JP2022026173A - 電力合成回路及び増幅装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】2次高調波信号の出力を抑制する電力合成回路を提供すること。【解決手段】第1入力端と、第2入力端と、出力端と、一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、前記第1配線に電磁的に結合する第3配線と、前記第2配線に電磁的に結合する第4配線と、一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、一端が前記第4配線の一端に接続され、前記第5配線に電磁的に結合する第6配線と、を備える、電力合成回路。【選択図】図3

Description

本開示は、電力合成回路及び増幅装置に関する。
高周波信号を合成する合成器及び高周波信号を分配する分配器が知られている(例えば、特許文献1,2,3,4参照)。
特開平9-223942号公報 特開2000-244273号公報 特開2002-171136号公報 特開2005-333392号公報
しかしながら、従来の電力合成器は、広い周波数にわたって整合を取るため、所望の周波数の入力信号を合成して出力するだけでなく、所望の周波数の2倍の高調波成分の信号(2次高調波信号)も合成して出力してしまう。
本開示は、2次高調波信号の出力を抑制可能な電力合成回路及び増幅装置を提供する。
本開示の一観点によれば、
第1入力端と、
第2入力端と、
出力端と、
一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
前記第1配線に電磁的に結合する第3配線と、
前記第2配線に電磁的に結合する第4配線と、
一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
一端が前記第4配線の一端に接続され、前記第5配線に電磁的に結合する第6配線と、を備える、電力合成回路が提供される。
本開示の一観点によれば、2次高調波信号の出力を抑制できる。
広帯域電力合成の問題点を説明するための図である。 広帯域電力合成の問題点を説明するための図である。 一実施形態における電力合成回路の構成例を示す図である。 一実施形態における電力合成回路の第1配線構造例を示す図である。 一実施形態における電力合成回路の第2配線構造例を示す図である。 一実施形態における電力合成回路の第1動作例を示す図である。 一実施形態における電力合成回路の第2動作例を示す図である。 一実施形態における増幅装置の構成例及び動作例を示す図である。 一実施形態における増幅装置の構成例及び動作例を示す図である。 一実施形態における通信装置の構成例を示す図である。 一実施形態における電力合成回路のシミュレーション時の構成の斜視図である。 一実施形態における電力合成回路のシミュレーション時の構成の第1配線層の上面図である。 一実施形態における電力合成回路のシミュレーション時の構成の第2配線層の上面図である。 一実施形態における電力合成回路のシミュレーション時の構成の断面図である。 一実施形態における電力合成回路のシミュレーション結果の一例を示す図である。 一実施形態における電力合成回路のシミュレーション結果の一例を示す図である。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、広帯域電力合成の問題点を説明するための図である。通信用や電波妨害用などの電力増幅装置200には広帯域性が求められ、電力増幅装置200の最終段に設けられる電力合成器には、広帯域電力合成器100が使用される。広帯域PA(電力増幅器)111,112の出力信号は、広帯域電力合成器100によって合成されることによって、電力増幅装置200の広帯域性が実現する。
しかしながら、広帯域PA(電力増幅器)111,112の出力信号には、広帯域PA111,112の増幅歪みに由来する2次高調波信号(広帯域PA111,112に入力される所望の信号の基本周波数の2倍の高調波成分の信号)が含まれる。従来の広帯域電力合成器100は、広い周波数にわたって整合を取るため、広帯域PA111,112から出力される所望の信号を合成して出力するだけでなく、広帯域PA111,112から出力される信号に含まれる2次高調波信号を合成して出力してしまう。その結果、電波法で規定されるスペクトラルマスクを満たさない場合がある。
これを解決するために、図2に示されるように、広帯域電力合成器100の出力部に高調波除去フィルタ113を挿入することが考えられる。しかしながら、一般的に広帯域除去フィルタは損失が大きいため、電力増幅装置200の損失が増加する原因となりうる。本開示の一実施形態における電力合成回路は、二次高調波信号の出力を抑制可能な構成を有する。
図3は、本開示の一実施形態における電力合成回路の構成例を示す図である。図3に示す電力合成回路101は、互いに電磁界結合する(電磁的に結合する)2本の配線をそれぞれ有する3つの結合線路と、差動信号が入力される入力端22,23と、シングルエンド信号を出力する出力端21とを備える。3つの結合線路は、配線1,3を有する第1結合線路と、配線2,4を有する第2結合線路と、配線5,6を有する第3結合線路とを含む。
入力端22は、第1入力端の一例であり、入力端23は、第2入力端の一例である。一対の入力端22,23は、差動信号が入力される端部である。差動信号のうちの一方の信号(正相信号)は、入力端22に入力され、差動信号のうちの他方の信号(逆相信号)は、入力端23に入力される。逆相信号は、正相信号に対して位相が反転した信号である。配線1~6は、例えば、マイクロストリップ線路等の伝送線路におけるストリップ導体である。
配線1は、第1配線の一例である。配線1は、一端が入力端22に接続され、他端が配線2の一端に接続される線路である。
配線2は、第2配線の一例である。配線2は、一端が配線1の他端に接続され、他端が入力端23に接続される線路である。
配線3は、第3配線の一例であり、配線1に電磁的に結合する線路である。配線3は、例えば、一端が配線5の一端に接続され、他端がグランドに接続される。
配線4は、第4配線の一例であり、配線2に電磁的に結合する線路である。配線4は、例えば、一端が配線6の一端に接続され、他端がグランドに接続される。
配線5は、第5配線の一例である。配線5は、一端が配線3の一端に接続され、他端が出力端21に接続される線路である。
配線6は、第6配線の一例であり、配線5に電磁的に結合する線路である。配線6は、例えば、一端が配線4の一端に接続され、他端がグランドに接続される。
それぞれの結合線路の配線は、絶縁基板上の一表面に並走するように配置された対向配線対でも、絶縁基板上の多層配線技術を用いて形成された対向配線対でも、絶縁基板の上面及び下面に形成された対向配線対でもよい。絶縁基板は、絶縁層の一例である。
図4は、一実施形態における電力合成回路の第1配線構造例を示す図である。電力合成回路101は、複数の絶縁層が積層する構造を有し、この例では、2つの絶縁層31,32が積層する。絶縁層31,32は、例えば、誘電体を主成分とする誘電体基板である。電力合成回路101は、絶縁層31,32と、絶縁層31の一方の表面(第1主面33)の側に設けられた第1配線層41と、絶縁層31の他方の表面(第2主面34)の側に設けられた第2配線層42とを有する。第2主面34は、第1主面33とは反対側の表面である。第2配線層42は、絶縁層31と絶縁層32との間に挟まれている。第1配線層41に形成される一方の配線と、第2配線層42に形成される他方の配線とは、絶縁層31を介して対向することで電磁的に結合する。配線層41,42は、例えば、導電性の金属層である。
図5は、一実施形態における電力合成回路の第2配線構造例を示す図である。電力合成回路101は、一つの絶縁層31と、絶縁層31の一方の表面(第1主面33)に形成された第1配線層41と、絶縁層31の他方の表面(第2主面34)に形成された第2配線層42とを有する。図4と同様に、第1配線層41に形成される一方の配線と、第2配線層42に形成される他方の配線とは、絶縁層31を介して対向することで電磁的に結合する。
図4,5において、例えば、図3に示す配線1,2,5は、第1配線層41に形成され、図3に示す配線3,4,6は、第2配線層42に形成される。
図6は、一実施形態における電力合成回路の第1動作例を示す図であり、具体的には、一対の入力端22,22に差動信号が入力された時の動作を示す。配線間が電磁界結合した結合線路構造では、Transverse Electric Magnetic Mode (TEMモード)で信号が伝搬するので、2本の配線に流れる電流が逆方向になる。
電力合成回路101で電力合成がされる時、入力電流"+I"と"-I"の差動信号が一対の入力端22,23に入力されると、合成されたシングルエンドの出力電流"-I"が出力端21から出力される。つまり、差動入力-シングルエンド出力の合成器が得られる。入力電流"+I"が配線1に流れると、配線1と配線3との電磁的な結合によって、配線1に流れる入力電流"+I"とは逆向きの電流"-I"が配線3に流れる。配線5は配線3に直列に接続されているので、配線5には、配線3と同じ向きの電流"-I"が流れる。同様に、入力電流"-I"が配線2に流れると、配線2と配線4との電磁的な結合によって、配線2に流れる入力電流"-I"とは逆向きの電流"+I"が配線4に流れる。配線6は配線4に直列に接続されているので、配線6には、配線4と同じ向きの電流"+I"が流れる。配線5と配線6には互いに逆向きの電流が流れ、配線5と配線6は電磁的に結合するので、電流"-I"が出力端21から出力される。
このように、電力合成回路101での電力合成は、配線間の電磁的結合に基づいているため、広い周波数範囲にわたって成り立つ。したがって、電力合成回路101は広帯域電力合成器として機能する。
一方、図7は、一実施形態における電力合成回路の第2動作例を示す図であり、具体的には、一対の入力端22,23に同相信号が入力された時の動作を示す。例えば、入力電流"+I"と"+I"の同相信号が一対の入力端22,23に入力されると、配線5と配線6には同じ向きの電流が流れる。したがって、配線5,6の各々に生ずる電力は合成されず、出力端21から出力される出力電流(出力電力)は、ほとんど零になる。
図8及び図9は、一実施形態における増幅装置の構成例及び動作例を示し、具体的には、入力端22,23の各々に電力増幅器の出力側が接続された構成を示す。広帯域PA11は、出力側が入力端22に接続される電力増幅器であり、広帯域PA12は、出力側が入力端23に接続される電力増幅器である。広帯域PA11,12に差動信号が入力されたとき、広帯域PA11,12から増幅された差動信号が出力される。
基本周波数fの差動の入力信号が広帯域PA11,12に入力されると、広帯域PA11,12から出力される基本周波数fの信号も、差動信号となる(図8参照)。よって、差動信号が一対の入力端22,23に入力されるので、上記の説明のように、出力端21から合成されたシングルエンド信号が出力される。
一方、基本周波数fの差動の入力信号が広帯域PA11,12に入力されても、二次高調波は一次高調波の二乗に比例した出力となるので、広帯域PA11,12から出力される二次高調波信号は、同相となる(図9参照)。よって、同相の二次高調波信号が一対の入力端22,23に入力されるので、上記の説明のように、二次高調波信号を含む出力電力は、出力端21からほとんど出力されない。このように、基本波信号に対しては、電力合成器として動作し、二次高調波に対しては、フィルタとして動作する、広帯域電力合成器が実現できる。
図10は、一実施形態における通信装置の構成例を示す図である。図10に示す通信装置301は、アンテナ202と、アンテナ202に接続される電力増幅装置201とを備える。電力増幅装置201は、広帯域PA11,12と、電力合成回路101とを備える。アンテナ202は、電力合成回路101の出力端21に接続される。これにより、通信装置301を、二次高調波が減衰した電波をアンテナ202から送信する送信機とすることができる。
図11は、一実施形態における電力合成回路のシミュレーション時の構成の斜視図である。図12は、一実施形態における電力合成回路のシミュレーション時の構成の第1配線層の上面図である。図13は、一実施形態における電力合成回路のシミュレーション時の構成の第2配線層の上面図である。図14は、一実施形態における電力合成回路のシミュレーション時の構成の点線(図13参照)における断面図である。
図11~14は、図3に示す回路構成を有する電力合成回路101の構造図を示し、配線1~6は平面視で略T字状に配置されている。次に、図11~14を参照して、その構造について説明する。
電力合成回路101は、ポートP1,P2,P3、絶縁層30、配線1~6及びグランド50を備える。ポートP1,P2,P3は、それぞれ、出力端21、入力端22、入力端23に対応する。
絶縁層30(図14参照)は、第1主面33と第2主面34とを有する。第1主面33は、第1面の一例であり、第2主面34は、第1面とは反対側の第2面の一例である。配線1,2,5は、第1主面33に設けられ、配線3,4,6は、第2主面34に設けられる。
配線1は、一端がポートP2に接続され、他端が配線2の一端に接続される導体である。配線1は、配線1の一端から配線1の他端への方向Aに延伸する。方向Aは、第1方向の一例である。
配線2は、一端が配線1の他端に接続され、他端がポートP3に接続される導体である。配線2は、配線2の他端から配線2の一端への方向Bに延伸する。方向Bは、第2方向の一例である。方向Bは、方向Aとは異なる方向であり、この例では、方向Aに対して180°反対の方向である。
配線3は、一端が配線5の一端に接続され、他端がグランド50に接続される導体である。配線3は、絶縁層30を介して対向する配線1に沿って方向Aに延伸する。配線3の一端と配線5の一端は、絶縁層31を貫通するビア35を介して接続される。ビア35は、絶縁層31の第1主面33と第2主面34とを接続する導通孔である。
配線4は、一端が配線6の一端に接続され、他端がグランド50に接続される導体である。配線4は、絶縁層30を介して対向する配線2に沿って方向Bに延伸する。
配線5は、一端が配線3の一端に接続され、他端がポートP1に接続される導体である。配線5は、配線5の一端から配線5の他端への方向Cに延伸する。方向Cは、第3方向の一例である。方向Cは、方向A及び方向Bとは異なる方向であり、この例では、方向A及び方向Bに対して90°異なる方向である。
配線6は、一端が配線4の一端に接続され、他端がグランド50に接続される導体である。配線6は、絶縁層30を介して対向する配線5に沿って方向Cに延伸する。
次に、図11~14に示す構造を有する電力合成回路101のシミュレーション結果の一例を説明する。ポートP2,P3に差動信号を入力し、ポートP1からシングルエンド信号が出力される構成を有する電力合成器として動作する場合のシミュレーション結果を示す。
図15は、一実施形態における電力合成回路のシミュレーション結果の一例を示す図である。S11は、ポートP1から見たときの反射利得を表し、S11が低いほど、ポートP1から入力された信号がポートP2,P3に効率的に分配されていることを表す。S21は、ポートP1からポートP2への挿入損失、S31は、ポートP1からポートP3への挿入損失を表す。ポートP1から入力された信号は、ポートP2とポートP3に分配されるので、理想的には半分になる。よって、S21,S31は、それぞれ、理想的には、-3[dB]ずつになる。図15によれば、0.5GHzから3.0GHzまでの広い周波数範囲にわたって、反射利得S11は、-15[dB]以下で、挿入損失S21,S31は、-4~-3[dB]であるので、低損失で分配されていることがわかる。
また、図16に示すように、ポートP1からポートP2への信号とポートP1からポートP3への信号との位相差は、0.5GHzから3.0GHzまでの広い周波数範囲にわたって、約180°となっており、バランとして差動動作していることがわかる。
このように、本実施形態によれば、広い周波数範囲にわたって、広帯域PAからの出力電力を合成する機能と、不要な2次高調波信号を抑制する機能とを併せ持つ広帯域電力合成器を実現できる。
以上、電力合成回路及び増幅装置を実施形態により説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。他の実施形態の一部又は全部との組み合わせや置換などの種々の変形及び改良が、本発明の範囲内で可能である。
例えば、電力合成回路は、出力端を入力端、第1入力端を第1出力端、第2入力端を第2出力端とする電力分配回路として使用できる。
以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1)
第1入力端と、
第2入力端と、
出力端と、
一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
前記第1配線に電磁的に結合する第3配線と、
前記第2配線に電磁的に結合する第4配線と、
一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
一端が前記第4配線の一端に接続され、前記第5配線に電磁的に結合する第6配線と、を備える、電力合成回路。
(付記2)
絶縁層を備え、
前記第3配線は、前記絶縁層を介して対向する前記第1配線に沿って延伸し、
前記第4配線は、前記絶縁層を介して対向する前記第2配線に沿って延伸し、
前記第6配線は、前記絶縁層を介して対向する前記第5配線に沿って延伸する、付記1に記載の電力合成回路。
(付記3)
第1入力端と、
第2入力端と、
出力端と、
絶縁層と、
一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
前記絶縁層を介して対向する前記第1配線に沿って延伸する第3配線と、
前記絶縁層を介して対向する前記第2配線に沿って延伸する第4配線と、
一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
一端が前記第4配線の一端に接続され、前記絶縁層を介して対向する前記第5配線に沿って延伸する第6配線と、を備える、電力合成回路。
(付記4)
前記絶縁層は、第1面と、前記第1面とは反対側の第2面とを有し、
前記第1配線、前記第2配線及び前記第5配線は、前記第1面の側に設けられ、
前記第3配線、前記第4配線及び前記第6配線は、前記第2面の側に設けられる、付記2又は3に記載の電力合成回路。
(付記5)
前記第3配線の一端と前記第5配線の一端は、前記絶縁層を貫通するビアを介して接続される、付記2から4のいずれか一項に記載の電力合成回路。
(付記6)
前記第1配線及び前記第3配線は、第1方向に延伸し、
前記第2配線及び前記第4配線は、前記第1方向とは異なる第2方向に延伸し、
前記第5配線及び前記第6配線は、前記第1方向及び前記第2方向とは異なる第3方向に延伸する、付記1から5のいずれか一項に記載の電力合成回路。
(付記7)
前記第1方向は、前記第1配線の一端から前記第1配線の他端への方向であり、
前記第2方向は、前記第2配線の他端から前記第2配線の一端への方向であり、
前記第3方向は、前記第5配線の一端から前記第5配線の他端への方向である、付記6に記載の電力合成回路。
(付記8)
前記第3配線の他端と前記第4配線の他端と前記第6配線の他端とが接続されるグランドを備える、付記1から7のいずれか一項に記載の電力合成回路。
(付記9)
前記第1入力端と前記第2入力端は、差動信号が入力される、付記1から8のいずれか一項に記載の電力合成回路。
(付記10)
第1増幅器と、
第2増幅器と、
前記第1増幅器の出力側に接続される第1入力端と、
前記第2増幅器の出力側に接続される第2入力端と、
出力端と、
一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
前記第1配線に電磁的に結合する第3配線と、
前記第2配線に電磁的に結合する第4配線と、
一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
一端が前記第4配線の一端に接続され、前記第5配線に電磁的に結合する第6配線と、を備える、増幅装置。
(付記11)
第1増幅器と、
第2増幅器と、
前記第1増幅器の出力側に接続される第1入力端と、
前記第2増幅器の出力側に接続される第2入力端と、
出力端と、
絶縁層と、
一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
前記絶縁層を介して対向する前記第1配線に沿って延伸する第3配線と、
前記絶縁層を介して対向する前記第2配線に沿って延伸する第4配線と、
一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
一端が前記第4配線の一端に接続され、前記絶縁層を介して対向する前記第5配線に沿って延伸する第6配線と、を備える、増幅装置。
(付記12)
第1増幅器と、
第2増幅器と、
前記第1増幅器の出力側に接続される第1入力端と、
前記第2増幅器の出力側に接続される第2入力端と、
出力端と、
前記出力端に接続されるアンテナと、
一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
前記第1配線に電磁的に結合する第3配線と、
前記第2配線に電磁的に結合する第4配線と、
一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
一端が前記第4配線の一端に接続され、前記第5配線に電磁的に結合する第6配線と、を備える、通信装置。
(付記13)
第1増幅器と、
第2増幅器と、
前記第1増幅器の出力側に接続される第1入力端と、
前記第2増幅器の出力側に接続される第2入力端と、
出力端と、
前記出力端に接続されるアンテナと、
絶縁層と、
一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
前記絶縁層を介して対向する前記第1配線に沿って延伸する第3配線と、
前記絶縁層を介して対向する前記第2配線に沿って延伸する第4配線と、
一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
一端が前記第4配線の一端に接続され、前記絶縁層を介して対向する前記第5配線に沿って延伸する第6配線と、を備える、通信装置。
21 出力端
22,23 入力端
30,31,32 絶縁層
33 第1面
34 第2面
35 ビア
41 第1配線層
42 第2配線層
50 グランド
100 広帯域電力合成器
101 電力合成回路
111,112 広帯域PA
113 高調波除去フィルタ
200,201 電力増幅装置
202 アンテナ
301 通信装置

Claims (10)

  1. 第1入力端と、
    第2入力端と、
    出力端と、
    一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
    一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
    前記第1配線に電磁的に結合する第3配線と、
    前記第2配線に電磁的に結合する第4配線と、
    一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
    一端が前記第4配線の一端に接続され、前記第5配線に電磁的に結合する第6配線と、を備える、電力合成回路。
  2. 絶縁層を備え、
    前記第3配線は、前記絶縁層を介して対向する前記第1配線に沿って延伸し、
    前記第4配線は、前記絶縁層を介して対向する前記第2配線に沿って延伸し、
    前記第6配線は、前記絶縁層を介して対向する前記第5配線に沿って延伸する、請求項1に記載の電力合成回路。
  3. 第1入力端と、
    第2入力端と、
    出力端と、
    絶縁層と、
    一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
    一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
    前記絶縁層を介して対向する前記第1配線に沿って延伸する第3配線と、
    前記絶縁層を介して対向する前記第2配線に沿って延伸する第4配線と、
    一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
    一端が前記第4配線の一端に接続され、前記絶縁層を介して対向する前記第5配線に沿って延伸する第6配線と、を備える、電力合成回路。
  4. 前記絶縁層は、第1面と、前記第1面とは反対側の第2面とを有し、
    前記第1配線、前記第2配線及び前記第5配線は、前記第1面の側に設けられ、
    前記第3配線、前記第4配線及び前記第6配線は、前記第2面の側に設けられる、請求項2又は3に記載の電力合成回路。
  5. 前記第3配線の一端と前記第5配線の一端は、前記絶縁層を貫通するビアを介して接続される、請求項2から4のいずれか一項に記載の電力合成回路。
  6. 前記第1配線及び前記第3配線は、第1方向に延伸し、
    前記第2配線及び前記第4配線は、前記第1方向とは異なる第2方向に延伸し、
    前記第5配線及び前記第6配線は、前記第1方向及び前記第2方向とは異なる第3方向に延伸する、請求項1から5のいずれか一項に記載の電力合成回路。
  7. 前記第1方向は、前記第1配線の一端から前記第1配線の他端への方向であり、
    前記第2方向は、前記第2配線の他端から前記第2配線の一端への方向であり、
    前記第3方向は、前記第5配線の一端から前記第5配線の他端への方向である、請求項6に記載の電力合成回路。
  8. 前記第3配線の他端と前記第4配線の他端と前記第6配線の他端とが接続されるグランドを備える、請求項1から7のいずれか一項に記載の電力合成回路。
  9. 第1増幅器と、
    第2増幅器と、
    前記第1増幅器の出力側に接続される第1入力端と、
    前記第2増幅器の出力側に接続される第2入力端と、
    出力端と、
    一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
    一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
    前記第1配線に電磁的に結合する第3配線と、
    前記第2配線に電磁的に結合する第4配線と、
    一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
    一端が前記第4配線の一端に接続され、前記第5配線に電磁的に結合する第6配線と、を備える、増幅装置。
  10. 第1増幅器と、
    第2増幅器と、
    前記第1増幅器の出力側に接続される第1入力端と、
    前記第2増幅器の出力側に接続される第2入力端と、
    出力端と、
    絶縁層と、
    一端が前記第1入力端に接続される第1配線と、
    一端が前記第1配線の他端に接続され、他端が前記第2入力端に接続される第2配線と、
    前記絶縁層を介して対向する前記第1配線に沿って延伸する第3配線と、
    前記絶縁層を介して対向する前記第2配線に沿って延伸する第4配線と、
    一端が前記第3配線の一端に接続され、他端が前記出力端に接続される第5配線と、
    一端が前記第4配線の一端に接続され、前記絶縁層を介して対向する前記第5配線に沿って延伸する第6配線と、を備える、増幅装置。
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