JP2021506723A - 量子ドット及びその作製方法と応用 - Google Patents
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Abstract
Description
第一量子ドットコアの成長反応系を用意し、第一量子ドットコアの成長を行うステップであって、前記第一量子ドットコアの成長反応系内の前駆体は、金属元素前駆体及び非金属元素前駆体を含み、前記金属元素前駆体は、少なくとも、金属元素M1の前駆体を含み、前記第一量子ドットコア内の金属元素は、少なくとも、金属元素M1を含むステップと、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加えるステップと、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と前記第一量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行うステップと、を含み、
前記金属元素M1と前記金属元素M2とは異なる。
前記量子ドットコア由金属元素M1、金属元素M2及び非金属元素組成、前記金属元素M1と前記金属元素M2とは異なり、
前記量子ドットコアにおいて、前記量子ドットの半径方向に沿って、前記金属元素M2の含有量は、内から外へ徐々に増加し、前記金属元素M1の含有量は、内から外へ徐々に減少する。
第一量子ドットコアの成長反応系を用意し、第一量子ドットコアの成長を行うステップであって、前記第一量子ドットコアの成長反応系内の前駆体は、金属元素前駆体及び非金属元素前駆体を含み、前記金属元素前駆体は、少なくとも、金属元素M1の前駆体を含み、前記第一量子ドットコア内の金属元素は、少なくとも、金属元素M1を含むステップS11と、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加えるステップS12と、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と前記第一量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行うステップS13と、を含む。
第一量子ドットコアの成長反応系を用意し、第一量子ドットコアの成長を行うステップであって、前記第一量子ドットコアの成長反応系内の前駆体は、金属元素M1の前駆体及び非金属元素X1の前駆体であり、前記第一量子ドットコアの組成はM1X1であるS21と、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加えるステップS22と、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と前記第一量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行うステップであって、前記第二量子ドットコアの組成はM1M2X1であるステップS23と、を含む。
第一量子ドットコアの成長反応系を用意し、第一量子ドットコアの成長を行うステップであって、前記第一量子ドットコアの成長反応系内の前駆体は、金属元素M1の前駆体及び非金属元素X1の前駆体であり、前記第一量子ドットコアの組成はM1X1であるステップと、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加えるステップと、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と、前記第一量子ドットコアM1X1内の金属元素M1にカチオンを交換させ、第二量子ドットコアM1M2X1の成長を行って、第二量子ドットコアM1M2X1を得るステップと、を含み、
前記金属元素M2は、金属元素M1よりも大きなイオン半径を有する。
第一量子ドットコアの成長反応系を用意し、第一量子ドットコアの成長を行うステップであって、前記第一量子ドットコアの成長反応系内の前駆体は、金属元素M1の前駆体及び非金属元素X1の前駆体であり、前記第一量子ドットコアの組成はM1X1であるステップと、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加え、第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と、前記第一量子ドットコアM1X1X1内の金属元素M1とに金属元素を交換させ、第二量子ドットコアM1M2X1の成長を行って、第二量子ドットコアM1M2X1を得るステップと、を含み、
前記金属元素M2は、金属元素M1よりも小さなイオン半径を有する。
第一量子ドットコアの成長反応系を用意し、第一量子ドットコアの成長を行うステップであって、前記第一量子ドットコアの成長反応系内の前駆体は、金属元素前駆体及び非金属元素前駆体であり、前記金属元素前駆体は、金属元素M1の前駆体及び金属元素M2の前駆体であり、前記第一量子ドットコア内の金属元素は、金属元素M1及び金属元素M2であるステップS31と、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加えるステップS32と、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と前記第一量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行って、第二量子ドットコアを得るステップS33と、を含む。
第一量子ドットコアの成長反応系を用意し、第一量子ドットコアの成長を行うステップであって、前記第一量子ドットコアの成長反応系内の前駆体は、金属元素前駆体及び非金属元素前駆体であり、前記金属元素前駆体は、金属元素M1の前駆体であり、前記第一量子ドットコア内の金属元素は、金属元素M1であるステップS41と、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加えるステップS42と、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と前記第一量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行うステップであって、前記第二量子ドットコア内の金属元素は、金属元素M1及び金属元素M2であるステップS43と、
前記第二量子ドットコアの成長中に、前記第二量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を再び加え、前記金属元素M2と、前記第二量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第三量子ドットコアの成長を行って、第三量子ドットコアを得るステップS44と、を含む。
前記第二量子ドットコアM1 cM2 1−cX1成長反応系に金属元素M2の前駆体を再び加え、前記金属元素M2と、前記第二量子ドットコアM1 cM2 1−cX1内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第三量子ドットコアの成長を行い、前記第三量子ドットコアの組成は、M1 dM2 1−dX1であり、0<d<0.9、d<cである。最終的に、第三量子ドットコアM1 dM2 1−dX1が得られる。
前記第二量子ドットコアM1 cM2 1−cX1X2成長反応系に金属元素M2の前駆体を再び加え、前記金属元素M2と、前記第二量子ドットコアM1 cM2 1−cX1X2内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第三量子ドットコアの成長を行い、前記第三量子ドットコアの組成は、M1 dM2 1−dX1X2であり、0<d<0.9、d<cである。
前記量子ドットコア1は、金属元素M1、金属元素M2及び非金属元素(非金属元素の含有量は、未図示)からなり、
前記量子ドットコア1において、前記量子ドットの半径方向に沿って、前記金属元素M2の含有量は、内から外へ徐々に増加し(図中の黒色部分は、M2の含有量を表す)、前記金属元素M1の含有量は、内から外へ徐々に減少する(図中の白色部分は、M1の含有量を表す)。
前記第二半導体シェル層3は、金属元素M3、金属元素M4及び非金属元素(非金属元素の含有量は、未図示)からなり、
前記第二半導体シェル層2において、前記量子ドットの半径方向に沿って、前記金属元素M4の含有量は、内から外へ徐々に増加し(図中の黒色部分は、M4の含有量を表す)、前記金属元素M3の含有量は、内から外へ徐々に減少する(図中の白色部分は、M3の含有量を表す)。
1mmolの酸化カドミウム(CdO)、3mLのオレイン酸(OA)及び5mLのオクタデセン(ODE)を100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから300度に昇温し、
反応系に1.8mmolの硫黄粉末(S)と3mLのODEとの混合溶液を迅速に注入し、
300度で攪拌して5秒間反応させた後、反応系に9mmolの酢酸亜鉛(ZnAc2)と、6mLのOAと、10mLのODEとの混合溶液を迅速に注入し、310度に昇温して15分間反応させ、反応中には、溶液の色が薄くなることが確認され、これは、量子ドットの発光波長が徐々にブルーシフトしたことを示し、
反応系に6mmolのSと3mLのトリオクチルホスフィン(TOP)との混合溶液を迅速に注入し、310度に維持して30分間を反応させ、
反応が終了した後、合金コアを持つCdZnS/ZnS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が475nm、ピーク幅が24nmであり、量子ドット溶液の量子収率が60%である。
1mmolの酸化カドミウム(CdO)、3mLのオレイン酸(OA)及び5mLのオクタデセン(ODE)を100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから300度に昇温し、
反応系に1.8mmolの硫黄粉末(S)と3mLのODEとの混合溶液を迅速に注入し、
300度で攪拌して5秒間反応させた後、反応系に9mmolの酢酸亜鉛(ZnAc2)と、6mLのOAと、10mLのODEとの混合溶液を迅速に注入し、310度に昇温して15分間反応させ、反応中には、溶液の色が薄くなることが確認され、これは、量子ドットの発光波長が徐々にブルーシフトしたことを示し、
反応系に2.0mmolの硫黄粉末(S)と4mLのTOPとの混合溶液を迅速に注入し、310度で攪拌して1分間反応させた後、反応系に1mmolのCdOと4mLのOAとの混合溶液を10分間連続的に注入し、
反応系に4.0mmolの硫黄粉末(S)と、2mLTOPとの混合溶液を迅速に注入し、310度に維持して30分間を反応させ、
反応が終了した後、合金コア及び合金シェル層を持つCdxZn1−xS/CdyZn1−yS/ZnS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が462nm、ピーク幅が19nm、量子ドット溶液の量子収率が72%である。
9mmolのZnAc2、6mLのOA及び10mLのODEを100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから250度に昇温し、
反応系に1.5mmolの硫黄粉末(S)と3mLのODEとの混合溶液を迅速に注入し、
250度で攪拌して20秒間反応させた後、反応系に1.5mmolのCdOと、4mLのOAと、10mLのODEとの混合溶液を迅速に注入し、300度に昇温して20分間反応させ、反応中には、溶液の色が濃くなることが確認され、これは、量子ドットの発光波長が徐々にレッドシフトしたことを示し、
反応系に6mmolのSと3mLのトリオクチルホスフィン(TOP)との混合溶液を迅速に注入し、300度に維持して30分間反応させ、
反応が終了した後、合金コアを持つCdZnS/ZnS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が455nm、ピーク幅が20nm、量子ドット溶液の量子収率が71%である。
0.24mmolの酢酸インジウム、0.17mmolの塩化ガリウム、0.8mmolの酢酸亜鉛、2.8mLのオレイン酸及び4mLのオクタデセンを50mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから300度に昇温し、
反応系に0.19mmolのP(TMS)3(tris−trimethylsilyl phosphine)と、0.5mLのオクタデセンとの混合溶液を迅速に注入し、
300度で5分間反応させた後、反応系に0.08mmolの塩化ガリウムと、1.5mLのオレイン酸と、4mLのオクタデセンとの混合溶液を迅速に注入し、300度に維持して10分間反応させ、
1.2mmolのドデカンチオール、2mmolのオレイン酸亜鉛を30分の間に均一な速度で反応系に注入し、
反応が終了した後、合金コアを持つInGaP/ZnS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が612nm、ピーク幅が65nm、量子ドット溶液の量子収率が37%である。
将1mmol酸化カドミウム(CdO)、9mmol酢酸亜鉛(ZnAc2)、9mLオレイン酸(OA)及び15mLオクタデセン(ODE)を100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから300度に昇温し、
反応系に1.8mmolの硫黄粉末(S)と3mLのODEとの混合溶液を迅速に注入し、
300度で攪拌して15分間反応させた後、反応系に1mmolのCdOと、4mLのOAとの混合溶液を迅速に注入し、310度に昇温して10分間反応させ、反応中には、溶液の色が濃くなることが確認され、これは、量子ドットの発光波長が徐々にレッドシフトしたことを示し、
反応系に8.0mmolの硫黄粉末(S)と4mLのTOPとの混合溶液を迅速に注入し、310度に維持して30分間を反応させ、
反応が終了した後、合金コアを持つCdZnS/ZnS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が455nm、ピーク幅が18nm、量子ドット溶液の量子収率が75%である。
10mmolのZnAc2、20mLのOA及び10mLのODEを100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから280度に昇温し、
反応系に3.0mmolのセレン粉末(Se)と4mLのTOPとの混合溶液を迅速に注入し、
280度で攪拌して10秒間反応させた後、反応系に0.3mmolのCdOと、2mLのOAとの混合溶液を迅速に注入し、280度に維持して10分間反応させ、反応中には、溶液の色が濃くなることが確認され、これは、量子ドットの発光波長が徐々にレッドシフトしたことを示し、
反応系に4mmolのSと3mLのトリオクチルホスフィン(TOP)との混合溶液を迅速に注入し、280度に維持して30分間反応させ、
反応が終了した後、合金コアを持つCdZnSe/ZnS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が519nm、ピーク幅が25nm、量子ドット溶液の量子収率が68%である。
10mmolのZnAc2、20mLのOA及び10mLのODEを100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから280に昇温し、
反応系に3.0mmolのセレン粉末(Se)と4mLのTOPとの混合溶液を迅速に注入し、
280度で攪拌して10秒間反応させた後、反応系に0.3mmolのCdOと、2mLのOAとの混合溶液を迅速に注入し、280度に維持して10分間反応させ、反応中には、溶液の色が濃くなることが確認され、これは、量子点の発光波長が徐々にレッドシフトしたことを示し、
引き続き反応系に0.8mmolのCdOと3mLのOAとの混合溶液を注入し、300度に昇温して10分間反応させ、
反応系に4mmolのSと3mLのトリオクチルホスフィン(TOP)との混合溶液を迅速に注入し、300度に維持して30分間反応させ、
反応が終了した後、合金コアを持つCdZnSe/ZnS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が532nm、ピーク幅が27nm、量子ドット溶液の量子収率が65%である。
12mmolのZnAc2、15mLのOA及び15mLのODEを100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから300度に昇温し、
反応系に3.0mmolのセレン粉末(Se)と4mLのTOPとの混合溶液を迅速に注入し、
300度で攪拌して10秒間反応させた後、反応系に0.35mmolのCdOと、2mLのOAとの混合溶液を迅速に注入し、300度に維持して20分間反応させ、反応中には、溶液の色が濃くなることが確認され、これは、量子ドットの発光波長が徐々にレッドシフトしたことを示し、
反応系に2mmolのSと3mLのトリオクチルホスフィン(TOP)との混合溶液を迅速に注入し、
300度で攪拌して1分間反応させた後、反応系に0.3mmolのCdOと、2mLのOAとの混合溶液を迅速に注入し、310度に昇温して20分間反応させ、
反応系に3mmolのSと2mLのトリオクチルホスフィン(TOP)との混合溶液を迅速に注入し、310度に維持して30分間を反応させ、
反応が終了した後、合金コア及び合金シェル層を持つCdZnSe/CdZnS/ZnS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が522nm、ピーク幅が28nm、量子ドット溶液の量子収率が61%である。
14mmolのZnAc2、20mLのOA及び10mLのODEを100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから300度に昇温し、
反応系に2.7mmolのセレン粉末(Se)と4mLのTOPとの混合溶液を迅速に注入し、
300度で攪拌して30秒間反応させた後、反応系に0.3mmolのCdOと、2mLのOAとの混合溶液を迅速に注入し、300度に維持して20分間反応させ、反応中には、溶液の色が濃くなることが確認され、これは、量子ドットの発光波長が徐々にレッドシフトしたことを示し、
反応系に4mmolのSeと5mLのトリオクチルホスフィン(TOP)との混合溶液を迅速に注入し、300度に維持して40分間反応させ、
反応が終了した後、合金コアを持つCdZnSe/ZnSe量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が471nm、ピーク幅が21nm、量子ドット溶液の量子収率が52%である。
0.4mmolのCdO、4mmolのZnAc2、7mLのOA及び15mLのODEを100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから300度に昇温し、
反応系に0.01mmolのセレン粉末(Se)と、4mmolのSと、4mLのTOPとの混合溶液を迅速に注入し、
300度で10分間反応させ、
反応が終了した後、合金化されたCdZnSeS/ZnS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が485nm、ピーク幅が36nm、量子ドット溶液の量子収率が38%である。
0.4mmolのCdO、6mmolのZnAc2、7mLのOA及び15mLのODEを100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから300度に昇温し、
反応系に0.9mmolのセレン粉末(Se)と、0.2mmolのSと、4mLのTOPとの混合溶液を迅速に注入し、
300度で10分間反応させ、
反応系に1.2mmolのCdOと4mLのOAとの混合溶液を注入し、300度で15分間反応させ、
反応系に3mmolのSと、1molのSeと、2mLのトリオクチルホスフィン(TOP)との混合溶液を迅速に注入し、310度に維持して30分間を反応させ、
反応が終了した後、合金化されたCdZnSeS/ZnSeS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が628nm、ピーク幅が31nm、量子ドット溶液の量子収率が46%である。
1mmolのCdO、10mLのOA及び10mLのODEを100mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから300度に昇温し、
反応系に1.8mmolのセレン粉末(Se)と4mLのTOPとの混合溶液を迅速に注入し、
300度で攪拌して5秒間反応させた後、反応系に10mmolのZnAc2と、10mLのOAと10mLのODEとの混合溶液を迅速に注入し、300度に維持して10分間反応させ、反応中には、溶液の色が薄くなることが確認され、これは、量子ドットの発光波長が徐々にブルーシフトしたことを示し、
反応系3.5mmolのSeと、1.5mmolのSと、5mLのトリオクチルホスフィン(TOP)との混合溶液を迅速に注入し、300度に維持して60分間反応させ、
反応が終了した後、合金コアを持つCdZnSe/ZnSeS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が617nm、ピーク幅が22nm、量子ドット溶液の量子収率が47%である。
0.24mmolの酢酸インジウム、0.5mmolの酢酸亜鉛、2.8mLのオレイン酸及び4mLのオクタデセンを50mLの三ツ口ボトルに入れ、150度で30分間排気して、反応系内の水及び酸素を除去し、
反応系にアルゴンをいっぱいになるまで通気してから300度に昇温し、
反応系に0.19mmolのP(TMS)3(tris−trimethylsilyl phosphine)と、0.5mLのオクタデセンとの混合溶液を迅速に注入し、
300度で20秒間反応させた後、反応系に0.17mmolの塩化ガリウムと、1.5mLのオレイン酸と、4mLのオクタデセンとの混合溶液を迅速に注入し、300度に維持して10分間反応させ、
1.2mmolのドデカンチオール、2mmolのオレイン酸亜鉛を30分の間に均一な速度で反応系に注入し、
反応が終了した後、合金コアを持つInGaP/ZnS量子ドットが得られ、その発光ピーク波長が605nm、ピーク幅が62nm、量子ドット溶液の量子収率が40%である。
本実施例の量子ドット発光ダイオードは、図7に示すように、下から上へ順番に、ITO基板11、ボトム電極12、PEDOT:PSS正孔注入層13、poly−TPD正孔輸送層14、量子ドット発光層15、ZnO電子輸送層16及びAlトップ電極17を含む。
ITO基板11上に、順次にボトム電極12、30nmのPEDOT:PSS正孔注入層13及び30nmのpoly−TPD正孔輸送層14を作製した後、poly−TPD正孔輸送層14上に、厚さが20nmとなる1層の量子ドット発光層15を作製し、続いて、量子ドット発光層15上にm40nmのZnO電子輸送層16及び100nmのAlトップ電極17を作製する。前記量子ドット発光層15の材料は、実施例1で説明した量子ドットである。
本実施例の量子ドット発光ダイオードは、図8に示すように、下から上へ順次にITO基板21、ボトム電極22、PEDOT:PSS正孔注入層23、Poly(9−vinylcarbazole)(PVK)正孔輸送層24、量子ドット発光層25、ZnO電子輸送層26及びAlトップ電極27を含む。
ITO基板21上に、順次にボトム電極22、30nmのPEDOT:PSS正孔注入層23及び30nmのPVK正孔輸送層24を作製した後、PVK正孔輸送層24上に、厚さが20nmとなる1層の量子ドット発光層25を作製し、続いて、量子ドット発光層25上に、40nmのZnO電子輸送層26及び100nmのAlトップ電極27を作製する。前記量子ドット発光層25の材料は、実施例2で説明した量子ドットである。
本実施例の量子ドット発光ダイオードは、図9に示すように、下から上へ順次にITO基板31、ボトム電極32、TPBi電子輸送層33、量子ドット発光層34、poly−TPD正孔輸送層35、PEDOT:PSS正孔注入層36及びAlトップ電極37を含む。
ITO基板31上に、順次にボトム電極32、厚さが30nmとなるTPBi電子輸送層33を作製し、TPBi電子輸送層33上に、厚さが20nmとなる1層の量子ドット発光層34を作製し、続いて、真空蒸着法により、厚さが30nmとなるpoly−TPD正孔輸送層35、厚さが30nmとなるPEDOT:PSS正孔注入層36、及び、厚さが100nmとなるAlトップ電極37を作製する。前記量子ドット発光層34の材料は、実施例3で説明した量子ドットである。
本実施例の量子ドット発光ダイオードは、図10に示すように、下から上へ順次にITO基板41、ボトム電極42、ZnO電子輸送層43、量子ドット発光層44、NPB正孔輸送層45、MoO3正孔注入層46及びAlトップ電極47を含む。
ITO基板41上に、順次にボトム電極42、40nmのZnO電子輸送層43を作製し、ZnO電子輸送層43上に、厚さが20nmとなる1層の量子ドット発光層44を作製し、続いて、真空蒸着法により、30nmのNPB正孔輸送層45、5nmのMoO3正孔注入層46、及び、100nmのAlトップ電極47を作製する。前記量子ドット発光層44の材料は、実施例4で説明した量子ドットである。
本実施例の量子ドット発光ダイオードは、図11に示すように、下から上へ順次にガラス基板51、Al電極52、PEDOT:PSS正孔注入層53、poly−TPD正孔輸送層54、量子ドット発光層55、ZnO電子輸送層56及びITOトップ電極57を含む。
ガラス基板51上に、真空蒸着法により、100nmのAl電極52を作製してから、順次に30nmのPEDOT:PSS正孔注入層53及び30nmのpoly−TPD正孔輸送層54を作製し、その後、poly−TPD正孔輸送層54上に、厚さが20nmとなる1層の量子ドット発光層55を作製し、続いて、量子ドット発光層55上に、40nmのZnO電子輸送層56を作製し、最後に、スパッタ法により、120nmのITOを作製してトップ電極57とする。前記量子ドット発光層55の材料は、実施例7で説明した量子ドットである。
本実施例の量子ドット発光ダイオードは、図12に示すように、下から上へ順次にガラス基板61、Al電極62、ZnO電子輸送層63、量子ドット発光層64、NPB正孔輸送層65、MoO3正孔注入層66及びITOトップ電極67を含む。
ガラス基板61上に、真空蒸着法により、100nmのAl電極62を作製してから、順次に40nmのZnO電子輸送層63、20nmの量子ドット発光層64を作製し、続いて、真空蒸着法により、30nmのNPB正孔輸送層65、5nmのMoO3正孔注入層66を作製し、最後に、スパッタ法により、120nmのITOを作製してトップ電極67とする。前記量子ドット発光層64の材料は、実施例9で説明した量子ドットである。
Claims (31)
- 第一量子ドットコアの成長反応系を用意し、第一量子ドットコアの成長を行うステップであって、前記第一量子ドットコアの成長反応系内の前駆体は、金属元素前駆体及び非金属元素前駆体を含み、前記金属元素前駆体は、少なくとも、金属元素M1の前駆体を含み、前記第一量子ドットコア内の金属元素は、少なくとも、金属元素M1を含むステップと、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加えるステップと、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と前記第一量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行うステップと、を含む
ことを特徴とする量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M1と前記金属元素M2とは異なり、前記金属元素M1と前記金属元素M2とは、Zn、Cd、Hg、Al、In及びGaのうちの1つから独立して選択される
ことを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M1はGaであり、前記金属元素M2はInであり、或いは、
前記金属元素M1はZnであり、前記金属元素M2はCdであり、或いは、
前記金属元素M1はInであり、前記金属元素M2はGaであり、或いは、
前記金属元素M1はCdであり、前記金属元素M2はZnである
ことを特徴とする請求項2に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記第一量子ドットコアの成長反応系内の前駆体は、金属元素M1の前駆体及び非金属元素X1の前駆体であり、前記第一量子ドットコアの組成はM1M1X1であり、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加え、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と前記第一量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行い、前記第二量子ドットコアの組成はM1M2X1である
ことを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M1と前記金属元素M2とは異なり、前記金属元素M1と前記金属元素M2とは、Zn、Cd、Hg、Al、In及びGaのうちの1つから独立して選択され、及び/又は
前記非金属元素X1は、S、Se、Te、N、P及びAsのうちの1つから選択される
ことを特徴とする請求項4に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M2は、金属元素M1よりも大きなイオン半径を有する
ことを特徴とする請求項4に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M1はGaであり、前記金属元素M2はInであり、前記第二量子ドットコアM1M2X1はGaInPであり、或いは、
前記金属元素M1はZnであり、前記金属元素M2はCdであり、前記第二量子ドットコアM1M2X1は、ZnCdS又はZnCdSeである
ことを特徴とする請求項6に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M2は、金属元素M1よりも小さなイオン半径を有する
ことを特徴とする請求項4に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M1はCdであり、前記金属元素M2はZnであり、前記第二量子ドットコアM1M2X1は、CdZnS又はCdZnSeであり、或いは、
前記金属元素M1はInであり、前記金属元素M2はGaであり、前記第二量子ドットコアM1M2X1はInGaPである
ことを特徴とする請求項8に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素前駆体は、金属元素M1の前駆体及び金属元素M2の前駆体であり、前記第一量子ドットコア内の金属元素は、金属元素M1及び金属元素M2であり、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加え、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と前記第一量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行う
ことを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M1と前記金属元素M2とは異なり、前記金属元素M1と前記金属元素M2とは、Zn、Cd、Hg、Al、In及びGaのうちの1つから独立して選択される
ことを特徴とする請求項10に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記非金属元素前駆体は、非金属元素X1の前駆体であり、前記第一量子ドットコアの組成は、M1 aM2 1−aX1であり、
前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加え、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と、前記第一量子ドットコアM1 aM2 1−aX1内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行い、前記第二量子ドットコアの組成は、M1 bM2 1−bX1であり、0<a<1、0<b<1、b<aである
ことを特徴とする請求項10又は11に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M1はGaであり、前記金属元素M2はInであり、前記非金属元素X1はPであり、或いは、
前記金属元素M1はInであり、前記金属元素M2はGaであり、前記非金属元素X1はPであり、或いは、
前記金属元素M1はZnであり、前記金属元素M2はCdであり、前記非金属元素X1は、S又はSeであり、或いは、
前記金属元素M1はCdであり、前記金属元素M2はZnであり、前記非金属元素X1は、S又はSeである
ことを特徴とする請求項12に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記非金属元素前駆体は、非金属元素X1の前駆体及び非金属元素X2の前駆体であり、前記第一量子ドットコアの組成は、M1 aM2 1−aX1X2であり、
前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加え、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と、前記第一量子ドットコアM1 aM2 1−aX1X2内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行い、前記第二量子ドットコアの組成は、M1 bM2 1−bX1X2であり、0<a<1、0<b<1、b<aである
ことを特徴とする請求項10又は11に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記非金属元素X1と前記非金属元素X2とは異なり、前記非金属元素X1と前記非金属元素X2とは、S、Se、Te、N、P及びAsのうちの1つから独立して選択される
ことを特徴とする請求項14に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素前駆体は、金属元素M1の前駆体であり、前記第一量子ドットコア内の金属元素は、金属元素M1であり、
前記第一量子ドットコアの成長中に、前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加え、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と前記第一量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行い、前記第二量子ドットコア内の金属元素は、金属元素M1及び金属元素M2であり、
前記第二量子ドットコアの成長中に、前記第二量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を再び加え、前記金属元素M2と、前記第二量子ドットコア内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第三量子ドットコアの成長を行う
ことを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記第一量子ドットコアの成長反応系内の前駆体は、金属元素M1の前駆体及び非金属元素X1の前駆体であり、前記第一量子ドットコアの組成はM1X1であり、
前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加え、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と、前記第一量子ドットコアM1X1内の金属元素M1にカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行い、前記第二量子ドットコアの組成は、M1 cM2 1−cX1であり、0.4<c<0.9であり、
前記第二量子ドットコアM1 cM2 1−cX1成長反応系に金属元素M2の前駆体を再び加え、前記金属元素M2と、前記第二量子ドットコアM1 cM2 1−cX1内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第三量子ドットコアの成長を行い、前記第三量子ドットコアの組成は、M1 dM2 1−dX1であり、0<d<0.9、d<cである
ことを特徴とする請求項16に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M1はGaであり、前記金属元素M2はInであり、前記非金属元素X1はPであり、或いは、
前記金属元素M1はInであり、前記金属元素M2はGaであり、前記非金属元素X1はPであり、或いは、
前記金属元素M1はZnであり、前記金属元素M2はCdであり、前記非金属元素X1は、S又はSeであり、或いは、
前記金属元素M1はCdであり、前記金属元素M2はZnであり、前記非金属元素X1は、S又はSeである
ことを特徴とする請求項17に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記非金属元素前駆体は、非金属元素X1の前駆体及び非金属元素X2の前駆体であり、前記第一量子ドットコアの組成はM1X1X2であり、
前記第一量子ドットコアの成長反応系に金属元素M2の前駆体を加え、
第一量子ドットコアの成長を中断し、前記金属元素M2と、前記第一量子ドットコアM1X1X2内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第二量子ドットコアの成長を行い、前記第二量子ドットコアの組成は、M1 cM2 1−cX1X2であり、0.4<c<0.9であり、
前記第二量子ドットコアM1 cM2 1−cX1X2成長反応系に金属元素M2の前駆体を再び加え、前記金属元素M2と、前記第二量子ドットコアM1 cM2 1−cX1X2内の金属元素M1とにカチオンを交換させ、第三量子ドットコアの成長を行い、前記第三量子ドットコアの組成は、M1 dM2 1−dX1X2であり、0<d<0.9、d<cである
ことを特徴とする請求項16に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記非金属元素X1と前記非金属元素X2とは異なり、前記非金属元素X1と前記非金属元素X2とは、S、Se、Te、N、P及びAsのうちの1つから独立して選択される
ことを特徴とする請求項19に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記第二量子ドットコアの表面に第一半導体シェル層を形成するステップを更に含み、前記第一半導体シェル層の材料は、II−VI族半導体材料又はIII−V族半導体材料から選択される
ことを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記第二量子ドットコアの表面に第一半導体シェル層を形成する前に、
前記第二量子ドットコアの成長中に、金属元素M3の前駆体及び非金属元素X3の前駆体を加えるステップと、
第二量子ドットコアの成長を中断し、前記第二量子ドットコアの表面に第三半導体シェル層M3X3の成長を行うステップと、
前記第三半導体シェル層の成長中に、金属元素M4の前駆体を加えるステップと、
第三半導体シェル層M3X3の成長を中断し、金属元素M4と、第三半導体シェル層内の金属元素M3とにカチオン交換反応を行わせ、第二半導体シェル層M3M4X3を作製するステップと、を更に含む
ことを特徴とする請求項21に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M3と前記金属元素M4とは異なり、前記金属元素M3と前記金属元素M4とは、Zn、Cd、Hg、Al、In及びGaのうちの1つから独立して選択され、及び/又は
前記非金属元素X3は、S、Se、Te、N、P及びAsのうちの1つから選択される
ことを特徴とする請求項22に記載の量子ドットの作製方法。 - 前記金属元素M3はGaであり、前記金属元素M4はInであり、前記第二半導体シェル層の組成はGaInPであり、或いは、
前記金属元素M3はZnであり、前記金属元素M4はCdであり、前記第二半導体シェル層の組成は、ZnCdS又はZnCdSeであり、或いは、
前記金属元素M3はInであり、前記金属元素M4はGaであり、前記第二半導体シェル層の組成はGaInPであり、或いは、
前記金属元素M3はCdであり、前記金属元素M4はZnであり、前記第二半導体シェル層の組成は、ZnCdS又はZnCdSeである
ことを特徴とする請求項23に記載の量子ドットの作製方法。 - 量子ドットコアと、前記量子ドットコアを被覆する第一半導体シェル層とを含み、
前記量子ドットコアは、金属元素M1、金属元素M2及び非金属元素からなり、
前記量子ドットコアにおいて、量子ドットの半径方向に沿って、前記金属元素M2の含有量は、内から外へ徐々に増加し、前記金属元素M1の含有量は、内から外へ徐々に減少する
ことを特徴とする量子ドット。 - 前記量子ドットコアは、金属元素M1、金属元素M2及び非金属元素X1からなり、
前記金属元素M1と前記金属元素M2とは異なり、前記金属元素M1と金属元素M2とは、Zn、Cd、Hg、Al、In及びGaのうちの1つから独立して選択され、及び/又は、
前記非金属元素X1は、S、Se、Te、N、P及びAsのうちの1つから選択される
ことを特徴とする請求項25に記載の量子ドット。 - 前記金属元素M1はGaであり、前記金属元素M2はInであり、前記非金属元素X1はPであり、或いは、
前記金属元素M1はInであり、前記金属元素M2はGaであり、前記非金属元素X1はPであり、或いは、
前記金属元素M1はZnであり、前記金属元素M2はCdであり、前記非金属元素X1は、S又はSeであり、或いは、
前記金属元素M1はCdであり、前記金属元素M2はZnであり、前記非金属元素X1は、S又はSeである
ことを特徴とする請求項26に記載の量子ドット。 - 前記第一半導体シェル層の材料は、II−VI族半導体材料又はIII−V族半導体材料から選択される
ことを特徴とする請求項25に記載の量子ドット。 - 前記量子ドットコアと第一半導体シェル層との間に第二半導体シェル層が更に形成されており、前記第二半導体シェル層は、前記量子ドットコアを被覆し、前記第一半導体シェル層は、前記第二半導体シェル層を被覆しており、
前記第二半導体シェル層は、金属元素M3、金属元素M4及び非金属元素からなり、前記金属元素M3と前記金属元素M4とは異なり、
前記第二半導体シェル層において、前記量子ドットの半径方向に沿って、前記金属元素M4の含有量は、内から外へ徐々に増加し、前記金属元素M3の含有量は、内から外へ徐々に減少する
ことを特徴とする請求項28に記載の量子ドット。 - 前記金属元素M3はGaであり、前記金属元素M4はInであり、前記第二半導体シェル層の組成はGaInPであり、或いは、
前記金属元素M3はZnであり、前記金属元素M4はCdであり、前記第二半導体シェル層の組成は、ZnCdS又はZnCdSeであり、或いは、
前記金属元素M3はInであり、前記金属元素M4はGaであり、前記第二半導体シェル層の組成はGaInPであり、或いは、
前記金属元素M3はCdであり、前記金属元素M4はZnであり、前記第二半導体シェル層の組成は、ZnCdS又はZnCdSeである
ことを特徴とする請求項29に記載の量子ドット。 - 請求項25〜30の何れか一項に記載の量子ドットを機能材料として半導体デバイスの作製に用いる
ことを特徴とする量子ドットの応用。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186317A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-07-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 多層構造のナノ結晶およびその製造方法 |
US20100140586A1 (en) * | 2006-09-25 | 2010-06-10 | Eoul National University Industry Foundation | Quantum dots having composition gradient shell structure and manufacturing method thereof |
JP2011505432A (ja) * | 2007-10-29 | 2011-02-24 | イーストマン コダック カンパニー | コロイド状三元ナノ結晶の生産 |
JP2018199807A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司 | 特大量子ドットおよびその形成方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE512115T1 (de) * | 2003-01-22 | 2011-06-15 | Univ Arkansas | Monodisperse nanokristalle mit kern/schale und anderen komplexen strukturen sowie herstellungsverfahren dafür |
KR101462658B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2014-11-17 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 나노 결정 및 그 제조 방법 |
KR101708324B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2017-02-20 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 | Iii-v/아연 칼코겐 화합물로 합금된 반도체 양자점 |
US10508236B2 (en) | 2015-10-27 | 2019-12-17 | Lumileds Llc | Wavelength converting material for a light emitting device |
CN106479482B (zh) | 2016-09-20 | 2018-11-06 | 纳晶科技股份有限公司 | InP量子点及其制备方法 |
CN106590661A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-04-26 | Tcl集团股份有限公司 | 一种CdSexS1‑x合金量子点及其制备方法 |
CN106590633B (zh) * | 2016-11-15 | 2021-04-13 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法 |
CN108264901B (zh) * | 2016-12-30 | 2022-08-05 | Tcl科技集团股份有限公司 | 具有漏斗型能级结构的发光材料、制备方法及半导体器件 |
CN108264900A (zh) | 2016-12-30 | 2018-07-10 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点复合材料、制备方法及半导体器件 |
CN108264905A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点材料、制备方法及半导体器件 |
CN108546553B (zh) * | 2018-05-10 | 2022-12-02 | 纳晶科技股份有限公司 | 一种ii-ii-vi合金量子点、其制备方法及其应用 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186317A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-07-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 多層構造のナノ結晶およびその製造方法 |
US20100140586A1 (en) * | 2006-09-25 | 2010-06-10 | Eoul National University Industry Foundation | Quantum dots having composition gradient shell structure and manufacturing method thereof |
JP2011505432A (ja) * | 2007-10-29 | 2011-02-24 | イーストマン コダック カンパニー | コロイド状三元ナノ結晶の生産 |
JP2018199807A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司 | 特大量子ドットおよびその形成方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
GROENEVELD E. ET AL.: "Tailoring ZnSe-CdSe Colloidal Quantum Dots via Cation Exchange: From Core/Shell to Alloy Nanocrystal", ACS NANO, vol. 7, JPN6021026853, 13 August 2013 (2013-08-13), pages 7913 - 7930, ISSN: 0004547122 * |
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