JP2021190323A - Manufacturing method and manufacturing apparatus for energization heating wire - Google Patents

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Abstract

To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus for an energization heating wire, capable of uniformly forming tantalum carbide on a surface.SOLUTION: A manufacturing method for an energization heating wire has both ends, in which methane gas is introduced into a chamber with a tantalum line hung to be folded in a vertical direction, and AC power is supplied to the tantalum line for heat generation to carbonize a surface of the tantalum line.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、例えば触媒線化学気相成長装置における触媒線として用いられる通電加熱線の製造方法及び製造装置に関する。 The present invention relates to, for example, a method and an apparatus for manufacturing an energized heating wire used as a catalyst wire in a catalyst wire chemical vapor deposition apparatus.

成膜方法のひとつに触媒化学気相成長法(Cat-CVD:catalytic-Chemical Vapor Deposition)がある。この方法は、例えば1500〜2000℃に加熱した触媒線に反応ガスを供給し、反応ガスの接触反応もしくは熱分解反応を利用して生成した分解種(堆積種)を被成膜基板上に堆積させる成膜法である。 Catalytic-Chemical Vapor Deposition (Cat-CVD) is one of the film formation methods. In this method, for example, a reaction gas is supplied to a catalyst wire heated to 1500 to 2000 ° C., and decomposition seeds (deposited seeds) generated by utilizing a contact reaction or a thermal decomposition reaction of the reaction gas are deposited on a substrate to be deposited. It is a film forming method.

触媒化学気相成長法は、反応ガスの分解種を基板上に堆積させて膜を形成する点でプラズマCVD法と類似する。しかし、触媒化学気相成長法は、高温の触媒線上において反応ガスの分解種を生成するので、プラズマを形成して反応ガスの分解種を生成するプラズマCVD法に比べて、プラズマによる表面損失がなく、原料ガスの利用効率も高いという利点がある。 The catalytic chemical vapor deposition method is similar to the plasma CVD method in that the decomposed species of the reaction gas are deposited on the substrate to form a film. However, since the catalytic chemical vapor deposition method produces decomposition species of the reaction gas on the high temperature catalytic wire, the surface loss due to plasma is higher than that of the plasma CVD method, which forms plasma to generate decomposition species of the reaction gas. There is an advantage that the utilization efficiency of the raw material gas is high.

この触媒化学気相成長法に使用される触媒線の材料としてタンタルが広く用いられている。しかし、金属タンタル自体は、高温でのクリープ強度が低いため、金属タンタルがそのまま触媒線として用いられると、加熱時に熱伸びや、溶断が生じる。したがって、タンタルを触媒線に使用する場合には、タンタルをボロン化処理したり、炭化処理することでタンタルを高融点化、及び硬化する方法が用いられる。 Tantalum is widely used as a material for catalyst wires used in this catalytic chemical vapor deposition method. However, since the metal tantalum itself has a low creep strength at high temperatures, if the metal tantalum is used as it is as a catalyst wire, thermal elongation and fusing occur during heating. Therefore, when tantalum is used as a catalyst wire, a method is used in which tantalum is subjected to boronization treatment or carbonization treatment to raise the melting point of tantalum and cure it.

例えば、特許文献1には、タンタル線を内部に設置した真空チャンバ内に炭素源ガスを導入し、タンタル線に電圧を印加することにより形成される、タンタルからなる芯部と、当該芯部を被覆する炭化タンタルからなる周縁部とを備える通電加熱線が開示されている。 For example, in Patent Document 1, a core portion made of tantalum formed by introducing a carbon source gas into a vacuum chamber in which a tantalum wire is installed and applying a voltage to the tantalum wire, and the core portion thereof are described. Disclosed is an energized heating wire comprising a peripheral portion made of tantalum carbide to be coated.

特開2012−41576号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-415676

触媒化学気相成長法を用いて基板に成膜する場合等、基板面内に亘って特性が均一な膜を成膜するために、表面に炭化タンタルが均一に形成された通電加熱線が望まれている。 In order to form a film with uniform characteristics over the surface of the substrate, such as when forming a film on a substrate using the catalytic chemical vapor deposition method, an energized heating wire in which tantalum carbide is uniformly formed on the surface is desired. It is rare.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、表面に炭化タンタルを均一に形成することができる通電加熱線の製造方法及び製造装置を提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a method and an apparatus for manufacturing an energized heating wire capable of uniformly forming tantalum carbide on the surface.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る通電加熱線の製造方法は、
両端部を有し、垂直方向に折り返すように吊り下げられたタンタル線が設置されたチャンバにメタンガスを導入し、
上記タンタル線に交流電力を供給して発熱させ、上記タンタル線の表面を炭化処理する。
In order to achieve the above object, the method for manufacturing an energized heating wire according to one embodiment of the present invention is:
Introduce methane gas into the chamber, which has both ends and is equipped with a tantalum wire suspended vertically.
AC power is supplied to the tantalum wire to generate heat, and the surface of the tantalum wire is carbonized.

この構成では、タンタル線に交流電力を供給してタンタル線の表面の炭化処理を行うので、タンタル線の全長に亘って均一にタンタル線の表面に炭化タンタルを形成することができる。 In this configuration, since AC power is supplied to the tantalum wire to carbonize the surface of the tantalum wire, tantalum carbide can be uniformly formed on the surface of the tantalum wire over the entire length of the tantalum wire.

例えば、上記通電加熱線の長さは2m以上であってもよい。
このように、本発明は、通電加熱線の長さが2m以上という長尺の通電加熱線の製造に好適である。
For example, the length of the energization heating wire may be 2 m or more.
As described above, the present invention is suitable for manufacturing a long energization heating wire having a length of 2 m or more.

本発明の一実施形態に係る製造装置は、チャンバと、メタンガス供給部と、電源とを具備する。
上記チャンバは、内部に、両端部を有するタンタル線が垂直方向に折り返すように吊り下げて設置される。
上記メタンガス供給部は、上記チャンバ内にメタンガスを供給する。
上記電源は、メタンガス雰囲気下で、前記タンタル線の表面を炭化処理するために、前記タンタル線を発熱させる交流電力を前記タンタル線に供給する。
The manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention includes a chamber, a methane gas supply unit, and a power source.
The chamber is installed inside by suspending the tantalum wire having both ends so as to be folded back in the vertical direction.
The methane gas supply unit supplies methane gas into the chamber.
The power source supplies AC power for generating heat to the tantalum wire in order to carbonize the surface of the tantalum wire under a methane gas atmosphere.

この構成では、タンタル線に交流電力を供給してタンタル線の表面の炭化処理を行うので、タンタル線の全長に亘って均一にタンタル線の表面に炭化タンタルを形成することができる。 In this configuration, since AC power is supplied to the tantalum wire to carbonize the surface of the tantalum wire, tantalum carbide can be uniformly formed on the surface of the tantalum wire over the entire length of the tantalum wire.

上記タンタル線の長さは2m以上であってもよい。
このように、本発明は、通電加熱線の長さが2m以上という長尺の通電加熱線の製造に好適である。
The length of the tantalum wire may be 2 m or more.
As described above, the present invention is suitable for manufacturing a long energization heating wire having a length of 2 m or more.

以上述べたように、本発明によれば、タンタル線の全長に亘って均一にタンタル線の表面に炭化タンタルを形成することが可能な通電加熱線の製造方法及び製造装置を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a method and an apparatus for manufacturing an energized heating wire capable of uniformly forming tantalum carbide on the surface of the tantalum wire over the entire length of the tantalum wire. ..

本発明の実施形態に係る通電加熱線の製造装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the manufacturing apparatus of the energizing heating wire which concerns on embodiment of this invention. 上記製造装置により製造された通電加熱線の概略断面図である。It is the schematic sectional drawing of the energization heating wire manufactured by the said manufacturing apparatus. 上記製造装置を用いて製造条件を異ならせて製造した通電加熱線の模式図であり、交流電力を用いて炭化処理して製造した通電加熱線と、直流電力を用いて炭化処理して製造した通電加熱線を示す。It is a schematic diagram of the energization heating wire manufactured by using the above-mentioned manufacturing apparatus under different manufacturing conditions, and is manufactured by carbonizing the energizing heating wire manufactured by carbonizing using AC power and carbonizing using DC power. The energizing heating wire is shown. 通電加熱線の製造方法を示すフロー図である。It is a flow chart which shows the manufacturing method of the energization heating wire. 炭化処理ムラが生じるメカニズムを説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the mechanism which the carbonization treatment unevenness occurs.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
[製造装置の構成]
図1は本発明の実施形態に係る通電加熱線としての触媒線の製造装置1の概略構成図である。製造装置1を用いてタンタル線60の表面を炭化処理することによって、表面に炭化タンタルが形成された通電加熱線としての触媒線6を製造することができる。
製造装置1は、真空チャンバ3と、真空ポンプ4と、炭素源供給部であるメタンガス(CH)供給部9と、商用電源11と、交流電源装置18と、を備える。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[Manufacturing equipment configuration]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a catalyst wire manufacturing apparatus 1 as an energizing heating wire according to an embodiment of the present invention. By carbonizing the surface of the tantalum wire 60 using the manufacturing apparatus 1, the catalyst wire 6 as an energized heating wire having tantalum carbide formed on the surface can be manufactured.
The manufacturing apparatus 1 includes a vacuum chamber 3, a vacuum pump 4, a methane gas (CH 4 ) supply unit 9 which is a carbon source supply unit, a commercial power supply 11, and an AC power supply unit 18.

真空チャンバ3は、複数のタンタル線60を内部に設置可能に構成される。
真空ポンプ4は、真空チャンバ3に接続される。真空ポンプ4は、真空チャンバ3を所定の真空度に真空排気可能とする。
メタンガス供給部9は、真空チャンバ3内へメタンガスを供給する。
The vacuum chamber 3 is configured so that a plurality of tantalum wires 60 can be installed inside.
The vacuum pump 4 is connected to the vacuum chamber 3. The vacuum pump 4 enables the vacuum chamber 3 to be evacuated to a predetermined degree of vacuum.
The methane gas supply unit 9 supplies methane gas into the vacuum chamber 3.

タンタル線60は金属タンタルからなり、棒状を有する。両端部を有する各タンタル線60は、真空チャンバ3内を垂直方向(本実施形態では重力方向とする。)に垂下し、真空チャンバ3内の下部の領域で垂直方向に折り返されるようにして真空チャンバ3内で吊り下げられる。これら複数のタンタル線60は、互いに所定の間隔をあけて一直線上に列設される。なお、以下の説明において、複数のタンタル線60の列設方向を「X軸方向」、垂直方向を「Z軸方向」、これらに直交する方向を「Y軸方向」と呼ぶものとする。
なお、このタンタル線60は例えば8ユニット程度設けられるが、図1では説明をわかりやすくするため3ユニットのタンタル線60が列設された様子を示している。
The tantalum wire 60 is made of metal tantalum and has a rod shape. Each tantalum wire 60 having both ends hangs vertically in the vacuum chamber 3 (in the present embodiment, the direction of gravity) and is folded vertically in the lower region of the vacuum chamber 3 to form a vacuum. Suspended in chamber 3. The plurality of tantalum wires 60 are arranged in a straight line at predetermined intervals from each other. In the following description, the rowing direction of the plurality of tantalum wires 60 is referred to as "X-axis direction", the vertical direction is referred to as "Z-axis direction", and the direction orthogonal to these is referred to as "Y-axis direction".
The tantalum wire 60 is provided, for example, about 8 units, but FIG. 1 shows a state in which 3 units of the tantalum wire 60 are arranged in a row for easy explanation.

タンタル線60の長さは、当該タンタル線60の表面を炭化処理してなる触媒線6を用いて触媒化学気相成長法により成膜する対象の基板のサイズに応じて様々である。例えば触媒線6の一本の長さが、2m〜6mの触媒線6が用いられる。好ましい触媒線6の長さは、2mから5mで、本実施形態では、触媒線6の炭化処理前の長さが4.5mのタンタル線60が用いられた。タンタル線60と、当該タンタル線60の表面を炭化処理してなる触媒線6の長さは同等である。
図1に示すように、一本のタンタル線60において、2つの接続端子64から折り返し部までのタンタル線60の長さが互いに等しくなるようにタンタル線60が配置されている。より具体的には、本実施形態では、図3に示すように、タンタル線60(触媒線6)は、折り返し部の長さbが120mm、Z軸方向の長さaが2200mmとなるように折り返されて真空チャンバ3内に設置される。
The length of the tantalum wire 60 varies depending on the size of the substrate to be formed by the catalytic chemical vapor deposition method using the catalyst wire 6 formed by carbonizing the surface of the tantalum wire 60. For example, a catalyst wire 6 having a length of 2 m to 6 m is used. The preferred length of the catalyst wire 6 is 2 m to 5 m, and in the present embodiment, the tantalum wire 60 having a length of the catalyst wire 6 before carbonization treatment of 4.5 m is used. The lengths of the tantalum wire 60 and the catalyst wire 6 formed by carbonizing the surface of the tantalum wire 60 are the same.
As shown in FIG. 1, in one tantalum wire 60, the tantalum wires 60 are arranged so that the lengths of the tantalum wires 60 from the two connection terminals 64 to the folded portion are equal to each other. More specifically, in the present embodiment, as shown in FIG. 3, the tantalum wire 60 (catalyst wire 6) has a folded portion length b of 120 mm and a length a in the Z-axis direction of 2200 mm. It is folded back and installed in the vacuum chamber 3.

交流電源装置18は、真空チャンバ3の外部に設けられ、商用電源11に接続される。各タンタル線60は、交流電源装置18に接続されている。それらの接続方法は並列でよい。具体的には、各タンタル線60の両端部は、接続端子64を介して真空チャンバ3の外部に配置された接続配線63に接続され、各接続配線63は交流電源装置18に接続されている。 The AC power supply device 18 is provided outside the vacuum chamber 3 and is connected to the commercial power supply 11. Each tantalum wire 60 is connected to an AC power supply device 18. The connection method may be parallel. Specifically, both ends of each tantalum wire 60 are connected to a connection wiring 63 arranged outside the vacuum chamber 3 via a connection terminal 64, and each connection wiring 63 is connected to an AC power supply device 18. ..

なお、商用電源11は、100V、110V、200V、220V等があり、交流電源装置18は、例えば100〜220Vの間で出力電圧を制御することができる。また、タンタル線60のサイズにもよるが、交流電源装置18は、例えば10〜50Aの電流をタンタル線60に印加する。典型的には、交流電源装置18は、30A、4.0kWの交流電力をタンタル線60に印加する。交流電源装置18がタンタル線60に印加する交流電圧の周波数は例えば10〜100Hz、典型的には50〜60Hzである。 The commercial power supply 11 includes 100V, 110V, 200V, 220V, and the like, and the AC power supply device 18 can control the output voltage between 100 and 220V, for example. Further, although it depends on the size of the tantalum wire 60, the AC power supply device 18 applies a current of, for example, 10 to 50 A to the tantalum wire 60. Typically, the AC power supply unit 18 applies 30 A, 4.0 kW of AC power to the tantalum wire 60. The frequency of the AC voltage applied to the tantalum wire 60 by the AC power supply device 18 is, for example, 10 to 100 Hz, typically 50 to 60 Hz.

交流電源装置18は、商用電源11からの交流の出力信号を直接スイッチするダイレクトスイッチング方式によりスイッチングを行うものである。しかし、スイッチング素子により電圧制御を行う交流電源装置として、ダイレクトスイッチング方式のものに限られず、コンバータ(AC/DC変換器)を備えたインバータ方式のものであってもよい。 The AC power supply device 18 performs switching by a direct switching method that directly switches the AC output signal from the commercial power supply 11. However, the AC power supply device that controls the voltage by the switching element is not limited to the direct switching system, and may be an inverter system equipped with a converter (AC / DC converter).

タンタル線60の表面の炭化処理において、真空チャンバ3内にメタンガスが供給され、タンタル線60に交流電圧が供給されることにより、表面に炭化タンタルが均一に形成された触媒線6を得ることができる。詳細については、後述する。
製造装置1は以上のように構成される。
In the carbonization treatment of the surface of the tantalum wire 60, methane gas is supplied into the vacuum chamber 3 and an AC voltage is supplied to the tantalum wire 60 to obtain a catalyst wire 6 in which tantalum carbide is uniformly formed on the surface. can. Details will be described later.
The manufacturing apparatus 1 is configured as described above.

[触媒線(通電加熱線)の構成]
次に触媒線6の構成について説明する。図2は触媒線6の断面構造を模式的に示す断面図である。上述したように、触媒線6は、タンタル線60の表面を炭化処理することにより形成される。触媒線6は、芯部6aと周縁部6bを有する。芯部6aは触媒線6の中心部分であり、周縁部6bは芯部6aを覆う触媒線の外周部分である。芯部6aは金属タンタル(Ta)からなり、周縁部6bは炭化タンタル(TaC)からなる。
[Structure of catalyst wire (energized heating wire)]
Next, the configuration of the catalyst wire 6 will be described. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the cross-sectional structure of the catalyst wire 6. As described above, the catalyst wire 6 is formed by carbonizing the surface of the tantalum wire 60. The catalyst wire 6 has a core portion 6a and a peripheral portion 6b. The core portion 6a is the central portion of the catalyst wire 6, and the peripheral edge portion 6b is the outer peripheral portion of the catalyst wire covering the core portion 6a. The core portion 6a is made of metal tantalum (Ta), and the peripheral portion 6b is made of tantalum carbide (TaC x ).

金属タンタルは高温でのクリープ強度が小さいため、金属タンタルのみからなる触媒熱線は成膜時に熱伸びや溶断が生じるおそれがある。これに対し本実施形態に係る触媒線6は金属タンタルからなる芯部6aを、高温でのクリープ強度が大きく、機械的強度も高い炭化タンタルからなる周縁部6bにより被覆しているため、触媒線6の熱的及び機械的耐久性を高いものとすることができる。具体的には、金属タンタルのみからなる触媒線は、成膜の度に交換が必要となる場合が多いが、本実施形態に係る触媒線6は交換を要することなく複数回の成膜に利用することが可能である。 Since metal tantalum has a low creep strength at high temperatures, catalytic heat rays composed only of metal tantalum may cause thermal elongation or fusing during film formation. On the other hand, in the catalyst wire 6 according to the present embodiment, the core portion 6a made of metal tantalum is covered with the peripheral portion 6b made of tantalum carbide having high creep strength at high temperature and high mechanical strength. The thermal and mechanical durability of 6 can be made high. Specifically, the catalyst wire made of only metal tantalum often needs to be replaced every time the film is formed, but the catalyst wire 6 according to the present embodiment is used for multiple film formations without requiring replacement. It is possible to do.

一方で炭化タンタルは金属タンタルに比べて導電性が小さく(電気抵抗が大きく)、炭化タンタルのみからなる触媒線は加熱に大きな電力が必要となる。これに対し本実施形態に係る触媒線6は、断面構造の内部が金属タンタルからなる芯部6aであるため、導電性が高く(電気抵抗が小さく)、金属タンタルのみからなる触媒線と同程度の印加電圧により加熱することが可能である。
また、炭化タンタルは化学反応に対する安定性が高いため、触媒線を用いた触媒化学気相成長法での成膜プロセス等に用いられるホウ素の芯材内部への拡散を防止できる。これにより、タンタルのホウ化による芯材の局所的な高抵抗化と、それに伴う芯材の温度上昇による溶断を防止でき、芯材の耐久性を高めることができる。したがって、触媒線の高寿命化を図ることができる。
On the other hand, tantalum carbide has lower conductivity (larger electrical resistance) than metal tantalum, and a catalyst wire consisting only of tantalum carbide requires a large amount of electric power for heating. On the other hand, the catalyst wire 6 according to the present embodiment has a high conductivity (small electric resistance) because the inside of the cross-sectional structure is a core portion 6a made of metal tantalum, and is about the same as a catalyst wire made of only metal tantalum. It is possible to heat by the applied voltage of.
Further, since tantalum carbide is highly stable against chemical reactions, it is possible to prevent the diffusion of boron into the core material used in the film forming process in the catalytic chemical vapor phase growth method using a catalytic wire. As a result, it is possible to prevent the core material from being blown due to the local increase in resistance of the core material due to the boring of tantalum and the accompanying temperature rise of the core material, and it is possible to improve the durability of the core material. Therefore, the life of the catalyst wire can be extended.

[触媒線(通電加熱線)の製造方法]
本実施形態において、上記製造装置1を用いて、以下の方法によりタンタル線の表面の炭化処理を行うことにより、表面に均一に炭化タンタルが形成された触媒線を得ることができる。以下、図4の製造フローに沿って説明する。
[Manufacturing method of catalyst wire (energized heating wire)]
In the present embodiment, by carbonizing the surface of the tantalum wire by the following method using the manufacturing apparatus 1, it is possible to obtain a catalyst wire in which tantalum carbide is uniformly formed on the surface. Hereinafter, the description will be given according to the manufacturing flow of FIG.

製造装置1の真空チャンバ3の内部に、触媒線6の素となるタンタル線60を1本又は複数本設置する(S11)。タンタル線60は、金属タンタルからなる線であり、その直径は数mmとすることができ、ここでは1.0mmとした。真空ポンプ4を作動させて真空チャンバ3の内部を真空排気し、減圧する。ここでは、0.05Pa未満に減圧した。 One or more tantalum wires 60, which are the elements of the catalyst wire 6, are installed inside the vacuum chamber 3 of the manufacturing apparatus 1 (S11). The tantalum wire 60 is a wire made of metal tantalum, and its diameter can be several mm, and here it is 1.0 mm. The vacuum pump 4 is operated to evacuate the inside of the vacuum chamber 3 to reduce the pressure. Here, the pressure was reduced to less than 0.05 Pa.

次に、メタンガス供給部9から反応室2へメタンガスを所定の圧力、ここでは10Paになるまで導入する。メタンガス雰囲気下で、交流電源装置18により両端部間に、ここでは、30A、4.0kWの交流電力を各タンタル線60に供給してタンタル線60を加熱することにより、タンタル線60の表面の炭化処理が行われる(S12)。ここでは、炭化処理時間を30分とした。
タンタル線60は、交流電力の供給により生じる抵抗加熱により昇温される。このタンタル線60の発熱温度は、メタンガスの水素の熱脱離が生じアセチレン(C)が生成されることが可能な温度とされる。タンタル線60の表面におけるアセチレンの接触によりタンタル線60の表面に反応生成物である炭化タンタルからなる周縁部6bが形成される。即ち、タンタルからなる線状の芯部6aと、炭化タンタルからなり芯部6aを覆う周縁部6bとを有する触媒線6が製造される。炭化処理時間は、換言すると、タンタル線60の加熱時間である。
Next, methane gas is introduced from the methane gas supply unit 9 into the reaction chamber 2 until it reaches a predetermined pressure, here 10 Pa. In a methane gas atmosphere, the surface of the surface of the tantalum wire 60 is heated by supplying AC power of 30 A and 4.0 kW to each tantalum wire 60 between both ends by the AC power supply device 18. Carbonization treatment is performed (S12). Here, the carbonization treatment time was set to 30 minutes.
The tantalum wire 60 is heated by resistance heating generated by the supply of AC power. The exothermic temperature of the tantalum wire 60 is set to a temperature at which acetylene (C 2 H 2 ) can be produced due to thermal desorption of hydrogen in methane gas. Contact of acetylene on the surface of the tantalum wire 60 forms a peripheral portion 6b made of tantalum carbide, which is a reaction product, on the surface of the tantalum wire 60. That is, a catalyst wire 6 having a linear core portion 6a made of tantalum and a peripheral edge portion 6b made of tantalum carbide and covering the core portion 6a is manufactured. The carbonization treatment time is, in other words, the heating time of the tantalum wire 60.

タンタル線60の加熱温度は、1000℃以上2400℃以下の範囲に設定することができる。ここでは、交流電流値を30Aとしたが、これに限定されず、例えば10A〜60Aの範囲に設定することができる。また、交流電力を4.0kWとしたが、これに限定されず、例えば3kW〜10kWの範囲に設定することができる。電流値や電力値は触媒線の太さや長さによって適宜設定することができる。
炭化処理時間(加熱時間)は、タンタル線60の加熱温度によって適宜設定される。他の条件が同等の場合、加熱温度が高ければ炭化タンタルの形成が進行される。また、他の条件が同等の場合、加熱時間が長ければ、炭化タンタルの形成が進行される。
The heating temperature of the tantalum wire 60 can be set in the range of 1000 ° C. or higher and 2400 ° C. or lower. Here, the alternating current value is set to 30 A, but the present invention is not limited to this, and can be set in the range of, for example, 10 A to 60 A. Further, the AC power is set to 4.0 kW, but the present invention is not limited to this, and for example, it can be set in the range of 3 kW to 10 kW. The current value and the power value can be appropriately set according to the thickness and length of the catalyst wire.
The carbonization treatment time (heating time) is appropriately set according to the heating temperature of the tantalum wire 60. If other conditions are similar, the higher the heating temperature, the more the formation of tantalum carbide will proceed. Further, under the same conditions as other conditions, if the heating time is long, the formation of tantalum carbide proceeds.

また、ここでは、メタンガス雰囲気の圧力を10Paとしたが、これに限定されず、例えば1Pa〜10Paの範囲に設定することができる。他の条件が同等の場合、炭素雰囲気の圧力が大きければ、炭化タンタルの形成が進行される。 Further, here, the pressure of the methane gas atmosphere is set to 10 Pa, but the pressure is not limited to this, and can be set to, for example, 1 Pa to 10 Pa. If other conditions are similar, the higher the pressure in the carbon atmosphere, the more tantalum carbide will be formed.

タンタル線60の表面の炭化処理において、導入ガスとしてメタンガスを用い、タンタル線60に交流電力を印加することにより、表面に均一に炭化タンタルが形成された触媒線6を得ることができる。以下、図3を用いて説明する。
図3(A)は炭化処理時に交流電力を印加して製造された触媒線6を示し、図3(B)は炭化処理時に直流電力を印加して製造された触媒線61を示す。
図3(A)に示す触媒線6は、上述の製造方法で製造したものであり、一端から他端に亘って均一に炭化タンタルが形成された、表面が黄色を呈する触媒線である。
一方、図3(B)に示す触媒線61は、30A、4.0kWの直流電力をタンタル線60に供給する以外は上述の製造方法と同様の条件で製造した触媒線である。図3(B)において、斜線で示した箇所は表面に炭素が析出した領域を示す。図3(B)に示すように、直流電力を用いて炭化処理した触媒線61は、折り返され+極側に位置する部分には炭化タンタルが形成されて表面が黄色を呈する一方で、−極側に位置する部分には炭素が析出して表面が黒色を呈している。
In the carbonization treatment of the surface of the tantalum wire 60, methane gas is used as the introduction gas and AC power is applied to the tantalum wire 60 to obtain a catalyst wire 6 in which tantalum carbide is uniformly formed on the surface. Hereinafter, it will be described with reference to FIG.
FIG. 3A shows a catalyst wire 6 manufactured by applying AC power during carbonization treatment, and FIG. 3B shows a catalyst wire 61 manufactured by applying DC power during carbonization treatment.
The catalyst wire 6 shown in FIG. 3A is manufactured by the above-mentioned manufacturing method, and is a catalyst wire having a yellow surface on which tantalum carbide is uniformly formed from one end to the other end.
On the other hand, the catalyst wire 61 shown in FIG. 3B is a catalyst wire manufactured under the same conditions as the above-mentioned manufacturing method except that the DC power of 30A and 4.0 kW is supplied to the tantalum wire 60. In FIG. 3B, the shaded area indicates a region where carbon is deposited on the surface. As shown in FIG. 3 (B), the catalyst wire 61 carbonized using DC power is folded back and tantalum carbide is formed in the portion located on the + pole side, and the surface is yellow, while the minus pole is formed. Carbon is deposited on the portion located on the side and the surface is black.

このように、直流電力を印加して製造した触媒線61は、その一部に炭素が析出し、タンタル線60の全長に亘って均一に炭化タンタルが形成されず、炭化タンタルの形成ムラ(以下、炭化処理ムラということがある。)が発生した。このような炭化タンタルの形成ムラは、メタンガスの圧力及び炭化処理時間等の処理条件を変更しても、直流電力を用いた場合は同様に発生した。
また、このような炭化タンタルの形成ムラは、触媒線の素となるタンタル線を、製造装置1内に垂直方向に折り返すように吊り下げた時の垂直方向の長さ(図3(A)における長さa)が1m以上の場合に、顕著に発生した。
As described above, in the catalyst wire 61 manufactured by applying DC power, carbon is deposited on a part thereof, and tantalum carbide is not uniformly formed over the entire length of the tantalum wire 60, and uneven formation of tantalum carbide (hereinafter referred to as “tantalum carbide”) is not formed. , May be called uneven carbonization treatment.). Such uneven formation of tantalum carbide occurred in the same manner when DC power was used even if the treatment conditions such as the pressure of methane gas and the carbonization treatment time were changed.
Further, such uneven formation of tantalum carbide is caused by the length in the vertical direction when the tantalum wire, which is the source of the catalyst wire, is suspended in the manufacturing apparatus 1 so as to be folded back in the vertical direction (in FIG. 3A). It occurred remarkably when the length a) was 1 m or more.

図3(B)に示す直流電力を印加して製造した触媒線61の炭化タンタルの形成ムラの発生のメカニズムは、次のように考えられる。図5は、炭化タンタルの形成ムラの発生のメカニズムを説明するための図である。 The mechanism of occurrence of uneven formation of tantalum carbide in the catalyst wire 61 manufactured by applying the DC power shown in FIG. 3B is considered as follows. FIG. 5 is a diagram for explaining the mechanism of occurrence of uneven formation of tantalum carbide.

図5(A)は、メタンガスの分解の過程及びタンタル線60への炭素浸入までの様子を模式的に示す図である。図5(B)はタンタル線60に炭素12が浸入する様子を模式的に示す図である。図5では炭素に符号12を付し、水素に符号13を付している。
タンタル線60は、直流電力の供給により加熱される。図5(A)に示すように、タンタル線60にメタン(CH)が接触し水素の熱脱離が起こることによりメチル基(CH)と水素イオン(H)が生成される。このメチル基とメタンとが反応し、エタン(C)と水素イオンが生成される。タンタル線60にエタンが接触し水素の熱脱離が起こることによりアセチレン(C)と水素(H)が生成される。タンタル線60にアセチレンが接触し熱脱離が起こることにより炭素(C)と水素が生成される。このように、タンタル線60に何度も接触して熱脱離が繰り返され、図5(B)に示すように、タンタル線60に浸入する炭素12が得られる。タンタル線60に炭素12が浸入拡散し、タンタル線60の表面が炭化されて炭化タンタルが形成される。
図5(A)に示すように、炭素浸入までの過程の途中で、−の極性を有するメチル基が生成される。ここで、炭化処理時に、タンタル線60に直流電力が供給される場合、−の極性を有するメチル基はタンタル線60の+極側に引き寄せられる。これにより、タンタル線60において、+極側と−極側とで電界濃度が異なり電界濃度分布が発生する。このため、+極側は、−極側よりも炭素の浸入量が多くなり、炭化が進行する。
炭化タンタルが形成されることにより抵抗値が増加するため、図5(C)に示すように、+極側と−極側とで抵抗差が生じる。この抵抗差が生じた状態で直流電力が供給されると、タンタル線60において、+極側と−極側とでの発熱温度が異なり、+極側の方が−極側よりも高い温度となる。温度が高いほどタンタルの炭化が進むため、+極側は、更に−極側よりも表面の炭化が進行する。一方で、−極側は温度が低くなるため、タンタルの炭化が進みにくく、タンタル線60に浸入し、炭化に寄与していない炭素が過剰状態となり、当該炭素がタンタル線60の表面に析出し、黒色を呈するようになる。このように、直流電力を用いて炭化処理をした場合、+極側と−極側とで炭化処理ムラが生じると考えられる。
FIG. 5A is a diagram schematically showing the process of decomposition of methane gas and the state of carbon infiltration into the tantalum wire 60. FIG. 5B is a diagram schematically showing how carbon-12 infiltrates into the tantalum wire 60. In FIG. 5, carbon is designated by reference numeral 12, and hydrogen is designated by reference numeral 13.
The tantalum wire 60 is heated by the supply of DC electric power. As shown in FIG. 5A, methane (CH 4 ) comes into contact with the tantalum wire 60 and thermal desorption of hydrogen occurs, so that a methyl group (CH 3 ) and a hydrogen ion (H) are generated. This methyl group reacts with methane to generate ethane (C 2 H 6 ) and hydrogen ions. Acetylene (C 2 H 2 ) and hydrogen (H 2 ) are produced by the contact of ethane with the tantalum wire 60 and the thermal desorption of hydrogen. When acetylene comes into contact with the tantalum wire 60 and thermal desorption occurs, carbon (C) and hydrogen are generated. In this way, the tantalum wire 60 is repeatedly in contact with the heat desorption, and as shown in FIG. 5B, carbon-12 infiltrating the tantalum wire 60 is obtained. Carbon-12 infiltrates and diffuses into the tantalum wire 60, and the surface of the tantalum wire 60 is carbonized to form tantalum carbide.
As shown in FIG. 5 (A), a methyl group having a negative polarity is generated in the process up to carbon infiltration. Here, when DC power is supplied to the tantalum wire 60 during the carbonization treatment, the methyl group having a negative polarity is attracted to the + pole side of the tantalum wire 60. As a result, in the tantalum wire 60, the electric field concentration differs between the positive pole side and the negative pole side, and an electric field concentration distribution is generated. Therefore, the amount of carbon infiltrated on the positive pole side is larger than that on the negative pole side, and carbonization proceeds.
Since the resistance value increases due to the formation of tantalum carbide, a resistance difference occurs between the positive pole side and the negative pole side as shown in FIG. 5 (C). When DC power is supplied with this resistance difference occurring, the heat generation temperature on the + pole side and the-pole side of the tantalum wire 60 is different, and the temperature on the + pole side is higher than that on the-pole side. Become. The higher the temperature, the more carbonization of tantalum progresses, so that carbonization of the surface of the positive pole side further progresses more than that of the negative pole side. On the other hand, since the temperature on the negative pole side is low, carbonization of tantalum does not proceed easily, and it infiltrates into the tantalum wire 60, and carbon that does not contribute to carbonization becomes an excess state, and the carbon precipitates on the surface of the tantalum wire 60. , Becomes black. In this way, when carbonization is performed using DC power, it is considered that carbonization unevenness occurs between the + pole side and the-pole side.

本実施形態においては、タンタル線60に交流電力が供給されるので、上述のような、+極側と−極側とで電界濃度分布が発生することがない。従って、+極側と−極側とでの抵抗差、ひいては加熱温度差の発生が抑制され、結果的に、炭化処理ムラの発生が抑制される。これにより、全長に亘って表面に均一な炭化タンタルが形成された触媒線6を得ることができる。尚、タンタル線の長さに係らず、メタンガス雰囲気下でタンタル線60に交流電力を供給してタンタル線の炭化処理を行うことにより、全長に亘って表面に均一な炭化タンタルが形成された触媒線6を安定して得ることができる。 In the present embodiment, since AC power is supplied to the tantalum wire 60, the electric field concentration distribution does not occur on the + pole side and the-pole side as described above. Therefore, the generation of the resistance difference between the + pole side and the-pole side, and eventually the heating temperature difference is suppressed, and as a result, the occurrence of carbonization treatment unevenness is suppressed. As a result, the catalyst wire 6 having uniform tantalum carbide formed on the surface over the entire length can be obtained. Regardless of the length of the tantalum wire, a catalyst in which uniform tantalum carbide is formed on the surface over the entire length by supplying AC power to the tantalum wire 60 in a methane gas atmosphere to carbonize the tantalum wire. The wire 6 can be stably obtained.

以上のように、触媒線における炭化タンタルの形成の程度は加熱温度、加熱時間及び炭素雰囲気の圧力等によって異なる。これらの条件を適切に調節することによって、芯部6aがタンタルからなり、周縁部6bが炭化タンタルからなる触媒線6を作成することが可能である。
更に、タンタル線60に交流電力を供給してタンタル線60の炭化処理を行うことにより、全長に亘って表面に均一な炭化タンタルが形成された触媒線6を得ることができる。上述したように、直流電力を供給してタンタル線の炭化処理を行う場合、炭化タンタルの形成ムラは製造装置1内に垂直方向に折り返すようにタンタル線を吊り下げた時の垂直方向の長さが1m以上の場合に顕著に発生している。従って、全長が2m以上のタンタル線の炭化処理を行う場合、タンタル線に交流電力を供給して炭化処理を行うことは特に有効である。
As described above, the degree of formation of tantalum carbide in the catalyst wire varies depending on the heating temperature, heating time, pressure of the carbon atmosphere, and the like. By appropriately adjusting these conditions, it is possible to produce a catalyst wire 6 in which the core portion 6a is made of tantalum and the peripheral portion 6b is made of tantalum carbide.
Further, by supplying AC power to the tantalum wire 60 to carry out carbonization treatment of the tantalum wire 60, it is possible to obtain a catalyst wire 6 in which uniform tantalum carbide is formed on the surface over the entire length. As described above, when the tantalum wire is carbonized by supplying DC power, the uneven formation of tantalum carbide is the vertical length when the tantalum wire is suspended so as to be folded back in the vertical direction in the manufacturing apparatus 1. Is remarkably generated when is 1 m or more. Therefore, when carbonizing a tantalum wire having a total length of 2 m or more, it is particularly effective to supply AC power to the tantalum wire to perform the carbonization treatment.

上述の触媒線6が設けられた成膜装置(図示せず)を用いて触媒化学気相成長法により基板に所望の膜を成膜することができる。詳細には、成膜装置内に垂直方向に垂れ下がるように設置された複数の触媒線6に対向して基板を垂直に配置する。そして、触媒線6に交流電力を供給して加熱し、原料ガスを成膜装置内に導入することにより成膜が行われる。原料ガスが高温に加熱された触媒線6に接触し、触媒反応もしくは熱分解反応により生成された反応ガスの分解種が基板上に堆積されて成膜される。
本実施形態で得られた全長に亘って表面に均一に炭化タンタルが形成された触媒線6を用いて成膜することにより、面内で安定した膜特性を有する膜を成膜することができる。また、触媒線6の表面には全長に亘って均一に炭化タンタルが形成されているので、熱的及び機械的耐久性が高い。これにより、成膜中の触媒線6の熱延びや溶断の発生が防止され、成膜後に頻繁に触媒線を交換する必要もないため、成膜の生産性を向上させることが可能である。
A desired film can be formed on a substrate by a catalytic chemical vapor deposition method using a film forming apparatus (not shown) provided with the catalyst wire 6 described above. Specifically, the substrate is vertically arranged facing a plurality of catalyst wires 6 installed so as to hang vertically in the film forming apparatus. Then, AC power is supplied to the catalyst wire 6 to heat it, and the raw material gas is introduced into the film forming apparatus to form a film. The raw material gas comes into contact with the catalyst wire 6 heated to a high temperature, and the decomposed species of the reaction gas generated by the catalytic reaction or the thermal decomposition reaction are deposited on the substrate to form a film.
By forming a film using the catalyst wire 6 in which tantalum carbide is uniformly formed on the surface over the entire length obtained in the present embodiment, a film having stable in-plane film characteristics can be formed. .. Further, since tantalum carbide is uniformly formed on the surface of the catalyst wire 6 over the entire length, the thermal and mechanical durability is high. This prevents heat elongation and fusing of the catalyst wire 6 during film formation, and it is not necessary to frequently replace the catalyst wire after film formation, so that it is possible to improve the productivity of film formation.

本発明はこの実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において変更され得る。
上述の実施形態では、タンタル線の表面に炭化タンタルが形成された通電加熱線を例にあげて説明したが、これに限定されない。例えば、タンタル線の表面に炭化タンタルが形成されたものに、タンタルのホウ化物又はホウ素の少なくとも一方からなる被覆層が、更に被覆されて、通電加熱線が構成されてもよい。この構成では、被覆層がタンタルのホウ化物又はホウ素を含むため、例えば、通電加熱線を用いた触媒化学気相成長法での成膜プロセスに用いられるシリコンとの合金化反応(シリサイド化)を防止でき、機械的強度の低下を抑制できる。
The present invention is not limited to this embodiment, and may be modified without departing from the gist of the present invention.
In the above-described embodiment, the energized heating wire in which tantalum carbide is formed on the surface of the tantalum wire has been described as an example, but the present invention is not limited to this. For example, tantalum carbide formed on the surface of the tantalum wire may be further coated with a coating layer composed of at least one of tantalum boride or boron to form an energizing heating wire. In this configuration, since the coating layer contains tantalum boride or boron, for example, an alloying reaction (silicide) with silicon used in the film forming process in the catalytic chemical vapor deposition method using an energized heating wire is performed. It can be prevented and the decrease in mechanical strength can be suppressed.

1…製造装置
3…真空チャンバ(チャンバ)
6…触媒線(通電加熱線)
9…メタンガス供給部
11…商用電源(電源)
60…タンタル線
1 ... Manufacturing equipment 3 ... Vacuum chamber (chamber)
6 ... Catalyst wire (energized heating wire)
9 ... Methane gas supply unit 11 ... Commercial power supply (power supply)
60 ... Tantalum line

Claims (4)

両端部を有し、垂直方向に折り返すように吊り下げられたタンタル線が設置されたチャンバにメタンガスを導入し、
前記タンタル線に交流電力を供給して発熱させ、前記タンタル線の表面を炭化処理する
通電加熱線の製造方法。
Introduce methane gas into the chamber, which has both ends and is equipped with a tantalum wire suspended vertically.
A method for manufacturing an energized heating wire, in which AC power is supplied to the tantalum wire to generate heat and the surface of the tantalum wire is carbonized.
請求項1に記載の通電加熱線の製造方法であって、
前記通電加熱線の長さは2m以上である
通電加熱線の製造方法。
The method for manufacturing an energized heating wire according to claim 1.
A method for manufacturing an energized heating wire, wherein the length of the energized heating wire is 2 m or more.
内部に、両端部を有するタンタル線が垂直方向に折り返すように吊り下げて設置されるチャンバと、
前記チャンバ内にメタンガスを供給するメタンガス供給部と、
メタンガス雰囲気下で、前記タンタル線の表面を炭化処理するために、前記タンタル線を発熱させる交流電力を前記タンタル線に供給する電源と
を具備する製造装置。
Inside, a chamber in which the tantalum wire with both ends is hung so that it folds vertically,
A methane gas supply unit that supplies methane gas into the chamber,
A manufacturing apparatus including a power source that supplies AC power to generate heat of the tantalum wire in order to carbonize the surface of the tantalum wire in a methane gas atmosphere.
請求項3に記載の製造装置であって、
前記タンタル線の長さは2m以上である
製造装置。
The manufacturing apparatus according to claim 3.
A manufacturing apparatus in which the length of the tantalum wire is 2 m or more.
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