JP2022045827A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の高周波電力印加方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本開示の一実施形態におけるプラズマ処理装置の一例を示す図である。プラズマ処理装置1は、被処理体の一例である半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に対してエッチングや成膜等のプラズマ処理を行う装置である。プラズマ処理装置1は、装置本体10および制御装置100を備える。プラズマ処理装置1は、空気の温度および湿度が所定範囲に制御されたクリーンルーム内等に配置されている。
図2は、上部電極に対する高周波電源および給電体の接続の一例を示す図である。図2は、上部電極であるシャワーヘッド34のベース部材38への給電体44a~44dの接続を斜視図で表している。給電体44a~44dは、それぞれベース部材38の中心から同一半径の円周上に同一間隔で配置される。また、給電体44a~44dには、高周波電源48a~48dが接続されている。なお、整合器46a~46dは省略している。また、ベース部材38は、図示はしないが給電体44a~44dのそれぞれに対応する領域が互いに絶縁されている。
図4は、電極の中心部に給電する場合と、外周部にパルス給電する場合とにおける電圧の分布の一例を示す図である。なお、以下の説明では、上部電極を反転させた状態で説明している。図4の中心給電200では、上部電極201の中心に接続された給電体202によってRF電力203が供給されている。このとき、上部電極201の電圧分布は、グラフ204に示すように、上部電極201の中心部が高く、外周部が低くなるような状態である。
図5は、電極の給電体の位置と電圧が最大となる位置との関係の一例を示す断面図である。図5に示す状態211における上部電極213では、半径rの円周上において給電体214と反対側の上部電極213の表面に、電圧が最大、つまりプラズマに流入する電流の大きさを表す矢印の大きさが最大となる点205が位置している。つまり、給電体214から上部電極213の面に沿って等距離の位置である点205は、電圧が最大となっている。
図8は、パルス給電における印加タイミングの一例を示す図である。図9は、図8の印加タイミングにおける電極の電圧が最大となる位置の遷移の一例を示す図である。図8に示すように、本実施形態では、給電体44a~44dへのRF電力のパルスの印加タイミングをシフトする。図8の例では、給電体44aから円周方向に隣接する順番に、給電体44b、給電体44c、給電体44d、給電体44a、・・・というように、円を描くようにRF電力のパルスの印加タイミングをシフトさせていく。すると、図9に示すように、給電体44a~44dの投影位置230a~230dと中心を挟んで反対側の半径rの円周上の領域231a~231dが、順番に電圧分布が最大となる状態を繰り返す。すなわち、領域231a~231dに対して順番に定在波の腹部が位置することになり、偏ったプラズマが生成される。偏ったプラズマは、パルスの位相変化に応じた定在波の腹部の回転により、同様に回転することになる。また、パルスの周波数を変更することで、偏ったプラズマの回転数を制御することができる。つまり、位相変化やパルス入力パラメータ等によって回転プラズマを制御することで、任意の分布のプロセスを形成することができる。
次に本実施形態におけるプラズマ処理方法について説明する。図11は、本実施形態におけるプラズマ処理の一例を示すフローチャートである。
ここで、変形例1として、図12から図14を用いて給電体44の配置の変形例について説明する。図12は、変形例1における給電体を奇数個配置した場合の配置の一例を示す図である。図12に示す配置例240は、3個の給電体44をベース部材38上の1つの円周上に均等配置した例である。配置例241は、5個の給電体44をベース部材38上の1つの円周上に均等配置した例である。なお、配置例241では、各給電体44は中心角θごとに配置される。また、奇数個配置の例としては、3個以上であれば個数は限定されず、7個、9個といった、さらに多くの給電体44を配置してもよい。なお、給電体44は、奇数個配置した場合、回転対称に配置されることになる。
次に、高周波電源の接続方法の変形例を変形例2,3として説明する。図15は、変形例2の上部電極に対する高周波電源および給電体の接続の一例を示す図である。図15では、上記実施形態における高周波電源48a~48eに代えて、1つの高周波電源48eと、給電体44a~44dのそれぞれに設けられたスイッチ45a~45dとを有する。高周波電源48eは、スイッチ45a~45dに接続される。図15では、スイッチ45a~45dを制御装置100から制御することで、パルス給電を行う。スイッチ45a~45dは、例えば、FET(Field Effect Transistor)スイッチ等のRFスイッチである。制御装置100は、例えば図8に示す印加タイミングにて給電体44a~44dに高周波電力が印加されるように、スイッチ45a~45dを制御する。これにより、高周波電源の数を減らすことができる。
続いて、パルス給電の波形により電圧分布を調整する変形例4について説明する。図17は、変形例4のパルス給電における印加タイミングの一例を示す図である。図17に示すように、給電体44a~44dへ印加されるRF電力のパルスについて、例えばパルス250に示すように一部のパルスの電圧を下げる。
次に、給電体44へのRF電力の印加の順番について説明する。図19は、本実施形態および変形例5の各給電体への高周波電力の印加の順番の一例を示す図である。図19に示す印加順260は、上記実施形態の給電体44a~44dと同様に、ベース部材38の円周261に配置された4本の給電体44に順番にRF電力を印加する場合を示す。印加順260では、各給電体44に対して、所定の円周方向、例えば円周261の左回りの方向に隣接する順番でRF電力を印加する。
続いて、電極の外周部に加え、中心部にも給電体を追加した変形例を変形例7,8として説明する。図21は、変形例7の上部電極に対する高周波電源および給電体の接続の一例を示す図である。図21では、上部電極であるシャワーヘッド34のベース部材38の外周部に位置する給電体44a~44dに加えて、ベース部材38の中心部に給電体49aを設ける。給電体49aには、給電体44a~44dに接続される高周波電源48a~48dと同様に、高周波電源49bが接続されている。なお、整合器は省略している。ベース部材38は、図示はしないが給電体44a~44d,49aのそれぞれに対応する領域が互いに絶縁されている。
10 装置本体
11 チャンバ
11a 板状部材
11d カバー部材
16 載置台
18 静電チャック
34 シャワーヘッド
36 天板
38 ベース部材
44a~44d,49a,89a~89d,95a 給電体
45a~45d スイッチ
46a~46d,87 整合器
47a~47d 可変コンデンサ
48a~48e,49b,88,88a~88d,95b 高周波電源
51,52,64 配管
66 ガス供給源
83 APCバルブ
84 排気装置
100 制御装置
W ウエハ
Claims (18)
- プラズマ処理装置であって、
真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に設けられた電極と、
前記電極の背面の周辺部に接続される複数の給電体と、
前記複数の給電体を介して前記電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、前記複数の給電体のそれぞれに、周期的に前記高周波電力を印加するよう前記プラズマ処理装置を制御するように構成される、
プラズマ処理装置。 - 前記複数の給電体は、前記電極の背面において、前記電極の中心から同一半径の円周上に同一間隔で配置される、
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数の給電体の数は、3つ以上である、
請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記高周波電源は、前記複数の給電体のそれぞれと対になる複数の高周波電源であり、前記複数の高周波電源のそれぞれは、断続的に高周波電力を出力可能なパルス電源である、
請求項1~3のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記高周波電源は、前記複数の給電体のそれぞれと対になる複数のスイッチを介して、前記複数の給電体のそれぞれと接続される、
請求項1~3のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記高周波電源は、前記複数の給電体のそれぞれと対になる複数の可変コンデンサを介して、前記複数の給電体のそれぞれと接続される、
請求項1~3のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記複数の給電体のそれぞれに、所定の円周方向に隣接する順番で前記高周波電力を印加する、
請求項1~6のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記複数の給電体のそれぞれに、前記複数の給電体のそれぞれを頂点とする多角形の対角線、または、四角形の対角線および辺を一筆書きとなる順番で、前記高周波電力を印加する、
請求項1~6のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記複数の給電体に供給される前記高周波電力のうち、特定の給電体に供給される前記高周波電力を他の給電体に供給される前記高周波電力と異なる値とする、
請求項1~8のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - さらに、前記電極の背面の中心部に接続される中心給電体を有し、
前記高周波電源は、前記中心給電体を介して前記電極に前記高周波電力を供給し、
前記制御部は、前記複数の給電体のそれぞれ、および、前記中心給電体に、周期的に前記高周波電力を印加するよう前記プラズマ処理装置を制御するように構成される、
請求項1~3のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記高周波電源は、前記複数の給電体のそれぞれ、および、前記中心給電体と対になる複数の高周波電源であり、前記複数の高周波電源のそれぞれ、および、前記中心給電体は、断続的に高周波電力を出力可能なパルス電源である、
請求項10に記載のプラズマ処理装置。 - 前記高周波電源は、前記複数の給電体のそれぞれ、および、前記中心給電体と対になる複数のスイッチを介して、前記複数の給電体のそれぞれ、および、前記中心給電体と接続される、
請求項10に記載のプラズマ処理装置。 - 前記高周波電源は、前記複数の給電体のそれぞれ、および、前記中心給電体と対になる複数の可変コンデンサを介して、前記複数の給電体のそれぞれ、および、前記中心給電体と接続される、
請求項10に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記複数の給電体のそれぞれに、所定の円周方向に隣接する順番で前記高周波電力を印加するとともに、前記複数の給電体のそれぞれへの前記高周波電力の印加の間に、前記中心給電体に前記高周波電力を印加する、
請求項10~13のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記複数の給電体のそれぞれに、前記複数の給電体のそれぞれを頂点とする多角形の対角線、または、四角形の対角線および辺を一筆書きとなる順番で、前記高周波電力を印加するとともに、前記複数の給電体のそれぞれへの前記高周波電力の印加の間に、前記中心給電体に前記高周波電力を印加する、
請求項10~13のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記複数の給電体および前記中心給電体に供給される前記高周波電力のうち、特定の給電体に供給される前記高周波電力を他の給電体に供給される前記高周波電力と異なる値とする、
請求項10~15のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、さらに排他的に前記高周波電力を印加するよう前記プラズマ処理装置を制御するように構成される、
請求項1~16のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - プラズマ処理装置の高周波電力印加方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に設けられた電極と、
前記電極の背面の周辺部に接続される複数の給電体と、
前記複数の給電体を介して前記電極に高周波電力を供給する高周波電源と、を備え、
前記複数の給電体のそれぞれに、周期的に前記高周波電力を印加する工程と、
前記高周波電力の印加を停止する工程と、
を有するプラズマ処理装置の高周波電力印加方法。
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