JP2021507054A - 発光デバイス用の波長変換材料 - Google Patents

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Abstract

本発明の実施形態は、光源と、該光源によって放たれる光の経路内に配置されたニトリドベリレート蛍光体とを含んでいる。このニトリドベリレート蛍光体は、平面三角形BeN3構造及び/又は四面体Be(N,O)4構造を含む。

Description

現在利用可能な最も効率的な光源の中に、発光ダイオード(LED)、共振器型(resonant cavity)発光ダイオード(RCLED)、垂直共振器面発光レーザ(VCSEL)及び端面発光レーザを含む半導体発光デバイスがある。可視スペクトルで動作可能な高輝度発光デバイスの製造において現在関心ある材料系は、III−V族半導体、特に、III族窒化物材料とも呼ばれる、ガリウム、アルミニウム、インジウム、及び窒素の二元、三元、及び四元合金を含む。典型的に、III族窒化物発光デバイスは、有機金属化学気相成長法(MOCVD)、分子線エピタキシー(MBE)又はその他のエピタキシャル技術により、サファイア、炭化シリコン、III族窒化物若しくは複合材の基板、又はその他の好適な基板の上に、異なる組成及びドーパント濃度の複数の半導体層のスタックをエピタキシャル成長させることによって製造される。スタックは、しばしば、基板上に形成された、例えばSiでドープされた1つ以上のn型層と、該1つ以上のn型層上に形成された活性領域内の1つ以上の発光層と、活性領域上に形成された、例えばMgでドープされた1つ以上のp型層とを含んでいる。これらn型領域及びp型領域の上に、電気コンタクトが形成される。
例えばLEDなどの発光デバイスは、例えば蛍光体などの波長変換材料と組み合わされることが多い。このようなデバイスは、しばしば、蛍光体変換(phosphor-converted)LED、すなわち、PCLEDとして参照される。波長変換材料は、LEDによって発せられた光を吸収し、異なる、より長い波長の光を発する。
LEDの断面図である。 LEDと直に接触した波長変換構造を有するデバイスの断面図である。 LEDに近接した波長変換構造を有するデバイスの断面図である。 LEDから離間した波長変換構造を有するデバイスの断面図である。 SrBeSi:Eu(3.3%)のX線回折パターンである。 SrBeSi:Euの結晶構造を示している。 SrBeSi:EuにおけるSrの配位圏を示している。 450nm励起(上のカーブ)及び385nm励起(下のカーブ)でのSrBeSi:Eu(3.3%)の発光スペクトル曲線である。 SrBeON:Euの結晶構造を示している。 SrBeON:EuのX線回折パターンである。 SrBeON:Euについての450nm励起での励起及び発光を示している。
本発明の実施形態は、LED又は他の半導体発光デバイスと共に使用するのに好適な蛍光体を含む。蛍光体は典型的に、ホスト格子と、少なくとも1つのドーパント種とを含む。ドーパント種の原子が発光中心として機能する。
一部の実施態様において、ホスト格子は、ニトリドベリレート材料である。ベリリウムカチオンBe2+は、ナイトライド又はオキソナイトライド蛍光体ホスト格子に取り込まれ得る小さくて分極したカチオンである。Be2+は、例えば、Li又はMg2+などの他のカチオンを置換し得る。Li及びMgと比較して、Beは、より小さいカチオンサイズを持ち、それが、例えばナイトライド又は他の好適材料内で、より多くの共有結合、ひいては、より高いホスト格子安定性につながり得る。四面体配位において、Be2+はサイズ的にSi4+と同等である(例えば、40−41pmの有効イオン半径を持つ)。Si4+に対するBe2+の置換は、安定な(オキシド)ニトリドベリレート、(オキシド)ナイトライドベリレート、又は(オキシド)ナイトライドベリレートアルミネートのホスト格子の合成を可能にする。
一部の実施形態において、ホスト格子は、例えば[BeN7−、[BeNO]6−、[BeNO5−、及び[BeO4−などの、平面三角形ベリリウム担持構造を含む。一部の実施態様において、ホスト格子は、例えば[BeN10−、[BeON9−、[BeO8−、[BeON]7−、[BeO6−などの、四面体ベリリウム担持構造を含む。Be2+は、それら三角形又は四面体の中心イオンであり得る。
ここに記載されるホスト格子では、ドーパント種は、例えば、Eu2+、Ce3+、又は他の好適なドーパント種とし得る。
一部の実施形態に従った蛍光体は、公知の蛍光体の系に対して利点を有し得る。一部の実施形態に従った蛍光体は、PCLEDの信頼性ある動作に関して、高度に安定であり得る。一部の実施形態に従った蛍光体は、高い変換効率に関して、大きい光学バンドギャップを持ち得る。大きい光学バンドギャップは、例えばLEDの動作中に経験される温度などの昇温下で発生し得る非放射性の脱励起過程に対する大きいエネルギー障壁を提供するために望ましいものである。この高いバンドギャップと、伝導帯に対する、5d→4fn−1型アクチベータイオンの励起状態の、大きめのエネルギー距離とに起因して、Eu2+及び/又はCe3+でドープされたニトリドベリレート蛍光体は、より高い温度において、熱的脱励起によるルミネセンス損失が低いことを示す(すなわち、ニトリドベリレート蛍光体は、より長いルミネセンス寿命と、より高い量子効率とを持ち得る)。一部の実施形態に従った蛍光体は、化学的に不活性であり得る。一部の実施形態に従った蛍光体は、望ましい小さなストークスシフト及び狭帯域発光を呈し得る。一部の実施形態に従った蛍光体は、PCLEDでの使用に望ましいルミネセンス特性を持ち得る。
一部の実施形態において、上述のように、Be2+は、より大きい同族体であるMg2+を部分的又は完全に置換し得る。黄色から赤色のスペクトル範囲内にピーク波長を持つEu2+ルミネセンスを示すこのような蛍光体材料の例は、例えば、Sr(Mg1−xBe1−yLi0.5yAl5+0.5y:Eu(0<x≦1,0≦y≦1,KZn構造型)、SrMg3−xBeSiN:Eu(0<x≦2,NaLiSiO又はKLiGeO構造型)、及びSrMg2−xBeAl:Eu(0<x≦3、UCr構造型)を含む。
一部の実施形態において、上述のように、Be2+は、Liを部分的又は完全に置換し得る。[Li,Si]対が等電子数の[Be,Al]対によって置換されるようにSi/Al比を変えることによって、電荷がバランスされる。緑色スペクトル範囲内で効率的な狭帯域発光を示すこのような蛍光体材料の例は、例えば、MLi2−xBeAl2+xSi2−x:Eu(0<x≦2,M=Sr,Ba;BaLiAlSi構造型)及びMLi1−xBeAl1+xSi7−x12:Eu(0<x≦1,M=Sr,Ba;BaLiAlSi12構造型)を含む。
上述の化合物の一部、及び他の同形若しくは同型の異形は、構造構築ブロックとして[BeN10−ユニットを含み、構造内のルミネセントEu2+カチオンの8立方体配位(eight-fold cuboidal coordination)を示す。
一部の実施態様において、ニトリドベリレート蛍光体は、M1−xBeSi:Eu(M=Ca,Sr,Ba)又はM1−xSrBeON:Eu(M=Ca,Sr,Ba),0<x<0.1あり、一部の実施態様において、0.005≦x≦0.05である。
一部の実施形態に従ったニトリドベリレート蛍光体は、好適な出発原料を用いることによって調合されることができ、好適な出発原料は、例えば、ベリリウム粉末、窒素雰囲気若しくはアンモニア雰囲気中でベリリウム粉末を加熱することによって最良に調合されるものである窒化ベリリウム(Be)、ベリリウムアミドBe(NH、酸化ベリリウム、ハロゲン化ベリリウム、フッ化アンモニウムベリリウム((NHBeF)、又は他の好適な出発原料を含む。
上述の蛍光体材料は、例えば、粉末形態、セラミック形態、又は他の好適形態で製造されることができる。蛍光体材料は、例えば予め製造されたガラス若しくはセラミックタイルなど、光源とは別に形成されて光源とは別にハンドリングされることができる構造体に形成されてもよいし、例えば光源上に若しくは光源より上に形成されたコンフォーマルな若しくはその他のコーティングなど、光源とともにその場(インサイチュ)形成される構造に形成されてもよい。
一部の実施形態において、上述の蛍光体は、例えば透明マトリックス、ガラスマトリックス、セラミックマトリックス、又は他の好適な材料若しくは構造などの中に分散された粉末とし得る。マトリックス内に分散された蛍光体は、例えば、光源の上に配置されるタイルへと個片化され又はその他の方法で形成され得る。ガラスマトリックスは、例えば、1000℃未満の軟化点を持つ低融点ガラス、又は他の好適なガラス若しくは他の透明材料とし得る。一部の実施態様において、低融点ガラスは、600℃未満の軟化点と、1.75よりも高い屈折率とを持つホウ酸亜鉛ビスマスガラスの系列に属する。一部の実施形態において、低融点ガラスは更に、バリウム及び/又はナトリウムを含んでもよく、500℃未満の軟化点と、1.8よりも高い屈折率とを有し得る。セラミックマトリックス材料は、例えば、CaF2などのフッ化物塩又は他の好適材料とすることができる。
上述の蛍光体は、粉末形態で使用されてもよく、例えば、粉末蛍光体を例えばシリコーンなどの透明材料と混ぜ合わせ、その混合物を、光源からの光の経路内にディスペンスする又はその他の方法で配置することによって使用され得る。粉末形態において、蛍光体の平均粒子サイズ(例えば、粒子直径)は、一部の実施形態において1μm以上、一部の実施形態において50μm以下、一部の実施形態において5μm以上、そして、一部の実施形態において20μm以下とし得る。例えば、吸収特性及びルミネセンス特性を改善するため、及び/又は材料の機能寿命を延ばすために、個々の蛍光体粒子又は粉末蛍光体層が、一部の実施形態において例えばケイ酸塩、リン酸塩、及び/又は1つ以上の酸化物などの、1つ以上の材料で被覆されてもよい。
上述の蛍光体は、例えば、発光ダイオード(LED)を含む光源で使用され得る。発光ダイオードによって発せられた光が、本発明の実施形態に従った蛍光体によって吸収されて、異なる波長で放たれる。図1は、好適な発光ダイオードの一例である青色光を発するIII族窒化物LEDを示している。
以下の例において、半導体発光デバイスは、青色光又はUV光を発するIII族窒化物LEDであるが、例えばレーザダイオードなどの、LED以外の半導体発光デバイスや、例えば他のIII−V族材料、III族リン化物、III族ヒ化物、II−VI族材料、ZnO、又はSi系材料などの、他の材料系からなる半導体発光デバイスが使用されてもよい。特に、上述の蛍光体は、例えば、青色(420−470nm)内又はUV波長域内のいずれかで発光するLEDなどの光源によってポンプされ得る。
図1は、本発明の実施形態で使用され得るIII族窒化物LED1を例示している。如何なる好適な半導体発光デバイスが使用されてもよく、本発明の実施形態は、図1に例示されるデバイスに限定されるものではない。図1のデバイスは、技術的に知られているように、成長基板10上にIII族窒化物半導体構造14を成長させることによって形成される。成長基板はしばしばサファイアであるが、例えば、SiC、Si、GaN又は複合基板など、如何なる好適基板であってもよい。III族窒化物半導体構造が上に成長される成長基板の表面は、成長前にパターン加工、粗面加工、又はテクスチャ加工されてもよく、そうすることはデバイスからの光取り出しを向上させ得る。成長表面とは反対側の成長基板の表面(すなわち、フリップチップ構成において光の大部分がそれを通して取り出される表面)は、成長の前又は後にパターン加工、粗面加工、又はテクスチャ加工されてもよく、そうすることはデバイスからの光取り出しを向上させ得る。
半導体構造は、n型領域とp型領域との間に挟まれた発光領域又は活性領域を含む。先ず、n型領域16が成長され得る。n型領域16は、異なる組成及びドーパント濃度の複数の層を含み得る。該複数の層は、例えば、n型あるいは意図的にはドープされないものとし得るバッファ層若しくは核生成層などのプリパレーション層及び/又は成長基板の除去を容易にするように設計される層と、発光領域が効率的に発光するのに望ましい特定の光学特性、材料特性若しくは電気特性に合わせて設計されるn型、若しくはp型であってもよいデバイス層とを含み得る。n型領域の上に、発光領域又は活性領域18が成長される。好適な発光領域の例は、単一の厚い若しくは薄い発光層、又はバリア層によって分離された複数の薄い若しくは厚い発光層を含んだマルチ量子井戸発光領域を含む。次いで、発光領域の上に、p型領域20が成長され得る。n型領域と同様に、p型領域は、異なる組成、厚さ及びドーパント濃度の複数の層を含むことができ、該複数の層は、意図的にはドープされていない層又はn型層を含んでいてもよい。
成長後、p型領域の表面上にpコンタクトが形成される。pコンタクト21は、しばしば、例えば反射メタル及びガードメタルなどの複数の導電層を含む。ガードメタルは、反射メタルのエレクトロマイグレーションを防止あるいは抑制し得る。反射メタルは銀であることが多いが、如何なる好適な1つ以上の材料が使用されてもよい。pコンタクト21を形成した後、nコンタクト22が上に形成されるn型領域16の部分を露出させるよう、pコンタクト21、p型領域20及び活性領域18の一部が除去される。nコンタクト22とpコンタクト21は、例えばシリコンの酸化物又はその他の好適材料などの誘電体24で充填され得る間隙25によって、互いに電気的に分離(アイソレート)される。複数のnコンタクトビアが形成されてもよく、nコンタクト22及びpコンタクト21は、図1に例示される構成に限定されるものではない。n及びpコンタクトは、技術的に知られているように、誘電体/金属スタックを有するボンドパッドを形成するように再分配されてもよい。
LEDへの電気接続を形成するため、1つ以上のインターコネクト26及び28が、nコンタクト22及びpコンタクト21の上に形成され、あるいはそれらに電気的に接続される。図1では、インターコネクト26がnコンタクト22に電気的に接続されている。インターコネクト28がpコンタクト21に電気的に接続されている。インターコネクト26及び28は、誘電体層24及び間隙27によって、n及びpコンタクト22及び21から電気的に分離されるとともに互いから電気的に分離される。インターコネクト26及び28は、例えば、はんだ、スタッドバンプ、金層、又はその他の好適構造とし得る。
基板10は、薄化されてもよく、あるいは完全に除去されてもよい。一部の実施態様において、薄化することによって露出された基板10の表面が、光取り出しを向上させるためにパターン加工、テクスチャ加工、又は粗面加工される。
本発明の実施形態に従った光源では、如何なる好適な発光デバイスが使用されてもよい。本発明は、図1に例示した特定のLEDに限定されるものではない。以降の図では、例えば図1に例示したLEDなどの光源をブロック1によって示す。
図2、3、及び4は、LED1と波長変換構造30とを組み合わせるデバイスを例示している。波長変換構造30は、上述の実施形態及び例に従った1つ以上の蛍光体を含み得る。
図2では、波長変換構造30がLED1に直に接続されている。例えば、波長変換構造は、図1に示した基板10に直に接続されることができ、あるいは、基板10が除去されている場合には、半導体構造に直に接続されることができる。
図3では、波長変換構造30が、LED1に直に接続されずに、LED1に近接して配置されている。例えば、波長変換構造30は、接着層32、小さい空隙、又は他の好適な構造によって、LED1から離隔され得る。LED1と波長変換構造30との間の間隔は、例えば、一部の実施形態において500μm未満とし得る。
図4では、波長変換構造30がLED1から離間されている。LED1と波長変換構造30との間の間隔は、例えば、一部の実施形態においてミリメートルオーダーとし得る。このようなデバイスは、“遠隔蛍光体”デバイスとして参照されることがある。
波長変換構造30は、正方形、長方形、多角形、六角形、円形、又は他の好適形状とし得る。波長変換構造は、LED1と同じサイズ、LED1よりも大きいサイズ、又はLED1よりも小さいサイズとし得る。
複数の波長変換材料及び複数の波長変換構造を単一のデバイス内で使用することができる。波長変換構造の例は、ルミネセントセラミックタイル;ロール、キャスト、又はその他の方法でシートへと形成される例えばシリコーン又はガラスなどの透明材料内に置かれ、次いで個々の波長変換構造へと個片化される粉末蛍光体;LED1の上にラミネート又はその他の方法で配置され得るものであるフレキシブルシートへと形成される例えばシリコーンなどの透明材料内に置かれる粉末蛍光体などの波長変換構造;例えばシリコーンなどの透明材料と混合されて、LED1の上にディスペンス、スクリーン印刷、ステンシル、成形、又はその他の方法で配置される粉末蛍光体などの波長変換材料;並びに、電気泳動、蒸着、又はその他の好適タイプの堆積によってLED1上又は別の構造体上にコーティングされる波長変換材料を含む。
デバイスはまた、上述の蛍光体に加えて、例えばコンベンショナルな蛍光体、有機蛍光体、量子ドット、有機半導体、II−VI族若しくはIII−V族半導体、II−VI族若しくはIII−V族半導体量子ドット若しくはナノ結晶、染料、ポリマー、又は発光するその他の材料などの他の波長変換材料を含んでもよい。
波長変換材料は、LEDによって発せられた光を吸収して、1つ以上の異なる波長の光を発する。LEDによって発せられた未変換の光が、この構造から取り出される光の最終的なスペクトルの一部をなすことが多いが、必ずしもそうである必要はない。特定の用途に所望される又は必要とされるように、構造から取り出される光のスペクトルを調整するために、複数の異なる波長の光を放つ複数の波長変換材料が含められてもよい。
複数の波長変換材料は、一緒に混ぜ合わされてもよいし、別々の構造として形成されてもよい。
一部の実施形態において、例えば光学性能を改善する材料、散乱を促進する材料、及び/又は熱性能を改善する材料など、他の材料が、波長変換構造又はデバイスに付加されてもよい。

一部の実施形態において、蛍光体は、AE=Ca,Sr,Ba;RE=Eu,Ce;0<x<0.1;0≦y<1であるAE1−xREBe1−yAl0.5ySi2+0.5y4+0.5yとし得る。
1. SrBeSi:Eu(3.3%)
SrBeSi:Euは、Sr(NH、Be、Si(NH)、及びドーパントとしてのEuFから、1500℃で窒素雰囲気及び大気圧の下で調合され得る。一例において、35.9g(0.3モル)のSr(NH、3.6g(0.07モル)のBe、17.4g(0.3モル)の“Si(NH)”、及び0.6mg(0.01モル)のEuFを混合し、1500℃で6時間、窒素雰囲気下で焼結させる。この材料は、板状粒子を示し、例えばボールミリングによって、粉末形態へと脱凝集及び粉砕され得る。
図5は、SrBeSi:Euルミネセント材料(Cu Kα放射)の粉末X線回折パターン(上のカーブ)とリートベルト精密化(下のカーブ)である。下側のカーブの下の垂直マークは、SrBeSi:Euの反射位置である。アスタリスクは、未知の不純物相を示している。
高度に縮合されたニトリドベリロシリケートSrBeSi:Euは、SrBeと同形の六方晶系空間群:
(外1)
Figure 2021507054
で結晶化し、セルパラメータはa=4.86082(2)及びc=9.42263(4)Åである。図6は、SrBeSi:Euの結晶構造を示している。図7は、SrBeSi:Eu材料におけるSrの配位圏を示している。SrBeSi:Euの結晶構造は、2つの構築ユニットから構築されており、平面三角形[BeN7−ユニット42が、角を共有する2つのSiN四面体から構築された[Si6−ユニット44によって、共通の角で接続されて、3Dネットワーク構造を構築している。SiN四面体の底面、BeN三角形、及び3つのN1原子のエンプティリングは、(001)面内の正三角形の層を形成する。SiN四面体の底面、BeN三角形、及び3つのN1原子のエンプティリングは、(001)面内の正三角形の層を形成する。Si−N2−Si角は180°である。従って、N2は、ワイコフ位置2cによって特徴付けられる格子サイトを占有する。Sr(図6の46、図7の54)はN(図7の52)によって9配位される。上下に位置するSiN四面体からの6個のN原子は、規則的な三方晶系プリズムを形成する。赤道面に3個のN原子が位置し、60°のN2−Sr−N2角を持つ。
下の表は、SrBeSi:Eu構造の原子パラメータである。原子は、特定のワイコフ位置の格子サイトを占有する種である。x/a、y/b、z/cという見出しは、格子定数a、b、及びcによって規定される結晶格子内の原子位置の座標を指す。単斜晶系の格子系では、a≠b≠c、且つα=γ=90°、且つβ≠90°である。
Figure 2021507054
電子密度マップは、0,0,1/4及び0,0,1/4±zに、付加的な無秩序/占有不足を指し示す少量の電子密度を示す。0,0,0及び0,0,1の2つのBe原子が、別の[Si6−ユニットで置換されて、それが、より強い縮合につながり得る。この現象はSr2−2xSi2+3xAl2−x8+xにおいても見られる。SrBeSi:Euの電子密度スキャンは、1:2のSr:Si比を示す。Beは、低原子量に起因して、電子密度走査によって解析するのが難しい。
図8は、385nmで励起されるとき(下のカーブ)及び450nmで励起されるとき(上のカーブ)の、SrBeSi:Eu(3.3%)の発光スペクトルを示している。発光は、橙色−赤色スペクトル域に位置し、〜615nmピーク位置、及び95nmのスペクトル半値幅を持つ。
一部の実施形態において、蛍光体は、AE=Ca,Sr,Ba;RE=Eu,Ce;0<x<0.1;0≦y≦2;0≦z≦1であるAE1−xREBe6−y−zMgAl1−zN5+zであってもよい
2. SrBeON:Eu
SrBeON:Euは、1500℃で大気圧の下で合成される。一例において、23.9mg(0.2ミリモル)のSr(NH、3.6mg(0.07ミリモル)のBe、23.3mg(0.4ミリモル)の“Si(NH)”、及び0.4mg(0.01ミリモル)のEuFを混合し、1500℃で6時間、H/N(5/95)雰囲気下で焼結させる。この蛍光体原料は、大きい結晶凝集体(>100μm)を示し、例えばボールミリング又は他の好適技術によって、粉末形態へと脱凝集及び粉砕され得る。
SrBeON:Euは、空間群C2/c(No.15)で結晶化し、セルパラメータは、a=13.9283(14)Å、b=5.7582(6)Å、及びc=4.9908(5)Å、β=90.195(1)である。C2/cは、“INTERNATIONAL TABLES FOR CRYSTALLOGRAPHY,Volume A1,SYMMETRY RELATIONS BETWEEN SPACE GROUPS”(H.Wondratscheck及びU.Mueller編,Kluwer Academic Publishers,Dordrecht,2004)に従った、結晶格子の対称性を記述する結晶学的空間群のシンボルである。下の表は、SrBeON結晶構造の原子パラメータをまとめたものである。原子は、特定のワイコフ位置の格子サイトを占有する種である。x/a、y/b、z/cという見出しは、格子定数a、b、及びcによって規定される結晶格子内の原子位置の座標を指す。単斜晶系の格子系では、a≠b≠c、且つα=γ=90°、且つβ≠90°である。
Figure 2021507054
図9は、SrBeON:Euの結晶構造を示している。図10は、SrBeON:Euルミネセント材料のX線回折パターン(上のカーブ)とリートベルト精密化(下のカーブ)である。
高度に縮合されたオキソニトリドベリレートSrBeON:Euは、単斜晶系空間群C2/c(No.15)にて結晶化する。疑似斜方晶系のメトリックが、Sr1及びO1の位置によって指し示されるが、BeN4四面体の配置によって中断される。これは、疑似斜方晶系のメトリック及びβ=90.195(1)°の逸脱を有する僅かに歪んだ単斜対称につながる。この逸脱は、単斜晶系空間群C2/cを裏付ける分裂反射を指し示すPXRDリートベルト精密化(図10)によって支持されている。
この結晶構造は、図9に示される高度に縮合された3Dネットワークとして記述されることができる。Sr[BeON]は、エッジ共有するBeN四面体の層から構築され、これは、ニトリドシリケート及びアルミネート構造(κ≦1)から知られている値を超えるκ=6/5という極めて大きい度合いの縮合をもたらす。各BeN四面体62が、3つのBeN四面体と共通のエッジを共有して、僅かに傾斜した、高度に縮合した層をもたらす。これらの層が、Oを共有する2つのBeON四面体64によって相互接続され、BeN四面体との共通エッジによってこれらの層に接続されたBeONユニットを構築する。この、4つのBeN四面体の頂点共有と1つのBeON四面体との組み合わせの結果として、N原子が5つのBeX(X=O,N)四面体に架かる(Beは図9で70によって示されている)。
層間及びBeONユニット間の更なる空間が、Sr原子60によって占有される。Sr原子60は、2.7Åと3.1Åとの間の距離を持つ6個のN 66、2.6Å(3x)の距離にある赤道上の4つのO 68、並びに1つのもっと遠いO(3.1Å)によってアンチプリズム配位している。
図11は、SrBeON:Euの励起スペクトル及び発光スペクトルを例示している。黒色のカーブが励起スペクトルであり、灰色のカーブが450nm励起での発光スペクトルである。発光ピークはλem=495nmにあり、スペクトル半値全幅(fwhm)=35nm(1420cm−1)である。
本発明を詳細に説明したが、当業者が認識するように、本開示を所与として、ここに記載の発明概念の精神から逸脱することなく、本発明に変更が為され得る。故に、本発明の範囲は、図示して説明した特定の実施形態に限定されるものではない。

Claims (9)

  1. 平面三角形BeN構造及び四面体Be(N,O)構造のうちの一方を有するホスト格子と、
    ドーパント種と、
    を有するルミネセント材料。
  2. 前記ドーパント種は、Eu及びCeのうちの一方である、請求項1に記載のルミネセント材料。
  3. 前記ホスト格子はSrBeONである、請求項1に記載のルミネセント材料。
  4. 前記ホスト格子はSrBeSiである、請求項1に記載のルミネセント材料。
  5. 前記ホスト格子はM1−xBeSi(M=Ca,Sr,Ba)であり、前記ドーパント種はEuである、請求項1に記載のルミネセント材料。
  6. 前記ホスト格子はM1−xSrBeON(M=Ca,Sr,Ba)であり、前記ドーパント種はEuである、請求項1に記載のルミネセント材料。
  7. 光源と、
    前記光源によって放たれる光の経路内に配置されたニトリドベリレート蛍光体であり、平面三角形BeN構造及び四面体Be(N,O)構造のうちの一方を有するニトリドベリレート蛍光体と、
    を有するデバイス。
  8. 前記ニトリドベリレート蛍光体は透明マトリックス内に配置されている、請求項7に記載のデバイス。
  9. 前記ニトリドベリレート蛍光体は、SrBeON:Eu、SrBeSi:Eu、M1−xBeSi:Eu(M=Ca,Sr,Ba)、及びM1−xSrBeON:Eu(M=Ca,Sr,Ba)からなる群から選択されている、請求項7に記載のデバイス。
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