JP2021525692A - 銀の下にドープされたシード層を有する低ｅ整合性コーティングされた物品及び対応する方法 - Google Patents

Abstract

低Ｅコーティングは、熱処理（ＨＴ）時の良好な色安定性（低いΔＥ*値）を有する。低Ｅコーティングにおいて銀の又は銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層のすぐ下に、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質の層を設けることは、コーティングの熱安定性を有意に改善する（すなわち、ΔＥ*値を低下させる）効果を有する。１つ以上のそのような結晶質又は実質的に結晶質の層は、銀を含む１つ以上の対応するＩＲ反射層の下に設けられてもよい。

Description

本発明は、熱処理（例えば、熱焼戻し）の前及び後の両方に肉眼で見た場合にほぼ同じ色特性を有する、低Ｅコーティングされた物品並びに対応する方法に関する。このような物品は、特定の例示的な実施形態では、（１）所望される場合の高い可視光透過特性、（２）熱処理の前及び／若しくは後の良好な耐久性、並びに／又は（３）熱処理（heat treatment、ＨＴ）時の色安定性を示す低いΔＥ^*値を、組み合わせることができる。このようなコーティングされた物品は、窓用に、絶縁ガラス（insulating glass、ＩＧ）窓ユニット、積層された窓ユニット、車両ウィンドシールド及び／又は他の車両若しくは建築用若しくは住宅用窓用途に、モノリシックで使用することができる。

低放射率（低Ｅ）コーティング系は、当該技術分野において既知である。例えば、共同所有の米国特許第５，３７６，４５５号は、ガラス／Ｓｉ₃Ｎ₄／ＮｉＣｒ／Ａｇ／ＮｉＣｒ／Ｓｉ₃Ｎ₄を開示している。残念ながら、’４５５特許の低Ｅコーティング系は、熱処理（ＨＴ）後に、その熱処理されていない対応物との色整合性が十分でない。

実質的な整合性（熱処理前と熱処理後との対比）の必要性は、既知である。ガラス基材は、多くの場合、大量に製造され、新しい多重窓及びドアのオフィスビル、車両窓での需要などの特定の状況の需要を満たすために、サイズに合わせて切断される。このような用途においては、多くの場合、窓及び／又はドアのうちのいくつかは、熱処理（すなわち、焼戻し、熱強化又は熱屈曲）することが望ましいが、その必要がないものもある。オフィスビルは、安全性及び／又は熱制御のために、ＩＧユニット及び／又は積層体を用いることが多い。熱処理（ＨＴ）されたユニット及び／又は積層体は、建築目的及び／又は審美的目的のために、それらの熱処理されていない対応物と（例えば、少なくとも建物の外から見る側の色、反射率などに関して）実質的に整合することが望ましい。

共同所有の米国特許第５，６８８，５８５号は、ガラス／Ｓｉ₃Ｎ₄／ＮｉＣｒ／Ｓｉ₃Ｎ₄を含む太陽光制御コーティングされた物品を開示している。’５８５特許の１つの目的は、熱処理（ＨＴ）後に、その熱処理されていない対応物との色整合可能なスパッタリングコーティングされた層系を提供することである。’５８５特許のコーティング系は、それらの意図される目的には優れているが、これらは特定の欠点を抱えている。具体的には、それらは、むしろ高い放射率及び／又はシート抵抗値を有する傾向がある（例えば、’５８５特許には銀（Ａｇ）層が開示されていないため）。

従来技術では、前述の’５８５特許のもの以外の系において、一方が熱処理されており、他方が熱処理されていない、２つの異なる層系の間で、整合性を達成することが可能となっている。整合性を達成するためには２つの異なる層系を開発及び使用する必要があるため、更なる製造費用及び在庫の必要性が生じ、これは、望ましくない。

米国特許第６，０１４，８７２号及び同第５，８００，９３３号（実施例Ｂを参照されたい）は、ガラス／ＴｉＯ₂／Ｓｉ₃Ｎ₄／ＮｉＣｒ／Ａｇ／ＮｉＣｒ／Ｓｉ₃Ｎ₄を含む、熱処理可能な低Ｅ層系を開示している。残念ながら、熱処理した場合、この低Ｅ層系は、その熱処理されていない対応物とあまり整合性のある色ではない（ガラス側から見た場合）。これは、この低Ｅ層系が、４．１を超えるΔＥ^*（ガラス側）値を有するためである（すなわち、実施例Ｂについて、Δａ^* _Gは、１．４９であり、Δｂ^* _Gは、３．８１であり、ΔＬ^*（ガラス側）は、測定されていないが、以下の式（１）を使用すると、ガラス側のΔＥ^*は、必ず４．１より大きくなるはずであり、おそらくはそれよりもはるかに高い）。

米国特許第５，５６３，７３４号は、基材／ＴｉＯ₂／ＮｉＣｒＮ_x／Ａｇ／ＮｉＣｒＮ_x／Ｓｉ₃Ｎ₄を含む、低Ｅコーティング系を開示している。残念ながら、ＮｉＣｒＮ_x層を形成する場合には、高い窒素（Ｎ）流量が使用され（’７３４特許の表１における１４３ｓｃｃｍという高いＮ流量を参照されたく、これは、約２２ｓｃｃｍ／ｋＷに変換される）、結果として得られるコーティングされた物品は、熱処理時に色安定性とならない（すなわち、それらは、６．０より大きいΔＥ^*（ガラス側）値を有する傾向にある）ことが見出されている。換言すると、ＨＴに供した場合、’７３４特許の低Ｅ層系は、（ガラス側から見たときに）その熱処理されていない対応物とあまり整合性のある色にならない。

更に、コーティングされた物品は、高い可視光透過特性並びに／又は良好な耐久性（機械的及び／若しくは化学的）を有することが望ましい場合がある。残念ながら、可視光透過特性及び／又はＨＴ前の耐久性を改善するために取られる特定の既知の工程は、ＨＴ後の耐久性及び熱安定性を劣化させる傾向がある。したがって、多くの場合、高い可視光透過、色の熱安定性及び良好な耐久性の組合せを得ることは困難である。

上記を考慮すると、ＨＴ後に、色及び／又は反射（ヒトの肉眼で見た場合）がその熱処理されていない対応物と実質的に整合する、低Ｅコーティング又は層系の必要性が存在することが、当業者には明らかであろう。換言すると、当該技術分野には、低Ｅ整合性コーティング又は積層系に対する必要性が存在する。また、当該技術分野には、（１）高い可視光透過特性、（２）熱処理の前及び／若しくは後の良好な耐久性、並びに／又は（３）熱処理時の色安定性を示す低いΔＥ^*値のうちの１つ以上を組み合わせることができる、熱処理可能な系に対する必要性も存在する。

上記の必要性のうちの１つ以上を満たすこと及び／又は以下の開示が提供された後に当業者により明らかとなるであろう他の必要性を満たすことが、本発明の目的である。

本発明の例示的な目的は、熱処理（ＨＴ）時の良好な色安定性（低いΔＥ^*値）を有する、低Ｅコーティング又は層系を提供することである。本発明の別の例示的な目的は、低Ｅ整合性コーティング又は積層系を提供することである。

本発明の例示的な実施形態は、熱処理（例えば、熱焼戻し）の前及び後の両方に肉眼で見た場合にほぼ同じ色特性を有する、低Ｅコーティングされた物品並びに対応する方法に関する。このような物品は、特定の例示的な実施形態では、（１）所望される場合の高い可視光透過特性、（２）熱処理の前及び／若しくは後の良好な耐久性、並びに／又は（３）熱処理（ＨＴ）時の色安定性を示す低いΔＥ^*値を、組み合わせることができる。

驚くべきことに、また予想外なことに、低Ｅコーティングにおいて銀の又は銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層のすぐ下に、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）の層を設けることは、コーティングの熱安定性を著しく改善する（すなわち、ΔＥ^*値を低下させる）効果を有することが見出された。１つ以上のそのような結晶質又は実質的に結晶質（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）の層は、本発明の様々な実施形態では、銀を含む１つ以上の対応するＩＲ反射層の下に設けられてもよい。したがって、銀の又は銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層のすぐ下の、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層は、本発明の様々な実施形態では、単一の銀の低Ｅコーティング、二重の銀の低Ｅコーティング又は三重の銀の低Ｅコーティングにおいて使用されてもよい。特定の例示的な実施形態では、酸化亜鉛の又は酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層は、約１〜３０％のＳｎ、より好ましくは約１〜２０％のＳｎ、より好ましくは約５〜１５％、例としては約１０％のＳｎ（重量％単位）がドープされている。Ｓｎがドープされた酸化亜鉛は、Ｚｎ及びＳｎの又はＺｎ及びＳｎを含む少なくとも１つのスパッタリングターゲット（複数可）からスパッタリング蒸着技法などによって蒸着された時点で、（非晶質又はナノ結晶質とは対照的な）結晶化又は実質的に結晶化された相にある。蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層の結晶化相は、銀とガラスとの間の層（複数可）と組み合わせることにより、コーティングされた物品が、任意選択のＨＴ時の熱安定性の改善を実現すること（ΔＥ^*値を低下させること）が可能である。蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層の結晶化相（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）は、銀とガラスとの間の層（複数可）と組み合わせることにより、その上に蒸着された銀が、テクスチャを有するが、いくつかのランダムに配向された粒（grain）を有する結晶構造を有することが可能となり、その結果、その屈折率（ｎ）が、任意選択のＨＴ時にあまり変化しなくなり、それによって、熱安定性の改善を実現することが可能となる。

特定の例示的な実施形態では、驚くべきことに、また予想外なことに、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ケイ素ジルコニウム酸化物（silicon zirconium oxide）及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（silicon zirconium oxynitride）（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層を設けることが、コーティングされた物品の熱安定性の更なる改善をもたらし、したがって、熱焼戻しなどの熱処理（ＨＴ）時のΔＥ^*値の更なる低下をもたらすことも見出されている。酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ケイ素ジルコニウム酸化物及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物の又はそれらを含む誘電体層は、本発明の特定の例示的な実施形態では、最下部のドープ酸化亜鉛系層のすぐ下に接触して設けられてもよい。また、驚くべきことに、また予想外なことに、窒化ケイ素系層が、ガラス基材と最下部の銀系層との間の最下部のドープ酸化亜鉛系層のすぐ下に接触して設けられないことを、蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層の結晶化相と組み合わせることにより、熱処理時の熱安定性の改善（より低いΔＥ^*値）を実現することが可能となることが、見出されている。特定の例示的な実施形態では、驚くべきことに、また予想外なことに、ガラス基材と、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ケイ素ジルコニウム酸化物及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層との間に、吸収層（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｂＺｒ及び／又はＮｂＺｒＮ_x）を設けることにより、有益なことに、コーティングされた物品のガラス側可視光反射（Ｒ_gＹ）が望ましい様式で低減され、可視光透過を望ましい様式で調整することが可能となることが、見出されている。

特定の例示的な実施形態では、モノリシックで測定される場合、コーティングされた物品は、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．０以下（より好ましくは２．５以下、及び最も好ましくは２．３以下）の透過ΔＥ^*値（透過光学特性が測定される場合）、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．０以下（より好ましくは２．０以下、及び最も好ましくは１．０以下）のガラス側反射ΔＥ^*値（ガラス側反射光学特性が測定される場合）、並びに／又は（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．５以下（より好ましくは３．０以下、及び最も好ましくは２．０以下）のフィルム側反射ΔＥ^*値（フィルム側反射光学特性が測定される場合）のうちの１つ以上を実現するように構成される。特定の例示的な実施形態では、モノリシックで測定される場合、コーティングされた物品は、任意選択のＨＴの前又は後に、少なくとも約５０％、より好ましくは少なくとも約６０％、及び最も好ましくは少なくとも約６８％又は７０％の可視光透過（Ｔ_vis又はＹ）を有するように構成される。特定の例示的な実施形態では、モノリシックで測定される場合、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、任意選択のＨＴの前又は後に、１６％以下、より好ましくは１５％以下、及び最も好ましくは１４％以下のガラス側可視光反射（Ｒ_gＹ）を有するように構成される。

本発明の例示的な実施形態では、ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、コーティングは、ガラス基材上に設けられる、約１〜３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）と、ガラス基材上に配置され、かつ約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層と、を含み、窒化ケイ素系層は、ガラス基材と銀を含む第１のＩＲ反射層との間の約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ下に接触して配置されず、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの１つ、２つ又は全てを有するように構成される、コーティングされた物品、が提供される。酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、約１〜２０％のＳｎ（重量％）（又は他の好適なドーパント）、より好ましくは約５〜１５％のＳｎ（重量％）、及び最も好ましくは約１０％のＳｎ（重量％）がドープされていてもよい。

本発明の例示的な実施形態では、ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、コーティングは、ガラス基材上に設けられる、少なくとも１種の金属（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層と、ガラス基材上に配置され、かつ少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層と、ガラス基材上の、少なくとも、銀を含む第１のＩＲ反射層及び少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む層の上の、少なくとも１つの誘電体層であって、窒化ケイ素系層が、少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む層のすぐ下に接触して配置されない、少なくとも１つの誘電体層と、少なくとも第１のＩＲ反射層の上に配置される、銀を含む第２のＩＲ反射層と、ガラス基材上に、少なくともガラス基材と少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む層との間に配置される、ケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む誘電体層と、を含み、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも１つを有するように構成される、コーティングされた物品、が提供される。

このようなコーティングされた物品は、窓用に、絶縁ガラス（ＩＧ）窓ユニット（例えば、ＩＧ窓ユニット用途における表面＃２若しくは表面＃３に）、積層された窓ユニット、車両ウィンドシールド及び／又は他の車両若しくは建築用若しくは住宅用窓用途に、モノリシックで使用することができる。

本発明を、これより、以下の図面に示されるように、その特定の実施形態に関して説明する。

本発明の例示的な実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的な実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的な実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 本発明の例示的な実施形態による、コーティングされた物品の断面図である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例２の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例１の光学特性を示す表である。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例２の光学特性を示す表である。 ３．１ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例３の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 ３．１ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例４の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で８分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１２分間のＨＴ後（ＨＴＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２０分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例３〜４の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例５の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例５の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例６の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例６の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例７の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例７の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例８の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 コーティングされた時点（ＡＣ）の状態から熱処理された（ＨＴ）状態までの実施例８の銀層の屈折率の変化を示す、波長（ｎｍ）対屈折率（ｎ）のグラフである。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例９の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）及び右端のデータ列の６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）の、実施例９の光学特性を示す表である。 第１の比較例のコーティングされた物品の断面図である。 実施例１〜１０のコーティングを示す、本発明の実施形態によるコーティングされた物品の断面図である。 ３．１ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１０の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ａ）及び図１０によって示されている。 実施例１０の、ＨＴに起因するＡｇ（１１１）のピーク高さにおける比較的小さな６６％の変化を示す、ＸＲＤ Ｌｉｎ（Ｃｐｓ）対２θスケールのグラフである。 第１の比較例（ＣＥ）の、ＨＴに起因するＡｇ（１１１）のピーク高さにおける比較的大きな１６６％の変化を示す、ＸＲＤ Ｌｉｎ（Ｃｐｓ）対２θスケールのグラフである。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１１の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されている。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１２の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されている。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１３の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されている。 それぞれの左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及びそれぞれの右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例１１〜１３の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１４の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されている。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及び右端のデータ列の６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、実施例１４の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１５及び１６の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、これらの実施例の低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されており、最下部のＺｒＯ₂の誘電体層を有する。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）及び右端のデータ列の６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）の、実施例１５及び１６の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への実施例１７及び１８の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表であり、これらの実施例の低Ｅコーティングは、概して、図１（ｂ）によって示されており、最下部の約８％のＡｌ（重量％）がドープされたＳｉＯ₂の誘電体層を有する。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）及び右端のデータ列の６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＨＴＸ）の、実施例１７及び１８の光学特性を示す表である。 ６ｍｍの厚さのガラス基材上への比較例２（ＣＥ２）の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表である。 左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、比較例２（ＣＥ２）の光学特性を示す表である。

ここで添付の図面をより詳細に参照すると、同様の参照番号は、いくつかの図を通して同様の部分／層／材料を示す。

本発明の特定の実施形態は、窓用に、絶縁ガラス（ＩＧ）窓ユニット（例えば、ＩＧ窓ユニット用途における表面＃２又は表面＃３）、積層窓ユニット、車両ウィンドシールド及び／又は他の車両若しくは建築用若しくは住宅用窓用途にモノリシックで使用され得るコーティングされた物品において使用することができる、コーティング又は層系を提供する。本発明の特定の実施形態は、ＨＴの前及び／又は後の高い可視光透過、良好な耐久性（機械的及び／又は化学的）、並びに熱処理時の良好な色安定性のうちの１つ以上を組み合わせる層系を提供する。本明細書において、特定の層がどのように積み重なるかが、驚くべきことに、この固有の組合せを可能にすることが示される。

色安定性に関して、本発明の特定の実施形態は、モノリシックでかつ／又はＩＧユニット若しくはウィンドシールドなどの二重ペイン環境の状況において、熱処理（例えば、熱焼戻し又は熱屈曲）時に優れた色安定性（すなわち、低いΔＥ^*の値、ここで、Δは、熱処理による変化を示す）を有する。このような熱処理（ＨＴ）は、多くの場合、コーティングされた基材を、少なくとも約１１００°Ｆ（５９３℃）及び最大１４５０°Ｆ（７８８℃）［より好ましくは約１１００〜１２００°Ｆ、及び最も好ましくは１１５０〜１２００°Ｆ］の温度まで、加熱することを必要とする。本発明の特定の実施形態は、（ｉ）熱処理時の色安定性及び（ｉｉ）選択的ＩＲ反射のための銀を含む層の使用のうちの１つ以上を組み合わせる。

本発明の例示的な実施形態は、熱処理（例えば、熱焼戻し）の前及び後の両方に肉眼で見た場合にほぼ同じ色特性を有する、低Ｅコーティングされた物品並びに対応する方法に関する。このような物品は、特定の例示的な実施形態では、（１）所望される場合の高い可視光透過特性、（２）熱処理前及び／若しくは後の良好な耐久性、並びに／又は（３）熱処理（ＨＴ）時の色安定性を示す低いΔＥ^*値のうちの１つ以上を組み合わせることができる。

驚くべきことに、また予想外なことに、低Ｅコーティング３０中の銀の又はそれを含む赤外線（ＩＲ）反射層７（及び／又は１９）のすぐ下に直接接触して、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質の層３（及び／又は１３）（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）を設けることは、コーティングの熱安定性を著しく改善する（すなわち、ΔＥ^*値を低下させる）効果を有することが見出された。本明細書に使用される場合、「実質的に結晶質」は、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質、及び最も好ましくは少なくとも７０％結晶質を意味する。１つ以上のそのような結晶質又は実質的に結晶質の層３、１３は、本発明の様々な例示的な実施形態では、銀を含む１つ以上の対応するＩＲ反射層７、１９の下に設けられてもよい。したがって、銀の又は銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層７及び／又は１９のすぐ下に、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層３及び／又は１３が、本発明の様々な実施形態における単一の銀の低Ｅコーティング、（例えば、図１若しくは図２０に示されるような）二重の銀の低Ｅコーティング又は三重の銀の低Ｅコーティングにおいて、使用されてもよい。特定の例示的な実施形態では、酸化亜鉛の又は酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層３及び／又は１３は、約１〜３０％のＳｎ、より好ましくは約１〜２０％のＳｎ、より好ましくは約５〜１５％のＳｎ、例としては約１０％のＳｎ（重量％単位）がドープされている。Ｓｎがドープされた酸化亜鉛は、Ｚｎ及びＳｎの又はそれらを含む少なくとも１つのスパッタリングターゲット（複数可）からスパッタリング蒸着技法などによって蒸着された時点で、層３及び／又は１３において（非晶質又はナノ結晶質とは対照的な）結晶化又は実質的に結晶化された相にある。蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層３及び／又は１３の結晶化相を、銀７及び／又は１９とガラス１との間の層（複数可）と組み合わせることにより、コーティングされた物品は、任意選択のＨＴ時の改善された熱安定性を実現する（ΔＥ^*値を低下させる）ことが可能となる。蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層３及び／又は１３の結晶化相を、銀とガラスとの間の層（複数可）と組み合わせることにより、その上に蒸着される銀７及び／又は１９が、テクスチャを有するが、いくつかのランダムに配向された粒を有する結晶構造を有することが可能となり、その結果、その屈折率（ｎ）が、任意選択のＨＴ時にあまり変化しなくなり、それによって、熱安定性の改善を実現することが可能となると考えられる。

特定の例示的な実施形態では、驚くべきことに、また予想外なことに、ケイ素ジルコニウム酸化物及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層２を、例えば、図１（ｂ）〜図１（ｄ）に示されるように、ドープ酸化亜鉛系層３の下に直接接触して設けることにより、コーティングされた物品の熱安定性の更なる改善をもたらし、したがって、熱焼戻しなどの熱処理（ＨＴ）時のΔＥ^*値の更なる低下をもたらすことも、見出されている。ケイ素ジルコニウム酸化物及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層２は、本発明の特定の例示的な実施形態では、最下部のドープ酸化亜鉛系層３のすぐ下に接触して設けられてもよい。

更に、驚くべきことに、また予想外なことに、窒化ケイ素系層（例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄、任意選択的に１〜１０％のＡｌなどがドープされている）が、ガラス基材１と最下部の銀系層７との間の最下部のドープ酸化亜鉛系層３のすぐ下に接触して設けられないことを、蒸着された時点のドープ酸化亜鉛系層３の結晶化又は実質的に結晶化された相と組み合わせることにより、熱処理時の熱安定性の改善（より低いΔＥ^*値）を実現することが可能となることも、見出されている。例えば、図１（ａ）〜図１（ｄ）のコーティングを参照されたい。更に、特定の例示的な実施形態では、ガラス基材１と銀を含む第１のＩＲ反射層７との間に配置される非晶質又は実質的に非晶質の層は、存在しない。

特定の例示的な実施形態では、驚くべきことに、また予想外なことに、ガラス基材と、ケイ素ジルコニウム酸化物及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層２との間に、吸収層（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｂＺｒ及び／又はＮｂＺｒＮ_x）４２を設けることにより、有益なことに、コーティングされた物品のガラス側の可視光反射（Ｒ_gＹ）が望ましい様式で低減され、可視光透過を望ましい様式で調整することが可能となることも、見出されている。吸収層４２は、例えば、図１（ｄ）に示されるような特定の例示的な実施形態では、１対の窒化ケイ素系層４１及び４３（例えば、任意選択的に１〜１０％のＡｌなどがドープされ、任意選択的に０〜１０％の酸素を含む、Ｓｉ₃Ｎ₄の又はＳｉ₃Ｎ₄を含むもの）の間に接触して設けられてもよい。

特定の例示的な実施形態では、モノリシックで測定される場合、上述の構造（例えば、図１（ａ）〜図１（ｄ）を参照されたい）を考慮すると、コーティングされた物品は、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．０以下（より好ましくは２．５以下、及び最も好ましくは２．３以下）の透過ΔＥ^*値（透過光学特性が測定される場合）、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．０以下（より好ましくは２．０以下、及び最も好ましくは１．０以下）のガラス側反射ΔＥ^*値（ガラス側反射光学特性が測定される場合）、並びに／又は（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間、１２分間及び／若しくは１６分間のＨＴ時の、３．５以下（より好ましくは３．０以下、及び最も好ましくは２．０以下）のフィルム側反射ΔＥ^*値（フィルム側反射光学特性が測定される場合）のうちの１つ以上を実現するように構成される。

特定の例示的な実施形態では、モノリシックで測定される場合、コーティングされた物品は、任意選択のＨＴの前又は後に、少なくとも約５０％、より好ましくは少なくとも約６０％、及び最も好ましくは少なくとも約６８％又は７０％の可視光透過（Ｔ_vis又はＹ）を有するように構成される。特定の例示的な実施形態では、低Ｅコーティングは、任意選択の熱処理の前及び／又は後に、２０オーム／スクエア以下、より好ましくは１０オーム／スクエア以下、及び最も好ましくは２．２オーム／スクエア以下のシート抵抗（ＳＲ又はＲ_s）を有する。特定の例示的な実施形態では、低Ｅコーティングは、０．０８以下、より好ましくは０．０５以下、及び最も好ましくは０．０４以下の半球放射率／放射（Ｅ_h）を有する。

値ΔＥ^*は、本発明の文脈において、熱処理（ＨＴ）時に整合性又は実質的な整合性があるかどうかを判定する際に重要である。本明細書における色は、従来のａ^*値、ｂ^*値を参照して説明され、この値は、本発明の特定の実施形態では、青色緑色象限に入る傾向にある所望される実質的に中間色範囲の色を得るために、いずれも負である。例示目的で、用語Δａ^*は、単純に、熱処理に起因して色値ａ^*がどれだけ変化するかを示す。

ΔΕ^*（及びΔΕ）という用語は、当該技術分野において十分に理解されており、それを決定するための様々な技法とともに、ＡＳＴＭ２２４４−９３に報告されており、同様に、Ｈｕｎｔｅｒ ｅｔ．ａｌ．，Ｔｈｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｏｆ Ａｐｐｅａｒａｎｃｅ，２^nd Ｅｄ．Ｃｐｔｒ．９，ｐａｇｅ １６２ ｅｔ ｓｅｑ．［Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，１９８７］に報告されている。当該技術分野において使用される場合、ΔＥ^*（及びΔＥ）は、熱処理後の又は熱処理による、物品における反射率及び／又は透過率（したがって、同様に色の見た目）の変化（又はその欠如）を適切に表す手段である。ΔＥは、「ａｂ」法によって又はＨｕｎｔｅｒ法（下付き文字「Ｈ」を用いた表記）によって、計算することができる。ΔＥは、Ｈｕｎｔｅｒ ＬａｂのＬ、ａ、ｂのスケール（又は、Ｌ_h、ａ_h、ｂ_h）に対応する。同様に、ΔＥ^*は、ＣＩＥ ＬＡＢのスケールＬ^*、ａ^*、ｂ^*に対応する。いずれも、本発明の目的で、有用かつ等価であると考えられる。例えば、上記で参照したＨｕｎｔｅｒ ｅｔ．ａｌ．において報告されているように、Ｌ^*、ａ^*、ｂ^*スケールとして知られている直交座標／スケール技法（ＣＩＥ ＬＡＢ １９７６）を使用してもよく、ここで、
Ｌ^*は、（ＣＩＥ １９７６）明度単位であり、
ａ^*は、（ＣＩＥ １９７６）赤−緑単位であり、
ｂ^*は、（ＣＩＥ １９７６）黄−青単位であり、
Ｌ^* _oａ^* _oｂ^* _oとＬ^* ₁ａ^* ₁ｂ^* ₁との間の距離ΔＥ^*は、
ΔＥ^*＝［（ΔＬ^*）²＋（Δａ^*）²＋（Δｂ^*）²］^1/2 （１）
であり、式中、
ΔＬ^*＝Ｌ^* ₁−Ｌ^* _o （２）
Δａ^*＝ａ^* ₁−ａ^* _o （３）
Δｂ^*＝ｂ^* ₁−ｂ^* _o （４）
であり、下付き文字「ｏ」は、熱処理前のコーティングされた物品を表し、下付き文字「１」は、熱処理後のコーティングされた物品を表し、用いられる数字（例えば、ａ^*、ｂ^*、Ｌ^*）は、前述の（ＣＩＥ ＬＡＢ １９７６）Ｌ^*、ａ^*、ｂ^*座標技法によって計算されるものである。同様に、ΔＥは、ａ^*、ｂ^*、Ｌ^*をＨｕｎｔｅｒ Ｌａｂの値ａ_h、ｂ_h、Ｌ_hで置き換えることによって、式（１）を使用して計算することができる。上記で定義されたものと同じΔＥ^*の概念を使用する任意の他の技法で計算されたものに変換された場合の同等の数もまた、本発明の範囲及びΔＥ^*の定量化に含まれる。

本発明の特定の例示的な実施形態では、低Ｅコーティング３０は、二重の銀のスタック（例えば、図１（ａ）〜図１（ｄ）を参照されたい）を含むが、本発明は、全ての事例において限定されるものではない（例えば、３つの銀系層を特定の事例で使用してもよく、又は代替として、単一の銀のスタックを使用してもよい）。図１（ａ）〜図１（ｄ）のコーティングされた物品は、モノリシック形態で図示されていることが認識されるであろう。しかしながら、これらのコーティングされた物品はまた、例えば、ＩＧ窓ユニットで使用されてもよい。

材料の安定性に起因して、高温（例えば、５８０〜６５０℃）での焼成は、誘電体層材料の化学組成、結晶化度及び微細構造又は更には相に、変化を引き起こす。高温はまた、界面拡散又は更には反応を引き起こし、結果として、組成、粗さ及び屈折率が、界面位置において変化する。結果として、屈折率ｎ／ｋ及び光学厚さなどの光学特性が、熱処理時に変化する。ＩＲ材料、例えば、Ａｇもまた、変化を受ける。典型的には、Ａｇ材料は、熱処理時に、結晶化、粒成長又は更には配向の変化を受ける。これらの変化は、多くの場合、低Ｅコーティングの光学特性及び熱特性に大きな影響を及ぼす、導電率及び特に屈折率ｎ／ｋの変化を引き起こす。加えて、誘電体及び誘電体の変化もまた、熱処理を受ける銀などのＩＲ反射層に有意な影響を及ぼす。更に、銀は、単に材料及び層スタック自体に起因して、１つの層スタックにおいて、その他のものよりも多くの変化を有し得る。銀の変化が何らかの限界を超えた場合、それは、熱処理後に審美的に許容されないおそれがある。本発明者らは、低Ｅコーティングの熱安定性を得るために、直接的又は間接的に薄い改質層（複数可）を有するガラス上のドープ酸化亜鉛の結晶化材料を、銀の下に使用することができることを見出した。これらの位置における結晶質又は実質的に結晶質のドープ酸化亜鉛は、熱処理時にあまり変化せず、屈折率（例えば、ｎ及び／又はｋ）などの特性に関して、銀の変化がより小さく、したがって、熱処理時の全体的な色変化が少なくなることが、見出された。

図１（ａ）は、本発明の例示的な非限定的な実施形態によるコーティングされた物品の側面断面図であり、低Ｅコーティング３０は、２つの銀系ＩＲ反射層７及び１９を有する。コーティングされた物品は、基材１（例えば、約１．０〜１０．０ｍｍ、より好ましくは約３．０ｍｍ〜８．０ｍｍの厚さの透明、緑色、青銅色又は青緑色のガラス基材）及び基材１上に直接的又は間接的に設けられる低Ｅコーティング（又は層系）３０を含む。コーティング（又は層系）３０は、図１（ａ）において、例えば、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質である、少なくとも１種の金属ドーパント（例えば、Ｓｎ及び／又はＡｌ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む誘電体層３と、層３の上に直接接触して配置される、銀の又は銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層７と、ＩＲ反射層７上の直接接触する、Ｎｉ及び／若しくはＣｒ（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＯ_x、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｉＣｒＯＮ、ＮｉＣｒＭ、ＮｉＣｒＭｏＯ_xなど）、Ｔｉ又は他の好適な材料の又はそれを含む接触層９と、蒸着された時点で非晶質又は実質的に非晶質であってもよい、スズ酸亜鉛（例えば、ＺｎＳｎＯ、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄若しくは他の好適な化学量論）又は他の好適な材料の又はそれらを含む誘電体層１１と、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質である、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はそれを含む別の誘電体層１３と、層１３の上に直接接触して配置される、銀の又は銀を含む別の赤外線（ＩＲ）反射層１９と、ＩＲ反射層１９上の直接接触する、Ｎｉ及び／若しくはＣｒ（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＯ_x、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｉＣｒＯＮ、ＮｉＣｒＭ、ＮｉＣｒＭｏＯ_xなど）、Ｔｉ又は他の好適な材料の又はそれらを含む別の接触層２１と、蒸着された時点で非晶質又は実質的に非晶質であり得る、スズ酸亜鉛（例えば、ＺｎＳｎＯ、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄若しくは他の好適な化学量論）又は他の好適な材料、例えば、酸化スズの又はそれらを含む別の誘電体層２３と、任意選択的にＡｌ及び／又はＯがドープされていてもよい窒化ケイ素（例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄又は他の好適な化学量論）の又はそれらを含む非晶質又は実質的に非晶質の誘電体層２５と、を含む。図１（ａ）に示される層は、スパッタリング蒸着によって又は任意の他の好適な様式で蒸着されてもよい。

本明細書に説明されるように、低Ｅコーティング３０における、銀の又は銀を含む赤外線（ＩＲ）反射層７及び／又は１９のすぐ下の直接接触する、少なくとも１種のドーパント（例えば、Ｓｎ）がドープされた酸化亜鉛の又はその酸化亜鉛を含む、蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質の層３及び／又は１３の存在は、コーティングの熱安定性を有意に改善する（すなわち、ΔＥ^*値を低下させる）効果を有することが、見出された。特定の例示的な実施形態では、酸化亜鉛の又は酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層３及び／又は１３は、約１〜３０％のＳｎ、より好ましくは約１〜２０％のＳｎ、より好ましくは約５〜１５％のＳｎ、例としては約１０％のＳｎ（重量％単位）がドープされている。

特定の例示的な実施形態では、スズ酸亜鉛（例えば、ＺｎＳｎＯ、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄など）系誘電体層１１及び２３は、非晶質又は実質的に非晶質の状態で蒸着されてもよい（その誘電体層は、熱処理時に結晶質又は実質的に結晶質となり得る）。層中に同様の量のＺｎ及びＳｎを有すること又は層中にＺｎよりも多くのＳｎを有することは、層が非晶質又は実質的に非晶質の状態で確実に蒸着されるのに役立つことが見出されている。例えば、非晶質スズ酸亜鉛系層１１及び２３の金属含量としては、（層中の酸素に加えて、重量％で）約３０〜７０％のＺｎ及び約３０〜７０％のＳｎ、より好ましくは約４０〜６０％のＺｎ及び約４０〜６０％のＳｎが挙げられ得、例としては、本発明の特定の例示的な実施形態では、約５２％のＺｎ及び約４８％のＳｎ又は約５０％のＺｎ及び５０％のＳｎである。したがって、例えば、非晶質又は実質的に非晶質のスズ酸亜鉛系層１１及び／又は２３は、本発明の特定の例示的な実施形態では、約５２％のＺｎ及び約４８％のＳｎ又は約５０％のＺｎ及び約５０％のＳｎを含む金属ターゲットを使用してスパッタリング蒸着されてもよい。任意選択的に、スズ酸亜鉛系層１１及び２３は、Ａｌなどの他の金属がドープされてもよい。層１１及び２３を非晶質又は実質的に非晶質の状態で蒸着し、一方で層３及び１３を結晶質又は実質的に結晶質の状態で蒸着することにより、有益なことに、熱安定性の改善を、許容可能な透過、色及び反射などの良好な光学特性と組み合わせて実現することが可能となることが、見出されている。スズ酸亜鉛層１１及び／又は２３は、例えば、酸化スズなどの他の材料（複数可）のそれぞれの層（複数可）で置き換えられてもよいことに留意されたい。

オーバーコートであってもよい誘電体層２５は、本発明の特定の実施形態では、コーティングされた物品の熱処理性及び／又は耐久性を改善するために、窒化ケイ素（例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄又は他の好適な化学量論）のものであってもよいか、又は窒化ケイ素を含んでもよい。窒化ケイ素は、任意選択的に、特定の例示的な実施形態では、Ａｌ及び／又はＯがドープされていてもよく、また、特定の例示的な実施形態では、酸化ケイ素又は酸化ジルコニウムなどの他の材料で置き換えられてもよい。

赤外線（ＩＲ）反射層７及び１９は、好ましくは実質的に又は完全に金属及び／又は導電性であり、銀（Ａｇ）、金又は任意の他の好適なＩＲ反射材料を含んでもよいか又は本質的にそれらからなってもよい。ＩＲ反射層７及び１９は、コーティングが低Ｅ特性及び／又は優れた太陽光制御特性を有することを可能にするのを補助する。ＩＲ反射層は、しかしながら、本発明の特定の実施形態では、わずかに酸化されていてもよい。

図１に図示されているコーティングの下又は上の他の層（複数可）もまた、設けられてもよい。したがって、層系又はコーティングは、基材１「の上に」あるか又は基材１「によって支持されている」（直接的又は間接的に）が、他の層（複数可）を、それらの間に設けてもよい。したがって、例えば、図１（ａ）のコーティングは、他の層（複数可）が層３と基材１との間に設けられている場合であっても、基材１「の上に」あり、基材１「によって支持されている」と考えることができる。更に、図示されているコーティングの特定の層が、特定の実施形態では除去されてもよく、一方で、本発明の他の実施形態では、本発明の特定の実施形態の全体的な趣旨から逸脱することなく、他の層（複数可）が、様々な層の間に追加されてもよいか、又は様々な層（複数可）が、分割された部分に他の層（複数可）を追加することによって分割されてもよい。

本発明の異なる施形態では、様々な厚さ及び材料が、層に使用され得るが、図１（ａ）の実施形態におけるガラス基材１上のそれぞれの層の例示的な厚さ及び材料は、ガラス基材から外側に向かって、以下の通りである。
表１ 図１（ａ）の実施形態の例示的な材料／厚さ

図１（ｂ）の実施形態は、上記及び本明細書の他の箇所で考察されている図１（ａ）の実施形態と同じであるが、図１（ｂ）の実施形態おける低Ｅコーティング３０はまた、ケイ素ジルコニウム酸化物、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、ＳｉＡｌＯ₂及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む実質的に透明な誘電体層２を、ドープ酸化亜鉛系層３の下に直接接触して含むことを除く。この追加の層２は、コーティングされた物品の熱安定性の更なる改善をもたらし、したがって、熱焼戻しなどの熱処理（ＨＴ）時のΔＥ^*値の更なる低下（例えば、より低いガラス側反射ΔＥ^*値）をもたらすことが、見出されている。ケイ素ジルコニウム酸化物、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、ＳｉＡｌＯ₂及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層２は、図１（ｂ）に示されるように、本発明の特定の例示的な実施形態では、最下部のドープ酸化亜鉛系層３のすぐ下に接触して設けられてもよい。本発明の特定の例示的な実施形態では、ケイ素ジルコニウム酸化物、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、ＳｉＡｌＯ₂及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層２は、約２０〜６００Åの厚さ、より好ましくは約４０〜４００Åの厚さ、及び最も好ましくは約５０〜３００Åの厚さであってもよい。図１（ａ）の実施形態に関する上記の厚さはまた、図１（ｂ）〜図１（ｄ）にも適用されてもよい。

層２が、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_yの層であるか又はそれらを含む層である場合、その層にＺｒよりも多くのＳｉを提供することは、低屈折率（ｎ）並びに改善された反射防止特性及び他の光学特性により光学的観点から有利であることが、見出されている。例えば、特定の例示的な実施形態では、層２が、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_yの層であるか又はそれらを含む層である場合、層の金属含量は、５１〜９９％のＳｉ、より好ましくは７０〜９７％のＳｉ、及び最も好ましくは８０〜９０％のＳｉ並びに１〜４９％のＺｒ、より好ましくは３〜３０％のＺｒ、及び最も好ましくは１０〜２０％のＺｒ（原子％）で構成されてもよい。例示的な実施形態では、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_yの又はそれを含む透明な誘電体層２は、５５０ｎｍで測定される場合、約１．４８〜１．６８、より好ましくは約１．５０〜１．６５、及び最も好ましくは約１．５０〜１．６２の屈折率（ｎ）を有してもよい。

図１（ｃ）の実施形態は、上記及び本明細書の他の箇所で考察されている図１（ｂ）の実施形態と同じであるが、図１（ｃ）の実施形態における低Ｅコーティング３０はまた、ガラス基材１と誘電体層２との間に接触して配置される、窒化ケイ素（例えば、任意選択的に１〜１０％のＡｌなどがドープされ、任意選択的に０〜１０％の酸素を含む、Ｓｉ₃Ｎ₄若しくは他の好適な化学量論）及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物の又はそれらを含む実質的に透明な誘電体層２も含むことを除く。

図１（ｄ）の実施形態は、上記及び本明細書の他の箇所で考察されている図１（ｂ）の実施形態と同じであるが、図１（ｄ）の実施形態における低Ｅコーティング３０はまた、窒化ケイ素系層４１及び４３（例えば、任意選択的に１〜１０％のＡｌなどがドープされ、任意選に０〜１０％の酸素を含む、Ｓｉ₃Ｎ₄）の間に挟まれて接触している、金属又は実質的に金属の吸収層４２も含むことを除く。吸収層４２は、本発明の例示的な実施形態では、ＮｉＣｒ、ＮｂＺｒ、Ｎｂ、Ｚｒ又はこれらの窒化物の層であってもよいか、又はそれらを含んでもよい。吸収層４２は、好ましくは、０〜１０％の酸素（原子％）、より好ましくは０〜５％の酸素を含有する。特定の例示的な実施形態では、驚くべきことに、また予想外なことに、ガラス基材と、ケイ素ジルコニウム酸化物、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素及び／又はケイ素ジルコニウム酸窒化物（例えば、ＳｉＺｒＯ_x、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、ＳｉＡｌＯ₂及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_y）の又はそれらを含む誘電体層２との間に、吸収層（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｂＺｒ及び／又はＮｂＺｒＮ_x）４２を設けることにより、有益なことに、コーティングされた物品のガラス側可視光反射（Ｒ_gＹ）が望ましい様式で低減され、可視光透過を望ましい様式で調整することが可能となることが、見出された。特定の例示的な実施形態では、吸収層４２は、約１０〜１５０Åの厚さ、より好ましくは約３０〜８０Åの厚さであってもよい。特定の例示的な実施形態では、窒化ケイ素系層４１及び４３は、約５０〜３００Åの厚さ、より好ましくは約７０〜１４０Åの厚さであってもよい。

図１（ａ）〜図１（ｄ）を参照して、ＺｒＯ₂、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_yの又はそれを含む別の透明な誘電体層（図示せず）が、層１１及び１３のいずれかの間に設けられてもよい。特定の例示的な実施形態では、スズ酸亜鉛を含む層１１は、省略されてもよいか、又はＺｒＯ₂、ＳｉＺｒＯ_x及び／若しくはＳｉＺｒＯ_xＮ_yの若しくはそれらを含むそのような別の透明な誘電体層と置き換えられてもよい。ドープ酸化亜鉛層１３は、ＺｒＯ₂、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_yの又はそれらを含むそのような別の層の透明な誘電体層で分割することもまた可能である。例えば、特定の例示的な実施形態では、そのような追加の層が、ＳｉＺｒＯ_x及び／又はＳｉＺｒＯ_xＮ_yの層であるか又はそれを含む層である場合、層の金属含量は、５１〜９９％のＳｉ、より好ましくは７０〜９７％のＳｉ、及び最も好ましくは８０〜９０％のＳｉ、並びに１〜４９％のＺｒ、より好ましくは３〜３０％のＺｒ、及び最も好ましくは１０〜２０％のＺｒ（原子％）から構成されてもよく、０〜２０％の窒素、より好ましくは０〜１０％の窒素、及び最も好ましくは０〜５％の窒素（原子％）を含有してもよい。

上記で説明され、図に示されるように、コーティングされた物品は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層３の下に直接接触して配置される、図１（ｂ）〜図１（ｄ）に示されるような誘電体層（複数可）２を含んでもよい。誘電体層（複数可）２は、ＺｒＯ₂、任意選に１〜１０％のＡｌがドープされていてもよいＳｉＯ₂並びに／又はケイ素及びジルコニウムの酸化物のうちの１つ以上を含んでもよい。誘電体層２は、ガラス基材１と直接接触してもよい。誘電体層（複数可）２は、約４０〜４００Å、より好ましくは約５０〜３００Å、及び最も好ましくは約５０〜２００Åの物理的厚さを有してもよい。誘電体層（複数可）２は、好ましくは酸化物系誘電体層であり、好ましくは窒素をほとんど含まないか、又は全く含まない。例えば、誘電体層（複数可）２（図示されている層２及び上記に考察された可能性のある追加のそのような層の両方）は、０〜２０％の窒素、より好ましくは０〜１０％の窒素、及び最も好ましくは０〜５％の窒素（原子％）を含んでもよい。

本発明の特定の実施形態では、透明なモノリシックガラス基材（例えば、例示的な参照目的で、６ｍｍの厚さのガラス基材）上に設けられる本明細書の層系（例えば、図１（ａ）〜図１（ｄ）を参照されたい）は、コーティングされた物品のガラス側から見たときに、熱処理前には、以下のような色を有する（Ｒ_G％）（Ｉｌｌ．Ｃ、２度観測者）。
表２：熱処理の前及び／又は後の反射／色（Ｒ_G）

比較例１及び２
図１９は、第１の比較例（ＣＥ）のコーティングされた物品の断面図であり、図２３は、第１の比較例（ＣＥ）について、熱処理に起因する、Ａｇ（１１１）ピーク高さにおける比較的大きな１６６％の変化を示す、ＸＲＤ Ｌｉｎ（Ｃｐｓ）対２θスケールのグラフである。

第１の比較例コーティング（図１９を参照されたい）と、以下の実施例１〜１８との間の差は、第１の比較例におけるコーティングの最下部の誘電体スタックが、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄層と、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛系層と、から作製されていることである。スズ酸亜鉛層（Ｚｎ₂ＳｎＯ₄は、スズ酸亜鉛の形態である）の金属含量は、約５０％のＺｎ及び約５０％のＳｎ（重量％）であり、したがって、スズ酸亜鉛層は、非晶質形態でスパッタリング蒸着されている。第１のＣＥにおける最下部の誘電体スタックの全体的な厚さは、約４００〜５００オングストロームであり、スズ酸亜鉛層が、その厚さの大部分を占めている。図２３は、第１の比較例（ＣＥ）について、熱処理中の銀層の構造における有意な変化を示す、約６５０℃での熱処理に起因するＡｇ（１１１）ピーク高さにおける比較的大きな１６６％の変化を示し、これは、比較例によって実現されるΔＥ^*値が４．０を上回ることと一貫性がある。したがって、第１のＣＥは、熱処理に起因するＡｇ（１１１）ピークの有意な変化及び４．０を上回る高いΔＥ^*値のため、望ましいものではなかった。

第２の比較例（ＣＥ２）を、図３４〜図３５に示す。図３４は、６ｍｍの厚さのガラス基材上への比較例２（ＣＥ２）の低Ｅコーティングのスパッタリング蒸着のためのスパッタリング蒸着条件を示す表である。ＣＥ２の層スタックは、本出願の図１（ｂ）に示されるものと同じであるが、ＣＥ２における最下部の誘電体層が、図１（ｂ）に示されるＳｉＺｒＯ_xの代わりに、窒化ケイ素（約８％のアルミニウムがドープされている）で作製されることを除く。したがって、ＣＥ２の下部の誘電体スタックは、この窒化ケイ素系層と、約１０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛層３と、のみから作製されている。ＣＥ２のコーティングの層の厚さは、図３４の右端の列にある。例えば、（Ａｒガス及びＮ₂ガスの雰囲気下においてＳｉＡｌターゲットからスパッタリングされた）Ａｌがドープされた下部の窒化ケイ素系層は、ＣＥ２では１０．５ｎｍの厚さであり、下部の銀のすぐ下の約１０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛層３は、ＣＥ２では３２．６ｎｍの厚さなどとなる。

図３５では、ＣＥ２は、１２分間、１６分間及び２４分間の熱処理に起因する、４．０を上回る比較的高いガラス側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^*Ｒ_g）及びフィルム側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^*Ｒ_f）の問題を有することが理解できる。例えば、図３５は、ＣＥが、１２分間の熱処理に起因する、４．９という比較的高いガラス側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^*Ｒ_g）及び５．５という比較的高いフィルム側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^*Ｒ_f）を有することを示す。図３５は、左端のデータ列の熱処理前のコーティングされた（アニーリングされた）時点、６５０℃で１２分間の熱処理後（ＨＴ）、６５０℃で１６分間のＨＴ後（ＴＨＸ）及び６５０℃で２４分間の熱処理後（ＨＴＸＸＸ）の、比較例２（ＣＥ２）の光学特性を示す表である。ＣＥ２の比較的高いΔＥ^*値は、望ましくない。

したがって、図３４〜図３５における比較例２（ＣＥ２）は、約１０％のＳｎがドープされた結晶質又は実質的に結晶質の酸化亜鉛層３が、下部の銀層７のすぐ下に設けられた場合であっても、層３とガラス基材１との間の唯一の層が窒化ケイ素系層である場合には、望ましくないほどに高いΔＥ^*値が実現されることを示す。ＣＥ２のコーティングと以下の実施例１〜１８との間の差は、以下の実施例１〜１８が、驚くべきことに、また予想外なことに、約１０％のＳｎがドープされた結晶質又は実質的に結晶質の酸化亜鉛層３のすぐ下に接触して配置される窒化ケイ素系層を有さないことにより、約１０％のＳｎがドープされた結晶質又は実質的に結晶質の酸化亜鉛層３を使用して、はるかに改善された（低い）ΔＥ^*値を実現することができたことである。

実施例１〜１８
驚くべきことに、また予想外なことに、図１９における比較例（ＣＥ）の最下部の誘電体スタック５、６（大部分が、蒸着された時点で非晶質であるスズ酸亜鉛層でできている）を、銀系層と接触する類似の厚さの結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３と、結晶質又は実質的に結晶質の層３のすぐ下の接触する窒化ケイ素系層なしで置き換えた場合（スタックの残りは、実質的に同じままである）、約６５０℃での熱処理に起因するΔＥ^*値が有意に低く、Ａｇ（１１１）ピーク高さの変化がはるかに小さい、はるかに熱安定性の生成物が得られたことが、見出された。実施例１〜１８における結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３の金属含量は、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）であり、これが、実施例１〜１８におけるＳｎドープ酸化亜鉛層が、結晶質又は実質的に結晶質の形態で（ＣＥにおける非晶質形態とは対照的に）スパッタリング蒸着されるのを可能にするのに役立った。例えば、図２０は、実施例１０の層スタックを示し、図２１は、実施例１０のスパッタリング蒸着条件及び層の厚さを示し、図２２は、実施例１０に関して、約６５０℃での熱処理に起因するＡｇ（１１１）ピーク高さの変化がはるかに小さい６６％であったことを示し、これは、実施例１〜１８によって実現されるはるかに低いΔＥ^*値と一貫性がある。図１６はまた、実施例８に関して、熱処理時の比較的小さな屈折率（ｎ）シフトを示す。

例示的なコーティングされた物品（それぞれ、アニーリング及び熱処理されている）である実施例１〜１８を、本発明の特定の例示的な実施形態に従って作製した。示される例示的なコーティング３０は、スパッタリング条件（例えば、ガスフロー、電圧及び電力）、スパッタリングターゲットにより、並びに図２、図３、図６、図７、図９、図１１、図１３、図１５、図２１、図２４〜図２６、図２８、図３０及び図３２に示される層の厚さ（ｎｍ）に、スパッタリング蒸着した。例えば、図２は、実施例１のコーティングのスパッタリング条件、スパッタリング蒸着に使用されるスパッタリングターゲット及び層の厚さを示し、図３は、実施例２のコーティングのスパッタリング条件、スパッタリング蒸着に使用されるスパッタリングターゲット及び層の厚さを示し、図６は、実施例３のコーティングのスパッタリング条件、スパッタリング蒸着に使用されるスパッタリングターゲット及び層の厚さを示し、図７は、実施例４のコーティングのスパッタリング条件、スパッタリング蒸着に使用されるスパッタリングターゲット及び層の厚さを示すなどである。一方で、示される実施例のデータは、可視光透過（ＴＹ又はＴ_vis）、ガラス側可視光反射率（Ｒ_gＹ）、フィルム側可視光反射率（Ｒ_fＹ）、ａ^*及びｂ^*色値、Ｌ^*値並びにシート抵抗（ＳＲ又はＲ_s）を含め、図４、図５、図８、図１０、図１２、図１４、図１８、図２７、図２９、図３１及び図３３に示されている。上述のように、ΔＥ^*値を、所与の例について、熱処理前及び後に得られたＬ^*値、ａ^*値及びｂ^*値を使用して計算する。例えば、ガラス側反射ΔＥ^*値（ΔＥ^*Ｒ_g）を、所与の例について、熱処理前及び後に得られたガラス側反射Ｌ^*値、ａ^*値及びｂ^*値を使用して計算する。

図４、図５、図８、図１０、図１２、図１４及び図１８における約３ｍｍの厚さのガラス基材を有する例について、「ＨＴ」は、６５０度で約８分間の熱処理を指し、「ＨＴＸ」は、６５０度で約１２分間の熱処理を指し、「ＨＴＸＸＸ」は、６５０度で約２０分間の熱処理を指す。また、図４、図５、図８、図１０、図１２、図１４、図１８、図２７、図２９、図３１及び図３３における約６ｍｍの厚さのガラス基材を有する例については、「ＨＴ」は、６５０度で約１２分間の熱処理を指し、「ＨＴＸ」は、６５０度で約１６分間の熱処理を指し、「ＨＴＸＸＸ」は、６５０度で約２４分間の熱処理を指す。熱処理の温度及び時間は、基準目的（例えば、異なる焼戻し及び／又は熱屈曲プロセスの例をシミュレートするため）のものにすぎない。

図４及び図５は、例えば、それぞれ、実施例１及び２のΔＥ^*値を示す。実施例１のデータは、例示及び説明の目的で以下に詳細に説明され、その考察はまた、実施例２〜１８のデータにも適用される。

図４に示されるように、コーティングされた時点（熱処理前）の実施例１は、７４．７％の可視光透過（ＴＹ又はＴ_vis）、８９．３の透過Ｌ^*値、−４．７の透過ａ^*色値、５．８の透過ｂ^*色値、９．６％のガラス側反射率（Ｒ_gＹ）、３７．１のガラス側反射Ｌ^*値、−１．１のガラス側反射ａ^*色値、−１０．１のガラス側反射ｂ^*色値、９．９％のフィルム側反射率（Ｒ_fＹ）、３７．７のフィルム側反射Ｌ^*値、−１．５のフィルム側反射ａ^*色値、−５．７のフィルム側反射ｂ^*色値、２．０９オーム／スクエアのシート抵抗（ＳＲ）を有していた。図２は、実施例１の層の厚さを示す。具体的には、図２は、実施例１の層の厚さが以下の通りであることを示す。ガラス／結晶質ＳｎドープＺｎＯ（４７．０ｎｍ）／Ａｇ（１５．１ｎｍ）／ＮｉＣｒＯ_x（４．１ｎｍ）／非晶質スズ酸亜鉛（７３．６ｎｍ）／結晶質ＳｎドープＺｎＯ（１７．７ｎｍ）／Ａｇ（２３．２ｎｍ）／ＮｉＣｒＯ_x（４．１ｎｍ）／非晶質スズ酸亜鉛（１０．８ｎｍ）／アルミニウムがドープされた窒化ケイ素（１９．１ｎｍ）。

次に、厚さ６ｍｍのガラス基材１を有する実施例１のコーティングされた物品を、熱処理した。図４に示されるように、６５０℃で約１２分間の熱処理後の実施例１は、７７．０％の可視光透過（ＴＹ又はＴ_vis）、９０．３の透過Ｌ^*値、−３．５の透過ａ^*色値、４．９の透過ｂ^*色値、９．８％のガラス側反射率（Ｒ_gＹ）、３７．５のガラス側反射Ｌ^*値、−０．７のガラス側反射ａ^*色値、−１０．５のガラス側反射ｂ^*色値、１０．２％のフィルム側反射率（Ｒ_fＹ）、３８．１のフィルム側反射Ｌ^*値、−１．４のフィルム側反射ａ^*色値、−８．０のフィルム側反射ｂ^*色値、１．７５のシート抵抗（ＳＲ）、１．８の透過ΔＥ^*値、０．７のガラス側反射ΔＥ^*値、２．４のフィルム側反射ΔＥ^*値を有していた。

実施例１（及び実施例２〜１８も同様）のこれらのΔＥ^*値は、背景技術において考察された先行技術のΔＥ^*値よりも、また上記で考察された比較例（ＣＥ）の４．０を上回る値と比較して、はるかに改善されている（有意に低い）ことが理解されるであろう。したがって、実施例から得られたデータは、比較例の最下部の誘電体スタックを、類似の厚さの少なくとも結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層と、結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３のすぐ下の接触する窒化ケイ素系層なしで置き換えた場合（スタックの残りは、実質的に同じままである）、熱処理に起因するΔＥ^*値が有意に低く、Ａｇ（１１１）ピーク高さの変化がはるかに小さい、はるかに熱安定性の生成物が得られたことを示す。

他の実施例は、比較例と比較して、これらの同じ予想外の結果を示す。例えば、実施例１〜１０は、概して、図１（ａ）によって示される層スタックを有し、下部の銀の下の唯一の誘電体層が、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）の金属含量を有する結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３であり、実施例１１〜１４では、ＳｉＺｒＯ_x層２のすぐ上にある結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３の金属含量は、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）であり、層２の金属含量は、約８５％のＳｉ及び１５％のＺｒ（原子％）であり、実施例１５〜１６では、ＺｒＯ₂層２のすぐ上にある結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３の金属含量は、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）であり、実施例１７〜１８では、約８％のＡｌ（原子％）がドープされたＳｉＯ₂層２のすぐ上にある結晶質又は実質的に結晶質のＳｎドープ酸化亜鉛層３の金属含量は、約９０％のＺｎ及び１０％のＳｎ（重量％）であった。これらの例は、驚くべきことに、また予想外なことに、比較例と比較してはるかに改善されたΔＥ^*値を実現した。

ガラスコーティングの分野において、特に、コーティングされたガラスの特性及び太陽光管理特性を定義するときに、特定の用語が、主として使用されている。そのような用語は、それらの周知の意味に従って本明細書に使用されている。例えば、本明細書に使用される場合、反射される可視波長光の強度、すなわち「反射率」は、そのパーセンテージによって定義され、Ｒ_xＹ又はＲ_x（すなわち、以下のＡＳＴＭ Ｅ−３０８−８５において引用されるＹ値）として報告され、「Ｘ」は、ガラス側の「Ｇ」又はフィルム側の「Ｆ」のいずれかである。「ガラス側」（例えば、「Ｇ」又は「ｇ」）は、ガラス基材の側面から見たときに、コーティングが存在する側面とは反対側を意味し、「フィルム側」（すなわち、「Ｆ」又は「ｆ」）は、ガラス基材の側面から見たときに、コーティングが存在する側を意味する。

色特性は、本明細書において、ＣＩＥ ＬＡＢ ａ^*、ｂ^*座標及びスケール（すなわち、ＣＩＥ ａ^*ｂ^*図、Ｉｌｌ．ＣＩＥ−Ｃ、２度観測者））を使用して、測定され、報告される。Ｈｕｎｔｅｒ Ｌａｂスケールの従来の使用を示すための下付き文字「ｈ」によるもの、又はＩｌｌ．ＣＩＥ−Ｃ、１０°観測者又はＣＩＥ ＬＵＶ ｕ^*ｖ^*座標など、他の同様の座標が、同等に使用されてもよい。これらのスケールは、本明細書において、ＡＳＴＭ Ｅ−３０８−８５，Ａｎｎｕａｌ Ｂｏｏｋ ｏｆ ＡＳＴＭ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ，Ｖｏｌ．０６．０１ 「Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ ｔｈｅ Ｃｏｌｏｒｓ ｏｆ Ｏｂｊｅｃｔｓ ｂｙ １０ Ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ＣＩＥ Ｓｙｓｔｅｍ」によって補足されるＡＳＴＭ Ｄ−２２４４−９３「Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｔｅｓｔ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｌｏｒ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅｓ Ｆｒｏｍ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｌｌｙ Ｍｅａｓｕｒｅｄ Ｃｏｌｏｒ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅｓ」９／１５／９３に従って及び／又はＩＥＳ ＬＩＧＨＴＩＮＧ ＨＡＮＤＢＯＯＫ １９８１ Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ Ｖｏｌｕｍｅに報告されているように、定義される。

可視光透過率は、既知の従来の技法を使用して測定することができる。例えば、Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｌａｍｂｄａ ９００又はＨｉｔａｃｈｉ Ｕ４００１などの分光光度計を使用することにより、透過のスペクトル曲線が得られる。次いで、前述のＡＳＴＭ ３０８／２２４４−９３の手法を使用して、可視光透過を計算する。所望される場合、所定よりも少ない数の波長点を用いてもよい。可視光透過率を測定するための別の技法は、Ｐａｃｉｆｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって製造されている市販入手可能なＳｐｅｃｔｒｏｇａｒｄ分光光度計などの分光計を用いることである。この装置は、可視光透過率を直接測定し、報告する。本明細書において報告及び測定される場合、可視光透過率（すなわち、ＣＩＥ三刺激系におけるＹ値、ＡＳＴＭ Ｅ−３０８−８５）並びにａ^*値、ｂ^*値及びＬ^*値並びにガラス側／フィルム側反射率値は、本明細書では、Ｉｌｌ．Ｃ．２度観測者標準を使用する。

本明細書に使用される別の用語は、「シート抵抗」である。シート抵抗（Ｒ_s）は、当該技術分野において周知の用語であり、その周知の意味に従って本明細書に使用される。これは、本明細書では、スクエア毎オームの単位で報告される。一般的に述べると、この用語は、ガラス基材上の層系の任意の大きさの正方形について、層系に流れる電流に対する抵抗を、オーム単位で指す。シート抵抗は、層又は層系がどのくらい良好に赤外線エネルギーを反射しているかの指標であり、したがって、多くの場合、この特性の尺度として放射率とともに使用される。「シート抵抗」は、例えば、Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｃｏｒｐ．のヘッドを有する分配可能な４端子抵抗性プローブ、Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ，ＣａｌｉｆｏｒｎｉａのＳｉｇｎａｔｏｎｅ Ｃｏｒｐ．によって製造されたモデルＭ−８００などの４端子プローブのオーム計を使用することによって、便宜的に測定することができる。

本明細書に使用される場合、「熱処理（heat treatment）」及び「熱処理する（heat treating）」という用語は、コーティングされた物品を含めたガラスの熱焼戻し、熱屈曲及び／又は熱強化を達成するのに十分な温度まで、物品を加熱することを意味する。この定義は、例えば、コーティングされた物品を、オーブン又は炉内で、少なくとも約５８０℃、より好ましくは少なくとも約６００℃、６５０℃を含む温度で、焼戻し、屈曲及び／又は熱強化を可能にするのに十分な期間、加熱することを含む。特定の例では、熱処理は、本明細書に考察されるように、少なくとも約８分間以上であってもよい。

本発明の例示的な実施形態では、ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、コーティングは、ガラス基材上に設けられる、約１〜３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層（例えば、少なくとも５０％結晶質、より好ましくは少なくとも６０％結晶質）と、ガラス基材上に配置され、かつ約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層と、を含み、窒化ケイ素系層（酸窒化ケイ素系層）は、ガラス基材と銀を含む第１のＩＲ反射層との間の約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ下に接触して配置されず、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）（例えば、３ｍｍの厚さのガラス基材上で）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）（例えば、３ｍｍの厚さのガラス基材上で）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）（例えば、３ｍｍの厚さのガラス基材上で）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの１つ、２つ又は全てを有するように構成される、コーティングされた物品、が提供される。

直前の先行する段落に記載のコーティングされた物品において、酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、約１〜２０％のＳｎ（重量％）、より好ましくは約５〜１５％のＳｎ（重量％）、及び最も好ましくは約１０％のＳｎ（重量％）がドープされていてもよい。

先行する２つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、Ｓｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、スパッタリング蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質であってもよい。

先行する３つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されてもよい。

先行する４つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値の全てを有するように構成されてもよい。

先行する５つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、２．５以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、２．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成されてもよい。

先行する６つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、２．５以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、２．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のフィルム側反射ΔＥ^*値の全てを有するように構成されてもよい。

先行する７つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理に起因する、２．３以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理に起因する、１．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理に起因する、２．０以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも１つを有するように構成されてもよい。

先行する８つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングは、熱処理の前及び／又は後に、２０オーム／スクエア以下、より好ましくは１０オーム／スクエア以下、及び最も好ましくは２．２オーム／スクエア以下のシート抵抗（Ｒ_s）を有してもよい。

先行する９つの段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、少なくとも５０％、より好ましくは少なくとも６０％、及び最も好ましくは少なくとも７０％の可視光透過を有してもよい（例えば、モノリシックで測定される場合）。

先行する１０個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、Ｓｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、ガラス基材と銀を含む第１のＩＲ反射層との間に直接接触して配置されてもよい。

先行する１１個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングは、ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む第１のＩＲ反射層の上に配置される、スズ酸亜鉛を含む第１の非晶質又は実質的に非晶質の層を更に含んでもよい。スズ酸亜鉛を含む第１の非晶質又は実質的に非晶質の層は、約４０〜６０％のＺｎ及び約４０〜６０％のＳｎ（重量％）の金属含量を有し得る。

先行する１２個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングは、銀を含む第１のＩＲ反射層の上に直接接触して配置される、接触層を更に含んでもよい。接触層は、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ及び／若しくはＣｒ、ＮｉＣｒ、Ｔｉ、ＮｉＣｒＭｏ並びに／又はこれらの酸化物及び／若しくは窒化物のうちの１つ以上を含んでもよい。

先行する１３個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングは、ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む第１のＩＲ反射層の上に配置される、銀を含む第２のＩＲ反射層と、銀を含む第２のＩＲ反射層の下に直接接触して配置される、約１〜３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第２の結晶質又は実質的に結晶質の層と、を更に含んでもよい。任意選択的に、窒化ケイ素系層は、ガラス基材と銀を含む第２のＩＲ反射層との間に配置されない。コーティングはまた、ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む第２のＩＲ反射層の上に配置される、スズ酸亜鉛を含む非晶質又は実質的に非晶質の層を更に含んでもよく、スズ酸亜鉛を含む非晶質又は実質的に非晶質の層は、約４０〜６０％のＺｎ及び約４０〜６０％のＳｎ（重量％）の金属含量を有してもよい。コーティングは、少なくとも、スズ酸亜鉛を含む非晶質又は実質的に非晶質の層の上に配置される、窒化ケイ素を含む層を更に含んでもよい。コーティングは、銀を含む第２のＩＲ反射層の上に直接接触して配置される、接触層（例えば、上記の例示的な接触層材料を参照されたい）を更に含んでもよい。

先行する１４個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、熱焼戻しされていてもよい。

先行する１５個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理に起因する、３．５以下の透過ΔＥ^*値及び（ｉｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理に起因する、１．８以下のガラス側反射ΔＥ^*値のそれぞれを有するように構成されてもよい。

先行する１６個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の下に直接接触して配置される、酸化ジルコニウムを含む層を更に含んでもよい。

先行する１７個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の下に直接接触して配置される、ケイ素及びジルコニウムの酸化物及び／又は窒化物を含む層を更に含んでもよい。

先行する１８個の段落のうちのいずれか記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の下に直接接触して配置される、ケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む層を含んでもよい。コーティングされた物品は、ガラス基材とケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む層との間に配置される、金属又は実質的に金属の吸収層（例えば、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｒＮ_x、ＮｂＣｒ又はＮｂＣｒＮ_x）を更に含んでもよい。吸収層は、窒化ケイ素を含む第１の層と第２の層との間に挟まれて接触していてもよい。

先行する１９個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、少なくとも、ガラス基材と、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層との間に配置される、ケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む層を含んでもよい。

特定の例示的な実施形態では、ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、コーティングは、ガラス基材上に設けられる、約１〜３０％のＳｎ（より好ましくは約５〜１５％）（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む層と、ガラス基材上に配置され、かつ約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層と、ガラス基材上の、少なくとも、銀を含む第１のＩＲ反射層及び酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の上の少なくとも１つの誘電体層と、を含み、窒化ケイ素系層は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む層のすぐ下に接触して配置されず、コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも１つを有するように構成される、コーティングされた物品、が提供される。

先行する２１個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングされた物品は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の下に直接接触して配置される、誘電体層（例えば、図１（ｂ）〜図１（ｄ）における層２を参照されたい）を更に含んでもよい。誘電体層は、ＺｒＯ₂、任意選択的に１〜１０％のＡｌがドープされていてもよいＳｉＯ₂、並びに／又はケイ素及びジルコニウムの酸化物のうちの１つ以上を含んでもよい。誘電体層は、ガラス基材と直接接触してもよい。誘電体層は、約４０〜４００Å、より好ましくは約５０〜３００Å、及び最も好ましくは約５０〜２００Åの物理的厚さを有してもよい。誘電体層は、好ましくは、窒素をほとんど含まないか、又は全く含まない。例えば、誘電体層は、０〜２０％の窒素、より好ましくは０〜１０％の窒素、及び最も好ましくは０〜５％の窒素（原子％）を含んでもよい。

先行する２２個の段落のうちのいずれかに記載のコーティングされた物品において、コーティングは、ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む第１のＩＲ反射層の上に配置される、銀を含む第２のＩＲ反射層と、銀を含む第２のＩＲ反射層の下に直接接触して配置される、約１〜３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第２の層と、第１のＩＲ反射層と約１〜３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第２の層との間に配置される、スズ酸亜鉛を含む層と、を更に含んでもよい。少なくとも、ガラス基材と、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層との間に配置される、ケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む層が、設けられてもよい。コーティングされた物品は、スズ酸亜鉛を含む層１１と約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む第２の層１３との間に配置される、酸化ジルコニウム（例えば、ＺｒＯ₂）並びに／又はケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む誘電体層を更に含んでもよい。

上記の開示を考慮すると、多くのその他の特徴、修正及び改善が、当業者には明らかになるであろう。したがって、そのような他の特徴、修正及び改善は、本発明の一部であると見なされ、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定されるべきである。

Claims (59)

1. ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、前記コーティングは、
   前記ガラス基材上に配置される、約１〜３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層と、
   前記ガラス基材上に配置され、かつ約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層と、を含み、
   窒化ケイ素系層は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ下に接触して配置されず、
   前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも１つを有するように構成される、コーティングされた物品。
2. 酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、約１〜２０％のＳｎ（重量％）がドープされている、請求項１に記載のコーティングされた物品。
3. 酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、約５〜１５％のＳｎ（重量％）がドープされている、請求項１に記載のコーティングされた物品。
4. 酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、約１０％のＳｎ（重量％）がドープされている、請求項１に記載のコーティングされた物品。
5. Ｓｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、スパッタリング蒸着された時点で結晶質又は実質的に結晶質である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
6. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
7. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値の全てを有するように構成される、請求項１〜６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
8. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の基準熱処理に起因する、２．５以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理に起因する、２．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
9. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理に起因する、２．５以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理に起因する、２．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１２分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下のフィルム側反射ΔＥ^*値の全てを有するように構成される、請求項１〜８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
10. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理に起因する、２．３以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で１６分間の前記基準熱処理に起因する、１．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で１６分間の前記基準熱処理に起因する、２．０以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも１つを有するように構成される、請求項１〜９のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
11. 前記コーティングは、２０オーム／スクエア以下のシート抵抗（Ｒ_s）を有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
12. 前記コーティングは、１０オーム／スクエア以下のシート抵抗（Ｒ_s）を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
13. 前記コーティングは、２．２オーム／スクエア以下のシート抵抗（Ｒ_s）を有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
14. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、少なくとも５０％の可視光透過を有する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
15. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、少なくとも６８％の可視光透過を有する、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
16. Ｓｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層は、前記ガラス基材と銀を含む前記第１のＩＲ反射層との間に直接接触して配置される、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
17. 蒸着された時点の前記コーティングは、前記ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む前記第１のＩＲ反射層の上に配置される、スズ酸亜鉛を含む第１の非晶質又は実質的に非晶質の層を更に含む、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
18. スズ酸亜鉛を含む前記第１の非晶質又は実質的に非晶質の層は、約４０〜６０％のＺｎ及び約４０〜６０％のＳｎ（重量％）の金属含量を有する、請求項１７に記載のコーティングされた物品。
19. 前記コーティングは、銀を含む前記第１のＩＲ反射層の上に直接接触して配置される、接触層を更に含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
20. 前記接触層は、Ｎｉ及びＣｒを含む、請求項１９に記載のコーティングされた物品。
21. 前記コーティングは、
    前記ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む前記第１のＩＲ反射層の上に配置される、銀を含む第２のＩＲ反射層と、
    銀を含む前記第２のＩＲ反射層の下に直接接触して配置される、約１〜３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第２の結晶質又は実質的に結晶質の層と、を更に含み、
    窒化ケイ素系層は、前記ガラス基材と銀を含む前記第２のＩＲ反射層との間に配置されない、請求項１〜２０のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
22. 前記コーティングは、前記ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む前記第２のＩＲ反射層の上に配置される、スズ酸亜鉛を含む、蒸着された時点で非晶質又は実質的に非晶質の層を更に含む、請求項２１に記載のコーティングされた物品。
23. 蒸着された時点で非晶質又は実質的に非晶質である、スズ酸亜鉛を含む前記非晶質又は実質的に非晶質の層は、約４０〜６０％のＺｎ及び約４０〜６０％のＳｎ（重量％）の金属含量を有する、請求項２２に記載のコーティングされた物品。
24. 前記コーティングは、少なくとも、スズ酸亜鉛を含む前記非晶質又は実質的に非晶質の層の上に配置される、窒化ケイ素を含む層を更に含む、請求項２２又は２３に記載のコーティングされた物品。
25. 前記コーティングは、銀を含む前記第２のＩＲ反射層の上に直接接触して配置される、Ｎｉ及び／又はＣｒを含む接触層を更に含む、請求項２２〜２４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
26. 前記コーティングされた物品は、熱焼戻しされている、請求項１〜２５のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
27. 前記ガラス基材と銀を含む前記第１のＩＲ反射層との間に配置される非晶質又は実質的に非晶質の層は、存在しない、請求項１〜２６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
28. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で１６分間の基準熱処理に起因する、３．５以下の透過ΔＥ^*値及び（ｉｉ）約６５０℃の温度で１６分間の前記基準熱処理に起因する、１．８以下のガラス側反射ΔＥ^*値のそれぞれを有するように構成される、請求項１〜２７のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
29. 前記コーティングされた物品は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の下に直接接触して配置される、ジルコニウムの酸化物を含む層を更に含む、請求項１〜１５又は１７〜２８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
30. 前記コーティングされた物品は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の下に直接接触して配置される、ケイ素及びジルコニウムの酸窒化物を含む層を更に含む、請求項１〜１５又は１７〜２９のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
31. 前記コーティングされた物品は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の下に直接接触して配置される、ケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む層を更に含む、請求項１〜１５又は１７〜３０のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
32. 前記コーティングされた物品は、前記ガラス基材とケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む前記層との間又は前記ガラス基材とジルコニウムの酸化物を含む前記層との間のいずれかに配置される、金属又は実質的に金属の吸収層を更に含む、請求項２９又は３１に記載のコーティングされた物品。
33. 前記吸収層は、窒化ケイ素を含む第１の層と第２の層との間に挟まれて接触している、請求項３２に記載のコーティングされた物品。
34. 前記吸収層は、Ｎｉ及びＣｒを含む、請求項３２又は３３に記載のコーティングされた物品。
35. 前記コーティングされた物品は、少なくとも前記ガラス基材と約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層との間に配置される、ジルコニウムの酸化物又はケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む層を更に含む、請求項１〜３４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
36. 前記コーティングは、
    前記ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む前記第１のＩＲ反射層の上に配置される、銀を含む第２のＩＲ反射層と、
    銀を含む前記第２のＩＲ反射層の下に直接接触して配置される、約１〜３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第２の層と、
    前記第１のＩＲ反射層と約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第２の層との間に配置される、スズ酸亜鉛を含む層と、を更に含む、請求項１〜３５のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
37. 前記コーティングされた物品は、少なくとも前記ガラス基材と約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層との間に配置される、ジルコニウムの酸化物並びに／又はケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む層を更に含む、請求項３６に記載のコーティングされた物品。
38. 前記コーティングされた物品は、スズ酸亜鉛を含む前記層と約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第２の層との間に配置される、ジルコニウムの酸化物並びに／又はケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む層を更に含む、請求項３６又は３７に記載のコーティングされた物品。
39. 前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約３ｍｍの厚さの基準ガラス基材上で約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約３ｍｍの厚さの基準ガラス基材上で約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約３ｍｍの厚さの基準ガラス基材上で約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも１つを有するように構成される、請求項１〜３８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
40. ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、前記コーティングは、
    前記ガラス基材上に設けられる、約１〜３０％のＳｎ（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の層と、
    前記ガラス基材上に配置され、かつ約１〜３０％のＳｎでドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層と、
    前記ガラス基材上の、少なくとも、銀を含む前記第１のＩＲ反射層及び約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の上の、少なくとも１つの誘電体層と、を含み、
    窒化ケイ素系層は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記層のすぐ下に接触して配置されず、
    前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも１つを有するように構成される、コーティングされた物品。
41. 酸化亜鉛を含む前記第１の層は、約５〜１５％のＳｎ（重量％）がドープされている、請求項４０に記載のコーティングされた物品。
42. 酸化亜鉛を含む前記第１の層は、約１０％のＳｎ（重量％）がドープされている、請求項４０に記載のコーティングされた物品。
43. 前記コーティングされた物品は、約１〜３０％のＳｎがドープされた酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の下に直接接触して配置される、誘電体層を更に含む、請求項４０〜４２のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
44. 前記誘電体層は、ＺｒＯ₂を含む、請求項４３に記載のコーティングされた物品。
45. 前記誘電体層は、任意選択的に１〜１０％のＡｌがドープされていてもよいＳｉＯ₂を含む、請求項４３に記載のコーティングされた物品。
46. 前記誘電体層は、ケイ素及びジルコニウムの酸化物を含む、請求項４３に記載のコーティングされた物品。
47. 前記誘電体層は、前記ガラス基材と直接接触している、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
48. 前記誘電体層は、約４０〜４００Åの物理的厚さを有する、請求項４３〜４７のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
49. 前記誘電体層は、約５０〜３００Åの物理的厚さを有する、請求項４３〜４８のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
50. 前記誘電体層は、０〜１０％の窒素（原子％）を含む、請求項４３〜４９のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
51. 前記誘電体層は、０〜５％の窒素（原子％）を含む、請求項４３〜５０のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
52. ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、前記コーティングは、
    前記ガラス基材上に設けられる、少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む結晶質又は実質的に結晶質の層と、
    前記ガラス基材上に配置され、かつ少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む前記層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層と、
    前記ガラス基材上の、少なくとも、銀を含む前記第１のＩＲ反射層及び少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む前記層の上の、少なくとも１つの誘電体層であって、
    窒化ケイ素系層は、少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む前記層のすぐ下に接触して配置されない、少なくとも１つの誘電体層と、
    前記ガラス基材上に、少なくとも前記第１のＩＲ反射層及び前記少なくとも１つの誘電体層の上に配置される、銀を含む第２のＩＲ反射層と、
    前記ガラス基材上に、少なくとも前記ガラス基材と少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む前記層との間に配置される、ケイ素及びジルコニウムの酸化物並びに／又はジルコニウムの酸化物を含む誘電体層と、を含み、
    前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも１つを有するように構成される、コーティングされた物品。
53. 前記少なくとも１種の金属は、Ｓｎを含む、請求項５２に記載のコーティングされた物品。
54. 酸化亜鉛を含む前記層は、約１〜２０％のＳｎ（重量％）がドープされている、請求項５２又は５３に記載のコーティングされた物品。
55. ケイ素及びジルコニウムの酸化物並びに／又はジルコニウムの酸化物を含む前記誘電体層は、前記ガラス基材と直接接触している、請求項５２〜５４のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
56. ケイ素及びジルコニウムの酸化物並びに／又はジルコニウムの酸化物を含む前記誘電体層は、約４０〜４００Åの物理的厚さを有する、請求項５２〜５５のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
57. ケイ素及びジルコニウムの酸化物並びに／又はジルコニウムの酸化物を含む前記誘電体層は、０〜１０％の窒素（原子％）を含む、請求項５２〜５６のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
58. 前記コーティングは、
    前記ガラス基材上に、少なくとも、銀を含む前記第１のＩＲ反射層の上に配置される、銀を含む第２のＩＲ反射層と、
    銀を含む前記第２のＩＲ反射層の下に直接接触して配置される、少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む別の層と、
    前記第１のＩＲ反射層と少なくとも１種の金属がドープされた酸化亜鉛を含む前記別の層との間に配置される、スズ酸亜鉛を含む層と、を更に含む、請求項５２〜５７のいずれか一項に記載のコーティングされた物品。
59. ガラス基材上のコーティングを含むコーティングされた物品であって、前記コーティングは、
    前記ガラス基材上に設けられる、約１〜３０％の少なくとも１種のドーパント（重量％）がドープされた酸化亜鉛を含む第１の結晶質又は実質的に結晶質の層と、
    前記ガラス基材上に配置され、かつ酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層のすぐ上に接触して配置される、銀を含む第１の赤外線（ＩＲ）反射層と、
    前記ガラス基材上の、少なくとも、銀を含む前記第１のＩＲ反射層及び酸化亜鉛を含む前記第１の結晶質又は実質的に結晶質の層の上の、少なくとも１つの誘電体層と、を含み、
    前記コーティングされた物品は、モノリシックで測定される場合、（ｉ）約６５０℃の温度で８分間の基準熱処理に起因する、３．０以下の透過ΔＥ^*値、（ｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．０以下のガラス側反射ΔＥ^*値、及び（ｉｉｉ）約６５０℃の温度で８分間の前記基準熱処理に起因する、３．５以下のフィルム側反射ΔＥ^*値のうちの少なくとも２つを有するように構成される、コーティングされた物品。

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