JP2022124273A

JP2022124273A - holding member

Info

Publication number: JP2022124273A
Application number: JP2021021943A
Authority: JP
Inventors: 隆太郎鈴木; Ryutaro Suzuki
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2021-02-15
Filing date: 2021-02-15
Publication date: 2022-08-25

Abstract

To provide a holding member that can secure the homogeneous thermal property of an object even when the object is heated.SOLUTION: An electrostatic chuck 1 includes a ceramic member 10 including an upper surface 11 for holding a semiconductor wafer W whose outer periphery has a circular or approximately circular shape, and a base member 20 disposed on the opposite side of the upper surface 11 side with respect to the ceramic member 10 and cooling the semiconductor wafer W. The ceramic member 10 includes a mount part 51 with the upper surface 11, and an orientation flat part 41 that is formed to recess in an outer peripheral surface 13 of the ceramic member 10. With respect to a radial direction of the outer peripheral surface 13 of the ceramic member 10, an outer diameter D1 of the orientation flat part 41 is smaller than an outer diameter D2 of the mount part 51.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本開示は、半導体ウエハなどの対象物を保持する保持部材に関する。 The present disclosure relates to a holding member that holds an object such as a semiconductor wafer.

保持部材に関する従来技術として、特許文献１には、外周の一部にオリフラ（オリエンテーションフラット）部が設けられるセラミック誘電体基板を有する静電チャックが開示されている。 As a conventional technology related to holding members, Patent Document 1 discloses an electrostatic chuck having a ceramic dielectric substrate having an orientation flat portion provided on a part of the outer periphery.

特開２０１５－８８７４３号公報JP 2015-88743 A

特許文献１に開示される静電チャックにおいて、セラミック誘電体基板のオリフラ部では、オリフラ部以外の部分と比べて、処理対象物との非接触面積が大きい。そのため、処理対象物が加熱されたときに、処理対象物においてオリフラ部に対応する部分が、セラミック誘電体基板側からの抜熱による冷却が不十分となり、ホットスポットとなるおそれがある。したがって、処理対象物が加熱されたときに、処理対象物の全体の均熱性を確保できないおそれがある。 In the electrostatic chuck disclosed in Patent Document 1, the orientation flat portion of the ceramic dielectric substrate has a larger non-contact area with the object to be processed than the portion other than the orientation flat portion. Therefore, when the object to be processed is heated, a portion of the object to be processed corresponding to the orientation flat portion may not be sufficiently cooled by removing heat from the ceramic dielectric substrate side, and may become a hot spot. Therefore, when the object to be processed is heated, it may not be possible to ensure uniform heating of the entire object to be processed.

そこで、本開示は上記した問題点を解決するためになされたものであり、対象物が加熱されたときでも、対象物の全体の均熱性を確保できる保持部材を提供することを目的とする。 Therefore, the present disclosure has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a holding member that can ensure uniform heating of the entire object even when the object is heated.

上記課題を解決するためになされた本開示の一形態は、外周が円形状または略円形状の対象物を保持する保持面を備える保持部と、前記保持部に対し前記保持面側とは反対側に配置され、前記対象物を冷却する冷却部と、を有する保持部材において、前記保持部は、前記保持面を有する載置部と、前記保持部の外周面にて凹むように形成された位置合わせ部と、を備え、前記保持部の外周面の径方向について、前記位置合わせ部の外径が、前記載置部の外径よりも小さく形成されていること、を特徴とする。 One aspect of the present disclosure, which has been made to solve the above problems, is a holding part provided with a holding surface for holding an object having a circular or substantially circular outer periphery, and a holding part opposite to the holding surface side of the holding part. and a cooling part for cooling the object, wherein the holding part is formed so as to be recessed from the mounting part having the holding surface and the outer peripheral surface of the holding part. and an alignment portion, wherein the outer diameter of the alignment portion is smaller than the outer diameter of the mounting portion in the radial direction of the outer peripheral surface of the holding portion.

この態様によれば、保持部において、位置合わせ部に対して保持面側の位置に、位置合わせ部よりも外径の大きい載置部が設けられており、載置部が位置合わせ部よりも外側に突出している。これにより、対象物において位置合わせ部に対応する部分にて、対象物と保持部の接触面積が大きくなる。そのため、対象物における保持部の位置合わせ部に対応する部分の熱は、載置部を介して冷却部により抜熱され易くなる。そのため、対象物が加熱されたとき（例えば、プラズマ入熱時）に、対象物において、保持部の位置合わせ部に対応する部分が、ホットスポット（すなわち、他の部分と比べて温度が高い部分）となることを抑制できる。したがって、対象物の全体の均熱性を確保できる。 According to this aspect, in the holding section, the mounting section having an outer diameter larger than that of the positioning section is provided at a position on the holding surface side with respect to the positioning section, and the mounting section is larger than the positioning section. It protrudes outward. As a result, the contact area between the object and the holding portion is increased at the portion of the object corresponding to the alignment portion. Therefore, the heat of the portion of the object corresponding to the positioning portion of the holding portion is easily removed by the cooling portion via the placement portion. Therefore, when the object is heated (for example, at the time of plasma heat input), the part of the object corresponding to the alignment part of the holding part becomes a hot spot (that is, the part where the temperature is higher than other parts). ) can be suppressed. Therefore, the temperature uniformity of the entire object can be ensured.

上記の態様においては、前記載置部における前記保持部と前記冷却部の配列方向の厚みは、０．１ｍｍ以上であること、が好ましい。 In the above aspect, it is preferable that the thickness of the mounting section in the arrangement direction of the holding section and the cooling section is 0.1 mm or more.

この態様によれば、載置部がない場合（厚み０ｍｍの場合）と比べて、対象物における位置合わせ部に対応する部分がホットスポットになることを抑制できる。 According to this aspect, it is possible to prevent hot spots from occurring in the portion of the object corresponding to the alignment portion, compared to the case where there is no mounting portion (thickness is 0 mm).

上記の態様においては、前記位置合わせ部は、前記保持部と前記冷却部の配列方向と直交する方向に、直線状に形成されていること、が好ましい。 In the above aspect, it is preferable that the alignment portion is formed linearly in a direction perpendicular to the arrangement direction of the holding portion and the cooling portion.

この態様によれば、位置合わせ部が直線状に形成されているので、例えばノッチ形状のように部分的にクラックが生じる可能性が低く、耐久性がよい。 According to this aspect, since the alignment portion is formed in a straight line, there is a low possibility that a crack will occur in a part like a notch shape, for example, and the durability is good.

上記の態様においては、前記保持部の外周面における前記位置合わせ部の位置で、前記保持部と前記冷却部の配列方向かつ前記保持部の外周面の径方向に沿って前記保持部を切り取った断面にて、前記位置合わせ部と前記載置部の外形が、階段状に形成されていること、が好ましい。 In the above aspect, at the position of the alignment portion on the outer peripheral surface of the holding portion, the holding portion is cut along the arrangement direction of the holding portion and the cooling portion and the radial direction of the outer peripheral surface of the holding portion. In a cross section, it is preferable that the outer shapes of the positioning portion and the placing portion are stepped.

この態様によれば、載置部と位置合わせ部とを見分け易くなるので、対象物の位置合わせをする際に位置合わせ部が目印として見やすくなる。また、載置部と位置合わせ部を形成し易い。 According to this aspect, the placing section and the positioning section can be easily distinguished, so that the positioning section can be easily seen as a mark when positioning the object. In addition, it is easy to form the placing portion and the alignment portion.

本開示の保持部材によれば、対象物が加熱されたときでも、対象物の全体の均熱性を確保できる。 According to the holding member of the present disclosure, even when the object is heated, it is possible to ensure the temperature uniformity of the entire object.

本実施形態の静電チャックの斜視図である。1 is a perspective view of an electrostatic chuck of this embodiment; FIG. 本実施形態の静電チャックの上面図である。It is a top view of the electrostatic chuck of this embodiment. 本実施形態の静電チャックの断面図（図２のＡ－Ａ断面図）である。FIG. 3 is a cross-sectional view (a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2) of the electrostatic chuck of the present embodiment; 図２の領域αの拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a region α in FIG. 2; 図３の領域βの拡大図である。4 is an enlarged view of region β in FIG. 3; FIG. 図３の領域γの拡大図である。4 is an enlarged view of region γ in FIG. 3; FIG. 解析モデルをセラミックス部材の上面側から見たときの図である。It is a figure when an analysis model is seen from the upper surface side of a ceramics member. 解析モデルをセラミックス部材の中心軸方向に切り取ったときの断面図であって、オリフラ部の深さを説明する図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the analysis model cut in the central axis direction of the ceramic member, and is a diagram for explaining the depth of the orientation flat. 半導体ウエハを加熱したときの半導体ウエハの温度上昇の解析結果を示す図である。It is a figure which shows the analysis result of the temperature rise of a semiconductor wafer when a semiconductor wafer is heated. 半導体ウエハの温度上昇の解析結果をグラフに表した図である。It is the figure which expressed the analysis result of the temperature rise of a semiconductor wafer in the graph. 解析モデルをセラミックス部材の中心軸方向に切り取ったときの断面図であって、オリフラ部の深さと載置部の厚さを説明する図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the analysis model cut in the central axis direction of the ceramic member, and is a diagram for explaining the depth of the orientation flat portion and the thickness of the mounting portion; 図７に示す第１の位置において（オリフラ部の深さが１ｍｍである場合において）、載置部の厚みを変えたときの半導体ウエハの温度上昇の解析結果をグラフに表した図である。FIG. 8 is a graph showing the analysis results of the temperature rise of the semiconductor wafer when the thickness of the mounting portion is changed at the first position shown in FIG. 7 (when the depth of the orientation flat portion is 1 mm). 図７に示す第２の位置において（オリフラ部の深さが２ｍｍである場合において）、載置部の厚みを変えたときの半導体ウエハの温度上昇の解析結果をグラフに表した図である。FIG. 8 is a graph showing analysis results of the temperature rise of the semiconductor wafer when the thickness of the mounting portion is changed at the second position shown in FIG. 7 (when the depth of the orientation flat portion is 2 mm). 図７に示す第３の位置において（オリフラ部の深さが３ｍｍである場合において）、載置部の厚みを変えたときの半導体ウエハの温度上昇の解析結果をグラフに表した図である。FIG. 8 is a graph showing analysis results of the temperature rise of the semiconductor wafer when the thickness of the mounting portion is changed at the third position shown in FIG. 7 (when the depth of the orientation flat portion is 3 mm). 図７に示す第１の位置と第２の位置と第３の位置において、載置部の厚みと半導体ウエハの温度上昇幅との関係に関する解析結果をグラフに表した図である。FIG. 8 is a graph showing analysis results regarding the relationship between the thickness of the mounting portion and the temperature rise width of the semiconductor wafer at the first position, the second position, and the third position shown in FIG. 7 ; 比較例におけるオリフラ部の周辺を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the periphery of an orientation flat portion in a comparative example;

本開示の保持部材に係る実施形態について説明する。本実施形態では、保持部材として、対象物である半導体ウエハＷを保持する静電チャック１を例示して説明する。 An embodiment according to a holding member of the present disclosure will be described. In this embodiment, an electrostatic chuck 1 that holds a semiconductor wafer W, which is an object, will be described as an example of a holding member.

＜静電チャックの全体説明＞
本実施形態の静電チャック１は、半導体ウエハＷを静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば、半導体製造装置の真空チャンバー内で半導体ウエハＷを固定するために使用される。なお、半導体ウエハＷは、例えば、その外周が円形状または略円形状に形成されている。また、半導体ウエハＷは、本開示の「対象物」の一例である。 <Overall description of electrostatic chuck>
The electrostatic chuck 1 of this embodiment is a device that attracts and holds a semiconductor wafer W by electrostatic attraction, and is used, for example, to fix the semiconductor wafer W within a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus. The semiconductor wafer W has, for example, a circular or substantially circular outer periphery. Also, the semiconductor wafer W is an example of the "object" of the present disclosure.

図１に示すように、静電チャック１は、セラミックス部材１０と、ベース部材２０と、セラミックス部材１０とベース部材２０とを接合する接合層３０とを有する。なお、セラミックス部材１０は本開示の「保持部」の一例であり、ベース部材２０は本開示の「冷却部」の一例である。 As shown in FIG. 1, the electrostatic chuck 1 has a ceramic member 10, a base member 20, and a joining layer 30 that joins the ceramic member 10 and the base member 20 together. The ceramic member 10 is an example of the "holding portion" of the present disclosure, and the base member 20 is an example of the "cooling portion" of the present disclosure.

なお、以下の説明においては、説明の便宜上、図１に示すようにＸＹＺ軸を定義する。ここで、Ｚ軸は、静電チャック１の中心軸Ｃａ方向（図１において上下方向）の軸であり、Ｘ軸とＹ軸は、静電チャック１の径方向の軸である。 In the following description, the XYZ axes are defined as shown in FIG. 1 for convenience of description. Here, the Z-axis is the axis in the central axis Ca direction of the electrostatic chuck 1 (vertical direction in FIG. 1), and the X-axis and the Y-axis are radial axes of the electrostatic chuck 1 .

セラミックス部材１０は、図１に示すように、円盤状の部材であり、セラミックスにより形成されている。具体的には、セラミックス部材１０は、直径の異なる２つの円盤が中心軸Ｃａ（図３参照）を共通にして重なる（詳細には、大きな直径を有する円盤状の下段部１０ｂの上に、小さな直径を有する円盤状の上段部１０ａが重なる形態の）段付きの円盤状をなしている。セラミックスとしては、様々なセラミックスが用いられるが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ_２Ｏ_３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合の最も多い成分（例えば、体積含有率が９０ｖｏｌ％以上の成分）を意味する。 As shown in FIG. 1, the ceramics member 10 is a disk-shaped member made of ceramics. Specifically, the ceramic member 10 is composed of two discs with different diameters overlapping each other with a central axis Ca (see FIG. 3) in common (more specifically, a small It has a stepped disc shape in which the disc-shaped upper step portion 10a having a diameter overlaps. Various ceramics are used as ceramics, but from the viewpoint of strength, wear resistance, plasma resistance, etc., for example, ceramics containing aluminum oxide (alumina, Al ₂ O ₃ ) or aluminum nitride (AlN) as a main component is preferably used. The term "main component" as used herein means a component with the highest content (for example, a component with a volume content of 90 vol % or more).

図１～図３に示すように、セラミックス部材１０は、半導体ウエハＷを保持する保持面である上面１１と、セラミックス部材１０の厚み方向（Ｚ軸方向に一致する方向、上下方向）について上面１１とは反対側に設けられる下面１２とを備えている。 As shown in FIGS. 1 to 3, the ceramic member 10 has an upper surface 11 which is a holding surface for holding the semiconductor wafer W, and an upper surface 11 in the thickness direction of the ceramic member 10 (the direction coinciding with the Z-axis direction, the vertical direction). and a lower surface 12 provided on the opposite side.

また、セラミックス部材１０の直径は、上段部１０ａが例えば１５０～３００ｍｍ程度であり、下段部１０ｂが例えば１８０～４００ｍｍ程度である。セラミックス部材１０の厚さは、例えば２～６ｍｍ程度である。なお、セラミックス部材１０の熱伝導率は、１０～５０Ｗ／ｍＫ（より好ましくは、１８～３０Ｗ／ｍＫ）の範囲内が望ましい。 The diameter of the ceramic member 10 is, for example, about 150 to 300 mm at the upper portion 10a and about 180 to 400 mm at the lower portion 10b. The thickness of the ceramic member 10 is, for example, about 2 to 6 mm. The thermal conductivity of the ceramic member 10 is desirably in the range of 10 to 50 W/mK (more preferably 18 to 30 W/mK).

そして、図３に示すように、半導体ウエハＷは、セラミックス部材１０の上面１１に支持されて、静電チャック１に保持される。 Then, as shown in FIG. 3 , the semiconductor wafer W is supported by the upper surface 11 of the ceramic member 10 and held by the electrostatic chuck 1 .

また、セラミックス部材１０は、その内部に不図示のチャック電極（吸着電極）を備えている。このチャック電極に図示しない電源から電圧が印加されることによって、チャック電極に静電引力が発生し、この静電引力によって半導体ウエハＷが上面１１に吸着されて保持される。 The ceramic member 10 also includes a chuck electrode (attraction electrode) (not shown) inside. When a voltage is applied to the chuck electrode from a power source (not shown), an electrostatic attraction is generated in the chuck electrode, and the semiconductor wafer W is attracted and held by the upper surface 11 by the electrostatic attraction.

ベース部材２０は、セラミックス部材１０に対し上面１１側とは反対側に配置されている。このベース部材２０は、例えば円柱状に形成されている。また、ベース部材２０は、例えば金属（例えば、アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されているが、金属以外であってもよい。 The base member 20 is arranged on the side opposite to the upper surface 11 side of the ceramic member 10 . This base member 20 is formed in a cylindrical shape, for example. Also, the base member 20 is made of, for example, a metal (for example, aluminum or an aluminum alloy), but may be made of a material other than metal.

そして、ベース部材２０は、図１と図３に示すように、上面２１と、ベース部材２０の厚み方向（Ｚ軸方向に一致する方向、上下方向）にて上面２１とは反対側に設けられる下面２２と、を備えている。そして、ベース部材２０の上面２１は、セラミックス部材１０の下面１２と、接合層３０を介して、熱的に接続されている。 As shown in FIGS. 1 and 3, the base member 20 is provided on the side opposite to the upper surface 21 in the thickness direction of the base member 20 (the direction matching the Z-axis direction, the vertical direction). a lower surface 22; The upper surface 21 of the base member 20 is thermally connected to the lower surface 12 of the ceramic member 10 via the bonding layer 30 .

ベース部材２０の直径は、例えば１８０～４００ｍｍ程度である。また、ベース部材２０の厚さ（Ｚ軸方向の寸法）は、例えば２０～５０ｍｍ程度である。なお、ベース部材２０（アルミニウムを想定）の熱伝導率は、１６０～２５０Ｗ／ｍＫ（好ましくは、２３０Ｗ／ｍＫ程度）の範囲内が望ましい。 The diameter of the base member 20 is, for example, approximately 180 to 400 mm. Also, the thickness (dimension in the Z-axis direction) of the base member 20 is, for example, about 20 to 50 mm. The thermal conductivity of the base member 20 (assumed to be aluminum) is desirably within the range of 160 to 250 W/mK (preferably about 230 W/mK).

また、図３に示すように、ベース部材２０は、半導体ウエハＷを冷却する冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）を流す冷媒流路２３を備えている。そして、ベース部材２０の冷媒流路２３内に冷媒を流すことにより、ベース部材２０が冷却され、これにより、接合層３０を介してセラミックス部材１０が冷却される。これにより、セラミックス部材１０により半導体ウエハＷが冷却されて、すなわち、セラミックス部材１０と接合層３０を介して半導体ウエハＷとベース部材２０との間で熱伝達が行われて、半導体ウエハＷの抜熱が行なわれる。 Further, as shown in FIG. 3, the base member 20 is provided with a coolant channel 23 through which a coolant (for example, fluorine-based inert liquid, water, etc.) for cooling the semiconductor wafer W flows. The base member 20 is cooled by flowing the coolant through the coolant passage 23 of the base member 20 , thereby cooling the ceramic member 10 via the joining layer 30 . As a result, the semiconductor wafer W is cooled by the ceramic member 10, that is, heat is transferred between the semiconductor wafer W and the base member 20 via the ceramic member 10 and the bonding layer 30, and the semiconductor wafer W is removed. heat is performed.

接合層３０は、セラミックス部材１０の下面１２とベース部材２０の上面２１との間に配置され、セラミックス部材１０とベース部材２０とを熱伝達可能に接合する。 The joining layer 30 is arranged between the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 21 of the base member 20, and joins the ceramic member 10 and the base member 20 so as to be heat transferable.

この接合層３０は、熱伝導性を有するフィラーを含む樹脂（シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等）の接着材により構成されている。なお、接合層３０の厚さ（Ｚ軸方向の寸法）は、例えば０．１～１．５ｍｍ程度である。また、接合層３０の熱伝導率は、例えば１．０Ｗ／ｍＫである。なお、接合層３０（シリコーン系樹脂を想定）の熱伝導率は、０．１～２．０Ｗ／ｍＫ（好ましくは、０．５～１．５Ｗ／ｍＫ）の範囲内が望ましい。 The bonding layer 30 is made of an adhesive material such as a resin (silicone-based resin, acrylic-based resin, epoxy-based resin, etc.) containing a thermally conductive filler. The thickness (dimension in the Z-axis direction) of the bonding layer 30 is, for example, approximately 0.1 to 1.5 mm. Also, the thermal conductivity of the bonding layer 30 is, for example, 1.0 W/mK. The thermal conductivity of the bonding layer 30 (assumed to be a silicone-based resin) is desirably in the range of 0.1 to 2.0 W/mK (preferably 0.5 to 1.5 W/mK).

＜オリフラ部について＞
図２に示すように、静電チャック１を上面視したときに（すなわち、セラミックス部材１０の上面１１側から静電チャック１を見たときに）、セラミックス部材１０は、当該セラミックス部材１０の上段部１０ａの外周面１３と下段部１０ｂの外周面とが、ともに円形状に形成されている。 <About Orifla section>
As shown in FIG. 2, when the electrostatic chuck 1 is viewed from above (that is, when the electrostatic chuck 1 is viewed from the side of the upper surface 11 of the ceramic member 10), the ceramic member 10 is the upper part of the ceramic member 10. Both the outer peripheral surface 13 of the portion 10a and the outer peripheral surface of the lower portion 10b are formed in a circular shape.

そして、図３～図５に示すように、セラミックス部材１０は、その外周面１３の一部に、半導体ウエハＷの周方向の位置合わせを行うためのオリフラ部４１（オリエンテーションフラット部、切り欠け部）を備える。このオリフラ部４１は、セラミックス部材１０の外周面１３にて凹むように形成されている。そして、オリフラ部４１は、図４に示すように、セラミックス部材１０とベース部材２０の配列方向（すなわち、中心軸Ｃａ方向、Ｚ軸方向）と直交する方向、すなわち、上面１１の面方向に、直線状に形成されている。なお、オリフラ部４１は、本開示の「位置合わせ部」の一例である。 As shown in FIGS. 3 to 5, the ceramic member 10 has an orientation flat portion 41 (orientation flat portion, notch portion) for aligning the semiconductor wafer W in the circumferential direction on a part of the outer peripheral surface 13 thereof. ). The orientation flat portion 41 is formed so as to be recessed on the outer peripheral surface 13 of the ceramic member 10 . As shown in FIG. 4, the orientation flat portion 41 extends in a direction perpendicular to the direction in which the ceramic member 10 and the base member 20 are arranged (that is, the central axis Ca direction and the Z-axis direction), that is, the surface direction of the upper surface 11. It is formed linearly. Note that the orientation flat portion 41 is an example of the “alignment portion” in the present disclosure.

このようにして、セラミックス部材１０にオリフラ部４１が形成されているので、半導体ウエハＷの目印となる位置（例えば、切り欠き部の位置）とオリフラ部４１の位置とを合わせることにより、半導体ウエハＷの周方向の位置合わせを行うことができる。なお、オリフラ部４１の幅δ（図４参照）は、２５．０ｍｍ～４５．０ｍｍとする。 Since the orientation flat portion 41 is formed in the ceramic member 10 in this way, by aligning the mark position (for example, the position of the notch portion) of the semiconductor wafer W with the position of the orientation flat portion 41, the semiconductor wafer can be obtained. Circumferential alignment of W can be performed. The width δ (see FIG. 4) of the orientation flat portion 41 is set to 25.0 mm to 45.0 mm.

なお、オリフラ部４１を有するセラミックス部材１０を形成する際には、円柱状のセラミックス部材１０の外周を研磨（切削）してオリフラ部４１を形成してもよく、あるいは、オリフラ部４１用に予め外径を調整したセラミックスの薄板を積層してセラミックス部材１０を形成してもよい。 When forming the ceramic member 10 having the orientation flat portion 41 , the orientation flat portion 41 may be formed by polishing (cutting) the outer circumference of the columnar ceramic member 10 , or alternatively, the orientation flat portion 41 may be prepared in advance. The ceramic member 10 may be formed by laminating ceramic thin plates having an adjusted outer diameter.

＜半導体ウエハの全体の均熱性を確保する対策について＞
次に、半導体ウエハＷの全体の均熱性を確保する対策について説明する。 <Measures to ensure the uniformity of the temperature of the entire semiconductor wafer>
Next, measures for ensuring the uniformity of the temperature of the entire semiconductor wafer W will be described.

比較例として、オリフラ部４１が図１６に示すように上面１１の位置から形成されている場合を考える。この場合、オリフラ部４１における半導体ウエハＷとセラミックス部材１０の非接触部分ＮＣ１の面積は、図６に示すオリフラ部４１以外の外周面１３の部分における半導体ウエハＷとセラミックス部材１０の非接触部分ＮＣ２の面積よりも大きい。そのため、オリフラ部４１において、ベース部材２０の冷媒流路２３を流れる冷媒による半導体ウエハＷの抜熱が促進され難くなるおそれがある。したがって、半導体ウエハＷが加熱されたとき（例えば、半導体ウエハＷをプラズマ処理する際に半導体ウエハＷに対して熱が加えられるプラズマ入熱時）に、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分が、ホットスポット（すなわち、他の部分と比べて温度が高い部分）となるおそれがある。ゆえに、半導体ウエハＷの全体の均熱性を確保できないおそれがある。 As a comparative example, consider the case where the orientation flat portion 41 is formed from the position of the upper surface 11 as shown in FIG. In this case, the area of the non-contact portion NC1 between the semiconductor wafer W and the ceramic member 10 in the orientation flat portion 41 is the non-contact portion NC2 between the semiconductor wafer W and the ceramic member 10 in the portion of the outer peripheral surface 13 other than the orientation flat portion 41 shown in FIG. larger than the area of Therefore, in the orientation flat portion 41 , heat removal from the semiconductor wafer W by the coolant flowing through the coolant flow path 23 of the base member 20 may not be facilitated. Therefore, when the semiconductor wafer W is heated (for example, when heat is applied to the semiconductor wafer W during plasma processing of the semiconductor wafer W), a portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 can become hot spots (ie, areas that are hotter than other areas). Therefore, there is a possibility that uniformity in temperature of the entire semiconductor wafer W cannot be ensured.

そこで、本実施形態では、オリフラ部４１の周辺の構造を工夫することにより、半導体ウエハＷが加熱されたときであっても、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分がホットスポットとなることを抑制して、半導体ウエハＷの全体の均熱性を確保する。 Therefore, in the present embodiment, by devising the structure around the orientation flat portion 41, even when the semiconductor wafer W is heated, the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 becomes a hot spot. is suppressed, and the uniformity of the temperature of the entire semiconductor wafer W is ensured.

具体的には、図３～図５に示すように、セラミックス部材１０の上段部１０ａは、載置部５１を備えている。この載置部５１は、半導体ウエハＷが載置される上面１１を有する。そして、セラミックス部材１０の外周面１３の径方向（図４の上下方向、図３と図５の左右方向）について、オリフラ部４１の外径Ｄ１（すなわち、セラミックス部材１０の中心からオリフラ部４１までの距離）が、載置部５１の外径Ｄ２（すなわち、セラミックス部材１０の中心から載置部５１の外周までの距離）よりも小さく形成されている。 Specifically, as shown in FIGS. 3 to 5, the upper portion 10a of the ceramic member 10 has a mounting portion 51. As shown in FIG. The mounting portion 51 has an upper surface 11 on which the semiconductor wafer W is mounted. In the radial direction of the outer peripheral surface 13 of the ceramic member 10 (vertical direction in FIG. 4, horizontal direction in FIGS. 3 and 5), the outer diameter D1 of the orientation flat portion 41 (that is, from the center of the ceramic member 10 to the orientation flat portion 41) ) is smaller than the outer diameter D2 of the mounting portion 51 (that is, the distance from the center of the ceramic member 10 to the outer periphery of the mounting portion 51).

図４に示すように載置部５１の外形は円弧状に形成されており、このようにして、図２示すように載置部５１を含む上面１１の外形は円形に形成されている。 As shown in FIG. 4, the outer shape of the mounting portion 51 is formed in an arc shape, and in this way, as shown in FIG. 2, the outer shape of the upper surface 11 including the mounting portion 51 is formed in a circular shape.

このようにして、セラミックス部材１０において、オリフラ部４１に対して上面１１側の位置に、オリフラ部４１よりも外径の大きい載置部５１が設けられており、載置部５１がオリフラ部４１よりもセラミックス部材１０の外周面１３の径方向の外側に突出している。そして、これにより、オリフラ部４１における半導体ウエハＷとセラミックス部材１０の非接触部分の面積が小さくなっている。言い換えると、オリフラ部４１における半導体ウエハＷとセラミックス部材１０の接触部分の面積が大きくなっている。つまり、オリフラ部４１における半導体ウエハＷとセラミックス部材１０の接触部分の面積は、オリフラ部４１以外の部分における半導体ウエハＷとセラミックス部材１０の接触部分の面積と同じである。そのため、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分の熱は、載置部５１を介して、ベース部材２０の冷媒流路２３を流れる冷媒により抜熱され易くなっている。 Thus, in the ceramic member 10 , the mounting portion 51 having a larger outer diameter than the orientation flat portion 41 is provided at a position on the upper surface 11 side with respect to the orientation flat portion 41 . protrudes outward in the radial direction of the outer peripheral surface 13 of the ceramic member 10 . As a result, the area of the non-contact portion between the semiconductor wafer W and the ceramic member 10 in the orientation flat portion 41 is reduced. In other words, the area of the contact portion between the semiconductor wafer W and the ceramic member 10 in the orientation flat portion 41 is increased. That is, the area of the contact portion between the semiconductor wafer W and the ceramic member 10 in the orientation flat portion 41 is the same as the area of the contact portion between the semiconductor wafer W and the ceramic member 10 in the portion other than the orientation flat portion 41 . Therefore, the heat of the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 is easily removed by the coolant flowing through the coolant flow path 23 of the base member 20 via the mounting portion 51 .

ここでは一例として、図５に示す断面にて、オリフラ部４１と載置部５１の外形は、階段状に形成されている。ここで、図５に示す断面は、セラミックス部材１０の外周面１３におけるオリフラ部４１の位置で、中心軸Ｃａ方向（すなわち、セラミックス部材１０とベース部材２０の配列方向）、かつ、セラミックス部材１０の外周面１３の径方向に沿って、セラミックス部材１０を切り取った断面である。また、オリフラ部４１と載置部５１の外形は、載置部５１における外周面１３と下面５１ａと、オリフラ部４１における外周面１３とにより形成されている。 Here, as an example, in the cross section shown in FIG. 5, the outer shapes of the orientation flat portion 41 and the mounting portion 51 are formed stepwise. Here, the cross section shown in FIG. It is a cross-section obtained by cutting the ceramic member 10 along the radial direction of the outer peripheral surface 13 . The orientation flat portion 41 and the mounting portion 51 have an outer shape formed by the outer peripheral surface 13 and the lower surface 51 a of the mounting portion 51 and the outer peripheral surface 13 of the orientation flat portion 41 .

また、本実施形態において、載置部５１の厚みＴ１（詳しくは、中心軸Ｃａ方向の厚み）を、０．１ｍｍ以上とする。 Further, in the present embodiment, the thickness T1 (specifically, the thickness in the direction of the central axis Ca) of the mounting portion 51 is set to 0.1 mm or more.

ここで出願人は、半導体ウエハＷを加熱したときの当該半導体ウエハＷの温度上昇に関する確認評価を行った。 Here, the applicant made confirmation evaluation regarding the temperature rise of the semiconductor wafer W when the semiconductor wafer W was heated.

まず、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分の温度上昇について、オリフラ部４１の存在の有無やオリフラ部４１の深さＤｅの違いによってどのように変化するのかを、半導体ウエハＷを保持した状態のセラミックス部材１０をイメージして作成した解析モデルを用いて解析した。 First, the semiconductor wafer W was held to determine how the temperature rise of the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 would change depending on the presence or absence of the orientation flat portion 41 and the difference in the depth De of the orientation flat portion 41 . An analysis model created by imagining the ceramic member 10 in the state was used for analysis.

具体的には、解析モデルにおいて、図７に示すように、半導体ウエハＷを保持した状態のセラミックス部材１０を上面１１側から見たときに、半導体ウエハＷにて第０の位置Ｌｅｇ０と第１の位置Ｌｅｇ１と第２の位置Ｌｅｇ２と第３の位置Ｌｅｇ３を設定した。そして、図８に示すオリフラ部４１の深さＤｅについて、第０の位置Ｌｅｇ０では０ｍｍに設定し（すなわち、オリフラ部４１が存在しないと設定し）、第１の位置Ｌｅｇ１では１ｍｍに設定し、第２の位置Ｌｅｇ２では２ｍｍに設定し、第３の位置Ｌｅｇ３では３ｍｍに設定した。そして、解析条件として、半導体ウエハＷが熱流束＝４００００Ｗ／ｍ^２の熱量で加熱され、セラミックス部材１０の下面１２の温度が－１０℃に冷却される、とした。 Specifically, in the analysis model, as shown in FIG. 7, when the ceramic member 10 holding the semiconductor wafer W is viewed from the upper surface 11 side, the semiconductor wafer W is at the 0th position Leg0 and the first position Leg0. A position Leg1, a second position Leg2, and a third position Leg3 are set. Then, the depth De of the orientation flat portion 41 shown in FIG. 8 is set to 0 mm at the 0th position Leg0 (that is, the orientation flat portion 41 is set to not exist), and is set to 1 mm at the first position Leg1. The second position Leg2 was set to 2 mm, and the third position Leg3 was set to 3 mm. As analysis conditions, the semiconductor wafer W is heated with a heat flux of 40000 W/m ² and the temperature of the lower surface 12 of the ceramic member 10 is cooled to -10°C.

すると、図９と図１０に示すように、半導体ウエハＷの温度上昇の大きさは、（第３の位置Ｌｅｇ３）＞（第２の位置Ｌｅｇ２）＞（第１の位置Ｌｅｇ１）＞（第０の位置Ｌｅｇ０）となった。このように、オリフラ部４１が存在する場合には（すなわち、第１の位置Ｌｅｇ１と第２の位置Ｌｅｇ２と第３の位置Ｌｅｇ３では）、オリフラ部４１が存在しない場合（すなわち、第０の位置Ｌｅｇ０）に比べて半導体ウエハＷの温度上昇が大きくなり、また、オリフラ部４１の外径Ｄ１が小さくなるほど、すなわち、オリフラ部４１の深さＤｅが大きくなるほど、半導体ウエハＷの温度上昇が大きくなることが確認された。 Then, as shown in FIGS. 9 and 10, the magnitude of the temperature rise of the semiconductor wafer W is (third position Leg3)>(second position Leg2)>(first position Leg1)>(0th position Leg1) position Leg0). Thus, when the orientation flat portion 41 exists (that is, at the first position Leg1, the second position Leg2, and the third position Leg3), the orientation flat portion 41 does not exist (that is, at the 0th position). The temperature rise of the semiconductor wafer W is greater than that in Leg0), and the temperature rise of the semiconductor wafer W increases as the outer diameter D1 of the orientation flat portion 41 decreases, that is, as the depth De of the orientation flat portion 41 increases. was confirmed.

なお、図１０と後述する図１２～図１４において、横軸は、半導体ウエハＷの径方向の位置を規定しており、半径が０ｍｍの位置が半導体ウエハＷの中心軸の位置であり、半径が１５０ｍｍの位置が半導体ウエハＷの外周の位置を示している。また、図１０と後述する図１２～図１４において、縦軸は、半導体ウエハＷの温度を示している。 In FIG. 10 and FIGS. 12 to 14 described later, the horizontal axis defines the radial position of the semiconductor wafer W, and the position where the radius is 0 mm is the position of the central axis of the semiconductor wafer W. indicates the position of the outer circumference of the semiconductor wafer W at the position of 150 mm. 10 and FIGS. 12 to 14, which will be described later, the vertical axis indicates the temperature of the semiconductor wafer W. As shown in FIG.

次に、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分の温度上昇が載置部５１を設けることによりどのように改善されるかについて、確認評価を行った。 Next, a confirmation evaluation was performed as to how the temperature rise in the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 was improved by providing the mounting portion 51 .

具体的には、解析モデルにおいて、第１の位置Ｌｅｇ１と第２の位置Ｌｅｇ２と第３の位置Ｌｅｇ３にて、セラミックス部材１０の上段部１０ａの厚みＴ０（図１１参照）を３．０ｍｍとし、載置部５１の厚みＴ１（図１１参照）を０．１ｍｍ～２．９ｍｍの間で変化させながら、半導体ウエハＷの温度上昇を解析した。すると、図１２～図１４に示すように、第１の位置Ｌｅｇ１と第２の位置Ｌｅｇ２と第３の位置Ｌｅｇ３において、いずれも、載置部５１の厚みＴ１が０．１ｍｍ以上であれば、載置部５１の厚みＴ１が０ｍｍのとき（すなわち、載置部５１が設けられていないとき）と比べて、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分（半径１２５ｍｍ～１５０ｍｍ付近の部分）の温度上昇が抑えられた。このようにして、載置部５１を設けることにより、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分の温度上昇が改善されることが確認された。 Specifically, in the analysis model, the thickness T0 (see FIG. 11) of the upper stage portion 10a of the ceramic member 10 is set to 3.0 mm at the first position Leg1, the second position Leg2, and the third position Leg3, and The temperature rise of the semiconductor wafer W was analyzed while changing the thickness T1 (see FIG. 11) of the mounting portion 51 between 0.1 mm and 2.9 mm. Then, as shown in FIGS. 12 to 14, if the thickness T1 of the mounting portion 51 is 0.1 mm or more at each of the first position Leg1, the second position Leg2, and the third position Leg3, Compared to when the thickness T1 of the mounting portion 51 is 0 mm (that is, when the mounting portion 51 is not provided), the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 (the portion near the radius of 125 mm to 150 mm) is reduced. Suppressed temperature rise. It was confirmed that by providing the mounting portion 51 in this manner, the temperature rise of the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 was improved.

より具体的には、図１５に示すように、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分（図１２～図１４における半径１５０ｍｍ付近の部分）の温度上昇幅ΔＴについて、第１の位置Ｌｅｇ１と第２の位置Ｌｅｇ２と第３の位置Ｌｅｇ３において、いずれも、載置部５１の厚みＴ１が０．１ｍｍ以上である場合に、抑えられることが確認された。 More specifically, as shown in FIG. 15, the temperature rise width ΔT of the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 (the portion near the radius of 150 mm in FIGS. 12 to 14) is between the first position Leg1 and the It was confirmed that both the second position Leg2 and the third position Leg3 can be suppressed when the thickness T1 of the mounting portion 51 is 0.1 mm or more.

詳しくは、第１の位置Ｌｅｇ１では、載置部５１の厚みＴ１が０ｍｍである場合（すなわち、載置部５１が存在しない場合）には温度上昇幅ΔＴ＝７．２℃であったが、載置部５１の厚みＴ１が０．１ｍｍ～２．９ｍｍである場合に温度上昇幅ΔＴ＝４．８℃以下となって温度上昇幅ΔＴが２．４℃以上抑えられた。 Specifically, at the first position Leg1, when the thickness T1 of the mounting portion 51 was 0 mm (that is, when the mounting portion 51 did not exist), the temperature rise width ΔT was 7.2°C. When the thickness T1 of the mounting portion 51 was 0.1 mm to 2.9 mm, the temperature rise width ΔT was 4.8° C. or less, and the temperature rise width ΔT was suppressed to 2.4° C. or more.

また、第２の位置Ｌｅｇ２では、載置部５１の厚みＴ１が０ｍｍである場合には温度上昇幅ΔＴ＝１２．５℃であったが、載置部５１の厚みＴ１が０．１ｍｍ～２．９ｍｍである場合には温度上昇幅ΔＴ＝８．３℃以下となって温度上昇幅ΔＴが４．２℃以上抑えられた。 At the second position Leg2, the temperature rise width ΔT was 12.5° C. when the thickness T1 of the mounting portion 51 was 0 mm. In the case of 0.9 mm, the temperature rise width ΔT was 8.3° C. or less, and the temperature rise width ΔT was suppressed to 4.2° C. or more.

さらに、第３の位置Ｌｅｇ３では、載置部５１の厚みＴ１が０ｍｍである場合には温度上昇幅ΔＴ＝１８．８℃であったが、載置部５１の厚みＴ１が０．１ｍｍ～２．９ｍｍである場合には温度上昇幅ΔＴ＝１３．４℃以下となって温度上昇幅ΔＴが５．４℃以上抑えられた。 Furthermore, at the third position Leg3, when the thickness T1 of the mounting portion 51 was 0 mm, the temperature rise width ΔT was 18.8° C., but the thickness T1 of the mounting portion 51 was 0.1 mm to 2 mm. In the case of 0.9 mm, the temperature rise width ΔT was 13.4° C. or less, and the temperature rise width ΔT was suppressed to 5.4° C. or more.

このように、載置部５１の厚みＴ１を少しでも持たせることで、具体的には、厚みＴ１を０．１ｍｍ～２．９ｍｍとすることで、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分の熱が載置部５１を介してベース部材２０の冷媒流路２３を流れる冷媒により抜熱され易くなり、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分の温度上昇が改善されることが確認された。そして、厚みＴ１を大きくするほど温度上昇の改善効果が高くなり、また、オリフラ部４１の外径Ｄ１が小さくなるほど温度上昇の改善効果が高くなることが確認された。 Thus, by making the thickness T1 of the mounting portion 51 even a little longer, specifically, by setting the thickness T1 to be 0.1 mm to 2.9 mm, the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 is reduced. heat is easily removed by the coolant flowing through the coolant flow path 23 of the base member 20 via the mounting portion 51, and the temperature rise of the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 is improved. rice field. Further, it was confirmed that the larger the thickness T1, the higher the temperature rise improvement effect, and the smaller the outer diameter D1 of the orientation flat portion 41, the higher the temperature rise improvement effect.

以上のような結果を踏まえて、セラミックス部材１０の上段部１０ａの厚みＴ０を３．０ｍｍとするとき、載置部５１の厚みＴ１は、０．１ｍｍ以上、かつ、２．９ｍｍ以下とすることが望ましい。なお、厚みＴ０は最大６．０ｍｍとすることも考えられ、この場合、厚みＴ１を０．１ｍｍ以上、かつ、６．０ｍｍ未満とすることが考えられる。 Based on the above results, when the thickness T0 of the upper step portion 10a of the ceramic member 10 is 3.0 mm, the thickness T1 of the mounting portion 51 should be 0.1 mm or more and 2.9 mm or less. is desirable. Note that the thickness T0 may be set to a maximum of 6.0 mm, and in this case, the thickness T1 may be set to 0.1 mm or more and less than 6.0 mm.

＜本実施形態の作用効果＞
本実施形態の静電チャック１によれば、セラミックス部材１０は、上面１１を有する載置部５１と、セラミックス部材１０の外周面１３に凹むように形成されたオリフラ部４１と、を備えている。そして、セラミックス部材１０の外周面１３の径方向について、オリフラ部４１の外径Ｄ１が、載置部５１における外径Ｄ２よりも小さく形成されている。 <Action and effect of the present embodiment>
According to the electrostatic chuck 1 of this embodiment, the ceramic member 10 includes the mounting portion 51 having the upper surface 11 and the orientation flat portion 41 formed to be recessed in the outer peripheral surface 13 of the ceramic member 10 . . The outer diameter D1 of the orientation flat portion 41 is smaller than the outer diameter D2 of the mounting portion 51 in the radial direction of the outer peripheral surface 13 of the ceramic member 10 .

このようにして、セラミックス部材１０において、オリフラ部４１に対して上面１１側の位置に、オリフラ部４１よりも外径の大きい載置部５１が設けられており、載置部５１がオリフラ部４１よりもセラミックス部材１０の外周面１３の径方向の外側に突出している。これにより、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分にて、半導体ウエハＷとセラミックス部材１０の接触面積が大きくなる。そのため、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分の熱は、載置部５１を介してベース部材２０により抜熱され易くなる。したがって、半導体ウエハＷが加熱されたときに、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分が、ホットスポットとなることを抑制できる。ゆえに、半導体ウエハＷの全体の均熱性を確保できる。 Thus, in the ceramic member 10 , the mounting portion 51 having a larger outer diameter than the orientation flat portion 41 is provided at a position on the upper surface 11 side with respect to the orientation flat portion 41 . protrudes outward in the radial direction of the outer peripheral surface 13 of the ceramic member 10 . As a result, the contact area between the semiconductor wafer W and the ceramic member 10 is increased at the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 . Therefore, the heat of the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 is easily removed by the base member 20 via the mounting portion 51 . Therefore, when the semiconductor wafer W is heated, the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 can be prevented from becoming a hot spot. Therefore, the uniformity of the temperature of the entire semiconductor wafer W can be ensured.

また、載置部５１の中心軸Ｃａ方向の厚みＴ１を０．１ｍｍ以上とすることにより、載置部５１がない場合（厚み０ｍｍの場合）と比べて、半導体ウエハＷを加熱した際の温度上昇幅ΔＴを十分に抑えることができるので、半導体ウエハＷにおいてオリフラ部４１に対応する部分がホットスポットになることを抑制できる。 In addition, by setting the thickness T1 of the mounting portion 51 in the direction of the central axis Ca to 0.1 mm or more, the temperature when the semiconductor wafer W is heated is lower than that in the case where the mounting portion 51 is not provided (when the thickness is 0 mm). Since the width of rise ΔT can be sufficiently suppressed, it is possible to suppress the portion of the semiconductor wafer W corresponding to the orientation flat portion 41 from becoming a hot spot.

また、オリフラ部４１は、上面１１の面方向に直線状に形成されていることにより、例えばノッチ形状のように部分的にクラックが生じる可能性が低く、耐久性がよい。 In addition, since the orientation flat portion 41 is formed linearly in the surface direction of the upper surface 11, it is less likely that a crack will occur in a portion like a notch shape, for example, and durability is excellent.

また、本実施形態では、オリフラ部４１と載置部５１の外形が、階段状に形成されているので、載置部５１とオリフラ部４１とを見分け易くなり、半導体ウエハＷの位置合わせをする際にオリフラ部４１が目印として見やすくなる。また、載置部５１とオリフラ部４１を形成し易くなる。 Further, in the present embodiment, since the orientation flat portion 41 and the mounting portion 51 are formed in a stepped outer shape, the mounting portion 51 and the orientation flat portion 41 can be easily distinguished from each other, thereby aligning the semiconductor wafer W. At the time, the orientation flat portion 41 becomes easy to see as a mark. Further, it becomes easier to form the mounting portion 51 and the orientation flat portion 41 .

なお、上記した実施の形態は単なる例示にすぎず、本開示を何ら限定するものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることはもちろんである。 It should be noted that the above-described embodiment is merely an example and does not limit the present disclosure in any way, and of course various improvements and modifications are possible without departing from the gist of the present disclosure.

例えば、セラミックス部材１０は、上下で２つの部材に分かれる２部材構造になっていてもよく、この場合、上方の部材が本開示の「保持部」の一例となる。また、例えば、セラミックス部材１０とベース部材２０とが一体物に形成されていてもよい。 For example, the ceramic member 10 may have a two-member structure in which the upper and lower members are divided into two members, and in this case, the upper member is an example of the "holding portion" of the present disclosure. Further, for example, the ceramic member 10 and the base member 20 may be formed integrally.

また、例えば、本開示の「位置合わせ部」の一例として、直線状のオリフラ部４１の代わりに、Ｖ字形状のノッチ形状部であってもよい。 Further, for example, as an example of the “alignment portion” of the present disclosure, a V-shaped notch-shaped portion may be used instead of the linear orientation flat portion 41 .

また、例えば、図５の断面に相当する断面にて、載置部５１の外形がテーパ形状であってもよい。 Further, for example, the outer shape of the mounting portion 51 may be tapered in a cross section corresponding to the cross section of FIG.

１静電チャック
１０セラミックス部材
１０ａ上段部
１１上面
１３外周面
２０ベース部材
２３冷媒流路
３０接合層
４１オリフラ部
５１載置部
Ｗ半導体ウエハ
ＮＣ１，ＮＣ２非接触部分
Ｄ１（オリフラ部の）外径
Ｄ２（載置部の）外径
Ｔ０（セラミックス部材の上段部の）厚み
Ｔ１（載置部の）厚み
Ｄｅ（オリフラ部の）深さ
Ｌｅｇ０第０の位置
Ｌｅｇ１第１の位置
Ｌｅｇ２第２の位置
Ｌｅｇ３第３の位置
ΔＴ温度上昇幅 1 Electrostatic chuck 10 Ceramic member 10a Upper part 11 Upper surface 13 Outer peripheral surface 20 Base member 23 Coolant channel 30 Bonding layer 41 Orientation flat part 51 Mounting part W Semiconductor wafers NC1, NC2 Non-contact part D1 (Origination flat part) outer diameter D2 Outer diameter T0 (of the mounting portion) Thickness T1 (of the upper portion of the ceramic member) Thickness De (of the mounting portion) Depth (of the orientation flat portion) Leg0 0th position Leg1 1st position Leg2 2nd position Leg3 Third position ΔT Temperature rise width

Claims

a holding part having a holding surface for holding an object having a circular or substantially circular outer periphery;
a cooling unit arranged on the side opposite to the holding surface side with respect to the holding unit and cooling the object;
In a holding member having
The holding portion includes a placement portion having the holding surface, and an alignment portion formed so as to be recessed on the outer peripheral surface of the holding portion,
The outer diameter of the alignment portion is formed to be smaller than the outer diameter of the mounting portion in the radial direction of the outer peripheral surface of the holding portion;
A retaining member.

The holding member of claim 1,
The thickness of the mounting portion in the arrangement direction of the holding portion and the cooling portion is 0.1 mm or more;
A retaining member.

The holding member according to claim 1 or 2,
The alignment portion is formed linearly in a direction perpendicular to the arrangement direction of the holding portion and the cooling portion;
A retaining member.

The holding member according to any one of claims 1 to 3,
At the position of the alignment portion on the outer peripheral surface of the holding portion, in a cross section obtained by cutting the holding portion along the arrangement direction of the holding portion and the cooling portion and the radial direction of the outer peripheral surface of the holding portion, the position the outer shape of the mating portion and the mounting portion is formed in a stepped shape;
A retaining member.