JP2022076218A - Ldモジュールの製造方法 - Google Patents
Ldモジュールの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022076218A JP2022076218A JP2020186533A JP2020186533A JP2022076218A JP 2022076218 A JP2022076218 A JP 2022076218A JP 2020186533 A JP2020186533 A JP 2020186533A JP 2020186533 A JP2020186533 A JP 2020186533A JP 2022076218 A JP2022076218 A JP 2022076218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- narrowing
- band
- light
- power
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 21
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
図1に示すように、LDモジュール1は、LD素子2と、コリメートレンズ3と、狭帯域化素子4と、を備えている。LDモジュール1の製造時には、LDモジュール1に加えて、センサ5および表示器6を含む調心装置10が構成される。調心装置10は、狭帯域化素子4をLD素子2に対して最適な位置に位置決めするために用いられる。LDモジュール1は、例えば、ファイバレーザ装置の励起光源として用いられる。なお、LDモジュール1の用途はファイバレーザ装置に限定されない。
コリメートレンズ3は、LD素子2から出射されたレーザ光の進行方向を平行にするように構成されている。
なお、以下の説明では、LD素子2が単独で出力したレーザ光を特に「単独出力光L1」という。また、単独出力光L1が、LD素子2および狭帯域化素子4により構成される外部共振器により共振され、狭帯域化素子4によって狭帯域化されてLDモジュール1から出射されたレーザ光を特に「狭帯域化光L2」という。
D≦Cのとき、P1≦P2 …(i)
D>Cのとき、P1>P2 …(ii)
条件式(i)、(ii)は、LD素子2と狭帯域化素子4との結合効率の大きさや、狭帯域化素子4の種類に関わらず成立する。
狭帯域化素子4を用いず、LD素子2を単独で駆動した場合の閾値電流値をIthとする。LD素子2の出射端面2aにおける反射率をRf、反対側の反射端面2bにおける反射率をRb、狭帯域化素子4の反射面4aにおける反射率をRvとする。レーザ光が狭帯域化素子4の光軸と結合する割合(先述の結合効率)をηとする。狭帯域化素子4を用いた外部共振器の、狭帯域化素子4における実効的な反射率をReffとする。このとき、下記数式(1)が成り立つ。
LD素子2を単独で駆動した際のミラーロス(LD素子2の端面における反射による光損失)をαmと表す。LD素子2および狭帯域化素子4により外部共振器を構成した場合のミラーロス(外部共振器の端面における反射による光損失)をαm,effと表す。LD素子2の共振器長をLcav_chipと表す。αmおよびαm,effは、下記数式(2)、(3)により表される。
発光幅180μm、共振器長Lcav_chip:4mm、出射端面2aにおける反射率Rf:1.1%、反射端面2bにおける反射率Rb:98%のLD素子2を用いた。コリメートレンズ3として、ファスト軸コリメートレンズ(FAC)を用いた。まず、LD素子2を単独で駆動した際の出力特性を調べるため、狭帯域化素子4を配置せずに、コリメートレンズ3を通ったレーザ光をセンサ5および表示器6によってモニタした。センサ5として、汎用型サーマルセンサを用いた。表示器6として、汎用型レーザパワーメータを用いた。LD素子2から出射された単独出力光L1はコリメートレンズ3を通り、センサ5に入射する。表示器6はセンサ5に接続されており、センサ5が検出したレーザ光のパワーを表示する。結果を図3に示す。図3に示すように、LD素子2の単独駆動時の閾値電流値は1.21[A]であった。
図5に示すような調心装置100を構成した。調心装置100は、散乱光モニタ101、ケーブル102、およびスペクトラムアナライザ103を有している。散乱光モニタ101は、センサ5の測定面で反射した一部の散乱光を受光する。ケーブル102は、シングルモード光ファイバを含んでおり、散乱光モニタ101で受光された散乱光をスペクトラムアナライザ103に入力する。スペクトラムアナライザ103は、入力された散乱光の波長スペクトルを解析する。狭帯域化素子4によってレーザ光が狭帯域化されると、狭帯域化素子4の反射波長帯と一致したピークが波長スペクトルに現れる。逆に言うと、スペクトラムアナライザ103によって解析された波長スペクトルに、狭帯域化素子4の反射波長帯と一致したピークが表れるか否かにより、レーザ光が狭帯域化素子4によって狭帯域化されたか否かを確認できる。
LD素子2に供給する駆動電流の値を1~8[A]の範囲で変化させ、狭帯域化素子4の位置(パラメータθx)を調整する際のパワー変動を測定した。本実施例では、単独駆動時の閾値電流値Ith:1.2[A]、駆動電流Dを18[A]とした際のピーク波長:980nm、出射端面2aにおける反射率Rf:1.1%、のLD素子2を用いた。また、狭帯域化素子4として、波長976nmにおける反射面4aの反射率Rv:10%のVBGを用いた。駆動電流が1~4[A]の結果を図8に示し、駆動電流が5~8[A]の結果を図9に示す。
図8では、θx=-0.06°ときに、レーザ光のパワーが最大となっている。一方、図9では、θx=-0.12°およびθx=-0.01°のときに、レーザ光のパワーが最大となっている。
また、前記実施形態において説明したLDモジュール1の製造方法を、LDモジュール1を励起光源とするファイバレーザ装置に応用してもよい。この場合、ファイバレーザ装置の製造方法は、前記実施形態で説明したように狭帯域化素子4をLD素子2に対して位置決めしてLDモジュール1を構成する工程と、LDモジュール1と増幅用光ファイバとを光学的に接続する工程と、を少なくとも有する。
Claims (4)
- LD素子および所定の波長帯の光を反射するように構成された狭帯域化素子を備えるLDモジュールの製造方法であって、
前記LD素子に所定の駆動電流を供給して単独出力光を出射させ、前記単独出力光が、前記LD素子と前記狭帯域化素子との間で共振するとともに、前記狭帯域化素子によって狭帯域化された状態で出力された狭帯域化光のパワーをモニタし、前記狭帯域化光のパワーが最大となるように前記狭帯域化素子を位置決めする工程を有し、
前記駆動電流の値は、前記LD素子が前記単独出力光を出射可能となる閾値電流値よりも大きく、前記単独出力光と前記狭帯域化光とでパワーが等しくなる交点電流値より小さい、LDモジュールの製造方法。 - 前記駆動電流は、前記狭帯域化光のパワーの最大値を100%としたとき、前記単独出力光のパワーが95%以下となる値である、請求項1に記載のLDモジュールの製造方法。
- 前記駆動電流は、前記狭帯域化光のパワーの最大値を100%としたとき、前記単独出力光のパワーが80%以下となる値である、請求項1または2に記載のLDモジュールの製造方法。
- 前記LDモジュールは、前記LD素子と前記狭帯域化素子との間に配置され、前記単独出力光を平行光とするコリメートレンズを備える、請求項1から3のいずれか1項に記載のLDモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020186533A JP7495868B2 (ja) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | Ldモジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020186533A JP7495868B2 (ja) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | Ldモジュールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022076218A true JP2022076218A (ja) | 2022-05-19 |
JP7495868B2 JP7495868B2 (ja) | 2024-06-05 |
Family
ID=81606552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020186533A Active JP7495868B2 (ja) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | Ldモジュールの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7495868B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5949384B2 (ja) | 2012-09-24 | 2016-07-06 | 株式会社島津製作所 | レーザ装置の製造方法 |
JP6367569B2 (ja) | 2014-02-13 | 2018-08-01 | スペクトロニクス株式会社 | レーザ光源装置 |
JP7142512B2 (ja) | 2018-08-08 | 2022-09-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
-
2020
- 2020-11-09 JP JP2020186533A patent/JP7495868B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7495868B2 (ja) | 2024-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7529021B2 (en) | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module | |
CN102377107B (zh) | 高稳定性的光源系统及制造方法 | |
JP2001102685A (ja) | 波長安定化レーザ光源 | |
JP5259385B2 (ja) | 波長変換装置及び画像表示装置 | |
JP2007533962A (ja) | レーザー光源を備える測地線装置 | |
US6668112B1 (en) | Multimode laser diode and side-coupled fiber package | |
US20020031163A1 (en) | Integrated external diode laser module particularly suited to raman spectroscopy | |
US7760775B2 (en) | Apparatus and method of generating laser beam | |
JP5936777B2 (ja) | グレーティング素子および外部共振器型発光装置 | |
JP7495868B2 (ja) | Ldモジュールの製造方法 | |
EP1087477B1 (en) | Semiconductor laser module | |
JP2005101504A (ja) | レーザ装置 | |
JP7086537B2 (ja) | 外部共振器型半導体レーザ装置 | |
US20060062261A1 (en) | Mode-selective frequency tuning system | |
CN103493315B (zh) | 激光装置及其调整方法 | |
US10389087B2 (en) | Method and apparatus for spectral narrowing and wavelength stabilization of broad-area lasers | |
US7408867B2 (en) | Method of aligning an optical fiber, method of manufacturing a semiconductor laser module, and semiconductor laser module | |
JP3257382B2 (ja) | 半導体レ−ザモジュ−ル | |
US20090067188A1 (en) | Light source | |
US20020075913A1 (en) | Semiconductor laser module, method of manufacturing semiconductor laser module and raman amplifier | |
EP1411601B1 (en) | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method for manufacturing semiconductor laser module | |
JP2010034280A (ja) | 外部共振器型半導体レーザ | |
JP2002139405A (ja) | 半導体レーザモジュールの測定方法 | |
JP2013258248A (ja) | レーザ光調整方法、及びレーザ光源装置 | |
JP2007194366A (ja) | 半導体レーザモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240524 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7495868 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |