JP2022119384A - 光電変換装置、光電変換システム、移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】 異常検出のための温度センサを搭載した光電変換システムにおいて、温度センサ出力に関連する故障は画像信号からは検出できず、温度センサ出力では温度センサの故障を認識できないため、異常検出及び光電変換システム外への検知ができない。【解決手段】 複数の画素を含む画素領域と、複数の温度センサと、前記複数の温度センサの出力に基づく信号の比較を行う処理部と、前記比較の結果に基づく情報を出力する出力手段を有することを特徴とする光電変換装置。【選択図】 図１

Description

本発明は光電変換装置、光電変換システムおよび該光電変換システムを用いた移動体に関する。

温度センサが設けられ、この温度センサによって動作可能な温度範囲内にあることを観測される光電変換装置が特許文献１に開示されている。

特開２０１８－５６９７０号 特開２００４－７２２５３号

特許文献１に記載の光電変換装置は、温度センサを搭載し、この温度センサによる温度観測を行うことで、光電変換装置が正常動作可能な温度範囲内にない場合を異常として検出することが可能である。

温度センサ、あるいは温度センサの出力を読み出す経路上で故障が発生した場合で、例えば、温度センサが正常動作可能な温度範囲に対応する出力に固着したとき、温度センサ出力に関連する故障は、画像信号からは検出が困難である。また、温度センサ出力では故障の検出は困難であるため、異常検出が困難となる。

特許文献２に記載の光電変換装置では、出力アンプの近傍に２つの温度センサを設け、温度が低い出力アンプを駆動したり、出力アンプを交互に駆動させて発熱を抑制したりする。しかし、２つの温度センサのいずれかが故障や誤動作をした場合については何ら検討されていない。

本発明の一つの側面は、光電変換装置であって、複数の画素を含む画素領域と、複数の温度センサと、前記複数の温度センサの出力に基づく信号の比較を行う処理部と、前記比較の結果に基づく情報を出力する出力手段を有することを特徴とする。

本発明の別の側面は、光電変換システムであって、複数の画素を含む画素領域と、複数の温度センサと、を有する光電変換装置と、前記光電変換装置から出力される、前記複数の温度センサの出力に基づく信号の比較を行う処理部と、を有し、前記比較の結果に基づく情報を出力する出力手段を有することを特徴とする。

本発明の更に別の側面は、複数の画素を含む画素領域を有する半導体基板に積層される半導体基板であって、複数の温度センサと、前記複数の温度センサの出力に基づく信号を比較する処理部と、を有し、前記比較の結果に基づく情報を出力する出力手段を有することを特徴とする。

本発明の更に別の側面は、複数の画素を含む画素領域と、第一の温度センサと、を有する第一の半導体基板に積層される半導体基板であって、前記第一の温度センサの出力に基づく信号を比較する処理部を有し、前記比較の結果に基づく情報を出力する出力手段を有することを特徴とする。

光電変換装置内部の温度センサが故障や誤動作をした場合に、異常を検知することができる。

第一の実施形態に係る光電変換装置の概略図である。 第一の実施形態に係る光電変換装置の動作を示すフローチャートである。 第二の実施形態に係る光電変換システムの概略図である。 第二の実施形態に係る光電変換システムの動作を示すフローチャートである。 移動体の構成、動作を示す図である。

以下、本発明の実施形態における光電変換装置について、図面を参照しながら説明する。

以下に述べる各実施形態では、本発明を適用可能な光電変換装置の一例として、撮像装置を中心に説明するが、各実施形態の適用は撮像装置に限られるものではない。例えば、測距装置（焦点検出やＴＯＦ（Ｔｉｍｅ Ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）を用いた距離測定等の装置）、測光装置（入射光量の測定等の装置）などに適用可能である。

（第一の実施形態）
本発明の第一の実施形態について図１及び図２を用いて説明する。

図１は本実施形態に係る光電変換装置の概略図である。本実施形態の光電変換装置１００は、画素領域１０２、垂直走査回路１０３、列読み出し回路１０５、列回路アレイ１０６、水平走査回路１０７、処理回路１０８、出力回路１０９、入力回路１１０、制御回路１１１、温度センサ１１２を有する。

画素領域１０２にはアレイ状に配された複数の画素１０１が配されている。画素領域１０２の各行には、列方向（図１において縦方向）に延在して、画素信号線１０４が配されている。画素信号線１０４は、列方向に並ぶ画素のそれぞれに列ごとに接続され、これらの画素で生じる電荷を画素信号として出力する共通の信号線をなしている。

ここで画素領域１０２を構成する画素の数は、特に限定されるものではない。例えば、一般的なデジタルカメラのように数千行×数千列の画素で画素領域１０２を構成してもよく、１行又は１列に並べた複数の画素で画素領域１０２を構成してもよい。

垂直走査回路１０３は画素領域１０２の画素行を選択し駆動する。

画素１０１から読み出された画素信号は、画素信号線１０４を介して列毎に配置される列読み出し回路１０５に入力される。列読み出し回路１０５は列回路アレイ１０６に配置される。

水平走査回路１０７は列回路アレイ１０６に保持された画素信号に基づく信号を処理回路１０８に転送する。画素信号は出力回路１０９を経て不図示の撮像システムへ出力される。

入力回路１１０は光電変換装置外からの制御信号を受け、該制御信号を処理回路１０８、制御回路１１１に伝達する。

制御回路１１１は光電変換装置全体の駆動を制御する。

なお、列回路１０５は、アナログ信号である画素信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換回路やＣＤＳ回路や増幅部を含んでもよい。本実施形態では、画素信号は列読み出し回路１０５にてＡＤ変換され、デジタル信号として処理回路１０８に転送される。さらに処理回路でデジタル処理された後、出力回路１０９から光電変換装置の外部の信号処理回路に出力されるが、この出力は例えばＬＶＤＳ方式などのデジタル出力方式である。処理回路での処理結果によって、処理回路から制御回路を介して光電変換装置全体、あるいは一部の駆動を制御することも可能である。

画素領域外には温度センサ１（１１２ａ）、温度センサ２（１１２ｂ）が配されている。

温度センサは、ダイオードやバイポーラトランジスタのＰＮ接合を用いたものが一般的であるが、これに限られない。

温度センサ１１２ａの出力は、列読み出し回路１０５ａでＡＤ変換され、温度センサ１１２ｂの出力は列読み出し回路１０５ｂでＡＤ変換される。ＡＤ変換された温度センサ出力は処理部である処理回路１０８で比較される。

処理回路１０８での比較において、温度センサ１１２ａと、温度センサ１１２ｂの出力とに所定量を超える差が検出された場合には、出力回路１０９から情報を出力する。例えば、出力回路１０９から出力される画像データの先頭に警告情報を出力する期間を設け、所定量を超える差が検出されない場合にはデジタル値０、所定量を超える差が検出された場合にはデジタル値１を出力する。

情報の出力方法はこれに限られず、画像出力と情報出力とを分けて出力してもよい。例えば、画像信号はＬＶＤＳ方式で出力し、情報はＬＶＤＳ出力端子とは別の端子から、ハイレベルまたはローレベルにて出力する。

また、ここでは出力される情報の例として警告情報を挙げたが、出力される情報は警告情報に限られず、温度センサ１１２ａと温度センサ１１２ｂとの出力差が所定の値を超えたことを示す情報を通知するだけでも構わない。

処理回路での温度センサ出力の比較において所定量を超える差が検出された場合には、出力回路１０９から情報を出力するとともに、制御回路を介して光電変換装置全体、あるいは光電変換装置の一部の駆動を制御することも可能である。

例えば、高温に対応する信号が検出された温度センサに関連する箇所を低電力駆動させるよう制御することが考えられる。これにより、配線のショートや、トランジスタの故障により異常電流が流れ発熱する可能性を低減する効果が得られる。

図２に、本実施形態に係る光電変換装置の動作を例示する。

図２に示されるのは、複数の温度センサの出力に基づく信号を比較し、比較結果に基づく信号として、所定量を超える差が検出された場合の情報を出力する動作である。この動作は、温度センサ１、温度センサ２、列読み出し回路１、列読み出し回路２、入力回路、処理部によって実行されうる。

以下に動作の詳細を説明する。

まず、工程Ｓ１－１において、温度センサ１で出力ＯＵＴ１を取得し、工程Ｓ１－２において温度センサ２で出力ＯＵＴ２を取得する。

工程Ｓ２－１において、列読み出し回路１で温度センサ１の出力ＯＵＴ１に基づく信号Ｔ１を取得する。

工程Ｓ２－２において、列読み出し回路２で温度センサ２の出力ＯＵＴ２に基づく信号Ｔ２を取得する。列読み出し回路２は列読み出し回路１とは異なる経路であり、言い換えれば列読み出し回路１と列読み出し回路２とは共有するノードを有さない。

工程Ｓ３において、入力回路で入力データＤｉｎを取得する。

工程Ｓ４において、処理部で所定量Ｔｔｈを生成する。

所定量Ｔｔｈは入力データＤｉｎ、温度センサの出力に基づく信号、処理部である処理回路に保持されている情報、チップ内の不揮発性メモリに保持されている情報の少なくとも１つ、あるいは複数をもとに生成できる。より具体的には、温度センサ及び列読み出し回路のノイズに起因する出力差や、温度センサ１、温度センサ２がチップ内で配される位置の違いに起因する、温度差に相当する出力差又は製造ばらつきによる出力差により設定される。上記出力差は温度に依存する量であるため、所定量は温度センサの出力に基づく信号に依存しうる。図２では、入力データＤｉｎと温度センサの出力に基づく信号Ｔ１、Ｔ２から生成される。

また、本実施例では、工程Ｓ４において、温度上限相当量Ｔｌｉｍｉｔも生成される。

温度上限相当量は、入力データＤｉｎ、処理部である処理回路１０８に保持されている情報、チップ内の不揮発性メモリに保持されている情報の少なくとも１つ、あるいは複数をもとに生成できる。

工程Ｓ５において、温度センサの出力に基づく信号Ｔ１と信号Ｔ２の差と所定量Ｔｔｈとを比較する。信号Ｔ１と信号Ｔ２の差が所定量Ｔｔｈを超える場合、温度センサ、あるいは温度センサの出力を読み出す列読み出し回路の故障や誤動作と判断し、出力回路１０９より情報Ｓａｌｅｒｔが出力される。

また、このとき、温度センサ１、温度センサ２の動作状態を変更することも可能である。動作状態の変更とは、例えば電源電圧の供給停止や、一部の動作停止、動作の低消費電力化などである。温度センサの他の回路の動作を変更してもよい。図２では、動作変更の制御経路は明示されないが、動作変更は、光電変換装置内の制御部を介して行われてもよい。

工程Ｓ５において、温度センサの出力に基づく信号Ｔ１、Ｔ２の差が所定量Ｔｔｈ以下の場合、工程Ｓ６が実施される。例えば、工程Ｓ６において温度センサの出力に基づく信号Ｔ１、信号Ｔ２の少なくとも一方が温度上限相当量Ｔｌｉｍｉｔを超える場合、光電変換装置が正常動作可能な温度範囲内でないと判断する。その結果、工程Ｓ７において出力回路１０９より情報Ｓａｌｅｒｔが出力される。工程Ｓ６は工程Ｓ５の結果に依らず実施されてもよい。

出力回路１０９より出力される情報は、工程Ｓ５、工程Ｓ６での結果を統合したものでもよいし、工程Ｓ５の結果と工程Ｓ６の結果とは独立であってもよい。

（第二の実施形態）
本発明の第二の実施形態について、図３及び図４を用いて説明する。第一の実施形態と共通する構成についての詳細な説明は省略し、主に図１及び図２との違いについて説明する。

上記第一の実施形態で述べた光電変換装置は、種々の光電変換システムに適用可能である。適用可能な光電変換システムの例としては、カメラ、カムコーダ、監視カメラ、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などが挙げられる。また、レンズなどの光学系と光電変換装置とを備えるカメラモジュールも、光電変換システムに含まれる。

図３に示すのは、温度センサを搭載した光電変換装置を有する光電変換システムの構成例である。

光電変換システム２００は、図１と比べ、光電変換装置１００の外部に信号処理部２０１、信号出力部２０２、制御部２０３を有する点で異なっている。信号処理部２０１、信号出力部２０２、制御部２０３は、光電変換装置１００が設けられた半導体基板に形成されていてもよいし、光電変換装置１００とは別の半導体基板に形成されていてもよい。

光電変換装置１００からの出力は信号処理部２０１から信号出力部２０２を経て不図示の光電変換システム外に出力される。

光電変換装置１００の温度センサ１１２の出力に基づく信号Ｔ１とＴ２は、処理部である信号処理部２０１で比較される。信号処理部２０１での比較において、所定量を超える差が検出された場合には信号出力部２０２から情報を出力する。

信号処理部２０２での比較において、所定量を超える差が検出された場合には信号出力部２０２から情報を出力するとともに、制御部２０３を介して光電変換装置１１０全体、あるいは一部の駆動を制御することも可能である。

光電変換装置１００の画素１０１から出力される画素信号は、信号処理部２０１及び信号出力部２０２で必要に応じて各種の補正、圧縮を受け、画像データに変換される。

制御部２０３は光電変換装置１００の入力回路１１０に制御信号を伝達する。

図４には、本実施形態に係る光電変換システムの動作が例示されている。

図４に示されるのは、複数の温度センサの出力に基づく信号を比較し、比較結果に基づく信号として、所定量を超える差が検出された場合の情報を出力する動作である。この動作は、光電変換装置、信号処理部、信号出力部によって実行されうる。

以下に動作の詳細を説明する。

まず、工程Ｓ１－１において、温度センサ１で出力ＯＵＴ１を取得し、工程Ｓ１－２において温度センサ２で出力ＯＵＴ２を取得する。

工程Ｓ２－１において、列読み出し回路１で温度センサ１の出力ＯＵＴ１に基づく信号Ｔ１を取得する。

工程Ｓ２－２において、列読み出し回路２で温度センサ２の出力ＯＵＴ２に基づく信号Ｔ２を取得する。

工程Ｓ３において、入力回路で入力データＤｉｎを取得する。

工程Ｓ４において、処理部で所定量Ｔｔｈを生成する。

所定量Ｔｔｈは入力データＤｉｎ、温度センサの出力に基づく信号、処理部である処理回路１０８に保持されている情報、チップ内の不揮発性メモリに保持されている情報の少なくとも１つ、あるいは複数をもとに生成できる。光電変換システム外からの入力情報を用いて生成してもよい。

また、本実施例では、工程Ｓ４において、温度上限相当量Ｔｌｉｍｉｔも生成される。

温度上限相当量は、処理部である信号処理回路に保持されている情報、撮像システム内の不揮発性メモリに保持されている情報の少なくとも１つ、あるいは複数をもとに生成できる。

光電変換システム外からの入力情報を用いてもよい。

工程Ｓ５において、温度センサの出力に基づく信号Ｔ１と信号Ｔ２との差と所定量Ｔｔｈとを比較する。信号Ｔ１と信号Ｔ２の差が所定量Ｔｔｈを超える場合、温度センサ、あるいは温度センサの出力を読み出す列読み出し回路、処理回路１０８、出力回路１０９の何れかの故障や誤動作と判断し、工程Ｓ７において、信号出力部より情報Ｓａｌｅｒｔが出力される。

また、このとき、温度センサ１、温度センサ２の動作を変更することもある。動作の変更とは、例えば電源電圧の供給停止や、一部の動作停止、動作の低消費電力化などである。温度センサの他の回路の動作を変更してもよい。

図４では、動作変更の制御経路の一部は明示されないが、動作変更は、光電変換装置外の制御部と、光電変換装置内部の入力回路、制御回路を介して行われてもよい。

工程Ｓ５において、温度センサの出力に基づく信号Ｔ１、Ｔ２の差が所定量Ｔｔｈ以下の場合、工程Ｓ６が実施される。例えば、工程Ｓ６において、温度センサの出力に基づく信号Ｔ１、信号Ｔ２の少なくとも一方が温度上限相当量Ｔｌｉｍｉｔを超える場合、光電変換装置の動作範囲外の温度にあると判断し、工程Ｓ７において、信号出力部より情報Ｓａｌｅｒｔが出力される。

工程Ｓ６は工程Ｓ５の結果に依らず実施されてもよい。

信号出力部より出力される情報は、工程Ｓ５、工程Ｓ６の結果を統合したものでもよいし、工程Ｓ５の結果と、工程Ｓ６の結果とは独立であってもよい。

（第三の実施形態）
本実施形態の光電変換システム及び移動体について、図５を用いて説明する。図５は、本実施形態の光電変換システム及び移動体の構成を示す図である。

図５（ａ）は、車載カメラに関する光電変換システムの一例を示したものである。光電変換システム３００は、撮像装置３１０を有する。撮像装置３１０は、上記のいずれかの実施形態に記載の光電変換装置（撮像装置）である。光電変換システム３００は、撮像装置３１０により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部３１２と、光電変換システム３００により取得された複数の画像データから視差（視差画像の位相差）の算出を行う視差取得部３１４を有する。また、光電変換システム３００は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離取得部３１６と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部３１８と、を有する。ここで、視差取得部３１４や距離取得部３１６は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部３１８はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）やＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。

光電変換システム３００は車両情報取得装置３２０と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、光電変換システム３００は、衝突判定部３１８での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御部である制御ＥＣＵ３３０が接続されている。また、光電変換システム３００は、衝突判定部３１８での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置３４０とも接続されている。例えば、衝突判定部３１８の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ＥＣＵ３３０はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置３４０は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。

本実施形態では、車両の周囲、例えば前方又は後方を光電変換システム３００で撮像する。図５（ｂ）に、車両前方（撮像範囲３５０）を撮像する場合の光電変換システムを示した。車両情報取得装置３２０が、光電変換システム３００ないしは撮像装置３１０に指示を送る。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。

上記では、他の車両と衝突しないように制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御や、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。更に、光電変換システムは、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの移動体（移動装置）に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム（ＩＴＳ）等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。

（変形実施形態）
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態に含まれる。

また、ここまで説明した第一及び第二の実施形態は、非積層型光電変換装置、積層型光電変換装置の何れにも適用可能である。

例えば、積層型光電変換装置を用いる場合、ある層に温度センサを２つ設けて、２つの温度センサの出力信号同士を比較してもよいし、画素側の基板と、回路側の基板とのそれぞれに温度センサを１つずつ設けて、それらを比較してしてもよい。各基盤に配される温度センサの数は２つに限られず、例えば両方の基板に温度センサを２つずつ設けて、それぞれの基板の２つの温度センサ、あるいは各基盤の温度センサ同士の２組を比較してもよい。また、積層される基板の数は２つに限られず、例えば回路を分割するなどして３層以上の積層構造としてもよい。

第一、第二の実施形態に示す光電変換装置では、画素信号はチップの上部と下部の双方から読み出されるため、列回路アレイ、水平走査回路、処理回路、出力回路、制御回路はチップの上下両方に設けられるが、いずれかの回路を上下で共通としてもよい。例えば、処理回路と出力回路をチップ上部からの読み出しの場合とチップ下部からの読み出しの場合で共通にすることが考えられる。

また、画素信号が、チップの上下両方でなく、どちらか片側に読み出される構成としてもよい。

温度センサ１、温度センサ２の出力は、画素領域の下側に配置される列回路アレイの列読み出し回路にてＡＤ変換されるが、温度センサ１、温度センサ２の出力についても、上下に配置される列回路アレイの列読み出し回路に振り分けてＡＤ変換してもよい。この場合、処理回路は上下で共通となる。

また、温度センサ１１２ａ、温度センサ１１２ｂにＡＤ変換回路を含み、温度センサからのデジタル出力を処理部である処理回路１０８で比較してもよい。

さらに、上記第二の実施形態、第三の実施形態に示した光電変換システムは、光電変換装置を適用しうる光電変換システム例を示したものであって、本発明の光電変換装置を適用可能な光電変換システムは図３に示した構成に限定されるものではない。

上記実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。

１００ 光電変換装置
１０２ 画素領域
１０８ 処理回路
１１２ａ 温度センサ
１１２ｂ 温度センサ
２０１ 信号処理部

Claims (27)

1. 複数の画素を含む画素領域と、
   複数の温度センサと、
   前記複数の温度センサの出力に基づく信号の比較を行う処理部と、
   前記比較の結果に基づく情報を出力する出力手段を有することを特徴とする光電変換装置。
2. 前記比較の結果が、前記複数の温度センサの出力に基づく信号同士の差が所定の値を超えることを示す場合、前記出力手段を用いて前記情報を出力することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
3. 前記所定の値は、
   前記複数の温度センサが光電変換装置の内部で配される位置の違いに起因する温度差に相当する出力差を含むことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
4. 前記所定の値は、
   前記複数の温度センサが光電変換装置の内部で配される位置の違いに起因する製造ばらつきによる出力差を含むことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の光電変換装置。
5. 前記所定の値は、
   前記複数の温度センサの出力を読み出す出力回路のノイズに起因する出力差と、を含むことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の光電変換装置。
6. 前記所定の値を該光電変換装置の外部から設定される設定手段を有することを特徴とする、請求項２乃至請求項５のいずれか一項に記載の光電変換装置。
7. 前記設定手段は、前記温度センサの出力に応じて前記所定の値を変更することを特徴とする、請求項６に記載の光電変換装置。
8. 前記比較の結果が、前記複数の温度センサのいずれかの出力に基づく信号が所定の範囲を超えることを示す場合、前記出力手段を用いて前記情報を出力することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の光電変換装置。
9. 前記所定の範囲は、
   前記温度センサの正常動作可能な温度範囲に対応する範囲に含まれることを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
10. 前記温度センサの出力が、前記画素で生じた信号の出力回路の少なくとも一部を介して出力されることを特徴とする、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の光電変換装置。
11. 前記複数の温度センサのうち、
    第一の温度センサと前記処理部とを接続する第一の経路と、第二の温度センサと前記処理部とを接続する第二の経路とが共有するノードを有さないことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の光電変換装置。
12. 前記比較の結果が、前記画素で生じた信号の出力回路の少なくとも一部を介して出力されることを特徴とする、請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の光電変換装置。
13. 前記比較の結果に応じて、該光電変換装置の動作の状態を変更することを特徴とする、請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の光電変換装置。
14. 前記温度センサはダイオードを用いた回路であることを特徴とする、請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の光電変換装置。
15. 請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の光電変換装置が出力する信号を用いて画像を生成する信号処理部を有することを特徴とする光電変換システム。
16. 複数の画素を含む画素領域と、複数の温度センサと、を有する光電変換装置と、
    前記光電変換装置から出力される、前記複数の温度センサの出力に基づく信号の比較を行う処理部と、を有し、
    前記比較の結果に基づく情報を出力する出力手段を有することを特徴とする光電変換システム。
17. 前記比較の結果が、前記複数の温度センサの出力に基づく信号同士の差が所定の値を越えることを示す場合、前記出力手段を用いて情報を出力することを特徴とする請求項１６に記載の光電変換システム。
18. 前記所定の値を該光電変換システムの外部から設定される設定手段を有することを特徴とする、請求項１７に記載の光電変換システム。
19. 前記設定手段は、前記温度センサの出力に応じて前記所定の値を変更することを特徴とする、請求項１８に記載の光電変換システム。
20. 前記比較の結果が、前記複数の温度センサのいずれかの出力に基づく信号が所定の範囲を超えることを示す場合、前記出力手段を用いて前記情報を出力することを特徴とする請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項に記載の光電変換システム。
21. 前記所定の範囲は、
    前記光電変換装置の正常動作可能な温度範囲に対応する範囲に含まれることを特徴とする請求項２０に記載の光電変換システム。
22. 前記比較の結果に応じて、該光電変換システムの動作の状態を切り替えることを特徴とする、請求項１６乃至請求項２１のいずれか一項に記載の光電変換システム。
23. 前記光電変換装置が出力する信号を用いて画像を生成する信号処理部を有することを特徴とする、請求項１６乃至請求項２２のいずれか一項に記載の光電変換システム。
24. 請求項１５乃至請求項２３のいずれか１項に記載の光電変換システムを備える移動体であって、
    前記光電変換システムが出力する情報を用いて前記移動体の移動を制御する制御部を有することを特徴とする移動体。
25. 複数の画素を含む画素領域を有する半導体基板に積層される半導体基板であって、
    複数の温度センサと、前記複数の温度センサの出力に基づく信号を比較する処理部と、を有し、
    前記比較の結果に基づく情報を出力する出力手段を有することを特徴とする半導体基板。
26. 複数の画素を含む画素領域と、第一の温度センサと、を有する第一の半導体基板に積層される半導体基板であって、
    前記第一の温度センサの出力に基づく信号を比較する処理部を有し、
    前記比較の結果に基づく情報を出力する出力手段を有することを特徴とする半導体基板。
27. 第二の温度センサを有し、
    前記第二の温度センサの出力に基づく信号と、
    前記第一の半導体基板に配された前記第一の温度センサの出力に基づく信号と、を比較することを特徴とする、請求項２６に記載の半導体基板。

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