JP2022081666A - Heat treatment method and heat treatment apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus each enabling cracking of a substrate upon flash light irradiation to be detected with simple configuration.
SOLUTION: The surface of a semiconductor wafer is rapidly heated by flash light irradiation. The surface temperature of the semiconductor wafer after the flash light irradiation is measured at regular intervals, and the surface temperatures are sequentially accumulated to acquire a temperature profile. From the temperature profile, an average value and a standard deviation are each calculated as characteristic values. It is determined that the semiconductor wafer is cracked when an average value of the temperature profiles deviates from the range of ± 5σ from the total average of the plurality of semiconductor wafers or when the standard deviation of the temperature profiles deviates from the range of 5σ from the total average of the plurality of semiconductor wafers.
SELECTED DRAWING: Figure 9
COPYRIGHT: (C)2022,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法および熱処理装置に関する。 The present invention relates to a heat treatment method and a heat treatment apparatus for heating a thin plate-shaped precision electronic substrate (hereinafter, simply referred to as “substrate”) such as a semiconductor wafer by irradiating the substrate with flash light.

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、不純物導入は半導体ウェハー内にｐｎ接合を形成するための必須の工程である。現在、不純物導入は、イオン打ち込み法とその後のアニール法によってなされるのが一般的である。イオン打ち込み法は、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）といった不純物の元素をイオン化させて高加速電圧で半導体ウェハーに衝突させて物理的に不純物注入を行う技術である。注入された不純物はアニール処理によって活性化される。この際に、アニール時間が数秒程度以上であると、打ち込まれた不純物が熱によって深く拡散し、その結果接合深さが要求よりも深くなり過ぎて良好なデバイス形成に支障が生じるおそれがある。 In the semiconductor device manufacturing process, the introduction of impurities is an essential step for forming a pn junction in a semiconductor wafer. At present, the introduction of impurities is generally performed by an ion implantation method and a subsequent annealing method. The ion implantation method is a technique for physically injecting impurities by ionizing impurity elements such as boron (B), arsenic (As), and phosphorus (P) and causing them to collide with a semiconductor wafer at a high acceleration voltage. The injected impurities are activated by the annealing treatment. At this time, if the annealing time is about several seconds or more, the implanted impurities are deeply diffused by heat, and as a result, the bonding depth becomes too deeper than required, which may hinder the formation of a good device.

そこで、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するアニール技術として、近年フラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。 Therefore, flash lamp annealing (FLA) has been attracting attention in recent years as an annealing technique for heating a semiconductor wafer in an extremely short time. Flash lamp annealing is a semiconductor wafer in which impurities are injected by irradiating the surface of the semiconductor wafer with flash light using a xenon flash lamp (hereinafter, simply referred to as “flash lamp” means a xenon flash lamp). It is a heat treatment technology that raises the temperature of only the surface of the lamp in an extremely short time (several milliseconds or less).

キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。 The radiation spectral distribution of the xenon flash lamp is from the ultraviolet region to the near infrared region, and the wavelength is shorter than that of the conventional halogen lamp, which is almost the same as the basic absorption band of the silicon semiconductor wafer. Therefore, when the semiconductor wafer is irradiated with the flash light from the xenon flash lamp, the transmitted light is small and the temperature of the semiconductor wafer can be rapidly raised. It has also been found that if the flash light irradiation is performed for an extremely short time of several milliseconds or less, the temperature can be selectively raised only in the vicinity of the surface of the semiconductor wafer. Therefore, if the temperature is raised in an extremely short time by the xenon flash lamp, only the impurity activation can be performed without deeply diffusing the impurities.

このようなフラッシュランプを使用した熱処理装置においては、極めて高いエネルギーを有するフラッシュ光を瞬間的に半導体ウェハーの表面に照射するため、一瞬で半導体ウェハーの表面温度が急速に上昇する一方で裏面温度はそれ程には上昇しない。このため、半導体ウェハーの表面のみに急激な熱膨張が生じて半導体ウェハーが上面を凸として反るように変形する。そして、次の瞬間には反動で半導体ウェハーが下面を凸として反るように変形していた。 In a heat treatment device using such a flash lamp, since the flash light having extremely high energy is instantaneously applied to the surface of the semiconductor wafer, the surface temperature of the semiconductor wafer rises rapidly in an instant, while the back surface temperature rises. It doesn't rise that much. Therefore, abrupt thermal expansion occurs only on the surface of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is deformed so as to have a convex upper surface and warp. Then, at the next moment, the semiconductor wafer was deformed so as to warp with the lower surface convex due to the reaction.

半導体ウェハーが上面を凸とするように変形したときには、ウェハーの端縁部がサセプタに衝突する。逆に、半導体ウェハーが下面を凸とするように変形したときには、ウェハーの中央部がサセプタに衝突することとなっていた。その結果、サセプタに衝突した衝撃によって半導体ウェハーが割れるという問題があった。 When the semiconductor wafer is deformed so that the upper surface is convex, the edge portion of the wafer collides with the susceptor. On the contrary, when the semiconductor wafer is deformed so that the lower surface is convex, the central portion of the wafer is supposed to collide with the susceptor. As a result, there is a problem that the semiconductor wafer is cracked by the impact of collision with the susceptor.

フラッシュ加熱時にウェハー割れが生じたときには、その割れを迅速に検出して後続の半導体ウェハーの投入を停止するとともに、チャンバー内の清掃を行う必要がある。また、ウェハー割れによって発生したパーティクルがチャンバー外に飛散して後続の半導体ウェハーに付着する等の弊害を防止する観点からも、フラッシュ加熱直後のチャンバーの搬出入口を開放する前にチャンバー内にて半導体ウェハーの割れを検出するのが好ましい。 When a wafer crack occurs during flash heating, it is necessary to quickly detect the crack, stop the subsequent loading of the semiconductor wafer, and clean the inside of the chamber. In addition, from the viewpoint of preventing harmful effects such as particles generated by wafer cracking scattering outside the chamber and adhering to subsequent semiconductor wafers, semiconductors are used in the chamber before opening the carry-out port of the chamber immediately after flash heating. It is preferable to detect cracks in the wafer.

このため、例えば特許文献１には、フラッシュ加熱処理を行うチャンバーにマイクロフォンを設け、半導体ウェハーが割れたときの音を検知することによってウェハー割れを判定する技術が開示されている。また、特許文献２には、半導体ウェハーの搬送経路に光学センサを設け、半導体ウェハーの輪郭形状を測定することによってウェハー割れを検出する技術が開示されている。さらに、特許文献３には、半導体ウェハーからの反射光を導光ロッドによって受光し、その反射光の強度からウェハー割れを検出する技術が開示されている。 For this reason, for example, Patent Document 1 discloses a technique in which a microphone is provided in a chamber for performing a flash heat treatment, and a wafer crack is determined by detecting a sound when the semiconductor wafer is cracked. Further, Patent Document 2 discloses a technique of detecting a wafer crack by providing an optical sensor in a transport path of a semiconductor wafer and measuring the contour shape of the semiconductor wafer. Further, Patent Document 3 discloses a technique of receiving light reflected from a semiconductor wafer by a light guide rod and detecting wafer cracking from the intensity of the reflected light.

特開２００９－２３１６９７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-231697 特開２０１３－２４７１２８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-247128 特開２０１５－１３０４２３号公報JP-A-2015-130423

しかしながら、特許文献１に開示の技術では、半導体ウェハーが割れた音響のみを抽出するためのフィルタリングが困難であるという問題があった。また、特許文献２に開示の技術では、半導体ウェハーを搬送する搬送ロボットのハンドの形状に制限を与えてしまうという問題があった。さらに、特許文献３に開示の技術では、導光ロッドを回転させる工程がフラッシュ光照射の前後で２回必要となるため、スループットが悪化するという問題があった。 However, the technique disclosed in Patent Document 1 has a problem that filtering for extracting only the sound in which the semiconductor wafer is broken is difficult. Further, the technique disclosed in Patent Document 2 has a problem that the shape of the hand of the transfer robot that conveys the semiconductor wafer is restricted. Further, in the technique disclosed in Patent Document 3, there is a problem that the throughput is deteriorated because the step of rotating the light guide rod is required twice before and after the flash light irradiation.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、フラッシュ光照射時における基板の割れを簡易な構成にて検出することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus capable of detecting cracks in a substrate during flash light irradiation with a simple configuration.

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法において、フラッシュランプから基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュ光照射工程と、前記フラッシュ光を照射した後の所定期間の前記基板の表面温度を測定して温度プロファイルを取得する温度測定工程と、前記温度プロファイルを解析して前記基板の割れを検出する検出工程と、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a heat treatment method for heating a substrate by irradiating the substrate with a flash light, wherein the surface of the substrate is irradiated with the flash light from a flash lamp. The present invention includes a temperature measurement step of measuring the surface temperature of the substrate for a predetermined period after irradiation with the flash light to acquire a temperature profile, and a detection step of analyzing the temperature profile to detect cracks in the substrate. It is characterized by that.

また、請求項２の発明は、基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法において、フラッシュランプから基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュ光照射工程と、前記フラッシュ光の照射を開始してから所定期間の前記基板の表面温度を測定して温度プロファイルを取得する温度測定工程と、前記温度プロファイルを解析して前記基板の割れを検出する検出工程と、を備えることを特徴とする。 Further, the invention of claim 2 is a heat treatment method for heating a substrate by irradiating the substrate with flash light, which comprises a flash light irradiation step of irradiating the surface of the substrate with flash light from a flash lamp and irradiation of the flash light. It is characterized by including a temperature measurement step of measuring the surface temperature of the substrate for a predetermined period from the start of the process to acquire a temperature profile, and a detection step of analyzing the temperature profile to detect cracks in the substrate. And.

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記検出工程では、前記温度プロファイルの特性値が所定範囲から外れているときに前記基板が割れていると判定することを特徴とする。 Further, in the invention of claim 3, in the heat treatment method according to claim 1 or 2, in the detection step, the substrate is cracked when the characteristic value of the temperature profile is out of a predetermined range. It is characterized in that it is determined.

また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る熱処理方法において、前記検出工程は、前記特性値を選択して設定する工程を含むことを特徴とする。 Further, the invention of claim 4 is characterized in that, in the heat treatment method according to the invention of claim 3, the detection step includes a step of selecting and setting the characteristic value.

また、請求項５の発明は、請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記検出工程では、前記フラッシュ光の照射を開始してから前記基板の表面温度が昇温を継続する時間が前記フラッシュランプのフラッシュ光照射時間と所定値以上乖離する場合には前記基板が割れていると判定することを特徴とする。 Further, the invention of claim 5 is the heat treatment method according to the invention of claim 2, wherein in the detection step, the time during which the surface temperature of the substrate continues to rise after the irradiation of the flash light is started is the flash. When the time deviates from the flash light irradiation time of the lamp by a predetermined value or more, it is determined that the substrate is cracked.

また、請求項６の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記検出工程では、前記基板よりも前に処理された基板の表面温度を測定して取得された基準温度プロファイルと前記温度プロファイルとを比較して前記基板の割れを判定することを特徴とする。 Further, the invention of claim 6 is a reference obtained by measuring the surface temperature of a substrate treated before the substrate in the detection step in the heat treatment method according to the invention of claim 1 or 2. It is characterized in that the cracking of the substrate is determined by comparing the temperature profile with the temperature profile.

また、請求項７の発明は、請求項１から請求項６のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記温度測定工程では、前記基板の表面から放射された波長５μｍ以上６．５μｍ以下の赤外光の強度から前記基板の表面温度を測定することを特徴とする。 Further, the invention of claim 7 is the heat treatment method according to any one of claims 1 to 6, in which the red radiated from the surface of the substrate has a wavelength of 5 μm or more and 6.5 μm or less in the temperature measuring step. It is characterized in that the surface temperature of the substrate is measured from the intensity of external light.

また、請求項８の発明は、基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバーに収容された前記基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、前記基板の表面から放射された赤外光を受光して当該表面の温度を測定する放射温度計と、前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射した後の所定期間に前記放射温度計によって測定された前記基板の表面温度の温度プロファイルを取得するプロファイル取得部と、前記温度プロファイルを解析して前記基板の割れを検出する解析部と、を備えることを特徴とする。 Further, according to the invention of claim 8, in a heat treatment apparatus for heating a substrate by irradiating the substrate with flash light, the chamber accommodating the substrate and the surface of the substrate accommodated in the chamber are irradiated with the flash light. A flash lamp, a radiation thermometer that receives infrared light emitted from the surface of the substrate and measures the temperature of the surface, and the radiation thermometer for a predetermined period after irradiating the flash light from the flash lamp. It is characterized by including a profile acquisition unit that acquires a measured temperature profile of the surface temperature of the substrate, and an analysis unit that analyzes the temperature profile and detects cracks in the substrate.

また、請求項９の発明は、基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバーに収容された前記基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、前記基板の表面から放射された赤外光を受光して当該表面の温度を測定する放射温度計と、前記フラッシュランプからフラッシュ光の照射を開始してからの所定期間に前記放射温度計によって測定された前記基板の表面温度の温度プロファイルを取得するプロファイル取得部と、前記温度プロファイルを解析して前記基板の割れを検出する解析部と、を備えることを特徴とする。 Further, according to the invention of claim 9, in a heat treatment apparatus for heating a substrate by irradiating the substrate with flash light, the chamber accommodating the substrate and the surface of the substrate accommodated in the chamber are irradiated with the flash light. A flash lamp, a radiation thermometer that receives infrared light emitted from the surface of the substrate and measures the temperature of the surface, and the radiation during a predetermined period after starting irradiation of the flash light from the flash lamp. It is characterized by including a profile acquisition unit that acquires a temperature profile of the surface temperature of the substrate measured by a thermometer, and an analysis unit that analyzes the temperature profile and detects cracks in the substrate.

また、請求項１０の発明は、請求項８または請求項９の発明に係る熱処理装置において、前記解析部は、前記温度プロファイルの特性値が所定範囲から外れているときに前記基板が割れていると判定することを特徴とする。 Further, the invention of claim 10 is the heat treatment apparatus according to claim 8 or 9, wherein the analysis unit has cracked the substrate when the characteristic value of the temperature profile is out of a predetermined range. It is characterized by determining that.

また、請求項１１の発明は、請求項１０の発明に係る熱処理装置において、前記特性値を設定する設定部をさらに備えることを特徴とする。 Further, the invention of claim 11 is characterized in that the heat treatment apparatus according to the invention of claim 10 further includes a setting unit for setting the characteristic value.

また、請求項１２の発明は、請求項９の発明に係る熱処理装置において、前記解析部は、前記フラッシュ光の照射を開始してから前記基板の表面温度が昇温を継続する時間が前記フラッシュランプのフラッシュ光照射時間と所定値以上乖離する場合には前記基板が割れていると判定することを特徴とする。 Further, the invention of claim 12 is the heat treatment apparatus according to the invention of claim 9, wherein the analysis unit starts the irradiation of the flash light, and then the time during which the surface temperature of the substrate continues to rise is the flash. When the time deviates from the flash light irradiation time of the lamp by a predetermined value or more, it is determined that the substrate is cracked.

また、請求項１３の発明は、請求項８または請求項９の発明に係る熱処理装置において、前記解析部は、前記基板よりも前に処理された基板の表面温度を測定して取得された基準温度プロファイルと前記温度プロファイルとを比較して前記基板の割れを判定することを特徴とする。 Further, the invention of claim 13 is a reference obtained by measuring the surface temperature of a substrate treated before the substrate in the heat treatment apparatus according to claim 8 or 9. It is characterized in that the cracking of the substrate is determined by comparing the temperature profile with the temperature profile.

また、請求項１４の発明は、請求項８から請求項１３のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記放射温度計は、前記基板の表面から放射された波長５μｍ以上６．５μｍ以下の赤外光の強度から前記基板の表面温度を測定することを特徴とする。 Further, the invention of claim 14 is the heat treatment apparatus according to any one of claims 8 to 13, wherein the radiation thermometer is red having a wavelength of 5 μm or more and 6.5 μm or less radiated from the surface of the substrate. It is characterized in that the surface temperature of the substrate is measured from the intensity of external light.

請求項１から請求項７の発明によれば、フラッシュ光を照射した後またはフラッシュ光の照射を開始してから所定期間の基板の表面温度を測定して取得された温度プロファイルを解析して基板の割れを検出するため、フラッシュ光照射時における基板の割れを簡易な構成にて検出することができる。 According to the inventions of claims 1 to 7, the surface temperature of the substrate is measured for a predetermined period after the irradiation of the flash light or the irradiation of the flash light is started, and the obtained temperature profile is analyzed to analyze the substrate. In order to detect cracks in the substrate, cracks in the substrate during flash light irradiation can be detected with a simple configuration.

特に、請求項２の発明によれば、フラッシュ光の照射を開始してからの温度プロファイルから基板の割れを検出しているため、フラッシュ光照射中の基板の割れをより確実に検出することができる。 In particular, according to the invention of claim 2, since the crack of the substrate is detected from the temperature profile after the irradiation of the flash light is started, the crack of the substrate during the flash light irradiation can be detected more reliably. can.

請求項８から請求項１４の発明によれば、フラッシュランプからフラッシュ光を照射した後またはフラッシュ光の照射を開始してからの所定期間に放射温度計によって測定された基板の表面温度の温度プロファイルを解析して基板の割れを検出するため、フラッシュ光照射時における基板の割れを簡易な構成にて検出することができる。 According to the inventions of claims 8 to 14, the temperature profile of the surface temperature of the substrate measured by the radiation thermometer during a predetermined period after irradiating the flash light from the flash lamp or starting the irradiation of the flash light. Is analyzed to detect cracks in the substrate, so cracks in the substrate during flash light irradiation can be detected with a simple configuration.

特に、請求項９の発明によれば、フラッシュ光の照射を開始してからの温度プロファイルから基板の割れを検出しているため、フラッシュ光照射中の基板の割れをより確実に検出することができる。 In particular, according to the invention of claim 9, since the crack of the substrate is detected from the temperature profile after the irradiation of the flash light is started, the crack of the substrate during the flash light irradiation can be detected more reliably. can.

本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows the structure of the heat treatment apparatus which concerns on this invention. 保持部の全体外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the whole appearance of a holding part. サセプタの平面図である。It is a top view of the susceptor. サセプタの断面図である。It is sectional drawing of the susceptor. 移載機構の平面図である。It is a top view of the transfer mechanism. 移載機構の側面図である。It is a side view of a transfer mechanism. 複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。It is a top view which shows the arrangement of a plurality of halogen lamps. 上部放射温度計の主要部を備える高速放射温度計ユニットの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the high-speed radiation thermometer unit which includes the main part of the upper radiation thermometer. 半導体ウェハーの処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the processing procedure of a semiconductor wafer. フラッシュ光照射時における半導体ウェハーの表面温度の温度プロファイルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the temperature profile of the surface temperature of a semiconductor wafer at the time of flash light irradiation. 温度プロファイルの平均値に基づく割れ判定を説明するための図である。It is a figure for demonstrating crack determination based on the average value of a temperature profile. 温度プロファイルの標準偏差に基づく割れ判定を説明するための図である。It is a figure for demonstrating crack determination based on the standard deviation of a temperature profile. 上部放射温度計の光軸と半導体ウェハーの主面とのなす角度が半導体ウェハーの見かけの放射率に与える影響を示す図である。It is a figure which shows the influence which the angle formed by the optical axis of the upper radiation thermometer and the main surface of a semiconductor wafer have on the apparent emissivity of a semiconductor wafer. 半導体ウェハーの昇温継続時間に基づく割れ判定を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the cracking determination based on the temperature rise duration of a semiconductor wafer.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。熱処理装置１に搬入される前の半導体ウェハーＷには不純物が注入されており、熱処理装置１による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。 <First Embodiment>
FIG. 1 is a vertical sectional view showing the configuration of the heat treatment apparatus 1 according to the present invention. The heat treatment device 1 of FIG. 1 is a flash lamp annealing device that heats a disk-shaped semiconductor wafer W as a substrate by irradiating the semiconductor wafer W with flash light. The size of the semiconductor wafer W to be processed is not particularly limited, but is, for example, φ300 mm or φ450 mm (φ300 mm in this embodiment). Impurities are injected into the semiconductor wafer W before being carried into the heat treatment apparatus 1, and the activation treatment of the impurities injected by the heat treatment by the heat treatment apparatus 1 is executed. In addition, in FIG. 1 and each subsequent drawing, the dimensions and numbers of each part are exaggerated or simplified as necessary for easy understanding.

熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。 The heat treatment apparatus 1 includes a chamber 6 for accommodating a semiconductor wafer W, a flash heating unit 5 containing a plurality of flash lamps FL, and a halogen heating unit 4 containing a plurality of halogen lamps HL. A flash heating unit 5 is provided on the upper side of the chamber 6, and a halogen heating unit 4 is provided on the lower side. Further, the heat treatment apparatus 1 includes a holding portion 7 that holds the semiconductor wafer W in a horizontal posture inside the chamber 6, a transfer mechanism 10 that transfers the semiconductor wafer W between the holding portion 7 and the outside of the apparatus. To prepare for. Further, the heat treatment apparatus 1 includes a halogen heating unit 4, a flash heating unit 5, and a control unit 3 that controls each operation mechanism provided in the chamber 6 to execute the heat treatment of the semiconductor wafer W.

チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。 The chamber 6 is configured by mounting quartz chamber windows above and below the cylindrical chamber side portion 61. The chamber side portion 61 has a substantially tubular shape with upper and lower openings, and the upper chamber window 63 is attached to the upper opening and closed, and the lower chamber window 64 is attached to the lower opening and closed. ing. The upper chamber window 63 constituting the ceiling portion of the chamber 6 is a disk-shaped member formed of quartz, and functions as a quartz window that transmits the flash light emitted from the flash heating portion 5 into the chamber 6. Further, the lower chamber window 64 constituting the floor portion of the chamber 6 is also a disk-shaped member formed of quartz, and functions as a quartz window that transmits light from the halogen heating portion 4 into the chamber 6.

また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。 Further, a reflection ring 68 is attached to the upper part of the inner wall surface of the chamber side portion 61, and a reflection ring 69 is attached to the lower part. Both the reflection rings 68 and 69 are formed in an annular shape. The upper reflective ring 68 is attached by fitting from the upper side of the chamber side portion 61. On the other hand, the lower reflective ring 69 is attached by fitting it from the lower side of the chamber side portion 61 and fastening it with a screw (not shown). That is, both the reflective rings 68 and 69 are detachably attached to the chamber side portion 61. The inner space of the chamber 6, that is, the space surrounded by the upper chamber window 63, the lower chamber window 64, the chamber side 61, and the reflection rings 68, 69 is defined as the heat treatment space 65.

チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。 By attaching the reflective rings 68 and 69 to the chamber side portion 61, a recess 62 is formed on the inner wall surface of the chamber 6. That is, a recess 62 is formed which is surrounded by the central portion of the inner wall surface of the chamber side portion 61 to which the reflection rings 68 and 69 are not attached, the lower end surface of the reflection ring 68, and the upper end surface of the reflection ring 69. .. The recess 62 is formed in an annular shape along the horizontal direction on the inner wall surface of the chamber 6 and surrounds the holding portion 7 that holds the semiconductor wafer W. The chamber side 61 and the reflective rings 68, 69 are made of a metal material (for example, stainless steel) having excellent strength and heat resistance.

また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。 Further, the chamber side portion 61 is provided with a transport opening (furnace port) 66 for loading and unloading the semiconductor wafer W into and out of the chamber 6. The transport opening 66 can be opened and closed by a gate valve 185. The transport opening 66 is communicated with the outer peripheral surface of the recess 62. Therefore, when the gate valve 185 opens the transport opening 66, the semiconductor wafer W is carried in from the transport opening 66 through the recess 62 into the heat treatment space 65 and the semiconductor wafer W is carried out from the heat treatment space 65. It can be performed. Further, when the gate valve 185 closes the transport opening 66, the heat treatment space 65 in the chamber 6 becomes a closed space.

さらに、チャンバー側部６１には、貫通孔６１ａおよび貫通孔６１ｂが穿設されている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの上面から放射された赤外光を上部放射温度計２５の赤外線センサ９１に導くための円筒状の孔である。一方、貫通孔６１ｂは、半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を下部放射温度計２０に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａおよび貫通孔６１ｂは、それらの貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、上部放射温度計２５が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化カルシウム材料からなる透明窓２６が装着されている。また、貫通孔６１ｂの熱処理空間６５に臨む側の端部には、下部放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。 Further, a through hole 61a and a through hole 61b are formed in the chamber side portion 61. The through hole 61a is a cylindrical hole for guiding the infrared light emitted from the upper surface of the semiconductor wafer W held by the susceptor 74, which will be described later, to the infrared sensor 91 of the upper radiation thermometer 25. On the other hand, the through hole 61b is a cylindrical hole for guiding the infrared light emitted from the lower surface of the semiconductor wafer W to the lower radiation thermometer 20. The through holes 61a and the through holes 61b are provided so as to be inclined with respect to the horizontal direction so that their axes in the through direction intersect the main surface of the semiconductor wafer W held by the susceptor 74. A transparent window 26 made of a calcium fluoride material that transmits infrared light in a wavelength region that can be measured by the upper radiation thermometer 25 is attached to the end of the through hole 61a on the side facing the heat treatment space 65. Further, at the end of the through hole 61b on the side facing the heat treatment space 65, a transparent window 21 made of a fluorinated barium material that transmits infrared light in a wavelength region that can be measured by the lower radiation thermometer 20 is attached. ..

また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、例えば窒素（Ｎ２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施形態では窒素ガス）。 Further, a gas supply hole 81 for supplying the processing gas to the heat treatment space 65 is formed in the upper part of the inner wall of the chamber 6. The gas supply hole 81 is formed at a position above the recess 62, and may be provided in the reflection ring 68. The gas supply hole 81 is communicated with the gas supply pipe 83 via a buffer space 82 formed in an annular shape inside the side wall of the chamber 6. The gas supply pipe 83 is connected to the processing gas supply source 85. Further, a valve 84 is inserted in the middle of the path of the gas supply pipe 83. When the valve 84 is opened, the processing gas is supplied from the processing gas supply source 85 to the buffer space 82. The processing gas that has flowed into the buffer space 82 flows so as to expand in the buffer space 82 having a smaller fluid resistance than the gas supply hole 81, and is supplied from the gas supply hole 81 into the heat treatment space 65. As the treatment gas, for example, an inert gas such as nitrogen (N 2 ), a reactive gas such as hydrogen (H 2 ) or ammonia (NH 3 ), or a mixed gas in which they are mixed can be used (this). Nitrogen gas in the embodiment).

一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気部１９０は、熱処理装置１に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１が設置される工場のユーティリティであっても良い。 On the other hand, a gas exhaust hole 86 for exhausting the gas in the heat treatment space 65 is formed in the lower part of the inner wall of the chamber 6. The gas exhaust hole 86 is formed at a position below the recess 62, and may be provided in the reflection ring 69. The gas exhaust hole 86 is communicated with the gas exhaust pipe 88 via a buffer space 87 formed in an annular shape inside the side wall of the chamber 6. The gas exhaust pipe 88 is connected to the exhaust unit 190. Further, a valve 89 is inserted in the middle of the path of the gas exhaust pipe 88. When the valve 89 is opened, the gas in the heat treatment space 65 is discharged from the gas exhaust hole 86 to the gas exhaust pipe 88 via the buffer space 87. A plurality of gas supply holes 81 and gas exhaust holes 86 may be provided along the circumferential direction of the chamber 6, or may be slit-shaped. Further, the processing gas supply source 85 and the exhaust unit 190 may be a mechanism provided in the heat treatment device 1 or may be a utility of a factory in which the heat treatment device 1 is installed.

また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。 Further, a gas exhaust pipe 191 for discharging the gas in the heat treatment space 65 is also connected to the tip of the transport opening 66. The gas exhaust pipe 191 is connected to the exhaust unit 190 via a valve 192. By opening the valve 192, the gas in the chamber 6 is exhausted through the transport opening 66.

図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。 FIG. 2 is a perspective view showing the overall appearance of the holding portion 7. The holding portion 7 includes a base ring 71, a connecting portion 72, and a susceptor 74. The base ring 71, the connecting portion 72 and the susceptor 74 are all made of quartz. That is, the entire holding portion 7 is made of quartz.

基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。 The base ring 71 is an arc-shaped quartz member in which a part is missing from the annular shape. This missing portion is provided to prevent interference between the transfer arm 11 of the transfer mechanism 10 described later and the base ring 71. By placing the base ring 71 on the bottom surface of the recess 62, the base ring 71 is supported on the wall surface of the chamber 6 (see FIG. 1). A plurality of connecting portions 72 (four in this embodiment) are erected on the upper surface of the base ring 71 along the circumferential direction of the annular shape. The connecting portion 72 is also a quartz member and is fixed to the base ring 71 by welding.

サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。 The susceptor 74 is supported by four connecting portions 72 provided on the base ring 71. FIG. 3 is a plan view of the susceptor 74. Further, FIG. 4 is a cross-sectional view of the susceptor 74. The susceptor 74 includes a holding plate 75, a guide ring 76 and a plurality of substrate support pins 77. The holding plate 75 is a substantially circular flat plate-shaped member made of quartz. The diameter of the holding plate 75 is larger than the diameter of the semiconductor wafer W. That is, the holding plate 75 has a larger planar size than the semiconductor wafer W.

保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。 A guide ring 76 is installed on the upper peripheral edge of the holding plate 75. The guide ring 76 is an annular member having an inner diameter larger than the diameter of the semiconductor wafer W. For example, when the diameter of the semiconductor wafer W is φ300 mm, the inner diameter of the guide ring 76 is φ320 mm. The inner circumference of the guide ring 76 is a tapered surface that widens upward from the holding plate 75. The guide ring 76 is made of quartz similar to the holding plate 75. The guide ring 76 may be welded to the upper surface of the holding plate 75, or may be fixed to the holding plate 75 by a separately processed pin or the like. Alternatively, the holding plate 75 and the guide ring 76 may be processed as an integral member.

保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ～φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。 A region of the upper surface of the holding plate 75 inside the guide ring 76 is a planar holding surface 75a for holding the semiconductor wafer W. A plurality of substrate support pins 77 are erected on the holding surface 75a of the holding plate 75. In the present embodiment, a total of 12 substrate support pins 77 are erected at every 30 ° along the circumference of the outer peripheral circle (inner peripheral circle of the guide ring 76) of the holding surface 75a and the concentric circle. The diameter of the circle in which the 12 substrate support pins 77 are arranged (distance between the opposing substrate support pins 77) is smaller than the diameter of the semiconductor wafer W, and if the diameter of the semiconductor wafer W is φ300 mm, the diameter is φ270 mm to φ280 mm (this implementation). In the form, it is φ270 mm). Each substrate support pin 77 is made of quartz. The plurality of substrate support pins 77 may be provided on the upper surface of the holding plate 75 by welding, or may be processed integrally with the holding plate 75.

図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。 Returning to FIG. 2, the four connecting portions 72 erected on the base ring 71 and the peripheral edge portion of the holding plate 75 of the susceptor 74 are fixed by welding. That is, the susceptor 74 and the base ring 71 are fixedly connected by the connecting portion 72. The holding portion 7 is mounted on the chamber 6 by supporting the base ring 71 of the holding portion 7 on the wall surface of the chamber 6. When the holding portion 7 is mounted on the chamber 6, the holding plate 75 of the susceptor 74 is in a horizontal posture (a posture in which the normal line coincides with the vertical direction). That is, the holding surface 75a of the holding plate 75 is a horizontal plane.

チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。 The semiconductor wafer W carried into the chamber 6 is placed and held in a horizontal posture on the susceptor 74 of the holding portion 7 mounted on the chamber 6. At this time, the semiconductor wafer W is supported by the twelve substrate support pins 77 erected on the holding plate 75 and held by the susceptor 74. More precisely, the upper ends of the 12 substrate support pins 77 come into contact with the lower surface of the semiconductor wafer W to support the semiconductor wafer W. Since the heights of the 12 substrate support pins 77 (distance from the upper end of the substrate support pins 77 to the holding surface 75a of the holding plate 75) are uniform, the semiconductor wafer W is placed in a horizontal position by the 12 substrate support pins 77. Can be supported.

また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。 Further, the semiconductor wafer W is supported by a plurality of substrate support pins 77 from the holding surface 75a of the holding plate 75 at a predetermined interval. The thickness of the guide ring 76 is larger than the height of the board support pin 77. Therefore, the horizontal misalignment of the semiconductor wafer W supported by the plurality of substrate support pins 77 is prevented by the guide ring 76.

また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、下部放射温度計２０が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、下部放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー側部６１の貫通孔６１ｂに装着された透明窓２１を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。 Further, as shown in FIGS. 2 and 3, the holding plate 75 of the susceptor 74 is formed with an opening 78 that penetrates vertically. The opening 78 is provided for the lower radiation thermometer 20 to receive synchrotron radiation (infrared light) radiated from the lower surface of the semiconductor wafer W. That is, the lower radiation thermometer 20 receives the light radiated from the lower surface of the semiconductor wafer W through the transparent window 21 mounted in the opening 78 and the through hole 61b of the chamber side portion 61, and the temperature of the semiconductor wafer W. To measure. Further, the holding plate 75 of the susceptor 74 is provided with four through holes 79 through which the lift pin 12 of the transfer mechanism 10 described later penetrates for the transfer of the semiconductor wafer W.

図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。 FIG. 5 is a plan view of the transfer mechanism 10. Further, FIG. 6 is a side view of the transfer mechanism 10. The transfer mechanism 10 includes two transfer arms 11. The transfer arm 11 has an arc shape that generally follows the annular recess 62. Two lift pins 12 are erected on each transfer arm 11. The transfer arm 11 and the lift pin 12 are made of quartz. Each transfer arm 11 is rotatable by a horizontal movement mechanism 13. The horizontal movement mechanism 13 has a transfer operation position (solid line position in FIG. 5) for transferring the semiconductor wafer W to the holding portion 7 and the semiconductor wafer W held by the holding portion 7. It is horizontally moved to and from the retracted position (the two-point chain line position in FIG. 5) that does not overlap in a plan view. The horizontal movement mechanism 13 may be one in which each transfer arm 11 is rotated by an individual motor, or a pair of transfer arms 11 are interlocked and rotated by one motor using a link mechanism. It may be something to move.

また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。 Further, the pair of transfer arms 11 are moved up and down together with the horizontal movement mechanism 13 by the elevating mechanism 14. When the elevating mechanism 14 raises the pair of transfer arms 11 at the transfer operation position, a total of four lift pins 12 pass through the through holes 79 (see FIGS. 2 and 3) drilled in the susceptor 74, and the lift pins The upper end of 12 protrudes from the upper surface of the susceptor 74. On the other hand, when the elevating mechanism 14 lowers the pair of transfer arms 11 at the transfer operation position, the lift pin 12 is pulled out from the through hole 79, and the horizontal movement mechanism 13 moves the pair of transfer arms 11 so as to open each. The transfer arm 11 moves to the retracted position. The retracted position of the pair of transfer arms 11 is directly above the base ring 71 of the holding portion 7. Since the base ring 71 is placed on the bottom surface of the recess 62, the retracted position of the transfer arm 11 is inside the recess 62. An exhaust mechanism (not shown) is also provided in the vicinity of the portion where the drive unit (horizontal movement mechanism 13 and elevating mechanism 14) of the transfer mechanism 10 is provided, and the atmosphere around the drive unit of the transfer mechanism 10 is provided. Is configured to be discharged to the outside of the chamber 6.

図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。 Returning to FIG. 1, the flash heating unit 5 provided above the chamber 6 has a light source composed of a plurality of (30 in this embodiment) xenon flash lamp FL inside the housing 51, and above the light source. It is configured to include a reflector 52 provided so as to cover the above. Further, a lamp light radiating window 53 is attached to the bottom of the housing 51 of the flash heating unit 5. The lamp light radiating window 53 constituting the floor portion of the flash heating unit 5 is a plate-shaped quartz window made of quartz. By installing the flash heating unit 5 above the chamber 6, the lamp light emitting window 53 faces the upper chamber window 63. The flash lamp FL irradiates the heat treatment space 65 with flash light from above the chamber 6 through the lamp light emitting window 53 and the upper chamber window 63.

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。 The plurality of flash lamps FL are rod-shaped lamps, each having a long cylindrical shape, and their respective longitudinal directions are along the main surface of the semiconductor wafer W held by the holding portion 7 (that is, along the horizontal direction). They are arranged in a plane so that they are parallel to each other. Therefore, the plane formed by the arrangement of the flash lamp FL is also a horizontal plane.

キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。 The xenon flash lamp FL is provided on a rod-shaped glass tube (discharge tube) in which xenon gas is sealed inside and an anode and a cathode connected to a condenser are arranged at both ends thereof, and on the outer peripheral surface of the glass tube. It is equipped with a cathode electrode. Since xenon gas is electrically an insulator, electricity does not flow in the glass tube under normal conditions even if electric charges are accumulated in the condenser. However, when a high voltage is applied to the trigger electrode to break the insulation, the electricity stored in the capacitor instantly flows into the glass tube, and the light is emitted by the excitation of the xenon atom or molecule at that time. In such a xenon flash lamp FL, the electrostatic energy stored in the capacitor in advance is converted into an extremely short optical pulse of 0.1 millisecond to 100 millisecond, so that the halogen lamp HL is continuously lit. It has the feature that it can irradiate extremely strong light compared to a light source. That is, the flash lamp FL is a pulsed light emitting lamp that instantaneously emits light in an extremely short time of less than 1 second. The light emission time of the flash lamp FL can be adjusted by the coil constant of the lamp power supply that supplies power to the flash lamp FL.

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。 Further, the reflector 52 is provided above the plurality of flash lamps FL so as to cover all of them. The basic function of the reflector 52 is to reflect the flash light emitted from the plurality of flash lamps FL toward the heat treatment space 65. The reflector 52 is made of an aluminum alloy plate, and its surface (the surface facing the flash lamp FL) is roughened by blasting.

チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する光照射部である。 The halogen heating unit 4 provided below the chamber 6 contains a plurality of halogen lamps HL (40 in this embodiment) inside the housing 41. The halogen heating unit 4 is a light irradiation unit that heats the semiconductor wafer W by irradiating the heat treatment space 65 with light from below the chamber 6 through the lower chamber window 64 by a plurality of halogen lamps HL.

図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。 FIG. 7 is a plan view showing the arrangement of a plurality of halogen lamps HL. The 40 halogen lamps HL are arranged in two upper and lower stages. Twenty halogen lamps HL are arranged in the upper stage near the holding portion 7, and 20 halogen lamp HLs are also arranged in the lower stage farther from the holding portion 7 than in the upper stage. Each halogen lamp HL is a rod-shaped lamp having a long cylindrical shape. The 20 halogen lamps HL in both the upper and lower stages are arranged so that their longitudinal directions are parallel to each other along the main surface of the semiconductor wafer W held by the holding portion 7 (that is, along the horizontal direction). There is. Therefore, the plane formed by the arrangement of the halogen lamps HL in both the upper and lower stages is a horizontal plane.

また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。 Further, as shown in FIG. 7, the arrangement density of the halogen lamp HL in the region facing the peripheral edge portion is higher than the region facing the central portion of the semiconductor wafer W held by the holding portion 7 in both the upper and lower stages. There is. That is, in both the upper and lower stages, the arrangement pitch of the halogen lamp HL is shorter in the peripheral portion than in the central portion of the lamp arrangement. Therefore, it is possible to irradiate a peripheral portion of the semiconductor wafer W, which tends to have a temperature drop during heating by light irradiation from the halogen heating unit 4, with a larger amount of light.

また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。 Further, the lamp group consisting of the halogen lamp HL in the upper stage and the lamp group consisting of the halogen lamp HL in the lower stage are arranged so as to intersect in a grid pattern. That is, a total of 40 halogen lamps HL are arranged so that the longitudinal direction of the 20 halogen lamps HL arranged in the upper stage and the longitudinal direction of the 20 halogen lamps HL arranged in the lower stage are orthogonal to each other. There is.

ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。 The halogen lamp HL is a filament type light source that incandescentizes the filament and emits light by energizing the filament arranged inside the glass tube. Inside the glass tube, a gas in which a trace amount of a halogen element (iodine, bromine, etc.) is introduced into an inert gas such as nitrogen or argon is enclosed. By introducing the halogen element, it becomes possible to set the temperature of the filament to a high temperature while suppressing the breakage of the filament. Therefore, the halogen lamp HL has a characteristic that it has a longer life than a normal incandescent lamp and can continuously irradiate strong light. That is, the halogen lamp HL is a continuously lit lamp that continuously emits light for at least 1 second or longer. Further, since the halogen lamp HL is a rod-shaped lamp, it has a long life, and by arranging the halogen lamp HL along the horizontal direction, the radiation efficiency to the upper semiconductor wafer W becomes excellent.

また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。 Further, a reflector 43 is also provided under the two-stage halogen lamp HL in the housing 41 of the halogen heating unit 4 (FIG. 1). The reflector 43 reflects the light emitted from the plurality of halogen lamps HL toward the heat treatment space 65.

制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。 The control unit 3 controls the various operation mechanisms provided in the heat treatment apparatus 1. The configuration of the control unit 3 as hardware is the same as that of a general computer. That is, the control unit 3 includes a CPU, which is a circuit that performs various arithmetic processes, a ROM, which is a read-only memory for storing basic programs, a RAM, which is a read / write memory for storing various information, and control software and data. It has a magnetic disk to store. When the CPU of the control unit 3 executes a predetermined processing program, the processing in the heat treatment apparatus 1 proceeds.

また、図１に示すように熱処理装置１は、上部放射温度計２５および下部放射温度計２０を備える。上部放射温度計２５は、フラッシュランプＦＬからフラッシュ光が照射された瞬間の半導体ウェハーＷの上面の急激な温度変化を測定するための高速放射温度計である。 Further, as shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 1 includes an upper radiation thermometer 25 and a lower radiation thermometer 20. The upper radiation thermometer 25 is a high-speed radiation thermometer for measuring a sudden temperature change on the upper surface of the semiconductor wafer W at the moment when the flash light is irradiated from the flash lamp FL.

図８は、上部放射温度計２５の主要部を含む高速放射温度計ユニット９０の構成を示すブロック図である。上部放射温度計２５の赤外線センサ９１は、その光軸が貫通孔６１ａの貫通方向の軸と一致するように、チャンバー側部６１の外壁面に装着されている。赤外線センサ９１は、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの上面から放射された赤外光をフッ化カルシウムの透明窓２６を介して受光する。赤外線センサ９１は、ＩｎＳｂ（インジウムアンチモン）の光学素子を備えており、その測定波長域は５μｍ～６．５μｍである。フッ化カルシウムの透明窓２６は赤外線センサ９１の測定波長域の赤外光を選択的に透過する。ＩｎＳｂ光学素子は、受光した赤外光の強度に応じて抵抗が変化する。ＩｎＳｂ光学素子を備えた赤外線センサ９１は、応答時間が極めて短くサンプリング間隔が顕著に短時間（例えば、約４０マイクロセカンド）の高速測定が可能である。赤外線センサ９１は高速放射温度計ユニット９０と電気的に接続されており、受光に応答して生じた信号を高速放射温度計ユニット９０に伝達する。 FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a high-speed radiation thermometer unit 90 including a main part of the upper radiation thermometer 25. The infrared sensor 91 of the upper radiation thermometer 25 is mounted on the outer wall surface of the chamber side portion 61 so that its optical axis coincides with the axis in the penetrating direction of the through hole 61a. The infrared sensor 91 receives infrared light radiated from the upper surface of the semiconductor wafer W held by the susceptor 74 through the transparent window 26 of calcium fluoride. The infrared sensor 91 includes an InSb (indium antimonide) optical element, and its measurement wavelength range is 5 μm to 6.5 μm. The transparent window 26 of calcium fluoride selectively transmits infrared light in the measurement wavelength range of the infrared sensor 91. The resistance of the InSb optical element changes according to the intensity of the received infrared light. The infrared sensor 91 provided with the InSb optical element is capable of high-speed measurement with an extremely short response time and a significantly short sampling interval (for example, about 40 microseconds). The infrared sensor 91 is electrically connected to the high-speed radiation thermometer unit 90, and transmits a signal generated in response to light reception to the high-speed radiation thermometer unit 90.

高速放射温度計ユニット９０は、信号変換回路９２、増幅回路９３、Ａ／Ｄコンバータ９４、温度変換部９５、特性値算定部９６および記憶部９７を備える。信号変換回路９２は、赤外線センサ９１のＩｎＳｂ光学素子にて発生した抵抗変化を電流変化、電圧変化の順に信号変換を行い、最終的に取り扱いの容易な電圧の信号に変換して出力する回路である。信号変換回路９２は、例えばオペアンプを用いて構成される。増幅回路９３は、信号変換回路９２から出力された電圧信号を増幅してＡ／Ｄコンバータ９４に出力する。Ａ／Ｄコンバータ９４は、増幅回路９３によって増幅された電圧信号をデジタル信号に変換する。 The high-speed radiation thermometer unit 90 includes a signal conversion circuit 92, an amplifier circuit 93, an A / D converter 94, a temperature conversion unit 95, a characteristic value calculation unit 96, and a storage unit 97. The signal conversion circuit 92 is a circuit that converts the resistance change generated in the InSb optical element of the infrared sensor 91 into a signal in the order of current change and voltage change, and finally converts it into a signal having a voltage that is easy to handle and outputs it. be. The signal conversion circuit 92 is configured by using, for example, an operational amplifier. The amplifier circuit 93 amplifies the voltage signal output from the signal conversion circuit 92 and outputs it to the A / D converter 94. The A / D converter 94 converts the voltage signal amplified by the amplifier circuit 93 into a digital signal.

温度変換部９５および特性値算定部９６は、高速放射温度計ユニット９０のＣＰＵ（図示省略）が所定の処理プログラムを実行することによって実現される機能処理部である。温度変換部９５は、Ａ／Ｄコンバータ９４から出力された信号、つまり赤外線センサ９１が受光した赤外光の強度を示す信号に所定の演算処理を行って温度に変換する。温度変換部９５によって求められた温度が半導体ウェハーＷの上面の温度である。なお、赤外線センサ９１、信号変換回路９２、増幅回路９３、Ａ／Ｄコンバータ９４、および、温度変換部９５によって上部放射温度計２５が構成される。下部放射温度計２０も、上部放射温度計２５と概ね同様の構成を備えるが、高速測定に対応していなくても良い。 The temperature conversion unit 95 and the characteristic value calculation unit 96 are functional processing units realized by the CPU (not shown) of the high-speed radiation thermometer unit 90 executing a predetermined processing program. The temperature conversion unit 95 performs predetermined arithmetic processing on the signal output from the A / D converter 94, that is, the signal indicating the intensity of the infrared light received by the infrared sensor 91, and converts it into temperature. The temperature obtained by the temperature conversion unit 95 is the temperature of the upper surface of the semiconductor wafer W. The infrared sensor 91, the signal conversion circuit 92, the amplifier circuit 93, the A / D converter 94, and the temperature conversion unit 95 constitute the upper radiation thermometer 25. The lower radiation thermometer 20 has substantially the same configuration as the upper radiation thermometer 25, but does not have to support high-speed measurement.

また、温度変換部９５は、取得した温度データを記憶部９７に格納する。記憶部９７としては、磁気ディスクやメモリ等の公知の記憶媒体を用いることができる。一定間隔でサンプリングした温度データを温度変換部９５が順次に記憶部９７に蓄積することによって、半導体ウェハーＷの上面の温度の時間変化を示す温度プロファイルが取得される。 Further, the temperature conversion unit 95 stores the acquired temperature data in the storage unit 97. As the storage unit 97, a known storage medium such as a magnetic disk or a memory can be used. By sequentially accumulating the temperature data sampled at regular intervals in the storage unit 97 by the temperature conversion unit 95, a temperature profile showing the time change of the temperature of the upper surface of the semiconductor wafer W is acquired.

図８に示すように、高速放射温度計ユニット９０は熱処理装置１全体のコントローラである制御部３と電気的に接続されている。制御部３は、割れ判定部３１を備える。割れ判定部３１は、制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって実現される機能処理部である。高速放射温度計ユニット９０の特性値算定部９６および制御部３の割れ判定部３１の処理内容についてはさらに後述する。 As shown in FIG. 8, the high-speed radiation thermometer unit 90 is electrically connected to the control unit 3 which is the controller of the entire heat treatment apparatus 1. The control unit 3 includes a crack determination unit 31. The crack determination unit 31 is a functional processing unit realized by the CPU of the control unit 3 executing a predetermined processing program. The processing contents of the characteristic value calculation unit 96 of the high-speed radiation thermometer unit 90 and the crack determination unit 31 of the control unit 3 will be further described later.

また、制御部３には表示部３２および入力部３３が接続されている。制御部３は、表示部３２に種々の情報を表示する。入力部３３は、熱処理装置１のオペレータが制御部３に種々のコマンドやパラメータを入力するための機器である。オペレータは入力部３３から半導体ウェハーＷの処理条件を記述した処理レシピの条件設定を行うこともできる。表示部３２および入力部３３としては、例えば、熱処理装置１の外壁に設けられた液晶のタッチパネルを採用することができる。 Further, a display unit 32 and an input unit 33 are connected to the control unit 3. The control unit 3 displays various information on the display unit 32. The input unit 33 is a device for the operator of the heat treatment apparatus 1 to input various commands and parameters to the control unit 3. The operator can also set the conditions of the processing recipe that describes the processing conditions of the semiconductor wafer W from the input unit 33. As the display unit 32 and the input unit 33, for example, a liquid crystal touch panel provided on the outer wall of the heat treatment apparatus 1 can be adopted.

上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。 In addition to the above configuration, the heat treatment apparatus 1 prevents an excessive temperature rise of the halogen heating unit 4, the flash heating unit 5, and the chamber 6 due to the heat energy generated from the halogen lamp HL and the flash lamp FL during the heat treatment of the semiconductor wafer W. Therefore, it has various cooling structures. For example, a water cooling pipe (not shown) is provided on the wall of the chamber 6. Further, the halogen heating unit 4 and the flash heating unit 5 have an air-cooled structure in which a gas flow is formed inside to exhaust heat. In addition, air is also supplied to the gap between the upper chamber window 63 and the lamp light radiating window 53 to cool the flash heating unit 5 and the upper chamber window 63.

次に、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。図９は、半導体ウェハーＷの処理手順を示すフローチャートである。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物（イオン）が添加された半導体基板である。その不純物の活性化が熱処理装置１によるフラッシュ光照射加熱処理（アニール）により実行される。以下に説明する熱処理装置１の処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。 Next, the processing procedure of the semiconductor wafer W in the heat treatment apparatus 1 will be described. FIG. 9 is a flowchart showing a processing procedure of the semiconductor wafer W. Here, the semiconductor wafer W to be processed is a semiconductor substrate to which impurities (ions) have been added by the ion implantation method. The activation of the impurities is executed by the flash light irradiation heat treatment (annealing) by the heat treatment apparatus 1. The processing procedure of the heat treatment apparatus 1 described below proceeds by the control unit 3 controlling each operation mechanism of the heat treatment apparatus 1.

まず、給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９，１９２が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。 First, the valve 84 for air supply is opened, and the valves 89 and 192 for exhaust are opened to start air supply and exhaust to the inside of the chamber 6. When the valve 84 is opened, nitrogen gas is supplied to the heat treatment space 65 from the gas supply hole 81. Further, when the valve 89 is opened, the gas in the chamber 6 is exhausted from the gas exhaust hole 86. As a result, the nitrogen gas supplied from the upper part of the heat treatment space 65 in the chamber 6 flows downward and is exhausted from the lower part of the heat treatment space 65.

また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。 Further, when the valve 192 is opened, the gas in the chamber 6 is exhausted from the transport opening 66 as well. Further, the atmosphere around the drive unit of the transfer mechanism 10 is also exhausted by the exhaust mechanism (not shown). During the heat treatment of the semiconductor wafer W in the heat treatment apparatus 1, nitrogen gas is continuously supplied to the heat treatment space 65, and the supply amount thereof is appropriately changed according to the processing step.

続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される（ステップＳ１）。このときには、半導体ウェハーＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー６には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。 Subsequently, the gate valve 185 is opened, the transfer opening 66 is opened, and the semiconductor wafer W to be processed is carried into the heat treatment space 65 in the chamber 6 via the transfer opening 66 by the transfer robot outside the apparatus. Step S1). At this time, there is a possibility that the atmosphere outside the apparatus may be entrained with the loading of the semiconductor wafer W, but since the nitrogen gas continues to be supplied to the chamber 6, the nitrogen gas flows out from the transport opening 66, and such a situation occurs. It is possible to minimize the entrainment of the external atmosphere.

搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。 The semiconductor wafer W carried in by the transfer robot advances to a position directly above the holding portion 7 and stops. Then, the pair of transfer arms 11 of the transfer mechanism 10 move horizontally from the retracted position to the transfer operation position and rise, so that the lift pin 12 protrudes from the upper surface of the holding plate 75 of the susceptor 74 through the through hole 79. And receive the semiconductor wafer W. At this time, the lift pin 12 rises above the upper end of the substrate support pin 77.

半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。 After the semiconductor wafer W is placed on the lift pin 12, the transfer robot exits the heat treatment space 65, and the transfer opening 66 is closed by the gate valve 185. Then, as the pair of transfer arms 11 descend, the semiconductor wafer W is transferred from the transfer mechanism 10 to the susceptor 74 of the holding portion 7 and held in a horizontal posture from below. The semiconductor wafer W is supported by a plurality of substrate support pins 77 erected on the holding plate 75 and held by the susceptor 74. Further, the semiconductor wafer W is held in the holding portion 7 with the surface on which the pattern is formed and the impurities are injected as the upper surface. A predetermined distance is formed between the back surface of the semiconductor wafer W supported by the plurality of substrate support pins 77 (the main surface opposite to the front surface) and the holding surface 75a of the holding plate 75. The pair of transfer arms 11 descending to the lower part of the susceptor 74 are retracted to the retracted position, that is, inside the recess 62 by the horizontal moving mechanism 13.

半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される（ステップＳ２）。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。 After the semiconductor wafer W is held from below in a horizontal position by the susceptor 74 of the holding portion 7 made of quartz, the 40 halogen lamps HL of the halogen heating portion 4 are turned on all at once for preheating (assist heating). ) Is started (step S2). The halogen light emitted from the halogen lamp HL passes through the lower chamber window 64 and the susceptor 74 made of quartz and irradiates the lower surface of the semiconductor wafer W. By receiving the light irradiation from the halogen lamp HL, the semiconductor wafer W is preheated and the temperature rises. Since the transfer arm 11 of the transfer mechanism 10 is retracted inside the recess 62, it does not interfere with heating by the halogen lamp HL.

ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が下部放射温度計２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を透明窓２１を通して下部放射温度計２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、下部放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。このように、下部放射温度計２０は、予備加熱時における半導体ウェハーＷの温度制御のための放射温度計である。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし８００℃程度、好ましくは３５０℃ないし６００℃程度とされる（本実施の形態では６００℃）。 When preheating with the halogen lamp HL, the temperature of the semiconductor wafer W is measured by the lower radiation thermometer 20. That is, the lower radiation thermometer 20 receives infrared light radiated from the lower surface of the semiconductor wafer W held by the susceptor 74 through the opening 78 through the transparent window 21 and measures the wafer temperature during temperature rise. The measured temperature of the semiconductor wafer W is transmitted to the control unit 3. The control unit 3 controls the output of the halogen lamp HL while monitoring whether or not the temperature of the semiconductor wafer W, which is raised by the light irradiation from the halogen lamp HL, has reached a predetermined preheating temperature T1. That is, the control unit 3 feedback-controls the output of the halogen lamp HL so that the temperature of the semiconductor wafer W becomes the preheating temperature T1 based on the measured value by the lower radiation thermometer 20. As described above, the lower radiation thermometer 20 is a radiation thermometer for controlling the temperature of the semiconductor wafer W at the time of preheating. The preheating temperature T1 is set to about 200 ° C. to 800 ° C., preferably about 350 ° C. to 600 ° C., preferably about 350 ° C. to 600 ° C., where impurities added to the semiconductor wafer W do not diffuse due to heat (600 ° C. in the present embodiment). ..

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、下部放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。 After the temperature of the semiconductor wafer W reaches the preheating temperature T1, the control unit 3 maintains the semiconductor wafer W at the preheating temperature T1 for a while. Specifically, when the temperature of the semiconductor wafer W measured by the lower radiation thermometer 20 reaches the preheating temperature T1, the control unit 3 adjusts the output of the halogen lamp HL to substantially adjust the temperature of the semiconductor wafer W. The preheating temperature is maintained at T1.

このようなハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うことによって、半導体ウェハーＷの全体を予備加熱温度Ｔ１に均一に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。 By performing preheating with such a halogen lamp HL, the entire semiconductor wafer W is uniformly heated to the preheating temperature T1. At the stage of preheating by the halogen lamp HL, the temperature of the peripheral portion of the semiconductor wafer W, which is more likely to dissipate heat, tends to be lower than that of the central portion. The region facing the peripheral portion is higher than the region facing the central portion of the semiconductor wafer W. Therefore, the amount of light irradiated to the peripheral portion of the semiconductor wafer W where heat dissipation is likely to occur increases, and the in-plane temperature distribution of the semiconductor wafer W in the preheating stage can be made uniform.

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射を行う直前に上部放射温度計２５による半導体ウェハーＷの表面温度の測定を開始する（ステップＳ３）。加熱される半導体ウェハーＷの表面からはその温度に応じた強度の赤外光が放射されている。半導体ウェハーＷの表面から放射された赤外光は透明窓２６を透過して上部放射温度計２５の赤外線センサ９１によって受光される。 After the temperature of the semiconductor wafer W reaches the preheating temperature T1, the measurement of the surface temperature of the semiconductor wafer W by the upper radiation thermometer 25 is started immediately before the flash light irradiation from the flash lamp FL is performed (step S3). Infrared light having an intensity corresponding to the temperature is emitted from the surface of the semiconductor wafer W to be heated. The infrared light emitted from the surface of the semiconductor wafer W passes through the transparent window 26 and is received by the infrared sensor 91 of the upper radiation thermometer 25.

赤外線センサ９１のＩｎＳｂ光学素子には、受光した赤外光の強度に応じた抵抗変化が発生する。赤外線センサ９１のＩｎＳｂ光学素子に生じた抵抗変化は信号変換回路９２によって電圧信号に変換される。信号変換回路９２から出力された電圧信号は、増幅回路９３によって増幅された後、Ａ／Ｄコンバータ９４によってコンピュータが取り扱うのに適したデジタル信号に変換される。そして、Ａ／Ｄコンバータ９４から出力された信号に温度変換部９５が所定の演算処理を施して温度データに変換する。すなわち、上部放射温度計２５は、加熱される半導体ウェハーＷの表面から放射された赤外光を受光し、その赤外光の強度から半導体ウェハーＷの表面温度を測定するのである。 In the InSb optical element of the infrared sensor 91, a resistance change occurs according to the intensity of the received infrared light. The resistance change generated in the InSb optical element of the infrared sensor 91 is converted into a voltage signal by the signal conversion circuit 92. The voltage signal output from the signal conversion circuit 92 is amplified by the amplifier circuit 93 and then converted into a digital signal suitable for handling by a computer by the A / D converter 94. Then, the temperature conversion unit 95 performs a predetermined arithmetic process on the signal output from the A / D converter 94 and converts it into temperature data. That is, the upper radiation thermometer 25 receives infrared light radiated from the surface of the semiconductor wafer W to be heated, and measures the surface temperature of the semiconductor wafer W from the intensity of the infrared light.

本実施形態においては、上部放射温度計２５がＩｎＳｂ光学素子を用いた高速放射温度計であり、上部放射温度計２５は４０マイクロセカンドの極めて短いサンプリング間隔にて半導体ウェハーＷの表面温度を測定する。そして、上部放射温度計２５は、一定間隔で測定した半導体ウェハーＷの表面温度のデータを順次に記憶部９７に蓄積する。 In the present embodiment, the upper radiation thermometer 25 is a high-speed radiation thermometer using an InSb optical element, and the upper radiation thermometer 25 measures the surface temperature of the semiconductor wafer W at an extremely short sampling interval of 40 microseconds. .. Then, the upper radiation thermometer 25 sequentially stores the data of the surface temperature of the semiconductor wafer W measured at regular intervals in the storage unit 97.

半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点にてフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う（ステップＳ４）。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。 When the temperature of the semiconductor wafer W reaches the preheating temperature T1 and a predetermined time elapses, the flash lamp FL of the flash heating unit 5 irradiates the surface of the semiconductor wafer W held by the susceptor 74 with flash light (step). S4). At this time, a part of the flash light radiated from the flash lamp FL goes directly into the chamber 6, and a part of the other part is once reflected by the reflector 52 and then goes into the chamber 6, and these flash lights The semiconductor wafer W is flash-heated by irradiation.

フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。 Since the flash heating is performed by irradiating the flash light (flash) from the flash lamp FL, the surface temperature of the semiconductor wafer W can be raised in a short time. That is, the flash light emitted from the flash lamp FL has an extremely short irradiation time of 0.1 millisecond or more and 100 millisecond or less, in which the electrostatic energy stored in the capacitor in advance is converted into an extremely short optical pulse. It is a strong flash. Then, the surface temperature of the semiconductor wafer W flash-heated by the flash light irradiation from the flash lamp FL momentarily rises to the processing temperature T2 of 1000 ° C. or higher, and the impurities injected into the semiconductor wafer W are activated. After that, the surface temperature drops rapidly. As described above, in the heat treatment apparatus 1, the surface temperature of the semiconductor wafer W can be raised or lowered in an extremely short time, so that the impurities are activated while suppressing the diffusion of the impurities injected into the semiconductor wafer W due to the heat. Can be done. Since the time required for the activation of impurities is extremely short compared to the time required for the thermal diffusion, the activation can be performed even for a short time in which diffusion of about 0.1 msecond to 100 msecond does not occur. Complete.

フラッシュ加熱によって半導体ウェハーＷの表面温度が急速に上昇して下降するときにも、その表面温度は上部放射温度計２５によって測定されている。上部放射温度計２５は４０マイクロセカンドの極めて短いサンプリング間隔にて半導体ウェハーＷの表面温度を測定するため、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷの表面温度が急激に変化しても、その変化に追随することが可能である。例えば、半導体ウェハーＷの表面温度が４ミリセカンドで昇降温したとしても、上部放射温度計２５はその間に１００点の温度データを取得することができる。上部放射温度計２５は、フラッシュランプＦＬがフラッシュ光を照射してから予め設定された所定期間（例えば、１２０ミリセカンド）の間、半導体ウェハーＷの表面温度を測定して温度データを取得する。そして、上部放射温度計２５は、取得した半導体ウェハーＷの表面温度のデータを順次に記憶部９７に蓄積する。これにより、フラッシュ光照射時における、半導体ウェハーＷの表面温度の温度プロファイルが作成されることとなる（ステップＳ５）。 Even when the surface temperature of the semiconductor wafer W rapidly rises and falls due to flash heating, the surface temperature is measured by the upper radiation thermometer 25. Since the upper radiation thermometer 25 measures the surface temperature of the semiconductor wafer W at an extremely short sampling interval of 40 microseconds, even if the surface temperature of the semiconductor wafer W suddenly changes during flash light irradiation, it follows the change. It is possible. For example, even if the surface temperature of the semiconductor wafer W rises and falls in the fourth millisecond, the upper radiation thermometer 25 can acquire temperature data of 100 points during that period. The upper radiation thermometer 25 measures the surface temperature of the semiconductor wafer W for a predetermined period (for example, 120 millisecond) after the flash lamp FL irradiates the flash light, and acquires temperature data. Then, the upper radiation thermometer 25 sequentially stores the acquired surface temperature data of the semiconductor wafer W in the storage unit 97. As a result, a temperature profile of the surface temperature of the semiconductor wafer W at the time of flash light irradiation is created (step S5).

図１０は、フラッシュ光照射時における半導体ウェハーＷの表面温度の温度プロファイルの一例を示す図である。図１０に示すのは、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷが割れることなく、正常にフラッシュ加熱処理が行われた場合の温度プロファイル例である。時刻ｔ０にフラッシュランプＦＬが発光して半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光が照射され、瞬間的に半導体ウェハーＷの表面温度が予備加熱温度Ｔ１から処理温度Ｔ２にまで上昇してから急速に下降する。その後、図１０に示すように、半導体ウェハーＷの表面の測定温度が微小な振幅にて変動する。このような測定温度の微小な変動が生じるのは、フラッシュ光照射後にサセプタ７４上にて半導体ウェハーＷが振動することに起因するものであると考えられる。すなわち、フラッシュ光照射時には、極めて照射時間が短く高いエネルギーを有するフラッシュ光を半導体ウェハーＷの表面に照射するため、半導体ウェハーＷの表面の温度は瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２にまで上昇する一方、その瞬間の裏面の温度は予備加熱温度Ｔ１からさほどには上昇しない。従って、半導体ウェハーＷの表面のみに急激な熱膨張が生じ、裏面はほとんど熱膨張しないために、半導体ウェハーＷが表面を凸とするように瞬間的に反る。そして、次の瞬間には、その反りが戻るように半導体ウェハーＷが変形し、このような挙動を繰り返すことによって半導体ウェハーＷがサセプタ７４上で振動する。上部放射温度計２５の赤外線センサ９１は、半導体ウェハーＷの斜め上方に設けられているため、半導体ウェハーＷが振動すると赤外線センサ９１から見たウェハー表面の放射率が変動することとなり、その結果上部放射温度計２５による測定温度が微小に変動するのである。なお、半導体ウェハーＷの振動に起因して上部放射温度計２５による測定温度は変動しているものの、実際の半導体ウェハーＷの表面温度が変動しているわけではない。 FIG. 10 is a diagram showing an example of a temperature profile of the surface temperature of the semiconductor wafer W at the time of flash light irradiation. FIG. 10 shows an example of a temperature profile when the flash heat treatment is normally performed without breaking the semiconductor wafer W during flash light irradiation. At time t0, the flash lamp FL emits light and the surface of the semiconductor wafer W is irradiated with the flash light, and the surface temperature of the semiconductor wafer W momentarily rises from the preheating temperature T1 to the processing temperature T2 and then rapidly drops. .. After that, as shown in FIG. 10, the measured temperature on the surface of the semiconductor wafer W fluctuates with a minute amplitude. It is considered that the small fluctuation of the measured temperature is caused by the vibration of the semiconductor wafer W on the susceptor 74 after the irradiation with the flash light. That is, when the flash light is irradiated, the surface of the semiconductor wafer W is irradiated with the flash light having an extremely short irradiation time and high energy, so that the temperature of the surface of the semiconductor wafer W momentarily rises to the processing temperature T2 of 1000 ° C. or higher. On the other hand, the temperature of the back surface at that moment does not rise so much from the preheating temperature T1. Therefore, abrupt thermal expansion occurs only on the front surface of the semiconductor wafer W, and the back surface hardly undergoes thermal expansion, so that the semiconductor wafer W momentarily warps so as to make the front surface convex. Then, at the next moment, the semiconductor wafer W is deformed so that the warp returns, and the semiconductor wafer W vibrates on the susceptor 74 by repeating such behavior. Since the infrared sensor 91 of the upper radiation thermometer 25 is provided diagonally above the semiconductor wafer W, when the semiconductor wafer W vibrates, the radiation rate of the wafer surface seen from the infrared sensor 91 fluctuates, and as a result, the upper part. The temperature measured by the radiation thermometer 25 fluctuates minutely. Although the temperature measured by the upper radiation thermometer 25 fluctuates due to the vibration of the semiconductor wafer W, the actual surface temperature of the semiconductor wafer W does not fluctuate.

フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷが割れることなく、正常にフラッシュ加熱処理が行われた場合には、高い再現性にて図１０に示すような温度プロファイルが得られる。一方、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷに割れが発生した場合には、温度プロファイルに異常な測定データが現出することとなる。そこで、第１実施形態においては、温度プロファイルを統計的に解析して異常な測定データを識別することによって半導体ウェハーＷの割れを検出している。 When the semiconductor wafer W is not cracked during flash light irradiation and the flash heat treatment is normally performed, a temperature profile as shown in FIG. 10 can be obtained with high reproducibility. On the other hand, if the semiconductor wafer W is cracked during flash light irradiation, abnormal measurement data will appear in the temperature profile. Therefore, in the first embodiment, cracks in the semiconductor wafer W are detected by statistically analyzing the temperature profile and identifying abnormal measurement data.

フラッシュ加熱処理が終了した後、作成された温度プロファイルから特性値算定部９６が特性値を算定する（ステップＳ６）。特性値とは、温度プロファイルを統計処理するときの統計量であり、本実施形態においては温度プロファイルの平均値および標準偏差である。具体的には、特性値算定部９６は、時刻ｔ１から時刻ｔ２の期間内における温度プロファイルの平均値および標準偏差を特性値として算定する。算定期間の始期である時刻ｔ１は、例えばフラッシュランプＦＬが発光した時刻ｔ０から３０ミリセカンド経過後である。算定期間の始期である時刻ｔ１をフラッシュランプＦＬが発光する時刻ｔ０よりも遅らせるのは、フラッシュ加熱による半導体ウェハーＷの表面温度の昇降を算定期間に含めると特性値に影響を与えるためである。また、算定期間の終期である時刻ｔ２は、例えばフラッシュランプＦＬが発光した時刻ｔ０から１００ミリセカンド経過後である。よって、特性値算定部９６が特性値を算定する算定期間（ｔ２－ｔ１）は７０ミリセカンドであり、フラッシュ光照射後に半導体ウェハーＷの表面温度が安定した期間である。 After the flash heat treatment is completed, the characteristic value calculation unit 96 calculates the characteristic value from the created temperature profile (step S6). The characteristic value is a statistic when statistically processing the temperature profile, and in the present embodiment, it is an average value and a standard deviation of the temperature profile. Specifically, the characteristic value calculation unit 96 calculates the average value and standard deviation of the temperature profile within the period from time t1 to time t2 as characteristic values. The time t1, which is the beginning of the calculation period, is, for example, 30 milliseconds after the time t0 when the flash lamp FL emits light. The reason why the time t1 which is the start of the calculation period is delayed from the time t0 when the flash lamp FL emits light is that the characteristic value is affected when the increase / decrease of the surface temperature of the semiconductor wafer W due to the flash heating is included in the calculation period. Further, the time t2, which is the end of the calculation period, is, for example, 100 millisecond after the time t0 when the flash lamp FL emits light. Therefore, the calculation period (t2-t1) in which the characteristic value calculation unit 96 calculates the characteristic value is 70 milliseconds, and the surface temperature of the semiconductor wafer W is stable after the flash light irradiation.

次に、特性値算定部９６によって算定された特性値に基づいて、制御部３の割れ判定部３１が半導体ウェハーＷの割れ判定を行う（ステップＳ７）。割れ判定部３１は、温度プロファイルの特性値が所定の範囲から外れているか否かを判定して割れ判定を行う。図１１は、温度プロファイルの平均値に基づく割れ判定を説明するための図である。図１１は、複数枚の半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射して作成した温度プロファイルの平均値をプロットしたものである。なお、温度プロファイルの平均値とは、上記と同様に、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの算定期間内における温度プロファイルの平均値であり、以降「プロファイル平均値」とも称する。 Next, the crack determination unit 31 of the control unit 3 determines the crack of the semiconductor wafer W based on the characteristic value calculated by the characteristic value calculation unit 96 (step S7). The crack determination unit 31 determines whether or not the characteristic value of the temperature profile is out of the predetermined range, and determines the crack. FIG. 11 is a diagram for explaining crack determination based on the average value of the temperature profile. FIG. 11 is a plot of the average value of the temperature profile created by irradiating a plurality of semiconductor wafers W with flash light. The average value of the temperature profile is the average value of the temperature profile within the calculation period from time t1 to time t2, and is also referred to as "profile average value" hereafter.

図１１の横軸には、複数の半導体ウェハーＷごとのデータ点を示し、図１１の縦軸には温度プロファイルの平均値を示す。上方管理限界値Ｕ１は、複数の半導体ウェハーＷのプロファイル平均値の総平均にそれら複数の半導体ウェハーＷのプロファイル平均値の標準偏差σを５倍した値を加算したものである。一方、下方管理限界値Ｌ１は、複数の半導体ウェハーＷのプロファイル平均値の総平均からそれら複数の半導体ウェハーＷのプロファイル平均値の標準偏差σを５倍した値を減算したものである。すなわち、図１１の点線で挟まれた範囲がプロファイル平均値の総平均から±５σの範囲である。 The horizontal axis of FIG. 11 shows the data points for each of the plurality of semiconductor wafers W, and the vertical axis of FIG. 11 shows the average value of the temperature profile. The upper control limit value U1 is the sum of the total average of the profile mean values of the plurality of semiconductor wafers W and the value obtained by multiplying the standard deviation σ of the profile mean values of the plurality of semiconductor wafers W by five. On the other hand, the lower control limit value L1 is obtained by subtracting a value obtained by multiplying the total average of the profile mean values of the plurality of semiconductor wafers W by 5 times the standard deviation σ of the profile mean values of the plurality of semiconductor wafers W. That is, the range between the dotted lines in FIG. 11 is the range of ± 5σ from the total average of the profile average values.

割れ判定部３１は、ある半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射したときに得られた温度プロファイルの平均値がプロファイル平均値の総平均から±５σの範囲内におさまっているときには半導体ウェハーＷが割れていないと判定し、当該範囲から外れているときには半導体ウェハーＷが割れていると判定する。図１１に示す例では、データ点Ａ１にて示す半導体ウェハーＷのプロファイル平均値が上方管理限界値Ｕ１よりも大きくなっている。また、データ点Ａ２にて示す半導体ウェハーＷのプロファイル平均値が下方管理限界値Ｌ１よりも小さくなっている。すなわち、データ点Ａ１，Ａ２に示す半導体ウェハーＷのプロファイル平均値がプロファイル平均値の総平均から±５σの範囲から外れており、割れ判定部３１はこれら２枚の半導体ウェハーＷが割れていると判定する。 In the crack determination unit 31, the semiconductor wafer W is cracked when the average value of the temperature profile obtained when the semiconductor wafer W is irradiated with the flash light is within the range of ± 5σ from the total average of the profile average values. If it is out of the range, it is determined that the semiconductor wafer W is broken. In the example shown in FIG. 11, the profile average value of the semiconductor wafer W shown at the data point A1 is larger than the upper control limit value U1. Further, the profile average value of the semiconductor wafer W shown at the data point A2 is smaller than the lower control limit value L1. That is, the profile average value of the semiconductor wafers W shown at the data points A1 and A2 is out of the range of ± 5σ from the total average of the profile average values, and the crack determination unit 31 states that these two semiconductor wafers W are cracked. judge.

一方、図１２は、温度プロファイルの標準偏差に基づく割れ判定を説明するための図である。図１２は、複数枚の半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射して作成した温度プロファイルの標準偏差をプロットしたものである。なお、温度プロファイルの標準偏差とは、上記と同様に、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの算定期間内における温度プロファイルの標準偏差であり、以降「プロファイル標準偏差」とも称する。 On the other hand, FIG. 12 is a diagram for explaining crack determination based on the standard deviation of the temperature profile. FIG. 12 is a plot of the standard deviation of the temperature profile created by irradiating a plurality of semiconductor wafers W with flash light. The standard deviation of the temperature profile is the standard deviation of the temperature profile within the calculation period from time t1 to time t2, and is also referred to as “profile standard deviation” hereafter.

図１２の横軸には、複数の半導体ウェハーＷごとのデータ点を示し、図１２の縦軸には温度プロファイルの標準偏差を示す。上方管理限界値Ｕ２は、複数の半導体ウェハーＷのプロファイル標準偏差の総平均にそれら複数の半導体ウェハーＷのプロファイル標準偏差の標準偏差σを５倍した値を加算したものである。すなわち、図１２の点線よりも下の範囲がプロファイル標準偏差の総平均から５σの範囲である。なお、プロファイル標準偏差については、最も測定温度の変動が少ないときが０であり、下方管理限界値の概念は存在しない。 The horizontal axis of FIG. 12 shows the data points for each of the plurality of semiconductor wafers W, and the vertical axis of FIG. 12 shows the standard deviation of the temperature profile. The upper control limit value U2 is the sum of the total average of the profile standard deviations of the plurality of semiconductor wafers W and the value obtained by multiplying the standard deviation σ of the profile standard deviations of the plurality of semiconductor wafers W by five. That is, the range below the dotted line in FIG. 12 is the range of 5σ from the total average of the profile standard deviations. Regarding the profile standard deviation, it is 0 when the fluctuation of the measured temperature is the smallest, and there is no concept of the lower control limit value.

割れ判定部３１は、ある半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射したときに得られた温度プロファイルの標準偏差がプロファイル標準偏差の総平均から５σの範囲内におさまっているときには半導体ウェハーＷが割れていないと判定し、当該範囲から外れているときには半導体ウェハーＷが割れていると判定する。図１２に示す例では、データ点Ｂ１にて示す半導体ウェハーＷのプロファイル標準偏差が上方管理限界値Ｕ２よりも大きくなっている。すなわち、データ点Ｂ１に示す半導体ウェハーＷのプロファイル標準偏差がプロファイル標準偏差の総平均から５σの範囲から外れており、割れ判定部３１は当該半導体ウェハーＷが割れていると判定する。 In the crack determination unit 31, the semiconductor wafer W is not cracked when the standard deviation of the temperature profile obtained when the semiconductor wafer W is irradiated with the flash light is within the range of 5σ from the total average of the profile standard deviations. When it is out of the range, it is determined that the semiconductor wafer W is broken. In the example shown in FIG. 12, the profile standard deviation of the semiconductor wafer W shown at the data point B1 is larger than the upper control limit value U2. That is, the profile standard deviation of the semiconductor wafer W shown at the data point B1 is out of the range of 5σ from the total average of the profile standard deviations, and the crack determination unit 31 determines that the semiconductor wafer W is cracked.

また、割れ判定部３１は、２つの特性値である平均値と標準偏差とについて「ＯＲ判定」を行う。すなわち、割れ判定部３１は、ある半導体ウェハーＷについての温度プロファイルの平均値がプロファイル平均値の総平均から±５σの範囲から外れているとき、または、当該温度プロファイルの標準偏差がプロファイル標準偏差の総平均から５σの範囲から外れているときにその半導体ウェハーＷが割れていると判定する。このようにしているのは、いずれか一方の特性値のみついての判定では、実際には半導体ウェハーＷが割れているにもかかわらず、割れていないと判定されるおそれがあるためである。例えば、半導体ウェハーＷに割れが生じた結果としてフラッシュ光照射後の測定温度が安定して通常より顕著に高い温度（または低い温度）となった場合には、平均値についての判定であれば割れていると判定されるものの、標準偏差についての判定では割れていないと判定されるおそれがある。逆に、半導体ウェハーＷに割れが生じた結果としてフラッシュ光照射後の測定温度が通常の温度を挟んで大きく上下に変動した場合には、標準偏差についての判定であれば割れていると判定されるものの、平均値についての判定では割れていないと判定されるおそれがある。従って、平均値と標準偏差とについて「ＯＲ判定」を行うことにより、割れの検出精度を高めることができる。 Further, the crack determination unit 31 performs "OR determination" on the average value and the standard deviation, which are the two characteristic values. That is, when the average value of the temperature profile for a certain semiconductor wafer W is out of the range of ± 5σ from the total average of the profile average values, or the standard deviation of the temperature profile is the profile standard deviation of the crack determination unit 31. It is determined that the semiconductor wafer W is cracked when it deviates from the range of 5σ from the total average. This is done because, in the determination of only one of the characteristic values, it may be determined that the semiconductor wafer W is not cracked even though it is actually cracked. For example, if the measured temperature after flash light irradiation becomes stable and significantly higher (or lower) than usual as a result of cracking in the semiconductor wafer W, the crack is determined if the average value is determined. However, there is a possibility that it is determined that the standard deviation is not broken in the determination of the standard deviation. On the contrary, when the measured temperature after the flash light irradiation fluctuates greatly up and down with the normal temperature as a result of the cracking in the semiconductor wafer W, it is determined that the semiconductor wafer W is cracked if the judgment is about the standard deviation. However, there is a risk that it will not be broken in the judgment of the average value. Therefore, the crack detection accuracy can be improved by performing "OR determination" on the average value and the standard deviation.

図９に戻り、割れ判定部３１がフラッシュ光照射後の半導体ウェハーＷが割れていると判定したときには、ステップＳ８からステップＳ９に進み、制御部３が熱処理装置１における処理を中断し、チャンバー６に半導体ウェハーＷを搬出入する搬送系の動作も停止する。また、制御部３が表示部３２にウェハー割れ発生の警告を発報するようにしても良い。半導体ウェハーＷの割れが発生したときには、チャンバー６内にパーティクルが発生しているため、チャンバー６を開放して清掃作業を行う。 Returning to FIG. 9, when the crack determination unit 31 determines that the semiconductor wafer W after the flash light irradiation is cracked, the process proceeds from step S8 to step S9, the control unit 3 interrupts the processing in the heat treatment apparatus 1, and the chamber 6 The operation of the transport system for loading and unloading the semiconductor wafer W is also stopped. Further, the control unit 3 may issue a warning of the occurrence of wafer cracking to the display unit 32. When the semiconductor wafer W is cracked, particles are generated in the chamber 6, so the chamber 6 is opened for cleaning work.

一方、割れ判定部３１がフラッシュ光照射後の半導体ウェハーＷが割れていないと判定したときには、ステップＳ８からステップＳ１０に進み、半導体ウェハーＷの搬出処理が行われる。具体的には、フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は下部放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、下部放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。 On the other hand, when the crack determination unit 31 determines that the semiconductor wafer W after the flash light irradiation is not cracked, the process proceeds from step S8 to step S10, and the semiconductor wafer W is carried out. Specifically, the halogen lamp HL is turned off after a predetermined time has elapsed after the flash heat treatment is completed. As a result, the semiconductor wafer W rapidly drops from the preheating temperature T1. The temperature of the semiconductor wafer W during the temperature decrease is measured by the lower radiation thermometer 20, and the measurement result is transmitted to the control unit 3. The control unit 3 monitors whether or not the temperature of the semiconductor wafer W has dropped to a predetermined temperature based on the measurement result of the lower radiation thermometer 20. Then, after the temperature of the semiconductor wafer W is lowered to a predetermined level or less, the pair of transfer arms 11 of the transfer mechanism 10 horizontally move from the retracted position to the transfer operation position again and rise, so that the lift pin 12 is a susceptor. The semiconductor wafer W that protrudes from the upper surface of the 74 and has been heat-treated is received from the susceptor 74. Subsequently, the transfer opening 66 closed by the gate valve 185 is opened, the semiconductor wafer W mounted on the lift pin 12 is carried out by a transfer robot outside the device, and the heat treatment of the semiconductor wafer W in the heat treatment device 1 is performed. Is completed.

本実施形態においては、フラッシュ光照射後の半導体ウェハーＷの表面温度を上部放射温度計２５によって測定して温度プロファイルを取得し、その温度プロファイルの平均値がプロファイル平均値の総平均から±５σの範囲から外れているとき、または、当該温度プロファイルの標準偏差がプロファイル標準偏差の総平均から５σの範囲から外れているときに半導体ウェハーＷが割れていると判定している。すなわち、熱処理装置１にウェハー割れ検出のための特別なハードウェア構成を追加することなく、フラッシュ光照射時における半導体ウェハーＷの割れを簡易な構成にて検出しているのである。また、簡単な統計演算処理によって半導体ウェハーＷの割れを検出しているため、スループットを低下させる懸念も無い。 In the present embodiment, the surface temperature of the semiconductor wafer W after flash light irradiation is measured by the upper radiation thermometer 25 to obtain a temperature profile, and the average value of the temperature profile is ± 5σ from the total average of the profile average values. It is determined that the semiconductor wafer W is cracked when it is out of the range or when the standard deviation of the temperature profile is out of the range of 5σ from the total average of the profile standard deviations. That is, the cracks in the semiconductor wafer W at the time of flash light irradiation are detected by a simple configuration without adding a special hardware configuration for detecting wafer cracks in the heat treatment apparatus 1. Further, since the crack of the semiconductor wafer W is detected by a simple statistical calculation process, there is no concern that the throughput will be lowered.

また、本実施形態においては、温度プロファイルの平均値と標準偏差とについて「ＯＲ判定」を行っているため、フラッシュ光照射時における半導体ウェハーＷの割れを高い精度にて検出することができる。 Further, in the present embodiment, since the "OR determination" is performed for the average value and the standard deviation of the temperature profile, it is possible to detect the crack of the semiconductor wafer W at the time of flash light irradiation with high accuracy.

また、本実施形態においては、上部放射温度計２５の測定波長域が５μｍ以上６．５μｍ以下である。すなわち、上部放射温度計２５は、半導体ウェハーＷの表面から放射された波長５μｍ以上６．５μｍ以下の赤外光の強度から半導体ウェハーＷの表面温度を測定している。半導体ウェハーＷの割れの発生の有無に関わらず、半導体ウェハーＷの表面温度自体には大きな変動は生じない。半導体ウェハーＷに割れが発生したときに、温度プロファイルに異常な測定データが現出するのは、割れた破片が正常時とは異なる挙動（物理的運動）をしているためであると考えられる。具体的には、上部放射温度計２５の光軸と割れた破片とのなす角度が正常時とは異なる値となることにより、半導体ウェハーＷの見かけの放射率が大きく変化した結果として異常な測定データが得られるのである。従って、割れを精度良く検出するためには、上部放射温度計２５による温度測定は半導体ウェハーＷとの角度変化に対しては鋭敏である必要がある。一方、半導体ウェハーＷの表面には種々のパターンや薄膜が形成されていることが多い。半導体ウェハーＷの放射率はこれらのパターンや薄膜によっても影響を受けるのであるが、割れ検出の観点からは、上部放射温度計２５による温度測定はパターンや膜種の変化の影響は受けにくい方が好ましい。 Further, in the present embodiment, the measurement wavelength range of the upper radiation thermometer 25 is 5 μm or more and 6.5 μm or less. That is, the upper radiation thermometer 25 measures the surface temperature of the semiconductor wafer W from the intensity of infrared light having a wavelength of 5 μm or more and 6.5 μm or less radiated from the surface of the semiconductor wafer W. The surface temperature of the semiconductor wafer W itself does not fluctuate significantly regardless of the presence or absence of cracks in the semiconductor wafer W. It is considered that the reason why abnormal measurement data appears in the temperature profile when the semiconductor wafer W is cracked is that the cracked debris behaves differently from the normal state (physical motion). .. Specifically, the angle formed by the optical axis of the upper radiation thermometer 25 and the broken pieces is different from the normal value, and as a result, the apparent emissivity of the semiconductor wafer W changes significantly, resulting in abnormal measurement. Data is available. Therefore, in order to detect cracks with high accuracy, the temperature measurement by the upper radiation thermometer 25 needs to be sensitive to the change in angle with the semiconductor wafer W. On the other hand, various patterns and thin films are often formed on the surface of the semiconductor wafer W. The emissivity of the semiconductor wafer W is also affected by these patterns and thin films, but from the viewpoint of crack detection, it is better that the temperature measurement by the upper radiation thermometer 25 is less affected by changes in the pattern and film type. preferable.

図１３は、上部放射温度計２５の光軸と半導体ウェハーＷの主面とのなす角度が半導体ウェハーＷの見かけの放射率に与える影響を示す図である。半導体ウェハーＷの上面に膜厚の異なる２種類の薄膜を形成し、上部放射温度計２５の光軸と半導体ウェハーＷの主面とのなす角度が１５°と９０°のそれぞれの場合の見かけの放射率を同図に示す。また、図１３には、上部放射温度計２５の測定波長域（５μｍ～６．５μｍ）での半導体ウェハーＷの見かけの放射率を示す。 FIG. 13 is a diagram showing the effect of the angle formed by the optical axis of the upper radiation thermometer 25 and the main surface of the semiconductor wafer W on the apparent emissivity of the semiconductor wafer W. Two types of thin films with different film thicknesses are formed on the upper surface of the semiconductor wafer W, and the apparent angle between the optical axis of the upper radiation thermometer 25 and the main surface of the semiconductor wafer W is 15 ° and 90 °, respectively. The emissivity is shown in the figure. Further, FIG. 13 shows the apparent emissivity of the semiconductor wafer W in the measurement wavelength range (5 μm to 6.5 μm) of the upper radiation thermometer 25.

図１３に示すように、５μｍ以上６．５μｍ以下の波長域では、上部放射温度計２５の光軸と半導体ウェハーＷの主面とのなす角度が変化すると見かけの放射率が大きく変化している。このことは、上部放射温度計２５の測定波長域の範囲においては、上部放射温度計２５による温度測定が半導体ウェハーＷとの角度変化に対しては鋭敏であることを示している。よって、半導体ウェハーＷに割れが発生して割れた破片と上部放射温度計２５との角度が少しでも正常時とは異なると、見かけの放射率が変化して異常な測定データが得られる。その結果、半導体ウェハーＷの割れが精度良く検出されることとなる。一方、角度変化による影響に比較して薄膜の膜厚による放射率への影響は小さい。このことは、上部放射温度計２５による温度測定はパターンや膜種の変化の影響は受けにくいことを示している。すなわち、パターンや膜種の影響の排除と角度変化に対する鋭敏さとを両立するために、上部放射温度計２５の測定波長域が５μｍ以上６．５μｍ以下であることは好適である。 As shown in FIG. 13, in the wavelength range of 5 μm or more and 6.5 μm or less, the apparent emissivity changes significantly when the angle formed by the optical axis of the upper radiation thermometer 25 and the main surface of the semiconductor wafer W changes. .. This indicates that the temperature measurement by the upper radiation thermometer 25 is sensitive to the change in the angle with the semiconductor wafer W in the measurement wavelength range of the upper radiation thermometer 25. Therefore, if the semiconductor wafer W is cracked and the angle between the cracked debris and the upper radiation thermometer 25 is slightly different from the normal state, the apparent emissivity changes and abnormal measurement data can be obtained. As a result, cracks in the semiconductor wafer W can be detected with high accuracy. On the other hand, the effect of the film thickness of the thin film on the emissivity is smaller than the effect of the angle change. This indicates that the temperature measurement by the upper radiation thermometer 25 is not easily affected by changes in the pattern and film type. That is, in order to eliminate the influence of the pattern and the film type and to achieve both the sensitivity to the angle change, it is preferable that the measurement wavelength range of the upper radiation thermometer 25 is 5 μm or more and 6.5 μm or less.

また、本実施形態においては、上部放射温度計２５が半導体ウェハーＷの斜め上方に設けられており、上部放射温度計２５の光軸と半導体ウェハーＷの主面とのなす角度が比較的小さい。このため、上部放射温度計２５の検出範囲は半導体ウェハーＷの上面の比較的広い範囲にわたり、半導体ウェハーＷの割れを検出しやすい。 Further, in the present embodiment, the upper radiation thermometer 25 is provided diagonally above the semiconductor wafer W, and the angle formed by the optical axis of the upper radiation thermometer 25 and the main surface of the semiconductor wafer W is relatively small. Therefore, the detection range of the upper radiation thermometer 25 covers a relatively wide range on the upper surface of the semiconductor wafer W, and it is easy to detect cracks in the semiconductor wafer W.

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置１の構成は第１実施形態と全く同じである。また、第２実施形態の熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と概ね同様である。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは温度プロファイルにおける特性値の算定期間である。 <Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The configuration of the heat treatment apparatus 1 of the second embodiment is exactly the same as that of the first embodiment. Further, the processing procedure of the semiconductor wafer W in the heat treatment apparatus 1 of the second embodiment is substantially the same as that of the first embodiment. The second embodiment differs from the first embodiment in the calculation period of the characteristic value in the temperature profile.

第２実施形態においては、フラッシュランプＦＬがフラッシュ光の照射を開始した図１０の時刻ｔ０を算定期間の始期としている。すなわち、第２実施形態では、フラッシュ光の照射を開始してから所定期間を算定期間としており、フラッシュ加熱による半導体ウェハーＷの表面温度の昇降を特性値の算定期間に含めているのである。特性値の算定方法および特性値に基づく半導体ウェハーＷの割れの判定方法は第１実施形態と同じである。フラッシュ光照射期間を含む温度プロファイルの平均値がプロファイル平均値の総平均から±５σの範囲から外れているとき、または、当該温度プロファイルの標準偏差がプロファイル標準偏差の総平均から５σの範囲から外れているときに半導体ウェハーＷが割れていると判定している。 In the second embodiment, the time t0 in FIG. 10 when the flash lamp FL starts irradiating the flash light is set as the start of the calculation period. That is, in the second embodiment, a predetermined period is set as the calculation period after the start of irradiation of the flash light, and the increase / decrease in the surface temperature of the semiconductor wafer W due to the flash heating is included in the calculation period of the characteristic value. The method for calculating the characteristic value and the method for determining the cracking of the semiconductor wafer W based on the characteristic value are the same as those in the first embodiment. When the mean value of the temperature profile including the flash light irradiation period is out of the range of ± 5σ from the total mean of the profile mean values, or the standard deviation of the temperature profile is out of the range of 5σ from the total mean of the profile standard deviations. At that time, it is determined that the semiconductor wafer W is broken.

図１０から明らかなように、フラッシュ加熱による半導体ウェハーＷの表面温度の昇降は温度プロファイルの平均値、標準偏差等の特性値に大きな影響を与える。しかし、半導体ウェハーＷが割れることなく正常に処理された場合には、フラッシュ加熱による半導体ウェハーＷの表面温度の昇降パターンは高い再現性を有しており、温度プロファイルの特性値自体は安定したものとなる（特性値の標準偏差は第１実施形態と同程度に小さい）。従って、第１実施形態と同様に、半導体ウェハーＷに割れが発生して温度プロファイルに異常な測定データが現出した場合には、温度プロファイルの特性値が所定の範囲から外れることとなる。このため、温度プロファイルの特性値が所定の範囲から外れているか否かを判定することによって半導体ウェハーＷの割れ判定を行うことができる。 As is clear from FIG. 10, the increase and decrease of the surface temperature of the semiconductor wafer W by flash heating has a great influence on the characteristic values such as the average value and the standard deviation of the temperature profile. However, when the semiconductor wafer W is normally processed without cracking, the rising / falling pattern of the surface temperature of the semiconductor wafer W due to flash heating has high reproducibility, and the characteristic value of the temperature profile itself is stable. (The standard deviation of the characteristic value is as small as that of the first embodiment). Therefore, as in the first embodiment, when the semiconductor wafer W is cracked and abnormal measurement data appears in the temperature profile, the characteristic value of the temperature profile is out of the predetermined range. Therefore, the cracking of the semiconductor wafer W can be determined by determining whether or not the characteristic value of the temperature profile is out of the predetermined range.

むしろ、第２実施形態においては、フラッシュ光照射期間も特性値の算定期間に含めているため、フラッシュ光照射中に半導体ウェハーＷに割れが発生して異常な測定データが得られたときにも、温度プロファイルの特性値が所定の範囲から外れることとなる。このため、フラッシュ光照射中における半導体ウェハーＷの割れをより確実に検出することができる。特に、フラッシュランプＦＬの照射時間が比較的長い（６ミリセカンド以上）場合には、フラッシュ光の照射中に半導体ウェハーＷが割れる懸念があり、第２実施形態のようにフラッシュ光照射期間も特性値の算定期間に含めるのが好適である。 Rather, in the second embodiment, since the flash light irradiation period is also included in the characteristic value calculation period, even when the semiconductor wafer W is cracked during the flash light irradiation and abnormal measurement data is obtained. , The characteristic value of the temperature profile will be out of the predetermined range. Therefore, cracks in the semiconductor wafer W during flash light irradiation can be detected more reliably. In particular, when the irradiation time of the flash lamp FL is relatively long (6 msecond or more), there is a concern that the semiconductor wafer W may crack during the irradiation of the flash light, and the flash light irradiation period is also characteristic as in the second embodiment. It is preferable to include it in the calculation period of the value.

特性値の算定期間を第１実施形態のようにフラッシュ光を照射した後の所定期間とするか、第２実施形態のようにフラッシュ光の照射を開始してからの所定期間とするかは熱処理装置１のオペレータが入力部３３から適宜に入力して設定することができる。 Whether the calculation period of the characteristic value is a predetermined period after irradiating the flash light as in the first embodiment or a predetermined period after starting the irradiation of the flash light as in the second embodiment is heat treatment. The operator of the device 1 can appropriately input and set from the input unit 33.

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態の熱処理装置１の構成は第１実施形態と全く同じである。また、第３実施形態の熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順も第１実施形態と概ね同様である。第３実施形態が第１実施形態と相違するのは、温度プロファイルに基づく半導体ウェハーＷの割れの判定方法である。 <Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described. The configuration of the heat treatment apparatus 1 of the third embodiment is exactly the same as that of the first embodiment. Further, the processing procedure of the semiconductor wafer W in the heat treatment apparatus 1 of the third embodiment is substantially the same as that of the first embodiment. The third embodiment differs from the first embodiment in the method for determining cracks in the semiconductor wafer W based on the temperature profile.

第１実施形態と同様に、フラッシュランプＦＬによるフラッシュ光照射を行う前から上部放射温度計２５による半導体ウェハーＷの表面温度の測定を開始する。フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射が開始されて半導体ウェハーＷの表面温度が急速に上昇するときにも、その表面温度は上部放射温度計２５によって測定されている。既述したように、上部放射温度計２５は４０マイクロセカンドの極めて短いサンプリング間隔にて半導体ウェハーＷの表面温度を測定するため、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷの表面温度が急激に変化しても、その変化に追随することが可能である。上部放射温度計２５は、取得した半導体ウェハーＷの表面温度のデータを順次に記憶部９７に蓄積する。これにより、フラッシュ光照射時における、半導体ウェハーＷの表面温度の温度プロファイルが作成される。 Similar to the first embodiment, the measurement of the surface temperature of the semiconductor wafer W by the upper radiation thermometer 25 is started before the flash light irradiation by the flash lamp FL is performed. Even when the flash light irradiation from the flash lamp FL is started and the surface temperature of the semiconductor wafer W rises rapidly, the surface temperature is measured by the upper radiation thermometer 25. As described above, since the upper radiation thermometer 25 measures the surface temperature of the semiconductor wafer W at an extremely short sampling interval of 40 microseconds, even if the surface temperature of the semiconductor wafer W changes suddenly during flash light irradiation. , It is possible to follow the change. The upper radiation thermometer 25 sequentially stores the acquired surface temperature data of the semiconductor wafer W in the storage unit 97. As a result, a temperature profile of the surface temperature of the semiconductor wafer W at the time of flash light irradiation is created.

第３実施形態では、フラッシュランプＦＬがフラッシュ光の照射を開始してから半導体ウェハーＷの表面温度が昇温を継続する時間に基づいて半導体ウェハーＷの割れを判定する。図１４は、半導体ウェハーＷの昇温継続時間に基づく割れ判定を説明するための図である。図１４に示すのは、図１０と同じく、フラッシュ光照射時における半導体ウェハーＷの表面温度の温度プロファイルである。時刻ｔ０にフラッシュランプＦＬが発光してフラッシュ光照射が開始されるのとほぼ同時に、半導体ウェハーＷの表面温度が予備加熱温度Ｔ１から昇温を開始する。フラッシュ光照射中に半導体ウェハーＷが割れることなく、正常にフラッシュ加熱処理が行われた場合、フラッシュランプＦＬのフラッシュ光照射時間ｆ（フラッシュランプＦＬの発光時間）と半導体ウェハーＷの表面温度が昇温を継続する時間ｄとは概ね一致する。 In the third embodiment, the cracking of the semiconductor wafer W is determined based on the time during which the surface temperature of the semiconductor wafer W continues to rise after the flash lamp FL starts irradiating the flash light. FIG. 14 is a diagram for explaining crack determination based on the temperature rise duration of the semiconductor wafer W. FIG. 14 shows the temperature profile of the surface temperature of the semiconductor wafer W at the time of flash light irradiation, as in FIG. 10. Almost at the same time as the flash lamp FL emits light at time t0 and the flash light irradiation is started, the surface temperature of the semiconductor wafer W starts to rise from the preheating temperature T1. When the flash heat treatment is normally performed without cracking the semiconductor wafer W during flash light irradiation, the flash light irradiation time f (flash light emission time of the flash lamp FL) of the flash lamp FL and the surface temperature of the semiconductor wafer W rise. It is almost the same as the time d for continuing the temperature.

ところが、フラッシュ光照射中に半導体ウェハーＷが割れた場合、フラッシュランプＦＬのフラッシュ光照射時間ｆと半導体ウェハーＷの表面温度が昇温を継続する時間ｄとに乖離が生じる。通常は、図１４に示すように、半導体ウェハーＷの表面温度の昇温継続時間ｄがフラッシュ光照射時間ｆよりも短くなる。第３実施形態においては、割れ判定部３１は、フラッシュ光の照射を開始してから半導体ウェハーＷの表面温度が昇温を継続する時間ｄがフラッシュランプＦＬのフラッシュ光照射時間ｆと所定値以上乖離する場合には、半導体ウェハーＷが割れたと判定する。例えば、昇温継続時間ｄがフラッシュ光照射時間ｆと±１０％以上乖離する場合には、半導体ウェハーＷが割れたと判定される。 However, when the semiconductor wafer W is cracked during flash light irradiation, there is a discrepancy between the flash light irradiation time f of the flash lamp FL and the time d at which the surface temperature of the semiconductor wafer W continues to rise. Normally, as shown in FIG. 14, the temperature rise duration d of the surface temperature of the semiconductor wafer W is shorter than the flash light irradiation time f. In the third embodiment, in the crack determination unit 31, the time d during which the surface temperature of the semiconductor wafer W continues to rise after the start of irradiation with the flash light is equal to or greater than the flash light irradiation time f of the flash lamp FL. If it deviates, it is determined that the semiconductor wafer W is broken. For example, when the temperature rise duration d deviates from the flash light irradiation time f by ± 10% or more, it is determined that the semiconductor wafer W is broken.

第３実施形態においては、処理対象とされている半導体ウェハーＷの表面温度の温度プロファイルのみからフラッシュ光照射時における当該半導体ウェハーＷの割れを検出している。従って、第１実施形態のように、多数の半導体ウェハーＷの温度プロファイルを作成し、それらの特性値を算定して管理限界値を求める工程が不要となる。 In the third embodiment, cracks in the semiconductor wafer W during flash light irradiation are detected only from the temperature profile of the surface temperature of the semiconductor wafer W to be processed. Therefore, unlike the first embodiment, there is no need for a step of creating temperature profiles of a large number of semiconductor wafers W, calculating their characteristic values, and obtaining control limit values.

フラッシュランプＦＬのフラッシュ光照射時間ｆは、フラッシュランプＦＬの回路中に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）を組み込んでフラッシュランプＦＬへの通電をオンオフ制御したり、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。上述したように、フラッシュ光照射時間ｆを比較的長く（６ミリセカンド以上）した場合には、フラッシュ光の照射中に半導体ウェハーＷが割れる懸念がある。第３実施形態の割れ判定方法は、このような場合に好適である。 The flash light irradiation time f of the flash lamp FL is a lamp power source that incorporates an isolated gate bipolar transistor (IGBT) in the circuit of the flash lamp FL to control the energization of the flash lamp FL on and off, and supplies power to the flash lamp FL. It can be adjusted by the coil constant of. As described above, when the flash light irradiation time f is relatively long (6 milliseconds or more), there is a concern that the semiconductor wafer W may be cracked during the flash light irradiation. The crack determination method of the third embodiment is suitable for such a case.

＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、温度プロファイルの特性値として平均値および標準偏差を用いていたが、これに限定されるものではなく、他の統計量を用いても良い。例えば、温度プロファイルの特性値として、平均値に代えて中央値を用い、標準偏差に代えて最大値と最小値との差であるレンジを用いるようにしても良い。 <Modification example>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above as long as it does not deviate from the gist thereof. For example, in the above embodiment, the mean value and the standard deviation are used as the characteristic values of the temperature profile, but the present invention is not limited to this, and other statistics may be used. For example, as the characteristic value of the temperature profile, the median value may be used instead of the average value, and the range which is the difference between the maximum value and the minimum value may be used instead of the standard deviation.

また、温度プロファイルの特性値として、例えば温度プロファイルの波形の最大値、最小値を用いるようにしても良い。温度プロファイルの波形を周期的な正弦波として捉えることができれば、その波の周期、周波数、振幅等を特性値として採用するようにしても良い。或いは、温度プロファイルの波形をパルス波とみなすのであれば、特性値としてデューティー比、半値全幅、半値半幅、最大傾き等を用いるようにしても良い。さらには、特性値として、温度プロファイルを微分した微分波形の平均値、標準偏差、中央値、レンジ、最大値、最小値や波形の積分値等を用いるようにしても良い。 Further, as the characteristic value of the temperature profile, for example, the maximum value and the minimum value of the waveform of the temperature profile may be used. If the waveform of the temperature profile can be regarded as a periodic sine wave, the period, frequency, amplitude, etc. of the wave may be adopted as the characteristic value. Alternatively, if the waveform of the temperature profile is regarded as a pulse wave, the duty ratio, full width at half maximum, half width at half maximum, maximum slope, and the like may be used as characteristic values. Further, as the characteristic value, the average value, standard deviation, median value, range, maximum value, minimum value, integral value of waveform, etc. of the differential waveform obtained by differentiating the temperature profile may be used.

ウェハー割れの判定に使用する特性値は２つに限定されるものではなく、上述した種々の特性値の３つ以上であっても良いし、１つのみであっても良い。ウェハー割れの判定に使用する特性値の数が多くなるほど判定精度は向上するものの、演算処理に要する時間は長くなる。 The characteristic value used for determining the wafer crack is not limited to two, and may be three or more of the various characteristic values described above, or may be only one. As the number of characteristic values used for determining wafer cracking increases, the determination accuracy improves, but the time required for arithmetic processing increases.

また、ウェハー割れの判定に複数の特性値を用いる場合には、それらの「ＯＲ判定」に限定されるものではなく、他の論理演算（例えば、ＡＮＤ、ＸＯＲ等）による判定を行うようにしても良い。もっとも、判定精度を高める観点からは、上記実施形態と同様の「ＯＲ判定」が好ましい。 Further, when a plurality of characteristic values are used for the determination of wafer cracking, the determination is not limited to those "OR determinations", and the determination is performed by other logical operations (for example, AND, XOR, etc.). Is also good. However, from the viewpoint of improving the determination accuracy, the same "OR determination" as in the above embodiment is preferable.

ウェハー割れの判定にいずれの特性値をいくつ使用するかは、オペレータが入力部３３から適宜に選択して処理レシピ上に設定することができる。また、複数の特性値を用いる場合には、オペレータが入力部３３から「ＯＲ判定」にするか「ＡＮＤ判定」にするかも選択して設定することができる。これにより、特性値を変更する場合にも、熱処理装置１の都度改造やソフトウェアのアップグレードが不要となる。 The operator can appropriately select from the input unit 33 and set on the processing recipe which characteristic value to use and how many to determine the wafer cracking. Further, when a plurality of characteristic values are used, the operator can select and set whether to perform "OR determination" or "AND determination" from the input unit 33. As a result, even when the characteristic value is changed, it is not necessary to modify the heat treatment apparatus 1 or upgrade the software each time.

また、上記実施形態においては、管理限界値を５σの範囲としていたが、これに代えてより一般的な３σとするようにしても良い。 Further, in the above embodiment, the control limit value is set in the range of 5σ, but a more general 3σ may be used instead.

また、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理を重ねるごとに新たな温度プロファイルが得られるため、ウェハー割れ判定に用いる管理限界値を再計算して逐次更新するようにしても良い。例えば、同一処理条件にて処理された半導体ウェハーＷについての直近１００００個の温度プロファイルに基づいて管理限界値を算定するようにしても良い。このようにすれば、装置部品の経年劣化等によって温度プロファイルが変化したとしても、その変化に追随して最適な管理限界値を設定することができる。 Further, since a new temperature profile is obtained each time the semiconductor wafer W is processed in the heat treatment apparatus 1, the control limit value used for the wafer crack determination may be recalculated and sequentially updated. For example, the control limit value may be calculated based on the latest 10,000 temperature profiles of the semiconductor wafers W processed under the same processing conditions. By doing so, even if the temperature profile changes due to aged deterioration of the equipment parts or the like, the optimum control limit value can be set according to the change.

また、処理対象となる半導体ウェハーＷと同一処理条件にて直前（或いは数枚前）に処理された半導体ウェハーＷの表面温度を測定して取得された温度プロファイルを基準温度プロファイルとし、その基準温度プロファイルと当該処理対象の半導体ウェハーＷの温度プロファイルとを比較して半導体ウェハーＷの割れを判定するようにしても良い。なお、この手法を採用する場合には、その直前（或いは数枚前）の半導体ウェハーＷが割れることなく正常に処理されたことを前提とする。このようにすれば、第３実施形態と同様に、多数の半導体ウェハーＷの温度プロファイルを作成して管理限界値を求める工程を不要とすることができる。 Further, the temperature profile obtained by measuring the surface temperature of the semiconductor wafer W processed immediately before (or several sheets before) under the same processing conditions as the semiconductor wafer W to be processed is used as the reference temperature profile, and the reference temperature thereof is used. The cracking of the semiconductor wafer W may be determined by comparing the profile with the temperature profile of the semiconductor wafer W to be processed. When this method is adopted, it is premised that the semiconductor wafer W immediately before (or several sheets before) is normally processed without cracking. By doing so, it is possible to eliminate the step of creating temperature profiles of a large number of semiconductor wafers W and obtaining control limit values, as in the third embodiment.

また、半導体ウェハーＷの表面温度のプロファイルを作成するのに代えて、温度に変換する前の赤外線センサ９１の出力値（つまり、半導体ウェハーＷの表面から放射される赤外光の強度）のプロファイルを作成してウェハー割れ判定に使用するようにしても良い。 Further, instead of creating a profile of the surface temperature of the semiconductor wafer W, a profile of the output value of the infrared sensor 91 before conversion to temperature (that is, the intensity of infrared light radiated from the surface of the semiconductor wafer W). May be created and used for determining wafer cracking.

また、上記実施形態においては、上部放射温度計２５を半導体ウェハーＷの斜め上方に設けることによって上部放射温度計２５の検出範囲（視野）を拡げていたが、これに代えて、上部放射温度計２５と半導体ウェハーＷとの距離を長くすることによって半導体ウェハーＷの上面における上部放射温度計２５の検出範囲を拡げるようにしても良い。さらに、複数の放射温度計を設ける、或いは放射温度計に複数の赤外線センサを設けることによって半導体ウェハーＷの上面における検出範囲を拡げるようにしても良い。 Further, in the above embodiment, the upper radiation thermometer 25 is provided diagonally above the semiconductor wafer W to expand the detection range (field of view) of the upper radiation thermometer 25, but instead of this, the upper radiation thermometer By increasing the distance between the 25 and the semiconductor wafer W, the detection range of the upper radiation thermometer 25 on the upper surface of the semiconductor wafer W may be expanded. Further, a plurality of radiation thermometers may be provided, or a plurality of infrared sensors may be provided in the radiation thermometer to expand the detection range on the upper surface of the semiconductor wafer W.

また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。 Further, in the above embodiment, the flash heating unit 5 is provided with 30 flash lamp FLs, but the present invention is not limited to this, and the number of flash lamp FLs can be any number. .. Further, the flash lamp FL is not limited to the xenon flash lamp, and may be a krypton flash lamp. Further, the number of halogen lamps HL provided in the halogen heating unit 4 is not limited to 40, and may be any number.

また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用いて予備加熱を行うようにしても良い。 Further, in the above embodiment, the semiconductor wafer W is preheated by using a filament type halogen lamp HL as a continuous lighting lamp that continuously emits light for 1 second or longer, but the present invention is not limited to this. Instead of the halogen lamp HL, a discharge type arc lamp (for example, a xenon arc lamp) may be used as a continuous lighting lamp to perform preheating.

また、上記実施形態においては、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって半導体ウェハーＷの予備加熱を行うようにしていたが、これに代えて半導体ウェハーＷを保持するサセプタをホットプレート上に載置し、そのホットプレートからの熱伝導によって半導体ウェハーＷを予備加熱するようにしても良い。 Further, in the above embodiment, the semiconductor wafer W is preheated by irradiating light from the halogen lamp HL, but instead of this, a susceptor holding the semiconductor wafer W is placed on a hot plate. The semiconductor wafer W may be preheated by heat conduction from the hot plate.

また、熱処理装置１によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。また、本発明に係る技術は、高誘電率ゲート絶縁膜（High-k膜）の熱処理、金属とシリコンとの接合、或いはポリシリコンの結晶化に適用するようにしても良い。 Further, the substrate to be processed by the heat treatment apparatus 1 is not limited to the semiconductor wafer, and may be a glass substrate used for a flat panel display such as a liquid crystal display device or a substrate for a solar cell. Further, the technique according to the present invention may be applied to heat treatment of a high dielectric constant gate insulating film (High-k film), bonding of a metal and silicon, or crystallization of polysilicon.

１ 熱処理装置
３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
２０ 下部放射温度計
２５ 上部放射温度計
３１ 割れ判定部
３３ 入力部
６３ 上側チャンバー窓
６４ 下側チャンバー窓
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
７５ 保持プレート
７７ 基板支持ピン
９０ 高速放射温度計ユニット
９１ 赤外線センサ
９５ 温度変換部
９６ 特性値算定部
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー 1 Heat treatment device 3 Control unit 4 Halogen heating unit 5 Flash heating unit 6 Chamber 7 Holding unit 10 Transfer mechanism 20 Lower radiation thermometer 25 Upper radiation thermometer 31 Crack judgment unit 33 Input unit 63 Upper chamber window 64 Lower chamber window 65 Heat treatment space 74 Suceptor 75 Holding plate 77 Board support pin 90 High-speed radiation thermometer unit 91 Infrared sensor 95 Temperature conversion unit 96 Characteristic value calculation unit FL Flash lamp HL Halogen lamp W Semiconductor wafer

Claims (14)

基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
フラッシュランプから基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュ光照射工程と、
前記フラッシュ光を照射した後の所定期間の前記基板の表面温度を測定して温度プロファイルを取得する温度測定工程と、
前記温度プロファイルを解析して前記基板の割れを検出する検出工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 A heat treatment method for heating a substrate by irradiating the substrate with flash light.
A flash light irradiation process that irradiates the surface of the substrate with flash light from a flash lamp,
A temperature measurement step of measuring the surface temperature of the substrate for a predetermined period after irradiation with the flash light to acquire a temperature profile, and a temperature measurement step.
A detection step of analyzing the temperature profile to detect cracks in the substrate, and
A heat treatment method comprising. 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
フラッシュランプから基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュ光照射工程と、
前記フラッシュ光の照射を開始してから所定期間の前記基板の表面温度を測定して温度プロファイルを取得する温度測定工程と、
前記温度プロファイルを解析して前記基板の割れを検出する検出工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 A heat treatment method for heating a substrate by irradiating the substrate with flash light.
A flash light irradiation process that irradiates the surface of the substrate with flash light from a flash lamp,
A temperature measurement step of measuring the surface temperature of the substrate for a predetermined period after starting the irradiation of the flash light to acquire a temperature profile, and a temperature measurement step.
A detection step of analyzing the temperature profile to detect cracks in the substrate, and
A heat treatment method comprising. 請求項１または請求項２記載の熱処理方法において、
前記検出工程では、前記温度プロファイルの特性値が所定範囲から外れているときに前記基板が割れていると判定することを特徴とする熱処理方法。 In the heat treatment method according to claim 1 or 2.
The heat treatment method, characterized in that, in the detection step, it is determined that the substrate is cracked when the characteristic value of the temperature profile is out of a predetermined range. 請求項３記載の熱処理方法において、
前記検出工程は、前記特性値を選択して設定する工程を含むことを特徴とする熱処理方法。 In the heat treatment method according to claim 3,
The detection step is a heat treatment method including a step of selecting and setting the characteristic value. 請求項２記載の熱処理方法において、
前記検出工程では、前記フラッシュ光の照射を開始してから前記基板の表面温度が昇温を継続する時間が前記フラッシュランプのフラッシュ光照射時間と所定値以上乖離する場合には前記基板が割れていると判定することを特徴とする熱処理方法。 In the heat treatment method according to claim 2,
In the detection step, if the time during which the surface temperature of the substrate continues to rise after the start of irradiation with the flash light deviates from the flash light irradiation time of the flash lamp by a predetermined value or more, the substrate is cracked. A heat treatment method, characterized in that it is determined to be present. 請求項１または請求項２記載の熱処理方法において、
前記検出工程では、前記基板よりも前に処理された基板の表面温度を測定して取得された基準温度プロファイルと前記温度プロファイルとを比較して前記基板の割れを判定することを特徴とする熱処理方法。 In the heat treatment method according to claim 1 or 2.
The heat treatment step is characterized in that the cracking of the substrate is determined by comparing the reference temperature profile obtained by measuring the surface temperature of the substrate treated before the substrate with the temperature profile. Method. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記温度測定工程では、前記基板の表面から放射された波長５μｍ以上６．５μｍ以下の赤外光の強度から前記基板の表面温度を測定することを特徴とする熱処理方法。 The heat treatment method according to any one of claims 1 to 6.
The temperature measuring step is a heat treatment method characterized in that the surface temperature of the substrate is measured from the intensity of infrared light having a wavelength of 5 μm or more and 6.5 μm or less radiated from the surface of the substrate. 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバーに収容された前記基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記基板の表面から放射された赤外光を受光して当該表面の温度を測定する放射温度計と、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射した後の所定期間に前記放射温度計によって測定された前記基板の表面温度の温度プロファイルを取得するプロファイル取得部と、
前記温度プロファイルを解析して前記基板の割れを検出する解析部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 A heat treatment device that heats a substrate by irradiating the substrate with flash light.
The chamber that houses the substrate and
A flash lamp that irradiates the surface of the substrate housed in the chamber with flash light,
A radiation thermometer that receives infrared light emitted from the surface of the substrate and measures the temperature of the surface.
A profile acquisition unit that acquires a temperature profile of the surface temperature of the substrate measured by the radiation thermometer during a predetermined period after irradiating the flash light from the flash lamp, and a profile acquisition unit.
An analysis unit that analyzes the temperature profile and detects cracks in the substrate,
A heat treatment apparatus characterized by being provided with. 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバーに収容された前記基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記基板の表面から放射された赤外光を受光して当該表面の温度を測定する放射温度計と、
前記フラッシュランプからフラッシュ光の照射を開始してからの所定期間に前記放射温度計によって測定された前記基板の表面温度の温度プロファイルを取得するプロファイル取得部と、
前記温度プロファイルを解析して前記基板の割れを検出する解析部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 A heat treatment device that heats a substrate by irradiating the substrate with flash light.
The chamber that houses the substrate and
A flash lamp that irradiates the surface of the substrate housed in the chamber with flash light,
A radiation thermometer that receives infrared light emitted from the surface of the substrate and measures the temperature of the surface.
A profile acquisition unit that acquires a temperature profile of the surface temperature of the substrate measured by the radiation thermometer during a predetermined period from the start of irradiation of the flash light from the flash lamp, and a profile acquisition unit.
An analysis unit that analyzes the temperature profile and detects cracks in the substrate,
A heat treatment apparatus characterized by being provided with. 請求項８または請求項９記載の熱処理装置において、
前記解析部は、前記温度プロファイルの特性値が所定範囲から外れているときに前記基板が割れていると判定することを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 8 or 9.
The analysis unit is a heat treatment apparatus, characterized in that it determines that the substrate is cracked when the characteristic value of the temperature profile is out of a predetermined range. 請求項１０記載の熱処理装置において、
前記特性値を設定する設定部をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 10,
A heat treatment apparatus further comprising a setting unit for setting the characteristic value. 請求項９記載の熱処理装置において、
前記解析部は、前記フラッシュ光の照射を開始してから前記基板の表面温度が昇温を継続する時間が前記フラッシュランプのフラッシュ光照射時間と所定値以上乖離する場合には前記基板が割れていると判定することを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 9,
When the time at which the surface temperature of the substrate continues to rise after the start of irradiation of the flash light deviates from the flash light irradiation time of the flash lamp by a predetermined value or more, the analysis unit cracks the substrate. A heat treatment apparatus characterized in that it is determined to be present. 請求項８または請求項９記載の熱処理装置において、
前記解析部は、前記基板よりも前に処理された基板の表面温度を測定して取得された基準温度プロファイルと前記温度プロファイルとを比較して前記基板の割れを判定することを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 8 or 9.
The heat treatment unit is characterized in that the analysis unit measures the surface temperature of the substrate treated before the substrate and compares the obtained reference temperature profile with the temperature profile to determine the cracking of the substrate. Device. 請求項８から請求項１３のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記放射温度計は、前記基板の表面から放射された波長５μｍ以上６．５μｍ以下の赤外光の強度から前記基板の表面温度を測定することを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to any one of claims 8 to 13.
The radiation thermometer is a heat treatment apparatus characterized in that the surface temperature of the substrate is measured from the intensity of infrared light having a wavelength of 5 μm or more and 6.5 μm or less radiated from the surface of the substrate.
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