JP2021192960A - Molded film and its manufacturing method, and molded body and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

To provide a molded film that suppresses a decrease in conductivity due to tensile force and stress at high temperatures in a molding process, and has excellent ion migration resistance between conductive patterns even after molding.SOLUTION: There is provided a molded film having a conductive layer and an insulating layer on a base film, in which the conductive layer is a cured product of a conductive resin composition containing a resin (A1), a solvent (B1), and a conductive granule (C), the insulating layer is a cured product of an insulating resin composition containing a resin (A2) and a solvent (B2), the resin (A1) is a resin having a glass transition point of 10°C or higher and 110°C or lower and a weight average molecular weight of 10,000 or higher and 100,000 or lower, the resin (A2) is a resin having a glass transition point of 30°C or higher and 140°C or lower and a weight average molecular weight of 20,000 or higher and 200,000 or lower, and a volume resistivity of the insulating layer is 1×1010 Ω.cm or more and less than 1×1017 Ω.cm.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、成形フィルムおよびその製造方法、成形体およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a molded film and a method for producing the same, a molded body and a method for producing the same.

特許文献1には、樹脂成形体と、当該樹脂成形体の一面に対して面一になるように埋め込まれたベースフィルムと、前記樹脂成形体と前記ベースフィルムとの間に配置された導電回路とを有する特定の導電回路一体化成形品が開示されている。
特許文献1には、当該導電回路一体化成形品の製造方法として、特定の導電回路が形成されたベースフィルムを射出成形用金型のキャビティ面に配置した後、溶融樹脂を射出して、樹脂成形体を射出成形することが記載されている。
特許文献1において、導電回路は、特定の透明金属薄膜をエッチングすることにより形成されている。
Patent Document 1 describes a resin molded body, a base film embedded so as to be flush with one surface of the resin molded body, and a conductive circuit arranged between the resin molded body and the base film. A specific conductive circuit integrated molded product having the above is disclosed.
In Patent Document 1, as a method for manufacturing the conductive circuit integrated molded product, a base film on which a specific conductive circuit is formed is placed on the cavity surface of an injection molding die, and then a molten resin is injected to form a resin. It is described that the molded body is injection-molded.
In Patent Document 1, the conductive circuit is formed by etching a specific transparent metal thin film.

エッチング法に代わる導電回路の形成方法として、導電性インキを用いた印刷方法が検討されている。導電性インキを印刷する手法によれば、エッチング法と比較して、煩雑な工程がなく、容易に導電回路を形成することができ、生産性が向上し、低コスト化を図ることができる。
例えば特許文献2には、スクリーン印刷によって高精細な導電性パターンを形成することが可能な低温処理型の導電性インキとして、特定の導電性微粒子と、特定のエポキシ樹脂とを含有する特定の導電性インキが開示されている。スクリーン印刷によれば導電パターンの厚膜化が可能であり、導電パターン低抵抗化が実現できるとされている。
As a method for forming a conductive circuit instead of the etching method, a printing method using conductive ink has been studied. According to the method of printing the conductive ink, as compared with the etching method, there is no complicated process, the conductive circuit can be easily formed, the productivity can be improved, and the cost can be reduced.
For example, Patent Document 2 describes, as a low-temperature treatment type conductive ink capable of forming a high-definition conductive pattern by screen printing, a specific conductive ink containing specific conductive fine particles and a specific epoxy resin. Sex inks are disclosed. According to screen printing, it is possible to increase the thickness of the conductive pattern, and it is said that the resistance of the conductive pattern can be reduced.

また、特許文献3には、3次元的な立体感を表現することが可能な加飾シートの製造方法として、透明樹脂層上にパターン状に印刷された印刷層を有する積層体と、ベースフィルム上に装飾層を有する積層シートとを熱圧着させることにより、前記装飾層を前記印刷層のパターンに沿った凹凸形状とする方法が開示されている。 Further, in Patent Document 3, as a method for manufacturing a decorative sheet capable of expressing a three-dimensional three-dimensional effect, a laminate having a printed layer printed in a pattern on a transparent resin layer and a base film are provided. A method of forming the decorative layer into an uneven shape along the pattern of the printed layer by thermocompression bonding with a laminated sheet having a decorative layer on the top is disclosed.

また、特許文献4には、導電性インキを用いた印刷方法により、ベースフィルム上に導電性パターンが形成された成型フィルムの熱成形および樹脂成型体との一体化プロセスにより、樹脂成形体と前記ベースフィルムとの間に配置された導電回路とを有する、導電回路一体化成形品とする方法が開示されている。 Further, in Patent Document 4, the resin molded body and the resin molded body are described by the thermal molding of the molded film in which the conductive pattern is formed on the base film by the printing method using the conductive ink and the integration process with the resin molded body. A method of forming a conductive circuit integrated molded product having a conductive circuit arranged between the base film and the base film is disclosed.

特開2012−11691号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-11691 特開2011−252140号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-252140 特開2007−296848号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-296884 特開2019−189680号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-189680

特許文献1の手法によれば、成形体の表面に、容易に導電体を設けることができる。一方、凹凸面や曲面を有する基材など、様々な形状の基材表面に導電回路を形成したいという要望が高まっている。このような基材表面に導電層を有するフィルムを張り合わせて導電回路を形成する場合、当該フィルムは基材の表面形状に合わせて変形する必要がある。当該フィルムの変形時に、導電層には部分的に大きな引張力が生じることがある。当該引張力により導電層の破断などが生じ、導電性の低下が問題となった。さらにそのような凹凸面や曲面を有する基材上に導電回路を形成する際、前記の導電層を有するフィルムを変形させたのち、または変形させるのと同時にフィルムと前記基材とを一体化することが必要となるが、この一体化工程において高温下でプラスチック基材と摩擦されることによる応力ストレスが導電回路に加わる。当該高温下応力ストレスによっても導電層の破断などが生じ、導電性の低下が問題となった。
これに対し、特許文献4の手法では熱成形プロセスへの耐性が導電インキ材料に付与されているため、上記の高温下応力ストレスによる導電性の低下が解決されている。しかし一方で、この方法で立体形状の基材表面に形成された導電回路は樹脂成型体と導電層とが直接接触しており、この境界部分の密着性が必ずしも十分でなく、また実際には極めて細かい空隙が生じている場合があった。このため、この導電回路一体化成形品を実用的な機器として長期間過酷な条件下で使用した場合、時間経過とともにイオンマイグレーションによる回路間短絡の発生が問題となった。
According to the method of Patent Document 1, a conductor can be easily provided on the surface of the molded product. On the other hand, there is an increasing demand for forming a conductive circuit on the surface of a base material having various shapes such as a base material having an uneven surface or a curved surface. When a film having a conductive layer is laminated on the surface of such a base material to form a conductive circuit, the film needs to be deformed according to the surface shape of the base material. When the film is deformed, a large tensile force may be partially generated on the conductive layer. The tensile force causes breakage of the conductive layer, which causes a problem of deterioration of conductivity. Further, when forming a conductive circuit on a base material having such an uneven surface or a curved surface, the film having the conductive layer is deformed or deformed, and at the same time, the film and the base material are integrated. However, in this integration process, stress stress due to friction with the plastic substrate under high temperature is applied to the conductive circuit. The stress stress under high temperature also causes breakage of the conductive layer, which causes a problem of deterioration of conductivity.
On the other hand, in the method of Patent Document 4, since the conductive ink material is imparted with resistance to the thermoforming process, the decrease in conductivity due to the above-mentioned stress stress under high temperature is solved. However, on the other hand, in the conductive circuit formed on the surface of the three-dimensional base material by this method, the resin molded body and the conductive layer are in direct contact with each other, and the adhesion at the boundary portion is not always sufficient, and in reality, In some cases, extremely fine voids were formed. Therefore, when this conductive circuit integrated molded product is used as a practical device under harsh conditions for a long period of time, a short circuit between circuits due to ion migration has become a problem with the passage of time.

本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、成形プロセスにおける引張力および高温下での応力ストレスによる導電性の低下が抑制され、かつ成形後も導電パターン間のイオンマイグレーション耐性に優れた成形フィルム、及び、導電性に優れかつ長期間の過酷条件下における使用でも回路特性を保持可能な成形体及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and the decrease in conductivity due to the tensile force in the molding process and the stress stress at high temperature is suppressed, and the ion migration resistance between the conductive patterns is improved even after molding. It is an object of the present invention to provide an excellent molded film, a molded body having excellent conductivity and capable of maintaining circuit characteristics even when used under harsh conditions for a long period of time, and a method for producing the same.

本実施に係る成形フィルムは、凹凸面や三次元曲面を有する基材表面に絶縁層で被覆された印刷導電回路を形成するための成形フィルムであって、
成形フィルムはベースフィルム上に導電層と絶縁層とを備えた成形フィルムであって、
前記導電層が樹脂(A1)と、溶剤(B1)と、導電性微粒子(C)とを含む導電性樹脂組成物の硬化物であり、
前記絶縁層が樹脂(A2)と、溶剤(B2)とを含む絶縁性樹脂組成物の硬化物であり、
前記樹脂(A1)が、ガラス転移点が10℃以上110℃以下かつ重量平均分子量が10,000以上100,000以下の樹脂であり、
前記樹脂(A2)が、ガラス転移点が30℃以上140℃以下かつ重量平均分子量が20,000以上200,000以下の樹脂であり、
前記絶縁層の体積固有抵抗が
1×1010Ω・cm以上1×1017Ω・cm未満である
The molded film according to this embodiment is a molded film for forming a printed conductive circuit coated with an insulating layer on the surface of a base material having an uneven surface or a three-dimensional curved surface.
The molded film is a molded film having a conductive layer and an insulating layer on the base film.
The conductive layer is a cured product of a conductive resin composition containing a resin (A1), a solvent (B1), and conductive fine particles (C).
The insulating layer is a cured product of an insulating resin composition containing a resin (A2) and a solvent (B2).
The resin (A1) is a resin having a glass transition point of 10 ° C. or higher and 110 ° C. or lower and a weight average molecular weight of 10,000 or higher and 100,000 or lower.
The resin (A2) is a resin having a glass transition point of 30 ° C. or higher and 140 ° C. or lower and a weight average molecular weight of 20,000 or higher and 200,000 or lower.
The volume resistivity of the insulating layer is 1 × 10 10 Ω · cm or more and less than 1 × 10 17 Ω · cm.

本実施の成形フィルムの一実施形態は、前記ベースフィルムが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン及び、ポリエチレンテレフタレートより選択されるフィルム、又はこれらの積層フィルムである、 In one embodiment of the molded film of the present embodiment, the base film is a film selected from polycarbonate, polymethylmethacrylate, polypropylene, and polyethylene terephthalate, or a laminated film thereof.

前記樹脂(A1)のガラス転移点が前記樹脂(A2)のガラス転移点未満である。 The glass transition point of the resin (A1) is less than the glass transition point of the resin (A2).

本実施の成形フィルムの一実施形態は、前記樹脂(A1)の重量平均分子量が前記樹脂(A2)の重量平均分子量未満である。 In one embodiment of the molded film of the present embodiment, the weight average molecular weight of the resin (A1) is less than the weight average molecular weight of the resin (A2).

本実施の成形フィルムの一実施形態は、前記樹脂(A1)のガラス転移点および前記樹脂(A2)のガラス転移点が、いずれもベースフィルムのガラス転移点(但し、2種以上の材質からなる積層フィルムの場合はいずれか高い方のガラス転移点)未満である。 In one embodiment of the molded film of the present embodiment, the glass transition point of the resin (A1) and the glass transition point of the resin (A2) are both glass transition points of the base film (provided that they are made of two or more kinds of materials. In the case of a laminated film, it is less than the higher glass transition point).

本実施の成形フィルムの一実施形態は、前記ベースフィルムの両方の面上に、それぞれ導電層と絶縁層をこの順に備える。 In one embodiment of the molded film of the present embodiment, a conductive layer and an insulating layer are provided on both surfaces of the base film in this order.

本実施に係る成形フィルムの一実施形態は、前記絶縁層上に、さらに第二の導電層と第二の絶縁層をこの順に備える。 In one embodiment of the molded film according to the present embodiment, a second conductive layer and a second insulating layer are further provided on the insulating layer in this order.

本実施の成形フィルムの一実施形態は、所定の形状に成形された成形フィルムが、前記絶縁層面と基材表面が接するように、あるいは前記ベースフィルム面と基材表面が接するように基材上に積層され、凹凸面や三次元曲面を有する基材表面に絶縁層で被覆された印刷導電回路を形成された成形体である。 In one embodiment of the molded film of the present embodiment, the molded film molded into a predetermined shape is placed on the base material so that the insulating layer surface and the base material surface are in contact with each other, or the base film surface and the base material surface are in contact with each other. It is a molded product in which a printed conductive circuit coated with an insulating layer is formed on the surface of a base material having an uneven surface or a three-dimensional curved surface.

本実施に係る成形体の第1の製造方法は、基材上に前記記載の前記成形フィルムを配置する工程と、
オーバーレイ成形法により、前記成形フィルムと前記基材とを一体化する工程と、を含む。
The first method for producing a molded product according to the present embodiment includes a step of arranging the molded film described above on a base material and a step of arranging the molded film.
A step of integrating the molded film and the base material by an overlay molding method is included.

本実施に係る成形体の第2の製造方法は前記成形フィルムを所定の形状に成形する工程と、
成形後の前記成形フィルムを、射出成形の型内に配置する工程と、
射出成形により基材を成形すると共に、前記成形フィルムと前記基材とを一体化する工程と、を含む、
The second manufacturing method of the molded body according to the present embodiment includes a step of molding the molded film into a predetermined shape and a step of molding the molded film into a predetermined shape.
The step of arranging the molded film after molding in the injection molding mold, and
A step of molding a base material by injection molding and integrating the molding film and the base material is included.

本実施に係る成形体の第3の製造方法は、記載の成形フィルムを、射出成形の型内に配置する工程と、
射出成形により基材を成形すると共に、前記成形フィルム中の導電層を基材側に転写する工程と、を含む。
The third manufacturing method of the molded body according to the present embodiment includes a step of arranging the described molding film in an injection molding mold and a step of arranging the molded film.
It includes a step of molding a base material by injection molding and transferring the conductive layer in the molding film to the base material side.

本発明によれば、成形プロセスにおける引張力および高温下での応力ストレスによる導電性の低下が抑制され、かつ成形後も導電パターン間のイオンマイグレーション耐性に優れた成形フィルム、及び、導電性に優れかつ長期間の過酷条件下における使用でも回路特性を保持可能な成形体及びその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, a molding film in which a decrease in conductivity due to tensile force and stress stress under high temperature in a molding process is suppressed, and ion migration resistance between conductive patterns is excellent even after molding, and excellent conductivity are obtained. Moreover, it is possible to provide a molded body capable of maintaining circuit characteristics even when used under harsh conditions for a long period of time, and a method for producing the same.

本実施の成形フィルムの一例を示す、模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows an example of the molded film of this embodiment. 本実施の成形フィルムの別の一例を示す、模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows another example of the molded film of this embodiment. 本実施の成形フィルムの別の一例を示す、模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows another example of the molded film of this embodiment. 本実施の成形フィルムの別の一例を示す、模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows another example of the molded film of this embodiment. 成形体の第1の製造方法の一例を示す、模式的な工程図である。It is a schematic process diagram which shows an example of the 1st manufacturing method of a molded body. 成形体の第2の製造方法の別の一例を示す、模式的な工程図である。It is a schematic process diagram which shows another example of the 2nd manufacturing method of a molded body. 成形体の第3の製造方法の別の一例を示す、模式的な工程図である。It is a schematic process diagram which shows another example of the 3rd manufacturing method of a molded body.

以下、本実施に係る成形フィルム、成形体及びその製造方法について順に詳細に説明する。
なお本実施において、硬化物とは、化学反応により硬化したもののみならず、例えば溶剤が揮発することにより硬くなったものなど、化学反応によらずに硬化したものを包含する。
Hereinafter, the molded film, the molded body, and the manufacturing method thereof according to the present implementation will be described in detail in order.
In this embodiment, the cured product includes not only a product cured by a chemical reaction but also a product cured by a chemical reaction, for example, a product hardened by volatilization of a solvent.

[成形フィルム]
本実施の成形フィルムは、ベースフィルム上に導電層および絶縁層を備えた成形フィルムであって、
前記導電層が、導電性樹脂組成物の硬化物であり、前記絶縁層が、絶縁性樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする。
本実施の成形フィルムによれば、凹凸面や曲面など任意の基材面に導電回路が形成された成形体を得ることができる。
[Molded film]
The molded film of this embodiment is a molded film having a conductive layer and an insulating layer on the base film.
The conductive layer is a cured product of the conductive resin composition, and the insulating layer is a cured product of the insulating resin composition.
According to the molded film of this embodiment, it is possible to obtain a molded body in which a conductive circuit is formed on an arbitrary base material surface such as an uneven surface or a curved surface.

本発明者らは、平坦でない基材表面に適用可能であり、かつプラスチック基材との一体化工程へのプロセス適性を有する成形フィルムを製造するために、スクリーン印刷可能な導電性樹脂組成物および絶縁性術組成物の検討を行った。成形フィルムの製造に適用するために、導電性樹脂組成物および絶縁性術組成物の体積固有抵抗と樹脂構造とを各種調整し検討したところ、導電性樹脂組成物および絶縁性術組成物のガラス転移温度や重量平均分子量関係、導電性・絶縁性樹脂組成物とベースフィルムとのガラス転移温度関係、絶縁性術組成物の体積固有抵抗および樹脂中の繰り返し構造によって、得られた成形フィルムを成形可能な高温下で引張ったときに生じる断線の有無や抵抗値の変化の大きさと、導電回路一体化成形品を長期間過酷な条件下で通電使用した場合の経時のイオンマイグレーション特性が異なることを見出した。
本発明者らはこのような知見に基づいて検討を行った結果、体積固有抵抗が低い絶縁層を導電層上に積層した場合、導電回路一体化成形品において、平坦なフィルム回路基板などと比較して際立って大きなイオンマイグレーションが発生することを確認した。また導電層の樹脂(A1)のガラス転移点よりも低いガラス転移点を有する絶縁層の樹脂(B1)を加熱乾燥して積層した場合、成形フィルムをその軟化点に当たる高温での引っ張りにより変形させた際に導電層の亀裂発生や局所変形がより多く生じることが明らかとなった。また、樹脂の重量平均分子量が導電層の樹脂(A1)よりも絶縁層の樹脂(B1)の方が低い場合は、導電層への絶縁樹脂成分の湿潤が生じることで、熱成型時の延伸時に導電層内の亀裂発生や局所変形が生じることが明らかとなった。さらにそれらによる導電層近傍に高温高湿条件下で連続通電した際のイオンマイグレーションによる黒色酸化銀の発生増加と導電パターン間の絶縁抵抗値の低下、ならびにリークタッチ(絶縁破壊)が発生する確率が高くなることが明らかとなった。また、加飾層上に導電層および絶縁層を設ける場合も同様であった。
The present inventors have screen-printable conductive resin compositions and screen-printable conductive resin compositions for producing molded films that are applicable to uneven substrate surfaces and have process suitability for integration steps with plastic substrates. The insulating surgical composition was examined. In order to apply it to the production of molded films, various adjustments were made to the volume specific resistance and resin structure of the conductive resin composition and the insulating surgical composition, and the glass of the conductive resin composition and the insulating surgical composition was examined. The obtained molded film is molded by the transition temperature, the weight average molecular weight relationship, the glass transition temperature relationship between the conductive / insulating resin composition and the base film, the volume specific resistance of the insulating surgical composition, and the repeating structure in the resin. The presence or absence of disconnection and the magnitude of change in resistance value that occur when pulled under possible high temperatures, and the difference in ion migration characteristics over time when the conductive circuit integrated molded product is energized and used under harsh conditions for a long period of time. I found it.
As a result of studies based on such findings, the present inventors have compared with a flat film circuit board or the like in a conductive circuit integrated molded product when an insulating layer having a low volume resistivity is laminated on the conductive layer. It was confirmed that a significantly large ion migration occurred. Further, when the resin (B1) of the insulating layer having a glass transition point lower than the glass transition point of the resin (A1) of the conductive layer is heated and dried and laminated, the molded film is deformed by pulling at a high temperature corresponding to the softening point. At that time, it was clarified that more cracks and local deformation of the conductive layer occurred. Further, when the weight average molecular weight of the resin is lower in the resin (B1) of the insulating layer than in the resin (A1) of the conductive layer, the insulating resin component is moistened to the conductive layer, so that the resin is stretched during thermoforming. It has become clear that sometimes cracks and local deformation occur in the conductive layer. Furthermore, there is a probability that the generation of black silver oxide will increase due to ion migration when the area around the conductive layer is continuously energized under high temperature and high humidity conditions, the insulation resistance value between the conductive patterns will decrease, and leakage touch (dielectric breakdown) will occur. It became clear that it would be higher. The same applies to the case where the conductive layer and the insulating layer are provided on the decorative layer.

このようなやや体積固有抵抗が低い絶縁層を導電層上に積層した場合や、高温での引っ張りにより変形させた際に導電層の亀裂発生や局所変形、それに伴うイオンマイグレーションがより多く生じるような導電層および絶縁層を有する成形フィルムであっても、それ単体を平坦なフィルム回路基板などとして使用する場合、また二次元曲面上に曲げた状態で使用する場合には問題とならなった。しかしながら平坦でない基材表面の形状、例えば凹凸形状や三次元曲面形状に追従させ一体化させる成形フィルムとして使用する場合には、成形フィルムは変形を伴うことになる。そのため、樹脂フィルムの変形に対し、導電層および絶縁層に対し発生する変形応力が導電層や導電層/絶縁層界面に集中し剥離乃至断線が起こることにより、導電層の導電性が低下しているものと予測される。
なお、本発明における凹凸面や三次元曲面とは、なだらかな曲線断面を有する面のみでなく、鋭角状の角や矩形形状を有する立体面全般を示す。すなわち、平面を伸縮することなく変形させることのみでは、成立させることのできない立体形状を指し、例えば半球状、円錐状、円柱状、四角柱状等の立体形状を指すものである。なお、ある立体形状が、連続した立体面内に先述の平面または二次元曲面と、三次元曲面の両方の要素を有する場合、例えば平面形状に1か所以上の部分的な半球状形状が組み合わされた立体形状に関しては、全体として平面を伸縮することなく変形させることによって成立させることのできない立体形状であることから、これも三次元曲面であるものとする。即ち本発明における凹凸面や三次元曲面は、フレキシブル基板等を折り曲げることでは実現できないものであり、たとえば、成形性フィルムの加熱下での立体成形による賦形などによって実現可能となる形状である。
When such an insulating layer having a slightly low resistivity is laminated on the conductive layer, or when the conductive layer is deformed by pulling at a high temperature, more cracks or local deformation of the conductive layer and accompanying ion migration occur. Even a molded film having a conductive layer and an insulating layer has become a problem when it is used alone as a flat film circuit board or the like, or when it is used in a state of being bent on a two-dimensional curved surface. However, when it is used as a molded film that follows and integrates the shape of the surface of a non-flat base material, for example, an uneven shape or a three-dimensional curved surface shape, the molded film is accompanied by deformation. Therefore, with respect to the deformation of the resin film, the deformation stress generated on the conductive layer and the insulating layer is concentrated on the conductive layer and the conductive layer / insulating layer interface, causing peeling or disconnection, and the conductivity of the conductive layer is lowered. It is expected that there will be.
The uneven surface and the three-dimensional curved surface in the present invention refer not only to a surface having a gentle curved cross section but also to a general three-dimensional surface having acute-angled corners and a rectangular shape. That is, it refers to a three-dimensional shape that cannot be established only by deforming the plane without expanding and contracting, and refers to a three-dimensional shape such as a hemispherical shape, a conical shape, a columnar shape, or a square columnar shape. When a certain three-dimensional shape has elements of both the above-mentioned plane or two-dimensional curved surface and a three-dimensional curved surface in a continuous three-dimensional surface, for example, one or more partial hemispherical shapes are combined with the plane shape. As for the formed three-dimensional shape, since it is a three-dimensional shape that cannot be established by deforming the plane without expanding and contracting, it is also assumed to be a three-dimensional curved surface. That is, the uneven surface and the three-dimensional curved surface in the present invention cannot be realized by bending a flexible substrate or the like, and are shapes that can be realized by, for example, shaping by three-dimensional molding under heating of a formable film.

本発明者らはこれらの知見に基づいて鋭意検討を行った結果、導電層の樹脂(A1)のガラス転移点が10℃以上110℃以下かつ重量平均分子量が10,000以上100,000以下の樹脂であり、絶縁層の樹脂(A2)のガラス転移点が30℃以上140℃以下かつ重量平均分子量が20,000以上200,000以下であり、前記絶縁層の体積固有抵抗が、1×1010Ω・cm以上1×1017Ω・cm未満である成形フィルムを用いた際に、導電回路一体化成形品において、イオンマイグレーションの発生が抑制されることを見出した。またこれに加え、前記導電層の樹脂(A1)のガラス転移点が前記絶縁層の樹脂(BI)のガラス転移点未満である際に、成形フィルムを高温条件下で引張ったときの導電層の亀裂発生や局所変形が抑制され、前記導電層の樹脂(A1)の重量平均分子量が前記絶縁層の樹脂(BI)の重量平均分子量未満である際には成形フィルム上に溶融した高粘度の熱可塑性樹脂を高圧で圧接した導電回路一体化成形品においてイオンマイグレーションによる導電パターン間の絶縁抵抗値の低下やリークタッチの発生を抑制可能であることを見出して、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明の成形フィルムは、上記絶縁層の体積固有抵抗が1×1010Ω・cm以上1×1017Ω・cm未満である成形フィルムは、平坦でない基材表面に用いた場合であってもイオンマイグレーションによる回路劣化が抑制される。この特性は更に、前記導電層の樹脂(A1)のガラス転移点が前記絶縁層の樹脂(BI)のガラス転移点未満かつ、前記導電層の樹脂(A1)の重量平均分子量が前記絶縁層の樹脂(BI)の重量平均分子量未満の関係を満たす成形フィルムを用いた際にさらに顕著である。また当該成形フィルムを用いることで、実用的な強度をもつ立体形状プラスチックからなる基材上の凹凸面や曲面などの任意の面に絶縁被覆された導電回路が形成された成形体を得ることができる。
As a result of diligent studies based on these findings, the present inventors have a glass transition point of the resin (A1) of the conductive layer of 10 ° C. or higher and 110 ° C. or lower, and a weight average molecular weight of 10,000 or higher and 100,000 or lower. It is a resin, the glass transition point of the resin (A2) of the insulating layer is 30 ° C. or higher and 140 ° C. or lower, the weight average molecular weight is 20,000 or more and 200,000 or less, and the volume resistivity of the insulating layer is 1 × 10. It has been found that the occurrence of ion migration is suppressed in the conductive circuit integrated molded product when a molded film having a size of 10 Ω · cm or more and less than 1 × 10 17 Ω · cm is used. In addition to this, when the glass transition point of the resin (A1) of the conductive layer is less than the glass transition point of the resin (BI) of the insulating layer, the conductive layer when the molded film is pulled under high temperature conditions. When cracking and local deformation are suppressed and the weight average molecular weight of the resin (A1) of the conductive layer is less than the weight average molecular weight of the resin (BI) of the insulating layer, the high-viscosity heat melted on the molded film. We have found that it is possible to suppress a decrease in the insulation resistance value between conductive patterns and the occurrence of leak touch due to ion migration in a conductive circuit integrated molded product in which a plastic resin is pressure-welded at high pressure, and have completed the present invention.
That is, in the molded film of the present invention, the molded film having the volume resistivity of the insulating layer of 1 × 10 10 Ω · cm or more and less than 1 × 10 17 Ω · cm is used on an uneven substrate surface. However, circuit deterioration due to ion migration is suppressed. Further, this characteristic is that the glass transition point of the resin (A1) of the conductive layer is less than the glass transition point of the resin (BI) of the insulating layer, and the weight average molecular weight of the resin (A1) of the conductive layer is that of the insulating layer. This is even more remarkable when a molded film satisfying the relationship of less than the weight average molecular weight of the resin (BI) is used. Further, by using the molded film, it is possible to obtain a molded body in which a conductive circuit having an insulating coating is formed on an arbitrary surface such as an uneven surface or a curved surface on a base material made of a three-dimensional plastic having practical strength. can.

本実施の成形フィルムの層構成について図1及び図2を参照して説明する。図1及び図2は、本実施の成形フィルムの一例を示す、模式的な断面図である。
図1の例に示される成形フィルム10は、ベースフィルム1上に、導電層2を有し、当該導電層2上に絶縁層3を備えている。導電層2は、ベースフィルム1の全面に形成されていてもよく、図1の例のように所望のパターン状に形成されていてもよい。また絶縁層3は、ベースフィルム1および導電層2上の全面に形成されていてもよく、図1の例のように導電層2の一部を被覆するように所望のパターン状に形成されていてもよい。
図2の例に示される成形フィルム10は、ベースフィルム1上に、加飾層3を有し、当該加飾層3上に、導電層2を有し、さらに当該導電層2上に絶縁層3を備えている。また図2の例に示されるように、成形フィルム10は、導電層2上に、電子部品4や、取り出し回路に接続するためのピン5を備えていてもよい。
図3の例に示される成形フィルム10は、ベースフィルム1上に、導電層2を有し、当該導電層2上に絶縁層3を備えている。またベースフィルム1の反対側の面上に第2の導電層7を有し、当該第2の導電層7上に第2の絶縁層8を備えている。第2の導電層7もまた、ベースフィルム1の全面に形成されていてもよく、図1の例のように所望のパターン状に形成されていてもよい。また第2の絶縁層8もまた、ベースフィルム1および第2の導電層7の全面に形成されていてもよく、図3の例のように第2の導電層7の一部を被覆するように所望のパターン状に形成されていてもよい。
図4の例に示される成形フィルム10は、ベースフィルム1上に、導電層2を有し、当該導電層2上に絶縁層3を有し、さらに当該絶縁層3上に第2の導電層7を有し、当該第2の導電層7上に第2の絶縁層8を備えている。この場合の第2の導電層7は、ベースフィルム1および絶縁層3上の全面に形成されていてもよく、図4の例のように導電層2の、絶縁層3に被覆されていない露出部があった場合は、この導電層2と部分的に接触するように所望のパターンに設けられていてもよい。また導電層2といずれの部分も接触していなくても構わない。第2の絶縁層8もまた、ベースフィルム1、導電層2、絶縁層3および第2の導電層7の全面に形成されていてもよく、図4の例のように第2の導電層7の一部を被覆するように所望のパターン状に形成されていてもよい。
また、図示はしないが、本実施の成形フィルム10が加飾層3を備える場合、図2の例のほか、ベースフィルム1の一方の面に加飾層3を有し、他方の面に導電層2を備える層構成であってもよい。
The layer structure of the molded film of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1 and 2 are schematic cross-sectional views showing an example of the molded film of the present embodiment.
The molded film 10 shown in the example of FIG. 1 has a conductive layer 2 on the base film 1 and an insulating layer 3 on the conductive layer 2. The conductive layer 2 may be formed on the entire surface of the base film 1 or may be formed in a desired pattern as in the example of FIG. Further, the insulating layer 3 may be formed on the entire surface of the base film 1 and the conductive layer 2, and is formed in a desired pattern so as to cover a part of the conductive layer 2 as in the example of FIG. You may.
The molded film 10 shown in the example of FIG. 2 has a decorative layer 3 on the base film 1, a conductive layer 2 on the decorative layer 3, and an insulating layer on the conductive layer 2. It is equipped with 3. Further, as shown in the example of FIG. 2, the molded film 10 may include an electronic component 4 and a pin 5 for connecting to a take-out circuit on the conductive layer 2.
The molded film 10 shown in the example of FIG. 3 has a conductive layer 2 on the base film 1 and an insulating layer 3 on the conductive layer 2. Further, the second conductive layer 7 is provided on the surface opposite to the base film 1, and the second insulating layer 8 is provided on the second conductive layer 7. The second conductive layer 7 may also be formed on the entire surface of the base film 1 or may be formed in a desired pattern as in the example of FIG. Further, the second insulating layer 8 may also be formed on the entire surfaces of the base film 1 and the second conductive layer 7, and may cover a part of the second conductive layer 7 as in the example of FIG. It may be formed in a desired pattern.
The molded film 10 shown in the example of FIG. 4 has a conductive layer 2 on the base film 1, an insulating layer 3 on the conductive layer 2, and a second conductive layer on the insulating layer 3. 7 is provided, and a second insulating layer 8 is provided on the second conductive layer 7. In this case, the second conductive layer 7 may be formed on the entire surface of the base film 1 and the insulating layer 3, and is not covered with the insulating layer 3 of the conductive layer 2 as in the example of FIG. If there is a portion, it may be provided in a desired pattern so as to partially contact the conductive layer 2. Further, it is not necessary that any portion of the conductive layer 2 is in contact with the conductive layer 2. The second insulating layer 8 may also be formed on the entire surface of the base film 1, the conductive layer 2, the insulating layer 3, and the second conductive layer 7, and the second conductive layer 7 may be formed as in the example of FIG. It may be formed in a desired pattern so as to cover a part of the above.
Further, although not shown, when the molded film 10 of the present embodiment includes the decorative layer 3, in addition to the example of FIG. 2, the decorative layer 3 is provided on one surface of the base film 1 and the other surface is conductive. It may have a layer structure including the layer 2.

本実施の成形フィルムは、少なくともベースフィルムと、導電層と絶縁層を備えるものであり、必要に応じて他の層を有してもよいものである。以下このような成形フィルムの各層について説明する。 The molded film of this embodiment includes at least a base film, a conductive layer and an insulating layer, and may have other layers if necessary. Hereinafter, each layer of such a molded film will be described.

<ベースフィルム>
本実施においてベースフィルムは、基材形成時の成形温度条件下で基材表面の形状に追従可能な程度の柔軟性および延伸性を有するものの中から適宜選択することができ、成形体の用途や、成形体の製造方法などに応じて選択することが好ましい。
例えば、成形体の製造方法として、後述するオーバーレイ成形法や、フィルムインサート法を採用する場合には、ベースフィルムが成形体に残ることから、導電層の保護層としての機能を有することなどを考慮してベースフィルムを選択することができる。
一方、成形体の製造方法として後述するインモールド転写法などを採用する場合には、剥離性を有するベースフィルムを選択することが好ましい。
<Base film>
In this embodiment, the base film can be appropriately selected from those having flexibility and stretchability that can follow the shape of the surface of the base material under the molding temperature conditions at the time of forming the base material. , It is preferable to select according to the manufacturing method of the molded product and the like.
For example, when an overlay molding method or a film insert method, which will be described later, is adopted as a method for manufacturing a molded body, consideration is given to having a function as a protective layer for a conductive layer because the base film remains in the molded body. You can select the base film.
On the other hand, when an in-mold transfer method or the like, which will be described later, is adopted as a method for producing a molded product, it is preferable to select a base film having peelability.

ベースフィルムは上記の観点から適宜選択することができ、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ABS(アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂)、AES(アクリロニトリル−エチレン−スチレン共重合樹脂)、カイダック(アクリル変性塩ビ樹脂)、変性ポリフェニレンエーテル、及びこれら樹脂の2種以上からなるポリマーアロイ等のフィルムや、これらの積層フィルムであってもよい。中でも、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレートより選択されるフィルム、又はこれらの積層フィルムであることが好ましい。積層フィルムとしては、中でも、ポリカーボネートとポリメチルメタクリレートの積層フィルムが好ましい。
ポリカーボネートとポリメチルメタクリレートの積層フィルムの製造方法は、特に限定されず、ポリカーボネートフィルムとポリメチルメタクリレートフィルムとを貼り合わせて積層してもよく、ポリカーボネートとポリメチルメタクリレートとを共押出しにより積層フィルムとしてもよい。
また、これらのベースフィルムの表面がコロナ処理等の改質処理が施されていることも好ましい。
The base film can be appropriately selected from the above viewpoints, for example, polycarbonate, polymethylmethacrylate, polyethylene terephthalate, polystyrene, polyimide, polyamide, polyether sulfone, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyvinyl chloride, polyethylene, polypropylene. , Cycloolefin polymer, ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer resin), AES (acrylonitrile-ethylene-styrene copolymer resin), Kaidak (acrylic modified vinyl chloride resin), modified polyphenylene ether, and two or more of these resins. A film such as a polymer alloy or a laminated film thereof may be used. Among them, a film selected from polycarbonate, polymethylmethacrylate, polypropylene, polyethylene terephthalate, or a laminated film thereof is preferable. As the laminated film, a laminated film of polycarbonate and polymethylmethacrylate is particularly preferable.
The method for producing the laminated film of polycarbonate and polymethylmethacrylate is not particularly limited, and the polycarbonate film and the polymethylmethacrylate film may be laminated and laminated, or the polycarbonate and polymethylmethacrylate may be co-extruded to form a laminated film. good.
It is also preferable that the surface of these base films is subjected to a modification treatment such as a corona treatment.

また、必要に応じ、導電性樹脂組成物の印刷性を向上させるなどの目的で、ベースフィルムにアンカーコート層を設け、当該アンカーコート層上に導電性樹脂組成物を印刷してもよい。アンカーコート層は、ベースフィルムとの密着性、更には導電性樹脂組成物との密着性が良好で成形時にフィルムに追従するものであれば、特に限定されず、また樹脂ビーズ等の有機フィラーや金属酸化物等の無機フィラーも必要に応じて添加してもよい。アンカーコート層を設ける方法は特に限定されず、従来公知の塗工方法にて塗布、乾燥、硬化して得ることができる。
また更に必要に応じ、成形体表面の傷つき防止のため、ベースフィルムにハードコート層を設け、その反対の面に導電性樹脂組成物および必要に応じて加飾層を印刷してもよい。ハードコート層は、ベースフィルムとの密着性、更には表面硬度が良好で成形時にフィルムに追従するものであれば、特に限定されず、また樹脂ビーズ等の有機フィラーや金属酸化物等の無機フィラーも必要に応じて添加してもよい。ハードコート層を設ける方法は特に限定されず、従来公知の塗工方法にて塗布、乾燥、硬化して得ることができる。
Further, if necessary, an anchor coat layer may be provided on the base film for the purpose of improving the printability of the conductive resin composition, and the conductive resin composition may be printed on the anchor coat layer. The anchor coat layer is not particularly limited as long as it has good adhesion to the base film and further adheres to the conductive resin composition and follows the film during molding, and may be an organic filler such as resin beads or the like. Inorganic fillers such as metal oxides may also be added as needed. The method of providing the anchor coat layer is not particularly limited, and it can be obtained by coating, drying and curing by a conventionally known coating method.
Further, if necessary, in order to prevent the surface of the molded product from being scratched, a hard coat layer may be provided on the base film, and the conductive resin composition and, if necessary, a decorative layer may be printed on the opposite surface. The hard coat layer is not particularly limited as long as it has good adhesion to the base film and has good surface hardness and follows the film during molding, and is not particularly limited as long as it is an organic filler such as a resin bead or an inorganic filler such as a metal oxide. May be added as needed. The method of providing the hard coat layer is not particularly limited, and it can be obtained by coating, drying and curing by a conventionally known coating method.

また本実施の成形フィルムが加飾層を有する場合には、透明性を有するベースフィルムを選択することが好ましい。 When the molded film of the present embodiment has a decorative layer, it is preferable to select a transparent base film.

ベースフィルムの厚みは特に限定されないが、例えば、10μm以上500μm以下とすることができ、20μm以上450μm以下が好ましい。 The thickness of the base film is not particularly limited, but can be, for example, 10 μm or more and 500 μm or less, preferably 20 μm or more and 450 μm or less.

<導電層>
本実施の成形フィルムにおいて導電層は、後述する導電性樹脂組成物の硬化物である。
導電層の形成方法は特に限定されないが、本実施においては、スクリーン印刷法、パッド印刷法、ステンシル印刷法、スクリーンオフセット印刷法、ディスペンサー印刷法、グラビアオフセット印刷法、反転オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法により形成することが好ましく、スクリーン印刷法により形成することがより好ましい。
スクリーン印刷法においては、導電回路パターンの高精細化に対応すべく微細なメッシュ、特に好ましくは300〜650メッシュ程度の微細なメッシュのスクリーンを用いることが好ましい。この時のスクリーンの開放面積は約20〜50%が好ましい。スクリーン線径は約10〜70μmが好ましい。
スクリーン版の種類としては、ポリエステルスクリーン、コンビネーションスクリーン、メタルスクリーン、ナイロンスクリーン等が挙げられる。また、高粘度なペースト状態のものを印刷する場合は、高張力ステンレススクリーンを使用することができる。
スクリーン印刷のスキージは丸形、長方形、正方形いずれの形状であってもよく、またアタック角度(印刷時の版とスキージの角度)を小さくするために研磨スキージも使用することができる。その他の印刷条件等は従来公知の条件を適宜設計すればよい。
<Conductive layer>
In the molded film of this embodiment, the conductive layer is a cured product of the conductive resin composition described later.
The method for forming the conductive layer is not particularly limited, but in this embodiment, a screen printing method, a pad printing method, a stencil printing method, a screen offset printing method, a dispenser printing method, a gravure offset printing method, a reverse offset printing method, and a microcontact printing method are used. It is preferably formed by a method, and more preferably formed by a screen printing method.
In the screen printing method, it is preferable to use a fine mesh, particularly preferably a screen having a fine mesh of about 300 to 650 mesh, in order to cope with high definition of the conductive circuit pattern. The open area of the screen at this time is preferably about 20 to 50%. The screen wire diameter is preferably about 10 to 70 μm.
Examples of the screen version include polyester screens, combination screens, metal screens, nylon screens and the like. Further, when printing a high-viscosity paste state, a high-tensile stainless steel screen can be used.
The screen-printed squeegee may have a round, rectangular or square shape, and a polished squeegee can also be used to reduce the attack angle (the angle between the plate and the squeegee at the time of printing). For other printing conditions and the like, conventionally known conditions may be appropriately designed.

導電性樹脂組成物をスクリーン印刷により印刷後、加熱して乾燥および架橋剤が含まれる場合には架橋反応を行い硬化する。
溶剤の十分な揮発および架橋反応のために、加熱温度は80〜230℃、加熱時間としては10〜120分とすることが好ましい。これにより、パターン状の導電層を得ることができる。
After printing the conductive resin composition by screen printing, it is heated to dry and, if a cross-linking agent is contained, a cross-linking reaction is carried out to cure.
For sufficient volatilization and cross-linking reaction of the solvent, the heating temperature is preferably 80 to 230 ° C. and the heating time is preferably 10 to 120 minutes. Thereby, a patterned conductive layer can be obtained.

導電層の膜厚は、求められる導電性等に応じて適宜調整すればよく、特に限定されないが、例えば、0.5μm以上20μm以下とすることができ、1μm以上15μm以下とすることが好ましい。 The film thickness of the conductive layer may be appropriately adjusted according to the required conductivity and the like, and is not particularly limited, but may be, for example, 0.5 μm or more and 20 μm or less, and preferably 1 μm or more and 15 μm or less.

[導電性樹脂組成物]
本実施の成形フィルムに用いられる導電性樹脂組成物は、少なくとも、樹脂(A1)と、溶剤(B1)と、導電性粒子(C)と、を含有するものであり、必要に応じて他の成分を含有してもよいものである。
以下このような成形フィルム用導電性樹脂組成物の各成分について説明する。
[Conductive resin composition]
The conductive resin composition used in the molded film of this embodiment contains at least a resin (A1), a solvent (B1), and conductive particles (C), and if necessary, another It may contain an ingredient.
Hereinafter, each component of such a conductive resin composition for a molded film will be described.

<樹脂(A1)>
本実施の導電性樹脂組成物は、成膜性や、ベースフィルム乃至加飾層への密着性を付与するために、バインダー性の樹脂(A1)を含有する。また、本実施においては、樹脂(A1)を含有することにより、導電層に柔軟性を付与することができる。そのため、樹脂(A1)を含有することにより延伸に対する導電層の断線が抑制される。
<Resin (A1)>
The conductive resin composition of the present embodiment contains a binder resin (A1) in order to impart film forming property and adhesion to the base film or the decorative layer. Further, in this embodiment, the conductive layer can be imparted with flexibility by containing the resin (A1). Therefore, by containing the resin (A1), disconnection of the conductive layer due to stretching is suppressed.

ここでガラス転移点の測定方法を定義する。本明細書ではガラス転移点をDSC(Differential Scanning Calorimetry)によって求めた。ガラス転移点を求めたい任意成分について、まずは第1の加熱運転、次いで冷却運転、引き続いて第2の加熱運転を測定する。第1の加熱運転および第2の加熱運転における加熱速度は、10℃/分であり、冷却運転における冷却速度も、同様に10℃/分である。DSC線図において、任意成分のガラス転移の領域には、第2の加熱運転の際に段が得られる。任意成分のガラス転移温度は、DSC線図における段の高さの半分の箇所の温度に相当する。 Here, a method for measuring the glass transition point is defined. In this specification, the glass transition point is determined by DSC (Differential Scanning Calimorimetry). For the arbitrary component for which the glass transition point is to be obtained, first the first heating operation, then the cooling operation, and then the second heating operation are measured. The heating rate in the first heating operation and the second heating operation is 10 ° C./min, and the cooling rate in the cooling operation is also 10 ° C./min. In the DSC diagram, a step is obtained in the region of the glass transition of the arbitrary component during the second heating operation. The glass transition temperature of the optional component corresponds to the temperature at half the height of the step in the DSC diagram.

樹脂(A1)のガラス転移点は、10℃以上110℃以下であり、より好ましくは15℃以上〜105℃であり、さらに好ましくは、30℃以上〜100℃である。上記範囲となることで、成形時の成形フィルム延伸に対し導電層パターンの抵抗値が大きく増大することなく、絶縁層自体の絶縁性能およびベースフィルムおよび射出成形樹脂に対する高い密着性に基づく優れたイオンマイグレーション耐性効果がある。 The glass transition point of the resin (A1) is 10 ° C. or higher and 110 ° C. or lower, more preferably 15 ° C. or higher to 105 ° C., and even more preferably 30 ° C. or higher to 100 ° C. Within the above range, the resistance value of the conductive layer pattern does not significantly increase with respect to the stretching of the molded film during molding, and excellent ions are based on the insulating performance of the insulating layer itself and high adhesion to the base film and the injection molding resin. Has a migration resistance effect.

樹脂(A1)の重量平均分子量は、10,000以上100,000以下であり、より好ましくは15,000以上90,000以下であり、さらに好ましくは、20,000以上85,000以下である。上記範囲となることで、優れたイオンマイグレーション耐性の効果がある。 The weight average molecular weight of the resin (A1) is 10,000 or more and 100,000 or less, more preferably 15,000 or more and 90,000 or less, and further preferably 20,000 or more and 85,000 or less. Within the above range, there is an excellent ion migration resistance effect.

前記樹脂(A1)は、導電性樹脂組成物用途に用いられる樹脂の中から適宜選択して用いることができる。
樹脂(A1)としては、例えば、アクリル系樹脂、ビニルエーテル樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリオレフィン樹脂、スチレン系ブロック共重合樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられ、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
The resin (A1) can be appropriately selected and used from the resins used for the conductive resin composition application.
Examples of the resin (A1) include acrylic resin, vinyl ether resin, polyether resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, phenoxy resin, polycarbonate resin, polyvinyl chloride resin, polyolefin resin, and styrene. Examples thereof include a block copolymer resin, a polyamide resin, and a polyimide resin, and one type can be used alone or two or more types can be used in combination.

本実施において樹脂(A1)は、後述の実施例、その他公知の方法により合成して用いてもよく、また、所望の物性を有する市販品を用いてもよい。本実施において樹脂(A1)は1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 In this embodiment, the resin (A1) may be synthesized and used by the following examples or other known methods, or a commercially available product having desired physical properties may be used. In this embodiment, the resin (A1) can be used alone or in combination of two or more.

本実施の導電性樹脂組成物中の樹脂(A1)の含有割合は、用途等に応じて適宜調整すればよく特に限定されないが、導電性樹脂組成物に含まれる固形分全量に対し、5質量%以上50質量%以下であることが好ましく、10質量%以上40質量%以下であることがより好ましい。樹脂(A1)の含有割合が上記下限値以上であれば、成膜性や、ベースフィルム等への密着性向上し、また、導電層に柔軟性を付与することができる。また、樹脂(A1)の含有割合が上記上限値以下であれば、相対的に導電性微粒子(D)の含有割合を高めることができ、導電性に優れた導電層を形成することができる。 The content ratio of the resin (A1) in the conductive resin composition of the present embodiment may be appropriately adjusted according to the intended use and is not particularly limited, but is 5% by mass with respect to the total amount of solid content contained in the conductive resin composition. % Or more and 50% by mass or less, and more preferably 10% by mass or more and 40% by mass or less. When the content ratio of the resin (A1) is at least the above lower limit value, the film forming property and the adhesion to the base film and the like can be improved, and the conductive layer can be imparted with flexibility. Further, when the content ratio of the resin (A1) is not more than the above upper limit value, the content ratio of the conductive fine particles (D) can be relatively increased, and a conductive layer having excellent conductivity can be formed.

<溶剤(B1)>
溶剤(B1)としては特に限定されないが、連続スクリーン印刷性の観点から沸点180℃以上270℃以下であることが好ましい。溶剤としては、例えば、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ガンマブチロラクトン、イソホロン、テトラリンなどが挙げられるが、これらに限定されず用いることができる。本実施において溶剤(B1)は1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
<Solvent (B1)>
The solvent (B1) is not particularly limited, but the boiling point is preferably 180 ° C. or higher and 270 ° C. or lower from the viewpoint of continuous screen printability. Examples of the solvent include, but are not limited to, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, gamma butyrolactone, isophorone, and tetralin. In this embodiment, the solvent (B1) can be used alone or in combination of two or more.

<導電性微粒子(C)>
導電性微粒子(C)は、導電層内で複数の導電性微粒子が接触して導電性を発現するものであり、本実施においては、高温で加熱することなく導電性が得られるものの中から適宜選択して用いられる。
本実施に用いられる導電性微粒子としては、金属微粒子、カーボン微粒子、導電性酸化物微粒子などが挙げられる。
金属微粒子としては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、クロム、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、インジウム、アルミニウム、タングステン、モルブテン、白金等の金属単体粉のほか、銅−ニッケル合金、銀−パラジウム合金、銅−スズ合金、銀−銅合金、銅−マンガン合金などの合金粉、前記金属単体粉または合金粉の表面を、銀などで被覆した金属コート粉などが挙げられる。また、カーボン微粒子としては、カーボンブラック、グラファイト、カーボンナノチューブなどが挙げられる。また、導電性酸化物微粒子としては、酸化銀、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ルテニウムなどが挙げられる。
<Conductive fine particles (C)>
The conductive fine particles (C) are those in which a plurality of conductive fine particles come into contact with each other in the conductive layer to develop conductivity. Selected and used.
Examples of the conductive fine particles used in this embodiment include metal fine particles, carbon fine particles, and conductive oxide fine particles.
Examples of the metal fine particles include single metal powders such as gold, silver, copper, nickel, chromium, palladium, rhodium, ruthenium, indium, aluminum, tungsten, morphten, and platinum, as well as copper-nickel alloys and silver-palladium alloys. Examples thereof include alloy powders such as copper-tin alloys, silver-copper alloys, and copper-manganese alloys, and metal-coated powders obtained by coating the surface of the metal single powder or the alloy powder with silver or the like. Examples of carbon fine particles include carbon black, graphite, and carbon nanotubes. Examples of the conductive oxide fine particles include silver oxide, indium oxide, tin oxide, zinc oxide, ruthenium oxide and the like.

本実施においては、中でも、銀粉、銅粉、銀コート粉、銅合金粉、導電性酸化物粉、およびカーボン微粒子より選択される1種以上の導電性微粒子を含むことが好ましい。これらの導電性微粒子(C)を用いることにより、焼結することなく、導電性に優れた導電層を形成することができ、さらに後述する成形フィルムとして立体形状に成形した際の延伸性や導電性の保持性能に優れた導電層を形成することができる。 In this embodiment, it is preferable to include one or more conductive fine particles selected from silver powder, copper powder, silver-coated powder, copper alloy powder, conductive oxide powder, and carbon fine particles. By using these conductive fine particles (C), it is possible to form a conductive layer having excellent conductivity without sintering, and further, the stretchability and conductivity when molded into a three-dimensional shape as a molding film described later. It is possible to form a conductive layer having excellent property retention performance.

導電性微粒子(C)の形状は、特に限定されないが、フレーク状または連鎖凝集状であることが好ましい。フレーク状の場合は2次元平面状の扁平形状であれば特に限定されない。なお本発明における「フレーク状」とは、鱗片状、鱗状、板状、扁平状、シート状等と呼称される2次元平面状の扁平形状全般を指す。中でも、印刷性の保持と成形引張時の導電性維持および、プラスチック基材との一体化工程における高温下での基材プラスチックとの摩擦応力ストレス耐性の観点から、アスペクト比が3以上500以下のものが特に好ましい。また連鎖凝集状の場合は、微細な球状粒子が互いに結着した不定形状であれば特に限定しない。なお本発明における「連鎖凝集状」とは、結着球状、連鎖球状、凝集状などと呼称される球状粒子が決着してできた不定形状全般を指す。連鎖凝集状であることも、印刷性の保持と成形引張時の導電性維持および、プラスチック基材との一体化工程における高温下での高温下での基材プラスチックとの摩擦応力ストレス耐性の観点から特に好ましい。 The shape of the conductive fine particles (C) is not particularly limited, but is preferably flake-shaped or chain-aggregated. In the case of a flake shape, the shape is not particularly limited as long as it is a flat shape having a two-dimensional plane shape. The "flake-like" in the present invention refers to a general flat shape of a two-dimensional plane called a scale-like, a scale-like, a plate-like, a flat-like, a sheet-like, or the like. Above all, the aspect ratio is 3 or more and 500 or less from the viewpoint of maintaining printability, maintaining conductivity during molding tension, and friction stress stress resistance with the base plastic at high temperature in the process of integrating with the plastic base material. Those are particularly preferable. Further, in the case of chain agglutination, it is not particularly limited as long as it has an indefinite shape in which fine spherical particles are bound to each other. The term "chain-aggregated" in the present invention refers to all irregular shapes formed by the settlement of spherical particles called bound spheres, chained spheres, agglutinated particles, and the like. The chain-aggregated form also maintains printability, maintains conductivity during molding tension, and is resistant to frictional stress and stress with the base plastic at high temperatures in the process of integrating with the plastic base material. Is particularly preferable.

導電性微粒子の平均粒子径は、特に限定されないが、導電性樹脂組成物中での分散性や印刷性の保持、成形時の導電性維持および、溶融樹脂による射出成型プロセス耐性または成形済樹脂へ高温引張耐性の観点から、0.5μm以上30μm以下が好ましく、1μm以上15μm以下がより好ましい。
なお本実施において導電性微粒子(C)の平均粒子径は以下のように算出する。JISM8511(2014)記載のレーザ回折・散乱法に準拠し、レーザ回折・散乱式粒度分布測定装置(日機装株式会社製:マイクロトラック9220FRA)を用い、分散剤として市販の界面活性剤ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル(ロシュ・ダイアグノスティックス株式会社製:トリトンX−100)を0.5体積%含有する水溶液に導電性微粒子(C)を適量投入し、撹拌しながら40Wの超音波を180秒照射した後、測定を行った。求められたメディアン径(D50)の値を導電性微粒子(C)の平均粒径とした。
The average particle size of the conductive fine particles is not particularly limited, but the dispersibility and printability in the conductive resin composition are maintained, the conductivity is maintained during molding, and the injection molding process resistance by the molten resin or the molded resin is obtained. From the viewpoint of high temperature tensile resistance, 0.5 μm or more and 30 μm or less are preferable, and 1 μm or more and 15 μm or less are more preferable.
In this implementation, the average particle size of the conductive fine particles (C) is calculated as follows. Based on the laser diffraction / scattering method described in JIS M8511 (2014), a commercially available surfactant polyoxyethylene octylphenyl is used as a dispersant using a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device (Microtrac 9220FRA manufactured by Nikkiso Co., Ltd.). An appropriate amount of conductive fine particles (C) was added to an aqueous solution containing 0.5% by volume of ether (manufactured by Roche Diffractives Co., Ltd .: Triton X-100), and 40 W ultrasonic waves were irradiated for 180 seconds while stirring. After that, the measurement was performed. The value of the obtained median diameter (D50) was taken as the average particle size of the conductive fine particles (C).

本実施において導電性微粒子(C)は、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本実施の導電性樹脂組成物中の導電性微粒子(C)の含有割合は、用途等に応じて適宜調整すればよく特に限定されないが、導電性樹脂組成物に含まれる固形分全量に対し、50質量%以上85質量%以下であることが好ましく、55質量%以上80質量%以下であることが好ましい。導電性微粒子(C)の含有割合が上記下限値以上であれば、導電性に優れた導電層を形成することができる。また、導電性微粒子(C)の含有割合が上記上限値以下であれば、樹脂(A1)の含有割合を高めることができ、成膜性や、ベースフィルム等への密着性が向上し、また、導電層に柔軟性を付与することができる。
In this embodiment, the conductive fine particles (C) can be used alone or in combination of two or more.
The content ratio of the conductive fine particles (C) in the conductive resin composition of the present embodiment may be appropriately adjusted according to the intended use and is not particularly limited, but is based on the total solid content contained in the conductive resin composition. It is preferably 50% by mass or more and 85% by mass or less, and preferably 55% by mass or more and 80% by mass or less. When the content ratio of the conductive fine particles (C) is at least the above lower limit value, a conductive layer having excellent conductivity can be formed. Further, when the content ratio of the conductive fine particles (C) is equal to or less than the above upper limit value, the content ratio of the resin (A1) can be increased, the film forming property and the adhesion to the base film or the like are improved, and also. , Flexibility can be imparted to the conductive layer.

<任意成分>
本発明の導電性樹脂組成物は、必要に応じてさらに他の成分を含有してもよい。このような他の成分としては、架橋剤のほか、分散剤、耐摩擦向上剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、芳香剤、酸化防止剤、有機顔料、無機顔料、消泡剤、シランカップリング剤、可塑剤、難燃剤、保湿剤等が挙げられる。
<Arbitrary ingredient>
The conductive resin composition of the present invention may further contain other components, if necessary. In addition to cross-linking agents, such other components include dispersants, friction improvers, infrared absorbers, ultraviolet absorbers, fragrances, antioxidants, organic pigments, inorganic pigments, defoamers, and silane couplings. Examples include agents, plasticizers, flame retardants, moisturizers and the like.

<導電性樹脂組成物の製造方法>
本実施の導電性樹脂組成物の製造方法は、前記樹脂(A1)と、溶剤(B1)と、導電性微粒子(C)と、必要により用いられるその他の成分とを、溶解乃至分散する方法であればよく、公知の混合手段により混合することにより製造することができる。
<Manufacturing method of conductive resin composition>
The method for producing the conductive resin composition of the present embodiment is a method of dissolving or dispersing the resin (A1), the solvent (B1), the conductive fine particles (C), and other components used as necessary. Anything is sufficient, and it can be produced by mixing by a known mixing means.

<絶縁層>
本実施の成形フィルムにおいて絶縁層は、体積抵抗値は、1×1010Ω・cm以上1×1017Ω・cm未満であり、後述する絶縁性樹脂組成物の硬化物である。
絶縁層により導電層を被覆することにより、製造プロセス中の導電層への摩擦ダメージ等を防ぐことができる。また高温下での基材プラスチックとの摩擦応力ストレスが導電層に直接加わることを防ぐ、耐熱応力保護層としての役割も発揮する。さらに導電層パターン間の長期連続通電時の絶縁性確保が可能となり、これは、絶縁性樹脂組成物が通常微細な凹凸の存在する導電層を確実に隅々まで浸透し封止するとともに、絶縁層が樹脂成型体との接着層としても働くことで、外部からの水分や硫黄化合物その他の腐蝕性ガスをより確実に遮断することが可能なためである。また、外部からの衝撃等に対し、成型フィルムの樹脂成型体基材との物理的な剥離を抑制することも可能になる。
絶縁層の形成方法は特に限定されないが、本実施においては、スクリーン印刷法、パッド印刷法、ステンシル印刷法、スクリーンオフセット印刷法、ディスペンサー印刷法、グラビアオフセット印刷法、反転オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法により形成することが好ましく、スクリーン印刷法により形成することがより好ましい。
スクリーン印刷法においては、導電回路パターンを外部から確実に絶縁し、かつある程度のパターニング精度も確保できるように、特定範囲のメッシュ、特に好ましくは120〜400メッシュ程度のメッシュのスクリーンを用いることが好ましい。この時のスクリーンの開放面積は約20〜50%が好ましい。スクリーン線径は約10〜70μmが好ましい。
スクリーン版の種類としては、ポリエステルスクリーン、コンビネーションスクリーン、メタルスクリーン、ナイロンスクリーン等が挙げられる。また、高粘度なペースト状態のものを印刷する場合は、高張力ステンレススクリーンを使用することができる。
スクリーン印刷のスキージは丸形、長方形、正方形いずれの形状であってもよく、またアタック角度(印刷時の版とスキージの角度)を小さくするために研磨スキージも使用することができる。その他の印刷条件等は従来公知の条件を適宜設計すればよい。
<Insulation layer>
In the molded film of this embodiment, the insulating layer has a volume resistance value of 1 × 10 10 Ω · cm or more and less than 1 × 10 17 Ω · cm, and is a cured product of the insulating resin composition described later.
By covering the conductive layer with the insulating layer, it is possible to prevent frictional damage to the conductive layer during the manufacturing process. It also serves as a heat-resistant stress protection layer that prevents frictional stress stress from the base plastic at high temperatures from being directly applied to the conductive layer. Furthermore, it is possible to secure the insulating property during long-term continuous energization between the conductive layer patterns, which means that the insulating resin composition surely permeates and seals the conductive layer having fine irregularities to every corner and also insulates. This is because the layer also acts as an adhesive layer with the resin molded body, so that it is possible to more reliably block moisture, sulfur compounds and other corrosive gases from the outside. In addition, it is possible to suppress the physical peeling of the molded film from the resin molded body base material against an impact from the outside.
The method for forming the insulating layer is not particularly limited, but in this embodiment, a screen printing method, a pad printing method, a stencil printing method, a screen offset printing method, a dispenser printing method, a gravure offset printing method, a reverse offset printing method, and a microcontact printing method are used. It is preferably formed by a method, and more preferably formed by a screen printing method.
In the screen printing method, it is preferable to use a screen having a specific range of mesh, particularly preferably about 120 to 400 mesh, so that the conductive circuit pattern can be reliably insulated from the outside and a certain degree of patterning accuracy can be ensured. .. The open area of the screen at this time is preferably about 20 to 50%. The screen wire diameter is preferably about 10 to 70 μm.
Examples of the screen version include polyester screens, combination screens, metal screens, nylon screens and the like. Further, when printing a high-viscosity paste state, a high-tensile stainless steel screen can be used.
The screen-printed squeegee may have a round, rectangular or square shape, and a polished squeegee can also be used to reduce the attack angle (the angle between the plate and the squeegee at the time of printing). For other printing conditions and the like, conventionally known conditions may be appropriately designed.

絶縁性樹脂組成物をスクリーン印刷により印刷後、加熱して乾燥および架橋剤を含む場合には架橋反応を行い硬化する。
溶剤の十分な揮発および架橋反応のために、加熱温度は80〜230℃、加熱時間としては10〜120分とすることが好ましい。これにより、パターン状の絶縁層を得ることができる。パターン状絶縁層は、導電パターンの全面を被覆してもよいが、導電パターンを回路として使用する際に外部機器との接続が取れるように露出した導電パターン面を残しながら、導電パターンの一部を被覆するように絶縁層を設けてもよい。
After printing the insulating resin composition by screen printing, it is heated to dry and, if it contains a cross-linking agent, undergoes a cross-linking reaction to cure.
For sufficient volatilization and cross-linking reaction of the solvent, the heating temperature is preferably 80 to 230 ° C. and the heating time is preferably 10 to 120 minutes. Thereby, a patterned insulating layer can be obtained. The patterned insulating layer may cover the entire surface of the conductive pattern, but is a part of the conductive pattern while leaving an exposed conductive pattern surface so that it can be connected to an external device when the conductive pattern is used as a circuit. An insulating layer may be provided so as to cover the above.

絶縁層の膜厚は、求められる絶縁性等に応じて適宜調整すればよく、特に限定されないが、例えば、5μm以上50μm以下とすることができ、8μm以上30μm以下とすることが好ましい。 The film thickness of the insulating layer may be appropriately adjusted according to the required insulating property and the like, and is not particularly limited, but may be, for example, 5 μm or more and 50 μm or less, and preferably 8 μm or more and 30 μm or less.

[絶縁性樹脂組成物]
本実施の成形フィルムに用いられる絶縁性樹脂組成物は、少なくとも、樹脂(A2)と、溶剤(B2)と、を含有し、必要に応じて更に他の成分を含有してもよい。
以下このような成形フィルム用絶縁性樹脂組成物の各成分について説明する。
[Insulating resin composition]
The insulating resin composition used in the molded film of this embodiment contains at least a resin (A2) and a solvent (B2), and may further contain other components if necessary.
Hereinafter, each component of such an insulating resin composition for a molded film will be described.

<樹脂(A2)>
本実施の絶縁性樹脂組成物は、成膜性や絶縁性の確保、並びに導電層およびベースフィルム乃至加飾層への密着性を付与するために、バインダー性の樹脂(A2)を含有する。
また、本実施においては、樹脂(A2)を含有することにより、絶縁層が導電層を被覆した際に絶縁層に柔軟強靭性に基づく力学的なクッション性能を付与することができる。そのため、樹脂(A2)を含有することにより延伸に対する絶縁層の断裂のみでなく、導電層の断線も抑制される。
<Resin (A2)>
The insulating resin composition of the present embodiment contains a binder resin (A2) in order to ensure film forming property and insulating property, and to impart adhesion to the conductive layer and the base film or the decorative layer.
Further, in this embodiment, by containing the resin (A2), it is possible to impart mechanical cushioning performance based on flexibility and toughness to the insulating layer when the insulating layer covers the conductive layer. Therefore, by containing the resin (A2), not only the breakage of the insulating layer due to stretching but also the breakage of the conductive layer is suppressed.

樹脂(A2)のガラス転移点は、30℃以上140℃以下であり、より好ましくは45℃以上135℃以下であり、さらに好ましくは、50℃以上130℃である。上記範囲となることで、成形時の成形フィルム延伸に対し導電層パターンの抵抗値が大きく増大することなく、絶縁層自体の絶縁性能およびベースフィルムおよび射出成形樹脂に対する高い密着性に基づく優れたイオンマイグレーション耐性効果がある。 The glass transition point of the resin (A2) is 30 ° C. or higher and 140 ° C. or lower, more preferably 45 ° C. or higher and 135 ° C. or lower, and further preferably 50 ° C. or higher and 130 ° C. or lower. Within the above range, the resistance value of the conductive layer pattern does not significantly increase with respect to the stretching of the molded film during molding, and excellent ions are based on the insulating performance of the insulating layer itself and high adhesion to the base film and the injection molding resin. Has a migration resistance effect.

樹脂(A2)の重量平均分子量は、20,000以上200,000以下であり、より好ましくは25,000以上195,000であり、さらに好ましくは、40,000以上180,000である。上記範囲となることで、優れたイオンマイグレーション耐性効果がある。 The weight average molecular weight of the resin (A2) is 20,000 or more and 200,000 or less, more preferably 25,000 or more and 195,000, and further preferably 40,000 or more and 180,000. Within the above range, there is an excellent ion migration resistance effect.

前記樹脂(A2)は、絶縁性樹脂組成物用途に用いられる樹脂の中から、適宜選択して用いることができる。
樹脂(A2)としては、例えば、アクリル系樹脂、ビニルエーテル樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン樹脂、スチレン系ブロック共重合樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられ、1種単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
The resin (A2) can be appropriately selected and used from the resins used for the use of the insulating resin composition.
Examples of the resin (A2) include acrylic resin, vinyl ether resin, polyether resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, phenoxy resin, polycarbonate resin, polyolefin resin, and styrene block copolymer resin. Examples thereof include polyamide-based resins and polyimide-based resins, and one type can be used alone or two or more types can be used in combination.

本実施において前記樹脂(A2)は、ハロゲン元素を構造中に有さないか、含有率が極めて低いものが好ましい。ハロゲン元素を構造中に有さないことで、導電層と積層して使用した際に、過酷条件下でのイオンマイグレーション耐性がさらに優れる点で好適である。 In this embodiment, the resin (A2) preferably has no halogen element in its structure or has an extremely low content. Since the halogen element is not present in the structure, it is preferable in that the ion migration resistance under harsh conditions is further excellent when used in a laminated manner with the conductive layer.

本実施において前記樹脂(A2)は、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル結合を含むことが好ましい。ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル結合を含むことにより、絶縁層が成型フィルムと導電層の導電性微粒子表面の双方に効率よく濡れ広がり強力に接着するとともに、高温条件下における適度な弾力性を発現することで、熱成形時の伸長からの導電層の保護特性と成型体となった後の導電パターン間のイオンマイグレーション耐性をも高いレベルで両立可能となる。 In this embodiment, the resin (A2) preferably contains an ester bond derived from a reaction product of a dicarboxylic acid and a diol. By including the ester bond derived from the reaction product of the dicarboxylic acid and the diol, the insulating layer efficiently wets and spreads on both the surface of the conductive fine particles of the molded film and the conductive layer and adheres strongly, and is moderately adhered under high temperature conditions. By exhibiting elasticity, it is possible to achieve both the protective property of the conductive layer from elongation during thermal molding and the ion migration resistance between the conductive patterns after forming the molded body at a high level.

本実施において樹脂(A2)は、後述の実施例、その他公知の方法により合成して用いてもよく、また、所望の物性を有する市販品を用いてもよい。本実施において樹脂(A2)は1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 In this embodiment, the resin (A2) may be synthesized and used by the following examples or other known methods, or a commercially available product having desired physical properties may be used. In this embodiment, the resin (A2) can be used alone or in combination of two or more.

本実施の絶縁性樹脂組成物中の樹脂(A2)の含有割合は、用途等に応じて適宜調整すればよく特に限定されないが、導電性樹脂組成物に含まれる固形分全量に対し、50質量%以上100質量%以下であることが好ましく、70質量%以上100質量%以下であることがより好ましい。樹脂(A2)の含有割合が上記下限値以上であれば、成膜性や、ベースフィルム等への密着性向上し、また、導電層に柔軟性を付与することができる。 The content ratio of the resin (A2) in the insulating resin composition of the present embodiment may be appropriately adjusted according to the intended use and is not particularly limited, but is 50 mass by mass with respect to the total amount of solid content contained in the conductive resin composition. It is preferably% or more and 100% by mass or less, and more preferably 70% by mass or more and 100% by mass or less. When the content ratio of the resin (A2) is at least the above lower limit value, the film forming property and the adhesion to the base film and the like can be improved, and the conductive layer can be imparted with flexibility.

本実施において前記樹脂(A1)のガラス転移点は前記樹脂(A2)のガラス転移点未満であることが好ましい。前記樹脂(A1)のガラス転移点が前記樹脂(A2)のガラス転移点未満であることにより、延伸時における導電層への応力集中を抑制出来る点で好適である。 In this embodiment, the glass transition point of the resin (A1) is preferably less than the glass transition point of the resin (A2). Since the glass transition point of the resin (A1) is less than the glass transition point of the resin (A2), stress concentration on the conductive layer during stretching can be suppressed, which is preferable.

本実施において前記樹脂(A1)の重量平均分子量は前記樹脂(A2)の重量平均分子量未満であることが好ましい。前記樹脂(A1)の重量平均分子量が前記樹脂(A2)の重量平均分子量未満であることにより、導電層への絶縁樹脂成分の湿潤による悪影響が抑制される。これにより熱成型時の延伸時に導電層内への微細クラック発生が防止され、さらに微細クラック発生によるイオンマイグレーション発生が抑制されることで成形体配線間の長期絶縁信頼性が向上する点で好適である。 In this embodiment, the weight average molecular weight of the resin (A1) is preferably less than the weight average molecular weight of the resin (A2). When the weight average molecular weight of the resin (A1) is less than the weight average molecular weight of the resin (A2), the adverse effect of wetting the insulating resin component on the conductive layer is suppressed. This is suitable in that the generation of fine cracks in the conductive layer during stretching during thermoforming is prevented, and the generation of ion migration due to the generation of fine cracks is suppressed, thereby improving the long-term insulation reliability between the molded body wirings. be.

本実施において前記樹脂(A1)のガラス転移点および前記樹脂(A2)のガラス転移点はいずれもベースフィルムのガラス転移点未満であることが好ましい。前記樹脂(A1)のガラス転移点および前記樹脂(A2)のガラス転移点がいずれもベースフィルムのガラス転移点未満であることにより、延伸時における導電層への応力集中が抑制できる点で好適である。 In this embodiment, it is preferable that the glass transition point of the resin (A1) and the glass transition point of the resin (A2) are both less than the glass transition point of the base film. Since the glass transition point of the resin (A1) and the glass transition point of the resin (A2) are both less than the glass transition point of the base film, it is preferable in that stress concentration on the conductive layer during stretching can be suppressed. be.

<溶剤(B2)>
溶剤(B2)としては特に限定されないが、連続スクリーン印刷性の観点から沸点180℃以上270℃以下であることが好ましい。溶剤としては、例えば、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ガンマブチロラクトン、イソホロン、テトラリンなどが挙げられるが、これらに限定されず用いることができる。本実施において溶剤(B2)は1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
<Solvent (B2)>
The solvent (B2) is not particularly limited, but the boiling point is preferably 180 ° C. or higher and 270 ° C. or lower from the viewpoint of continuous screen printability. Examples of the solvent include, but are not limited to, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, gamma butyrolactone, isophorone, and tetralin. In this embodiment, the solvent (B2) can be used alone or in combination of two or more.

<絶縁性樹脂組成物の製造方法>
本実施の絶縁性樹脂組成物の製造方法は、前記樹脂(A2)と、溶剤(B2)と、必要に応じてその他の成分とを、溶解乃至分散する方法であればよく、公知の混合手段により混合することにより製造することができる。
<Manufacturing method of insulating resin composition>
The method for producing the insulating resin composition of the present embodiment may be any method as long as it is a method of dissolving or dispersing the resin (A2), the solvent (B2) and, if necessary, other components, and is a known mixing means. It can be manufactured by mixing with.

<加飾層>
本実施の成形フィルムは、得られる成形体の意匠性の点から、加飾層を有していてもよい。
加飾層は単色の色味を有する層であってもよく、任意の模様が付されたものであってもよい。
加飾層は、一例として、色材と、樹脂と、溶剤とを含有する加飾インキを調製した後、当該加飾インキを公知の印刷手段によりベースフィルムに塗布することにより形成することができる。
前記色材としては、公知の顔料や染料の中から適宜選択して用いることができる。また樹脂としては、前記本実施の絶縁性樹脂組成物における樹脂(A2)と同様のものの中から適宜選択して用いることが好ましい。
加飾層の厚みは特に限定されないが、例えば0.5μm以上10μm以下とすることができ、1μm以上5μm以下とすることが好ましい。
<Decorative layer>
The molded film of this embodiment may have a decorative layer from the viewpoint of the design of the obtained molded product.
The decorative layer may be a layer having a monochromatic tint, or may have an arbitrary pattern.
As an example, the decorative layer can be formed by preparing a decorative ink containing a coloring material, a resin, and a solvent, and then applying the decorative ink to the base film by a known printing means. ..
As the coloring material, a known pigment or dye can be appropriately selected and used. Further, as the resin, it is preferable to appropriately select and use the same resin (A2) as the resin (A2) in the insulating resin composition of the present embodiment.
The thickness of the decorative layer is not particularly limited, but can be, for example, 0.5 μm or more and 10 μm or less, and preferably 1 μm or more and 5 μm or less.

[成形体]
本実施の成形体は、基材上に少なくとも導電層が積層した成形体であって、導電層が、前記の成形フィルム用導電性樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする。本実施の成形体は、前記本実施の成形フィルム用導電性樹脂組成物を用いた成形フィルムにより形成されるため、凹凸面や曲面など、任意の面に導電回路が形成された成形体となる。
以下、本実施の成形体の製造方法について、3つの実施形態を説明する。なお、本実施の成形体は、前記本実施の導電性樹脂組成物を用いて製造されたものであればよく、これらの方法に限定されるものではない。
[Molded product]
The molded product of the present embodiment is a molded product in which at least a conductive layer is laminated on a base material, and the conductive layer is a cured product of the conductive resin composition for a molding film. Since the molded body of this embodiment is formed by a molding film using the conductive resin composition for molding film of this embodiment, it is a molded body in which a conductive circuit is formed on an arbitrary surface such as an uneven surface or a curved surface. ..
Hereinafter, three embodiments will be described with respect to the method for manufacturing the molded product of the present embodiment. The molded product of the present embodiment may be manufactured by using the conductive resin composition of the present embodiment, and is not limited to these methods.

<第1の製造方法>
本実施に係る成形体の第1の製造方法は、前記の成形フィルム用導電性樹脂組成物を、ベースフィルム上に印刷、乾燥して導電層を形成したのち、次いで形成した導電性層の一部、もしくは全体を覆うように前記の絶縁性樹脂組成物を印刷、乾燥することで絶縁性組成物を形成することにより成形フィルムを製造する工程と、
基材上に前記成形フィルムを配置する工程と、
オーバーレイ成形法により、前記成形フィルムと前記基材とを一体化する工程と、を含む。
以下、図5を参照して説明する。
<First manufacturing method>
The first method for producing a molded product according to the present embodiment is one of the conductive layers formed after the conductive resin composition for a molded film is printed on a base film and dried to form a conductive layer. A step of manufacturing a molded film by forming an insulating composition by printing and drying the insulating resin composition so as to cover a part or the whole.
The process of arranging the molded film on the substrate and
A step of integrating the molded film and the base material by an overlay molding method is included.
Hereinafter, it will be described with reference to FIG.

図5は、成形体の第1の製造方法の一例を示す、模式的な工程図である。図5(A)〜(C)はそれぞれTOM(Three dimension Overlay Method)成形機のチャンバーボックス内に配置された成形フィルム10と基材20を図示するものであり、図5(B)および(C)ではチャンバーボックスを省略している。
第1の製造方法においては、まず、基材20を下側チャンバーボックス22のテーブル上に設置する。次いで、前記本実施の成形フィルム10を上側チャンバーボックス21と下側チャンバーボックス22との間を通し、基材20上に配置する。この際、成形フィルム10は導電層が基材20側、もしくは基材20とは反対側のどちらと面するように配置されていてもよく、最終的な成形体の用途によって選択される。次いで上側・下側チャンバーボックスを真空状態とした後、成形フィルムを加熱する。次いで、テーブルを上昇することにより基材20を上昇15する。次いで上側チャンバーボックス21内のみを大気開放する(図5(B))。この時、成形フィルムは基材側に加圧16され、成形フィルム10と基材20とが貼り合わされて一体化する(図5(C))。このようにして成形体30を得ることができる。
FIG. 5 is a schematic process diagram showing an example of a first manufacturing method of a molded product. 5 (A) to 5 (C) show the molding film 10 and the base material 20 arranged in the chamber box of the TOM (Three dimension Overlay Method) molding machine, respectively, and FIGS. 5 (B) and 5 (C) show. ) Omits the chamber box.
In the first manufacturing method, first, the base material 20 is placed on the table of the lower chamber box 22. Next, the molded film 10 of the present embodiment is passed between the upper chamber box 21 and the lower chamber box 22 and placed on the base material 20. At this time, the molded film 10 may be arranged so that the conductive layer faces either the base material 20 side or the side opposite to the base material 20, and is selected depending on the final use of the molded product. Next, after the upper and lower chamber boxes are evacuated, the molded film is heated. Then, the base material 20 is raised 15 by raising the table. Next, only the inside of the upper chamber box 21 is opened to the atmosphere (FIG. 5 (B)). At this time, the molded film is pressurized 16 to the base material side, and the molded film 10 and the base material 20 are bonded and integrated (FIG. 5 (C)). In this way, the molded body 30 can be obtained.

当該第1の製造方法において、基材20は予め任意の方法で準備することができる。当該第1の製造方法において、基材20の材質は特に限定されず、樹脂製であっても金属製であってもよい。当該第1の製造方法における基材20の材質の例としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ABS(アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂)、変性ポリフェニレンエーテル、及びこれら樹脂の2種以上からなるポリマーアロイ等の熱可塑性樹脂や、ステンレス、銅、アルミ等の金属、その他ガラスやセラミックス等も用いることができる。 In the first manufacturing method, the base material 20 can be prepared in advance by any method. In the first manufacturing method, the material of the base material 20 is not particularly limited, and may be made of resin or metal. Examples of the material of the base material 20 in the first production method include polycarbonate, polymethylmethacrylate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polystyrene, polyamide, polyether sulfone, polyphenylene sulfide, polyvinyl chloride, polyethylene, polypropylene, and cyclo. Thermoplastic resins such as olefin polymers, ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer resin), modified polyphenylene ethers, and polymers alloys consisting of two or more of these resins, metals such as stainless steel, copper, and aluminum, and other glasses and ceramics. Etc. can also be used.

なお本第1の製造方法における、前述の基材との一体化工程における高温下での基材プラスチックとの摩擦応力ストレスとは、前記図5(C)での成形フィルムが基材側に加圧16され、成形フィルム10と基材20とが貼り合わされて一体化する際の、高温下で成形フィルムの導電回路と基材との間の摩擦応力に起因するものである。即ち本第1の製造方法においては、導電層は成形時の引張応力による負荷と、高温下での基材プラスチックとの摩擦応力ストレスを同時に受けることとなる。 The frictional stress stress with the base material plastic at high temperature in the above-mentioned integration step with the base material in the first manufacturing method is that the molded film in FIG. 5 (C) is applied to the base material side. This is due to the frictional stress between the conductive circuit of the molded film and the base material under high temperature when the pressure 16 is applied and the molded film 10 and the base material 20 are bonded and integrated. That is, in the first manufacturing method, the conductive layer is simultaneously subjected to a load due to tensile stress during molding and a frictional stress stress with the base plastic at a high temperature.

<第2の製造方法>
本実施に係る成形体の第2の製造方法は、前記の成形フィルム用導電性樹脂組成物を、ベースフィルム上に印刷、乾燥して導電層を形成したのち、次いで形成した導電性層の一部、もしくは全体を覆うように前記の絶縁性樹脂組成物を印刷、乾燥することで絶縁性組成物を形成することにより成形フィルムを製造する工程と、
前記成形フィルムを所定の形状に成形する工程と、
成形後の前記成形フィルムを、射出成形用の型内に配置する工程と、
射出成形により基材を成形すると共に、前記成形フィルムと前記基材とを一体化する工程と、を含む。以下、図6を参照して説明する。なお、第2の製造方法をフィルムインサート法ということがある。
<Second manufacturing method>
The second method for producing a molded product according to the present embodiment is one of the conductive layers formed after the conductive resin composition for a molded film is printed on a base film and dried to form a conductive layer. A step of manufacturing a molded film by forming an insulating composition by printing and drying the insulating resin composition so as to cover a part or the whole.
The process of molding the molded film into a predetermined shape and
The step of arranging the molded film after molding in a mold for injection molding, and
It includes a step of molding a base material by injection molding and integrating the molding film and the base material. Hereinafter, it will be described with reference to FIG. The second manufacturing method may be referred to as a film insert method.

図6は、成形体の第2の製造方法の一例を示す、模式的な工程図である。第2の製造方法において、成形フィルム10は、金型11により予め所定の形状に成形する(図6(A))。成形フィルム10は加熱して軟化した後に、又は軟化させながら、真空による金型への吸引もしくは圧空による金型への押しつけ、またはその両方を併用して行い、金型11により成形する(図6(B))。この際、成形フィルム10は導電層が後述する基材20側、もしくは基材20とは反対側のどちらと面するように成形されていてもよく、最終的な成形体の用途によって選択される。次いで、成形後の成形フィルム10を射出成形用の金型12内に配置する(図6(C)〜図6(D))。次いで、開口部13から樹脂を射出14して、基材20を形成すると共に、前記成形フィルム10と、前記基材20とを一体化して、成形体30が得られる(図6(E))。 FIG. 6 is a schematic process diagram showing an example of a second manufacturing method of a molded product. In the second manufacturing method, the molded film 10 is preliminarily molded into a predetermined shape by the mold 11 (FIG. 6 (A)). The molding film 10 is formed by the mold 11 after being softened by heating or while being softened by suction to the mold by vacuum, pressing against the mold by pressure air, or both in combination (FIG. 6). (B)). At this time, the molded film 10 may be molded so that the conductive layer faces either the base material 20 side described later or the side opposite to the base material 20, and is selected depending on the final use of the molded body. .. Next, the molded film 10 after molding is placed in the mold 12 for injection molding (FIGS. 6 (C) to 6 (D)). Next, the resin is injected 14 from the opening 13 to form the base material 20, and the molded film 10 and the base material 20 are integrated to obtain a molded body 30 (FIG. 6 (E)). ..

第2の製造方法において基材20は予め準備する必要はなく、基材の成形と、成形フィルムとの一体化を同時に行うことができる。基材20の材質は、射出成形用に用いられる公知の樹脂の中から適宜選択して用いることができる。当該第2の製造方法における基材20の材質の例としては、前記第1の製造方法における基材20の材質の例で挙げられた熱可塑性樹脂と同様のものを使用することができる。 In the second manufacturing method, the base material 20 does not need to be prepared in advance, and the base material can be molded and integrated with the molded film at the same time. The material of the base material 20 can be appropriately selected and used from known resins used for injection molding. As an example of the material of the base material 20 in the second manufacturing method, the same thermoplastic resin as mentioned in the example of the material of the base material 20 in the first manufacturing method can be used.

なお本第2の製造方法における、前述の基材との一体化工程における高温下での基材プラスチックとの摩擦応力ストレスとは、図6(E)で開口部13から樹脂を射出14して、基材20を形成すると共に、前記成形フィルム10と、前記基材20とを一体化する際の、成形フィルム上の導電層が高温の溶融樹脂の型内への射出により受ける摩擦応力に起因するものである。即ち本第2の製造方法においては、導電層は成形時の引張応力による負荷を受けた後、別工程にて高温下での基材プラスチックとの摩擦応力ストレスを受けることとなる。 In the second manufacturing method, the frictional stress stress with the base material plastic under high temperature in the above-mentioned integration step with the base material is as shown in FIG. 6 (E) by injecting the resin 14 from the opening 13. Due to the frictional stress that the conductive layer on the molded film receives due to the injection of the high-temperature molten resin into the mold when forming the base material 20 and integrating the molded film 10 and the base material 20. It is something to do. That is, in the second manufacturing method, the conductive layer is subjected to a load due to tensile stress during molding, and then is subjected to frictional stress stress with the base plastic at a high temperature in another step.

<第3の製造方法>
本実施に係る成形体の第3の製造方法は、前記の成形フィルム用導電性樹脂組成物を、ベースフィルム上に印刷、乾燥して導電層を形成したのち、次いで形成した導電性層の一部、もしくは全体を覆うように前記の絶縁性樹脂組成物を印刷、乾燥することで絶縁性組成物を形成することにより成形フィルムを製造する工程と、
前記成形フィルムを、射出成形用の型内に配置する工程と、
射出成形により基材を成形すると共に、前記成形フィルム中の導電層を基材側に転写する工程と、を含む。
以下、図7を参照して説明する。なお、第3の製造方法をインモールド転写法ということがある。
<Third manufacturing method>
A third method for producing a molded product according to the present embodiment is one of the conductive layers formed after the conductive resin composition for a molded film is printed on a base film and dried to form a conductive layer. A step of manufacturing a molded film by forming an insulating composition by printing and drying the insulating resin composition so as to cover a part or the whole.
The step of arranging the molding film in the mold for injection molding and
It includes a step of molding a base material by injection molding and transferring the conductive layer in the molding film to the base material side.
Hereinafter, description will be made with reference to FIG. 7. The third manufacturing method may be referred to as an in-mold transfer method.

図7は、成形体の第3の製造方法の一例を示す、模式的な工程図である。第3の製造方法において成形フィルム10は、ベースフィルムとして剥離性を有するものを選択して用いる。当該成形フィルム10を射出成形用の金型12内に、後述する基材20側に導電層が向くように配置する(図7(A))。次いで、開口部13から樹脂を射出14して、基材20を形成すると共に、前記成形フィルム10と基材20とが密着し、基材20側に、少なくとも導電層が転写され(図7(B))、成形体30が得られる(図7(C))。なお、成形フィルム10が加飾層を有する場合には、加飾層と導電層とが転写される。 FIG. 7 is a schematic process diagram showing an example of a third manufacturing method of a molded product. In the third production method, the molded film 10 is selected and used as a base film having peelability. The molded film 10 is placed in a mold 12 for injection molding so that the conductive layer faces the base material 20 side described later (FIG. 7 (A)). Next, the resin is injected 14 from the opening 13 to form the base material 20, and the molded film 10 and the base material 20 are in close contact with each other, and at least the conductive layer is transferred to the base material 20 side (FIG. 7 (FIG. 7). B)), the molded body 30 is obtained (FIG. 7 (C)). When the molded film 10 has a decorative layer, the decorative layer and the conductive layer are transferred.

第3の製造方法においては、ベースフィルムを切断する必要がないため、図7の例に示されるように長尺状のベースフィルムを配置することができる。基材20の材質は、射出成形用に用いられる公知の樹脂の中から適宜選択して用いることができる。当該第3の製造方法における基材20の材質の例としては、前記第1の製造方法における基材20の材質の例で挙げられた熱可塑性樹脂と同様のものを使用することができる。 In the third manufacturing method, since it is not necessary to cut the base film, a long base film can be arranged as shown in the example of FIG. 7. The material of the base material 20 can be appropriately selected and used from known resins used for injection molding. As an example of the material of the base material 20 in the third manufacturing method, the same thermoplastic resin as mentioned in the example of the material of the base material 20 in the first manufacturing method can be used.

なお本第3の製造方法における、前述の基材との一体化工程における高温下での基材プラスチックとの摩擦応力ストレスとは、図7(C)で開口部13から樹脂を射出14して、基材20を形成すると共に、前記成形フィルム10と基材20とが密着する際の、成形フィルム上の導電層が高温の溶融樹脂の型内への射出により受ける摩擦応力に起因するものである。即ち本第3の製造方法においては、導電層は成形時の引張応力による負荷と、高温下での基材プラスチックとの摩擦応力ストレスを同時に受けることとなる。 In the third manufacturing method, the frictional stress stress with the base material plastic under high temperature in the above-mentioned integration step with the base material is as shown in FIG. 7 (C) by injecting the resin 14 from the opening 13. This is due to the frictional stress that the conductive layer on the molded film receives due to the injection of the high-temperature molten resin into the mold when the molded film 10 and the base material 20 are in close contact with each other while forming the base material 20. be. That is, in the third manufacturing method, the conductive layer is simultaneously subjected to a load due to tensile stress during molding and a frictional stress stress with the base plastic at a high temperature.

このようにして得られた成形体は、家電製品、自動車用部品、ロボット、ドローンなどのプラスチック筐体などに、回路やタッチセンサー・各種電子部品の実装を行うことを可能にする。また、電子機器の軽薄短小化および設計自由度の向上、多機能化に極めて有用である。 The molded body thus obtained makes it possible to mount circuits, touch sensors, and various electronic parts on plastic housings such as home appliances, automobile parts, robots, and drones. In addition, it is extremely useful for making electronic devices lighter, thinner, shorter, smaller, improving the degree of freedom in design, and increasing the number of functions.

以下に、実施例により本発明をより詳細に説明するが、以下の実施例は本発明を何ら制限するものではない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を、「%」は「質量%」を表す。
また、実施例中の重量平均分子量は、東ソー社製GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)「HLC−8320」を用いた測定におけるポリスチレン換算分子量である。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the following examples do not limit the present invention in any way. In the examples, "part" represents "parts by mass" and "%" represents "% by mass".
The weight average molecular weight in the examples is the polystyrene-equivalent molecular weight in the measurement using GPC (gel permeation chromatography) “HLC-8320” manufactured by Tosoh Corporation.

<樹脂(A−1)〜(A−6)>
樹脂(A−1)〜(A−6)として以下の樹脂を用いた。
・樹脂(A−1):三菱ケミカル社製アクリル樹脂、ダイヤナールMB7922、ガラス転移点45℃、重量平均分子量70,000。
・樹脂(A−2):三菱ケミカル社製アクリル樹脂、ダイヤナールBR52、ガラス転移点106℃、重量平均分子量75,000。
・樹脂(A−3):ユニチカ社製ポリエステル樹脂、エリーテルUE−3500、ガラス転移点15℃、重量平均分子量30,000。
・樹脂(A−4): ユニチカ社製ポリエステル樹脂、エリーテルUE−9200、ガラス転移点65℃、重量平均分子量15,000。
・樹脂(A−5):イーストマン・ケミカル社製セルロースエステル樹脂、CAB551−0.01、ガラス転移点85℃、重量平均分子量16,000。
・樹脂(A−6):根上工業社製アクリル樹脂、DT−3、ガラス転移点−42℃、重量平均分子量200,000。
<Resin (A-1) to (A-6)>
The following resins were used as the resins (A-1) to (A-6).
-Resin (A-1): Acrylic resin manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Dianal MB7922, glass transition point 45 ° C., weight average molecular weight 70,000.
-Resin (A-2): Acrylic resin manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, Dianal BR52, glass transition point 106 ° C., weight average molecular weight 75,000.
-Resin (A-3): Polyester resin manufactured by Unitika Ltd., Elitel UE-3500, glass transition point 15 ° C., weight average molecular weight 30,000.
-Resin (A-4): Polyester resin manufactured by Unitika Ltd., Elitel UE-9200, glass transition point 65 ° C., weight average molecular weight 15,000.
-Resin (A-5): Cellulose ester resin manufactured by Eastman Chemical Company, CAB551-0.01, glass transition point 85 ° C., weight average molecular weight 16,000.
-Resin (A-6): Acrylic resin manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., DT-3, glass transition point -42 ° C., weight average molecular weight 200,000.

<樹脂(A−7)〜(A−15)>
樹脂(A−7)〜(A−15)として以下の樹脂を用いた。
・樹脂(A−7):イーストマン・ケミカル社製セルロースエステル樹脂、CAB381−2、ガラス転移点133℃、重量平均分子量40,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含まない。
・樹脂(A−8):三菱ケミカル社製フェノキシ樹脂、jER−4250、ガラス転移点78℃、重量平均分子量55,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含まない。
・樹脂(A−9):東洋紡社製ポリエステル樹脂、バイロン103、ガラス転移点47℃、重量平均分子量23,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含む。
・樹脂(A−10):ユニチカ社製ポリエステル樹脂、エリーテルUE−3600、ガラス転移点75℃、重量平均分子量20,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含む。
・樹脂(A−11):Evonik Industries社製アクリル樹脂、DEGALANP675、ガラス転移点48℃、重量平均分子量180,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含まない。
<Resin (A-7) to (A-15)>
The following resins were used as the resins (A-7) to (A-15).
Resin (A-7): Contains a cellulose ester resin manufactured by Eastman Chemical Company, CAB381-2, a glass transition point of 133 ° C., a weight average molecular weight of 40,000, and an ester structure derived from a reaction product of a dicarboxylic acid and a diol. No.
Resin (A-8): phenoxy resin manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, jER-4250, glass transition point 78 ° C., weight average molecular weight 55,000, and does not contain an ester structure derived from a reaction product of a dicarboxylic acid and a diol.
Resin (A-9): Contains a polyester resin manufactured by Toyobo Co., Ltd., Byron 103, a glass transition point of 47 ° C., a weight average molecular weight of 23,000, and an ester structure derived from a reaction product of a dicarboxylic acid and a diol.
Resin (A-10): Contains a polyester resin manufactured by Unitica, Elitel UE-3600, a glass transition point of 75 ° C., a weight average molecular weight of 20,000, and an ester structure derived from a reaction product of a dicarboxylic acid and a diol.
Resin (A-11): Acrylic resin manufactured by Evonik Industries, DEGALANP675, glass transition point 48 ° C., weight average molecular weight 180,000, and does not contain an ester structure derived from a reaction product of a dicarboxylic acid and a diol.

〈製造例A:樹脂(A−12)の調整〉
・樹脂(A−12):東洋紡社製ポリエステルウレタン樹脂、バイロンUR−1400(ガラス転移点83℃、重量平均分子量40,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含む)をテフロン(登録商標)のコーティングがなされたステンレスバット上に載せ、熱風乾燥オーブンで120℃5時間乾燥し、溶剤を完全に除去した後、得られた樹脂を1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート=1:1の混合溶媒に溶解させ、ガラス転移点83℃、重量平均分子量40,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含むポリエステルウレタン樹脂40%、 1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン溶媒30%、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶媒30%からなる不揮発分40%のポリエステルウレタン溶液を得た。
<Manufacturing Example A: Adjustment of Resin (A-12)>
Resin (A-12): Polyethylene urethane resin manufactured by Toyo Boseki Co., Ltd., Byron UR-1400 (glass transition point 83 ° C., weight average molecular weight 40,000, including ester structure derived from reaction product of dicarboxylic acid and diol). Place it on a stainless steel bat coated with Teflon (registered trademark), dry it in a hot air drying oven at 120 ° C. for 5 hours to completely remove the solvent, and then remove the obtained resin from 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene. : Diethylene glycol monoethyl ether acetate = 1: 1 dissolved in a mixed solvent, glass transition point 83 ° C., weight average molecular weight 40,000, 40% polyester urethane resin containing an ester structure derived from the reaction product of dicarboxylic acid and diol. , 1, 2, 3, 4-Tetrahydronaphthalene solvent 30%, diethylene glycol monoethyl ether acetate solvent 30%, and a non-volatile content 40% polyester urethane solution was obtained.

〈製造例B:樹脂(A−13)の調整〉
・樹脂(A-13):東洋紡社製ポリエステルウレタン樹脂、バイロンUR−4800(ガラス転移点106℃、重量平均分子量25,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含む)をテフロン(登録商標)のコーティングがなされたバット上に載せ、熱風乾燥オーブンでて120℃5時間乾燥し、溶剤を完全に除去した後、得られた樹脂を1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート=1:1の混合溶媒に溶解させ、ガラス転移点106℃、重量平均分子量25,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含むポリエステルウレタン樹脂40%、 1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン溶媒30%、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶媒30%からなる不揮発分40%のポリエステルウレタン溶液を得た。
<Manufacturing Example B: Adjustment of Resin (A-13)>
Resin (A-13): Polyethylene urethane resin manufactured by Toyo Boseki Co., Ltd., Byron UR-4800 (glass transition point 106 ° C., weight average molecular weight 25,000, including ester structure derived from reaction product of dicarboxylic acid and diol). Place it on a bat coated with Teflon (registered trademark), dry it in a hot air drying oven at 120 ° C. for 5 hours to completely remove the solvent, and then remove the obtained resin from 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene. : Diethylene glycol monoethyl ether acetate = 1: 1 dissolved in a mixed solvent, glass transition point 106 ° C., weight average molecular weight 25,000, 40% polyester urethane resin containing an ester structure derived from the reaction product of dicarboxylic acid and diol. , 1, 2, 3, 4-Tetrahydronaphthalene solvent 30%, diethylene glycol monoethyl ether acetate solvent 30%, and a non-volatile content 40% polyester urethane solution was obtained.

・樹脂(A−14):根上工業社製アクリル樹脂、ME−2000、ガラス転移点−35℃、重量平均分子量600,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含まない。 Resin (A-14): Acrylic resin manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., ME-2000, glass transition point -35 ° C., weight average molecular weight 600,000, and does not contain an ester structure derived from a reaction product of a dicarboxylic acid and a diol.

<合成例3:樹脂(A−15)の合成>
攪拌機、温度計、還流冷却管、窒素ガス導入管を備えた反応装置に、ポリエステルポリオール(クラレ社製「クラレポリオールP−3010」)74.8部、ヘキサメチレンジイソシアネート11.4部、及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート31.9部を仕込み、窒素気流下にて90℃で3時間反応させ、ついでイソホロンジアミン2.0部を加え更に90℃で2時間反応させたのち、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートで希釈することで、ガラス転移点2℃、重量平均分子量12,000、ジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を含むウレタン樹脂(A−15)40%、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶媒60%からなる不揮発分40%のウレタン樹脂溶液を得た。
<Synthesis Example 3: Synthesis of Resin (A-15)>
74.8 parts of polyester polyol ("Kurare polyol P-3010" manufactured by Kurare Co., Ltd.), 11.4 parts of hexamethylene diisocyanate, and diethylene glycol mono in a reaction device equipped with a stirrer, thermometer, reflux cooling tube, and nitrogen gas introduction tube. 31.9 parts of ethyl ether acetate was charged and reacted at 90 ° C. for 3 hours under a nitrogen stream, then 2.0 parts of isophorondiamine was added and further reacted at 90 ° C. for 2 hours, and then diluted with diethylene glycol monoethyl ether acetate. As a result, the glass transition point is 2 ° C., the weight average molecular weight is 12,000, the urethane resin (A-15) containing an ester structure derived from the reaction product of dicarboxylic acid and diol is 40%, and the diethylene glycol monoethyl ether acetate solvent is 60%. A urethane resin solution having a non-volatile content of 40% was obtained.

溶剤、導電性微粒子及びその他成分として以下のものを用いた。
<溶剤(B−1)〜(B−3)>
・溶剤(B−1):1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン、沸点209℃
・溶剤(B−2):ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、沸点217℃
・溶剤(B−3):メチルエチルケトン、沸点79℃
The following substances were used as the solvent, conductive fine particles and other components.
<Solvent (B-1) to (B-3)>
Solvent (B-1): 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene, boiling point 209 ° C.
Solvent (B-2): diethylene glycol monoethyl ether acetate, boiling point 217 ° C.
-Solvent (B-3): Methyl ethyl ketone, boiling point 79 ° C.

<導電性微粒子(C−1)〜(C−4)>
・導電性微粒子(C−1):福田金属箔粉社製、フレーク状銀粉、平均粒子径5.2μm
・導電性微粒子(C−2):福田金属箔粉社製、連鎖凝集状銀粉、平均粒子径1.5μm
・導電性微粒子(C−3):DOWAエレクトロニクス社製、フレーク状銀コート銅粉、銀被覆量10%、平均粒子径4.0μm
・導電性微粒子(C−4):伊藤黒鉛社製、鱗片状黒鉛、平均粒子径15μm
<Conductive fine particles (C-1) to (C-4)>
-Conductive fine particles (C-1): Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., flake-shaped silver powder, average particle diameter 5.2 μm
-Conductive fine particles (C-2): manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd., chain-aggregated silver powder, average particle diameter 1.5 μm
-Conductive fine particles (C-3): manufactured by DOWA Electronics, flake-shaped silver-coated copper powder, silver coating amount 10%, average particle diameter 4.0 μm
-Conductive fine particles (C-4): manufactured by Ito Graphite Co., Ltd., scaly graphite, average particle diameter 15 μm

<その他成分(E−1)〜(E−2)>
・その他成分(E−1):ビックケミー社製、消泡剤、BYK−1790 固形分100%
・その他成分(E−2):東ソー社製、ブロックイソシアネート、コロネート2507、不揮発分80%(溶剤(B−3):メチルエチルケトン)。
<Other components (E-1) to (E-2)>
-Other ingredients (E-1): Made by Big Chemie, antifoaming agent, BYK-1790 100% solid content
-Other components (E-2): Tosoh Corporation, blocked isocyanate, coronate 2507, non-volatile content 80% (solvent (B-3): methyl ethyl ketone).

<製造例1:成形フィルム用導電性樹脂組成物(F−1)の作成>
樹脂(A−1)20.0部を溶剤(B−1)30.0部に溶解させ、導電性微粒子(C−1)80.0部を撹拌混合し、3本ロールミル(小平製作所製)で混練したのち、プラネタリーミキサーにより均一に撹拌混合することで成形フィルム用導電性樹脂組成物(F−1)を得た。
<Production Example 1: Preparation of Conductive Resin Composition (F-1) for Molded Film>
Dissolve 20.0 parts of the resin (A-1) in 30.0 parts of the solvent (B-1), stir and mix 80.0 parts of the conductive fine particles (C-1), and use a 3-roll mill (manufactured by Kodaira Seisakusho). After kneading with the above, the conductive resin composition for a molded film (F-1) was obtained by uniformly stirring and mixing with a planetary mixer.

<製造例2〜11、比較製造例1:成形フィルム用導電性樹脂組成物(F−2)〜(F−12)の作成>
製造例1において、樹脂、溶剤、導電性微粒子、(その他成分(E−2)を用いる場合には、その他成分(E−2)はプラネタリーミキサーによる均一撹拌混合の直前に加えた)の種類及び配合量を表1のように変更した以外は、それぞれ製造例1と同様にして、成形フィルム用導電性樹脂組成物(F−2)〜(F−12)を得た。
<Production Examples 2 to 11 and Comparative Production Example 1: Preparation of Conductive Resin Compositions (F-2) to (F-12) for Molded Film>
In Production Example 1, the type of resin, solvent, conductive fine particles, (when the other component (E-2) is used, the other component (E-2) was added immediately before the uniform stirring and mixing by the planetary mixer). Conductive resin compositions for molded films (F-2) to (F-12) were obtained in the same manner as in Production Example 1, except that the blending amounts were changed as shown in Table 1.

<製造例12:成形フィルム用絶縁性樹脂組成物(G−1)の作成>
樹脂(A−7)20.0部を溶剤(B−1)15.0部、(B−2)15.0部に溶解させ、消泡剤(E−1)0.2重量部を加えたのち、プラネタリーミキサーにより均一に撹拌混合することで成形フィルム用絶縁性樹脂組成物(G−1)を得た。
<Production Example 12: Preparation of Insulating Resin Composition (G-1) for Molded Film>
Dissolve 20.0 parts of the resin (A-7) in 15.0 parts of the solvent (B-1) and 15.0 parts of (B-2), and add 0.2 parts by weight of the defoaming agent (E-1). Then, the insulating resin composition for a molded film (G-1) was obtained by uniformly stirring and mixing with a planetary mixer.

<製造例13〜20、比較製造例2〜3:成形フィルム用絶縁性樹脂組成物(G−2)〜(G−11)の作成>
製造例12において、樹脂、溶剤、その他成分の種類及び配合量を表2のように変更した以外は、それぞれ製造例17と同様にして、成形フィルム用絶縁性樹脂組成物(G−2)〜(G−11)を得た。
なお、表1〜表7中の各材料の数値はいずれも質量部である。
<Production Examples 13 to 20, Comparative Production Examples 2 to 3: Preparation of Insulating Resin Compositions (G-2) to (G-11) for Molded Film>
Insulating resin compositions for molded films (G-2) to the same as in Production Example 17, except that the types and blending amounts of the resin, solvent and other components were changed as shown in Table 2 in Production Example 12. (G-11) was obtained.
The numerical values of each material in Tables 1 to 7 are parts by mass.

<実施例1〜33、41〜52、および比較例1〜4>
ポリカーボネート(PC)ベースフィルム(帝人社製、パンライト2151、厚み300μm、ガラス転移温度150℃)上に、成形フィルム用導電性樹脂組成物(F−1)〜(F−12)をそれぞれスクリーン印刷機(ミノスクリーン社製、ミノマットSR5575半自動スクリーン印刷機)によって印刷した。次いで、熱風乾燥オーブンで120℃で30分加熱することで、(1)幅70mm、長さ120mm、厚み10μmの四角形ベタ状パターン、(2)線幅2mm、長さ60mm、厚み10μmの直線状のパターンおよび(3)対向部線長50mm、L/S=100μm/100μm正負10本ずつの櫛形配線パターンを有する導電層を備えた成形フィルムをそれぞれ得た。この段階の(1)四角形ベタ状パターンについて、導電層の体積固有抵抗を抵抗率計(三菱ケミカルアナリティック社製、ロレスタGX MCP−T700)を用いて測定した。
さらにこの導電層を備えた成形フィルムの導電パターンが形成された面上に成形フィルム用絶縁性樹脂組成物(G−1)〜(G−11)を、(1)前記四角形ベタ状導電パターンに対しては導電パターン全体を覆うように幅90mm、長さ140mm、厚み15μmとなるように、また(2)前記直線状導電パターンに対しては導電パターンの長さ方向に両端10mmが露出しその他の部分を覆うように幅10mm、長さ40mm、厚み15μmとなるように、さらに(3)前記櫛形配線パターンに対しては櫛形の対向パターン部の一部を覆うように幅6mm、長さ40mm、厚み15μmとなるように、それぞれ前記スクリーン印刷機によって重ね印刷した。次いで、熱風乾燥オーブンで120℃で30分加熱することで、前記パターン化された導電層とその一部または全部を被覆するように積層された絶縁層を備えた成形フィルムを得た。この際、導電性樹脂組成物と絶縁性樹脂組成物の組み合わせは表3、4、6の通りになるように、それぞれ成型フィルムを作成した。この段階の(1)四角形ベタ状パターンの、導電層と重なっていない端部の絶縁層部分について、絶縁層の体積固有抵抗を抵抗率計(三菱ケミカルアナリティック社製、ハイレスタUX MCP−HT800)を用いて測定した。
<Examples 1-33, 41-52, and Comparative Examples 1-4>
The conductive resin compositions (F-1) to (F-12) for a molded film are screen-printed on a polycarbonate (PC) base film (manufactured by Teijin Co., Ltd., Panlite 2151, thickness 300 μm, glass transition temperature 150 ° C.). Printing was performed by a machine (Minomat SR5575 semi-automatic screen printing machine manufactured by Minoscreen). Then, by heating in a hot air drying oven at 120 ° C. for 30 minutes, (1) a square solid pattern having a width of 70 mm, a length of 120 mm and a thickness of 10 μm, and (2) a linear pattern having a line width of 2 mm, a length of 60 mm and a thickness of 10 μm. (3) A molded film having a conductive layer having a comb-shaped wiring pattern of (3) facing portion line length of 50 mm and L / S = 100 μm / 100 μm of 10 positive and negative lines was obtained, respectively. For the (1) quadrangular solid pattern at this stage, the volume resistivity of the conductive layer was measured using a resistivity meter (Roresta GX MCP-T700 manufactured by Mitsubishi Chemical Analytical Corporation).
Further, the insulating resin compositions for molding films (G-1) to (G-11) are formed on the surface on which the conductive pattern of the molded film provided with the conductive layer is formed, and (1) the square solid conductive pattern is formed. On the other hand, the width is 90 mm, the length is 140 mm, and the thickness is 15 μm so as to cover the entire conductive pattern. The width is 10 mm, the length is 40 mm, and the thickness is 15 μm so as to cover the portion of (3). , Each of which was overprinted by the screen printing machine so as to have a thickness of 15 μm. Then, by heating in a hot air drying oven at 120 ° C. for 30 minutes, a molded film provided with the patterned conductive layer and an insulating layer laminated so as to cover a part or all of the patterned conductive layer was obtained. At this time, molded films were prepared so that the combinations of the conductive resin composition and the insulating resin composition were as shown in Tables 3, 4 and 6, respectively. (1) Regarding the insulating layer portion at the end that does not overlap with the conductive layer in the (1) square solid pattern, the resistivity meter (HIRESTA UX MCP-HT800, manufactured by Mitsubishi Chemical Analytical Co., Ltd.) measures the volume intrinsic resistance of the insulating layer. Was measured using.

<実施例34、35、および比較例5〜8>
前記実施例1,3および前記比較例1〜4において、ポリカーボネートベースフィルムの代わりに、アクリル樹脂ベースフィルム(住友化学社製、テクノロイS001G、厚み250μm、ガラス転移温度103℃)(300mm×210mm)を用いたこと、及び、熱風乾燥オーブンでの乾燥条件を80℃で30分としたこと以外は、前記実施例1,3および前記比較例1〜4と同様にして、成形フィルムを得た。
<Examples 34, 35, and Comparative Examples 5 to 8>
In Examples 1 and 3 and Comparative Examples 1 to 4, an acrylic resin base film (Technoloy S001G manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., thickness 250 μm, glass transition temperature 103 ° C.) (300 mm × 210 mm) was used instead of the polycarbonate base film. Molded films were obtained in the same manner as in Examples 1 and 3 and Comparative Examples 1 to 4 except that they were used and the drying conditions in the hot air drying oven were set to 80 ° C. for 30 minutes.

<実施例36,37>
前記実施例1,3において、ポリカーボネートベースフィルムの代わりに、ポリカーボネート樹脂/アクリル樹脂2種2層共押し出しベースフィルム(住友化学社製、テクノロイC001、厚み125μm、ガラス転移温度150℃)を用い、ポリカーボネート樹脂側に成形フィルム用導電性樹脂組成物および絶縁性樹脂組成物の印刷を行ったこと以外は、前記実施例1,3と同様にして、成形フィルムを得た。
<Examples 36 and 37>
In Examples 1 and 3, instead of the polycarbonate base film, a polycarbonate resin / acrylic resin 2 type 2-layer coextruded base film (Technoloy C001 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., thickness 125 μm, glass transition temperature 150 ° C.) was used, and polycarbonate was used. A molded film was obtained in the same manner as in Examples 1 and 3 except that the conductive resin composition for a molded film and the insulating resin composition were printed on the resin side.

<実施例38>
前記実施例1において、ポリカーボネートベースフィルムの代わりに、ポリプロピレンフィルム(出光ユニテック社製、ピュアサーモAG−306、厚み200μm、ガラス転移温度0℃) を用いたこと、及び、熱風乾燥オーブンでの乾燥条件を80℃で30分としたこと以外は、前記実施例1と同様にして、成形フィルムを得た。
<Example 38>
In Example 1, a polypropylene film (Pure Thermo AG-306 manufactured by Idemitsu Unitech, thickness 200 μm, glass transition temperature 0 ° C.) was used instead of the polycarbonate base film, and drying conditions in a hot air drying oven. A molded film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the temperature was set to 80 ° C. for 30 minutes.

<実施例39,40>
前記実施例1,3において、ポリカーボネートベースフィルムの代わりに、PETフィルム(RP東プラ社製A―PETフィルム、NOACRYSTAL−V、厚み300μm、ガラス転移温度70℃) を用いたこと、及び、熱風乾燥オーブンでの乾燥条件を80℃で30分としたこと以外は、前記実施例1,3と同様にして、成形フィルムを得た。
<Examples 39 and 40>
In Examples 1 and 3, a PET film (A-PET film manufactured by RP TEPCO, NOACRYSTAL-V, thickness 300 μm, glass transition temperature 70 ° C.) was used instead of the polycarbonate base film, and hot air drying was used. A molded film was obtained in the same manner as in Examples 1 and 3 except that the drying condition in the oven was set to 80 ° C. for 30 minutes.

<実施例53>
前記実施例1において得られた成型フィルムの印刷されていない裏面に、さらに前記実施例1の導電パターンと絶縁パターンと表裏で重なる位置となるようにフィルム用導電性樹脂組成物および絶縁性樹脂組成物の印刷を行い、第二の導電層と、その一部を被覆するように積層された第二の絶縁層を形成したこと以外は、前記実施例1と同様にして、ベースフィルムの両面に導電層とその一部または全部を被覆するように積層された絶縁層を備えた成形フィルムを得た。
<Example 53>
The conductive resin composition for film and the insulating resin composition so as to overlap the conductive pattern and the insulating pattern of Example 1 on the back surface of the molded film obtained in Example 1 on the front and back sides. A second conductive layer and a second insulating layer laminated so as to cover a part of the second conductive layer are formed on both sides of the base film in the same manner as in the first embodiment, except that the material is printed. A molded film having a conductive layer and an insulating layer laminated so as to cover a part or all of the conductive layer was obtained.

<実施例54>
前記実施例1において得られた成型フィルムの絶縁パターン上に、さらに前記実施例1の導電パターンから幅方向に端部間隔が5mm離れた位置に印刷および乾燥を実施例1の導電パターンを形成した工程と同様に行い、さらに実施例1の絶縁パターンと重なる位置に第二の絶縁層パターンの印刷を行うことで、ベースフィルムの片側上に第一の導電層と、その一部を被覆するように積層された第一の絶縁層と、第二の導電層と、その一部を被覆するように積層された第二の絶縁層をこの順番に備えた成形フィルムを得た。
<Example 54>
On the insulating pattern of the molded film obtained in Example 1, the conductive pattern of Example 1 was further printed and dried at a position where the edge spacing was 5 mm in the width direction from the conductive pattern of Example 1. By performing the same procedure as in the process and further printing the second insulating layer pattern at a position overlapping the insulating pattern of the first embodiment, the first conductive layer and a part thereof are covered on one side of the base film. A molded film having a first insulating layer laminated on the surface, a second conductive layer, and a second insulating layer laminated so as to cover a part thereof was obtained in this order.

<比較例9>
前記実施例1において、絶縁層を形成しなかったこと以外は、前記実施例1と同様にして、成形フィルムを得た。
<Comparative Example 9>
A molded film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the insulating layer was not formed in Example 1.

<比較例10>
前記比較例9において、ポリカーボネートベースフィルムの代わりに、前記アクリル樹脂ベースフィルムを用いたこと、及び、熱風乾燥オーブンでの乾燥条件を80℃で30分としたこと以外は、前記比較例9と同様にして、成形フィルムを得た。
<Comparative Example 10>
Similar to Comparative Example 9 except that the acrylic resin base film was used instead of the polycarbonate base film and the drying conditions in the hot air drying oven were set to 80 ° C. for 30 minutes. To obtain a molded film.

[(1)配線抵抗評価]
上記実施例1〜54、および比較例1〜10の成形フィルムに形成された、2mm×60mmの直線状導電層パターンが真ん中に来るように長手方向に70mm、幅方向に10mmに切り出し、測定用クーポンとした。この測定用クーポン上の導電層とは反対側の面に、長手方向端から当該導電層と垂直な線を目印として油性マジックで4cm間隔に2本書き加えた。この目印に従い、4cm間隔となる位置を、テスターを用いて抵抗値測定し、これを配線抵抗(Ω)とした。結果を表3〜7に示す。
[(1) Wiring resistance evaluation]
A 2 mm × 60 mm linear conductive layer pattern formed on the molded films of Examples 1 to 54 and Comparative Examples 1 to 10 is cut into 70 mm in the longitudinal direction and 10 mm in the width direction so as to be in the center, and is used for measurement. I made it a coupon. On the surface of the coupon for measurement opposite to the conductive layer, two lines were added at 4 cm intervals with an oil-based magic using a line perpendicular to the conductive layer as a mark from the longitudinal end. According to this mark, the resistance value was measured using a tester at the positions at intervals of 4 cm, and this was defined as the wiring resistance (Ω). The results are shown in Tables 3-7.

[(2)熱延伸評価1]
上記実施例1〜33、36,37、41〜54および比較例1〜4、9の前記測定用クーポンを160℃の加熱オーブン中で、長手方向に引っ張り速度10mm/分で伸長率50%まで引き延ばした。オーブンから取出し、冷却後に光学顕微鏡を用いて断線の有無を評価した。また、上記配線抵抗の測定と同様の方法で、元の目印基準で4cm間隔に相当する位置の配線抵抗(Ω)を測定し、伸縮後の配線抵抗/伸縮前の配線抵抗を熱延伸時抵抗変動率(倍)とし、それぞれ以下の基準で評価した。結果を表3〜7に示す。
(断線の有無)
A:断線は見られなかった。
B:1〜2個の軽微なヒビが確認された
C:重度の断線または導電塗膜の剥離が確認された
(熱延伸時抵抗変動率)
A:5倍以上10倍未満
B:10倍以上50倍未満
C:50倍以上
[(2) Thermal stretching evaluation 1]
The measurement coupons of Examples 1 to 33, 36, 37, 41 to 54 and Comparative Examples 1 to 4 and 9 are placed in a heating oven at 160 ° C. in a longitudinal direction with a pulling speed of 10 mm / min and an elongation rate of up to 50%. I stretched it. It was taken out of the oven, cooled, and then evaluated for disconnection using an optical microscope. In addition, the wiring resistance (Ω) at the position corresponding to the interval of 4 cm is measured by the same method as the measurement of the wiring resistance above, and the wiring resistance after expansion / contraction / the wiring resistance before expansion / contraction is the resistance at the time of thermal stretching. The fluctuation rate was set to (double), and each was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Tables 3-7.
(Presence / absence of disconnection)
A: No disconnection was seen.
B: 1 to 2 minor cracks were confirmed C: Severe disconnection or peeling of the conductive coating film was confirmed (resistance fluctuation rate during thermal stretching)
A: 5 times or more and less than 10 times B: 10 times or more and less than 50 times C: 50 times or more

なお、伸長率は以下のように算出される値である。
(伸長率)[%]={(延伸後の長さ−延伸前の長さ)/(延伸前の長さ)}×100
The elongation rate is a value calculated as follows.
(Elongation rate) [%] = {(Length after stretching-Length before stretching) / (Length before stretching)} x 100

[(3)熱延伸評価2]
前記熱延伸評価1において、伸長率を100%に変更した以外は、前記熱延伸評価1と同様にして、以下の基準で評価した。結果を表3〜7に示す。
(断線の有無)
A:断線は見られなかった。
B:1〜2個の軽微なヒビが確認された
C:重度の断線または導電塗膜の剥離が確認された
(熱延伸時抵抗変動率)
A:10倍以上50倍未満
B:50倍以上200倍未満
C:200倍以上
[(3) Thermal stretching evaluation 2]
In the heat stretching evaluation 1, the evaluation was performed according to the following criteria in the same manner as in the heat stretching evaluation 1 except that the elongation rate was changed to 100%. The results are shown in Tables 3-7.
(Presence / absence of disconnection)
A: No disconnection was seen.
B: 1 to 2 minor cracks were confirmed C: Severe disconnection or peeling of the conductive coating film was confirmed (resistance fluctuation rate during thermal stretching)
A: 10 times or more and less than 50 times B: 50 times or more and less than 200 times C: 200 times or more

[(4)熱延伸評価3]
上記実施例34〜40、および比較例5〜8、10の前記測定用クーポンを120℃の加熱オーブン中で、長手方向に引っ張り速度10mm/分で伸長率50%まで引き延ばした。オーブンから取出し、冷却後に光学顕微鏡を用いて断線の有無を評価した。また、上記配線抵抗の測定と同様の方法で、元の目印基準で4mm間隔に相当する位置の配線抵抗(Ω)を測定し、伸縮後の配線抵抗/伸縮前の配線抵抗を熱延伸時抵抗変動率(倍)とし、それぞれ以下の基準で評価した。結果を表4、6に示す。
(断線の有無)
A:断線は見られなかった。
B:1〜2個の軽微なヒビが確認された
C:重度の断線または導電塗膜の剥離が確認された
(熱延伸時抵抗変動率)
A:5倍以上10倍未満
B:10倍以上50倍未満
C:50倍以上
[(4) Thermal stretching evaluation 3]
The measurement coupons of Examples 34 to 40 and Comparative Examples 5 to 8 and 10 were stretched in a heating oven at 120 ° C. in the longitudinal direction at a pulling speed of 10 mm / min to an elongation rate of 50%. It was taken out of the oven, cooled, and then evaluated for disconnection using an optical microscope. In addition, the wiring resistance (Ω) at the position corresponding to the interval of 4 mm is measured by the same method as the measurement of the wiring resistance above, and the wiring resistance after expansion / contraction / the wiring resistance before expansion / contraction is the resistance at the time of thermal stretching. The fluctuation rate was set to (double), and each was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Tables 4 and 6.
(Presence / absence of disconnection)
A: No disconnection was seen.
B: 1 to 2 minor cracks were confirmed C: Severe disconnection or peeling of the conductive coating film was confirmed (resistance fluctuation rate during thermal stretching)
A: 5 times or more and less than 10 times B: 10 times or more and less than 50 times C: 50 times or more

[(5)熱延伸評価4]
前記熱延伸評価3において、伸長率を100%に変更した以外は、前記熱延伸評価3と同様にして、以下の基準で評価した。結果を表4、6に示す。
(断線の有無)
A:断線は見られなかった。
B:1〜2個の軽微なヒビが確認された
C:重度の断線または導電塗膜の剥離が確認された
(熱延伸時抵抗変動率)
A:10倍以上50倍未満
B:50倍以上200倍未満
C:200倍以上
[(5) Thermal stretching evaluation 4]
In the heat stretching evaluation 3, the evaluation was performed according to the following criteria in the same manner as in the heat stretching evaluation 3 except that the elongation rate was changed to 100%. The results are shown in Tables 4 and 6.
(Presence / absence of disconnection)
A: No disconnection was seen.
B: 1 to 2 minor cracks were confirmed C: Severe disconnection or peeling of the conductive coating film was confirmed (resistance fluctuation rate during thermal stretching)
A: 10 times or more and less than 50 times B: 50 times or more and less than 200 times C: 200 times or more

[(6)オーバーレイ成形による成形体製造時の工程耐性評価1]
上記実施例1〜33、36,37、41〜54および比較例1〜4、9の成形フィルムの2mm×60mmの直線状パターンの位置と重なるように、半径4cmの半球状のABS樹脂成形物を導電体側の面と向かい合うように合わせ、TOM成形機(布施真空社製)を用いて設定温度160℃でオーバーレイ成形を行うことで、半球形状に成形された成形フィルムとABS樹脂成形物とが一体化した成形体を得た。この成形体の直線状パターン配線の削れおよび抵抗変動率を確認した。抵抗変動率は元の目印基準で6cm間隔に相当する位置の配線抵抗(Ω)を測定し、伸縮後の配線抵抗/伸縮前の配線抵抗を熱延伸時抵抗変動率(倍)とし、それぞれ以下の基準で評価した。結果を表3〜7に示す。
(断線の有無と抵抗変動率)
A:配線の削れが見られず、かつ抵抗変動率が5倍以上30倍未満
B:1〜2箇所の配線の削れによる端部欠けが確認される、または抵抗変動率が30倍以上500倍未満
C:配線の削れによる断線が1箇所以上確認される
[(6) Process resistance evaluation 1 when manufacturing a molded product by overlay molding]
A hemispherical ABS resin molded product having a radius of 4 cm so as to overlap the position of the 2 mm × 60 mm linear pattern of the molded films of Examples 1 to 33, 36, 37, 41 to 54 and Comparative Examples 1 to 4, 9. The molding film formed into a hemispherical shape and the ABS resin molded product are formed by overlay molding at a set temperature of 160 ° C. using a TOM molding machine (manufactured by Fuse Vacuum Co., Ltd.). An integrated molded product was obtained. The scraping and resistance volatility of the linear pattern wiring of this molded product were confirmed. For the resistance fluctuation rate, measure the wiring resistance (Ω) at the position corresponding to the 6 cm interval based on the original mark, and set the wiring resistance after expansion and contraction / the wiring resistance before expansion and contraction as the resistance fluctuation rate during thermal stretching (double), and each is as follows. It was evaluated according to the criteria of. The results are shown in Tables 3-7.
(Presence / absence of disconnection and resistance volatility)
A: No wiring scraping is seen, and the resistance fluctuation rate is 5 times or more and less than 30 times. B: End chipping due to scraping of wiring in 1 or 2 places is confirmed, or the resistance fluctuation rate is 30 times or more and 500 times. Less than C: One or more disconnections due to scraping of wiring are confirmed.

[(7)オーバーレイ成形による成形体製造時の工程耐性評価2]
上記実施例34,35、38〜40および比較例5〜8、10の成形フィルムの2mm×60mmの直線状パターンを使用し、120℃でオーバーレイ成形を行った以外は、前記オーバーレイ成形による成形体製造時の工程耐性評価1と同様に成形体を得て、オーバーレイ成形時の直線状パターン配線の削れおよび抵抗変動率を評価した。結果を表4、6に示す。
[(7) Process resistance evaluation 2 during manufacturing of molded product by overlay molding]
Molded product by overlay molding except that overlay molding was performed at 120 ° C. using a 2 mm × 60 mm linear pattern of the molded films of Examples 34, 35, 38 to 40 and Comparative Examples 5 to 8 and 10. A molded body was obtained in the same manner as in the process resistance evaluation 1 at the time of manufacturing, and the scraping of the linear pattern wiring and the resistance fluctuation rate at the time of overlay molding were evaluated. The results are shown in Tables 4 and 6.

[(8)フィルムインサート成形による成形体製造時の工程耐性評価1]
上記実施例1〜33、36,37、41〜54および比較例1〜4、9の成形フィルムの2mm×60mmの直線状パターンの位置と重なるように、半径4cmの半球状窪みを中央に有するブロック状金属製モールドを導電層および絶縁層側の面と向かい合うように合わせ、TOM成形機(布施真空社製)を用いて設定温度160℃でオーバーレイ成形を行うことで、半球形状に成形された内側にパターン化導電体を有する成形用フィルムを得た。
次いで、当該半球形状に成形された成形フィルムを、バルブゲートタイプのインモールド成形用テスト金型が取り付けられた射出成形機(IS170(i5)、東芝機械社製)にセットし、PC/ABS樹脂(LUPOYPC/ABSHI5002、LG化学社製)を射出成形することで、パターン化導電体付き成形用フィルムと一体化された成形体を得た(射出条件:スクリュー径40mm、シリンダー温度260℃ 、金型温度(固定側、可動側)80℃ 、射出圧力180MPa、保圧力120MPa、射出速度60mm/秒(28%)、射出時間4秒、冷却時間20秒)。この成形体の直線状パターンの溶融樹脂の射出によるウォッシュアウト(溶融熱可塑性樹脂の温度および射出圧による配線パターンの変形や断線)および抵抗変動率を確認した。抵抗変動率は元の目印基準で6cm間隔に相当する位置の配線抵抗(Ω)を測定し、伸縮後の配線抵抗/伸縮前の配線抵抗を熱延伸時抵抗変動率(倍)とし、それぞれ以下の基準で評価した。結果を表3〜7に示す。
(断線の有無と抵抗変動率)
A:配線のウォッシュアウトが全く見られず、かつ抵抗変動率が10倍以上50倍未満
B:軽度のウォッシュアウトによる配線の歪みが確認される、または抵抗変動率が50倍以上500倍未満
C:配線のウォッシュアウトによる断線が1箇所以上確認される
[(8) Process resistance evaluation at the time of manufacturing a molded product by film insert molding 1]
It has a hemispherical recess with a radius of 4 cm in the center so as to overlap the positions of the 2 mm × 60 mm linear patterns of the molded films of Examples 1 to 33, 36, 37, 41 to 54 and Comparative Examples 1 to 4, 9. The block-shaped metal mold was aligned so as to face the surface on the conductive layer and the insulating layer side, and overlay molding was performed at a set temperature of 160 ° C. using a TOM molding machine (manufactured by Fuse Vacuum Co., Ltd.) to form a hemispherical shape. A molding film having a patterned conductor inside was obtained.
Next, the molding film molded into the hemispherical shape was set in an injection molding machine (IS170 (i5), manufactured by Toshiba Machinery Co., Ltd.) equipped with a valve gate type in-mold molding test mold, and a PC / ABS resin was used. (LUPOYPC / ABSHI5002, manufactured by LG Chemical Co., Ltd.) was injection-molded to obtain a molded body integrated with a molding film with a patterned conductor (injection conditions: screw diameter 40 mm, cylinder temperature 260 ° C, mold). Temperature (fixed side, movable side) 80 ° C., injection pressure 180 MPa, holding pressure 120 MPa, injection speed 60 mm / sec (28%), injection time 4 seconds, cooling time 20 seconds). The washout (deformation and disconnection of the wiring pattern due to the temperature and injection pressure of the molten thermoplastic resin) and the resistance fluctuation rate due to the injection of the molten resin of the linear pattern of this molded product were confirmed. For the resistance fluctuation rate, measure the wiring resistance (Ω) at the position corresponding to the 6 cm interval based on the original mark, and set the wiring resistance after expansion and contraction / the wiring resistance before expansion and contraction as the resistance fluctuation rate during thermal stretching (double), and each is as follows. It was evaluated according to the criteria of. The results are shown in Tables 3-7.
(Presence / absence of disconnection and resistance volatility)
A: No wiring washout is seen, and the resistance fluctuation rate is 10 times or more and less than 50 times. B: Wiring distortion due to slight washout is confirmed, or the resistance fluctuation rate is 50 times or more and less than 500 times C : One or more disconnections due to wiring washout are confirmed

[(9)フィルムインサート成形による成形体製造時の工程耐性評価2]
上記実施例34,35、38〜40および比較例5〜8、10の成形フィルムの2mm×60mmの直線状パターンを使用し、120℃でオーバーレイ成形を行った以外は、前記フィルムインサート成形による成形体製造時の工程耐性評価1と同様に成形体を得て、フィルムインサート成形時の直線状パターンの溶融樹脂射出によるウォッシュアウトの程度および抵抗変動率を評価した。結果を表4、6に示す。
[(9) Process resistance evaluation at the time of manufacturing a molded product by film insert molding 2]
Molding by the film insert molding except that overlay molding was performed at 120 ° C. using a 2 mm × 60 mm linear pattern of the molded films of Examples 34, 35, 38 to 40 and Comparative Examples 5 to 8 and 10. A molded product was obtained in the same manner as in the process resistance evaluation 1 at the time of body manufacturing, and the degree of washout and the resistance fluctuation rate due to the injection of the molten resin of the linear pattern at the time of film insert molding were evaluated. The results are shown in Tables 4 and 6.

[(10)フィルムインサート成形による成形体のイオンマイグレーション耐性評価]
上記実施例1〜90、および比較例1〜8の成形フィルムの櫛形配線パターンおよび絶縁層を有する成形フィルムを用いて、櫛形配線パターンの位置と中心位置が重なるように金型を併せてオーバーレイ成形を行った以外は、前記フィルムインサート成形による成形体製造時の工程耐性評価1と同様に成形体を得た。
上記各成形体の櫛形配線のそれぞれ正負電極の配線露出部をワニ口クリップによって配線に接続し、IMV社製マイグレーションテスター絶縁劣化評価試験機「MIG−8600B」を用いて、5V印加、85℃85%RH条件下での1000時間後の櫛形配線端子間の絶縁抵抗値を確認し、それぞれ以下の基準で評価した。結果を表3〜7に示す。
(イオンマイグレーションによる短絡の有無と絶縁抵抗率)
A:絶縁抵抗変動率が初期の±25%未満
B:絶縁抵抗変動率が初期の±25%以上±100%未満
C:絶縁抵抗変動率が初期の±100%以上またはリークタッチ(電極間短絡履歴)あり
[(10) Evaluation of ion migration resistance of molded product by film insert molding]
Using the molding film having the comb-shaped wiring pattern and the insulating layer of the molding films of Examples 1 to 90 and Comparative Examples 1 to 8, the molds are overlapped and molded so that the position and the center position of the comb-shaped wiring pattern overlap. A molded product was obtained in the same manner as in the process resistance evaluation 1 at the time of manufacturing the molded product by the film insert molding.
The exposed parts of the positive and negative electrodes of the comb-shaped wiring of each of the above molded bodies are connected to the wiring with an alligator clip, and 5V is applied using the IMV migration tester insulation deterioration evaluation tester "MIG-8600B" at 85 ° C. 85. The insulation resistance values between the comb-shaped wiring terminals after 1000 hours under the% RH condition were confirmed and evaluated according to the following criteria. The results are shown in Tables 3-7.
(Presence / absence of short circuit due to ion migration and insulation resistivity)
A: Insulation resistance volatility is less than ± 25% at the initial stage B: Insulation resistance volatility is ± 25% or more and less than ± 100% at the initial stage C: Insulation resistance volatility is ± 100% or more at the initial stage or leak touch (short circuit between electrodes) History) Yes

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[結果のまとめ]
比較例1〜8は導電層上に絶縁層は形成しているものの、樹脂(A1)、(A2)のガラス転移温度や重量平均分子量が好適な範囲を下回る、もしくは上回るため、成形体の櫛型電極間のイオンマイグレーション耐性が劣り、経時で短絡を発生しやすく、成形体を立体配線回路として使用する際に適さないことが分かった。比較例4,8においても絶縁層は形成しているものの、絶縁層の体積固有抵抗が1010Ω・cm未満と低いため、やはり成形体の櫛型電極間のイオンマイグレーション耐性が実用に耐えないレベルであった。
導電層上に絶縁層を形成しない比較例9、10では、成形体の櫛型電極間のイオンマイグレーション耐性が劣り、経時で短絡を発生しやすく、成形体を立体配線回路として使用する際に適さないことが分かった。これは、成形体のベースフィルム−射出成形樹脂間の密着性が十分でないため、この界面からの水分の侵入によるイオン化促進や熱膨張収縮による導電パターンの機械的劣化が大きいことに起因すると考えられる。
[Summary of results]
In Comparative Examples 1 to 8, although the insulating layer is formed on the conductive layer, the glass transition temperature and the weight average molecular weight of the resins (A1) and (A2) are below or above the preferable ranges, so that the comb of the molded body is formed. It was found that the ion migration resistance between the mold electrodes was inferior, short circuits were likely to occur over time, and the molded body was not suitable for use as a three-dimensional wiring circuit. Although the insulating layer is formed in Comparative Examples 4 and 8, the volume resistivity of the insulating layer is as low as less than 10 10 Ω · cm, so that the ion migration resistance between the comb-shaped electrodes of the molded body is not practical. It was a level.
In Comparative Examples 9 and 10 in which the insulating layer is not formed on the conductive layer, the ion migration resistance between the comb-shaped electrodes of the molded body is inferior, short circuits are likely to occur over time, and the molded body is suitable for use as a three-dimensional wiring circuit. It turned out not. It is considered that this is because the adhesion between the base film of the molded product and the injection molding resin is not sufficient, and therefore the mechanical deterioration of the conductive pattern due to the promotion of ionization due to the intrusion of moisture from this interface and the thermal expansion and contraction is large. ..

一方、実施例1〜54の結果から、本実施の導電層および絶縁層を有する成型フィルムは、オーバーレイ成形およびフィルムインサート成形時に、溶融樹脂射出に対し断線が起きづらいのみならず、成型フィルムの熱延伸時に導電層パターンの断線も抑制されていた。特に導電層の樹脂(A1)のガラス転移温度が絶縁層の樹脂(B1)のガラス転移点未満の関係を満たしている実施例1〜8、13〜19、21、23、28〜31、33〜41、43、44、46、47、49〜54の成形フィルムでは、成形時の成形フィルム延伸に対し導電層パターンの抵抗値が大きく増大することなく、絶縁層自体の絶縁性能およびベースフィルムおよび射出成形樹脂に対する高い密着性に基づく優れたイオンマイグレーション耐性が両立されていた。また上記の特性バランス両立は、導電層の樹脂(A1)の重量平均分子量が絶縁層の樹脂(B1)の重量平均分子量未満の関係を満たした場合や、導電層の樹脂(A1)のガラス転移温度や絶縁層の樹脂(B1)のガラス転移点がいずれもベースフィルムのガラス転移点未満を満たす際にさらにこれらの特性が優れ、前記絶縁樹脂(A2)がジカルボン酸とジオールの反応生成物に由来するエステル構造を有する場合にはより一層優れていた。このような特性を発現する機構には不明な点もあるが、成形時の成形フィルム延伸に対する導電層パターンの導電特性改善については、本発明の成形フィルムの絶縁層の分子骨格が硬く、導電層内への絶縁樹脂成分の湿潤が抑制されることで、成型フィルムの高温条件下での熱成形時に応力や局所的な変形が導電層に集中しないため、配線の劣化が抑制されたと考えられる。 On the other hand, from the results of Examples 1 to 54, the molded film having the conductive layer and the insulating layer of this embodiment is not only less likely to be disconnected from the molten resin injection during overlay molding and film insert molding, but also the heat of the molded film. The disconnection of the conductive layer pattern was also suppressed during stretching. In particular, Examples 1 to 8, 13 to 19, 21, 23, 28 to 31, 33 satisfy the relationship that the glass transition temperature of the resin (A1) of the conductive layer is less than the glass transition point of the resin (B1) of the insulating layer. In the molded films of ~ 41, 43, 44, 46, 47, 49 to 54, the insulation performance of the insulating layer itself and the base film and the base film without significantly increasing the resistance value of the conductive layer pattern with respect to the stretching of the molded film during molding. Excellent ion migration resistance based on high adhesion to the injection molding resin was achieved at the same time. Further, the above-mentioned characteristic balance is compatible when the relationship that the weight average molecular weight of the resin (A1) of the conductive layer is less than the weight average molecular weight of the resin (B1) of the insulating layer is satisfied, or the glass transition of the resin (A1) of the conductive layer is satisfied. When both the temperature and the glass transition point of the resin (B1) of the insulating layer satisfy less than the glass transition point of the base film, these characteristics are further excellent, and the insulating resin (A2) becomes a reaction product of dicarboxylic acid and diol. It was even better when it had the derived ester structure. Although there are some unclear points in the mechanism for exhibiting such characteristics, regarding the improvement of the conductive characteristics of the conductive layer pattern with respect to the stretching of the molded film during molding, the molecular skeleton of the insulating layer of the molded film of the present invention is hard and the conductive layer. It is considered that the deterioration of the wiring was suppressed because the stress and local deformation were not concentrated on the conductive layer during the thermal molding of the molded film under high temperature conditions by suppressing the wetting of the insulating resin component inward.

また上記特性により、本発明の導電性樹脂組成物の導電層を備えた成形フィルムによれば、基材面が平坦でない立体形状であっても、優れた配線一体型の成形体が得られた。この成形体のイオンマイグレーション耐性についても、本発明の成形フィルムの成形の際の導電層パターン内のマイクロクラック発生とこれに伴う導電層表層付近のボイド発生が抑制され、結果的にイオンマイグレーション耐性も改善したと考えている。 Further, due to the above characteristics, according to the molded film provided with the conductive layer of the conductive resin composition of the present invention, an excellent molded body with integrated wiring was obtained even if the base material surface was not flat and had a three-dimensional shape. .. Regarding the ion migration resistance of this molded body, the generation of microcracks in the conductive layer pattern during molding of the molded film of the present invention and the accompanying void generation near the surface layer of the conductive layer are suppressed, and as a result, the ion migration resistance is also improved. I think it has improved.

このように、本実施の導電性樹脂組成物を用いた成形フィルムおよび配線一体型の成形体は、家電製品、自動車用部品、ロボット、ドローンなどのプラスチック筐体および立体形状部品へ直接、デザイン自由度を損なうことなく軽量かつ省スペースな回路の作り込みやタッチセンサー・アンテナ・発熱体・電磁波シールド・インダクタ(コイル)・抵抗体の作り込みや、・各種電子部品の実装を行うことを可能にする。また、電子機器の軽薄短小化および設計自由度の向上、多機能化に極めて有用である。 In this way, the molded film using the conductive resin composition and the wiring-integrated molded body of this embodiment can be directly designed freely for plastic housings and three-dimensional shaped parts such as home appliances, automobile parts, robots, and drones. It is possible to build lightweight and space-saving circuits without compromising the degree, build touch sensors, antennas, heating elements, electromagnetic wave shields, inductors (coils), resistors, and mount various electronic components. do. In addition, it is extremely useful for making electronic devices lighter, thinner, shorter, smaller, improving the degree of freedom in design, and increasing the number of functions.

1 ベースフィルム
2 導電層
3 絶縁層
4 電子部品
5 ピン
6 加飾層
7 第2の導電層
8 第2の絶縁層
10 成形フィルム
11 金型
12 射出成形用金型
13 開口部
14 射出
15 上昇
16 加圧
17 樹脂
20 基材
21 上側チャンバーボックス
22 下側チャンバーボックス
30 成形体
1 Base film 2 Conductive layer 3 Insulation layer 4 Electronic parts 5 Pin 6 Decorative layer 7 Second conductive layer 8 Second insulation layer 10 Molding film 11 Mold 12 Mold 12 Injection molding mold 13 Opening 14 Injection 15 Rise 16 Pressurized 17 Resin 20 Base material 21 Upper chamber box 22 Lower chamber box 30 Mold

Claims (12)

凹凸面や三次元曲面を有する基材表面に絶縁層で被覆された印刷導電回路を形成するための成形フィルムであって、
成形フィルムはベースフィルム上に導電層と絶縁層とを備えた成形フィルムであって、
前記導電層が樹脂(A1)と、溶剤(B1)と、導電性微粒子(C)とを含む導電性樹脂組成物の硬化物であり、
前記絶縁層が樹脂(A2)と、溶剤(B2)とを含む絶縁性樹脂組成物の硬化物であり、
前記樹脂(A1)が、ガラス転移点が10℃以上110℃以下かつ重量平均分子量が10,000以上100,000以下の樹脂であり、
前記樹脂(A2)が、ガラス転移点が30℃以上140℃以下かつ重量平均分子量が20,000以上200,000以下の樹脂であり、
前記絶縁層の体積固有抵抗が
1×1010Ω・cm以上1×1017Ω・cm未満である成形フィルム。
A molded film for forming a printed conductive circuit coated with an insulating layer on the surface of a base material having an uneven surface or a three-dimensional curved surface.
The molded film is a molded film having a conductive layer and an insulating layer on the base film.
The conductive layer is a cured product of a conductive resin composition containing a resin (A1), a solvent (B1), and conductive fine particles (C).
The insulating layer is a cured product of an insulating resin composition containing a resin (A2) and a solvent (B2).
The resin (A1) is a resin having a glass transition point of 10 ° C. or higher and 110 ° C. or lower and a weight average molecular weight of 10,000 or higher and 100,000 or lower.
The resin (A2) is a resin having a glass transition point of 30 ° C. or higher and 140 ° C. or lower and a weight average molecular weight of 20,000 or higher and 200,000 or lower.
A molded film having a volume resistivity of 1 × 10 10 Ω · cm or more and less than 1 × 10 17 Ω · cm of the insulating layer.
前記ベースフィルムが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン及び、ポリエチレンテレフタレートより選択されるフィルム、又はこれらの積層フィルムである、請求項1に記載の成形フィルム。 The molded film according to claim 1, wherein the base film is a film selected from polycarbonate, polymethylmethacrylate, polypropylene, and polyethylene terephthalate, or a laminated film thereof. 前記樹脂(A1)のガラス転移点が前記樹脂(A2)のガラス転移点未満である、
請求項1または2に記載の成型用フィルム。
The glass transition point of the resin (A1) is less than the glass transition point of the resin (A2).
The molding film according to claim 1 or 2.
前記樹脂(A1)の重量平均分子量が前記樹脂(A2)の重量平均分子量未満である、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の成型用フィルム。
The weight average molecular weight of the resin (A1) is less than the weight average molecular weight of the resin (A2).
The molding film according to any one of claims 1 to 3.
前記樹脂(A1)のガラス転移点および前記樹脂(A2)のガラス転移点が、いずれもベースフィルムのガラス転移点(但し、ベースフィルムが2種以上の材質からなる積層フィルムの場合は最も高いフィルムのガラス転移点)未満である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の成型用フィルム。 The glass transition point of the resin (A1) and the glass transition point of the resin (A2) are both the highest when the base film is a laminated film made of two or more kinds of materials. The molding film according to any one of claims 1 to 4, which is less than the glass transition point). 前記樹脂(A2)が、ジカルボン酸とジオールとの反応生成物に由来するエステル構造を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の成型用フィルム。 The molding film according to any one of claims 1 to 5, wherein the resin (A2) has an ester structure derived from a reaction product of a dicarboxylic acid and a diol. 前記ベースフィルムの両方の面上に、それぞれ導電層と絶縁層をこの順に備える請求項1〜6のいずれか一項に記載の成形フィルム。 The molded film according to any one of claims 1 to 6, wherein a conductive layer and an insulating layer are provided on both surfaces of the base film in this order. 前記絶縁層上に、さらに第二の導電層と第二の絶縁層をこの順に備える請求項1〜7のいずれか一項に記載の成形フィルム。 The molded film according to any one of claims 1 to 7, further comprising a second conductive layer and a second insulating layer on the insulating layer in this order. 所定の形状に成形された成形フィルムが、前記絶縁層面と基材表面が接するように、あるいは前記ベースフィルム面と基材表面が接するように基材上に積層され、凹凸面や三次元曲面を有する基材表面に絶縁層で被覆された印刷導電回路を形成された成形体であって、
前記成形フィルムが、請求項1〜8のいずれか一項記載の成形フィルム用である、成形体。
The molded film molded into a predetermined shape is laminated on the base material so that the insulating layer surface and the base material surface are in contact with each other, or the base film surface and the base material surface are in contact with each other, to form an uneven surface or a three-dimensional curved surface. A molded product in which a printed conductive circuit coated with an insulating layer is formed on the surface of a base material having a base material.
A molded product in which the molded film is for the molded film according to any one of claims 1 to 8.
基材上に請求項1〜8のいずれか一項に記載の前記成形フィルムを配置する工程と、
オーバーレイ成形法により、前記成形フィルムと前記基材とを一体化する工程と、を含む、成形体の製造方法。
The step of arranging the molded film according to any one of claims 1 to 8 on a substrate, and
A method for manufacturing a molded product, which comprises a step of integrating the molded film and the base material by an overlay molding method.
請求項1〜8のいずれか一項に記載の前記成形フィルムを所定の形状に成形する工程と、
成形後の前記成形フィルムを、射出成形の型内に配置する工程と、
射出成形により基材を成形すると共に、前記成形フィルムと前記基材とを一体化する工程と、を含む、成形体の製造方法。
The step of molding the molded film according to any one of claims 1 to 8 into a predetermined shape, and
The step of arranging the molded film after molding in the injection molding mold, and
A method for producing a molded product, which comprises a step of molding a base material by injection molding and integrating the molding film and the base material.
請求項1〜8のいずれか一項に記載の成形フィルムを、射出成形の型内に配置する工程と、
射出成形により基材を成形すると共に、前記成形フィルム中の導電層を基材側に転写する工程と、を含む、成形体の製造方法。
A step of arranging the molding film according to any one of claims 1 to 8 in an injection molding mold, and
A method for producing a molded product, comprising a step of molding a base material by injection molding and transferring a conductive layer in the molding film to the base material side.
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