JP2022139138A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子の周囲に所望の量の蛍光体を配置可能な発光装置を提供する。【解決手段】発光装置１は、基板１０と、基板１０に実装された発光素子１１と、発光素子１１に近接して配置される配線パターン２５～２７と、配線パターン２５～２７に両端が接続され、発光素子を挟んで配置される一対の薄膜ワイヤ１４及び１５と、基板１０から一対の薄膜ワイヤ１４及び１５のそれぞれに向かって起立して配置される一対の薄膜１６と、発光素子１１から出射された出射光を変換し、出射光と波長が異なる光を放射する蛍光体を含有し、一対の薄膜の間に配置された蛍光体樹脂１７と、発光素子１１、一対の薄膜ワイヤ１４及び１５並びに蛍光体樹脂１７を封止する封止樹脂１８とを有し、一対の薄膜ワイヤ１４及び１５は、基板１０を平面視したときに発光素子１１と重畳しないように配置される。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。

発光ダイオード（Light Emitting Diode、ＬＥＤ）を発光素子として使用する発光装置において、ボンディングワイヤとも称される金属線から基台の主面、パターン配線及び発光素子までを覆う透明樹脂を配置する技術が知られている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１に記載される技術は、透明樹脂によって基台の主面、パターン配線、発光素子及び金属線を覆うことで、金属線における封止材の熱による膨張及び収縮による断線が抑制され、発光装置の耐ヒートサイクル性を向上させることができる。

また、蛍光体が混合された液体を発光素子に噴霧した後に、噴霧された液体を気化することで、発光素子の表面及び側面に蛍光体を配置する技術が知られている（例えば、特許文献２を参照）。特許文献２に記載される技術では、発光素子の表面及び側面に蛍光体が配置されるので、放熱特性が高くすることができると共に、均一性が高い光を放射することができる。

特開２０１９－１４５７１１号公報 特開２０２０－１１３７１７号公報

しかしながら、特許文献２に記載される技術により発光装置を製造するとき、蛍光体を含有する液体は、発光素子に噴霧された後に流動し、発光素子の周囲の基板上に拡散するおそれがある。蛍光体を含有する液体が基板上に拡散すると、発光素子の表面及び側面に配置される蛍光体の量が減少するため、発光装置から出射される光の色度は、所望の色度からずれるおそれがある。

本発明は、このような課題を解決するものであり、発光素子の周囲に所望の量の蛍光体を配置可能な発光装置を提供することを目的とする。

本発明に係る発光装置は、基板と、基板に実装された発光素子と、発光素子に近接して配置される配線パターンと、配線パターンに両端が接続され、発光素子を挟んで配置される一対の薄膜ワイヤと、基板から一対の薄膜ワイヤのそれぞれに向かって起立して配置される一対の薄膜と、発光素子から出射された出射光を変換し、出射光と波長が異なる光を放射する蛍光体を含有し、一対の薄膜の間に配置された蛍光体樹脂と、発光素子、一対の薄膜ワイヤ及び蛍光体樹脂を封止する封止樹脂と、を有し、一対の薄膜ワイヤは、基板を平面視したときに発光素子と重畳しないように配置される。

さらに、本発明に係る発光装置では、発光素子のアノードに電気的に接続されるアノード電極と、発光素子のカソードに電気的に接続されるカソード電極とを更に有することが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置では、一対の薄膜ワイヤは、アノード電極及びカソード電極の何れとも電気的に接続されないことが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置では、一対の薄膜ワイヤは、アノード電極及びカソード電極の何れかに電気的に接続されることが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置では、発光素子のアノードとアノード電極との間を電気的に接続するアノードワイヤと、発光素子のカソードとカソード電極との間を電気的に接続するカソードワイヤとを更に有することが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置では、平面視したときに一対の薄膜ワイヤの延伸方向に直交する方向に延伸し且つ発光素子と重畳しないように配置される一対の薄膜ワイヤを更に有することが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置は、薄膜ワイヤの端部が配置された島パターンを更に有することが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置では、島パターンの高さは、発光素子の高さよりも低いことが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置では、薄膜ワイヤは、隣接して配置される一対の発光素子の対向する辺に含まれる部分の少なくとも一部が発光素子の表面よりも高いことが好ましい。

さらに、本発明に係る発光装置では、薄膜ワイヤは、隣接して配置される一対の発光素子の対向する辺に含まれる部分が全体に亘って発光素子の表面よりも高いことが好ましい。

本発明に係る発光装置は、発光素子の周囲に所望の量の蛍光体を配置できる。

（ａ）は第１実施形態に係る発光装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、（ｄ）は（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 図１に示す発光装置の製造方法を示すフローチャートである。 図２に示すＳ１０１の処理が実行された状態を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、（ｄ）は（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 図２に示すＳ１０２の処理が実行された状態を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、（ｄ）は（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 図２に示すＳ１０３の処理が実行された状態を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、（ｄ）は（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 図２に示すＳ１０４の処理が実行された状態を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、（ｄ）は（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 図２に示すＳ１０５の処理が実行された状態を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、（ｄ）は（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 図２に示すＳ１０６の処理が実行された状態を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、（ｄ）は（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 （ａ）は第２実施形態に係る発光装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、（ｄ）は（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 （ａ）は第３実施形態に係る発光装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図である。

以下、図面を参照して、本発明に係る発光装置について説明する。ただし、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態には限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。

（第１実施形態に係る発光装置の構成および機能）
図１（ａ）は第１実施形態に係る発光装置の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、図１（ｄ）は図１（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。

発光装置１は、基板１０と、発光素子１１と、複数のアノードワイヤ１２と、複数のカソードワイヤ１３と、複数の第１薄膜ワイヤ１４と、複数の第２薄膜ワイヤ１５と、複数の薄膜１６と、蛍光体樹脂１７と、封止樹脂１８と、ダム材１９とを有する。発光装置１は、発光素子１１から出射された光、並びに蛍光体樹脂１７に含有される蛍光体及び封止樹脂１８に含有される蛍光体から出射された光を混色して、発光領域２０から出射する。

基板１０は、長方形状の平面形状を有するアルミニウム等の金属基板である。なお、基板１０は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で形成されたプリント基板（Printed Circuit Board、ＰＣＢ）でもよく、セラミック基板であってもよい。基板１０の表面には、第１アノード電極２１、第２アノード電極２２、第１カソード電極２３及び第２カソード電極２４が配置される。また、基板１０の表面には、複数の第１配線パターン２５ａ～２５ｇ、複数の第２配線パターン２６ａ～２６ｅ及び複数のダミー配線パターン２７ａ～２７ｃを更に有する。

第１アノード電極２１、第２アノード電極２２、第１カソード電極２３及び第２カソード電極２４並びに第１配線パターン２５ａ～２５ｇ複数の第２配線パターン２６ａ～２６ｅ及び複数のダミー配線パターン２７ａ～２７ｃは、銅等の導電性部材で形成され、発光素子１１に近接して配置される。第１アノード電極２１及び第２アノード電極２２は、基板１０の長手方向の一端の近傍に配置され、一部がダム材１９から露出する。また、第１カソード電極２３及び第２カソード電極２４は、基板１０の長手方向の他端の近傍に配置され、一部がダム材１９から露出する。第１アノード電極２１、第２アノード電極２２、第１カソード電極２３及び第２カソード電極２４は、不図示の外部電源から電力が供給可能な配線等の導電体が配置される。

第１アノード電極２１は、発光素子１１、アノードワイヤ１２、カソードワイヤ１３、第１薄膜ワイヤ１４、第２薄膜ワイヤ１５及び第１配線パターン２５ａ～２５ｇを介して第１カソード電極２３に電気的に接続される。第２アノード電極２２は、発光素子１１、アノードワイヤ１２、カソードワイヤ１３、第２薄膜ワイヤ１５及び第２配線パターン２６ａ～２６ｅを介して第２カソード電極２４に電気的に接続される。

８個の発光素子１１のそれぞれは、矩形の平面形状を有する青色ＬＥＤダイであり、基板１０の長手方向に沿って配列されると共に、４個ずつ直列接続される。４個ずつ直列接続される発光素子を含む一対の発光素子群に含まれる発光素子１１は、交互に配置される。発光素子１１を含む発光素子群の一方は第１アノード電極２１と第１カソード電極２３との間に直列接続され、発光素子１１を含む発光素子群の他方は第２アノード電極２２と第２カソード電極２４との間に直列接続される。

発光素子１１のそれぞれは、第１アノード電極２１と第１カソード電極２３との間、及び第２アノード電極２２と第２カソード電極２４との間にしきい値電圧が印加されることに応じて青色の光を出射する。発光素子１１から出射される青色の光の主波長は、４４５ｎｍと４９５ｎｍとの間の範囲内であり、一例では４５０ｎｍである。第１アノード電極２１と第１カソード電極２３との間、及び第２アノード電極２２と第２カソード電極２４との間に印加されるしきい値電圧は、発光素子１１の順方向電圧の４倍の電圧である。

複数のアノードワイヤ１２及び複数のカソードワイヤ１３は、金等の導電性部材で形成された線状部材である。複数のアノードワイヤ１２のそれぞれは、発光素子１１のアノードと、第１配線パターン２５ａ、２５ｃ、２５ｅ及び２５ｇ並びに第２配線パターン２６ａ、２６ｂ、２６ｃ及び２６ｄのそれぞれとを電気的に接続する。複数のカソードワイヤ１３のそれぞれは、発光素子１１のカソードと、第１配線パターン２５ｂ、２５ｄ及び２５ｆ並びに第２配線パターン２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ及び２６ｅのそれぞれとを電気的に接続する。

複数の第１薄膜ワイヤ１４及び複数の第２薄膜ワイヤ１５は、金等の導電性部材で形成された線状部材であり、発光素子１１を挟むように基板１０の短手方向及び発光素子１１の一対の辺の延伸方向に平行に延伸する。複数の第１薄膜ワイヤ１４及び複数の第２薄膜ワイヤ１５のそれぞれは、基板１０を平面視したときに発光素子１１と重畳しないように配置される。

第１薄膜ワイヤ１４及び第２薄膜ワイヤ１５は、隣接して配置される一対の発光素子１１の対向する辺に含まれる部分が発光素子１１の表面よりも高くなる。なお、第１薄膜ワイヤ１４及び第２薄膜ワイヤ１５は、隣接して配置される一対の発光素子１１の対向する辺に含まれる部分の少なくとも一部が発光素子１１の表面よりも高くなることが好ましい。

複数の薄膜１６のそれぞれは、アクリル成分、フッ素成分、シリコーン成分等を含有する剛性が蛍光体樹脂１７及び封止樹脂１８よりも高い材料で形成され、基板１０の表面から複数の第１薄膜ワイヤ１４及び複数の第２薄膜ワイヤ１５のそれぞれに向かって起立して配置される。

蛍光体樹脂１７は、シリコーン樹脂等の合成樹脂材で形成され、蛍光体を含有する。蛍光体樹脂１７は、第１アノード電極２１と第１カソード電極２３との間に電気的に接続された４つの発光素子１１の表面及び側面を覆うように配置される。蛍光体樹脂１７の基板１０の短手方向の両端はダム材１９によって保持され、蛍光体樹脂１７の基板１０の長手方向の両端は薄膜１６によって保持される。

蛍光体樹脂１７に含有される蛍光体は、発光素子１１から出射された青色の出射光を変換して発光素子１１から出射された青色の出射光の波長と異なる波長の黄色の光を放射する。蛍光体樹脂１７に含有される蛍光体は、例えばイットリウム・アルミニウム・ガーネット（Yttrium Aluminum Garnet、ＹＡＧ）である。蛍光体樹脂１７に含有される蛍光体から出射される黄色の光の主波長は、第１波長と異なる第２波長の一例であり、５２５ｎｍと５７５ｎｍとの間の範囲内であり、一例では５５０ｎｍである。

封止樹脂１８は、蛍光体樹脂１７と同様にシリコーン樹脂等の合成樹脂材で形成され、蛍光体及びフィラーを含有する。封止樹脂１８は、第２アノード電極２２と第２カソード電極２４との間に電気的に接続された４つの発光素子１１の表面及び側面を覆うように配置されると共に、発光素子１１～複数の第２薄膜ワイヤ１５を封止する封止樹脂である。

封止樹脂１８に含有される蛍光体は、発光素子１１から出射された青色の出射光を変換して発光素子１１から出射された青色の出射光の波長と異なる波長の黄色の光を放射する。封止樹脂１８に含有される蛍光体は、蛍光体樹脂１７に含有される蛍光体と同様に、例えばＳＣＡＳＮである。蛍光体樹脂１７に含有される蛍光体から出射される黄色の光の主波長は、第１波長と異なる第２波長の一例であり、６００ｎｍと６５０ｎｍとの間の範囲内であり、一例では６２０ｎｍである。

封止樹脂１８に含有されるフィラーは、発光素子１１から出射された光並びに蛍光体樹脂１７及び封止樹脂１８に含有される蛍光体から出射された光を拡散する拡散材であり、例えばシリカである。発光装置１は、発光素子１１から出射された青色の光と、蛍光体樹脂１７及び封止樹脂１８に含有される蛍光体から出射された黄色の光とを封止樹脂１８に含有されるフィラーによって混色することで白色の光を上方に出射する。

発光装置１は、第１アノード電極２１と第１カソード電極２３との間にしきい値電圧が印加され、第２アノード電極２２と第２カソード電極２４との間にしきい値電圧が印加されないとき、例えば色温度３５００Ｋである暖色の光を出射する。また、発光装置１は、第２アノード電極２２と第２カソード電極２４との間にしきい値電圧が印加され、第１アノード電極２１と第１カソード電極２３との間にしきい値電圧が印加されないとき、例えば色温度６５００Ｋである寒色の光を出射する。

ダム材１９は、酸化チタン（ＴｉＯ₂）等の白色の粒子が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂材で形成され、発光領域２０の周囲を囲むように配置される。発光素子１１から出射された光の一部は、反射面１３ａに反射して発光装置１の上方に出射される。

図２は発光装置１の製造方法を示すフローチャートである。図３は図２に示すＳ１０１の処理が実行された状態を示し、図４は図２に示すＳ１０２の処理が実行された状態を示し、図５は図２に示すＳ１０３の処理が実行された状態を示す。図６は図２に示すＳ１０４の処理が実行された状態を示し、図７は図２に示すＳ１０５の処理が実行された状態を示し、図８は図２に示すＳ１０６の処理が実行された状態を示す。図３～８において、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、（ｄ）は（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。図２～８に示す製造方法は、コンピュータの記憶装置に予め記憶されているプログラムに基づいて、ＣＰＵ等のコンピュータの制御回路により製造装置の各要素と協働して実行される。

まず、基板準備工程において、基板１０が準備される（Ｓ１０１）。基板１０の表面には、第１アノード電極２１、第２アノード電極２２、第１カソード電極２３及び第２カソード電極２４並びに第１配線パターン２５ａ～２５ｇ、第２配線パターン２６ａ～２６ｅ及びダミー配線パターン２７ａ～２７ｃが配置される。

次いで、実装工程において、基板１０の発光領域２０に８個の発光素子１１が実装される（Ｓ１０２）。８個の発光素子１１のそれぞれは、発光領域２０の所定の位置にボンディング材により接着される。８個の発光素子１１は、基板１０の長手方向に沿って均等の配置ピッチで配列される。

次いで、ワイヤボンディング工程において、発光素子１１、第１アノード電極２１～第２カソード電極２４並びに第１配線パターン２５ａ～２５ｇ、第２配線パターン２６ａ～２６ｅ及びダミー配線パターン２７ａ～２７ｃの間を電気的に接続する（Ｓ１０３）。発光素子１１は、アノードワイヤ１２及びカソードワイヤ１３によって第１配線パターン２５ａ～２５ｇ及び第２配線パターン２６ａ～２６ｅに結線される。第１アノード電極２１～第２カソード電極２４並びに第１配線パターン２５ａ～２５ｇ、第２配線パターン２６ａ～２６ｅ及びダミー配線パターン２７ａ～２７ｃは、複数の第１薄膜ワイヤ１４及び複数の第２薄膜ワイヤ１５によって結成される。

次いで、ダム材形成工程において、発光領域２０を囲むように、ダム材１９が形成される（Ｓ１０４）。まず、ダム材１９の原料である樹脂が発光領域２０の周囲に枠状に塗布される。次いで、ダム材１９の原料を固化することで、ダム材１９が形成される。

次いで、薄膜形成工程において、複数の薄膜１６が基板１０の表面から第１薄膜ワイヤ１４及び第２薄膜ワイヤ１５のそれぞれに向かって起立して配置するように形成される（Ｓ１０５）。まず、複数の薄膜１６の原料が混合された液体をダム材１９によって囲まれた発光領域２０に充填する。次いで、発光領域２０に充填された液体を気化することで、複数の薄膜１６が基板１０の表面と複数の第１薄膜ワイヤ１４及び複数の第２薄膜ワイヤ１５との間に形成される。

次いで、蛍光体樹脂配置工程において、蛍光体樹脂１７が第１アノード電極２１及び第１カソード電極２３に電気的に接続された４個の発光素子１１を覆うように配置される（Ｓ１０６）。まず、蛍光体樹脂１７の原料である樹脂を、第１アノード電極２１及び第１カソード電極２３に電気的に接続された４個の発光素子１１に塗布する。蛍光体樹脂１７の原料である樹脂は、一対のワイヤである第１薄膜ワイヤ１４及び第２薄膜ワイヤ１５並びにダム材１９に囲まれた領域に塗布される。次いで、蛍光体樹脂１７の原料である樹脂が固化されることで、蛍光体樹脂１７は形成される。

次いで、封止樹脂配置工程において、封止樹脂１８が発光素子１１、アノードワイヤ１２、カソードワイヤ１３、第１薄膜ワイヤ１４、第２薄膜ワイヤ１５、薄膜１６及び蛍光体樹脂１７を覆って封止するように配置される（Ｓ１０７）。封止樹脂１８の原料である樹脂をダム材１９に囲まれた発光領域２０の全体に亘って塗布する。次いで、封止樹脂１８の原料である樹脂が固化されることで、封止樹脂１８は形成される。

（第１実施形態に係る発光装置の作用効果）
発光装置１では、発光素子１１を挟んで配置される一対の薄膜ワイヤである第１薄膜ワイヤ１４及び第２薄膜ワイヤ１５並びにダム材１９によって囲まれた領域に蛍光体樹脂１７が充填されるので、発光素子１１の周囲に所望の量の蛍光体を配置することができる。

（第２実施形態に係る発光装置の構成および機能）
図９（ａ）は第２実施形態に係る発光装置の平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、図９（ｃ）は図９（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、図９（ｄ）は図９（ａ）に示すＣ－Ｃ線に沿う断面図である。

発光装置２は、第１アノード電極３１、第２アノード電極３２、第１カソード電極３３及び第２カソード電極３４を第１アノード電極２１、第２アノード電極２２、第１カソード電極２３及び第２カソード電極２４の代わりに有することが発光装置１と相違する。また、発光装置２は、ダミー配線パターン３５ａ～３５ｒを複数の第２配線パターン２６ａ～２６ｅ及び複数のダミー配線パターン２７ａ～２７ｃの代わりに有することが発光装置１と相違する。第１アノード電極～第２カソード電極３４及びダミー配線パターン３５ａ～３５ｒ以外の発光装置２の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置１の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明を省略する。

第１アノード電極３１、第２アノード電極３２、第１カソード電極３３及び第２カソード電極３４のそれぞれは、基板１０の長手方向に向かって延伸する短冊形の延伸部を有し、第１アノード電極３１、第２アノード電極３２、第１カソード電極３３及び第２カソード電極３４のそれぞれの延伸部は、ダム材１９の下方に位置する。第１アノード電極３１の延伸部は、蛍光体樹脂１７に表面及び側面が覆われた４個の発光素子１１のアノードにアノードワイヤ１２を介して電気的に接続される。第１カソード電極３３の延伸部は、蛍光体樹脂１７に表面及び側面が覆われた４個の発光素子１１のカソードにカソードワイヤ１３を介して電気的に接続される。第２アノード電極３２の延伸部は、蛍光体樹脂１７に表面及び側面が覆われない４個の発光素子１１のアノードにアノードワイヤ１２を介して電気的に接続される。第２カソード電極３４の延伸部は、蛍光体樹脂１７に表面及び側面が覆われない４個の発光素子１１のカソードにカソードワイヤ１３を介して電気的に接続される。

ダミー配線パターン３５ａ、３５ｃ、３５ｅ、３５ｇ及び３５ｉは、第２薄膜ワイヤ１５を介して、ダミー配線パターン３５ｊ、３５ｌ、３５ｎ、３５ｐ及び３５ｒに接続される。また、ダミー配線パターン３５ｂ、３５ｄ、３５ｆ及び３５ｈは、第１薄膜ワイヤ１４を介して、ダミー配線パターン３５ｋ、３５ｍ、３５ｏ及び３５ｑに接続される。

発光装置２では、第１薄膜ワイヤ１４及び第２薄膜ワイヤ１５は、第１アノード電極３１、第２アノード電極３２、第１カソード電極３３及び第２カソード電極３４の何れにも電気的に接続されない。第１薄膜ワイヤ１４及び第２薄膜ワイヤ１５の両端は、ダミー配線パターン３５ａ～３５ｒのそれぞれに接続される。

（第３実施形態に係る発光装置の構成および機能）
図１０（ａ）は第３実施形態に係る発光装置の平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示すＡ－Ａ線に沿う断面図であり、図１０（ｃ）は図１０（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿う断面図である。図１０（ｄ）は、図１０（ａ）に示す発光装置における発光素子１１と第１島パターン４１及び第１薄膜ワイヤ４４との位置関係を示す図である。図１０（ｅ）は、図１０（ａ）に示す発光装置における発光素子１１と第１島パターン４１及び第１薄膜ワイヤ４４との位置関係の変形例を示す図である。

発光装置３は、基板４０、第１薄膜ワイヤ４４、第２薄膜ワイヤ４５及びダム材４９を基板１０、第１薄膜ワイヤ１４、第２薄膜ワイヤ１５及びダム材１９の代わりに有することが発光装置１と相違する。また、発光装置３は、複数の第１島パターン４１、複数の第２島パターン４２及び接続配線パターン４３を有することが発光装置１と相違する。また、発光装置３は、第１アノード電極５１、第２アノード電極５２、第１カソード電極５３及び第２カソード電極５４を第１アノード電極２１～第２カソード電極２４の代わりに有することが発光装置１と相違する。また、発光装置３は、発光素子１１の数が発光装置１と相違する。発光素子１１の数、基板４０～第２薄膜ワイヤ４５、ダム材４９及び第１アノード電極５１～第２カソード電極５４以外の発光装置３の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置１の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。

基板４０は、長方形状ではなく正方形状の平面形状を有することが基板１０と相違する。平面形状以外の基板４０の構成及び機能は、基板１０の構成及び機能と同様なので、ここでは詳細な説明を省略する。

４個の第１島パターン４１及び８個の複数の第２島パターン４２は、ボンディングワイヤがワイヤボンディング処理により接続可能な銅等の導電性部材により形成され、基板４０の中央部に形成される発光領域５０に配置される。なお、第１島パターン４１及び第２島パターン４２は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で形成されたプリント基板でもよく、セラミック基板であってもよい。第１島パターン４１及び第２島パターン４２が絶縁性材料で形成されるとき、第１島パターン４１及び第２島パターン４２は、発光領域５０の所定の位置にボンディング材により接着される。また、第１島パターン４１及び第２島パターン４２が絶縁性で形成されるとき、第１薄膜ワイヤ４４及び第２薄膜ワイヤ４５は、第１島パターン４１及び第２島パターン４２の上面に配置される導電性の接続パターンを介して接続される。

４個の第１島パターン４１のそれぞれは、４個の発光素子１１に囲まれるように配置され、第１薄膜ワイヤ４４及び第２薄膜ワイヤ４５の一端が配置される。８個の複数の第２島パターン４２は、発光領域５０の外縁に沿って配置され、第１薄膜ワイヤ４４及び第２薄膜ワイヤ４５の一端が配置される。第１島パターン４１及び第２島パターン４２の高さは、発光素子１１の高さよりも低い。

なお、第１島パターン４１及び第２島パターン４２の高さは、発光素子１１の高さと同一であってもよく、第１島パターン４１及び第２島パターン４２の高さは、発光素子１１の高さよりも高くてもよい。しかしながら、第１島パターン４１及び第２島パターン４２の高さが高くなると発光素子１１から出射された光を遮蔽するおそれがあるため、第１島パターン４１及び第２島パターン４２の高さは、発光素子１１の高さよりも低いことが好ましい。

接続配線パターン４３は、銅等の導電性部材で形成され、ダム材４９の下方に配置される。接続配線パターン４３は、発光素子１１の間を電気的に接続する。第１薄膜ワイヤ４４は平面視したときに基板４０の一辺の延伸方向に平行な方向に延伸するように配置され、第２薄膜ワイヤ４５は平面視したときに第１薄膜ワイヤ４４の延伸方向に直交する方向に延伸するように配置される。第１薄膜ワイヤ４４及び第２薄膜ワイヤ４５は、蛍光体樹脂１７を囲むように配置される。

第１薄膜ワイヤ４４及び第２薄膜ワイヤ４５は、隣接して配置される一対の発光素子１１の対向する辺に含まれる部分が発光素子１１の表面よりも高くなる。なお、第１薄膜ワイヤ４４及び第２薄膜ワイヤ４５は、隣接して配置される一対の発光素子１１の対向する辺に含まれる部分の少なくとも一部が発光素子１１の表面よりも高くなることが好ましい。

第１アノード電極５１と第１カソード電極５３との間には、アノードワイヤ１２及びカソードワイヤ１３を介して４個の発光素子１１が電気的に接続される。第２アノード電極５２と第２カソード電極５４との間には、アノードワイヤ１２及びカソードワイヤ１３並びに接続配線パターン４３を介して５個の発光素子１１が電気的に接続される。

（実施形態に係る発光装置の変形例）
発光装置１及び２では、８個の発光素子１１が基板１０の長手方向に配列されるが、実施形態に係る発光装置では、７個以下又は９個以上の発光素子１１が基板１０の長手方向に配列されてもよい。また、発光装置１及び２では、８個の発光素子１１は、１列で配列されるが、実施形態に係る発光装置では、２列以上で配列されてもよい。

また、発光装置１～３では、二対のアノード電極及びカソード電極が配置されるが、実施形態に係る発光装置では、一対のアノード電極及びカソード電極が配置されてもよく、三対以上のアノード電極及びカソード電極が配置されてもよい。

１～３ 発光装置
１０、４０ 基板
１１ 発光素子
１２ アノードワイヤ
１３ カソードワイヤ
１４、４４ 第１薄膜ワイヤ
１５、４５ 第２薄膜ワイヤ
１６ 薄膜
１７ 蛍光体樹脂
１８ 封止樹脂
１９、４９ ダム材

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板に実装された発光素子と、
   前記発光素子に近接して配置される配線パターンと、
   前記配線パターンに両端が接続され、前記発光素子を挟んで配置される一対の薄膜ワイヤと、
   基板から前記一対の薄膜ワイヤのそれぞれに向かって起立して配置される一対の薄膜と、
   前記発光素子から出射された出射光を変換し、前記出射光と波長が異なる光を放射する蛍光体を含有し、前記一対の薄膜の間に配置された蛍光体樹脂と、
   前記発光素子、前記一対の薄膜ワイヤ及び前記蛍光体樹脂を封止する封止樹脂と、を有し、
   前記一対の薄膜ワイヤは、前記基板を平面視したときに前記発光素子と重畳しないように配置される、
   ことを特徴とする発光装置。
2. 前記発光素子のアノードに電気的に接続されるアノード電極と、
   前記発光素子のカソードに電気的に接続されるカソード電極と、
   を更に有する、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記一対の薄膜ワイヤは、前記アノード電極及び前記カソード電極の何れとも電気的に接続されない、請求項２に記載の発光装置。
4. 前記一対の薄膜ワイヤは、前記アノード電極及び前記カソード電極の何れかに電気的に接続される、請求項２に記載の発光装置。
5. 前記発光素子のアノードと前記アノード電極との間を電気的に接続するアノードワイヤと、
   前記発光素子のカソードと前記カソード電極との間を電気的に接続するカソードワイヤと、
   を更に有する、請求項２～４の何れか一項に記載の発光装置。
6. 平面視したときに前記一対の薄膜ワイヤの延伸方向に直交する方向に延伸し且つ前記発光素子と重畳しないように配置される一対の薄膜ワイヤを更に有する、請求項１～５の何れか一項に記載の発光装置。
7. 前記薄膜ワイヤの端部が配置された島パターンを更に有する、請求項６に記載の発光装置。
8. 島パターンの高さは、前記発光素子の高さよりも低い、請求項７に記載の発光装置。
9. 前記薄膜ワイヤは、隣接して配置される一対の前記発光素子の対向する辺に含まれる部分の少なくとも一部が前記発光素子の表面よりも高い、請求項１～８の何れか一項に記載の発光装置。
10. 前記薄膜ワイヤは、隣接して配置される一対の前記発光素子の対向する辺に含まれる部分が全体に亘って前記発光素子の表面よりも高い、請求項１～８の何れか一項に記載の発光装置。

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