JP2021516785A - 透明発光素子ディスプレイ用電極基板及びこれを含む透明発光素子ディスプレイ - Google Patents

透明発光素子ディスプレイ用電極基板及びこれを含む透明発光素子ディスプレイ Download PDF

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Abstract

本願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板は、透明基板；上記透明基板上に行列で備えられる（Ｍ行×Ｎ列）個の発光素子パッド部；上記透明基板上に備えられ、上記発光素子パッド部にそれぞれ連結される第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部を含み、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部は、それぞれメタルメッシュパターンを含み、上記発光素子パッド部のうち一つの行を構成する発光素子パッド部に連結された第１共通電極配線部又は第２共通電極配線部の線抵抗は、上記数式１を満たす。

Description

本願は、２０１８年８月２４日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１８−００９９１８４号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に組み込まれる。
本願は、透明発光素子ディスプレイ用電極基板及びこれを含む透明発光素子ディスプレイに関する。
近年、我が国は先端ＩＣＴ技術とＬＥＤ技術との融合を通じて、派手な看板だけでなく、公園及び都心内に多様な景観照明を演出して、都市民に情報及び見どころを提供している。特に、透明電極素材を使用した透明ＬＥＤディスプレイは、ガラス（Ｇｌａｓｓ）とガラス（Ｇｌａｓｓ）との間にＬＥＤを適用したものであって、電線が見えなくて高級な演出が可能であるという長所がある。そのため、ホテル、デパートなどの室内インテリアーに活用されており、建物外壁のメディアファサードの具現においてその重要性を増しつつある。
透明ながらも電気が流れてタッチスクリーンなどに使用される透明電極は、スマート機器の普及に伴ってその需要が爆発的に増えており、その中で最も多く使用する透明電極は、インジウムとスズの酸化物であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）である。しかしながら、ＩＴＯ透明電極素材の主原料であるインジウムは、全世界的に埋蔵量が多くなく、中国など一部の国でのみ生産されており、生産コストが高価である。また、抵抗値が高く、一定に適用されなくて、照らし出されるＬＥＤの明かりが所望の輝度を発現できないだけでなく、一定でないという短所を有している。そのため、ＩＴＯを活用した透明ＬＥＤは、高性能・低コストの透明電極素材として活用するには限界がある。
透明電極素材としてＩＴＯが最も大きな比重を占めて使用されてきたことは事実であるが、経済性、制限的性能などの限界のため、新しい素材を活用した研究と技術開発が持続的になされている。次世代新素材として注目されている透明電極素材としては、メタルメッシュ（Ｍｅｔａｌ Ｍｅｓｈ）、ナノワイヤ（Ａｇ Ｎａｎｏｗｉｒｅ）、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、導電性高分子、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）などがある。その中でメタルメッシュは、ＩＴＯを代替した物質の８５％を占める新素材であって、低コスト、高伝導度を有していて、その活用度の面で市場が拡大しつつある。
メタルメッシュを活用した透明ＬＥＤディスプレイは、既存の透明ディスプレイよりも伝導性に非常に優れており、メンテナンスが容易であり、省資源、環境汚染を大幅に低減できるだけでなく、製造原価が節減でき、経済的である。また、多様な用途への拡大適用が可能であって、新しい透明電極素材として多様な製品に適用及び活用の可能性を有している。
本願は、メタルメッシュパターンを用いた透明発光素子ディスプレイを提供しようとする。
本願の一実施態様は、
透明基板；
上記透明基板上に行列で備えられる（Ｍ行×Ｎ列）個の発光素子パッド部；
上記透明基板上に備えられ、上記発光素子パッド部にそれぞれ連結される第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部を含み、
上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部は、それぞれメタルメッシュパターンを含み、
上記発光素子パッド部のうち一つの行を構成する発光素子パッド部に連結された第１共通電極配線部又は第２共通電極配線部の線抵抗は、下記数式１を満たすものである、透明発光素子ディスプレイ用電極基板を提供する。
［数１］
Ｒ＜（２００／Ｎ）−０．４
上記数式１において、
Ｒは、第１共通電極配線部又は第２共通電極配線部の線抵抗（Ω）であり、
Ｎ及びＭは、１以上の自然数である。
また、本願の別の実施態様は、上記透明発光素子ディスプレイ用電極基板を含む透明発光素子ディスプレイを提供する。
本願の一実施態様によれば、第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部に線幅、線高さ及びピッチが同じメタルメッシュパターンを適用することにより、配線の認知性を低下させることができる。また、上記メタルメッシュパターンは、発光素子が備えられる領域を除く透明基板上の有効画面部の全体領域に備えられることにより、共通電極配線部の広さを最大化して、抵抗を下げることができる。
また、本願の一実施態様によれば、第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンをそれぞれ分離する断線部の幅を最小限に抑えることにより、配線の認知性を低下させることができる。
本願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板を概略的に示す図である。 本願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板の電極パッド部を概略的に示す図である。 本願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板の電極パッド部を概略的に示す図である。 本願の一実施態様に係るメタルメッシュパターンを概略的に示す図である。 従来の技術に係るメタルメッシュパターンを概略的に示す図である。 本願の一実施態様に係るメタルメッシュパターンの線幅、線高さ及びピッチを概略的に示す図である。
以下、本願について詳細に説明する。
本願において、「透明」は、可視光線領域（４００〜７００ｎｍ）で約８０％以上の透過率特性を有することを意味することにする。
透明ＬＥＤディスプレイは、情報提供サービス及び景観演出などを通じて都市民に多様な見どころを提供しており、多様な分野で需要が増加しつつある。今まで透明電極素材としてＩＴＯが最も大きな比重を占めて使用されてきたことは事実であるが、経済性、制限的性能などの限界のため、新しい素材を活用した研究と技術開発が持続的になされている。
より具体的に、従来の透明ＬＥＤディスプレイを具現するにおいて、Ａｇナノワイヤや透明金属酸化物（ＩＴＯ、ＩＺＯ など）を導入して、透明電極配線を形成していた。しかしながら、Ａｇナノワイヤや透明金属酸化物（ＩＴＯ、ＩＺＯなど）は、抵抗が高いから、ＬＥＤの駆動個数に制限があって、透明ＬＥＤディスプレイを大面積化するのに限界がある。また、抵抗を下げるために、上記Ａｇナノワイヤや透明金属酸化物の厚さを厚くすると、透明ＬＥＤディスプレイの透過率が低下するという問題がある。
そこで、本願においては、抵抗特性、視認性などに優れる透明発光素子ディスプレイを提供するために、透明発光素子ディスプレイの透明電極配線にメタルメッシュパターンを適用することを特徴とする。
本願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板は、透明基板；上記透明基板上に行列で備えられる（Ｍ行×Ｎ列）個の発光素子パッド部；上記透明基板上に備えられ、上記発光素子パッド部にそれぞれ連結される第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部を含み、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部は、それぞれメタルメッシュパターンを含み、上記発光素子パッド部のうち一つの行を構成する発光素子パッド部に連結された第１共通電極配線部又は第２共通電極配線部の線抵抗は、上記数式１を満たす。
本願の一実施態様において、上記発光素子パッド部は、ソルダ（ｓｏｌｄｅｒ）を用いて発光素子が実装される位置に備えられる構成であって、上記発光素子パッド部のそれぞれは、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部と電気的に連結する少なくとも４つの電極パッド部を含むことができる。このとき、上記少なくとも４つの電極パッド部の間の少なくとも一部の領域には、後述する図２及び図３のように上記メタルメッシュパターンが備えられなくてもよい。
本願の一実施態様において、上記発光素子パッド部は、透明基板上に行列で（Ｍ行×Ｎ列）個が備えられることができ、一つの行を構成する発光素子パッド部は、上記信号電極配線部と直列連結されることができ、第１共通電極配線部及び第２共通電極配線部と直列連結されることができる。よって、本願の一実施態様において、上記信号電極配線部、第１共通電極配線部及び第２共通電極配線部は、それぞれＮ個備えられることができる。また、本願の一実施態様において、第１行を構成する発光素子パッド部に連結された第１共通電極配線部と、上記第１行とは異なる行を構成する発光素子パッド部に連結された第１共通電極配線部とは、互いに連結されなくてもよい。また、本願の一実施態様において、第１行を構成する発光素子パッド部に連結された第２共通電極配線部と、上記第１行とは異なる行を構成する発光素子パッド部に連結された第２共通電極配線部とは、互いに連結されなくてもよい。また、本願の一実施態様において、第１行を構成する発光素子パッド部に連結された信号電極配線部と、上記第１行とは異なる行を構成する発光素子パッド部に連結された信号電極配線部とは、互いに連結されなくてもよい。
また、本願の一実施態様において、第１行を構成する発光素子パッド部に連結された第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のそれぞれは、互いに連結されなくてもよい。上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のうちいずれか２つが互いに連結される場合には、電気的ショートが発生し得る。
上記第１共通電極配線部及び第２共通電極配線部は、発光素子が駆動できる十分な電流量を提供し、発光素子の色信号を送ることは低い電流だけでも信号を送ることができるので、信号電極配線部と直列連結されることができる。
上記発光素子パッド部の個数は、透明発光素子ディスプレイの用途などを考慮して、当業者が適宜選択することができ、特に制限されるものではない。より具体的に、上記発光素子パッド部の個数は、電極の抵抗と関連があり、電極が十分に低抵抗でディスプレイの面積が大きいほど、発光素子パッド部の個数は増えることができる。同じ面積に発光素子パッド部の個数が増えれば、解像度が高くなり、同じ間隔で発光素子パッド部の個数が増えれば、ディスプレイの面積が大きくなって、電力供給部の電線ラインが減少することがあるので、上記発光素子パッド部の個数は、透明発光素子ディスプレイの用途などを考慮して、当業者が適宜選択することができる。例えば、上記Ｎ及びＭは、それぞれ１以上の自然数であってもよく、１〜４００の自然数であってもよいが、これにのみ限定されるものではない。
本願の一実施態様において、上記信号電極配線部は、第１共通電極配線部と第２共通電極配線部との間に備えられることができる。
本願の一実施態様において、上記第１共通電極配線部は、（＋）共通電極配線部であり、上記第２共通電極配線部は、（−）共通電極配線部であってもよい。また、上記第１共通電極配線部は、（−）共通電極配線部であり、上記第２共通電極配線部は（＋）共通電極配線部であってもよい。
本願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極配線を、下記図１に概略的に示す。
本願の一実施態様によれば、（＋）共通電極配線部と（−）共通電極配線部との間に信号電極配線部が通る構造でチャンネルが形成されて、それぞれの発光素子パッド部ごとに別に電極配線が出ずに、上記（＋）共通電極配線部と（−）共通電極配線部に共通電極として連結されることができる。
本願の一実施態様において、上記発光素子パッド部のそれぞれは、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部と電気的に連結する少なくとも４つの電極パッド部から構成されることができる。本願の一実施態様によれば、上記発光素子パッド部のそれぞれは、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部と電気的に連結する４つの電極パッド部から構成されることができる。
本願の一実施態様において、上記４つの電極パッド部は、２つの信号電極パッド部、１つの第１共通電極パッド部及び１つの第２共通電極パッド部を含むことができる。上記２つの信号電極パッド部は、発光素子の信号イン−アウト（Ｉｎ−ｏｕｔ）パッド部としてそれぞれ信号電極配線部の末端に備えられることができ、第１共通電極パッド部及び第２共通電極パッド部は、それぞれ第１共通電極配線部と第２共通電極配線部の末端に備えられることができる。上記末端は、その上部に発光素子が備えられて、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部と発光素子とが電気的に連結される領域を意味する。
また、上記透明基板上には少なくとも一つのキャパシタパッド部をさらに含むことができる。本願の一実施態様において、上記キャパシタパッド部は、２つ含むことができる。
上記キャパシタパッド部は、キャパシタが取り付けられるパッドであって、上記キャパシタは、発光素子に供給する電流を安定させる役割を果たすことができる。
下記図２及び図３は、それぞれ本願の一実施態様に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板の電極パッド部を概略的に示す図である。図２及び図３は、それぞれ４つの電極パッド部と２つのキャパシタパッド部とを有する場合を示す図である。
より具体的に、図２及び図３のＡは、（＋）共通電極配線部を示すものでああり、Ｂは（−）共通電極配線部を示すものであり、Ｃは信号電極配線部を示すものである。また、図２及び図３の電極パッド部１及び２は、発光素子の信号イン−アウト（Ｉｎ−ｏｕｔ）パッド部として信号電極配線部の末端に連結されるように備えられる電極パッド部であり、電極パッド部３は、発光素子の（＋）パッド部として（＋）共通電極配線部の末端に連結されるように備えられる電極パッド部であり、電極パッド部４は、発光素子の（−）パッド部として（−）共通電極配線部の末端に連結されるように備えられる電極パッド部である。また、キャパシタパッド部５は、キャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）（＋）パッド部であり、キャパシタパッド部６は、キャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）（−）パッド部である。
上記Ａ、Ｂ及びＣは、メタルメッシュパターンを含み、上記電極パッド部１〜４のそれぞれの間には、メタルメッシュパターンが備えられない。また、上記電極パッド部１〜４、及びキャパシタパッド部５及び６は、それぞれメタルメッシュパターンを含まず、それぞれのパッド部の全体領域が金属からなることができる。より具体的に、上記電極パッド部及びキャパシタパッド部は、ソルダ工程によって発光素子に遮られる部分であるので、メタルメッシュパターンを含まず、それぞれのパッド部の全体領域が金属からなることができる。
上記電極パッド部及びキャパシタパッド部間の間隔は、それぞれ独立して、０．１ｍｍ〜１ｍｍであってもよい。上記のような間隔を有することにより、後で発光素子形成のためのソルダペーストのスクリーン印刷時、公差を考慮してショートを防止することができる。
上記電極パッド部及びキャパシタパッド部の形態は特に制限されるものではなく、四角形状であってもよい。また、上記電極パッド部及びキャパシタパッド部の大きさは、０．１ｍｍ２〜１ｍｍ２であってもよいが、これにのみ限定されるものではない。
上記４つの電極パッド部は、１つの発光素子と接合されることができる。すなわち、本願の一実施態様において、透明基板上に多数の発光素子が備えられる場合に、それぞれの発光素子は、４つの電極パッド部と接合されることができる。
本願の一実施態様において、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部は、いずれも線幅、線高さ及びピッチが同じメタルメッシュパターンを含むことができる。本願において、上記メタルメッシュパターンの線幅が同じということは、線幅の標準偏差が２０％以下、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下であることを意味する。また、本願において、上記メタルメッシュパターンの線高さが同じということは、線高さの標準偏差が１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは２％以下であることを意味する。また、本願において、上記メタルメッシュパターンのピッチが同じということは、ピッチの標準偏差が１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは２％以下であることを意味する。
本願の一実施態様において、上記メタルメッシュパターンは、発光素子が備えられる領域を除く透明基板上の有効画面部の全体領域に備えられることができる。より具体的に、上記メタルメッシュパターンは、上記透明基板上の全体面積に対し８０％以上の面積の領域に備えられることができ、９９．５％以下の面積に備えられることができる。また、上記メタルメッシュパターンは、上記透明基板上の全体面積を基準に、透明基板上に備えられるＦＰＣＢパッド部領域と発光素子パッド部領域を除く面積の８０％以上の面積の領域に備えられることができ、９９．５％以下の面積に備えられることができる。本願において、上記ＦＰＣＢパッド部領域は外部電源を印加するＦＰＣＢパッド部を含み、その面積は、ＦＰＣＢパッド部の全体面積以上、ＦＰＣＢパッド部の全体面積の３倍以下であってもよい。また、本願において、上記発光素子パッド部領域は、上述した電極パッド部を含み、その面積は、電極パッド部の全体面積の１．５倍以上、電極パッド部の全体面積の３倍以下であってもよい。
本願の一実施態様において、上記メタルメッシュパターンは、下記数式２を満たすことができる。
［数２］
（Ｐ−Ｗ）２／Ｐ２≧０．８
上記数式２において、Ｐは、メタルメッシュパターンのピッチであり、Ｗは、メタルメッシュパターンの線幅である。
本願の一実施態様において、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンは、当該技術分野のパターンの形態が使用されることができる。より具体的に、上記メタルメッシュパターンは、三角形、四角形、五角形、六角形及び八角形のうち一つ以上の形態を含む多角形パターンを含むことができる。
上記メタルメッシュパターンは、直線、曲線、又は直線や曲線からなる閉曲線を含むことができる。
上記メタルメッシュパターンは、発光素子が備えられる領域を除く透明基板上部面の有効画面部の全体領域に備えられることができるので、許容される最大限の配線領域を確保することができ、これによって透明発光素子ディスプレイの抵抗特性を改善することができる。より具体的に、上記メタルメッシュパターンのシート抵抗は、０．１Ω／ｓｑ以下であってもよい。
上記メタルメッシュパターンのピッチは、１００μｍ〜１，０００μｍであってもよく、１００μｍ〜６００μｍであってもよく、１００μｍ〜３００μｍであってもよいが、これは当業者が所望の透過率及び伝導度によって調節することができる。
上記メタルメッシュパターンの材料は、特に限定されないが、金属及び金属合金のうち１種以上を含むことが好ましい。上記メタルメッシュパターンは、金、銀、アルミニウム、銅、ネオジム、モリブデン、ニッケル又はこれらの合金を含むことができるが、これにのみ限定されるものではない。
上記メタルメッシュパターンの線高さは、特に限定されるものではないが、メタルメッシュパターンの伝導度及び形成工程の経済性の面で３μｍ以上であってもよく、２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよい。より具体的に、上記メタルメッシュパターンの線高さは、３μｍ〜２０μｍであってもよく、３μｍ〜１０μｍであってもよい。
上記メタルメッシュパターンの線幅は、５０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよいが、これにのみ限定されるものではない。上記メタルメッシュパターンの線幅が小さいほど、透過率と配線認知性の面で有利なことはあるが、抵抗の減少を引き起こすおそれがあり、このとき、メタルメッシュパターンの線高さを高くすると、上記抵抗の減少を改善することができる。上記メタルメッシュパターンの線幅は、５μｍ以上であってもよい。
上記メタルメッシュパターンの開口率、すなわちパターンによって覆われない面積の割合は、７０％以上であってもよく、８５％以上であってもよく、９５％以上であってもよい。
本願の一実施態様によれば、第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部に、線幅、線高さ及びピッチが同じメタルメッシュパターンを適用することにより、配線の認知性を低下させることができる。上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンの線幅、ピッチ又は線高さが同じでない場合には、配線部の認知性が増加するおそれがあるので、好ましくない。
本願の一実施態様において、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンは、それぞれメタルメッシュパターンが備えられていない断線部によって、互いに分離されることができる。上記断線部は、メタルメッシュパターンのうちその一部が断線されて電気的連結を互いに断絶させる領域を意味する。上記断線部の幅は、離隔した第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部の間の最隣接末端間の距離を意味することができる。上記断線部の幅は、８０μｍ以下であってもよく、６０μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよいが、これにのみ限定されるものではない。上記断線部の幅は、５μｍ以上であってもよい。
本願の一実施態様に係るメタルメッシュパターンを、下記図４に概略的に示し、従来の技術に係るメタルメッシュパターンを、下記図５に概略的に示す。
また、本願の一実施態様に係るメタルメッシュパターンの線幅８０、線高さ９０及びピッチ１００を下記図６に概略的に示す。上記メタルメッシュパターンの線幅、線高さ及びピッチは、当該技術分野に知られている方法を用いて測定することができる。例えば、ＳＥＭ断面を観察して測定する方法、非接触表面形状測定機（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｆｉｌｅｒ）で測定する方法、触針式表面段差測定機（アルファーステップ又はＳｕｒｆａｃｅｒ Ｐｒｏｆｉｌｅｒ）で測定する方法などを用いることができる。また、マイクロメータや厚さゲージで測定可能である。
本願の一実施態様によれば、第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンをそれぞれ分離する断線部の幅を最小限に抑えることにより、配線の認知性を低下させることができる。
本願の一実施態様において、上記メタルメッシュパターン上に黒化層パターンをさらに含むことができる。上記黒化層パターンは、上記メタルメッシュパターンの上部面及び側面の両方に備えられることができる。上記黒化層パターンは、クロム系、セレン系、銅スルフィド系、酸化銅系、窒化銅系、硫化銅系、アルミニウム酸窒化物系、銅酸窒化物系などの物質を１種以上含むことができる。上記黒化層パターンは、メタルメッシュパターンの上部面及び側面に上述した物質を湿式コーティング（ｗｅｔ ｃｏａｔｉｎｇ）して形成するか、アルミニウム酸窒化物系、銅酸窒化物系などの物質を３０ｎｍ〜７０ｎｍでスパッタリング工程で形成することができる。
また、上記発光素子パッド部の表面には、上述した黒化層パターンが備えられなくてもよい。
本願の一実施態様において、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンは、それぞれ独立した印刷工程で形成することもでき、１回の印刷工程によって同時に形成することもできる。これによって、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンは、互いに同じ線幅、ピッチ及び線高さを有することができる。
本願の一実施態様においては、第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンを形成するために、印刷法を用いることで、透明基板上に線幅が薄くて精密な第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンを形成することができる。上記印刷法としては、特に限定されず、オフセット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、インクジェット印刷、ナノインプリントなどの印刷法が使用されることができ、これらのうち１種以上の複合方法が使用されることもできる。上記印刷法は、ロール・ツー・ロール（ｒｏｌｌ ｔｏ ｒｏｌｌ）法、ロール・ツー・プレート（ｒｏｌｌ ｔｏ ｐｌａｔｅ）、プレート・ツー・ロール（ｐｌａｔｅ ｔｏ ｒｏｌｌ）又はプレート・ツー・プレート（ｐｌａｔｅ ｔｏ ｐｌａｔｅ）法を使用することができる。
本願の一実施態様においては、精密なメタルメッシュパターンを具現するためにリバースオフセット印刷法を応用することができる。このために、本願においては、ブランケットと呼ばれるシリコーン系ゴムの上にエッチング時にレジストの役割を果たすことができるインクを全面積にわたってコーティングした後、これを１次クリシェと呼ばれるパターンが刻まれている凹版を通じて、不要な部分を除去し、２次でブランケットに残っている印刷パターンをメタルなどが蒸着されているフィルムあるいはガラスのような基材に転写した後、これを焼成及びエッチング工程を経て、所望のパターンを形成する方法を行うことができる。このような方法を用いる場合、メタル蒸着された基材を用いることで、全領域における線高さの均一性が確保されることによって、厚さ方向の抵抗を均一に維持できるという長所を有している。これ以外にも、本願においては、上述したリバースオフセット印刷法を用いて導電性インクを直接印刷した後、焼成することにより、所望のパターンを形成する直接印刷方式を含むことができる。このとき、パターンの線高さは、押し込む印圧によって平坦化され、伝導度の付与は、金属ナノ粒子の相互表面融着による連結を目的とする熱焼成工程や、あるいはマイクロ波焼成工程／レーザ部分焼成工程などで付与することができる。
また、本願の一実施態様において、上記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンは、フォトリソグラフィ工程を用いて形成することができる。より具体的に、透明基板の上部に金属がめっきされるか、金属箔が貼り合わせられた上部に耐酸性を有するレジストパターンを露光及び現像するステップ、エッチング工程を通じて上記金属をエッチングするステップ、及び上記レジストパターンを剥離するステップを含むことができるが、これにのみ限定されるものではない。
本願の一実施態様において、上記透明基板上に行列で備えられる（Ｍ行×Ｎ列）個の発光素子パッド部において、一つの行を構成する発光素子パッド部のピッチと一つの列を構成する発光素子パッド部のピッチとが、互いに同じであってもよい。
本願の一実施態様において、上記一つの行を構成する発光素子パッド部で隣接した発光素子パッド部間の間隔、上記一つの列を構成する発光素子パッド部で隣接した発光素子パッド部間の間隔などは、使用される発光素子及び使用者の所望の解像度を考慮して変更されることができる。
本願の一実施態様において、上記透明基板上に接着層をさらに含み、上記発光素子パッド部、第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部は、それぞれ上記接着層の内部に埋め込まれた形態で備えられることができる。
すなわち、本願の一実施態様によれば、上記発光素子パッド部、第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部は、上記透明基板上で透明基板に接して備えられることができ、透明基板上に接着層をさらに含むことにより、上記発光素子パッド部、第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部が上記接着層の内部に埋め込まれた形態で備えられることができる。
本願の一実施態様において、上記接着層は、屈折率が１．４５〜１．５５であってもよく、７０℃以上の温度で流動性を有することができる。また、上記接着層は、熱硬化型接着剤組成物又はＵＶ硬化型接着剤組成物を含むことができる。
より具体的に、上記接着層は、シラン変性エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、開始剤及びシランカップリング剤を含むことができるが、これにのみ限定されるものではない。
上記接着層は、上述した接着剤組成物を用いて、コンマコーティング、スロットダイコーティングなどの方法で形成することができるが、これにのみ限定されるものではない。
本願の一実施態様において、上記埋め込まれた構造の電極の製造方法は、透明基板、上記透明基板上に備えられた接着層及び上記接着層上に備えられた金属層を含む構造体を形成するステップ；上記金属層をパターニングして、上記発光素子パッド部、第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部を形成するステップ；及び上記構造体を７０℃〜１００℃の温度で熱処理して、上記発光素子パッド部、第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部を上記接着層内部に埋め込むステップを含むことができる。
本願の一実施態様において、上記発光素子パッド部のうち一つの行を構成する発光素子パッド部に連結された第１共通電極配線部又は第２共通電極配線部の線抵抗は、下記数式１を満たす。
［数１］
Ｒ＜（２００／Ｎ）−０．４
上記数式１において、
Ｒは、第１共通電極配線部又は第２共通電極配線部の線抵抗（Ω）であり、
Ｎは、１以上の自然数である。
線抵抗（Ｒ）は、電極幅（Ｄ）に比例し、電極長さ（Ｌ）に反比例する。また、電極長さ（Ｌ）は、ＬＥＤ個数（Ｎ）がどのくらいのピッチ（Ｐ）であるのかに応じて定められることができる。本願におけるディスプレイの電極幅（Ｄ）は、ＬＥＤピッチ（Ｐ）のｎ倍であり（ｎは、０．１〜１の定数）、ＬＥＤの横ピッチと縦ピッチとが同じであるで、Ｒ∝Ｄ／Ｌの数式で表されることができ、これはＲ∝（ｎＰ／ＮＰ）の数式で表されることができ、最終的にＲ∝（ｎ／Ｎ）の数式の関係を有することができる。すなわち、線抵抗は、ＬＥＤ個数を変数として有する反比例関係が成立でき、これに基づいて当業者の電極設計及びＬＥＤ個数設定値によって、本発明者は上記数式１を導出した。
上記線抵抗は、第１共通電極配線部又は第２共通電極配線部の末端部に備えられたＦＰＣＢパッド部と一つの行の最後の発光素子パッド部との間の線抵抗を測定することができる。また、上記線抵抗を測定する装置は、当該技術分野に知られている装置を用いることができ、例えば、上記線抵抗を測定する装置は、Ｆｌｕｋｅ社の２８９ ＴＲＵＥ ＲＭＳ ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲを用いることができるが、これにのみ限定されるものではない。
本願の一実施態様において、上記線抵抗が数式１を満たす場合に、透明発光素子ディスプレイの解像度、輝度などを向上することができる。
本願の一実施態様において、上記透明基板は、透明性、表面平滑性、取り扱い容易性及び防水性に優れたガラス基板又は透明プラスチック基板であってもよいが、これに限定されず、電子素子に通常使用される透明基板であれば、制限されない。具体的に、上記透明基板は、ガラス；ウレタン樹脂；ポリイミド樹脂；ポリエステル樹脂；（メタ）アクリレート系高分子樹脂；ポリエチレン又はポリプロピレンなどのポリオレフィン系樹脂などからなるものであってもよい。また、上記透明基材は、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＣＯＰ（ｃｙｃｌｉｃ ｏｌｅｆｉｎ ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アセチルセルロイドのような可視光透過率８０％以上のフィルムであってもよい。上記透明基材の厚さは、２５μｍ〜２５０μｍであってもよいが、これにのみ限定されるものではない。
また、本願の一実施態様は、上記透明発光素子ディスプレイ用電極基板を含む透明発光素子ディスプレイを提供する。
上記透明発光素子ディスプレイは、上記透明発光素子ディスプレイ用電極基板の発光素子パッド部上にソルダが備えられ、上記ソルダ上に発光素子が備えられる構造であってもよい。上記透明発光素子ディスプレイの製造方法は、本願に係る透明発光素子ディスプレイ用電極基板を用いたこと以外には、当該技術分野に知られている方法を用いて製造することができる。
以下、実施例を通じて、本明細書に記載された実施態様を例示する。ところが、以下の実施例によって、上記実施態様の範囲が限定されることを意図するものではない。
＜実施例＞
＜実施例１〜４及び比較例１〜４＞
透明フィルム（ＴＥＩＪＩＮ社のＰｏｌｙｅｓｔｅｒ Ｆｉｌｍ Ｑ６５ＨＡ）にＣｕをめっきした原反とＤＦＲ（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ、Ａｓａｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＩｎｄｕｓｔｒｙのＳＰＧ−１５２）とをラミネートした。
その後、パターンマスクを当てて露光を進行した後、現像して、所望のＤＦＲパターンを残した。その後、Ｃｕエッチングをし、ＤＦＲ剥離をして、所望のＣｕ配線パターンを作製した。上記Ｃｕ配線パターンは、下記図１の構造で形成した。
実施例と比較例との線抵抗を異ならせるために、上記実施例のＣｕ配線パターンの線幅は２４μｍ、比較例のＣｕ配線パターンの線幅は１６μｍとした。ピッチは３００μｍ、線高さは８μｍ、断線部の幅は６０μｍで同じである。
実施例及び比較例のそれぞれの電極幅は、それぞれのＬＥＤ間隔の０．５倍であり、電極長さ、ＬＥＤ間隔、ＬＥＤ個数は、下記表１の通りである。
電極パッド部に低温ソルダペースト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｐａｓｔｅ）をスクリーン印刷した後、それぞれのＬＥＤをソルダペースト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｐａｓｔｅ）上に実装した。その後、約１７０℃のソルダペーストリフロー（Ｓｏｌｄｅｒ Ｐａｓｔｅ Ｒｅｆｌｏｗ）工程を経て、ソルダペースト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｐａｓｔｅ）のメタルが電極パッド部とＬＥＤパッド部とをバインディングして接合させた。
また、線抵抗は、共通電極の末端部に備えられたＦＰＣＢパッド部と最後のＬＥＤパッド部を測定し、測定装置は、Ｆｌｕｋｅ社の２８９ ＴＲＵＥ ＲＭＳ ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲを用いた。また、下記表１のＬＥＤ点灯評価は、一行の最後のＬＥＤの点灯可否を基準とした。
Figure 2021516785
上記結果のように、本願の一実施態様によれば、発光素子パッド部のうち一つの行を構成する発光素子パッド部に連結された第１共通電極配線部又は第２共通電極配線部の線抵抗が、上記数式１を満たすことにより、ＬＥＤの点灯に不良がないように、ＬＥＤ個数、ＬＥＤ間隔、電極長さなどを設計することができる。
１０：第１共通電極配線部
２０：第２共通電極配線部
３０：信号電極配線部
４０：発光素子パッド部
５０：ＦＰＣＢパッド部
６０：断線部
７０：メタルメッシュパターン
８０：メタルメッシュパターンの線幅
９０：メタルメッシュパターンの線高さ
１００：メタルメッシュパターンのピッチ
１１０：透明基板

Claims (17)

  1. 透明基板；
    前記透明基板上に行列で備えられる（Ｍ行×Ｎ列）個の発光素子パッド部；
    前記透明基板上に備えられ、前記発光素子パッド部にそれぞれ連結される第１共通電極 配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部を含み、
    前記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部は、それぞれメタルメッシュパターンを含み、
    前記発光素子パッド部のうち一つの行を構成する発光素子パッド部に連結された第１共通電極配線部又は第２共通電極配線部の線抵抗は、下記数式１を満たすものである、透明発光素子ディスプレイ用電極基板：
    ［数１］
    Ｒ＜（２００／Ｎ）−０．４
    前記数式１において、
    Ｒは、第１共通電極配線部又は第２共通電極配線部の線抵抗（Ω）であり、
    Ｎ及びＭは、１以上の自然数である。
  2. 前記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部を構成するメタルメッシュパターンは、線幅の標準偏差が２０％以下であり、ピッチの標準偏差が１０％以下であり、線高さの標準偏差が１０％以下のものである、請求項１に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  3. 前記メタルメッシュパターンは、前記透明基板上の全体面積に対し８０％以上の面積の領域に備えられるものである、請求項１又は２に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  4. 前記発光素子パッド部のそれぞれは、前記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部と電気的に連結する少なくとも４つの電極パッド部を含むものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  5. 前記少なくとも４つの電極パッド部は、２つの信号電極パッド部、１つの第１共通電極パッド部及び１つの第２共通電極パッド部を含むものである、請求項４に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  6. 前記発光素子パッド部のうち一つの行を構成する発光素子パッド部は、前記信号電極配線部と直列連結されるものである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  7. 前記信号電極配線部は、第１共通電極配線部と第２共通電極配線部との間に備えられるものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  8. 前記メタルメッシュパターンは、下記数式２を満たすものである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板：
    ［数２］
    （Ｐ−Ｗ）２／Ｐ２≧０．８
    前記数式２において、Ｐは、メタルメッシュパターンのピッチであり、Ｗは、メタルメッシュパターンの線幅である。
  9. 前記メタルメッシュパターンの線幅は、５０μｍ以下であり、ピッチは、１００μｍ〜１，０００μｍであり、線高さは、３μｍ以上である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  10. 前記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部のメタルメッシュパターンは、それぞれメタルメッシュパターンが備えられていない断線部によって互いに分離され、前記断線部の幅は、８０μｍ以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  11. 前記メタルメッシュパターンは、金、銀、アルミニウム、銅、ネオジム、モリブデン、ニッケル又はこれらの合金を含むものである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  12. 前記メタルメッシュパターン上に黒化層パターンをさらに含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  13. 前記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部にそれぞれ連結される ＦＰＣＢ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）パッド部をさらに含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  14. 前記透明基板上に行列で備えられる（Ｍ行×Ｎ列）個の発光素子パッド部において、
    一つの行を構成する発光素子パッド部のピッチと一つの列を構成する発光素子パッド部のピッチとが、互いに同じである、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  15. 前記透明基板上に接着層をさらに含み、
    前記第１共通電極配線部、第２共通電極配線部及び信号電極配線部は、それぞれ前記接着層の内部に埋め込まれた形態で備えられるものである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  16. 前記発光素子パッド部は、前記接着層の内部に埋め込まれた形態で備えられ、
    前記発光素子パッド部の上部面は、接着層上に露出した形態で備えられるものである、請求項１５に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板。
  17. 請求項１〜１６のいずれか一項に記載の透明発光素子ディスプレイ用電極基板を含む透明発光素子ディスプレイ。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109147654A (zh) * 2018-10-30 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
TWI822335B (zh) * 2021-05-17 2023-11-11 范文正 柔性透明顯示屏及其柔性線路板
TWI832429B (zh) * 2021-05-17 2024-02-11 范文正 柔性透明顯示屏及其柔性線路板
TWI789756B (zh) * 2021-05-17 2023-01-11 范文正 柔性透明顯示屏及其柔性線路板
KR102335561B1 (ko) * 2021-06-23 2021-12-07 주식회사 옥스 투명 엘이디 디스플레이 시트 및 제작 방법
CN113450671B (zh) * 2021-07-28 2023-06-13 江西华创触控科技有限公司 透明显示屏
KR102497889B1 (ko) * 2022-06-15 2023-02-09 주식회사 루미디아 투명 디스플레이 패널의 전극 기판 및 이를 포함하는 투명 디스플레이 패널
KR102539797B1 (ko) * 2022-09-15 2023-06-07 주식회사 루미디아 투명 유리 디스플레이 기판의 제조방법 및 이로부터 제조된 투명 유리 디스플레이 기판

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160082711A (ko) * 2014-12-26 2016-07-11 주식회사 네패스 메탈 메쉬형 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
WO2016178322A1 (ja) * 2015-05-01 2016-11-10 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
KR20180045712A (ko) * 2016-10-26 2018-05-04 주식회사 아모센스 터치 스크린 패널용 센서의 제조 방법 및 터치 스크린 패널용 센서

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU688038B2 (en) * 1994-09-27 1998-03-05 Shinsuke Nishida Display
JP2005274776A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Tohoku Pioneer Corp 表示パネル基板及び引出配線の形成方法
CN101617406B (zh) * 2007-01-17 2011-04-20 伊利诺伊大学评议会 通过基于印刷的组装制造的光学系统
KR101105887B1 (ko) * 2010-04-26 2012-01-16 (주)케이스원 엘이디 패키지 실장 기판 및 그 제조 방법
KR102082409B1 (ko) * 2013-08-28 2020-02-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20150033169A (ko) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치
KR102051643B1 (ko) * 2014-12-18 2020-01-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 포함하는 조명 장치
KR101784406B1 (ko) 2015-02-25 2017-10-12 금호전기주식회사 투명 전광 장치
CN107533881B (zh) * 2015-04-28 2019-06-14 住友金属矿山股份有限公司 导电基板
KR101689131B1 (ko) * 2015-07-24 2016-12-23 케이알에코스타 주식회사 메탈 메쉬를 이용한 투명 디스플레이
KR102381082B1 (ko) * 2015-07-31 2022-03-30 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101752559B1 (ko) 2015-08-17 2017-07-03 엔젯 주식회사 대면적이면서 유연성 기판에도 용이하게 적용할 수 있는 투명전광판 및 이의 제조 방법
KR101785528B1 (ko) 2015-09-14 2017-10-17 루미마이크로 주식회사 네트패턴을 갖는 led 투명전광판 배선구조
KR102614070B1 (ko) * 2016-08-31 2023-12-14 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 및 터치 패널 일체형 유기 발광 표시 장치
US10902770B2 (en) * 2016-12-22 2021-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR101789139B1 (ko) 2017-02-13 2017-10-23 주식회사 에스오엘 Led 전기 광학 판넬의 플렉시블 투명 led 디스플레이 및 그 제조 방법
KR101932836B1 (ko) 2017-02-28 2018-12-26 한국항공대학교산학협력단 항행안전무선시설의 테스트 베드 시스템

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160082711A (ko) * 2014-12-26 2016-07-11 주식회사 네패스 메탈 메쉬형 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
WO2016178322A1 (ja) * 2015-05-01 2016-11-10 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
KR20180045712A (ko) * 2016-10-26 2018-05-04 주식회사 아모센스 터치 스크린 패널용 센서의 제조 방법 및 터치 스크린 패널용 센서

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