JP2022008131A - インプリントシステム内のディストーションの補正を備えたナノ製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】平均残膜厚（ＲＬＴ）を増加させることなく、オーバーレイを改善するためにインプリントシステム内のディストーションを補正するナノ製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ製造方法は、インプリントシステム内のディストーションに関する情報を受け取ることと（Ｓ４０２）、前記受け取った情報に基づいていない第１ドロップパターンを生成することと（Ｓ４０４）、前記受け取った情報に基づいて第２ドロップパターン及び第３ドロップパターンを生成することと（Ｓ４０６）、第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することと（Ｓ４０８～Ｓ４１６）、を有する。
【選択図】図４

Description

本開示は、ナノ製造方法に関し、特に、平均残膜厚を実質的に増加させることなく、インプリントシステム内のディストーションを補正するナノ製造方法に関する。

ナノ製造は、１００ナノメートル以下のオーダーのフィーチャを有する非常に小さい構造の製造を含む。ナノ製造がかなりの影響を及ぼした１つの用途は、集積回路の製造である。半導体プロセス産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産歩留まりを追求し続けている。ナノ製造の改善は、より大きなプロセス制御を提供すること、及び／又は、スループットを改善することを含み、形成される構造の最小フィーチャ寸法の継続的な縮小も可能にする。

今日用いられている１つのナノ製造技術は、一般的に、ナノインプリントリソグラフィと呼ばれている。ナノインプリントリソグラフィは、例えば、基板上にフィルムを成形することによって、集積デバイスの１つ以上の層（レイヤ）を製造することを含む様々な用途で有用である。集積デバイスの例は、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ－ＲＡＭ、Ｆｅ－ＲＡＭ、ＳＴＴ－ＲＡＭ、ＭＥＭＳなどを含むが、これらに限定されない。例示的なナノインプリントリソグラフィシステム及びプロセスは、米国特許第８，３４９，２４１号、米国特許第８，０６６，９３０号及び米国特許第６，９３６，１９４号などの多数の刊行物に詳細に記載されており、これらは全て参照により本明細書に組み込まれる。

上述した特許のそれぞれに開示されたナノインプリントリソグラフィ技術は、成形可能材料（重合可能）層におけるレリーフパターンの形成によって、基板上にフィルムを成形する（ｓｈａｐｉｎｇ）ことを記載している。そして、このフィルムの形状は、レリーフパターンに対応するパターンを、下にある基板の中及び／又は上に転写するために用いられる。

パターニングプロセスは、基板から離間したテンプレートを使用し、成形可能材料がテンプレートと基板との間に与えられる。テンプレートは、成形可能材料と接触させられ、成形可能材料は、広げられ、テンプレートと基板との間の空間を満たす。成形可能な液体は、成形可能な液体と接触するテンプレートの表面の形状に一致する形状（パターン）を有するフィルムを形成するために固化される。固化後、テンプレートは、テンプレートと基板とが離間するように、固化層から引き離される。

そして、基板及び固化層は、固化層及び／又は固化層の下にあるパターン層の一方又は両方のパターンに対応する像（ｉｍａｇｅ）を基板に転写するために、エッチングプロセスなどの付加的なプロセスを受けることができる。パターン化基板は、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料の除去、ダイシング、ボンディング及びパッケージングなどを含むデバイス（物品）製造のための公知の工程及びプロセスを更に受けることができる。

米国特許第９，９９３，９６２号は、インプリントシステム内のディストーションを補正して、オーバーレイを改善するためのインプリントに関する方法を開示する。’９６２号特許に開示された方法は、インプリントプロセスの間に分配された修正されたドロップパターンを用いて補正を実行する。しかしながら、インプリントプロセスの間に修正されたドロップパターンを用いることは、修正されたドロップパターンは、修正されていないドロップパターンと比較して、追加的な成形可能材料の適用を必要とするため、欠点を有する。追加的な成形可能の適用は、平均残膜厚（ＲＬＴ）を増加させ、これは、インプリントプロセス及び／又は後続のプロセスの側面に悪影響を与える。’９６２号特許に開示された方法は、オーバーレイを改善するが、インプリントプロセス及び／又は後続のプロセスを潜在的に犠牲にする。そこで、平均ＲＬＴを増加させることなく、オーバーレイを改善するためにインプリントシステム内のディストーションを補正するナノ製造方法が技術分野で必要とされている。

ナノ製造方法は、インプリントシステム内のディストーションに関する情報を受け取ることと、前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいていない、成形可能材料の第１ドロップパターンを生成することと、前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいて、成形可能材料の第２ドロップパターン及び成形可能材料の第３ドロップパターンを生成することと、成形可能材料の第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することと、前記第４ドロップパターンに従って、成形可能材料のドロップを基板上に分配することと、フィルムを形成するために、前記分配されたドロップをテンプレート又はスーパーストレートと接触させることと、を有することを特徴とする。前記第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することは、前記第１ドロップパターンに第１の複数のドロップ位置を加える、又は、前記第１ドロップパターンから第２の複数のドロップ位置を除去することによって、中間ドロップパターンを形成することであって、前記第１の複数のドロップ位置は、前記第２ドロップパターンによって定義されるドロップ位置に対応し、前記第２の複数のドロップ位置は、前記第３ドロップパターンによって定義されるドロップパターンに対応することと、前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第１の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンに加えられた場合に、前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第２の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンから除去された場合に、前記中間ドロップパターンに前記第１の複数のドロップ位置を加えることによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、を含む。

ナノ製造システムは、テンプレート又はスーパーストレートを保持する第１チャックと、基板を保持する第２チャックと、プロセッサであって、インプリントシステム内のディストーションに関する情報を受け取り、前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいていない、成形可能材料の第１ドロップパターンを生成し、前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいて、成形可能材料の第２ドロップパターン及び成形可能材料の第３ドロップパターンを生成し、成形可能材料の第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することであって、前記第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することは、前記第１ドロップパターンに第１の複数のドロップ位置に加える、又は、前記第１ドロップパターンから第２の複数のドロップ位置を除去することによって、中間ドロップパターンを形成することであって、前記第１の複数のドロップ位置は、前記第２ドロップパターンによって定義されるドロップ位置に対応し、前記第２の複数のドロップ位置は、前記第３ドロップパターンによって定義されるドロップ位置に対応することと、前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第１の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンに加えられた場合に、前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第２の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンから除去された場合に、前記中間ドロップパターンに前記第１の複数のドロップ位置を加えることによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、を含む、プロセッサと、前記第４ドロップパターンに従って、成形可能材料のドロップを基板上に分配する流体ディスペンサと、前記成形可能材料を、前記テンプレート又はスーパーストレートチャックにおける前記テンプレート又はスーパーストレートに接触させる位置決めシステムと、前記基板上に硬化した成形可能材料を形成するように、前記テンプレート又はスーパーストレートの下の前記成形可能材料を硬化させる硬化システムと、を有することを特徴とする。

物品を製造する方法は、インプリントシステム内のディストーションに関する情報を受け取ることと、前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいていない、成形可能材料の第１ドロップパターンを生成することと、前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいて、成形可能材料の第２ドロップパターン及び成形可能材料の第３ドロップパターンを生成することと、成形可能材料の第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することであって、前記第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することは、前記第１ドロップパターンに第１の複数のドロップ位置を加える、又は、前記第１ドロップパターンから第２の複数のドロップ位置を除去することによって、中間ドロップパターンを形成することであって、前記第１の複数のドロップ位置は、前記第２ドロップパターンによって定義されるドロップ位置に対応し、前記第２の複数のドロップ位置は、前記第３ドロップパターンによって定義されるドロップパターンに対応することと、前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第１の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンに加えられた場合に、前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第２の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンから除去された場合に、前記中間ドロップパターンに前記第１の複数のドロップ位置を加えることによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、を含むことと、前記第４ドロップパターンに従って、成形可能材料のドロップを基板上に分配することと、前記分配されたドロップをテンプレート又はスーパーストレートに接触させることによって、前記分配されたドロップのパターン又は層を前記基板上に形成することと、前記物品を製造するために、前記形成されたパターン又は層を処理することと、を有することを特徴とする。

本開示のこれら及びその他の目的、特徴及び利点は、添付図面及び提供される特許請求の範囲と併せて、本開示の例示的な実施形態の以下の詳細な説明を読むことによって明らかになるであろう。

本開示の特徴及び利点が詳細に理解されるように、本開示の実施形態のより具体的な説明は、添付図面に示される実施形態を参照することによってなされる。但し、添付図面は、本開示の典型的な実施形態を示しているだけであり、その他の同様に効果的な実施形態を認めるために、その範囲を限定するものとみなされるべきではないことに注意されたい。
図１は、例示的な実施形態における例示的なナノインプリントリソグラフィシステムの図である。 図２は、例示的な実施形態における例示的なテンプレートの図である。 図３は、例示的な実施形態における例示的なインプリント方法を示すフローチャートである。 図４は、例示的な実施形態における例示的なナノ製造方法を示すフローチャートである。 図５Ａは、例示的な実施形態における例示的なナノ製造方法において生成された第１ドロップパターンの概略例である。 図５Ｂは、例示的な実施形態における図５Ａの第１ドロップパターンに従って、成形可能材料が基板上に分配される場合の概略断面図を示す。 図６Ａは、例示的な実施形態における例示的なナノ製造方法において生成された第２ドロップパターンの概略例である。 図６Ｂは、例示的な実施形態における例示的なナノ製造方法において生成された第３ドロップパターンの概略例である。 図７Ａは、例示的な実施形態における例示的なナノ製造方法において生成された予備ドロップパターンの概略例である。 図７Ｂは、例示的な実施形態における図７Ａの予備ドロップパターンに従って、成形可能材料が基板上に分配される場合の概略断面図である。 図８Ａは、例示的な実施形態における中間ドロップパターンを形成するために、第２ドロップパターンによって定義されるドロップ位置を第１ドロップパターンに加えるプロセスを示す中間ドロップパターンの概略例である。 図８Ｂは、例示的な実施形態における中間ドロップパターンを形成するために、第２ドロップパターンによって定義されるドロップ位置が第１ドロップパターンに加えられた後の図８Ａの中間ドロップパターンの概略例である。 図９Ａは、例示的な実施形態における第４ドロップパターンを形成するために、中間ドロップパターンから第３ドロップパターンによって定義されるドロップ位置を除去するプロセスを含む第４ドロップパターンの概略例である。 図９Ｂは、例示的な実施形態における第４ドロップパターンを形成するために、第３ドロップパターンのドロップ位置が中間ドロップパターンから除去された後の図９Ａの第４ドロップパターンの概略例である。 図１０Ａは、例示的な実施形態における第４ドロップパターンに従って、成形可能材料が基板上に分配された場合の概略断面図である。 図１０Ｂは、実施形態において、第４ドロップパターンに従って成形可能材料が基板上に分配され、テンプレートと接触する場合の概略断面図である。 図面を通して、別段の記載がない限り、同一の参照符号及び文字は、例示された実施形態と同様な特徴、要素、構成要素又は部分を示すために用いられる。更に、本開示は、図面を参照して詳細に説明されるが、例示的な実施形態に関連して行われる。添付の特許請求の範囲によって定義される本開示の真の範囲及び精神から逸脱することなく、例示的な実施形態に対して変更及び修正を行うことができることが意図される。

この開示を通して、主に、上述したパターン化されたテンプレートを使用して成形可能な液体にパターンを与えるナノインプリントリソグラフィについて言及する。しかしながら、以下で説明するように、代替的な実施形態において、テンプレートは、フィーチャレスであり、この場合、平面が基板上に形成される。平面が形成される、このような実施形態において、形成プロセスは、平坦化と称される。このように、この開示を通して、ナノインプリントリソグラフィが言及されるたびに、同一の方法が平坦化に適用可能であることが理解されるべきである。スーパーストレートという用語は、テンプレートがフィーチャレスである場合に、テンプレートという用語の代わりに使用される。

上述したように、既知のドロップパターン補正方法（’９６２特許に記載された）は、インプリントシステム内のディストーションを補正して、インプリントプロセス及び／又は後続のプロセスを犠牲にしてオーバーレイを改善する。従って、平均ＲＬＴを増大させることなく、オーバーレイを改善するために、インプリントシステム内のディストーションを補正するナノ製造方法が望ましい。

ナノ製造システム（成形システム）
図１は、実施形態を実施することができるナノインプリントリソグラフィシステム１００の図である。ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板１０２の上にフィルムを成形するために用いられる。基板１０２は、基板チャック１０４に結合されてもよい。基板チャック１０４は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャックなどであってもよいが、これらに限定されない。

基板１０２及び基板チャック１０４は、基板位置決めステージ１０６によって更に支持されてもよい。基板位置決めステージ１０６は、ｘ、ｙ、ｚ、θ及びφ軸の１つ以上に沿った並進及び／又は回転運動を提供する。基板位置決めステージ１０６、基板１０２及び基板チャック１０４は、ベース（不図示）の上に位置決めされてもよい。基板位置決めステージは、位置決めシステムの一部であってもよい。

基板１０２から離間してテンプレート１０８がある。テンプレート１０８は、テンプレート１０８のフロントサイド上で、基板１０２に向かって延在するメサ（モールドとも呼ばれる）１１０を有する本体を含む。メサ１１０は、テンプレート１０８のフロントサイド上にも、その上にパターニング面１１２を有する。また、テンプレート１０８は、メサ１１０なしで形成されてもよく、この場合、基板１０２に面するテンプレートの表面は、モールド１１０と同等であり、パターニング面１１２は、基板１０２に面するテンプレート１０８の表面である。

テンプレート１０８は、これらに限定されないが、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイアなどを含む材料から形成される。パターニング面１１２は、複数の離間したテンプレート凹部１１４及び／又はテンプレート凸部１１６によって定義されるフィーチャを有する。パターニング面１１２は、基板１０２の上に形成されるパターンの基礎を形成するパターンを定義する。代替的な実施形態において、パターニング面１１２は、フィーチャレスであり、この場合、平面が基板上に形成される。代替的な実施形態において、パターニング面１１２は、フィーチャレスであり、基板と同じサイズであり、平面が基板の全体にわたって形成される。平面が形成される、このような実施形態において、形成プロセスは、代替的に、平坦化と称され、フィーチャレステンプレートは、代替的に、スーパーストレートと称されてもよい。

テンプレート１０８は、テンプレートチャック１１８に結合することができる。テンプレートチャック１１８は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック及び／又はその他の同様なチャック型であってもよいが、これらに限定されない。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８にわたって変化する応力、圧力及び／又は張力をテンプレート１０８に与えるように構成されていてもよい。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８の異なる部分をスクイーズ及び／又はストレッチすることができる圧電アクチュエータを含んでいてもよい。テンプレートチャック１１８は、テンプレートの裏面に圧力差を与えてテンプレートを曲げる及び変形させる、ゾーンベースの真空チャック、アクチュエータアレイ、圧力ブラダなどのシステムを含んでいてもよい。

テンプレートチャック１１８は、位置決めシステムの一部であるインプリントヘッド１２０に結合されてもよい。インプリントヘッドは、ブリッジに移動可能に結合されてもよい。インプリントヘッドは、基板に対して、テンプレートチャック１１８を、少なくともｚ軸方向及び潜在的なその他の方向（例えば、ｘ、ｙ、θ、Ψ及びφ軸）に移動させる、ボイスコイルモータ、圧電モータ、リニアモータ、ナット及びスクリューモータなどの１つ以上のアクチュエータを含む。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、流体ディスペンサ１２２を更に備える。流体ディスペンサ１２２は、ブリッジに移動可能に結合されてもよい。実施形態において、流体ディスペンサ１２２及びインプリントヘッド１２０は、１つ以上又は全ての位置決めコンポーネントを共有する。代替的な実施形態において、流体ディスペンサ１２２及びインプリントヘッド１２０は、互いに独立して移動する。流体ディスペンサ１２２は、基板１０２の上に液体成形可能材料１２４（例えば、重合可能材料）をパターンで堆積させるために用いられる。付加的な成形可能材料１２４は、成形可能材料１２４が基板１０２の上に堆積させる前に、ドロップ分配、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積などの技術を用いて、基板１０２に加えられてもよい。成形可能材料１２４は、設計検討に応じて、モールド１１２と基板１０２との間に所望の体積が定義される前及び／又は後に、基板１０２の上に分配されてもよい。成形可能材料１２４は、米国特許第７，１５７，０３６号及び米国特許第８，０７６，３８６号に記載されているようなモノマーを含む混合物を備え、これらは両方とも参照により本明細書に組み込まれる。

異なる流体ディスペンサ１２２は、液体成形可能材料１２４を分配するために、異なる技術を用いてもよい。成形可能材料１２４が噴射可能である場合、成形可能材料を分配するために、インクジェット型ディスペンサが用いられてもよい。例えば、サーマルインクジェット、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）ベースのインクジェット、バルブジェット及び圧電インクジェットは、噴射可能な液体を分配するための一般的な技術である。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、露光パス１２８に沿って化学線エネルギーを導く放射線源１２６を更に備える。インプリントヘッド及び基板位置決めステージ１０６は、テンプレート１０８及び基板１０２を露光パス１２８と重ね合わせて位置決めするように構成されている。放射線源１２６は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４に接触した後、露光パス１２８に沿って、化学線エネルギーを送る。図１は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触していないときの露光パス１２８を示し、これは、個々のコンポーネントの相対位置が容易に識別されるように、例示的目的で行われる。当業者は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触したときに、露光パス１２８が実質的に変化しないことを理解するであろう。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触した後、成形可能材料１２４の広がりを見るように位置決めされたフィールドカメラ１３６を更に備える。図１は、フィールドカメラのイメージングフィールドの光軸を破線として示す。図１に示されるように、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、化学線とフィールドカメラによって検出される光とを結合する１つ以上の光学部品（ダイクロイックミラー、ビームコンバイナ、プリズム、レンズ、ミラーなど）を含んでいてもよい。フィールドカメラ１３６は、テンプレート１０８の下方の成形可能材料の広がりを検出する。フィールドカメラ１３６の光軸は、図１に示されるように、直線であるが、１つ以上の光学部品によって曲げられてもよい。フィールドカメラ１３６は、成形可能材料と接触しているテンプレート１０８の下方の領域と、成形可能材料１２４と接触していないテンプレート１０８の下方の領域との間のコントラストを示す波長を有する光を集める、ＣＣＤ、センサアレイ、ラインカメラ及びフォトディテクタの１つ以上を含んでいてもよい。フィールドカメラ１３６は、可視光の単色像を集める。フィールドカメラ１３６は、テンプレート１０８の下方の成形可能材料１２４の広がりの画像、及び、硬化した成形可能材料からのテンプレートの分離の画像を提供し、インプリントプロセスの進行を追跡するのに用いることができる。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、フィールドカメラ１３６から分離されたドロップレット検査システム１３８を更に備える。ドロップレット検査システム１３８は、ＣＣＤ、カメラ、ラインカメラ及びフォトディテクタの１つ以上を含んでいてもよい。ドロップレット検査システム１３８は、レンズ、ミラー、アパーチャ、フィルタ、プリズム、偏光子、ウィンドウ、補償光学及び／又は光源などの１つ以上の光学部品を含んでいてもよい。ドロップレット検査システム１３８は、パターニング面１１２が基板１０２の上の成形可能材料１２４に接触する前に、ドロップレットを検査するように位置決めされる。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、テンプレート１０８及び基板１０２の一方又は両方に熱放射の空間分布を提供する熱放射源１３４を更に含んでもよい。熱放射源１３４は、基板１０２及びテンプレート１０８の一方又は両方を加熱し、成形可能材料１２４を固化させない１つ以上の熱電磁放射源を含む。熱放射源１３４は、熱放射の時空間分布を変調するために、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、リキッドクリスタルオンシリコン（ＬＣｏＳ）、液晶デバイス（ＬＣＤ）などの空間光変調器を含む。ナノインプリントリソグラフィシステムは、テンプレート１０８が基板１０２の上の成形可能材料１２４と接触するときに、化学線、熱放射線及びフィールドカメラ１３６によって集められた化学線を、インプリントフィールドと交差する単一の光路上に結合するために用いられる１つ以上の光学部品を更に備えてもよい。熱放射源１３４は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４に接触した後、熱放射パス（図１において、２つの太線として示されている）に沿って熱放射を送る。図１は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触していないときの熱放射パスを示し、これは、個々のコンポーネントの相対位置が容易に識別されるように、例示的目的で行われる。当業者は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触したときに、熱放射パスが実質的に変化しないことを理解するであろう。図１において、熱放射パスは、テンプレート１０８で終端して示されているが、基板１０２で終端してもよい。代替的な実施形態において、熱放射源１３４は、基板１０２の下方にあり、熱放射パスは、化学線及び可視光と結合しない。

成形可能材料１２４が基板上に分配される前に、基板コーティング１３２が基板１０２に適用（塗布）されてもよい。実施形態において、基板コーティング１３２は、接着層であってもよい。実施形態において、基板コーティング１３２は、基板が基板チャック１０４の上に搬入される前に、基板１０２に適用されてもよい。代替的な実施形態において、基板コーティング１３２は、基板１０２が基板チャック１０４の上にある間に、基板１０２に適用されてもよい。実施形態において、基板コーティング１３２は、スピンコーティング、ディップコーティングなどによって適用される。実施形態において、基板１０２は、半導体ウエハであってもよい。別の実施形態において、基板１０２は、インプリントされた後、ドーターテンプレートを作成するために用いられるブランクテンプレート（レプリカブランク）であってもよい。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板チャック１０４、基板位置決めステージ１０６、テンプレートチャック１１８、インプリントヘッド１２０、流体ディスペンサ１２２、放射線源１２６、熱放射源１３４、フィールドカメラ１３６及び／又はドロップレット検査システム１３８などの１つ以上のコンポーネント及び／又はサブシステムと通信する１つ以上のプロセッサ１４０（コントローラ）によって、調整、制御及び／又は命令される。プロセッサ１４０は、非一時的コンピュータ可読メモリ１４２に記憶されたコンピュータ可読プログラムにおける指示に基づいて動作する。プロセッサ１４０は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＧＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＤＳＰ及び汎用コンピュータの１つ以上である、又は、含む。プロセッサ１４０は、専用のコントローラであってもよいし、又は、コントローラとなる汎用のコンピューティングデバイスであってもよい。非一時的コンピュータ可読メモリの例は、これらに限定されないが、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ－Ｒａｙ、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、イントラネット接続された非一時的コンピュータ可読記憶デバイス及びインターネット接続された非一時的コンピュータ可読記憶デバイスを含む。

インプリントヘッド１２０及び基板位置決めステージ１０６のいずれか、又は、両方は、成形可能材料１２４で充填される所望の空間（３次元における有界の物理的な広がり）を定義するために、モールド１１０と基板１０２との間の距離を変化させる。例えば、インプリントヘッド１２０は、モールド１１０が成形可能材料１２４と接触するように、テンプレート１０８に力を与える。所望の体積が成形可能材料１２４で充填された後、放射線源１２６は、基板面１３０及びパターニング面１１２の形状に一致させて成形可能材料１２４を硬化、固化及び／又は架橋させる化学線（例えば、ＵＶ、２４８ｎｍ、２８０ｎｍ、３５０ｎｍ、３６５ｎｍ、３９５ｎｍ、４００ｎｍ、４０５ｎｍ、４３５ｎｍなど）を生成し、基板１０２の上にパターン層を定義する。成形可能材料１２４は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触している間に硬化され、基板１０２の上にパターン層を形成する。従って、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、パターニング面１１２のパターンの逆である凹部及び凸部を有するパターン層を形成するために、インプリントプロセスを用いる。代替的な実施形態において、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、フューチャレスパターニング面１１２によって平面層を形成するために、インプリントプロセスを用いる。

インプリントプロセスは、基板面１３０にわたって広がる複数のインプリントフィールドにおいて繰り返し行われる。インプリントフィールドのそれぞれは、メサ１１０と同一のサイズであってもよいし、メサ１１０のパターン領域と同一のサイズであってもよい。メサ１１０のパターン領域は、デバイスのフィーチャである基板１０２の上のパターンをインプリントするために用いられる、又は、デバイスのフィーチャを形成するための後続のプロセスで用いられる、パターニング面１１２の領域である。メサ１１０のパターン領域は、押出を防止するために用いられる質量速度変動フィーチャを含んでいてもよい、又は、含んでいなくてもよい。代替的な実施形態において、基板１０２は、基板１０２、或いは、メサ１１０でパターンニングされる基板１０２の領域と同一のサイズの１つのインプリントフィールドのみを有する。代替的な実施形態において、インプリントフィールドは、オーバーラップする。インプリントフィールドの幾つかは、基板１０２の境界と交差するパーシャルインプリントフィールドであってもよい。

パターン層は、各インプリントフィールドにおいて、基板面１３０とパターニング面１１２との間の成形可能材料１２４の最小厚さである残膜厚（ＲＬＴ）を有する残膜層を有するように形成されてもよい。パターン層は、厚さを有する残膜層の上に延在する凸部などの１つ以上のフィーチャを含んでもよい。これらの凸部は、メサ１１０における凹部１１４と一致する。

テンプレート／スーパーストレート
図２は、実施形態で用いられるテンプレート１０８の図である。パターニング面１１２は、メサ１１０の上（図２において、破線ボックスによって識別される）にあってもよい。メサ１１０は、テンプレートのフロントサイド上の凹面２４４によって取り囲まれている。メサ側壁２４６は、凹面２４４をメサ１１０のパターン面１１２に接続する。メサ側面２４６は、メサ１１０を取り囲む。メサが丸い、又は、丸いコーナーを有する実施形態において、メサ側壁２４６は、コーナーのない連続的な壁である単一のメサ側壁を参照する。

代替的なテンプレートは、別の実施形態で用いられ、ここでは、スーパーストレートと称される。スーパーストレートの場合、パターニング面１１２は、フィーチャレスである。換言すれば、実施形態において、面１１２の上にパターンがない。パターンがないスーパーストレートは、平坦化プロセスで用いられる。従って、平坦化プロセスが行われる場合、図１に示すテンプレートの代わりに、スーパーストレートが用いられる。

インプリント／平坦化プロセス
図３は、１つ以上のインプリントフィールド（パターン領域又はショット領域とも呼ばれる）上の成形可能材料１２４にパターンを形成するために用いられるナノインプリントリソグラフィシステム１００によるインプリントプロセス３００のフローチャートである。インプリントプロセス３００は、ナノインプリントリソグラフィシステム１００によって、複数の基板１０２の上で繰り返し行われてもよい。プロセッサ１４０は、インプリントプロセス３００を制御するために用いられる。

代替的な実施形態において、基板１０２を平坦化するために、同様なプロセスが行われる。平坦化の場合、パターンレススーパーストレートがテンプレートの代わりに用いられることを除いて、図３に関してここで説明される実質的に同一のステップが行われる。従って、以下の説明は、平坦化方法にも適用可能であることを理解されたい。スーパーストレートとして用いる場合、スーパーストレートは、基板１０２と同一のサイズであってもよいし、又は、基板１０２よりも大きいサイズであってもよい。

インプリントプロセス３００の開始は、テンプレート搬送機構にテンプレート１０８をテンプレートチャック１１８の上に載置させるテンプレート載置ステップを含む。インプリントプロセスは、基板載置ステップも含み、プロセッサ１４０は、基板搬送機構に基板１０２を基板チャック１０４の上に載置させる。基板は、１つ以上のコーティング及び／又は構造を有していてもよい。テンプレート１０８及び基板１０２がナノインプリントリソグラフィシステム１００に載置される順序は特に限定されず、テンプレート１０８及び基板１０２は、順次又は同時に載置されてもよい。

位置決めステップにおいて、プロセッサ１４０は、基板位置決めステージ１０６及び／又はディスペンサ位置決めステージの一方又は両方に、基板１０２のインプリントフィールドｉ（インデックスｉは、最初に１に設定されてもよい）を、流体ディスペンサ１２２の下方の流体分配位置に移動させる。基板１０２は、Ｎ個のインプリントフィールドに分割されてもよく、各インプリントフィールドは、インデックスｉによって識別される。Ｎは、１、１０、７５などの実数型整数である。

分配ステップＳ３０２において、プロセッサ１４０は、流体ディスペンサ１２２に、インプリントフィールドｉの上に成形可能材料を分配させる。実施形態において、流体ディスペンサ１２２は、成形可能材料１２４を複数のドロップレットとして分配する。流体ディスペンサ１２２は、１つのノズル又は複数のノズルを含む。流体ディスペンサ１２２は、１つ以上のノズルから成形可能材料１２４を同時に吐出することができる。インプリントフィールドｉは、流体ディスペンサが成形可能材料１２４を吐出している間、流体ディスペンサ１２２に対して移動させることができる。従って、ドロップレットの幾つかが基板上に着く時間は、インプリントフィールドｉにわたって変化する。実施形態において、分配ステップＳ３０２の間、成形可能材料１２４は、ドロップパターンに従って、基板上に分配される。ドロップパターンは、成形可能材料のドロップを堆積させる位置、成形可能材料のドロップの体積、成形可能材料の種類、成形可能材料のドロップの形状パラメータの１つ以上の情報を含む。

ドロップレットが分配された後、接触ステップＳ３０４が開始され、プロセッサ１４０は、基板位置決めステージ１０６及びテンプレート位置決めステージの一方又は両方に、テンプレート１０８のパターニング面１１２をインプリントフィールドｉにおける成形可能材料１２４と接触させる。

スプレッドステップＳ３０６の間、成形可能材料１２４は、インプリントフィールドｉのエッジ及びメサ側壁２４６に向かって広がる。インプリントフィールドのエッジは、メサ側壁２４６によって定義される。成形可能材料１２４がどのように広がり、メサを充填するのかは、フィールドカメラ１３６を介して観察することができ、成形可能材料の流体フロントの進行を追跡するために用いられる。

硬化ステップＳ３０８において、プロセッサ１４０は、テンプレート１０８、メサ１１０及びパターニング面１１２を介して化学線の硬化照明パターンを送るように、放射線源１２６に指示を送る。硬化照明パターンは、パターニング面１１２の下方の成形可能材料１２４を硬化（重合）させるのに十分なエネルギーを提供する。

分離ステップＳ３１０において、プロセッサ１４０は、基板１０２の上の硬化した成形可能材料からテンプレート１０８のパターニング面１１２を分離する（引き離す）ために、基板チャック１０４、基板位置決めステージ１０６、テンプレートチャック１１８及びインプリントヘッド２０の１つ以上を用いる。

インプリントすべき付加的なインプリントフィールドがあれば、プロセスは、ステップＳ３０２に戻る。実施形態では、プロセスステップＳ３１２において、製造品（例えば、半導体デバイス）を作成するように、追加的なプロセス（処理）が基板１０２に行われる。実施形態において、各インプリントフィールドは、複数のデバイスを含む。

プロセスステップＳ３１２における更なるプロセスは、パターン層におけるパターン、又は、そのパターンの逆に対応するレリーフ像を基板に転写するために、エッチングプロセスを含んでもよい。プロセスステップＳ３１２における更なるプロセスは、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料の除去、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどを含む、物品製造のための既知のステップ及びプロセスを含んでもよい。基板１０２は、複数の物品（デバイス）を製造するために処理されてもよい。

上述したように、インプリントシステム１００は、考慮されない限り、オーバーレイに悪影響を及ぼすシステム内のディストーションを有する。オーバーレイは、１つのパターン層と第２のパターン層とのレジストレーション又はアライメントであり、最終製造品（例えば、電子デバイス）が正しく機能するために重要である。例えば、チャックにおける平坦度又は平面度の偏差は、基板をチャックに一致させる際に、基板において、面内ディストーションを引き起こす。チャックが理想的な平坦であっても、基板がチャックされると、面内ディストーションを同様に引き起こす平面度の偏差がウエハ自体に存在する。インプリントテンプレートが非平坦な基板に一致する場合には、更なるディストーションが導入され、同様に、テンプレートに面内ディストーションを引き起こす。これらのディストーションは、全て、オーバーレイ精度に影響を及ぼす。米国特許第９，９９３，９６２号（’９６２号特許）は、これらのディストーションを補償するインプリントプロセスを開示し、参照により本明細書に組み込まれる。’９６２号特許は、インプリントプロセスの間に分配される特定のドロップパターンをどのように生成するかを開示する。１つの実施形態において、ここに開示された方法は、少なくとも部分的に、ディストーションに基づいて、成形可能材料のための分配パターンを決定することを含み、分配パターンは、成形可能材料が、第１領域内に第１面密度で分配され、第２領域内に第２面密度で分配されるように実行され、ディストーションは、テンプレートが第１領域内の成形可能材料に接触する場合に、基板の少なくとも１つの凸部と主表面とが更に離れることを示し、ディストーションは、テンプレートが第２領域内の成形可能材料に接触する場合に、基板の少なくとも１つの凸部と主表面とが互いに近づくことを示し、第１面密度は、第２綿密度よりも大きい。

’９６２号特許に説明されているように、方法は、インプリントシステム内のディストーションを定量化することを含む。ディストーションを定量化することは、インプリント装置内のコンポーネントの表面に沿った平面度の偏差を決定することを含む。平面度の偏差は、チャック領域の主表面、基板の主表面、モールドの主表面、又は、それらの組み合わせに沿った平坦度として計測されてもよい。平坦度は、基板チャックのチャック領域の上にある場合の基板の主表面に沿って計測される。平坦度は、基板全体又はほぼ全体（例えば、全てのインプリントフィールド）や単一のインプリントフィールド、選択されたインプリントフィールドの組み合わせ（例えば、特定のインプリントフィールド及び直接隣接したインプリントフィールド）などに対して計測してもよい。エレベーション（ｅｌｅｖａｔｉｏｎ）が低い領域では、高い面密度の成形可能材料が分配され、エレベーションが高い領域では低い面密度の成形可能材料が分配される。

’９６２号特許に説明されているように、別のディストーションは、倍率又は直交性ディストーションである。基板に以前に形成されたパターンは、テンプレートのモールドと比較して、小さすぎる、又は、大きすぎることがある。このような倍率ディストーションは、基板に以前に形成されたパターンの外形寸法をモールドの外形寸法と比較することによって、定量化することができる。以前に形成されたパターンがテンプレートのモールドに対して小さすぎる場合、高い面密度の成形可能材料が、インプリントフィールドの周辺と比較して、中央の近傍に分配され、モールドを凹面の状態にして、成形可能材料内にプリントされるフィールドのサイズを減少させる。以前に形成されたパターンがテンプレートのモールドに対して大きすぎる場合、高い面密度の成形可能材料が、インプリントフィールドの中央と比較して、周辺の近傍に分配され、モールドを凸面の状態にして、成形可能材料内にプリントされるフィールドのサイズを増加させる。同様なアプローチは、スキューや台形ディストーションなどの直交性ディストーションを補正するために実行することができる。

’９６２号特許に説明されているように、方法は、成形可能材料のための分配パターンを決定することを更に含むことができる。モールドのパターン、システム内のディストーション、及び、潜在的なその他の情報に関する情報は、メモリ、計測ツール（例えば、干渉計、表面形状測定装置など）、外部ソース（例えば、集積回路レイアウトファイル、ＧＤＳＩＩファイル、又は、ＯＡＳＩＳファイルは、不図示の外部メモリにある）、露光中の状態情報（露光中の温度、湿度、エネルギーソース、面積エネルギー密度など）、又は、成形可能材料に対するパターニングに影響を及ぼすことができるその他の適切な情報から、プロセッサによって受け取られる。

インプリントシステムのディストーションを考慮してドロップパターンを生成するための更なる詳細は、’９６２号特許に見られる。インプリントシステムのディストーションを考慮したドロップパターンを用いることは、オーバーレイに関しては有利であるが、幾つかの不利もある。より重大な不利は、インプリントシステムの偏差を考慮したドロップパターンが、インプリントシステムの偏差を考慮していないドロップパターンと比較して、より大きな平均ＲＬＴをもたらすことである。即ち、インプリントシステムの偏差を考慮していないドロップパターンは、ターゲット平均ＲＬＴを達成するために、特に調整することができる。しかしながら、インプリントシステムの偏差を考慮してドロップパターンを変更することによって、分配されるドロップの数は、平均ＲＬＴが増加するように、増加する。換言すれば、インプリントシステムの偏差を考慮したドロップパターンを用いることによって、オーバーレイは改善されるが、平均ＲＬＴは増加する。ここに記載されるナノ製造方法は、これらの不利を回避しながら、インプリントシステムの偏差を考慮する利点を含む。

ナノ製造方法
図４は、例示的な実施形態における例示的なナノ製造方法４００を示すフローチャートである。ナノ製造方法は、ステップＳ４０２で始まり、インプリントシステム１００内のディストーションに関する情報が受け取られる。このステップは、’９６２号特許に記載された“インプリントシステム内のディストーションを定量化する”ステップと同一の方式で行われ、参照により本明細書に組み込まれる。即ち、上述したように、’９６２号特許に記載されている方法に従って、インプリントシステム１００のディストーションは定量化することができ、詳細は、’９６２号特許に提供されている。特に、’９６２号特許に記載されているように、インプリントシステム内のディストーションに関する情報は、基板の平面偏差、テンプレートの平面偏差、基板を支持するチャックの表面の平面偏差、又は、それらのいかなる組み合わせを備える。’９６２号特許では言及されていないが、インプリントシステム内のディストーションに関する情報は、基板の下層におけるアンダーライングフィーチャのイメージプレースメント偏差も含んでもよい。

ステップＳ４０４では、成形可能材料の第１ドロップパターンが生成される。第１ドロップパターンは、当技術分野で知られている様々な方法を用いて生成することができる。特に、第１ドロップパターンは、様々なファクタに基づくことが可能であるが、これらのファクタのいずれもインプリントシステム１００の偏差を考慮に入れていない。即ち、第１ドロップパターンは、特に、インプリントシステム１００の偏差を考慮せずに、生成される。換言すれば、第１ドロップパターンは、ターゲット平均ＲＬＴに最も近いＲＬＴをもたらすファクタに基づいて生成され、インプリントシステム１００の偏差を考慮するファクタに基づいて生成されない。

上述したように、第１ドロップパターンの生成は、上述したその他の態様のうちでもとりわけ、基板のパターン及びテンプレートのパターンを考慮に入れることができる。第１ドロップパターンを生成することは、代表的なテンプレート１０８のテンプレートパターンを受け取り、代表的な基板１０２の基板パターンも受け取るプロセッサ１４０を含む。テンプレートパターンは、代表的なテンプレート１０８のパターン面１１２のトポグラフィに関する情報を含んでもよい。パターン面１１２のトポグラフィは、設計データに基づいて、計測及び／又は生成されてもよい。パターン面１１２は、個々のフルフィールド、マルチフィールド、基板全体、又は、基板よりも大きいサイズと同一であってもよい。上述したように、第１ドロップパターンを生成することは、基板トポグラフィに関する情報を含む、基板に関する情報も考慮に入れてもよい。基板パターンは、代表的な基板のトポグラフィ、代表的な基板のフィールド及び／又は代表的な基板のフルフィールドに関する情報を含んでもよい。基板トポグラフィは、計測され、以前の製造ステップに基づいて生成され、及び／又は、設計データに基づいて生成されてもよい。基板トポグラフィは、代表的な基板の傾斜エッジ又は丸いエッジなどのエッジの形状に関する情報を含んでもよい。基板トポグラフィは、パターンが形成される基板の領域を囲む基準エッジの形状及び位置に関する情報を含んでもよい。

テンプレートパターン及び基板パターンが受け取られると、プロセッサ１４０は、インプリント中に基板とパターン面とが隙間によって離されているときに、基板とパターン面との間の体積を充填するフィルムを生成する成形可能材料１２４の分配を算出する。基板上の成形可能材料の分配は、成形可能材料の面密度、成形可能材料のドロップレットの位置、及び／又は、成形可能材料のドロップレットの体積の形態をとることができる。成形可能材料の分配を算出することは、成形可能材料の材料特性、パターン面の材料特性、基板の材料特性、パターン面と基板面との間の体積における空間的変動、流量、蒸発などの１つ以上を考慮に入れてもよい。

図５Ａは、ステップＳ４０４において生成される第１ドロップパターン５００の概略例を示す。図５Ａに示すように、第１ドロップパターン５００は、２次元平面内に、潜在的なドロップ位置５０２のセットを備える。潜在的なドロップ位置５０２のそれぞれは、図５Ａにおいて、ボックスによって示される。潜在的なドロップ位置５０２は、一連の行及び列として図５Ａに現れ、隣接する潜在的なドロップ位置５０２は、ピッチとしても知られる設定距離によって分離される。流体ドロップレットパターンに対して、ピッチは、潜在的なドロップレット位置の中心から次の隣接する潜在的なドロップレット位置の中心までの距離である。換言すれば、ピッチは、ドロップパターン内の２つの隣接するドロップ位置の間の最小距離を表す一定の距離値である。デカルト座標において、２次元ドロップパターン（上面図又は平面図から見たドロップレットのパターン）は、Ｘ次元（Ｘ次元ピッチ５０４）で計測されるフィーチャの中心間の距離に対応するＸ次元のピッチ、及び、Ｙ次元（Ｙ次元ピッチ５０４）で計測されるフィーチャの中心間の距離に対応するＹ次元のピッチを有することができる。この場合、デカルト座標システムにおけるＸ次元及びＹ次元は、互いに垂直である。

ディスペンサ１２２のジオメトリーは、ステージを移動させるシステムの能力とともに、Ｙ次元ピッチ５０６のサイズ（即ち、ドロップパターンにおいて、Ｙ次元に沿った２つの隣接する潜在的なドロップ位置５０２の間の距離）を決定する。即ち、物理的制約に起因して、Ｙ次元の可能な分配位置の間には、固定距離（即ち、ピッチ）がある。Ｘ次元ピッチ５０４（即ち、ドロップパターンにおいて、Ｘ次元に沿った２つの隣接する潜在的なドロップ位置５０２の間の距離）に関しては、Ｘ次元ピッチ５０４は、ドロップレットの分配のタイミング及びステージの移動のタイミングによって制御される。即ち、Ｘ次元ピッチ５０４は、Ｙ次元ピッチ５０６のように、ディスペンサのジオメトリーに関係していない。１つの例示的な実施形態において、ステージの移動のタイミングは、Ｘ次元ピッチ５０４がＹ次元ピッチ５０６と距離が等しくなるように、コントローラによって、分配のタイミングと協調される。Ｙ次元ピッチ及びＸ次元ピッチが固定される理由の詳細は、簡潔さのために、ここでは省略するが、その詳細は、米国特許出願第１６／６７０，４９０号に記載され、かかる開示は、参照により本明細書に明示的に組み込まれる。この記載の目的では、第１ドロップパターン５００において、潜在的なドロップ位置５０２の間に、固定Ｙ次元ピッチ５０６及び固定Ｘ次元ピッチ５０４があると言うことで十分である。従って、ドロップパターン５００は、離散的な潜在的なドロップ位置５０２を含む。同一の固定ピッチは、ここで説明されるドロップパターンの全てに適用される。

図５Ａに示すように、ドロップパターン５００は、ドロップが分配されるべき位置として指定された複数のドロップ位置５０８を含む。ドロップが分配されるように指定されたドロップ位置５０８は、図５Ａにおいて、円で示されている。ドロップ位置５０８のそれぞれは、潜在的なドロップ位置５０２を表す正方形の１つ内に位置する。それらの内に円を有していない正方形は、特定の位置からドロップが分配されるように指定されていないことを示す。従って、可能なドロップ位置５０２内のドロップの有無は、第１ドロップパターン５００を定義する。図５Ａは、簡略化のために、２５個の可能なドロップ位置のうち、１２個の指定されたドロップ位置のみを示すが、実際のドロップパターンは、用途に応じて、数千、数万、数十万、又は、数百万の指定されたドロップ位置／可能なドロップ位置を有してもよい。更に、ドロップ位置５０２は、図５Ａにおいて、円として概略的に示されているが、実際には、ドロップは、必ずしも円でなくてもよく、アモルファス形状を有していてもよいことを理解されたい。第１ドロップパターン５００は、ターゲットＲＬＴを生成するために、実質的には、基板１０２上のドロップ５０２の所望の位置を表す。

図５Ｂは、ここに記載された方法４００の追加的なステップを行わずに、第１ドロップパターン５００に従って、成形可能材料１２４が基板１０２上に分配され、テンプレート１０８と接触させた場合の概略断面図を示す。成形可能材料１２４は、実際には、ここに記載された方法において、第１ドロップパターン５００に従って分配されないが、それにも関わらず、図５Ｂは、ここに記載された方法の特徴を実証するのを支援し、それは、以下で、より詳細に説明される。図５Ｂは、テンプレート１０８が第１ドロップパターン５００に従って分配された成形可能材料１２４に接触した後の時間におけるモーメントを示す。図５Ｂに見られるように、テンプレート１０８が成形可能材料１２４に接触した後、成形可能材料は、ターゲット平均ＲＬＴ５１０をもたらした。ターゲット平均ＲＬＴ５１０は、上述したように、インプリントシステム１００のディストーションを考慮していない。

次いで、方法は、ステップＳ４０６に進み、インプリントシステム１００内のディストーションに関する受け取った情報に基づいて、成形可能材料の第２ドロップパターン６００及び成形可能材料の第３ドロップパターン６２０が生成される。図６Ａは、第２ドロップパターン６００の概略例を示し、図６Ｂは、第３ドロップパターン６２０の概略例を示す。第１ドロップパターン５００と同様に、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０は、正方形によって表される複数の潜在的なドロップ位置６０２、６２２と、ドロップが分配されるべき位置として指定された複数のドロップ位置６０４、６０６、６０８、６１０、６２４、６２６、６２８、６３０とを含む。

第２ドロップパターン６００に関して、ドロップが分配されるように指定されたドロップ位置６０４、６０６、６０８、６１０は、図６Ａにおいて、水平ハッチングの円によって示される。ドロップ位置６０４、６０６、６０８、６１０のそれぞれは、潜在的なドロップ位置６０２を表す正方形の１つ内に位置する。それらの内に円を有していない正方形は、特定の位置からドロップが分配されるように指定されていないことを示す。従って、第１ドロップパターン５００と同様に、可能なドロップ位置６０２内のドロップの有無は、第２ドロップパターン６００を定義する。第１ドロップパターン５００と同様に、図６Ａは、比較的少数の指定されたドロップ位置及び可能なドロップ位置のみを示しているが、実際のドロップパターンは、用途に応じて、数千、数万、数十万、又は、数百万の指定されたドロップ位置／可能なドロップ位置を有してもよい。更に、ドロップ６０４、６０６、６０８、６１０は、図６Ａにおいて、円として概略的に示されているが、実際には、ドロップは、必ずしも円でなくてもよく、アモルファス形状を有していてもよいことを理解されたい。第２ドロップパターン６００は、インプリントシステムのディストーションを考慮するために、実質的には、基板１０２上のドロップ６０４、６０６、６０８、６１０の所望の位置を表す。

第３ドロップパターン６２０に関して、ドロップが分配されるように指定されたドロップ位置６２４、６２６、６２８、６３０は、図６Ｂにおいて、チェック模様のハッチングの円によって示される。ドロップ位置６２４、６２６、６２８、６３０のそれぞれは、潜在的なドロップ位置６２２を表す正方形の１つ内に位置する。それらの内に円を有していない正方形は、特定の位置からドロップが分配されるように指定されていないことを示す。従って、第１ドロップパターン５００と同様に、可能なドロップ位置６２２内のドロップの有無は、第３ドロップパターン６２０を定義する。第１ドロップパターン５００と同様に、図６Ｂは、比較的少数の指定されたドロップ位置及び可能なドロップ位置のみを示しているが、実際のドロップパターンは、用途に応じて、数千、数万、数十万、又は、数百万の指定されたドロップ位置／可能なドロップ位置を有してもよい。更に、ドロップ６２４、６２６、６２８、６３０は、図６Ｂにおいて、円として概略的に示されているが、実際には、ドロップは、必ずしも円でなくてもよく、アモルファス形状を有していてもよいことを理解されたい。第３ドロップパターン６２０は、インプリントシステムのディストーションを考慮するために、実質的には、基板１０２上のドロップ６２４、６２６、６２８、６３０の所望の位置を表す。

第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０は、’９６２号特許に記載されているように、“成形可能材料のための分配パターンを決定する”ステップと同様な方式で準備され、参照により本明細書に組み込まれる。即ち、’９６２号特許に記載された“成形可能材料のための分配パターンを決定する”ステップは、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０がインプリントシステム１００内のディストーションに関する受け取った情報に基づいて生成される点で、図４に示すナノ製造方法４００のステップＳ４０６と同様である。しかしながら、上述したように、第１ドロップパターン５００は、テンプレート及び基板のパターンを既に考慮しているため、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０は、テンプレート又は基板のパターンを考慮する必要はない。即ち、例示的な実施形態において、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０は、テンプレート又は基板のトポグラフィではなく、インプリントシステムのディストーションに関する情報に基づいている。

第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０を生成するために、インプリントシステム１００のディストーションに関する情報が受け取られると、プロセッサ１４０は、インプリント中に基板とパターン面とが隙間によって離されているときに、基板とパターン面との間の体積を充填するフィルムを生成する成形可能材料１２４の分配を算出する。基板上の成形可能材料の分配は、成形可能材料の面密度、成形可能材料のドロップレットの位置、及び／又は、成形可能材料のドロップレットの体積の形態をとることができる。成形可能材料の分配を算出することは、成形可能材料の材料特性、パターン面の材料特性、基板面の材料特性、パターン面と基板面との間の体積における空間的変動、流量、蒸発などの１つ以上を考慮に入れてもよい。

より具体的には、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０は、ディストーション高さマップに基づいて生成されてもよい。ディストーション高さマップは、テンプレート１０８が変形するために受ける必要がある垂直ディストーションの量を提供し、インプリントプロセス３００から生じる、計測、シミュレーション及び／又は推定された面内ディストーションに対抗する面内ディストーションをテンプレート１０８に誘発する。従って、ディストーション高さマップは、’９６２号特許に記載され、上述した“インプリントシステム内のディストーションに関する情報”の例である。

１つの例示的な実施形態において、ステップＳ４０６は、第１ディストーション高さマップを受け取ることを含んでもよい。第１ディストーション高さマップは、計測、シミュレーション及び／又は推定される。次に、平均ディストーションは、受け取った第１ディストーション高さマップから算出される。即ち、平均は、第１ディストーション高さマップにおいて、レポートされた全ての高さ値の平均値である。次に、第２ディストーション高さマップは、第２ディストーション高さマップの平均がゼロとなり、正及び負の両方の高さを含むように、第１ディストーション高さマップから、算出された平均ディストーションを減算することによって生成される。換言すれば、第１ディストーションマップの高さ値の全てから平均高さ値を減算することによって、第１ディストーション高さマップの平均より上の値のそれぞれは、生成された第２ディストーション高さマップに正の高さ値をもたらし、第１ディストーション高さマップの平均より下の値のそれぞれは、生成された第２ディストーション高さマップに負の高さ値をもたらす。次に、第２ディストーション高さマップは、２つのサブマップを形成するために用いられる。第１サブマップは、正のマップであり、第２サブマップは、負のマップである。正のマップにおいて、第２ディストーション高さマップの全ての正の高さは維持されるが、全ての負の高さはゼロに設定される。換言すれば、正の高さマップは、平均より上である、第２ディストーション高さマップの高さのみを表す。負のマップにおいて、第２ディストーション高さマップの全ての負の高さは維持され、負の１（－１）が乗算されるが、全ての正の高さはゼロに設定される。換言すれば、負の高さマップは、平均より下である、第２ディストーション高さマップの高さのみの絶対値を表す。

正及び負のマップが形成された後、第２ドロップパターン６００は、’９６２号特許に記載された同一の方式で、正のマップに基づいて生成され、第３ドロップパターン６２０は、’９６２号特許に記載された同一の方式で、負のマップに基づいて生成される。換言すれば、正のマップは、第２ドロップパターン６００を生成するために用いることができる高さ情報のサブセットを含み、負のマップは、第３ドロップパターン６２０を生成するために用いることができる高さ情報のサブセットを含み、情報に基づいたドロップパターンの生成は、当技術分野で知られているのと同一の方式で行われる。

別の例示的な実施形態において、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０は、異なるように生成されてもよい。第１ディストーション高さマップを、平均高さよりも上及び下の２つのサブマップに分割するのではなく、まず、予備ドロップパターン７００が第１ディストーション高さマップに基づいて生成される。図７Ａは、予備ドロップパターン７００が生成される場合の例を示す。ドロップが分配されるように指定されたドロップ位置７０８は、図７Ａにおいて、円で示されている。ドロップ位置７０８のそれぞれは、潜在的なドロップ位置７０２を表す正方形の１つ内に位置する。それらの内に円を有していない正方形は、特定の位置からドロップが分配されるように指定されていないことを示す。

この実施形態において、予備ドロップパターン７００は、’９６２号特許に記載された同一の方式で生成され、従って、単一のドロップパターンにおいて、平均高さより下及び上の両方の高さの全てを占めるドロップを含む。予備ドロップパターン７００は、平均高さより上及び下の両方の高さを占めるドロップ位置を含むため、この例示的な実施形態において、予備ドロップパターン７００は、２つのドロップパターンに分割され、２つのドロップパターンは、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０である。上記のように、平均ディストーションは、受け取った第１ディストーション高さマップから算出される。この平均高さに基づいて、平均より上の高さに対応する、予備ドロップパターン７００のドロップ位置７０８の全てが、第２ドロップパターン６００を形成するために分離され、平均より下の高さに対応するドロップ位置７０８の全てが、第３ドロップパターン６２０を形成するために分離される。従って、予備ドロップパターン７００を分割することによって、同一の第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０に到達することが可能である。図７Ａにおいて、種々のドロップ位置７０８は、予備ドロップパターン７００が第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０のドロップ位置を含むことを示すために、図６Ａ及び図６Ｂに使用された同一のハッチングを有する。

図７Ｂは、予備ドロップパターン７００に従って、成形可能材料１２４が基板１０２上に分配され、テンプレート１０８と接触させた場合の概略断面図を示す。成形可能材料１２４は、実際には、ここに記載された方法において、予備ドロップパターン７００に従って分配されないが、図７Ｂと図５Ｂ及び図１０Ａとの比較は、方法４００の利得を示す。図７Ｂは、テンプレート１０８が予備ドロップパターン７００に従って分配された成形可能材料１２４に接触した後の時間におけるモーメントを示す。インプリントシステムのディストーションに対抗することに基づいて特に選択された予備ドロップパターン７００は、所望の方式でテンプレート１０８に曲げを誘発する。例えば、図７Ｂは、成形可能材料の異なる面密度に起因して、テンプレート１０８が曲げられたときのモーメントを示す。図７Ｂに示すように、成形可能材料１２４の異なる部分の相対的な厚さは、基板及び／又はチャックのディストーションを反映する曲げをテンプレート１０８に誘発する。これは、’９６２号特許に記載された原理と同様である。しかしながら、図７Ｂに示す第２予備パターン７００の平均ＲＬＴ７１０は、図５Ｂに示す第１ドロップパターン５００の平均ＲＬＴ５１０よりも大きい。

第１ドロップパターンの生成（ステップＳ４０４）は、上述され、第２ドロップパターン及び第３ドロップパターンの生成（ステップＳ４０６）の前に行われるものとして図４に示されているが、これらのステップは、いずれの順序で行われてもよい。

図４に示すように、第１ドロップパターン５００、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０を生成した後、方法は、２つの異なる例示的な実施形態を表す２つの異なるフローパスに進む。１つの例示的な実施形態において、方法は、ステップＳ４０８に進み、中間ドロップパターン８００を形成するために、第１の複数のドロップ位置が第１ドロップパターン５００に加えられる。ステップＳ４０８において、第１ドロップパターン５００に加えられる第１の複数のドロップ位置は、第２ドロップパターン６００によって定義されるドロップ位置に対応する。換言すれば、中間ドロップパターン８００を形成するために、第２ドロップパターン６００によって定義されるドロップ位置が第１ドロップパターン５００に加えられる。次いで、ステップＳ４０８で第２ドロップパターン６００の第１の複数のドロップ位置を第１ドロップパターンに加えた後、方法は、ステップＳ４１０に進み、第２の複数のドロップ位置が中間ドロップパターン８００から除去され、それによって、第４ドロップパターン９００を形成する。中間ドロップパターン８００から除去される第２の複数のドロップ位置は、第３ドロップパターン６２０によって定義されるドロップ位置に対応する。換言すれば、第４ドロップパターン９００を形成するために、第３ドロップパターン６２０によって定義されるドロップ位置が中間ドロップパターン８００から除去される。

図８Ａは、中間ドロップパターン８００を形成するために、第２ドロップパターン６００のドロップ位置６０４、６０６、６０８、６１０を第１ドロップパターン５００に加えるプロセスを含む、中間ドロップパターン８００の概略例を示す。図８Ｂは、中間ドロップパターン８００を形成するために、第２ドロップパターン６００のドロップ位置６０４、６０６、６０８、６１０が第１ドロップパターン５００に加えられた後の図８Ａの中間ドロップパターン８００の概略例を示す。図８Ａ及び図８Ｂに見られるように、中間ドロップパターン８００は、第１ドロップパターン５００からのドロップ位置の全てを含む。即ち、第１ドロップパターン５００のドロップ位置５０８のそれぞれは、中間ドロップパターン８００を形成する際に維持される。換言すれば、上述したように、ドロップ位置６０４、６０６、６０８、６１０は、第１ドロップパターン５００に加えられる。図８Ａ及び図８Ｂのドロップ位置は、図８Ａ及び図８Ｂにおけるどのドロップ位置が第１ドロップパターン５００によって生じ、どのドロップが第２ドロップパターン６００からのであるかを明らかにするのを支援するために、図５Ａ、図６Ａ及び図７Ａにおいて、同一のクロスハッチングを有する。ドロップ位置６０４、６０６、６０８、６１０を第１ドロップパターン５００に加える場合、各ドロップ位置６０４、６０６、６０８、６１０は、第１ドロップパターン５００の自由位置に加えられる。

本例において、ドロップ位置６０４とドロップ位置６０６とは、それぞれ、第１ドロップパターン５００において既に自由であるドロップ位置と一致する。即ち、第２ドロップパターン６００を第１ドロップパターン５００上に重ね合わせると、ドロップ位置６０４とドロップ位置６０６とは、ドロップ位置がまだ割り当てられていない、第１ドロップパターン５００における潜在的なドロップ位置とオーバーラップする。従って、中間ドロップパターン８００において、ドロップ位置６０４、６０６は、単に、それらの自由ドロップ位置に指定される。しかしながら、ドロップ位置６０８及びドロップ位置６１０に関して、第１ドロップパターン５００において対応するドロップ位置は、ドロップを分配するための位置として既に指定されている。即ち、第２ドロップパターン６００を第１ドロップパターン５００上に重ね合わせると、ドロップ位置６０８及びドロップ位置６１０は、割り当てられたドロップ位置を既に有する、第１ドロップパターン５００における位置とオーバーラップする。従って、１つのドロップのみが単一の位置に分配されるため、代わりに、ドロップ位置６０８とドロップ位置６１０とは、最も近いオープンドロップ位置に割り当てられる。これは、矢印８０２、８０４を介して、図８Ａに示される。図８Ａに示すように、矢印８０２は、ドロップ位置６０８がオリジナル位置から最も近いオープンドロップ位置に移動したことを示し、矢印８０４は、ドロップ位置６１０がオリジナル位置から最も近いオープンドロップ位置に移動したことを示す。この例において、オリジナル位置から等距離にあるその他のオープンドロップ位置があることに留意されたい。従って、ドロップ位置６０８、６１０の最終位置は、図８Ａにおいて、等距離ドロップ位置のうちから任意に選択され、その他の等距離ドロップ位置のいずれも適切である。図８Ｂは、ドロップ位置６０８、６１０が最終位置に割り当てられた後の中間ドロップパターン８００を示す。

中間ドロップパターン８００を生成した後、方法は、ステップＳ４１０に進み、第２の複数のドロップ位置（図６Ｂ）が中間ドロップパターン８００から除去され、これによって、第４ドロップパターン９００（図９Ｂ）を形成する。上述したように、第２の複数のドロップ位置は、第３ドロップパターン６２０によって定義されるドロップ位置６２４、６２６、６２８、６３０に対応する。

図９Ａは、第４ドロップパターン９００を形成するために、第３ドロップパターン６２０のドロップ位置６２４、６２６、６２８、６３０を中間ドロップパターン８００から除去するプロセスを含む、第４ドロップパターン９００の概略図を示す。図９Ｂは、第４ドロップパターン９００を形成するために、第３ドロップパターン６２０のドロップ位置６２４、６２６、６２８、６３０が中間ドロップパターン８００から除去された後の図９Ａの第４ドロップパターン９００の概略例を示す。図９Ａ及び図９Ｂに見られるように、第４ドロップパターン９００は、中間ドロップパターン８００よりも少ないドロップ指定位置を含む。即ち、中間ドロップパターン８００のドロップ位置の幾つかは維持されるが、ドロップ位置の幾つかは第４ドロップパターン９００を形成する際に除去される。換言すれば、上述したように、ドロップ位置６２４、６２６、６２８、６３０は、中間ドロップパターン８００から除去される。図９Ａ及び図９Ｂのドロップ位置は、図９Ｂにおけるどのドロップ位置が第１ドロップパターン５００によって生じ、どのドロップが第２ドロップパターン６００から加えられ、どのドロップ位置が第３ドロップパターン６２０に基づいて除去されたのかを明らかにするのを支援するために、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ及び図７Ｂにおいて、同一のクロスハッチングを有する。

ドロップ位置６２４、６２６、６２８、６３０を中間ドロップパターン８００から除去する場合、各ドロップ位置６２４、６２６、６２８、６３０は、第２の複数のドロップ位置におけるドロップ位置の数と等しい数のドロップ位置が中間ドロップパターン８００から除去されるように、中間ドロップパターン８００のドロップ位置の１つに割り当てられる。本例において、第２の複数のドロップ位置のドロップ位置の数は４個であるため、４個のドロップ位置が中間ドロップパターン８００から除去される。単純化のために、例では、４個のドロップ位置が用いられているが、実際には、用途に応じて、除去されるドロップ位置の数は、数千、数万、数十万、又は、数百万のオーダーとすることができる。以下に説明するように、中間ドロップパターン８００から除去されるドロップ位置は、第１ドロップパターン５００から生じるドロップ位置５０８、又は、第２ドロップパターン６００から生じるドロップ位置６０４、６０６、６０８、６１０のいずれか、又は、両方とすることができる。中間ドロップパターン８００から除去されるドロップ位置は、第２の複数のドロップ位置のドロップ位置に対応するドロップ位置、例えば、第３ドロップパターン６２０のドロップ位置６２４、６２６、６２８、６３０である。

図９Ａに示すように、この例示的な実施形態において、第２の複数のドロップのドロップ位置６２４及びドロップ位置６３０は、それぞれ、中間ドロップパターン８００の２つのドロップと一致する。特に、ドロップ位置６２４は、第１ドロップパターン５００によって生じるドロップ位置５０８の１つと一致し、ドロップ位置６３０は、第２の複数のドロップ７００のドロップ位置６０８と一致する。即ち、第２の複数のドロップを中間ドロップパターン８００上に重ね合わせると、ドロップ位置６２４及びドロップ位置６３０は、第１ドロップパターン５００によって生じる割り当てられたドロップ位置５０８の１つ、及び、第２ドロップパターン６００の第１の複数のドロップによって生じる割り当てられたドロップ位置６０８の１つとオーバーラップする。従って、第４ドロップパターン９００において、対応するドロップ位置５０８、及び、対応するドロップ位置６０８は、もはや、ドロップ位置として指定されない。即ち、これらの以前に指定されたドロップ位置は、第４ドロップパターン９００において、それらの位置にドロップが示されないように、中間ドロップパターン８００から除去される。

しかしながら、第３ドロップパターン６２０の第２の複数のドロップのドロップ位置６２６及びドロップ位置６２８に関して、中間ドロップパターン９００において対応するドロップ位置は、既に、オープンドロップ位置である。即ち、第３ドロップパターン６２０の第２の複数のドロップ位置を中間ドロップパターン８００上に重ね合わせると、ドロップ位置６２６及びドロップ位置６２８は、除去するドロップ位置を有していない、中間ドロップパターン８００における位置とオーバーラップする。従って、除去されるドロップ位置６２６及びドロップ位置６３０は、代わりに、最も近い指定されたドロップ位置に割り当てられる。これは、矢印９０２、９０４を介して、図９Ａに示される。図９Ａに示すように、矢印９０２は、ドロップ位置６２６がオリジナル位置から最も近い指定されたドロップ位置に移動したことを示し、矢印９０４は、ドロップ位置６３０がオリジナル位置から最も近い指定されたドロップ位置に移動したことを示し、両方とも、第１ドロップパターン５００によって生じるドロップ位置５０８である。この例において、オリジナル位置から等距離にあるその他の指定されたドロップ位置があることに留意されたい。従って、除去されるドロップ位置６２６、６３０の最終位置は、図９Ａにおいて、等距離指定ドロップ位置のうちから任意に選択され、第２の複数のドロップの各ドロップ位置が中間ドロップパターン８００の指定されたドロップ位置の幾つかに割り当てられる限り、その他の等距離指定ドロップ位置のいずれも適切である。図９Ｂは、第２の複数のドロップに対するドロップ位置に対応するドロップ位置が除去された後の中間ドロップパターン９００を示す。

ステップＳ４０８、Ｓ４１０の第１パスに従う例示的な実施形態において、除去されるドロップ位置は、第１ドロップパターン５００によって生じるドロップ位置、又は、第２ドロップパターン６００によって生じるドロップ位置のいずれかであるため、ドロップ位置は、第１ドロップパターン５００からではなく、中間ドロップパターン８００から除去される（即ち、ドロップ位置は、第２ドロップパターン６００のドロップ位置が加えられた後に除去される）。除去ステップが加算ステップの前に（即ち、中間ドロップパターン８００を形成する前に）行われた場合、第１ドロップパターン５００によって生じるドロップ位置のみが除去され、これは、以下で説明する例示的な実施形態で起こることである。

第４ドロップパターン９００を形成するために、第２の複数のドロップ位置を中間ドロップパターン８００から除去した後、方法は、ステップＳ４１２に進み、第４ドロップパターン９００を用いて、上述したインプリント方法３００が行われる。即ち、インプリント方法は、上述したのと同様であり、ステップＳ３０２において、第４ドロップパターン９００に従って、ドロップが分配される。

上述したように、第１ドロップパターン５００、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０を生成した後、方法は、２つの異なる例示的な実施形態を表す２つの異なるフローパスに進む。別の例示的な実施形態において、方法は、上述したステップＳ４０８の代わりに、ステップＳ４１４に進む。ステップＳ４１４において、中間ドロップパターン８００を形成するために、第２の複数のドロップ位置が第１ドロップパターン５００から除去される。ステップＳ４１４において、第１ドロップパターン５００から除去される第２の複数のドロップ位置は、第３ドロップパターン６２０によって定義されるドロップ位置に対応する。換言すれば、中間ドロップパターンを形成するために、第３ドロップパターン６２０によって定義されるドロップ位置が第１ドロップパターン５００から除去される。次いで、ステップＳ４１４で第３ドロップパターン６２０の第２の複数のドロップ位置を第１ドロップパターンから除去した後、方法は、ステップＳ４１６に進み、第１の複数のドロップ位置が中間ドロップパターンに加えられ、それによって、第４ドロップパターンを形成する。中間ドロップパターンに加えられる第１の複数のドロップ位置は、第２ドロップパターン６００によって定義されるドロップ位置に対応する。換言すれば、第４ドロップパターンを形成するために、第２ドロップパターン６００によって定義されるドロップ位置が中間ドロップパターンに加えられる。要するに、ステップＳ４１４及びＳ４１６のフローパスは、ステップＳ４０８及びＳ４１０のその他のフローパスとは逆の順序である。即ち、第２ドロップパターン６００のドロップ位置を加えた後、第３ドロップパターン６２０のドロップ位置を除去する代わりに、まず、第３ドロップパターン６２０のドロップ位置が第１ドロップパターン５００から除去され、次いで、第２ドロップパターン６００のドロップ位置が加えられる。ドロップ位置を除去及び加えるプロセスは、上述したのと同様であり、第１ドロップパターンにおいて除去される対応する指定ドロップ位置がない場合、最も近い指定ドロップ位置が除去されるべきであり、中間ドロップパターンにおいて対応するドロップ位置が既にある場合、最も近い非指定位置がドロップ位置として指定されるべきであることを含む。ステップの順序が逆であるため、中間ドロップパターン及び第４ドロップパターンは、ステップＳ４０８及びＳ４１０のフローパスを示す図面に示されているものとは異なる。しかしながら、ドロップ位置を除去する及び加える原理は、上述したのと同様である。図４に示すように、第４ドロップパターンがどのように生成されるかにかかわらず、方法は、Ｓ４１２に進み、第４ドロップパターンが、製造方法の一部として分配される。

図１０Ａは、第４ドロップパターン９００に従って、成形可能材料１２４が基板１０２上に分配された場合の概略断面図を示す。図１０Ａに示すように、水平線１００６に対して、ピークを定義する第１の複数の領域１００２と、谷を定義する第２の複数の領域１００４とが存在する。水平線１００６は、図５Ｂに示すＲＬＴ層のトップと同一の高さで基板１０２から位置している。第１の複数の領域１００２の各領域は、第１ドロップパターン５００に対して加えられたドロップ位置の加算の結果として分配されたドロップに対応する。換言すれば、第１の複数の領域１００２の各領域は、その他のドロップ位置の減算の後に第４ドロップパターン９００に残る、第２ドロップパターン６００の加えられたドロップ位置に対応する。同様に、第２の複数の領域１００４の各領域は、ドロップ位置が中間ドロップパターン８００から除去された結果として分配されなかったドロップに対応する。換言すれば、第２の複数の領域１００４の各領域は、中間ドロップパターン８００から除去されたドロップ位置がなければ存在したであろうエンプティスペースである。従って、水平線１００６の上にある第１の複数の領域１００２の各領域は、ドロップ位置がドロップパターンに加えられたために存在する成形可能材料の部分であり、水平線１００６の下にある第２の複数の領域１００４の各領域は、ドロップ位置がドロップパターンから除去されたために存在するエンプティスペースである。

第１の複数の領域１００２は、ターゲット平均ＲＬＴより上にある領域であり、第２の複数の領域１００４は、ターゲット平均ＲＬＴより下にある領域であるため、第４ドロップパターン９００を分配することによって生じる全体平均ＲＬＴは、ターゲット平均ＲＬＴと同一のままである。即ち、水平線１００６の上の第１の複数の領域１００２と、水平線１００６の下の第２の複数の領域１００４とは、平均ＲＬＴが図５Ｂと図１０Ａとの間で変化しないように、互いにバランスを保つ。換言すれば、第１ドロップパターン５００に従ってドロップを分配することから生じる平均ＲＬＴは、第４ドロップパターン９００に従ってドロップを分配することから生じる平均ＲＬＴと同一、又は、実質的に同一である。好ましくは、第４ドロップパターン９００を分配することから生じる平均ＲＬＴは、第１ドロップパターン５００を分配することから生じる平均ＲＬＴの５％以内、より好ましくは、３％以内、１％以内、又は、０．５％以内である。

図１０Ｂは、第４ドロップパターン９００に従って、成形可能材料１２４が基板１０２上に分配され、テンプレート１０８と接触させた場合の概略断面図を示す。図１０Ｂは、テンプレート１０８が第４ドロップパターン９００に従って分配された成形可能材料１２４に接触した後の時間におけるモーメントを示す。第４ドロップパターン９００を生成するプロセスの一部として、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０に基づいて加算及び除去されたドドロップ位置を有し、ドロップ位置がインプリントシステムのディストーションに対抗することに基づいて選択された、第４ドロップパターン９００は、図６Ｂと同様な所望の方式でテンプレート１０８に曲げを誘発する。例えば、図１０Ｂは、成形可能材料の異なる面密度に起因して、テンプレート１０８が曲げられたときのモーメントを示す。図１０Ｂに示すように、成形可能材料１２４の異なる部分の相対的な厚さは、基板及び／又はチャックのディストーションを反映する曲げをテンプレート１０８に誘発する。これは、’９６２号特許に記載された原理と同様であり、図５Ｂと同様なパターンを有する。しかしながら、上述したように、第４ドロップパターン９００を生成するプロセスの一部として、第１ドロップパターン５００に対してドロップ位置が加算及び除去されているため、図１０Ｂに示す第４ドロップパターン９００から生じる平均ＲＬＴ１０１０は、図５Ｂに示す第１ドロップパターン５００の平均ＲＬＴ５１０と実質的に同一である。即ち、第４ドロップパターン９００に従って分配されるドロップは、第１ドロップパターン５００のターゲット平均ＲＬＴを達成し、第２ドロップパターン６００及び第３ドロップパターン６２０のインプリントシステムのディストーションにも対抗する。

上述したように、ここに開示されたナノ製造方法は、ターゲット平均ＲＬＴを実質的に増加させずに、オーバーレイを改善するために、インプリントシステムの偏差を補償する利得を提供する。ここに記載された製造方法を用いた結果、第２硬化層と基板の下層との間のオーバーレイエラーは、スループット、押出及びエッチングプロセスへの悪影響を回避しながら、１０ｎｍ未満である。

様々な態様の更なる変更及び代替的な実施形態は、この説明を考慮すれば当業者には明らかであろう。従って、この説明は、例示としてのみ解釈されるべきである。ここに示され、説明された形態は、例示的な実施形態として解釈されることが理解されるべきである。コンポーネント及び材料は、ここに示され、説明されたものと置換してもよく、部品及びプロセスは、逆にしてもよく、特定のフィーチャは、独立して利用してもよく、この説明の利得を有した後の当業者には明らかであろう。

Claims (20)

1. ナノ製造方法であって、
   インプリントシステム内のディストーションに関する情報を受け取ることと、
   前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいていない、成形可能材料の第１ドロップパターンを生成することと、
   前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいて、成形可能材料の第２ドロップパターン及び成形可能材料の第３ドロップパターンを生成することと、
   成形可能材料の第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することであって、前記第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することは、
   前記第１ドロップパターンに第１の複数のドロップ位置を加える、又は、前記第１ドロップパターンから第２の複数のドロップ位置を除去することによって、中間ドロップパターンを形成することであって、前記第１の複数のドロップ位置は、前記第２ドロップパターンによって定義されるドロップ位置に対応し、前記第２の複数のドロップ位置は、前記第３ドロップパターンによって定義されるドロップパターンに対応することと、
   前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第１の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンに加えられた場合に、前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、
   前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第２の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンから除去された場合に、前記中間ドロップパターンに前記第１の複数のドロップ位置を加えることによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、
   を含むことと、
   前記第４ドロップパターンに従って、成形可能材料のドロップを基板上に分配することと、
   フィルムを形成するために、前記分配されたドロップをテンプレート又はスーパーストレートと接触させることと、
   を有することを特徴とするナノ製造方法。
2. 前記第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することは、
   前記第１の複数のドロップ位置を前記第１ドロップパターンに加えることによって、前記中間ドロップパターンを形成することと、
   前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載のナノ製造方法。
3. 前記第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することは、
   前記第１ドロップパターンから前記第２の複数のドロップパターン位置を除去することによって、前記中間ドロップパターンを形成することと、
   前記第１の複数のドロップ位置を前記中間ドロップパターンに加えることによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、
   を含むことを特徴とする請求項１に記載のナノ製造方法。
4. 前記第１の複数のドロップ位置及び前記第２の複数のドロップ位置は、前記第４ドロップパターンに従って分配された前記成形可能材料の平均残膜厚が前記第１ドロップパターンに従って前記基板上に分配された成形可能材料の平均残膜厚の５％以内であるように、選択されることを特徴とする請求項１に記載のナノ製造方法。
5. 前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することは、前記第１ドロップパターンに加えられた１つ以上の前記ドロップ位置を除去することを有することを特徴とする請求項２に記載のナノ製造方法。
6. 前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することは、前記第１ドロップパターンに加えられなかった１つ以上の前記ドロップ位置を除去することを有することを特徴とする請求項２に記載のナノ製造方法。
7. 前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することは、前記第１ドロップパターンに加えられた１つ以上の前記ドロップ位置を除去することと、前記第１ドロップパターンに加えられなかった１つ以上の前記ドロップ位置を除去することとを有することを特徴とする請求項２に記載のナノ製造方法。
8. 前記第４ドロップパターンは、分配されたときに、分配されたときの前記第１ドロップパターンの第２平均残膜厚よりも大きい第１平均残膜厚を有する成形可能材料の複数の領域をもたらすことを特徴とする請求項２に記載のナノ製造方法。
9. 前記第４ドロップパターンは、分配されたときに、分配されたときの前記第１ドロップパターンの第２平均残膜厚よりも小さい第１平均残膜厚を有する成形可能材料の複数の領域をもたらすことを特徴とする請求項２に記載のナノ製造方法。
10. 前記第１ドロップパターンは、指定ドロップ位置と、非指定ドロップ位置とを有し、
    前記第１の複数のドロップ位置を前記第１ドロップパターンに加えることは、前記第１の複数のドロップ位置の各ドロップ位置を前記非指定ドロップ位置に指定することを有することを特徴とする請求項２に記載のナノ製造方法。
11. 前記中間ドロップパターンは、指定ドロップ位置と、非指定ドロップ位置とを有し、
    前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することは、前記第２の複数のドロップ位置の各ドロップ位置に対して、指定ドロップ位置を除去することを有することを特徴とする請求項２に記載のナノ製造方法。
12. 前記第２ドロップパターン及び前記第３ドロップパターンを生成することは、
    第１ディストーション高さマップを受け取ることと、
    前記第１ディストーション高さマップの平均ディストーション高さを算出することと、
    前記第１ディストーション高さマップから前記算出した平均ディストーション高さを減算することによって、第２ディストーション高さマップを生成することであって、前記第２ディストーション高さマップは、前記減算の結果として、正の高さと、負の高さとを有することと、
    前記正の高さを維持し、前記負の高さをゼロに設定することによって、正のマップを生成することと、
    前記負の高さの絶対値を維持し、前記正の高さをゼロに設定することによって、負のマップを生成することと、
    前記正のマップに基づいて、前記第２ドロップパターンを生成することと、
    前記負のマップに基づいて、前記第３ドロップパターンを生成することと、
    を有することを特徴とする請求項１に記載のナノ製造方法。
13. 前記第１ドロップパターンは、ターゲット平均残膜厚に基づいていることを特徴とする請求項１に記載のナノ製造方法。
14. 前記第１ドロップパターンは、前記基板のパターン及び前記テンプレートのパターンの少なくとも１つに基づいていることを特徴とする請求項１に記載のナノ製造方法。
15. 前記第２ドロップパターン及び前記第３ドロップパターンは、前記基板のパターン又は前記テンプレートのパターンに基づいていないことを特徴とする請求項１に記載のナノ製造方法。
16. 前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記情報は、前記基板の平面偏差、前記テンプレートの平面偏差、前記基板を支持するチャックの表面の平面偏差、前記基板の下層におけるアンダーライングフィーチャのイメージプレースメント偏差、又は、それらの組み合わせを有することを特徴とする請求項１に記載のナノ製造方法。
17. 前記インプリントシステムは、前記基板と、前記テンプレートとを有することを特徴とする請求項１に記載のナノ製造方法。
18. 第２硬化層と前記基板の下層との間のオーバーレイエラーは、１０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載のナノ製造方法。
19. ナノ製造システムであって、
    テンプレート又はスーパーストレートを保持する第１チャックと、
    基板を保持する第２チャックと、
    プロセッサであって、
    インプリントシステム内のディストーションに関する情報を受け取り、
    前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいていない、成形可能材料の第１ドロップパターンを生成し、
    前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいて、成形可能材料の第２ドロップパターン及び成形可能材料の第３ドロップパターンを生成し、
    成形可能材料の第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することであって、前記第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することは、
    前記第１ドロップパターンに第１の複数のドロップ位置に加える、又は、前記第１ドロップパターンから第２の複数のドロップ位置を除去することによって、中間ドロップパターンを形成することであって、前記第１の複数のドロップ位置は、前記第２ドロップパターンによって定義されるドロップ位置に対応し、前記第２の複数のドロップ位置は、前記第３ドロップパターンによって定義されるドロップ位置に対応することと、
    前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第１の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンに加えられた場合に、前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、
    前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第２の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンから除去された場合に、前記中間ドロップパターンに前記第１の複数のドロップ位置を加えることによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、
    を含む、
    プロセッサと、
    前記第４ドロップパターンに従って、成形可能材料のドロップを基板上に分配する流体ディスペンサと、
    前記成形可能材料を、前記テンプレート又はスーパーストレートチャックにおける前記テンプレート又はスーパーストレートに接触させる位置決めシステムと、
    前記基板上に硬化した成形可能材料を形成するように、前記テンプレート又はスーパーストレートの下の前記成形可能材料を硬化させる硬化システムと、
    を有することを特徴とするナノ製造システム。
20. 物品を製造する方法であって、
    インプリントシステム内のディストーションに関する情報を受け取ることと、
    前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいていない、成形可能材料の第１ドロップパターンを生成することと、
    前記インプリントシステム内の前記ディストーションに関する前記受け取った情報に基づいて、成形可能材料の第２ドロップパターン及び成形可能材料の第３ドロップパターンを生成することと、
    成形可能材料の第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することであって、前記第４ドロップパターンを生成するために前記第１ドロップパターンを修正することは、
    前記第１ドロップパターンに第１の複数のドロップ位置を加える、又は、前記第１ドロップパターンから第２の複数のドロップ位置を除去することによって、中間ドロップパターンを形成することであって、前記第１の複数のドロップ位置は、前記第２ドロップパターンによって定義されるドロップ位置に対応し、前記第２の複数のドロップ位置は、前記第３ドロップパターンによって定義されるドロップパターンに対応することと、
    前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第１の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンに加えられた場合に、前記中間ドロップパターンから前記第２の複数のドロップ位置を除去することによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、
    前記中間ドロップパターンを形成するために、前記第２の複数のドロップ位置が前記第１ドロップパターンから除去された場合に、前記中間ドロップパターンに前記第１の複数のドロップ位置を加えることによって、前記第４ドロップパターンを形成することと、
    を含むことと、
    前記第４ドロップパターンに従って、成形可能材料のドロップを基板上に分配することと、
    前記分配されたドロップをテンプレート又はスーパーストレートに接触させることによって、前記分配されたドロップのパターン又は層を前記基板上に形成することと、
    前記物品を製造するために、前記形成されたパターン又は層を処理することと、
    を有することを特徴とする方法。

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