JP2022115074A - 極紫外線リソグラフィ用位相反転ブランクマスク及びフォトマスク - Google Patents
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Abstract
Description
nmの厚さで形成されることが好ましい。
Claims (37)
- 基板;
前記基板上に形成された反射膜;及び
前記反射膜上に形成された位相反転膜;
を含み、
前記位相反転膜は、ルテニウム(Ru)及びクロム(Cr)を含む物質で形成されることを特徴とする極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記位相反転膜のルテニウム(Ru)及びクロム(Cr)の合計含有量は、50~100at%であることを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、モリブデン(Mo)、シリコン(Si)、及びチタニウム(Ti)のいずれか一つ以上をさらに含む物質で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、ボロン(B)をさらに含む物質で形成され、ボロン(B)の含有量は、5~50at%であることを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、窒素(N)、酸素(O)、炭素(C)、及び水素(H)のいずれか一つ以上をさらに含む物質で形成されることを特徴とする、請求項4に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、45at%以下の窒素(N)をさらに含む物質で形成されることを特徴とする、請求項4に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、Ru:Cr=40~99at%:1~60at%の組成比を有するスパッタリングターゲット、又はRu:Cr:B=40~95at%:1~50at%:1~20at%の組成比を有するスパッタリングターゲットを用いて形成されることを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、Crの含有量がRuの含有量よりも大きくなるように構成されることを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、13.5nm波長の極紫外線露光光において前記反射膜の反射率に対する相対反射率が3~15%であることを特徴とする、請求項8に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、Crの含有量がRuの含有量より小さい又は同一となるように構成されることを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、13.5nm波長の極紫外線露光光において前記反射膜の反射率に対する相対反射率が15~30%であることを特徴とする、請求項10に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、170~220゜の位相反転量を有することを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、30~70nmの厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、300nm以下の平坦度を有することを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、0.5nmRMS以下の粗さを有することを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜の上部に形成され、Si、SiO、SiN、SiC、SiON、SiCO、SiCN、SiCONのいずれか一つで構成されるハードマスク膜;
をさらに含むことを特徴とする、請求項1~15のいずれかに記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記位相反転膜は、2層以上の多層構造を有し、
前記位相反転膜の最上部層は、酸素(O)をさらに含む物質で形成され、前記最上部層の下の下部層は、酸素(O)を含まない物質で形成されることを特徴とする、請求項1~15のいずれかに記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記最上部層は、酸素(O)の含有量が1~60at%であり、1~10nmの厚さを有することを特徴とする、請求項17に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記最上部層は、Si、SiN、SiC、SiO、SiCN、SiCO、SiNO、SiCONのいずれか一つ、TaO、TaCO、TaON、TaCONのいずれか一つ、又はRuTaO、RuTaON、RuTaBO、RuTaBONのいずれか一つの物質で形成されることを特徴とする、請求項17に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記最上部層の上部に形成され、Cr、CrN、CrC、CrO、CrCN、CrON、CrCO、CrCONのいずれか一つの物質で構成されるハードマスク膜;
をさらに含むことを特徴とする、請求項19に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記位相反転膜は、2層以上の多層構造を有し、
前記位相反転膜の最上部層は、CrO、CrCO、CrON、CrCONのいずれか一つで形成されることを特徴とする、請求項1~15のいずれかに記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記最上部層の上部に形成され、Si、SiO、SiN、SiC、SiON、SiCO、SiCN、SiCONのいずれか一つの物質で構成されるハードマスク膜;
をさらに含むことを特徴とする、請求項21に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記位相反転膜は、下方に行くほどエッチング速度が増加するか、或いは前記位相反転膜の下部でのエッチング速度が他の部分の少なくとも一部に比べて大きいことを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、Crの含有量が下方に行くほど次第に減少するように構成されることを特徴とする、請求項23に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記位相反転膜は、2層以上の多層構造を有し、
前記位相反転膜の最下部層は、Crの含有量が他の層のいずれか一つ以上に比べて少ないか、或いはCrを含まない材質で形成されることを特徴とする、請求項23に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記反射膜と前記位相反転膜との間に形成され、前記位相反転膜に対してエッチング選択比を有するエッチング阻止膜;
をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記エッチング阻止膜は、シリコン(Si)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、チタニウム(Ti)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、ニオビウム(Nb)、ルテニウム(Ru)のいずれかの一つ以上の物質で形成されるか、或いはこの物質に酸素(O)、窒素(N)、炭素(C)、水素(H)、ボロン(B)のいずれか一つ以上をさらに含む化合物で形成されることを特徴とする、請求項26に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記反射膜と前記エッチング阻止膜との間に形成され、ルテニウム(Ru)を含む材質のキャッピング膜;
をさらに含み、
前記エッチング阻止膜は、タンタル(Ta)及び酸素(O)を含む材質で形成されることを特徴とする、請求項26に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記エッチング阻止膜は、2層以上の構造で形成され、
前記エッチング阻止膜の最上部層は、タンタル(Ta)及び酸素(O)を含む材質で形成され、前記エッチング阻止膜の最上部層の下部の層は、タンタルを含み、酸素(O)を含まない材質で形成されることを特徴とする、請求項28に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記反射膜の上部に形成されたキャッピング膜;
をさらに含み、
前記位相反転膜は、
タンタル(Ta)を含む物質で形成され、前記位相反転膜の下部の前記キャッピング膜に対するエッチング阻止膜の機能を有する第1層;及び
前記第1層の上部に形成され、ルテニウム(Ru)及びクロム(Cr)を含む物質で形成され、前記位相反転膜の反射率及び位相反転量を制御する第2層;
を含むことを特徴とする、請求項1~15のいずれかに記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記第1層は、ボロン(B)、ニオビウム(Nb)、チタニウム(Ti)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)のいずれか一つ以上をさらに含む物質で形成されることを特徴とする、請求項30に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記第1層は、窒素、炭素、酸素のいずれか一つ以上をさらに含む物質で形成されることを特徴とする、請求項30に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記第1層は、窒素の含有量が50at%以下であることを特徴とする、請求項32に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記第1層は、Taの含有量が50at%以上であり、7nm以下の厚さを有することを特徴とする特徴とする、請求項30に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。
- 前記第1層は、ボロン(B)をさらに含む物質で形成され、
前記位相反転膜は、前記反射膜に対する相対反射率が14~15%であることを特徴とする、請求項30に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 前記第1層は、ニオビウム(Nb)をさらに含む物質で形成され、
前記位相反転膜は、前記反射膜に対する相対反射率が20%以上であることを特徴とする、請求項30に記載の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスク。 - 請求項1の極紫外線リソグラフィ用ブランクマスクを用いて作製されたフォトマスク。
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