JP2021530099A - 径方向エッチング均一性の能動制御 - Google Patents

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Abstract

径方向エッチング均一性を能動制御するシステムおよび方法を説明する。方法の１つは、基本周波数を有する無線周波数（ＲＦ）信号を生成し、高調波周波数を有する別のＲＦ信号を生成することを備える。別のＲＦ信号の高調波周波数又は位相又はパラメータ・レベル又はそれらの組合せは、プラズマ室内のＲＦプラズマ・シースの高調波を制御するように制御され、径方向エッチングの均一性を達成する。【選択図】図３Ａ

Description

本開示は、径方向エッチング均一性を能動制御するシステムおよび方法に関する。
本明細書で提供する背景技術の説明は、本開示の背景を全般に提示することを目的とする。この背景技術の節において説明する範囲についての、本明細書で名前を挙げた発明者等の研究、および他の場合には出願当時に従来技術とみなされない可能性がある説明の態様は、本開示に対する従来技術として明示的にも又は暗示的にも認めるものではない。
プラズマ器具は、一般に、無線周波数（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）生成器と、インピーダンス整合回路と、プラズマ室とを含む。ＲＦ生成器は、インピーダンス整合回路に供給される無線周波数信号を生成する。インピーダンス整合回路は、無線周波数信号を受信し、無線周波数信号を出力し、無線周波数信号は、プラズマ室に供給される。ウエハは、無線周波数信号を処理ガスと共に供給した際に生成されるプラズマによって、プラズマ室内で処理される。例えば、ウエハは、無線周波数信号に従ってプラズマ室内でエッチングされる。ウエハをエッチングする際、ウエハのエッチングに不均一性がある。
本開示で説明される実施形態はこれに関して生じる。
本開示の実施形態は、径方向エッチング均一性を能動制御するシステム、装置、方法およびコンピュータ・プログラムを提供する。本実施形態は、コンピュータ可読媒体上で、多数の方式、例えば工程、装置、システム、デバイス又は方法で実施し得ることを了解されたい。いくつかの実施形態を以下で説明する。
径方向エッチング均一性は、平行板による容量結合プラズマ・エッチャ等のプラズマ・エッチャ内で生じる。中心、中間径、縁部又は極縁部のプラズマ不均一性の局所化により、ウエハ表面にわたるエッチング率の不均一性を生じさせる。エッチング率不均一性の例は、中心ピーク不均一性、Ｗ字形状不均一性およびＭ字形状不均一性を含む。エッチング率不均一性は、様々な無線周波数（ＲＦ）駆動周波数、様々な処理間隙および様々なガス圧力で観察される。プラズマ・エッチャ内で生成されるプラズマは、その性質のために、ＲＦ駆動周波数に対し多重高調波を生じさせる。高次の高調波の一部は、プラズマ内に定常波を生成し、これにより、ウエハ表面にわたるエッチング率の不均一性がもたらされる。定常波のために、プラズマ・エッチャのチャックと上側電極との間の処理間隙、ＲＦ電力比、ガス中心重量の送出、およびプラズマ・エッチャ内の圧力等の処理パラメータを調節することによって径方向エッチング均一性を増大させることは困難である。
いくつかの実施形態では、本明細書で説明するシステムおよび方法は、高調波の制御による径方向プラズマ均一性の能動制御を提供する。能動制御を提供するために、主高周波数ＲＦ供給源に加えて、追加のＲＦ電源がＲＦ生成器内に設けられる。追加のＲＦ電源は、基本周波数に対して位相を調節可能な又は位相を固定する高ＲＦ高調波電力信号を提供する。高ＲＦ高調波電力信号の電力の大きさ、周波数および位相は、ウエハ表面におけるプラズマの定常波の影響を低減し、径方向エッチング均一性を増大するように最適化される。
様々な実施形態では、主高周波数ＲＦ供給源は、基本駆動周波数および基本駆動周波数に関連付けられている位相を追加のＲＦ供給源に供給する。追加のＲＦ供給源は、基本駆動周波数の２倍、基本駆動周波数の３倍、基本駆動周波数の４倍等でＲＦ電力を生成し、位相は、基本駆動周波数に関連付けられている位相に対して調節可能である。追加のＲＦ供給源の位相を制御し、追加のＲＦ供給源の電力レベルを制御することによって、プラズマ内の電磁波の形状、プラズマのプラズマ・シースの径方向形状、およびウエハ表面における径方向プラズマ密度は、ウエハ表面にわたるエッチング率均一性を調節するように制御され、径方向エッチング均一性を増大させる。
いくつかの実施形態では、径方向エッチング均一性を制御する方法を説明する。方法は、基本周波数および第１の位相を有する第１のＲＦ信号を生成することを含む。方法は、基本周波数および第１の位相のそれぞれに基づき、第（ｎ−１）次高調波周波数および第２の位相を有する第２のＲＦ信号を生成することを更に含む。ｎは、３以上の整数であることに留意されたい。方法は、基本周波数および第１の位相のそれぞれに基づき、第ｎ次高調波周波数および第３の位相を有する第３のＲＦ信号を生成することを更に含む。方法は、ＲＦ整合器によって、第１のＲＦ信号、第２のＲＦ信号、第３のＲＦ信号を受信することも含む。方法は、エッチング操作の間、基板表面にわたる径方向エッチング均一性を制御するため、ＲＦ整合器によって、修正ＲＦ信号をプラズマ室の電極に出力することを含む。
いくつかの実施形態では、径方向エッチング均一性を制御するシステムを説明する。システムは、基本周波数および第１の位相を有する第１のＲＦ信号を生成するように構成されている第１のＲＦ生成器を含む。システムは、基本周波数および第１の位相のそれぞれに基づき、第（ｎ−１）次高調波周波数および第２の位相を有する第２のＲＦ信号を生成するように構成されている第２のＲＦ生成器を更に含む。システムは、基本周波数および第１の位相のそれぞれに基づき、第ｎ次高調波周波数および第３の位相を有する第３のＲＦ信号を生成するように構成されている第３のＲＦ生成器を含む。システムは、第１のＲＦ信号、第２のＲＦ信号および第３のＲＦ信号を受信し、修正ＲＦ信号を出力するように、第１のＲＦ生成器、第２のＲＦ生成器および第３のＲＦ生成器に結合されているＲＦ整合器を更に含む。修正ＲＦ信号は、プラズマ室におけるエッチング操作の間、基板表面にわたる径方向エッチング均一性を制御するために使用される。
様々な実施形態では、システムを説明する。システムは、基本周波数および第１の位相を有する第１のＲＦ信号を生成するために、第１のＲＦ電源を制御するように構成されている第１の制御器を含む。システムは、基本周波数および第１の位相のそれぞれに基づき、第（ｎ−１）次高調波周波数および第２の位相を有する第２のＲＦ信号を生成するために、第２のＲＦ電源を制御するように構成されている第２の制御器を更に含む。システムは、基本周波数および第１の位相のそれぞれに基づき、第ｎ次高調波周波数および第３の位相を有する第３のＲＦ信号を生成するために、第３のＲＦ電源を制御するように構成されている第３のＲＦ制御器を含む。第１のＲＦ信号、第２のＲＦ信号および第３のＲＦ信号は、修正ＲＦ信号を生成するように組み合わせた複数の修正信号を生成するために、ＲＦ整合器に供給され、修正されるように構成されている。
本明細書で説明するシステムおよび方法のいくつかの利点は、エッチング操作中の基板表面にわたる径方向エッチング均一性を制御することを含む。径方向エッチング均一性は、プラズマ室内のプラズマの高調波を制御することによって制御される。高調波は、高調波周波数を有するＲＦ信号を生成し、ＲＦ信号の高調波周波数又は位相又はパラメータ・レベル又はそれらの組合せを調節することによって調節される。高調波の調節により、径方向エッチング均一性の制御が達成される。
他の態様は、添付の図面と併せた以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
実施形態は、添付の図面と併せた以下の説明を参照することによって、最良に理解し得る。
図１Ａは、基板表面にわたる径方向エッチングにおける均一性の制御を示すシステムの一実施形態の図である。
図１Ｂは、図１Ａの無線周波数（ＲＦ）信号の基本周波数、図１Ａの別のＲＦ信号の第２次高調波周波数、および図１Ａのまた別のＲＦ信号の第３次高調波周波数を示す一実施形態のグラフである。
図２は、多重連続波ＲＦ信号の生成を示すシステムの一実施形態の図である。
図３Ａは、プラズマ室内のプラズマの高調波の多重状態制御を示すシステムの一実施形態の図である。
図３Ｂは、多重状態のクロック信号と同期した状態でパラメータ・レベルを交互にする多重状態ＲＦ信号の実施形態の図である。
図４は、連続波ＲＦ信号のパラメータ・レベル、位相および基本周波数、別の連続波ＲＦ信号のパラメータ・レベル、位相および基本周波数、並びにまた別の連続波ＲＦ信号のパラメータ・レベル、位相および基本周波数の制御を示すシステムの一実施形態の図である。
図５は、多重状態ＲＦ信号のパラメータ・レベル、位相および基本周波数、別の多重状態ＲＦ信号のパラメータ・レベル、位相および基本周波数、並びにまた別の多重状態ＲＦ信号のパラメータ・レベル、位相および基本周波数の制御を示すシステムの一実施形態の図である。
図６は、ＲＦ整合器内の１つ又は複数の可変構成要素の制御を示すシステムの一実施形態の図であり、１つ又は複数の可変構成要素は、ＲＦ信号の第（ｎ−１）次高調波周波数および別のＲＦ信号の高調波周波数をまた別のＲＦ信号の基本周波数に固定し、ＲＦ信号の第（ｎ−１）次高調波周波数における位相および他のＲＦ信号の第ｎ次高調波周波数における位相をまた他のＲＦ信号の基本周波数における位相に固定し、ＲＦ信号の第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルおよび他のＲＦ信号の第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルをまた別のＲＦ信号の基本周波数におけるパラメータ・レベルに固定する。
図７は、基板エッチングのエッチング率対基板半径を示す一実施形態のグラフであり、基板半径に沿った径方向エッチング均一性の一例を提供する。
以下の実施形態は、径方向エッチング均一性を能動制御するシステムおよび方法を記載する。本願の実施形態は、これら特定の詳細の一部又は全てを伴わずに実行してよいことは明らかであろう。他の例では、周知の工程動作は、本願の実施形態を不必要に曖昧とならないように、詳細に説明していない。
図１Ａは、基板表面にわたる径方向エッチングにおける均一性の制御を示すシステム１００の一実施形態の図である。システム１００は、低周波数生成器（ｌｏｗ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ、ＬＦＧ）と高周波数生成器（ｈｉｇｈ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ、ＨＦＧ）とを含む。低周波数生成器ＬＦＧは、無線周波数（ＲＦ）生成器であり、高周波数生成器ＨＦＧも、ＲＦ生成器である。システム１００は、ＲＦ整合器とプラズマ室とを更に含む。低周波数生成器ＬＦＧは、ＲＦケーブル１１２を介してＲＦ整合器の入力Ｉ４に結合される。
高周波数生成器ＨＦＧは、基本周波数ｆ０で動作する高周波数副生成器ＨＦＧｆ０と、第（ｎ−１）次高調波周波数ｆ（ｎ−１）で動作する別の高周波数副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）と、第ｎ次高調波周波数ｆｎで動作するまた別の高周波数副生成器ＨＦＧｆｎとを含む。本明細書で使用する基本周波数は、第１の高調波周波数である。本明細書で使用するｎは、３以上の整数であることに留意されたい。例えば、高周波数副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）は、第２次高調波周波数で動作し、高周波数副生成器ＨＦＧｆｎは、第３次高調波周波数で動作する。別の例として、ｎは３である。
高周波数副生成器ＨＦＧｆ０は、ＲＦケーブル１１４Ａを介してＲＦ整合器の入力Ｉ１に結合される。更に、高周波数副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）は、別のＲＦケーブル１１４Ｂを介してＲＦ整合器の入力Ｉ２に結合され、高周波数副生成器ＨＦＧｆｎは、また別のＲＦケーブル１１４Ｃを介してＲＦ整合器の入力Ｉ３に結合される。ＲＦ整合器出力Ｏ１は、ＲＦ伝送線路１１６を介してプラズマ室に結合される。
低周波数生成器ＬＦＧの一例は、Ｘキロヘルツ（ｋＨｚ）ＲＦ生成器を含み、Ｘは、５０ｋＨｚ以上５メガヘルツ（ＭＨｚ）以下の範囲である。例示すると、低周波数生成器ＬＦＧは、４００ｋＨｚＲＦ生成器である。低周波数生成器ＬＦＧの別の例は、２ＭＨｚＲＦ生成器を含む。高周波数生成器ＨＦＧの一例は、ＹＭＨｚＲＦ生成器を含み、Ｙは、１３ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の範囲である。例えば、ＹＭＨｚＲＦ生成器は、６０ＭＨｚＲＦ生成器、又は４０ＭＨｚＲＦ生成器、又は２７ＭＨｚＲＦ生成器である。一例として、６０ＭＨｚＲＦ生成器は、５７ＭＨｚから６３ＭＨｚの間で動作する。
ＲＦ整合器は、抵抗器、誘導器、蓄電器又はそれらの組合せ等の複数の可変構成要素（ｖａｒｉａｂｌｅ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ、ＶＣ）（図示せず）を含み、複数の可変構成要素（ＶＣ）は、互いに直列又は並列に結合される。ＲＦ整合器は、ＲＦ整合器の出力Ｏ１に結合されている負荷のインピーダンスと、ＲＦ整合器の入力Ｉ１、Ｉ２およびＩ３に結合されている供給源のインピーダンスとを整合する。負荷の一例は、ＲＦ伝送線路１１６およびプラズマ室を含む。供給源の一例は、ＲＦケーブル１１２および１１４Ａ〜１１４Ｃ、並びにＲＦ生成器ＬＦＧおよびＨＦＧを含む。
低周波数生成器ＬＦＧは、ＲＦ信号１１８を生成し、ＲＦケーブル１１２を介してＲＦ信号１１８をＲＦ整合器の入力Ｉ４に供給する。高周波数副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）は、高周波数副生成器ＨＦＧｆ０によって生成されたＲＦ信号１０８Ａの基本周波数、基本周波数におけるＲＦ信号１０８Ａの位相、および基本周波数におけるＲＦ信号１０８Ａのパラメータ・レベルを得る。本明細書で使用するパラメータ・レベルの一例は、電圧又は電力レベルである。高周波数副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）は、基本周波数に乗数（ｎ−１）を乗じ、第（ｎ−１）次高調波周波数ｆ（ｎ−１）を生成し、高調波周波数ｆ（ｎ−１）を基本周波数で固定する。例えば、基本周波数を同調する際、例えばわずかに変化させた際に、第（ｎ−１）次高調波周波数と基本周波数との間の差分がｄ１である場合、第（ｎ−１）次高調波周波数も同調され、差分をｄ１に維持する。同様に、高周波数副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）は、基本周波数を有するＲＦ信号１０８Ａの位相を修正する、例えば、変位し、第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成し、第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を基本周波数における位相で固定する。例示すると、基本周波数における位相を同調する際、例えばわずかに変化させた際に、第（ｎ−１）次高調波周波数における位相と基本周波数における位相との間の差分がｄ２である場合、第（ｎ−１）次高調波周波数における位相も同調され、差分をｄ２に維持する。
高周波数副生成器ＨＦＧ（ｎ−１）も、基本周波数におけるパラメータ・レベルを変化させる、例えば、加算又は減算し、高調波周波数ｆ（ｎ−１）におけるパラメータ・レベルを生成し、高調波周波数ｆ（ｎ−１）におけるパラメータ・レベルを基本周波数ｆ０におけるパラメータ・レベルで固定する。例えば、基本周波数におけるパラメータ・レベルを同調する際、例えばわずかに変化させた際に、第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の差分がｄ３である場合、第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルも同調され、差分をｄ３に維持する。
同様に、高周波数副生成器ＨＦＧｆｎは、基本周波数に乗数ｎを乗じ、第ｎ次高調波周波数ｆｎを生成し、高調波周波数ｆｎを基本周波数で固定する。例えば、基本周波数を同調する際、例えばわずかに変化させた際に、第ｎ次高調波周波数と基本周波数との間の差分がｄ４である場合、第ｎ次高調波周波数も同調され、差分をｄ４に維持する。同様に、高周波数副生成器ＨＦＧｆｎは、基本周波数を有するＲＦ信号１０８Ａの位相を修正し、例えば、変位し、第ｎ次高調波周波数における位相を生成し、第ｎ次高調波周波数における位相を基本周波数における位相で固定する。例示すると、基本周波数における位相を同調する際、例えばわずかに変化させた際に、第ｎ次高調波周波数における位相と基本周波数における位相との間の差分がｄ５である場合、第ｎ次高調波周波数における位相も同調され、差分をｄ５に維持する。
高周波数副生成器ＨＦＧｆｎも、基本周波数におけるパラメータ・レベルを変化させる、例えば、加算又は減算し、高調波周波数ｆｎにおけるパラメータ・レベルを生成し、高調波周波数ｆｎにおけるパラメータ・レベルを基本周波数ｆ０におけるパラメータ・レベルで固定する。例えば、基本周波数におけるパラメータ・レベルを同調する際、例えばわずかに変化させた際に、第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の差分がｄ６である場合、第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルも同調され、差分をｄ６に維持する。
低周波数生成器ＬＦＧは、ＲＦ信号１１８を生成し、ＲＦ信号１１８は、ＲＦケーブル１１２を介して入力Ｉ４に送信される。更に、高周波数副生成器ＨＦＧｆ０は、基本周波数、基本周波数における位相および基本周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号１０８Ａを生成し、ＲＦケーブル１１４Ａを介してＲＦ整合器の入力Ｉ１にＲＦ信号１０８Ａを供給する。同様に、高周波数副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）は、第（ｎ−１）次高調波周波数、第（ｎ−１）次高調波周波数における位相および第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号１０８Ｂを生成し、ＲＦケーブル１１４Ｂを介してＲＦ整合器の入力Ｉ２にＲＦ信号１０８Ｂを供給する。同様に、高周波数副生成器ＨＦＧｆｎは、第ｎ次高調波周波数、第ｎ次高調波周波数における位相および第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号１０８Ｃを生成し、ＲＦケーブル１１４Ｃを介してＲＦ整合器の入力Ｉ３にＲＦ信号１０８Ｃを供給する。
ＲＦ整合器は、ＲＦ信号１１８および１０８Ａ〜１０８Ｃを受信し、負荷のインピーダンスを供給源のインピーダンスと整合し、ＲＦ信号１１８および１０８Ａ〜１０８Ｃから修正ＲＦ信号１１０を生成し、ＲＦ信号伝送線路１１６を介してプラズマ室に修正ＲＦ信号１１０を供給する。修正ＲＦ信号１１０に加えて、フッ素含有ガス等の１つ又は複数の処理ガスをプラズマ室に供給すると、プラズマがプラズマ室内で衝突するか又は維持され、基板を処理する。フッ素含有ガスの例には、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）、六フッ化硫黄（ＳＦ6）およびヘキサフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）等を含む。基板処理の例には、基板上への材料の堆積、基板のエッチング、基板の洗浄、および基板のスパッタリングを含む。
ＲＦ信号１０８Ｂから１０８Ｃに基づき生成した修正ＲＦ信号１１０の適用によって基板を処理すると、プラズマ室内のプラズマのプラズマ・シースのＲＦ高調波は、基板上面にわたる径方向エッチング均一性をもたらすように制御される。それ以外の場合、プラズマ・シースのＲＦ高調波が制御されないと、定常波がプラズマ内に生成され得、ひいては基板上面にわたる径方向エッチングに不均一性をもたらすことがある。
図１Ｂは、図１ＡのＲＦ信号１０８Ａの基本周波数、図１ＡのＲＦ信号１０８Ｂの第２次高調波周波数、および図１ＡのＲＦ信号１０８Ｃの第３次高調波周波数を示す一実施形態のグラフ１５０である。グラフ１５０は、ＲＦ信号１５２Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルＰＬ３、ＲＦ信号１５２Ｂの第２次高調波周波数におけるパラメータ・レベルＰＬ２、およびＲＦ信号１５２Ｃの第３次高調波周波数におけるパラメータ・レベルＰＬ１対時間ｔを表す。ＲＦ信号１５２Ａは、ＲＦ信号１０８Ａの一例であり、ＲＦ信号１５２Ｂは、ＲＦ信号１０８Ｂの一例であり、ＲＦ信号１５２Ｃは、ＲＦ信号１０８Ｃの一例である。ＲＦ信号のパラメータ・レベルの例は、ＲＦ信号の包絡線、ＲＦ信号のピークからピークまでの大きさ、又はＲＦ信号のゼロからピークまでの大きさを含む。ＲＦ信号１５２Ａ〜１５２Ｃは、連続波（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ ｗａｖｅ、ＣＷ）信号であり、多重状態の間で移行せず、１つの状態を有する。パラメータ・レベルＰＬ３は、パラメータ・レベルＰＬ２よりも大きい。パラメータ・レベルＰＬ２は、パラメータ・レベルＰＬ１よりも大きい。
本明細書で使用する連続波信号は、高状態と低状態との間のように、多重状態の間で移行しない。例えば、連続波信号のパラメータ・レベルの全てのパラメータ値は、パラメータ値のうち１つの分散値又は標準偏差等の事前設定範囲内に位置する。別の例として、連続波信号のパラメータ・レベルの全てのパラメータ値の最低値とパラメータ値の最高値との間の差分は、事前設定閾値よりも小さい。例示すると、パラメータ値の最高値は、パラメータ値の最低値から２０％以下である。また別の例として、連続波信号は、状態Ｓ１等の高状態、又は状態Ｓ０等の低状態を有するが、状態Ｓ１およびＳ０の両方を有さない。状態Ｓ１およびＳ０は、以下で更に説明する。
いくつかの実施形態では、ＲＦ信号１５２Ｂのパラメータ・レベルは、ＲＦ信号１５２Ａのパラメータ・レベルよりも大きい。更に、様々な実施形態では、ＲＦ信号１５２Ｃのパラメータ・レベルは、ＲＦ信号１５２Ａのパラメータ・レベルよりも大きく、ＲＦ信号１５２Ｂのパラメータ・レベルよりも大きい。いくつかの実施形態では、ＲＦ信号１５２Ｃのパラメータ・レベルは、ＲＦ信号１５２Ａのパラメータ・レベルよりも小さく、ＲＦ信号１５２Ｂのパラメータ・レベルよりも大きい。いくつかの実施形態では、ＲＦ信号１５２Ｃのパラメータ・レベルは、ＲＦ信号１５２Ａのパラメータ・レベルよりも大きく、ＲＦ信号１５２Ｂのパラメータ・レベルよりも小さい。
図２は、連続波（ＣＷ）信号である多重ＲＦ信号２０８Ａ、２０８Ｂおよび２０８Ｃの生成を示すシステム２００の一実施形態の図である。ＲＦ信号２０８Ａは、図１ＡのＲＦ信号１０８Ａの一例であり、ＲＦ信号２０８Ｂは、図１ＡのＲＦ信号１０８Ｂの一例であり、ＲＦ信号２０８Ｃは、図１ＡのＲＦ信号１０８Ｃの一例である。
システム２００は、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷと高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷとを含む。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷは、図１Ａの低周波数生成器ＬＦＧの一例であり、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷは、図１Ａの高周波数生成器ＨＦＧの一例である。
低周波数生成器ＬＦＧＣＷは、デジタル信号プロセッサＤＳＰと、パラメータ制御器ＰＲと、周波数制御器ＦＣと、ドライバ・システムＤＲＶＲと、電源ＰＳＵとを含む。デジタル信号プロセッサＤＳＰは、パラメータ制御器ＰＲおよび周波数制御器ＦＣに結合される。パラメータ制御器ＰＲおよび周波数制御器ＦＣは、ドライバ・システムＤＲＶＲに結合され、ドライバ・システムＤＲＶＲは、電源ＰＳＵに結合される。電源ＰＳＵは、ＲＦケーブル１１２を介してＲＦ整合器の入力Ｉ４に結合される。
本明細書で使用するプロセッサは、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）又はプログラマブル論理デバイス（ＰＬＤ）又は中央処理ユニット（ＣＰＵ）又はマイクロプロセッサ又はマイクロコントローラである。本明細書で使用する制御器は、ＡＳＩＣ又はＰＬＤ又はＣＰＵ又はマイクロプロセッサ又はマイクロコントローラ又はプロセッサを含み、メモリ・デバイスを更に含む。本明細書で使用するメモリ・デバイスの例は、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、および読取り専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。例示すると、メモリ・デバイスは、フラッシュ・メモリ又はハード・ディスク又は記憶デバイス等である。メモリ・デバイスは、コンピュータ可読媒体の一例である。
本明細書で使用するドライバ・システムの一例は、電流信号を生成するように互いに結合される１つ又は複数のトランジスタを含む。本明細書で使用する電源の一例は、無線周波数信号を生成するように発振する無線周波数発振器を含む。
高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷは、基本周波数で動作する副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷと、第（ｎ−１）次高調波周波数で動作する別の副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷと、第ｎ次高調波周波数で動作するまた別の副生成器ＨＦＧｆｎＣＷとを含む。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷは、デジタル信号プロセッサＤＳＰと、パラメータ制御器ＰＲｆ０と、位相制御器φｆ０と、周波数制御器ＦＣｆ０と、ドライバ・システムＤＲＶＲと、電源ＰＳＵｆ０とを含む。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器ＰＲｆ０、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器φｆ０、および副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器ＦＣｆ０に結合される。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器ＰＲｆ０、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器φｆ０、および副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器ＦＣｆ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのドライバ・システムＤＲＶＲに結合され、ドライバ・システムＤＲＶＲは、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの電源ＰＳＵｆ０に結合される。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの電源ＰＳＵｆ０は、ＲＦケーブル１１４Ａに結合される。
同様に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷは、パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）と、位相制御器φｆ（ｎ−１）と、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）と、ドライバ・システムＤＲＶＲと、電源ＰＳＵｆ（ｎ−１）とを含む。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの位相制御器φｆ（ｎ−１）、および副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのドライバ・システムＤＲＶＲに結合され、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのドライバ・システムＤＲＶＲは、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの電源ＰＳＵｆ（ｎ−１）に結合される。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの電源ＰＳＵｆ（ｎ−１）は、ＲＦケーブル１１４Ｂに結合される。
また、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷは、パラメータ制御器ＰＲｆｎと、位相制御器φｆｎと、周波数制御器ＦＣｆｎと、ドライバ・システムＤＲＶＲと、電源ＰＳＵｆｎとを含む。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器ＰＲｆｎ、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの位相制御器φｆｎ、および副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの周波数制御器ＦＣｆｎは、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのドライバ・システムＤＲＶＲに結合され、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのドライバ・システムＤＲＶＲは、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの電源ＰＳＵｆｎに結合される。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの電源ＰＳＵｆｎは、ＲＦケーブル１１４Ｃに結合される。
更に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器ＰＲｆ０に結合され、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器ＰＲｆｎは、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器ＰＲｆ０に結合される。更に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの位相制御器φｆ（ｎ−１）は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器φｆ０に結合され、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの位相制御器φｆｎは、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器φｆ０に結合される。また、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器ＦＣｆ０に結合され、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの周波数制御器ＦＣｆｎは、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器ＦＣｆ０に結合される。
システム２００は、ホスト・コンピュータ・システム（ＨＣＳ）を含み、ホスト・コンピュータ・システム（ＨＣＳ）は、プロセッサ（Ｐ）とメモリ・デバイス（ＭＤ）とを含む。ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、ホスト・コンピュータ・システムのメモリ・デバイスに結合される。
ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、転送媒体ＴＭ１を介して低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのデジタル信号プロセッサに結合され、別の転送媒体ＴＭ２を介して高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷのデジタル信号プロセッサに結合される。本明細書で使用する転送媒体の例は、並列転送ケーブル又は直列転送ケーブル又はユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）転送ケーブルを含む。
ＲＦ整合器の出力Ｏ１は、伝送線路１１６を介して、プラズマ室の静電チャック等のチャック２１２に結合される。プラズマ室は、チャック２１２に面する上側電極を含む。基板Ｓは、チャック２１２の上面に置かれ、プラズマ室内で生成されるプラズマによって処理される。チャック２１２は、アルミニウム又はアルミニウム合金等の金属から作製した下側電極を含む。同様に、上側電極は、金属から作製される。上側電極は、接地電位に結合され、チャック２１２は、ＲＦ伝送線路１１６に結合される。間隙は、上側電極とチャック２１２との間に形成され、間隙内にプラズマを生成し、基板Ｓを処理する。
ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、転送媒体ＴＭ１を介して低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのデジタル信号プロセッサにデータ信号を送信し、データ信号は、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷが生成するＲＦ信号２１８のパラメータ・レベルおよびＲＦ信号２１８の周波数を含む。ＲＦ信号２１８は、図１ＡのＲＦ信号１１８の一例であり、連続波信号であることに留意されたい。
低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのデジタル信号プロセッサは、ＲＦ信号２１８のパラメータ・レベルおよび周波数を受信し、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのパラメータ制御器にパラメータ・レベルを提供し、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷの周波数制御器に周波数を提供する。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのパラメータ制御器は、パラメータ・レベルを受信すると、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのドライバ・システムにパラメータ・レベルを提供する。更に、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷの周波数制御器は、周波数を受信すると、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのドライバ・システムに周波数を提供する。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのドライバ・システムは、パラメータ制御器から受信したパラメータ・レベルおよび周波数制御器から受信した周波数に基づき電流信号を生成し、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷの電源に電流信号を提供する。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷの電源は、電流信号を受信すると、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのデジタル信号プロセッサによってホスト・コンピュータ・システムのプロセッサから受信したパラメータ・レベルおよび周波数を有するＲＦ信号２１８を生成する。ＲＦ信号２１８は、ＲＦケーブル１１２を通じてＲＦ整合器の入力Ｉ４に供給される。
同様に、ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、転送媒体ＴＭ２を介して副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサにデータ信号を送信し、データ信号は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷが生成するＲＦ信号２０８Ａの周波数ｆ０、ＲＦ信号２０８Ａの基本周波数およびＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相等、基本周波数におけるパラメータ・レベルを含む。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、ＲＦ信号２０８Ａのパラメータ・レベル、基本周波数および位相を受信し、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器にパラメータ・レベルを提供し、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器に位相を提供し、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器に基本周波数を提供する。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器は、パラメータ・レベルを受信すると、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのドライバ・システムにパラメータ・レベルを提供する。また、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器は、位相を受信すると、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのドライバ・システムに位相を提供する。更に、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器は、基本周波数を受信すると、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのドライバ・システムに基本周波数を提供する。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのドライバ・システムは、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器から受信したパラメータ・レベル、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器から受信した位相、および副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器から受信した基本周波数に基づき電流信号を生成し、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの電源に電流信号を提供する。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの電源は、電流信号を受信すると、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサによってホスト・コンピュータ・システムのプロセッサから受信したパラメータ・レベル、位相および基本周波数を有するＲＦ信号２０８Ａを生成する。ＲＦ信号２０８Ａは、ＲＦケーブル１１４Ａを通じてＲＦ整合器の入力Ｉ１に供給される。
副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器からＲＦ信号２０８Ａの基本周波数を得、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷが生成するＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数を生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの周波数制御器は、ＲＦ信号２０８Ａの基本周波数を得、基本周波数に（ｎ−１）等の乗数を乗じ、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数を生成する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの周波数制御器は、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数を生成し、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間の所定の周波数差を達成し、第（ｎ−１）次高調波周波数を基本周波数で固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのドライバ・システムにＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数を提供する。
所定の周波数差は、基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの周波数制御器は、所定の周波数差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を周波数制御器のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのメモリ・デバイスから所定の周波数差にアクセスし、エッチング率における所定の均一性を達成する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器からＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷが生成するＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器は、ＲＦ信号２０８Ａのパラメータ・レベルを得、パラメータ・レベルに加算又はパラメータ・レベルから減算し、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器は、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成し、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差を達成し、第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのドライバ・システムにＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。
所定のパラメータ・レベル差は、基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器は、所定のパラメータ・レベル差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係をパラメータ制御器のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのメモリ・デバイスから所定のパラメータ・レベル差にアクセスし、エッチング率における所定の均一性を達成する。
また、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの位相制御器は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器からＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相を得、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷが生成するＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの位相制御器は、ＲＦ信号２０８Ａの位相を得、位相を時間ｔに沿ってずらし、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの位相制御器は、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成し、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間の所定のパラメータ・レベル差を達成し、第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を基本周波数における位相で固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの位相制御器は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのドライバ・システムにＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を提供する。
所定の位相差（位相差分）は、基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの位相制御器は、所定の位相差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を位相制御器のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの位相制御器は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのメモリ・デバイスから所定の位相差にアクセスし、エッチング率における所定の均一性を達成する。エッチング率における所定の均一性とは、基板Ｓの上面にわたる径方向エッチングの均一性であることに更に留意されたい。
副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのドライバ・システムは、第（ｎ−１）次高調波周波数における周波数、第（ｎ−１）次高調波周波数における位相、および第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータを受信すると、こうした周波数、位相およびパラメータから電流信号を生成する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの電源は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのドライバ・システムから電流信号を受信すると、第（ｎ−１）次高調波周波数における周波数、第（ｎ−１）次高調波周波数における位相および第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号２０８Ｂを生成し、ＲＦケーブル１１４Ｂを介してＲＦ整合器の入力Ｉ２にＲＦ信号２０８Ｂを供給する。
更に、同様の様式で、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器からＲＦ信号２０８Ａの基本周波数を得、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷが生成するＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数を生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの周波数制御器は、ＲＦ信号２０８Ｃの基本周波数を得、基本周波数にｎ等の乗数を乗じ、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数を生成する。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの周波数制御器は、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数を生成し、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間の所定の周波数差(周波数差分)を達成し、第ｎ次高調波周波数を基本周波数で固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのドライバ・システムにＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数を提供する。
所定の周波数差は、基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの周波数制御器は、所定の周波数差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を周波数制御器のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのメモリ・デバイスから所定の周波数差にアクセスし、エッチング率における所定の均一性を達成する。
更に、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器からＲＦ信号２０８Ｃの基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷが生成するＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器は、ＲＦ信号２０８Ｃのパラメータ・レベルを得、パラメータ・レベルに加算又はパラメータ・レベルから減算し、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成する。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器は、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成し、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差（パラメータ・レベル差分）を達成し、第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器は、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのドライバ・システムにＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。
所定のパラメータ・レベル差は、基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器は、所定のパラメータ・レベル差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係をパラメータ制御器のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器は、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのメモリ・デバイスから所定のパラメータ・レベル差にアクセスし、エッチング率における所定の均一性を達成する。
また、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの位相制御器は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器からＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相を得、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷが生成するＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相を生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの位相制御器は、ＲＦ信号２０８Ａの位相を得、位相を時間ｔに沿ってずらし、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相を生成する。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの位相制御器は、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相を生成し、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間の所定の位相差を達成し、第ｎ次高調波周波数における位相を基本周波数における位相で固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの位相制御器は、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのドライバ・システムにＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相を提供する。
所定の位相差は、基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの位相制御器は、所定の位相差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を位相制御器のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの位相制御器は、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのメモリ・デバイスから所定の位相差にアクセスし、エッチング率における所定の均一性を達成する。
副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのドライバ・システムは、第ｎ次高調波周波数における周波数、第ｎ次高調波周波数における位相、第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを受信すると、こうした周波数、位相およびパラメータから電流信号を生成する。副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの電源は、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのドライバ・システムから電流信号を受信すると、第ｎ次高調波周波数における周波数、第ｎ次高調波周波数における位相および第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号２０８Ｃを生成し、ＲＦケーブル１１４Ｃを介してＲＦ整合器の入力Ｉ３にＲＦ信号２０８Ｃを供給する。
ＲＦ整合器は、ＲＦ信号２１８、２０８Ａ、２０８Ｂおよび２０８Ｃを受信すると、出力Ｏ１に結合した負荷のインピーダンスと、入力Ｉ１〜Ｉ４に結合した供給源のインピーダンスとを整合し、修正ＲＦ信号を生成し、修正ＲＦ信号を組み合わせ、例えば足し、出力Ｏ１で修正ＲＦ信号２１０を生成する。入力Ｉ１〜Ｉ４に結合した供給源の一例は、ＲＦ生成器ＬＧＦＣＷ、ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷ、並びにＲＦケーブル１１２および１１４Ａから１１４Ｃを含む。修正ＲＦ信号２１０は、ＲＦ伝送線路１１６を介してプラズマ室のチャック２１２に供給される。１つ又は複数の処理ガスおよび修正ＲＦ信号２１０をプラズマ室に供給すると、プラズマがプラズマ室内で衝突するか又は生成され、基板Ｓを処理する。ＲＦ信号２０８Ａのパラメータ・レベル、位相および周波数を制御することによって、ＲＦ信号２０８Ｂのパラメータ・レベル、位相および周波数、ＲＦ信号２０８Ｃのパラメータ・レベル、位相および周波数、プラズマ室内のプラズマのプラズマ・シースのＲＦ高調波と、プラズマ室内のプラズマ・シースのｆ０等の基本周波数との間の関係は制御され、基板Ｓの上面にわたる径方向エッチング均一性を達成する。
いくつかの実施形態では、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのデジタル信号プロセッサＤＳＰ、パラメータ制御器ＰＲおよび周波数制御器ＦＣは、制御器と取り替えられる。例えば、本明細書で説明する、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのデジタル信号プロセッサＤＳＰ、パラメータ制御器ＰＲおよび周波数制御器ＦＣが実施する機能は、代わりに、制御器によって実施される。
様々な実施形態では、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサ、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器および副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの制御器と取り替えられる。例えば、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサ、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのパラメータ制御器、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの位相制御器および副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの周波数制御器が実施する機能は、代わりに、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの制御器によって実施される。また、いくつかの実施形態では、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの位相制御器および副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの制御器によって取り替えられ、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの位相制御器、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの制御器によって取り替えられる。例えば、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの位相制御器および副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの周波数制御器が実施する機能は、代わりに、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷの制御器によって実施され、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの位相制御器、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの周波数制御器が実施する機能は、代わりに、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷの制御器によって実施される。
いくつかの実施形態では、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷは、任意の数の副生成器を含む。例えば、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷは、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷ又はＨＦＧｆｎＣＷを除外する。別の例として、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷは、図２に示す以外の１つ又は複数の追加の副生成器、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ＋１）ＣＷおよび副生成器ＨＦＧｆ（ｎ＋２）ＣＷ等を含む。
様々な実施形態では、チャック２１２は、接地電位に結合され、上側電極は、修正ＲＦ信号２１０を受信するようにＲＦ伝送線路１１６に結合される。
いくつかの実施形態では、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの制御器ＰＲｆ０、φｆ０、ＦＣｆ０、ＰＲｆ（ｎ−１）、φｆ（ｎ−１）、ＦＣｆ（ｎ−１）、ＰＲｆｎ、φｆｎおよびＦＣｆｎ、並びにデジタル信号プロセッサＤＳＰは、単一制御器に統合される。例えば、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの制御器ＰＲｆ０、φｆ０、ＦＣｆ０、ＰＲｆ（ｎ−１）、φｆ（ｎ−１）、ＦＣｆ（ｎ−１）、ＰＲｆｎ、φｆｎおよびＦＣｆｎ、並びにデジタル信号プロセッサＤＳＰが実施する機能は、単一制御器のプロセッサによって実施される。単一制御器は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのドライバ・システム、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷおよび副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのドライバ・システムに結合される。単一制御器は、プロセッサとメモリ・デバイスとを含み、プロセッサは、メモリ・デバイスに結合される。本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの制御器ＰＲｆ０、φｆ０、ＦＣｆ０、ＰＲｆ（ｎ−１）、φｆ（ｎ−１）、ＦＣｆ（ｎ−１）、ＰＲｆｎ、φｆｎおよびＦＣｆｎ、並びにデジタル信号プロセッサＤＳＰが実施する機能は、単一制御器のプロセッサによって実行されるコンピュータ・モジュール又はコンピュータ・プログラムである。
様々な実施形態では、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの制御器ＰＲｆ０、φｆ０、ＦＣｆ０、ＰＲｆ（ｎ−１）、φｆ（ｎ−１）、ＦＣｆ（ｎ−１）、ＰＲｆｎ、φｆｎおよびＦＣｆｎ、並びにデジタル信号プロセッサＤＳＰが実施する機能を実施する単一制御器は、ホスト・コンピュータの一部である。例えば、単一制御器のプロセッサは、ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサと同じであり、単一制御器のメモリ・デバイスは、ホスト・コンピュータのメモリ・デバイスと同じである。いくつかの実施形態では、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷの制御器ＰＲｆ０、φｆ０、ＦＣｆ０、ＰＲｆ（ｎ−１）、φｆ（ｎ−１）、ＦＣｆ（ｎ−１）、ＰＲｆｎ、φｆｎおよびＦＣｆｎ、並びにデジタル信号プロセッサＤＳＰが実施する機能を実施する単一制御器は、ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷ内に位置し、ホスト・コンピュータのプロセッサに結合される。
いくつかの実施形態では、本明細書で説明する、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのパラメータ制御器ＰＲおよび周波数制御器ＦＣが実施する機能は、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのデジタル信号プロセッサＤＳＰによって実施される。これらの実施形態では、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのデジタル信号プロセッサは、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのドライバ・システムに結合される。
更に、様々な実施形態では、本明細書で説明する、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷの制御器ＰＲおよびＦＣ並びに低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのデジタル信号プロセッサＤＳＰが実施する機能は、ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサによって実施される。これらの実施形態では、ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷのドライバ・システムに結合される。
図３Ａは、プラズマ室内のプラズマの高調波の多重状態制御を示すシステム３００の一実施形態の図である。システム３００は、図１Ａの低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧの一例である低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳを含む。システム３００は、図１Ａの高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧの一例である高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳを更に含む。システム３００は、ＲＦ整合器とプラズマ室とを更に含む。
低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳは、デジタル信号プロセッサＤＳＰと、状態Ｓ１のためのパラメータ制御器ＰＲＳ１と、状態Ｓ１のための周波数制御器ＦＣＳ１と、状態Ｓ０のための別のパラメータ制御器ＰＲＳ０と、状態Ｓ０のための周波数制御器ＦＣＳ０と、ドライバ・システムＤＲＶＲと、電源ユニットＰＳＵとを含む。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサは、状態Ｓ１のためのパラメータ制御器、状態Ｓ０のためのパラメータ制御器、状態Ｓ１のための周波数制御器および状態Ｓ０のための周波数制御器に結合される。制御器ＰＲＳ１、ＰＲＳ０、ＦＣＳ０およびＦＣＳ１は、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのドライバ・システムＤＲＶＲに結合され、ドライバ・システムＤＲＶＲは、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳの電源ユニットＰＳＵに結合される。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳの電源ユニットは、ＲＦケーブル１１２を介してＲＦ整合器の入力Ｉ４に結合される。
高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳは、副生成器ＨＦＧ０ＭＳと、別の副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳと、また別の副生成器ＨＦＧｆｎＭＳとを含む。副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳは、周波数ｆ０等の基本周波数で動作し、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳは、第（ｎ−１）次高調波周波数で動作し、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳは、第ｎ次高調波周波数で動作する。
副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳは、デジタル信号プロセッサＤＳＰと、状態Ｓ１のためのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１と、状態Ｓ０のための別のパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ０と、状態Ｓ１のための位相制御器φｆ０Ｓ１と、状態Ｓ０のための別の位相制御器φｆ０Ｓ０と、状態Ｓ１のための周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１と、状態Ｓ０のための別の周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０とを含む。副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳは、ドライバ・システムＤＲＶＲと電源ＰＳＵｆ０とを更に含む。
副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１およびＰＲｆ０Ｓ０、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１およびＦＣｆ０Ｓ０、並びに位相制御器φｆ０Ｓ１およびφｆ０Ｓ０に結合される。パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１およびＰＲｆ０Ｓ０、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１およびＦＣｆ０Ｓ０、並びに位相制御器φｆ０Ｓ１およびφｆ０Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに結合され、ドライバ・システムは、電源ＰＳＵｆ０に結合される。電源ＰＳＵｆ０は、ＲＦケーブル１１４Ａに結合される。
同様に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳは、状態Ｓ１のためのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１と、状態Ｓ０のための別のパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０と、状態Ｓ１のための位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１と、状態Ｓ０のための別の位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０と、状態Ｓ１のための周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１と、状態Ｓ０のための別の周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０と、を含む。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳは、ドライバ・システムＤＲＶＲと電源ＰＳＵｆ（ｎ−１）を更に含む。
副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのデジタル信号プロセッサは、パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１およびＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１およびＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０、並びに位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１およびφｆ（ｎ−１）Ｓ０に結合される。パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１およびＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１およびＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０、並びに位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１およびφｆ（ｎ−１）Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムに結合され、ドライバ・システムは、電源ＰＳＵｆ（ｎ−１）に結合される。電源ＰＳＵｆ（ｎ−１）は、ＲＦケーブル１１４Ｂに結合される。
また、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳは、デジタル信号プロセッサＤＳＰと、状態Ｓ１のためのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１と、状態Ｓ０のための別のパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０と、状態Ｓ１のための位相制御器φｆｎＳ１と、状態Ｓ０のための別の位相制御器φｆｎＳ０と、状態Ｓ１のための周波数制御器ＦＣｆｎＳ１と、状態Ｓ０のための別の周波数制御器ＦＣｆｎＳ０とを含む。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳは、ドライバ・システムＤＲＶＲと電源ＰＳＵｆ０とを更に含む。
副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのデジタル信号プロセッサは、パラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１およびＰＲｆｎＳ０、周波数制御器ＦＣｆｎＳ１およびＦＣｆｎＳ０、並びに位相制御器φｆｎＳ１およびφｆｎＳ０に結合される。パラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１およびＰＲｆｎＳ０、周波数制御器ＦＣｆｎＳ１およびＦＣｆｎＳ０、並びに位相制御器φｆｎＳ１およびφｆｎＳ０は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムに結合され、ドライバ・システムは、電源ＰＳＵｆｎに結合される。電源ＰＳＵｆｎは、ＲＦケーブル１１４Ｃに結合される。
更に、状態Ｓ１のためのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１は、状態Ｓ１のためのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１に結合され、状態Ｓ１のためのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１は、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１に結合される。同様に、状態Ｓ０のためのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０は、状態Ｓ０のためのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ０に結合され、状態Ｓ０のためのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０は、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ０に結合される。
また、状態Ｓ１のための位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１は、状態Ｓ１のための位相制御器φｆ０Ｓ１に結合され、状態Ｓ１のための位相制御器φｆｎＳ１は、位相制御器φｆ０Ｓ１に結合される。同様に、状態Ｓ０のための位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０は、状態Ｓ０のための位相制御器φｆ０Ｓ０に結合され、状態Ｓ０のための位相制御器φｆｎＳ０は、状態Ｓ０のための位相制御器φｆ０Ｓ０に結合される。
更に、状態Ｓ１のための周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１は、状態Ｓ１のための周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１に結合され、状態Ｓ１のための周波数制御器ＦＣｆｎＳ１は、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１に結合される。同様に、状態Ｓ０のための周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０は、状態Ｓ０のための周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０に結合され、状態Ｓ０のための周波数制御器ＦＣｆｎＳ０は、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０に結合される。
システム３００は、ホスト・コンピュータ・システムを含む。ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、転送媒体ＴＭ１を介して低周波数ＲＦ生成器ＬＧＦＭＳのデジタル信号プロセッサに結合され、転送媒体ＴＭ２を介して高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサに結合される。更に、コンピュータ・システムのプロセッサは、転送媒体ＴＭ３を介して低周波数ＲＦ生成器ＬＧＦＭＳのデジタル信号プロセッサに結合され、転送媒体ＴＭ４を介して高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサに結合される。
ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、転送媒体ＴＭ３を介して低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサにトランジスタ−トランジスタ論理（ＴＴＬ）信号等のクロック信号を送信し、転送媒体ＴＭ１を介して低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサにデータ信号も送信する。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳに送信されるデータ信号は、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳが生成するＲＦ信号３１８の状態Ｓ１のためのパラメータ・レベル、ＲＦ信号３１８の状態Ｓ０のためのパラメータ・レベル、ＲＦ信号３１８の状態Ｓ１のための周波数、およびＲＦ信号３１８の状態Ｓ０のための周波数を含む。
低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサは、クロック信号を受信し、クロック信号の状態がＳ１又はＳ０であるか否かを決定する。例えば、クロック信号が論理レベル１を有するという決定に応答して、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサは、クロック信号の状態がＳ１であると決定する。更に、クロック信号が論理レベル０を有するという決定に応答して、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサは、クロック信号の状態がＳ０であると決定する。別の例として、クロック信号が所定の論理レベルよりも大きい論理レベルを有するという決定に応答して、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサは、クロック信号の状態がＳ１であると決定する。一方、クロック信号が所定の論理レベルよりも小さい論理レベルを有するという決定に応答して、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサは、クロック信号の状態がＳ０であると決定する。
クロック信号の状態Ｓ１の間、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサは、状態Ｓ１のためのパラメータ・レベルをパラメータ制御器ＰＲＳ１に送信し、状態Ｓ１のための周波数を周波数制御器ＦＣＳ１に送信する。同様に、クロック信号の状態Ｓ０の間、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサは、状態Ｓ０のためのパラメータ・レベルをパラメータ制御器ＰＲＳ０に送信し、状態Ｓ０のための周波数を周波数制御器ＦＣＳ０に送信する。
クロック信号の状態Ｓ１の間、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのパラメータ制御器ＰＲＳ１は、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ１のためのパラメータ・レベルを提供する。また、クロック信号の状態Ｓ１の間、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳの周波数制御器ＦＣＳ１は、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ１のための周波数を提供する。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのドライバ・システムは、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのパラメータ制御器ＰＲＳ１から受信した状態Ｓ１のためのパラメータ・レベル、および周波数制御器ＦＣＳ１から受信した状態Ｓ１のための周波数に基づき電流信号を生成し、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳの電源に電流信号を提供する。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳの電源は、電流信号を受信すると、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサによってホスト・コンピュータ・システムのプロセッサから受信した状態Ｓ１のためのパラメータ・レベルおよび状態Ｓ１のための周波数を有するＲＦ信号３１８の一部分を生成する。
同様に、クロック信号の状態Ｓ０の間、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのパラメータ制御器ＰＲＳ０は、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ０のためのパラメータ・レベルを提供する。また、クロック信号の状態Ｓ０の間、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳの周波数制御器ＦＣＳ０は、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ０のための周波数を提供する。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのドライバ・システムは、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのパラメータ制御器ＰＲＳ０から受信した状態Ｓ０のためのパラメータ・レベル、および周波数制御器ＦＣＳ０から受信した状態Ｓ０のための周波数に基づき電流信号を生成し、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳの電源に電流信号を提供する。低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳの電源は、電流信号を受信すると、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサによってホスト・コンピュータ・システムのプロセッサから受信した状態Ｓ０のためのパラメータ・レベルおよび状態Ｓ０のための周波数を有するＲＦ信号３１８の一部分を生成する。状態Ｓ１のための部分および状態Ｓ０のための部分を有するＲＦ信号３１８は、ＲＦケーブル１１２を通じてＲＦ整合器の入力Ｉ４に供給される。
同様の様式で、ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、転送媒体ＴＭ４を介して高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサにクロック信号を送信し、転送媒体ＴＭ２を介して副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサにデータ信号も送信する。高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳに送信されたデータ信号は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための周波数ｆ０等の基本周波数におけるパラメータ・レベル、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための周波数ｆ０等の基本周波数におけるパラメータ・レベル、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相、およびＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相を含む。
いくつかの実施形態では、状態Ｓ０のための副生成器の基本周波数の値は、状態Ｓ１のための副生成器の基本周波数とは異なることに留意されたい。例えば、状態Ｓ１のための基本周波数は、状態Ｓ０のための基本周波数よりも少なくともｂ％大きい又は小さく、ｂは、５％以上２０％以下の範囲である。同様に、状態Ｓ０のための副生成器の基本周波数における位相の値は、状態Ｓ１のための副生成器の基本周波数における位相の値とは異なり、状態Ｓ０のための副生成器の基本周波数におけるパラメータ・レベルは、状態Ｓ１のための副生成器の基本周波数におけるパラメータ・レベルとは異なる。例えば、状態Ｓ１のための基本周波数における位相は、状態Ｓ０のための基本周波数における位相よりも少なくともｂ％大きい又は小さく、状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルは、状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルよりも少なくともｂ％大きい又は小さい。
高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、クロック信号を受信し、クロック信号の状態がＳ１又はＳ０であるか否かを決定する。副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによるクロック信号の状態Ｓ１又はＳ０の決定は、上記の低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサによるクロック信号の状態１又はＳ０の決定と同じように行われる。
クロック信号の状態Ｓ１の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルをパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１に送信し、状態Ｓ１のための基本周波数を位相制御器φｆ０Ｓ１に送信し、状態Ｓ１のための基本周波数を周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１に送信する。同様に、クロック信号の状態Ｓ０の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルをパラメータ制御器ＰＲＳ０に送信し、状態Ｓ０のための基本周波数を位相制御器φｆ０Ｓ０に送信し、状態Ｓ０のための基本周波数を周波数制御器ＦＣＳ０に送信する。
更に、クロック信号の状態Ｓ１の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。また、クロック信号の状態Ｓ１の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ１のための基本周波数を提供する。クロック信号の状態Ｓ１の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ１のための基本周波数における位相を提供する。
高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムは、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１から受信した状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベル、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１から受信した状態Ｓ１のための基本周波数、および位相制御器φｆ０Ｓ１から受信した状態Ｓ１のための位相に基づき電流信号を生成し、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの電源に電流信号を提供する。副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの電源は、電流信号を受信すると、状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベル、状態Ｓ１のための基本周波数における位相および状態Ｓ１のための基本周波数を有するＲＦ信号３０８Ａの一部分を生成する。
同様に、クロック信号の状態Ｓ０の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。また、クロック信号の状態Ｓ０の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ０のための基本周波数を提供する。クロック信号の状態Ｓ０の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ０のための基本周波数における位相を提供する。
高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムは、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ０から受信した状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベル、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０から受信した状態Ｓ０のための基本周波数、および位相制御器φｆ０Ｓ０から受信した状態Ｓ０のための位相に基づき電流信号を生成し、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの電源に電流信号を提供する。副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの電源は、電流信号を受信すると、状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベル、状態Ｓ０のための現象周波数における位相および状態Ｓ０のための基本周波数を有するＲＦ信号３０８Ａの一部分を生成する。状態Ｓ１のための部分および状態Ｓ０のための部分を有するＲＦ信号３０８Ａは、ＲＦケーブル１１４Ａを通じてＲＦ整合器の入力Ｉ１に供給される。
副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数を得、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数を生成する。例えば、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１は、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数を得、状態Ｓ１のための基本周波数に（ｎ−１）等の乗数を乗じ、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数を生成する。周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１は、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数を生成し、第（ｎ−１）次高調波周波数とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数との間の所定の周波数差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数をＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数で固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数を提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の周波数差は、状態Ｓ１のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の周波数差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１は、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の周波数差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数を得、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数を生成する。一例として、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０は、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数を得、状態Ｓ０のための基本周波数に（ｎ−１）等の乗数を乗じ、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数を生成する。周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０は、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数を生成し、第（ｎ−１）次高調波周波数とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数との間の所定の周波数差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数をＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数で固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数を提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の周波数差は、状態Ｓ０のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の周波数差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０は、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の周波数差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、ＲＦ信号３０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における状態Ｓ１のためのパラメータ・レベルを生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１は、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、パラメータ・レベルに加算又はパラメータ・レベルから減算し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成する。パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１は、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルをＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差は、状態Ｓ１のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係をパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１は、パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ０からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、ＲＦ信号３０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における状態Ｓ０のためのパラメータ・レベルを生成する。例えば、パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０は、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルをＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差は、状態Ｓ０のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係をパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０は、パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
また、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ１からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相を得、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１は、ＲＦ信号３０８Ａの位相を得、位相を時間ｔに沿ってずらし、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成する。例示すると、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１は、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相との間の所定の位相差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相をＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相で固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の位相差は、状態Ｓ１のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の位相差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１は、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の位相差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ１のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ０からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相を得、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０は、ＲＦ信号３０８Ａの位相を得、位相を時間ｔに沿ってずらし、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成する。例示すると、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０は、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相との間の所定の位相差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相をＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相で固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の位相差は、状態Ｓ０のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の位相差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０は、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の位相差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｂの状態Ｓ０のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムは、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における周波数、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを受信すると、こうした周波数、位相およびパラメータから電流信号を生成する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの電源は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムから電流信号を受信すると、状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における周波数、状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相および状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号３０８Ｂの一部分を生成する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムは、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における周波数、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを受信すると、こうした周波数、位相およびパラメータから電流信号を生成する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの電源は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムから電流信号を受信すると、状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における周波数、状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相および状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号３０８Ｂの一部分を生成する。ドライバ・システムは、状態Ｓ１のための部分および状態Ｓ０のための部分を有するＲＦ信号３０８Ｂを、ＲＦケーブル１１４Ｂを通じてＲＦ整合器の入力Ｉ２に供給する。
更に、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数を得、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数を生成する。例えば、周波数制御器ＦＣｆｎＳ１は、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数を得、状態Ｓ１のための基本周波数にｎ等の乗数を乗じ、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数を生成する。周波数制御器ＦＣｆｎＳ１は、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数を生成し、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数と基本周波数との間の所定の周波数差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数をＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数で固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数を提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の周波数差は、状態Ｓ１のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ１は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の周波数差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を周波数制御器ＦＣｆｎＳ１のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ１は、周波数制御器ＦＣｆｎＳ１のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の周波数差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数を得、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数を生成する。一例として、周波数制御器ＦＣｆｎＳ０は、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数を得、状態Ｓ０のための基本周波数にｎ等の乗数を乗じ、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数を生成する。周波数制御器ＦＣｆｎＳ０は、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数を生成し、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数と基本周波数との間の所定の周波数差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数をＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数で固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ０は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数を提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の周波数差は、状態Ｓ０のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ０は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の周波数差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を周波数制御器ＦＣｆｎＳ０のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ０は、周波数制御器ＦＣｆｎＳ０のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の周波数差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
更に、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、ＲＦ信号３０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における状態Ｓ１のためのパラメータ・レベルを生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１は、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、パラメータ・レベルに加算又はパラメータ・レベルから減算し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成する。例えば、パラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１は、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルをＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差は、状態Ｓ１のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係をパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１は、パラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ０からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、ＲＦ信号３０８Ｂの第ｎ次高調波周波数における状態Ｓ０のためのパラメータ・レベルを生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０は、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、パラメータ・レベルに加算又はパラメータ・レベルから減算し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成する。例示すると、パラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０は、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルをＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差は、状態Ｓ０のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係をパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０は、パラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
また、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ１からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相を得、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相を生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ１は、ＲＦ信号３０８Ａの位相を得、位相を時間ｔに沿ってずらし、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相を生成する。例示すると、位相制御器φｆｎＳ１は、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相を生成し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相との間の所定の位相差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相をＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相で固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ１は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相を提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の位相差は、状態Ｓ１のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ１は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の位相差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を位相制御器φｆｎＳ１のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ１は、位相制御器φｆｎＳ１のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の位相差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ１のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ０からＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相を得、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相を生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ０は、ＲＦ信号３０８Ａの位相を得、位相を時間ｔに沿ってずらし、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相を生成する。例示すると、位相制御器φｆｎＳ０は、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相を生成し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相との間の所定の位相差を達成し、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相をＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相で固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ０は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムにＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相を提供する。
ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の位相差は、状態Ｓ０のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ０は、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の位相差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を位相制御器φｆｎＳ０のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ０は、位相制御器φｆｎＳ０のメモリ・デバイスからＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の位相差にアクセスし、ＲＦ信号３０８Ａおよび３０８Ｃの状態Ｓ０のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムは、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における周波数、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを受信すると、こうした周波数、位相およびパラメータから電流信号を生成する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの電源は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムから電流信号を受信すると、状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における周波数、状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相および状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号３０８Ｃの一部分を生成する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムは、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における周波数、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを受信すると、こうした周波数、位相およびパラメータから電流信号を生成する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの電源は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムから電流信号を受信すると、状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における周波数、状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相および状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号３０８Ｃの一部分を生成する。ドライバ・システムは、状態Ｓ１のための部分および状態Ｓ０のための部分を有するＲＦ信号３０８Ｃを、ＲＦケーブル１１４Ｃを通じてＲＦ整合器の入力Ｉ３に供給する。
ＲＦ信号３１８は、図１ＡのＲＦ信号１１８の一例であり、ＲＦ信号３０８Ａは、図１ＡのＲＦ信号１０８Ａの一例であり、ＲＦ信号３０８Ｂは、図１ＡのＲＦ信号１０８Ｂの一例であり、ＲＦ信号３０８Ｃは、図１ＡのＲＦ信号１０８Ｃの一例であることに留意されたい。ＲＦ信号３１８および３０８〜３０８Ｃのそれぞれは、状態Ｓ１およびＳ０を有する多重状態信号である。
ＲＦ整合器は、ＲＦ信号３１８、３０８Ａ、３０８Ｂおよび３０８Ｃの受信に応じて、出力Ｏ１に結合した負荷のインピーダンスと、入力Ｉ１〜Ｉ４に結合した供給源のインピーダンスとを整合し、修正ＲＦ信号３１８、３０８Ａ、３０８Ｂおよび３０８Ｃを修正し、修正ＲＦ信号を組み合わせ、例えば足し、出力Ｏ１で修正ＲＦ信号３１０を生成する。入力Ｉ１〜Ｉ４に結合した供給源の一例は、ＲＦ生成器ＬＧＦＭＳ、ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳ、並びにＲＦケーブル１１２および１１４Ａから１１４Ｃを含む。修正ＲＦ信号３１０は、ＲＦ伝送線路１１６を介してプラズマ室のチャック２１２に供給される。１つ又は複数の処理ガスおよび修正ＲＦ信号３１０をプラズマ室に供給すると、プラズマがプラズマ室内で衝突するか又は生成され、基板Ｓを処理する。クロック信号の状態Ｓ１の間、ＲＦ信号３０８Ａのパラメータ・レベル、位相および／又は周波数を制御することによって、クロック信号の状態Ｓ０の間のＲＦ信号３０８Ａのパラメータ・レベル、位相および／又は周波数、クロック信号の状態Ｓ０の間のＲＦ信号３０８Ｂのパラメータ・レベル、位相および／又は周波数、クロック信号の状態Ｓ１の間のＲＦ信号３０８Ｃのパラメータ・レベル、位相および／又は周波数、並びに／又はクロック信号の状態Ｓ０の間のＲＦ信号３０８Ａのパラメータ・レベル、位相および／又は周波数、プラズマ室内のプラズマ・シースのＲＦ高調波と、プラズマ室内のプラズマ・シースのｆ０等の基本周波数との間の関係は制御され、基板Ｓの上面にわたる径方向エッチング均一性を達成する。
いくつかの実施形態では、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサＤＳＰ、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのパラメータ制御器ＰＲＳ１および低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳの周波数制御器ＦＣＳ１は、制御器と取り替えられる。例えば、本明細書で説明する、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサＤＳＰ、パラメータ制御器ＰＲＳ１および周波数制御器ＦＣＳ１が実施する機能は、代わりに、制御器によって実施される。同様に、様々な実施形態では、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサＤＳＰ、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのパラメータ制御器ＰＲＳ０および低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳの周波数制御器ＦＣＳ０は、制御器と取り替えられる。
様々な実施形態では、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサ、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ１および副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの制御器と取り替えられる。例えば、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサ、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ１および副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１が実施する機能は、制御器によって実施される。同様に、いくつかの実施形態では、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサ、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ０、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ０および副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの制御器と取り替えられる。例えば、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサ、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ０、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ０および副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０が実施する機能は、制御器によって実施される。
また、いくつかの実施形態では、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１、および副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの制御器と取り替えられる。例えば、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１、および副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１が実施する機能は、制御器によって実施される。同様に、いくつかの実施形態では、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０、および副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの制御器と取り替えられる。例えば、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１、および副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１が実施する機能は、制御器によって実施される。
様々な実施形態では、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ１および副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ１は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの制御器と取り替えられる。例えば、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ１および副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ１が実施する機能は、制御器によって実施される。同様に、いくつかの実施形態では、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ０および副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ０は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの制御器と取り替えられる。例えば、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ０および副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ０が実施する機能は、制御器によって実施される。
いくつかの実施形態では、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳは、任意の数の副生成器を含む。例えば、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳは、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳ又はＨＦＧｆｎＭＳを除外する。別の例として、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳは、図３Ａに示す以外の１つ又は複数の追加の副生成器、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ＋１）ＭＳおよび副生成器ＨＦＧｆ（ｎ＋２）ＭＳ等を含む。
様々な実施形態では、２つの状態ではなく、基本周波数ｆ０を有する３つの状態、４つの状態、５つの状態等の３つ以上の状態を有するＲＦ信号は、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳによって生成される。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳ、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳのＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳ又はＨＦＧｆｎＭＳ等の副生成器は、状態Ｓ２を含むように修正される。例示すると、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳは、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ２と、位相制御器φｆ０Ｓ２と、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ２とを含み、これらは全て副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサおよび副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに結合される。別の例示として、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳは、パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ２と、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ２と、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ２とを含み、これらは全て副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムに結合される。また、パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ２は、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ２に結合され、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ２は、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ２に結合され、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ２は、位相制御器φｆ０Ｓ２に結合される。また別の例示として、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳは、パラメータ制御器ＰＲｆｎＳ２と、位相制御器φｆｎＳ２と、周波数制御器ＦＣｆｎＳ２とを含み、これらは全て副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムに結合される。また、パラメータ制御器ＰＲｆｎＳ２は、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ２に結合され、周波数制御器ＦＣｆｎＳ２は、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ２に結合され、位相制御器φｆｎＳ２は、位相制御器φｆ０Ｓ２に結合される。
これらの実施形態では、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ２、位相制御器φｆ０Ｓ２、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ２を上記と同様に制御し、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１およびＰＲｆ０Ｓ０、位相制御器φｆ０Ｓ１およびφｆ０Ｓ０、並びに周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１およびＦＣｆ０Ｓ０を制御する。クロック信号ではなく、副生成器ＨＦｆ０Ｍｓのデジタル信号プロセッサは、転送媒体ＴＭ４を介してホスト・コンピュータ・システムのプロセッサから３つの異なる論理レベル等の３つの状態を有するデジタル・パルス信号を受信し、３つの状態Ｓ０、Ｓ１およびＳ２のそれぞれを識別する。ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、３つの状態を有するデジタル・パルス信号を生成する。
更に、実施形態では、ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、転送媒体ＴＭ２を介して副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサにデータ信号を送信する。状態Ｓ０およびＳ１のための基本周波数ｆ０におけるパラメータ・レベル、状態Ｓ０およびＳ１のための基本周波数、状態Ｓ０およびＳ１のための基本周波数における位相に加えて、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳに送信されるデータ信号は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベルと、同じＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数における位相と、ＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数とを含む。
４つ以上の状態が使用されるこれらの実施形態では、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ１およびＰＲｆ０Ｓ０、位相制御器φｆ０Ｓ１およびφｆ０Ｓ０、並びに周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１およびＦＣｆ０Ｓ０を制御し、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ０およびＳ１を、状態Ｓ０およびＳ１の少なくとも１つが生じる時間期間がＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０およびＳ１が生じる時間期間よりも短いことを除いて、上記と同様に生成する。更に、デジタル・パルス信号の状態Ｓ２の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベルをパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ２に送信し、状態Ｓ２のための基本周波数を位相制御器φｆ０Ｓ２に送信し、状態Ｓ２のための基本周波数を周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ２に送信する。
更に、これらの実施形態では、デジタル・パルス信号の状態Ｓ２の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。また、デジタル・パルス信号の状態Ｓ２の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ２のための基本周波数を提供する。クロック信号の状態Ｓ２の間、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムに状態Ｓ２のための基本周波数における位相を提供する。
これらの実施形態では、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳの副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システムは、パラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ２から受信した状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベル、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ２から受信した状態Ｓ２のための基本周波数、および位相制御器φｆ０Ｓ２から受信した状態Ｓ２のための位相に基づき電流信号を生成し、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの電源に電流信号を提供する。副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの電源は、電流信号を受信すると、状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベル、状態Ｓ２のための基本周波数における位相および状態Ｓ２のための基本周波数を有するＲＦ信号の一部分を生成する。
これらの実施形態を続けると、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ１およびＳ０は、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１およびＳ０を生成する副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳと同様に生成される。更に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ２から、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数を得、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数を生成する。例えば、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数を得、状態Ｓ２のための基本周波数に（ｎ−１）等の乗数を乗じ、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数を生成する。周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数を生成し、状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数と副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数との間の所定の周波数差を達成し、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数を副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数で固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムに副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数を提供する。
副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の周波数差は、状態Ｓ２のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の周波数差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ２のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ２は、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ２のメモリ・デバイスから副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の周波数差にアクセスし、ＲＦ信号の状態Ｓ２のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ２から副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の第（ｎ−１）次高調波周波数における状態Ｓ２のためのパラメータ・レベルを生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、パラメータ・レベルに加算又はパラメータ・レベルから減算し、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成する。パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成し、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差を達成し、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムに副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。
副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳおよびＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定のパラメータ・レベル差は、状態Ｓ２のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定のパラメータ・レベル差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係をパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ２のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ２は、パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ２のメモリ・デバイスから副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定のパラメータ・レベル差にアクセスし、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
また、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ２から、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数における位相を得、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の位相を得、位相を時間ｔに沿ってずらし、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成する。例示すると、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を生成し、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相と副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数における位相との間の所定の位相差を達成し、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数における位相で固定する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムに副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を提供する。
副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の位相差は、状態Ｓ２のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ２は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の位相差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ２のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ２は、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ２のメモリ・デバイスから副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の位相差にアクセスし、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムは、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数における周波数、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを受信すると、こうした周波数、位相およびパラメータから電流信号を生成する。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳの電源は、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システムから電流信号を受信すると、状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数における周波数、状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相および状態Ｓ２のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号の一部分を生成する。
状態Ｓ２の間、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号のパラメータ・レベルは、状態Ｓ０の間の同じＲＦ信号のパラメータ・レベルおよび状態Ｓ１の間の同じＲＦ信号のパラメータ・レベルとは異なる、例えば、より大きいか又はより小さいことに留意されたい。例えば、状態Ｓ２の間、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号のパラメータ・レベルは、状態Ｓ１の間の同じＲＦ信号のパラメータ・レベルよりもｃ％大きいか又は小さく、状態Ｓ１の間の同じＲＦ信号のパラメータ・レベルは、状態Ｓ０の間の同じＲＦ信号のパラメータ・レベルよりもｄ％大きいか又は小さく、ｃは、５％から２０％の範囲におよび、これらの両端を含み、ｄは、５％以上２０％以下の範囲である。同様に、状態Ｓ２の間、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するの位相は、状態Ｓ１の間の同じＲＦ信号の位相とはｃ％異なる、例えば、ｃ％より大きいか又はより小さく、状態Ｓ１の間、同じＲＦ信号の位相は、状態Ｓ０の間の同じＲＦ信号の位相とはｄ％異なる、例えば、ｄ％より大きいか又はより小さい。また、状態Ｓ２の間、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳが生成するＲＦ信号の周波数は、状態Ｓ１の間の同じＲＦ信号の周波数とはｃ％異なる、例えば、ｃ％より大きいか又はより小さく、状態Ｓ１の間、同じＲＦ信号の周波数は、状態Ｓ０の間の同じＲＦ信号の周波数とはｄ％異なる、例えば、ｄ％より大きいか又はより小さい。
これらの実施形態では、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号のＳ１およびＳ０は、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１およびＳ０を生成する副生成器ＨＦＧｆｎＭＳと同様に生成される。更に、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ２から、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数を得、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数を生成する。例えば、周波数制御器ＦＣｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数を得、状態Ｓ２のための基本周波数にｎ等の乗数を乗じ、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数を生成する。周波数制御器ＦＣｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数を生成し、第ｎ次高調波周波数と副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数との間の所定の周波数差を達成し、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数を副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数で固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムに副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数を提供する。
副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳおよびＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の周波数差は、状態Ｓ２のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の周波数差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を周波数制御器ＦＣｆｎＳ２のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの周波数制御器ＦＣｆｎＳ２は、周波数制御器ＦＣｆｎＳ２のメモリ・デバイスから副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の周波数差にアクセスし、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
更に、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ０Ｓ２から副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成する状態Ｓ２のためのＲＦ信号の基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の第ｎ次高調波周波数における状態Ｓ２のためのパラメータ・レベルを生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを得、パラメータ・レベルに加算又はパラメータ・レベルから減算し、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成する。パラメータ制御器ＰＲｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを生成し、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差を達成し、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムに副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを提供する。
副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳおよびＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定のパラメータ・レベル差は、状態Ｓ２のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定のパラメータ・レベル差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係をパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ２のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ２は、パラメータ制御器ＰＲｆｎＳ２のメモリ・デバイスから副生成器ＨＦＧｆｎＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態２のための所定のパラメータ・レベル差にアクセスし、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ１のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
また、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの位相制御器φｆ０Ｓ２から、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数における位相を得、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数における位相を生成する。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の位相を得、位相を時間ｔに沿ってずらし、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数における位相を生成する。例示すると、位相制御器φｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数における位相を生成し、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数における位相と副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数における位相との間の所定の位相差を達成し、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数における位相を副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための基本周波数における位相で固定する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムに副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数における位相を提供する。
副生成器ＨＦＧｆｎＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の位相差は、状態Ｓ２のための基板Ｓをエッチングするエッチング率における所定の均一性に対応することに留意されたい。例えば、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ２は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の位相差とエッチング率における所定の均一性との間の１対１の対応又は関連等の関係を位相制御器φｆｎＳ２のメモリ・デバイス内に保存している。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの位相制御器φｆｎＳ２は、位相制御器φｆｎＳ２のメモリ・デバイスから副生成器ＨＦＧｆｎＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための所定の位相差にアクセスし、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳおよびＨＦＧｆ０ＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のためのエッチング率における所定の均一性を達成する。
副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムは、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数における周波数、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数における位相、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを受信すると、こうした周波数、位相およびパラメータから電流信号を生成する。副生成器ＨＦＧｆｎＭＳの電源は、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムから電流信号を受信すると、状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数における周波数、状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数における位相および状態Ｓ２のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを有するＲＦ信号の一部分を生成する。
状態Ｓ２の間、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号のパラメータ・レベルは、状態Ｓ０の間の同じＲＦ信号のパラメータ・レベルおよび状態Ｓ１の間の同じＲＦ信号のパラメータ・レベルとは異なる、例えば、より大きいか又はより小さいことに留意されたい。例えば、状態Ｓ２の間、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号のパラメータ・レベルは、状態Ｓ１の間の同じＲＦ信号のパラメータ・レベルよりもｃ％大きいか又は小さく、状態Ｓ１の間の同じＲＦ信号のパラメータ・レベルは、状態Ｓ０の間の同じＲＦ信号のパラメータ・レベルよりもｄ％大きいか又は小さく、ｃは、５％以上２０％以下の範囲であり、ｄは、５％以上２０％以下の範囲である。同様に、状態Ｓ２の間、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の位相は、状態Ｓ１の間の同じＲＦ信号の位相とはｃ％異なる、例えば、ｃ％より大きいか又はより小さく、状態Ｓ１の間、同じＲＦ信号の位相は、状態Ｓ０の間の同じＲＦ信号の位相とはｄ％異なる、例えば、ｄ％より大きいか又はより小さい。また、状態Ｓ２の間、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳが生成するＲＦ信号の周波数は、状態Ｓ１の間の同じＲＦ信号の周波数とはｃ％異なる、例えば、ｃ％より大きいか又はより小さく、状態Ｓ１の間、同じＲＦ信号の周波数は、状態Ｓ０の間の同じＲＦ信号の周波数とはｄ％異なる、例えば、ｄ％より大きいか又はより小さい。
３つ以上の状態は、クロック・サイクルの間に生じることに更に留意されたい。例えば、３つの状態Ｓ０、Ｓ１およびＳ２は、図３Ｂを参照しながら以下で説明する時間ｔ２と時間０との間の時間期間内で生じる。例えば、デジタル・パルス信号の各サイクルは、図３Ｂを参照しながら以下で説明するクロック・サイクル３５０の対応するサイクルの間に生じる。
いくつかの実施形態では、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの制御器ＰＲｆ０Ｓ１、φｆ０Ｓ１、ＦＣｆ０Ｓ１、ＰＲｆ０Ｓ０、φｆ０Ｓ０、ＦＣｆ０Ｓ０、ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、φｆ（ｎ−１）Ｓ１、ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１、ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、φｆ（ｎ−１）Ｓ０、ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０、ＰＲｆｎＳ１、φｆｎＳ１、ＦＣｆｎＳ１、ＰＲｆｎＳ０、φｆｎＳ０、およびＦＣｆｎＳ０、並びに副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサＤＳＰは、単一制御器に統合される。例えば、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの制御器ＰＲｆ０Ｓ１、φｆ０Ｓ１、ＦＣｆ０Ｓ１、ＰＲｆ０Ｓ０、φｆ０Ｓ０、ＦＣｆ０Ｓ０、ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、φｆ（ｎ−１）Ｓ１、ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１、ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、φｆ（ｎ−１）Ｓ０、ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０、ＰＲｆｎＳ１、φｆｎＳ１、ＦＣｆｎＳ１、ＰＲｆｎＳ０、φｆｎＳ０、およびＦＣｆｎＳ０、並びに副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサＤＳＰが実施する機能は、代わりに、単一制御器のプロセッサによって実施される。単一制御器は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのドライバ・システム、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのドライバ・システム、および副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのドライバ・システムに結合される。単一制御器は、プロセッサとメモリ・デバイスとを含み、プロセッサは、メモリ・デバイスに結合される。本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの制御器ＰＲｆ０Ｓ１、φｆ０Ｓ１、ＦＣｆ０Ｓ１、ＰＲｆ０Ｓ０、φｆ０Ｓ０、ＦＣｆ０Ｓ０、ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、φｆ（ｎ−１）Ｓ１、ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１、ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、φｆ（ｎ−１）Ｓ０、ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０、ＰＲｆｎＳ１、φｆｎＳ１およびＦＣｆｎＳ１、ＰＲｆｎＳ０、φｆｎＳ０、およびＦＣｆｎＳ０、並びに副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサＤＳＰが実施する機能は、単一制御器のプロセッサによって実行されるコンピュータ・モジュール又はコンピュータ・プログラムである。
様々な実施形態では、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの制御器ＰＲｆ０Ｓ１、φｆ０Ｓ１、ＦＣｆ０Ｓ１、ＰＲｆ０Ｓ０、φｆ０Ｓ０、ＦＣｆ０Ｓ０、ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、φｆ（ｎ−１）Ｓ１、ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１、ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、φｆ（ｎ−１）Ｓ０、ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０、ＰＲｆｎＳ１、φｆｎＳ１、ＦＣｆｎＳ１、ＰＲｆｎＳ０，φｆｎＳ０、およびＦＣｆｎＳ０、並びに副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサＤＳＰが実施する機能を実施する単一制御器は、ホスト・コンピュータの一部である。例えば、単一制御器のプロセッサは、ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサと同じであり、単一制御器のメモリ・デバイスは、ホスト・コンピュータのメモリ・デバイスと同じである。いくつかの実施形態では、本明細書で説明する、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳの制御器ＰＲｆ０Ｓ１、φｆ０Ｓ１、ＦＣｆ０Ｓ１、ＰＲｆ０Ｓ０、φｆ０Ｓ０、ＦＣｆ０Ｓ０、ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、φｆ（ｎ−１）Ｓ１、ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１、ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、φｆ（ｎ−１）Ｓ０、ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０、ＰＲｆｎＳ１、φｆｎＳ１、ＦＣｆｎＳ１、ＰＲｆｎＳ０、φｆｎＳ０、およびＦＣｆｎＳ０、並びに副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサＤＳＰが実施する機能を実施する単一制御器は、ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳ内に位置し、ホスト・コンピュータのプロセッサに結合される。
いくつかの実施形態では、本明細書で説明する、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのパラメータ制御器ＰＲＳ１およびＰＲＳ０および周波数制御器ＦＣＳ１およびＦＣＳ０が実施する機能は、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサＤＳＰによって実施される。これらの実施形態では、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサは、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのドライバ・システムに結合される。
更に、様々な実施形態では、本明細書で説明する、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷの制御器ＰＲＳ１、ＰＲＳ０、ＦＣＳ１、およびＦＣＳ０並びに低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのデジタル信号プロセッサＤＳＰが実施する機能は、ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサによって実施される。これらの実施形態では、ホスト・コンピュータ・システムのプロセッサは、低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳのドライバ・システムに結合される。
図３Ｂは、多重状態信号である多重ＲＦ信号３５２Ａ、３５２Ｂおよび３５２Ｃの実施形態を示し、多重ＲＦ信号３５２Ａ、３５２Ｂおよび３５２Ｃは、クロック信号３５０の状態Ｓ１およびＳ０と同期した状態でパラメータ・レベルを交互にし、クロック信号３５０は、上記クロック信号の一例である。ＲＦ信号３５２Ａは、図３ＡのＲＦ信号３０８Ａの一例であり、ＲＦ信号３５２Ｂは、図３ＡのＲＦ信号３０８Ｂの一例であり、ＲＦ信号３５２Ｃは、図３ＡのＲＦ信号８Ｃの一例である。
ＲＦ信号３５２Ａは、クロック信号３５０の状態Ｓ１の間、パラメータ・レベルＰＬ４を有し、ＲＦ信号３５２Ｂは、状態Ｓ１の間、パラメータ・レベルＰＬ３を有し、ＲＦ信号３５２Ｃは、状態Ｓ１の間、パラメータ・レベルＰＬ２を有する。更に、ＲＦ信号３５２Ａは、クロック信号３５０の状態Ｓ０の間、パラメータ・レベルＰＬ３を有し、ＲＦ信号３５２Ｂは、状態Ｓ０の間、パラメータ・レベルＰＬ５を有し、ＲＦ信号３５２Ｃは、状態Ｓ０の間、パラメータ・レベルＰＬ１を有する。
ＲＦ信号３５２Ａは、パラメータ・レベルＰＬ４とＰＬ３との間をクロック信号３５０と同期する状態で移行する。例えば、ＲＦ信号３５２Ａは、パラメータ・レベルＰＬ４からパラメータ・レベルＰＬ３に実質的に同時に、例えば、クロック信号３５０が論理レベル１から論理レベル０に移行する時間ｔ１で、又は時間ｔ１から所定の時間期間内で移行する。ＲＦ信号３５２Ａは、パラメータ・レベルＰＬ３からパラメータ・レベルＰＬ４に実質的に同時に、例えば、クロック信号３５０が論理レベル０から論理レベル１に移行する時間ｔ２で、又は時間ｔ２から所定の時間期間内で移行する。
同様に、ＲＦ信号３５２Ｂは、パラメータ・レベルＰＬ３とＰＬ５との間をクロック信号３５０と同期する状態で移行する。例えば、ＲＦ信号３５２Ｂは、パラメータ・レベルＰＬ３からパラメータ・レベルＰＬ５に実質的に同時に、クロック信号３５０が論理レベル１から論理レベル０に移行する時間ｔ１で移行する。ＲＦ信号３５２Ｂは、パラメータ・レベルＰＬ５からパラメータ・レベルＰＬ３に実質的に同時に、クロック信号３５０が論理レベル０から論理レベル１に移行する時間ｔ２で移行する。
更に、ＲＦ信号３５２Ｃは、パラメータ・レベルＰＬ２とＰＬ１との間をクロック信号３５０と同期する状態で移行する。例えば、ＲＦ信号３５２Ｃは、パラメータ・レベルＰＬ２からパラメータ・レベルＰＬ１に実質的に同時に、クロック信号３５０が論理レベル１から論理レベル０に移行する時間ｔ１で移行する。ＲＦ信号３５２Ｃは、パラメータ・レベルＰＬ１からパラメータ・レベルＰＬ２に実質的に同時に、クロック信号３５０が論理レベル０から論理レベル１に移行する時間ｔ２で移行する。
いくつかの実施形態では、ＲＦ信号３５２Ａのパラメータ・レベルは、クロック信号３５０の状態Ｓ０の間、クロック信号３５０の状態Ｓ１の間のＲＦ信号３５２Ａのパラメータ・レベルよりも大きいことに留意されたい。更に、様々な実施形態では、ＲＦ信号３５２Ｂのパラメータ・レベルは、クロック信号３５０の状態Ｓ０の間、クロック信号３５０の状態Ｓ１の間のＲＦ信号３５２Ｂのパラメータ・レベルよりも小さいことに留意されたい。また、いくつかの実施形態では、ＲＦ信号３５２Ｃのパラメータ・レベルは、クロック信号３５０の状態Ｓ０の間、クロック信号３５０の状態Ｓ１の間のＲＦ信号３５２Ｃのパラメータ・レベルよりも大きいことに留意されたい。
様々な実施形態では、ＲＦ信号は、状態Ｓ０の間、状態Ｓ１の間のＲＦ信号の周波数とは異なる周波数を有する。例えば、ＲＦ信号３５２Ａは、状態Ｓ０の間に第１の周波数を有し、状態Ｓ１の間に第２の周波数を有する。ＲＦ信号３５２Ａは、第１の周波数の出現と第２の周波数の出現との間を周期的に移行する。第１の周波数は、第２の周波数とは異なる。例えば、第１の周波数は、第２の周波数よりも所定の量大きいか又は小さい。例示すると、第１の周波数は、第２の周波数よりもａ％大きいか又は小さく、ａは、５％以上２０％以下の範囲である。同様に、ＲＦ信号３５２Ｂは、状態Ｓ０の間に第３の周波数を有し、状態Ｓ１の間に第４の周波数を有し、第３の周波数は、第４の周波数よりもａ％大きいか又は小さい。ＲＦ信号３５２Ｂは、第３の周波数の出現と第４の周波数の出現との間を周期的に移行する。また、ＲＦ信号３５２Ｃは、状態Ｓ０の間に第５の周波数を有し、状態Ｓ１の間に第６の周波数を有し、第５の周波数は、第６の周波数よりもａ％大きいか又は小さい。ＲＦ信号３５２Ｃは、第５の周波数の出現と第６の周波数の出現との間を周期的に移行する。
図４は、ＲＦ信号２０８Ａのパラメータ・レベル、位相および基本周波数、ＲＦ信号２０８Ｂのパラメータ・レベル、位相および基本周波数、並びにＲＦ信号２０８Ｃのパラメータ・レベル、位相および基本周波数の制御を示すシステム４００の一実施形態の図である。システム４００は、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷとＲＦ整合器とを含む。ＲＦ整合器は、電力感知ユニット又は電圧感知ユニット等のパラメータ感知ユニットＰＳを更に含む。パラメータ感知ユニットの一例は、複合電流・電圧センサ又は複合電圧センサを含む。複合電流・電圧センサは、電流の大きさ、電圧の大きさ、および電流の大きさと電圧の大きさとの間の位相を測定する。電圧センサは、電圧の大きさおよび位相を含む複合電圧を測定する。パラメータ感知ユニットは、ＲＦ整合器内に位置する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）、位相制御器φｆ（ｎ−１）および周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサに結合される。また、副生成器ＨＦＧｆｎＣＷのパラメータ制御器ＰＲｆｎ、位相制御器φｆｎおよび周波数制御器ＦＣｆｎは、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサに結合される。
パラメータ感知ユニットは、導体等のケーブル４０２を介して副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサに結合される。パラメータ感知ユニットは、電気信号を生成するために図２のＲＦ信号２０８Ａ、２０８Ｂおよび２０８Ｃが生成する磁界Ｂを感知する。パラメータ感知ユニットが生成する電気信号は、ケーブル４０２を介して副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサに伝達される。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、電気信号内のデータにフーリエ変換を適用することによって、電気信号を分析し、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベル、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベル、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相、およびパラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを識別する。
副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数が測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数と、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間で測定した周波数差が、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数と測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間で測定した周波数差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサによって計算され、周波数制御器ＦＣｆ０およびＦＣｆ（ｎ−１）に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定した周波数差が、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じではないことを決定すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆ０、又はＦＣｆ（ｎ−１）、又は周波数制御器ＦＣｆ０およびＦＣｆ（ｎ−１）の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を周波数制御器ＦＣｆ０、又は周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）、又は周波数制御器ＦＣｆ０および周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）の両方に送信する。周波数制御器ＦＣｆ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで、基本周波数ｆ０を修正し、ＲＦ信号２０８Ａの基本周波数を変更する。同様に、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数を修正する。
同様の様式で、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数が測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数と、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間で測定した周波数差が、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数と測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間で測定した周波数差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサによって計算され、周波数制御器ＦＣｆ０およびＦＣｆｎに送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定した周波数差が、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じではないことを決定すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆ０、又はＦＣｆｎ、又は周波数制御器ＦＣｆ０およびＦＣｆｎの両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を周波数制御器ＦＣｆ０、又は周波数制御器ＦＣｆｎ、又は周波数制御器ＦＣｆ０およびＦＣｆｎの両方に送信する。周波数制御器ＦＣｆ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで、基本周波数ｆ０を修正し、ＲＦ信号２０８Ａの基本周波数を変更する。同様に、周波数制御器ＦＣｆｎは、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数を修正する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相が、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相と、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間で測定した位相差が、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相と測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間で測定した位相差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサによって計算され、位相制御器φｆ０およびφｆ（ｎ−１）に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定した位相差が、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、測定した位相差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、位相制御器φｆ０、又はφｆ（ｎ−１）、又は位相制御器φｆ０およびφｆ（ｎ−１）の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を位相制御器φｆ０、又は位相制御器φｆ（ｎ−１）、又は位相制御器φｆ０およびφｆ（ｎ−１）の両方に送信する。位相制御器φｆ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定した位相差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、基本周波数ｆ０における位相を修正し、ＲＦ信号２０８Ａの基本周波数ｆ０における位相を変更する。同様に、位相制御器φｆ（ｎ−１）は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定した位相差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を修正する。
同様の様式で、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相が測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相と、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間で測定した位相差が、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相と測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間で測定した位相差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサによって計算され、位相制御器φｆ０およびφｆｎに送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定した位相差が、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、測定した位相差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、位相制御器φｆ０、又はφｆｎ、又は位相制御器φｆ０およびφｆｎの両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を位相制御器φｆ０、又は位相制御器φｆｎ、又は位相制御器φｆ０およびφｆｎの両方に送信する。位相制御器φｆ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定した位相差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、基本周波数ｆ０における位相を修正し、ＲＦ信号２０８Ａの基本周波数ｆ０における位相を変更する。同様に、位相制御器φｆｎは、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定した位相差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相を修正する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルが、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサによって計算され、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０およびＰＲｆ（ｎ−１）に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したパラメータ・レベル差が所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０、又はＰＲｆ（ｎ−１）、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０およびＰＲｆ（ｎ−１）の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号をパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ（ｎ−１）、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０およびＰＲｆ（ｎ−１）の両方に送信する。パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したパラメータ・レベル差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、基本周波数ｆ０におけるパラメータ・レベルを修正し、ＲＦ信号２０８Ａの基本周波数ｆ０におけるパラメータ・レベルを変更する。同様に、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ（ｎ−１）は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したパラメータ・レベル差が所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを修正する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルが、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号２０８Ｃの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるかどうかを決定する。測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサによって計算され、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０およびＰＲｆｎに送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したパラメータ・レベル差が所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０、又はＰＲｆｎ、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０およびＰＲｆｎの両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号をパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆｎ、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０およびＰＲｆｎの両方に送信する。パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したパラメータ・レベル差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、基本周波数ｆ０におけるパラメータ・レベルを修正し、ＲＦ信号２０８Ａの基本周波数ｆ０におけるパラメータ・レベルを変更する。同様に、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆｎは、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したパラメータ・レベル差が所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを修正する。
電源ＰＳＵｆ０は、修正基本周波数、又は基本周波数における修正位相、又は基本周波数における修正パラメータ・レベル又はそれらの組合せを有するＲＦ信号４０８Ａを生成し、ＲＦケーブル１１４Ａを介してＲＦ整合器の入力Ｉ１にＲＦ信号４０８Ａを供給する。更に、電源ＰＳＵｆ（ｎ−１）は、第（ｎ−１）次修正高調波周波数、又は第（ｎ−１）次高調波周波数における修正位相、又は第（ｎ−１）次高調波周波数における修正パラメータ・レベル又はそれらの組合せを有するＲＦ信号４０８Ｂを生成し、ＲＦケーブル１１４Ｂを介してＲＦ整合器の入力Ｉ２にＲＦ信号４０８Ｂを供給する。また、電源ＰＳＵｆｎは、第ｎの修正高調波周波数、又は第ｎの高調波周波数における修正位相、又は第ｎの高調波周波数における修正パラメータ・レベル又はそれらの組合せを有するＲＦ信号４０８Ｃを生成し、ＲＦケーブル１１４Ｃを介してＲＦ整合器の入力Ｉ３にＲＦ信号４０８Ｃを供給する。
ＲＦ整合器は、図２Ａの低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷからＲＦ信号４０８Ａ〜４０８ＣおよびＲＦ信号２１８を受信すると、出力Ｏ１に結合した負荷のインピーダンスと、入力Ｉ１〜Ｉ４に結合した供給源のインピーダンスとを整合し、修正ＲＦ信号を生成し、修正ＲＦ信号を組み合わせ、例えば合計し、修正ＲＦ信号４１０を生成する。ＲＦ整合器は、ＲＦ伝送線路１１６を介して修正ＲＦ信号４１０をプラズマ室のチャック２１２（図２Ａ）に供給する。修正ＲＦ信号をプラズマ室に供給すると、径方向エッチング均一性を達成するようにプラズマ室内のプラズマ・シースのＲＦ高調波が制御される。
図５は、図３ＡのＲＦ信号３０８Ａのパラメータ・レベル、位相および基本周波数、図３ＡのＲＦ信号３０８Ｂのパラメータ・レベル、位相および基本周波数、並びに図３ＡのＲＦ信号３０８Ｃのパラメータ・レベル、位相および基本周波数の制御を示すシステム５００の一実施形態の図である。システム５００は、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＭＳとＲＦ整合器とを含む。副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１および周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサに結合される。また、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ１、位相制御器φｆｎＳ１および周波数制御器ＦＣｆｎＳ１は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサに結合される。
同様に、副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０および周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサに結合される。また、副生成器ＨＦＧｆｎＭＳのパラメータ制御器ＰＲｆｎＳ０、位相制御器φｆｎＳ０および周波数制御器ＦＣｆｎＳ０は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサに結合される。
パラメータ感知ユニットは、ケーブル４０２を介して副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサに結合される。パラメータ感知ユニットは、電気信号を生成するため、図３ＡのＲＦ信号３０８Ａ、３０８Ｂおよび３０８Ｃが生成する磁界Ｂを感知する。パラメータ感知ユニットが生成する電気信号は、ケーブル４０２を介して副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサに伝達される。副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、電気信号内のデータにフーリエ変換を適用することによって、電気信号を分析し、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベル、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを識別する。
副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、電気信号内のデータにフーリエ変換を適用することによって電気信号を更に分析し、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベル、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相、およびパラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを識別する。
副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサも、電気信号内のデータにフーリエ変換を適用することによって電気信号を分析し、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベル、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数、パラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相、およびパラメータ感知ユニットが測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを識別する。
副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数が、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数と、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数との間で測定した周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数と測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数との間で測定した周波数差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１およびＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１、又はＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１、又は周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１およびＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１、又は周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１、又は周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１および周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１の両方に送信する。周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための周波数差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数を修正する。同様に、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための周波数差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数を修正する。
副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサも、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数が、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数と、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数との間で測定した周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数と測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数との間で測定した周波数差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０およびＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０、又はＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０、又は周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０およびＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０、又は周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０、又は周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０および周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０の両方に送信する。周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための周波数差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数ｆ０を修正する。同様に、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）Ｓ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための周波数差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数を修正する。
同様の様式で、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数が、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数と、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数との間で測定した周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数と測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数との間で測定した周波数差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１およびＦＣｆｎＳ１に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１、又はＦＣｆｎＳ１、又は周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１およびＦＣｆｎＳ１の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１、又は周波数制御器ＦＣｆｎＳ１、又は周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１およびＦＣｆｎＳ１の両方に送信する。周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための周波数差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数を修正する。同様に、周波数制御器ＦＣｆｎＳ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための周波数差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数を修正する。
副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数が、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数で固定されているか否かも決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数と、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数との間で測定した周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数と測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数との間で測定した周波数差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０およびＦＣｆｎＳ０に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための周波数差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０、又はＦＣｆｎＳ０、又は周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０およびＦＣｆｎＳ０の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０、又は周波数制御器ＦＣｆｎＳ０、又は周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０およびＦＣｆｎＳ０の両方に送信する。周波数制御器ＦＣｆ０Ｓ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための周波数差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数ｆ０を修正する。同様に、周波数制御器ＦＣｆｎＳ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための周波数差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数を修正する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相が、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相と、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相との間で測定した位相差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相と測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相との間で測定した位相差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、位相制御器φｆ０Ｓ１およびφｆ（ｎ−１）Ｓ１に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための位相差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための位相差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の位相差と実質的に同じになるまで、位相制御器φｆ０Ｓ１、又はφｆ（ｎ−１）Ｓ１、又は位相制御器φｆ０Ｓ１およびφｆ（ｎ−１）Ｓ１の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を位相制御器φｆ０Ｓ１、又は位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１、又は位相制御器φｆ０Ｓ１およびφｆ（ｎ−１）Ｓ１の両方に送信する。位相制御器φｆ０Ｓ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための位相差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の位相差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数ｆ０における位相を修正する。同様に、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための位相差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定の位相差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を修正する。
同様の様式で、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相が、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相と、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相との間で測定した位相差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相と測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相との間で測定した位相差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、位相制御器φｆ０Ｓ０およびφｆ（ｎ−１）Ｓ０に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための位相差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための位相差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、位相制御器φｆ０Ｓ０、又はｆ（ｎ−１）Ｓ０、又は位相制御器φｆ０Ｓ０およびφｆ（ｎ−１）Ｓ０の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を位相制御器φｆ０Ｓ０、又は位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０、又は位相制御器φｆ０Ｓ０およびφｆ（ｎ−１）Ｓ０の両方に送信する。位相制御器φｆ０Ｓ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための位相差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の位相差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数ｆ０における位相を修正する。同様に、位相制御器φｆ（ｎ−１）Ｓ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための位相差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定の位相差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における位相を修正する。
同様の様式で、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相が、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相と、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相との間で測定した位相差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相と測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相との間で測定した位相差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、位相制御器φｆ０Ｓ１およびφｆｎＳ１に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための位相差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための位相差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、位相制御器φｆ０Ｓ１、又はφｆｎＳ１、又は位相制御器φｆ０Ｓ１およびφｆｎＳ１の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を位相制御器φｆ０Ｓ１、又は位相制御器φｆｎＳ１、又は位相制御器φｆ０Ｓ１およびφｆｎＳ１の両方に送信する。位相制御器φｆ０Ｓ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための位相差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の位相差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数ｆ０における位相を修正する。同様に、位相制御器φｆｎＳ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための位相差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定の位相差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における位相を修正する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相が、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相で固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相と、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相との間で測定した位相差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相と測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相との間で測定した位相差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、位相制御器φｆ０Ｓ０およびφｆｎＳ０に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための位相差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相とＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための位相差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の周波数差と実質的に同じになるまで、位相制御器φｆ０Ｓ０、又はφｆｎＳ０、又は位相制御器φｆ０Ｓ０およびφｆｎＳ０の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号を位相制御器φｆ０Ｓ０、又は位相制御器φｆｎＳ０、又は位相制御器φｆ０Ｓ０およびφｆｎＳ０の両方に送信する。位相制御器φｆ０Ｓ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための位相差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の位相差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数ｆ０における位相を修正する。同様に、位相制御器φｆｎＳ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための位相差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定の位相差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における位相を修正する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルが、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１およびＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のためのパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のためのパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１、又はＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１およびＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号をパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１およびＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１の両方に送信する。パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のためのパラメータ・レベル差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルを修正する。同様に、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のためのパラメータ・レベル差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを修正する。
また、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルが、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０およびＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のためのパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のためのパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０、又はＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０およびＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号をパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０およびＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０の両方に送信する。パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のためのパラメータ・レベル差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数ｆ０におけるパラメータ・レベルを修正する。同様に、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ（ｎ−１）Ｓ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のためのパラメータ・レベル差がＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｂの状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを修正する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルが、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１又はＰＲｆｎＳ１に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のためのパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のためのパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１、又はＰＲｆｎＳ１、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１およびＰＲｆｎＳ１の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号をパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆｎＳ１、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１およびＰＲｆｎＳ１の両方に送信する。パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のためのパラメータ・レベル差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ１のための基本周波数ｆ０におけるパラメータ・レベルを修正する。同様に、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆｎＳ１は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のためのパラメータ・レベル差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数ｆ０におけるパラメータ・レベルを修正する。
また、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルが、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定されているか否かを決定する。例えば、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと、測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じ、例えば、等しい、又は所定の範囲内であるか否かを決定する。測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルと測定したＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間で測定したパラメータ・レベル差は、副生成器ＨＦＧｆ０ＭＳのデジタル信号プロセッサによって計算され、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０又はＰＲｆｎＳ０に送信される。
デジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のためのパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じではないことを決定すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のためのパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０、又はＰＲｆｎＳ０、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０およびＰＲｆｎＳ０の両方を制御する。例えば、デジタル信号プロセッサは、信号をパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆｎＳ０、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０およびＰＲｆｎＳ０の両方に送信する。パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０Ｓ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のためのパラメータ・レベル差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ａの状態Ｓ０のための基本周波数ｆ０におけるパラメータ・レベルを修正する。同様に、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆｎＳ０は、デジタル信号プロセッサから信号を受信すると、測定したＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のためのパラメータ・レベル差がＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ＲＦ信号３０８Ｃの状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルを修正する。
電源ＰＳＵｆ０は、クロック信号の状態Ｓ１のための修正基本周波数、およびクロック信号の状態Ｓ０のための修正基本周波数、又は状態Ｓ１のための基本周波数における修正位相、および状態Ｓ０のための基本周波数における修正位相、又は状態Ｓ１のための基本周波数における修正パラメータ・レベル、および状態Ｓ０のための基本周波数における修正パラメータ・レベル、又はそれらの組合せを有するＲＦ信号５０８Ａを生成し、ＲＦケーブル１１４Ａを介してＲＦ整合器の入力Ｉ１にＲＦ信号５０８Ａを供給する。更に、電源ＰＳＵｆ（ｎ−１）は、クロック信号の状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次修正高調波周波数、ＲＦ信号５０８Ｂを生成し、クロック信号の状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次修正高調波周波数、又は状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における修正位相、および状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における修正位相、又は状態Ｓ１のための第（ｎ−１）次高調波周波数における修正パラメータ・レベル、および状態Ｓ０のための第（ｎ−１）次高調波周波数における修正パラメータ・レベル、又はそれらの組合せを有するＲＦ信号５０８Ｂを生成し、ＲＦケーブル１１４Ｂを介してＲＦ整合器の入力Ｉ２にＲＦ信号５０８Ｂを供給する。また、電源ＰＳＵｆｎは、クロック信号の状態Ｓ１のための第ｎの修正高調波周波数、およびクロック信号の状態Ｓ０のための第ｎの修正高調波周波数、又は状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における修正位相、および状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における修正位相、又は状態Ｓ１のための第ｎ次高調波周波数における修正パラメータ・レベル、および状態Ｓ０のための第ｎ次高調波周波数における修正パラメータ・レベル、又はそれらの組合せを有するＲＦ信号５０８Ｃを生成し、ＲＦケーブル１１４Ｃを介してＲＦ整合器の入力Ｉ３にＲＦ信号５０８Ｃを供給する。
ＲＦ整合器は、図３Ａの低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＭＳからＲＦ信号５０８Ａ〜５０８Ｃおよび図３ＡのＲＦ信号３１８を受信すると、出力Ｏ１に結合した負荷のインピーダンスと、入力Ｉ１〜Ｉ４に結合した供給源のインピーダンスとを整合し、修正ＲＦ信号を生成し、修正ＲＦ信号を組み合わせ、例えば合計し、修正ＲＦ信号５１０を生成する。ＲＦ整合器は、ＲＦ伝送線路１１６を介して修正ＲＦ信号５１０をプラズマ室のチャック２１２（図３Ａ）に供給する。修正ＲＦ信号５１０をプラズマ室に適用すると、プラズマ室内のプラズマ・シースのＲＦ高調波が制御され、径方向エッチング均一性を達成する。
ＲＦ信号３０８Ａ〜３０８Ｃのそれぞれは、同じ時間期間の間、同じ状態を有することに留意されたい。例えば、ＲＦ信号３０８Ａ、３０８Ｂおよび３０８Ｃのそれぞれは、図３Ｂの時間ｔ１と０との間の時間期間の間、状態Ｓ１を有し、図３Ｂのクロック信号３５０は、状態Ｓ１を有する。また、ＲＦ信号３０８Ａ、３０８Ｂおよび３０８Ｃのそれぞれは、図３Ｂの時間ｔ１とｔ２との間の時間期間の間、状態Ｓ０を有し、クロック信号３５０は、状態Ｓ０を有する。同様に、修正ＲＦ信号５０８Ａ〜５０８Ｃは、同じ時間期間の間、同じ状態を有する。
いくつかの実施形態では、本明細書で説明するＲＦ信号の各パラメータ・レベルは、ＲＦ信号の包絡線である。例えば、本明細書で説明するＲＦ信号のパラメータ・レベルは、ＲＦ信号のゼロからピークまでの大きさ又はＲＦ信号のピークからピークまでの大きさを含む。
図６は、ＲＦ整合器内の１つ又は複数の可変構成要素の制御を示すシステム６００の一実施形態の図であり、１つ又は複数の可変構成要素は、図２ＡのＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数および図２ＡのＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数を図２ＡのＲＦ信号２０８Ａの基本周波数に固定し、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相およびＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相をＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相に固定し、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルおよびＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルをＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルに固定する。システム６００は、高周波数ＲＦ生成器ＨＦＧＣＷとＲＦ整合器とを含む。ＲＦ整合器は、可変構成要素回路ＶＣｆ０を含み、可変構成要素回路ＶＣｆ０は、直列又は並列又は分路として互いに結合される１つ又は複数の可変構成要素を含む。本明細書で使用する可変構成要素の例は、誘導器および蓄電器を含む。可変構成要素回路ＶＦｆ０は、入力Ｉ１およびモータ・システムＭＣｆ０に結合され、モータ・システムＭＣｆ０は、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ０に更に結合される。本明細書で使用するモータ・システムの一例は、電気エネルギーを機械的エネルギーに変換する直流（ＤＣ）モータ又は交流（ＡＣ）モータ等の１つ又は複数の電気モータを含む。ドライバ・システムＤＲＶＲｆ０は、パラメータ制御器ＰＲｆ０、位相制御器φｆ０および周波数制御器ＦＣｆ０に結合される。
ＲＦ整合器は、上記で示した例のように互いに結合される１つ又は複数の可変構成要素を含む別の可変構成要素回路ＶＣｆ（ｎ−１）を更に含む。可変構成要素回路ＶＦｆ（ｎ−１）は、入力Ｉ２およびモータ・システムＭＣｆ（ｎ−１）に結合され、モータ・システムＭＣｆ（ｎ−１）は、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ（ｎ−１）に更に結合される。ドライバ・システムＤＲＶＲｆ（ｎ−１）は、パラメータ制御器ＰＲｆ（ｎ−１）、位相制御器φｆ（ｎ−１）および周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）に結合される。
ＲＦ整合器は、上記で示した例のように互いに結合される１つ又は複数の可変構成要素を含むまた別の可変構成要素回路ＶＣｆｎを含む。可変構成要素回路ＶＣｆｎは、入力Ｉ３およびモータ・システムＭＣｆｎに結合され、モータ・システムＭＣｆｎは、ドライバ・システムＤＲＶＲｆｎに更に結合される。ドライバ・システムＤＲＶＲｆｎは、パラメータ制御器ＰＲｆｎ、位相制御器φｆｎおよび周波数制御器ＦＣｆｎに結合される。
ＲＦ整合器は、上記で示した例のように互いに結合される１つ又は複数の可変構成要素を含む別の可変構成要素回路ＶＣｆを含む。可変構成要素回路ＶＣｆは、入力Ｉ４に結合される。
副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定した図２ＡのＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数が、測定した図２ＡのＲＦ信号２０８Ａの基本周波数で固定されているか否かを決定する。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定した周波数差が、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じではないことを決定すると、信号を周波数制御器ＦＣｆ０、又は周波数制御器ｆＣｆ（ｎ−１）、又は周波数制御器ＦＣｆ０およびＦＣｆ（ｎ−１）の両方に送信する。周波数制御器ＦＣｆ０は、信号を受信すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ０およびモータ・システムＭｆ０を介して可変構成要素回路ＶＣｆ０を制御する。例えば、周波数制御器ＦＣｆ０は、信号をドライバ・システムＤＲＶＲｆ０に送信し、電流信号を生成する。モータ・システムＭｆ０は、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ０から電流信号を受信すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで可変構成要素回路ＶＣｆ０を制御する。例えば、モータ・システムＭｆ０は、可変構成要素回路ＶＣｆ０である蓄電器の板の間の距離、又は板の間の面積を変更し、蓄電器の静電容量を変更する。別の例として、モータ・システムＭｆ０は、可変構成要素回路ＶＣｆ０である誘導器の長さ、又は誘導器の断面積を変更し、誘導器の誘導係数を変更する。同様に、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）は、信号を受信すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ（ｎ−１）およびモータ・システムＭｆ（ｎ−１）を介して可変構成要素回路ＶＣｆ（ｎ−１）を制御する。
また、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定した図２ＡのＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数が、測定した図２ＡのＲＦ信号２０８Ａの基本周波数で固定されているか否かを決定する。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定した周波数差が、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数との間の所定の周波数差と実質的に同じではないことを決定すると、信号を周波数制御器ＦＣｆ０、又は周波数制御器ｆＣｆｎ、又は周波数制御器ＦＣｆ０およびＦＣｆｎの両方に送信する。周波数制御器ＦＣｆ０は、信号を受信すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ０およびモータ・システムＭｆ０を介して可変構成要素回路ＶＣｆ０を制御する。同様に、周波数制御器ＦＣｆｎは、信号を受信すると、測定した周波数差が所定の周波数差と実質的に同じになるまで、ドライバ・システムＤＲＶＲｆｎおよびモータ・システムＭｆｎを介して可変構成要素回路ＶＣｆｎを制御する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相が、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相で固定されているか否かを決定する。副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定した位相差が、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数における位相とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、信号を位相制御器φｆ０、又はφｆ（ｎ−１）、又は位相制御器φｆ０およびφｆ（ｎ−１）の両方に送信する。位相制御器φｆ０は、信号を受信すると、測定した位相差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆ０が可変構成要素回路ＶＣｆ０を制御するのと同じ様に、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ０およびモータ・システムＭｆ０を介して可変構成要素回路ＶＣｆ０を制御する。また、位相制御器φｆ（ｎ−１）は、信号を受信すると、測定した位相差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）が可変構成要素回路ＶＣｆ（ｎ−１）を制御するのと同じ様に、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ（ｎ−１）およびモータ・システムＭｆ（ｎ−１）を介して可変構成要素回路ＶＣｆ（ｎ−１）を制御する。
また、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相が、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相で固定されているか否かを決定する。デジタル信号プロセッサは、測定した位相差が、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数における位相とＲＦ信号２０８Ａの基本周波数における位相との間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、信号を位相制御器φｆ０、又はφｆｎ、又は位相制御器φｆ０およびφｆｎの両方に送信する。位相制御器φｆ０は、信号を受信すると、測定した位相差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ０およびモータ・システムＭｆ０を介して可変構成要素回路ＶＣｆ０を制御する。また、位相制御器φｆｎは、信号を受信すると、測定した位相差が所定の位相差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆｎが可変構成要素回路ＶＣｆｎを制御するのと同じ様に、ドライバ・システムＤＲＶＲｆｎおよびモータ・システムＭｆｎを介して可変構成要素回路ＶＣｆｎを制御する。
更に、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルが、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定されているか否かを決定する。デジタル信号プロセッサは、測定したパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号２０８Ｂの第（ｎ−１）次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定の位相差と実質的に同じではないことを決定すると、信号をパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０、又はＰＲｆ（ｎ−１）、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０およびＰＲｆ（ｎ−１）の両方に送信する。パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０は、信号を受信すると、測定したパラメータ・レベル差が所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆ０が可変構成要素回路ＶＣｆ０を制御するのと同じ様に、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ０およびモータ・システムＭｆ０を介して可変構成要素回路ＶＣｆ０を制御する。また、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ（ｎ−１）は、信号を受信すると、測定したパラメータ・レベル差が所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆ（ｎ−１）が可変構成要素回路ＶＣｆ（ｎ−１）を制御するのと同じ様に、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ（ｎ−１）およびモータ・システムＭｆ（ｎ−１）を介して可変構成要素回路ＶＣｆ（ｎ−１）を制御する。
同様に、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷのデジタル信号プロセッサは、測定したＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルが、測定したＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルで固定されているか否かを決定する。デジタル信号プロセッサは、測定したパラメータ・レベル差が、ＲＦ信号２０８Ｃの第ｎ次高調波周波数におけるパラメータ・レベルとＲＦ信号２０８Ａの基本周波数におけるパラメータ・レベルとの間の所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じではないことを決定すると、信号をパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０、又はＰＲｆｎ、又はパラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０およびＰＲｆｎの両方に送信する。パラメータ・レベル制御器ＰＲｆ０は、信号を受信すると、測定したパラメータ・レベル差が所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、ドライバ・システムＤＲＶＲｆ０およびモータ・システムＭｆ０を介して可変構成要素回路ＶＣｆ０を制御する。また、パラメータ・レベル制御器ＰＲｆｎは、信号を受信すると、測定したパラメータ・レベル差が所定のパラメータ・レベル差と実質的に同じになるまで、周波数制御器ＦＣｆｎが可変構成要素回路ＶＣｆｎを制御するのと同じ様に、ドライバ・システムＤＲＶＲｆｎおよびモータ・システムＭｆｎを介して可変構成要素回路ＶＣｆｎを制御する。
ＲＦ整合器は、図２Ａの低周波数ＲＦ生成器ＬＦＧＣＷからＲＦ信号４０８Ａ〜４０８ＣおよびＲＦ信号２１８を受信すると、出力Ｏ１に結合した負荷のインピーダンスを、入力Ｉ１〜Ｉ４に結合した供給源のインピーダンスと整合し、対応するＲＦ信号６０２Ａ、６０２Ｂ、６０２Ｃおよび６０２Ｄを生成し、対応するＲＦ信号６０２Ａ、６０２Ｂ、６０２Ｃおよび６０２Ｄを合計し、修正ＲＦ信号を生成し、修正ＲＦ信号を組み合わせ、例えば合計し、出力Ｏ１で修正ＲＦ信号６１０を生成する。修正ＲＦ信号６１０は、ＲＦ伝送線路１１６を介してプラズマ室のチャック２１２（図２Ａ）に供給される。修正ＲＦ信号６１０をプラズマ室に適用すると、プラズマ室内のプラズマ・シースのＲＦ高調波が制御され、径方向エッチング均一性を達成する。
図７は、基板Ｓの半径に沿った径方向エッチング均一性の一例を提供する、基板Ｓをエッチングするエッチング率対基板Ｓの半径を示す一実施形態のグラフ７００である。グラフ７００は、プロット７０２、別のプロット７０４およびまた別のプロット７０６を含む。プロット７０２は、図２の副生成器ＨＦＧｆ（ｎ−１）ＣＷおよびＨＦＧｆｎＣＷがオフになっている、例えば、非稼働状態、非電力供給状態等であり、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷがオンになっている、例えば、稼働状態、電力供給状態等の場合に生成される。更に、プロット７０４は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷがオンになっており、位相制御器φｆｎがＲＦ信号２０８Ｃの位相を制御し、基板Ｓの中心領域又はその付近でエッチング率の均一性を達成する場合に生成される。また、プロット７０６は、副生成器ＨＦＧｆ０ＣＷがオンになっており、位相制御器φｆｎがＲＦ信号２０８Ｃの位相を制御するが、基板Ｓの中心領域又はその付近でエッチング率の均一性があまり達成されない場合に生成される。ＲＦ信号２０８Ｃの位相を制御することによって、基板Ｓをエッチングするエッチング率は制御され、基板Ｓの上面にわたる径方向エッチング率の均一性を更に制御する。
本明細書で説明する実施形態は、ハンドヘルド・ハードウェア・ユニット、マイクロプロセッサ・システム、マイクロプロセッサベースの家庭用電子機器又はプログラマブル家庭用電子機器、ミニコンピュータ、汎用コンピュータ等を含む様々なコンピュータ・システム構成と共に実行してよい。実施形態は、分散コンピューティング環境で実行することもでき、タスクは、ネットワークを通じて連結した遠隔処理ハードウェア・ユニットによって実施される。
いくつかの実施形態では、制御器はシステムの一部であり、システムは上述の例の一部であってよい。そのようなシステムは、半導体処理機器を含み、半導体処理機器は、１つ又は複数の処理器具、１つ又は複数の室、処理および／又は特定の処理構成要素（ウエハ台、ガス流システム等）のための１つ又は複数のプラットフォームを含む。これらのシステムは、半導体ウエハ又は基板を処理する前、その間、およびその後、システムの動作を制御する電子機器と統合される。電子機器は、１つ又は複数のシステムの様々な構成要素又は副部品を制御し得る「制御器」と呼ばれる。制御器は、処理要件および／又はシステムの種類に応じて、処理ガスの送出、温度の設定（例えば、加熱および／又は冷却）、圧力の設定、真空の設定、電力の設定、ＲＦ生成器の設定、ＲＦ整合回路の設定、周波数の設定、流量の設定、流体送出の設定、位置および動作の設定、ウエハ搬送出し入れ器具、および他の搬送器具、および／又はシステムに結合若しくはインターフェース接続したロードロックを含め、本明細書で開示する工程のいずれかを制御するようにプログラムされる。
大まかに言うと、様々な実施形態において、制御器は、様々な集積回路、論理、メモリ、および／又はソフトウェアを有する電子機器として定義され、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、終了点測定を可能にする、等のものである。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ＡＳＩＣ、ＰＬＤとして定義されるチップおよび／又はプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１つ又は複数のマイクロプロセッサ又はマイクロ制御器を含む。プログラム命令は、様々な個々の設定（又はプログラム・ファイル）の形態で制御器に連絡される命令であり、半導体ウエハ上で、又は半導体ウエハ向けに、又はシステムに対して、特定の工程を実行するパラメータ、因数、変数等を定義する。動作パラメータは、いくつかの実施形態では、１つ又は複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、シリコン二酸化物、表面、回路および／又はウエハのダイを作製する間、１つ又は複数の処理ステップを達成する工程技師によって定義されるレシピの一部である。
制御器は、いくつかの実施形態では、コンピュータの一部であるか、又はコンピュータに結合され、コンピュータは、システムと統合されるか、システムに結合するか、他の方法でシステムにネットワーク化されるか、又はそれらの組合せである。例えば、制御器は、「クラウド」内にあるか又は製造ホスト・コンピュータ・システムの全て若しくは一部であり、これにより、ウエハ処理に対する遠隔アクセスを可能にする。コンピュータは、システムへの遠隔アクセスを可能にし、製造動作に関する現在の経過を監視し、過去の製造動作の履歴を調査し、複数の製造動作から傾向若しくは性能メトリックを調査し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に追従する処理ステップを設定する、又は新たな工程を開始する。
いくつかの実施形態では、遠隔コンピュータ（例えばサーバ）は、ローカル・ネットワーク又はインターネットを含むネットワーク上でシステムに処理レシピを提供する。遠隔コンピュータは、パラメータおよび／又は設定の入力又はプログラミングを可能にするユーザ・インターフェースを含み、この場合、パラメータおよび／又は設定は、遠隔コンピュータからシステムに伝達される。いくつかの例では、制御器は、データの形態で命令を受信し、命令は、１つ又は複数の操作の間に実施すべき処理ステップのそれぞれに対するパラメータ、因数および／又は変数を指定する。パラメータ、因数および／又は変数は、実施する工程の種類、および制御器がインターフェース接続又は制御するように構成されている器具の種類に特定である場合があることを理解されたい。したがって、上記のように、制御器は、例えば、１つ又は複数の離散型制御器を含むことによって分散され、１つ又は複数の離散型制御器は、一緒にネットワーク化され、本明細書で説明する工程および制御等、共通の目的に向かって働く。そのような目的のための分散制御器の一例は、処理室上での工程を制御するように組み合わせる（プラットフォーム・レベルで、又は遠隔コンピュータの一部として等）遠隔に位置する１つ又は複数の集積回路と通信している、処理室上の１つ又は複数の集積回路を含む。
限定はしないが、様々な実施形態では、方法が適用される例示的システムは、プラズマ・エッチング室若しくはモジュール、堆積室若しくはモジュール、スピンリンス室若しくはモジュール、金属めっき室若しくはモジュール、クリーン室若しくはモジュール、斜縁エッチング室若しくはモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）室若しくはモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）室若しくはモジュール、原子層堆積法（ＡＬＤ）室若しくはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）室若しくはモジュール、イオン注入室若しくはモジュール、組み立てライン室若しくはモジュール、並びに半導体ウエハの作製および／若しくは製造に関連付けるか若しくは使用されるあらゆる他の半導体処理システムを含む。
いくつかの実施形態では、上記の動作は、いくつかの種類のプラズマ室、例えば誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）反応器、トランス結合プラズマ室、導体器具、誘電器具を含むプラズマ室、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）反応器を含むプラズマ室等に適用することに更に留意されたい。例えば、１つ又は複数のＲＦ生成器は、ＩＣＰ反応器内の誘導器に結合される。ある形状の誘導器の例は、ソレノイド、ドーム形状コイル、平坦形状コイル等を含む。
上記のように、工程ステップ又は器具によって実施するステップに応じて、ホスト・コンピュータは、他の器具回路若しくはモジュール、他の器具構成要素、クラスタ器具、他の器具インターフェース、隣接器具、近隣器具、工場全体に置かれた器具、主コンピュータ、別の制御器、又は半導体製造工場内の器具の場所の間若しくは積み下ろしポート間でウエハの容器を運搬する材料搬送で使用される器具のうち１つ又は複数と通信する。
上記実施形態を念頭において、実施形態の一部は、コンピュータ・システム内に保存したデータを伴う様々なコンピュータ実施動作を採用することを理解されたい。これらの動作は、物理量を物理的に操作するものである。実施形態の一部を形成する、本明細書に記載の動作はいずれも、有用な機械動作である。
実施形態のいくつかは、これらの動作を実施するハードウェア・ユニット又は装置にも関する。装置は、専用コンピュータ向けに特別に構成される。専用コンピュータと定義する際、コンピュータは、専用コンピュータの一部ではない他の処理、プログラム実行又はルーチンを実施する一方で、依然として、その専用コンピュータのために動作させることができる。
いくつかの実施形態では、動作は、コンピュータ・メモリ、キャッシュ内に記憶するか若しくはコンピュータ・ネットワーク上で得られる１つ又は複数のコンピュータ・プログラムにより選択的に起動又は構成されるコンピュータによって処理してよい。データをコンピュータ・ネットワーク上で得る場合、データは、コンピュータ・ネットワーク、例えば計算資源クラウド上で他のコンピュータによって処理してよい。
１つ又は複数の実施形態は、非一時的コンピュータ可読媒体上のコンピュータ可読コードとして製作することもできる。非一時的コンピュータ可読媒体は、コンピュータ・システムによって後に読み取られるデータを記憶する任意のデータ記憶ハードウェア・ユニット、例えばメモリ・デバイス等である。非一時的コンピュータ可読媒体の例は、ハード・ドライブ、ネットワーク・アタッチド・ストレージ（ＮＡＳ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ、コンパクト・ディスクＲＯＭ（ＣＤ−ＲＯＭ）、記録可能ＣＤ（ＣＤ−Ｒ）、書き換え可能ＣＤ（ＣＤ−ＲＷ）、磁気テープ並びに他の光学的および非光学的データ記憶ハードウェア・ユニットを含む。いくつかの実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体は、コンピュータ可読コードを分散様式で記憶し、実行するように、ネットワーク結合コンピュータ・システム上に分散したコンピュータ可読有形媒体を含む。
上記方法動作は、特定の順序で説明したが、様々な実施形態では、他のハウスキーピング動作が動作の間に実施されるか、又は方法動作は、わずかに異なる時間で発生するように調節されるか、若しくは様々な間隔での方法動作の発生を可能にするシステム内に分散されるか、若しくは上記とは異なる順序で実施されることを理解されたい。
一実施形態では、上記したあらゆる実施形態からの１つ又は複数の特徴は、本開示で説明した様々な実施形態に記載の範囲から逸脱することなく、あらゆる他の実施形態の１つ又は複数の特徴と組み合わせられることを更に留意されたい。
上記の実施形態は、理解を明快にする目的である程度詳細に説明してきたが、特定の変更および修正を添付の特許請求の範囲内で行い得ることは明らかであろう。したがって、本実施形態は、限定的ではなく、例示的とみなすべきであり、実施形態は、本明細書で示す詳細に限定すべきではない。

Claims (31)

  1. 径方向エッチング均一性を制御する方法であって、
    基本周波数および第１の位相を有する第１の無線周波数（ＲＦ）信号を生成し、
    前記基本周波数および前記第１の位相のそれぞれに基づき、第（ｎ−１）次高調波周波数および第２の位相を有する第２のＲＦ信号を生成し、ｎは３以上の整数であり、
    前記基本周波数および前記第１の位相のそれぞれに基づき、第ｎ次高調波周波数および第３の位相を有する第３のＲＦ信号を生成し、
    ＲＦ整合器によって、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号、前記第３のＲＦ信号を受信し、
    エッチング操作の間、基板表面にわたる径方向エッチング均一性を制御するために、前記ＲＦ整合器によって、修正ＲＦ信号をプラズマ室の電極に出力すること
    を備える方法。
  2. 請求項１に記載の方法において、前記第１のＲＦ信号は、高ＲＦ信号であり、前記方法はさらに、
    低ＲＦ信号を生成し、
    前記ＲＦ整合器によって、前記低ＲＦ信号を受信すること
    を備え、前記修正ＲＦ信号は、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号並びに前記低ＲＦ信号に基づき出力される、方法。
  3. 請求項１に記載の方法において、前記第（ｎ−１）次高調波周波数は前記基本周波数で固定され、前記第ｎ次高調波周波数は前記基本周波数で固定され、前記第２の位相は前記第１の位相で固定され、前記第３の位相は前記第１の位相で固定され、前記第１のＲＦ信号は第１のパラメータ・レベルを有し、前記第２のＲＦ信号は第２のパラメータ・レベルを有し、前記第３のＲＦ信号は第３のパラメータ・レベルを有し、前記第２のパラメータ・レベルは前記第１のパラメータ・レベルで固定され、前記第３のパラメータ・レベルは前記第１のパラメータ・レベルで固定される、方法。
  4. 請求項１に記載の方法において、さらに、
    電気信号を生成するために、前記ＲＦ整合器に関連付けられているパラメータを測定し、
    測定した基本周波数、測定した第（ｎ−１）次高調波周波数、および測定した第ｎ次高調波周波数を識別するために、前記電気信号内のデータを分析し、
    前記測定した第（ｎ−１）次高調波周波数と前記測定した基本周波数との間の第１の差分を計算し、
    前記測定した第ｎ次高調波周波数と前記測定した基本周波数との間の第２の差分を計算し、
    前記第１の差分と第１の所定の閾値、および前記第２の差分と第２の所定の閾値のうち少なくとも１つを比較し、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の基本周波数および前記第２のＲＦ信号の第（ｎ−１）次高調波周波数のうち少なくとも１つを修正し、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の基本周波数および前記第３のＲＦ信号の第ｎ次高調波周波数のうち少なくとも１つを修正すること
    を備える方法。
  5. 請求項１に記載の方法において、さらに、
    電気信号を生成するために、前記ＲＦ整合器に関連付けられているパラメータを測定し、
    前記基本周波数で測定した位相、前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定した位相、および前記第ｎ次高調波周波数で測定した位相を識別するため、前記電気信号内のデータを分析し、
    前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定した位相と前記基本周波数で測定した位相との間の第１の差分を計算し、
    前記第ｎ次高調波周波数で測定した位相と前記基本周波数で測定した位相との間の第２の差分を計算し、
    前記第１の差分と第１の所定の閾値、および前記第２の差分と第２の所定の閾値のうち少なくとも１つを比較し、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１の位相および前記第２のＲＦ信号の前記第２の位相のうち少なくとも１つを修正し、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１の位相および前記第３のＲＦ信号の前記第３の位相のうち少なくとも１つを修正すること
    を備える方法。
  6. 請求項１に記載の方法において、前記第１のＲＦ信号は、第１のパラメータ・レベルを有し、前記第２のＲＦ信号は、第２のパラメータ・レベルを有し、前記第３のＲＦ信号は、第３のパラメータ・レベルを有し、前記方法は、さらに、
    電気信号を生成するために、前記ＲＦ整合器に関連付けられているパラメータを測定し、
    前記基本周波数で測定したパラメータ・レベル、前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定したパラメータ・レベル、および前記第ｎ次高調波周波数で測定したパラメータ・レベルを識別するため、前記電気信号内のデータを分析し、
    前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定したパラメータ・レベルと前記基本周波数で測定したパラメータ・レベルとの間の第１の差分を計算し、
    前記第ｎ次高調波周波数で測定したパラメータ・レベルと前記基本周波数で測定したパラメータ・レベルとの間の第２の差分を計算し、
    前記第１の差分と第１の所定の閾値、および前記第２の差分と第２の所定の閾値のうち少なくとも１つを比較し、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１のパラメータ・レベルおよび前記第２のＲＦ信号の前記第２のパラメータ・レベルのうち少なくとも１つを修正し、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１のパラメータ・レベルおよび前記第３のＲＦ信号の前記第３のパラメータ・レベルのうち少なくとも１つを修正すること
    を備える方法。
  7. 請求項１に記載の方法において、前記第（ｎ−１）次高調波周波数は、第２次高調波周波数であり、前記第ｎ次高調波周波数は、第３次高調波周波数である、方法。
  8. 請求項１に記載の方法において、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号のうち少なくとも１つは、連続波信号である、方法。
  9. 請求項１に記載の方法において、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号のうち少なくとも１つは、多重状態ＲＦ信号である、方法。
  10. 請求項１に記載の方法において、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号の前記受信は、前記第１のＲＦ信号を前記ＲＦ整合器の第１の入力で受信し、前記第２のＲＦ信号を前記ＲＦ整合器の第２の入力で受信し、前記第３のＲＦ信号を前記ＲＦ整合器の第３の入力で受信することを備える、方法。
  11. 径方向エッチング均一性を制御するシステムであって、前記システムは、
    基本周波数および第１の位相を有する第１のＲＦ信号を生成するように構成されている第１の無線周波数（ＲＦ）生成器と、
    前記基本周波数および前記第１の位相のそれぞれに基づき、第（ｎ−１）次高調波周波数および第２の位相を有する第２のＲＦ信号を生成するように構成されている第２のＲＦ生成器と、ｎは３以上の整数であり、
    前記基本周波数および前記第１の位相のそれぞれに基づき、第ｎ次高調波周波数および第３の位相を有する第３のＲＦ信号を生成するように構成されている第３のＲＦ生成器と、
    前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号を受信し、修正ＲＦ信号を出力するように、前記第１のＲＦ生成器、前記第２のＲＦ生成器および前記第３のＲＦ生成器に結合されているＲＦ整合器と
    を備え、前記修正ＲＦ信号は、プラズマ室におけるエッチング操作の間、基板表面にわたる径方向エッチング均一性を制御するために使用される、システム。
  12. 請求項１１に記載のシステムにおいて、前記第１のＲＦ生成器、前記第２のＲＦ生成器および前記第３のＲＦ生成器のそれぞれは、高ＲＦ生成器であり、前記システムは、さらに、
    低ＲＦ信号を生成するように構成されている低周波数生成器を備え、前記ＲＦ整合器は、前記低ＲＦ信号を受信するように構成され、前記修正ＲＦ信号は、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号並びに前記低ＲＦ信号に基づき出力される、システム。
  13. 請求項１１に記載のシステムにおいて、前記第（ｎ−１）次高調波周波数は前記基本周波数で固定され、前記第ｎ次高調波周波数は前記基本周波数で固定され、前記第２の位相は前記第１の位相で固定され、前記第３の位相は前記第１の位相で固定され、前記第１のＲＦ信号は第１のパラメータ・レベルを有し、前記第２のＲＦ信号は第２のパラメータ・レベルを有し、前記第３のＲＦ信号は第３のパラメータ・レベルを有し、前記第２のパラメータ・レベルは前記第１のパラメータ・レベルで固定され、前記第３のパラメータ・レベルは前記第１のパラメータ・レベルで固定される、システム。
  14. 請求項１１に記載のシステムにおいて、さらに、
    電気信号を生成するために、前記ＲＦ整合器に関連付けられているパラメータを測定するように構成されているパラメータ・センサと、
    前記電気信号内のデータを分析し、測定した基本周波数、測定した第（ｎ−１）次高調波周波数、および測定した第ｎ次高調波周波数を識別するように、前記パラメータ・センサに結合されているプロセッサと
    を備え、前記プロセッサは、
    前記測定した第（ｎ−１）次高調波周波数と前記測定した基本周波数との間の第１の差分を計算し、
    前記測定した第ｎ次高調波周波数と前記測定した基本周波数との間の第２の差分を計算し、
    前記第１の差分が第１の所定の閾値よりも大きいか否かを決定するために、前記第１の差分を前記第１の所定の閾値と比較し、前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記基本周波数および前記第２のＲＦ信号の前記第（ｎ−１）次高調波周波数のうち少なくとも１つを修正し、
    前記第２の差分が第２の所定の閾値よりも大きいか否かを決定するために、前記第２の差分を前記第２の所定の閾値と比較し、前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記基本周波数および前記第３のＲＦ信号の前記第ｎ次高調波周波数のうち少なくとも１つを修正するように構成されている、
    システム。
  15. 請求項１１に記載のシステムにおいて、さらに、
    電気信号を生成するために、前記ＲＦ整合器に関連付けられているパラメータを測定するように構成されているパラメータ・センサと、
    前記電気信号内のデータを分析し、前記基本周波数で測定した位相、前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定した位相、および前記第ｎ次高調波周波数で測定した位相を識別するように、前記パラメータ・センサに結合されているプロセッサと
    を備え、前記プロセッサは、
    前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定した位相と前記基本周波数で測定した位相との間の第１の差分を計算し、
    前記第ｎ次高調波周波数で測定した位相と前記基本周波数で測定した位相との間の第２の差分を計算し、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいか否かを決定するため、前記第１の差分を第１の所定の閾値と比較し、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいか否かを決定するため、前記第２の差分を第２の所定の閾値と比較し、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１の位相および前記第２のＲＦ信号の前記第２の位相のうち少なくとも１つを修正し、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１の位相および前記第３のＲＦ信号の前記第３の位相のうち少なくとも１つを修正するように構成されている、
    システム。
  16. 請求項１１に記載のシステムにおいて、前記第１のＲＦ信号は、第１のパラメータ・レベルを有し、前記第２のＲＦ信号は、第２のパラメータ・レベルを有し、前記第３のＲＦ信号は、第３のパラメータ・レベルを有し、前記システムは、さらに、
    電気信号を生成するため、前記ＲＦ整合器に関連付けられているパラメータを測定するように構成されているパラメータ・センサと、
    前記電気信号内のデータを分析し、前記基本周波数で測定したパラメータ・レベル、前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定したパラメータ・レベル、および前記第ｎ次高調波周波数で測定したパラメータ・レベルを識別するように、前記パラメータ・センサに結合されているプロセッサと
    を備え、前記プロセッサは、
    前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定したパラメータ・レベルと前記基本周波数で測定したパラメータ・レベルとの間の第１の差分を計算し、
    前記第ｎ次高調波周波数で測定したパラメータ・レベルと前記基本周波数で測定したパラメータ・レベルとの間の第２の差分を計算し、
    前記第１の差分と第１の所定の閾値、および前記第２の差分と第２の所定の閾値のうち少なくとも１つを比較し、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１のパラメータ・レベルおよび前記第２のＲＦ信号の前記第２のパラメータ・レベルのうち少なくとも１つを修正し、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１のパラメータ・レベルおよび前記第３のＲＦ信号の前記第３のパラメータ・レベルのうち少なくとも１つを修正する
    ように構成されている、システム。
  17. 請求項１１に記載のシステムにおいて、前記第（ｎ−１）次高調波周波数は第２次高調波周波数であり、前記第ｎ次高調波周波数は第３次高調波周波数である、システム。
  18. 請求項１１に記載のシステムにおいて、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号のうち少なくとも１つは、連続波信号である、システム。
  19. 請求項１１に記載のシステムにおいて、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号のうち少なくとも１つは、多重状態ＲＦ信号である、システム。
  20. 請求項１１に記載のシステムにおいて、前記ＲＦ整合器は、前記第１のＲＦ信号を受信する第１の入力と、前記第２のＲＦ信号を受信する第２の入力と、前記第３のＲＦ信号を受信する第３の入力とを有する、システム。
  21. システムであって、
    基本周波数および第１の位相を有する第１のＲＦ信号を生成するため、第１の無線周波数（ＲＦ）電源を制御するように構成されている第１の制御器と、
    前記基本周波数および前記第１の位相のそれぞれに基づき、第（ｎ−１）次高調波周波数および第２の位相を有する第２のＲＦ信号を生成するために、第２のＲＦ電源を制御するように構成されている第２の制御器と、ｎは３以上の整数であり、
    前記基本周波数および前記第１の位相のそれぞれに基づき、第ｎ次高調波周波数および第３の位相を有する第３のＲＦ信号を生成するために、第３のＲＦ電源を制御するように構成されている第３のＲＦ制御器と
    を備え、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号は、修正ＲＦ信号を生成するように組み合わせた複数の修正信号を生成するために、ＲＦ整合器に供給され、修正されるように構成されている、システム。
  22. 請求項２１に記載のシステムにおいて、前記第１の制御器、前記第２の制御器および前記第３の制御器は、１つの制御器に統合されている、システム。
  23. 請求項２１に記載のシステムにおいて、前記修正ＲＦ信号は、エッチング操作の間、基板表面にわたる径方向エッチング均一性を制御するために、プラズマ室の電極に供給されるように構成されている、システム。
  24. 請求項２１に記載のシステムにおいて、前記第（ｎ−１）次高調波周波数は前記基本周波数で固定され、前記第ｎ次高調波周波数は前記基本周波数で固定され、前記第２の位相は前記第１の位相で固定され、前記第３の位相は前記第１の位相で固定され、前記第１のＲＦ信号は第１のパラメータ・レベルを有し、前記第２のＲＦ信号は第２のパラメータ・レベルを有し、前記第３のＲＦ信号は第３のパラメータ・レベルを有し、前記第２のパラメータ・レベルは前記第１のパラメータ・レベルで固定され、前記第３のパラメータ・レベルは前記第１のパラメータ・レベルで固定される、システム。
  25. 請求項２１に記載のシステムにおいて、さらに、
    前記パラメータ・センサから受信した電気信号内のデータを分析するようにパラメータ・センサに結合されているプロセッサを備え、前記プロセッサは、
    測定した基本周波数、測定した第（ｎ−１）次高調波周波数、および測定した第ｎ次高調波周波数を識別するため、データを分析し、
    前記測定した第（ｎ−１）次高調波周波数と前記測定した基本周波数との間の第１の差分を計算し、
    前記測定した第ｎ次高調波周波数と前記測定した基本周波数との間の第２の差分を計算し、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいか否かを決定するため、前記第１の差分を第１の所定の閾値と比較するように構成され、
    前記プロセッサは、前記第１の制御器および第２の制御器に結合され、前記プロセッサはさらに、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記基本周波数を修正する前記第１の制御器、および前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第２のＲＦ信号の前記第（ｎ−１）次高調波周波数を修正する前記第２の制御器のうち少なくとも１つを制御し、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいか否かを決定するため、前記第２の差分を第２の所定の閾値と比較するように構成され、
    前記プロセッサは、前記第３の制御器に結合され、前記プロセッサはさらに、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記基本周波数を修正する前記第１の制御器、および前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第３のＲＦ信号の前記第ｎ次高調波周波数を修正する前記第３の制御器のうち少なくとも１つを制御するように構成されている、システム。
  26. 請求項２１に記載のシステムにおいて、さらに、
    前記パラメータ・センサから受信した電気信号内のデータを分析するようにパラメータ・センサに結合されているプロセッサを備え、前記プロセッサは、
    前記基本周波数で測定した位相、前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定した位相、および前記第ｎ次高調波周波数で測定した位相を識別するため、データを分析し、
    前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定した位相と前記基本周波数で測定した位相との間の第１の差分を計算し、
    前記第ｎ次高調波周波数で測定した位相と前記基本周波数で測定した位相との間の第２の差分を計算し、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいか否かを決定するため、前記第１の差分を第１の所定の閾値と比較し、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいか否かを決定するため、前記第２の差分を第２の所定の閾値と比較するように構成され、
    前記プロセッサは、前記第１の制御器および前記第２の制御器に結合され、前記プロセッサはさらに、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１の位相を修正する前記第１の制御器、および前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第２のＲＦ信号の前記第２の位相を修正する前記第２の制御器のうち少なくとも１つを制御するように構成され、
    前記プロセッサは、前記第３の制御器に結合され、前記プロセッサはさらに、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１の位相を修正する前記第１の制御器、および前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第３のＲＦ信号の前記第３の位相を修正する前記第３の制御器のうち少なくとも１つを制御するように構成されている、システム。
  27. 請求項２１に記載のシステムにおいて、さらに、
    前記パラメータ・センサから受信した電気信号内のデータを分析するように、パラメータ・センサに結合されているプロセッサを備え、前記プロセッサは、
    前記基本周波数で測定したパラメータ・レベル、前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定したパラメータ・レベル、および前記第ｎ次高調波周波数で測定したパラメータ・レベルを識別するため、データを分析し、
    前記第（ｎ−１）次高調波周波数で測定したパラメータ・レベルと前記基本周波数で測定したパラメータ・レベルとの間の第１の差分を計算し、
    前記第ｎ次高調波周波数で測定したパラメータ・レベルと前記基本周波数で測定したパラメータ・レベルとの間の第２の差分を計算し、
    前記第１の差分と第１の所定の閾値、および前記第２の差分と第２の所定の閾値のうち少なくとも１つを比較するように構成され、
    前記プロセッサは、前記第１の制御器および前記第２の制御器に結合され、前記プロセッサはさらに、
    前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の第１のパラメータ・レベルを修正する前記第１の制御器、および前記第１の差分が前記第１の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第２のＲＦ信号の第２のパラメータ・レベルを修正する前記第２の制御器のうち少なくとも１つを制御するように構成され、
    前記プロセッサは、前記第３の制御器に結合され、前記プロセッサはさらに、
    前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第１のＲＦ信号の前記第１のパラメータ・レベルを修正する前記第１の制御器、および前記第２の差分が前記第２の所定の閾値よりも大きいという決定に応じて、前記第３のＲＦ信号の第３のパラメータ・レベルを修正する前記第３の制御器のうち少なくとも１つを制御するように構成されている、システム。
  28. 請求項２１に記載のシステムにおいて、前記第（ｎ−１）次高調波周波数は第２次高調波周波数であり、前記第ｎ次高調波周波数は第３次高調波周波数である、システム。
  29. 請求項２１に記載のシステムにおいて、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号のうち少なくとも１つは、連続波信号である、システム。
  30. 請求項２１に記載のシステムにおいて、前記第１のＲＦ信号、前記第２のＲＦ信号および前記第３のＲＦ信号のうち少なくとも１つは、多重状態ＲＦ信号である、システム。
  31. 請求項２１に記載のシステムにおいて、前記第１のＲＦ信号は、前記ＲＦ整合器の第１の入力に供給され、前記第２のＲＦ信号は、前記ＲＦ整合器の第２の入力に供給され、前記第３のＲＦ信号は、前記ＲＦ整合器の第３の入力に供給される、システム。
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