JP2022013386A - スパッタ装置およびスパッタ方法 - Google Patents
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Abstract
Description
従来、反応ガスである窒素の流量と成膜圧力で窒化度を制御するスパッタ方法がある(例えば、特許文献1参照。)。
前記ターゲット材と電気的に接続可能な直流電源と、
前記真空チャンバー内に窒素ガスを含む成膜ガスを導入するガス供給源と、
前記直流電源から前記ターゲット材に流れる電流をパルス化するパルス化ユニットと、
を備え、
前記ターゲット材として2元以上の組成の焼結合金ターゲット材料を用いて、前記真空チャンバー内でプラズマを生成して前記基板上に窒素を含む3元以上の組成の窒化物薄膜を形成する。
前記ターゲット材と電気的に接続するステップと、
前記真空チャンバー内に窒素ガスを含む成膜ガスを導入するステップと、
前記真空チャンバー内に発生するプラズマの発光スペクトルを検出するステップと、
検出した前記発行スペクトルの特性ピークの位置と強度から前記ターゲット材料と窒素ガスとを含む成膜ガスの発光強度比を算出するステップと、
算出した前記成膜ガスの前記発光強度比を元にパルスのON/OFF時間を設定して前記ターゲット材に流れる電流をパルス化するステップと、
を含む。
前記ターゲット材と電気的に接続可能な直流電源と、
前記真空チャンバー内に窒素ガスを含む成膜ガスを導入するガス供給源と、
前記直流電源から前記ターゲット材に流れる電流をパルス化するパルス化ユニットと、
を備え、
前記ターゲット材として2元以上の組成の焼結合金ターゲット材料を用いて、前記真空チャンバー内でプラズマを生成して前記基板上に窒素を含む3元以上の組成の窒化物薄膜を形成する。
前記プラズマの前記発光スペクトルを検出する分光器と、
検出した前記発光スペクトルの特性ピークの位置と強度から前記ターゲット材料と窒素ガスとを含む成膜ガスの発光強度比を算出する発光スペクトル演算器と、
算出した前記成膜ガスの前記発光強度比を元に前記パルス化ユニットにパルスのON/OFF時間を設定するパルス制御器と、
をさらに備えてもよい。
前記パルス化ユニットにパルスのON/OFF時間を設定して、窒化物薄膜に含まれる2元以上の金属の組成比を変化させる。
前記真空チャンバー内で生成したプラズマを前記分光器で測定するステップと、
測定した前記プラズマの発光ピークの現在値の発光強度を事前に記録した基準値となるプラズマ状態の発光強度の値で規格化して規格化した発光強度とするステップと、
前記成膜ガス全体における窒素の発光強度比を算出するステップと、
前記窒素の発光強度比が前記基準値と前記現在値との差を最小とするように、パルスON時間をフィードバック制御するステップと、
を含む。
前記ターゲット材と電気的に接続するステップと、
前記真空チャンバー内に窒素ガスを含む成膜ガスを導入するステップと、
前記真空チャンバー内に発生するプラズマの発光スペクトルを検出するステップと、
検出した前記発光スペクトルの特性ピークの位置と強度から前記ターゲット材料と窒素ガスとを含む成膜ガスの発光強度比を算出するステップと、
算出した前記成膜ガスの前記発光強度比を元にパルスのON/OFF時間を設定して前記ターゲット材に流れる電流をパルス化するステップと、
を含む。
前記成膜ガス全体における窒素の発光強度比が前記基準値と前記現在値との差を最小とするように、パルスON時間をフィードバック制御するステップをさらに含んでもよい。
まず、図1を主として参照しながら、実施の形態1のスパッタ装置10の構成について説明する。図1は、実施の形態1に係るスパッタ装置10の構成を示す概略断面図である。
このスパッタ装置10は、真空チャンバー1と、直流電源30と、パルス化ユニット32と、パルス制御器41と、を備える。真空チャンバー1には、内部にターゲット材7と基板6とを互いに対向して配置可能である。直流電源30は、ターゲット材7と電気的に接続可能である。パルス化ユニット32によって、直流電源30からターゲット材7に流れる電流をパルス化する。パルス制御器41によって、パルスON時間とパルスOFFの時間をパルス化ユニット32に設定する。
この実施の形態1に係るスパッタ装置10によれば、3元以上の窒化物薄膜の組成をパルス制御器41によるパルス放電の条件によって精密に制御可能となる。このため、所望の比抵抗とTCRに微調整可能となる。
真空チャンバー1は、バルブ3を介して接続された真空ポンプ2で排気することによって、真空状態への減圧を行うことができる。
ガス供給源4は、ガスボンベ等のガス源と、マスフローコントローラ等の流量制御器で構成され、スパッタに必要なガスを真空チャンバー1へ一定速度で供給することができる。ガス供給源4で供給するガスは、例えば窒素や酸素など目的の材料と反応性を持ったガスや、反応性を持ったガスとアルゴンなどの希ガスとの混合ガスなどが選択できる。
バルブ3は、その開閉率を変化させることで、真空チャンバー1内の真空度を所望のガス圧力に制御することができる。
図1において、真空チャンバー1内の上部には、ターゲット材7が配置されている。ターゲット材7は、2元以上の組成の金属材料であり、例えば高比抵抗の材料としては、シリコンと遷移金属との組み合わせを選択することが可能である。例えば、2元合金ABの金属Aとしてシリコン、金属Bとしてタンタル、ニオブ、クロムなどを選択することが可能である。なお、ターゲット材7の導電体である範囲で酸素を含むこともできる。これは、原材料の金属のアトマイズ粉を焼結したターゲットに含有する微量の酸素も含まれる。
バッキングプレート8は、ターゲット材7を支持している。
直流電源30は、パルス化ユニット32と、バッキングプレート8とを介して、ターゲット材7に電気的に接続され、ターゲット材7に電圧を印加することができる。
パルス化ユニット32は、直流電源30によって発生した直流電流を、内蔵するコンデンサ等に蓄積し、内蔵する半導体スイッチング素子等によりオン、オフして、パルス化することができる。オン、オフのスイッチングはデジタル値として設定可能な構成を選択可能であり、時間設定の分解能は、例えば、1μ秒以下とすることが出来る。
パルス制御器41は、プラズマを発生させるパルス条件と、薄膜の電気物性との、関係に基づいて、パルス化ユニット32へ指示するパルスのオン時間、オフ時間を制御する。
マグネット11およびヨーク12は、バッキングプレート8の裏面に配置され、ターゲット材7の表面において磁場を発生させることができる。マグネット11は1つ以上であればよい。なお、マグネット11は、永久磁石、電磁石のいずれであってもよい。ヨーク12は、マグネット11の一端と接続されており、磁気回路を構成し、ターゲット材7と反対側への不要な磁場の漏洩を抑制できる。マグネット11およびヨーク12により、ターゲット材7の平面に対する平行磁場が最大となる位置にプラズマを集中させて、成膜速度を向上させている。なお、このプラズマが集中する位置をエロージョンと呼ぶ。また、エロージョンが特定の位置に集中するとターゲット材7の一部だけが消耗し、材料を効率的に利用できないため、マグネット11とヨーク12を、マグネット回転機構20によってターゲット材7の面に対して平行に移動して、エロージョン位置を移動させてもよい。
図1において真空チャンバー1内の下部には、ターゲット材7と対向として基板6が配置されている。基板ホルダー5は、基板6の下部に配置され、基板6を支持する。
次に、本実施の形態1に係るスパッタ装置10の動作について説明するとともに、本実施の形態1に係るスパッタ方法についても説明する(他の実施の形態2についても同様である)。
(1)まず、真空チャンバー1にターゲット材7をセットするとともに、基板6をターゲット材7の下方に略水平にセットする。
(2)次に、真空ポンプ2を作動させて真空チャンバー1内が真空状態になるように減圧を行い、所定の真空度に到達した後、ガス供給源4からガスを導入し、所定のガス圧力となるようにゲートバルブ3の開度を調整する。
(3)次いで、直流電源30により電圧を発生させ、パルス化ユニット32により所定のオン時間、オフ時間でスイッチングすることでパルス化させて、ターゲット材7にパルス化した電圧を印加し、真空チャンバー1内にプラズマを発生させる。
(4)真空チャンバー1内に発生させたパルス状のプラズマによってターゲット材7がスパッタリングされて飛び出し、基板6に到達してターゲット材料を構成する元素を含む薄膜が堆積する。それと同時に、真空チャンバー1内のガスおよびプラズマが、基板6上に堆積されつつあるターゲット材料と反応する。また、電圧印加のオフの時間に、真空チャンバー1内のガスおよびプラズマが、基板6上に堆積したターゲット材料と反応することで、緻密なターゲット材料とガスとが反応した化合物の薄膜が形成される。
一連のパルス成膜を所定の回数繰り返すことで、基板6の上に窒化物薄膜が堆積する。
比較例1では、図12に示す従来例の構成、すなわち直流電源30を直接ターゲット材7に接続した構成で、窒化物薄膜を成膜した。このとき、成膜条件を、到達真空度1×10-4Pa以下、成膜圧力0.45Pa、直流電源30の電力100Wで固定し、Arガス流量を15sccm、窒素ガスの流量を3.0sccmから5.5sccmの範囲で変化させた条件で、ガラス基板上に成膜した。この際、3.8sccmから4.2sccmまでの範囲は、使用したマスフローコントローラの最小分解能である0.1sccm毎に変化させた条件で成膜した。
実施例1では、実施の形態1の構成で、窒化物薄膜を成膜した。このとき、成膜条件を、到達真空度1×10-4Pa以下、成膜圧力0.45Pa、直流電源30の電力100Wで、Arガス流量を15sccm、窒素ガスの流量を4.1sccmで固定し、パルス周期(=パルスON時間+パルスOFF時間)を100μsecとして、パルスONの時間を使用したパルスコントローラの最小分解能である1μsec毎に変化させた条件で、抵抗測定用の試料はガラス基板上に成膜した。また一部の条件では、組成分析用の試料としてSiを含まないサファイア基板上に成膜した。
なお、抵抗デバイスなどで、TCRを零としたい場合には、成膜後に温度300℃~600℃、処理時間1時間~5時間程度の熱処理によりTCRが負から正に変化することを利用して、所定の温度と時間で熱処理を行うことでTCRを調整することが出来る。
次に、図7を主として参照しながら、実施の形態2に係るスパッタ装置10aの構成について説明する。
ここに、図7は、実施の形態2に係るスパッタ装置10aの構成を示す概略断面図である。図7に関しては、図1に示されている部分と同じまたは相当する部分には同じ符号を付し、一部の説明を省略する。
図7においては、真空チャンバー1の側壁にプラズマ発光を真空チャンバー外から観察するビューポート50と、プラズマ発光のスペクトルを観測する分光器51と、発光スペクトルからプラズマの成分比を算出する発光スペクトル演算器52と、が配置されている。このスパッタ装置10aでは、実施の形態1に係るスパッタ装置と対比すると、パルス制御器41には、発光スペクトル演算器52が接続され、得られたプラズマの成分比に基づいてパルス条件をフィードバック制御させることができる点で相違する。
プラズマの発光スペクトルの計測について説明する。真空チャンバー1内に発生させたパルス状のプラズマの発光強度は、パルス化ユニット32で設定可能な50μsec~1msec程度の周期で変動している。また、材料を効率的に利用するために、マグネット11とヨーク12を、マグネット回転機構20によって移動させ、エロージョン位置を移動させている場合、プラズマの空間的な位置が移動するため、ビューポート50から検出されるプラズマの発光強度も変動することになる。マグネット11の回転周期は0.1sec~10sec程度である。そのため、分光器51で測定する際の積算時間は、少なくともパルス状のプラズマの変動周期よりも長く設定する必要がある。また、マグネット11の回転周期と一致させることが望ましく、マグネット11の回転による発光強度の時間変動を観測し最大値となるタイミングで計測してもよい。
プラズマの発光強度比の計算について、発光スペクトルの例を用いて説明する。図8(a)の発光スペクトルは、ターゲット材7としてCr30Si70合金を用い、Ar流量16sccm、N2流量4sccm、パルスON時間100μsec、パルスOFF時間100μsecの条件でのプラズマの発光を、分光器51により露光時間1msecで測定した結果である。
図8(a)に示す通り、プラズマの発光スペクトルには多数の発光ピークがある。これらの発光ピークは、Ar(図8(e))やN2(図8(d))といったガス粒子や、Cr(図8(c))やSi(図8(b))などのスパッタ粒子が、プラズマを構成する電子などの荷電粒子との衝突により励起して発光したものである。つまり、発光ピークは、それぞれの原子や分子特有のエネルギー準位に対応した複数の波長のピークを持つ。そこで、比較的強い発光ピークを持ち、それぞれの原子、分子の発光ピークが重なっておらず判別することが出来るピークという条件で選択する。例えば、Siは288.2nm、Crイオンは357.8nm、N2分子イオンは391.4nm、Arイオンは811.4nmが選択される。
(A)まず、それぞれのピーク位置でのカウント数を集計し、Arのカウント数で他のピークSi、Cr、N2を除して現在値の発光強度とし、それぞれI1(Si)、I1(Cr)、I1(N2)とする。
(B)次に、Ir1(N2)=I1(N2)/(I1(Si)+I1(Cr)+I1(N2))をN2の発光強度比する。また、Ir1(Si)=I1(Si)/(I1(Si)+I1(Cr))をSiとCrの発光強度比とする。
(C)次に、事前に記録した基準値とするプラズマ状態のN2の発光強度比Ir0(N2)、SiとCrの発光強度比Ir0(Si)で除し、規格化したN2の発光強度比IN2=Ir1(N2)/Ir0(N2)、規格化したSiとCrの発光強度比ISi=Ir1(Si)/Ir0(Si)とする。
実施例2では、実施の形態2に係るスパッタ装置の構成にて、以下の成膜条件で窒化物薄膜を成膜した。このとき、成膜条件を、到達真空度1×10-4Pa以下、成膜圧力0.45Pa、直流電源30の電力100Wで、Arガス流量を15sccm、窒素ガスの流量を4.1sccmで固定した。また、パルス周期(=パルスON時間+パルスOFF時間)を201μsecとして、初回の成膜時はパルスON時間97μsecでプラズマ放電させ、分光器51での観測データを元に、発光スペクトル演算器52で算出されたN2発光強度比を基準のデータとして記録し、成膜した。次回の成膜はパルス周期(=パルスON時間+パルスOFF時間)を201μsecとして、パルスON時間は前回設定値の97μsecを中心にパルスコントローラの最小分解能である1μsec毎に変化させ、記録したN2発光強度比との差が最小となるパルスON時間に設定して成膜し、全体として成膜実験を3回行った。
比較例2では、実施の形態2に係るスパッタ装置の構成にて、実施例2とは以下のように成膜条件を変えて窒化物薄膜を成膜した。このとき、成膜条件を、到達真空度1×10-4Pa以下、成膜圧力0.45Pa、直流電源30の電力100Wで、Arガス流量を15sccm、窒素ガスの流量を4.1sccmで固定した。また、パルス周期(=パルスON時間+パルスOFF時間)を201μsecとして、パルスON時間100μsecに固定した条件で固定して、すなわちプラズマ発光強度比をパルス条件にフィードバックさせずに、成膜実験を2回行った。
図10Aは、実施例3に係るスパッタ方法において、N2ガス流量とTCRとの関係を示すグラフであって、パルスON時間を最小から最大まで制御する場合を示す図である。図10Bは、実施例3に係るスパッタ方法において、N2ガス流量と比抵抗との関係を示すグラフであって、パルスON時間を最小から最大まで制御する場合を示す図である。
例えば、調整例1として、目標値のTCRに調整する場合を考える。図10Aに示すように、TCRは、N2ガス流量が増加するとマイナス側に変化し、パルスON時間を減少させるとプラス側に変化する傾向であることがわかる。
そこで、例えば、TCRが目標値を下回るN2ガス流量を設定し、パルスON時間を最大値から減少させる方向で変化させ、目標値との差が最小となるパルスON時間を設定すればよい。
比抵抗は、図10Bのグラフに示す通り、TCRの場合とは正負が逆の傾向であり、
調整方向も逆に変化させればよい。そこで、説明を省略する。
図11Aは、実施例4に係るスパッタ方法において、パルスON時間とN2発光強度比との関係を示すグラフであって、N2ガス流量を変化させる場合を示す図である。図11Bは、実施例4に係るスパッタ方法において、パルスON時間とSiの発光強度比との関係を示すグラフであって、N2ガス流量を変化させる場合を示す図である。
N発光比のパルスON時間に対する変化率は0.31%/μsecであり、N2流量に対する変化率は0.1sccmあたり2%程度である。一方、Si発光比のパルスON時間に対する変化率は-0.04%/μsecであり、N2流量に対する変化はこのグラフの範囲ではほとんど考慮しなくてもよい。このようなグラフ、つまり、データのテーブルを持っておくことで、発光比の変化に対して、パルス条件をどのように変化させれば組成比を制御できるかがわかる。
例えば、調整例2として、組成比を一定に調整する場合、例えば、N比がずれた場合を調整する場合について説明する。
プラズマ発光から得られた組成比が一定となる様にパルスON時間を変化させる。具体的には、図11Aに示すように、N比が低い場合には右上に向かう矢印のようにパルスON時間を長く、N比が高い場合には左下に向かう矢印のようにパルスON時間を短くするように調整する。なお、パルスON時間を変化させると、Si比も変化することとなるが、図11Bに示すように、Si比の変化率は、N比の変化率と比べて10分の1程度なので、パルスON時間の5μsec程度の調整による影響は少なく、Si比の変化は問題ない。
例えば、調整例3として、組成比を一定に調整する場合、例えば、Si比がずれた場合を調整する場合について説明する。
図11Bに示すように、Si比が低い場合には左上に向かう矢印のようにパルスON時間を短く、Si比が高い場合には右下に向かう矢印のようにパルスON時間を長くするように調整する。なお、パルスON時間を5μsec以上変化させる場合には、N比の変化を無視できないので、N比の変化をキャンセルするためにN2流量も0.1sccm程度変化させる。つまり、パルスON時間を短くする場合にはN2流量を0.1sccm程度増やし、パルスON時間を長くする場合には0.1sccm程度減らすように調整する。
以上のように、ターゲット材のロットによって組成が異なる場合や、長時間成膜してターゲット材が消耗しても、プラズマの発光スペクトルからターゲット材の状況に応じてガス流量とパルス条件を変更できる。そこで、電気特性のバラツキが最小限に抑制されるので、例えば、窒化物抵抗薄膜を安定して成膜することが可能となる。
2 ポンプ
3 ゲートバルブ
4 ガス供給源
5 基板ホルダー
6 基板
7 ターゲット材
8 バッキングプレート
10、10a スパッタ装置
11 マグネット
12 ヨーク
20 マグネット回転機構
30 直流電源
32 パルス化ユニット
40 電源制御器
41 パルス制御器
50 ビューポート
51 分光器
52 発光スペクトル演算器
Claims (6)
- 内部にターゲット材と基板とを互いに対向して配置可能な真空チャンバーと、
前記ターゲット材と電気的に接続可能な直流電源と、
前記真空チャンバー内に窒素ガスを含む成膜ガスを導入するガス供給源と、
前記直流電源から前記ターゲット材に流れる電流をパルス化するパルス化ユニットと、
を備え、
前記ターゲット材として2元以上の組成の焼結合金ターゲット材料を用いて、前記真空チャンバー内でプラズマを生成して前記基板上に窒素を含む3元以上の組成の窒化物薄膜を形成する、スパッタ装置。 - 前記真空チャンバー内に発生するプラズマを観察するビューポートと、
前記プラズマの発光スペクトルを検出する分光器と、
検出した前記発光スペクトルの特性ピークの位置と強度から前記ターゲット材料と窒素ガスとを含む成膜ガスの発光強度比を算出する発光スペクトル演算器と、
算出した前記成膜ガスの前記発光強度比を元に前記パルス化ユニットにパルスのON/OFF時間を設定するパルス制御器と、
をさらに備える、請求項1に記載のスパッタ装置。 - 請求項1又は2に記載のスパッタ装置を利用するスパッタ方法であって、
前記パルス化ユニットにパルスのON/OFF時間を設定して、窒化物薄膜に含まれる2元以上の金属の組成比を変化させる、
スパッタ方法。 - 請求項2に記載のスパッタ装置を利用するスパッタ方法であって、
前記真空チャンバー内で生成したプラズマを前記分光器で測定するステップと、
測定した前記プラズマの発光ピークの現在値の発光強度を事前に記録した基準値となるプラズマ状態の発光強度の値で規格化して規格化した発光強度とするステップと、
前記成膜ガス全体における窒素の発光強度比を算出するステップと、
前記窒素の発光強度比が前記基準値と前記現在値との差を最小とするように、パルスON時間をフィードバック制御するステップと、
を含む、スパッタ方法。 - 内部にターゲット材と基板とを互いに対向して配置可能な真空チャンバーを用意するステップと、
前記ターゲット材と電気的に接続するステップと、
前記真空チャンバー内に窒素ガスを含む成膜ガスを導入するステップと、
前記真空チャンバー内に発生するプラズマの発光スペクトルを検出するステップと、
検出した前記発光スペクトルの特性ピークの位置と強度から前記ターゲット材料と窒素ガスとを含む成膜ガスの発光強度比を算出するステップと、
算出した前記成膜ガスの前記発光強度比を元にパルスのON/OFF時間を設定して前記ターゲット材に流れる電流をパルス化するステップと、
を含む、スパッタ方法。 - 前記成膜ガスの発光強度比を算出するステップにおいて、検出した前記発光スペクトルの窒素の特性ピークの現在値の発光強度について、事前に記録した基準値となるプラズマ状態の窒素の発光強度の値で規格化して規格化した窒素の発光強度を算出し、
前記成膜ガス全体における窒素の発光強度比が前記基準値と前記現在値との差を最小とするように、パルスON時間をフィードバック制御するステップをさらに含む、請求項5に記載のスパッタ方法。
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