JP2021506006A - Programmable Temperature Coefficient Analog Secondary Curvature Compensation Voltage Reference and Voltage Reference Circuit Trimming Method - Google Patents
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Abstract
例示の電圧基準回路は、温度比例電流および対応する第1の制御電圧を生成するように構成される第1の回路(308)、および温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成するように構成される第2の回路(316)を含む基準回路(202)と、第1の負荷回路(512)に結合される第1の電流源(5141)であって、第1の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第1の負荷回路は和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成する、第1の電流源(5141)と、第2の負荷回路(718、720)に結合される第2の電流源(7151)であって、第2の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第2の負荷回路は和電流および温度補償電流から負Tempco電圧を生成する、第2の電流源(7151)と、を含む。【選択図】図2The illustrated voltage reference circuit is configured to generate a temperature proportional current and a corresponding first control voltage, a first circuit (308), and a temperature compensating current and a corresponding second control voltage. The reference circuit (202) including the second circuit (316) configured in the above, and the first current source (5141) coupled to the first load circuit (512), the first current source is In response to the first control voltage and the second control voltage, the sum of the temperature proportional current and the temperature compensation current is generated, and the first load circuit generates a zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum current. , A first current source (5141) and a second current source (7151) coupled to a second load circuit (718, 720), the second current source being the first control voltage and A second current source that, in response to the second control voltage, produces a sum of the temperature proportional current and the temperature compensating current, and the second load circuit produces a negative Tempco voltage from the sum current and the temperature compensating current. 7151) and. [Selection diagram] Fig. 2
Description
本開示の例は、一般的に、電子回路に関し、とりわけ、プログラマブル温度係数アナログ二次曲率補償電圧基準、および電圧基準回路のトリミング手法に関する。 The examples of the present disclosure generally relate to electronic circuits, in particular to programmable temperature coefficient analog secondary curvature compensation voltage references, and trimming techniques for voltage reference circuits.
精密電圧基準は、システムオンチップ(SoC)ICなどの集積回路(IC)における重要なブロックである。電圧基準は、アナログ/デジタル変換器(ADC)および電源管理などのさまざまな目的で必要とされている。温度に依存する電圧の生成はまた、回路に対する温度効果を補償するなどのために、いくつかの応用で有用である。よって、ICにおける異なる回路は、異なる温度係数を有する電圧基準を必要とする(例えば、ADCは温度非依存電圧基準を使用するのに対し、開閉器などの他の回路は温度依存電圧基準を使用する)。さらに、電圧基準を生成するための回路は典型的には、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)を使用する。しかしながら、BJTは、ICを製作するために使用される相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスにおける寄生素子である。CMOS技術が高くなるとBJT性能は低下し、これはデジタル論理によって引き起こされる。それ故に、柔軟な温度係数電圧を生成できる電圧基準回路を提供する一方で、BJTによって導入される二次曲率を補償することが望ましい。 Precision voltage reference is an important block in integrated circuits (ICs) such as system-on-chip (SoC) ICs. Voltage references are needed for a variety of purposes, such as analog-to-digital converters (ADCs) and power management. Temperature-dependent voltage generation is also useful in some applications, such as to compensate for temperature effects on circuits. Thus, different circuits in an IC require a voltage reference with a different temperature coefficient (eg, ADCs use a temperature-independent voltage reference, whereas other circuits, such as switches, use a temperature-dependent voltage reference. To do). In addition, circuits for generating voltage reference typically use bipolar junction transistors (BJTs). However, BJTs are parasitic elements in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) processes used to make ICs. The higher the CMOS technology, the lower the BJT performance, which is caused by digital logic. Therefore, it is desirable to compensate for the quadratic curvature introduced by the BJT while providing a voltage reference circuit capable of generating a flexible temperature coefficient voltage.
プログラマブル温度係数アナログ二次曲率補償電圧基準を提供するための手法について、説明する。一例では、電圧基準回路は、温度比例電流および対応する第1の制御電圧を生成するように構成される第1の回路、および温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成するように構成される第2の回路を含む基準回路と、第1の負荷回路に結合される第1の電流源であって、第1の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第1の負荷回路は和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成する、第1の電流源と、第2の負荷回路に結合される第2の電流源であって、第2の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第2の負荷回路は和電流および温度補償電流から負Tempco電圧を生成する、第2の電流源と、を含む。 A technique for providing a programmable temperature coefficient analog secondary curvature compensated voltage reference will be described. In one example, the voltage reference circuit is configured to generate a first circuit configured to generate a temperature proportional current and a corresponding first control voltage, and a temperature compensating current and a corresponding second control voltage. A reference circuit including a second circuit to be generated, and a first current source coupled to the first load circuit, the first current source responding to a first control voltage and a second control voltage. Then, the sum current of the temperature proportional current and the temperature compensation current is generated, and the first load circuit generates a zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum current, in the first current source and the second load circuit. A second source of current to be coupled, the second current source produces a sum current of temperature proportional current and temperature compensation current in response to the first control voltage and the second control voltage. The load circuit of 2 includes a second current source, which produces a negative Tempco voltage from the sum current and the temperature compensation current.
一例では、集積回路は、1つまたは複数の回路と、少なくとも1つの電圧を1つまたは複数の回路に供給する電圧基準回路とを含む。電圧基準回路は、温度比例電流および対応する第1の制御電圧を生成するように構成される第1の回路、および温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成するように構成される第2の回路を含む基準回路と、第1の負荷回路に結合される第1の電流源であって、第1の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第1の負荷回路は和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成する、第1の電流源と、第2の負荷回路に結合される第2の電流源であって、第2の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第2の負荷回路は和電流および温度補償電流から負Tempco電圧を生成する、第2の電流源と、を含む。 In one example, an integrated circuit includes one or more circuits and a voltage reference circuit that supplies at least one voltage to the one or more circuits. The voltage reference circuit is configured to generate a temperature proportional current and a corresponding first control voltage, and a temperature compensating current and a corresponding second control voltage. A reference circuit including two circuits and a first current source coupled to the first load circuit, the first current source responding to a first control voltage and a second control voltage. The first load circuit is coupled to the first current source and the second load circuit, which produces the sum of the temperature proportional current and the temperature compensation current and generates the zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum current. A second current source, the second current source, in response to the first control voltage and the second control voltage, generates a sum current of the temperature proportional current and the temperature compensation current, and the second load. The circuit includes a second current source, which produces a negative Tempco voltage from the sum current and the temperature compensation current.
別の例では、電圧基準を生成する方法は、基準回路の第1の回路において温度比例電流および対応する第1の制御電圧を生成することと、基準回路の第2の回路において温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成することと、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、第1の電流源において温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成することと、第1の電流源に結合される第1の負荷回路において和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成することと、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、第2の電流源において温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成することと、第2の電流源に結合される第2の負荷回路において和電流および温度補償電流からの負Tempco電圧を生成することと、を含む。 In another example, the method of generating the voltage reference is to generate the temperature proportional current and the corresponding first control voltage in the first circuit of the reference circuit, and the temperature compensation current and in the second circuit of the reference circuit. Generating the corresponding second control voltage and generating the sum of the temperature proportional current and the temperature compensation current in the first current source in response to the first control voltage and the second control voltage. , Generating a zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum current in the first load circuit coupled to the first current source, and in response to the first and second control voltages, the second To generate the sum of the temperature proportional current and the temperature compensation current in the current source of, and to generate the negative Tempco voltage from the sum current and the temperature compensation current in the second load circuit coupled to the second current source. And, including.
電圧基準回路のトリミング手法について説明する。一例では、集積回路(IC)において電圧基準をトリミングする方法は、第1の温度で、温度比例電流および対応する第1の制御電圧、ならびに温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成するように構成される電圧基準の基準回路に対する第1の複数のトリムコードを配列することと、第1の電圧出力値を得るために第1の複数のトリムコードのそれぞれに対する電圧基準の電圧出力を測定することと、第2の温度で、基準回路に対する第2の複数のトリムコードを配列することと、第2の電圧出力値を得るために第2の複数のトリムコードのそれぞれに対する電圧基準の電圧出力を測定することと、第1の電圧出力値および第2の電圧出力値に基づいて基準回路に対するトリムコードを選択することと、を含む。 The trimming method of the voltage reference circuit will be described. In one example, the method of trimming a voltage reference in an integrated circuit (IC) produces a temperature proportional current and a corresponding first control voltage, and a temperature compensation current and a corresponding second control voltage at a first temperature. Arranging the first plurality of trim cords for the voltage reference reference circuit configured as described above, and the voltage reference voltage output for each of the first plurality of trim cords in order to obtain the first voltage output value. To measure, to arrange the second plurality of trim cords for the reference circuit at the second temperature, and to obtain the second voltage output value of the voltage reference for each of the second plurality of trim cords. It includes measuring the voltage output and selecting a trim code for the reference circuit based on the first voltage output value and the second voltage output value.
別の例では、集積回路(IC)において電圧基準をトリミングするための装置は、メモリと、第1の温度で、温度比例電流および対応する第1の制御電圧、ならびに温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成するように構成される電圧基準の基準回路に対する第1の複数のトリムコードを配列し、第1の電圧出力値を得るために第1の複数のトリムコードのそれぞれに対する電圧基準の電圧出力を測定し、第2の温度で、基準回路に対する第2の複数のトリムコードを配列し、第2の電圧出力値を得るために第2の複数のトリムコードのそれぞれに対する電圧基準の電圧出力を測定し、第1の電圧出力値および第2の電圧出力値に基づいて基準回路に対するトリムコードを選択するために、メモリ記憶されるコードを実行するように構成されるプロセッサと、を含む。 In another example, the device for trimming the voltage reference in the integrated circuit (IC) is the memory and the temperature proportional current and the corresponding first control voltage at the first temperature, and the temperature compensation current and the corresponding first. Arrange the first plurality of trim cords for the reference circuit of the voltage reference configured to generate the control voltage of 2, and the voltage for each of the first plurality of trim cords to obtain the first voltage output value. The reference voltage output is measured, the second plurality of trim cords for the reference circuit are arranged at the second temperature, and the voltage reference for each of the second plurality of trim cords is obtained in order to obtain the second voltage output value. A processor configured to execute a memory-stored code to measure the voltage output of and select a trim code for the reference circuit based on the first voltage output value and the second voltage output value. including.
これらのおよび他の態様は、以下の詳細な説明を参照して理解可能である。 These and other aspects can be understood with reference to the detailed description below.
上記の特徴を詳細に理解できるように、上に簡潔に要約されたより詳細な説明を、例示の実装形態を参照することにより行うことが可能であり、これら実装形態のいくつかは添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面が単に典型的な例示の実装形態を示すため、この範囲を限定するとみなされるものではないことは、留意されたい。 A more detailed description briefly summarized above can be provided by reference to the exemplary implementations so that the above features can be understood in detail, some of these implementations in the accompanying drawings. It is shown. However, it should be noted that the accompanying drawings are not considered to limit this scope, as they merely show typical exemplary implementations.
理解を容易にするために、可能な場合、図に共通する同一の要素を指定するために同一の参照符号が使用されている。1つの例の要素が他の例に有益に組み込まれ得ることが考えられる。 For ease of understanding, where possible, the same reference numerals are used to specify the same elements that are common to the figures. It is conceivable that the elements of one example can be beneficially incorporated into another.
さまざまな特徴について、以降、図を参照して説明する。図が一定尺度で描かれる場合もあるし描かれない場合もあり、同様の構造または機能の要素が図全体を通して同様の参照符号によって表されることは、留意されるべきである。図が特徴の説明を容易にすることのみ意図していることは留意されるべきである。これらの特徴は、特許請求される発明の包括的な説明を意図していないし、特許請求される発明の範囲に対する制限を意図してもいない。さらに、示される例は示される態様または利点全てを有する必要はない。特定の例と併せて説明される態様または利点は、必ずしもその例に限定されるものではなく、そのように示されない場合でもそのように明示的に説明されない場合でも任意の他の例において実践可能である。 The various features will be described below with reference to the figures. It should be noted that the figure may or may not be drawn on a constant scale and elements of similar structure or function are represented by similar reference numerals throughout the figure. It should be noted that the figures are only intended to facilitate the description of the features. These features are not intended to be a comprehensive description of the claimed invention, nor are they intended to limit the scope of the claimed invention. Moreover, the examples shown need not have all of the aspects or advantages shown. The embodiments or benefits described in conjunction with a particular example are not necessarily limited to that example and can be practiced in any other example, whether not so indicated or expressly described. Is.
図1は、一例による集積回路(IC)100を示すブロック図である。IC100は、電圧基準回路200、制御回路114、および回路102を含む。電圧基準回路200は、電圧VCCを供給する供給ノード110と、グランド電圧(例えば、0ボルト)を供給するグランドノード112との間に結合される。電圧VCCは、IC100内またはIC100の外部のどちらかに、(図示されない)電圧供給によって提供されてよい。電圧基準回路200は、1つまたは複数のノード104によって回路102の1つまたは複数に結合され、これらノード104のそれぞれはゼロ温度係数(Tempco)電圧を供給する。電圧基準回路200は、1つまたは複数のノード106によって回路102の1つまたは複数に結合され、これらノード106のそれぞれは負Tempco電圧を供給する。電圧基準回路200は、1つまたは複数のノード108によって回路102の1つまたは複数に結合され、これらノード108のそれぞれは正Tempco電圧を供給する。よって、電圧基準回路200は、ゼロTempco電圧、負Tempco電圧、および正Tempco電圧を生成する。制御回路114は詳細に後述されるように、電圧および/または電流をトリミングするために制御信号を電圧基準回路200に供給する。
FIG. 1 is a block diagram showing an integrated circuit (IC) 100 according to an example. The
図2は、一例による電圧基準回路200を示すブロック図である。電圧基準回路200は、基準回路202、ゼロTempco回路204、負Tempco回路206、および正Tempco回路208を含む。ノード210は基準回路202の1つの出力をTempco回路204…208のそれぞれに結合する。ノード212は、基準回路202の別の出力をTempco回路204…208のそれぞれに結合する。ノード210および212は、制御電圧をTempco回路204…208に供給する。基準回路202は、さらに後述されるように、温度比例電流(Iptatと称される)および温度補償電流(Ictatと称される)を生成する。ノード210および212に対する制御電圧は、電流IptatおよびIctatをミラーリングするためにTempco回路204…208における電流源を制御する。ゼロTempco回路204は、ノード104において、ゼロTempco電流Iztat(Iztat=Iptat+Ictat)を1つまたは複数のゼロTempco電圧に変換する。負Tempco回路206は、ノード106において、電流Iztatを1つまたは複数の負Tempco電圧に変換する。正Tempco回路208は、ノード108において、電流Iztatを1つまたは複数の正Tempco電圧に変換する。
FIG. 2 is a block diagram showing a
図3は、一例による基準回路202を示す模式図である。基準回路202は、p型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(FET)(MOSFET)などのpチャネルFET302、304、および306を含む。pチャネルFETは、このチャネル電流を伝えるための多数キャリアとしてホールを使用するFETである。基準回路202はさらに、演算増幅器308、演算増幅器316、マルチプレクサ320、抵抗器310、ラダー抵抗器318、バイポーラ接合トランジスタ(BJT)312、およびBJT314を含む。BJT312および314はPNPトランジスタである。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a
FET302のソースは、VCCを供給するノード110に結合される。FET302のドレインはノード324に結合される。FET302のゲートは制御電圧VPを供給するノード210に結合される。FET304のソースはノード110に結合される。FET304のドレインはノード326に結合される。FET304のゲートはノード210に結合される。FET306のソースはノード110に結合される。FET306のゲートは制御電圧VCを供給するノード212に結合される。FET306のドレインはノード330に結合される。全抵抗R2を有するラダー抵抗器318はノード330とグランドノード112との間に結合される。
The source of the FET302 is coupled to the
図4は、一例によるラダー抵抗器400を示す模式図である。ラダー抵抗器400は、ラダー抵抗器318、または本明細書に説明される任意の他のラダー抵抗器として使用可能である。ラダー抵抗器400は、抵抗ストリング408、例えば、抵抗器4081…408Kを含み、ここでKは1より大きい整数である。抵抗器4081…408Kはノード410とノード412との間に直列に結合される。ラダー抵抗器400はマルチプレクサ402をさらに含む。マルチプレクサ402の入力は複数のタップ、例えば、タップ4041…404Jにそれぞれ結合され、ここでJは1より大きい整数である。それぞれのタップ4041…404Jは抵抗ストリング408の対応するノードに結合され、ここで、抵抗ストリング408はそれぞれのノード対の間に1つまたは複数の抵抗器を含む。マルチプレクサ402はタップ404のうちの1つを選択する信号Ctrlを受信するための制御入力414を含む。信号Ctrlはシーリング[log2(J)]ビットを有するデジタル信号である。マルチプレクサ402はノード406に結合される出力を含む。ラダー抵抗器400は、Ctrl信号のコード値に依存する、(例証の目的で想像線で示される)ノード406とノード412との間の実効抵抗Rを提供する。
FIG. 4 is a schematic view showing a
図3を参照すると、ノード328は、フラットトリムコードの値に基づいてラダー抵抗器318の選択されたタップに結合される。これによって、ラダー抵抗器318が、ノード330とノード328との間の抵抗3181に、およびノード328とグランドノード112との間の抵抗3182に効率的に分割される。抵抗3181は値R2’有し、抵抗3182は値R2’’を有する。
Referring to FIG. 3, the
演算増幅器308の反転入力はノード324に結合される。演算増幅器308の非反転入力はノード326に結合される。演算増幅器308の出力はノード210に結合される。演算増幅器316の反転入力はノード324に結合される。演算増幅器316の非反転入力はノード328に結合される。演算増幅器316の出力はノード212に結合される。
The inverting input of the
抵抗R1を有する抵抗器310は、ノード326とBJT314のエミッタとの間に結合される。BJT314のベースおよびコレクタのそれぞれは、グランドノード112に結合される。よって、BJT314は、抵抗器310に結合される陽極、およびグランドノード112に結合される陰極を有するダイオード接続BJTである。BJT312のエミッタはノード324に結合される。BJT312のベースおよびコレクタのそれぞれはグランドノード112に結合される。よって、BJT312は、ノード324に結合される陽極、およびグランドノード112に結合される陰極を有するダイオード接続BJTである。BJT314はBJT312のN倍のエミッタ領域を有し、ここでNは1より大きい整数である。
The
動作中、演算増幅器308は自己バイアスし、かつFET302および304をオンにするように制御電圧VPを設定する。演算増幅器308は、負のフィードバックをかけることで、ノード324における電圧はノード326における電圧に等しくなる。ノード324における電圧は、BJT312のエミッタとベースとの間の電圧である、電圧VEB1である。電圧VEB1は温度を補償するものである(すなわち、負Tempcoを有する)。BJT314のエミッタにおける電圧は、BJT314のエミッタとベースとの間の電圧である、VEB2である。電圧VEB2は温度を補償するものである。ノード326とBJT314のエミッタとの間で、抵抗器310にわたる電圧は、ΔVBE=VEB1−VEB2=VBE2−VBE1である。差動電圧ΔVBEは数学上、ΔBE=n*VT*In(N)と表現可能であり、ここで、VTは熱温度であり、nは理想係数であり、NはBJT314とBJT312との間のエミッタ領域の比率であり、Inは自然対数関数を示す。本明細書における例示の目的で、理想係数nは1であると想定され、後続の式から省かれる。熱電圧VT=KT/qであり、ここで、Tはケルビンでの温度であり、Kはボルツマン定数であり、qはクーロンでの電子電荷である。そのように、ΔVBEは温度に比例する(すなわち、正Tempcoを有する)。ΔVBEはまた、ベータ因子によるベース電流に関連している、コレクタ電流の比率に依存している(すなわち、ベータ=Ic/Ibであり、ここで、Icはコレクタ電流であり、Ibはベース電流である)。電流Iptatは数学上、さらに温度に比例する、Iptat=ΔVBE/R1と表現可能である。ノード210における電圧VPは電流IptatをミラーリングするためにTempco回路における電流源を制御する。
In operation,
演算増幅器316は、ノード328における電圧およびノード324における電圧(例えば、VEB1)を等化するために制御電圧VCにおける調節を通して負のフィードバックをかける。よって、(ノード330からラダー抵抗器318に入ってくる)電流Ictatは、数学上、Ictat=VEB1/R2’’と表現可能である。VEB1は温度を補償するものであるため、Ictatはまた、温度を補償するものである。ノード212における電圧VCは、電流IctatをミラーリングするためにTempco回路における電流源を制御する。電流源Ictatは、フラットトリムコードを変化させることによってトリミング可能である。フラットトリムは、Ictat+Iptat=Iztataが温度範囲にわたる近似定数になるようにIptatに対するIctatを調節することによって温度係数を均衡化する。温度に対するIptatの傾きが一定である間、温度に対するIctatの傾きが非線形であることは留意されたい。よって、Iztatは温度範囲にわたって所望の定数値から変化する。さらに後述されるように、この一次誤差は補正される。
図5Aは、一例によるゼロTempco回路204を示す模式図である。ゼロTempco回路204は、pチャネルFET502、504、506、および508(例えば、p型MOSFET)を含む。ゼロTempco回路204は、曲率補正回路510、ラダー抵抗器512、およびラダー抵抗器554をさらに含む。
FIG. 5A is a schematic diagram showing an example zero
FET502のソースは、VCCを供給するノード110に結合される。FET502のドレインはノード530に結合される。FET502のゲートは、制御電圧VCを供給するノード212に結合される。FET504のソースは、VCCを供給するノード110に結合される。FET504のドレインはノード530に結合される。FET504のゲートは制御電圧VPを供給するノード210に結合される。FET506のソースはノード110に結合される。FET506のドレインはノード532に結合される。FET506のゲートは制御電圧VCを供給するノード212に結合される。FET508のソースはVCCを供給するノード110に結合される。FET508のドレインはノード532に結合される。FET508のゲートは制御電圧VPを供給するノード210に結合される。FET502および504は、IctatおよびIptatをミラーリングする電流源5141を形成する。FET506および508は、IctatおよびIptatをミラーリングする電流源5142を形成する。
The source of the FET502 is coupled to the
抵抗RLOAD1を有するラダー抵抗器512はノード530とグランドノード112との間に結合される。ノード556は、Ref1トリムコードの値に基づいてラダー抵抗器512の選択されたタップに結合される。タップの選択によって、ノード530とノード556との間に結合される抵抗5121、およびノード556とグランドノード112との間に結合される抵抗5122がもたらされる。抵抗5121は値RLOAD1 ’を有し、抵抗5122は値RLOAD1 ’’を有する。曲率補正回路510は、さらに後述されるように、電流Icorを供給するためにノード556に結合される。
A
抵抗RLOAD2を有するラダー抵抗器554は、ノード532とグランドノード112との間に結合される。ノード558は、Ref2トリムコードの値に基づいてラダー抵抗器554の選択されたタップに結合される。タップの選択によって、ノード532とノード558との間に結合される抵抗5541、およびノード558とグランドノード112との間に結合される抵抗5542がもたらされる。抵抗5541は値RLOAD2 ’を有し、抵抗5542は値RLOAD2 ’’を有する。
A
動作中、制御電圧VCは、電流Ictatを供給するためにFET502および506を制御する。制御電圧VPは電流Iptatを供給するためにFET504および508を制御する。電流IctatおよびIptatはノード530に送り込まれる。制御回路114は、Ref1トリムを設定してRLOAD1 ’およびRLOAD1 ’’の値を制御する。曲率補正回路510は電流Icorをラダー抵抗器512に供給することで、定常状態の条件で、電流IztatおよびIcorの和は抵抗RLOAD1 ’’を通して伝導する。
In operation, the control voltage V C controls the FET502 and 506 to supply current ICTAT. Control voltage V P which controls the FET504 and 508 to supply current Iptat. Currents Ictat and Iptat are sent to
ノード556は、Vref1と称される、Iztat+Icorに比例する電圧を供給する。電圧Vref1はゼロTempcoを有する。
電流IctatおよびIptatはノード532に送り込まれる。定常状態の条件で、電流Iztatはラダー抵抗器554を通して伝導する。制御回路114は、Ref2トリムを設定してRLOAD2 ’およびRLOAD2 ’’の値を制御する。ノード558は、Iztatに比例する電圧Vref2を供給する。電圧Vref2はゼロTempcoを有する。LPF538によって出力される電圧はIztatに比例する。演算増幅器540、抵抗器544、抵抗器546、および抵抗器552は、LPF538によって出力される電圧に構成された量のゲインを印加する非反転増幅器として構成される。ゲインは、抵抗器544、546、および552の抵抗値によって判断される。ノード542はゼロTempco電圧Vref2を供給する。抵抗器544、548、および552は、ノード550におけるVref2の分数(例えば、Vref2/2を生成するための電圧の半分)を供給する分圧器を形成する。
The currents Ictat and Iptat are sent to
Ref1トリムコードおよびRef2トリムコードは、ノード556および558における対応するプリゲイン電圧の直流(DC)レベルをそれぞれ設定する。ゲイン回路を使用して、プリゲイン電圧を増幅するまたは減衰させることができる。分圧器はさらにまた、ポストゲイン基準電圧の1つまたは複数の分数を提供できる。
The Ref1 trim code and Ref2 trim code set the direct current (DC) level of the corresponding pregain voltage at
例では、ゼロTempco回路204は、3つのゼロTempco電圧を生成するためにIctatおよびIptatをミラーリングするための2つの電流源514を含む。他の例では、ゼロTempco回路204は、任意の数のゼロTempco電圧を生成するための2つ未満または2つより多い電流源514を含むことができる。一例では、ゲイン回路516の1つまたは両方は省略可能である。代替的には、別の電流源514はプリゲイン出力電圧を供給する別のラダー抵抗器に送り込むことができる。
In the example, the zero
図5Bは、一例による曲率補正回路510を示す模式図である。曲率補正回路510は、pチャネルFET564、566、および568(例えば、p型MOSFET)を含む。曲率補正回路510はさらに、PNP BJT570および572、ならびにトランスコンダクタンス回路578を含む。
FIG. 5B is a schematic diagram showing a
FET564、566、および568のソースは、VCCを供給するノード110に結合される。FET564のドレインはノード574に結合され、FET564のゲートは、制御電圧VCを供給するノード212に結合される。FET566および568のドレインはノード576に結合される。FET566のゲートは、制御電圧VCを供給するノード212に結合される。FET568のゲートは、制御電圧VPを供給するノード210に結合される。FET566および568の幅はFET564の半分である。FET564は電流Ictatのミラーを供給し、FET566は電流Ictat/2のミラーを供給し、FET568は電流Iptat/2のミラーを供給する。
FET564,566 and 568 source, is coupled to
BJT570のエミッタは、ノード574に結合されて電圧VEB3を提供する。BJT572のエミッタは、ノード576に結合されて電圧VEB4を提供する。BJT570および572のベースおよびコレクタはグランドノード112に結合される。よって、BJT570および572は、ノード574とグランドノード112との間、およびノード576とグランドノード112との間それぞれに結合されるダイオード接続BJTである。BJT572は、BJT570のエミッタ領域のN’倍を有し、ここで、N’は1より大きい整数である。
The emitter of the BJT570 is coupled to the
トランスコンダクタンス回路578の入力はノード574および576に結合される。トランスコンダクタンス回路578の出力はノード556に結合され、かつ電流Icorを供給する。
The inputs of the
動作中、電流Ictatは温度と共に非線形に変化する。すなわち、温度に対するIctatの導関数は一定ではない。そのように、Iztatから生成される任意の電圧は温度と共に変化することになる。図6は温度へのVref1の依存を示すグラフ600である。グラフ600は、温度を表す軸線602、および電圧Vref1をボルトで表す軸線606を含む。曲線610によって示されるように、電圧Vref1は温度に対して凸状弓形になる。すなわち、Vref1は、最大値に達するまで温度が増大するにつれて増大後、温度がさらに増大するにつれて減少する。
During operation, the current Ictat changes non-linearly with temperature. That is, the derivative of Ictat with respect to temperature is not constant. As such, any voltage generated from Iztat will change with temperature. FIG. 6 is a
図5Bに戻ると、曲率補正回路510は、Iztatに二次補正を加えて、Ictatの一次誤差によるVref1の温度依存性を軽減する。とりわけ、差動電圧は、ΔVBE2=VBE4−VBE3=VT*In((N’*Iztat/2)/IS4)−VT*In(Ictat/IS3)であり、ここで、IS4およびIS3はそれぞれ、BJT570および572の逆方向飽和電流である。逆方向飽和電流がほぼ等しい場合、式は、ΔVBE2=VT*(In(N’*Iztat/2)−In(Ictat))に減少する。図6のグラフ600は、ΔVBE2をボルトで表す軸線604を含む。曲線608によって示されるように、電圧ΔVBE2は温度に対して凹状弓形になる。すなわち、ΔVBE2は、最小値に達するまで温度が増大するにつれて減少後、温度がさらに増大するにつれて増大する。トランスコンダクタンス回路578は、差動電圧ΔVBE2を、温度に対して同じ凹曲率を有する電流Icorに変換する。トランスコンダクタンス回路578は電流Icorをノード556に注入する。温度が変化するにつれて、電流Ictat+Icorは、二次曲率補正により実質的に一定になる。
Returning to Figure 5B, the
図5Cは、一例によるゼロTempco回路204の別の部分204Aを示す模式図である。ゼロTempco回路204の部分204Aは、pチャネルFET580および582、ならびにラダー抵抗器586を含む。FET580のソースは、VCCを供給するノード110に結合される。FET580のドレインはノード584に結合される。FET580のゲートは制御電圧VCを供給するノード212に結合される。FET582のソースはVCCを供給するノード110に結合される。FET582のドレインはノード584に結合される。FET582のゲートは制御電圧VPを供給するノード210に結合される。FET580および582は、IctatおよびIptatをミラーリングする電流源5143を形成する。
FIG. 5C is a schematic diagram showing another
抵抗RLOAD3を有するラダー抵抗器586は、ノード584とグランドノード112との間に結合される。ノード588は、Ref3トリムコードの値に基づいてラダー抵抗器586の選択されたタップに結合される。タップの選択によって、ノード584とノード588との間に結合される抵抗5861、およびノード588とグランドノード112との間に結合される抵抗5862がもたらされる。抵抗5861は値RLOAD3 ’を有し、抵抗5862は値RLOAD3 ’’を有する。ノード588は、プリゲインゼロTempco電圧である電圧Vref3を供給する。
A
図7は、一例による負Tempco回路206を示す模式図である。負Tempco回路206は、6つのpチャネルFET702…712、およびラダー抵抗器718、720、728、および730を含む。FET702…712のソースは、VCCを供給するノード110に結合される。FET702および704のドレインはノード714に結合される。FET706のドレインはノード724に結合される。FET708および710のドレインはノード716に結合される。FET712のドレインはノード736に結合される。FET702および708のゲートは、制御電圧VPを供給するノード210に結合される。FET704、706、710、および712のゲートは、制御電圧VCを供給するノード212に結合される。FET702、704、および706は第1の電流源7151を形成し、FET708、710、および712は第2の電流源7152を形成する。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a
抵抗R3を有するラダー抵抗器718はノード714とノード726との間に結合される。抵抗R4を有するラダー抵抗器720はノード726とグランドノード112との間に結合される。ラダー抵抗器718および720は、ノード714とグランドノード112との間に直列に結合される。制御回路114によって生成されるコードNeg1トリムによって判断されるような、ラダー抵抗器718の選択されたタップは、ノード722に結合される。ラダー抵抗器718は、抵抗7181と抵抗7182との間で効果的に分割され、この場合、抵抗7181は値R3’を有し、抵抗7182は値R3’’を有する。制御回路114によって生成されるコードNeg1傾きトリムによって判断されるような、ラダー抵抗器720の選択されたタップは、ノード724に結合される。ラダー抵抗器720は、抵抗7201と抵抗7202との間に効果的に分割され、この場合、抵抗7201は値R4’を有し、抵抗7202は値R4’’を有する。
A
抵抗R5を有するラダー抵抗器728はノード716とノード734との間に結合される。抵抗R6を有するラダー抵抗器730はノード734とグランドノード112との間に結合される。ラダー抵抗器728および730は、ノード716とグランドノード112との間に直列に結合される。制御回路114によって生成されるコードNeg2トリムによって判断されるような、ラダー抵抗器728の選択されたタップは、ノード732に結合される。ラダー抵抗器728は、抵抗7281と抵抗7282との間で効果的に分割され、この場合、抵抗7281は値R5’を有し、抵抗7282は値R5’’を有する。制御回路114によって生成されるコードNeg2傾きトリムによって判断されるような、ラダー抵抗器730の選択されたタップは、ノード736に結合される。ラダー抵抗器730は、抵抗7301と抵抗7302との間に効果的に分割され、この場合、抵抗7301は値R6’を有し、抵抗7302は値R6’’を有する。
A
動作中、FET702および704は、ラダー抵抗器718およびラダー抵抗器720の直列組み合わせを通して電流Iztat(すなわち、Ictat+Iptat)を供給する。FET706は抵抗7202を通してIctatのミラーを供給する。ノード722における電圧は、Vneg1=Iztat*(R3+R4)+Ictat*R4’’である。電圧Vneg1は、ゼロTemoco成分Iztat*(R3+R4)、および負Tempco成分Ictat*R4’’を有する。よって、電圧Vneg1は負Tempcoを有する。制御回路114は、コードNeg1傾きトリムを設定して、電圧Vneg1に対する負Tempcoの傾きを制御する。制御回路114は、コードNeg1トリムを設定して、Neg1傾きトリムに使用されるコードが与えられたとして電圧Vneg1のDCレベルを制御する。
During operation, the
FET708および710は、ラダー抵抗器728およびラダー抵抗器730の直列組み合わせを通して電流Iztat(すなわち、Ictat+Iptat)を供給する。FET712は抵抗7302を通してIctatのミラーを供給する。ノード732における電圧は、Vneg2=Iztat*(R5+R6)+Ictat*R6’’である。電圧Vneg2は、ゼロTemoco成分Iztat*(R5+R6)、および負Tempco成分Ictat*R6’’を有する。よって、電圧Vneg2は負Tempcoを有する。制御回路114は、コードNeg2傾きトリムを設定して、電圧Vneg2に対する負Tempcoの傾きを制御する。制御回路114は、コードNeg2トリムを設定して、Neg2傾きトリムに使用されるコードが与えられたとして電圧Vneg2のDCレベルを制御する。電圧Vneg2は電圧Vneg1と無関係に設定される。
The
2つの電流源715および2つのラダー抵抗器対が示されるが、負Tempco回路206は任意の数の電流源715を含むことができ、それぞれは図7に示されるようなラダー抵抗器対に結合される。このように、負Tempco回路は任意の数の温度補償電圧を供給することができる。さらに、ゲイン回路は図7から省略されているが、いくつの例では、プリゲイン電圧出力の1つまたは両方は、図5Aに示されるコンフィギュレーションと同様のゲイン回路に結合可能である。
Although two current sources 715 and two ladder resistor pairs are shown, the
図8は、一例による正Tempco回路208を示す模式図である。正Tempco回路208は、pチャネルFET802および804、ラダー抵抗器824、開閉器808および810、ならびにデジタル/アナログ(DAC)電流源816および820を含む。FET802および804のソースは、電圧VCCを供給するノード110に結合される。FET802および804のドレインはノード806に結合される。FET802のゲートは、制御電圧VCを供給するノード212に結合される。FET804のゲートは、制御電圧VPを供給するノード210に結合される。FET802および804は、Iztat=Ictat+Iptatを供給する電流源815を形成する。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a
抵抗R7を有するラダー抵抗器824は、ノード806とグランドノード112との間に結合される。制御回路114によって設定されるBlkトリムコードによって制御されるような、ラダー抵抗器824の選択されたタップは、ノード826に結合される。ラダー抵抗器824は、それぞれ、値R7’およびR7’’を有する抵抗8241および抵抗8242に効果的に分割される。抵抗8241はノード806とノード826との間に結合される。抵抗8242はノード826とグランドノード112との間に結合される。ノード826は電圧VBLKを供給する。
A
開閉器808の1つの端子は、制御電圧VPを供給するノード210に結合される。開閉器808の別の端子はノード812に結合される。電流DAC816の基準電圧入力はノード812に結合される。電流DAC816は、デジタル信号Blk_pを供給するバス818に結合されるデジタル制御入力を含む。電流DAC816の電流出力はノード806に結合される。電流DAC816の供給電圧入力は、電圧VCCを供給するノード110に結合される。
One terminal of the
開閉器810の1つの端子は、制御電圧VCを供給するノード212に結合される。開閉器810の別の端子はノード814に結合される。電流DAC820の基準電圧入力はノード814に結合される。電流DAC820は、デジタル信号Blk_cを供給するバス822に結合されるデジタル制御入力を含む。電流DAC820の電流出力はグランドノード112に結合される。電流DAC820の供給電圧入力はノード806に結合される。
One terminal of the
動作中、電圧VBLK=Iztat*R7’’+Idac*R7’’である。ノード806に流れ込む電流Idacは、開閉器808および810の状態に左右される。開閉器808および810の両方が開放される場合、電流Idacはゼロである。開閉器808が閉鎖されかつ開閉器810が開放される場合、電流DAC816は電圧VPを受ける。電流DAC816はデジタル信号Blk_pによって供給されるコードに基づく電流Iptatの比率を提供する。電流DAC816は電流Idac_pを出力する。電流Idacは、電流DAC816によって供給される電流Idac_pに等しい。このような場合、電圧VBLKは、ゼロTemoco成分Iztat*R7’’および正Tempco成分Idac_p*R7’’を含む。
During operation, the voltage V BLK = Iztat * R7'' + Idac * R7''. The current Idac flowing into the
開閉器810が閉鎖されかつ開閉器808が開放される場合、電流DAC820は電圧VCを受ける。電流DAC820はデジタル信号Blk_Cによって供給されるコードに基づく電流Ictatの比率を低下させる。電流DAC820は電流Idac_cを低下させる。電流Idacは、電流DAC820によって供給される−Idac_cに等しい。このような場合、電圧VBLKは、ゼロTemoco成分Iztat*R7’’および正Tempco成分−Idac_c*R7’’を含む。
If
開閉器808および810の両方が閉鎖される場合、電流Idac=Idac_p−Idac_cである。このような場合、電圧VBLKは、ゼロTemoco成分Iztat*R7’’および正Tempco成分(Idac_p−Idac_c)*R7’’を含む。
If both
いくつかの例では、制御回路114は、交互順序で開閉器808および810を開閉するための制御信号Blk PtatおよびBlk Ctatを生成する。制御回路114は、デジタル信号Blk_pおよびBlk_cを使用して振動の大きさを制御する。制御回路114は、Blkトリムコードを使用して電圧VBLKのDCレベルを制御する。信号電流源815および負荷(ラダー抵抗器824および電流DAC816、820)が示されているが、正Tempco回路208が、複数の正Tempco電圧を生成するために複数の電流源815および関連の負荷を含むことができることは理解されたい。いくつかの例では、プリゲイン電圧VBLKは、ゲインと共に正Tempco電圧を提供するためにゲイン回路に結合可能である。
In some examples, the
図9は、一例による電圧基準を生成する方法900を示すフロー図である。方法900はブロック902で開始し、ここで、基準回路202はIptatおよび制御電圧Vpを生成する。ブロック904において、基準回路202はIctatおよび制御電圧Vcを生成する。ブロック906において、1つまたは複数の電流源は、制御電圧VpおよびVcに応答してIptatおよびIctatの和電流を生成する。例えば、ブロック908において、ゼロTempco回路204は、和電流からゼロTempco電圧を生成する。ブロック910において、負Tempco回路206は、和電流から負Temco電圧を生成する。ブロック912において、正Tempco回路208は、和電流から正Tempco電圧を生成する。
FIG. 9 is a flow chart showing a
図10は、一例による試験システム1000を示すブロック図である。試験システム1000は自動試験装置(ATE)1002、および複数のIC1100を有するウエハー1004を含む。ATE1002は、中央処理装置(CPU)1008、メモリ1012、入出力(IO)回路1010、およびサポート回路1006を含む。CPU1008は、x86ベースプロセッサまたはARM(登録商標)ベースプロセッサなどの任意のタイプの汎用プロセッサとすることができる。CPU1008は、1つまたは複数のコアおよび関連の回路網(例えば、キャッシュメモリ、メモリ管理ユニット(MMU)、割り込みコントローラなど)を含むことができる。CPU1008は、本明細書に説明される1つまたは複数の動作を行い、かつメモリ1012に記憶可能であるプログラムコードを実行するように構成される。サポート回路1006は、CPU608と協働するさまざまなデバイスを含む。例えば、サポート回路1006は、チップセット(例えば、ノースブリッジ、サウスブリッジ、プラットフォームホストコントローラなど)、電圧レギュレータ、およびファームウェア(例えば、BIOS)などを含むことができる。いくつかの例では、CPU1008は、チップセット(例えば、ノースブリッジ、サウスブリッジなど)の機能性の全ておよびかなりの部分を吸収する、システムインパッケージ(SiP)またはシステムオンチップ(SoC)などとすることができる。IO回路1010は、IC1100と通信するように構成されるさまざまな回路を含む。
FIG. 10 is a block diagram showing a
メモリ1012は、実行可能命令およびデータなどの情報を記憶および検索可能にするデバイスである。メモリ1012は、例えば、ダブルデータレート(DDR)ダイナミックランダムアクセスメモリ(RAM)(DRAM)などの1つまたは複数のRAMモジュールを含むことができる。ATE1002は、ローカルストレージデバイス(例えば、1つまたは複数のハードディスク、フラッシュメモリモジュール、固体ディスク、および光ディスク)、および/または、試験システム1000を、1つまたは複数のネットワークデータストレージシステムと通信できるようにするストレージインターフェースを含む、さまざまな他のデバイスを含むことができる。
図11は、一例による電圧基準回路におけるトリムコードを設定する方法1100を示すブロー図である。方法1100は、ウエハー604上のそれぞれのIC100に対して、基準回路202におけるフラットトリムおよび回路500AにおけるRef_xトリム(例えば、Ref1トリム、Ref2トリムなど)を設定するためにATE1002によって行われ得る。
FIG. 11 is a blow diagram showing a
方法1100はステップ1102で開始し、ここで、ウエハー1004はセ氏0度(0C)環境に配設され、ATE1002は、フラットトリムに対するトリムコードを配列し、かつVref1を測定する。ATE1002は、フラットトリムの対応する複数のトリムコードに対する複数のVref1値を得る。ステップ704において、ATE1002は、ステップ1102で得られたVref1値を、1つまたは複数の係数(例えば、3つの係数)を有する多項式曲線に合わせる。ATE1002は、IC100における(例えば、電子信管(eヒューズ)などのタイプのメモリエレメントを使用する制御回路114における)係数の値を記憶する。図12Aは、一例による異なる温度における出力電圧に対するフラットトリムコードを示すグラフ1200である。グラフ1200において、水平軸はフラットトリムコードを表し、垂直軸は出力電圧を表す。曲線1202は(T1=0Cである)1104において判断される多項式曲線を表す。
ステップ1106において、ウエハー1004はセ氏100度(100C)環境に配設され、ATE1002は、フラットトリムに対するトリムコードを配列し、かつVref1を測定する。ATE1002は、フラットトリムの対応する複数のトリムコードに対する複数のVref1値を得る。ステップ1108において、ATE1002は、ステップ1106で得られたVref1値を、ステップ1104で使用されるものと同じ次数を有する多項式曲線に合わせる。グラフ1200において、曲線1204はステップ1108において判断される多項式曲線を表す。
In
ステップ1110において、ATE1002は、0CにおけるVref1曲線と100CにおけるVref1曲線との間の交点を判断する。ATE1002は、IC100において制御回路114によって記憶された係数を得ることによって0CにおけるVref1曲線を生成可能である。ATE1002は、ステップ1108において100CにおけるVref1曲線を生成する。ステップ712において、ATE1002は、0CにおけるVref1曲線と100CにおけるVref1曲線との間の交点に対応するフラットトリムに対するトリム設定を判断する。グラフ1200に示されるように、曲線1202および1204の交点は判断されたフラットトリムコード値をもたらす。ステップ1114において、ATE1002は、フラットトリムを、ステップ1112における判断されたトリムコードに設定し、かつRef1トリムを調節してVref1の所望の電圧(例えば、1V)を設定する。図12Bは、一例による特定の温度における出力電圧に対する基準トリムコード(T=T2)を示すグラフ1201である。グラフ1201において、水平軸は基準トリムコードを表し、垂直軸は出力電圧を表す。曲線1206は出力電圧に対する基準トリムコードを表し、1Vの出力電圧は判断された基準トリムコード値をもたらす。
In
図13は、一例による電圧基準回路におけるトリムコードを設定する方法1300を示すフロー図である。方法1300は、ウエハー1004上のそれぞれのIC100に対して、基準回路202におけるフラットトリムおよび回路500AにおけるRef_xトリム(例えば、Ref1トリム、Ref2トリムなど)を設定するためにATE1002によって行われ得る。
FIG. 13 is a flow chart showing a
方法1300はステップ902で開始し、ここで、ATE1002はフラットトリムに対する近似トリムコードを選択する。フラットトリムに対する近似トリムコードは、電圧基準回路のシミュレーションに基づいて設定可能である。ステップ1304において、ウエハー1004は0C環境に配設され、ATE1002は、Vref1を所望の値(例えば、1V)に設定するRef1トリムに対するトリムコードを選択する。ATE1002は、Vref1が所望の値を得るまで、Ref1トリムを調節しかつVref1を測定することができる。ステップ1306において、ATE1002は、IC100における(例えば、電子信管(eヒューズ)などのタイプのメモリエレメントを使用する制御回路114における)Ref1トリムに対する選択されたトリムコードを記憶する。
ステップ1308において、ウエハー1004は100C環境に配設され、ATE1002は、Vref1を所望の値(例えば、1V)に設定するRef1トリムに対するトリムコードを選択する。ステップ1310において、ATE1002は、温度に対するRef1トリムコードの傾きを判断する。例えば、ATE1002は、0Cおよび100CにおけるRef1トリムコード値の間の差を計算できる。図14Aは、一例による、2つの異なる温度におけるRef1トリムコードの測定を示すグラフ1400である。グラフ1400において、水平軸は温度を表し、垂直軸はRef1トリムコード値を表す。温度T1において、コード1が得られる。温度T2において、コード2が得られる。温度係数がゼロだった場合、同じコードが両方の温度で得られることが考えられる。ATE1002は、ステップ1310において曲線1002の傾きを判断する。ステップ912において、ATE1002は、ステップ1310において判断されるRef1トリムコード傾きに基づいてルックアップテーブルからフラットトリムに対するトリムコード値を得る。ルックアップテーブルは、対応する複数のRef1トリムコード傾き値に対してフラットトリムに対する複数のトリムコード値を含むことができる。図14Bは、一例による、Ref1トリムの傾きが与えられたとしてフラットトリムコードのルックアップを示すグラフ1401である。グラフ1401では、水平軸はフラットトリムコードを表し、垂直軸は図10Aに示される曲線1402の傾きを表す。曲線1402からステップ1310において判断される温度係数は、曲線1404に基づいてフラットトリムコード設定を変更することによって補正される。
In
図15は、本明細書に説明される電圧基準回路200が使用可能である例によるプログラマブルIC 1を示すブロック図である。プログラマブルIC 1は、プログラマブル論理3、コンフィギュレーション論理25、およびコンフィギュレーションメモリ26を含む。プログラマブルIC 1は、不揮発性メモリ27、DRAM28、および他の回路29などの外部回路に結合可能である。プログラマブル論理3は、論理セル30、サポート回路31、およびプログラマブル相互接続32を含む。論理セル30は、複数の入力の一般論理機能を実装するように構成可能である回路を含む。サポート回路31は、トランシーバ、入出力ブロック、デジタル信号プロセッサ、およびメモリなどの専用回路を含む。論理セルおよびサポート回路31は、プログラマブル相互接続32を使用して相互接続可能である。論理セル30をプログラミングする、サポート回路31のパラメータを設定する、およびプログラマブル相互接続32をプログラミングするための情報は、コンフィギュレーション論理25によってコンフィギュレーションメモリ26に記憶される。コンフィギュレーション論理25は、不揮発性メモリ27または任意の他のソースから(例えば、DRAM28または他の回路29から)コンフィギュレーションデータを得ることができる。いくつかの例では、プログラマブルIC 1は処理システム2を含む。処理システム2は、マイクロプロセッサ、メモリ、サポート回路、およびIO回路などを含むことができる。
FIG. 15 is a block diagram showing a programmable IC 1 according to an example in which the
図16は、トランシーバ37、構成可能論理ブロック(「CLB」)33、ランダムアクセスメモリブロック(「BRAM」)34、入出力ブロック(「IOB」)36、コンフィギュレーションおよびクロッキング論理(CONFIG/CLOCKS)42、デジタル信号処理ブロック(「DSP」)35、特化された入出力ブロック(I/O)41(例えば、コンフィギュレーションポートおよびクロックポート)、ならびに、デジタルクロックマネージャ、アナログ/デジタル変換器、およびシステムモニタリング論理などの他のプログラマブル論理39を含む多数の異なるプログラマブルタイルを含むプログラマブルIC 1のフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)実装形態を示す。FPGAは、PCIeインターフェース40およびアナログ/デジタル変換器(ADC)38なども含むことができる。
FIG. 16 shows transceiver 37, configurable logic block (“CLB”) 33, random access memory block (“BRAM”) 34, input / output block (“IOB”) 36, configuration and clocking logic (CONFIG / CLOCKS). 42, digital signal processing block (“DSP”) 35, specialized input / output block (I / O) 41 (eg, configuration port and clock port), and digital clock manager, analog-to-digital converter, and A field programmable gate array (FPGA) implementation of a programmable IC 1 comprising a number of different programmable tiles including other programmable logic 39 such as system monitoring logic is shown. The FPGA can also include a
いくつかのFPGAでは、それぞれのプログラマブルタイルは、図11の上部に含まれる例によって示されるように、同じタイル内のプログラマブル論理素子の入出力端子48への接続を有する少なくとも1つのプログラマブル相互接続素子(「INT」)43を含むことができる。それぞれのプログラマブル相互接続素子43はまた、同じタイルまたは他のタイルにおける隣接するプログラマブル相互接続素子の相互接続セグメント49への接続を含むことができる。それぞれのプログラマブル相互接続素子43は、(示されない)論理ブロック間の一般ルーティングリソースの相互接続セグメント50への接続も含むことができる。一般ルーティングリソースは、相互接続セグメント(例えば、相互接続セグメント50)のトラックを含む論理ブロック(図示せず)と、相互接続セグメントを接続するための開閉器ブロック(図示せず)との間にルーティングチャネルを含むことができる。一般ルーティングリソースの相互接続セグメント(例えば、相互接続セグメント50)は、1つまたは複数の論理ブロックに及ぶことができる。プログラマブル相互接続素子43は、一般ルーティングリソースと共に、例示されるFPGAに対するプログラマブル相互接続構造(「プログラマブル相互接続」)を実現する。
In some FPGAs, each programmable tile has at least one programmable interconnect element that has a connection to the input /
例示の実装形態では、CLB33は、単一のプログラマブル相互接続素子(「INT」)43に加えてユーザ論理を実装するためにプログラム可能である、構成可能な論理素子(「CLE」)44を含むことができる。BRAM34は、1つまたは複数のプログラマブル相互接続素子に加えてBRAM論理素子(「BRL」)45を含むことができる。典型的には、タイルに含まれる相互接続素子の数は、タイルの高さに左右される。描写された例では、BRAMタイルは、5つのCLBと同じ高さを有するが、他の数(例えば、4)も使用可能である。DSPタイル35は、適切な数のプログラマブル相互接続素子に加えてDSP論理素子(「DSPL」)46を含むことができる。IOB36は、例えば、プログラマブル相互接続素子43の1つのインスタンスに加えて入出力論理素子(「IOL」)47の2つのインスタンスを含むことができる。当業者には明らかであるように、例えば、I/O論理素子47に接続される実際のI/Oパッドは、典型的には、入出力論理素子47の領域に制限されない。
In an exemplary implementation, the
描写された例では、(図16に示される)ダイの中央近くの水平領域は、コンフィギュレーション、クロック、および他の制御論理に使用される。この水平領域または列から伸張する垂直列51を使用して、FPGAの幅にわたってクロックおよびコンフィギュレーション信号を分散させる。 In the example depicted, the horizontal region near the center of the die (shown in FIG. 16) is used for configuration, clock, and other control logic. Vertical columns 51 extending from this horizontal region or column are used to distribute the clock and configuration signals over the width of the FPGA.
図11に示されるアーキテクチャを利用するいくつかのFPGAは、FPGAの大部分を構成する規則的な柱状構造を阻害する追加の論理ブロックを含む。追加の論理ブロックはプログラマブルブロックおよび/または専用論理とすることができる。 Some FPGAs that utilize the architecture shown in FIG. 11 include additional logical blocks that block the regular columnar structure that makes up the majority of the FPGA. The additional logic blocks can be programmable blocks and / or dedicated logic.
図16は、例示のFPGAアーキテクチャのみを示すことが意図されることに留意されたい。例えば、行の論理ブロックの数、行の相対幅、行の数および順序、行に含まれる論理ブロックのタイプ、論理ブロックの相対サイズ、および図11の上部に含まれる相互接続/論理実装形態は単に例示的なものである。例えば、実際のFPGAでは、複数の隣接するCLB行が、典型的には、ユーザ論理の効率的な実装を容易にするために、CLBが出現するどの場所にも含まれるが、隣接するCLB行の数は、FPGAの全体のサイズによって異なる。 It should be noted that FIG. 16 is intended to show only the exemplary FPGA architecture. For example, the number of logical blocks in a row, the relative width of the rows, the number and order of rows, the types of logical blocks contained in a row, the relative size of logical blocks, and the interconnect / logical implementations included at the top of FIG. It is just an example. For example, in a real FPGA, multiple adjacent CLB rows are typically included wherever the CLB appears, but to facilitate efficient implementation of user logic, but adjacent CLB rows. The number of depends on the overall size of the FPGA.
いくつかの非限定的な例を以下に提供する。 Some non-limiting examples are provided below.
1つの例では、電圧基準回路が提供可能である。このような電圧基準回路は、温度比例電流および対応する第1の制御電圧を生成するように構成される第1の回路、および温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成するように構成される第2の回路を含む基準回路と、第1の負荷回路に結合される第1の電流源であって、第1の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第1の負荷回路は和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成する、第1の電流源と、第2の負荷回路に結合される第2の電流源であって、第2の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第2の負荷回路は和電流および温度補償電流から負Tempco電圧を生成する、第2の電流源と、を含んでよい。 In one example, a voltage reference circuit can be provided. Such a voltage reference circuit is configured to generate a first circuit configured to generate a temperature proportional current and a corresponding first control voltage, and a temperature compensating current and a corresponding second control voltage. A reference circuit including a second circuit to be generated, and a first current source coupled to the first load circuit, the first current source responding to a first control voltage and a second control voltage. Then, the sum current of the temperature proportional current and the temperature compensation current is generated, and the first load circuit generates a zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum current, in the first current source and the second load circuit. The second current source to be coupled, the second current source, in response to the first control voltage and the second control voltage, generates a sum current of the temperature proportional current and the temperature compensation current, and the first The load circuit of 2 may include a second current source, which produces a negative Tempco voltage from the sum current and the temperature compensation current.
いくつかのこのような電圧基準回路は、第3の負荷回路に結合される第3の電流源であって、第3の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第3の負荷回路は、和電流と、温度補償電流および温度比例電流のうちの少なくとも1つとから正Tempco電圧を生成する、第3の電流源をさらに含んでよい。 Some such voltage reference circuits are a third current source coupled to a third load circuit, the third current source responding to a first control voltage and a second control voltage. The third load circuit generates a positive Tempco voltage from the sum current and at least one of the temperature compensating current and the temperature compensating current. It may further include a current source of.
いくつかのこのような電圧基準回路において、第3の電流源は、第1の共通ソースおよび第1の共通ドレインを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETであって、第1のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第2のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第1のFETおよび第2のFETを含んでよい。 In some such voltage reference circuits, the third current source is a first field effect transistor (FET) and a second FET having a first common source and a first common drain, the first The gate of the first FET is coupled to receive the first control voltage, and the gate of the second FET is coupled to receive the second control voltage, including the first FET and the second FET. Good.
いくつかのこのような電圧基準回路では、第3の負荷回路は、第1の制御電圧を受けるために切り替え可能に結合され、かつ第1の正温度係数(Tempco)電流を供給するように構成される第1の電流デジタル/アナログ変換器(DAC)と、第2の制御電圧を受けるために切り替え可能に結合され、かつ第2の正Tempco電流を供給するように構成される第2の電流DACと、第1の共通ドレインとグランドノードとの間に結合されるラダー抵抗器であって、和電流に加えて、第1の正Tempco電流および第2の正Tempco電流の1つまたは両方を、正Tempco電圧に変換する、ラダー抵抗器と、を含んでよい。 In some such voltage reference circuits, a third load circuit is switchably coupled to receive a first control voltage and is configured to supply a first positive temperature coefficient (Tempco) current. A second current that is switchably coupled to receive a second control voltage and is configured to supply a second positive Tempco current with a first current digital-to-analog converter (DAC). A rudder resistor coupled between the DAC and the first common drain and ground node that, in addition to the sum current, has one or both of the first positive Tempco current and the second positive Tempco current. , A ladder resistor, which converts to a positive Tempco voltage, and may be included.
いくつかのこのような電圧基準回路において、第1の電流源は、第1の共通ソースおよび第1の共通ドレインを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETであって、第1のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第2のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第1のFETおよび第2のFETを含んでよく、第1の負荷回路は、第1の共通ドレインとグランドノードとの間に結合されるラダー抵抗器であって、和電流をゼロTempco電圧に変換する、ラダー抵抗器を含んでよい。 In some such voltage reference circuits, the first current source is a first field effect transistor (FET) and a second FET having a first common source and a first common drain. The gate of one FET is coupled to receive a first control voltage and the gate of a second FET is coupled to receive a second control voltage, including a first FET and a second FET. Often, the first load circuit is a ladder resistor coupled between the first common drain and the ground node and may include a ladder resistor that converts the sum current to a zero-Tempco voltage.
いくつかのこのような電圧基準回路は、補正電流をラダー抵抗器に注入して和電流と組み合わせるように構成される曲率補償回路を含んでよく、曲率補償回路は、第2の共通ソースおよび第2の共通ドレインを有する第3のFETおよび第4のFETであって、第3のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第3のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第3のFETおよび第4のFETと、第2の制御電圧を受けるために結合されるゲートを有する第5のFETと、第5のFETのドレインとグランドノードとの間に結合される第1のダイオード接続バイポーラ接合トランジスタ(BJT)と、第2の共通ドレインとグランドノードとの間に結合される第2のダイオード接続バイポーラ接合トランジスタ(BJT)と、第5のFETのドレインと第2の共通ドレインとの間の電圧を補正電流に変換するように構成されるトランスコンダクタンス回路と、を含む。 Some such voltage reference circuits may include a curvature compensating circuit configured to inject a correction current into the ladder resistor and combine it with the sum current, and the curvature compensating circuit is a second common source and a second common source. A third FET and a fourth FET having two common drains, the gate of the third FET is coupled to receive the first control voltage, and the gate of the third FET is the second control voltage. A third and fourth FETs coupled to receive, a fifth FET with a gate coupled to receive a second control voltage, and a drain and ground node of the fifth FET. A first diode-connected bipolar junction transistor (BJT) coupled between the two, a second diode-connected bipolar junction transistor (BJT) coupled between the second common drain and the ground node, and a fifth It includes a transconductance circuit configured to convert the voltage between the drain of the FET and the second common drain into a correction current.
いくつかのこのような電圧基準回路では、第2の電流源は、第1の共通ソースおよび第1の共通ドレインを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETであって、第1のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第2のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第1のFETおよび第2のFETと、第2の制御電圧に結合されるゲートを有する第3のFETと、を含んでよく、第2の負荷回路は、第1の共通ドレインとグランドノードとの間に直列に結合される第1のラダー抵抗器および第2のラダー抵抗器を含んでよく、第1のラダー抵抗器および第2のラダー抵抗器は第1の共通ドレインから和電流を受け、第2のラダー抵抗器の一部分は第3のFETのドレインから温度補償電流を受ける。 In some such voltage reference circuits, the second current source is a first field effect transistor (FET) and a second FET having a first common source and a first common drain. The gate of the first FET is coupled to receive the first control voltage, and the gate of the second FET is coupled to receive the second control voltage, the first FET and the second FET, and the second FET. A third FET having a gate coupled to the control voltage of 2 may be included, and the second load circuit is a first ladder coupled in series between the first common drain and the ground node. A resistor and a second ladder resistor may be included, the first ladder resistor and the second ladder resistor receive a sum current from the first common drain, and a part of the second ladder resistor is a third. Receives temperature compensation current from the drain of the FET.
いくつかのこのような電圧基準回路では、基準回路は、第1の共通ソースおよび第1の共通ゲートを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETと、第1のFETのドレインとグランドノードとの間に結合される第1のダイオード接続バイポーラ接合トランジスタ(BJT)と、第2のFETのドレインとグランドノードとの間に直列に結合される第1の抵抗器および第2のダイオード接続BJTと、第2のFETのドレインに結合される非反転入力、第1のFETのドレインに結合される反転入力、および第1の共通ゲートに結合される出力を有する第1の演算増幅器と、共通ソースに結合されるソースを有する第3のFETと、第3のFETのドレインとグランドノードとの間に結合されるラダー抵抗器と、第1のFETのドレインに結合される反転入力、ラダー抵抗器に結合される非反転入力、および第3のFETのゲートに結合される出力を有する第2の演算増幅器と、を含んでよい。 In some such voltage reference circuits, the reference circuit is a first field effect transistor (FET) having a first common source and a first common gate, a second FET, and a drain of the first FET. A first diode-connected bipolar junction transistor (BJT) coupled between the and ground node, and a first resistor and second resistor coupled in series between the drain of the second FET and the ground node. A first arithmetic amplifier with a diode-connected BJT and a non-inverting input coupled to the drain of a second FET, an inverting input coupled to the drain of a first FET, and an output coupled to a first common gate. And a third FET having a source coupled to a common source, a ladder resistor coupled between the drain and ground node of the third FET, and an inverting input coupled to the drain of the first FET. , A non-inverting input coupled to a ladder resistor, and a second arithmetic amplifier having an output coupled to the gate of a third FET.
別の例では、集積回路が提供されてよい。このような集積回路は、1つまたは複数の回路と、少なくとも1つの電圧を1つまたは複数の回路に供給する電圧基準回路と、を含んでよく、電圧基準回路は、温度比例電流および対応する第1の制御電圧を生成するように構成される第1の回路、および温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成するように構成される第2の回路を含む基準回路と、第1の負荷回路に結合される第1の電流源であって、第1の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第1の負荷回路は和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成する、第1の電流源と、第2の負荷回路に結合される第2の電流源であって、第2の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第2の負荷回路は和電流および温度補償電流から負Tempco電圧を生成する、第2の電流源と、を含む。 In another example, integrated circuits may be provided. Such an integrated circuit may include one or more circuits and a voltage reference circuit that supplies at least one voltage to the one or more circuits, the voltage reference circuit corresponding to the temperature proportional current. A reference circuit comprising a first circuit configured to generate a first control voltage and a second circuit configured to generate a temperature compensation current and a corresponding second control voltage, and a first. The first current source coupled to the load circuit of the above, the first current source, in response to the first control voltage and the second control voltage, is the sum current of the temperature proportional current and the temperature compensation current. The first current source, which is generated and the first load circuit generates a zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum current, is a first current source and a second current source coupled to the second load circuit, the second. In response to the first control voltage and the second control voltage, the current source of the second load circuit generates a sum current of the temperature proportional current and the temperature compensation current, and the second load circuit is a negative Tempco from the sum current and the temperature compensation current. Includes a second source of current that produces a voltage.
いくつかのこのような集積回路では、電圧基準回路はさらに、第3の負荷回路に結合される第3の電流源であって、第3の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第3の負荷回路は、和電流と、温度補償電流および温度比例電流のうちの少なくとも1つとから正Tempco電圧を生成する、第3の電流源をさらに含む。 In some such integrated circuits, the voltage reference circuit is further a third current source coupled to the third load circuit, the third current source being the first control voltage and the second. In response to the control voltage, a sum of the temperature proportional current and the temperature compensating current is generated, and the third load circuit draws a positive Tempco voltage from the sum current and at least one of the temperature compensating current and the temperature compensating current. It further includes a third current source to generate.
このような集積回路において、第3の電流源は、第1の共通ソースおよび第1の共通ドレインを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETであって、第1のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第2のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第1のFETおよび第2のFETを含んでよい。 In such an integrated circuit, the third current source is a first field effect transistor (FET) and a second FET having a first common source and a first common drain of the first FET. The gate may include a first FET and a second FET coupled to receive a first control voltage and a gate of the second FET coupled to receive a second control voltage.
いくつかのこのような集積回路では、第3の負荷回路は、第1の制御電圧を受けるために切り替え可能に結合され、かつ第1の正温度係数(Tempco)電流を供給するように構成される第1の電流デジタル/アナログ変換器(DAC)と、第2の制御電圧を受けるために切り替え可能に結合され、かつ第2の正Tempco電流を供給するように構成される第2の電流DACと、第1の共通ドレインとグランドノードとの間に結合されるラダー抵抗器であって、和電流に加えて、第1の正Tempco電流および第2の正Tempco電流の1つまたは両方を、正Tempco電圧に変換する、ラダー抵抗器と、を含んでよい。 In some such integrated circuits, a third load circuit is switchably coupled to receive a first control voltage and is configured to supply a first positive temperature coefficient (Tempco) current. A second current DAC that is switchably coupled to receive a second control voltage and is configured to supply a second positive Tempco current with a first current digital-to-analog converter (DAC). And a ladder resistor coupled between the first common drain and the ground node, in addition to the sum current, one or both of the first positive Tempco current and the second positive Tempco current. A ladder resistor, which converts to a positive Tempco voltage, may be included.
いくつかのこのような集積回路では、第1の電流源は、第1の共通ソースおよび第1の共通ドレインを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETであって、第1のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第2のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第1のFETおよび第2のFETを含んでよく、第1の負荷回路は、第1の共通ドレインとグランドノードとの間に結合されるラダー抵抗器であって、和電流をゼロTempco電圧に変換する、ラダー抵抗器を含んでよい。いくつかのこのような集積回路は、補正電流をラダー抵抗器に注入して和電流と組み合わせるように構成される曲率補償回路をさらに含んでよく、曲率補償回路は、第2の共通ソースおよび第2の共通ドレインを有する第3のFETおよび第4のFETであって、第3のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第3のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第3のFETおよび第4のFETと、第2の制御電圧を受けるために結合されるゲートを有する第5のFETと、第5のFETのドレインとグランドノードとの間に結合される第1のダイオード接続バイポーラ接合トランジスタ(BJT)と、第2の共通ドレインとグランドノードとの間に結合される第2のダイオード接続バイポーラ接合トランジスタ(BJT)と、第5のFETのドレインと第2の共通ドレインとの間の電圧を補正電流に変換するように構成されるトランスコンダクタンス回路と、を含む。 In some such integrated circuits, the first current source is a first field effect transistor (FET) and a second FET having a first common source and a first common drain, the first. The gates of the FETs are coupled to receive a first control voltage and the gates of the second FETs may include a first FET and a second FET coupled to receive a second control voltage. The first load circuit may include a rudder resistor coupled between the first common drain and the ground node, which converts the sum current into a zero-Tempco voltage. Some such integrated circuits may further include a curvature compensating circuit configured to inject a correction current into the ladder resistor and combine it with the sum current, the curvature compensating circuit being a second common source and a second common source. A third FET and a fourth FET having two common drains, the gate of the third FET is coupled to receive the first control voltage, and the gate of the third FET is the second control voltage. A third and fourth FETs coupled to receive, a fifth FET with a gate coupled to receive a second control voltage, and a drain and ground node of the fifth FET. A first diode-connected bipolar junction transistor (BJT) coupled between the two, a second diode-connected bipolar junction transistor (BJT) coupled between the second common drain and the ground node, and a fifth It includes a transconductance circuit configured to convert the voltage between the drain of the FET and the second common drain into a correction current.
いくつかのこのような集積回路では、第2の電流源は、第1の共通ソースおよび第1の共通ドレインを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETであって、第1のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第2のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第1のFETおよび第2のFETと、第2の制御電圧に結合されるゲートを有する第3のFETと、を含んでよく、第2の負荷回路は、第1の共通ドレインとグランドノードとの間に直列に結合される第1のラダー抵抗器および第2のラダー抵抗器を含んでよく、第1のラダー抵抗器および第2のラダー抵抗器は第1の共通ドレインから和電流を受け、第2のラダー抵抗器の一部分は第3のFETのドレインから温度補償電流を受ける。 In some such integrated circuits, the second current source is a first field effect transistor (FET) and a second FET having a first common source and a first common drain, the first. The gate of the FET is coupled to receive the first control voltage, and the gate of the second FET is coupled to receive the second control voltage, the first FET and the second FET, and the second FET. A third FET, which has a gate coupled to the control voltage of the above, may be included, and the second load circuit is a first ladder resistor coupled in series between the first common drain and the ground node. A device and a second ladder resistor may be included, the first ladder resistor and the second ladder resistor receive a sum current from the first common drain, and a part of the second ladder resistor is a third. Receives temperature compensation current from the drain of the FET.
いくつかのこのような集積回路では、基準回路は、第1の共通ソースおよび第1の共通ゲートを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETと、第1のFETのドレインとグランドノードとの間に結合される第1のダイオード接続バイポーラ接合トランジスタ(BJT)と、第2のFETのドレインとグランドノードとの間に直列に結合される第1の抵抗器および第2のダイオード接続BJTと、第2のFETのドレインに結合される非反転入力、第1のFETのドレインに結合される反転入力、および第1の共通ゲートに結合される出力を有する第1の演算増幅器と、共通ソースに結合されるソースを有する第3のFETと、第3のFETのドレインとグランドノードとの間に結合されるラダー抵抗器と、第1のFETのドレインに結合される反転入力、ラダー抵抗器に結合される非反転入力、および第3のFETのゲートに結合される出力を有する第2の演算増幅器と、を含んでよい。 In some such integrated circuits, the reference circuit includes a first field effect transistor (FET) and a second FET with a first common source and a first common gate, and a drain of the first FET. A first diode-connected bipolar junction transistor (BJT) coupled to the ground node, and a first resistor and second diode coupled in series between the drain of the second FET and the ground node. A connected BJT and a first arithmetic amplifier having a non-inverting input coupled to the drain of a second FET, an inverting input coupled to the drain of a first FET, and an output coupled to a first common gate. , A third FET having a source coupled to a common source, a ladder resistor coupled between the drain and ground node of the third FET, and an inverting input coupled to the drain of the first FET. It may include a non-inverting input coupled to a rudder resistor and a second arithmetic amplifier having an output coupled to the gate of a third FET.
別の例では、電圧基準を生成する方法が提供されてよい。このような方法は、基準回路の第1の回路において温度比例電流および対応する第1の制御電圧を生成することと、基準回路の第2の回路において温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成することと、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、第1の電流源において温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成することと、第1の電流源に結合される第1の負荷回路において和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成することと、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、第2の電流源において温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成することと、第2の電流源に結合される第2の負荷回路において和電流および温度補償電流から負Tempco電圧を生成することと、を含んでよい。いくつかのこのような方法は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、第3の電流源において温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成することと、第3の電流源に結合される第3の負荷回路において、和電流と、温度補償電流および温度比例電流のうちの少なくとも1つとから正Tempco電圧を生成することと、をさらに含んでよい。いくつかのこのような方法では、正Temco電圧を生成するステップは、第1の制御電圧を受けるために切り替え可能に結合される第1の電流デジタル/アナログ変換器(DAC)から第1の正Tempco電流を供給することと、第2の制御電圧を受けるために切り替え可能に結合される第2の電流DACから第2の正Tempco電流を供給することと、ラダー抵抗回路において、和電流に加えて、第1の正Tempco電流および第2の正Tempco電流の1つまたは両方を、正Tempco電圧に変換することと、を含んでよい。 In another example, a method of generating a voltage reference may be provided. Such a method produces a temperature proportional current and a corresponding first control voltage in the first circuit of the reference circuit and a temperature compensation current and a corresponding second control voltage in the second circuit of the reference circuit. To generate a sum of temperature proportional current and temperature compensation current in the first current source in response to the first control voltage and the second control voltage, and to the first current source. Generating a zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum current in the combined first load circuit and a temperature proportional current in the second current source in response to the first and second control voltages. And to generate a sum of the temperature compensating currents and to generate a negative Tempco voltage from the summing currents and the temperature compensating currents in the second load circuit coupled to the second current source. Some such methods generate a sum of temperature-proportional current and temperature-compensated current at a third current source in response to a first and second control voltage, and a third. The third load circuit coupled to the current source may further include generating a positive Tempco voltage from the sum current and at least one of the temperature compensating current and the temperature proportional current. In some such methods, the step of generating a positive temco voltage is from a first current digital-to-analog converter (DAC), which is switchably coupled to receive a first control voltage. Supplying a Tempco current, supplying a second positive Tempco current from a second current DAC switchably coupled to receive a second control voltage, and adding to the sum current in the ladder resistance circuit. It may include converting one or both of the first positive Tempco current and the second positive Tempco current into a positive Tempco voltage.
いくつかのこのような方法は、補正電流を第1の負荷回路に注入して和電流と組み合わせることをさらに含んでよい。 Some such methods may further include injecting a correction current into the first load circuit and combining it with the sum current.
さらに別の例では、集積回路(IC)において電圧基準をトリミングする方法が提供されてよい。このような方法は、第1の温度で、温度比例電流および対応する第1の制御電圧、ならびに温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成するように構成される電圧基準の基準回路に対する第1の複数のトリムコードを配列することと、第1の電圧出力値を得るために第1の複数のトリムコードのそれぞれに対する電圧基準の電圧出力を測定することと、第2の温度で、基準回路に対する第2の複数のトリムコードを配列することと、第2の電圧出力値を得るために第2の複数のトリムコードのそれぞれに対する電圧基準の電圧出力を測定することと、第1の電圧出力値および第2の電圧出力値に基づいて基準回路に対するトリムコードを選択することと、を含んでよい。 In yet another example, a method of trimming a voltage reference in an integrated circuit (IC) may be provided. Such a method is for a voltage reference reference circuit configured to generate a temperature proportional current and a corresponding first control voltage, as well as a temperature compensation current and a corresponding second control voltage at a first temperature. Arranging the first plurality of trim cords, measuring the voltage reference voltage output for each of the first plurality of trim cords to obtain the first voltage output value, and at the second temperature. Arranging the second plurality of trim cords for the reference circuit, measuring the voltage reference voltage output for each of the second plurality of trim cords in order to obtain the second voltage output value, and the first It may include selecting a trim code for the reference circuit based on the voltage output value and the second voltage output value.
いくつかのこのような方法は、第1の電圧出力値を多項式に合わせることと、多項式の1つまたは複数の第1の係数をICに記憶することと、をさらに含んでよい。 Some such methods may further include matching the first voltage output value to the polynomial and storing one or more first coefficients of the polynomial in the IC.
いくつかのこのような方法はさらに、第2の電圧出力値を多項式に合わせて1つまたは複数の第2の係数を生成することと、1つまたは複数の第1の係数を使用して生成される第1の曲線と、1つまたは複数の第2の係数を使用して生成される第2の曲線との間の交点を判断することと、をさらに含んでよい。 Some such methods further match the second voltage output value to a polynomial to generate one or more second coefficients and generate using one or more first coefficients. It may further include determining the intersection of the first curve to be made and the second curve generated using one or more second coefficients.
いくつかのこのような方法では、トリムコードを選択するステップは、第1の曲線と第2の曲線との間の交点からトリムコードを判断することを含んでよい。 In some such methods, the step of selecting a trim code may include determining the trim code from the intersection between the first curve and the second curve.
いくつかのこのような方法は、電圧出力を所望の電圧に設定するために、基準回路によって電圧出力を生成するように制御される温度係数(Tempco)回路のトリムを調節することをさらに含んでよい。いくつかのこのような方法では、基準回路は、第1の共通ソースおよび第1の共通ゲートを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETと、第1のFETのドレインとグランドノードとの間に結合される第1のダイオード接続バイポーラ接合トランジスタ(BJT)と、第2のFETのドレインとグランドノードとの間に直列に結合される第1の抵抗器および第2のダイオード接続BJTと、第2のFETのドレインに結合される非反転入力、第1のFETのドレインに結合される反転入力、および第1の共通ゲートに結合される出力を有する第1の演算増幅器と、共通ソースに結合されるソースを有する第3のFETと、第3のFETのドレインとグランドノードとの間に結合されるラダー抵抗器と、第1のFETのドレインに結合される反転入力、ラダー抵抗器に結合される非反転入力、および第3のFETのゲートに結合される出力を有する第2の演算増幅器と、を含んでよい。 Some such methods further include adjusting the trim of the temperature coefficient (Tempco) circuit, which is controlled by the reference circuit to produce the voltage output, in order to set the voltage output to the desired voltage. Good. In some such methods, the reference circuit consists of a first field effect transistor (FET) and a second FET with a first common source and a first common gate, and drain and ground of the first FET. First diode connection coupled to the node Bipolar junction transistor (BJT) and first resistor and second diode connection coupled in series between the drain of the second FET and the ground node. A BJT and a first arithmetic amplifier having a non-inverting input coupled to the drain of a second FET, an inverting input coupled to the drain of a first FET, and an output coupled to a first common gate. A third FET having a source coupled to a common source, a ladder resistor coupled between the drain and ground node of the third FET, and an inverting input, rudder coupled to the drain of the first FET. It may include a non-inverting input coupled to a resistor and a second arithmetic amplifier having an output coupled to the gate of a third FET.
いくつかのこのような方法では、電圧基準は、第1の負荷回路に結合される第1の電流源であって、第1の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第1の負荷回路は和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成する、第1の電流源と、第2の負荷回路に結合される第2の電流源であって、第2の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第2の負荷回路は和電流および温度補償電流から負Tempco電圧を生成する、第2の電流源と、を含んでよい。 In some such methods, the voltage reference is the first current source coupled to the first load circuit, the first current source being the first control voltage and the second control voltage. In response, a first current source and a second load circuit generate a sum of the temperature proportional current and the temperature compensation current, and the first load circuit produces a zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum current. A second current source coupled to, the second current source, in response to the first control voltage and the second control voltage, produces a sum of temperature proportional current and temperature compensation current. The second load circuit may include a second current source, which produces a negative Tempco voltage from the sum current and the temperature compensation current.
いくつかのこのような方法では、第1の電流源は、第1の共通ソースおよび第1の共通ドレインを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETであって、第1のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第2のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第1のFETおよび第2のFETを含んでよく、第1の負荷回路は、第1の共通ドレインとグランドノードとの間に結合されるラダー抵抗器であって、和電流をゼロTempco電圧に変換する、ラダー抵抗器を含んでよい。 In some such methods, the first current source is a first field effect transistor (FET) and a second FET having a first common source and a first common drain, the first. The gates of the FETs may include a first FET and a second FET that are coupled to receive a first control voltage and the gates of the second FETs are coupled to receive a second control voltage. The first load circuit may include a rudder resistor coupled between the first common drain and the ground node, which converts the sum current into a zero Tempco voltage.
いくつかのこのような方法では、第2の電流源は、第1の共通ソースおよび第1の共通ドレインを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETであって、第1のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第2のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第1のFETおよび第2のFETと、第2の制御電圧に結合されるゲートを有する第3のFETと、を含んでよく、第2の負荷回路は、第1の共通ドレインとグランドノードとの間に直列に結合される第1のラダー抵抗器および第2のラダー抵抗器を含んでよく、第1のラダー抵抗器および第2のラダー抵抗器は第1の共通ドレインから和電流を受け、第2のラダー抵抗器の一部分は第3のFETのドレインから温度補償電流を受ける。 In some such methods, the second current source is a first field effect transistor (FET) and a second FET having a first common source and a first common drain, the first. The gate of the FET is coupled to receive the first control voltage, and the gate of the second FET is coupled to receive the second control voltage, the first FET and the second FET, and the second FET. A third FET having a gate coupled to the control voltage may be included, and the second load circuit is a first ladder resistor coupled in series between the first common drain and the ground node. And a second ladder resistor may be included, the first ladder resistor and the second ladder resistor receive a sum current from the first common drain, and a part of the second ladder resistor is a third FET. Receives temperature compensation current from the drain of.
いくつかのこのような方法では、電圧基準は、第3の負荷回路に結合される第3の電流源であって、第3の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第3の負荷回路は、和電流と、温度補償電流および温度比例電流のうちの少なくとも1つとから正Tempco電圧を生成する、第3の電流源を含んでよい。 In some such methods, the voltage reference is a third current source coupled to the third load circuit, the third current source being the first control voltage and the second control voltage. In response, it produces a sum of the temperature proportional current and the temperature compensating current, and the third load circuit generates a positive Tempco voltage from the sum current and at least one of the temperature compensating current and the temperature compensating current. A third current source may be included.
別の例では、集積回路(IC)において電圧基準をトリミングするための装置が提供されてよい。集積回路(IC)において電圧基準をトリミングするためのこのような装置は、メモリと、第1の温度で、温度比例電流および対応する第1の制御電圧、ならびに温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成するように構成される電圧基準の基準回路に対する第1の複数のトリムコードを配列し、第1の電圧出力値を得るために第1の複数のトリムコードのそれぞれに対する電圧基準の電圧出力を測定し、第2の温度で、基準回路に対する第2の複数のトリムコードを配列し、第2の電圧出力値を得るために第2の複数のトリムコードのそれぞれに対する電圧基準の電圧出力を測定し、第1の電圧出力値および第2の電圧出力値に基づいて基準回路に対するトリムコードを選択するために、メモリ記憶されるコードを実行するように構成されるプロセッサと、を含んでよい。 In another example, a device for trimming a voltage reference in an integrated circuit (IC) may be provided. Such a device for trimming a voltage reference in an integrated circuit (IC) includes a memory, a temperature proportional current and a corresponding first control voltage at a first temperature, and a temperature compensation current and a corresponding second. Arrange the first plurality of trim cords for the voltage reference reference circuit configured to generate the control voltage, and obtain the first voltage output value of the voltage reference for each of the first plurality of trim cords. Measure the voltage output, arrange the second plurality of trim cords for the reference circuit at the second temperature, and obtain the voltage reference voltage for each of the second plurality of trim cords to obtain the second voltage output value. Includes a processor configured to execute a memory-stored code to measure the output and select a trim code for the reference circuit based on a first voltage output value and a second voltage output value. It's fine.
いくつかのこのような装置では、プロセッサは、第1の電圧出力値を多項式に合わせるために、かつ、多項式の1つまたは複数の第1の係数をICに記憶するために、コードを実行するようにさらに構成される。 In some such devices, the processor executes code to match the first voltage output value to the polynomial and to store one or more first coefficients of the polynomial in the IC. Is further configured.
いくつかのこのような装置では、プロセッサは、第2の電圧出力値を多項式に合わせて1つまたは複数の第2の係数を生成するために、かつ、1つまたは複数の第1の係数を使用して生成される第1の曲線と、1つまたは複数の第2の係数を使用して生成される第2の曲線との間の交点を判断するために、コードを実行するようにさらに構成される。 In some such devices, the processor uses the second voltage output value to match the polynomial to generate one or more second coefficients, and the one or more first coefficients. Further to run the code to determine the intersection between the first curve generated using and the second curve generated using one or more second coefficients. It is composed.
いくつかのこのような装置では、プロセッサは、第1の曲線と第2の曲線との間の交点からトリムコードを判断することによって、トリムコードを選択する。 In some such devices, the processor selects the trim code by determining the trim code from the intersection between the first curve and the second curve.
いくつかのこのような装置では、プロセッサは、電圧出力を所望の電圧に設定するために、基準回路によって電圧出力を生成するように制御される温度係数(Tempco)回路のトリムを調節するために、コードを実行するようにさらに構成される。 In some such devices, the processor adjusts the trim of the temperature coefficient (Tempco) circuit, which is controlled by the reference circuit to produce the voltage output, in order to set the voltage output to the desired voltage. , Further configured to execute code.
いくつかのこのような装置では、基準回路は、第1の共通ソースおよび第1の共通ゲートを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETと、第1のFETのドレインとグランドノードとの間に結合される第1のダイオード接続バイポーラ接合トランジスタ(BJT)と、第2のFETのドレインとグランドノードとの間に直列に結合される第1の抵抗器および第2のダイオード接続BJTと、第2のFETのドレインに結合される非反転入力、第1のFETのドレインに結合される反転入力、および第1の共通ゲートに結合される出力を有する第1の演算増幅器と、共通ソースに結合されるソースを有する第3のFETと、第3のFETのドレインとグランドノードとの間に結合されるラダー抵抗器と、第1のFETのドレインに結合される反転入力、ラダー抵抗器に結合される非反転入力、および第3のFETのゲートに結合される出力を有する第2の演算増幅器と、を含んでよい。 In some such devices, the reference circuit is a first field effect transistor (FET) and a second FET with a first common source and a first common gate, and drain and ground of the first FET. First diode connection coupled to the node Bipolar junction transistor (BJT) and first resistor and second diode connection coupled in series between the drain of the second FET and the ground node. A BJT and a first arithmetic amplifier having a non-inverting input coupled to the drain of a second FET, an inverting input coupled to the drain of a first FET, and an output coupled to a first common gate. A third FET having a source coupled to a common source, a ladder resistor coupled between the drain and ground node of the third FET, and an inverting input, rudder coupled to the drain of the first FET. It may include a non-inverting input coupled to a resistor and a second arithmetic amplifier having an output coupled to the gate of a third FET.
いくつかのこのような装置では、電圧基準は、第1の負荷回路に結合される第1の電流源であって、第1の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第1の負荷回路は和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成する、第1の電流源と、第2の負荷回路に結合される第2の電流源であって、第2の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第2の負荷回路は和電流および温度補償電流から負Tempco電圧を生成する、第2の電流源と、を含んでよい。 In some such devices, the voltage reference is the first current source coupled to the first load circuit, the first current source being the first control voltage and the second control voltage. In response, a first current source and a second load circuit generate a sum of the temperature proportional current and the temperature compensation current, and the first load circuit produces a zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum current. A second current source coupled to, the second current source, in response to the first control voltage and the second control voltage, produces a sum of temperature proportional current and temperature compensation current. The second load circuit may include a second current source, which produces a negative Tempco voltage from the sum current and the temperature compensation current.
いくつかのこのような装置では、第1の電流源は、第1の共通ソースおよび第1の共通ドレインを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETであって、第1のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第2のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第1のFETおよび第2のFETを含んでよく、第1の負荷回路は、第1の共通ドレインとグランドノードとの間に結合されるラダー抵抗器であって、和電流をゼロTempco電圧に変換する、ラダー抵抗器を含んでよい。 In some such devices, the first current source is a first field effect transistor (FET) and a second FET having a first common source and a first common drain, the first. The gates of the FETs may include a first FET and a second FET that are coupled to receive a first control voltage and the gates of the second FETs are coupled to receive a second control voltage. The first load circuit is a ladder resistor coupled between the first common drain and the ground node and may include a ladder resistor that converts the sum current to a zero Tempco voltage.
いくつかのこのような装置では、第2の電流源は、第1の共通ソースおよび第1の共通ドレインを有する第1の電界効果トランジスタ(FET)および第2のFETであって、第1のFETのゲートは第1の制御電圧を受けるために結合され、第2のFETのゲートは第2の制御電圧を受けるために結合される、第1のFETおよび第2のFETと、第2の制御電圧に結合されるゲートを有する第3のFETと、を含んでよく、第2の負荷回路は、第1の共通ドレインとグランドノードとの間に直列に結合される第1のラダー抵抗器および第2のラダー抵抗器を含んでよく、第1のラダー抵抗器および第2のラダー抵抗器は第1の共通ドレインから和電流を受け、第2のラダー抵抗器の一部分は第3のFETのドレインから温度補償電流を受ける。 In some such devices, the second current source is a first field effect transistor (FET) and a second FET having a first common source and a first common drain, the first. The gate of the FET is coupled to receive the first control voltage, and the gate of the second FET is coupled to receive the second control voltage, the first FET and the second FET, and the second FET. A third FET having a gate coupled to the control voltage may be included, and the second load circuit is a first ladder resistor coupled in series between the first common drain and the ground node. And a second ladder resistor may be included, the first ladder resistor and the second ladder resistor receive a sum current from the first common drain, and a part of the second ladder resistor is a third FET. Receives temperature compensation current from the drain of.
いくつかのこのような装置では、電圧基準は、第3の負荷回路に結合される第3の電流源であって、第3の電流源は、第1の制御電圧および第2の制御電圧に応答して、温度比例電流および温度補償電流の和電流を生成し、第3の負荷回路は、和電流と、温度補償電流および温度比例電流のうちの少なくとも1つとから正Tempco電圧を生成する、第3の電流源を含んでよい。 In some such devices, the voltage reference is a third current source coupled to the third load circuit, the third current source being the first control voltage and the second control voltage. In response, it produces a sum of the temperature proportional current and the temperature compensating current, and the third load circuit generates a positive Tempco voltage from the sum current and at least one of the temperature compensating current and the temperature compensating current. A third current source may be included.
前述の事項は具体的な例を対象としているが、他のさらなる例が、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案可能であり、本発明の範囲は、続く特許請求の範囲によって判断される。
Although the above matter is intended for specific examples, other further examples can be devised without departing from the basic scope of the invention, the scope of the invention being determined by the claims that follow. Will be done.
動作中、FET702および704は、ラダー抵抗器718およびラダー抵抗器720の直列組み合わせを通して電流Iztat(すなわち、Ictat+Iptat)を供給する。FET706は抵抗7202を通してIctatのミラーを供給する。ノード722における電圧は、Vneg1=Iztat*(R3’’+R4)+Ictat*R4’’である。電圧Vneg1は、ゼロTempco成分Iztat*(R3’’+R4)、および負Tempco成分Ictat*R4’’を有する。よって、電圧Vneg1は負Tampicoを有する。制御回路114は、コードNeg1傾きトリムを設定して、電圧Vneg1に対する負Tempcoの傾きを制御する。制御回路114は、コードNeg1トリムを設定して、Neg1傾きトリムに使用されるコードが与えられたとして電圧Vneg1のDCレベルを制御する。
During operation, the
FET708および710は、ラダー抵抗器728およびラダー抵抗器730の直列組み合わせを通して電流Iztat(すなわち、Ictat+Iptat)を供給する。FET712は抵抗7302を通してIctatのミラーを供給する。ノード732における電圧は、Vneg2=Iztat*(R5’’+R6)+Ictat*R6’’である。電圧Vneg2は、ゼロTempco成分Iztat*(R5’’+R6)、および負Tempco成分Ictat*R6’’を有する。よって、電圧Vneg2は負Tempcoを有する。制御回路114は、コードNeg2傾きトリムを設定して、電圧Vneg2に対する負Tempcoの傾きを制御する。制御回路114は、コードNeg2トリムを設定して、Neg2傾きトリムに使用されるコードが与えられたとして電圧Vneg2のDCレベルを制御する。電圧Vneg2は電圧Vneg1と無関係に設定される。
The
Claims (12)
第1の負荷回路に結合される第1の電流源であって、前記第1の電流源は、前記第1の制御電圧および前記第2の制御電圧に応答して、前記温度比例電流および前記温度補償電流の和電流を生成し、前記第1の負荷回路は前記和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成する、第1の電流源と、
第2の負荷回路に結合される第2の電流源であって、前記第2の電流源は、前記第1の制御電圧および前記第2の制御電圧に応答して、前記温度比例電流および前記温度補償電流の前記和電流を生成し、前記第2の負荷回路は前記和電流および前記温度補償電流から負Tempco電圧を生成する、第2の電流源と、を含む、電圧基準回路。 Includes a first circuit configured to generate a temperature proportional current and a corresponding first control voltage, and a second circuit configured to generate a temperature compensation current and a corresponding second control voltage. Reference circuit and
A first current source coupled to a first load circuit, the first current source responding to the first control voltage and the second control voltage, the temperature proportional current and the temperature proportional current. A first current source, which generates a sum of the temperature compensating currents and the first load circuit generates a zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum of currents.
A second current source coupled to the second load circuit, the second current source responding to the first control voltage and the second control voltage, the temperature proportional current and the temperature proportional current. A voltage reference circuit comprising a second current source, which produces the sum of the temperature compensating currents and the second load circuit generates a negative Tempco voltage from the summing currents and the temperature compensating currents.
基準回路の第1の回路において温度比例電流および対応する第1の制御電圧を生成することと、
前記基準回路の第2の回路において温度補償電流および対応する第2の制御電圧を生成することと、
前記第1の制御電圧および前記第2の制御電圧に応答して、第1の電流源において前記温度比例電流および前記温度補償電流の和電流を生成することと、
前記第1の電流源に結合される第1の負荷回路において前記和電流からゼロ温度係数(Tempco)電圧を生成することと、
前記第1の制御電圧および前記第2の制御電圧に応答して、第2の電流源において前記温度比例電流および前記温度補償電流の前記和電流を生成することと、
前記第2の電流源に結合される第2の負荷回路において前記和電流および前記温度補償電流からの負Tempco電圧を生成することと、を含む、方法。 A method of generating a voltage reference
To generate a temperature proportional current and a corresponding first control voltage in the first circuit of the reference circuit,
To generate a temperature compensation current and a corresponding second control voltage in the second circuit of the reference circuit.
In response to the first control voltage and the second control voltage, the sum current of the temperature proportional current and the temperature compensation current is generated in the first current source.
Generating a zero temperature coefficient (Tempco) voltage from the sum current in a first load circuit coupled to the first current source.
In response to the first control voltage and the second control voltage, the temperature proportional current and the sum current of the temperature compensation current are generated in the second current source.
A method comprising generating a negative Tempco voltage from the sum current and the temperature compensating current in a second load circuit coupled to the second current source.
The method of claim 9, further comprising injecting a correction current into the first load circuit and combining it with the sum current.
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