JP2021535699A - 超音波センサーの製造方法 - Google Patents
超音波センサーの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021535699A JP2021535699A JP2021534098A JP2021534098A JP2021535699A JP 2021535699 A JP2021535699 A JP 2021535699A JP 2021534098 A JP2021534098 A JP 2021534098A JP 2021534098 A JP2021534098 A JP 2021534098A JP 2021535699 A JP2021535699 A JP 2021535699A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrasonic sensor
- piezoelectric
- manufacturing
- piezoelectric material
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- -1 barium titanate compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O Imidazolium Chemical compound C1=C[NH+]=CN1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
- B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
- B06B1/0629—Square array
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/093—Forming inorganic materials
- H10N30/097—Forming inorganic materials by sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/084—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by moulding or extrusion
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8536—Alkaline earth metal based oxides, e.g. barium titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead based oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
Abstract
【課題】超音波センサーの収率及び品質を向上させることができる超音波センサーの製造方法を提供する。【解決手段】超音波センサーの製造方法は、エッチング用基板に凹部と凸部を有する微細パターンを形成する段階と、微細パターンの凹部に圧電材を充填する段階と、充填された圧電材を加圧する段階と、圧電材を焼結することによって仮圧電体を形成する段階と、仮圧電体を再焼結することによって稠密な単位圧電体を形成する段階と、単位圧電体の両端部に電極端子を形成することによって単位圧電セルを製造する段階とを含む。これにより、超音波センサーの収率及び品質を向上させることができる。【選択図】図１
Description
本発明は、超音波センサーの製造方法に関し、より具体的には、超音波センサーの収率及び品質を向上できる超音波センサーの製造方法に関する。
超音波センサーアレイにおいては、超音波伝達媒体又は他の媒体を介して、検出される対象に向かって超音波を伝送するために超音波送信機を使用することができる。前記送信機は、対象から反射された部分の超音波を検出するように構成された超音波センサーと動作可能に連結され得る。例えば、各超音波指紋画像機において、非常に短い時間間隔の間に送信を開始及び中断することによって超音波パルスを発生することが可能である。超音波パルスが達したそれぞれの材料界面において超音波パルスの一部が反射される。
例えば、超音波指紋画像機において、指紋イメージを得るために人の指が置かれ得る圧板に超音波を進行させる。圧板を通過した後、超音波の一部は、圧板と接触する皮膚、例えば、指紋隆線に達する一方、残りの超音波は空気、例えば、指紋の隣り合う各隆線間の谷に達し、異なる強度で再び超音波センサー側に反射され得る。また、指による反射信号は、処理後に反射信号の信号強度を示すデジタル値に変換され得る。
分散された領域にわたってこれらの多数の反射信号が集まると、これらの各信号のデジタル値は、分散された領域にわたる信号強度のグラフィックディスプレイの提示に使用可能であり、例えば、各デジタル値をイメージに変換することによって、指紋のイメージを提示することができる。したがって、超音波センサーは、指紋センサー又は他のタイプの生体認識センサーとして使用され得る。
すなわち、超音波センサーは、超音波を送出し、送出された超音波が物体に反射されて戻ってくる信号を受信し、受信した信号によって物体を感知する装置である。このような超音波センサーは、大きく分けて、超音波送信部、超音波受信部、駆動部及び機構部品で構成され得る。超音波送信部及び超音波受信部は、駆動部から交流電圧を受けることによって超音波を送信し、送信された超音波が物体に反射されて戻ってくる信号を受信し、この信号を駆動部に伝達する。ここで、超音波受信部及び超音波受信部の主要構成部品はケース及び圧電素子である。圧電素子に交流電流が通電すると、圧電物質をなす各結晶が圧縮及び膨張を繰り返すことによって機械的な振動が発生し、逆圧電効果と呼ばれる現象が生じる。例えば、圧電素子に外力が加えられることによって収縮及び膨張が繰り返されると、圧電素子の片方には正（＋）電荷が生じ、もう片方には負（−）電荷が生じることによって電流が発生する。外部から交流電流が圧電素子に加えられることによって圧電素子の収縮及び膨張が繰り返される。これによって発生する振動がケースに伝達され、ケースの振動が空気中の疏密波を発生させる。超音波センサーで超音波を送信する場合は、前記過程を繰り返す。
その一方で、超音波センサーが超音波を受信する場合は、空気中の疏密波がケースの振動板に伝達されることによってケースの変位が発生し、この変位による圧電素子の収縮及び膨張によって交流電流が発生する。
大韓民国登録特許公報第１８５０１２７号は、不完全焼結条件によって焼結された圧電シートでセラミック焼結体が設けられる段階と、前記セラミック焼結体の第１方向に平行な第１表面から第２方向に平行な第２表面までに残存領域が残る深さで予め指定された間隔ごとに切削加工され、前記セラミック焼結体の第２方向に平行かつ第１方向に垂直な第２表面の方向から前記第１表面側に残存領域が残る深さで予め指定された間隔ごとに切削加工されることによってセラミック加工体が形成される段階と、前記セラミック加工体が予め指定された完全焼結条件によって焼結処理される段階と、切削加工によって前記セラミック加工体に形成された溝に絶縁材が充填される段階と、及び第１表面と第２表面の上に圧電ロッドがそれぞれアレイ形態で配列され、第１表面と第２表面に存在する残存領域が除去され、圧電ロッドが露出するように研磨処理される段階とを含むことを特徴とする超音波センサーを製造する技術を公開している。しかし、圧電ロッドを切削するのに多くの時間がかかるので製造効率が低く、切削によって圧電ロッドの品質が低下するおそれがある。
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、超音波センサーの収率及び品質を向上できる超音波センサーの製造方法を提供することである。
本発明は、上述した技術的課題を解決するために、エッチング用基板に凹部と凸部を有する微細パターンを形成する段階と、前記微細パターンの前記凹部に圧電材を充填する段階と、前記充填された圧電材を加圧する段階と、前記圧電材を焼結することによって仮圧電体を形成する段階と、前記仮圧電体を再焼結することによって稠密な単位圧電体を形成する段階と、前記単位圧電体の両端部に電極端子を形成することによって単位圧電セルを製造する段階とを含むことを特徴とする超音波センサーの製造方法を提供する。
本発明の一実施態様によると、前記圧電材を充填するときは、圧電材粉末をスプレーして注入することができる。
本発明の他の実施態様によると、前記圧電材粉末の平均粒度は０．１μｍ〜１０μｍであり得る。
本発明の他の実施態様によると、前記加圧は２００ＭＰａ〜７００ＭＰａで行うことができる。
本発明の他の実施態様によると、前記焼結は、圧電材の表面が溶融される温度で行うことができる。
本発明の他の実施態様によると、前記再焼結は、仮圧電体の表面が溶融される温度で行うことができる。
本発明の他の実施態様によると、前記圧電材を充填するときは、圧電材粉末を溶媒及びバインダーに混合したペースト又は溶液状にした圧電材を充填することができる。
本発明の他の実施態様によると、エッチング用基板は導電性を備えたものであり得る。
本発明の他の実施態様によると、前記エッチング用基板の凸部の一部はリード電極であり得る。
本発明に係る超音波センサーの製造方法及びその超音波センサーによると、超音波センサーの収率及び品質を向上させることができる。
以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
但し、本発明で使用される技術的用語は、特定の実施態様を説明するために使用されたものに過ぎず、本発明を限定するために使用されたものではないことに留意しなければならない。
但し、本発明で使用される技術的用語は、特定の実施態様を説明するために使用されたものに過ぎず、本発明を限定するために使用されたものではないことに留意しなければならない。
また、本発明で使用される技術的用語は、本発明で特に異なる意味で定義されない限り、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解される意味で解釈しなければならず、過度に包括的な意味で解釈するもしくは過度に限定的な意味で解釈してはならない。本発明で使用される技術的な用語が本発明の思想を正確に表現できない誤った技術的用語であるときは、当業者が正しく理解できる技術的用語に置き替えて理解しなければならない。本発明で使用される一般的な用語は、辞書の定義通りに、又は前後の文脈によって解釈しなければならず、過度に限定的な意味で解釈してはならない。本発明で使用される単数の表現は、文脈上、明白に異なる意味を有さない限り、複数の表現を含む。本発明において、「構成される」又は「含む」などの用語は、本明細書に記載した複数の構成要素又は複数の段階を必ず全て含むものと解釈してはならず、そのうちの一部の構成要素又は一部の段階が含まれない場合もあり、又は、追加的な構成要素又は段階をさらに含み得るものと解釈しなければならない。本発明を説明するにおいて、関連する先行技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にし得ると判断される場合、それについての詳細な説明は省略する。
図１は、本発明に係る製造方法によりエッチング用基板の上に製造された超音波センサーを示す図であり、図２は、本発明の基板上に微細パターンで形成された凹部及び凸部の断面を示す図であり、図３は、微細パターンの凹部に圧電材を充填して加圧するプロセスを断面的に示す図であり、図４は、本発明に係る製造方法により焼結後の仮圧電体の粒子形状を概念的に示す図であり、図５は、本発明に係る製造方法により再焼結後の単位圧電体の粒子形状を概念的に示す図であり、図６は、本発明に係る製造方法により再焼結後単位圧電体の上に形成されたフォトレジストによって基板上の凸部の一部をエッチングして電極を形成し、絶縁材を基板の上に積層するプロセスを断面的に示す図であり、図７は、本発明に係る製造方法により単位圧電体の上に電極端子を成形した一例を示す図であって、まず、第１電極端子Ｅ１を積層し、設計されたパターン通りにエッチングした後、第２電極端子Ｅ２を積層し、パターン通りにエッチングする概念を断面的に示す断面図であり、図８は、実施例１により製造された超音波センサーの断面に対する走査電子顕微鏡写真であり、図９は、比較例１による焼結後の仮圧電体の走査電子顕微鏡写真であり、図１０は、実施例１による再焼結後の単位圧電体の走査電子顕微鏡写真であり、図１１は、実施例２による再焼結後の単位圧電体の走査電子顕微鏡写真であり、図１２は、比較例１による超音波センサーのインピーダンス測定値を示すグラフであり、図１３は、実施例２により製造された超音波センサーのインピーダンス測定値を示すグラフである。以下ではこれらを参考にする。
本発明に係る超音波センサーの製造方法は、エッチング用基板に凹部と凸部を有する微細パターンを形成する段階（Ｓ１）と、前記微細パターンの凹部に圧電材を充填する段階（Ｓ２）と、前記充填された圧電材を加圧する段階（Ｓ３）と、前記圧電材を焼結することによって仮圧電体を形成する段階（Ｓ４）と、前記仮圧電体を再焼結することによって稠密な単位圧電体を形成する段階（Ｓ５）と、前記単位圧電体の両端部に電極端子を形成することによって単位圧電セルを製造する段階（Ｓ６）とを含むことを特徴とする。
まず、Ｓ１段階は、エッチング用基板１００の上に凹部と凸部を有する微細パターンＰを形成する工程である。本発明に係る超音波センサー２００の製造方法は、上述した従来技術の問題で言及した切削加工によらないので、エッチング用基板に微細パターンを形成することによって超音波センサーを製造する。
前記エッチング用基板１００の材質は、湿式エッチングや乾式エッチングによって微細パターンが形成され得る材質である限り、特に制限はないが、後続する焼結や再焼結工程で印加される熱エネルギーによって物性の変化やねじれなどの基板における平坦度の変化が生じない素材であることが好ましい。
このようなエッチング用基板には、シリコンウェハー（Ｓｉ Ｗａｆｅｒ）、ガラスウェハー（Ｇｌａｓｓ Ｗａｆｅｒ）又はセラミック基板（Ｃｅｒａｍｉｃ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）などが含まれる。
また、前記エッチング用基板は、導電性を備え、別途の導電ホール（ビアホールやスルーホール）がなくても分極のための閉回路を構成することができる。エッチング用基板は、導電物質、金属イオン、導電性微細粉末を調節された濃度でドーピングしたシリコンウェハー、ガラスウェハー又はセラミック基板であってもよい。ドーピングによって全体的に低い抵抗を有するエッチング用基板を実現することができる。
ガラスウェハーの場合は、ドーピングによって導電化処理を施すことはもちろん、ガラスウェハーにスパッタリング工程で酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）などを堆積させて、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）又はチタン酸ストロンチウム（ＴｉＳｒＯ３）と任意に混合してもよい。さらに、ナノスケール酸化物層（ｎａｎｏ−ｓｃａｌｅ ｏｘｉｄｅ）を積層することによって導電性を確保することができる。
このような抵抗は、０．００１Ωｃｍ〜０．０１Ωｃｍであることが好ましく、低いほど導電性が良い一方、上限値を超えると、電気特性が低減し、超音波信号の感度が低くなり、解像度が低減し得る。
このようなエッチングによる微細パターンの精密な成形のために、フォトリソグラフィ工程を採用する。
すなわち、前記基板の上表面にフォトレジスト（ＰＲ、ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を塗布して硬化させた後、微細パターンに対応するパターンを備えたフォトマスクに紫外線などの機能性光を照射すると、備えられたパターンにのみ光が透過され、パターンに対応する部分のみが露光される。
その後、現像工程でパターン以外の部分を除去し、微細パターンを基板上に具現できる。
次に、Ｓ２段階は、前記微細パターンの凹部に圧電材３００を充填する工程であって、超音波センサーの単位セル前駆体を製造する段階である。
前記凹部Ｐ１は、多様な形状を持つ微細パターンの設計によって決められた間隔を隔てて形成される。
前記微細パターンの凹部Ｐ１は、窪み部であり圧電材３００が充填され、超音波センサーの単位セルとして機能する。
また、圧電材は、チタン酸バリウム系化合物、ＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ３）系化合物、ＰＳＴ（Ｐｂ（Ｓｃ，Ｔａ）Ｏ３）系化合物、（Ｐｂ，Ｓｍ）ＴｉＯ３系化合物又はＰＭＮ（Ｐｂ（ＭｇＮｂ）Ｏ３−ＰＴ（ＰｂＴｉＯ３））系化合物を含むセラックミックであって、焼結を経て形態が変わる材料である。
ここで、前記圧電材３００を充填するときは圧電材粉末の密度が重要であり、このために、前記圧電材粉末の平均粒度を０．１μｍ〜１０μｍに調整して、これをスプレーして注入する。
また、前記圧電材を充填するときは、圧電材粉末を溶媒及びバインダーに混合したペースト又は溶液状にした圧電材を充填する。
前記溶媒やバインダーは有機物であって、乾燥や硬化時に加えられる熱によって蒸発又は酸化されて除去されやすいので、圧電材粉末の充填に役に立つ。
前記溶媒やバインダーは、圧電材粉末を均一且つ高い密度で混合できる限り、その種類は限定されない。
また、充填後の加圧及び焼結時に各粒子を成長させ、結晶の大きさも増加させるために結晶化剤をさらに添加することができる。
このような結晶化剤としては、ピラジン、イミダゾリウム、ベンゾイミダゾリウム、ピロリジニウムハライド系イオン性液体（溶媒としては、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ジアセトンアルコール、フェノール、アセトン、アセトニトリル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ又はブチルセロソルブなどを使用する）又は両端にシアノ（ＣＮ）基が導入されたアルキル／アリルチェーン、又はピリジン基が二つである化合物を使用する。
次に、Ｓ３段階は、前記充填された圧電材を加圧する工程である。
前記圧電材が粉末の形態で充填されるので、粉末間に空隙が存在するようになり、このような空隙は、焼結や再焼結を経たとしても減少しにくく、結局、圧電材の電気的及び物理的特性に悪影響を及ぼす。
したがって、粉末間の空隙を最小化するために充填された圧電材を加圧するが、加圧する方法としては、気体加圧や機械的加圧を適用することができ、気体加圧は２００ＭＰａ〜７００ＭＰａの範囲で行うことが好ましい。
加圧が２００ＭＰａ未満で行われる場合は、空隙減少の効果が微々たるものとなり、電気的及び物理的特性の向上への影響がほとんどない一方、加圧が７００ＭＰａを超えて行われる場合は、空隙の最小化には役に立つが、加圧工程のメンテナンスと修理の費用が増加し、超音波センサーの製造に悪影響を及ぼし得る。
また、前記加圧時に圧電材に振動を加えることによって圧電材粉末の位置を変更することができ、空隙の除去に役に立て得る。このような振動は、圧電材粉末の大きさに相関性を有する周波数で行い、１ｋＨｚ〜６００ｋＨｚの周波数で振動させることが好ましい。周波数が１ｋＨｚ未満である場合は、粒子の位置変更への影響が微々たるものとなる一方、周波数が６００ｋＨｚを超える場合は、過剰なエネルギーを印加したのに比べて圧電材粒子の位置変更への影響が微々たるものとなり得る。
次に、Ｓ４段階は、前記圧電材３００を焼結し、仮圧電体３００’を形成する工程である。
前記圧電材の空隙を加圧して最小化した後、各粒子間の導電経路を形成するために焼結するが、このような焼結は、粒子の相が液相に変化する程度の熱エネルギーを加えるのではなく、圧電材の表面が溶融される程度の温度の熱を加えることによって導電経路を形成できれば十分である。
次に、Ｓ５段階は、前記仮圧電体３００’を再焼結し、稠密な単位圧電体３００”を形成する工程である。
前記再焼結は、仮圧電体の表面が溶融される温度で行われる。Ｓ５段階においては、仮圧電体粒子が液相に変化するのではなく、仮圧電体の表面のみが溶融される程度の熱エネルギーを加える。凝固された仮圧電体の粒子の体積は増加する。
次に、Ｓ６段階は、前記単位圧電体３００”の両端部に電極端子Ｅ１、Ｅ２を形成し、単位圧電セル５００を製造する工程である。
上述した再焼結された単位圧電体３００”の両端部に電極端子を形成するが、この電極端子に外部の回路やモジュールが連結され、本発明に係る超音波センサー２００を駆動する。
前記電極端子Ｅ１、Ｅ２は、導電性が高く、抵抗が低い素材である限り、その素材は限定されず、 銀、銅、アルミニウムなどの導電金属材を使用して形成することができる。
前記電極端子の積層は、導電金属材粉末をバインダーと混合したペーストを端子配線電極（図示せず）の設計されたパターン形態でスクリーンプリンティングし、成形及び硬化することによって行う。
ここで、基板１００はフォトリソグラフィ工程で除去することができ、単位圧電体間の空間には、電圧印加時や超音波送受信時における相互間の干渉を最小化できるように、絶縁誘電材４００を充填してもよい。絶縁材は、高分子樹脂材であることが好ましい。
一方、前記電極端子Ｅ１、Ｅ２は、互いに対向するように配置される。超音波センサーで使用するために電極端子は互いに接続する必要がある。そのために、ワイヤ配線、ビアホールやスルーホール加工を施しているが、この場合、接続工程が不便且つ難しくなるので、本発明においては、一方向に端子配線を配置するためにエッチング用基板１００自体を用いる。
このために、前記エッチング用基板は導電性を備えなければならないが、抵抗が低い材料である限り、多様な材質の基板を使用することができる。前記エッチング用基板の凸部の一部はリード電極１００’として配置する。このために、エッチングの前に、リード電極のパターン上にフォトレジストＰＲを配置する。
したがって、外部の回路やモジュールから電流を流すと、配線電極及びリード電極を介して前記単位圧電体３００”に電圧が印加され、それ自体が収縮及び膨張又は振動を起こし、特定の周波数の超音波を発生させる。この超音波は、特定の方向、例えば、人の指にスキャン（送信；Ｔｘ）されて反射される周波数（受信；Ｒｘ）を読み込み、登録された特定の人の指紋情報とその値とを比較することによって特定の指紋の同一性を判別する。
一方、前記単位圧電セル５００を複数個結合することによって超音波センサー２００を構成する。例えば、指尖の大きさに対応する数ｍｍ2〜数十ｍｍ2の面積内に数百個〜数千個の単位圧電セルを配置する。指紋判別の正確さ及び精度によって単位圧電セルの個数を決定する。
このような超音波センサー２００は、ダイシングなどの切断工程を通じて準備され得る。
実施例１
シリコンウェハーに線幅５０μｍの微細パターンをフォトリソグラフィ工程で成形し、ＰＺＴ圧電粉末（平均粒度０．５μｍ〜３μｍ）をスプレーすることによって微細パターンの凹部に注入し、３００ＭＰａで加圧しながら１分当たり１℃ずつ昇温させた後、８５０℃で２時間を維持し、１分当たり１℃ずつ降温させた後、同一の条件で再焼結及び冷却を行い、フォトリソグラフィ工程で基板を除去し、エポキシ絶縁材を充填した後、ゴールドメタル堆積後にフォトリソグラフィ工程を行い、配線電極をパターニングした後にダイシングして超音波センサーを製造した。
シリコンウェハーに線幅５０μｍの微細パターンをフォトリソグラフィ工程で成形し、ＰＺＴ圧電粉末（平均粒度０．５μｍ〜３μｍ）をスプレーすることによって微細パターンの凹部に注入し、３００ＭＰａで加圧しながら１分当たり１℃ずつ昇温させた後、８５０℃で２時間を維持し、１分当たり１℃ずつ降温させた後、同一の条件で再焼結及び冷却を行い、フォトリソグラフィ工程で基板を除去し、エポキシ絶縁材を充填した後、ゴールドメタル堆積後にフォトリソグラフィ工程を行い、配線電極をパターニングした後にダイシングして超音波センサーを製造した。
実施例２
加圧を４００ＭＰａで行ったことを除いては、実施例１と同様にして超音波センサーを製造した。
加圧を４００ＭＰａで行ったことを除いては、実施例１と同様にして超音波センサーを製造した。
比較例１
加圧を３０ＭＰａで行い、再焼結工程を省略したことを除いては、実施例１と同様にして超音波センサーを製造した。
加圧を３０ＭＰａで行い、再焼結工程を省略したことを除いては、実施例１と同様にして超音波センサーを製造した。
実験例１
比較例１及び実施例１−２による超音波センサーを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で撮影した画像を図８〜図１１に示した。図９を参照すると、比較例１の場合は、粒度が小さいので、各粒子間の空隙の数が多くなる一方、実施例１及び実施例２の場合は（図１０と図１１を参照）、粒子の大きさが増加し、空隙の数が減少した。
比較例１及び実施例１−２による超音波センサーを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で撮影した画像を図８〜図１１に示した。図９を参照すると、比較例１の場合は、粒度が小さいので、各粒子間の空隙の数が多くなる一方、実施例１及び実施例２の場合は（図１０と図１１を参照）、粒子の大きさが増加し、空隙の数が減少した。
実験例２
比較例１及び実施例２による超音波センサーに対する超音波の送信時と受信時のインピーダンス値を測定した結果をそれぞれ図１２及び図１３に示した。これを参考にすると、比較例１の場合は、送受信のインピーダンスピークを区別しにくいが、実施例２の場合は、インピーダンスピークが鮮明であり、比較例１より本発明に係る超音波センサーの品質が優秀であることが分かる。
比較例１及び実施例２による超音波センサーに対する超音波の送信時と受信時のインピーダンス値を測定した結果をそれぞれ図１２及び図１３に示した。これを参考にすると、比較例１の場合は、送受信のインピーダンスピークを区別しにくいが、実施例２の場合は、インピーダンスピークが鮮明であり、比較例１より本発明に係る超音波センサーの品質が優秀であることが分かる。
１００：エッチング用基板、２００：超音波センサー、３００：圧電材、３００’：仮圧電体、３００”：単位圧電体、４００：絶縁材、５００：単位圧電セル、Ｐ１：凹部、Ｐ２：凸部
Claims (9)
- エッチング用基板に凹部と凸部を有する微細パターンを形成する段階と、
前記微細パターンの前記凹部に圧電材を充填する段階と、
前記充填された圧電材を加圧する段階と、
前記圧電材を焼結することによって仮圧電体を形成する段階と、
前記仮圧電体を再焼結することによって稠密な単位圧電体を形成する段階と、
前記単位圧電体の両端部に電極端子を形成することによって単位圧電セルを製造する段階と
を含むことを特徴とする超音波センサーの製造方法。 - 前記圧電材を充填するときは、圧電材粉末をスプレーして注入することを特徴とする、請求項１に記載の超音波センサーの製造方法。
- 前記圧電材粉末の平均粒度は０．１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする、請求項２に記載の超音波センサーの製造方法。
- 前記加圧は２００ＭＰａ〜７００ＭＰａで行うことを特徴とする、請求項１に記載の超音波センサーの製造方法。
- 前記焼結は、前記圧電材の表面が溶融される温度で行うことを特徴とする、請求項１に記載の超音波センサーの製造方法。
- 前記再焼結は、前記仮圧電体の表面が溶融される温度で行うことを特徴とする、請求項１に記載の超音波センサーの製造方法。
- 前記圧電材を充填するときは、圧電材粉末を溶媒及びバインダーに混合したペースト又は溶液状にした圧電材を充填することを特徴とする、請求項１に記載の超音波センサーの製造方法。
- 前記エッチング用基板は導電性を備えたことを特徴とする、請求項１に記載の超音波センサーの製造方法。
- 前記エッチング用基板の前記凸部の一部はリード電極であることを特徴とする、請求項８に記載の超音波センサーの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180099287A KR101965171B1 (ko) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | 초음파센서의 제조방법 |
| KR10-2018-0099287 | 2018-08-24 | ||
| PCT/KR2019/000931 WO2020040376A1 (en) | 2018-08-24 | 2019-01-22 | Method of manufacturing ultrasonic sensors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021535699A true JP2021535699A (ja) | 2021-12-16 |
| JP7285590B2 JP7285590B2 (ja) | 2023-06-02 |
Family
ID=67624398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021534098A Active JP7285590B2 (ja) | 2018-08-24 | 2019-01-22 | 超音波センサーの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210193909A1 (ja) |
| EP (1) | EP3841622A4 (ja) |
| JP (1) | JP7285590B2 (ja) |
| KR (1) | KR101965171B1 (ja) |
| CN (1) | CN113016085A (ja) |
| WO (1) | WO2020040376A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112671367A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-16 | 华南理工大学 | 一种新型fbar滤波器及其制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11274592A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Olympus Optical Co Ltd | 圧電セラミクス構造体製造方法及び複合圧電振動子 |
| JP2002012425A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-15 | Tokai Rubber Ind Ltd | Ｐｚｔ薄膜の製法およびそれにより得られたｐｚｔ構造体 |
| JP2006261656A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Brother Ind Ltd | 圧電アクチュエータおよびその製造方法 |
| JP2013191751A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Canon Inc | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 |
| JP2017011144A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 国立大学法人 熊本大学 | 高周波超音波圧電素子、その製造方法、及びそれを含む高周波超音波プローブ |
| KR101830209B1 (ko) * | 2017-02-16 | 2018-02-21 | 주식회사 베프스 | 압전 센서 제조 방법 및 이를 이용한 압전 센서 |
| KR101858731B1 (ko) * | 2017-08-22 | 2018-05-16 | 주식회사 베프스 | 압전 센서의 제조방법 |
| US20180236489A1 (en) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | Befs Co., Ltd. | Piezoelectric sensor manufacturing method and piezoelectric sensor using the same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103779272B (zh) * | 2013-01-11 | 2017-06-20 | 北京纳米能源与系统研究所 | 晶体管阵列及其制备方法 |
| KR20150110126A (ko) * | 2014-03-24 | 2015-10-02 | 삼성전기주식회사 | 압전소자 및 이를 포함하는 압전진동자 |
| TWM534791U (zh) | 2016-07-20 | 2017-01-01 | 伍鐌科技股份有限公司 | 防震裝置及防震裝置包裝體 |
| KR102091701B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2020-03-20 | 한국기계연구원 | 손가락 생체정보 인식모듈과, 이것이 적용된 전자기기, 그리고 손가락 생체정보 인식모듈의 제조방법과 트랜스듀서의 제조방법 |
| KR101850127B1 (ko) | 2017-03-16 | 2018-04-19 | 주식회사 베프스 | 초음파 지문 센서 제조 방법 |
-
2018
- 2018-08-24 KR KR1020180099287A patent/KR101965171B1/ko active
-
2019
- 2019-01-22 JP JP2021534098A patent/JP7285590B2/ja active Active
- 2019-01-22 EP EP19853135.2A patent/EP3841622A4/en active Pending
- 2019-01-22 US US17/270,425 patent/US20210193909A1/en active Pending
- 2019-01-22 CN CN201980055688.4A patent/CN113016085A/zh active Pending
- 2019-01-22 WO PCT/KR2019/000931 patent/WO2020040376A1/en unknown
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11274592A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Olympus Optical Co Ltd | 圧電セラミクス構造体製造方法及び複合圧電振動子 |
| JP2002012425A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-15 | Tokai Rubber Ind Ltd | Ｐｚｔ薄膜の製法およびそれにより得られたｐｚｔ構造体 |
| JP2006261656A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-28 | Brother Ind Ltd | 圧電アクチュエータおよびその製造方法 |
| JP2013191751A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Canon Inc | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 |
| JP2017011144A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 国立大学法人 熊本大学 | 高周波超音波圧電素子、その製造方法、及びそれを含む高周波超音波プローブ |
| KR101830209B1 (ko) * | 2017-02-16 | 2018-02-21 | 주식회사 베프스 | 압전 센서 제조 방법 및 이를 이용한 압전 센서 |
| US20180236489A1 (en) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | Befs Co., Ltd. | Piezoelectric sensor manufacturing method and piezoelectric sensor using the same |
| KR101858731B1 (ko) * | 2017-08-22 | 2018-05-16 | 주식회사 베프스 | 압전 센서의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3841622A4 (en) | 2022-06-08 |
| KR101965171B1 (ko) | 2019-08-13 |
| US20210193909A1 (en) | 2021-06-24 |
| JP7285590B2 (ja) | 2023-06-02 |
| EP3841622A1 (en) | 2021-06-30 |
| CN113016085A (zh) | 2021-06-22 |
| WO2020040376A1 (en) | 2020-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5702629A (en) | Piezeoelectric ceramic-polymer composites | |
| US3458915A (en) | Method of making a piezoelectric device | |
| US20090064476A1 (en) | Piezoelectric materials based on flexoelectric charge separation and their fabrication | |
| US20180321784A1 (en) | Pressure sensor and composite element having same | |
| CN104377035A (zh) | 电容装置和谐振电路 | |
| WO2005054148A9 (en) | Piezoelectric device and method of manufacturing same | |
| US20110257532A1 (en) | Ultrasonic probe and method of preparing ultrasonic probe | |
| CN105655480A (zh) | 一种压电薄膜传感器、压电薄膜传感器电路及制作方法 | |
| US11469365B2 (en) | Sensing film and method of making same and electronic device using sensing film | |
| CN102918674B (zh) | 用于制造压电执行器的方法和压电执行器 | |
| JP7285590B2 (ja) | 超音波センサーの製造方法 | |
| CN101111994B (zh) | 压电振荡元件及使用该压电振荡元件的压电振荡部件 | |
| US11158780B2 (en) | Thermal pattern sensor with pyroelectric capacitor | |
| CN104838589A (zh) | 压电部件 | |
| JP2000150292A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| CN116133507A (zh) | 叠层型压电陶瓷全电极结构及其制造工艺 | |
| JPH10241993A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| WO2017078335A1 (ko) | 압력 센서 및 이를 구비하는 복합 소자 | |
| US20180190896A1 (en) | Ultrasonic Transmitter and Receiver | |
| KR102138665B1 (ko) | 박막형 초음파 지문센서의 제조방법 및 그 센서 | |
| KR102006102B1 (ko) | Htcc(고온 동시 소성 세라믹)를 이용한 지문 인식용 압전 어레이 소자 제조방법 | |
| JP2000143335A (ja) | 磁器材料及び超音波探触子及び圧電振動子及びそれらの製造方法 | |
| Badie et al. | Flexible over-moded resonators based on P (VDF-TrFE) thin films with very high temperature coefficient | |
| WO2023157523A1 (ja) | 積層型圧電素子及び電子機器 | |
| JP2011117919A (ja) | 加速度センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211108 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221129 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221129 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230215 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230221 |
|
| R155 | Notification before disposition of declining of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230516 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7285590 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |