JP2021508999A - 薄膜圧電共振器 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図6
Description
図1は、本発明の一実施例の断面図である。薄膜圧電共振器は、上部電極101と圧電層102と下部電極103との積層構造を有し、下部電極103と基板105との間に反射界面となる空気104が設けられている。
図4に示すように、本実施例は、下部電極403、圧電層402、上部電極401が下から順に形成され、上部電極401の外郭は、1本の凸状の曲線4011と、曲線4011の両端を結ぶ1本の直線部4012とを有する。製造に際しては、各層の工程において、成長させる積層構造の外郭を限定すればよく、工程層数を余分増やす必要がない。
本実施例の原理及び構成は、実施例1と基本的には同じであるが、図5に示すように、下部電極503、圧電層502、上部電極501が下から順に形成されている点が異なる。上部電極501を例にとると、上部電極501の外郭は、1本の凸状の曲線5011、第1直線部5012及び第2直線部5013の3本の線が連なった形状を有する。第1直線部5012と第2直線部5013との間の角度は、0度より大きく、180度より小さい。
本実施例の原理及び構成は、実施例1と基本的には同じであるが、図6に示すように、下部電極603、圧電層602、上部電極601が下から順に形成されている点が異なる。上部電極601を例にとると、上部電極601の閉じた線形状は、1本の凸状の曲線6011、第1直線部6012、第2直線部6013及び第3直線部6014の4本の線を結ぶ線で構成される。第1直線部6012と第3直線部6014は、互いに平行である。
本実施例による薄膜圧電共振器は、図7に示すように、基板105、下部電極103、圧電層102、上部電極101を下から順に備え、基板105と下部電極103との間に反射界面が設けられ、前記下部電極103、圧電層102、上部電極101の少なくとも一層に、位置する層の元の構造と同じ材料の少なくとも1つのバンプが追加され、前記バンプの厚さが位置する層の元の構造とは一致する。バンプの製造工程は、位置する層の他の構造と同様であり、製造時にバンプを成長させればよい。
本実施例の構成と原理は、実施例4と同様であるが、異なる点は、図8に示すように、前記バンプが、位置する層の元の構造に接続された接続バンプである点である。接続バンプの厚さは、位置する層に一致する。接続バンプの製造工程は、位置する層の他の構造と同様であり、製造時に外郭形状を制御すればよい。
本実施例による薄膜圧電共振器は、基板105、下部電極103、圧電層102、上部電極101を下から順に備え、基板105と下部電極103との間に反射界面が設けられ、前記下部電極103、圧電層102、上部電極101の少なくとも一層に欠落部が形成され、欠落部が元の構造に位置しかつ活性領域端部に近い。活性領域の明確な定義は、上部電極101、圧電層102及び下部電極103が重なる領域であり、この重なる領域の下に反射界面がある。
本実施例による薄膜圧電共振器は、図12に示すように、基板105、下部電極103、圧電層102、上部電極101を下から順に備え、基板105と下部電極103との間に反射界面が設けられ、前記下部電極103、圧電層102、上部電極101の少なくとも一層に欠落部が設けられている。本実施例では欠落部を元の構造の端部に設け、元の構造の外郭に少なくとも1つのカットエッジを設け、すなわち元の構造の端部をカットすることに相当して欠落部を構成する。したがって、成長させる積層構造の外郭を各層工程毎に規定すればよく、工程を別途追加する必要がない。
本実施例による薄膜圧電共振器は、図13に示すように、下部電極103、圧電層102、上部電極101を下から順に備え、前記下部電極103、圧電層102、上部電極101の少なくとも一層に欠落部を設け、上部電極上部に上部電極バンプ1016を設ける。本実施例では、欠落部は、元の構造の端部に設けられ、元の構造の外郭に少なくとも一つのカットエッジを設け、すなわち、元の構造の端部の一部を切り取ることに相当して欠落部を構成する。
本実施例による薄膜圧電共振器は、図14に示すように、下部電極103、圧電層102、上部電極101を下から順に備え、前記下部電極103、圧電層102、上部電極101の少なくとも一層に欠落部を設け、また、上部電極上部に少なくとも1つの上部電極バンプ1016を設ける。本実施例では、欠陥部は、元の構造に位置し、活性領域の端部に近い。活性領域の明確な定義は、上部電極101、圧電層102及び下部電極103が重なる領域であり、この重なる領域の下に反射界面がある。
本実施例の薄膜圧電共振器は、上部電極と圧電層と下部電極との積層構造と、基板とを有し、前記下部電極と基板との間に反射界面が設けられ、前記積層構造の外郭は、1本の曲線と少なくとも1本の直線とを結ぶ閉じた線形状であり、上部電極、圧電層及び下部電極の少なくとも一層にバンプ又は欠落部が設けられている。
(付記1)
上部電極と圧電層と下部電極との積層構造と、基板とを有する薄膜圧電共振器であって、前記下部電極と基板との間に反射界面が設けられ、前記積層構造の外郭は、1本の曲線と少なくとも1本の直線とを結ぶ閉じた線形状であることを特徴とする薄膜圧電共振器。
前記曲線は、凸型又は凹型の線形状であることを特徴とする付記1に記載の薄膜圧電共振器。
前記直線は、2本以上であり、隣接する直線同士のなす角度は、0度より大きく180度より小さいことを特徴とする付記1に記載の薄膜圧電共振器。
前記直線は、3本以上であり、そのうち少なくとも2本の直線が互いに平行であることを特徴とする付記1に記載の薄膜圧電共振器。
前記反射界面は、下部電極と基板との間の空洞であることを特徴とする付記1に記載の薄膜圧電共振器。
前記反射界面は、高音響インピーダンス材料と低音響インピーダンス材料とを交互にして形成されることを特徴とする付記1に記載の薄膜圧電共振器。
前記圧電層は、圧電特性を有する材料を用いてなることを特徴とする付記1に記載の薄膜圧電共振器。
前記圧電特性を有する材料は、AlN、AlScN、ZnO、PZT、LiNO3又はLiTaO3であることを特徴とする付記7に記載の薄膜圧電共振器。
前記下部電極、圧電層及び上部電極の少なくとも一層にバンプ又は欠落部が設けられ、前記バンプ又は欠落部の数が少なくとも1つであることを特徴とする付記1に記載の薄膜圧電共振器。
基板、下部電極、圧電層及び上部電極が下から順に設けられ、基板と下部電極との間に反射界面が設けられている薄膜圧電共振器であって、前記下部電極、圧電層及び上部電極のうち少なくとも一層が他の層と異なる形状を有することを特徴とする薄膜圧電共振器。
前記形状の相違は、具体的には、少なくとも1つのバンプが追加されていることであることを特徴とする付記10に記載の薄膜圧電共振器。
前記バンプは、位置する層の元の構造から一定の距離を有する独立バンプであることを特徴とする付記11に記載の薄膜圧電共振器。
前記一定の距離は、0より大きく100μm以下であることを特徴とする付記12に記載の薄膜圧電共振器。
前記バンプは、位置する層の元の構造に接続された接続バンプであることを特徴とする付記11に記載の薄膜圧電共振器。
前記形状の相違は、具体的には、元の構造に少なくとも1つの欠落部が設けられていることであることを特徴とする付記10に記載の薄膜圧電共振器。
前記欠落部は、元の構造の端部又は中央部の任意の位置に設けられていることを特徴とする付記15に記載の薄膜圧電共振器。
前記欠落部の高さは、元の構造の厚み以下であることを特徴とする付記15に記載の薄膜圧電共振器。
前記圧電層は、圧電特性を有する材料を用いてなることを特徴とする付記17に記載の薄膜圧電共振器。
前記圧電層の材料は、AlN、AlScN、ZnO、PZT、LiNO3、LiTaO3、又はBSTのいずれかであることを特徴とする付記18に記載の薄膜圧電共振器。
前記形状の相違は、具体的には、少なくとも1つのバンプが追加され、かつ、元の構造に少なくとも1つの欠落部が設けられていることであることを特徴とする付記10に記載の薄膜圧電共振器。
Claims (20)
- 上部電極と圧電層と下部電極との積層構造と、基板とを有する薄膜圧電共振器であって、前記下部電極と基板との間に反射界面が設けられ、前記積層構造の外郭は、1本の曲線と少なくとも1本の直線とを結ぶ閉じた線形状であることを特徴とする薄膜圧電共振器。
- 前記曲線は、凸型又は凹型の線形状であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記直線は、2本以上であり、隣接する直線同士のなす角度は、0度より大きく180度より小さいことを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記直線は、3本以上であり、そのうち少なくとも2本の直線が互いに平行であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記反射界面は、下部電極と基板との間の空洞であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記反射界面は、高音響インピーダンス材料と低音響インピーダンス材料とを交互にして形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記圧電層は、圧電特性を有する材料を用いてなることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記圧電特性を有する材料は、AlN、AlScN、ZnO、PZT、LiNO3又はLiTaO3であることを特徴とする請求項7に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記下部電極、圧電層及び上部電極の少なくとも一層にバンプ又は欠落部が設けられ、前記バンプ又は欠落部の数が少なくとも1つであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜圧電共振器。
- 基板、下部電極、圧電層及び上部電極が下から順に設けられ、基板と下部電極との間に反射界面が設けられている薄膜圧電共振器であって、前記下部電極、圧電層及び上部電極のうち少なくとも一層が他の層と異なる形状を有することを特徴とする薄膜圧電共振器。
- 前記形状の相違は、具体的には、少なくとも1つのバンプが追加されていることであることを特徴とする請求項10に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記バンプは、位置する層の元の構造から一定の距離を有する独立バンプであることを特徴とする請求項11に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記一定の距離は、0より大きく100μm以下であることを特徴とする請求項12に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記バンプは、位置する層の元の構造に接続された接続バンプであることを特徴とする請求項11に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記形状の相違は、具体的には、元の構造に少なくとも1つの欠落部が設けられていることであることを特徴とする請求項10に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記欠落部は、元の構造の端部又は中央部の任意の位置に設けられていることを特徴とする請求項15に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記欠落部の高さは、元の構造の厚み以下であることを特徴とする請求項15に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記圧電層は、圧電特性を有する材料を用いてなることを特徴とする請求項17に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記圧電層の材料は、AlN、AlScN、ZnO、PZT、LiNO3、LiTaO3、又はBSTのいずれかであることを特徴とする請求項18に記載の薄膜圧電共振器。
- 前記形状の相違は、具体的には、少なくとも1つのバンプが追加され、かつ、元の構造に少なくとも1つの欠落部が設けられていることであることを特徴とする請求項10に記載の薄膜圧電共振器。
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