JP2022018911A - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】金属磁性粉の溶解を抑制した電子部品を提供する。【解決手段】樹脂と金属磁性粉とを含むコンポジット体と、前記コンポジット体の外面上に配置された第１金属膜と、前記第１金属膜上に配置された第２金属膜とを備え、前記コンポジット体の前記第１金属膜と接触する接触面には、少なくとも１つの前記金属磁性粉が露出し、前記第１金属膜が前記金属磁性粉の前記接触面から露出した露出面に接触し、該金属磁性粉上の第１金属膜の膜厚が２．９μｍ以上である、電子部品。【選択図】図２
Description
本発明は、電子部品およびその製造方法に関する。
従来、電子部品としては、特開２０１７－１０３４２３号公報（特許文献１）に記載されたものがある。特許文献１の電子部品は、樹脂および金属磁性粉のコンポジット材料からなるコンポジット体と、コンポジット体の外面上に配置された金属膜とを備える。
しかしながら、上記のような電子部品を別の金属膜で覆う場合、金属膜の一部にひび割れが生じるおそれがあることが分かった。さらに、鋭意検討すると、金属磁性粉が溶解していることが分かった。
そこで、本開示は、金属磁性粉の溶解を抑制した電子部品を提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、本開示の一態様である電子部品は、
樹脂と金属磁性粉とを含むコンポジット体と、
前記コンポジット体の外面上に配置された第１金属膜と、
前記第１金属膜上に配置された第２金属膜と
を備え、
前記コンポジット体の前記第１金属膜と接触する接触面には、少なくとも１つの前記金属磁性粉が露出し、
前記第１金属膜が前記金属磁性粉の前記接触面から露出した露出面に接触し、
該金属磁性粉上の第１金属膜の膜厚が２．９μｍ以上である。
樹脂と金属磁性粉とを含むコンポジット体と、
前記コンポジット体の外面上に配置された第１金属膜と、
前記第１金属膜上に配置された第２金属膜と
を備え、
前記コンポジット体の前記第１金属膜と接触する接触面には、少なくとも１つの前記金属磁性粉が露出し、
前記第１金属膜が前記金属磁性粉の前記接触面から露出した露出面に接触し、
該金属磁性粉上の第１金属膜の膜厚が２．９μｍ以上である。
前記態様によれば、コンポジット体の接触面において、露出した金属磁性粉上の第１金属膜にピンホールが生じにくい。その結果、金属磁性粉の溶解を抑制することが可能となる。
ここで、「第１金属膜の膜厚」とは、コンポジット体の外面のうち、第１金属膜の設けられる面に対して垂直方向の、第１金属膜の厚さをいう。
本開示の別の態様である電子部品の製造方法は、
樹脂と金属磁性粉とを含むコンポジット体であって、前記コンポジット体の外面上に少なくとも１つの金属磁性粉の露出した露出面を形成する工程と、
無電解めっき処理により、前記露出面上に、膜厚が２．９μｍ以上になるように前記第１金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜上に第２金属膜を形成する工程とを含む。
樹脂と金属磁性粉とを含むコンポジット体であって、前記コンポジット体の外面上に少なくとも１つの金属磁性粉の露出した露出面を形成する工程と、
無電解めっき処理により、前記露出面上に、膜厚が２．９μｍ以上になるように前記第１金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜上に第２金属膜を形成する工程とを含む。
前記態様によれば、コンポジット体の第１金属膜と接触する接触面に露出した金属磁性粉上にて、該金属磁性粉上の第１金属膜にピンホールが生じにくくなり、その結果、良好な性能を有する電子部品を製造できる。
本開示の一態様である電子部品およびその製造方法によれば、良好な性能を有する電子部品を提供できる。
以下、本開示の一態様である電子部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
（第１実施形態）
（構成）
図１Ａは、電子部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ－Ａ断面図である。図２は、図１Ｂの一部拡大図である。
（構成）
図１Ａは、電子部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ－Ａ断面図である。図２は、図１Ｂの一部拡大図である。
電子部品は、一例として、インダクタ部品１である。インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載される回路基板に実装される表面実装型の電子部品である。ただし、インダクタ部品１は、表面実装型でなく、基板内蔵型の電子部品であってもよい。また、インダクタ部品１は、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。
図１Ａと図１Ｂに示すように、インダクタ部品１は、絶縁性を有する素体１０と、素体１０内に配置された第１インダクタ素子２Ａおよび第２インダクタ素子２Ｂと、素体１０の長方形状の第１主面１０ａから端面が露出するように素体１０に埋め込まれた第１柱状配線３１、第２柱状配線３２、第３柱状配線３３および第４柱状配線３４と、素体１０の第１主面１０ａ上に配置された第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３および第４外部端子４４と、素体１０の第１主面１０ａ上に設けられた絶縁膜５０とを備える。図中、インダクタ部品１の厚みに平行な方向をＺ方向とし、順Ｚ方向を上側、逆Ｚ方向を下側とする。Ｚ方向に直交する平面において、インダクタ部品１の長手側となる長さに平行な方向をＸ方向とし、インダクタ部品１の短手側となる幅に平行な方向をＹ方向とする。
素体１０は、絶縁層６１と、絶縁層６１の下面６１ａに配置された第１磁性層１１と、絶縁層６１の上面６１ｂに配置された第２磁性層１２とを有する。素体１０の第１主面１０ａは、第２磁性層１２の上面に相当する。素体１０は、絶縁層６１、第１磁性層１１および第２磁性層１２の３層構造であるが、磁性層のみの１層構造、磁性層と絶縁層のみの２層構造、複数の磁性層および絶縁層からなる４層以上の構造のいずれであってもよい。
絶縁層６１は、絶縁性を有し、主面が長方形の層状であり、絶縁層６１の厚みは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下である。絶縁層６１は、例えば、低背化の観点からガラスクロスなどの基材を含まないエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁樹脂層であることが好ましいが、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトのような磁性体や、アルミナ、ガラスのような非磁性体からなる焼結体層であってもよく、ガラスエポキシなどの基材を含む樹脂基板層であってもよい。なお、絶縁層６１が焼結体層である場合は、絶縁層６１の強度や平坦性を確保でき、絶縁層６１上の積層物の加工性が向上する。また、絶縁層６１が焼結体層である場合は、低背化の観点から研磨加工されていることが好ましく、特に積層物のない下側から研磨されていることが好ましい。
第１磁性層１１および第２磁性層１２は、高い透磁率を有し、主面が長方形の層状であり、樹脂１３５と、樹脂１３５に含有された金属磁性粉１３６とを含む。つまり、第１磁性層１１および第２磁性層１２は、樹脂１３５と金属磁性粉１３６とを含むコンポジット体である。樹脂１３５は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料である。金属磁性粉１３６は、Ｆｅを含むことが好ましく、例えば、Ｆｅ単体、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金などの磁性を有する金属材料を挙げることができる。金属磁性粉１３６の平均粒径は、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下である。インダクタ部品１の製造段階においては、金属磁性粉１３６の平均粒径を、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径（いわゆるＤ５０）として算出することができる。金属磁性粉１３６の含有率は、好ましくは、磁性層全体に対して、２０Ｖｏｌ％以上７０Ｖｏｌ％以下である。金属磁性粉１３６の平均粒径が５μｍ以下である場合、直流重畳特性がより向上し、微粉によって高周波での鉄損を低減できる。
第１インダクタ素子２Ａ、第２インダクタ素子２Ｂは、素体１０の第１主面１０ａと平行に配置された第１インダクタ配線２１、第２インダクタ配線２２を含む。これにより、第１インダクタ素子２Ａおよび第２インダクタ素子２Ｂを第１主面１０ａと平行な方向で構成でき、インダクタ部品１の低背化を実現できる。第１インダクタ配線２１と第２インダクタ配線２２は、素体１０内の同一平面上に配置されている。具体的に述べると、第１インダクタ配線２１と第２インダクタ配線２２は、絶縁層６１の上方側、つまり、絶縁層６１の上面６１ｂにのみ形成され、第２磁性層１２に覆われている。
第１、第２インダクタ配線２１，２２は、平面状に巻回されている。具体的に述べると、第１、第２インダクタ配線２１，２２は、Ｚ方向から見たときに、半楕円形の弧状である。すなわち、第１、第２インダクタ配線２１，２２は、約半周分巻回された曲線状の配線である。また、第１、第２インダクタ配線２１，２２は、中間部分で直線部を含んでいる。なお、本願において、インダクタ配線の「スパイラル」とは、渦巻形状を含む平面状に巻回された曲線形状を意味し、第１インダクタ配線２１、第２インダクタ配線２２のような１ターン以下の曲線形状も含み、また当該曲線形状は、部分的な直線部を含んでいてもよい。
第１、第２インダクタ配線２１，２２の厚みは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。第１、第２インダクタ配線２１，２２の実施例として、厚みが４５μｍ、配線幅が４０μｍ、配線間スペースが１０μｍである。配線間スペースは絶縁性の確保から、３μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。
第１、第２インダクタ配線２１，２２は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ，Ａｕなどの低電気抵抗な金属材料からなる。本実施形態では、インダクタ部品１は、第１、第２インダクタ配線２１，２２を１層のみ備えており、インダクタ部品１の低背化を実現できる。なお、第１、第２インダクタ配線２１，２２は金属膜であってもよく、例えば、無電解めっき処理により形成されたＣｕやＴｉなどの下地層上に、ＣｕやＡｇなどの導電層が形成された構造であってもよい。
第１インダクタ配線２１は、第１端、第２端がそれぞれ外側に位置する第１柱状配線３１、第２柱状配線３２に電気的に接続され、第１柱状配線３１および第２柱状配線３２からインダクタ部品１の中心側に向かって孤を描く曲線状である。また、第１インダクタ配線２１は、その両端にスパイラル形状部分よりも線幅の大きいパッド部を有し、パッド部において、第１、第２柱状配線３１，３２と直接接続されている。
同様に、第２インダクタ配線２２は、第１端、第２端がそれぞれ外側に位置する第３柱状配線３３、第４柱状配線３４に電気的に接続され、第３柱状配線３３および第４柱状配線３４からインダクタ部品１の中心側に向かって孤を描く曲線状である。
ここで、第１、第２インダクタ配線２１，２２のそれぞれにおいて、第１、第２インダクタ配線２１，２２が描く曲線と、第１、第２インダクタ配線２１，２２の両端を結んだ直線とに囲まれる範囲を内径部分とする。このとき、Ｚ方向からみて、第１、第２インダクタ配線２１，２２について、その内径部分同士は重ならず、第１、第２インダクタ配線２１，２２は、互いに離隔している。
第１、第２インダクタ配線２１，２２の第１から第４柱状配線３１～３４との接続位置からＸ方向に平行な方向であってインダクタ部品１の外側となる方向に向かってさらに配線が伸びており、この配線はインダクタ部品１の外側に露出している。つまり、第１、第２インダクタ配線２１，２２は、インダクタ部品１の積層方向に平行な側面（ＹＺ平面に平行な面）から外部に露出している露出部２００を有する。
この配線は、インダクタ部品１の製造過程において、第１、第２インダクタ配線２１，２２の形状を形成後、追加で電解めっきを行う際の給電配線と接続される配線である。この給電配線によりインダクタ部品１を個片化する前のインダクタ基板状態において、追加で電解めっきを容易に行うことができ、配線間距離を狭くすることができる。また、追加で電解めっきを行うことで、第１、第２インダクタ配線２１，２２の配線間距離を狭くすることにより、第１、第２インダクタ配線２１，２２の磁気結合を高めたり、第１、第２インダクタ配線２１，２２の配線幅を大きくして電気抵抗を低減したり、インダクタ部品１の外形を小型化したりすることができる。
第１から第４柱状配線３１～３４は、各インダクタ配線２１，２２からＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。第１柱状配線３１は、第１インダクタ配線２１の一端の上面から上側に延在し、第１柱状配線３１の端面が、素体１０の第１主面１０ａから露出する。第２柱状配線３２は、第１インダクタ配線２１の他端の上面から上側に延在し、第２柱状配線３２の端面が、素体１０の第１主面１０ａから露出する。第３柱状配線３３は、第２インダクタ配線２２の一端の上面から上側に延在し、第３柱状配線３３の端面が、素体１０の第１主面１０ａから露出する。第４柱状配線３４は、第２インダクタ配線２２の他端の上面から上側に延在し、第４柱状配線３４の端面が、素体１０の第１主面１０ａから露出する。
したがって、第１柱状配線３１、第２柱状配線３２、第３柱状配線３３、第４柱状配線３４は、第１インダクタ素子２Ａ、第２インダクタ素子２Ｂから上記第１主面１０ａから露出する端面まで、当該端面に直交する方向に直線状に伸びる。これにより、第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３、第４外部端子４４と、第１インダクタ素子２Ａ、第２インダクタ素子２Ｂとをより短い距離で接続することができ、インダクタ部品１の低抵抗化や高インダクタンス化を実現できる。第１から第４柱状配線３１～３４は、導電性材料からなり、例えば、インダクタ配線２１，２２と同様の材料からなる。
第１から第４外部端子４１～４４は、素体１０の第１主面１０ａ上に配置されている。第１から第４外部端子４１～４４は、第２磁性層１２の外面上に配置された金属膜である。第１外部端子４１は、第１柱状配線３１の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第１柱状配線３１と電気的に接続されている。これにより、第１外部端子４１は、第１インダクタ配線２１の一端に電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２柱状配線３２の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第２柱状配線３２と電気的に接続されている。これにより、第２外部端子４２は、第１インダクタ配線２１の他端に電気的に接続される。
同様に、第３外部端子４３は、第３柱状配線３３の端面に接触し、第３柱状配線３３と電気的に接続されて、第２インダクタ配線２２の一端に電気的に接続される。第４外部端子４４は、第４柱状配線３４の端面に接触し、第４柱状配線３４と電気的に接続されて、第２インダクタ配線２２の他端に電気的に接続される。
インダクタ部品１では、第１主面１０ａは、長方形状の辺に相当する直線状に伸びる第１端縁１０１、第２端縁１０２を有する。第１端縁１０１、第２端縁１０２は、それぞれ素体１０の第１側面１０ｂ、第２側面１０ｃに続く第１主面１０ａの端縁である。第１外部端子４１と第３外部端子４３は、素体１０の第１側面１０ｂ側の第１端縁１０１に沿って配列され、第２外部端子４２と第４外部端子４４は、素体１０の第２側面１０ｃ側の第２端縁１０２に沿って配列されている。なお、素体１０の第１主面１０ａに直交する方向からみて、素体１０の第１側面１０ｂ，第２側面１０ｃは、Ｙ方向に沿った面であり、第１端縁１０１、第２端縁１０２と一致する。第１外部端子４１と第３外部端子４３の配列方向は、第１外部端子４１の中心と第３外部端子４３の中心を結ぶ方向とし、第２外部端子４２と第４外部端子４４の配列方向は、第２外部端子４２の中心と第４外部端子４４の中心を結ぶ方向とする。
絶縁膜５０は、素体１０の第１主面１０ａにおける第１から第４外部端子４１～４４が設けられていない部分上に設けられている。ただし、絶縁膜５０は第１から第４外部端子４１～４４の端部が乗り上げることで、第１から第４外部端子４１～４４とＺ方向に重なっていてもよい。絶縁膜５０は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド等の電気絶縁性が高い樹脂材料から構成される。これにより、第１から第４外部端子４１～４４の間の絶縁性を向上できる。また、絶縁膜５０が第１から第４外部端子４１～４４のパターン形成時のマスク代わりとなり、製造効率が向上する。また、絶縁膜５０は、樹脂１３５から金属磁性粉１３６が露出していた場合に、当該露出する金属磁性粉１３６を覆うことで、金属磁性粉１３６の外部への露出を防止することができる。なお、絶縁膜５０は、シリカや硫酸バリウムなどの絶縁材料からなるフィラーを含有してもよい。
図２に示すように、第１外部端子４１は、第２磁性層１２の外面上に配置された第１金属膜４１０と、第１金属膜上に配置された第２金属膜とを備える。第２、第３、第４外部端子４２，４３，４４の構成は、第１外部端子４１の構成と同じであるため、以下、第１外部端子４１のみについて説明する。
第１外部端子４１は、第２磁性層１２の外面上に配置された第１金属膜４１０と、第１金属膜４１０上に配置された第２金属膜４１１とを備える。
第１金属膜４１０は、主としてＣｕを含む。第１金属膜４１０は、Ｃｕを含む金属または合金からなることが好ましい。これによれば、導電性の高い第１金属膜４１０が得られる。特に、金属磁性粉１３６がＦｅを含む場合であって、めっき処理により第１金属膜４１０を形成する場合には、第１金属膜４１０の形成がより容易になり得る。これは、金属磁性粉１３６に含まれるＦｅとめっき液に含まれるＣｕとが置換反応し、第１金属膜４１０を形成するためである。
第２金属膜４１１は、第１金属膜４１０を直接覆う金属膜であって、例えばＮｉなどを含む。第２金属膜４１１は、第１金属膜４１０のマイグレーションやはんだ食われを抑制する役割を有する。
なお、第１外部端子４１には、第２金属膜４１１上に第３金属膜４１２がさらに設けられていてもよい。第３金属膜４１２は、第２金属膜４１１を直接覆い、第１外部端子４１の最外層を構成する金属膜であって、例えばＡｕやＳｎなどの金属膜であり得る。第３金属膜４１２は、はんだの濡れ性を確保する役割を有する。
第２磁性層１２は、第１金属膜４１０と接触する接触面１２ａを有し、該接触面１２ａには少なくとも１つの金属磁性粉１３６が露出する。したがって、第１金属膜４１０は、第２磁性層１２の接触面１２ａ上に配置され、該接触面１２ａに露出した露出面に接触する。
金属磁性粉１３６上の露出面に接触した第１金属膜４１０、すなわち、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔは、２．９μｍ以上である。
このような膜厚ｔを有することによって、第２磁性層１２の接触面において、露出した金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０におけるピンホールの発生を抑制できる。
ここで、「ピンホール」とは、第１金属膜４１０に設けられた貫通孔であり、該貫通孔は金属磁性粉１３６の露出面と連通する孔である。
なお、「膜厚ｔが２．９μｍ以上である」とは、測定したときに少なくとも１つのｔの値が２．９μｍ以上であればよい。
このような膜厚ｔを有することによって、第２磁性層１２の接触面において、露出した金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０におけるピンホールの発生を抑制できる。
ここで、「ピンホール」とは、第１金属膜４１０に設けられた貫通孔であり、該貫通孔は金属磁性粉１３６の露出面と連通する孔である。
なお、「膜厚ｔが２．９μｍ以上である」とは、測定したときに少なくとも１つのｔの値が２．９μｍ以上であればよい。
第１金属膜４１０にピンホールが存在すると、第２金属膜４１１の形成時に露出した金属磁性粉１３６が溶融することがある。このような場合、溶融した金属磁性粉１３６が第２金属膜４１１に影響を及ぼすことがある。例えば、第２金属膜４１１に溶融した金属磁性粉１３６が混合することによって、第２金属膜４１１が硬くなり、割れやすくなることがある。しかしながら、第１金属膜４１０が上記のように膜厚ｔを有することによって、第１金属膜４１０へのピンホールの発生を抑制して、露出した金属磁性粉１３６の溶融を抑制することができる。ひいては第２金属膜のひび割れを抑制できる。また、金属磁性粉１３６が溶融することを防止できるため、第２磁性層１２に含まれる金属磁性粉１３６の含有量の低下を抑制でき、電子部品のインダクタ値の低下を抑制できる。したがって、上記のような膜厚ｔを有することによって、ピンホールに起因して生じ得る電子部品の性能への影響を抑制できる。
このように、本開示は、新たに見出された課題を解決するために見出されたものである。詳細に説明すると、上述したように、従来技術では、金属膜の一部にひび割れが生じるおそれがあった。本発明者らは、鋭意検討した結果、上記ひび割れは第２金属膜４１１が硬くなることによって生じていること、第２金属膜４１１が硬くなるのは、溶融した金属磁性粉１３６が、第１金属膜４１０に生じるピンホールを介して第２金属膜４１１に混合するためであることを見出した。上記課題を解決するために、本発明者らは、第１金属膜４１０のピンホールの発生を抑制するために本開示の構成に至ったものである。
このように、本開示は、新たに見出された課題を解決するために見出されたものである。詳細に説明すると、上述したように、従来技術では、金属膜の一部にひび割れが生じるおそれがあった。本発明者らは、鋭意検討した結果、上記ひび割れは第２金属膜４１１が硬くなることによって生じていること、第２金属膜４１１が硬くなるのは、溶融した金属磁性粉１３６が、第１金属膜４１０に生じるピンホールを介して第２金属膜４１１に混合するためであることを見出した。上記課題を解決するために、本発明者らは、第１金属膜４１０のピンホールの発生を抑制するために本開示の構成に至ったものである。
上記「金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔ」とは、第２磁性層１２の外面のうち、第１金属膜４１０の設けられる面に対して垂直方向の、第１金属膜４１０の厚さをいう。金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔは、インダクタ部品１の断面のＦＩＢ－ＳＩＭ像から求められる値である。ＦＩＢ－ＳＩＭ像とは、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ：集束イオンビーム）を用いて観測したＳＩＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｉｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査イオン顕微鏡）による断面画像である。画像の解析は、画像処理ソフト（例えば、旭化成エンジニアリング株式会社製、Ａ像くん（登録商標））用いて行い得る。
上記断面は、図１Ｂのように、インダクタ部品１の柱状配線３１および３２の中心線をとおるように設けたものである。この場合、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔは、第２磁性層１２上に第１金属膜４１０が設けられた箇所において、所定の範囲で測定して得ることができる。上記所定の範囲は、例えば、上記断面において、第１柱状配線３１と絶縁膜５０との間に設けられた中央領域であり、具体的には、第１柱状配線３１の絶縁膜５０側の端部から４０μｍ以上、かつ、絶縁膜５０の第１柱状配線３１側の端部から７０μｍ以上離れた領域である。
上記断面は、図１Ｂのように、インダクタ部品１の柱状配線３１および３２の中心線をとおるように設けたものである。この場合、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔは、第２磁性層１２上に第１金属膜４１０が設けられた箇所において、所定の範囲で測定して得ることができる。上記所定の範囲は、例えば、上記断面において、第１柱状配線３１と絶縁膜５０との間に設けられた中央領域であり、具体的には、第１柱状配線３１の絶縁膜５０側の端部から４０μｍ以上、かつ、絶縁膜５０の第１柱状配線３１側の端部から７０μｍ以上離れた領域である。
上記において、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔの下限値を２．９μｍとしているが、この点について図４を用いて詳細に説明する。なお、本開示は、以下の理論に拘束されるものではない。
図４は、横軸を第１金属膜４１０の膜厚ｔ（図４ではＣｕの膜厚）、縦軸を炭素原子と第１金属膜を構成する金属原子（図４ではＣｕ）との合計値に対する炭素原子の割合としたグラフであり、以下のようにして求めたものである。
金属磁性粉１３６としては、Ｆｅを含むものを用いた。Ｆｅと反応すると炭素を含有する膜を形成する薬液（樹脂成分としてのアクリル系樹脂（商品名：Ｎｉｐｏｌ ＬＸ８１４Ａ（日本ゼオン製））に、エッチング促進成分としての硫酸を添加してｐＨを調整し、さらに界面活性剤としてニューレックス（登録商標、日油製）を添加した、樹脂含有溶液）に、第２磁性層１２に第１金属膜４１０を形成した測定用試料を浸漬した。上記薬液から測定用試料を取り出した後、２１０℃で０．５時間熱処理し、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＳＥＭ－ＥＤＸ）を用いて第１金属膜４１０上に存在する炭素原子の割合を測定した。
すなわち、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０にピンホールが存在する場合、第２磁性層１２の表面に露出した金属磁性粉１３６に含まれたＦｅが、該ピンホールを介し、上記薬液と反応し、金属磁性粉１３６の露出面に炭素膜が形成される。したがって、ピンホールが多い場合には、ピンホールを介したＦｅの露出が多くなる。そして、Ｆｅが多く存在すると、Ｆｅと反応した炭素原子と第１金属膜４１０を構成する金属原子との合計値に対する上記炭素原子の割合が高くなる。
図４に示すように、第１金属膜４１０の膜厚が小さい場合には、上記の炭素原子の割合が高いが、第１金属膜４１０の膜厚が大きくなると上記の炭素原子の割合が低くなる。このことから、第１金属膜４１０の膜厚が大きくなると、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０におけるピンホールが減っていると考えられる。さらに、図４に示すように、第１金属膜４１０の膜厚が２．９μｍ以上の場合、炭素原子の割合はほぼ一定の値となった。この結果から、膜厚２．９μｍ以上では、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０にピンホールが生じていないと考える。なお、図４においては、膜厚２．９μｍ以上の場合にも、Ｆｅと反応した炭素原子と第１金属膜４１０を構成する金属原子との合計値に対する上記炭素原子の割合が一定の数値を示している。これは、第１金属膜４１０中のＦｅに上記薬液が反応し、炭素膜が形成されたためと考えられる。
金属磁性粉１３６としては、Ｆｅを含むものを用いた。Ｆｅと反応すると炭素を含有する膜を形成する薬液（樹脂成分としてのアクリル系樹脂（商品名：Ｎｉｐｏｌ ＬＸ８１４Ａ（日本ゼオン製））に、エッチング促進成分としての硫酸を添加してｐＨを調整し、さらに界面活性剤としてニューレックス（登録商標、日油製）を添加した、樹脂含有溶液）に、第２磁性層１２に第１金属膜４１０を形成した測定用試料を浸漬した。上記薬液から測定用試料を取り出した後、２１０℃で０．５時間熱処理し、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＳＥＭ－ＥＤＸ）を用いて第１金属膜４１０上に存在する炭素原子の割合を測定した。
すなわち、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０にピンホールが存在する場合、第２磁性層１２の表面に露出した金属磁性粉１３６に含まれたＦｅが、該ピンホールを介し、上記薬液と反応し、金属磁性粉１３６の露出面に炭素膜が形成される。したがって、ピンホールが多い場合には、ピンホールを介したＦｅの露出が多くなる。そして、Ｆｅが多く存在すると、Ｆｅと反応した炭素原子と第１金属膜４１０を構成する金属原子との合計値に対する上記炭素原子の割合が高くなる。
図４に示すように、第１金属膜４１０の膜厚が小さい場合には、上記の炭素原子の割合が高いが、第１金属膜４１０の膜厚が大きくなると上記の炭素原子の割合が低くなる。このことから、第１金属膜４１０の膜厚が大きくなると、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０におけるピンホールが減っていると考えられる。さらに、図４に示すように、第１金属膜４１０の膜厚が２．９μｍ以上の場合、炭素原子の割合はほぼ一定の値となった。この結果から、膜厚２．９μｍ以上では、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０にピンホールが生じていないと考える。なお、図４においては、膜厚２．９μｍ以上の場合にも、Ｆｅと反応した炭素原子と第１金属膜４１０を構成する金属原子との合計値に対する上記炭素原子の割合が一定の数値を示している。これは、第１金属膜４１０中のＦｅに上記薬液が反応し、炭素膜が形成されたためと考えられる。
なお、図４は、金属磁性粉１３６がＦｅを含む場合について検討した結果であるが、他の材料、例えば、他の金属材料を用いた場合であっても、第１金属膜４１０の膜厚ｔが２．９μｍ未満であればピンホールが生じると考えらえる。
好ましくは、上記金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔは、１５μｍ以下である。このような膜厚ｔとすることにより、第１金属膜における抵抗値が高くなりすぎることを防ぐことができる。
好ましくは、接触面１２ａにおいて、２以上の金属磁性粉１３６が露出する。この場合、接触面１２ａに露出した金属磁性粉１３６間の距離は、一方の金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚および他方の金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚の少なくとも一方の２倍以下であることが好ましい。
金属磁性粉１３６間の距離が上記のような値であると、第２磁性層１２の接触面に露出した金属磁性粉１３６上にて、該金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０にピンホールがより生じにくい。さらに、前記態様によれば、該金属磁性粉間（およびその周囲）のほとんどを第１金属膜４１０で覆うことができる。その結果、第２磁性層１２上に、より平滑な第１金属膜４１０を形成できる。さらに、第１金属膜４１０上に形成する第２金属膜４１１をも平滑に形成できる。
ここで、「露出した金属磁性粉１３６間の距離」は、上述した金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔの測定と同様に、断面のＦＩＢ－ＳＩＭ像から求めることができる。
金属磁性粉１３６間の距離が上記のような値であると、第２磁性層１２の接触面に露出した金属磁性粉１３６上にて、該金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０にピンホールがより生じにくい。さらに、前記態様によれば、該金属磁性粉間（およびその周囲）のほとんどを第１金属膜４１０で覆うことができる。その結果、第２磁性層１２上に、より平滑な第１金属膜４１０を形成できる。さらに、第１金属膜４１０上に形成する第２金属膜４１１をも平滑に形成できる。
ここで、「露出した金属磁性粉１３６間の距離」は、上述した金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔの測定と同様に、断面のＦＩＢ－ＳＩＭ像から求めることができる。
より好ましくは、接触面１２ａから露出している隣り合う金属磁性粉１３６間の距離が、一方の金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚および他方の金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚のうち、薄いほうの膜厚の２倍以下である。
隣り合う金属磁性粉１３６間の距離が上記範囲にあることにより、さらに平滑な第１金属膜４１０を形成できる。
隣り合う金属磁性粉１３６間の距離が上記範囲にあることにより、さらに平滑な第１金属膜４１０を形成できる。
好ましくは、第１金属膜４１０の平均膜厚は、２．９μｍ以上であり、例えば５μｍ以上である。このような平均膜厚とすることにより、第２磁性層１２の接触面に露出した金属磁性粉１３６上にて、該金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０にピンホールがさらに生じにくくなる。
ここで「第１金属膜４１０の平均膜厚」は、第２磁性層１２上の第１金属膜４１０の平均膜厚、要するに、樹脂１３５および金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の平均膜厚をいう。第１金属膜４１０の平均膜厚は、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔと同様の断面で測定することができる。
第１金属膜４１０の平均膜厚は、例えば、インダクタ部品１の断面のＦＩＢ－ＳＩＭ像から求められる値の算術平均値であり、具体的には１０点で測定した値の平均値とすることができる。
ここで「第１金属膜４１０の平均膜厚」は、第２磁性層１２上の第１金属膜４１０の平均膜厚、要するに、樹脂１３５および金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の平均膜厚をいう。第１金属膜４１０の平均膜厚は、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔと同様の断面で測定することができる。
第１金属膜４１０の平均膜厚は、例えば、インダクタ部品１の断面のＦＩＢ－ＳＩＭ像から求められる値の算術平均値であり、具体的には１０点で測定した値の平均値とすることができる。
好ましくは、露出している金属磁性粉１３６の９５％以上において、隣り合う金属磁性粉１３６間の距離は、第１金属膜の平均膜厚の２倍以下である。また、露出している金属磁性粉１３６の１００％において、隣り合う金属磁性粉１３６間の距離が、第１金属膜の平均膜厚の２倍以下であってもよく、この場合、第１金属膜の平均膜厚が５μｍ以上であってもよい。
ここで、「隣り合う金属磁性粉１３６間の距離」は、平均膜厚を測定した領域において測定した値であり、平均膜厚の測定に用いた１０点の金属磁性粉１３６において測定した値である。
上記のような構成とすることにより、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０におけるピンホールの発生をさらに抑制できる。その結果、第１金属膜４１０における抵抗値のむらがより生じにくくなる。
ここで、「隣り合う金属磁性粉１３６間の距離」は、平均膜厚を測定した領域において測定した値であり、平均膜厚の測定に用いた１０点の金属磁性粉１３６において測定した値である。
上記のような構成とすることにより、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０におけるピンホールの発生をさらに抑制できる。その結果、第１金属膜４１０における抵抗値のむらがより生じにくくなる。
（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。
図３Ａに示すように、複数のインダクタ配線２１，２２と複数の柱状配線３１～３４を素体１０により覆った状態において、素体１０の上面を研磨などによって研削加工し、柱状配線３１～３４の端面を素体１０の上面から露出させる。その後、図３Ｂに示すように、素体１０の上面全体に、スピンコートやスクリーン印刷などの塗布法、ドライフィルムレジスト貼付などの乾式法などにより、ハッチングにて示す絶縁膜５０を形成する。絶縁膜５０は例えば感光性レジストである。
その後、外部端子を形成する領域において、フォトリソグラフィやレーザ、ドリル、ブラストなどにより、絶縁膜５０を除去することにより、柱状配線３１～３４の端面および素体１０（第２磁性層１２）の一部が露出する貫通孔５０ａを絶縁膜５０に形成する。この際、図３Ｂに示すように、貫通孔５０ａからは柱状配線３１～３４の端面全体を露出させてもよいし、柱状配線３１～３４の端面の一部を露出させてもよい。また、１つの貫通孔５０ａから、複数の柱状配線３１～３４の端面を露出させてもよい。
その後、図３Ｃに示すように、貫通孔５０ａ内に、第１金属膜４１０を後述の方法により形成し、さらに、第１金属膜４１０上に第２金属膜４１１を形成し、マザー基板１００を構成する。第１金属膜４１０および第２金属膜４１１は、切断前の外部端子４１～４４を構成する。その後、図３Ｄに示すように、マザー基板１００、すなわち封止された複数のインダクタ配線２１，２２を、ダイシングブレードなどを用いてカット線Ｃにて２つのインダクタ配線２１，２２ごとに個片化して、複数のインダクタ部品１を製造する。第１金属膜４１０、および第２金属膜４１１は、カット線Ｃにて切断されて、外部端子４１～４４を形成する。なお、外部端子４１～４４の製造方法は上記のように第１金属膜４１０および第２金属膜４１１を切断する方法であってもよいし、あらかじめ貫通孔５０ａを外部端子４１～４４の形状となるように絶縁膜５０を除去した上で第１金属膜４１０および第２金属膜４１１を形成する方法であってもよい。
なお、第２金属膜４１１上に、さらに第３金属膜４１２を設けてもよい。この場合、第１金属膜４１０、第２金属膜４１１および第３金属膜４１２が、切断前の外部端子４１～４４を構成する。また、上記の図３Ｃの説明における「第１金属膜４１０および第２金属膜４１１」を、「第１金属膜４１０、第２金属膜４１１および第３金属膜４１２」と読み替えるものとする。
（第１金属膜４１０の製造方法）
前述の第１金属膜４１０の製造方法について説明する。
前述の第１金属膜４１０の製造方法について説明する。
前述のとおり、絶縁膜５０に貫通孔５０ａを形成した状態では、貫通孔５０ａからは、柱状配線３１～３４の端面および素体１０が露出している。この貫通孔５０ａから露出する柱状配線３１～３４の端面および素体１０の上面に対して、無電解めっき処理により、素体１０に接触し導電性を有する第１金属膜４１０を形成する。第１金属膜４１０は、例えばＣｕを含む層である。
具体的に述べると、Ｃｕを含む第１金属膜４１０を、無電解めっき処理により、Ｆｅを含む金属磁性粉１３６に析出させる。
詳細に述べると、第２磁性層１２の第１金属膜４１０と接触する接触面１２ａにおいて露出した金属磁性粉１３６が触媒として機能する。この金属磁性粉１３６に含まれる金属（例えばＦｅ）と、第１金属膜４１０の形成に用いる金属（例えばＣｕ）とが置換反応する。その結果、第１金属膜４１０が金属磁性粉１３６上に形成される。
その後、金属磁性粉１３６に析出した第１金属膜４１０が成長させられて、第２磁性層１２の樹脂１３５上にも第１金属膜４１０が形成される。さらにその後、めっき液に含まれる還元剤が分解して電子を出し、この電子がめっき液中のＣｕイオンに供給され、還元反応が進行する。このようにして、第１金属膜４１０の膜厚ｔが２．９μｍ以上になるように形成される。
詳細に述べると、第２磁性層１２の第１金属膜４１０と接触する接触面１２ａにおいて露出した金属磁性粉１３６が触媒として機能する。この金属磁性粉１３６に含まれる金属（例えばＦｅ）と、第１金属膜４１０の形成に用いる金属（例えばＣｕ）とが置換反応する。その結果、第１金属膜４１０が金属磁性粉１３６上に形成される。
その後、金属磁性粉１３６に析出した第１金属膜４１０が成長させられて、第２磁性層１２の樹脂１３５上にも第１金属膜４１０が形成される。さらにその後、めっき液に含まれる還元剤が分解して電子を出し、この電子がめっき液中のＣｕイオンに供給され、還元反応が進行する。このようにして、第１金属膜４１０の膜厚ｔが２．９μｍ以上になるように形成される。
好ましくは、無電解めっき処理においては、例えば還元剤として、ホルムアルデヒドを用いることができる。また、上記めっき液には、ロッシェル塩系またはエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）系などの錯化剤が含まれていてもよい。なお、本開示の方法では、めっき液を用いめっきをする前に、めっき前処理液を用いてめっき前処理を施してもよい。上記めっき前処理液に触媒（例えば、Ｓｎ－Ｐｄ触媒など）が含まれない。
柱状配線（Ｃｕ）３１～３４上に第１金属膜４１０を形成するには、例えば、金属磁性粉１３６に析出した第１金属膜４１０を成長させて柱状配線３１～３４上に伸びるようにしてもよい。または、柱状配線３１～３４上に触媒層としてＰｄ層を形成し、触媒層上に無電解めっき処理により第１金属膜４１０を形成するようにしてもよい。
（第２金属膜４１１の製造方法）
第２金属膜４１１は、特に限定されず、例えば、めっき処理で形成できる。本開示では、上述したように第１金属膜４１０によって金属磁性粉１３６を保護できており、その結果第２金属膜４１１を形成するためのめっき処理をおこなう際に、金属磁性粉１３６が溶出することを防ぐことができる。例えば、第２金属膜４１１に、溶融した金属磁性粉１３６が混合すると、第２金属４１１に影響を及ぼすことがあり、例えば、第２金属膜４１１が溶融した金属磁性粉１３６の混合により割れやすくなることがある。しかしながら、本開示では、金属磁性粉１３６の溶融を抑制できることから上記のような問題が生じにくい。さらに、めっき液へのコンタミを防止でき、めっき液が固着することを予防し得る。
第２金属膜４１１は、特に限定されず、例えば、めっき処理で形成できる。本開示では、上述したように第１金属膜４１０によって金属磁性粉１３６を保護できており、その結果第２金属膜４１１を形成するためのめっき処理をおこなう際に、金属磁性粉１３６が溶出することを防ぐことができる。例えば、第２金属膜４１１に、溶融した金属磁性粉１３６が混合すると、第２金属４１１に影響を及ぼすことがあり、例えば、第２金属膜４１１が溶融した金属磁性粉１３６の混合により割れやすくなることがある。しかしながら、本開示では、金属磁性粉１３６の溶融を抑制できることから上記のような問題が生じにくい。さらに、めっき液へのコンタミを防止でき、めっき液が固着することを予防し得る。
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態の電子部品１Ａにおける第２磁性層１２および第１金属膜４１０を記載した一部拡大図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、第１金属膜４１０の膜厚が相違する。この相違する点について以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図５は、第２実施形態の電子部品１Ａにおける第２磁性層１２および第１金属膜４１０を記載した一部拡大図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、第１金属膜４１０の膜厚が相違する。この相違する点について以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図５に示すように、第２実施形態においては、第１実施形態の第１金属膜４１０の全体が平滑な構造を有する構成とは異なり、第１金属膜４１０は表面に凹凸構造を有している。なお、図５では、第２金属膜４１１を省略する。
具体的に述べると、接触面１２ａに露出した金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔは、２．９μｍ以上であり、接触面１２ａにおける樹脂１３５上の第１金属膜４１０の膜厚ｔ’は、第１金属膜４１０の膜厚ｔよりも小さい。このように、金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔが２．９μｍ以上を満たすことにより、樹脂１３５上の膜厚ｔ’が小さくてもピンホールの発生を抑制できる。
複数の金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔは、それぞれ異なっていてもよく、少なくともそのうちの１つが２．９μｍ以上であればよい。好ましくは、複数の金属磁性粉１３６上の第１金属膜４１０の膜厚ｔは全てが２．９μｍ以上を満たす。
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。
前記実施形態では、素体内には第１インダクタ素子および第２インダクタ素子の２つが配置されたが、３つ以上のインダクタ素子が配置されてもよく、このとき、外部端子および柱状配線は、それぞれ、６つ以上となる。
前記実施形態では、インダクタ素子が有するインダクタ配線のターン数は、１周未満であるが、インダクタ配線のターン数が、１周を超える曲線であってもよい。また、インダクタ素子が有するインダクタ配線の総数は、１層に限られず、２層以上の多層構成であってもよい。また、第１インダクタ素子の第１インダクタ配線と第２インダクタ素子の第２インダクタ配線は第１主面と平行な同一平面に配置される構成に限られず、第１インダクタ配線と第２インダクタ配線が第１主面と直交する方向に配列された構成であってもよい。
また、「インダクタ配線」とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与させるものであって、その構造、形状、材料などに特に限定はない。例えば、ミアンダ配線などの公知の様々な配線形状を用いることができる。
前記実施形態では、第１金属膜４１０および第２金属膜４１１は、インダクタ部品の外部端子として適用しているが、これに限られず、例えばこれらの金属膜がインダクタ部品の内部電極であってもよい。また、これらの金属膜は、インダクタ部品に限られず、コンデンサ部品や抵抗部品などの他の電子部品に適用してもよく、これらの電子部品を搭載する回路基板に適用してもよい。例えば、これらの金属膜として、回路基板の配線パターンであってもよい。
前記実施形態では、第１金属膜４１０および第２金属膜４１１を、外部端子に用いているが、インダクタ配線に用いてもよい。すなわち、コンポジット体を基板代わりとして、コンポジット体上に金属膜として、無電解めっき処理を用いてインダクタ配線を形成してもよい。これにより、インダクタ配線として前述の効果を有する金属膜を得ることができ、前述の効果のとおりに金属膜を形成することができる。
１ インダクタ部品（電子部品）
２Ａ 第１インダクタ素子
２Ｂ 第２インダクタ素子
１０ 素体
１０１ 第１端縁
１０２ 第２端縁
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第１側面
１０ｃ 第２側面
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
２１ 第１インダクタ配線
２２ 第２インダクタ配線
３１ 第１柱状配線
３２ 第２柱状配線
３３ 第３柱状配線
３４ 第４柱状配線
４１ 第１外部端子
４１０ 第１金属膜
４１１ 第２金属膜
４２ 第２外部端子
４３ 第３外部端子
４４ 第４外部端子
５０ 絶縁膜
６１ 絶縁層
１００ マザー基板
１３５ 樹脂
１３６ 金属磁性粉
ｔ 金属磁性粉上に設けられた第１金属膜の膜厚
２Ａ 第１インダクタ素子
２Ｂ 第２インダクタ素子
１０ 素体
１０１ 第１端縁
１０２ 第２端縁
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第１側面
１０ｃ 第２側面
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
２１ 第１インダクタ配線
２２ 第２インダクタ配線
３１ 第１柱状配線
３２ 第２柱状配線
３３ 第３柱状配線
３４ 第４柱状配線
４１ 第１外部端子
４１０ 第１金属膜
４１１ 第２金属膜
４２ 第２外部端子
４３ 第３外部端子
４４ 第４外部端子
５０ 絶縁膜
６１ 絶縁層
１００ マザー基板
１３５ 樹脂
１３６ 金属磁性粉
ｔ 金属磁性粉上に設けられた第１金属膜の膜厚
Claims (13)
- 樹脂と金属磁性粉とを含むコンポジット体と、
前記コンポジット体の外面上に配置された第１金属膜と、
前記第１金属膜上に配置された第２金属膜と
を備え、
前記コンポジット体の前記第１金属膜と接触する接触面には、少なくとも１つの前記金属磁性粉が露出し、
前記第１金属膜が前記金属磁性粉の前記接触面から露出した露出面に接触し、
該金属磁性粉上の第１金属膜の膜厚が２．９μｍ以上である、
電子部品。 - 前記金属磁性粉上の第１金属膜の膜厚が、１５μｍ以下である、請求項１に記載の電子部品。
- 前記コンポジット体の前記接触面には、２以上の金属磁性粉が露出し、
前記接触面から露出している隣り合う金属磁性粉間の距離が、一方の金属磁性粉上の第１金属膜の膜厚および他方の金属磁性粉上の第１金属膜の膜厚の少なくとも一方の２倍以下である、請求項１または２に記載の電子部品。 - 前記接触面から露出している隣り合う金属磁性粉間の距離が、一方の金属磁性粉上の第１金属膜の膜厚および他方の金属磁性粉上の第１金属膜の膜厚のうち、薄いほうの膜厚の２倍以下である、請求項３に記載の電子部品。
- 前記第１金属膜の平均膜厚が２．９μｍ以上である、請求項１～４の何れか１項に記載の電子部品。
- 前記第１金属膜の平均膜厚が５μｍ以上である、請求項１～５の何れか１項に記載の電子部品。
- 前記コンポジット体の前記接触面には、２以上の金属磁性粉が露出し、
該露出している金属磁性粉の９５％以上において、隣り合う金属磁性粉間の距離が前記第１金属膜の平均膜厚の２倍以下である、請求項４または５に記載の電子部品。 - 前記金属磁性粉がＦｅを含む、請求項１～７の何れか１項に記載の電子部品。
- 前記第１金属膜がＣｕを含む、請求項１～８の何れか１項に記載の電子部品。
- 前記第２金属膜がＮｉを含む、請求項１～９の何れか１項に記載の電子部品。
- さらに第２金属膜上にはんだ濡れ性を有する第３金属膜を有する、請求項１～１０の何れか１項に記載に電子部品。
- 前記コンポジット体内に設けられるインダクタ配線を有し、
前記第１金属膜および前記第２金属膜は、インダクタ配線に電気的に接続される外部端子を構成する、
請求項１～１１の何れか１項に記載の電子部品。 - 樹脂と金属磁性粉とを含むコンポジット体であって、前記コンポジット体の外面上に少なくとも１つの金属磁性粉の露出した露出面を形成する工程と、
無電解めっき処理により、前記露出面上に、膜厚が２．９μｍ以上になるように前記第１金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜上に第２金属膜を形成する工程とを含む、
電子部品の製造方法。
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