JP2021502558A - 非破壊材料検査の方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
Description
B(x)=μ0(H(x)+M(x))=F(H(x))
ここで、H(x)は、空中の位置(x)と共に変化し得る印加された磁場強度(アンペア/メートルの単位)であり、M(x)は材料の当初磁化状態だけでなく位置(x)にも依存する磁化(アンペア/メートルの単位)であり、μ0は透磁率定数(ヘンリー/メートルの単位)であり、B(x)は空中の位置(x)と共に変化し得る磁束密度(テスラの単位)であり、F(H(x))はH(x)に線型に依存する関数である。以降、B(x)、H(x)、M(x)、F(H(x))はそれぞれB、H、M、F(H)と呼ばれる及び/又は対応パラメータが時間と共に変化すればB(t)、H(t)、M(t)、F(H(t))と呼ばれる。この線形従属性は静磁場において見られるタイプの応答である。漏洩磁束(MFL)及び電磁超音波トランスデューサ(EMAT)ツールなどの現在の検査ツールは、Hに主として線型に依存する関数に応答するように構成される。強磁性材料に関しこの依存性は複雑となり得るということに注意すべきである。印加磁場が時変である場合、線形演算子はもはや印加磁場と磁化との間の関係を記述しない。印加時変磁場H(t)による強磁性材料中の磁束密度B(t)は、一連の非線形関数の時間積分と共に線形演算子により近似され得る:
本発明の第1の実施形態は、少なくとも1つのヒステリシス強磁性材料及び/又は少なくとも1つの非ヒステリシス材料の材料状態を判断する方法である。本方法は、ヒステリシス強磁性材料及び/又は非ヒステリシス材料を入力時変磁場により調査する工程と;ヒステリシス強磁性材料及び/又は非ヒステリシス材料からの経時的磁気応答及び/又は音響応答を検出する工程と;受信された磁気応答及び/又は音響応答の時間依存非線形特性を判断する工程と;受信された磁気応答及び/又は音響応答の時間依存非線形特性と材料の1つ又は複数の材料状態とを相関付ける工程とを含む。任意選択的に、この実施形態は、以下の要素のうちの1つ又は複数の要素を含み得る:
要素1:調査用磁場は追加磁場を含む;
要素2:追加磁場は一定直流磁場を含む要素1;
要素3:調査用磁場は消磁磁場を含む;
要素4:材料の1つ又は複数の材料状態は材料相であり、材料は少なくとも1つのヒステリシス強磁性材料を含む;
要素5:材料の1つ又は複数の材料状態は材料相であり、材料は少なくとも1つの非ヒステリシス材料を含む;
要素6:材料の1つ又は複数の材料状態は非ヒステリシス材料の存在であり、材料は少なくとも1つのヒステリシス強磁性材料を含む;
要素7:時間依存非線形特性を判断する工程は、パワースペクトル密度データを生成するために、受信された磁気応答及び/又は音響応答のパワースペクトル密度解析を含む周波数領域解析を行う工程を含む;
要素8:時間依存非線形特性を判断する工程はパワースペクトル密度データの1つ又は複数の高調波ピーク値を判断する工程を含む要素7;
要素9:1つ又は複数の高調波ピーク値を判断する工程はスペクトル密度データの1つ又は複数の高調波係数を判断する工程を含む要素8;
要素10:1つ又は複数の高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程はスペクトル密度データの奇数高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程を含む要素9;
要素11:奇数高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程はスペクトル密度データの第3及び/又は第5高調波を判断する工程を含む要素10;
要素12:時間依存非線形特性を相関付ける工程は第3及び/又は第5高調波と1つ又は複数の材料状態とを比較し相関付ける工程を含む要素11;
要素13:1つ又は複数の高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程はスペクトル密度データの偶数高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程を含む要素9;
要素14:偶数高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程はスペクトル密度データの第2高調波を判断する工程を含む要素13;
要素15:時間依存非線形特性を相関付ける工程は、第2高調波と、材料の磁化状態及び材料の既存残留磁化を含む追加材料情報とを比較し相関付ける工程を含む要素14。
要素16:1つ又は複数の材料状態はヒステリシス強磁性材料及び/又は非ヒステリシス材料の少なくとも1つの材料相の存在を含む;
要素17:ヒステリシス強磁性材料は鋼を含み、材料相はオーステナイト、マルテンサイト、フェライト、パーライト、ベイナイト、ラスベイナイト、針状フェライト、準多角形状フェライトのうちの少なくとも1つを含む;
要素18:材料の1つ又は複数の材料状態は材料の1つ又は複数の第1の材料状態であり;本方法はさらに、材料の1つ又は複数の第2の材料状態を生成するために異なる構成で入力時変磁場により、調査する工程と、検出する工程と、判断する工程と、相関付ける工程とを反復する工程と;1つ又は複数の材料状態を表す組み合わされたデータセットを生成するために材料の1つ又は複数の第1の材料状態と1つ又は複数の第2の材料状態とを組み合わせる工程とを含む;組み合わせの例は、限定しないが、以下の組み合わせを含む:要素1と要素3との組み合わせ、及び任意選択的に要素2とのさらなる組み合わせ;要素4〜6のうちの2つ以上の要素の組み合わせ;要素7、要素8、要素10(任意選択的に要素11及び要素12の一方又は両方)、要素13(任意選択的に要素14及び要素15の一方又は両方を伴う)の組み合わせ;要素16と要素4〜6のうちの1つ又は複数の要素との組み合わせ、及び任意選択的に、さらに要素17との組み合わせ;要素16と要素17の組み合わせ;要素18と、要素1〜17のうちの1つ又は複数の要素との組み合わせ;及びそれらの任意の組み合わせ。
要素19:本デバイスはユーザに材料の1つ又は複数の状態を示すように構成された出力デバイスを含む;
要素20:本デバイスは適切な即時リアルタイム行為について1人又は複数のユーザに通知することを意味する指示器を含み、ユーザは指示器を直接観測し得る要素19;
要素21:本デバイスは、ユーザと通信するためのデバイスを含み得、これもまた、適切な即時リアルタイム行為についてユーザに通知することを意味するが、ユーザは離れた場所にいてもよく、通信は有線経路を介しても無線経路を介してもよい。
要素22:本デバイスは即時リアルタイム行為のためのものではない後の検索及び後処理のためのデータ収集及び格納デバイスを含む要素19。
要素23:上記処理は、磁気信号及び/又は音響信号の時間依存非線形特性をオンボードコンピュータによりリアルタイムで判断し相関付けることを含む;
要素24:磁気信号及び/又は音響信号は、磁気信号及び/又は音響信号の時間依存非線形特性を判断し相関付ける工程を含む後処理工程のためにコンピュータ可読ストレージ媒体へ格納される;
要素25:少なくとも1つの磁気センサ及び/又は音響センサは周囲の様々な位置における及び/又は少なくとも1つの磁気送信機のそれぞれと対にされる磁気センサ及び/又は音響センサの4つの複製である;
要素26:少なくとも1つの磁気センサ及び/又は音響センサは周囲の様々な位置における及び/又は少なくとも1つの磁気送信機のそれぞれと対をなす磁気センサ及び/又は音響センサの8つの複製である;組み合わせの例は、限定しないが、以下の組み合わせを含む:要素1と要素3との組み合わせ、及び任意選択的に要素2とのさらなる組み合わせ;要素4〜6のうちの2つ以上の要素の組み合わせ;要素7、要素8、要素10(任意選択的に要素11及び要素12の一方又は両方)、要素13(任意選択的に要素14及び要素15の一方又は両方を伴う)の組み合わせ;要素16と要素4〜6のうちの1つ又は複数の要素との組み合わせ、及び任意選択的に、さらに要素17との組み合わせ;要素16と要素17の組み合わせ;要素18と、要素1〜17のうちの1つ又は複数の要素との組み合わせ;要素1〜18のうちの1つ又は複数の要素と要素19〜26のうちの1つ又は複数の要素との組み合わせ;要素19と、要素20〜22のうちの2つ以上の要素及び任意選択的に要素23、24の一方又は両方との組み合わせ;要素25と要素26との組み合わせ(例えば、2つ以上の構成のデバイスがツール内などで一緒に実現される);要素25及び/又は要素26と、要素1〜24のうちの1つ又は複数の要素との組み合わせ;及びそれらの任意の組み合わせ。
Claims (24)
- 少なくとも1つのヒステリシス強磁性材料及び/又は少なくとも1つの非ヒステリシス材料の材料状態を判断するための方法であって、
前記ヒステリシス強磁性材料及び/又は前記非ヒステリシス材料を入力時変磁場により調査する工程と;
前記ヒステリシス強磁性材料及び/又は前記非ヒステリシス材料から経時的に磁気応答及び/又は音響応答を検出する工程と;
前記受信された磁気応答及び/又は音響応答の時間依存非線形特性を判断する工程と;
前記受信された磁気応答及び/又は音響応答の前記時間依存非線形特性と前記材料の1つ又は複数の材料状態とを相関付ける工程とを含む方法。 - 調査用磁場は追加磁場を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記追加磁場は一定直流磁場を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記調査用磁場は消磁磁場を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記材料の前記1つ又は複数の材料状態は材料相であり、前記材料は少なくとも1つのヒステリシス強磁性材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記材料の前記1つ又は複数の材料状態は非ヒステリシス材料の存在であり、前記材料は少なくとも1つのヒステリシス強磁性材料を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記時間依存非線形特性を判断する工程は、パワースペクトル密度データを生成するために前記受信された磁気応答及び/又は音響応答のパワースペクトル密度解析を含む周波数領域解析を行う工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記時間依存非線形特性を判断する工程は前記パワースペクトル密度データの1つ又は複数の高調波ピーク値を判断する工程を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の高調波ピーク値を判断する工程は前記スペクトル密度データの1つ又は複数の高調波係数を判断する工程を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程は前記スペクトル密度データの奇数高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記奇数高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程は前記スペクトル密度データの第3及び/又は第5高調波を判断する工程を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記時間依存非線形特性を相関付ける工程は前記第3及び/又は第5高調波と前記1つ又は複数の材料状態とを比較し相関付ける工程を含む、請求項11に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程は前記スペクトル密度データの偶数高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記偶数高調波係数及び/又はピーク値を判断する工程は前記スペクトル密度データの第2高調波を判断する工程を含む、請求項13に記載の方法。
- 前記時間依存非線形特性を相関付ける工程は、第2高調波と、前記材料の磁化状態及び前記材料の既存残留磁化を含む追加材料情報とを比較し相関付ける工程を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記材料の前記1つ又は複数の材料状態は前記材料の1つ又は複数の第1の材料状態であり;
前記材料の1つ又は複数の第2の材料状態を生成するために異なる構成で前記入力時変磁場により、調査する工程と、検出する工程と、判断する工程と、相関付ける工程とを反復する工程と;
前記1つ又は複数の材料状態を表す組み合わされたデータセットを生成するために前記材料の前記1つ又は複数の第1の材料状態と1つ又は複数の第2の材料状態とを組み合わせる工程とをさらに含む請求項1に記載の方法。 - 入力時変磁場によりヒステリシス強磁性材料及び/又は非ヒステリシス材料を調査する工程と;磁気センサ及び/又は音響センサから経時的に磁気応答及び/又は音響応答を検出する工程と;前記受信された磁気応答及び/又は音響応答の時間依存非線形特性を判断する工程と;前記受信された磁気応答及び/又は音響応答の前記時間依存非線形特性と前記材料の1つ又は複数の材料状態とを相関付ける工程とを含む方法を行うための命令を含む非一時的コンピュータ可読媒体。
- 前記時間依存非線形特性を判断する工程はパワースペクトル密度データを含む周波数領域データを生成するために前記受信された磁気応答及び/又は音響応答のパワースペクトル密度解析を含む周波数領域解析を行う工程を含む、請求項17に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- 少なくとも1つのヒステリシス強磁性材料及び/又は少なくとも1つの非ヒステリシス材料の材料状態を検出するためのデバイスであって、
調査用時変磁場を出力するように構成された少なくとも1つの磁気送信機と;
磁気応答及び/又は音響応答を受信するとともに前記磁気応答及び/又は音響応答を磁気応答信号及び/又は音響応答信号へ変換するように構成された少なくとも1つの磁気センサ及び/又は音響センサと;
少なくとも1つの磁気センサ及び/又は音響センサから経時的に前記磁気信号及び/又は音響応答信号を検出する工程と;前記磁気信号及び/又は音響信号の時間依存非線形特性を判断する工程と;前記磁気信号及び/又は音響信号の前記時間依存非線形特性と前記材料の1つ又は複数の材料状態とを相関付ける工程とを含む方法を実行するように構成されたプロセッサとを含むデバイス。 - 前記調査用磁場は追加磁場を含む、請求項19に記載のデバイス。
- 前記追加磁場は一定直流磁場を含む、請求項20に記載のデバイス。
- 前記デバイスはユーザに前記材料の前記1つ又は複数の状態を示すように構成された出力デバイスを含む、請求項19に記載のデバイス。
- 前記少なくとも1つの磁気センサ及び/又は音響センサは周囲の様々な位置における及び/又は前記少なくとも1つの磁気送信機のそれぞれと対をなす磁気センサ及び/又は音響センサの4つの複製である、請求項19に記載のデバイス。
- 前記少なくとも1つの磁気センサ及び/又は音響センサは周囲の様々な位置における及び/又は前記少なくとも1つの磁気送信機のそれぞれと対をなす磁気センサ及び/又は音響センサの8つの複製である、請求項19に記載のデバイス。
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