JP2021504731A

JP2021504731A - Porous graphite pellicle

Info

Publication number: JP2021504731A
Application number: JP2020521289A
Authority: JP
Inventors: ナザレヴィッチ，マキシム，アレクサンドロヴィッチ; クルガノワ，エフゲニア; ノッテンブーム，アーノウド，ウィレム; ピーター，マリア; ツヴォル，ピーター−ジャンヴァン; ヴレス，デイビッド，フェルディナンド
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2017-11-21
Filing date: 2018-11-07
Publication date: 2021-02-15
Anticipated expiration: 2038-11-07
Also published as: CN111373328B; NL2023649A; WO2019101517A1; NL2023649B1; NL2021947B9; JP7252950B2; CN111373328A; EP3714330A1; KR20200087774A; NL2021947A; TW201932988A; NL2021947B1

Abstract

リソグラフィ装置のためのペリクルを製造する方法であって、ペリクルを３次元テンプレートにおいて成長させることを含む方法、及び、この方法に従って製造されたペリクル。また、この方法に従って製造されたペリクルのＥＵＶリソグラフィ装置における使用、及び、ペリクルの製造における３次元テンプレートの使用も開示される。【選択図】図１A method of manufacturing a pellicle for a lithographic apparatus, which comprises growing the pellicle in a three-dimensional template, and a pellicle manufactured according to this method. Also disclosed are the use of pellicle manufactured according to this method in EUV lithography equipment and the use of 3D templates in the manufacture of pellicle. [Selection diagram] Fig. 1

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１７年１１月２１日に出願されたＥＰ出願第１７２０２７６７．４号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。 (Cross-reference of related applications)
[0001] This application claims the priority of EP Application No. 17202767.4 filed on November 21, 2017. This is incorporated herein by reference in its entirety.

[0002] 本発明は、リソグラフィ装置のためのペリクルを製造する方法、この製造方法に従って作製されたペリクルの使用、リソグラフィ装置のためのペリクルを製造するための３次元テンプレートの使用、及びリソグラフィ装置において使用されるペリクルに関する。 [0002] The present invention relates to a method of manufacturing a pellicle for a lithographic device, the use of a pellicle made according to this manufacturing method, the use of a three-dimensional template for manufacturing a pellicle for a lithographic device, and a lithographic device. Regarding the pellicle used.

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は例えば、パターニングデバイス（例えばマスク）からのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。 [0003] A lithographic device is a machine constructed to apply a desired pattern to a substrate. Lithographic devices can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). The lithographic apparatus can, for example, project a pattern from a patterning device (eg, a mask) onto a layer of radiation sensitive material (resist) provided on the substrate.

[0004] 基板にパターンを投影するためリソグラフィ装置が用いる放射の波長は、その基板上に形成することができるフィーチャの最小サイズを決定する。４〜２０ｎｍ内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置を使用すると、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長の電磁放射を使用できる）よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。 [0004] The wavelength of radiation used by a lithographic device to project a pattern onto a substrate determines the minimum size of features that can be formed on that substrate. Using a lithographic device using EUV radiation, which is electromagnetic radiation with a wavelength within 4 to 20 nm, forms smaller features on the substrate than conventional lithographic devices (eg, electromagnetic radiation with a wavelength of 193 nm can be used). Can be done.

[0005] リソグラフィ装置は、パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）を含む。放射は、パターニングデバイスを通過するか又はパターニングデバイスを反射して、基板上に像を形成する。浮遊粒子（airborne particles）又は他の形態の汚染からパターニングデバイスを保護するため、ペリクルを提供することができる。パターニングデバイスの表面上の汚染は、基板上に製造欠陥を引き起こす可能性がある。 [0005] The lithographic apparatus includes a patterning device (eg, a mask or reticle). The radiation passes through the patterning device or reflects off the patterning device to form an image on the substrate. Pellicle can be provided to protect the patterning device from airborne particles or other forms of contamination. Contamination on the surface of the patterning device can cause manufacturing defects on the substrate.

[0006] ペリクルは、パターニングデバイス以外の光学コンポーネントを保護するためにも提供することができる。また、ペリクルを用いて、相互に密閉されたリソグラフィ装置の領域間にリソグラフィ放射のための通路を提供できる。ペリクルは、スペクトル純度フィルタのようなフィルタとしても使用することができる。リソグラフィ装置、特にＥＵＶリソグラフィ装置内部は、過酷な環境であることがあるので、ペリクルは優れた化学的及び熱的な安定性を示す必要がある。 [0006] Pellicle can also be provided to protect optical components other than patterning devices. Pellicle can also be used to provide a passage for lithographic radiation between regions of a mutually sealed lithographic apparatus. The pellicle can also be used as a filter, such as a spectral purity filter. Since the inside of a lithographic device, especially the EUV lithographic device, can be a harsh environment, the pellicle needs to exhibit excellent chemical and thermal stability.

[0007] 既知のペリクルは例えば、シリコン膜、窒化シリコン、グラフェン又はグラフェン誘導体、カーボンナノチューブ、又は他の膜材料のような、自立膜（freestanding membrane）を含み得る。マスクアセンブリは、パターニングデバイス（例えばマスク）を粒子汚染から保護するペリクルを含むことができる。ペリクルがペリクルフレームによって支持されることで、ペリクルアセンブリを形成できる。ペリクルは、例えばペリクル境界領域をフレームにのり付けすることでフレームに取り付ければよい。フレームは、永続的に又は着脱可能にパターニングデバイスに取り付けることができる。 [0007] Known pellicle can include, for example, a free standing membrane, such as a silicon membrane, silicon nitride, graphene or a graphene derivative, carbon nanotubes, or other membrane material. The mask assembly can include a pellicle that protects the patterning device (eg, mask) from particle contamination. The pellicle is supported by the pellicle frame to form a pellicle assembly. The pellicle may be attached to the frame, for example, by gluing the pellicle boundary region to the frame. The frame can be permanently or detachably attached to the patterning device.

[0008] 使用中、リソグラフィ装置におけるペリクルの温度は、約５００℃から１０００℃の間のいずれか又はそれ以上に上昇する。こういった高温はペリクルに損傷を与える可能性があり、従って、ペリクルの動作温度を低下させてペリクル寿命を改善するため、熱を放散する方法を改良することが望まれている。 [0008] During use, the temperature of the pellicle in the lithographic apparatus rises to any or higher between about 500 ° C and 1000 ° C. Such high temperatures can damage the pellicle, and therefore it is desired to improve the method of dissipating heat in order to reduce the operating temperature of the pellicle and improve the pellicle life.

[0009] 自立グラフェン膜又は他の炭素ベースの膜を含むペリクルのような炭素質ペリクルの寿命は限定され得ること、及び、炭素ベースのペリクルはリソグラフィ装置で使用される場合に特定の欠点があり得ることがわかっている。 [0009] The lifetime of carbonaceous pellicle, such as pellicle containing free-standing graphene membranes or other carbon-based membranes, can be limited, and carbon-based pellicle has certain drawbacks when used in lithographic equipment. I know I will get it.

[00010] グラフェンペリクルは、１つ以上の平行な薄いグラフェン層を含む。このようなペリクルは、例えば約６〜１０ｎｍの厚さであり、高い密度を示し得る。このようなグラフェンペリクルの構造のため、ペリクルを通過するＥＵＶ放射の均一性は実質的に変化しない。しかしながら、製造される方法に応じて、一部のグラフェンペリクルは比較的低い材料強度を有する場合がある。グラフェンは、既知の材料の中で最も強い材料ではないものの、最も強い既知の材料の中の１つであるが、グラフェンペリクルが上に生成される基板によって生じるグラフェン層表面のラフネスは、ペリクルの強度に悪影響を及ぼす。ペリクルの使用中、ペリクルが用いられるリソグラフィ装置にガスを流すことがある。また、露光中、ペリクルはＥＵＶ放射から著しい熱負荷を受ける。このようなファクタによって誘起されるペリクルの応力変動の結果、ペリクルが充分に強くない場合はペリクルに損傷が加わる可能性がある。ペリクルが破壊し、リソグラフィ装置の様々な部分を汚染する恐れがある。これは望ましくない。 [00010] The graphene pellicle comprises one or more parallel thin graphene layers. Such pellicle is, for example, about 6-10 nm thick and can exhibit high densities. Due to the structure of such graphene pellicle, the uniformity of EUV radiation passing through the pellicle does not change substantially. However, depending on the method of manufacture, some graphene pellicle may have relatively low material strength. Graphene is one of the strongest known materials, though not the strongest of the known materials, but the roughness of the graphene layer surface caused by the substrate on which the graphene pellicle is produced is that of the pellicle. Negatively affects strength. During the use of the pellicle, gas may flow through the lithographic device in which the pellicle is used. Also, during exposure, the pellicle receives a significant thermal load from EUV radiation. As a result of pellicle stress fluctuations induced by such factors, the pellicle can be damaged if the pellicle is not strong enough. The pellicle can break and contaminate various parts of the lithography equipment. This is undesirable.

[00011] 別のタイプの炭素質ペリクルはカーボンナノチューブに基づくものである。このようなペリクルは、多層グラフェンペリクルと同じ高密度の平行な層構造を持たず、メッシュ状のカーボンナノチューブのネットワークで形成されている。カーボンナノチューブベースのペリクルの境界は多層グラフェンペリクルの境界よりも画定されておらず、カーボンナノチューブは、例えば散乱のため、ペリクルを通過する放射ビームの均一性を変化させる可能性がある。放射ビームの均一性の変化は最終生成物に反映され得るので、これは望ましくない。リソグラフィ機械によって極めて高い精度が要求されることを考慮すると、放射ビームの均一性のわずかな差でさえ、露光性能の低下を招く恐れがある。しかしながら、カーボンナノチューブに基づくペリクルの利点は、このようなペリクルは強いのでリソグラフィ装置で使用するための強度要件を満たせることである。 [00011] Another type of carbonaceous pellicle is based on carbon nanotubes. Such pellicle does not have the same high density parallel layer structure as the multilayer graphene pellicle, but is formed by a network of mesh-like carbon nanotubes. The boundaries of carbon nanotube-based pellicle are less demarcated than the boundaries of multi-walled graphene pellicle, and carbon nanotubes can change the uniformity of the radiated beam through the pellicle, for example due to scattering. This is not desirable as changes in the uniformity of the emitted beam can be reflected in the final product. Considering that extremely high accuracy is required by lithographic machines, even a slight difference in the uniformity of the emitted beam can lead to a decrease in exposure performance. However, the advantage of carbon nanotube-based pellicle is that such pellicle is strong enough to meet the strength requirements for use in lithographic equipment.

[00012] 従って、ＥＵＶリソグラフィ装置のようなリソグラフィ装置において使用できる充分な強さがあり、例えば９０％を超える高いＥＵＶ透過率を有し、ペリクルを通過する放射ビームの均一性に悪影響を及ぼさない炭素質ペリクルを製造するための方法を提供することが望まれている。 [00012] Therefore, it is strong enough to be used in a lithography system such as an EUV lithography system, has a high EUV transmittance of, for example, over 90%, and does not adversely affect the uniformity of the emitted beam passing through the pellicle. It is desired to provide a method for producing carbonic pellicle.

[00013] 本出願は一般にリソグラフィ装置の文脈で、特にＥＵＶリソグラフィ装置の文脈でペリクルに言及するが、本発明はペリクル及びリソグラフィ装置だけに限定されず、本発明の主題が他の任意の適切な装置又は環境において使用され得ることは認められよう。 [00013] Although the present application generally refers to pellicle in the context of lithographic equipment, especially in the context of EUV lithographic equipment, the present invention is not limited to pellicle and lithographic equipment, and the subject matter of the present invention is any other suitable. It will be acknowledged that it can be used in equipment or in the environment.

[00014] 例えば、本発明の方法はスペクトル純度フィルタにも等しく適用することができる。プラズマを用いてＥＵＶ放射を発生させるもの等のＥＵＶ源は、実際には、所望の「帯域内の」ＥＵＶ放射を放出するだけでなく、望ましくない（帯域外の）放射も放出する。この帯域外の放射で最も注目すべきものは、深ＵＶ（ＤＵＶ）放射範囲（１００〜４００ｎｍ）である。更に、例えばレーザ生成プラズマＥＵＶ源等のいくつかのＥＵＶ源の場合、例えば１０．６ミクロンのレーザから放出される放射は帯域外放射（例えばＩＲ放射）の源となり得る。 [00014] For example, the methods of the invention can be equally applied to spectral purity filters. EUV sources, such as those that use plasma to generate EUV radiation, actually emit not only the desired "in-band" EUV radiation, but also unwanted (out-of-band) radiation. The most notable of this out-of-band radiation is the deep UV (DUV) radiation range (100-400 nm). Furthermore, in the case of some EUV sources, such as laser-generated plasma EUV sources, the radiation emitted by, for example, a 10.6 micron laser can be a source of out-of-band radiation (eg IR radiation).

[00015] リソグラフィ装置では、いくつかの理由でスペクトル純度が望まれる。１つの理由は、レジストが帯域外波長の放射に対して感応性であるので、レジストがそのような帯域外放射に露光されると、レジストに適用される露光パターンの像品質が劣化する恐れがあることである。更に、例えばいくつかのレーザ生成プラズマ源における赤外線放射のような帯域外放射は、リソグラフィ装置内のパターニングデバイス、基板、及び光学系の望ましくない不必要な加熱を引き起こす。このような加熱は、これらの要素の損傷、寿命の短縮、及び／又はレジストコート基板に投影され適用されるパターンの欠陥もしくはディストーションを発生させる恐れがある。 [00015] In lithographic equipment, spectral purity is desired for several reasons. One reason is that the resist is sensitive to radiation of out-of-band wavelengths, so exposure of the resist to such out-of-band radiation can degrade the image quality of the exposure pattern applied to the resist. That is. In addition, out-of-band radiation, such as infrared radiation in some laser-generated plasma sources, causes unwanted and unnecessary heating of patterning devices, substrates, and optics in lithographic equipment. Such heating can damage these elements, shorten their lifespan, and / or cause defects or distortion in the pattern projected and applied onto the resist-coated substrate.

[00016] スペクトル純度フィルタはペリクルとして使用することができ、その逆も同様である。従って、本出願において「ペリクル」に対する言及は、「スペクトル純度フィルタ」に対する言及でもある。本出願では主としてペリクルに言及するが、特徴（features）の全てはスペクトル純度フィルタにも等しく適用できる。 [00016] The spectral purity filter can be used as a pellicle and vice versa. Therefore, the reference to "pellicle" in this application is also a reference to "spectral purity filter". Although this application primarily refers to pellicle, all of the features are equally applicable to spectral purity filters.

[00017] リソグラフィ装置（及び／又は方法）では、レジストコート基板にパターンを適用するため用いられる放射の強度損失を最小限に抑えることが望ましい。その理由の１つは、例えば露光時間を短縮すると共にスループットを増大するには、基板にパターンを適用する際にできる限り多くの放射を利用できるのが理想的であることである。同時に、リソグラフィ装置を通過して基板に入射する望ましくない放射の（例えば帯域外の）放射量を最小限に抑えることが望ましい。更に、リソグラフィ方法又は装置において使用されるペリクルが適正な寿命を有すること、並びに、ペリクルが暴露され得る高い熱負荷及び／又はペリクルが暴露され得る水素（例えばＨ^＊及びＨＯ^＊を含むフリーラジカル種）の結果として経時的に急速に劣化しないことを保証することが望ましい。従って、改良された（又は代替的な）ペリクル、例えば、リソグラフィ装置及び／又は方法における使用に適したペリクルを提供することが望まれている。 [00017] In lithographic equipment (and / or methods), it is desirable to minimize the loss of radiation intensity used to apply the pattern to the resist coated substrate. One of the reasons is that it is ideal to have as much radiation as possible when applying the pattern to the substrate, for example to reduce exposure time and increase throughput. At the same time, it is desirable to minimize the amount of unwanted radiation (eg, out of band) that passes through the lithographic device and enters the substrate. In addition, the pellicle used in the lithography method or equipment has a reasonable lifespan, and the high heat load to which the pellicle can be exposed and / or the free radical species containing hydrogen (eg, H ^* and HO ^*) to which the pellicle can be exposed. ), It is desirable to ensure that it does not deteriorate rapidly over time. Therefore, it is desired to provide improved (or alternative) pellicle, eg, a pellicle suitable for use in lithographic equipment and / or methods.

[00018] 本発明は、ペリクルを製造する既知の方法及び既知のペリクルに伴う上述の問題を検討して行われた。 [00018] The present invention has been made by examining known methods of producing pellicles and the problems described above with known pellicle.

[00019] 本発明の第１の態様によれば、リソグラフィ装置のためのペリクルを製造する方法であって、ペリクルを３次元テンプレート材料において成長させることを含む方法が提供される。 [00019] According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of making a pellicle for a lithography apparatus, which comprises growing the pellicle in a three-dimensional template material.

[00020] 現在既知の炭素ベースのペリクルは、事実上、固体の層状２次元材料に基づいている。例えば、グラフェンペリクルは複数のグラフェン層を含む。同様に、シリコンペリクルは固体シリコンウェーハ上に製造され、金属のような他の保護キャップ層材料で覆われている場合も覆われていない場合もある。このように、これらのペリクル材料は表面上に複数の層として成長され、２次元であり、固体であるか、又は内部に空隙がほとんど存在しない（すなわち低間隙率）。一方、カーボンナノチューブに基づくペリクルは、内部に著しい空隙空間を有するが不規則である（disordered）カーボンナノチューブの不規則メッシュを含み、これは散乱のために通過する放射ビームの均一性に悪影響を及ぼす。規則的かつ明確に画定された３次元構造のペリクルを提供することが望まれている。 [00020] Currently known carbon-based pellicle is effectively based on a solid, layered two-dimensional material. For example, a graphene pellicle contains multiple graphene layers. Similarly, silicon pellicles are manufactured on solid silicon wafers and may or may not be covered with other protective cap layer materials such as metal. As such, these pellicle materials grow as multiple layers on the surface, are two-dimensional, solid, or have few voids inside (ie, low pore space). On the other hand, pellicle based on carbon nanotubes contains an irregular mesh of carbon nanotubes that have significant void space inside but are disordered, which adversely affects the uniformity of the radiated beam passing through due to scattering. .. It is desired to provide a pellicle with a regularly and clearly defined three-dimensional structure.

[00021] ３次元テンプレート内でペリクルを製造すると、規則的かつ明確に画定された３次元構造のペリクルが得られることがわかっている。また、本発明の方法に従って製造されたペリクルの構造は、カーボンナノチューブのペリクルと同様に多孔質であるが、より規則的かつ明確に画定された３次元構造を有し、これが、リソグラフィ装置で使用するために充分な強度と、ペリクルにおける温度及び応力の変化に対応するために充分な柔軟性とを提供する。驚くべきことに、得られるペリクルは９０％を超える許容可能ＥＵＶ透過率を有すると共に、通過する放射ビームの均一性に悪影響を及ぼさないことがわかった。 [00021] It has been found that manufacturing pellicles within a 3D template yields pellicles with a regularly and well defined 3D structure. Also, the structure of the pellicle produced according to the method of the present invention is porous like the pellicle of carbon nanotubes, but has a more regular and clearly defined three-dimensional structure, which is used in a lithography apparatus. It provides sufficient strength to do so and sufficient flexibility to accommodate changes in temperature and stress in the pellicle. Surprisingly, it was found that the resulting pellicle had an acceptable EUV transmission of over 90% and did not adversely affect the uniformity of the emitted beam passing through.

[00022] ３次元テンプレートはゼオライトとすることができる。ゼオライトは、吸収剤及び触媒として一般的に使用される微細孔性アルミノケイ酸材料である。これらは、小分子が進入できる規則的な内部細孔構造を有する。 [00022] The 3D template can be zeolite. Zeolites are microporous aluminosilicate materials commonly used as absorbers and catalysts. They have a regular internal pore structure that allows small molecules to enter.

[00023] ゼオライトは任意の適切なゼオライトとすればよい。例えばゼオライトは、ＺｅｏｌｉｔｅＡ、ＺｅｏｌｉｔｅＢｅｔａ、モルデナイト、ＺｅｏｌｉｔｅＹ、又は菱沸石とすればよい。これらは最も一般的に使用されると共に最も容易に入手可能なゼオライトであるが、他のゼオライトも本発明に適切であると見なされることは認められよう。 [00023] The zeolite may be any suitable zeolite. For example, the zeolite may be Zeolite A, Zeolite Beta, Mordenite, Zeolite Y, or Ryoboishi. Although these are the most commonly used and most readily available zeolites, it will be appreciated that other zeolites are also considered suitable for the present invention.

[00024] ゼオライトは改質ゼオライトとすることができる。改質ゼオライトは、適切な材料がドーピングされたゼオライトを含み得る。適切な材料は、ランタン、亜鉛、モリブデン、イットリウム、カルシウム、タングステン、バナジウム、チタン、ニオブ、クロム、タンタル、及びハフニウムのうち１つ以上を含む。驚くべきことに、これらの元素のうち１つ以上でゼオライトをドーピングすることにより、ゼオライトの細孔内で炭化が発生し得る温度が低下することがわかった。ドーピングは、イオン交換のような任意の適切な手段によって実行できる。例えば、ゼオライト内のナトリウムイオンをランタンイオンと交換すればよい。 [00024] Zeolites can be modified zeolites. Modified zeolites may include zeolites doped with suitable materials. Suitable materials include one or more of lanthanum, zinc, molybdenum, yttrium, calcium, tungsten, vanadium, titanium, niobium, chromium, tantalum, and hafnium. Surprisingly, it has been found that doping zeolite with one or more of these elements reduces the temperature at which carbonization can occur in the pores of the zeolite. Doping can be performed by any suitable means such as ion exchange. For example, sodium ions in zeolite may be exchanged for lanthanum ions.

[00025] 方法は、好ましくは気体状炭素源である炭素源を提供することを含み得る。炭素源は３次元テンプレート材料内へ進入することができる。３次元テンプレートは細孔の内部ネットワークを含むので、炭素源材料は３次元テンプレート内に充満することができる。 The method may include providing a carbon source, which is preferably a gaseous carbon source. The carbon source can penetrate into the 3D template material. Since the 3D template contains an internal network of pores, the carbon source material can be filled within the 3D template.

[00026] 炭素源は飽和又は不飽和のＣ１〜Ｃ４炭化水素とすればよい。５以上の炭素原子を有する炭化水素を使用できるが、これらは周囲温度で液体であるので吸収プロセスが遅くなる。むろん、３次元テンプレート内への吸収が周囲温度よりも高い温度で発生する場合、より長い鎖の炭化水素を使用できる。炭化水素は好ましくは線状である。 [00026] The carbon source may be saturated or unsaturated C1 to C4 hydrocarbons. Hydrocarbons with 5 or more carbon atoms can be used, but they are liquid at ambient temperature, which slows down the absorption process. Of course, longer chain hydrocarbons can be used if absorption into the 3D template occurs at a temperature higher than the ambient temperature. Hydrocarbons are preferably linear.

[00027] 適切な炭素源の例は、メタン、エタン、エタン、エチン、プロパン、プロペン、プロパジエン、プロピン、ブタン、ブテン、ブタジエン、ブタトリエン、及びブチンを含む。炭素源は主として炭素を提供することが目的であるので、不飽和炭化水素を用いることが好ましい。これらは有利な炭素対水素比を有し、飽和炭化水素よりも反応性が高いからである。例えば、好適な炭素源はエチンである。エチンは最も反応性が高く、また小さいので、３次元テンプレート内へ容易に拡散できるからである。 Examples of suitable carbon sources include methane, ethane, ethane, ethine, propane, propene, propadiene, propyne, butane, butene, butadiene, butane, and butane. Since the purpose of the carbon source is mainly to provide carbon, it is preferable to use unsaturated hydrocarbons. This is because they have a favorable carbon to hydrogen ratio and are more reactive than saturated hydrocarbons. For example, a suitable carbon source is acetylene. This is because ethane is the most reactive and small, so it can be easily diffused into the 3D template.

[00028] 方法は、３次元テンプレート材料を第１の温度まで加熱して炭素源を炭化させることを含み得る。一度炭素源が３次元テンプレートの内部細孔内へ進入したら、材料を加熱してこれを炭化させる。炭化プロセスは、上述した金属イオンによる３次元材料のドーピングによって増強される。金属イオンは、強いカーバイド結合を形成するために選択される。ドーピングを行わない場合、炭素源を炭化するのに必要な温度が大幅に高くなり、結果として炭素は３次元テンプレートの表面にのみ形成されるので、炭素源が含まれる３次元材料の内部細孔構造に実質的に対応する炭素質ネットワークを形成しない。 [00028] The method may include heating the 3D template material to a first temperature to carbonize the carbon source. Once the carbon source has entered the internal pores of the 3D template, the material is heated to carbonize it. The carbonization process is enhanced by doping the three-dimensional material with the metal ions described above. Metal ions are selected to form strong carbide bonds. Without doping, the temperature required to carbonize the carbon source is significantly higher, and as a result carbon is formed only on the surface of the 3D template, thus the internal pores of the 3D material containing the carbon source. It does not form a carbonaceous network that substantially corresponds to the structure.

[00029] 第１の温度は約３５０℃から約８００℃とすることができ、好ましくは約６５０℃である。ドーピングを行わない場合は、炭化のために８００℃を超える温度が必要である。 [00029] The first temperature can range from about 350 ° C to about 800 ° C, preferably about 650 ° C. Without doping, temperatures above 800 ° C are required for carbonization.

[00030] この後、３次元材料を第１の温度よりも高い第２の温度に加熱することができる。第２の温度は約８５０℃以上とすればよい。第２の高い温度に加熱すると、炭素はいっそう高秩序（highly ordered）となり、従って更に強くなる。 [00030] After this, the three-dimensional material can be heated to a second temperature higher than the first temperature. The second temperature may be about 850 ° C. or higher. When heated to a second higher temperature, the carbon becomes highly ordered and therefore even stronger.

[00031] 一度加熱が完了したら、３次元テンプレートを溶解することによって炭素質ペリクルを取り出す。３次元テンプレートがゼオライトである場合、ゼオライトを塩酸又はフッ酸のような強酸に暴露することで溶解し、次いで水酸化ナトリウムのような高温塩基性溶液に暴露すればよい。ゼオライトを溶解するための厳密な方法は与えられた例に限定されず、炭素質ペリクルを残しながらゼオライトを溶解する任意の適切な方法を用いればよい。 [00031] Once heating is complete, the carbonaceous pellicle is removed by melting the 3D template. When the three-dimensional template is zeolite, the zeolite may be dissolved by exposing it to a strong acid such as hydrochloric acid or hydrofluoric acid, and then exposed to a high temperature basic solution such as sodium hydroxide. The exact method for dissolving the zeolite is not limited to the given example, and any suitable method for dissolving the zeolite while leaving the carbonaceous pellicle may be used.

[00032] ３次元材料は、既知の手段によってシリコンウェーハから調製することができる。好ましくは、シリコンウェーハは単結晶シリコンである。シリコンウェーハからの調製によって、ゼオライトの厳密な厚さ及び性質を制御できる。このため、必要なペリクルの厳密な性質に応じて、大きい細孔を有するものや小さい細孔を有するものといった様々なゼオライトを調製することができる。 [00032] Three-dimensional materials can be prepared from silicon wafers by known means. Preferably, the silicon wafer is single crystal silicon. Preparation from silicon wafers allows the exact thickness and properties of zeolites to be controlled. Therefore, various zeolites such as those having large pores and those having small pores can be prepared depending on the exact properties of the required pellicle.

[00033] シリコンウェーハの表面の一部をゼオライト材料に変換するか、又はシリコンウェーハの表面上にゼオライト材料を調製することができる。これら双方の技法は当技術分野において既知である。ゼオライトの厚さは、約５０ｎｍ〜約１５０ｎｍ、約８０ｎｍ〜約１２０ｎｍとすることができ、好ましくは約１００ｎｍである。ゼオライトが薄すぎる場合、得られるペリクルはＥＵＶリソグラフィ装置で使用するため必要な強度を有するのに充分な厚さでない可能性がある。一方、ゼオライトが厚すぎる場合、得られるペリクルは厚すぎるので、例えば９０％未満のような望ましくない低いＥＵＶ透過率を有する可能性がある。ペリクルの厳密な厚さは、所望の厚さが満足されるまでペリクルから材料を除去することによって達成できる。 [00033] A part of the surface of the silicon wafer can be converted into a zeolite material, or a zeolite material can be prepared on the surface of the silicon wafer. Both of these techniques are known in the art. The thickness of the zeolite can be from about 50 nm to about 150 nm, from about 80 nm to about 120 nm, preferably about 100 nm. If the zeolite is too thin, the resulting pellicle may not be thick enough to have the required strength for use in EUV lithography equipment. On the other hand, if the zeolite is too thick, the resulting pellicle is too thick and may have an undesired low EUV transmission, for example less than 90%. The exact thickness of the pellicle can be achieved by removing the material from the pellicle until the desired thickness is satisfied.

[00034] 本発明の第２の態様によれば、ペリクルの製造における３次元テンプレートの使用が提供される。 [00034] According to a second aspect of the present invention, the use of a three-dimensional template in the manufacture of pellicle is provided.

[00035] 上述したように、現在既知であるペリクルは表面上に２次元層を形成することによって製造される。３次元テンプレート内部に生成される既知のペリクルは存在しない。３次元テンプレートを用いると、極めて規則的かつ予想可能な構造のペリクルを形成することができる。得られるペリクルは既存のグラフェンペリクルよりも強く、また、カーボンナノチューブベースのペリクルのように放射ビームの望ましくない回折又は散乱を発生させない。 [00035] As described above, currently known pellicle is produced by forming a two-dimensional layer on the surface. There are no known pellicle generated inside the 3D template. Three-dimensional templates can be used to form pellicle with a very regular and predictable structure. The resulting pellicle is stronger than the existing graphene pellicle and does not cause unwanted diffraction or scattering of the radiated beam like carbon nanotube-based pellicle.

[00036] ３次元テンプレートは、本発明の第１の態様に関連付けて記載されたいずれかのゼオライトとすればよい。 [00036] The three-dimensional template may be any of the zeolites described in association with the first aspect of the present invention.

[00037] 本発明の第３の態様によれば、ペリクルの製造のための３次元テンプレートが提供される。 [00037] According to a third aspect of the invention, a three-dimensional template for the manufacture of pellicle is provided.

[00038] 好ましくは、ペリクルは炭素質ペリクルである。 [00038] Preferably, the pellicle is a carbonaceous pellicle.

[00039] 好ましくは、３次元テンプレートは、本発明の第１の態様を参照して記載されているようなゼオライトである。 [00039] Preferably, the 3D template is a zeolite as described with reference to the first aspect of the invention.

[00040] 本発明の第４の態様によれば、ゼオライトの内部細孔構造に実質的に対応する３次元構造を有するペリクルが提供される。ペリクルは好ましくは炭素質である。 [00040] According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a pellicle having a three-dimensional structure substantially corresponding to the internal pore structure of zeolite. The pellicle is preferably carbonaceous.

[00041] ３次元テンプレートを用いて製造される既知のペリクルは存在しないので、ゼオライトの内部細孔構造に実質的に対応する３次元構造を有する既知のペリクルは存在しない。上述したように、これによって、強度が高く、ペリクルを通過する放射ビームの均一性を阻害しないペリクルが提供される。 [00041] Since there is no known pellicle produced using the 3D template, there is no known pellicle having a 3D structure that substantially corresponds to the internal pore structure of the zeolite. As mentioned above, this provides a pellicle that is strong and does not interfere with the uniformity of the radiation beam passing through the pellicle.

[00042] 本発明の第５の態様によれば、本発明の第１の態様に従った方法によって得られるか又は得ることができるリソグラフィ装置のためのペリクルが提供される。 [00042] According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a pellicle for a lithographic apparatus obtained or can be obtained by a method according to the first aspect of the present invention.

[00043] 既知のペリクル製造方法の限界のため、また、今まで３次元テンプレートを用いて作製されるペリクルが存在しなかったため、リソグラフィ装置で使用するため充分な強さの規則的な３次元秩序を有するペリクルを作製する方法は存在しなかった。 [00043] Due to the limitations of known pellicle manufacturing methods, and because no pellicle has ever been made using 3D templates, a regular 3D order of sufficient strength for use in lithographic equipment. There was no way to make a pellicle with.

[00044] 本発明の第６の態様によれば、本発明の第１の態様の方法に従って製造された、又は、本発明の第４もしくは第５の態様に従ったペリクルのリソグラフィ装置における使用が提供される。 [00044] According to a sixth aspect of the present invention, the use of a pellicle manufactured according to the method of the first aspect of the present invention or according to the fourth or fifth aspect of the present invention in a lithographic apparatus. Provided.

[00045] まとめると、本発明の方法は、ＥＵＶリソグラフィ装置における使用に適したペリクル、特に炭素質ペリクルの製造を可能とする。このようなペリクルを製造することは、これまで不可能であった。本発明の方法に従って製造されるペリクルは、ペリクルの使用時に達成される高温及びリソグラフィ装置の使用中にペリクルに加わる機械的な力に耐えることができる。既知のペリクルは、こういった高温や機械的な力によって損傷する。更に、規則的な３次元構造のペリクルを有することは、放射ビームがペリクルを通過する際にその均一性が悪影響を受けないことを意味する。ゼオライトの内部細孔構造に実質的に対応する３次元構造は、リソグラフィ装置で使用するために充分な強度だけでなく、使用中の温度及び／又は圧力の変化に耐えるのに充分な柔軟性をペリクルに与える。 [00045] In summary, the methods of the present invention allow the production of pellicle suitable for use in EUV lithography equipment, especially carbonaceous pellicle. It has been impossible to produce such a pellicle. The pellicle produced according to the method of the present invention can withstand the high temperatures achieved during the use of the pellicle and the mechanical forces applied to the pellicle during the use of the lithographic apparatus. Known pellicle is damaged by these high temperatures and mechanical forces. Furthermore, having a pellicle with a regular three-dimensional structure means that its uniformity is not adversely affected as the radiated beam passes through the pellicle. The three-dimensional structure, which substantially corresponds to the internal pore structure of the zeolite, is not only strong enough for use in lithographic equipment, but also flexible enough to withstand changes in temperature and / or pressure during use. Give to pellicle.

[00046] これより、ゼオライトの細孔構造内に形成された炭素質ペリクルを参照して、本発明について説明する。しかしながら、本発明はペリクルに限定されず、スペクトル純度フィルタにも等しく適用できることは認められよう。更に、得られる材料の大きい表面積のため、これはバッテリ又はキャパシタのような電荷蓄積デバイスにも使用できる。従って、方法、使用、及び生成物はペリクル及びリソグラフィの文脈で記載されるが、そのような方法、使用、及び生成物は、バッテリ及びキャパシタ用のコンポーネントの製造においても使用することができる。 [00046] Hereinafter, the present invention will be described with reference to the carbonaceous pellicle formed in the pore structure of zeolite. However, it will be appreciated that the present invention is not limited to pellicle and is equally applicable to spectral purity filters. In addition, due to the large surface area of the resulting material, it can also be used for charge storage devices such as batteries or capacitors. Thus, while methods, uses, and products are described in the context of pellicle and lithography, such methods, uses, and products can also be used in the manufacture of components for batteries and capacitors.

[00047] これより、添付の概略図面を参照して単に一例として本発明の実施形態を説明する。 [00047] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described merely as an example with reference to the accompanying schematic drawings.

本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置及び放射源を含むリソグラフィシステムを示す。A lithography system including a lithography apparatus and a radiation source according to an embodiment of the present invention is shown.

[00048] 図１は、本発明の一実施形態に従って、本発明の第４及び第５の態様に従った又は本発明の第１の態様の方法に従って製造されたペリクル１５を含むリソグラフィシステムを示す。リソグラフィシステムは放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを含む。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを発生するように構成されている。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴと、を備えている。照明システムＩＬは、放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にこれを調節するよう構成されている。投影システムは、放射ビームＢ（この時点でマスクＭＡによってパターン付与されている）を基板Ｗに投影するよう構成されている。基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含む場合がある。これが当てはまる場合、リソグラフィ装置は、パターン付与された放射ビームＢを、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンと位置合わせする。この実施形態では、ペリクル１５は放射経路内に示され、パターニングデバイスＭＡを保護している。ペリクル１５を任意の必要な位置に配置できること、及びリソグラフィ装置内のミラーのいずれかを保護するために使用できることは認められよう。 [00048] FIG. 1 shows a lithography system comprising a pellicle 15 manufactured according to an embodiment of the invention, according to the fourth and fifth aspects of the invention, or according to the method of the first aspect of the invention. .. The lithography system includes a radiation source SO and a lithography apparatus LA. The radiation source SO is configured to generate extreme ultraviolet (EUV) radiation beam B. The lithography apparatus LA includes a lighting system IL, a support structure MT configured to support a patterning device MA (for example, a mask), a projection system PS, a substrate table WT configured to support a substrate W, and the like. It has. The illumination system IL is configured to adjust the radiation beam B before it enters the patterning device MA. The projection system is configured to project the radiation beam B (patterned by the mask MA at this point) onto the substrate W. The substrate W may include a previously formed pattern. If this is the case, the lithographic apparatus aligns the patterned emission beam B with a pattern previously formed on the substrate W. In this embodiment, the pellicle 15 is shown in the radial path and protects the patterning device MA. It will be appreciated that the pellicle 15 can be placed in any required position and can be used to protect any of the mirrors in the lithographic apparatus.

[00049] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳは全て、外部環境から隔離できるように構成及び配置することができる。放射源ＳＯ内に、大気圧より低い圧力のガス（例えば水素）を提供してもよい。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に、真空を提供してもよい。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に、大気圧よりも充分に低い圧力の少量のガス（例えば水素）を提供してもよい。 [00049] The radiation source SO, the lighting system IL, and the projection system PS can all be configured and arranged so that they can be isolated from the external environment. A gas having a pressure lower than the atmospheric pressure (for example, hydrogen) may be provided in the radiation source SO. A vacuum may be provided within the lighting system IL and / or the projection system PS. A small amount of gas (eg, hydrogen) at a pressure well below atmospheric pressure may be provided within the lighting system IL and / or the projection system PS.

[00050] 図１に示されている放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ：laser produced plasma）源と呼ぶことができるタイプである。例えばＣＯ_２レーザとすることができるレーザ１は、レーザビーム２によって、燃料放出器３から与えられるスズ（Ｓｎ）等の燃料にエネルギを堆積するよう配置されている。以下の記載ではスズに言及するが、任意の適切な燃料を使用すればよい。燃料は、例えば液体の形態とすることや、例えば金属又は合金とすることが可能である。燃料放出器３は、例えば小滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４へ向かう軌道に沿って誘導するよう構成されたノズルを備えることができる。レーザビーム２はプラズマ形成領域４においてスズに入射する。レーザエネルギのスズへの堆積は、プラズマ形成領域４においてプラズマ７を生成する。プラズマイオンの脱励起及び再結合の間に、プラズマ７からＥＵＶ放射を含む放射が放出される。 [00050] The radiation source SO shown in FIG. 1 is of a type that can be called a laser produced plasma (LPP) source. For example, the laser 1 which can be a CO ₂ laser is arranged so as to deposit energy in a fuel such as tin (Sn) supplied from the fuel ejector 3 by the laser beam 2. The following description refers to tin, but any suitable fuel may be used. The fuel can be, for example, in the form of a liquid or, for example, a metal or alloy. The fuel ejector 3 may include, for example, a nozzle configured to guide tin in the form of droplets along an orbit towards the plasma forming region 4. The laser beam 2 is incident on tin in the plasma forming region 4. The deposition of laser energy on tin produces plasma 7 in the plasma forming region 4. During the deexcitation and recombination of the plasma ions, the plasma 7 emits radiation, including EUV radiation.

[00051] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（時として、より一般的に法線入射放射コレクタと称される）によって収集及び合焦される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば１３．５ｎｍのような所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するよう配置された多層構造を有し得る。コレクタ５は、２つの楕円焦点を有する楕円構成を有することができる。第１の焦点はプラズマ形成領域４にあり、第２の焦点は以下で検討するように中間焦点６にあり得る。 [00051] EUV radiation is collected and focused by the near normal incident radiation collector 5 (sometimes more commonly referred to as the normal incident radiation collector). The collector 5 may have a multilayer structure arranged to reflect EUV radiation (for example, EUV radiation having a desired wavelength such as 13.5 nm). The collector 5 can have an elliptical configuration with two elliptical focal points. The first focus may be in the plasma forming region 4 and the second focus may be in the intermediate focus 6 as discussed below.

[00052] レーザ１は放射源ＳＯとは分離させることができる。これが当てはまる場合、レーザビーム２は、レーザ１から放射源ＳＯへ、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ及び／又は他の光学系を含むビームデリバリシステム（図示せず）を用いて渡すことができる。レーザ１及び放射源ＳＯは共に放射システムと見なすことができる。 [00052] The laser 1 can be separated from the radiation source SO. If this is the case, the laser beam 2 is passed from the laser 1 to the source SO using, for example, a beam delivery system (not shown) that includes a suitable induction mirror and / or beam expander and / or other optics. Can be done. Both the laser 1 and the source SO can be considered as a radiation system.

[00053] コレクタ５によって反射された放射は放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは、ポイント６で合焦されてプラズマ形成領域４の像を形成し、これは照明システムＩＬのための仮想放射源として作用する。放射ビームＢが合焦されるポイント６を中間焦点と呼ぶことができる。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源の閉鎖構造９の開口８に又は開口８の近くに位置するように配置されている。 [00053] The radiation reflected by the collector 5 forms the radiation beam B. The radiation beam B is focused at point 6 to form an image of the plasma forming region 4, which acts as a virtual radiation source for the lighting system IL. The point 6 at which the radiation beam B is focused can be called an intermediate focus. The source SO is arranged such that the intermediate focal point 6 is located at or near the opening 8 of the closed structure 9 of the source.

[00054] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから、放射ビームを調節するよう構成された照明システムＩＬ内に進む。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、放射ビームＢに所望の断面形状と所望の角度分布を与える。放射ビームＢは、照明システムＩＬから出射し、支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射しパターン付与する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はこれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを含むことも可能である。 [00054] Radiation beam B travels from source SO into a lighting system IL configured to regulate the radiation beam. The lighting system IL can include a facet field mirror device 10 and a facet pupil mirror device 11. Both the facet field mirror device 10 and the facet pupil mirror device 11 give the radiation beam B a desired cross-sectional shape and a desired angular distribution. The radiated beam B exits the illumination system IL and is incident on the patterning device MA held by the support structure MT. The patterning device MA reflects the radiated beam B to impart a pattern. The lighting system IL can also include other mirrors or devices in addition to or in place of the faceted field mirror device 10 and the faceted pupil mirror device 11.

[00055] パターニングデバイスＭＡから反射した後、パターン付与された放射ビームＢは投影システムＰＳに入射する。投影システムは、基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗに放射ビームＢを投影するよう構成された複数のミラー１３、１４を備えている。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小率を適用することで、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャの像を形成できる。例えば、縮小率４を適用することができる。図１において投影システムＰＳは２つのミラー１３、１４を有するが、投影システムは任意の数のミラー（例えば６個のミラー）を含むことができる。 [00055] After being reflected from the patterning device MA, the patterned radiation beam B is incident on the projection system PS. The projection system includes a plurality of mirrors 13 and 14 configured to project the radiation beam B onto the substrate W held by the substrate table WT. The projection system PS can apply a reduction factor to the radiated beam to form an image of features smaller than the corresponding features on the patterning device MA. For example, a reduction ratio of 4 can be applied. In FIG. 1, the projection system PS has two mirrors 13, 14, but the projection system can include any number of mirrors (eg, 6 mirrors).

[00056] 図１に示されている放射源ＳＯは、図示されていないコンポーネントを含み得る。例えば、放射源内にスペクトルフィルタを提供することができる。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であるが、赤外線放射のような他の波長の放射を実質的に阻止することができる。 [00056] The source SO shown in FIG. 1 may include components not shown. For example, a spectral filter can be provided within the radiation source. Spectral filters are substantially transparent to EUV radiation, but can substantially block radiation of other wavelengths, such as infrared radiation.

[00057] 本発明に従った例示的な方法において、ゼオライトの形態の３次元テンプレートが提供される。これは、シリコンウェーハに基づいて、又は他の任意の適切な手段によって形成されている場合がある。例示的なゼオライトはＺｅｏｌｉｔｅ−Ｙであり、ナトリウムイオンの少なくとも一部がイオン交換によってランタンイオンに交換されている。ゼオライトに、エチンガスを含む炭素源を供給し、エチンガスをゼオライトの内部細孔内へ拡散させる。エチンガスを炭化し、ゼオライトの内部構造に実質的に対応する炭素構造をゼオライト内部に形成するため、ゼオライトを約６５０℃に加熱する。この後、更に高秩序の炭素質ペリクルを提供するため、ゼオライトを約８５０℃に加熱する。次いで、ペリクルを回収するため、フッ酸に溶解させることでゼオライトを溶解する。 [00057] In an exemplary method according to the invention, a three-dimensional template in the form of zeolite is provided. It may be formed on the basis of a silicon wafer or by any other suitable means. An exemplary zeolite is Zeolite-Y, in which at least a portion of the sodium ions are exchanged for lanthanum ions by ion exchange. A carbon source containing ethine gas is supplied to the zeolite, and the ethine gas is diffused into the internal pores of the zeolite. The zeolite is heated to about 650 ° C. to carbonize the ethine gas and form a carbon structure inside the zeolite that substantially corresponds to the internal structure of the zeolite. After this, the zeolite is heated to about 850 ° C. to provide a more ordered carbonaceous pellicle. Then, in order to recover the pellicle, the zeolite is dissolved by dissolving it in hydrofluoric acid.

[00058] このように、得られるペリクルの構造を制御すると共に、様々な大きさの様々なゼオライトを用いてペリクルの厳密な構造を変更することができる。得られるペリクルは９０％を超えるＥＵＶ透過率を有し、リソグラフィ装置で使用するのに充分な強さである。 [00058] In this way, the structure of the resulting pellicle can be controlled and the exact structure of the pellicle can be modified using various zeolites of various sizes. The resulting pellicle has an EUV transmittance of more than 90%, which is strong enough to be used in a lithography apparatus.

[00059] 「ＥＵＶ放射」という用語は、４〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含すると見なすことができる。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満の波長、例えば４〜１０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍの波長を有し得る。 The term "EUV radiation" can be considered to include electromagnetic radiation having wavelengths in the range of 4-20 nm, eg 13-14 nm. EUV radiation can have wavelengths less than 10 nm, such as in the range of 4-10 nm, such as 6.7 nm or 6.8 nm.

[00060] 本発明の特定の実施形態について上述したが、記載した以外の態様で本発明を実施してもよいことは認められよう。上記の説明は例示であって限定ではないことが意図される。従って、以下に述べる特許請求の範囲から逸脱することなく、記載した本発明に変更を実行してもよいことは、当業者には認められよう。 [00060] Although the specific embodiments of the present invention have been described above, it will be appreciated that the present invention may be carried out in aspects other than those described. The above description is intended to be exemplary and not limiting. Therefore, it will be appreciated by those skilled in the art that modifications to the invention described may be made without departing from the claims described below.

[00060] 本発明の特定の実施形態について上述したが、記載した以外の態様で本発明を実施してもよいことは認められよう。上記の説明は例示であって限定ではないことが意図される。従って、以下に述べる特許請求の範囲及び条項から逸脱することなく、記載した本発明に変更を実行してもよいことは、当業者には認められよう。
[条項１]
リソグラフィ装置のためのペリクルを製造する方法であって、前記ペリクルを３次元テンプレートにおいて成長させることを含む方法。
[条項２]
前記テンプレートはゼオライトである、条項１に記載の方法。
[条項３]
前記ゼオライトは、ＺｅｏｌｉｔｅＡ、Ｚｅｏｌｉｔｅｂｅｔａ、モルデナイト、ＺｅｏｌｉｔｅＹ、ＺＳＭ−５、又は菱沸石から選択される、条項２に記載の方法。
[条項４]
前記ゼオライトは改質ゼオライトである、条項２又は条項３に記載の方法。
[条項５]
前記改質ゼオライトは、ランタン、亜鉛、モリブデン、イットリウム、カルシウム、タングステン、バナジウム、チタン、ニオブ、クロム、タンタル、及びハフニウムのうち１つ以上がドーピングされたゼオライトを含む、条項４に記載の方法。
[条項６]
前記方法は、炭素源を提供することと、前記炭素源を前記３次元テンプレートの材料内に進入させることを含む、条項１から５のいずれかに記載の方法。
[条項７]
前記気体状炭素源は少なくとも１つの飽和又は不飽和のＣ１〜Ｃ４炭化水素を含む、条項６に記載の方法。
[条項８]
前記気体状炭素源は、メタン、エタン、エテン、エチン、プロパン、プロペン、プロパジエン、プロピン、ブタン、ブテン、ブタジエン、ブタトリエン、及びブチンのうち少なくとも１つを含み、好ましくはエチンを含む、条項７に記載の方法。
[条項９]
前記方法は、前記３次元テンプレートを第１の温度まで加熱して前記炭素源を炭化させることを含む、条項６から８のいずれかに記載の方法。
[条項１０]
前記第１の温度は約３５０℃から約８００℃である、条項９に記載の方法。
[条項１１]
前記３次元テンプレートは前記第１の温度よりも高い第２の温度に加熱される、条項９又は１０に記載の方法。
[条項１２]
前記第２の温度は約８５０℃である、条項１１に記載の方法。
[条項１３]
前記３次元テンプレートを溶解させて前記炭素質ペリクルを解放する、条項９から１２のいずれかに記載の方法。
[条項１４]
前記３次元テンプレートは、強酸、好ましくはフッ酸又は塩酸に暴露することで溶解され、任意選択的に、次いで水酸化ナトリウムのような高温塩基性溶液に暴露することで溶解される、条項１３に記載の方法。
[条項１５]
前記３次元テンプレートは、シリコンウェーハ、好ましくは単結晶シリコンを用いて生成される、条項１から１４のいずれかに記載の方法。
[条項１６]
前記シリコンウェーハの少なくとも一部がゼオライトに変換されるか、又は前記シリコンウェーハの表面上にゼオライト膜が堆積される、条項１５に記載の方法。
[条項１７]
前記ゼオライトの厚さは約５０から約１５０ｎｍであり、好ましくは約８０から約１２０ｎｍであり、最も好ましくは約１００ｎｍである、条項１６に記載の方法。
[条項１８]
前記ゼオライトはイオン交換によってドーピングされている、条項５から１７のいずれかに記載の方法。
[条項１９]
ペリクル、好ましくは炭素質ペリクルの製造における３次元テンプレートの使用。
[条項２０]
前記３次元テンプレートはゼオライトである、条項１９に記載の使用。
[条項２１]
前記ゼオライトは改質ゼオライトであり、前記改質ゼオライトは、ランタン、亜鉛、モリブデン、イットリウム、カルシウム、タングステン、バナジウム、チタン、ニオブ、クロム、タンタル、及びハフニウムのうち１つ以上がドーピングされている、条項２０に記載の使用。
[条項２２]
ペリクルの製造のための３次元テンプレートであって、前記テンプレートはゼオライトを含み、好ましくは前記ペリクルは炭素質ペリクルである、３次元テンプレート。
[条項２３]
前記ゼオライトは、ランタン、亜鉛、モリブデン、イットリウム、カルシウム、タングステン、バナジウム、チタン、ニオブ、クロム、タンタル、及びハフニウムのうち１つ以上がドーピングされている、条項２２に記載の３次元テンプレート。
[条項２４]
ゼオライトの内部細孔構造に実質的に対応する３次元構造を有するペリクル。
[条項２５]
前記ペリクルは炭素質である、条項２４に記載のペリクル。
[条項２６]
条項１から１８のうちいずれかに記載の方法によって得られるか又は得ることができるリソグラフィ装置のためのペリクル。
[条項２７]
条項１から１８のいずれかに記載の方法によって製造された、又は、条項２４から２６のいずれかに記載のペリクルのリソグラフィ装置における使用。 [00060] Although the specific embodiments of the present invention have been described above, it will be appreciated that the present invention may be carried out in aspects other than those described. The above description is intended to be exemplary and not limiting. Therefore, it will be appreciated by those skilled in the art that modifications to the invention described may be made without departing from the claims and provisions described below.
[Clause 1]
A method of manufacturing a pellicle for a lithography apparatus, which comprises growing the pellicle in a three-dimensional template.
[Clause 2]
The method according to clause 1, wherein the template is zeolite.
[Clause 3]
The method according to Clause 2, wherein the zeolite is selected from Zeolite A, Zeolite beta, Mordenite, Zeolite Y, ZSM-5, or Ryoboishi.
[Clause 4]
The method according to Clause 2 or Clause 3, wherein the zeolite is a modified zeolite.
[Clause 5]
The method of clause 4, wherein the modified zeolite comprises a zeolite doped with one or more of lanthanum, zinc, molybdenum, ittium, calcium, tungsten, vanadium, titanium, niobium, chromium, tantalum, and hafnium.
[Clause 6]
The method according to any one of Articles 1 to 5, wherein the method comprises providing a carbon source and allowing the carbon source to enter the material of the three-dimensional template.
[Clause 7]
The method of Clause 6, wherein the gaseous carbon source comprises at least one saturated or unsaturated C1-C4 hydrocarbon.
[Clause 8]
The gaseous carbon source comprises at least one of methane, ethane, ethane, ethine, propane, propene, propadiene, propyne, butene, butene, butadiene, butane, and butene, preferably including ethine, according to Clause 7. The method described.
[Clause 9]
The method according to any of Articles 6 to 8, wherein the method comprises heating the three-dimensional template to a first temperature to carbonize the carbon source.
[Clause 10]
The method according to clause 9, wherein the first temperature is from about 350 ° C to about 800 ° C.
[Clause 11]
9. The method of clause 9 or 10, wherein the 3D template is heated to a second temperature higher than the first temperature.
[Clause 12]
The method of clause 11, wherein the second temperature is about 850 ° C.
[Clause 13]
The method of any of Articles 9-12, wherein the three-dimensional template is dissolved to release the carbonaceous pellicle.
[Clause 14]
The three-dimensional template is dissolved by exposure to a strong acid, preferably hydrofluoric acid or hydrochloric acid, and optionally by exposure to a high temperature basic solution such as sodium hydroxide, according to Clause 13. The method described.
[Clause 15]
The method according to any one of Articles 1 to 14, wherein the three-dimensional template is generated using a silicon wafer, preferably single crystal silicon.
[Clause 16]
The method of clause 15, wherein at least a portion of the silicon wafer is converted to zeolite or a zeolite membrane is deposited on the surface of the silicon wafer.
[Clause 17]
16. The method of clause 16, wherein the zeolite has a thickness of about 50 to about 150 nm, preferably about 80 to about 120 nm, and most preferably about 100 nm.
[Clause 18]
The method according to any of Articles 5 to 17, wherein the zeolite is doped by ion exchange.
[Clause 19]
Use of 3D templates in the production of pellicle, preferably carbonaceous pellicle.
[Clause 20]
The use according to clause 19, wherein the three-dimensional template is a zeolite.
[Clause 21]
The zeolite is a modified zeolite, which is doped with one or more of lanthanum, zinc, molybdenum, yttrium, calcium, tungsten, vanadium, titanium, niobium, chromium, tantalum, and hafnium. Use as described in Clause 20.
[Clause 22]
A three-dimensional template for the manufacture of pellicle, wherein the template comprises zeolite, preferably the pellicle is a carbonaceous pellicle.
[Clause 23]
The three-dimensional template according to Clause 22, wherein the zeolite is doped with one or more of lanthanum, zinc, molybdenum, yttrium, calcium, tungsten, vanadium, titanium, niobium, chromium, tantalum, and hafnium.
[Clause 24]
A pellicle having a three-dimensional structure substantially corresponding to the internal pore structure of zeolite.
[Clause 25]
The pellicle according to Article 24, wherein the pellicle is carbonaceous.
[Clause 26]
A pellicle for a lithographic apparatus obtained or can be obtained by the method according to any of clauses 1-18.
[Clause 27]
Use in a lithographic apparatus for a pellicle manufactured by the method according to any of Clauses 1-18 or according to any of Clauses 24-26.

Claims

A method of manufacturing a pellicle for a lithography apparatus, which comprises growing the pellicle in a three-dimensional template.

The method of claim 1, wherein the template is zeolite.

The method according to claim 2, wherein the zeolite is selected from Zeolite A, Zeolite beta, mordenite, Zeolite Y, ZSM-5, or rhombic stone.

The method according to claim 2 or 3, wherein the zeolite is a modified zeolite.

The method of claim 4, wherein the modified zeolite comprises a zeolite doped with one or more of lanthanum, zinc, molybdenum, yttrium, calcium, tungsten, vanadium, titanium, niobium, chromium, tantalum, and hafnium. ..

The method according to any one of claims 1 to 5, wherein the method comprises providing a carbon source and allowing the carbon source to enter the material of the three-dimensional template.

The method of claim 6, wherein the gaseous carbon source comprises at least one saturated or unsaturated C1-C4 hydrocarbon.

7. The gaseous carbon source comprises at least one of methane, ethane, ethane, ethine, propane, propene, propadiene, propyne, butene, butene, butadiene, butatinene, and butene, preferably ethine. The method described in.

The method according to any one of claims 6 to 8, wherein the method comprises heating the three-dimensional template to a first temperature to carbonize the carbon source.

The method of claim 9, wherein the first temperature is from about 350 ° C to about 800 ° C.

The method of claim 9 or 10, wherein the three-dimensional template is heated to a second temperature higher than the first temperature.

The method of claim 11, wherein the second temperature is about 850 ° C.

The method of any of claims 9-12, wherein the three-dimensional template is dissolved to release the carbonaceous pellicle.

13. The three-dimensional template is dissolved by exposure to a strong acid, preferably hydrofluoric acid or hydrochloric acid, and optionally by exposure to a high temperature basic solution such as sodium hydroxide. The method described in.

The method according to any one of claims 1 to 14, wherein the three-dimensional template is generated using a silicon wafer, preferably single crystal silicon.

15. The method of claim 15, wherein at least a portion of the silicon wafer is converted to zeolite or a zeolite membrane is deposited on the surface of the silicon wafer.

16. The method of claim 16, wherein the zeolite has a thickness of about 50 to about 150 nm, preferably about 80 to about 120 nm, and most preferably about 100 nm.

The method according to any one of claims 5 to 17, wherein the zeolite is doped by ion exchange.

Use of 3D templates in the production of pellicle, preferably carbonaceous pellicle.

The use according to claim 19, wherein the three-dimensional template is a zeolite.

The zeolite is a modified zeolite, which is doped with one or more of lanthanum, zinc, molybdenum, yttrium, calcium, tungsten, vanadium, titanium, niobium, chromium, tantalum, and hafnium. The use according to claim 20.

A three-dimensional template for the manufacture of pellicle, wherein the template comprises zeolite, preferably the pellicle is a carbonaceous pellicle.

22. The three-dimensional template according to claim 22, wherein the zeolite is doped with one or more of lanthanum, zinc, molybdenum, ittium, calcium, tungsten, vanadium, titanium, niobium, chromium, tantalum, and hafnium.

A pellicle having a three-dimensional structure substantially corresponding to the internal pore structure of zeolite.

The pellicle according to claim 24, wherein the pellicle is carbonaceous.

A pellicle for a lithographic apparatus obtained or can be obtained by the method according to any one of claims 1 to 18.

Use in a lithographic apparatus for a pellicle manufactured by the method according to any one of claims 1 to 18 or according to any one of claims 24 to 26.