JP2021182584A - 半導体装置の評価装置および半導体装置の評価方法 - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態1について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体装置の評価装置100の概略図である。図2は、図1に示す破線Aで囲まれた部分の拡大図である。図3は、ウエハステージ2の平面図である。
次に、実施の形態2に係る半導体装置の評価装置100について説明する。図4は、実施の形態2に係る半導体装置の評価装置100が備えるピン5および絶縁体カバー10の斜視図である。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態3に係る半導体装置の評価装置100について説明する。図5は、実施の形態3に係る半導体装置の評価装置100の概略図である。図6は、図5に示す破線Bで囲まれた部分の拡大図である。なお、実施の形態3において、実施の形態1,2で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態4に係る半導体装置の評価装置100について説明する。図7は、実施の形態4に係る半導体装置の評価装置100が備えるピン5およびスプリング構造の断面図である。なお、実施の形態4において、実施の形態1〜3で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
実施の形態3のピン5に実施の形態2の絶縁体カバー10を設けてもよいし、実施の形態4のピン5に実施の形態2の絶縁体カバー10を設けてもよい。また、実施の形態4のピン5に実施の形態3の可動部11を設けてもよい。
Claims (7)
- 半導体ウエハに形成された複数の半導体装置を評価する半導体装置の評価装置であって、
各前記半導体装置の表面に設けられた表面電極に接触可能な複数のプローブピンと、
各前記半導体装置の裏面に設けられた裏面電極に先端面が接触することで各前記半導体装置を支持する複数のピンと、複数の前記ピンの基端部が固定されるピン固定台と、各前記ピンを、フォースラインに接続された状態、センスラインに接続された状態、およびオープン状態のいずれかに切り替える切替部とを有するウエハステージと、
前記切替部を介して複数の前記ピンに接続され、被評価半導体装置に接触する複数の前記ピンの電位を設定するテスタ部と、
を備える、半導体装置の評価装置。 - 前記切替部は、前記被評価半導体装置に接触する複数の前記ピンのうちの少なくとも1つの前記ピンを選択し、選択された前記ピンを前記センスラインに接続された状態に切り替え、前記被評価半導体装置に接触する複数の前記ピンのうちの選択されていない前記ピンを前記フォースラインに接続された状態に切り替える、請求項1に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記ピン固定台は、複数の前記ピンの前記基端部を着脱可能なように固定する複数の固定穴を備える、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記ウエハステージは、各前記ピンにおける前記先端面を除く部分の外周を覆う絶縁体カバーをさらに備える、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記ウエハステージは、各前記ピンを上下方向に移動させる可動部をさらに備える、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記ウエハステージは、各前記ピンに上下方向への弾性を持たせるスプリングをさらに備える、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置の評価装置。
- 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置の評価装置を用いた半導体装置の評価方法であって、
(a)複数の前記半導体装置の前記裏面電極を複数の前記ピンの前記先端面に接触させることで前記半導体ウエハを前記ウエハステージに載置する工程と、
(b)前記切替部は、前記被評価半導体装置に接触する複数の前記ピンのうちの少なくとも1つの前記ピンを選択し、選択された前記ピンを前記センスラインに接続された状態に切り替え、前記被評価半導体装置に接触する複数の前記ピンのうちの選択されていない前記ピンを前記フォースラインに接続された状態に切り替える工程と、
(c)前記プローブピンが前記被評価半導体装置の前記表面電極に接触した後、前記テスタ部は、前記プローブピンと前記フォースラインに接続された状態に切り替えられた前記ピンとの間に電圧を印加する工程と、
を備える、半導体装置の評価方法。
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JP2008028251A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Japan Electronic Materials Corp | 半導体デバイス検査装置 |
JP2011163850A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Misuzu Kogyo:Kk | プローブカード、電子装置の電気特性測定装置、電子装置の電気特性測定方法 |
JP2011249695A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Micronics Japan Co Ltd | 半導体測定装置及び測定方法並びにそれに用いる同軸プローブ針ユニット |
JP2012058225A (ja) * | 2010-03-12 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
JP2012089680A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Micronics Japan Co Ltd | 半導体測定装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004311799A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Shibasoku:Kk | 半導体試験装置 |
JP2008028251A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Japan Electronic Materials Corp | 半導体デバイス検査装置 |
JP2011163850A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Misuzu Kogyo:Kk | プローブカード、電子装置の電気特性測定装置、電子装置の電気特性測定方法 |
JP2012058225A (ja) * | 2010-03-12 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
JP2011249695A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Micronics Japan Co Ltd | 半導体測定装置及び測定方法並びにそれに用いる同軸プローブ針ユニット |
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