JP2022090270A - 発光モジュールおよび照明装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】良質な光を得ることができる発光モジュールおよび照明装置を提供すること。【解決手段】実施形態に係る発光モジュールは、基板と、第1発光素子と、第2発光素子とを具備する。基板は、第1領域と、第1領域よりも高さが低い第2領域と、を有する。第1発光素子は、第1領域に実装される。第2発光素子は、第2領域に実装され、第1発光素子とは高さ寸法が異なる。【選択図】図2

Description

本発明の実施形態は、発光モジュールおよび照明装置に関する。
近年、LED(Light Emitting Diode)などの発光素子を用いた照明装置は、省電力などにより光源として導入が急速に増加している。また、近年、高輝度化を目的として、板状の基板の上に複数の発光素子を高密度実装した発光モジュールが用いられている。
特開2020-25129号公報
しかしながら、上述の技術では、種類の異なる発光素子を基板の上に並べて実装した場合、発光モジュールとして良質な光が得られない恐れがあった。
本発明が解決しようとする課題は、良質な光を得ることができる発光モジュールおよび照明装置を提供することである。
実施形態に係る発光モジュールは、基板と、第1発光素子と、第2発光素子とを具備する。基板は、第1領域と、前記第1領域よりも高さが低い第2領域と、を有する。第1発光素子は、前記第1領域に実装される。第2発光素子は、前記第2領域に実装され、前記第1発光素子とは高さ寸法が異なる。
本発明によれば、良質な光を得ることができる発光モジュールおよび照明装置を提供することが期待できる。
図1は、実施形態に係る発光モジュールの構成を示す平面図である。 図2は、実施形態に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図3は、実施形態に係る照明装置の構成を示す斜視図である。 図4は、実施形態の変形例1に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図5は、実施形態の変形例2に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図6は、実施形態の変形例3に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図7は、実施形態の変形例4に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図8は、実施形態の変形例5に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図9は、実施形態の変形例6に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図10は、実施形態の変形例7に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図11は、実施形態の変形例8に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図12は、実施形態の変形例9に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図13は、実施形態の変形例10に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。 図14は、実施形態の変形例11に係る発光モジュールの構成を示す平面図である。 図15は、実施形態の変形例12に係る発光モジュールの構成を示す平面図である。 図16は、実施形態の変形例12に係る発光モジュールの構成を示す拡大断面図である。
以下で説明する実施形態に係る発光モジュール1は、基板10と、第1発光素子20と、第2発光素子30とを具備する。基板10は、第1領域15と、第1領域15よりも高さが低い第2領域16と、を有する。第1発光素子20は、第1領域15に実装される。第2発光素子30は、第2領域16に実装され、第1発光素子20とは高さ寸法が異なる。
また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュール1において、第2発光素子30は、第1発光素子20よりも高さ寸法が大きく、第1領域15に実装される第1発光素子20の実装高さと、第2領域16に実装される第2発光素子30の実装高さとが略同等である。
また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュール1は、基板10と、第1発光素子20と、第2発光素子30とを具備する。基板10は、第1領域15と、第1領域15よりも高さが低い第2領域16と、を有する。第1発光素子20は、第1領域15に実装される。第2発光素子30は、第2領域16に実装され、第1発光素子20よりも光束が大きい。
また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュール1は、基板10と、第1発光素子20と、第2発光素子30とを具備する。基板10は、第1領域15と、第1領域15よりも高さが低い第2領域16と、を有する。第1発光素子20は、第1領域15に実装される表面実装型の発光素子である。第2発光素子30は、第2領域16に実装される。
また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュール1は、第1領域15に配置される第1パターン配線13と、第2領域16に配置される第2パターン配線14とを具備する。また、第2発光素子30は、第2パターン配線14に電気的に接続されており、第1パターン配線13と、第2パターン配線14とは電気的に接続されている。
また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュール1は、基板10と、第1発光素子20と、第2発光素子30とを具備する。基板10は、第1領域15と、第1領域15よりも高さが低い第2領域16と、を有する。第1発光素子20は、第1領域15に実装される。第2発光素子30は、第2領域16に第1発光素子20の実装高さよりも低くなるように実装され、第1発光素子20よりも配光角が狭い。
また、以下で説明する実施形態に係る照明装置100は、上記に記載の発光モジュール1を具備する。
以下、図面を参照して、実施形態に係る発光モジュールおよび照明装置を説明する。実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
[実施形態]
最初に、実施形態に係る発光モジュール1および照明装置100の構成について、図1~図3を参照しながら説明する。図1は、実施形態に係る発光モジュール1の構成を示す平面図であり、図2は、実施形態に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。なお、図2は、図1に示すA-A線の矢視断面図に相当する図である。
図1および図2に示すように、発光モジュール1は、基板10と、複数の第1発光素子20と、複数の第2発光素子30とを具備する。
基板10は、基体11と、パターン配線12とを有する。基体11は、たとえば、板状であり、熱伝導率の高い材料を用いて形成するのが好ましい。熱伝導率の高い材料としては、たとえば、セラミックスなどの無機材料や金属板の表面を絶縁性材料で被覆したものなどを用いることができる。
なお、セラミックスとしては、酸化アルミニウムや窒化アルミニウムなどを用いることができる。また、金属板の表面を絶縁性材料で被覆する場合には、絶縁性材料は、有機材料からなるものであってもよいし、無機材料からなるものであってもよい。
パターン配線12は、発光モジュール1において必要となる電気回路を形成する。パターン配線12は、たとえば、実装パッドと、配線部とを有する。なお、パターン配線12は、導電ビアを有していてもよい。
実装パッドは、基体11のおもて面(すなわち、基板10のおもて面10a)に配置される。実装パッドは、発光素子と電気的に接続されるパッドであり、発光素子が裏面電極を備えるタイプ(例えば、上下電極タイプのベアチップ、フリップチップタイプのベアチップ、CSP(Chip Size Package)、SMD(Surface Mount Device)など)の場合は、発光素子は実装パッド上に配設される。また、発光素子が表面電極を備えるタイプ(例えば、フェースアップタイプのベアチップなど)の場合は、発光素子と実装パッドはボンディングワイヤW(図11参照)を介して電気的に接続される。
配線部は、基体11のおもて面や裏面(すなわち、基板10の裏面10b)に配置される。配線部は、実装パッドと実装パッドを接続、または実装パッドと給電部(例えば、発光素子に外部から電力を供給するパッド、コネクタなど)を接続する。導通ビアは、基体11を厚み方向に貫通し、おもて面10aの実装パッドや配線部を裏面10b側に引き回す(おもて面10a側と裏面10b側を電気的に接続する)。
導電ビアは配線部の一部であり、パターン配線12が導電ビアを備える場合は、基体11のおもて面10a側に配設された2つの実装パッドを接続する配線部が、基体11の裏面10b側を通る構造であってもよい。
実施形態では、導電ビアを備える構成のパターン配線12を有することにより、基板10のおもて面10aでの配線が簡略化できることから、発光素子を高密度に実装することができる。
なお、本開示のパターン配線12は、実装パッド、配線部および導電ビアで三次元的に構成される場合に限られない。たとえば、本開示のパターン配線12は、基板10のおもて面10aにおいて2次元的に構成されていてもよい。この場合、パターン配線12は、実装パッドと、配線部と、を備え、配線部は、基体11のおもて面のみに配置される。
パターン配線12の材料は、導電性材料であれば特に限定されない。パターン配線12の材料は、たとえば、銀、銅、金、タングステンなどの金属を適用することができる。
また、実施形態に係るパターン配線12は、第1パターン配線13と、第2パターン配線14とを含む。第1パターン配線13は、後述する第1領域15に配置されるパターン配線であり、第2パターン配線14は、後述する第2領域16に配置されるパターン配線である。
基体11の材料をセラミックスとする場合には、基板10は、たとえば、LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)法を用いて形成することができる。基板10は、たとえば、基体11とパターン配線12とを900℃以下の温度で同時に焼成することで形成することができる。
第1発光素子20は、たとえば、CSPタイプの発光素子である。CSPタイプの発光素子は、表面実装型の発光素子の一例である。第1発光素子20は、発光層21と、蛍光体層22と、電極23と、基材24と、を有する。発光層21と電極23は、基材24の一方の面側に配設されており、基材24の発光層21と電極23が配設されている一方の面側を、基材24の底部とよぶ。
発光層21は、第1発光素子20の基材24の底部近傍に配置され、所定の波長の励起光を発光する。発光層21は、たとえば、青色の励起光を発光する。
蛍光体層22は、基材24を覆うように配置され、蛍光体を含有した樹脂で構成される。蛍光体層22は、発光層21からの励起光を受けて発光する。蛍光体層22には、たとえば、緑色蛍光体、黄色蛍光体および赤色蛍光体が含有されており、これらの蛍光体が発光層21からの青色の励起光を受けて、それぞれ緑色、黄色および赤色に発光する。
そして、励起光の青色と、蛍光体からの緑色、黄色および赤色の発光とを混色することにより、第1発光素子20は白色に発光する。
電極23は、基材24の底部に配置され、発光層21に電気的に接続される。また、電極23は、パターン配線12の実装パッドに電気的および機械的に接続される。これにより、第1発光素子20は、基板10に実装される。
第2発光素子30は、たとえば、CSPタイプの発光素子である。第2発光素子30は、発光層31と、蛍光体層32と、電極33と、基材34と、を有する。発光層31と電極33は、基材34の一方の面側に配設されており、基材34の発光層31と電極33が配設されている一方の面側を、基材34の底部とよぶ。
発光層31は、第2発光素子30の基材34の底部近傍に配置され、所定の波長の励起光を発光する。発光層31は、たとえば、青色の励起光を発光する。
蛍光体層32は、基材34を覆うように配置され、蛍光体を含有した樹脂で構成される。蛍光体層32は、発光層31からの励起光を受けて発光する。蛍光体層32には、たとえば、緑色蛍光体、黄色蛍光体および赤色蛍光体が含有されており、これらの蛍光体が発光層31からの青色の励起光を受けて、それぞれ緑色、黄色および赤色に発光する。
そして、励起光の青色と、蛍光体からの緑色、黄色および赤色の発光とを混色することにより、第2発光素子30は白色に発光する。
電極33は、基材34の底部に配置され、発光層31に電気的に接続される。また、電極33は、パターン配線12の実装パッドに電気的および機械的に接続される。これにより、第2発光素子30は、基板10に実装される。
ここで、実施形態では、第2発光素子30の高さ寸法T2が、第1発光素子20の高さ寸法T1と異なる。たとえば、図2の例では、第2発光素子30の高さ寸法T2が、第1発光素子20の高さ寸法T1よりも大きい。
なお、本開示において、「発光素子の高さ寸法」とは、発光層に電気的に接続される電極を含む、発光素子の上端から下端までの垂直距離を意味する。つまり、図2に示す発光素子の電極方向において、発光素子の最下面である電極下面と、発光素子の最上面である蛍光体層上面までの垂直距離の寸法である。
また、本開示において、「第1発光素子20の高さ寸法T1と第2発光素子30の高さ寸法T2とが異なる」とは、例えば、高さ寸法T1と高さ寸法T2との差異が、高さ寸法T1、T2のうち低いほうの高さ寸法(図2の例では高さ寸法T1)の十分の一以上であることを意味する。裏を返せば、高さ寸法T1と高さ寸法T2との差異が、高さ寸法T1、T2のうち低いほうの高さ(図2の例では高さ寸法T1)の十分の一未満であれば、「第1発光素子20の高さ寸法T1と第2発光素子30の高さ寸法T2とは略同等」である。
一方で、高さ寸法が異なる2種類の発光素子を1つの平面基板に搭載する場合、高さ寸法が大きい発光素子(ここでは、第2発光素子30)からの発光のほうが目立ちやすくなることから、そのままでは良質な光を得ることが難しい。
そこで、実施形態では、図2などに示すように、基板10のおもて面10aに高さの異なる第1領域15および第2領域16を設けて、かかる2つの領域に第1発光素子20および第2発光素子30をそれぞれ実装することとした。つまり基板10は、少なくとも2種類の高さの領域を備える段差基板である。
具体的には、図2に示すように、第2領域16よりも高さの高い第1領域15に、第2発光素子30よりも高さ寸法の小さい第1発光素子20が実装される。また、第1領域15よりも高さの低い第2領域16に、第1発光素子20よりも高さ寸法の大きい第2発光素子30が実装される。
これにより、第1発光素子20の実装高さと、第2発光素子30の実装高さとの差異を小さくすることができる。
なお、本開示において、「発光素子の実装高さ」とは、平面である基板10の裏面10bを基準高さとして、基板10の裏面10bから基板10のおもて面10aに実装される発光素子の上端までの垂直距離を意味する。つまり、図2に示す発光素子の方向において、発光モジュール1の最下面である基板10の裏面10bと、発光素子の最上面である蛍光体層上面までの垂直距離である。
なお、発光素子の実装高さは、基板10のおもて面10a側に基準高さを定めてもよく、この場合、おもて面10aで最も面積が広い高さが基準高さとして設定される。また、本開示において、「第1領域15と第2領域16との高さが異なる」とは、高さ寸法T1、T2のうち小さいほうの高さ寸法(図2の例では高さ寸法T1)以上に高さが異なることを意味する。
そして、実施形態では、2種類の発光素子における実装高さの差異を小さくすることにより、2種類の発光素子の目立ち度を均等にすることができる。したがって、実施形態によれば、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
なお、本開示において、「良質な光」とは、「色ムラが少ない光」、「発光効率が高い光」および「色ズレを抑えた光」のうち少なくとも1つである。
また、実施形態では、図1に示すように、平面視において、一列に並んだ複数の第1発光素子20と、一列に並んだ複数の第2発光素子30とが交互に並ぶように配置されてもよい。これにより、2種類の発光素子の目立ち度をさらに均等にすることができることから、発光モジュール1においてさらに良質な光を得ることができる。
なお、図1および図2の例では、基板10のおもて面10aに凸形状の第1領域15を形成した例について示しているが、おもて面10aの形状はかかる例に限られない。たとえば、本開示では、基板10のおもて面10aに凹形状の第2領域16が形成されてもよい。
図3は、実施形態に係る照明装置100の構成を示す斜視図である。ここまで説明した発光モジュール1は、たとえば、図3に示すような投光器として使用される照明装置100の光源として用いられる。
図3に示す照明装置100においては、たとえば、複数の発光ユニット110の各々に発光モジュール1が設けられる。なお、図3に示す照明装置100は一例であって、発光モジュール1は目的に応じて種々の照明装置の光源として用いられてもよい。たとえば、発光モジュール1は、ダウンライトやスポットライト等の光源として用いられてもよい。
[実施形態の効果]
上述してきたように、実施形態に係る発光モジュール1は、高さ寸法が異なる第1発光素子20および第2発光素子30を、基板10において高さが異なる第1領域15および第2領域16にそれぞれ実装する。このため、実施形態に係る発光モジュール1は、良質な光を得ることができる。
[変形例1]
つづいて、実施形態に係る発光モジュール1の各種変形例について、図4~図16を参照しながら説明する。図4は、実施形態の変形例1に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。
図4に示すように、変形例1では、上記の実施形態と同様に、第2領域16よりも高さの高い第1領域15に、第2発光素子30よりも高さ寸法の小さい第1発光素子20が実装される。また、変形例1では、第1領域15よりも高さの低い第2領域16に、第1発光素子20よりも高さ寸法の大きい第2発光素子30が実装される。
そして、変形例1に係る発光モジュール1は、第1領域15に実装される第1発光素子20の実装高さと、第2領域16に実装される第2発光素子30の実装高さとが略同等である。
なお、本開示において、第1発光素子20の実装高さと第2発光素子30の実装高さとが略同等とは、第1発光素子20の実装高さと第2発光素子30の実装高さとの差異が、高さ寸法T1、T2(図2参照)のうち小さいほうの高さ寸法(図4の例では高さ寸法T1)の十分の一未満であることを意味する。
そして、変形例1では、2種類の発光素子の実装高さを揃えることにより、2種類の発光素子の目立ち度をさらに均等にすることができる。したがって、変形例1によれば、発光モジュール1においてさらに良質な光を得ることができる。
なお、本開示において、2種類の発光素子の実装高さを揃える手法としては、第1発光素子20および第2発光素子30の高さ寸法T1、T2を調整する場合や、第1領域15および第2領域16の高さを調整する場合に限られない。
たとえば、第1発光素子20および第2発光素子30を基板10に固定するはんだ材やシリコーン等のダイボンド材の厚みを調整することにより、2種類の発光素子の実装高さを揃えてもよい。
[変形例2、3]
図5および図6は、実施形態の変形例2および変形例3に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。変形例2、3では、第2発光素子30の構成が上記の実施形態と異なる。
変形例2の第2発光素子30は、たとえば、SMDタイプの発光素子である。SMDタイプの発光素子は、表面実装型の発光素子の別の一例である。第2発光素子30は、発光層31と、筐体35と、レンズ36とを有する。発光層31は、筐体35の内部に配置されたLEDが備えており、所定の波長の励起光を発光する。
筐体35は、たとえば、上部が開口した箱形状を有する。レンズ36は、筐体35の上方に、上部の開口を覆うように配置される。レンズ36は、たとえば、発光層31から上方に照射された光の配光角を狭くするように設計された狭配光レンズである。
ここで、変形例2に係る発光モジュール1は、第1領域15に実装される第1発光素子20の実装高さと、第2領域16に実装されるSMDタイプの第2発光素子30の実装高さとが略同等であるとよい。なお、図5の例において、第2発光素子30の実装高さは、基板10の裏面10bから第2発光素子30のレンズ36の上端までの垂直距離である。
このように、2種類の発光素子の実装高さを揃えることにより、2種類の発光素子の目立ち度をさらに均等にすることができる。したがって、変形例2によれば、発光モジュール1においてさらに良質な光を得ることができる。
また、図6に示す変形例3では、第2発光素子30の実装高さが、基板10の裏面10bから第2発光素子30の筐体35の上端までの垂直距離である。
これによっても、2種類の発光素子の実装高さを揃えることにより、2種類の発光素子の目立ち度をさらに均等にすることができる。したがって、変形例3によれば、発光モジュール1においてさらに良質な光を得ることができる。
[変形例4]
図7は、実施形態の変形例4に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。ここまで説明した実施形態および変形例1~3では、第2領域16よりも位置が高い第1領域15に、第2発光素子30よりも高さ寸法の小さい第1発光素子20を実装した例について示したが、本開示はかかる例に限られない。
たとえば、図7に示すように、変形例4では、第2領域16よりも高さの高い第1領域15に、第2発光素子30よりも高さ寸法の大きい第1発光素子20が実装される。また、第1領域15よりも高さの低い第2領域16に、第1発光素子20よりも高さ寸法の小さい第2発光素子30が実装される。
このように、第1発光素子20の実装高さをより高くすることにより、たとえば、第1発光素子20よりも第2発光素子30のほうが目立ちやすい光を発光するような場合に、第1発光素子20と第2発光素子30との発光のバランスを取ることができる。したがって、変形例4によれば、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
例えば、第1発光素子20は視感度の低い光(青色や赤色の光など)を照射する発光素子で、第2発光素子30は視感度の高い光(緑色の光など)を照射する発光素子の場合は、変形例4の構成にすることで良質な光を得ることができる。
[変形例5]
図8は、実施形態の変形例5に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。図8に示すように、変形例5では、第1発光素子20の光束と、第2発光素子30の光束とが異なる場合について示している。
具体的には、変形例5では、第2領域16よりも高さの高い第1領域15に、第2発光素子30よりも光束の小さい第1発光素子20が実装される。また、変形例5では、第1領域15よりも高さの低い第2領域16に、第1発光素子20よりも光束の大きい第2発光素子30が実装される。
そして、変形例5では、光束の大きい第2発光素子30を基板10の低い位置(第2領域16)に配置することにより、2種類の発光素子の目立ち度を均等にすることができる。したがって、変形例5によれば、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
なお、変形例5においては、単純に発光素子に流れる電流値によって判断してもよい。一般的に光束は発光素子に流れる電流値に比例する。例えば、第2発光素子30は、第1発光素子20よりも発光モジュール1点灯時に流れる電流が多い発光素子である。
また、この変形例5を含め、以降に説明する各種変形例において、第1発光素子20の高さ寸法T1(図2参照)と第2発光素子30の高さ寸法T2(図2参照)とは、略同等であってもよいし、異なっていてもよい。
[変形例6]
図9は、実施形態の変形例6に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。図9に示すように、変形例6では、第1発光素子20の配光角と、第2発光素子30の配光角とが異なる場合について示している。
変形例6では、たとえば、第1発光素子20がCSPタイプの発光素子であり、第2発光素子30がSMDタイプの発光素子である。すなわち、変形例6の第1発光素子20は、蛍光体層22(図2参照)から広い範囲に光を照射する一方で、第2発光素子30は、レンズ36(図5参照)から限られた範囲に光を照射する。
そのため、変形例6では、第2発光素子30の配光角よりも第1発光素子20の配光角のほうが大きい。
そして、変形例6では、第2領域16よりも高さの高い第1領域15に、第2発光素子30よりも配光角の大きい第1発光素子20が実装される。また、変形例6では、第1領域15よりも高さの低い第2領域16に、第1発光素子20よりも配光角の小さい第2発光素子30が実装される。
これにより、第2発光素子30から照射される光が、第1領域15と第2領域16との間にある段差で遮られることを抑制することができる。
したがって、変形例6によれば、2種類の発光素子の目立ち度を均等にすることができることから、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
また、第2発光素子30から照射される光は、配光角が狭いため、第1領域15と第2領域16とを接続する段差や、第1発光素子20に吸収されない。そのため、第2発光素子30から効率良く光を取り出すことが可能となり、発光モジュール1において高い効率の光を得ることができる。
さらに、第2発光素子30から照射される光は、配光角が狭いため、第1発光素子20に吸収されない。そのため、第2発光素子30から照射された光が第1発光素子20の蛍光体に吸収されて色が変わってしまうことが抑制できる。その結果、発光モジュール1において設計された色からの色ズレが小さい光を得ることができる。
なお、図9の例では、配光角の広い第1発光素子20としてCSPタイプの発光素子を例示し、配光角の狭い第2発光素子30としてSMDタイプの発光素子を例示したが、第1発光素子20と第2発光素子30の配光角が異なっていれば、本開示はかかる例に限られない。たとえば、配光角の広い第1発光素子20として、配光角の広いレンズ36を搭載したSMDタイプの発光素子などを用いてもよい。
[変形例7]
図10は、実施形態の変形例7に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。図10に示すように、変形例7では、第1領域15にSMDタイプの第1発光素子20が配置され、第2領域16にCSPタイプの第2発光素子30が配置される。
このように、高さの低い第2領域16にCSPタイプの第2発光素子30を配置することにより、第1発光素子20から照射される光が第2発光素子30の蛍光体層32(図2参照)に入射することを抑制することができる。
したがって、変形例7によれば、第2発光素子30の蛍光体層32に意図せず光が吸収されてしまうことを抑制することができることから、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
また、変形例7では、配光角の広い第2発光素子30から照射される光が、第1領域15と第2領域16との間にある段差で遮られることを抑制するため、かかる段差に反射膜17を配置してもよい。ここでの反射膜17とは、例えば反射率の高い金属や樹脂の膜(層)である。
これにより、第2発光素子30から照射される光の光量を増加させることができる。したがって、変形例7によれば、2種類の発光素子の目立ち度を均等にすることができることから、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
[変形例8]
図11は、実施形態の変形例8に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。図11に示すように、変形例8では、第2発光素子30の構成が、ここまで説明した実施形態および各種変形例と異なる。
変形例8の第2発光素子30は、たとえば、発光層31が基材37とともに露出するタイプ(以下、ベアチップタイプとも呼称する。)の発光素子である。かかる第2発光素子30は、発光層31と、基材37とを有する。発光層31は、基材37の表面に配設され、所定の波長の励起光を発光する。基材37は、たとえば、サファイアで構成される。
また、ベアチップタイプの第2発光素子30と基板10のパターン配線12(すなわち、第2パターン配線14)とは、ボンディングワイヤWで電気的に接続される。
また、ベアチップの周囲にはダム材38が配設され、そのダム材38で囲われた領域に透明な封止樹脂39が充填される。ダム材38は、少なくともボンディングワイヤWのループ高さ(ボンディングワイヤの最も高くなる箇所)よりも高くなるように配設され、封止樹脂39は、ボンディングワイヤWのループ高さの同等以上の高さまで充填される。このように、ベアチップタイプの第2発光素子30は、所謂COB(Chip On Board)の形態で基板10に実装されている。
そして、変形例8では、高さの低い第2領域16にベアチップタイプの第2発光素子30を配置される。これにより、第1発光素子20から照射される光が第2発光素子30に接続されるボンディングワイヤWに入射することを抑制することができる。
したがって、変形例8によれば、第2発光素子30に接続されるボンディングワイヤWにおいて光学干渉が生じることを抑制することができることから、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
なお、図11の例では、ベアチップタイプの発光素子がフェースアップチップである場合について示したが、ベアチップタイプの発光素子はかかる例に限られず、たとえば、上限電極チップなどであってもよい。また、図11の例においては、第1領域15と第2領域16との段差がダム材38の役割を担ってもよい。この場合、第1領域15と第2領域16との高さに、ボンディングワイヤWのループ高さ以上の差がある必要がある。
[変形例9]
図12は、実施形態の変形例9に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。図12に示すように、変形例9では、基板10の構成が図11の例と異なる。
具体的には、変形例9では、パターン配線12が、第1領域15と第2領域16との間にある段差を含め、基板10のおもて面10aに沿って配置される。
そして、変形例9では、図12に示すように、ベアチップタイプの第2発光素子30が、ボンディングワイヤWで第2パターン配線14に電気的に接続されるとともに、かかる第2パターン配線14が第1パターン配線13に電気的に接続されている。変形例9でも、変形例8と同様にベアチップタイプの第2発光素子30は、所謂COBの形態で基板10に実装されている。
これにより、第1発光素子20と第2発光素子30とが直列または並列に接続された発光モジュール1を実現することができる。
また、変形例9では、上記の変形例8と同様に、高さの低い第2領域16にベアチップタイプの第2発光素子30を配置されることから、第1発光素子20から照射される光が第2発光素子30に接続されるボンディングワイヤWに入射することを抑制することができる。
したがって、変形例9によれば、第2発光素子30に接続されるボンディングワイヤWにおいて光学干渉が生じることを抑制することができることから、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
[変形例10]
図13は、実施形態の変形例10に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。図13に示すように、変形例10では、第1発光素子20の構成が図12の例と異なる。
具体的には、変形例10では、第1発光素子20が、SMDタイプの発光素子で構成される。このように、蛍光体層が含まれない第1発光素子20を高さの高い第1領域15に配置することにより、低い位置の第2発光素子30から照射される光が第1発光素子20の蛍光体層に入射することを抑制することができる。
したがって、変形例10によれば、第1発光素子20に意図せず光が吸収されてしまうことを抑制することができることから、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
なお、図13の例では、蛍光体層が含まれない第1発光素子20として、SMDタイプの発光素子を用いる例について示したが、蛍光体層が含まれない第1発光素子20はSMDタイプの発光素子に限られず、たとえば、蛍光体層が含まれない発光素子やSMDなどであってもよい。ここでの蛍光体層が含まれないSMDとは、例えば発光素子を透明樹脂で封止した形態のSMDが該当する。
また、本開示において、蛍光体層が含まれる発光素子を第1発光素子20として用いる場合、ペアとして用いられる第2発光素子30は、赤外光を照射する発光素子であってもよい。
この場合には、第2発光素子30から照射される赤外光が第1発光素子20に入射したとしても、蛍光体層は赤外光では発光しない。そのため、第1発光素子20が誤って発光することを抑制することができることから、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
[変形例11]
図14は、実施形態の変形例11に係る発光モジュール1の構成を示す平面図である。図14に示すように、変形例11では、第1発光素子20および第2発光素子30の配置が図1に示した実施形態と異なる。
具体的には、図14に示すように、平面視において、千鳥状に並んだ複数の第1発光素子20と、千鳥状に並んだ複数の第2発光素子30とが交互に並ぶように配置されてもよい。これによっても、2種類の発光素子の目立ち度をさらに均等にすることができることから、発光モジュール1においてさらに良質な光を得ることができる。
[変形例12]
ここまで説明した実施形態および各種変形例では、2種類の高さを有する基板10のおもて面10aに2種類の発光素子を搭載する例について示したが、本開示はかかる例に限られない。
図15は、実施形態の変形例12に係る発光モジュール1の構成を示す平面図であり、図16は、実施形態の変形例12に係る発光モジュール1の構成を示す拡大断面図である。なお、図16は、図15に示すB-B線の矢視断面図に相当する図である。
図15および図16に示すように、変形例12では、第2領域16よりも高さの高い第1領域15に、第2発光素子30よりも高さ寸法の小さい第1発光素子20が実装される。また、変形例12では、第1領域15よりも高さの低い第2領域16に、第1発光素子20よりも高さ寸法の大きい第2発光素子30が実装される。
さらに、変形例12では、第2領域16よりも高さの低い第3領域18に、第2発光素子30よりも高さ寸法の大きい第3発光素子40が実装される。
これにより、第1発光素子20の実装高さと、第2発光素子30の実装高さと、第3発光素子40の実装高さとの差異を小さくすることができる。
そして、変形例12では、3種類の発光素子における実装高さの差異を小さくすることにより、それぞれ高さ寸法の異なる3種類の発光素子の目立ち度を均等にすることができる。したがって、変形例12によれば、発光モジュール1において良質な光を得ることができる。
なお、本開示では、4種類以上の発光素子における実装高さの差異を、4種類以上の高さを有する基板10に搭載することにより、すべての種類の発光素子における実装高さの差異を小さくしてもよい。
また、本開示では、表面実装型の発光素子として、CSPタイプの発光素子およびSMDタイプの発光素子について示したが、表面実装型の発光素子はかかる例に限られず、たとえば、フリップチップタイプの発光素子などであってもよい。
また、一般的に表面実装型の発光素子は、はんだなどの導電性の接合材料を用いて基板(第1領域15)に実装されるため、発光素子で発生した熱を基板に伝えやすく放熱性が高い。そのため、上述した実施形態や変形例では、高さの高い第1領域15に表面実装型の発光素子を配設しても発光素子の特性を大きく低下させることがない。そのため、第1領域15に実装された発光素子の光束が低下したり、色がシフトしたりすることを抑制できるため、発光モジュール1において、良質な光を得ることが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1 発光モジュール
10 基板
11 基体
12 パターン配線
13 第1パターン配線
14 第2パターン配線
15 第1領域
16 第2領域
20 第1発光素子
30 第2発光素子
100 照明装置

Claims (7)

  1. 第1領域と、前記第1領域よりも高さが低い第2領域と、を有する基板と;
    前記第1領域に実装される第1発光素子と;
    前記第2領域に実装され、前記第1発光素子とは高さ寸法が異なる第2発光素子と;
    を具備する発光モジュール。
  2. 前記第2発光素子は、前記第1発光素子よりも高さ寸法が大きく、
    前記第1領域に実装される前記第1発光素子の実装高さと、前記第2領域に実装される前記第2発光素子の実装高さとが略同等である
    請求項1に記載の発光モジュール。
  3. 第1領域と、前記第1領域よりも高さが低い第2領域と、を有する基板と;
    前記第1領域に実装される第1発光素子と;
    前記第2領域に実装され、前記第1発光素子よりも光束が大きい第2発光素子と;
    を具備する発光モジュール。
  4. 第1領域と、前記第1領域よりも高さが低い第2領域と、を有する基板と;
    前記第1領域に実装される表面実装型の第1発光素子と;
    前記第2領域に実装される第2発光素子と;
    を具備する発光モジュール。
  5. 前記基板は、前記第1領域に配置される第1パターン配線と、前記第2領域に配置される第2パターン配線と、を有し、
    前記第2発光素子は、前記第2パターン配線に電気的に接続されており、
    前記第1パターン配線と、前記第2パターン配線とは電気的に接続されている
    請求項4に記載の発光モジュール。
  6. 第1領域と、前記第1領域よりも高さが低い第2領域と、を有する基板と;
    前記第1領域に実装される第1発光素子と;
    前記第2領域に前記第1発光素子の実装高さよりも低くなるように実装され、前記第1発光素子よりも配光角が狭い第2発光素子と;
    を具備する発光モジュール。
  7. 請求項1~6のいずれか一つに記載の発光モジュール;
    を具備する照明装置。
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