JP2022003667A - Holding device - Google Patents

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敬太 小笠原
Keita Ogasawara
考史 山本
Takashi Yamamoto
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NGK Spark Plug Co Ltd
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Abstract

To provide a holding device capable of obtaining clear temperature distribution between an inner peripheral portion and an outer peripheral portion of the holding surface of a wafer.SOLUTION: A holding device includes a ceramic member 41 having a suction surface 51 and a lower surface 52 provided on the side opposite to the suction surface 51 in the Z-axis direction, and a base member 42 having an upper surface 61 and a lower surface 62 provided on the opposite side of the upper surface 61, and in an electrostatic chuck 10 in which the lower surface 52 of the ceramic member 41 and the upper surface 61 of the base member 42 are thermally connected to hold a wafer W on the surface of the suction surface 51 of the ceramic member 41, the base member 42 includes refrigerant flow paths 66 and 67 for flowing a refrigerant and an annular groove portion 63 when viewed from the Z-axis direction, and the ceramic member 41 has a heat insulating space 74 that is arranged so as to overlap the groove portion 63 when viewed from the Z-axis direction.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示は、対象物を保持する保持装置に関する。 The present disclosure relates to a holding device for holding an object.

保持装置に関する従来技術として、例えば、特許文献1に、対象物の保持面(ウエハ保持面)の内周部と外周部とで、それぞれ異なる温度に制御して明確な温度分布を得るために、電極ブロックに同心円状のスリットを設けて、内周部と外周部との間での熱伝達が抑制されるようにしたプラズマ処理装置が開示されている。 As a conventional technique relating to a holding device, for example, in Patent Document 1, in order to obtain a clear temperature distribution by controlling the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the holding surface (wafer holding surface) of an object to different temperatures. A plasma processing apparatus is disclosed in which a concentric slit is provided in an electrode block so that heat transfer between an inner peripheral portion and an outer peripheral portion is suppressed.

特開2003−243371号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-243371

しかしながら、上記の装置では、誘電体膜(セラミックス)内部における径方向への熱伝達を抑制することができない。そのため、誘電体膜内部での径方向への熱伝達によって、対象物の保持面の内周部と外周部との温度境界(温度差)が不明確になり、明確な温度分布を得ることができないおそれがある。 However, in the above device, heat transfer in the radial direction inside the dielectric film (ceramics) cannot be suppressed. Therefore, due to the radial heat transfer inside the dielectric film, the temperature boundary (temperature difference) between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the holding surface of the object becomes unclear, and a clear temperature distribution can be obtained. It may not be possible.

そこで、本開示は上記した問題点を解決するためになされたものであり、対象物の保持面の内周部と外周部とで明確な温度分布を得ることができる保持装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present disclosure has been made to solve the above-mentioned problems, and to provide a holding device capable of obtaining a clear temperature distribution between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the holding surface of the object. The purpose.

上記課題を解決するためになされた本開示の一形態は、
第1の面と、第1の方向にて前記第1の面とは反対側に設けられる第2の面とを備える板状部材と、第3の面と、前記第3の面とは反対側に設けられる第4の面とを備えるベース部材と、を備え、前記板状部材の前記第2の面と、前記ベース部材の前記第3の面とが、熱的に接続され、前記板状部材の前記第1の面上に対象物を保持する保持装置において、
前記ベース部材は、
冷媒を流すための冷媒流路と、
前記第1の方向から見て環状の第1断熱部とを有し、
前記板状部材は、前記第1の方向から見たときに、前記第1断熱部の周方向の5%以上に沿って配置されている第2断熱部を有することを特徴とする。
A form of this disclosure made to solve the above problems is
A plate-like member having a first surface and a second surface provided on a side opposite to the first surface in the first direction, a third surface, and the opposite of the third surface. A base member including a fourth surface provided on the side is provided, and the second surface of the plate-shaped member and the third surface of the base member are thermally connected and the plate is provided. In the holding device for holding the object on the first surface of the shaped member,
The base member is
Refrigerant flow path for flowing refrigerant and
It has a first heat insulating portion that is annular when viewed from the first direction.
The plate-shaped member is characterized by having a second heat insulating portion arranged along 5% or more of the circumferential direction of the first heat insulating portion when viewed from the first direction.

この保持装置では、第1の方向から見たときに、板状部材に第2断熱部が配置されるため、板状部材内で第2の方向(径方向)への熱伝達を抑制して第1の方向への熱伝達を促進することができる。そして、ベース部材では第1断熱部を境界として内周部と外周部との間の第2の方向への熱伝達が抑制されている。さらに、第1の方向から見たときに、第1断熱部の周辺に第2断熱部が配置されるため、ベース部材で形成される温度域がほぼそのままの状態で板状部材の内部を第1の方向へ伝達されるので、第1の面において、内周部と外周部とで明確な温度分布を得ることができる。 In this holding device, since the second heat insulating portion is arranged on the plate-shaped member when viewed from the first direction, heat transfer in the second direction (diameter direction) in the plate-shaped member is suppressed. Heat transfer in the first direction can be promoted. In the base member, heat transfer in the second direction between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion is suppressed with the first heat insulating portion as a boundary. Further, when viewed from the first direction, the second heat insulating portion is arranged around the first heat insulating portion, so that the inside of the plate-shaped member is inside the plate-shaped member with the temperature range formed by the base member almost unchanged. Since the temperature is transmitted in the direction of 1, a clear temperature distribution can be obtained between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion on the first surface.

上記した保持装置において、
前記第1の面に、複数の凸部が形成されており、
前記凸部は、前記第1の方向から見たときに、前記第1断熱部と重ならないように配置されていることが好ましい。
In the above-mentioned holding device,
A plurality of convex portions are formed on the first surface.
It is preferable that the convex portion is arranged so as not to overlap with the first heat insulating portion when viewed from the first direction.

この保持装置では、凸部が対象物に接触して対象物を保持する。この凸部は、第1断熱部の直上には配置されないため、第1の面(対象物との接触面)において、内周部と外周部との温度分布がより明確になる。そして、板状部材と対象物との間の熱伝達は、凸部と、凸部が配置されていない第1断熱部の直上部分とを比較すると、凸部が配置されていない第1断熱部の直上部分の方が熱伝達しにくい。これにより、板状部材の内周部と外周部とで温度差が生じる境界がはっきりとわかるため、第1の面において、内周部と外周部とでより明確な温度分布を得ることができる。 In this holding device, the convex portion contacts the object and holds the object. Since this convex portion is not arranged directly above the first heat insulating portion, the temperature distribution between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion becomes clearer on the first surface (contact surface with the object). Then, in the heat transfer between the plate-shaped member and the object, when the convex portion and the portion directly above the first heat insulating portion where the convex portion is not arranged are compared, the first heat insulating portion where the convex portion is not arranged is compared. It is harder to transfer heat directly above. As a result, the boundary where the temperature difference occurs between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the plate-shaped member can be clearly seen, so that a clearer temperature distribution can be obtained between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion on the first surface. ..

上記した保持装置において、
前記第2断熱部は、前記第1の面上に形成された溝、又は前記第1の方向にて前記第2の面から前記板状部材の厚みの1/3の位置よりも前記第1の面側に配置された内部空洞であることが好ましい。
In the above-mentioned holding device,
The second heat insulating portion is the first from a groove formed on the first surface or a position of 1/3 of the thickness of the plate-shaped member from the second surface in the first direction. It is preferable that the internal cavity is arranged on the surface side of the above.

このように、第2断熱部を、第1の面に形成された溝、又は厚みの1/3より上方に位置する内部空洞で形成することにより、板状部材において、第1の面の近傍での第2の方向(径方向)への熱伝達を効果的に抑制することができる。そのため、第1の方向への熱伝達がより促進される。従って、ベース部材の内周部と外周部とでそれぞれ制御された温度が、そのまま板状部材の内部を第1の方向へ伝達されるので、第1の面において、内周部と外周部とで明確に温度差が生じるため、内周部と外周部とでより明確な温度分布を得ることができる。 In this way, by forming the second heat insulating portion with the groove formed on the first surface or the internal cavity located above 1/3 of the thickness, the plate-shaped member is in the vicinity of the first surface. The heat transfer in the second direction (diameter direction) can be effectively suppressed. Therefore, heat transfer in the first direction is further promoted. Therefore, the temperature controlled by the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the base member is transmitted to the inside of the plate-shaped member in the first direction as it is, so that the inner peripheral portion and the outer peripheral portion can be obtained on the first surface. Since the temperature difference is clearly generated in, a clearer temperature distribution can be obtained between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion.

また、溝や内部空洞によって第2断熱部を構成することにより、板状部材に第2断熱部を非常に簡単に設けることができる。そして、例えば、内部空洞として従来から板状部材に形成されているガストンネルを利用することにより、ガストンネルの形状や配置を変更するだけで、板状部材に第2断熱部を設けることができる。 Further, by forming the second heat insulating portion by the groove or the internal cavity, the second heat insulating portion can be provided to the plate-shaped member very easily. Then, for example, by using a gas tunnel conventionally formed in a plate-shaped member as an internal cavity, a second heat insulating portion can be provided in the plate-shaped member only by changing the shape and arrangement of the gas tunnel. ..

上記した保持装置において、
前記板状部材の前記第1の面は、
前記第1の方向から見たときに前記第2断熱部の内側に位置する内側領域と、前記第1の方向から見たときに前記第2断熱部の外側に位置する外側領域とを有し、
前記冷媒流路には、前記内側領域を冷却するための内側冷媒流路と、前記外側領域を冷却するための外側冷媒流路とが独立して設けられていることが好ましい。
In the above-mentioned holding device,
The first surface of the plate-shaped member is
It has an inner region located inside the second heat insulating portion when viewed from the first direction, and an outer region located outside the second heat insulating portion when viewed from the first direction. ,
It is preferable that the inner refrigerant flow path for cooling the inner region and the outer refrigerant flow path for cooling the outer region are independently provided in the refrigerant flow path.

このようにすることにより、内側領域と外側領域とを独立した冷媒流路、つまり通路入口と通路出口とがそれぞれ別に設けられ、冷媒の温度や流速を別々に変更できる内側冷媒流路と外側冷媒流路とによって冷却することができ、第1断熱部により内側領域と外側領域とが分けられているため、第1の面の内側領域と外側領域とにおける温度分布制御の精度を一層向上させることができる。従って、第1の面において、内周部と外周部とで一層明確な温度分布を得ることができる。 By doing so, the inner region and the outer region are provided with independent refrigerant flow paths, that is, the passage inlet and the passage outlet, respectively, and the temperature and flow velocity of the refrigerant can be changed separately. Since it can be cooled by the flow path and the inner region and the outer region are separated by the first heat insulating portion, the accuracy of temperature distribution control in the inner region and the outer region of the first surface can be further improved. Can be done. Therefore, on the first surface, a clearer temperature distribution can be obtained between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion.

上記した保持装置において、
前記第1の方向から見たときに、前記第1断熱部と前記第2断熱部とが周方向で重なるように配置されていることが好ましい。
In the above-mentioned holding device,
When viewed from the first direction, it is preferable that the first heat insulating portion and the second heat insulating portion are arranged so as to overlap each other in the circumferential direction.

こうすることにより、第1断熱部の直上に第2断熱部が配置されるため、ベース部材における内側領域と外側領域が、第1の面における内側領域と外側領域にほぼ一致する。そのため、ベース部材における内側領域と外側領域とでそれぞれ制御された温度域が、そのまま第1の面に反映される。従って、第1の面における温度分布制御の制御性が更に向上するため、第1の面において、内周部と外周部とでより一層明確な温度分布を得ることができる。 By doing so, since the second heat insulating portion is arranged directly above the first heat insulating portion, the inner region and the outer region of the base member substantially coincide with the inner region and the outer region of the first surface. Therefore, the temperature ranges controlled by the inner region and the outer region of the base member are directly reflected on the first surface. Therefore, since the controllability of the temperature distribution control on the first surface is further improved, it is possible to obtain a clearer temperature distribution on the inner peripheral portion and the outer peripheral portion on the first surface.

上記した保持装置において、
前記第1の面に、複数の凸部が形成されており、
前記第2断熱部が前記内部空洞である場合、前記凸部は、前記第1の方向から見たときに、前記内部空洞の配置領域より前記内部空洞の非配置領域の方が多く配置されていることが好ましい。なお、凸部の数の比較は、単位面積当たりの凸部の配置数で行えばよい。
In the above-mentioned holding device,
A plurality of convex portions are formed on the first surface.
When the second heat insulating portion is the internal cavity, the convex portion is arranged more in the non-arranged region of the internal cavity than in the arranged region of the internal cavity when viewed from the first direction. It is preferable to be there. The number of convex portions may be compared by the number of convex portions arranged per unit area.

こうすることにより、内部空洞の配置領域(第1段熱部の配置領域でもある)には凸部が少なく(あるいは無し)、内部空洞の非配置領域(第1段熱部の非配置領域でもある)には凸部が多く配置される。そのため、凸部が多く配置される部分では、対象物との接触面積が大きくなるので、熱伝達が良くなり温度制御性を向上させられる。従って、内部空洞の非配置領域を境界にして、第1の面において、内側領域と外側領域とにおける制御温度を精度良く変化させることができるため、第1の面において、内周部と外周部とで明確な温度分布を得ることができる。 By doing so, there are few (or no) protrusions in the arrangement region of the internal cavity (which is also the arrangement region of the first stage heat portion), and even in the non-arrangement region of the internal cavity (the non-arrangement region of the first stage heat portion). There are many convex parts in). Therefore, in the portion where many convex portions are arranged, the contact area with the object becomes large, so that the heat transfer is improved and the temperature controllability can be improved. Therefore, the control temperature in the inner region and the outer region can be accurately changed on the first surface with the non-arranged region of the inner cavity as the boundary. Therefore, the inner peripheral portion and the outer peripheral portion on the first surface can be changed accurately. A clear temperature distribution can be obtained with.

本開示によれば、対象物の保持面の内周部と外周部とで明確な温度分布を得ることができる保持装置を提供することができる。 According to the present disclosure, it is possible to provide a holding device capable of obtaining a clear temperature distribution between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the holding surface of an object.

第1実施形態に係る静電チャックの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the electrostatic chuck which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る静電チャックのXZ断面の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the XZ cross section of the electrostatic chuck which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る静電チャックのXY平面の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the XY plane of the electrostatic chuck which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る静電チャックのXZ断面の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the XZ cross section of the electrostatic chuck which concerns on 2nd Embodiment. (A)〜(E)は、第2実施形態に係る静電チャックのXY平面の概略構成図である。(A) to (E) are schematic block diagrams of the XY planes of the electrostatic chuck according to the second embodiment.

[第1実施形態]
本開示に係る実施形態である保持装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、半導体のウエハを保持する静電チャックに対して適用した場合について説明する。
[First Embodiment]
The holding device according to the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In this embodiment, a case where it is applied to an electrostatic chuck that holds a semiconductor wafer will be described.

<静電チャックの全体構成>
本実施形態の静電チャックについて、図1〜図3を参照しながら説明する。静電チャック10は、対象物(例えばウエハW)を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウエハWを固定するために使用される。静電チャック10は、図1に示すように、板状部材であるセラミックス部材41と、ベース部材42と、接合層43などを有する。
<Overall configuration of electrostatic chuck>
The electrostatic chuck of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. The electrostatic chuck 10 is a device that attracts and holds an object (for example, a wafer W) by electrostatic attraction, and is used, for example, for fixing a wafer W in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus. As shown in FIG. 1, the electrostatic chuck 10 has a ceramic member 41 which is a plate-shaped member, a base member 42, a bonding layer 43, and the like.

なお、以下の説明においては、説明の便宜上、図1に示すようにXYZ軸を定義するものとする。ここで、Z軸は静電チャック10の中心軸Ca方向(図1の上下方向)の軸であり、X軸とY軸は静電チャック10の径方向の軸である。そして、Z軸方向(すなわち中心軸Ca方向)は、本開示の「第1の方向」の一例であり、X軸方向とY軸方向(すなわち、静電チャック10の径方向)は、本開示の「第2の方向」の一例である。 In the following description, for convenience of explanation, the XYZ axes are defined as shown in FIG. Here, the Z axis is the axis in the Ca direction (vertical direction in FIG. 1), which is the central axis of the electrostatic chuck 10, and the X axis and the Y axis are the radial axes of the electrostatic chuck 10. The Z-axis direction (that is, the central axis Ca direction) is an example of the "first direction" of the present disclosure, and the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, the radial direction of the electrostatic chuck 10) are the present disclosure. This is an example of the "second direction" of.

セラミックス部材41は、例えば円盤状の部材であり、セラミックスにより形成されている。セラミックスとしては、様々なセラミックスが用いられるが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム(アルミナ、Al)または窒化アルミニウム(AlN)を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合の最も多い成分(例えば、体積含有率が90vol%以上の成分)を意味する。 The ceramic member 41 is, for example, a disk-shaped member and is made of ceramics. The ceramics, various ceramics are used, the strength and wear resistance, from the point of view of plasma resistance and the like, for example, aluminum oxide (alumina, Al 2 O 3) or aluminum nitride (AlN) as a main component a ceramic Is preferably used. The main component referred to here means a component having the highest content ratio (for example, a component having a volume content of 90 vol% or more).

また、セラミックス部材41の直径は、例えば150mm〜300mm程度であり、セラミックス部材41の厚さは、例えば2mm〜6mm程度である。なお、セラミックス部材41の熱伝導率は、10〜50W/mK(より好ましくは、18〜30W/mK、例えば20W/mK)の範囲内が望ましい。 The diameter of the ceramic member 41 is, for example, about 150 mm to 300 mm, and the thickness of the ceramic member 41 is, for example, about 2 mm to 6 mm. The thermal conductivity of the ceramic member 41 is preferably in the range of 10 to 50 W / mK (more preferably 18 to 30 W / mK, for example, 20 W / mK).

図1、図2に示すように、セラミックス部材41は、上面である吸着面51と、セラミックス部材41の中心軸方向(すなわち、Z軸方向)について吸着面51とは反対側に設けられる下面52と、を備えている。このセラミックス部材41は、吸着面51上にてウエハWを保持する。なお、吸着面51は本開示の「第1の面」の一例であり、下面52は本開示の「第2の面」の一例である。 As shown in FIGS. 1 and 2, the ceramic member 41 has a suction surface 51 on the upper surface and a lower surface 52 provided on the opposite side of the suction surface 51 in the central axis direction (that is, the Z-axis direction) of the ceramic member 41. And have. The ceramic member 41 holds the wafer W on the suction surface 51. The suction surface 51 is an example of the "first surface" of the present disclosure, and the lower surface 52 is an example of the "second surface" of the present disclosure.

吸着面51には、図2、図3に示すように、その外縁付近に環状の環状凸部71が形成され、環状凸部71の内側に複数の独立した柱状の凸部72が形成されている。なお、環状凸部71は、シールバンドとも呼ばれる。環状凸部71の断面(XZ断面)の形状は、図2に示すように、略矩形である。環状凸部71の高さ(Z軸方向の寸法)は、例えば、10μm〜20μm程度である。また、環状凸部71の幅(X軸方向の寸法)は、例えば、0.5mm〜5.0mm程度である。 As shown in FIGS. 2 and 3, an annular convex portion 71 is formed on the suction surface 51 in the vicinity of the outer edge thereof, and a plurality of independent columnar convex portions 72 are formed inside the annular convex portion 71. There is. The annular convex portion 71 is also called a seal band. As shown in FIG. 2, the shape of the cross section (XZ cross section) of the annular convex portion 71 is substantially rectangular. The height (dimension in the Z-axis direction) of the annular convex portion 71 is, for example, about 10 μm to 20 μm. The width (dimension in the X-axis direction) of the annular convex portion 71 is, for example, about 0.5 mm to 5.0 mm.

各凸部72は、Z軸方向視で、図3に示すように、略円形をなしており、略均等間隔で配置されている。また、各凸部72の断面(XZ断面)の形状は、図2に示すように、略矩形である。凸部72の高さは、環状凸部71の高さと略同一であり、例えば、10μm〜20μm程度である。また、凸部72の幅(Z軸方向視での凸部72の最大径)は、例えば、0.5mm〜1.5mm程度である。なお、セラミックス部材41の吸着面51における環状凸部71より内側において、凸部72が形成されていない部分は、凹部73となっている。 As shown in FIG. 3, the convex portions 72 have a substantially circular shape in the Z-axis direction, and are arranged at substantially equal intervals. Further, the shape of the cross section (XZ cross section) of each convex portion 72 is substantially rectangular as shown in FIG. The height of the convex portion 72 is substantially the same as the height of the annular convex portion 71, and is, for example, about 10 μm to 20 μm. The width of the convex portion 72 (the maximum diameter of the convex portion 72 in the Z-axis direction) is, for example, about 0.5 mm to 1.5 mm. The portion of the suction surface 51 of the ceramic member 41 where the convex portion 72 is not formed is a concave portion 73 inside the annular convex portion 71.

そして、ウエハWは、セラミックス部材41の吸着面51における環状凸部71と複数の凸部72とに支持されて、静電チャック10に保持される。ウエハWが静電チャック10に保持された状態では、ウエハWの表面(下面)と、セラミックス部材41の吸着面51(より詳細には吸着面51の凹部73)との間に、空間が存在することとなる。この空間には、不活性ガス(例えば、ヘリウムガス)が供給されるようになっている。 Then, the wafer W is supported by the annular convex portion 71 and the plurality of convex portions 72 on the suction surface 51 of the ceramic member 41 and is held by the electrostatic chuck 10. When the wafer W is held by the electrostatic chuck 10, a space exists between the surface (lower surface) of the wafer W and the suction surface 51 of the ceramic member 41 (more specifically, the recess 73 of the suction surface 51). Will be done. An inert gas (for example, helium gas) is supplied to this space.

なお、セラミックス部材41は、その内部に、Z軸方向視で、例えば略円形をなすチャック電極(不図示)を備える。そして、チャック電極は、電源(不図示)から電圧が印加されることによって静電引力を発生し、その静電引力により、ウエハWは吸着面51に吸着して保持される。 The ceramic member 41 is provided with a chuck electrode (not shown) having a substantially circular shape, for example, in the Z-axis direction. Then, the chuck electrode generates an electrostatic attraction when a voltage is applied from a power source (not shown), and the wafer W is attracted to and held on the suction surface 51 by the electrostatic attraction.

ベース部材42は、例えば図1に示すように円柱状、詳しくは、直径の異なる2つの円柱が、大きな直径の円柱状の上面部の上に小さな直径の円柱状の下面部が載せられるようにして、中心軸Caを共通にして重ねられて形成された段付きの円柱状である。このベース部材42は、金属(例えば、アルミニウムやアルミニウム合金等)により形成されていることが好ましいが、金属以外であってもよい。 The base member 42 is, for example, a cylinder as shown in FIG. 1, specifically, two cylinders having different diameters are arranged so that a lower surface portion of a small diameter cylinder is placed on an upper surface portion of a large diameter cylinder. It is a stepped columnar shape formed by stacking the central axis Ca in common. The base member 42 is preferably formed of a metal (for example, aluminum, an aluminum alloy, etc.), but may be other than the metal.

そして、図1、図2に示すように、ベース部材42は、上面61と、ベース部材42(セラミックス部材41)の中心軸Ca(図2参照)方向(すなわち、Z軸方向)について上面61とは反対側に設けられる下面62と、を備えている。なお、上面61は本開示の「第3の面」の一例であり、下面62は本開示の「第4の面」の一例である。 Then, as shown in FIGS. 1 and 2, the base member 42 has an upper surface 61 and an upper surface 61 in the central axis Ca (see FIG. 2) direction (that is, the Z-axis direction) of the base member 42 (ceramic member 41). Is provided with a lower surface 62 provided on the opposite side. The upper surface 61 is an example of the "third surface" of the present disclosure, and the lower surface 62 is an example of the "fourth surface" of the present disclosure.

ベース部材42の直径は、上段部が例えば150mm〜300mm程度であり、下段部が例えば180mm〜350mm程度である。また、ベース部材42の厚さ(Z軸方向の寸法)は、例えば20mm〜50mm程度である。なお、ベース部材42(アルミニウムを想定)の熱伝導率は、セラミックス部材41よりも大きく、180〜250W/mK(好ましくは、230W/mK程度)の範囲内が望ましい。 The diameter of the base member 42 is, for example, about 150 mm to 300 mm in the upper part and about 180 mm to 350 mm in the lower part. The thickness of the base member 42 (dimensions in the Z-axis direction) is, for example, about 20 mm to 50 mm. The thermal conductivity of the base member 42 (assuming aluminum) is larger than that of the ceramic member 41, and is preferably in the range of 180 to 250 W / mK (preferably about 230 W / mK).

このベース部材42は、セラミックス部材41の下面52とベース部材42の上面61との間に配置された接合層43によって、セラミックス部材41に接合されている。接合層43は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。なお、接合層43の厚さ(Z軸方向の寸法)は、例えば0.1mm〜1.0mm程度である。また、接合層43の熱伝導率は、例えば1.0W/mKである。なお、接合層43(シリコーン系樹脂を想定)の熱伝導率は、0.1〜2.0W/mK(好ましくは、0.5〜1.5W/mK)の範囲内が望ましい。 The base member 42 is joined to the ceramic member 41 by a bonding layer 43 arranged between the lower surface 52 of the ceramic member 41 and the upper surface 61 of the base member 42. The bonding layer 43 is made of an adhesive material such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin. The thickness of the bonding layer 43 (dimensions in the Z-axis direction) is, for example, about 0.1 mm to 1.0 mm. The thermal conductivity of the bonding layer 43 is, for example, 1.0 W / mK. The thermal conductivity of the bonding layer 43 (assuming a silicone resin) is preferably in the range of 0.1 to 2.0 W / mK (preferably 0.5 to 1.5 W / mK).

ベース部材42には、図2に示すように、半径方向の略中間位置の上面61から、中心軸Ca(図2参照)(すなわち、Z軸)に沿って下面52方向に延びる溝部63が備えられている。また、溝部63は、図3に示すように、ベース部材42の中心軸Caを中心として環状に延びている。したがって、ベース部材42は、溝部63よって、溝部63より内側に位置する内側領域64と、溝部63より外側に位置する外側領域65とに区画される。 As shown in FIG. 2, the base member 42 is provided with a groove portion 63 extending in the lower surface 52 direction along the central axis Ca (see FIG. 2) (that is, the Z axis) from the upper surface 61 at a substantially intermediate position in the radial direction. Has been done. Further, as shown in FIG. 3, the groove portion 63 extends in an annular shape about the central axis Ca of the base member 42. Therefore, the base member 42 is divided by the groove portion 63 into an inner region 64 located inside the groove portion 63 and an outer region 65 located outside the groove portion 63.

また、溝部63の深さ、つまり、ベース部材42の上面61から、中心軸Caに沿って溝部63の底面までの長さは、ベース部材42の厚さの1/10程度、好ましくは、1/3程度が望ましい。具体的には、例えば、ベース部材42の厚さが20mm程度であれば、2mm〜7mm程度、また、ベース部材42の厚さが50mm程度であれば、5mm〜17mm程度が望ましい。 Further, the depth of the groove portion 63, that is, the length from the upper surface 61 of the base member 42 to the bottom surface of the groove portion 63 along the central axis Ca is about 1/10 of the thickness of the base member 42, preferably 1. About / 3 is desirable. Specifically, for example, if the thickness of the base member 42 is about 20 mm, it is preferably about 2 mm to 7 mm, and if the thickness of the base member 42 is about 50 mm, it is preferably about 5 mm to 17 mm.

また、溝部63の径方向(つまり、X軸方向またはY軸方向)の幅は、5mm〜35mm程度が望ましい。なお、溝部63は本開示の「第1断熱部」の一例である。 Further, the width of the groove portion 63 in the radial direction (that is, in the X-axis direction or the Y-axis direction) is preferably about 5 mm to 35 mm. The groove portion 63 is an example of the "first heat insulating portion" of the present disclosure.

また、ベース部材42の内側領域64には、図2に示すように、冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)を流すための内側冷媒通路66を備える。この内側冷媒通路66はZ軸方向視で、中心軸Ca(すなわち、Z軸)を中心として、ベース部材42の内側領域64において螺旋状に配置されている。さらに、内側冷媒通路66は、ベース部材42の下面62に設けられた不図示の供給口と排出口とに接続されており、したがって、供給口からベース部材42に供給された冷媒は、内側冷媒通路66内を流れて排出口からベース部材42外へ排出される。このようにして内側冷媒通路66に冷媒を流すことにより、ベース部材42の内側領域64を冷却することができる。 Further, as shown in FIG. 2, the inner region 64 of the base member 42 is provided with an inner refrigerant passage 66 for flowing a refrigerant (for example, a fluorine-based inert liquid, water, etc.). The inner refrigerant passage 66 is spirally arranged in the inner region 64 of the base member 42 with the central axis Ca (that is, the Z axis) as the center in the Z-axis direction. Further, the inner refrigerant passage 66 is connected to a supply port and a discharge port (not shown) provided on the lower surface 62 of the base member 42, and therefore, the refrigerant supplied to the base member 42 from the supply port is an inner refrigerant. It flows through the passage 66 and is discharged to the outside of the base member 42 from the discharge port. By flowing the refrigerant through the inner refrigerant passage 66 in this way, the inner region 64 of the base member 42 can be cooled.

また、ベース部材42の外側領域65には、図2に示すように、冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)を流すための外側冷媒通路67を備える。この外側冷媒通路67は、Z軸方向視で、ベース部材42の外側領域65において螺旋状に配置されている。つまり、外側冷媒通路67は、内側冷媒通路66の外側において、環状の溝部63を挟んで位置している。また、外側冷媒通路67は、ベース部材42の下面62に設けられた不図示の供給口と排出口とに接続されており、供給口からベース部材42に供給された冷媒は、外側冷媒通路67内を流れて排出口からベース部材42外へ排出される。このようにして外側冷媒通路67に冷媒を流すことにより、ベース部材42の外側領域65を冷却することができる。 Further, as shown in FIG. 2, the outer region 65 of the base member 42 is provided with an outer refrigerant passage 67 for flowing a refrigerant (for example, a fluorine-based inert liquid, water, etc.). The outer refrigerant passage 67 is spirally arranged in the outer region 65 of the base member 42 in the Z-axis direction. That is, the outer refrigerant passage 67 is located outside the inner refrigerant passage 66 with the annular groove 63 interposed therebetween. Further, the outer refrigerant passage 67 is connected to a supply port and a discharge port (not shown) provided on the lower surface 62 of the base member 42, and the refrigerant supplied to the base member 42 from the supply port is the outer refrigerant passage 67. It flows inside and is discharged to the outside of the base member 42 from the discharge port. By flowing the refrigerant through the outer refrigerant passage 67 in this way, the outer region 65 of the base member 42 can be cooled.

このように本実施形態では、内側領域64に設けられた内側冷媒通路66と、外側領域65に設けられた外側冷媒通路67とは、制御系統的に独立して設けられており、それぞれで冷媒の温度を調整したり、冷媒の流速などを調整することができる。そして、ベース部材42は、内側領域64と外側領域65との間に溝部63を備えている。したがって、外側冷媒通路67に冷媒を流すと、ベース部材42の外側領域65が、また、内側冷媒通路66に冷媒を流すと、ベース部材42の内側領域64が、それぞれ独立して冷却されることとなる。この際に、ベース部材42には、環状の溝部63が設けられているので、内側領域64は、外側領域65の温度の影響を受けることなく、また、外側領域65は、内側領域64の温度の影響を受けることなく、冷却することができる。したがって、ベース部材42の内側領域64と外側領域65とでは、所望の明確な温度分布を得ることができる。 As described above, in the present embodiment, the inner refrigerant passage 66 provided in the inner region 64 and the outer refrigerant passage 67 provided in the outer region 65 are provided independently in the control system, and each of them has a refrigerant. It is possible to adjust the temperature of the refrigerant and the flow velocity of the refrigerant. The base member 42 is provided with a groove 63 between the inner region 64 and the outer region 65. Therefore, when the refrigerant is passed through the outer refrigerant passage 67, the outer region 65 of the base member 42 is cooled independently, and when the refrigerant is passed through the inner refrigerant passage 66, the inner region 64 of the base member 42 is independently cooled. Will be. At this time, since the base member 42 is provided with the annular groove portion 63, the inner region 64 is not affected by the temperature of the outer region 65, and the outer region 65 is the temperature of the inner region 64. Can be cooled without being affected by. Therefore, a desired clear temperature distribution can be obtained in the inner region 64 and the outer region 65 of the base member 42.

図2に示すように、セラミックス部材41の内部には、断熱空間74を備える。また、断熱空間74は、図3に示すように、中心軸Ca(すなわち、Z軸)を中心として、環状に延びている。したがって、セラミックス部材41は、断熱空間74よって、断熱空間74より内側に位置する内側領域75と、断熱空間74より外側に位置する外側領域76とに区画される。 As shown in FIG. 2, a heat insulating space 74 is provided inside the ceramic member 41. Further, as shown in FIG. 3, the heat insulating space 74 extends in an annular shape with the central axis Ca (that is, the Z axis) as the center. Therefore, the ceramic member 41 is divided into an inner region 75 located inside the heat insulating space 74 and an outer region 76 located outside the heat insulating space 74 by the heat insulating space 74.

また、断熱空間74は、図3に示すように、ベース部材42に接合層43を介してセラミックス部材41に接合されている状態において、Z軸方向視で、図3に示すように、溝部63と重なるように、つまり、周方向のほぼ全周(例えば、90%以上)に亘って沿うように配置されている。すなわち、本実施形態では、Z軸方向視で、断熱空間74の幅方向の中心は、溝部63の幅方向の中心に対して、周方向のほぼ全周に亘って一致するように配置されている。 Further, as shown in FIG. 3, the heat insulating space 74 is joined to the ceramic member 41 via the bonding layer 43 to the base member 42, and the groove portion 63 is viewed in the Z-axis direction as shown in FIG. That is, they are arranged so as to overlap with each other, that is, along almost the entire circumference (for example, 90% or more) in the circumferential direction. That is, in the present embodiment, in the Z-axis direction view, the center in the width direction of the heat insulating space 74 is arranged so as to coincide with the center in the width direction of the groove portion 63 over almost the entire circumference in the circumferential direction. There is.

なお、本実施形態では、Z軸方向視で、断熱空間74の幅方向の中心は、溝部63の幅方向の中心に対して、周方向のほぼ全周に亘って一致するように配置されているが、それに限定されるものではない。すなわち、例えば、Z軸方向視で、断熱空間74の幅方向の中心は、溝部63の幅方向の中心に対して、内側方向にずれていても差し支えないし、また、外側方向にずれていても差し支えないことは、言うまでもない。 In the present embodiment, in the Z-axis direction view, the center in the width direction of the heat insulating space 74 is arranged so as to coincide with the center in the width direction of the groove 63 over almost the entire circumference in the circumferential direction. However, it is not limited to that. That is, for example, in the Z-axis direction view, the center in the width direction of the heat insulating space 74 may be displaced inward with respect to the center in the width direction of the groove 63, or may be displaced in the outward direction. Needless to say, there is no problem.

また、断熱空間74の中心軸Ca方向の長さは、セラミックス部材41の厚さの1/4〜1/2程度、好ましくは、1/3程度が望ましい。具体的には、例えば、セラミックス部材41の厚さが2mm程度であれば、0.5mm〜1mm程度、また、セラミックス部材41の厚さが6mm程度であれば、1.5mm〜3mm程度が望ましい。 Further, the length of the heat insulating space 74 in the direction of the central axis Ca is preferably about 1/4 to 1/2, preferably about 1/3 of the thickness of the ceramic member 41. Specifically, for example, if the thickness of the ceramic member 41 is about 2 mm, it is preferably about 0.5 mm to 1 mm, and if the thickness of the ceramic member 41 is about 6 mm, it is preferably about 1.5 mm to 3 mm. ..

また、図2に示すように、断熱空間74は、その底部が、セラミックス部材41の下面52から、セラミックス部材41の厚さの1/3の長さ分だけ、吸着面51側に間隔をおいて配置されている。 Further, as shown in FIG. 2, the bottom portion of the heat insulating space 74 is spaced from the lower surface 52 of the ceramic member 41 to the suction surface 51 side by a length of 1/3 of the thickness of the ceramic member 41. It is arranged.

また、断熱空間74の径方向(つまり、X軸方向とY軸方向)の幅は、溝部63の幅より広く設定され、15mm〜35mm程度が望ましい。なお、断熱空間74は本開示の「第2断熱部」の一例である。 Further, the width of the heat insulating space 74 in the radial direction (that is, the X-axis direction and the Y-axis direction) is set wider than the width of the groove portion 63, and is preferably about 15 mm to 35 mm. The heat insulating space 74 is an example of the "second heat insulating portion" of the present disclosure.

図2に示すように、セラミックス部材41の、内側領域75および外側領域76における下面52と、ベース部材42の、内側領域64および外側領域65の上面61とは、その間に配置された接合層43によって、熱的に接続されている。 As shown in FIG. 2, the lower surface 52 of the ceramic member 41 in the inner region 75 and the outer region 76 and the upper surface 61 of the base member 42 in the inner region 64 and the outer region 65 are arranged between the joint layer 43. Is thermally connected by.

一方、溝部63の、ベース部材42の上面61における環状の開口部分には、接合層43が配置されていないので、溝部63の、ベース部材42の上面61における開口部分においては、セラミックス部材41の下面52と、ベース部材42の上面61とが、熱的に接続されることはない。 On the other hand, since the bonding layer 43 is not arranged in the annular opening portion of the groove portion 63 on the upper surface 61 of the base member 42, the ceramic member 41 is formed in the opening portion of the groove portion 63 on the upper surface 61 of the base member 42. The lower surface 52 and the upper surface 61 of the base member 42 are not thermally connected.

また、セラミックス部材41の、Z軸方向視で、内側領域75および外側領域76に対応する吸着面51には、図2、図3に示すように、多数の柱状の凸部72が設けられている。したがって、ウエハWが、セラミックス部材41の吸着面51における環状凸部71と複数の凸部72、つまり吸着面51に形成されたすべての凸部に支持された状態では、セラミックス部材41の、内側領域75および外側領域76における吸着面51と、ウエハWとは、環状凸部71と複数の凸部72と介して熱的に接続されている。 Further, as shown in FIGS. 2 and 3, a large number of columnar convex portions 72 are provided on the suction surface 51 of the ceramic member 41 corresponding to the inner region 75 and the outer region 76 in the Z-axis direction. There is. Therefore, in a state where the wafer W is supported by the annular convex portion 71 on the suction surface 51 of the ceramic member 41 and the plurality of convex portions 72, that is, all the convex portions formed on the suction surface 51, the inside of the ceramic member 41. The suction surface 51 in the region 75 and the outer region 76 and the wafer W are thermally connected to each other via the annular convex portion 71 and the plurality of convex portions 72.

一方、セラミックス部材41の、Z軸方向視で、溝部63と重なる、つまり、断熱空間74と重なる吸着面51部分には、柱状の凸部72が設けられていない。したがって、ウエハWと、セラミックス部材41とが、熱的に接続されることはない。 On the other hand, the columnar convex portion 72 is not provided on the suction surface 51 portion of the ceramic member 41 that overlaps with the groove portion 63, that is, overlaps with the heat insulating space 74 in the Z-axis direction. Therefore, the wafer W and the ceramic member 41 are not thermally connected.

以上のように構成された静電チャック10においては、供給口から内側冷媒通路66および外側冷媒通路67に冷媒を供給し、それによって、ベース部材42の温度を制御することができる。具体的には、供給口から内側冷媒通路66に供給される冷媒の温度や冷媒の流速を変えることにより、ベース部材42の内側領域64の温度を制御することが可能となる。また、供給口から外側冷媒通路67に供給される冷媒の温度や冷媒の流速を変えることにより、ベース部材42の外側領域65の温度を制御することが可能となる。 In the electrostatic chuck 10 configured as described above, the refrigerant can be supplied from the supply port to the inner refrigerant passage 66 and the outer refrigerant passage 67, whereby the temperature of the base member 42 can be controlled. Specifically, the temperature of the inner region 64 of the base member 42 can be controlled by changing the temperature of the refrigerant supplied from the supply port to the inner refrigerant passage 66 and the flow velocity of the refrigerant. Further, the temperature of the outer region 65 of the base member 42 can be controlled by changing the temperature of the refrigerant supplied from the supply port to the outer refrigerant passage 67 and the flow velocity of the refrigerant.

この際、本実施形態では、ベース部材42の内側領域64と外側領域65との間に、環状の溝部63を備えるので、ベース部材42では溝部63を境界として内側領域64と外側領域65との間の径方向への熱伝達が抑制される。それにより、内側領域64と外側領域65とにおける温度分布制御の制御性が更に向上し、したがって、ベース部材42の、内側領域64の上面61と、外側領域65の上面61とでより一層明確な温度分布を得ることができる。 At this time, in the present embodiment, since the annular groove portion 63 is provided between the inner region 64 and the outer region 65 of the base member 42, the base member 42 has the inner region 64 and the outer region 65 with the groove portion 63 as a boundary. The heat transfer in the radial direction between them is suppressed. As a result, the controllability of the temperature distribution control in the inner region 64 and the outer region 65 is further improved, and therefore, the upper surface 61 of the inner region 64 and the upper surface 61 of the outer region 65 of the base member 42 are more clear. The temperature distribution can be obtained.

また、ベース部材42の、内側領域64の上面61の温度は、中心軸Ca方向に延びる第1の熱伝達経路、具体的には、接合層43、セラミックス部材41の内側領域75および多数の柱状の凸部72を介してウエハWに熱伝達される。したがって、ウエハWの内側領域、言い換えれば、セラミックス部材41の内側領域75に対応する吸着面51の温度は、供給口から内側冷媒通路66に供給される冷媒の温度や冷媒の流速を変えることにより、容易に温度制御することが可能となる。 Further, the temperature of the upper surface 61 of the inner region 64 of the base member 42 is the temperature of the first heat transfer path extending in the central axis Ca direction, specifically, the bonding layer 43, the inner region 75 of the ceramic member 41, and a large number of columns. Heat is transferred to the wafer W via the convex portion 72 of the above. Therefore, the temperature of the suction surface 51 corresponding to the inner region 75 of the ceramic member 41, that is, the inner region 75 of the ceramic member 41, is determined by changing the temperature of the refrigerant supplied from the supply port to the inner refrigerant passage 66 and the flow velocity of the refrigerant. , The temperature can be easily controlled.

また、ベース部材42の、外側領域65の上面61の温度は、第1の熱伝達経路の外側において、中心軸Ca方向に環状に延びる第2の熱伝達経路、具体的には、環状の接合層43、セラミックス部材41の環状の外側領域76および多数の柱状の凸部72を介してウエハWに熱伝達される。したがって、ウエハWの外側領域、言い換えれば、セラミックス部材41の外側領域76に対応する吸着面51の温度は、供給口から外側冷媒通路67に供給される冷媒の温度や冷媒の流速を変えることにより、容易に温度制御することが可能となる。 Further, the temperature of the upper surface 61 of the outer region 65 of the base member 42 is a second heat transfer path extending annularly in the central axis Ca direction outside the first heat transfer path, specifically, an annular joint. Heat is transferred to the wafer W via the layer 43, the annular outer region 76 of the ceramic member 41, and a large number of columnar protrusions 72. Therefore, the temperature of the suction surface 51 corresponding to the outer region 76 of the ceramic member 41, that is, the outer region 76 of the ceramic member 41, is determined by changing the temperature of the refrigerant supplied from the supply port to the outer refrigerant passage 67 and the flow velocity of the refrigerant. , The temperature can be easily controlled.

この際、本実施形態では、セラミックス部材41の、溝部63と重なる部分には、断熱空間74が備えられ、また、Z軸方向視で、溝部63と重なる、つまり、断熱空間74と重なる吸着面51部分には、柱状の凸部72が形成されておらず、さらに、溝部63の、ベース部材42の上面61における環状の開口部分には、接合層43が配置されていないので、第1の熱伝達経路と第2の熱伝達経路との間の径方向の熱伝達が抑制される。そのため、ベース部材42の上面61で形成される温度がほぼそのままの状態でウエハWに熱伝達され、したがって、ウエハWの内側領域と外側領域とで明確な温度分布を得ることができる。 At this time, in the present embodiment, the heat insulating space 74 is provided in the portion of the ceramic member 41 that overlaps with the groove portion 63, and the suction surface that overlaps with the groove portion 63 in the Z-axis direction, that is, overlaps with the heat insulating space 74. Since the columnar convex portion 72 is not formed in the 51 portion, and the bonding layer 43 is not arranged in the annular opening portion of the groove portion 63 in the upper surface 61 of the base member 42, the first Radial heat transfer between the heat transfer path and the second heat transfer path is suppressed. Therefore, the temperature formed on the upper surface 61 of the base member 42 is heat-transferred to the wafer W in a state of being substantially unchanged, and therefore a clear temperature distribution can be obtained in the inner region and the outer region of the wafer W.

また、供給口から内側冷媒通路66および外側冷媒通路67に供給される冷媒の温度や冷媒の流速を変えることにより、ウエハWの内側領域と外側領域とで、精度良く温度制御をすることができる。 Further, by changing the temperature of the refrigerant supplied from the supply port to the inner refrigerant passage 66 and the outer refrigerant passage 67 and the flow velocity of the refrigerant, it is possible to accurately control the temperature between the inner region and the outer region of the wafer W. ..

[第2実施形態]
続いて、本開示の第2実施形態に係る保持装置について、図4及び図5(A)〜(E)を参照しながら詳細を説明する。なお、その説明中、第1実施形態と同じ作用効果を奏するものには、同じ符号を付して説明する。
[Second Embodiment]
Subsequently, the holding device according to the second embodiment of the present disclosure will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5 (A) to 5 (E). In the description thereof, those having the same action and effect as those of the first embodiment will be described with the same reference numerals.

すなわち、第1実施形態では、セラミックス部材41に備えられた断熱空間74は、セラミックス部材41の内側領域75と外側領域76との間の熱伝達を抑制するために設けられていたが、本実施形態では、図4に示すように、断熱空間74が、ガストンネル(Heトンネル)74によって構成されている点で異なる。このようなガストンネル74によって吸着面51にHeガスが吐出され、ウエハWと吸着面51との間にHeガスが充填されることにより、凸部72がない箇所においてもHeガスを介して、ウエハWと吸着面51との間での熱伝達が可能になっている。なお、図4では、第2実施形態に係る保持装置の断面図の一例として、図5(B)の保持装置の断面図を示している。 That is, in the first embodiment, the heat insulating space 74 provided in the ceramic member 41 is provided to suppress heat transfer between the inner region 75 and the outer region 76 of the ceramic member 41. In the form, as shown in FIG. 4, the heat insulating space 74 is different in that it is composed of a gas tunnel (He tunnel) 74. He gas is discharged to the suction surface 51 by such a gas tunnel 74, and the He gas is filled between the wafer W and the suction surface 51, so that even in a place where there is no convex portion 72, the He gas is passed through. Heat transfer between the wafer W and the suction surface 51 is possible. Note that FIG. 4 shows a cross-sectional view of the holding device of FIG. 5B as an example of a cross-sectional view of the holding device according to the second embodiment.

ガストンネルを断熱空間74と兼用させるためには、ガストンネルの形状や配置を工夫する必要があり、以下に、図5を参照して、その詳細について説明する。なお、以下の説明においては、断熱空間74をガストンネル74として説明する。また、図5(A)〜(E)においては、ベース部材42に形成された溝部63と、セラミックス部材41に形成されたガストンネル74とを1本の線によって概略的に示している。 In order to make the gas tunnel also serve as the heat insulating space 74, it is necessary to devise the shape and arrangement of the gas tunnel, and the details thereof will be described below with reference to FIG. In the following description, the heat insulating space 74 will be described as a gas tunnel 74. Further, in FIGS. 5A to 5E, the groove portion 63 formed in the base member 42 and the gas tunnel 74 formed in the ceramic member 41 are schematically shown by one line.

まず、図5(A)に示すように、ガストンネル74は、ガスの供給口74Aと、供給口74Aからガストンネル74に向かって延びる供給路74Bとを有する。また、ガストンネル74は、供給路74Bが接続する部分とは反対側において、途切れるようにして配置されている。したがって、ガストンネル74は、溝部63の周方向の全周に亘って配置されておらず、一部において、溝部63の周方向に沿ってガストンネル74が配置されていない部分が存在する。 First, as shown in FIG. 5A, the gas tunnel 74 has a gas supply port 74A and a supply path 74B extending from the supply port 74A toward the gas tunnel 74. Further, the gas tunnel 74 is arranged so as to be interrupted on the side opposite to the portion to which the supply path 74B is connected. Therefore, the gas tunnel 74 is not arranged over the entire circumference in the circumferential direction of the groove portion 63, and there is a portion in which the gas tunnel 74 is not arranged along the circumferential direction of the groove portion 63.

この場合、ガストンネル74の周方向の長さが、溝部63の全周方向の長さの5%以上であれば、セラミックス部材41の内側領域75と外側領域76との間の熱伝達を抑制することが可能である。 In this case, if the circumferential length of the gas tunnel 74 is 5% or more of the circumferential length of the groove 63, heat transfer between the inner region 75 and the outer region 76 of the ceramic member 41 is suppressed. It is possible to do.

なお、図5(A)では、ベース部材42に形成された溝部63に対して、セラミックス部材41に形成されたガストンネル74が内周側に配置されているが、Z軸方向視で、ガストンネル74の幅方向の中心は、溝部63の幅方向の中心に対して、周方向の全周に亘って一致するように配置されていてもよいし、外周側に配置されていてもよい。以下の図5(B)〜(E)についても同様である。 In FIG. 5A, the gas tunnel 74 formed in the ceramic member 41 is arranged on the inner peripheral side with respect to the groove 63 formed in the base member 42, but the gas is viewed in the Z-axis direction. The center in the width direction of the tunnel 74 may be arranged so as to coincide with the center in the width direction of the groove portion 63 over the entire circumference in the circumferential direction, or may be arranged on the outer peripheral side. The same applies to FIGS. 5 (B) to 5 (E) below.

また、図5(B)に示すように、ガストンネル74は、溝部63の周方向において、4分割して配置されている。また、4分割された各ガストンネル74の中央部分には、供給口74Aから供給路74Bが接続されている。また、4分割された各ガストンネル74の両端部分には、排出口74Cがそれぞれ形成されている。したがって、分割されたあるガストンネル74の各端部においては、隣接するガストンネル74の端部との間に間隔が生じている。それにより、4分割されたガストンネル74は、溝部63の周方向の全周に亘って存在せず、ガストンネル74の各端部と、隣接するガストンネル74の端部との間では、溝部63の周方向に沿ってガストンネル74が配置されていない。 Further, as shown in FIG. 5B, the gas tunnel 74 is divided into four parts in the circumferential direction of the groove portion 63. Further, a supply path 74B is connected from the supply port 74A to the central portion of each of the gas tunnels 74 divided into four parts. Further, discharge ports 74C are formed at both ends of each of the gas tunnels 74 divided into four parts. Therefore, at each end of a divided gas tunnel 74, there is a gap between the ends of the adjacent gas tunnels 74. As a result, the gas tunnel 74 divided into four does not exist over the entire circumference of the groove 63 in the circumferential direction, and the groove is formed between each end of the gas tunnel 74 and the end of the adjacent gas tunnel 74. The gas tunnel 74 is not arranged along the circumferential direction of 63.

この場合、ガストンネル74の周方向の長さが、溝部63の全周方向の長さの5%以上であれば、セラミックス部材41の内側領域75と外側領域76との間の熱伝達を抑制することが可能である。 In this case, if the circumferential length of the gas tunnel 74 is 5% or more of the circumferential length of the groove 63, heat transfer between the inner region 75 and the outer region 76 of the ceramic member 41 is suppressed. It is possible to do.

なお、図5(B)では、ベース部材42に形成された溝部63に対して、セラミックス部材41に形成されたガストンネル74が内周側に配置されているが、Z軸方向視で、ガストンネル74の幅方向の中心は、溝部63の幅方向の中心に対して、周方向の全周に亘って一致するように配置されていてもよいし、外周側に配置されていてもよい。 In FIG. 5B, the gas tunnel 74 formed in the ceramic member 41 is arranged on the inner peripheral side with respect to the groove 63 formed in the base member 42, but the gas is viewed in the Z-axis direction. The center in the width direction of the tunnel 74 may be arranged so as to coincide with the center in the width direction of the groove portion 63 over the entire circumference in the circumferential direction, or may be arranged on the outer peripheral side.

また、図5(C)に示すように、ガストンネル74は、溝部63の内周側から、溝部63を跨ぐようにして、溝部63の外周側に蛇行した後、再び、溝部63を跨ぐようにして、溝部63の内周側に蛇行して配置されている。したがって、ガストンネル74が、内周側や外周側に大きく張り出した部分では、ガストンネル74は、溝部63に沿って配置されていない。 Further, as shown in FIG. 5C, the gas tunnel 74 meanders from the inner peripheral side of the groove 63 to the outer peripheral side of the groove 63 so as to straddle the groove 63, and then straddles the groove 63 again. It is arranged in a meandering manner on the inner peripheral side of the groove portion 63. Therefore, the gas tunnel 74 is not arranged along the groove 63 in the portion where the gas tunnel 74 greatly overhangs on the inner peripheral side or the outer peripheral side.

この場合、ガストンネル74が、溝部63の全周に亘って配置されているので、セラミックス部材41の内側領域75と外側領域76との間の熱伝達を抑制することが可能であるが、溝部63の蛇行の幅によっては、ベース部材42の、内側領域64および外側領域65と、セラミックス部材41の内側領域75と外側領域76とが、Z軸方向視で、一致しなくなる可能性がある。しかし、溝部63の蛇行の幅に応じて、ガストンネル74の径方向(つまり、X軸方向とY軸方向)の幅を、第1実施形態の断熱空間74の幅より狭くしたり、或いは、溝部63の径方向(つまり、X軸方向とY軸方向)の幅を、第1実施形態の溝部63の径方向(つまり、X軸方向とY軸方向)の幅より広くすることにより解消可能である。 In this case, since the gas tunnel 74 is arranged over the entire circumference of the groove portion 63, it is possible to suppress heat transfer between the inner region 75 and the outer region 76 of the ceramic member 41, but the groove portion. Depending on the width of the meandering of 63, the inner region 64 and the outer region 65 of the base member 42 and the inner region 75 and the outer region 76 of the ceramic member 41 may not match in the Z-axis direction. However, depending on the width of the meandering of the groove portion 63, the width in the radial direction (that is, the X-axis direction and the Y-axis direction) of the gas tunnel 74 may be narrower than the width of the heat insulating space 74 of the first embodiment, or This can be solved by making the width of the groove 63 in the radial direction (that is, the X-axis direction and the Y-axis direction) wider than the width of the groove 63 in the first embodiment (that is, the X-axis direction and the Y-axis direction). Is.

また、図5(D)に示すように、ガストンネル74は、溝部63の内周側において、溝部63の周方向の全周に亘って延びている。また、溝部63の外周側に配置された供給口74Aから、供給路74Bが溝部63を跨ぐようにして延びた後、ガストンネル74に接続されている。 Further, as shown in FIG. 5D, the gas tunnel 74 extends on the inner peripheral side of the groove portion 63 over the entire circumference in the circumferential direction of the groove portion 63. Further, the supply path 74B extends from the supply port 74A arranged on the outer peripheral side of the groove portion 63 so as to straddle the groove portion 63, and then is connected to the gas tunnel 74.

このように供給口74Aが溝部63の外周側に配置されても、ガストンネル74が、溝部63の全周に亘って配置されているので、セラミックス部材41の内側領域75と外側領域76との間の熱伝達を抑制することが可能である。なお、図5(D)でも、ベース部材42に形成された溝部63に対して、セラミックス部材41に形成されたガストンネル74が内周側に配置されているが、Z軸方向視で、ガストンネル74の幅方向の中心は、溝部63の幅方向の中心に対して、周方向の全周に亘って一致するように配置されていてもよいし、外周側に配置されていてもよい。 Even if the supply port 74A is arranged on the outer peripheral side of the groove portion 63 in this way, since the gas tunnel 74 is arranged over the entire circumference of the groove portion 63, the inner region 75 and the outer region 76 of the ceramic member 41 It is possible to suppress heat transfer between them. Also in FIG. 5D, the gas tunnel 74 formed in the ceramic member 41 is arranged on the inner peripheral side with respect to the groove portion 63 formed in the base member 42, but the gas is viewed in the Z-axis direction. The center in the width direction of the tunnel 74 may be arranged so as to coincide with the center in the width direction of the groove portion 63 over the entire circumference in the circumferential direction, or may be arranged on the outer peripheral side.

また、図5(E)に示すように、ガストンネル74は、溝部63の内周側において、溝部63の周方向に亘って延びているが、ガストンネル74の一部において、溝部63と交差するようにして溝部63の外周側にて延びている。したがって、溝部63と交差するようにして溝部63の外周側にて延びているガストンネル74は、溝部63に沿って配置されていない。 Further, as shown in FIG. 5 (E), the gas tunnel 74 extends in the circumferential direction of the groove portion 63 on the inner peripheral side of the groove portion 63, but intersects the groove portion 63 in a part of the gas tunnel 74. It extends on the outer peripheral side of the groove portion 63 so as to do so. Therefore, the gas tunnel 74 extending on the outer peripheral side of the groove 63 so as to intersect the groove 63 is not arranged along the groove 63.

この場合、溝部63の外周側にて延びている部分を除くガストンネル74の周方向の長さが、溝部63の全周方向の長さの5%以上であれば、セラミックス部材41の内側領域75と外側領域76との間の熱伝達を抑制することが可能である。 In this case, if the circumferential length of the gas tunnel 74 excluding the portion extending on the outer peripheral side of the groove 63 is 5% or more of the circumferential length of the groove 63, the inner region of the ceramic member 41 It is possible to suppress heat transfer between the 75 and the outer region 76.

なお、図5(E)では、ベース部材42に形成された溝部63に対して、セラミックス部材41に形成されたガストンネル74が内周側に配置されているが、Z軸方向視で、ガストンネル74の幅方向の中心は、溝部63の幅方向の中心に対して、周方向の全周に亘って一致するように配置されていてもよいし、外周側に配置されていてもよい。この場合には、図5(E)において溝部63の外周側にて延びている部分を、内周側に延びるようにしてもよい。 In FIG. 5E, the gas tunnel 74 formed in the ceramic member 41 is arranged on the inner peripheral side with respect to the groove 63 formed in the base member 42, but the gas is viewed in the Z-axis direction. The center in the width direction of the tunnel 74 may be arranged so as to coincide with the center in the width direction of the groove portion 63 over the entire circumference in the circumferential direction, or may be arranged on the outer peripheral side. In this case, the portion extending on the outer peripheral side of the groove portion 63 in FIG. 5E may be extended to the inner peripheral side.

このように本実施形態では、ガストンネル74を、断熱空間と兼用させるために、ガストンネル74の形状や配置を工夫しているが、以上説明したいずれの場合においても、ガストンネル74は、セラミックス部材41の内側領域75と外側領域76との間の熱伝達を抑制することが可能である。 As described above, in the present embodiment, the shape and arrangement of the gas tunnel 74 are devised so that the gas tunnel 74 can also be used as a heat insulating space. However, in any of the cases described above, the gas tunnel 74 is made of ceramics. It is possible to suppress heat transfer between the inner region 75 and the outer region 76 of the member 41.

なお、上記の実施形態は単なる例示にすぎず、本開示を何ら限定するものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることはもちろんである。例えば、本実施形態では、ウエハWを吸着面51に吸着して保持する内部電極として、チャック電極を例示したが、内部電極はチャック電極に限らず、高周波電極になる場合もある。 It should be noted that the above embodiment is merely an example and does not limit the present disclosure in any way, and it goes without saying that various improvements and modifications can be made without departing from the gist thereof. For example, in the present embodiment, the chuck electrode is exemplified as the internal electrode that sucks and holds the wafer W on the suction surface 51, but the internal electrode is not limited to the chuck electrode and may be a high frequency electrode.

また、本実施形態では、セラミックス部材41に、セラミックス部材41を加熱するためのヒータを備えていないが、ヒータを備えても差し支えない。この場合には、セラミックス部材41内で、断熱空間74よりも下面62側における内側領域75と外側領域76とにおいて、それぞれ制御系統が異なる別個のヒータをそれぞれ配置するのが望ましい。 Further, in the present embodiment, the ceramic member 41 is not provided with a heater for heating the ceramic member 41, but a heater may be provided. In this case, it is desirable to dispose separate heaters having different control systems in the inner region 75 and the outer region 76 on the lower surface 62 side of the heat insulating space 74 in the ceramic member 41.

また、本実施形態では、第1断熱部として、ベース部材42の上面61から、中心軸Caに沿って下面62に向けて延びる環状の溝部63によって構成したが、これに限定されるものではない。例えば、ベース部材42の内部に形成した環状の断熱空間であったり、また、ベース部材42の下面62から、中心軸Caに沿って上面61に向けて延びる環状の溝部によって構成しても差し支えない。この場合、断熱空間の底面は、ベース部材42の厚さの1/3の長さ分だけ、上面61側に間隔をおいて配置されているのが望ましい。また、環状の溝部は、下面62から、ベース部材42の厚さの1/3の長さ分だけ、中心軸Caに沿って上面61側に向かって延びているのが望ましい。 Further, in the present embodiment, the first heat insulating portion is configured by an annular groove portion 63 extending from the upper surface 61 of the base member 42 toward the lower surface 62 along the central axis Ca, but the present invention is not limited thereto. .. For example, it may be an annular heat insulating space formed inside the base member 42, or may be formed by an annular groove portion extending from the lower surface 62 of the base member 42 toward the upper surface 61 along the central axis Ca. .. In this case, it is desirable that the bottom surface of the heat insulating space is arranged at a distance on the upper surface 61 side by the length of 1/3 of the thickness of the base member 42. Further, it is desirable that the annular groove portion extends from the lower surface 62 toward the upper surface 61 side along the central axis Ca by a length of 1/3 of the thickness of the base member 42.

また、本実施形態では、第2断熱部として、セラミックス部材41内に形成された断熱空間74によって構成したが、これに限定されるものではない。例えば、セラミックス部材41の吸着面51から中心軸Caに沿って下面52に向けて延びる環状の溝部によって構成しても差し支えない。この場合、環状の溝部は、吸着面51から、ベース部材42の厚さの1/3の長さ分だけ、中心軸Caに沿って下面52側に向かって延びているのが望ましい。 Further, in the present embodiment, the second heat insulating portion is configured by the heat insulating space 74 formed in the ceramic member 41, but the present invention is not limited to this. For example, it may be configured by an annular groove portion extending from the suction surface 51 of the ceramic member 41 toward the lower surface 52 along the central axis Ca. In this case, it is desirable that the annular groove portion extends from the suction surface 51 toward the lower surface 52 side along the central axis Ca by a length of 1/3 of the thickness of the base member 42.

また、本実施形態では、セラミックス部材41の、Z軸方向視で、内側領域75および外側領域76に対応する吸着面51には、多数の柱状の凸部72が設けられ、また、溝部63と重なる、つまり、断熱空間74と重なる吸着面51部分には、柱状の凸部72が設けられていないが、これに限定されるものではない。例えば、Z軸方向視で、内側領域75および外側領域76に対応する吸着面51には、多数の柱状の凸部72を設け、また、溝部63と重なる、つまり、断熱空間74と重なる吸着面51部分には、単位面積当たりの個数が、内側領域75および外側領域76に対応する吸着面51に設けられた凸部72の個数よりも少なくなるように、凸部72を設けても差し支えない。 Further, in the present embodiment, a large number of columnar convex portions 72 are provided on the suction surface 51 corresponding to the inner region 75 and the outer region 76 in the Z-axis direction of the ceramic member 41, and the groove portion 63 and the groove portion 63. The suction surface 51 portion that overlaps, that is, overlaps with the heat insulating space 74, is not provided with the columnar convex portion 72, but is not limited thereto. For example, in the Z-axis direction view, the suction surface 51 corresponding to the inner region 75 and the outer region 76 is provided with a large number of columnar convex portions 72, and the suction surface overlaps with the groove portion 63, that is, overlaps with the heat insulating space 74. The 51 portion may be provided with the convex portions 72 so that the number of the convex portions 72 per unit area is smaller than the number of the convex portions 72 provided on the suction surface 51 corresponding to the inner region 75 and the outer region 76. ..

10 静電チャック
41 セラミックス部材
42 ベース部材
51 吸着面
52 下面
61 上面
62 下面
63 溝部
66 内側冷媒通路
67 外側冷媒通路
72 凸部
74 断熱空間(ガストンネル)
75 内側領域(セラミックス部材)
76 外側領域(セラミックス部材)
W ウエハ
10 Electrostatic chuck 41 Ceramic member 42 Base member 51 Adsorption surface 52 Lower surface 61 Upper surface 62 Lower surface 63 Groove 66 Inner refrigerant passage 67 Outer refrigerant passage 72 Convex portion 74 Insulated space (gas tunnel)
75 Inner area (ceramic member)
76 Outer area (ceramic member)
W wafer

Claims (6)

第1の面と、第1の方向にて前記第1の面とは反対側に設けられる第2の面とを備える板状部材と、第3の面と、前記第3の面とは反対側に設けられる第4の面とを備えるベース部材と、を備え、前記板状部材の前記第2の面と、前記ベース部材の前記第3の面とが、熱的に接続され、前記板状部材の前記第1の面上に対象物を保持する保持装置において、
前記ベース部材は、
冷媒を流すための冷媒流路と、
前記第1の方向から見て環状の第1断熱部とを有し、
前記板状部材は、前記第1の方向から見たときに、前記第1断熱部の周方向の5%以上に沿って配置されている第2断熱部を有する
ことを特徴とする保持装置。
A plate-like member having a first surface and a second surface provided on a side opposite to the first surface in the first direction, a third surface, and the opposite of the third surface. A base member including a fourth surface provided on the side is provided, and the second surface of the plate-shaped member and the third surface of the base member are thermally connected and the plate is provided. In the holding device for holding the object on the first surface of the shaped member,
The base member is
Refrigerant flow path for flowing refrigerant and
It has a first heat insulating portion that is annular when viewed from the first direction.
The holding device is characterized in that the plate-shaped member has a second heat insulating portion arranged along 5% or more of the circumferential direction of the first heat insulating portion when viewed from the first direction.
請求項1に記載する保持装置において、
前記第1の面に、複数の凸部が形成されており、
前記凸部は、前記第1の方向から見たときに、前記第1断熱部と重ならないように配置されている
ことを特徴とする保持装置。
In the holding device according to claim 1,
A plurality of convex portions are formed on the first surface.
A holding device characterized in that the convex portion is arranged so as not to overlap with the first heat insulating portion when viewed from the first direction.
請求項1又は請求項2に記載する保持装置において、
前記第2断熱部は、前記第1の面上に形成された溝、又は前記第1の方向にて前記第2の面から前記板状部材の厚みの1/3の位置よりも前記第1の面側に配置された内部空洞である
ことを特徴とする保持装置。
In the holding device according to claim 1 or 2.
The second heat insulating portion is the first from a groove formed on the first surface or a position of 1/3 of the thickness of the plate-shaped member from the second surface in the first direction. A holding device characterized by being an internal cavity arranged on the surface side of the.
請求項1から請求項3に記載するいずれか1つの保持装置において、
前記板状部材の前記第1の面は、
前記第1の方向から見たときに前記第2断熱部の内側に位置する内側領域と、前記第1の方向から見たときに前記第2断熱部の外側に位置する外側領域とを有し、
前記冷媒流路には、前記内側領域を冷却するための内側冷媒流路と、前記外側領域を冷却するための外側冷媒流路とが独立して設けられている
ことを特徴とする保持装置。
In any one of the holding devices according to claim 1 to claim 3.
The first surface of the plate-shaped member is
It has an inner region located inside the second heat insulating portion when viewed from the first direction, and an outer region located outside the second heat insulating portion when viewed from the first direction. ,
The holding device is characterized in that the inner refrigerant flow path for cooling the inner region and the outer refrigerant flow path for cooling the outer region are independently provided in the refrigerant flow path.
請求項1から請求項4に記載するいずれか1つの保持装置において、
前記第1の方向から見たときに、前記第1断熱部と前記第2断熱部とが周方向で重なるように配置されている
ことを特徴とする保持装置。
In any one of the holding devices according to claim 1 to claim 4.
A holding device characterized in that the first heat insulating portion and the second heat insulating portion are arranged so as to overlap each other in the circumferential direction when viewed from the first direction.
請求項1に記載する保持装置において、
前記第1の面に、複数の凸部が形成されており、
前記第2断熱部が前記内部空洞である場合、前記凸部は、前記第1の方向から見たときに、前記内部空洞の配置領域より前記内部空洞の非配置領域の方が多く配置されている
ことを特徴とする保持装置。
In the holding device according to claim 1,
A plurality of convex portions are formed on the first surface.
When the second heat insulating portion is the internal cavity, the convex portion is arranged more in the non-arranged region of the internal cavity than in the arranged region of the internal cavity when viewed from the first direction. A holding device characterized by being present.
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