JP2021504975A - 高出力ledチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール - Google Patents
高出力ledチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021504975A JP2021504975A JP2020545839A JP2020545839A JP2021504975A JP 2021504975 A JP2021504975 A JP 2021504975A JP 2020545839 A JP2020545839 A JP 2020545839A JP 2020545839 A JP2020545839 A JP 2020545839A JP 2021504975 A JP2021504975 A JP 2021504975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- support frame
- led chip
- substrate
- package module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 10
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V17/00—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages
- F21V17/10—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages characterised by specific fastening means or way of fastening
- F21V17/12—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages characterised by specific fastening means or way of fastening by screwing
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V5/00—Refractors for light sources
- F21V5/007—Array of lenses or refractors for a cluster of light sources, e.g. for arrangement of multiple light sources in one plane
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V5/00—Refractors for light sources
- F21V5/008—Combination of two or more successive refractors along an optical axis
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V5/00—Refractors for light sources
- F21V5/04—Refractors for light sources of lens shape
- F21V5/041—Ball lenses
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V5/00—Refractors for light sources
- F21V5/04—Refractors for light sources of lens shape
- F21V5/043—Refractors for light sources of lens shape the lens having cylindrical faces, e.g. rod lenses, toric lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2105/00—Planar light sources
- F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
- F21Y2105/14—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements characterised by the overall shape of the two-dimensional array
- F21Y2105/16—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements characterised by the overall shape of the two-dimensional array square or rectangular, e.g. for light panels
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールを提供することを課題とする。【解決手段】基板と、レンズ支持枠体と、ガラスで作られたレンズと、を含む高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールであって、レンズ支持枠体は基板の上方に設けられると共に基板を包み、レンズ支持枠体にレンズを収容するための保持用空洞部が設けられ、レンズが保持用空洞部内に設けられると共にレンズ支持枠体に接続され、基板は、順次接続される第1配線層と、第1セラミック層と、第1金属層と、を含み、第1金属層の両端に第1電極接続パッドが設けられ、第1電極接続パッドが第1配線層に接続され、第1配線層に複数の第1LEDチップユニットが設けられ、レンズは、第1LEDチップユニットの上方に設けられ、第1LEDチップユニットの位置に対応する。【選択図】図1
Description
本発明は、高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールに関する。
従来の高出力LEDチップパッケージモジュールの電極接続パッドは、すべて配線層、すなわちLEDチップの光出射面側に設けられ、はんだ付け方法により外部に接続される。この欠点は、電極接続パッドが外部に露出し、外部の異物によって汚染されやすく、更に電極接続パッド間の短絡を引き起こすことで、LEDチップを損傷させるため、安全上の懸念が存在する点にあった。
以上の欠点は、改善される必要がある。
本発明は、従来技術の欠点を克服する、高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明では、次のような技術的手段が講じられる。
高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールであって、基板と、レンズ支持枠体と、ガラスで作られたレンズと、を含み、前記レンズ支持枠体は前記基板の上方に設けられると共に前記基板を包み、前記レンズ支持枠体には、前記レンズを収容するための保持用空洞部が設けられ、前記レンズが前記保持用空洞部内に設けられると共に前記レンズ支持枠体に接続され、
前記基板は、第1配線層と、第1セラミック層と、第1金属層と、を含み、前記第1配線層が前記第1セラミック層の上方に設けられると共に前記第1セラミック層に接続され、前記第1金属層が前記第1セラミック層の下方に設けられると共に前記第1セラミック層に接続され、前記第1金属層の両端に第1電極接続パッドが設けられ、前記第1電極接続パッドが前記第1配線層に接続され、前記第1電極接続パッドと外部部品が圧着によって接続され、
前記第1配線層に複数の第1LEDチップユニットが設けられ、前記レンズは、前記第1LEDチップユニットの上方に設けられ、前記第1LEDチップユニットの位置に対応する。
高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールであって、基板と、レンズ支持枠体と、ガラスで作られたレンズと、を含み、前記レンズ支持枠体は前記基板の上方に設けられると共に前記基板を包み、前記レンズ支持枠体には、前記レンズを収容するための保持用空洞部が設けられ、前記レンズが前記保持用空洞部内に設けられると共に前記レンズ支持枠体に接続され、
前記基板は、第1配線層と、第1セラミック層と、第1金属層と、を含み、前記第1配線層が前記第1セラミック層の上方に設けられると共に前記第1セラミック層に接続され、前記第1金属層が前記第1セラミック層の下方に設けられると共に前記第1セラミック層に接続され、前記第1金属層の両端に第1電極接続パッドが設けられ、前記第1電極接続パッドが前記第1配線層に接続され、前記第1電極接続パッドと外部部品が圧着によって接続され、
前記第1配線層に複数の第1LEDチップユニットが設けられ、前記レンズは、前記第1LEDチップユニットの上方に設けられ、前記第1LEDチップユニットの位置に対応する。
さらに、前記基板は、DPC基板又はDBC基板である。
さらに、前記レンズは、1段レンズであり、前記1段レンズは、フラットレンズ、シリンドリカルレンズ、レンズ群又は一体型レンズアレイである。
さらに、前記レンズは、2段レンズであり、前記2段レンズは、1次レンズと、2次レンズと、を含み、前記2次レンズは、前記1次レンズの上方に設けられると共に前記1次レンズの位置に対応しており、前記1次レンズは、レンズ群、一体型レンズアレイ又はシリンドリカルレンズであり、前記2次レンズは、フラットレンズである。
さらに、前記第1セラミック層の材料は、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムである。
さらに、前記レンズ支持枠体の材料は、金属又はセラミックである。
本発明の別の目的は、基板と、レンズ支持枠体と、ガラスで作られたレンズと、を含む高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールをさらに提供することにある。前記レンズ支持枠体は前記基板の上方に設けられると共に前記基板と焼結接続し、前記レンズ支持枠体には、前記レンズを収容するための保持用空洞部が設けられ、前記レンズが前記保持用空洞部内に設けられると共に前記レンズ支持枠体に接続され、
前記基板は、ダイボンド層、第2セラミック層と、第2金属層と、を含み、前記ダイボンド層が前記第2セラミック層の上方に設けられると共に前記第2セラミック層に接続され、前記第2金属層が前記第2セラミック層の下方に設けられると共に前記第2セラミック層に接続され、第2配線層が前記ダイボンド層又は前記第2セラミック層に設けられ、前記第2金属層の両端に第2電極接続パッドが設けられ、前記第2電極接続パッドが前記ダイボンド層に接続され、前記第2電極接続パッドと外部部品が圧着によって接続され、
前記ダイボンド層に複数の第2LEDチップユニットが設けられ、前記レンズは、前記第2LEDチップユニットの上方に設けられ、前記第2LEDチップユニットの位置に対応する。
前記基板は、ダイボンド層、第2セラミック層と、第2金属層と、を含み、前記ダイボンド層が前記第2セラミック層の上方に設けられると共に前記第2セラミック層に接続され、前記第2金属層が前記第2セラミック層の下方に設けられると共に前記第2セラミック層に接続され、第2配線層が前記ダイボンド層又は前記第2セラミック層に設けられ、前記第2金属層の両端に第2電極接続パッドが設けられ、前記第2電極接続パッドが前記ダイボンド層に接続され、前記第2電極接続パッドと外部部品が圧着によって接続され、
前記ダイボンド層に複数の第2LEDチップユニットが設けられ、前記レンズは、前記第2LEDチップユニットの上方に設けられ、前記第2LEDチップユニットの位置に対応する。
さらに、前記基板は、焼結多層セラミック基板である。
さらに、前記レンズは、1段レンズであり、前記1段レンズは、フラットレンズ、シリンドリカルレンズ、レンズ群又は一体型レンズアレイである。
さらに、前記レンズは、2段レンズであり、前記2段レンズは、1次レンズと、2次レンズと、を含み、前記2次レンズは、前記1次レンズの上方に設けられると共に前記1次レンズの位置に対応しており、前記1次レンズは、レンズ群、一体型レンズアレイ又はシリンドリカルレンズであり、前記2次レンズは、フラットレンズである。
上記技術的手段によると本発明は、次の有利な効果を奏する。
(1)本発明において、構造が単純で堅固であり、かつ組立てが簡単であり、交換も便利なため、時間の節約になる。
(2)セラミック層の設置により、放熱効果が向上し、動作の安定性も高め、かつ耐高温性と耐老化性を持つことで、寿命が延びる。
(3)電極接続パッドが外部から隔離されることを実現し、外部の異物による電極接続パッドの汚染を防ぐことで、電極接続パッドがより一層保護され、製品の寿命が延び、製品をより安全に使用でき、製品の安定性が高められ、電子製品の高圧絶縁要件が満たされる。
(4)電極接続パッドと外部部品とが圧着により接続されることで、プロセスがより簡単で、迅速になる。
(5)ガラスで作られたレンズが設置されることによって、光出射の効率が確保されるだけでなく、LEDチップがより一層保護され、経年劣化しにくくなり、製品の構造が簡素化され、クリーニングが便利になることで、コストが節約される。
(1)本発明において、構造が単純で堅固であり、かつ組立てが簡単であり、交換も便利なため、時間の節約になる。
(2)セラミック層の設置により、放熱効果が向上し、動作の安定性も高め、かつ耐高温性と耐老化性を持つことで、寿命が延びる。
(3)電極接続パッドが外部から隔離されることを実現し、外部の異物による電極接続パッドの汚染を防ぐことで、電極接続パッドがより一層保護され、製品の寿命が延び、製品をより安全に使用でき、製品の安定性が高められ、電子製品の高圧絶縁要件が満たされる。
(4)電極接続パッドと外部部品とが圧着により接続されることで、プロセスがより簡単で、迅速になる。
(5)ガラスで作られたレンズが設置されることによって、光出射の効率が確保されるだけでなく、LEDチップがより一層保護され、経年劣化しにくくなり、製品の構造が簡素化され、クリーニングが便利になることで、コストが節約される。
以下に図面を参照して、本発明の実施例の技術的手段を詳細に説明する。説明する実施例は、本発明の一例であり、全てでないことは言うまでもない。当業者は、創造性を働かせないで、本実施例中の添付図面に基づいて他の添付図面を得ることができる。
以下に、本発明が解決しようとする技術的課題、本発明の技術的手段及び有利な効果をより明確にするため、添付図面及び実施例を参照しつつ、本発明をさらに詳細に説明する。ここで描写される具体的な実施例は、本発明を説明するためにのみ使用されるものであって、本発明を限定するものでないことが理解されるべきである。
ある要素が別の要素に「接続された」又は「結合された」と称される場合は、ある要素は、別の要素に直接的或いは間接的に接続されることに留意されたい。なお、用語「第一」、「第二」は、単に描写的な目的で使われており、相対的な重要性を示したり、示された技術特徴の数を暗に示すものと理解してはいけない。「第一」、「第二」と限定されている特徴は、この特徴を1つ以上含むことを示すものである。
図1、図3乃至図7を参照すると、高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールであって、基板1と、レンズ支持枠体2と、ガラスで作られたレンズと、を含み、レンズ支持枠体2は基板1の上方に設けられると共に基板1を包み、レンズ支持枠体2にはレンズを収容するための保持用空洞部3が設けられ、レンズが保持用空洞部3内に設けられると共にレンズ支持枠体2に接続され、
基板1は、第1配線層111と、第1セラミック層112と、第1金属層113と、を含み、第1配線層111が第1セラミック層112の上方に設けられると共に第1セラミック層112に接続され、第1金属層113が第1セラミック層112の下方に設けられると共に第1セラミック層112に接続され、第1金属層113の両端に第1電極接続パッド1131が設けられ、第1電極接続パッド1131が第1配線層111に接続され、第1電極接続パッド1131と外部部品が圧着によって接続され、
第1配線層111に複数の第1LEDチップユニット(図示せず、以下同じ)が設けられ、レンズは、第1LEDチップユニットの上方に設けられ、第1LEDチップユニットの位置に対応する。
基板1は、第1配線層111と、第1セラミック層112と、第1金属層113と、を含み、第1配線層111が第1セラミック層112の上方に設けられると共に第1セラミック層112に接続され、第1金属層113が第1セラミック層112の下方に設けられると共に第1セラミック層112に接続され、第1金属層113の両端に第1電極接続パッド1131が設けられ、第1電極接続パッド1131が第1配線層111に接続され、第1電極接続パッド1131と外部部品が圧着によって接続され、
第1配線層111に複数の第1LEDチップユニット(図示せず、以下同じ)が設けられ、レンズは、第1LEDチップユニットの上方に設けられ、第1LEDチップユニットの位置に対応する。
基板1は、DPC基板であることが好ましい。
基板1は、DBC基板であることが好ましい。
第1電極接続パッド1131は、導電性金属を第1セラミック層112に通すことによって第1配線層111に接続されることが好ましい。
第1金属層113と第1配線層111の厚さは、同じであることが好ましい。このような設計により、主に基板1の反りが防止され、基板1の平坦性が確保される。
複数の第1LEDチップユニットは、第1配線層111上に均等に配置されることが好ましい。
複数の第1LEDチップユニットは、第1配線層111上に不均等に配置されることが好ましい。
第1配線層111及び第1金属層113の材料は、いずれも銅であることが好ましい。銅は、導電媒体であり、導電性に優れ、かつ価格性能比が高い。
第1セラミック層112の材料は、窒化アルミニウムであることが好ましい。窒化アルミニウムは、熱伝導性に優れている。窒化アルミニウムの電気絶縁性により、絶縁電圧要件を満たすことができる。、窒化アルミニウム材料で作られた第1セラミック層112は、出力の高いLEDチップに使用することができる。
第1セラミック層112の材料は、酸化アルミニウムであることが好ましい。酸化アルミニウムは、熱伝導性に優れている。酸化アルミニウムの電気絶縁性により、絶縁電圧要件を満たすことができる。酸化アルミニウム材料で作られた第1セラミック層112は、出力の低いLEDチップに使用されることができる。
図2乃至図7を参照すると、本発明の別の目的は、基板1と、レンズ支持枠体2と、ガラスで作られたレンズと、を含む、高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールをさらに提供することにある。レンズ支持枠体2は基板1の上方に設けられると共に基板1と焼結接続し、レンズ支持枠体2にはレンズを収容するための保持用空洞部3が設けられ、レンズが保持用空洞部3内に設けられると共にレンズ支持枠体2に接続され、
基板1は、ダイボンド層121、第2セラミック層122と、第2金属層123と、を含み、ダイボンド層121が第2セラミック層122の上方に設けられると共に第2セラミック層122に接続され、第2金属層123が第2セラミック層122の下方に設けられると共に第2セラミック層122に接続され、第2配線層(図示せず、以下同じ)がダイボンド層121又は第2セラミック層122に設けられ、第2金属層123の両端に第2電極接続パッド1231が設けられ、第2電極接続パッド1231がダイボンド層121に接続され、第2電極接続パッド1231と外部部品が圧着によって接続され、
ダイボンド層121に複数の第2LEDチップユニット(図示せず、以下同じ)が設けられ、レンズは、第2LEDチップユニットの上方に設けられ、第2LEDチップユニットの位置に対応する。
基板1は、ダイボンド層121、第2セラミック層122と、第2金属層123と、を含み、ダイボンド層121が第2セラミック層122の上方に設けられると共に第2セラミック層122に接続され、第2金属層123が第2セラミック層122の下方に設けられると共に第2セラミック層122に接続され、第2配線層(図示せず、以下同じ)がダイボンド層121又は第2セラミック層122に設けられ、第2金属層123の両端に第2電極接続パッド1231が設けられ、第2電極接続パッド1231がダイボンド層121に接続され、第2電極接続パッド1231と外部部品が圧着によって接続され、
ダイボンド層121に複数の第2LEDチップユニット(図示せず、以下同じ)が設けられ、レンズは、第2LEDチップユニットの上方に設けられ、第2LEDチップユニットの位置に対応する。
基板1とレンズ支持枠体2の外形寸法は、同じであることが好ましい。
基板1は、焼結多層セラミック基板であることが好ましい。
第2電極接続パッド1231は、導電性金属を第2セラミック層122に通すことによってダイボンド層121に接続されることが好ましい。
図3乃至図6を参照すると、レンズは、1段レンズであることが好ましい。1段レンズは、フラットレンズ4、シリンドリカルレンズ5、一体型レンズアレイ6又はレンズ群7である。
図7を参照すると、レンズは、2段レンズであることが好ましい。2段レンズは、1次レンズと、2次レンズと、を含む。2次レンズは、1次レンズの上方に設けられると共に1次レンズの位置に対応している。1次レンズは、レンズ群7、一体型レンズアレイ6又はシリンドリカルレンズ5であり、2次レンズは、フラットレンズ4である。1次レンズは、レンズ群7、一体型レンズアレイ6又はシリンドリカルレンズ5であり、集光の役割を果たす。2次レンズは、フラットレンズ4であり、保護及び光スポットの均一性の調整の役割を果たす。
基板1とレンズ支持枠体2は、接着、はんだ付け又は螺着によって接続されることが好ましい。
図3を参照すると、一実施例において、1段レンズがフラットレンズ4である場合、フラットレンズは、至近距離で使用される。フラットレンズは、安価で、クリーニングしやすい。
保持用空洞部3の側壁には、凹溝31が設けられることが好ましい。凹溝31の設置により、モジュールの内外圧力が平衡し、LED動作時の発熱により、モジュール内の圧力が過剰にならない。
凹溝31の数は、4個であり、保持用空洞部3の側壁の両側に2個ずつ凹溝31が設けられることが好ましい。
LEDチップユニットの数は、複数であることが好ましい。
LEDチップユニットの数は、40個であることが好ましい。
基板1上には第1取付け穴131が設けられ、レンズ支持枠体2には第2取付け穴21が設けられ、第1取付け穴131と第2取付け穴21の位置は対応していることが好ましい。第1ネジ(図示せず、以下同じ)は、第2取付け穴21、第1取付け穴131を順番に通って、フラットレンズ4付き基板1をヒートシンクに固定する。このような配置により、基板モジュールとヒートシンク間の接続がより安定する。着脱に便利であるため、基板モジュールの取り付け又は交換が非常に便利になり、時間を節約できる。
第2取付け穴21及び第1取付け穴131の数は、いずれも複数であることが好ましい。
第2取付け穴21及び第1取付け穴131の数は、いずれも4個であり、4個の第1取付け穴131が基板1の隅に設けられ、4個の第2取付け穴21がレンズ支持枠体2の隅に設けられることが好ましい。このような配置は、モジュールの固定をより強固にし、モジュールの放熱に役立つ。
図4を参照すると、一実施例において、1次レンズ又は1段レンズは、シリンドリカルレンズ5である。シリンドリカルレンズ5の断面は、半円形状を呈する。シリンドリカルレンズ5は、中間にある円弧面部51と、円弧面部の両側にある平面部52、とを備え、円弧面部51と平面部52は、一体構造となっている。保持用空洞部3の側壁に傾斜部32が設けられる。シリンドリカルレンズ5が保持用空洞部3内に設けられ、平面部52が傾斜部32に連接される。
シリンドリカルレンズ5の断面は、円形状、楕円形状又は放物線状を呈することが好ましい。
基板1に第3取付け穴132が設けられ、レンズ支持枠体2に第4取付け穴22が設けられることが好ましい。第2ネジ(図示せず、以下同じ)は、第4取付け穴22、第3取付け穴132を順番に通って、シリンドリカルレンズ5付き基板1をヒートシンクに固定する。
第4取付け穴22及び第3取付け穴132の数は、いずれも複数であることが好ましい。
第4取付け穴22及び第3取付け穴132の数は、いずれも6個であることが好ましい。第3取付け穴132は、基板1の隅に設けられた4個の第3取付け穴132と、基板1の中央に設けられた2個の第3取付け穴132と、を含む。第4取付け穴22は、レンズ支持枠体2の隅に設けられた4個の第4取付け穴22と、レンズ支持枠体2の中央に設けられた2個の第4取付け穴22と、を含む。
図5を参照すると、一実施例において,1次レンズ又は1段レンズは、一体型レンズアレイ6である。すなわち、隣接するレンズユニットが、一体的に連接される。一体型レンズアレイ6は、同じガラス上で加工される。一体型レンズアレイ6の各レンズユニットの間に隙間がないため、ほこりやその他の汚染物質がレンズユニットの下方に入ってLEDチップを汚染するのを防ぎ、LEDチップをよりよく保護できる。一体型レンズアレイ6の設計は、使用距離及び光の均一性の要件に応じて変化する。一体型レンズアレイの使用により、モジュールの応用範囲が広がる。一体型レンズアレイの交換により、異なる使用距離及び光の均一性の要件を達成できる。
一体型レンズアレイ6の上方には、レンズ押え部材61が設けられることが好ましい。レンズ押え部材61は、一体型レンズアレイ6を押さえると共にレンズ支持枠体2に接続される。
一体型レンズアレイ6は、レンズ接続受台62と、レンズアレイユニット63と、を含むことが好ましい。レンズアレイユニット63は、レンズ接続受台62に設けられて、レンズ接続受台62に接続される。レンズ接続受台62は、保持用空洞部3内に設けられ、レンズ支持枠体2に接続される。このような配置により、レンズ支持枠体2と一体型レンズアレイ6の接続はより強固になり、着脱が便利になる。
レンズ押え部材61の数は、2枚であり、2枚のレンズ押え部材61は、対向配置されていることが好ましい。
各レンズユニットは、1個のLEDチップユニット又は一組のLEDチップに対応していることが好ましい。
各組内のLEDチップユニットの波長は、個別に異なっていることが好ましい。このような配置により、本製品は、従来のUV接着剤又はインクを硬化させることができる。従来の接着剤又はインク内には、複数の波帯の光開始剤が含まれているため、複数の波帯を含むLEDチップは、従来の接着剤又はインクの硬化に使用することができる。水銀灯で接着剤又はインクを硬化する従来技術に比べると、LED灯はより省エネかつ高効率である。
隣接するレンズユニットの間隔は、レンズユニットの直径以上であることが好ましい。
隣接するレンズユニット間の間隔は、レンズユニットの直径よりも小さいことが好ましい。
一体型レンズアレイ6に含まれる複数のレンズユニットは、均しく球面レンズ又は非球面レンズであることが好ましい。
各組LEDチップは、4個のLEDチップユニットを備え、4個のLEDチップユニットの波長は異なっていることが好ましい。
LEDチップユニットの数は80個であり、20組のLEDチップの各組が4個のLEDチップユニットを備えることが好ましい。20組のLEDチップは、マトリクス状に配置されることが好ましい。
基板1上には第5取付け穴133が設けられ、レンズ支持枠体2には第6取付け穴23が設けられ、レンズ押え部材61には第7取付け穴611が設けられることが好ましい。第3ネジ64は、第7取付け穴611、第6取付け穴23及び第5取付け穴133を順番に通って、一体型レンズアレイ6付き基板1をヒートシンクに固定する。このような配置により、製品全体の接合構造がより安定する。着脱に便利であるため、基板モジュールの取り付け又は交換が非常に便利になり、時間を節約できる。
第5取付け穴133、第6取付け穴23及び第7取付け穴611の数は、いずれも4個であり、第3ネジ64の数は、4本であることが好ましい。
4個の第5取付け穴133が基板1の隅に設けられ、4個の第6取付け穴23がレンズ支持枠体2の隅に設けられ、4個の第7取付け穴611がレンズ押え部材61の隅に設けられることが好ましい。このような配置は、モジュールの固定をより強固にし、モジュールの放熱に役立つ。
レンズ押え部材61には第8取付け穴612が設けられ、レンズ支持枠体2には第9取付け穴24が設けられることが好ましい。第4ネジ(図示せず、以下同じ)は、第8取付け穴612、第9取付け穴24を順番に通って、レンズ押え部材61をレンズ支持枠体2に接続し、一体型レンズアレイの固定を実現する。このような配置により、製品全体の接合構造がより安定し、着脱が便利になるため、時間を節約できる。
図6を参照すると、一実施例において、1次レンズ又は1段レンズは、レンズ群7であり、すなわち、隣接するレンズユニットが互いに独立している。保持用空洞部3が複数あり、各レンズユニットが各々の保持用空洞部3内に設けられる。
保持用空洞部3の数は、54個であることが好ましい。
複数のLEDチップユニットは、直列、並列又は直並列に接続されることが好ましい。
レンズは、石英ガラスであることが好ましい。石英ガラスは、紫外線透過性に優れ、光出射の効率を確保する。
レンズは、紫外線透過性ガラスであるため、光出射効率を確保することが好ましい。
レンズと保持用空洞部3は、接着剤で接着されていることが好ましい。軽く静的なレンズは、レンズと保持用空洞部との間を接着剤で接着することができる。
レンズと保持用空洞部3は、固定構造及び接着方法を組み合わせて接合されることが好ましい。このような接合方法は、重く動的なレンズに用することができる。
レンズ支持枠体2の材料は、金属であることが好ましい。金属材料を用いたレンズ支持枠体2は、一方では加工に便利であり、他方では放熱に役立つ。
レンズ支持枠体2の材料は、セラミックであることが好ましい。セラミック材料を用いた放熱支持枠体の利点は、絶縁性に優れることである。
本実施例によって提案される高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールの有利な効果は、次の通りである。
(1)本発明において、構造が単純で堅固であり、かつ組み立てが簡単であり、交換も便利なため、時間の節約になる。
(2)セラミック層の設置により放熱効果が向上し、動作の安定性も高め、かつ耐高温性と耐老化性を持つことで、寿命が延びる。
(3)電極接続パッドが外部から隔離されることを実現し、外部の異物による電極接続パッドの汚染を防ぐことで、電極接続パッドがより一層保護され、製品の寿命が延び、製品をより安全に使用でき、製品の安定性が高められ、電子製品の高圧絶縁要件が満たされる。
(4)電極接続パッドと外部部品とが圧着により接続されることで、プロセスがより簡単で、迅速になる。
(5)ガラスで作られたレンズが設置されることによって、光出射の効率が確保されるだけでなく、LEDチップがより一層保護され、経年劣化しにくくなり、製品の構造が簡素化され、クリーニングが便利になることで、コストが節約される。
(1)本発明において、構造が単純で堅固であり、かつ組み立てが簡単であり、交換も便利なため、時間の節約になる。
(2)セラミック層の設置により放熱効果が向上し、動作の安定性も高め、かつ耐高温性と耐老化性を持つことで、寿命が延びる。
(3)電極接続パッドが外部から隔離されることを実現し、外部の異物による電極接続パッドの汚染を防ぐことで、電極接続パッドがより一層保護され、製品の寿命が延び、製品をより安全に使用でき、製品の安定性が高められ、電子製品の高圧絶縁要件が満たされる。
(4)電極接続パッドと外部部品とが圧着により接続されることで、プロセスがより簡単で、迅速になる。
(5)ガラスで作られたレンズが設置されることによって、光出射の効率が確保されるだけでなく、LEDチップがより一層保護され、経年劣化しにくくなり、製品の構造が簡素化され、クリーニングが便利になることで、コストが節約される。
上記は、本発明の好ましい実施形態に過ぎず、本発明を限定することを意図するものではない。本発明の精神および原理の範囲内で行われる修正、均等範囲内の置換又は改善などは、本発明の保護範囲に含まれるべきである。
[付記]
[付記1]
高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールであって、基板と、レンズ支持枠体と、ガラスで作られたレンズと、を含み、
前記レンズ支持枠体は、前記基板の上方に設けられると共に前記基板を包み、前記レンズ支持枠体には、前記レンズを収容するための保持用空洞部が設けられ、
前記レンズは、前記保持用空洞部内に設けられると共に前記レンズ支持枠体に接続され、
前記基板は、第1配線層と、第1セラミック層と、第1金属層と、を含み、前記第1配線層が前記第1セラミック層の上方に設けられると共に前記第1セラミック層に接続され、前記第1金属層が前記第1セラミック層の下方に設けられると共に前記第1セラミック層に接続され、前記第1金属層の両端に第1電極接続パッドが設けられ、前記第1電極接続パッドが前記第1配線層に接続され、前記第1電極接続パッドと外部部品が圧着によって接続され、
前記第1配線層に複数の第1LEDチップユニットが設けられ、
前記レンズは、前記第1LEDチップユニットの上方に設けられ、前記第1LEDチップユニットの位置に対応する、
ことを特徴とする、高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
[付記1]
高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールであって、基板と、レンズ支持枠体と、ガラスで作られたレンズと、を含み、
前記レンズ支持枠体は、前記基板の上方に設けられると共に前記基板を包み、前記レンズ支持枠体には、前記レンズを収容するための保持用空洞部が設けられ、
前記レンズは、前記保持用空洞部内に設けられると共に前記レンズ支持枠体に接続され、
前記基板は、第1配線層と、第1セラミック層と、第1金属層と、を含み、前記第1配線層が前記第1セラミック層の上方に設けられると共に前記第1セラミック層に接続され、前記第1金属層が前記第1セラミック層の下方に設けられると共に前記第1セラミック層に接続され、前記第1金属層の両端に第1電極接続パッドが設けられ、前記第1電極接続パッドが前記第1配線層に接続され、前記第1電極接続パッドと外部部品が圧着によって接続され、
前記第1配線層に複数の第1LEDチップユニットが設けられ、
前記レンズは、前記第1LEDチップユニットの上方に設けられ、前記第1LEDチップユニットの位置に対応する、
ことを特徴とする、高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
[付記2]
前記基板は、DPC基板又はDBC基板である、
ことを特徴とする、付記1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
前記基板は、DPC基板又はDBC基板である、
ことを特徴とする、付記1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
[付記3]
前記レンズは、1段レンズであり、
前記1段レンズは、フラットレンズ、シリンドリカルレンズ、レンズ群又は一体型レンズアレイである、
ことを特徴とする、付記1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
前記レンズは、1段レンズであり、
前記1段レンズは、フラットレンズ、シリンドリカルレンズ、レンズ群又は一体型レンズアレイである、
ことを特徴とする、付記1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
[付記4]
前記レンズは、2段レンズであり、
前記2段レンズは、1次レンズと、2次レンズと、を含み、
前記2次レンズは、前記1次レンズの上方に設けられると共に前記1次レンズの位置に対応しており、
前記1次レンズは、レンズ群、一体型レンズアレイ又はシリンドリカルレンズであり、
前記2次レンズは、フラットレンズである、
ことを特徴とする、付記1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
前記レンズは、2段レンズであり、
前記2段レンズは、1次レンズと、2次レンズと、を含み、
前記2次レンズは、前記1次レンズの上方に設けられると共に前記1次レンズの位置に対応しており、
前記1次レンズは、レンズ群、一体型レンズアレイ又はシリンドリカルレンズであり、
前記2次レンズは、フラットレンズである、
ことを特徴とする、付記1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
[付記5]
前記第1セラミック層の材料は、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムである、
ことを特徴とする、付記1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
前記第1セラミック層の材料は、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムである、
ことを特徴とする、付記1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
[付記6]
前記レンズ支持枠体の材料は、金属又はセラミックである、
ことを特徴とする、付記1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
前記レンズ支持枠体の材料は、金属又はセラミックである、
ことを特徴とする、付記1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
[付記7]
高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールであって、基板と、レンズ支持枠体と、ガラスで作られたレンズと、を含み、
前記レンズ支持枠体は、前記基板の上方に設けられると共に前記基板と焼結接続し、前記レンズ支持枠体には、前記レンズを収容するための保持用空洞部が設けられ、
前記レンズは、前記保持用空洞部内に設けられると共に前記レンズ支持枠体に接続され、
前記基板は、ダイボンド層、第2セラミック層と、第2金属層と、を含み、前記ダイボンド層が前記第2セラミック層の上方に設けられると共に前記第2セラミック層に接続され、前記第2金属層が前記第2セラミック層の下方に設けられると共に前記第2セラミック層に接続され、第2配線層が前記ダイボンド層又は前記第2セラミック層に設けられ、前記第2金属層の両端に第2電極接続パッドが設けられ、前記第2電極接続パッドが前記ダイボンド層に接続され、前記第2電極接続パッドと外部部品が圧着によって接続され、
前記ダイボンド層に複数の第2LEDチップユニットが設けられ、
前記レンズは、前記第2LEDチップユニットの上方に設けられ、前記第2LEDチップユニットの位置に対応する、
ことを特徴とする、高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールであって、基板と、レンズ支持枠体と、ガラスで作られたレンズと、を含み、
前記レンズ支持枠体は、前記基板の上方に設けられると共に前記基板と焼結接続し、前記レンズ支持枠体には、前記レンズを収容するための保持用空洞部が設けられ、
前記レンズは、前記保持用空洞部内に設けられると共に前記レンズ支持枠体に接続され、
前記基板は、ダイボンド層、第2セラミック層と、第2金属層と、を含み、前記ダイボンド層が前記第2セラミック層の上方に設けられると共に前記第2セラミック層に接続され、前記第2金属層が前記第2セラミック層の下方に設けられると共に前記第2セラミック層に接続され、第2配線層が前記ダイボンド層又は前記第2セラミック層に設けられ、前記第2金属層の両端に第2電極接続パッドが設けられ、前記第2電極接続パッドが前記ダイボンド層に接続され、前記第2電極接続パッドと外部部品が圧着によって接続され、
前記ダイボンド層に複数の第2LEDチップユニットが設けられ、
前記レンズは、前記第2LEDチップユニットの上方に設けられ、前記第2LEDチップユニットの位置に対応する、
ことを特徴とする、高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
[付記8]
前記基板は、焼結多層セラミック基板である、
ことを特徴とする、付記7に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
前記基板は、焼結多層セラミック基板である、
ことを特徴とする、付記7に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
[付記9]
前記レンズは、1段レンズであり、
前記1段レンズは、フラットレンズ、シリンドリカルレンズ、レンズ群又は一体型レンズアレイである、
ことを特徴とする、付記7に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
前記レンズは、1段レンズであり、
前記1段レンズは、フラットレンズ、シリンドリカルレンズ、レンズ群又は一体型レンズアレイである、
ことを特徴とする、付記7に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
[付記10]
前記レンズは、2段レンズであり、
前記2段レンズは、1次レンズと、2次レンズと、を含み、
前記2次レンズは、前記1次レンズの上方に設けられると共に前記1次レンズの位置に対応しており、
前記1次レンズは、レンズ群、一体型レンズアレイ又はシリンドリカルレンズであり、
前記2次レンズは、フラットレンズである、
ことを特徴とする、付記7に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
前記レンズは、2段レンズであり、
前記2段レンズは、1次レンズと、2次レンズと、を含み、
前記2次レンズは、前記1次レンズの上方に設けられると共に前記1次レンズの位置に対応しており、
前記1次レンズは、レンズ群、一体型レンズアレイ又はシリンドリカルレンズであり、
前記2次レンズは、フラットレンズである、
ことを特徴とする、付記7に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
1 基板
111 第1配線層
112 第1セラミック層
113 第1金属層
1131 第1電極接続パッド
121 ダイボンド層
122 第2セラミック層
123 第2金属層
1231 第2電極接続パッド
131 第1取付け穴
132 第3取付け穴
133 第5取付け穴
2 レンズ支持枠体
21 第2取付け穴
22 第4取付け穴
23 第6取付け穴
24 第9取付け穴
3 保持用空洞部
31 凹溝
32 傾斜部
4 フラットレンズ
5 シリンドリカルレンズ
51 円弧面部
52 平面部
6 一体型レンズアレイ
61 レンズ押え部材
611 第7取付け穴
612 第8取付け穴
62 レンズ接続受台
63 レンズアレイユニット
64 第3ネジ
7 レンズ群
111 第1配線層
112 第1セラミック層
113 第1金属層
1131 第1電極接続パッド
121 ダイボンド層
122 第2セラミック層
123 第2金属層
1231 第2電極接続パッド
131 第1取付け穴
132 第3取付け穴
133 第5取付け穴
2 レンズ支持枠体
21 第2取付け穴
22 第4取付け穴
23 第6取付け穴
24 第9取付け穴
3 保持用空洞部
31 凹溝
32 傾斜部
4 フラットレンズ
5 シリンドリカルレンズ
51 円弧面部
52 平面部
6 一体型レンズアレイ
61 レンズ押え部材
611 第7取付け穴
612 第8取付け穴
62 レンズ接続受台
63 レンズアレイユニット
64 第3ネジ
7 レンズ群
Claims (10)
- 高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールであって、基板と、レンズ支持枠体と、ガラスで作られたレンズと、を含み、
前記レンズ支持枠体は、前記基板の上方に設けられると共に前記基板を包み、前記レンズ支持枠体には、前記レンズを収容するための保持用空洞部が設けられ、
前記レンズは、前記保持用空洞部内に設けられると共に前記レンズ支持枠体に接続され、
前記基板は、第1配線層と、第1セラミック層と、第1金属層と、を含み、前記第1配線層が前記第1セラミック層の上方に設けられると共に前記第1セラミック層に接続され、前記第1金属層が前記第1セラミック層の下方に設けられると共に前記第1セラミック層に接続され、前記第1金属層の両端に第1電極接続パッドが設けられ、前記第1電極接続パッドが前記第1配線層に接続され、前記第1電極接続パッドと外部部品が圧着によって接続され、
前記第1配線層に複数の第1LEDチップユニットが設けられ、
前記レンズは、前記第1LEDチップユニットの上方に設けられ、前記第1LEDチップユニットの位置に対応する、
ことを特徴とする、高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。 - 前記基板は、DPC基板又はDBC基板である、
ことを特徴とする、請求項1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。 - 前記レンズは、1段レンズであり、
前記1段レンズは、フラットレンズ、シリンドリカルレンズ、レンズ群又は一体型レンズアレイである、
ことを特徴とする、請求項1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。 - 前記レンズは、2段レンズであり、
前記2段レンズは、1次レンズと、2次レンズと、を含み、
前記2次レンズは、前記1次レンズの上方に設けられると共に前記1次レンズの位置に対応しており、
前記1次レンズは、レンズ群、一体型レンズアレイ又はシリンドリカルレンズであり、
前記2次レンズは、フラットレンズである、
ことを特徴とする、請求項1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。 - 前記第1セラミック層の材料は、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムである、
ことを特徴とする、請求項1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。 - 前記レンズ支持枠体の材料は、金属又はセラミックである、
ことを特徴とする、請求項1に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。 - 高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュールであって、基板と、レンズ支持枠体と、ガラスで作られたレンズと、を含み、
前記レンズ支持枠体は、前記基板の上方に設けられると共に前記基板と焼結接続し、前記レンズ支持枠体には、前記レンズを収容するための保持用空洞部が設けられ、
前記レンズは、前記保持用空洞部内に設けられると共に前記レンズ支持枠体に接続され、
前記基板は、ダイボンド層、第2セラミック層と、第2金属層と、を含み、前記ダイボンド層が前記第2セラミック層の上方に設けられると共に前記第2セラミック層に接続され、前記第2金属層が前記第2セラミック層の下方に設けられると共に前記第2セラミック層に接続され、第2配線層が前記ダイボンド層又は前記第2セラミック層に設けられ、前記第2金属層の両端に第2電極接続パッドが設けられ、前記第2電極接続パッドが前記ダイボンド層に接続され、前記第2電極接続パッドと外部部品が圧着によって接続され、
前記ダイボンド層に複数の第2LEDチップユニットが設けられ、
前記レンズは、前記第2LEDチップユニットの上方に設けられ、前記第2LEDチップユニットの位置に対応する、
ことを特徴とする、高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。 - 前記基板は、焼結多層セラミック基板である、
ことを特徴とする、請求項7に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。 - 前記レンズは、1段レンズであり、
前記1段レンズは、フラットレンズ、シリンドリカルレンズ、レンズ群又は一体型レンズアレイである、
ことを特徴とする、請求項7に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。 - 前記レンズは、2段レンズであり、
前記2段レンズは、1次レンズと、2次レンズと、を含み、
前記2次レンズは、前記1次レンズの上方に設けられると共に前記1次レンズの位置に対応しており、
前記1次レンズは、レンズ群、一体型レンズアレイ又はシリンドリカルレンズであり、
前記2次レンズは、フラットレンズである、
ことを特徴とする、請求項7に記載の高出力LEDチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201821109407.8U CN208460794U (zh) | 2018-07-13 | 2018-07-13 | 一种带保护镜片的led集成封装模块 |
CN201821109422.2 | 2018-07-13 | ||
CN201821110133.4 | 2018-07-13 | ||
CN201821109422.2U CN208538909U (zh) | 2018-07-13 | 2018-07-13 | 一种带柱面透镜的led集成封装模块 |
CN201810768905.1A CN108799861B (zh) | 2018-07-13 | 2018-07-13 | 一种带整体阵列式透镜的led集成封装模块 |
CN201810768905.1 | 2018-07-13 | ||
CN201821109407.8 | 2018-07-13 | ||
CN201821110133.4U CN208457602U (zh) | 2018-07-13 | 2018-07-13 | 一种带整体阵列式透镜的led集成封装模块 |
PCT/CN2018/101282 WO2020010669A1 (zh) | 2018-07-13 | 2018-08-20 | 一种带支架的大功率led芯片背部电极集成封装模块 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021504975A true JP2021504975A (ja) | 2021-02-15 |
Family
ID=69141983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020545839A Pending JP2021504975A (ja) | 2018-07-13 | 2018-08-20 | 高出力ledチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210083148A1 (ja) |
JP (1) | JP2021504975A (ja) |
WO (1) | WO2020010669A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344810A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用アルミニウム焼結体 |
JP2011044593A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Hitachi Chem Co Ltd | Led基板及びledパッケージ |
JP2011521469A (ja) * | 2008-05-23 | 2011-07-21 | クリー インコーポレイテッド | 半導体照明部品 |
CN106159065A (zh) * | 2016-09-07 | 2016-11-23 | 深圳市蓝谱里克科技有限公司 | 一种用于大功率led芯片的dbc集成封装模块 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200843130A (en) * | 2007-04-17 | 2008-11-01 | Wen Lin | Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same |
CN101539250A (zh) * | 2009-04-21 | 2009-09-23 | 薛信培 | 一种大功率led灯 |
CN201944636U (zh) * | 2010-11-02 | 2011-08-24 | 浙江和惠照明科技有限公司 | 一种投光灯 |
CN107369741A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-11-21 | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 | 带一体式金属围坝的led支架模组及其制备方法 |
-
2018
- 2018-08-20 US US16/959,698 patent/US20210083148A1/en not_active Abandoned
- 2018-08-20 JP JP2020545839A patent/JP2021504975A/ja active Pending
- 2018-08-20 WO PCT/CN2018/101282 patent/WO2020010669A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344810A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用アルミニウム焼結体 |
JP2011521469A (ja) * | 2008-05-23 | 2011-07-21 | クリー インコーポレイテッド | 半導体照明部品 |
JP2011044593A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Hitachi Chem Co Ltd | Led基板及びledパッケージ |
CN106159065A (zh) * | 2016-09-07 | 2016-11-23 | 深圳市蓝谱里克科技有限公司 | 一种用于大功率led芯片的dbc集成封装模块 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210083148A1 (en) | 2021-03-18 |
WO2020010669A1 (zh) | 2020-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8071997B2 (en) | LED with light transmissive heat sink | |
JP3976063B2 (ja) | 発光装置 | |
US20170211753A1 (en) | Led tube lamp | |
US7763906B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and method | |
JP3151331U (ja) | 漏れ及び滲みが防止可能な発光ダイオード台体構造 | |
CN208090482U (zh) | Uv-led固化光源系统 | |
US8592830B2 (en) | LED unit | |
JP2011035264A (ja) | 発光素子用パッケージ及び発光素子の製造方法 | |
CN101740678A (zh) | 固态发光元件及光源模组 | |
CN210489612U (zh) | 一种led发光单元及发光模块 | |
JP2021504975A (ja) | 高出力ledチップの支持枠体付き裏面電極集積パッケージモジュール | |
JP2010003946A (ja) | 発光素子用パッケージ及び発光素子の製造方法 | |
CN111029335B (zh) | 深紫外发光装置 | |
JP2011103353A (ja) | 発光モジュール | |
TWI287300B (en) | Semiconductor package structure | |
CN108799861B (zh) | 一种带整体阵列式透镜的led集成封装模块 | |
WO2013014978A1 (ja) | 実装基板および発光モジュール | |
EP3042400A1 (en) | Floating heat sink support with copper sheets and led package assembly for led flip chip package | |
JP4010340B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20070096693A (ko) | 버퍼층을 갖는 반도체 패키지 | |
CN208457602U (zh) | 一种带整体阵列式透镜的led集成封装模块 | |
CN101424395A (zh) | 发光二极管灯具 | |
US7531846B2 (en) | LED chip packaging structure | |
CN102003685A (zh) | 发光源散热构造 | |
JP5011441B1 (ja) | 発光ユニットおよび照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210615 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220201 |