JP2021502580A - Ｏｌｅｄ表示方法、及び装置 - Google Patents

Abstract

本開示は、ＯＬＥＤ表示方法、及び装置に関する。当該方法によると、Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得し、又、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値及び予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基きＮ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定し、最後にＮ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基き制御信号をＮ行目のＤａｔａ線に出力する。その中、予め設定された抵抗値と予め設定されたＥＭ信号のデューティ比とを基準に夫々の行のＤａｔａ線の抵抗値に基き夫々の行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定し、夫々の行が何れも各行に対応されるＥＭ信号のデューティ比を有するようにし、各行のＤａｔａ線のＥＭ信号を使用して各行の信号に対して別々に制御を行う場合に夫々の行のＤａｔａ線に対応されるＯＬＥＤの発光輝度が一致させ、ＯＬＥＤ製品の輝度の均一性を効果的に向上させた。【選択図】図３

Description

本開示は、画像表示技術の分野に関し、特に、ＯＬＥＤ表示方法、及び装置に関する。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）製品は、ＯＬＥＤの画素回路にＲｅｓｅｔ信号、Ｄａｔａ信号及びＥＭ信号が含まれる電流駆動型部品である。Ｒｅｓｅｔ信号は、ローレベルでｒｅｓｅｔ（リセット）を行うことで、フレームとフレームとの間の直列化を避けるのに使用され、Ｄａｔａ信号は、キャパシタを充電することで、ＯＬＥＤ発光を制御するのに使用され、ＥＭ信号は、ＯＬＥＤ発光を制御して、ローレベルで有効になるようにし、即ち、ＯＬＥＤが、ハイレベルで発光しなく、ローレベルで発光するようにする。このため、ＥＭ信号のデューティ比を調節して、ＯＬＥＤの輝度を制御する。

本開示の実施例は、関連技術に存在する問題を解決するために、ＯＬＥＤ表示方法、及び装置を提供する。前記技術案は、以下のとおりである。

本開示の実施例に係る第１の態様によると、ＯＬＥＤ表示方法を提供し、当該方法は、
Ｎ（Ｎは、１以上の整数である）行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップと、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップと、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するステップと、を含む。

本開示の実施例によって提供される技術案は、以下のような有益な効果を含んでもよい。Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得し、また、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定することで、最後に、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、Ｎ行目のＤａｔａ線に出力する。その中、予め設定された抵抗値と予め設定されたＥＭ信号のデューティ比とを基準として、それぞれの行のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、それぞれの行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定することによって、それぞれの行がいずれも各行に対応されるＥＭ信号のデューティ比を有するようにして、各行のＤａｔａ線のＥＭ信号を使用して各行の信号に対して別々に制御を行う場合に、それぞれの行のＤａｔａ線に対応されるＯＬＥＤの発光輝度が一致になるようにすることができて、ＯＬＥＤ製品の輝度の均一性を効果的に向上させた。

一実施例において、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップは、
Ｍ（Ｍは、１以上の整数であり、前記Ｎとは互いに異なる）行目のＤａｔａ線の抵抗値と前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比とを取得するステップと、
前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号、および、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップと、を含む。

一実施例において、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比、および、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップは、

に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップを含み、
その中、前記ＥＭ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記ＥＭ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値である。

一実施例において、前記Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップは、

に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップを含み、
前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップは、

に従って、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップを含み、
その中、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、前記Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、前記Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、前記Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である。

本開示の実施例に係る第２の態様によると、ＯＬＥＤ表示装置を提供し、当該装置は、
Ｎ（Ｎは、１以上の整数である）行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するための取得モジュールと、
前記取得モジュールによって取得された前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するための確定モジュールと、
前記確定モジュールによって確定された前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するための出力モジュールと、を備える。

一実施例において、前記確定モジュールは、第１の取得サブモジュールと第１の確定サブモジュールとを備え、
前記第１の取得サブモジュールは、Ｍ（Ｍは、１以上の整数であり、前記Ｎとは互いに異なる）行目のＤａｔａ線の抵抗値と前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比とを取得し、
前記第１の確定サブモジュールは、前記第１の取得サブモジュールによって取得された前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号、および、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定する。

一実施例において、前記第１の確定サブモジュールは、第２の確定サブモジュールを備え、
前記第２の確定サブモジュールは、

に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定し、
その中、前記ＥＭ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記ＥＭ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値である。

一実施例において、前記取得モジュールは、第２の取得サブモジュールを備え、
前記第２の取得サブモジュールは、

に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得し、
その中、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、前記Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、前記Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、前記Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である。

一実施例において、前記第１の取得サブモジュールは、第３の取得サブモジュールを備え、
前記第３の取得サブモジュールは、

に従って、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得し、
その中、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、前記Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、前記Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、前記Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である。

本開示の実施例に係る第３の態様によると、ＯＬＥＤ表示装置を提供し、当該装置は、
プロセッサと、
前記プロセッサの実行可能命令を記憶するためのメモリと、を備え、
その中、前記プロセッサは、
Ｎ（Ｎは、１以上の整数である）行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得し、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定し、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するように構成される。

本開示の実施例に係る第４の態様によると、コンピュータ命令が記憶されている、コンピュータ読み取り可能媒体を提供し、当該命令がプロセッサによって実行される際に、
Ｎ（Ｎは、１以上の整数である）行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップと、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップと、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するステップと、を実現する。

なお、前記一般的な説明及び後述の詳細な記載は、単なる例示的で解釈的な記載であり、本開示を限定するためのものではないことを、理解すべきである。

ここの図面は、明細書に組み入れて本明細書の一部分を構成し、本開示に該当する実施例を例示するためのものである。当該図面は明細書とともに本開示の原理を解釈するのに使用される。
一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤの画素回路を示す模式図である。 一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤの画素回路の作業タイミングダイヤグラムを示す模式図である。 一つの例示的な実施例１に係るＯＬＥＤ表示方法を示すフローチャートである。 一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示方法のステップＳ１０２を示すフローチャートである。 一つの例示的な実施例２に係るＯＬＥＤ表示方法を示すフローチャートである。 一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示装置の回路を示す模式図である。 一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示装置を示すブロック図である。 一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示装置の確定モジュール１２を示すブロック図である。 一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示装置の第１の確定サブモジュール１２２を示すブロック図である。 一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示装置の取得モジュール１１を示すブロック図である。 一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示装置の第１の取得サブモジュール１２１を示すブロック図である。 一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示装置８０を示すブロック図である。

ここで、例示的な実施例を詳細に説明する。また、説明中の例は、図面に示している。以下の記述において、図面を説明する際に特に説明しない場合、異なる図面中の同一の符号は、同一或は類似な要素を意味する。以下の例示的な実施例において記述する実施方法は、本開示に合致するすべての実施方法を代表しない。逆に、それらは、添付の特許請求の範囲において詳細に記述された、本開示のいくつかの態様と合致する装置、及び方法の例に過ぎない。

図１は、一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤの画素回路を示す模式図である。図１に示したように、当該回路は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）と、薄膜トランジスタＴ１〜Ｔ６と、ストレージキャパシタＣと、を含み、その中、ＯＬＥＤの陰極がＴ２の第１の端部と接続され、Ｔ２のゲートがＴ１のゲートと接続され、Ｔ４のゲートとＣの第１の端部とＴ５の第１の端部とがＴ６の第１の端部と接続され、Ｔ４の第２の端部がＴ６の第２の端部と接続され、Ｔ４の第１の端部とＴ３の第１の端部とがＴ１の第１の端部と接続され、Ｔ１の第２の端部がＣの第２の端部と接続される。

その中、Ｔ１、Ｔ２、及び、ＯＬＥＤは、基本的なＯＬＥＤ駆動関係を構成し、Ｔ３−Ｔ６は、それぞれの制御側の信号によってオンまたはオフ状態に制御されることができる。

さらに、当該回路の機能を実現するために、当該回路に必要なバイアスを印加する必要があり、具体的には、
第１の駆動電圧線には、順方向動作バイアスＥＬ_ＶＤＤが印加されており、当該第１の駆動電圧線は、Ｔ１の第２の端部と接続され、第２の駆動電圧線には、逆方向動作バイアスＥＬ_ＶＳＳが印加されており、当該第２の駆動電圧線は、ＯＬＥＤの陽極と接続され、
データ書込み電圧線には、当該回路でＯＬＥＤがどのように発光するかを設定するためのデータ書込み電圧信号（Ｄａｔａ信号）Ｖ_Ｄａｔａが印加されており、当該データ書込み電圧線は、Ｔ３の第２の端部（ソースであってもよい）と接続され、
初期化電圧線には、一定の初期化電圧信号Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ}が印加されており、当該初期化電圧線は、Ｔ５の第２の端部（ソースであってもよい）と接続される。

さらに、各薄膜トランジスタのオンまたはオフ制御のために、ここでは３本の信号線を採用してそれぞれ制御を行い、
書込みスイッチ信号線には、書込みスイッチ信号電圧信号Ｖ_Ｇａｔｅがロードされており、当該書込みスイッチ信号線は、それぞれ、Ｔ３のゲートとＴ６のゲートとに接続され、
リセットスイッチ信号線には、リセットスイッチ信号電圧信号（Ｒｅｓｅｔ信号）Ｖ_Ｒｅｆがロードされており、当該リセットスイッチ信号線は、Ｔ５のゲートと接続され、
駆動スイッチ信号線には、駆動スイッチ信号電圧信号（ＥＭ信号）Ｖ_{Ｅｍｉｓｓｉｏｎ}がロードされており、当該駆動スイッチ信号線は、Ｔ１のゲートとＴ２のゲートとに接続される。

当然ながら、すべてのバイアス電圧の電位ゼロ点は、いずれも、一つの共通端子に接続され、すべての信号電圧の電位ゼロ点も、いずれも、一つの共通端子に接続される。

当該回路の作業タイミングダイヤグラムを示す図２を参照すると、Ｖ_Ｇａｔｅ、Ｖ_Ｒｅｆ、Ｖ_{Ｅｍｉｓｓｉｏｎ}、Ｖ_Ｄａｔａ、Ｃは、それぞれ、書込みスイッチ信号、リセットスイッチ信号、駆動スイッチ信号、データ書込み電圧線、および、キャパシタ充電および放電信号を代表する。

具体的に説明すると、Ｖ_Ｒｅｆがローレベルであり、Ｖ_Ｇａｔｅがハイレベルであると、トランジスタＴ５はオンになり、この時はリセット段階にあり、
Ｖ_Ｒｅｆがハイレベルであり、Ｖ_Ｇａｔｅがハイレベルであり、Ｖ_Ｄａｔａもハイレベルであると、データ書込み段階に属し、キャパシタＣを充電し、
Ｖ_Ｒｅｆがハイレベルであり、Ｖ_Ｇａｔｅがローレベルであると、発光段階に属し、この時、Ｃは放電操作を行うことで、ＯＬＥＤが発光するようにする。

上記の分析から分かるように、ＯＬＥＤが電流駆動型部品であるため、ＯＬＥＤの表示パネル（ｐａｎｅｌ）のルーティング（配線）上の抵抗が変化するため、ｐａｎｅｌの遠い側の抵抗がｐａｎｅｌの近い側の抵抗よりも大きい。ｐａｎｅｌのルーティング上の抵抗の増加により、電流はｐａｎｅｌのルーティング上で電圧降下を発生させ、ＯＬＥＤに入力される対応する電流も低下し、ＯＬＥＤ製品の輝度の均一性が悪くなる。

本開示によると、Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得し、また、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定することで、最後に、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、Ｎ行目のＤａｔａ線に出力する。その中、予め設定された抵抗値と予め設定されたＥＭ信号のデューティ比とを基準として、それぞれの行のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、それぞれの行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定することによって、それぞれの行がいずれも各行に対応されるＥＭ信号のデューティ比を有するようにして、各行のＤａｔａ線のＥＭ信号を使用して各行の信号に対して別々に制御を行う場合に、それぞれの行のＤａｔａ線に対応されるＯＬＥＤの発光輝度が一致になるようにすることができて、ＯＬＥＤ製品の輝度の均一性を効果的に向上させた。

図３は、一つの例示的な実施例１に係るＯＬＥＤ表示方法を示すフローチャートであり、図３に示したように、当該方法は、以下のステップＳ１０１〜Ｓ１０３を含む。

ステップＳ１０１において、Ｎ（Ｎは、１以上の整数である）行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得する。

ステップＳ１０２において、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定する。

ステップＳ１０３において、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、Ｎ行目のＤａｔａ線に出力する。

ＯＬＥＤ製品の表示過程における不均一性は、主要なルーティング低下によって引き起こされる。最も主要なルーティング低下は、Ｄａｔａ線上の抵抗の増加によって引き起こされる。Ｄａｔａ線の入力側から遠いところの抵抗がＤａｔａ線の入力側に近いところの抵抗よりも大きく、Ｄａｔａ線上の抵抗は増加されるが、各行のＤａｔａ線上のＥＭ信号のデューティ比は同一であるため、ＯＬＥＤ電流は、Ｄａｔａ線の長さの増加につれて、低下し、さらに、ＯＬＥＤ表示輝度の低下をもたらし、ＯＬＥＤ製品の表示過程における不均一性を引き起こす。

本開示においては、ＯＬＥＤ製品の表示過程における輝度を均一にするために、それぞれの行のＤａｔａ線のＥＭ信号を、別々に、制御し、即ち、それぞれの行のＤａｔａ線のＥＭ信号は独立されており、このようにして、Ｄａｔａ線上の抵抗の変化によって引き起こされるＯＬＥＤ製品の表示過程における輝度が不均一になる問題を、効果的に避けることができる。

それぞれの行のＤａｔａ線のＥＭ信号は独立されるが、Ｄａｔａ線上の抵抗の変化は変更できない。したがって、Ｄａｔａ線の抵抗値に基づいて、それぞれの行のＤａｔａ線のＥＭ信号を確定することで、ＯＬＥＤ電流に対するＤａｔａ線の抵抗値の変化の影響を避ける必要がある。

まず、一つの抵抗値と一つのＥＭ信号を予め設定し、予め設定された抵抗値と予め設定されたＥＭ信号のデューティ比とを基準として、それぞれの行のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、それぞれの行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定することによって、それぞれの行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比は、当該行のＤａｔａ線の抵抗値を基盤にしてもよい。

本開示によると、Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得し、また、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定することで、最後に、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、Ｎ行目のＤａｔａ線に出力する。その中、予め設定された抵抗値と予め設定されたＥＭ信号のデューティ比とを基準として、それぞれの行のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、それぞれの行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定することによって、それぞれの行がいずれも各行に対応されるＥＭ信号のデューティ比を有するようにして、各行のＤａｔａ線のＥＭ信号を使用して各行の信号に対して別々に制御を行う場合に、それぞれの行のＤａｔａ線に対応されるＯＬＥＤの発光輝度が一致になるようにすることができて、ＯＬＥＤ製品の輝度の均一性を効果的に向上させた。

各ＯＬＥＤ製品は、いずれも、それ自体の特性を有しているため、予め設定された抵抗値と予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比とを使用する場合、現在のＯＬＥＤ製品の需要を満足させることができない可能性があり、最終的な表示効果が最適な効果に達することができない。このため、図４に示したように、上記のステップＳ１０２は、以下のステップＳ１０２１〜ステップＳ１０２２によって実施されてもよい。

ステップＳ１０２１において、Ｍ（Ｍは、１以上の整数であり、且つ、Ｎと互いに異なる）行目のＤａｔａ線の抵抗値とＭ行目のＥＭ信号のデューティ比とを取得する。

ステップＳ１０２２において、Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、Ｍ行目のＥＭ信号、および、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定する。

ＯＬＥＤ製品の各行のＤａｔａ線の中のある行のＤａｔａ線の抵抗値と当該行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比とを確定して、上記の予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比として設定することによって、当該行のＤａｔａ線の抵抗値と当該行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比とに基づいて、他の行のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号とを調整してもよい。

当該ＯＬＥＤ製品のある行のＤａｔａ線の抵抗値と当該行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比とに基づいて、他の行のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号とを調整するため、調整後の他の行のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号とが現在のＯＬＥＤ製品にもっと適合されるようにして、現在のＯＬＥＤ製品の表示均一性を確保する。

本実施例は、Ｍ行目のＤａｔａ線がどの行であるかに対して、限定しなく、Ｎ行目と互いに異なればよい。

例えば、４行目のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号とに基づいて、他の行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定してもよきし、１行目のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号とに基づいて、他の行のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定してもよい。

一例として、第Ｎ−１行のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号とに基づいて、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定してもよく、この時、Ｎが２以上の整数であり、ＭはＮ−１である。

例えば、１行目のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号とに基づいて、２行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定し、２行目のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号とに基づいて、３行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定し、３行目のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号とに基づいて、４行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定し、…、このように類推する。

本開示の実施例によって提供される技術案は、以下のような有益な効果を含んでもよい。Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値とＭ行目のＥＭ信号のデューティ比とを取得し、続いて、Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、Ｍ行目のＥＭ信号、および、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定することによって、調整後の他の行のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号とが現在のＯＬＥＤ製品にもっと適合されるようにして、現在のＯＬＥＤ製品の表示均一性を確保する。

一実施例において、Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比、および、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップは、

に従って、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップを含み、
その中、ＥＭ（Ｎ）は、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、ＥＭ（Ｍ）は、Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比であり、Ｒ（Ｍ）は、Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、Ｒ（Ｎ）は、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値である。

Ｍ行目とＮ行目とで同一のＯＬＥＤ発光電流があるように実現する場合、ＥＭ信号に対して補償によって実施されることができ、即ち、Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比、および、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定してもよい。

例えば、２行目のＤａｔａ線の抵抗値、２行目のＥＭ信号のデューティ比、および、３行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、３行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定する場合は、

に従って、３行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定してもよい。

その中、ＥＭ（３）は、３行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、ＥＭ（２）は、２行目のＥＭ信号のデューティ比であり、Ｒ（３）は、３行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、Ｒ（２）は、２行目のＤａｔａ線の抵抗値である。

本開示の実施例によって提供される技術案は、以下のような有益な効果を含んでもよい。Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値とＥＭ信号のデューティ比とを基準として、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいてＮ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比とを確定することによって、Ｎ行目がそれ自体に対応されるＥＭ信号のデューティ比を有するようにし、各行のＤａｔａ線のＥＭ信号を使用して各行の信号に対して別々に制御を行う場合、それぞれの行のＤａｔａ線に対応されるＯＬＥＤの発光輝度が一致になるようにすることができて、ＯＬＥＤ製品の輝度の均一性を効果的に向上させた。

一実施例において、Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップは、

に従って、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップを含み、
Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップは、

に従って、Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップを含み、
その中、Ｒ（Ｎ）は、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、Ｒ（Ｍ）は、Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である。

ＲはＤａｔａ線の初期抵抗値であり、ｐａｎｅｌのサイズと解像度の違いにより、異なる値を有することができる。

現在の媒介の抵抗値を算出する場合，一般的には、

を使用して算出し，その中、Ｒは、現在の媒介の抵抗値であり、Ｓは、現在の媒介の断面積であり、Ｌは、現在の媒介の長さであり、ρは、現在の媒介の抵抗率である。

本開示においては、上記の式に従って，

使用してＮ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得し、また、

を使用してＭ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得する。

本開示の実施例によって提供される技術案は、以下のような有益な効果を含んでもよい。現在の行のＤａｔａ線の抵抗値を取得して、現在の行のＤａｔａ線の抵抗値を使用してＥＭ信号のデューティ比を確定することによって、それぞれの行のＤａｔａ線に対応されるＯＬＥＤの発光輝度が一致になるようにすることができて、ＯＬＥＤ製品の輝度の均一性を効果的に向上させた。

図５は、一つの例示的な実施例２に係るＯＬＥＤ表示方法を示すフローチャートであり、図６は、一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示装置の回路を示す模式図である。図６の各部品は、アレイテスト（Ａｒｒａｙ Ｔｅｓｔ）、チップオンフィルム（ＣＯＦ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）パッド（Ｐａｄ）、ＧＯＡ（ｇａｔｅ ｏｎ ｇｌａｓｓ）を含み、ＥＬ_ＶＤＤは、上記の実施例に記載の第１の駆動電圧線に印加される順方向動作バイアスであり、ＥＬ_ＶＳＳは、上記の実施例に記載の第２の駆動電圧線に印加される逆方向動作バイアスである。図５に示したように、当該方法は、以下のステップＳ２０１〜Ｓ２０４を含む。

ステップＳ２０１において、Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値とＥＭ信号のデューティ比とを取得する。

に従って、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得する。

その中、Ｒ（Ｎ）は、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である。

ステップＳ２０２において、Ｎ＋１行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得する。

に従って、Ｎ＋１行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得する。

その中、Ｒ（Ｎ＋１）は、Ｎ＋１行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である。

ステップＳ２０３において、Ｎ＋１行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を取得する。

を確定することで、Ｎ＋１行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比ＥＭ（Ｎ＋１）を取得し、
その中、ＥＭ（Ｎ）は、Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、ＥＭ（Ｎ＋１）は、Ｎ＋１行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、Ｒ（Ｎ＋１）は、Ｎ＋１行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、Ｒ（Ｎ）は、Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値である。

ステップＳ２０４において、Ｎ＋１行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、Ｎ＋１行目のＤａｔａ線に出力する。

以下は、本開示の装置の実施例であり、本開示の方法の実施例を実行することができる。

図７は、一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示装置を示すブロック図である。図７に示したように、当該ＯＬＥＤ表示装置は、
Ｎ（Ｎは、１以上の整数である）行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するための取得モジュール１１と、
前記取得モジュール１１によって取得された前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するための確定モジュール１２と、
前記確定モジュール１２によって確定された前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するための出力モジュール１３と、を備える。

一実施例において、図８に示したように、前記確定モジュール１２は、第１の取得サブモジュール１２１と第１の確定サブモジュール１２２と、を備え、
前記第１の取得サブモジュール１２１は、Ｍ（Ｍは、１以上の整数であり、前記Ｎとは互いに異なる）行目のＤａｔａ線の抵抗値と前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比とを取得し、
前記第１の確定サブモジュール１２２は、前記第１の取得サブモジュール１２１によって取得された前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号及び前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定する。

一実施例において、図９に示したように、前記第１の確定サブモジュール１２２は、第２の確定サブモジュール１２２１を備え、
前記第２の確定サブモジュール１２２１は、

に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定し、
その中、前記ＥＭ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記ＥＭ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値である。

一実施例において、図１０に示したように、前記取得モジュール１１は、第２の取得サブモジュール１２３を備え、
前記第２の取得サブモジュール１２３は、

に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得し、
その中、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、前記Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、前記Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、前記Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である。

一実施例において、図１１に示したように、前記第１の取得サブモジュール１２１は、第３の取得サブモジュール１２１１を備え、
前記第３の取得サブモジュール１２１１は、

に従って、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得し、
その中、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、前記Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、前記Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、前記Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である。

本開示の実施例に係る第３の態様によると、ＯＬＥＤ表示装置を提供し、当該装置は、
プロセッサと、
プロセッサの実行可能命令を記憶するためのメモリと、を備え、
その中、プロセッサは、
Ｎ（Ｎは、１以上の整数である）行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップと、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップと、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するステップと、を実行するように構成される。

上記のプロセッサは、さらに、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップは、
Ｍ（Ｍは、１以上の整数であり、前記Ｎとは互いに異なる）行目のＤａｔａ線の抵抗値と前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比とを取得するステップと、
前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号、および、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップと、を含むように構成される。

前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比、および、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップは、

に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップを含み、
その中、前記ＥＭ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記ＥＭ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値である。

前記Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップは、

に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップを含み、
前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップは、

に従って、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップを含み、
その中、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、前記Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、前記Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、前記Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である。

上記の実施例における装置については、その各モジュールが操作を実行する具体的な方式が、既に、関連される方法の実施例で詳細に説明されているため、ここでは繰り返して詳細に説明しない。

図１２は、一つの例示的な実施例に係るＯＬＥＤ表示装置８０を示すブロック図であり、当該装置は端末機器に適用される。

装置８０は、プロセスアセンブリ８０２、メモリ８０４、電源アセンブリ８０６、マルチメディアアセンブリ８０８、オーディオアセンブリ８１０、入出力（Ｉ／Ｏ）インターフェイス８１２、センサアセンブリ８１４、及び通信アセンブリ８１６の中の一つ又は複数のアセンブリを含んでよい。

プロセスアセンブリ８０２は、一般的には装置８０の全体の動作を制御するものであり、例えば、表示、電話呼び出し、データ通信、カメラ動作、及び記録動作と関連する動作を制御する。プロセスアセンブリ８０２は、一つ又は複数のプロセッサ８２０を含み、これらによって命令を実行することにより、上記の方法の全部、或は一部のステップを実現するようにしてもよい。なお、プロセスアセンブリ８０２は、一つ以上のモジュールを含み、これらによってプロセスアセンブリ８０２と他のアセンブリの間のインタラクションを容易にするようにしてもよい。例えば、プロセスアセンブリ８０２は、マルチメディアモジュールを含み、これらによってマルチメディアアセンブリ８０８とプロセスアセンブリ８０２の間のインタラクションを容易にするようにしてもよい。

メモリ８０４は、各種類のデータを記憶することにより装置８０の動作を支援するように構成される。これらのデータの例は、装置８０において動作するいずれのアプリケーションプログラム又は方法の命令、連絡対象データ、電話帳データ、メッセージ、画像、ビデオ等を含む。メモリ８０４は、いずれの種類の揮発性メモリ、不揮発性メモリ記憶デバイスまたはそれらの組み合わせによって実現されてもよく、例えば、ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｂｅｒ）、磁気メモリ、フラッシュメモリ、磁気ディスク、或いは光ディスクである。

電源アセンブリ８０６は、装置８０のそれぞれのアセンブリに電力を供給する。電源アセンブリ８０６は、電源管理システム、一つ又は複数の電源、及び装置８０のための電力の生成、管理及び割り当てに関連付けられている他のアセンブリを含んでもよい。

マルチメディアアセンブリ８０８は、前記装置８０とユーザの間に一つの出力インターフェイスを提供するスクリーンを含む。上記の実施例において、スクリーンは液晶モニター（ＬＣＤ）とタッチパネル（ＴＰ）を含んでもよい。スクリーンがタッチパネルを含む場合、スクリーンはタッチスクリーンと実現することができ、ユーザからの入力信号を受信することができる。タッチパネルは一つ又は複数のタッチセンサを含んでおり、タッチ、スワイプ、及びタッチパネル上のジェスチャを検出することができる。前記タッチセンサは、タッチ、或はスワイプの動作の境界位置だけでなく、前記のタッチ、或はスワイプ操作に係る継続時間及び圧力も検出できる。上記の実施例において、マルチメディアアセンブリ８０８は、一つのフロントカメラ、及び／又はリアカメラを含む。装置８０が、例えば撮影モード、或はビデオモード等の動作モードにある場合、フロントカメラ、及び／又はリアカメラは外部からマルチメディアデータを受信できる。それぞれのフロントカメラとリアカメラのそれぞれは、一つの固定型の光レンズ系、或は可変焦点距離と光学ズーム機能を有するものであってもよい。

オーディオアセンブリ８１０は、オーディオ信号を入出力するように構成されてもよい。例えば、オーディオアセンブリ８１０は、一つのマイク（ＭＩＣ）を含み、装置８０が、例えば呼出しモード、記録モード、及び音声認識モード等の動作モードにある場合、マイクは外部のオーディオ信号を受信するように構成されてもよい。受信されたオーディオ信号は、さらにメモリ８０４に記憶されたり、通信アセンブリ８１６を介して送信されたりされる。上記の実施例において、オーディオアセンブリ８１０は、オーディオ信号を出力するための一つのスピーカーをさらに含む。

Ｉ／Ｏインターフェイス８１２は、プロセスアセンブリ８０２と周辺インターフェイスモジュールの間にインターフェイスを提供するものであり、上記周辺インターフェイスモジュールは、キーボード、クリックホイール、ボタン等であってもよい。これらのボタンは、ホームボタン、ボリュームボタン、作動ボタン、ロッキングボタンを含んでもよいが、これらに限定されない。

センサアセンブリ８１４は、装置８０に各種の状態に対する評価を提供するための一つ以上のセンサを含む。例えば、センサアセンブリ８１４は、装置８０のＯＮ／ＯＦＦ状態、装置８０のディスプレイとキーパッドのようなアセンブリの相対的な位置決めを検出できる。また、例えば、センサアセンブリ８１４は、装置８０、或は装置８０の一つのアセンブリの位置変更、ユーザと装置８０とが接触しているか否か、装置８０の方位、又は加速／減速、装置８０の温度の変化を検出できる。センサアセンブリ８１４は、何れの物理的接触がない状態にて付近の物体の存在を検出するための近接センサを含んでもよい。センサアセンブリ８１４は、撮影アプリケーションに適用するため、ＣＭＯＳ、又はＣＣＤ画像センサのような光センサを含んでもよい。上記の実施例において、当該センサアセンブリ８１４は、加速度センサ、ジャイロスコープセンサ、磁気センサ、圧力センサ、及び温度センサをさらに含んでもよい。

通信アセンブリ８１６は、装置８０と他の機器の間の有線、又は無線通信に便利するように構成される。装置８０は、例えばＷｉＦｉ（登録商標）、２Ｇ、３Ｇ、或はこれらの組み合わせのような、通信標準に基づいた無線ネットワークに接続されてもよい。一つの例示的な実施例において、通信アセンブリ８１６は、放送チャンネルを介して外部の放送管理システムからの放送信号、又は放送に関連する情報を受信する。一つの例示的な実施例において、前記通信アセンブリ８１６は、近距離無線通信（ＮＦＣ）モジュールをさらに含むことにより、近距離通信を可能にする。例えば、ＮＦＣモジュールは、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）技術、ＩｒＤＡ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｄａｔａ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）技術、ＵＷＢ（Ｕｌｔｒａ Ｗｉｄｅ Ｂａｎｄ）技術、ＢＴ（Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標））技術、他の技術に基づいて実現できる。

例示的な実施例において、装置８０は、一つ又は複数のＡＳＩＣ（ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、ＤＳＰＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）、ＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）、コントローラ、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、または他の電子部品によって実現されるものであり、上記方法を実行することができる。

例示的な実施例において、さらに、命令を含むコンピュータ読取り可能な非一時的な記録媒体を提供し、例えば命令を含むメモリ８０４を提供しており、装置８０のプロセッサ８１８により上記命令を実行して上記方法を実現する。例えば、前記コンピュータ読取り可能な非一時的な記録媒体は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＤ−ＲＯＭ、磁気テープ、フロッピーディスク（登録商標）、光データ記憶デバイス等である。

非一時的のコンピュータ読み取り可能媒体は、前記記憶媒介中の命令が装置８０のプロセッサによって実行される時に、装置８０が上記のＯＬＥＤ表示方法を実行するようにし、前記方法は、
Ｎ（Ｎは、１以上の整数である）行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップと、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップと、
前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するステップと、を含む。

前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップは、
Ｍ（Ｍは、１以上の整数であり、前記Ｎとは互いに異なる）行目のＤａｔａ線の抵抗値と前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比とを取得するステップと、
前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号、および、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップと、を含む。

前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比、および、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップは、

に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップを含み、
その中、前記ＥＭ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記ＥＭ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値である。

前記Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップは、

に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップを含み、
前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップは、

に従って、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップを含み、
その中、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、前記Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、前記Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、前記Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である。

当業者は、明細書を検討して本開示を実施した後、本開示の他の実施例を容易に考え出すことができる。本願は、本開示のいずれの変形、用途、又は適応的な変更をカバーすることを意図しており、これらの変形、用途、又は適応的な変更は、本開示の一般的な原理に従い、また、本開示は公開していない当該技術分野の公知の知識又は通常の技術手段を含む。明細書と実施例はただ例示として考慮され、本開示の本当の範囲と趣旨は以下の特許請求の範囲に記載される。

本開示は上記に記述され、また図面で示した厳密な構成に限定されず、その範囲を逸脱しない限り多様な修正と変更を行うことができると、理解されるべきである。本開示の範囲は添付の特許請求の範囲のみにより限定される。

Claims (10)

1. Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップと、
   前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップと、
   前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するステップと、を含み、
   前記Ｎは、１以上の整数である
   ことを特徴とするＯＬＥＤ表示方法。
2. 前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップは、
   Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値と前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比とを取得するステップと、
   前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号、および、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップと、を含み、
   前記Ｍは、１以上の整数であり、前記Ｎとは互いに異なる
   ことを特徴とする請求項１に記載のＯＬＥＤ表示方法。
3. 前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比、および、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップは、
   

   

   に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップを含み、
   その中、前記ＥＭ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記ＥＭ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値である
   ことを特徴とする請求項２に記載のＯＬＥＤ表示方法。
4. 前記Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップは、
   

   

   に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップを含み、
   前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップは、
   

   

   に従って、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得するステップを含み、
   その中、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、前記Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、前記Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、前記Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である
   ことを特徴とする請求項２又は３に記載のＯＬＥＤ表示方法。
5. Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するための取得モジュールと、
   前記取得モジュールによって取得された前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するための確定モジュールと、
   前記確定モジュールによって確定された前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するための出力モジュールと、を備え、
   前記Ｎは、１以上の整数である
   ことを特徴とするＯＬＥＤ表示装置。
6. 前記確定モジュールは、第１の取得サブモジュールと第１の確定サブモジュールとを備え、
   前記第１の取得サブモジュールは、Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値と前記Ｍ行目のＥＭ信号のデューティ比とを取得し、前記Ｍは、１以上の整数であり、前記Ｎとは互いに異なり、
   前記第１の確定サブモジュールは、前記第１の取得サブモジュールによって取得された前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値、前記Ｍ行目のＥＭ信号、および、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定する
   ことを特徴とする請求項５に記載のＯＬＥＤ表示装置。
7. 前記第１の確定サブモジュールは、第２の確定サブモジュールを備え、
   前記第２の確定サブモジュールは、
   

   

   に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定し、
   その中、前記ＥＭ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記ＥＭ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値である
   ことを特徴とする請求項６に記載のＯＬＥＤ表示装置。
8. 前記取得モジュールは、第２の取得サブモジュールを備え、前記第１の取得サブモジュールは、第３の取得サブモジュールを備え、
   前記第２の取得サブモジュールは、
   

   

   に従って、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得し、
   前記第３の取得サブモジュールは、
   

   

   に従って、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値を取得し、
   その中、前記Ｒ（Ｎ）は、前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記Ｒ（Ｍ）は、前記Ｍ行目のＤａｔａ線の抵抗値であり、前記ρは、Ｄａｔａ線の抵抗率であり、前記Ｌは、単一画素Ｄａｔａ線の長さであり、前記Ｓは、Ｄａｔａ線の横断面積であり、前記Ｒは、Ｄａｔａ線の初期抵抗値である
   ことを特徴とする請求項６又は７に記載のＯＬＥＤ表示装置。
9. プロセッサと、
   前記プロセッサの実行可能命令を記憶するためのメモリと、を備え、
   その中、前記プロセッサは、
   Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得し、前記Ｎは、１以上の整数であり、
   前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定し、
   前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するように構成される
   ことを特徴とするＯＬＥＤ表示装置。
10. コンピュータ命令が記憶されている、コンピュータ読み取り可能媒体であって、
    前記命令がプロセッサによって実行される際に、
    Ｎ行目のＤａｔａ（データ）線の抵抗値を取得するステップと、
    前記Ｎ行目のＤａｔａ線の抵抗値、予め設定された抵抗値、および、予め設定されたＥＭ（発光）信号のデューティ比に基づいて、前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比を確定するステップと、
    前記Ｎ行目のＤａｔａ線のＥＭ信号のデューティ比に基づいて、制御信号を、前記Ｎ行目のＤａｔａ線に出力するステップと、を実現し、
    前記Ｎは、１以上の整数である
    ことを特徴とするコンピュータ読み取り可能媒体。
    

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