ収容体）の形状も、アンテナの形状に適合する形状とすることができる。

また、層高レベル検知装置２を設置位置は、図１に示したような炉の上部に限定されることはなく、炉の側面などに設置してもよい。この場合、例えばマイクロ波の発信用と受信用の２つのアンテナを、炉の側面の互いに対向する位置に配置するようにしてもよい。さらに、必ずしも演算等によって層高レベルを求めることまで行わなくともよく、例えば廃棄物が予め決めた一定の高さまで堆積しているか否かを検知するだけでもよい。

さらに、層高レベル検知装置２が設置されるのは廃棄物溶融炉１に限定されることはなく、公知の種々の工業炉に設置されて、炉内の投入物などの層高レベルを検知可能であることはいうまでもない。
その他種々の置換、変形、変更等が可能であることは、当該技術分野における通常の知識を有する者には明らかである。

１ 廃棄物溶融炉
１１ 炉本体
１２ ノズル
２ 層高レベル検知装置
２１ マイクロ波レベル検知計
２２Ａ 第１の筒状体
２２Ｂ 第２の筒状体
２２Ｃ 第３の筒状体
２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ フランジ
２４ フィルタ構造体
２４１ 第１フィルタ材
２４２ 第２フィルタ材
２４２ａ 内孔
２４３ フィルタ材取付カセット
２４３ａ フランジ部
２４３ｂ ボルト
２４３ｃ フィルタ材設置部
２４３ｄ パッキン
２４３ｅ 支持部材
２４３ｆ 固定部材
２４３ｇ ボルト
２５ フィルタ収納部
２６ ネズミ返し部
２７Ａ，２７Ｂ ガス供給装置
２７１ 不活性ガスの供給源
２７２ ガス供給管
２７３ パルスガスバルブ
２７４ ブラスタタンク
３ 仕切弁
３１ ハンドル

Claims (5)

1. 工業炉内の層高レベルをマイクロ波を用いて検知する層高レベル検知装置であって、
   炉内にマイクロ波を発信する発信部、及び反射マイクロ波を受信する受信部を有するマイクロ波レベル検知計と、
   前記発信部及び前記受信部を炉内空間から隔てるフィルタ構造体と、
   前記フィルタ構造体にガスを供給するガス供給装置とを備え、
   前記フィルタ構造体は、円板状の第１フィルタ材と、前記第１フィルタ材の炉内側に所定の隙間をもって配置された円環板状の第２フィルタ材とを有し、
   前記ガス供給装置から供給されるガスが、前記第１フィルタ材の外周縁から前記隙間へ進入し、前記第２フィルタ材の内孔側へ向けて流れるように構成されている、層高レベル検知装置。
2. 前記第１フィルタ材及び前記第２フィルタ材は石英ガラスよりなる、請求項１に記載の層高レベル検知装置。
3. 前記フィルタ構造体は着脱交換可能なカートリッジ式である、請求項１又は２に記載の層高レベル検知装置。
4. 前記フィルタ構造体と炉内とを通じる筒状体内に、前記第１フィルタ材及び前記第２フィルタ材の外径より大きい内径を有する円筒状のネズミ返し部を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の層高レベル検知装置。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の層高レベル検知装置を備える工業炉。

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