JP2022131529A - Film deposition apparatus - Google Patents

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宣之 ▲高▼橋
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克栄 櫻井
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Abstract

To improve a measurement accuracy of an absorption degree of a substrate.SOLUTION: A film deposition apparatus used includes: a chamber for maintaining inside vacuum; an absorption plate that is arranged inside the chamber and absorbs a substrate; detection means that is arranged below the absorption plate in a vertical direction and detects an absorption degree of the substrate to the absorption plate; and transfer means for moving the detection means in a first direction along a surface to be deposited of the substrate.SELECTED DRAWING: Figure 8

Description

本発明は、成膜装置に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus.

有機ELディスプレイ等の製造においては、マスクを用いて基板上に蒸着物質が成膜される。成膜の前処理としてマスクと基板とのアライメントが行われ、両者が重ね合わされる。特許文献1には、静電チャック等の吸着板に基板を吸着させた状態で、基板とマスクとを接近させてアライメントを行うことが開示されている。また、基板の吸着状態を検知するための検知手段が開示されている。 2. Description of the Related Art In manufacturing an organic EL display or the like, a vapor deposition material is deposited on a substrate using a mask. As a pretreatment for film formation, alignment of the mask and the substrate is performed, and the two are superimposed. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200000 discloses that alignment is performed by bringing the substrate and the mask close to each other while the substrate is attracted to an attraction plate such as an electrostatic chuck. Also disclosed is a detecting means for detecting the suction state of the substrate.

特開2019-117926号公報JP 2019-117926 A

従来技術では、検知手段の配置される場所が固定されている。そのため、基板の吸着状態を測定する場所が制限される可能性がある。その結果、基板の吸着度の測定の精度が低下する可能性がある。 In the prior art, the locations where the sensing means are arranged are fixed. Therefore, there is a possibility that the places where the adsorption state of the substrate is measured are limited. As a result, the accuracy of the substrate adsorption measurement can be compromised.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の吸着度の測定精度を向上させることにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to improve the measurement accuracy of the degree of adsorption of a substrate.

本発明は、以下の構成を採用する。すなわち、
内部を真空に保持するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、基板を吸着するための吸着板と、
鉛直方向において前記吸着板の下に配置され、前記基板の前記吸着板への吸着の度合いを検知する検知手段と、
前記検知手段を、前記基板の被成膜面に沿った第1方向に移動させる移動手段と、を備える
ことを特徴とする成膜装置である。
The present invention employs the following configurations. i.e.
a chamber holding a vacuum inside;
a suction plate provided inside the chamber for suctioning the substrate;
a detection means arranged below the suction plate in the vertical direction for detecting the degree of suction of the substrate to the suction plate;
and moving means for moving the detection means in a first direction along the film formation surface of the substrate.

本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
内部を真空に保持するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、基板を吸着するための吸着板と、
前記チャンバの内部に設けられ、マスクを支持するマスク支持手段と、
前記吸着板に吸着された前記基板と前記マスクとのアライメントを行うアライメント手段と、
前記吸着板の鉛直方向の下側に配置され、前記基板への前記マスクの密着の度合いを検知する検知手段と、
前記検知手段を、前記基板の被成膜面に沿った方向に移動させる移動手段と、を備えることを特徴とする成膜装置である。
The present invention also employs the following configuration. i.e.
a chamber holding a vacuum inside;
a suction plate provided inside the chamber for suctioning a substrate;
a mask support means provided inside the chamber for supporting a mask;
alignment means for aligning the substrate and the mask, which are adsorbed by the adsorption plate;
detection means arranged below the suction plate in the vertical direction and detecting the degree of close contact of the mask to the substrate;
and moving means for moving the detection means in a direction along the film formation surface of the substrate.

本発明によれば、基板の吸着度の測定精度を向上させることができる。 According to the present invention, it is possible to improve the measurement accuracy of the degree of adsorption of the substrate.

電子デバイスの製造ラインの一部の模式図。Schematic diagram of a part of an electronic device production line. 一実施形態に係る成膜装置の概略図。Schematic of the film-forming apparatus which concerns on one Embodiment. 基板支持ユニット及び吸着板の説明図。Explanatory drawing of a board|substrate support unit and a suction plate. 吸着板の電気配線の説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram of electrical wiring of the suction plate; 計測ユニットの説明図。Explanatory drawing of a measurement unit. 調整ユニットの説明図。Explanatory drawing of an adjustment unit. 吸着板を用いた基板とマスクとの重ね合わせのプロセスの説明図。FIG. 10 is an explanatory diagram of a process of overlaying a substrate and a mask using a suction plate; 検知手段の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of a detection means. 検知手段による検知の様子を示す概略図。Schematic which shows the mode of the detection by a detection means. 検知手段による検知の別の例を示す概略図。Schematic which shows another example of the detection by a detection means. 検知手段のスキャンの別の例を示す平面図。FIG. 8 is a plan view showing another example of scanning by the detection means; 電子デバイスの製造ラインの別の例を示す模式図。FIG. 3 is a schematic diagram showing another example of a production line for electronic devices. センサユニットの構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of a sensor unit. 電子デバイスの製造方法を説明するための図。4A and 4B are diagrams for explaining a method for manufacturing an electronic device;

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the following embodiments do not limit the invention according to the scope of claims. Although multiple features are described in the embodiments, not all of these multiple features are essential to the invention, and multiple features may be combined arbitrarily. Furthermore, in the accompanying drawings, the same or similar configurations are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

<電子デバイスの製造ライン>
図1は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ラインの構成の一部を示す模式図である。図1の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられるもので、基板100が成膜ブロック301に順次搬送され、基板100に有機ELの成膜が行われる。
<Electronic device production line>
FIG. 1 is a schematic diagram showing a part of the configuration of an electronic device production line to which the film forming apparatus of the present invention can be applied. The production line of FIG. 1 is used, for example, to manufacture a display panel for an organic EL display device for smartphones. .

成膜ブロック301には、平面視で八角形の形状を有する搬送室302の周囲に、基板100に対する成膜処理が行われる複数の成膜室303a~303dと、使用前後のマスクが収納されるマスク格納室305とが配置されている。搬送室302には、基板100を搬送する搬送ロボット302aが配置されている。搬送ロボット302aは、基板100を保持するハンドと、ハンドを水平方向に移動する多関節アームとを含む。換言すれば、成膜ブロック301は、搬送ロボット302aの周囲を取り囲むように複数の成膜室303a~303dが配置されたクラスタ型の成膜ユニットである。なお、成膜室303a~303dを総称する場合、或いは、区別しない場合は成膜室303と表記する。 In the film formation block 301, a plurality of film formation chambers 303a to 303d in which film formation processing is performed on the substrate 100 and masks before and after use are stored around a transfer chamber 302 having an octagonal shape in plan view. A mask storage chamber 305 is arranged. A transfer robot 302 a that transfers the substrate 100 is arranged in the transfer chamber 302 . The transport robot 302a includes a hand that holds the substrate 100 and an articulated arm that horizontally moves the hand. In other words, the film forming block 301 is a cluster type film forming unit in which a plurality of film forming chambers 303a to 303d are arranged so as to surround the transfer robot 302a. The film formation chambers 303a to 303d are collectively referred to as the film formation chamber 303 when they are not distinguished from each other.

基板100の搬送方向(矢印方向)で、成膜ブロック301の上流側、下流側には、それぞれ、バッファ室306、旋回室307、受渡室308が配置されている。製造過程において、各室は真空状態に維持される。なお、図1においては成膜ブロック301を1つしか図示していないが、本実施形態に係る製造ラインは複数の成膜ブロック301を有しており、複数の成膜ブロック301が、バッファ室306、旋回室307、受渡室308で構成される連結装置で連結された構成を有する。なお、連結装置の構成はこれに限定はされず、例えばバッファ室306又は受渡室308のみで構成されていてもよい。 A buffer chamber 306, a swirl chamber 307, and a transfer chamber 308 are arranged on the upstream side and the downstream side of the film formation block 301 in the transport direction (arrow direction) of the substrate 100, respectively. Each chamber is maintained under vacuum during the manufacturing process. Although only one film formation block 301 is shown in FIG. 1, the production line according to the present embodiment has a plurality of film formation blocks 301, and the plurality of film formation blocks 301 are included in the buffer chamber. 306, a turning chamber 307, and a delivery chamber 308, which are connected by a connecting device. Note that the configuration of the coupling device is not limited to this, and may be composed of only the buffer chamber 306 or the transfer chamber 308, for example.

搬送ロボット302aは、上流側の受渡室308から搬送室302への基板100の搬入、成膜室303間での基板100の搬送、マスク格納室305と成膜室303との間でのマスクの搬送、及び、搬送室302から下流側のバッファ室306への基板100の搬出、を行う。 The transfer robot 302 a carries the substrate 100 from the transfer chamber 308 on the upstream side to the transfer chamber 302 , transfers the substrate 100 between the film formation chambers 303 , and transfers the mask between the mask storage chamber 305 and the film formation chamber 303 . Transfer and unloading of the substrate 100 from the transfer chamber 302 to the downstream buffer chamber 306 are performed.

バッファ室306は、製造ラインの稼働状況に応じて基板100を一時的に格納するための室である。バッファ室306には、カセットとも呼ばれる基板収納棚と、昇降機構とが設けられる。基板収納棚は、複数枚の基板100を基板100の被処理面(被成膜面)が重力方向下方を向く水平状態を保ったまま収納可能な多段構造を有する。昇降機構は、基板100が搬入又は搬出される段を搬送位置に合わせるために、基板収納棚を昇降させる。これにより、バッファ室306には複数の基板100を一時的に収容し、滞留させることができる。 The buffer chamber 306 is a chamber for temporarily storing the substrate 100 according to the operational status of the manufacturing line. The buffer chamber 306 is provided with a substrate storage shelf, also called a cassette, and an elevating mechanism. The substrate storage shelf has a multistage structure capable of storing a plurality of substrates 100 while maintaining a horizontal state in which the surface to be processed (surface to be deposited) of the substrate 100 faces downward in the direction of gravity. The elevating mechanism elevates the substrate storage shelf in order to align the stage into which the substrate 100 is loaded or unloaded to the transport position. Thereby, a plurality of substrates 100 can be temporarily accommodated and retained in the buffer chamber 306 .

旋回室307は基板100の向きを変更する装置を備えている。本実施形態では、旋回室307は、旋回室307に設けられた搬送ロボットによって基板100の向きを180度回転させる。旋回室307に設けられた搬送ロボットが、バッファ室306で受け取った基板100を支持した状態で180度旋回し受渡室308に引き渡すことで、バッファ室306内と受渡室308とで基板の前端と後端が入れ替わる。これにより、成膜室303に基板100を搬入する際の向きが、各成膜ブロック301で同じ向きになるため、基板Sに対する成膜のスキャン方向やマスクの向きを各成膜ブロック301において一致させることができる。このような構成とすることで、各成膜ブロック301においてマスク格納室305にマスクを設置する向きを揃えることができ、マスクの管理が簡易化されユーザビリティを高めることができる。 The swirl chamber 307 has a device for changing the orientation of the substrate 100 . In this embodiment, the turning chamber 307 rotates the direction of the substrate 100 by 180 degrees by a transfer robot provided in the turning chamber 307 . The transport robot provided in the swivel chamber 307 rotates 180 degrees while supporting the substrate 100 received in the buffer chamber 306 and delivers it to the transfer chamber 308 . Rear ends are replaced. As a result, since the direction when the substrate 100 is carried into the film formation chamber 303 is the same in each film formation block 301 , the film formation scanning direction and the mask direction for the substrate S are the same in each film formation block 301 . can be made By adopting such a configuration, it is possible to align the directions in which the masks are installed in the mask storage chambers 305 in the respective film formation blocks 301, simplify mask management, and improve usability.

製造ラインの制御系は、ホストコンピュータとしてライン全体を制御する上位装置300と、各構成を制御する制御装置14a~14d、309、310とを含み、これらは有線又は無線の通信回線300aを介して通信可能である。制御装置14a~14dは、成膜室303a~303dに対応して設けられ、後述する成膜装置1を制御する。なお、制御装置14a~14dを総称する場合、或いは、区別しない場合は制御装置14と表記する。 The control system of the production line includes a host computer 300 that controls the entire line, and control devices 14a to 14d, 309, and 310 that control each component, and these are connected via a wired or wireless communication line 300a. Communication is possible. The controllers 14a to 14d are provided corresponding to the film forming chambers 303a to 303d, and control the film forming apparatus 1, which will be described later. The control devices 14a to 14d are collectively referred to as the control device 14 when they are not distinguished from each other.

制御装置309は搬送ロボット302aを制御する。制御装置310は旋回室307の装置を制御する。上位装置300は、基板100に関する情報や搬送タイミング等の指示を各制御装置14、309、310に送信し、各制御装置14、309、310は受信した指示に基づき各構成を制御する。 A control device 309 controls the transfer robot 302a. A controller 310 controls the devices in the swirl chamber 307 . The host device 300 transmits information on the substrate 100 and instructions such as transport timing to the controllers 14, 309 and 310, and the controllers 14, 309 and 310 control each configuration based on the received instructions.

<成膜装置の概要>
図2は一実施形態に係る成膜装置1の概略図である。成膜室303に設けられる成膜装置1は、基板100に蒸着物質を成膜する装置であり、マスク101を用いて所定のパターンの蒸着物質の薄膜を形成する。成膜装置1で成膜が行われる基板100の材質は、ガラス、樹脂、金属等の材料を適宜選択可能であり、ガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが好適に用いられる。蒸着物質としては、有機材料、無機材料(金属、金属酸化物など)などの物質である。成膜装置1は、例えば表示装置(フラットパネルディスプレイなど)や薄膜太陽電池、有機光電変換素子(有機薄膜撮像素子)等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ELパネルを製造する製造装置に適用可能である。以下の説明においては成膜装置1が真空蒸着によって基板100に成膜を行う例について説明するが、本発明はこれに限定はされず、スパッタやCVD等の各種成膜方法を適用可能である。なお、各図において矢印Zは上下方向(重力方向)を示し、矢印X及び矢印Yは互いに直交する水平方向を示す。
<Overview of deposition equipment>
FIG. 2 is a schematic diagram of the film forming apparatus 1 according to one embodiment. A film forming apparatus 1 provided in a film forming chamber 303 is an apparatus for forming a film of a vapor deposition material on a substrate 100 and forms a thin film of the vapor deposition material in a predetermined pattern using a mask 101 . The material of the substrate 100 on which a film is formed by the film forming apparatus 1 can be appropriately selected from materials such as glass, resin, and metal, and a material in which a resin layer such as polyimide is formed on glass is preferably used. Vapor deposition substances include substances such as organic materials and inorganic materials (metals, metal oxides, etc.). The film forming apparatus 1 can be applied to, for example, display devices (such as flat panel displays), thin film solar cells, electronic devices such as organic photoelectric conversion elements (organic thin film imaging elements), and manufacturing apparatuses for manufacturing optical members. In particular, it is applicable to manufacturing equipment for manufacturing organic EL panels. In the following description, an example in which the film forming apparatus 1 forms a film on the substrate 100 by vacuum deposition will be described, but the present invention is not limited to this, and various film forming methods such as sputtering and CVD can be applied. . In each drawing, arrow Z indicates the vertical direction (direction of gravity), and arrow X and arrow Y indicate horizontal directions perpendicular to each other.

成膜装置1は、内部を真空に保持可能な箱型の真空チャンバ3(単にチャンバとも呼ぶ)を有する。真空チャンバ3の内部空間3aは、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。本実施形態では、真空チャンバ3は不図示の真空ポンプに接続されている。なお、本明細書において「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満た
された状態、換言すれば減圧状態をいう。真空チャンバ3の内部空間3aには、基板100を水平姿勢で支持する基板支持ユニット6、マスク101を支持するマスク台5、成膜ユニット4、プレートユニット9、吸着板15が配置される。マスク101は、基板100上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンをもつメタルマスクであり、マスク台5の上に載置されている。なお、マスク台5は、マスク101を所定の位置に固定する他の形態の手段に置換可能である。マスク101としては、枠状のマスクフレームに数μm~数十μm程度の厚さのマスク箔が溶接固定された構造を有するマスクを用いることができる。マスク101の材質は特に限定はされないが、インバー材などの熱膨張係数の小さい金属を用いることが好ましい。成膜処理は、基板100がマスク101の上に載置され、基板100とマスク101とが互いに重ね合わされた状態で行われる。
The film forming apparatus 1 has a box-shaped vacuum chamber 3 (simply called a chamber) capable of maintaining a vacuum inside. An internal space 3a of the vacuum chamber 3 is maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas. In this embodiment, the vacuum chamber 3 is connected to a vacuum pump (not shown). In this specification, the term "vacuum" refers to a state filled with gas having a pressure lower than atmospheric pressure, in other words, a reduced pressure state. In an internal space 3a of the vacuum chamber 3, a substrate support unit 6 that supports the substrate 100 in a horizontal position, a mask table 5 that supports the mask 101, a film formation unit 4, a plate unit 9, and a suction plate 15 are arranged. A mask 101 is a metal mask having an opening pattern corresponding to the thin film pattern to be formed on the substrate 100 and is placed on the mask table 5 . It should be noted that the mask table 5 can be replaced with other forms of means for fixing the mask 101 at a predetermined position. As the mask 101, a mask having a structure in which a mask foil having a thickness of several micrometers to several tens of micrometers is welded to a mask frame can be used. Although the material of the mask 101 is not particularly limited, it is preferable to use a metal with a small thermal expansion coefficient such as an Invar material. The film formation process is performed in a state in which the substrate 100 is placed on the mask 101 and the substrate 100 and the mask 101 are overlapped with each other.

プレートユニット9は、冷却プレート10と磁石プレート11とを備える。冷却プレート10は磁石プレート11の下に、磁石プレート11に対してZ方向に変位可能に吊り下げられている。冷却プレート10は、成膜時に後述する吸着板15と接触することにより、成膜時に吸着板15に吸着された基板100を冷却する機能を有する。冷却プレート10は水冷機構等を備えて積極的に基板100を冷却するものに限定はされず、水冷機構等は設けられていないものの吸着板15と接触することによって基板100の熱を奪うような板状部材であってもよい。磁石プレート11は、磁力によってマスク101を引き寄せるマスク支持手段として機能するプレートであり、基板100の上面に載置されて、成膜時に基板100とマスク101の密着性を向上する。 The plate unit 9 has a cooling plate 10 and a magnet plate 11 . The cooling plate 10 is suspended below the magnet plate 11 so as to be displaceable relative to the magnet plate 11 in the Z direction. The cooling plate 10 has a function of cooling the substrate 100 adsorbed to the adsorption plate 15 during film formation by coming into contact with the adsorption plate 15 to be described later during film formation. The cooling plate 10 is not limited to one that actively cools the substrate 100 by having a water cooling mechanism or the like. It may be a plate-like member. The magnet plate 11 is a plate that functions as a mask supporting means that attracts the mask 101 by magnetic force, and is placed on the upper surface of the substrate 100 to improve adhesion between the substrate 100 and the mask 101 during film formation.

なお、冷却プレート10と磁石プレート11は適宜省略されてもよい。例えば、吸着板15に冷却機構が設けられている場合、冷却プレート10はなくてもよい。また、吸着板15がマスク101を吸着するマスク支持手段としても機能する場合、磁石プレート11はなくてもよい。 Note that the cooling plate 10 and the magnet plate 11 may be omitted as appropriate. For example, if the adsorption plate 15 is provided with a cooling mechanism, the cooling plate 10 may be omitted. Further, if the attraction plate 15 also functions as a mask supporting means for attracting the mask 101, the magnet plate 11 may be omitted.

成膜ユニット4は、ヒータ、シャッタ、蒸発源の駆動機構、蒸発レートモニタなどから構成され、蒸着物質を基板100に蒸着する蒸発源である。本実施形態の成膜ユニット4は、鉛直方向において吸着板15の下に配置される。より具体的には、本実施形態では、成膜ユニット4は複数のノズル(不図示)がX方向に並んで配置され、それぞれのノズルから蒸着材料が放出されるリニア蒸発源である。例えば、リニア蒸発源は、蒸発源移動機構(不図示)によってY方向(装置の奥行き方向)に往復移動される。本実施形態では、成膜ユニット4が後述するアライメント装置2と同一の真空チャンバ3に設けられている。しかしながら、アライメントが行われる真空チャンバ3とは別のチャンバで成膜処理を行う実施形態では、成膜ユニット4は真空チャンバ3には配置されない。 The film forming unit 4 is composed of a heater, a shutter, an evaporation source driving mechanism, an evaporation rate monitor, and the like, and is an evaporation source for depositing a deposition material on the substrate 100 . The film forming unit 4 of this embodiment is arranged below the adsorption plate 15 in the vertical direction. More specifically, in this embodiment, the film forming unit 4 is a linear evaporation source in which a plurality of nozzles (not shown) are arranged side by side in the X direction, and vapor deposition materials are emitted from the respective nozzles. For example, the linear evaporation source is reciprocated in the Y direction (depth direction of the apparatus) by an evaporation source moving mechanism (not shown). In this embodiment, the film forming unit 4 is provided in the same vacuum chamber 3 as the alignment device 2 which will be described later. However, in an embodiment in which the film forming process is performed in a chamber separate from the vacuum chamber 3 in which the alignment is performed, the film forming unit 4 is not arranged in the vacuum chamber 3 .

<アライメント装置>
成膜装置1は、基板100とマスク101とのアライメントを行う、アライメント手段としてのアライメント装置2を備える。アライメント装置2は、基板支持ユニット6、吸着板15、位置調整ユニット20、距離調整ユニット22、プレートユニット昇降ユニット13、計測ユニット7、8、調整ユニット17、フローティング部19、検出ユニット16を備える。以下、アライメント装置の各構成について説明する。
<Alignment device>
The film forming apparatus 1 includes an alignment device 2 as alignment means that aligns the substrate 100 and the mask 101 . The alignment device 2 includes a substrate support unit 6 , a suction plate 15 , a position adjustment unit 20 , a distance adjustment unit 22 , a plate unit lift unit 13 , measurement units 7 and 8 , an adjustment unit 17 , a floating section 19 and a detection unit 16 . Each configuration of the alignment apparatus will be described below.

(基板支持ユニット)
アライメント装置2は、基板100の周縁部を支持する基板支持ユニット6を備える。図2に加えて図3を参照して説明する。図3は基板支持ユニット6及び吸着板15の説明図であり、これらを下側から見た図である。
(substrate support unit)
The alignment device 2 includes a substrate support unit 6 that supports the peripheral portion of the substrate 100 . Description will be made with reference to FIG. 3 in addition to FIG. FIG. 3 is an explanatory diagram of the substrate support unit 6 and the suction plate 15, and is a diagram of these as seen from below.

基板支持ユニット6は、その外枠を構成する複数のベース部61a~61dと、ベース部61a~61dから内側へ突出した複数の載置部62及び63を備える。なお、載置部
62及び63は「受け爪」又は「フィンガ」とも呼ばれることがある。ベース部61a~61dは、それぞれ支持軸R3により支持されている。複数の載置部62は基板100の周縁部の長辺側を受けるようにベース部61a~61dに間隔を置いて配置される。また、複数の載置部63は、基板100の周縁部の短辺側を受けるようにベース部61a~61dに間隔を置いて配置されている。搬送ロボット302aにより成膜装置1に搬入された基板100は、複数の載置部62及び63によって支持される。以下、ベース部61a~61dを総称する場合、或いは、区別しない場合はベース部61と表記する。
The substrate support unit 6 includes a plurality of base portions 61a to 61d forming its outer frame, and a plurality of mounting portions 62 and 63 protruding inward from the base portions 61a to 61d. Note that the mounting portions 62 and 63 are sometimes called "receiving claws" or "fingers". The base portions 61a to 61d are each supported by a support shaft R3. A plurality of mounting portions 62 are arranged at intervals on the base portions 61a to 61d so as to receive the long side of the peripheral portion of the substrate 100. As shown in FIG. A plurality of mounting portions 63 are arranged at intervals on the base portions 61a to 61d so as to receive the short sides of the periphery of the substrate 100. As shown in FIG. The substrate 100 loaded into the film forming apparatus 1 by the transport robot 302 a is supported by the multiple mounting parts 62 and 63 . Hereinafter, the base portions 61a to 61d are collectively referred to as the base portion 61 when they are not distinguished from each other.

本実施形態では、複数の載置部62及び63は板バネで構成されており、複数の載置部62及び63により支持されている基板100を吸着板15に吸着させる際には、板バネの弾性力により基板100を吸着板15に対して押し付けることができる。 In this embodiment, the plurality of mounting portions 62 and 63 are composed of leaf springs. The substrate 100 can be pressed against the adsorption plate 15 by the elastic force of .

なお、図3の例では4つのベース部61により部分的に切り欠きがある矩形の枠体が構成されているが、これには限定されず、ベース部61は矩形状の基板100の外周を取り囲むような切れ目のない矩形枠体であってもよい。ただし、複数のベース部61により切り欠きが設けられることで、搬送ロボット302aが載置部62及び63へと基板100を受け渡す際に、搬送ロボット302aがベース部61を避けて退避することができる。これにより、基板100の搬送及び受け渡しの効率を向上させることができる。 In the example of FIG. 3, the four base portions 61 form a rectangular frame with a partial notch. However, the present invention is not limited to this. It may be a continuous rectangular frame that surrounds. However, since the notches are provided by the plurality of base portions 61 , the transfer robot 302 a can avoid the base portions 61 and retreat when the transfer robot 302 a transfers the substrate 100 to the mounting portions 62 and 63 . can. As a result, the efficiency of transporting and delivering the substrate 100 can be improved.

なお、基板支持ユニット6には、複数の載置部62及び63に対応して複数のクランプ部が設けられ、載置部62及び63に載置された基板100の周縁部をクランプ部により挟んで保持する態様が採用されてもよい。 The substrate support unit 6 is provided with a plurality of clamping portions corresponding to the plurality of mounting portions 62 and 63, and the peripheral portion of the substrate 100 mounted on the mounting portions 62 and 63 is clamped by the clamping portions. may be employed.

(吸着板)
引き続き図2及び3を参照する。アライメント装置2は、真空チャンバ3の内部に設けられ、基板100を吸着可能な吸着板15を備える。本実施形態では、吸着板15は、基板支持ユニット6とプレートユニット9との間に設けられ、1つまたは複数の支持軸R1により支持されている。本実施形態では、吸着板15は、4つの支持軸R1により支持されている。一実施形態において、支持軸R1は円柱形状のシャフトである。
(Suction plate)
Continuing to refer to FIGS. The alignment device 2 is provided inside the vacuum chamber 3 and includes a suction plate 15 capable of suctioning the substrate 100 . In this embodiment, the adsorption plate 15 is provided between the substrate support unit 6 and the plate unit 9 and supported by one or more support shafts R1. In this embodiment, the adsorption plate 15 is supported by four support shafts R1. In one embodiment, the support shaft R1 is a cylindrical shaft.

また、本実施形態では、吸着板15は、基板100を静電気力によって吸着する静電チャックである。例えば、吸着板15は、セラミックス材質のマトリックス(基体とも呼ばれる)の内部に金属電極などの電気回路が埋め込まれた構造を有する。例えば、各電極配置領域151では、静電引力を発生させるためにプラス及びマイナスの電圧が印加される一対の電極が配置される。プラス電極及びマイナス電極は、一つの電極配置領域151内で交互に配置される。電極配置領域151に配置された金属電極にプラス(+)及びマイナス(-)電圧が印加されると、セラミックスマトリックスを通じて基板100に分極電荷が誘導され、基板100と吸着板15との間の静電気的な引力(静電気力)により、基板100が吸着板15の吸着面150に吸着固定される。 Further, in this embodiment, the attraction plate 15 is an electrostatic chuck that attracts the substrate 100 by electrostatic force. For example, the adsorption plate 15 has a structure in which electrical circuits such as metal electrodes are embedded in a ceramic matrix (also called a substrate). For example, in each electrode placement region 151, a pair of electrodes to which positive and negative voltages are applied are placed in order to generate electrostatic attraction. The positive electrodes and negative electrodes are alternately arranged within one electrode arrangement region 151 . When positive (+) and negative (-) voltages are applied to the metal electrodes arranged in the electrode arrangement region 151, polarization charges are induced in the substrate 100 through the ceramic matrix, and static electricity is generated between the substrate 100 and the adsorption plate 15. The substrate 100 is attracted and fixed to the attraction surface 150 of the attraction plate 15 by a static attraction (electrostatic force).

また、吸着板15は、電極に加えられる電圧の大きさ、電圧の印加開始時点、電圧の維持時間、電圧の印加順序などを制御する電圧制御部(不図示)を備える。電圧制御部は、複数の電極配置領域151への電圧印加を、互いに独立に制御することができる。 The attraction plate 15 also includes a voltage controller (not shown) that controls the magnitude of the voltage applied to the electrodes, the voltage application start point, the voltage maintenance time, the voltage application sequence, and the like. The voltage controller can control voltage application to the plurality of electrode arrangement regions 151 independently of each other.

なお、電極配置領域151は適宜設定可能である。例えば、本実施形態では複数の電極配置領域151が互いに離間して設けられているが、1つの電極配置領域151が吸着板15の吸着面150の略全面に渡って形成されてもよい。 Note that the electrode placement region 151 can be set as appropriate. For example, in the present embodiment, a plurality of electrode placement regions 151 are spaced apart from each other, but one electrode placement region 151 may be formed over substantially the entire adsorption surface 150 of the adsorption plate 15 .

また、吸着板15には、吸着板15と基板100との接触を検出する複数のタッチセンサ1621が埋設されている。本実施形態では、合計9つのタッチセンサ1621が設け
られている。吸着板15の周縁部では、両長辺に沿ってそれぞれ4つずつが設けられ、吸着板15の中央部に1つが設けられている。このように、吸着板15の複数箇所にタッチセンサ1621が設けられることにより、基板100の全面が吸着面150に吸着されたことを確認することができる。なお、タッチセンサ1621の数や配置は適宜変更可能である。
A plurality of touch sensors 1621 for detecting contact between the adsorption plate 15 and the substrate 100 are embedded in the adsorption plate 15 . In this embodiment, a total of nine touch sensors 1621 are provided. At the periphery of the suction plate 15 , four are provided along both long sides, and one is provided at the central portion of the suction plate 15 . By providing the touch sensors 1621 at a plurality of locations on the attraction plate 15 in this manner, it is possible to confirm that the entire surface of the substrate 100 has been attracted to the attraction surface 150 . Note that the number and arrangement of the touch sensors 1621 can be changed as appropriate.

また、本実施形態では、タッチセンサ1621は、自身と対象との接触をメカニカルに検出する。一例として、タッチセンサ1621は、その先端部がバネ等に付勢され、先端部が基板100等と接触していない状態では先端部が吸着面150から突出するように設けられる。そして、基板100がタッチセンサ1621の先端部に接触すると、先端部が基板100に押されて吸着板15側へと引っ込み、内部の接点と接触することで所定の電気信号が出力されるように構成される。なお、先端部の形状は特に限定されず、ボタン形状やロッド形状であり得る。対象と接触していない状態の先端部が吸着面150から突出する長さを適当に設定することにより、タッチセンサ1621は実質的に吸着板15と基板100との接触を検出することができる。また、複数のタッチセンサ1621は、後述するように、吸着板15及びマスク台5の間の平行度を検出する検出ユニット16を構成する(<検出ユニット>参照)。 Further, in the present embodiment, the touch sensor 1621 mechanically detects contact between itself and a target. As an example, the touch sensor 1621 is provided such that its tip is biased by a spring or the like and protrudes from the attraction surface 150 when the tip is not in contact with the substrate 100 or the like. Then, when the substrate 100 contacts the tip of the touch sensor 1621, the tip is pushed by the substrate 100 and withdraws toward the adsorption plate 15 side. Configured. The shape of the tip is not particularly limited, and may be button-shaped or rod-shaped. The touch sensor 1621 can substantially detect the contact between the adsorption plate 15 and the substrate 100 by appropriately setting the length of the protrusion of the tip that is not in contact with the object from the adsorption surface 150 . Also, the plurality of touch sensors 1621 constitute a detection unit 16 that detects parallelism between the suction plate 15 and the mask table 5 (see <detection unit>), as will be described later.

また、本実施形態では、吸着板15には、基板100の吸着板15への吸着状態を確認するファイバセンサ1622が設けられる。ファイバセンサ1622は、発光部1622a及び受光部1622bを含む。発光部1622a及び受光部1622bは、吸着板15の下方、例えば吸着板15の数mm~数十mm下方に光路1622cを形成するように設けられる。基板100の一部が吸着板15に吸着されていない場合、重力によって当該一部が下方に撓む。吸着板15への基板100の吸着処理を行った後で基板100に撓みが発生している場合には、その撓みの部分が光路1622cを遮ることにより、基板100の撓みが検出される。すなわち、基板100の吸着が適切に行われていないことを検出することができる。なお、ファイバセンサ1622は省略されてもよい。 In addition, in this embodiment, the suction plate 15 is provided with a fiber sensor 1622 for checking the suction state of the substrate 100 to the suction plate 15 . The fiber sensor 1622 includes a light emitter 1622a and a light receiver 1622b. The light-emitting portion 1622a and the light-receiving portion 1622b are provided so as to form an optical path 1622c below the adsorption plate 15, for example, below the adsorption plate 15 by several millimeters to several tens of millimeters. When a part of the substrate 100 is not adsorbed by the adsorption plate 15, the part bends downward due to gravity. If the substrate 100 is warped after the substrate 100 is sucked onto the chucking plate 15, the warped portion blocks the optical path 1622c, so that the warping of the substrate 100 is detected. That is, it is possible to detect that the substrate 100 is not properly sucked. Note that the fiber sensor 1622 may be omitted.

また、吸着板15には複数の開口152が形成されており、後述する計測ユニット(第1計測ユニット7及び第2計測ユニット8)が複数の開口152を介して後述するマスクマークを撮像する。 A plurality of openings 152 are formed in the suction plate 15 , and a measurement unit (first measurement unit 7 and second measurement unit 8 ), which will be described later, captures an image of a mask mark, which will be described later, through the plurality of openings 152 .

図4を併せて参照する。図4は、吸着板15から支持軸R1に至る構造を模式的に示している。また、図4は、吸着板の電気配線の説明図であり、吸着板15の電極配置領域151に配置される電極へ電気を供給するための配線が示されている。本実施形態の場合、吸着板15を支持する複数の支持軸R1が中空の筒状に形成されている。そして、プラス(+)及びマイナス(-)電圧を印加するための電線153がその内部を通過するように配線されている。図4の例では、プラス(+)及びマイナス(-)電圧を印加するための電線153がそれぞれ1本ずつ、計2本示されている。また、支持軸R1の下部から真空チャンバ3に延出した電線153は、吸着板15の短辺に沿って延び、短辺の略中央に設けられた電気接続部154に接続する。つまり、電線153は、支持軸R1を介して真空チャンバ3の外部から内部へと導かれ、電気接続部154と接続する。また、電線153から電気接続部154へと供給された電力が、電極配置領域151に配置された各電極へと供給される。 Also refer to FIG. FIG. 4 schematically shows the structure from the adsorption plate 15 to the support shaft R1. Also, FIG. 4 is an explanatory diagram of the electrical wiring of the adsorption plate, showing the wiring for supplying electricity to the electrodes arranged in the electrode arrangement area 151 of the adsorption plate 15 . In the case of this embodiment, a plurality of support shafts R1 that support the adsorption plate 15 are formed in a hollow cylindrical shape. Wires 153 for applying plus (+) and minus (-) voltages are wired so as to pass through the interior thereof. In the example of FIG. 4, a total of two wires 153 are shown for applying plus (+) and minus (-) voltages. An electric wire 153 extending from the lower portion of the support shaft R1 to the vacuum chamber 3 extends along the short side of the adsorption plate 15 and connects to an electrical connection portion 154 provided substantially in the center of the short side. That is, the electric wire 153 is led from the outside to the inside of the vacuum chamber 3 via the support shaft R1 and is connected to the electrical connection portion 154 . Also, power supplied from the electric wire 153 to the electrical connection portion 154 is supplied to each electrode arranged in the electrode arrangement region 151 .

また、本実施形態では、4本の支持軸R1が設けられており、これらの支持軸R1を通って、各種の電線(ケーブル)が真空チャンバ3の内部へと導かれる。一実施形態において、対角に設けられた2本の支持軸R1の内側を、吸着板15へと電気を供給する電線153がそれぞれ通過し、残りの2本の支持軸R1の内側を、タッチセンサ1621や後述するファイバセンサ1622等のケーブルが束ねられた状態で通過する。 Further, in this embodiment, four support shafts R1 are provided, and various electric wires (cables) are led into the vacuum chamber 3 through these support shafts R1. In one embodiment, the wires 153 for supplying electricity to the adsorption plate 15 pass through the insides of two support shafts R1 provided diagonally, and the insides of the remaining two support shafts R1 are touched. Cables such as the sensor 1621 and a fiber sensor 1622 (to be described later) are bundled and pass through.

(位置調整ユニット)
アライメント装置2は、基板支持ユニット6により周縁部が支持された基板100、あるいは、吸着板15によって吸着された基板100と、マスク101との相対位置を調整する位置調整ユニット20を備える。位置調整ユニット20は、基板支持ユニット6または吸着板15をX-Y平面上で変位することにより、マスク101に対する基板100の相対位置を調整する。すなわち、位置調整ユニット20は、マスク101と基板100の水平位置を調整するユニットであるとも言える。例えば、位置調整ユニット20は、基板支持ユニット6をX方向、Y方向及びZ方向の軸周りの回転方向に変位することができる。本実施形態では、マスク101の位置を固定し、基板100を変位してこれらの相対位置を調整するが、マスク101を変位させて調整してもよく、或いは、基板100とマスク101の双方を変位させてもよい。
(Positioning unit)
The alignment apparatus 2 includes a position adjusting unit 20 that adjusts the relative position between the substrate 100 whose peripheral portion is supported by the substrate support unit 6 or the substrate 100 sucked by the suction plate 15 and the mask 101 . The position adjustment unit 20 adjusts the relative position of the substrate 100 with respect to the mask 101 by displacing the substrate support unit 6 or the suction plate 15 on the XY plane. That is, it can be said that the position adjustment unit 20 is a unit that adjusts the horizontal positions of the mask 101 and the substrate 100 . For example, the position adjustment unit 20 can displace the substrate support unit 6 in rotational directions around the X, Y, and Z axes. In this embodiment, the position of the mask 101 is fixed and the substrate 100 is displaced to adjust their relative positions. It may be displaced.

本実施形態では、位置調整ユニット20は、固定プレート20aと、可動プレート20bと、これらのプレートの間に配置された複数のアクチュエータ201とを備える。固定プレート20aは真空チャンバ3の上壁部30上に固定されている。また、可動プレート20b上にはフレーム状の架台21が搭載されており、架台21には距離調整ユニット22及びプレートユニット昇降ユニット13が支持されている。アクチュエータ201により可動プレート20bを固定プレート20aに対して水平方向に変位すると、架台21、距離調整ユニット22及びプレートユニット昇降ユニット13が一体的に変位する。 In this embodiment, the positioning unit 20 comprises a fixed plate 20a, a movable plate 20b and a plurality of actuators 201 arranged between these plates. The fixed plate 20 a is fixed on the upper wall portion 30 of the vacuum chamber 3 . A frame-shaped pedestal 21 is mounted on the movable plate 20b, and the pedestal 21 supports a distance adjusting unit 22 and a plate unit elevating unit 13. As shown in FIG. When the movable plate 20b is horizontally displaced with respect to the fixed plate 20a by the actuator 201, the pedestal 21, the distance adjusting unit 22 and the plate unit elevating unit 13 are integrally displaced.

複数のアクチュエータ201は、例えば、可動プレート20bをX方向に変位可能なアクチュエータ及び可動プレート20bをY方向に変位可能なアクチュエータ等を含み、これらの移動量を制御することにより、可動プレート20bをX方向、Y方向及びZ方向の軸周りの回転方向に変位することができる。例えば、複数のアクチュエータ201は、駆動源であるモータと、モータの駆動力を直線運動に変換するボールねじ機構等の機構を含み得る。 The plurality of actuators 201 includes, for example, an actuator capable of displacing the movable plate 20b in the X direction and an actuator capable of displacing the movable plate 20b in the Y direction. It can be displaced in directions of rotation about the axes in the direction, Y direction and Z direction. For example, the plurality of actuators 201 may include a motor that is a driving source and a mechanism such as a ball screw mechanism that converts the driving force of the motor into linear motion.

(距離調整ユニット)
距離調整ユニット22は、吸着板15及び基板支持ユニット6を昇降することで、それらとマスク台5との距離を調整し、基板100とマスク101とを基板100の厚み方向(Z方向)に接近及び離隔(離間)させる。換言すれば、距離調整ユニット22は、基板100とマスク101とを重ね合わせる方向に接近させたり、その逆方向に離隔させたりする。なお、距離調整ユニット22によって調整する「距離」はいわゆる垂直距離(又は鉛直距離)であり、距離調整ユニットは、マスク101と基板100の垂直位置を調整するユニットであるとも言える。
(distance adjustment unit)
The distance adjustment unit 22 moves up and down the adsorption plate 15 and the substrate support unit 6 to adjust the distance between them and the mask table 5, and brings the substrate 100 and the mask 101 closer together in the thickness direction (Z direction) of the substrate 100. and separate (separate). In other words, the distance adjusting unit 22 brings the substrate 100 and the mask 101 closer together in the overlapping direction or separates them in the opposite direction. The “distance” adjusted by the distance adjustment unit 22 is a so-called vertical distance (or vertical distance), and the distance adjustment unit can also be said to be a unit that adjusts the vertical positions of the mask 101 and the substrate 100 .

図2に示すように、距離調整ユニット22は第1昇降プレート220を備える。架台21の側部にはZ方向に延びるガイドレール21aが形成されており、第1昇降プレート220はガイドレール21aに沿ってZ方向に昇降自在である。 As shown in FIG. 2 , the distance adjusting unit 22 has a first lifting plate 220 . A guide rail 21a extending in the Z direction is formed on a side portion of the mount 21, and the first lifting plate 220 can move up and down in the Z direction along the guide rail 21a.

第1昇降プレート220は、複数の支持軸R1を介して吸着板15を支持している。第1昇降プレート220が昇降するとそれに伴って吸着板15が昇降する。換言すれば、第1昇降プレート220は吸着板15を支持する複数の支持軸R1を支持しており、第1昇降プレート220の昇降により複数の支持軸R1が同期して昇降し、吸着板15がその平行度を保った状態で昇降する。また、第1昇降プレート220は、複数のアクチュエータ65及び複数の支持軸R3を介して基板支持ユニット6を支持している。第1昇降プレート220が昇降するとそれに伴って基板支持ユニット6が昇降する。また、複数のアクチュエータ65は、接続する複数の支持軸R3を鉛直方向に移動可能である。基板支持ユニット6は複数のアクチュエータ65により吸着板15に対して鉛直方向に相対的に移動す
る。複数のアクチュエータ65は、例えばモータとボールねじ機構等により、支持軸R3を鉛直方向に移動可能に構成されてもよい。
The first lifting plate 220 supports the suction plate 15 via a plurality of support shafts R1. As the first lift plate 220 moves up and down, the adsorption plate 15 moves up and down accordingly. In other words, the first elevating plate 220 supports a plurality of support shafts R1 that support the adsorption plate 15, and the elevation of the first elevating plate 220 raises and lowers the plurality of support shafts R1 synchronously. moves up and down while maintaining its parallelism. Also, the first elevating plate 220 supports the substrate support unit 6 via a plurality of actuators 65 and a plurality of support shafts R3. As the first lifting plate 220 rises and lowers, the substrate support unit 6 rises and lowers accordingly. Further, the plurality of actuators 65 are capable of vertically moving the plurality of connecting support shafts R3. The substrate support unit 6 is vertically moved relative to the adsorption plate 15 by a plurality of actuators 65 . The plurality of actuators 65 may be configured to be vertically movable on the support shaft R3 by, for example, a motor and a ball screw mechanism.

第1昇降プレート220の昇降についてより具体的に説明する。距離調整ユニット22は、架台21に支持され、第1昇降プレート220を昇降するアクチュエータとしての駆動ユニット221を備えている。駆動ユニット221は、駆動源であるモータ221aの駆動力を第1昇降プレート220に伝達する機構である。駆動ユニット221の伝達機構として、本実施形態では、ボールねじ軸221bとボールナット221cとを有するボールねじ機構が採用されている。ボールねじ軸221bはZ方向に延設され、モータ221aの駆動力によりZ方向の軸周りに回転する。ボールナット221cは第1昇降プレート220に固定されており、ボールねじ軸221bと噛み合っている。ボールねじ軸221bの回転とその回転方向の切り替えによって、第1昇降プレート220をZ方向に昇降することができる。第1昇降プレート220の昇降量は、例えば、各モータ221aの回転量を検知するロータリエンコーダ等のセンサの検知結果から制御することができる。これにより、基板100を吸着して支持している吸着板15のZ方向における位置を制御し、基板100とマスク101との接触、離隔を制御することができる。また、第1昇降プレート220の上部には、後述する調整ユニット17が設けられている。 The lifting and lowering of the first lifting plate 220 will be described more specifically. The distance adjustment unit 22 is supported by the pedestal 21 and includes a drive unit 221 as an actuator that moves the first elevating plate 220 up and down. The drive unit 221 is a mechanism that transmits the driving force of a motor 221 a as a drive source to the first lifting plate 220 . As the transmission mechanism of the drive unit 221, in this embodiment, a ball screw mechanism having a ball screw shaft 221b and a ball nut 221c is employed. The ball screw shaft 221b extends in the Z direction and rotates around the axis in the Z direction by the driving force of the motor 221a. The ball nut 221c is fixed to the first elevating plate 220 and meshes with the ball screw shaft 221b. By rotating the ball screw shaft 221b and switching the direction of rotation, the first lifting plate 220 can be moved up and down in the Z direction. The amount of elevation of the first elevation plate 220 can be controlled, for example, from the detection result of a sensor such as a rotary encoder that detects the amount of rotation of each motor 221a. Thereby, the position in the Z direction of the suction plate 15 that suctions and supports the substrate 100 can be controlled, and the contact and separation between the substrate 100 and the mask 101 can be controlled. An adjustment unit 17, which will be described later, is provided on the upper portion of the first lifting plate 220. As shown in FIG.

なお、本実施形態の距離調整ユニットは、マスク台5の位置を固定し、基板支持ユニット6及び吸着板15を移動してこれらのZ方向の距離を調整するが、これに限定はされない。基板支持ユニット6または吸着板15の位置を固定し、マスク台5を移動させて調整してもよく、或いは、基板支持ユニット6、吸着板15、及びマスク台5のそれぞれを移動させて互いの距離を調整してもよい。 Although the distance adjusting unit of this embodiment fixes the position of the mask table 5 and moves the substrate supporting unit 6 and the suction plate 15 to adjust the distance in the Z direction, the present invention is not limited to this. The position of the substrate support unit 6 or the suction plate 15 may be fixed and the mask table 5 may be moved for adjustment, or the substrate support unit 6, the suction plate 15, and the mask table 5 may be moved to adjust their position relative to each other. You can adjust the distance.

(プレートユニット昇降ユニット)
プレートユニット昇降ユニット13は、真空チャンバ3の外部に配置された第2昇降プレート12を昇降させることで、第2昇降プレート12に連結され、真空チャンバ3の内部に配置されたプレートユニット9を昇降する。プレートユニット9は1つまたは複数の支持軸R2を介して第2昇降プレート12と連結されている。本実施形態では、プレートユニット9は2つの支持軸R2により支持されている。支持軸R2は、磁石プレート11から上方に延設されており上壁部30の開口部、固定プレート20a及び可動プレート20bの各開口部、及び、第1昇降プレート220の開口部を通過して第2昇降プレート12に連結されている。
(Plate unit lifting unit)
The plate unit elevating unit 13 is connected to the second elevating plate 12 by elevating the second elevating plate 12 arranged outside the vacuum chamber 3, and elevates the plate unit 9 arranged inside the vacuum chamber 3. do. The plate unit 9 is connected with the second lifting plate 12 via one or more support shafts R2. In this embodiment, the plate unit 9 is supported by two support shafts R2. The support shaft R2 extends upward from the magnet plate 11 and passes through the opening of the upper wall portion 30, the openings of the fixed plate 20a and the movable plate 20b, and the opening of the first elevating plate 220. It is connected to the second lifting plate 12 .

第2昇降プレート12は案内軸12aに沿ってZ方向に昇降自在である。プレートユニット昇降ユニット13は、架台21に支持され、第2昇降プレート12を昇降する駆動機構を備えている。プレートユニット昇降ユニット13の備える駆動機構は、駆動源であるモータ13aの駆動力を第2昇降プレート12に伝達する機構である。プレートユニット昇降ユニット13の伝達機構として、本実施形態では、ボールねじ軸13bとボールナット13cとを有するボールねじ機構が採用されている。ボールねじ軸13bはZ方向に延設され、モータ13aの駆動力によりZ方向の軸周りに回転する。ボールナット13cは第2昇降プレート12に固定されており、ボールねじ軸13bと噛み合っている。ボールねじ軸13bの回転とその回転方向の切り替えによって、第2昇降プレート12をZ方向に昇降することができる。第2昇降プレート12の昇降量は、例えば、各モータ13aの回転量を検知するロータリエンコーダ等のセンサの検知結果から制御することができる。これにより、プレートユニット9のZ方向における位置を制御し、プレートユニット9と基板100との接触、離隔を制御することができる。 The second lift plate 12 can be lifted and lowered in the Z direction along the guide shaft 12a. The plate unit elevating unit 13 is supported by the pedestal 21 and includes a driving mechanism for elevating the second elevating plate 12 . The driving mechanism provided in the plate unit lifting unit 13 is a mechanism that transmits the driving force of the motor 13 a that is the driving source to the second lifting plate 12 . As a transmission mechanism for the plate unit lifting unit 13, a ball screw mechanism having a ball screw shaft 13b and a ball nut 13c is employed in this embodiment. The ball screw shaft 13b extends in the Z direction and rotates around the axis in the Z direction by the driving force of the motor 13a. The ball nut 13c is fixed to the second elevating plate 12 and meshes with the ball screw shaft 13b. By rotating the ball screw shaft 13b and switching the direction of rotation, the second lifting plate 12 can be moved up and down in the Z direction. The amount of elevation of the second elevating plate 12 can be controlled, for example, from the detection result of a sensor such as a rotary encoder that detects the amount of rotation of each motor 13a. Thereby, the position of the plate unit 9 in the Z direction can be controlled, and the contact and separation between the plate unit 9 and the substrate 100 can be controlled.

前述した各支持軸R1~R3が通過する真空チャンバ3の上壁部30の開口部は、各支持軸R1~R3がX方向及びY方向に変位可能な大きさを有している。真空チャンバ3の
気密性を維持するため、各支持軸R1~R3が通過する上壁部30の開口部にはベローズ等が設けられる。例えば、第1昇降プレート220を支持する支持軸R1は、ベローズ31(図4等参照)で覆われる。
The opening of the upper wall 30 of the vacuum chamber 3 through which the support shafts R1 to R3 pass has a size that allows the support shafts R1 to R3 to be displaced in the X and Y directions. In order to maintain airtightness of the vacuum chamber 3, a bellows or the like is provided at the opening of the upper wall portion 30 through which the support shafts R1 to R3 pass. For example, the support shaft R1 that supports the first elevating plate 220 is covered with a bellows 31 (see FIG. 4, etc.).

(計測ユニット)
アライメント装置2は、基板支持ユニット6により周縁部が支持された基板100とマスク101の位置ずれを計測する計測ユニット(第1計測ユニット7及び第2計測ユニット8)を備える。図2に加えて図5を参照して説明する。図5は第1計測ユニット7及び第2計測ユニット8の説明図であり、基板100とマスク101の位置ずれの計測態様を示している。本実施形態の第1計測ユニット7及び第2計測ユニット8はいずれも画像を撮像する撮像装置(カメラ)である。第1計測ユニット7及び第2計測ユニット8は、上壁部30の上方に配置され、上壁部30に形成された窓部(不図示)を介して真空チャンバ3内の画像を撮像可能である。
(measurement unit)
The alignment apparatus 2 includes measurement units (a first measurement unit 7 and a second measurement unit 8) that measure the positional deviation between the substrate 100 whose peripheral edge is supported by the substrate support unit 6 and the mask 101 . Description will be made with reference to FIG. 5 in addition to FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram of the first measurement unit 7 and the second measurement unit 8, and shows a mode of measuring the positional deviation between the substrate 100 and the mask 101. As shown in FIG. Both the first measurement unit 7 and the second measurement unit 8 of the present embodiment are imaging devices (cameras) that capture images. The first measurement unit 7 and the second measurement unit 8 are arranged above the upper wall portion 30 and are capable of capturing an image inside the vacuum chamber 3 through a window (not shown) formed in the upper wall portion 30 . be.

基板100には基板ラフアライメントマーク100a及び基板ファインアライメントマーク100bが形成されており、マスク101にはマスクラフアライメントマーク101a及びマスクファインマーク101bが形成されている。以下、基板ラフアライメントマーク100aを基板ラフマーク100aと呼び、基板ファインアライメントマーク100bを基板ファインマーク100bと呼び、両者をまとめて基板マークと呼ぶことがある。また、マスクラフアライメントマーク101aをマスクラフマーク101aと呼び、マスクファインアライメントマーク101bをマスクファインマーク101bと呼び、両者をまとめてマスクマークと呼ぶことがある。 The substrate 100 is formed with substrate rough alignment marks 100a and substrate fine alignment marks 100b, and the mask 101 is formed with mask rough alignment marks 101a and mask fine marks 101b. Hereinafter, the substrate rough alignment mark 100a is called the substrate rough mark 100a, the substrate fine alignment mark 100b is called the substrate fine mark 100b, and both are collectively called the substrate mark. Also, the mask rough alignment mark 101a is called the mask rough mark 101a, the mask fine alignment mark 101b is called the mask fine mark 101b, and both are collectively called the mask mark.

基板ラフマーク100aは、基板100の短辺中央部に形成されている。基板ファインマーク100bは、基板100の四隅に形成されている。マスクラフマーク101aは、基板ラフマーク100aに対応してマスク101の短辺中央部に形成されている。また、マスクファインマーク101bは基板ファインマーク100bに対応してマスク101の四隅に形成されている。 The substrate rough mark 100 a is formed in the central portion of the short side of the substrate 100 . Substrate fine marks 100 b are formed at the four corners of substrate 100 . The mask rough marks 101a are formed in the central portion of the short side of the mask 101 corresponding to the substrate rough marks 100a. Also, the mask fine marks 101b are formed at the four corners of the mask 101 corresponding to the substrate fine marks 100b.

第2計測ユニット8は、対応する基板ファインマーク100bとマスクファインマーク101bの各組(本実施形態では4組)を撮像するように4つ設けられている(第2計測ユニット8a~8d)。第2計測ユニット8は、相対的に視野が狭いが高い解像度(例えば数μmのオーダ)を有する高倍率CCDカメラ(ファインカメラ)であり、基板100とマスク101との位置ずれを高精度で計測する。第1計測ユニット7は、1つ設けられており、対応する基板ラフマーク100aとマスクラフマーク101aの各組(本実施形態では2組)を撮像する。 Four second measurement units 8 (second measurement units 8a to 8d) are provided so as to image each set (four sets in this embodiment) of the corresponding substrate fine mark 100b and mask fine mark 101b. The second measurement unit 8 is a high-magnification CCD camera (fine camera) having a relatively narrow field of view but high resolution (for example, on the order of several μm), and measures the positional deviation between the substrate 100 and the mask 101 with high precision. do. One first measurement unit 7 is provided, and images each set (two sets in this embodiment) of the corresponding substrate rough marks 100a and mask rough marks 101a.

第1計測ユニット7は、相対的に視野が広いが低い解像度を有する低倍率CCDカメラ(ラフカメラ)であり、基板100とマスク101との大まかな位置ずれを計測する。図5の例では2組の基板ラフマーク100a及びマスクラフマーク101aの組を1つの第1計測ユニット7でまとめて撮像する構成を示したが、これに限定はされない。第2計測ユニット8と同様に、基板ラフマーク100a及びマスクラフマーク101aの各組をそれぞれ撮影するように、それぞれの組に対応する位置に第1計測ユニット7を2つ設けてもよい。 The first measurement unit 7 is a low-magnification CCD camera (rough camera) having a relatively wide field of view and low resolution, and measures a rough positional deviation between the substrate 100 and the mask 101 . Although the example of FIG. 5 shows a configuration in which two sets of substrate rough marks 100a and mask rough marks 101a are collectively imaged by one first measurement unit 7, the present invention is not limited to this. As with the second measurement unit 8, two first measurement units 7 may be provided at positions corresponding to each pair so as to photograph each pair of the substrate rough marks 100a and the mask rough marks 101a.

本実施形態では、第1計測ユニット7の計測結果に基づいて基板100とマスク101との大まかな位置調整を行った後、第2計測ユニット8の計測結果に基づいて基板100とマスク101との精密な位置調整を行う。 In this embodiment, after roughly adjusting the positions of the substrate 100 and the mask 101 based on the measurement results of the first measurement unit 7 , the substrate 100 and the mask 101 are aligned based on the measurement results of the second measurement unit 8 . Make precise position adjustments.

(調整ユニット)
アライメント装置2は、調整ユニット17を備える。図6は、調整ユニット17(調整装置)の説明図である。調整ユニット17は、吸着板15とマスク台5との相対的な傾きを調整するユニットである。本実施形態では、調整ユニット17は、吸着板15を動かすことにより、吸着板15とマスク台5との相対的な傾きを調整する。さらに言えば、複数の支持軸R1のうち少なくとも一部の支持軸R1の軸方向の位置を調整することにより、吸着板15とマスク台5との相対的な傾きを調整する。
(adjustment unit)
The alignment device 2 comprises an adjustment unit 17 . FIG. 6 is an explanatory diagram of the adjustment unit 17 (adjustment device). The adjustment unit 17 is a unit that adjusts the relative inclination between the suction plate 15 and the mask table 5 . In this embodiment, the adjustment unit 17 adjusts the relative tilt between the suction plate 15 and the mask table 5 by moving the suction plate 15 . In other words, the relative tilt between the suction plate 15 and the mask table 5 is adjusted by adjusting the axial position of at least a part of the support shafts R1 among the plurality of support shafts R1.

調整ユニット17は、作業者により操作される複数の操作部171を有する。本実施形態では、複数の操作部171が、複数の支持軸R1のそれぞれに対応して設けられる。そして、操作部171が操作されると、対応する支持軸R1が他の支持軸R1と独立にその軸方向である鉛直方向に移動する。すなわち、複数の操作部171はそれぞれ、対応する支持軸R1が吸着板15を支持する鉛直方向の位置を独立に調整することができる。このため、作業者が操作部171を操作することで吸着板15とマスク台5との相対的な傾きが調整される。調整の自由度を上げるためには、複数の支持軸R1のそれぞれに操作部171が設けられることが好ましいが、少なくとも1つの支持軸R1に操作部171が設けられれば吸着板15とマスク台5との相対的な傾きを一定の範囲で調整することができる。 The adjustment unit 17 has a plurality of operation sections 171 operated by an operator. In this embodiment, a plurality of operation portions 171 are provided corresponding to each of the plurality of support shafts R1. When the operation portion 171 is operated, the corresponding support shaft R1 moves in the vertical direction, which is the axial direction, independently of the other support shafts R1. That is, each of the plurality of operating portions 171 can independently adjust the vertical position at which the corresponding support shaft R1 supports the suction plate 15 . Therefore, the worker can adjust the relative inclination between the suction plate 15 and the mask table 5 by operating the operation unit 171 . In order to increase the degree of freedom of adjustment, it is preferable to provide an operation portion 171 on each of the plurality of support shafts R1. can be adjusted within a certain range.

本実施形態では、操作部171は、支持軸R1をその軸方向である鉛直方向に移動させる調整ナットである。調整ナットと支持軸R1に形成されたネジ山172が螺合するように設けられており、作業者により調整ナットが回されると、支持軸R1が移動する。 In this embodiment, the operation part 171 is an adjusting nut that moves the support shaft R1 in the vertical direction, which is the axial direction thereof. The adjusting nut and the screw thread 172 formed on the support shaft R1 are provided so as to be screwed together, and when the adjusting nut is turned by the operator, the support shaft R1 moves.

また、本実施形態では、操作部171は、真空チャンバ3の外部に設けられる。具体的には、支持軸R1がスライドブッシュ173を介して第1昇降プレート220に支持されており、スライドブッシュ173の上側に操作部171が設けられている。操作部171が真空チャンバ3の外部に設けられることにより、真空チャンバ3の内部が真空に保持されている状態で、作業者が調整ユニット17による調整を行うことができる。 Further, in the present embodiment, the operation section 171 is provided outside the vacuum chamber 3 . Specifically, the support shaft R<b>1 is supported by the first elevating plate 220 via the slide bush 173 , and the operation portion 171 is provided above the slide bush 173 . Since the operation part 171 is provided outside the vacuum chamber 3, the operator can perform adjustment using the adjustment unit 17 while the inside of the vacuum chamber 3 is kept in a vacuum state.

また、支持軸R1と吸着板15との間には、支持軸R1に対する吸着板15の角度を可変に支持軸R1及び吸着板15を接続する継手部18が設けられている。本実施形態では、継手部18は球面軸受であり、球状部181と、球状部181を摺動可能に受ける軸受部182とを含む。 A joint portion 18 is provided between the support shaft R1 and the suction plate 15 to connect the support shaft R1 and the suction plate 15 so that the angle of the suction plate 15 with respect to the support shaft R1 is variable. In this embodiment, the joint portion 18 is a spherical bearing and includes a spherical portion 181 and a bearing portion 182 that slidably receives the spherical portion 181 .

本実施形態では、複数の支持軸R1は鉛直方向(軸方向)にのみ移動可能に構成されている。そのため、図6の左側に示す状態ST1のように吸着板15が水平に保たれている状態と、図6の右側に示す状態ST2のように吸着板15が傾いている状態とでは、支持軸R1に対する吸着板15のなす角度が異なる。本実施形態では、継手部18で支持軸R1に対して吸着板15が屈曲することにより、吸着板15が傾いた状態でも支持軸R1が吸着板15を支持することができる。なお、継手部18は、ユニバーサルジョイント等、2つの部材をその接続角度を変更可能に接続する構造を適宜設定可能である。 In this embodiment, the plurality of support shafts R1 are configured to be movable only in the vertical direction (axial direction). Therefore, in the state ST1 shown on the left side of FIG. The angle formed by the suction plate 15 with respect to R1 is different. In this embodiment, the suction plate 15 is bent with respect to the support shaft R1 at the joint portion 18, so that the support shaft R1 can support the suction plate 15 even when the suction plate 15 is tilted. In addition, the joint part 18 can set suitably the structure which connects two members, such as a universal joint, so that the connection angle can be changed.

ここで、調整ユニット17の構成を距離調整ユニット22と比較して説明する。距離調整ユニット22の第1昇降プレート220が昇降する場合、第1昇降プレート220に支持されている複数の支持軸R1を全て同じ量だけ昇降する、つまり、複数の支持軸R1を同期して昇降する。そのため、吸着板15のマスク台5に対する平行度ないしは相対的な傾きが保たれた状態で吸着板15が昇降する。一方、調整ユニット17は、複数の支持軸R1のいずれかを、他の支持軸R1と独立に第1昇降プレート220に対して鉛直方向(軸方向)に移動させることができる。例えば、調整ユニット17は、3つの支持軸R1の位置を変更せずに、残りの1つの支持軸R1の軸方向の位置を調整することができる。これにより、調整ユニット17は複数の支持軸R1によって支持される吸着板15の傾きを
調整することができる。
Here, the configuration of the adjustment unit 17 will be described in comparison with the distance adjustment unit 22. FIG. When the first lifting plate 220 of the distance adjusting unit 22 moves up and down, the plurality of support shafts R1 supported by the first lifting plate 220 are all raised and lowered by the same amount. do. Therefore, the suction plate 15 moves up and down while maintaining the parallelism or relative inclination of the suction plate 15 to the mask table 5 . On the other hand, the adjustment unit 17 can move any one of the plurality of support shafts R1 in the vertical direction (axial direction) with respect to the first lifting plate 220 independently of the other support shafts R1. For example, the adjustment unit 17 can adjust the axial position of the remaining one support shaft R1 without changing the positions of the three support shafts R1. Thereby, the adjustment unit 17 can adjust the inclination of the suction plate 15 supported by the plurality of support shafts R1.

(フローティング部)
アライメント装置2は、フローティング部19を備える。フローティング部19は、継手部18と吸着板15との間に設けられている。フローティング部19は、弾性部材191と、ブッシュ192と、軸部材193と、吸着板支持部194と、フランジ195とを含む。軸部材193は、継手部18から下方に延びて設けられる。ブッシュ192は、軸部材193と吸着板支持部194との間に介在するように設けられ、これらの間の摩擦を軽減したり、ガタツキを低減したりする。例えば、ブッシュ192は滑り性のよい金属焼結材等により形成される。吸着板支持部194は、吸着板15を支持する。弾性部材191は、吸着板支持部194と、軸部材193に設けられたフランジ195との間に設けられ、吸着板15の荷重を受けるように構成される。すなわち、フローティング部19は継手部18を介して支持軸R1に接続され、フローティング部19の弾性部材191が吸着板15を支持している。このように、支持軸R1がフローティング部19の弾性部材191を介して吸着板15を支持することにより、吸着板15がマスク101に接触する際にマスク101に加えられる荷重を軽減するともに、吸着板15とマスク101とが接触した際の吸着板15の逃げを確保することができる。
(Floating part)
The alignment device 2 has a floating section 19 . The floating portion 19 is provided between the joint portion 18 and the suction plate 15 . The floating portion 19 includes an elastic member 191 , a bushing 192 , a shaft member 193 , a suction plate support portion 194 and a flange 195 . The shaft member 193 is provided extending downward from the joint portion 18 . The bushing 192 is provided so as to be interposed between the shaft member 193 and the suction plate supporting portion 194, and reduces friction and rattling therebetween. For example, the bush 192 is made of a metal sintered material or the like having good lubricity. The suction plate supporting portion 194 supports the suction plate 15 . The elastic member 191 is provided between a suction plate support portion 194 and a flange 195 provided on the shaft member 193 and configured to receive the load of the suction plate 15 . That is, the floating portion 19 is connected to the support shaft R<b>1 via the joint portion 18 , and the elastic member 191 of the floating portion 19 supports the adsorption plate 15 . As described above, the support shaft R1 supports the suction plate 15 via the elastic member 191 of the floating portion 19, thereby reducing the load applied to the mask 101 when the suction plate 15 comes into contact with the mask 101. It is possible to secure escape of the suction plate 15 when the plate 15 and the mask 101 come into contact with each other.

(検出ユニット)
アライメント装置2は、検出ユニット16を備える。再び図2及び3を参照する。検出ユニット16は、吸着板15及びマスク台5の間の平行度を検出する。本実施形態では、平行度は、吸着板15とマスク台5との相対的な傾きの程度を示す度合いである。本実施形態では、検出ユニット16は、吸着板15の側に設けられている、前述した複数のタッチセンサ1621を含んで構成される。複数のタッチセンサ1621は、先端部の吸着面150から突出する長さが互いに略等しくなるように、吸着板15に取り付けられる。タッチセンサ1621が吸着板15に取り付けられることで、大気圧によって真空チャンバ3が変形しても、吸着板15とタッチセンサ1621との相対位置に生じる変化を小さくすることができる。すなわち、真空状態となっても、タッチセンサ1621の先端部の突出長さはほとんど変化せず、互いに略等しいままに維持される。したがって、吸着板15が移動したときに、複数のタッチセンサ1621の全部がほぼ同時に反応すれば、平行度が高い、換言すると、吸着板15とマスク台5との相対的な傾きが小さいと判断することができる。先端部の吸着面150から突出する長さを適当に変えることで、平行ではない所定の傾きを目標値として設定することもできる。検出ユニット16を用いた吸着板15の平行度の検出動作については後述する。また、本実施形態では、タッチセンサ1621が、吸着板15と基板100との接触の検出、及び、吸着板15及びマスク台5の間の平行度を検出の両方を実行する。これにより、これらを検出するセンサを別々に設ける場合と比べてセンサの数を削減することができる。
(detection unit)
The alignment device 2 comprises a detection unit 16 . Please refer to FIGS. 2 and 3 again. A detection unit 16 detects parallelism between the suction plate 15 and the mask table 5 . In this embodiment, the degree of parallelism is the degree of relative inclination between the suction plate 15 and the mask table 5 . In this embodiment, the detection unit 16 is configured to include the plurality of touch sensors 1621 provided on the adsorption plate 15 side. The plurality of touch sensors 1621 are attached to the attraction plate 15 so that the lengths protruding from the attraction surface 150 of the tip portion are substantially equal to each other. By attaching the touch sensor 1621 to the adsorption plate 15, even if the vacuum chamber 3 is deformed by the atmospheric pressure, the relative positional change between the adsorption plate 15 and the touch sensor 1621 can be reduced. That is, even in a vacuum state, the projection lengths of the tip portions of the touch sensor 1621 hardly change and are maintained substantially equal to each other. Therefore, if all of the plurality of touch sensors 1621 react almost simultaneously when the suction plate 15 moves, it is determined that the degree of parallelism is high, in other words, the relative tilt between the suction plate 15 and the mask table 5 is small. can do. A predetermined non-parallel inclination can also be set as a target value by appropriately changing the length of the tip protruding from the attraction surface 150 . The operation of detecting the parallelism of the suction plate 15 using the detection unit 16 will be described later. Also, in this embodiment, the touch sensor 1621 detects both the contact between the suction plate 15 and the substrate 100 and the parallelism between the suction plate 15 and the mask table 5 . As a result, the number of sensors can be reduced compared to the case where sensors for detecting these are provided separately.

<制御装置>
制御装置14は、成膜装置1の全体を制御する。制御装置14は、処理部141、記憶部142、入出力インタフェース(I/O)143、通信部144、表示部145及び入力部146を備える。処理部141は、CPUに代表されるプロセッサであり、記憶部142に記憶されたプログラムを実行して成膜装置1を制御する。記憶部142は、ROM、RAM、HDD等の記憶デバイスであり、処理部141が実行するプログラムの他、各種の制御情報を記憶する。I/O143は、処理部141と外部デバイスとの間の信号を送受信するインタフェースである。通信部144は通信回線300aを介して上位装置300又は他の制御装置14、309、310等と通信を行う通信デバイスであり、処理部141は通信部144を介して上位装置300から情報を受信し、或いは、上位装置300へ情報を送信する。表示部145は、例えば液晶ディスプレイであり、各種情報を表示する。入力部146は、例えばキーボードやポインティングデバイスであり、ユーザから
の各種入力を受け付ける。なお、制御装置14、309、310や上位装置300の全部又は一部がPLCやASIC、FPGAで構成されてもよい。
<Control device>
The control device 14 controls the film forming apparatus 1 as a whole. The control device 14 includes a processing unit 141 , a storage unit 142 , an input/output interface (I/O) 143 , a communication unit 144 , a display unit 145 and an input unit 146 . The processing unit 141 is a processor represented by a CPU, and controls the film forming apparatus 1 by executing programs stored in the storage unit 142 . The storage unit 142 is a storage device such as ROM, RAM, HDD, etc., and stores various control information in addition to programs executed by the processing unit 141 . The I/O 143 is an interface that transmits and receives signals between the processing unit 141 and external devices. The communication unit 144 is a communication device that communicates with the host device 300 or other control devices 14, 309, 310, etc. via the communication line 300a. or transmit information to the host device 300 . The display unit 145 is, for example, a liquid crystal display, and displays various information. The input unit 146 is, for example, a keyboard or pointing device, and receives various inputs from the user. All or part of the control devices 14, 309, 310 and the host device 300 may be configured by PLC, ASIC, or FPGA.

<基板とマスクの重ね合わせのプロセス>
図7は、吸着板15を用いた基板100とマスク101との重ね合わせのプロセスの説明図である。図7は、プロセスの各状態を示している。
<Process of overlaying substrate and mask>
7A and 7B are explanatory diagrams of a process of overlaying the substrate 100 and the mask 101 using the suction plate 15. FIG. FIG. 7 shows each state of the process.

状態ST100は、搬送ロボット302aにより成膜装置1内に基板100が搬入され、搬送ロボット302aが退避した後の状態である。このとき、基板100は基板支持ユニット6により支持されている。 The state ST100 is a state after the substrate 100 is loaded into the film forming apparatus 1 by the transport robot 302a and the transport robot 302a is retracted. At this time, the substrate 100 is supported by the substrate support unit 6 .

状態ST101は、吸着板15による基板100の吸着の準備段階として、基板支持ユニット6が上昇した状態である。基板支持ユニット6は、状態ST100から、アクチュエータ65により吸着板15に接近するように上昇する。状態ST101では、基板支持ユニット6によって支持されている基板100の周縁部は、吸着板15に接触しているか、或いは、わずかに離間した位置にある。一方、基板100の中央部は、自重により撓んでいるため、周縁部と比較して吸着板15から離間した位置にある。 State ST101 is a state in which the substrate support unit 6 is raised as a preparatory stage for the adsorption plate 15 to adsorb the substrate 100 . The substrate support unit 6 is raised by the actuator 65 so as to approach the adsorption plate 15 from the state ST100. In state ST101, the peripheral portion of the substrate 100 supported by the substrate support unit 6 is in contact with the suction plate 15 or is slightly separated from it. On the other hand, the central portion of the substrate 100 is bent due to its own weight, and thus is positioned farther from the suction plate 15 than the peripheral portion.

状態ST102は、吸着板15により基板100が吸着された状態である。吸着板15の電極配置領域151に配置された電極に電圧が印加されることにより、静電気力によって基板100が吸着板15に吸着される。 State ST102 is a state in which the substrate 100 is sucked by the suction plate 15 . By applying a voltage to the electrodes arranged in the electrode arrangement area 151 of the adsorption plate 15 , the substrate 100 is adsorbed to the adsorption plate 15 by electrostatic force.

状態ST103は、吸着板15に基板100が正常に吸着されているか否かを確認する際の状態である。基板支持ユニット6が降下し基板100から離れた状態で、基板100が吸着板15に吸着されているか否かがタッチセンサ1621の検出値に基づいて確認される。例えば、制御装置14は、吸着板15に埋設されている全てのタッチセンサ1621が基板100との接触を検出している場合に、基板100が吸着板15に正常に吸着されていると判断する。また、ファイバセンサ1622が設けられている場合は、ファイバセンサ1622からの出力に基づいて、基板100の吸着が正常に行われているかの判断を行ってもよい。 State ST103 is a state for confirming whether or not the substrate 100 is normally attracted to the attraction plate 15 . Whether or not the substrate 100 is attracted to the attraction plate 15 is confirmed based on the detection value of the touch sensor 1621 in a state where the substrate support unit 6 is lowered and separated from the substrate 100 . For example, the control device 14 determines that the substrate 100 is normally attracted to the attraction plate 15 when all the touch sensors 1621 embedded in the attraction plate 15 detect contact with the substrate 100 . . Moreover, when the fiber sensor 1622 is provided, it may be determined whether the substrate 100 is normally sucked based on the output from the fiber sensor 1622 .

状態ST104は、基板100とマスク101とのアライメント動作中の状態である。制御装置14は、距離調整ユニット22により吸着板15を降下させて基板100とマスク101とを接近させた状態で、位置調整ユニット20によりアライメント動作を実行する。 State ST104 is a state during alignment operation between the substrate 100 and the mask 101 . The controller 14 performs an alignment operation with the position adjustment unit 20 while the suction plate 15 is lowered by the distance adjustment unit 22 to bring the substrate 100 and the mask 101 closer to each other.

状態ST105は、磁石プレート11により基板100とマスク101とをより密着させた状態である。制御装置14は、アライメント動作の終了後、プレートユニット昇降ユニット13によりプレートユニット9を降下させる。磁石プレート11が基板100マスク101に接近することにより、マスク101が基板100側に引き寄せられ、基板100とマスク101の密着性が向上する。 State ST105 is a state in which the substrate 100 and the mask 101 are brought into closer contact with each other by the magnet plate 11 . After completing the alignment operation, the controller 14 causes the plate unit lifting unit 13 to lower the plate unit 9 . As the magnet plate 11 approaches the substrate 100 and the mask 101, the mask 101 is attracted toward the substrate 100, and the adhesion between the substrate 100 and the mask 101 is improved.

以上説明した動作により、基板100及びマスク101の重ね合わせのプロセスが終了する。例えば、本プロセスの終了後、成膜ユニット4による蒸着処理が実行される。 By the operation described above, the process of overlaying the substrate 100 and the mask 101 is completed. For example, after finishing this process, the deposition process by the film forming unit 4 is performed.

ところで、上記で説明したプロセスの中で基板100とマスク101とのアライメントを行うにあたっては、吸着板15とマスク台5との間の傾きがアライメントの精度に影響を及ぼすことがある。基板100とマスク101との距離を近づけてアライメントを行うことで、アライメントの精度を高めることができる。しかし、吸着板15とマスク台5との間に相対的な傾きがあると、基板100の一部がマスク101に接触する可能性があり
、それによって基板100に傷等が生じるおそれが生じる。基板100の保護のために基板100とマスク101との距離を大きくする分だけ、アライメントの精度が低下しうる。そこで、一般に、真空チャンバ3の内部空間3aが大気圧の環境下で吸着板15とマスク台5との平行調整が行われることがある。大気圧環境下での平行調整は、例えば、基板支持ユニット6の連結部分にシムを挿入する等により行われる。
By the way, in aligning the substrate 100 and the mask 101 in the process described above, the inclination between the suction plate 15 and the mask table 5 may affect the alignment accuracy. Alignment accuracy can be improved by reducing the distance between the substrate 100 and the mask 101 for alignment. However, if there is a relative tilt between the suction plate 15 and the mask table 5, part of the substrate 100 may come into contact with the mask 101, which may cause scratches or the like on the substrate 100. FIG. As the distance between the substrate 100 and the mask 101 is increased in order to protect the substrate 100, the accuracy of alignment may be lowered. Therefore, in general, the parallelism between the suction plate 15 and the mask table 5 may be adjusted while the internal space 3a of the vacuum chamber 3 is in an atmospheric pressure environment. Parallel adjustment under the atmospheric pressure environment is performed, for example, by inserting a shim into the connecting portion of the substrate support unit 6 or the like.

[実施例1]
実施例に係る吸着板15の吸着度(吸着板15と基板100の密着の度合い)を検知する構成について、図面を参照して説明する。
[Example 1]
A configuration for detecting the degree of adsorption of the adsorption plate 15 (degree of close contact between the adsorption plate 15 and the substrate 100) according to the embodiment will be described with reference to the drawings.

<検知手段>
実施例に係るセンサの配置、構成および機能について説明する。図8(a)は、真空チャンバ3の内部において、基板100に成膜される様子を示す模式的な斜視図である。基板100は吸着板15に吸着され、かつ、マスク101とアライメントされた状態である。成膜ユニット4は、複数のノズル244を有する蒸発源208を備える。蒸発源208の筐体内部には、蒸着材料を収容する容器(ルツボ)と、ヒータと、シャッタと、が備えられている。ヒータとしては電流を印加されると発熱するシーズヒータなどが好適であり、ヒータが発熱することで容器が加熱され、蒸着材料が気化してノズル244から放出される(点線の矢印251)。制御装置14が、ヒータへの電流制御や、シャッタの開閉度制御を行うことで、蒸着材料の放出量を制御することができる。
<Detection Means>
Arrangement, configuration and function of the sensor according to the embodiment will be described. FIG. 8A is a schematic perspective view showing how a film is formed on the substrate 100 inside the vacuum chamber 3. FIG. The substrate 100 is adsorbed by the adsorption plate 15 and aligned with the mask 101 . The film forming unit 4 includes an evaporation source 208 having multiple nozzles 244 . Inside the housing of the evaporation source 208, there are provided a container (crucible) containing a vapor deposition material, a heater, and a shutter. As the heater, a sheathed heater that generates heat when an electric current is applied is suitable, and the heater generates heat to heat the container, vaporize the vapor deposition material, and discharge it from the nozzle 244 (dotted arrow 251). The controller 14 controls the current to the heater and the opening/closing degree of the shutter, thereby controlling the discharge amount of the vapor deposition material.

移動機構204は、ガイドレール204aと駆動部204bを含んでいる移動手段である。駆動部204bは、モータ等の駆動手段を備えており、筐体を搭載可能である。制御装置14が駆動部204bをガイドレール204a上で往復移動させることにより、駆動部204bに搭載された蒸発源も移動する。その結果、蒸発源と基板100の相対位置が変化しながら成膜が行われるので、基板100全体にまんべんなく成膜が行われる。すなわち制御装置14は、駆動部204bによるスキャン速度やスキャン回数、ヒータの温度、シャッタの開閉度を制御することにより、所望の成膜条件を満たすような成膜を実行する。また、成膜ユニット4が水晶発振式の成膜レートモニタを備える場合、制御装置14は計測された成膜レートに応じて成膜を制御してもよい。なお、例示したような線状の蒸発源以外に、点状や面状の蒸発源を用いてもよい。またスキャンは往復スキャンに限定されず、蒸発源の形状によってはラスタスキャン方式を採用してもよい。 The moving mechanism 204 is moving means including a guide rail 204a and a driving portion 204b. The drive unit 204b includes drive means such as a motor, and can be mounted with a housing. When the controller 14 reciprocates the driving section 204b on the guide rail 204a, the evaporation source mounted on the driving section 204b also moves. As a result, film formation is performed while the relative positions of the evaporation source and the substrate 100 are changed, so that film formation is performed evenly over the entire substrate 100 . That is, the control device 14 performs film formation that satisfies desired film formation conditions by controlling the scan speed and number of scans, the temperature of the heater, and the opening/closing degree of the shutter by the drive unit 204b. Further, when the film forming unit 4 is provided with a crystal oscillation type film forming rate monitor, the control device 14 may control the film forming according to the measured film forming rate. In addition to the illustrated linear evaporation source, a dot-shaped or planar evaporation source may be used. Scanning is not limited to reciprocating scanning, and a raster scanning method may be employed depending on the shape of the evaporation source.

実施例の成膜ユニット4には更に、検知手段としての距離センサ236が設けられている。本実施例では複数の距離センサ236a~236eがリニア蒸発源のラインに沿って配置されており、図8(b)の平面図に示すように、駆動部204bの移動につれて、蒸発源208とともに移動する。本実施例の距離センサ236はレーザ距離計であり、図8(c)に示すように、Z方向にレーザ光Lを照射して反射光を受光することにより、基板100までの距離を測定する。従って、リニア状に配置された距離センサ236a~236eが移動機構204によってチャンバ内を一端から他端までスキャンすることにより、基板100の全体に渡ってZ方向の距離を測定できる。後述するが、距離センサ236は制御装置14と協働することにより、基板100と吸着板15との吸着の度合いを検知する検知手段(吸着度センサ)として機能する。すなわち移動機構204は、蒸発源のみならず、検知手段としての距離センサ236をも、基板100の被成膜面に沿った方向(例えば第1方向としてのY方向)に移動させる。 The film forming unit 4 of the embodiment is further provided with a distance sensor 236 as detection means. In this embodiment, a plurality of distance sensors 236a to 236e are arranged along the line of the linear evaporation source, and as shown in the plan view of FIG. do. The distance sensor 236 of this embodiment is a laser rangefinder, and measures the distance to the substrate 100 by irradiating the laser light L in the Z direction and receiving the reflected light, as shown in FIG. 8(c). . Therefore, the linearly arranged distance sensors 236a to 236e scan the inside of the chamber from one end to the other by the moving mechanism 204, so that the distance in the Z direction can be measured over the entire substrate 100. FIG. As will be described later, the distance sensor 236 functions as detection means (suction degree sensor) for detecting the degree of suction between the substrate 100 and the suction plate 15 in cooperation with the control device 14 . That is, the moving mechanism 204 moves not only the evaporation source but also the distance sensor 236 as a detection means in a direction along the film formation surface of the substrate 100 (for example, the Y direction as the first direction).

なお、測距の対象は基板100に限られず、上方にある測定対象の種類を問わない。従って、距離センサ236の直上に基板100と位置合わせされたマスク101がある場合、マスクまでの測距が可能である。また、距離センサ236の直上に基板100が無い場合、吸着板15までの測距が可能である。また、測距手段はレーザ距離計に限定されず、
例えば撮像手段により得られた画像を解析してもよい。その他、様々な測距センサを利用してよい。
Note that the object of distance measurement is not limited to the substrate 100, and any type of object to be measured above may be used. Therefore, if there is a mask 101 aligned with the substrate 100 directly above the distance sensor 236, ranging to the mask is possible. Further, when the substrate 100 is not directly above the distance sensor 236, distance measurement up to the adsorption plate 15 is possible. Also, the distance measuring means is not limited to a laser rangefinder,
For example, an image obtained by imaging means may be analyzed. In addition, various ranging sensors may be used.

<実施形態における吸着度合い検知>
図9を参照して、吸着の度合いを検知する手順を説明する。図9(a)は検知の第1段階であり、真空チャンバ3に基板100が搬入されていない状態、または、基板100が搬入済みであっても距離センサ236と吸着板15との間には存在しない状態である。この状態で移動機構204が駆動部204bを用いて蒸発源208を移動させることにより、蒸発源208に接続された距離センサ236も共に移動する。XY平面における距離センサ236の座標をDS(x,y)とし、DS(x,y)における距離センサ236から吸着板15までの距離(高さ)をh1(x,y)とする。複数の距離センサ236が移動しながら吸着板15の
表面全体を所定の間隔で測距することにより、基板100が無い状態での吸着板15の各部位の高さが計測できる。
<Adsorption degree detection in the embodiment>
A procedure for detecting the degree of adsorption will be described with reference to FIG. FIG. 9A shows the first stage of detection, in which the substrate 100 has not been loaded into the vacuum chamber 3, or even if the substrate 100 has been loaded, there is no gap between the distance sensor 236 and the adsorption plate 15. It is in a non-existent state. In this state, the moving mechanism 204 moves the evaporation source 208 using the drive unit 204b, so that the distance sensor 236 connected to the evaporation source 208 also moves. Let DS(x, y) be the coordinates of the distance sensor 236 on the XY plane, and let h1(x, y) be the distance (height) from the distance sensor 236 to the attraction plate 15 in DS(x, y). By measuring the entire surface of the suction plate 15 at predetermined intervals while the plurality of distance sensors 236 are moving, the height of each part of the suction plate 15 without the substrate 100 can be measured.

続いて第2段階では、図9(b)に示すように、吸着板15が基板100を吸着した状態で、移動機構204が駆動部204bを用いて蒸発源208を移動させる。距離センサ236は蒸発源208と共に移動しながら、基板下面までの距離を測定する。座標DS(x,y)における距離センサ236から基板下面までの距離(高さ)をh2(x,y)とする。距離センサ236が移動しながら基板100の全体を所定の間隔で測距することにより、基板下面の各部位の高さが計測できる。ここで基板100の厚さをt1とすると、基板100が吸着板15によりフラットに吸着されていれば、全てのDS(x,y)において、
h1(x,y) = t1 + h2(x,y)
となる。
Subsequently, in the second stage, as shown in FIG. 9B, the moving mechanism 204 moves the evaporation source 208 using the drive unit 204b while the adsorption plate 15 is adsorbing the substrate 100 . The distance sensor 236 measures the distance to the bottom surface of the substrate while moving with the evaporation source 208 . Let h2(x, y) be the distance (height) from the distance sensor 236 to the bottom surface of the substrate at the coordinates DS(x, y). By measuring the entire substrate 100 at predetermined intervals while the distance sensor 236 is moving, the height of each portion of the substrate lower surface can be measured. Assuming that the thickness of the substrate 100 is t1, if the substrate 100 is flatly adsorbed by the adsorption plate 15, then at all DS(x,y),
h1(x,y) = t1 + h2(x,y)
becomes.

一方、図9(b)に示すように基板100に撓みや歪みがある場合、その撓みの座標において誤差m1(x,y)が発生し、
h1(x,y) - {t1 + h2(x,y)} = m1(x,y) ≠ 0
となる。そこで制御装置14は、メモリから撓みに関する所定の許容範囲の値を読み出し、誤差が所定の許容範囲以内かどうかを判定する。誤差が所定の許容範囲以内であれば吸着板15による吸着は完了したと判断し、次の工程に移る。一方、誤差が許容範囲外であれば、当該撓みの座標においては吸着板15による吸着が不十分だと判断する。そして、吸着不十分な座標に対応する電極配置領域151に印加する電圧を大きくするなどの処理を行う。
On the other hand, when the substrate 100 is bent or distorted as shown in FIG. 9B, an error m1(x, y) occurs in the coordinates of the bending,
h1(x,y) - {t1 + h2(x,y)} = m1(x,y) ≠ 0
becomes. Therefore, the control device 14 reads the value of the predetermined tolerance for deflection from the memory and determines whether the error is within the predetermined tolerance. If the error is within a predetermined allowable range, it is determined that the adsorption by the adsorption plate 15 has been completed, and the process proceeds to the next step. On the other hand, if the error is out of the allowable range, it is determined that the suction by the suction plate 15 is insufficient at the coordinates of the deflection. Then, processing such as increasing the voltage to be applied to the electrode arrangement region 151 corresponding to the insufficiently attracted coordinates is performed.

<吸着度合い検知の変形例>
図10を参照して、吸着度合い検知の別の手順を説明する。図10(a)に示す第1段階では、図9(a)と同様の手順で、基板100が無い状態でスキャンを行い、吸着板15の各部位の高さh1(x,y)を計測する。続いて、吸着板15が基板100を吸着する。続
いて、基板100とマスク101のアライメントを行った後、磁石プレート11が基板100とマスク101を密着させた状態で、図10(b)に示す第2段階の測定が実行される。すなわち、移動機構204が駆動部204bを用いて蒸発源208を移動させるのに伴って、距離センサ236がマスク下面までの距離を測定する。座標DS(x,y)における距
離センサ236からマスク下面までの距離(高さ)をh3(x,y)とする。距離センサ236
が移動しながらマスク101の全体を所定の間隔で測距することにより、マスク下面の各部位の高さが計測できる。ここでマスク101の厚さをt2とすると、基板100およびマスク101がフラットに吸着されていれば、全てのDS(x,y)において、
h1(x,y) = t1 + t2 + h3(x,y)
となる。
<Modified example of adsorption degree detection>
Another procedure for detecting the degree of adsorption will be described with reference to FIG. In the first stage shown in FIG. 10(a), scanning is performed without the substrate 100 in the same procedure as in FIG. do. Subsequently, the adsorption plate 15 adsorbs the substrate 100 . Subsequently, after alignment of the substrate 100 and the mask 101, the second stage measurement shown in FIG. That is, the distance sensor 236 measures the distance to the lower surface of the mask as the moving mechanism 204 moves the evaporation source 208 using the drive unit 204b. Let h3(x, y) be the distance (height) from the distance sensor 236 to the lower surface of the mask at the coordinates DS(x, y). Distance sensor 236
By measuring the entire mask 101 at predetermined intervals while moving, the height of each part on the lower surface of the mask can be measured. Assuming that the thickness of the mask 101 is t2, if the substrate 100 and the mask 101 are flatly adsorbed, at all DS(x, y),
h1(x,y) = t1 + t2 + h3(x,y)
becomes.

一方、基板100またはマスク101の少なくとも一方に撓みや歪みがある場合、その
撓みの座標において誤差m2(x,y)が発生し、
h1(x,y) - {t1 + t2 + h3(x,y)} = m2(x,y) ≠ 0
となる。そこで制御装置14は、メモリから所定の許容範囲の値を読み出し、誤差が所定の許容範囲以内かどうかを判定する。誤差が所定の許容範囲以内であれば基板100の吸着とマスク101の密着が正しく行われたと判断できる。一方、誤差が許容範囲外であれば、その座標においては基板100の吸着またはマスク101の密着が正しく行われていないと判断されるので、基板吸着またはマスク密着の修正を行う。
On the other hand, if at least one of the substrate 100 and the mask 101 is warped or distorted, an error m2(x,y) occurs in the coordinates of the warp,
h1(x,y) - {t1 + t2 + h3(x,y)} = m2(x,y) ≠ 0
becomes. Therefore, the controller 14 reads values within a predetermined allowable range from the memory and determines whether the error is within the predetermined allowable range. If the error is within a predetermined allowable range, it can be determined that the suction of the substrate 100 and the close contact of the mask 101 have been performed correctly. On the other hand, if the error is out of the allowable range, it is determined that the substrate 100 is not correctly adhered to the substrate 100 or the mask 101 is not in close contact at that coordinate.

なお、この変形例においてはマスク101が基板100に密着された状態で蒸発源208および距離センサ236がスキャンされる。そのため、蒸発源208による蒸着中に、距離センサ236による測距を実行して、処理時間を短縮してもよい。蒸着と密着度測定を並行して行うことにより、蒸着時の不具合を素早く検知できるという効果も得られる。 Note that in this modification, the evaporation source 208 and the distance sensor 236 are scanned while the mask 101 is in close contact with the substrate 100 . Therefore, the distance sensor 236 may perform distance measurement during vapor deposition by the evaporation source 208 to shorten the processing time. By performing vapor deposition and adhesion measurement in parallel, it is also possible to obtain the effect of being able to quickly detect defects during vapor deposition.

また、この変形例において、吸着板表面の高さh1(x,y)、基板下面の高さh2(x,y)、および、マスク下面の高さh3(x,y)を全て測定してもよい。これにより、基板100の吸着の
度合いとマスク101の密着の度合いを別々に検知でき、より精度の高い成膜が可能になる。また、この変形例において、基板100と吸着板15の密着度合いの測定には、吸着板15の複数箇所に設けられたタッチセンサ1621を使用してもよい。
Also, in this modified example, the height h1(x, y) of the suction plate surface, the height h2(x, y) of the bottom surface of the substrate, and the height h3(x, y) of the bottom surface of the mask are all measured. good too. As a result, the degree of adhesion of the substrate 100 and the degree of close contact of the mask 101 can be separately detected, and film formation can be performed with higher accuracy. Also, in this modification, touch sensors 1621 provided at a plurality of locations on the adsorption plate 15 may be used to measure the degree of close contact between the substrate 100 and the adsorption plate 15 .

[実施例2]
図11を参照して、実施例2における距離センサ236の配置を説明する。実施例1と同じ構成については説明を省略する。本実施例の成膜ユニット4の蒸発源208には、1つの距離センサ236が設置されている。距離センサ236は、制御装置14の制御に従い、蒸発源208のスキャン方向と直交するX方向に相対的に移動可能である。そのために駆動部204bは、例えば、第2の移動手段として、蒸発源208に沿って設けられたX方向に延びるガイドレールを含む直線スライド機構を有する。
[Example 2]
The arrangement of the distance sensor 236 in Example 2 will be described with reference to FIG. The description of the same configuration as that of the first embodiment is omitted. One distance sensor 236 is installed in the evaporation source 208 of the film forming unit 4 of this embodiment. The distance sensor 236 is relatively movable in the X direction orthogonal to the scanning direction of the evaporation source 208 under the control of the control device 14 . For this purpose, the drive unit 204b has, for example, a linear slide mechanism including guide rails extending in the X direction provided along the evaporation source 208 as second moving means.

この構成において駆動部204bは、第1のスキャン(SCAN1)として、実施例1と同様に、蒸発源208をY方向に移動させる。それと同時に、第2のスキャン(SCAN2)として、距離センサ236をX方向に移動させる。距離センサ236が第1のスキャンおよび第2のスキャンで移動しながら測距を行うことで、上方の測定対象への距離を測定できる。実施例1と同様、測定対象としては吸着板15、基板100、およびマスク101を利用可能であり、測定結果に基づいて基板100の吸着度合いを検知することができる。本実施例の構成によれば、距離センサ236の個数を減らしてコストを低減することができる。 In this configuration, the drive unit 204b moves the evaporation source 208 in the Y direction as the first scan (SCAN1), as in the first embodiment. At the same time, the distance sensor 236 is moved in the X direction as a second scan (SCAN2). By measuring the distance while the distance sensor 236 moves in the first scan and the second scan, the distance to the object to be measured above can be measured. As in the first embodiment, the adsorption plate 15, the substrate 100, and the mask 101 can be used as measurement targets, and the degree of adsorption of the substrate 100 can be detected based on the measurement results. According to the configuration of this embodiment, the number of distance sensors 236 can be reduced to reduce costs.

[実施例3]
実施例3について説明する。上記各実施例と同じ構成については説明を省略する。上記各実施例では成膜室303が有する成膜装置1の内部において、吸着板15による基板100の吸着や、マスク101の基板100へのアライメント及び密着が行われていた。そのため、距離センサ236も成膜装置1の成膜ユニット4に設けられていた。しかし、基板100の吸着やマスク101のアライメントを成膜室以外の場所で行われる場合は、距離センサ236の配置もこれに限定されない。
[Example 3]
Example 3 will be described. Descriptions of the same configurations as those of the above embodiments will be omitted. In each of the above-described embodiments, the adsorption of the substrate 100 by the adsorption plate 15 and the alignment and close contact of the mask 101 to the substrate 100 were performed inside the film deposition apparatus 1 of the deposition chamber 303 . Therefore, the distance sensor 236 is also provided in the film forming unit 4 of the film forming apparatus 1 . However, if the adsorption of the substrate 100 and the alignment of the mask 101 are performed in a place other than the film forming chamber, the arrangement of the distance sensor 236 is not limited to this.

(インライン型の成膜装置の構成)
ここで、図12に示すようなインライン型の成膜装置を含む製造システム250が知られている。製造システム250は、マスク搬入室90と、アライメント室107(マスク取付室)と、複数の成膜室303a、303bと、反転室111a、111bと、搬送室112と、マスク分離室113と、基板分離室114と、キャリア搬送室115と、マスク搬送室116と、基板搬入室117(基板取付室)の各チャンバを有する。基板キャリ
ア212は、製造システム250が有する搬送手段によって、各チャンバ内を搬送される。
(Structure of in-line film forming apparatus)
Here, a manufacturing system 250 including an in-line film forming apparatus as shown in FIG. 12 is known. The manufacturing system 250 includes a mask carrying-in chamber 90, an alignment chamber 107 (mask mounting chamber), a plurality of film formation chambers 303a and 303b, reversing chambers 111a and 111b, a transfer chamber 112, a mask separating chamber 113, and a substrate. It has a separation chamber 114, a carrier transfer chamber 115, a mask transfer chamber 116, and a substrate loading chamber 117 (substrate mounting chamber). The substrate carrier 212 is transported within each chamber by transport means of the manufacturing system 250 .

具体的には、基板キャリア212は、基板搬入室117、反転室111a、マスク搬入室90、アライメント室107、複数の成膜室303a、303b、搬送室112、マスク分離室113、反転室111b、基板分離室114、搬送室115、の順に各チャンバ内を通って搬送され、再度、基板搬入室117に戻る。一方、マスク101は、マスク搬入室90、アライメント室107、複数の成膜室303a、303b、搬送室112、マスク分離室113、の順に各チャンバ内を通って搬送され、再度、マスク搬入室90に戻る。このように、基板キャリア212とマスク101は、それぞれ破線と点線で示した所定の搬送経路(循環搬送経路)に沿って循環して搬送される。 Specifically, the substrate carrier 212 includes a substrate loading chamber 117, an inversion chamber 111a, a mask loading chamber 90, an alignment chamber 107, a plurality of film formation chambers 303a and 303b, a transfer chamber 112, a mask separation chamber 113, an inversion chamber 111b, The substrate is transported through each chamber in the order of the substrate separation chamber 114 and the transport chamber 115 and then returned to the substrate loading chamber 117 again. On the other hand, the mask 101 is transported through each chamber in the order of the mask loading chamber 90, the alignment chamber 107, the plurality of film forming chambers 303a and 303b, the transfer chamber 112, and the mask separating chamber 113, and then transferred to the mask loading chamber 90 again. back to In this manner, the substrate carrier 212 and the mask 101 are circulated and transported along predetermined transport paths (circulatory transport paths) indicated by broken and dotted lines, respectively.

各チャンバの機能について説明する。未成膜の基板100は、基板搬入室117に、被成膜面が鉛直方向上を向いた状態で搬入される。そのとき基板搬入室117内では、基板キャリア212が、保持面が鉛直方向上を向いた状態で配置されている。したがって、搬入された基板100は、基板キャリア212の保持面の上に載置され、基板キャリア212によって保持される。 The function of each chamber will be explained. The substrate 100 on which no film is formed is carried into the substrate carrying-in chamber 117 with the surface on which the film is to be formed faces upward in the vertical direction. At this time, the substrate carrier 212 is arranged in the substrate carrying-in chamber 117 with the holding surface facing upward in the vertical direction. Accordingly, the loaded substrate 100 is placed on the holding surface of the substrate carrier 212 and held by the substrate carrier 212 .

反転室111a、111bには、基板キャリア212の基板保持面の向きを反転させる反転機構120a、120bが備えられている。反転室111aにおいて、反転機構120aによって基板100を保持した基板キャリア212が反転され、基板100の被成膜面が鉛直方向下を向いた状態になる。一方、基板キャリア212がマスク分離室113から反転室111bに搬入される際には、基板100の被成膜面が鉛直方向下を向いた状態で搬入されてくる。搬入後、反転機構120bによって基板100を保持した基板キャリア212が反転され、基板100の被成膜面が鉛直方向上を向いた状態となる。その後、基板100は被成膜面が鉛直方向上を向いた状態で基板分離室114から搬出される。 The reversing chambers 111a and 111b are provided with reversing mechanisms 120a and 120b for reversing the direction of the substrate holding surface of the substrate carrier 212 . In the reversing chamber 111a, the substrate carrier 212 holding the substrate 100 is reversed by the reversing mechanism 120a so that the deposition surface of the substrate 100 faces vertically downward. On the other hand, when the substrate carrier 212 is transferred from the mask separating chamber 113 to the reversing chamber 111b, the substrate 100 is transferred with the film-forming surface of the substrate 100 facing downward in the vertical direction. After loading, the substrate carrier 212 holding the substrate 100 is inverted by the reversing mechanism 120b so that the film formation surface of the substrate 100 faces vertically upward. After that, the substrate 100 is carried out from the substrate separation chamber 114 with the film formation surface facing vertically upward.

基板100を保持した状態で反転された基板キャリア212は、マスク搬入室90を経てアライメント室107に搬入される。これに合わせて、マスク101もマスク搬入室90からアライメント室107に搬入される。アライメント室107(マスク取付室)には、アライメント装置2が搭載されている。アライメント室107では、アライメント装置2が、基板キャリア212に載った基板100とマスク101とを位置合わせして、マスク101に基板キャリア212(基板100)を載置する。 The substrate carrier 212 that has been turned over while holding the substrate 100 is loaded into the alignment chamber 107 through the mask loading chamber 90 . At the same time, the mask 101 is also transferred from the mask transfer chamber 90 to the alignment chamber 107 . The alignment device 2 is mounted in the alignment chamber 107 (mask mounting chamber). In the alignment chamber 107 , the alignment device 2 aligns the substrate 100 placed on the substrate carrier 212 and the mask 101 and places the substrate carrier 212 (substrate 100 ) on the mask 101 .

その後、基板キャリア212が載置されたマスク101を、不図示の搬送ローラに受け渡して搬送を開始する。搬送ローラは、搬送経路の両脇に搬送方向に沿って複数配置されており、それぞれ不図示のACサーボモータの駆動力により回転することで基板キャリア212やマスク101を搬送する。成膜室303a、303bでは、搬入されてきた基板キャリア212に吸着された基板100が、成膜ユニット4の上を通過することで、基板100の被成膜面にマスク101を介した成膜が行われる。 Thereafter, the mask 101 on which the substrate carrier 212 is placed is handed over to transport rollers (not shown) to start transport. A plurality of transport rollers are arranged along the transport direction on both sides of the transport path, and transport the substrate carrier 212 and the mask 101 by being rotated by the driving force of an AC servomotor (not shown). In the film formation chambers 303 a and 303 b , the substrate 100 sucked by the substrate carrier 212 carried in passes over the film formation unit 4 , thereby forming a film on the film formation surface of the substrate 100 through the mask 101 . is done.

成膜完了後、基板キャリア212はマスク分離室113でマスク101を分離される。分離後のマスク101はマスク搬送室116へ搬送されて次の基板100に使用される。一方、基板100を保持した基板キャリア212は、反転室111bで反転され、基板分離室114へ搬送される。基板分離室114において、基板100は基板キャリア212から分離され、循環搬送経路内から回収されて次工程に送られる。一方、基板キャリア212は、基板搬入室117に搬送される。 After film formation is completed, the substrate carrier 212 is separated from the mask 101 in the mask separation chamber 113 . The mask 101 after separation is transferred to the mask transfer chamber 116 and used for the next substrate 100 . On the other hand, the substrate carrier 212 holding the substrate 100 is reversed in the reversing chamber 111b and transported to the substrate separating chamber 114. FIG. In the substrate separation chamber 114, the substrate 100 is separated from the substrate carrier 212, recovered from the circulatory transfer path, and sent to the next step. On the other hand, the substrate carrier 212 is transferred to the substrate loading chamber 117 .

(距離センサの構成と機能)
上記のインライン型の構成において、基板100を保持する基板キャリア212として
、静電チャックを用いた吸着板を備えるものを利用できる。その場合、基板キャリア212は吸着板を用いて基板100を吸着保持した状態で、成膜室の手前のアライメント室107に搬送される。かかる構成においては、上記各実施例のように成膜ユニットに距離センサ236を固定して密着度を測定することができない。
(Structure and function of distance sensor)
In the above-described in-line type configuration, as the substrate carrier 212 that holds the substrate 100, one having a suction plate using an electrostatic chuck can be used. In this case, the substrate carrier 212 is conveyed to the alignment chamber 107 in front of the film formation chamber while holding the substrate 100 by suction using a suction plate. In such a configuration, it is not possible to measure the degree of adhesion by fixing the distance sensor 236 to the film forming unit as in each of the above embodiments.

そこで、図13を参照して、本実施例に好適な距離センサ236の配置を説明する。図13(a)は、アライメント室107に配置されるセンサユニット209の一例を示す。センサユニット209は、アライメント室107において基板100の被成膜面に略平行な方向にスキャン可能な駆動機構を有しており、スキャン方向と直交する方向に配列された複数の距離センサ236a~236eを備えている。 Therefore, with reference to FIG. 13, the arrangement of the distance sensor 236 suitable for this embodiment will be described. FIG. 13A shows an example of the sensor unit 209 arranged in the alignment chamber 107. FIG. The sensor unit 209 has a driving mechanism capable of scanning in a direction substantially parallel to the film formation surface of the substrate 100 in the alignment chamber 107, and a plurality of distance sensors 236a to 236e arranged in a direction orthogonal to the scanning direction. It has

センサユニット209は、まず、基板キャリア212に対向する平面内をスキャンしながら、距離センサ236a~236eによる測定を行う。これにより、基板キャリア212により保持された基板100の各位置までの距離が測定できる。続いて、マスク101が基板100に位置合わせされ取り付けられたのち、再度、距離センサ236a~236eによる測定を行う。これにより、マスク101の各位置までの距離が測定できる。そして、各位置における基板100までの距離とマスク101までの距離に基づいて、基板100とマスク101の密着度を測定することができる。 The sensor unit 209 first performs measurements by the distance sensors 236a to 236e while scanning the plane facing the substrate carrier 212. FIG. Thereby, the distance to each position of the substrate 100 held by the substrate carrier 212 can be measured. Subsequently, after the mask 101 is aligned and attached to the substrate 100, the distance sensors 236a to 236e are again measured. Thereby, the distance to each position of the mask 101 can be measured. Then, based on the distance to the substrate 100 and the distance to the mask 101 at each position, the degree of adhesion between the substrate 100 and the mask 101 can be measured.

上記の説明では、センサユニット209を用いたアライメント室107における測定について説明したが、同様のセンサユニットを基板搬入室117に設けることにより、基板キャリア212の吸着板への基板100の密着度を測定することもできる。 In the above description, measurement in the alignment chamber 107 using the sensor unit 209 has been described, but by providing a similar sensor unit in the substrate loading chamber 117, the degree of adhesion of the substrate 100 to the suction plate of the substrate carrier 212 can be measured. You can also

このように、密着度を測定するチャンバ(アライメント室107)とは別の第2チャンバ(成膜室303)で蒸着が行われる場合であっても、本発明は適用可能である。 Thus, the present invention is applicable even when vapor deposition is performed in the second chamber (film formation chamber 303) separate from the chamber (alignment chamber 107) for measuring the degree of adhesion.

(変形例)
図13(b)は、センサユニット209の変形例を示す。本変形例においては、センサユニット209は一つの距離センサ236を備えている。距離測定時には、センサユニット自体が駆動機構によって第1方向(Y方向)にスキャンされる(SCAN1)とともに、距離センサ236が第1方向と交差する第2方向(X方向)にスキャンされる(SCAN2)。これにより、距離センサ236が測定対象の各位置までの距離を測定できる。
(Modification)
FIG. 13(b) shows a modification of the sensor unit 209. As shown in FIG. In this modification, the sensor unit 209 has one distance sensor 236 . During distance measurement, the sensor unit itself is scanned in a first direction (Y direction) by the driving mechanism (SCAN1), and the distance sensor 236 is scanned in a second direction (X direction) intersecting the first direction (SCAN2). ). This allows the distance sensor 236 to measure the distance to each position of the measurement target.

図13(c)は、センサユニット209の別の変形例を示す。本変形例においても、センサユニット209は一つの距離センサ236を備えている。さらにセンサユニット209は、距離センサ236を平面内における各位置に移動させる移動機構213を備えている。移動機構213としては例えば、図示したような多関節アームが好適である。かかる構成によっても、距離センサ236が測定対象の各位置までの距離を測定できる。 FIG. 13(c) shows another modification of the sensor unit 209. FIG. Also in this modification, the sensor unit 209 has one distance sensor 236 . Further, the sensor unit 209 has a moving mechanism 213 that moves the distance sensor 236 to each position within the plane. As the moving mechanism 213, for example, a multi-joint arm as shown is suitable. With such a configuration, the distance sensor 236 can also measure the distance to each position of the measurement target.

[実施例4]
本発明に係る、吸着板と基板の密着度の測定や、基板とマスクの密着度の測定は、基板に実際に成膜を行う工程中に行われてもよいが、成膜装置の設置時や定期点検時などのメンテナンスモードにおいて行われてもよい。密着度測定を実際の成膜工程中に行う場合は、成膜の不具合を早期に検知できる。
[Example 4]
The measurement of the degree of adhesion between the suction plate and the substrate and the measurement of the degree of adhesion between the substrate and the mask according to the present invention may be performed during the process of actually forming a film on the substrate. It may be performed in a maintenance mode such as at the time of periodic inspection. When the degree of adhesion is measured during the actual film formation process, defects in the film formation can be detected early.

一方、密着度測定をメンテナンスモードにおいて行う場合、密着度測定時のみ距離センサ236を配置してもよい。例えば実施例1、2の場合は、メンテナンスモードでは蒸発源208に距離センサ236を設置して測定を行い、実際の成膜工程では外すようにしてもよい。あるいは、メンテナンスモードでは成膜ユニットを取り外して、距離センサ236を含むセンサユニットを取り付けて測定を行ってもよい。また実施例3の場合、メンテ
ナンスモードではアライメント室107にセンサユニット209を設置して測定を行い、実際の成膜工程では外すようにしてもよい。これにより、実際の成膜肯定中の成膜室やアライメント室内の構成を簡略化し、不具合を抑制できる。
On the other hand, when the degree of adhesion is measured in the maintenance mode, the distance sensor 236 may be arranged only during the degree of adhesion measurement. For example, in the case of the first and second embodiments, the distance sensor 236 may be installed in the evaporation source 208 for measurement in the maintenance mode, and may be removed in the actual film formation process. Alternatively, in the maintenance mode, the film forming unit may be removed and a sensor unit including the distance sensor 236 may be attached for measurement. Further, in the case of the third embodiment, the sensor unit 209 may be installed in the alignment chamber 107 for measurement in the maintenance mode, and may be removed in the actual film forming process. This simplifies the configuration of the film formation chamber and the alignment chamber during actual film formation, and suppresses defects.

<電子デバイスの製造方法>
次に、本実施例の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成を示し、有機EL表示装置の製造方法を例示する。
<Method for manufacturing electronic device>
Next, an example of an electronic device manufacturing method using the film forming apparatus of this embodiment will be described. Hereinafter, the configuration of an organic EL display device will be shown as an example of an electronic device, and a method for manufacturing the organic EL display device will be exemplified.

まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図14(a)は有機EL表示装置60の全体図、図14(b)は1画素の断面構造を表している。 First, the organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 14(a) is an overall view of the organic EL display device 60, and FIG. 14(b) shows a cross-sectional structure of one pixel.

図14(a)に示すように、有機EL表示装置50の表示領域51には、発光素子を複数備える画素52がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域51において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例に係る有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子52R、第2発光素子52G、第3発光素子52Bの組み合わせにより画素52が構成されている。画素52は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組み合わせで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。 As shown in FIG. 14A, in a display region 51 of an organic EL display device 50, a plurality of pixels 52 each having a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix. Although details will be described later, each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. The term "pixel" as used herein refers to a minimum unit capable of displaying a desired color in the display area 51. FIG. In the case of the organic EL display device according to the present embodiment, the pixel 52 is configured by a combination of the first light emitting element 52R, the second light emitting element 52G, and the third light emitting element 52B that emit light different from each other. The pixel 52 is often composed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element and a white light emitting element. It is not limited.

図14(b)は、図14(a)のA-B線における部分断面模式図である。画素52は、複数の発光素子からなり、各発光素子は、基板53上に、第1電極(陽極)54と、正孔輸送層55と、発光層56R、56G、56Bのいずれかと、電子輸送層57と、第2電極
(陰極)58と、を有している。これらのうち、正孔輸送層55、発光層56R、56G、56B、電子輸送層57が有機層に当たる。また、本実施例では、発光層56Rは赤色を発する有機EL層、発光層56Gは緑色を発する有機EL層、発光層56Bは青色を発する有機EL層である。発光層56R、56G、56Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極54は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層55と電子輸送層57と第2電極58は、複数の発光素子52R、52G、52Bで共通に形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極54と第2電極58とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極54間に絶縁層59が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層40が設けられている。
FIG. 14(b) is a schematic partial cross-sectional view taken along line AB in FIG. 14(a). The pixel 52 is composed of a plurality of light-emitting elements, and each light-emitting element includes a first electrode (anode) 54, a hole-transporting layer 55, a light-emitting layer 56R, 56G, or 56B, and an electron-transporting layer on a substrate 53. It has a layer 57 and a second electrode (cathode) 58 . Among these layers, the hole transport layer 55, the light emitting layers 56R, 56G and 56B, and the electron transport layer 57 correspond to organic layers. In this embodiment, the light-emitting layer 56R is an organic EL layer that emits red, the light-emitting layer 56G is an organic EL layer that emits green, and the light-emitting layer 56B is an organic EL layer that emits blue. The light-emitting layers 56R, 56G, and 56B are formed in patterns corresponding to light-emitting elements (also referred to as organic EL elements) that emit red, green, and blue, respectively. Also, the first electrode 54 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 55, the electron transport layer 57, and the second electrode 58 may be formed in common for the plurality of light emitting elements 52R, 52G, and 52B, or may be formed for each light emitting element. An insulating layer 59 is provided between the first electrodes 54 to prevent short-circuiting between the first electrode 54 and the second electrode 58 due to foreign matter. Furthermore, since the organic EL layer is deteriorated by moisture and oxygen, a protective layer 40 is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.

図14(b)では正孔輸送層55や電子輸送層57は一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によっては、正孔ブロック層や電子ブロック層を備える複数の層で形成されてもよい。また、第1電極54と正孔輸送層55との間には第1電極54から正孔輸送層55への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第2電極58と電子輸送層57の間にも電子注入層が形成することもできる。 Although the hole transport layer 55 and the electron transport layer 57 are shown as one layer in FIG. may be formed. In addition, a positive electrode having an energy band structure capable of smoothly injecting holes from the first electrode 54 to the hole transport layer 55 is provided between the first electrode 54 and the hole transport layer 55 . A hole injection layer can also be formed. Similarly, an electron injection layer can also be formed between the second electrode 58 and the electron transport layer 57 .

次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)及び第1電極54が形成された基板53を準備する。
Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be specifically described.
First, a substrate 53 on which a circuit (not shown) for driving the organic EL display device and a first electrode 54 are formed is prepared.

第1電極54が形成された基板53の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アク
リル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極54が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層59を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
An acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 53 on which the first electrode 54 is formed, and the acrylic resin is patterned by lithography so that an opening is formed in the portion where the first electrode 54 is formed, thereby forming an insulating layer. form 59. This opening corresponds to a light emitting region where the light emitting element actually emits light.

絶縁層59がパターニングされた基板53を第1の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持台及び静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層55を、表示領域の第1電極54の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層55は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層55は表示領域51よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。 A substrate 53 having an insulating layer 59 patterned thereon is carried into a first organic material deposition apparatus, and the substrate is held by a substrate support table and an electrostatic chuck. is deposited as a common layer on the The hole transport layer 55 is deposited by vacuum deposition. Since the hole transport layer 55 is actually formed to have a size larger than that of the display area 51, a high-definition mask is not required.

次に、正孔輸送層55までが形成された基板53を第2の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持台及び静電チャックで保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板53の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層56Rを成膜する。 Next, the substrate 53 with the hole transport layer 55 formed thereon is carried into the second organic material film forming apparatus and held by the substrate support table and the electrostatic chuck. The substrate and the mask are aligned, the substrate is placed on the mask, and a light-emitting layer 56R emitting red is formed on the portion of the substrate 53 where the element emitting red is to be arranged.

発光層56Rの成膜と同様に、第3の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層56Gを成膜し、さらに第4の有機材料成膜装置により青色を発する発光層56Bを成膜する。発光層56R、56G、56Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域51の全体に電子輸送層57を成膜する。電子輸送層57は、3色の発光層56R、56G、56Bに共通の層として形成される。 Similar to the deposition of the light emitting layer 56R, a green light emitting layer 56G is deposited by the third organic material deposition apparatus, and a blue light emitting layer 56B is deposited by the fourth organic material deposition apparatus. . After the formation of the light-emitting layers 56R, 56G, and 56B is completed, the electron transport layer 57 is formed over the entire display area 51 by the fifth film forming apparatus. The electron transport layer 57 is formed as a layer common to the three color light-emitting layers 56R, 56G, and 56B.

電子輸送層57まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第2電極58を成膜する。 The substrate on which the electron transport layer 57 has been formed is moved by a metallic vapor deposition material film forming apparatus to form the second electrode 58 as a film.

その後プラズマCVD装置に移動して保護層40を成膜して、有機EL表示装置50が完成する。 After that, the substrate is moved to a plasma CVD apparatus to deposit the protective layer 40, and the organic EL display device 50 is completed.

絶縁層59がパターニングされた基板53を成膜装置に搬入してから保護層40の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。 If the substrate 53 on which the insulating layer 59 is patterned is carried into the film forming apparatus and is exposed to an atmosphere containing moisture and oxygen until the film formation of the protective layer 40 is completed, the light emitting layer made of the organic EL material will be damaged. It may deteriorate due to moisture and oxygen. Therefore, in this embodiment, the substrate is carried in and out between the film forming apparatuses under a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.

上記の実施例は本発明の一例を示したものであるが、本発明は上記の実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形してもよい。 Although the above embodiment shows an example of the present invention, the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea.

2:アライメント装置、3:真空チャンバ、14:制御装置、15:吸着板、100:基板、101:マスク、204:移動機構、236:距離センサ 2: Alignment device, 3: Vacuum chamber, 14: Control device, 15: Suction plate, 100: Substrate, 101: Mask, 204: Moving mechanism, 236: Distance sensor

Claims (8)

内部を真空に保持するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、基板を吸着するための吸着板と、
鉛直方向において前記吸着板の下に配置され、前記基板の前記吸着板への吸着の度合いを検知する検知手段と、
前記検知手段を、前記基板の被成膜面に沿った第1方向に移動させる移動手段と、を備える
ことを特徴とする成膜装置。
a chamber holding a vacuum inside;
a suction plate provided inside the chamber for suctioning the substrate;
a detection means arranged below the suction plate in the vertical direction for detecting the degree of suction of the substrate to the suction plate;
and moving means for moving the detection means in a first direction along the film formation surface of the substrate.
前記チャンバの内部に設けられ、マスクを支持するマスク支持手段と、
前記吸着板に吸着された前記基板とマスクとのアライメントを行うアライメント手段と、をさらに備え、
前記検知手段は、前記基板及び前記マスクの前記吸着板への吸着の度合いを検知する
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
a mask support means provided inside the chamber for supporting a mask;
Alignment means for aligning the substrate and the mask adsorbed by the adsorption plate,
2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein said detection means detects a degree of adsorption of said substrate and said mask to said adsorption plate.
内部を真空に保持するチャンバと、
前記チャンバの内部に設けられ、基板を吸着するための吸着板と、
前記チャンバの内部に設けられ、マスクを支持するマスク支持手段と、
前記吸着板に吸着された前記基板と前記マスクとのアライメントを行うアライメント手段と、
前記吸着板の鉛直方向の下側に配置され、前記基板への前記マスクの密着の度合いを検知する検知手段と、
前記検知手段を、前記基板の被成膜面に沿った第1方向に移動させる移動手段と、を備える
ことを特徴とする成膜装置。
a chamber holding a vacuum inside;
a suction plate provided inside the chamber for suctioning a substrate;
a mask support means provided inside the chamber for supporting a mask;
alignment means for aligning the substrate and the mask, which are adsorbed by the adsorption plate;
detection means arranged below the suction plate in the vertical direction and detecting the degree of close contact of the mask to the substrate;
and moving means for moving the detection means in a first direction along the film formation surface of the substrate.
前記チャンバの内部に設けられ、前記基板へ蒸着材料を放出する蒸発源をさらに備え、
前記検知手段は、前記蒸発源に設けられ、
前記移動手段は、前記蒸発源を前記第1方向に移動することによって、前記検知手段を移動させる
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の成膜装置。
further comprising an evaporation source provided inside the chamber for emitting a vapor deposition material onto the substrate;
The detection means is provided in the evaporation source,
4. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the moving means moves the detection means by moving the evaporation source in the first direction.
前記検知手段は、前記蒸発源に固定されている
ことを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。
5. The film forming apparatus according to claim 4, wherein said detection means is fixed to said evaporation source.
前記蒸発源に対して、前記被成膜面に沿い、かつ、前記第1方向に交差する第2方向に、前記検知手段を相対的に移動させる第2の移動手段を備える
ことを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。
A second moving means is provided for moving the detection means relative to the evaporation source in a second direction along the film formation surface and intersecting the first direction. The film forming apparatus according to claim 4.
前記チャンバとは別の第2チャンバと、
前記第2チャンバに設けられ、前記基板へ蒸着材料を放出する蒸発源と、をさらに備える
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の成膜装置。
a second chamber separate from the chamber;
4. The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising an evaporation source provided in said second chamber for emitting a vapor deposition material onto said substrate.
前記検知手段は、レーザを用いた測距センサを含む
ことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の成膜装置。
8. The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the detection means includes a distance measuring sensor using a laser.
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