JP2022023957A - 粒子離脱デバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】分離容器中のサイクロン負荷率を低減して、サイクロンの寿命を延ばす粒子離脱デバイスを含む容器を提供する。【解決手段】流動床2300と、1つ以上のサイクロン2100と、円形バッフルプレートを含む粒子離脱デバイス2200と、を含む容器2000であって、円形バッフルプレートが、1つ以上のガイドバッフルと1つ以上の分離バッフルとを含み、1つ以上のガイドバッフル及び1つ以上の分離バッフルが、1つ以上の空気流路及び1つ以上の固体流路を画定し、粒子離脱デバイスが、流動床より上、かつ1つ以上のサイクロンの一部より下の高さで容器内に配設されており、1つ以上のサイクロンが、1つ以上のディップレッグ2114、2124を含み、1つ以上のディップレッグが、粒子離脱デバイスを通して延びている、容器である。【選択図】図3

Description

関連出願
関連出願の相互参照
本出願は、2015年11月24日に出願された米国仮特許出願第62/259,126号の優先権を主張し、その全開示は参照により本明細書に組み込まれる。
本開示は、一般に、粒子離脱デバイスに関する。より具体的には、本開示のある特定の実施形態は、分離容器において有用な粒子離脱デバイス、ならびに関連する方法及びシステムに関する。
典型的な流体接触分解装置(FCCU)では、微粉化再生触媒が再生器のスタンドパイプを介して再生器から引き出され、反応器ライザーの下部において炭化水素供給原料と接触する。炭化水素供給原料及び蒸気は供給ノズルを介してライザーに入る。原料と、蒸気と、再生触媒との混合物は、約200℃~約700℃の温度を有し、ライザー反応器を通って上昇し、原料はより軽質の生成物に変換される一方で、コークス層が触媒の表面上に堆積し、触媒を一時的に失活させる。
次いで、ライザーの頂部からの炭化水素蒸気及び触媒をサイクロンに通して、使用済み触媒を炭化水素蒸気生成物流から分離する。その使用済み触媒は、ストリッパーに入り、そこで蒸気が導入されて使用済み触媒から炭化水素生成物が除去される。次いで、使用済み触媒は、使用済み触媒スタンドパイプを通過して再生器に入り、そこで、ガスの存在下、約620℃~約760℃の範囲の温度で、その使用済み触媒上のコークス層を燃焼させて触媒活性を回復させる。再生は、典型的には、流動床と1つ以上のサイクロンとを含む容器内で行われる。
現在のところ、サイクロン負荷は、全床のエントレインメント率を管理するように設計されている。しかしながら、摩耗量は、負荷率に比例する。したがって、高負荷率を有するサイクロンは、高い摩耗率を受けやすい。
分離容器中のサイクロン負荷率を低減して、サイクロンの寿命を延ばす方法を開発することが望ましい。
本開示は、一般に、粒子離脱デバイスに関する。より具体的には、本開示のある特定の実施形態は、分離容器において有用な粒子離脱デバイス、ならびに関連する方法及びシステムに関する。
一実施形態では、本開示は、バッフルプレートを含む粒子離脱デバイスを提供し、バッフルプレートは、1つ以上のガイドバッフルと1つ以上の分離バッフルとを含み、1つ以上のガイドバッフル及び1つ以上の分離バッフルは、1つ以上の空気流路及び1つ以上の固体流路を画定する。
別の実施形態では、本開示は、流動床、1つ以上のサイクロン、及び粒子離脱デバイスを含む容器を提供し、粒子離脱デバイスは、流動床より上、かつ1つ以上のサイクロンの一部より下の高さで容器内に配設される。
別の実施形態では、本開示は、容器を提供することであって、容器は、流動床、1つ以上のサイクロン、及び粒子離脱デバイスを含み、粒子離脱デバイスは、流動床より上、かつ1つ以上のサイクロンの一部より下の高さで容器内に配設される、提供することと、容器内に空気/触媒原料を導入することと、を含む方法を提供する。
添付の図面と併せて以下の説明を参照することにより、本実施形態及びその利点のより完全かつ徹底した理解を得ることができる。
本開示のある特定の実施形態による粒子離脱デバイスの断面図を示す。 本開示のある特定の実施形態による粒子分離装置を示す。 本開示のある特定の実施形態による粒子離脱デバイスを含む容器の断面図を示す。 分離容器中のエントレインメントフラックスとガス空塔速度との相関を示すチャートである。 H2O圧力とガス空塔速度との相関を示すチャートである。
本開示の特徴及び利点は、当業者には容易に明らかであろう。当業者によって数多くの変更をなすことができるが、そのような変更は本開示の趣旨の範囲内である。
以下の説明は、本発明の主題の技術を具体化する例示的な装置、方法、技術、及び/または指示シーケンスを含む。しかしながら、記載される実施形態は、これらの特定の詳細を用いずに実施され得ることが理解されよう。
本開示は、一般に、粒子離脱デバイスに関する。より具体的には、本開示のある特定の実施形態は、分離容器において有用な粒子離脱デバイス、ならびに関連する方法及びシステムに関する。
流動床とサイクロンとの間に粒子離脱デバイスまたはバッフルを置くことにより容器内の全体的な圧力降下が増加するため、これは望ましくないと考えられてきた。しかしながら、流動床とサイクロンとの間に粒子離脱デバイスまたはバッフルを置くことにより、圧力低下が大幅に増加されないだけでなく、エントレインメント率の低減、及びそれにより流動床におけるサイクロンの固体含量の低減ももたらされることが近年発見された。サイクロン負荷の低減により、サイクロンの摩耗量を低減させることができ、サイクロン必要用量が増大し得る。さらに、上部離脱高も低減され得、それによりサイクロンが従来の容器よりも低くなることを可能にする。
ある特定の実施形態では、本明細書で論じられる粒子離脱デバイスは、固相を分離及び高密度化させる湾曲した経路に沿って、粒子離脱デバイスを通してガス流及び固体流を上昇させる一連のバッフルを含む。ある特定の実施形態では、本明細書で論じられる粒子離脱デバイスは、流動床と共に動作する容器内に挿入され得る。ある特定の実施形態では、本明細書で論じられる粒子離脱デバイスは、濃厚相床の上部とサイクロン入口の高さとの間に置かれてもよい。ある特定の実施形態では、本明細書で論じられる粒子離脱デバイスは、床高よりも一定距離で上に載置されてもよく、この位置を通過する床エントレインメントの量を制御し、かつ搬送離脱高を低減するために使用され得る。
ここで図1を参照すると、図1は、本開示のある特定の実施形態による粒子離脱デバイス1000の断面図を示す。ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイス1000は、バッフルプレート1100を含んでもよい。
ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、炭素鋼で構成することができる。他の実施形態では、バッフルプレート1100は、耐浸食性コーティングを施した炭素鋼、セラミック、及び/またはサーメットで構成することができる。
ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、円形バッフルプレートであってもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、20インチ(0.5メートル)~800インチ(20.3メートル)の範囲の直径を有してもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、40インチ(1メートル)~200インチ(5メートル)の範囲の直径を有してもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、4インチ(0.1メートル)~20インチ(0.5メートル)の範囲の直径を有してもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、流動床を含む容器の内径と同じ直径を有してもよい。他の実施形態では、バッフルプレート1100は、非円形バッフルプレートであってもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、長方形の断面を有してもよい。
ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、1インチ~60インチの範囲の高さを有してもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、5インチ~25インチの範囲の高さを有してもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、13インチの高さを有してもよい。
ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、1つ以上のガイドバッフル1110及び1つ以上の分離バッフル1120を含んでもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、1、2、3、4、5、もしくは6つのガイドバッフル1110、及び/または1、2、3、4、5、もしくは6つの分離バッフル1120を含んでもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、10~60個のガイドバッフル1110及び/または10~60個の分離バッフル1120を含んでもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、20~40個のガイドバッフル1110及び/または20~40個の分離バッフル1120を含んでもよい。ある特定の実施形態では、図1に示すように、バッフルプレート1100の断面は、4つのガイドバッフル1110及び3つの分離バッフル1120を含んでもよい。
ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイス1000の断面に沿った1つ以上のガイドバッフル1110のそれぞれは、均一であり得る。ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイス1000の断面に沿った1つ以上の分離バッフル1120のそれぞれは、均一であり得る。他の実施形態では、図1に示すように、粒子離脱デバイス1000の断面に沿った最も外側のガイドバッフル1110及び/または分離バッフル1120は、部分ガイドバッフル1110及び/または分離バッフル1120を含んでもよい。
ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、図2に示すように、ガイドバッフル1110及び分離バッフル1120の平行列を含むバッフル配置を有し得る。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、軸方向に沿って交互の平行構成で配置された10~60列の範囲の数のガイドバッフル及び/または10~60列の範囲の数の分離バッフル1120を有し得る。
ある特定の実施形態では、ガイドバッフル1110及び分離バッフル1120はそれぞれ、4インチ(0.1メートル)~800インチ(20.3メートル)の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、ガイドバッフル1110及び分離バッフル1120はそれぞれ、4インチ(0.1メートル)から、それらがその内部に配設される容器の内径と等しい長さまでの範囲の長さを有し得る。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110のそれぞれ及び/または1つ以上の分離バッフル1120のそれぞれは、異なる長さを有してもよい。
ある特定の実施形態では、ガイドバッフル1110は、傾斜表面1111、上部表面1112、垂直表面1113、底部表面1114、及び/または突出部1115を含み得る。
ある特定の実施形態では、傾斜表面1111は、3インチ~20インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、傾斜表面1111は、10インチ~15インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、傾斜表面1111は、12.6インチの長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、垂直表面1113は、3インチ~20インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、垂直表面1113は、10インチ~15インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、垂直表面1113は、12.8インチの長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、傾斜表面1111及び垂直表面1113は、平行な表面であり得る。他の実施形態では、傾斜表面1111は、垂直傾斜表面に対して0度~45度の範囲の大きさで上り傾斜及び/または下り傾斜であり得る。他の実施形態では、傾斜表面1111は、垂直傾斜表面に対して5度~25度の範囲の大きさで上り傾斜及び/または下り傾斜であり得る。ある特定の実施形態では、図1に示すように、傾斜表面1111は、垂直表面1113に対して10度の下り傾斜であり得る。
ある特定の実施形態では、上部表面1112は、0.1インチ~6インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、上部表面1112は、1インチ~4インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、上部表面1112は、3インチの長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、上部表面1112は、垂直表面1113に対して直角な水平表面であり得る。
ある特定の実施形態では、底部表面1114は、0.1インチ~3インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、底部表面1114は、0.5インチ~2インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、底部表面1114は、1インチの長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、底部表面1114は、垂直表面1113に対して直角な水平表面であり得る。ある特定の実施形態では、図1に示していないが、ガイドバッフル1110は、底部表面1114を含まなくてもよい。
ある特定の実施形態では、突出部1115は、ガイドバッフル1110から延びてもよい。ある特定の実施形態では、突出部1115は、垂直表面1113から延びてもよい。ある特定の実施形態では、突出部1115は、長方形、三角形、及び/または先細断面形状を有してもよい。ある特定の実施形態では、突出部1115は、上部表面1112の0~10インチ下の範囲に位置付けられ得る。ある特定の実施形態では、突出部1115は、上部表面1112の1~5インチ下の範囲に位置付けられ得る。
ある特定の実施形態では、突出部1115は、垂直表面1113に対して直角なガイドバッフル1110から延びてもよい。ある特定の実施形態では、突出部1115は、1インチ~13インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、突出部1115は、3インチ~10インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、突出部1115は、0.1インチ~4インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、突出部1115は、7インチの長さ及び1インチの高さを有してもよい。
ある特定の実施形態では、突出部1115は、上部表面1116、底部表面1117、及び側部表面1118を含み得る。ある特定の実施形態では、上部表面1116及び底部表面1117は、平行な表面であり得る。ある特定の実施形態では、側部表面1118は、上部表面1116及び/または底部表面1117に対して直角な表面であり得る。ある特定の実施形態では、上部表面1116及び/または底部表面1117は、1インチ~13インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、上部表面1116及び/または底部表面1117は、3インチ~10インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、側部表面1118は、0.1インチ~4インチの範囲の長さを有してもよい。
ある特定の実施形態では、分離バッフル1120は、第1の傾斜表面1121、突出部1122、第2の傾斜表面1123、及び底部表面1124を含み得る。
ある特定の実施形態では、第1の傾斜表面1121及び第2の傾斜表面1123は、平行な表面であり得る。ある特定の実施形態では、第1の傾斜表面1121及び/または第2の傾斜表面1123は、0.1インチ~10インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、第1の傾斜表面1121及び/または第2の傾斜表面1123は、2インチ~5インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、第1の傾斜表面1121及び/または第2の傾斜表面1123は、3インチの長さを有してもよい。
ある特定の実施形態では、底部表面1124は、第1の傾斜表面1121及び/または第2の傾斜表面1123に対して直角であり得る。他の実施形態では、底部表面1124は、第1の傾斜表面1121及び/または第2の傾斜表面1123から0~90度の範囲の大きさで上り傾斜及び/または下り傾斜であり得る。ある特定の実施形態では、底部表面1124は、第1の傾斜表面1121及び/または第2の傾斜表面1123から30~80度の範囲の大きさで上り傾斜及び/または下り傾斜であり得る。ある特定の実施形態では、底部表面1124は、第1の傾斜表面1121及び/または第2の傾斜表面1123から65.5°の下り傾斜であり得る。
ある特定の実施形態では、突出部1122は、分離バッフル1120から延びてもよい。ある特定の実施形態では、突出部1122は、分離バッフル1120の上部から延びてもよい。ある特定の実施形態では、突出部1122は、長方形、三角形、及び/または先細断面形状を有してもよい。
ある特定の実施形態では、突出部1122は、底部表面1124に対して平行な分離バッフル1120から延びてもよい。ある特定の実施形態では、突出部1122は、0.1インチ~8インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、突出部1122は、2インチ~6インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、突出部1122は、0.01インチ~4インチの範囲の高さを有してもよい。ある特定の実施形態では、突出部1122は、0.1インチ~2インチの範囲の高さを有してもよい。ある特定の実施形態では、突出部1122は、4.5インチの長さ及び1インチの高さを有してもよい。
ある特定の実施形態では、突出部1122は、上部表面1126、底部表面1127、第1の側部表面1128、及び第2の側部表面1129を含み得る。ある特定の実施形態では、上部表面1126及び底部表面1127は、平行な表面であり得る。ある特定の実施形態では、第1の側部表面1128及び第2の側部表面1129は、上部表面1126及び/または底部表面1127に対して直角な表面であり得る。ある特定の実施形態では、上部表面1126及び/または底部表面1127は、0.1インチ~6インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、上部表面1126及び/または底部表面1127は、1インチ~3インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、第1の側部表面1128及び第2の側部表面1129は、0.01インチ~6インチの範囲の長さを有してもよい。ある特定の実施形態では、第1の側部表面1128及び第2の側部表面1129は、0.1インチ~2インチの範囲の長さを有してもよい。
ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110は、4インチ~25インチの距離で間隔を空けていてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110は、10インチ~20インチの距離で間隔を空けていてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110は、13.1インチの間隔を空けていてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の分離バッフル1120は、4インチ~25インチの距離で間隔を空けていてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の分離バッフル1120は、10インチ~20インチの距離で間隔を空けていてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の分離バッフル1120は、13.1インチの間隔を空けていてもよい。
ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、ガイドバッフル1110の突出部1115の端部が、隣接するガイドバッフル1110の傾斜表面1111から0.1インチ~15インチの範囲の距離であるように配置されてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、ガイドバッフル1110の突出部1115の端部が、隣接するガイドバッフル1110の傾斜表面1111から1インチ~5インチの範囲の距離であるように配置されてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、ガイドバッフル1110の突出部1115の端部が、隣接するバッフル要素1110の傾斜表面1111から3.28インチであるように配置されてもよい。
ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、分離バッフル1120の突出部1122の端部が、隣接するバッフル要素1110の垂直表面1113から0.1インチ~15インチの範囲の距離であるように配置されてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、分離バッフル1120の突出部1122の端部が、隣接するバッフル要素1110の垂直表面1113から2インチ~6インチの範囲の距離であるように配置されてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、分離バッフル1120の突出部1122の端部が、隣接するガイドバッフル1110の垂直表面1113から4.25インチであるように配置されてもよい。
ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、ガイドバッフル1110の突出部1115の上部が、隣接するバッフルメント要素1120の突出部1122の上部から0.1インチ~10インチの範囲の距離であるように配置されてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、ガイドバッフル1110の突出部1115の上部が、隣接するバッフルメント要素1120の突出部1122の上部から2インチ~8インチの範囲の距離であるように配置されてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、ガイドバッフル1110の突出部1115の上部が、隣接するバッフル要素1120の突出部1122の上部から4.92インチであるように配置されてもよい。
ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、いくつかの流路を画定し得る。例えば、ある特定の実施形態では、図1に示すように、2つのガイドバッフル1110及び1つの分離バッフル1120は、第1の流路1130及び/または第2の流路1140を画定する。ある特定の実施形態では、バッフルプレート1100は、複数の第1の流路1130及び複数の第2の流路1140を含み得る。
ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、1つ以上の第1の流路1130が、ガイドバッフル1100の傾斜表面1111及び分離バッフル1200の第2の傾斜表面1123によって画定されるように配置されてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル1110及び分離バッフル1120は、1つ以上の第2の流路1140が、ガイドバッフル1100の垂直表面1113、分離バッフル1200の第1の傾斜表面1121、第1のバッフル要素1100の突出部1115、及び第2のバッフル要素1200の突出部1125によって画定されるように配置されてもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の第1の流路1130は、突出部1115及び傾斜表面1111によって画定された窪みにおいて1つ以上の第2の1140と交差し得る。
ある特定の実施形態では、第1の流路1130は、直線状であってもよい。ある特定の実施形態では、第1の流路1130は、固体還元流路であり得る。ある特定の実施形態では、第2の流路1140は、少なくとも1つの90°の転回を含む蛇行流路(tortious flow path)であり得る。ある特定の実施形態では、第2の流路1140は、固体回収流路であり得る。ある特定の実施形態では、図1に示していないが、固体は、第1の側部表面1128の隣にある第2の流路1140の屈曲部で回収し得る。
ある特定の実施形態では、図2に示すように、円形バッフル要素1100は、1つ以上の支持プレート1150をさらに含み得る。ある特定の実施形態では、1つ以上の支持プレート1150のそれぞれは、1つ以上のガイドバッフル1110及び/または1120を、隣接するガイドバッフル1110及び/または1120に接続し得る。ある特定の実施形態では、1つ以上の支持プレートは、炭素鋼で構成することができる。ある特定の実施形態では、1つ以上の支持プレート1150は、1つ以上のガイドバッフル1110及び/または1120に対して直角であり得る。
ある特定の実施形態では、図2に示すように、円形バッフル要素1100は、1つ以上のディップレッグ孔1160を含み得る。ある特定の実施形態では、1つ以上のディップレッグ孔1160は、サイクロンからディップレッグが円形バッフル要素1100を通過することを可能にし得る。ある特定の実施形態では、1つ以上のディップレッグ孔1160は、1インチ~30インチの範囲の直径を有してもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のディップレッグ孔1160は、5インチ~15インチの範囲の直径を有してもよい。ある特定の実施形態では、円形バッフル要素1100は、1、2、3、4、5、6つ、またはそれ以上のディップレッグ孔1160を含み得る。
ある特定の実施形態では、本開示は、流動床、1つ以上のサイクロン、及び粒子離脱デバイスを含む容器を提供し、粒子離脱デバイスは、流動床より上、かつ1つ以上のサイクロンより下の高さで容器内に配設される。ここで図3を参照すると、図3は、1つ以上のサイクロン2100と粒子離脱デバイス2200とを含む容器2000の断面図を示す。
ある特定の実施形態では、容器2000は、固体のガスからの分離に使用される任意の従来の容器を含んでもよい。ある特定の実施形態では、容器2000は、再生器容器、または流動床を含む任意の他の容器を含んでもよい。ある特定の実施形態では、容器2000は、FCC触媒のガスからの分離に使用される任意の従来の分離チャンバを含んでもよい。
ある特定の実施形態では、容器2000は、ハウジング2001、ガス/固体入口2002、固体出口2003、及びガス出口2004を含み得る。
ある特定の実施形態では、ハウジング2001は、従来の分離容器に使用される任意の従来のハウジングを含んでもよい。ある特定の実施形態では、ハウジング2001は、金属、金属合金、及び/セラミックで構成することができ、耐浸食性コーティングまたはセラミックライニングで内張りすることができる。ある特定の実施形態では、ハウジング2001は、内径及び外径を有する円筒形状を有してもよい。ある特定の実施形態では、ハウジング2001は、中空内部2005を画定し得る。
ある特定の実施形態では、ハウジング2001は、1フィート~50フィートの範囲の内径を有してもよい。ある特定の実施形態では、ハウジング2001は、10フィート~20フィートの範囲の内径を有してもよい。ある特定の実施形態では、ハウジング2001は、5フィート~250フィートの範囲の内径を有してもよい。ある特定の実施形態では、ハウジング2001は、10フィート~100フィートの範囲の内径を有してもよい。
ある特定の実施形態では、ガス-気体入口2002は、ハウジング2001の側部に沿って位置付けられてもよい。ある特定の実施形態では、ガス-固体入口2002は、容器2000内へのガス及び固体の流れを可能にし得る。ある特定の実施形態では、ガス-固体入口2002は、容器2000への10,000SCFM~500,000SCFMの範囲のガス流速のガス及び固体の流れを可能にするように寸法決めされ得る。ある特定の実施形態では、ガス-固体入口2002は、容器2000への20,000SCFM~250,000SCFMの範囲のガス流速のガス及び固体の流れを可能にするように寸法決めされ得る。ある特定の実施形態では、ガス-固体入口2002は、容器2000内での流動床の形成を可能にするように寸法決めされ得る。
ある特定の実施形態では、ガス-気体入口2002は、分配器2006に接続されてもよい。ある特定の実施形態では、分配器2006は、FCC分離容器に使用される任意の従来の分配器を含んでもよい。
ある特定の実施形態では、固体出口2003は、ハウジング2001の底部に沿って位置付けられてもよい。ある特定の実施形態では、固体出口2002は、容器2000外への固体の流れを可能にし得る。ある特定の実施形態では、ガス出口2004は、ハウジング2001の上部に沿って位置付けられてもよい。ある特定の実施形態では、ガス出口2004は、容器2000外へのガスの流れを可能にし得る。
ある特定の実施形態では、1つ以上のサイクロン2100は、一次サイクロン及び/または二次サイクロンの組み合わせを含んでもよい。ある特定の実施形態では、図3に示していないが、1つ以上のサイクロン2100は、1つ以上の一次サイクロンのみを含んでもよい。他の実施形態では、図3に示していないが、1つ以上のサイクロンは、1つ以上の一次サイクロン2110及び1つ以上の二次サイクロン2120を含んでもよい。ある特定の実施形態では、図3に示すように、1つ以上のサイクロン2100は、1つの一次サイクロン2110及び1つの二次サイクロン2120を含んでもよい。他の実施形態では、1つ以上のサイクロン2100は、複数の一次サイクロン2110及び複数の二次サイクロン2120を含んでもよい。
ある特定の実施形態では、一次サイクロン2110は、FCC分離器に使用される任意の従来の一次サイクロンを含んでもよい。ある特定の実施形態では、二次サイクロン2120は、FCC分離器に使用される任意の従来の二次サイクロンを含んでもよい。
ある特定の実施形態では、一次サイクロン2110は、入口2111、サイクロン本体2112、円錐部分2113、ディップレッグ2114、及び出口2115を含み得る。
ある特定の実施形態では、一次サイクロン2110は、入口2111が粒子離脱デバイス2200よりも上にあるように、容器2000内に位置付けられてもよい。ある特定の実施形態では、入口2111は、流動床2300の1フィート~25フィートの範囲の距離で上に配置されてもよい。ある特定の実施形態では、入口2111は、流動床2300の5フィート~100フィートの範囲の距離で上に配置されてもよい。ある特定の実施形態では、入口2111は、ガス及び固体の混合物がサイクロン本体2112内に入ることを可能にし得る。ある特定の実施形態では、混合物中の固体の体積分率は、0.01~0.3の範囲の体積分率であり得る。ある特定の実施形態では、混合物中の固体の体積分率は、0.05~0.2の範囲の体積分率であり得る。
ある特定の実施形態では、サイクロン本体2112は、任意の従来のサイクロン本体を含んでもよい。ある特定の実施形態では、円錐部分2113は、任意の従来の円錐部分を含んでもよい。
ある特定の実施形態では、ディップレッグ2114は、任意の従来のディップレッグを含んでもよい。ある特定の実施形態では、ディップレッグ2114は、粒子離脱デバイス2200内のディップレッグ孔2216を通して延びてもよい。ある特定の実施形態では、ディップレッグ2114は、流動床2300内に延びてもよい。ある特定の実施形態では、ディップレッグ2114は、ガス及び固体の混合物が一次サイクロン2110を退出し、中空内部2005に戻ることを可能にし得る。ある特定の実施形態では、ディップレッグ中の固体の体積分率は、0.2~0.6の範囲の体積分率であり得る。
ある特定の実施形態では、出口2115は、一次サイクロン2110の上部に位置付けられてもよい。ある特定の実施形態では、入口2111は、ガス及び固体の混合物が一次サイクロン2110を退出し、入口2121を通って二次サイクロン2120に入ることを可能にし得る。ある特定の実施形態では、ガス及び固体の混合物は、一次サイクロン2110の負荷の1%~20%の範囲の負荷を有し得る。
ある特定の実施形態では、二次サイクロン2120は、入口2121、サイクロン本体2122、円錐部分2123、ディップレッグ2124、及び出口2125を含んでもよい。
ある特定の実施形態では、二次サイクロン2120は、入口2121が一次サイクロン2110の出口2115に位置付けられるように、容器2000内に位置付けられてもよい。ある特定の実施形態では、入口2121は、ガス及び固体の混合物が一次サイクロン2110からサイクロン本体2122に入ることを可能にし得る。
ある特定の実施形態では、サイクロン本体2122は、任意の従来のサイクロン本体を含んでもよい。ある特定の実施形態では、円錐部分2123は、任意の従来の円錐部分を含んでもよい。
ある特定の実施形態では、ディップレッグ2124は、任意の従来のディップレッグを含んでもよい。ある特定の実施形態では、ディップレッグ2124は、粒子離脱デバイス2200内のディップレッグ孔2216を通して延びてもよい。ある特定の実施形態では、ディップレッグ2124は、流動床2300内に延びてもよい。ある特定の実施形態では、ディップレッグ2124は、ガス及び固体の混合物が二次サイクロン2120を退出し、中空内部2005に戻ることを可能にし得る。ある特定の実施形態では、ディップレッグ2124中の固体の体積分率は、0.2~0.6の範囲の体積分率であり得る。
ある特定の実施形態では、出口2125は、二次サイクロン2120の上部に位置付けられてもよい。ある特定の実施形態では、出口2125は、ガス及び固体の混合物が二次サイクロン2120を退出し、容器2000を退出することを可能にし得る。ある特定の実施形態では、二次サイクロン2120を退出するガス及び固体の混合物は、0.001~0.1の範囲の固体の体積分率を有し得る。
ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイス2200は、粒子離脱デバイス1000に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを含んでもよい。ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイス2200は、バッフルプレート2210を含んでもよい。ある特定の実施形態では、バッフルプレート2210は、バッフルプレート1100に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを含むことができる。
ある特定の実施形態では、バッフルプレート2210は、第1の流路2211及び1つ以上の第2の流路2212を含んでもよい。ある特定の実施形態では、第1の流路2211は、第1の流路1130に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを含むことができる。ある特定の実施形態では、第2の流路2212は、第2の流路1140に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを含むことができる。
ある特定の実施形態では、バッフルプレート2210は、1つ以上のガイドバッフル2214及び1つ以上の分離バッフル2215をさらに含んでもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の第1のバッフル要素2214及び/または1つ以上の分離バッフル2215は、1つ以上のガス流路2211及び1つ以上の固体流路2212を画定し得る。ある特定の実施形態では、1つ以上のガイドバッフル2214は、ガイドバッフル1110に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを含むことができる。ある特定の実施形態では、1つ以上の分離バッフル2215は、分離バッフル1120に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを含むことができる。
ある特定の実施形態では、バッフルプレート2210は、1つ以上のディップレッグ孔2216をさらに含んでもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上のディップレッグ孔2216は、ディップレッグ孔1160に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを
含むことができる。
ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイス2200は、流動床2300より上の高さで容器2000内に位置付けられてもよい。ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイス2200は、一次サイクロン2110及び/または2120の一部より下の高さで容器2000内に位置付けられてもよい。ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイス2200は、ディップレッグ2124及び/またはディップレッグ2114がディップレッグ孔2216内に部分的に配設されるように、容器2000内に位置付けられてもよい。
ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイス2200は、容器2000の内径と同じ直径を有するように寸法決めされ得る。ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイス2200は、ハウジング2001に溶接されてもよい。
ある特定の実施形態では、本開示は、容器を提供することであって、分離容器は、流動床、1つ以上のサイクロン、及び粒子離脱デバイスを備え、粒子離脱デバイスは、流動床より上、かつ1つ以上のサイクロンの一部より下の高さで容器内に配設される、提供することと、容器内に空気/触媒原料を導入することと、を含む方法を提供する。
ある特定の実施形態では、容器は、容器2000に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを含むことができる。ある特定の実施形態では、1つ以上のサイクロンは、1つ以上の一次サイクロン及び1つ以上の二次サイクロンを含んでもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の一次サイクロンは、一次サイクロン2110に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを含むことができる。ある特定の実施形態では、1つ以上の二次サイクロンは、二次サイクロン2120に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを含むことができる。ある特定の実施形態では、粒子離脱デバイスは、粒子離脱デバイス2200及び/または粒子離脱デバイス1000に関して上で考察した特徴の任意の組み合わせを含むことができる。
ある特定の実施形態では、空気/触媒原料を容器内に導入することは、10,000SCFM~500,000SCFMの範囲のガス流速でガス及び固体の流れを容器内に導入することを含む。
ある特定の実施形態では、本方法は、空気/触媒原料から固体を除去することをさらに含んでもよい。ある特定の実施形態では、本方法は、ガス及び固体の混合物が1つ以上の一次サイクロンに入ることを可能にすることをさらに含んでもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の一次サイクロン内に導入される混合物中の固体の体積分率は、0.01~0.3の範囲の体積分率であり得る。ある特定の実施形態では、本方法は、ガス及び固体の混合物が、1つ以上のディップレッグを通って1つ以上の一次サイクロンを退出することを可能にすることを含んでもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の一次サイクロン内を退出する混合物中の固体の体積分率は、0.2~0.6の範囲の体積分率であり得る。
ある特定の実施形態では、本方法は、ガス及び固体の混合物が、出口を通って1つ以上の一次サイクロンを退出し、1つ以上の二次サイクロンにはいることを可能にすることをさらに含んでもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の二次サイクロン内に導入される混合物中の固体の体積分率は、1つ以上の一次サイクロン内に導入される混合物の負荷の1%~20%の範囲の負荷を有し得る。
ある特定の実施形態では、本方法は、ガス及び固体の混合物が、1つ以上のディップレッグを通って1つ以上の二次サイクロンを退出することを可能にすることをさらに含んでもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の二次サイクロン内を退出する混合物中の固体の体積分率は、0.2~0.6の範囲の体積分率であり得る。
ある特定の実施形態では、本方法は、ガス及び固体の混合物が、1つ以上の出口を通って1つ以上の二次サイクロンを退出することを可能にすることをさらに含んでもよい。ある特定の実施形態では、1つ以上の出口を通って1つ以上の二次サイクロン内を退出する混合物中の固体の体積分率は、1つ以上の一次サイクロン内に導入される混合物の負荷の1%~20%の範囲の負荷を有し得る。
本発明のより良い理解を容易にするために、以下に特定の実施形態の実施例を示す。いかなる場合も、以下の実施例を、本発明の範囲を限定するかまたは定義するものとして読むべきではない。
実施例1
本開示のある特定の実施形態による粒子離脱デバイスのエントレインメントフラックスへの効果を測定した。5フィートの流動床高を有する5フィートの半円形の容器が提供された。FCC触媒及びガスの混合物を1.03ft/秒、1.97ft/秒、及び2.95ft/秒のガス空塔速度で容器に通し、これらの速度のそれぞれでのエントレインメントフラックスを測定した。次いで、本開示のある特定の実施形態による粒子離脱デバイスを、分配器から8フィートの高さで容器内に取り付けた。次いで、次いで、FCC触媒及びガスの同じ混合物を1.03ft/秒、1.97ft/秒、及び2.95ft/秒のガス空塔速度で容器に通し、これらの速度のそれぞれでのエントレインメントフラックスを測定した。図4及び5は、この試験の結果を示す。
図4に見ることができるように、1.03ft/秒の流速では、粒子離脱デバイスを置くことによってエントレインメントが38.5%低減し、1.97ft/秒の流速では、粒子離脱デバイスを置くことによってエントレインメントが34.7%低減し、2.95ft/秒の低速では、粒子離脱デバイスを置くことによってエントレインメントが24.2%減少した。
図5に見ることができるように、3ft/秒の流速では、粒子離脱デバイスを置くことによって6インチH2O(0.2psi)圧力が増加し、2ft/秒の流速では、粒子離脱デバイスを置くことによって1.2インチH2O(0.04psi)圧力が増加し、1ft/秒では、粒子離脱デバイスを置くことによって0.2インチH2O(0.006psi)圧力が増加した。
実施形態を、様々な実装及び活用に関して説明しているが、これらの実施形態は例示的なものであり、発明の主題の範囲はそれらに限定されないことが理解されよう。多くの変形、修正、追加及び改良が可能である。
単一の実例として本明細書で説明された構成要素、操作、または構造に関して、複数の実例を提供することができる。一般に、例示的な構成において別々の構成要素として提示される構造及び機能は、組み合わされた構造または構成要素として実装することができる。同様に、単一の構成要素として提示される構造及び機能は、別個の構成要素として実装することができる。これら及び他の変形、修正、追加、ならびに改善は、本発明の主題の範囲内であり得る。
単一の実例として本明細書で説明された構成要素、操作、または構造に関して、複数の実例を提供することができる。一般に、例示的な構成において別々の構成要素として提示される構造及び機能は、組み合わされた構造または構成要素として実装することができる。同様に、単一の構成要素として提示される構造及び機能は、別個の構成要素として実装することができる。これら及び他の変形、修正、追加、ならびに改善は、本発明の主題の範囲内であり得る。
〔態様1〕
円形バッフルプレートを含む粒子離脱デバイスであって、前記バッフルプレートが、1つ以上のガイドバッフルと1つ以上の分離バッフルとを含み、前記1つ以上のガイドバッフル及び前記1つ以上の分離バッフルが、1つ以上の空気流路及び1つ以上の固体流路を画定する、粒子離脱デバイス。
〔態様2〕
前記バッフルプレートが、1メートル~15メートルの範囲の直径を有する、態様1に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様3〕
前記バッフルプレートが、1~20インチの範囲の高さを有する、態様1または2に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様4〕
前記1つ以上のガイドバッフルが、10~50個のガイドバッフルを含み、前記1つ以上の分離容器が、10~50個の分離バッフルを含む、態様1~3のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様5〕
前記バッフルプレートが、ガイドバッフル及び分離バッフルの1つ以上の平行列を含むバッフル配置を有する、態様1~4のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様6〕
前記ガイドバッフルが、突出部を含む、態様1~5のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様7〕
前記分離バッフルが、突出部を含む、態様1~5のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様8〕
前記突出部が、0.1インチ~8インチの範囲の長さを有する、態様6または7に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様9〕
前記突出部が、長方形の断面形状を有する、態様6~8のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様10〕
前記1つ以上のガイドバッフルが、4インチ~25インチの範囲の距離で間隔を空けている、態様1~9のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様11〕
前記1つ以上の分離バッフルが、4インチ~25インチの範囲の距離で間隔を空けている、態様1~10のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様12〕
前記1つ以上のガイドバッフル及び前記1つ以上の分離バッフルが、1つ以上の流路を画定する、態様1~11のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
〔態様13〕
流動床と、
1つ以上のサイクロンと、
粒子離脱デバイスと、を含む容器であって、前記粒子離脱デバイスが、前記流動床より上、かつ前記1つ以上のサイクロンの一部より下の高さで前記容器内に配設されている、容器。
〔態様14〕
前記粒子離脱デバイスが、態様1~12のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイスを含む、態様13に記載の容器。
〔態様15〕
前記1つ以上のサイクロンが、1つ以上の一次サイクロンと、1つ以上の二次サイクロンとを含む、態様13または14に記載の容器。
〔態様16〕
前記1つ以上のサイクロンが、1つ以上のディップレッグを含む、態様15~17のいずれか一項に記載の容器。
〔態様17〕
前記1つ以上のディップレッグが、前記粒子離脱デバイスを通して延びている、態様16に記載の容器。
〔態様18〕
容器を提供することであって、前記容器が、流動床、1つ以上のサイクロン、及び粒子離脱デバイスを含み、前記粒子離脱デバイスが、前記流動床より上、かつ前記1つ以上のサイクロンの一部より下の高さで前記容器内に配設されている、提供することと、
ガス/固体原料を前記容器内に導入することと、を含む、方法。
〔態様19〕
前記容器が、態様13~17のいずれか一項に記載の容器を含む、態様18に記載の方法。
〔態様20〕
前記ガス/固体原料から固体を除去することをさらに含む、態様18または19に記載の方法。

Claims (20)

  1. 円形バッフルプレートを含む粒子離脱デバイスであって、前記バッフルプレートが、1つ以上のガイドバッフルと1つ以上の分離バッフルとを含み、前記1つ以上のガイドバッフル及び前記1つ以上の分離バッフルが、1つ以上の空気流路及び1つ以上の固体流路を画定する、粒子離脱デバイス。
  2. 前記バッフルプレートが、1メートル~15メートルの範囲の直径を有する、請求項1に記載の粒子離脱デバイス。
  3. 前記バッフルプレートが、1~20インチの範囲の高さを有する、請求項1または2に記載の粒子離脱デバイス。
  4. 前記1つ以上のガイドバッフルが、10~50個のガイドバッフルを含み、前記1つ以上の分離容器が、10~50個の分離バッフルを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
  5. 前記バッフルプレートが、ガイドバッフル及び分離バッフルの1つ以上の平行列を含むバッフル配置を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
  6. 前記ガイドバッフルが、突出部を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
  7. 前記分離バッフルが、突出部を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
  8. 前記突出部が、0.1インチ~8インチの範囲の長さを有する、請求項6または7に記載の粒子離脱デバイス。
  9. 前記突出部が、長方形の断面形状を有する、請求項6~8のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
  10. 前記1つ以上のガイドバッフルが、4インチ~25インチの範囲の距離で間隔を空けている、請求項1~9のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
  11. 前記1つ以上の分離バッフルが、4インチ~25インチの範囲の距離で間隔を空けている、請求項1~10のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
  12. 前記1つ以上のガイドバッフル及び前記1つ以上の分離バッフルが、1つ以上の流路を画定する、請求項1~11のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイス。
  13. 流動床と、
    1つ以上のサイクロンと、
    粒子離脱デバイスと、を含む容器であって、前記粒子離脱デバイスが、前記流動床より上、かつ前記1つ以上のサイクロンの一部より下の高さで前記容器内に配設されている、容器。
  14. 前記粒子離脱デバイスが、請求項1~12のいずれか一項に記載の粒子離脱デバイスを含む、請求項13に記載の容器。
  15. 前記1つ以上のサイクロンが、1つ以上の一次サイクロンと、1つ以上の二次サイクロンとを含む、請求項13または14に記載の容器。
  16. 前記1つ以上のサイクロンが、1つ以上のディップレッグを含む、請求項15~17のいずれか一項に記載の容器。
  17. 前記1つ以上のディップレッグが、前記粒子離脱デバイスを通して延びている、請求項16に記載の容器。
  18. 容器を提供することであって、前記容器が、流動床、1つ以上のサイクロン、及び粒子離脱デバイスを含み、前記粒子離脱デバイスが、前記流動床より上、かつ前記1つ以上のサイクロンの一部より下の高さで前記容器内に配設されている、提供することと、
    ガス/固体原料を前記容器内に導入することと、を含む、方法。
  19. 前記容器が、請求項13~17のいずれか一項に記載の容器を含む、請求項18に記載の方法。
  20. 前記ガス/固体原料から固体を除去することをさらに含む、請求項18または19に記載の方法。
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