JP2021175147A - 負荷検出回路、および、増幅回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】負荷インピーダンスを精度良く検出する。【解決手段】負荷検出回路10は、第1検出部と第2検出部とを備える。第1検出部は、キャパシタ113およびキャパシタ114を備え、RF増幅器20の出力端と負荷ZLDとの間を接続する信号伝送線路101に対して容量性結合して、第1信号を出力する。第2検出部は、インダクタ111およびインダクタ112を備え、信号伝送線路101に対して誘導性結合して第2信号を出力する。【選択図】 図1
Description
本発明は、増幅器の負荷インピーダンスを検出する負荷検出回路、および、この負荷検出回路を含む増幅回路に関する。
特許文献1には、電力増幅回路と出力負荷との間に接続された整合回路が記載されている。整合回路は、電力増幅回路から出力負荷側をみた負荷インピーダンスを調整する。
しかしながら、電力増幅回路から出力負荷側をみた負荷インピーダンスを精度良く検出できていなければ、整合回路を適正に調整できない。特に、出力負荷が変動する場合には、出力負荷に対する負荷インピーダンスに応じて、整合回路を適宜に調整しなければならない。
したがって、本発明の目的は、電力増幅器(増幅器)から負荷をみた負荷インピーダンスを精度良く検出することにある。
この発明の負荷検出回路は、第1検出部と第2検出部とを備える。第1検出部は、RF増幅器の出力端と負荷との間を接続する信号伝送線路に対して容量性結合して、第1信号を出力する。第2検出部は、信号伝送線路に対して誘導性結合して第2信号を出力する。
この構成では、第1信号の振幅と第2信号とは、RF増幅器から出力されるRF信号の特性を反映する。より具体的には、第1信号の振幅と第2信号とは、RF信号おける電圧振幅と電流振幅とを反映する。したがって、第1信号と第2信号とを用いることで、RF増幅器から負荷側をみたインピーダンス(負荷インピーダンス)が算出できる。
この発明によれば、電力増幅器(増幅器)から負荷をみた負荷インピーダンスを精度良く検出できる。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係る負荷検出回路および増幅回路について、図を参照して説明する。
本発明の第1の実施形態に係る負荷検出回路および増幅回路について、図を参照して説明する。
(負荷検出回路)
図1は、第1の実施形態に係る負荷検出回路の等価回路図である。図1に示すように、負荷検出回路10は、RF増幅器20と出力整合回路30との間に接続される。すなわち、RF増幅器20の出力端は、負荷検出回路10に接続し、負荷検出回路10は、出力整合回路30に接続する。出力整合回路30は、負荷ZLDに接続する。なお、以下では、RF増幅器20から負荷ZLD側をみたインピーダンスを、負荷インピーダンスと称する。
図1は、第1の実施形態に係る負荷検出回路の等価回路図である。図1に示すように、負荷検出回路10は、RF増幅器20と出力整合回路30との間に接続される。すなわち、RF増幅器20の出力端は、負荷検出回路10に接続し、負荷検出回路10は、出力整合回路30に接続する。出力整合回路30は、負荷ZLDに接続する。なお、以下では、RF増幅器20から負荷ZLD側をみたインピーダンスを、負荷インピーダンスと称する。
負荷ZLDは、例えば、RF信号用のアンテナである。なお、負荷ZLDは、アンテナに限るものではない。RF増幅器20は、負荷検出回路10、および、出力整合回路30は、例えば、導体パターンが形成された絶縁性基板と、この絶縁性基板に実装された半導体素子やチップ型の電子部品と、絶縁性基板に形成された受動素子等とによって実現される。
負荷検出回路10は、検出部11、検波部12、および、演算部13を備える。検出部11は、インダクタ111、インダクタ112、キャパシタ113、キャパシタ114、抵抗115を備える。
インダクタ111とインダクタ112とは、相互インダクタンスMを生じるように、誘導性結合する。インダクタ111とインダクタ112とは、例えば、絶縁性基板に形成された導体パターンのトランスによって実現される。これらインダクタ111とインダクタ112とによって、本発明の「第2検出部」が実現される。なお、インダクタ111とインダクタ112の形成構造はこれに限らず、基板を半導体基板で形成する場合等、インダクタ111とインダクタ112とを、チップ部品型のトランスによって実現することも可能である。
インダクタ111は、RF増幅器20の出力端と出力整合回路30と間に接続される。言い換えれば、インダクタ111の一方端は、RF信号の信号伝送線路101におけるRF増幅器20側の部分を介して、RF増幅器20の出力端に接続する。インダクタ111の他方端は、RF信号の信号伝送線路101における出力整合回路30側の部分を介して、出力整合回路30に接続する。
インダクタ112の一方端は、検波部12に接続する。インダクタ112の他方端は、基準電位に接続する。
このような構成によって、インダクタ111とインダクタ112とからなる部分(第2検出部)は、信号伝送線路101に誘導性結合し、検波部12に対して、第2検出信号を出力する。第2検出信号は、RF増幅器20から出力されたRF信号の電流振幅を反映する。
キャパシタ113の一方端は、信号伝送線路101におけるRF増幅器20の出力端とインダクタ111とを接続する部分に、接続する。キャパシタ113の他方端は、検波部12に接続する。キャパシタ114の一方端は、信号伝送線路101におけるインダクタ111と出力整合回路30とを接続する部分に、接続する。キャパシタ114の他方端は、検波部12に接続する。キャパシタ113の他方端とキャパシタ114の他方端とは接続しており、これらの他方端は、抵抗115を介して基準電位に接続する。
キャパシタ113とキャパシタ114とは、それぞれに、例えば、絶縁性基板に形成された導体パターンによって実現される。なお、キャパシタ113とキャパシタ114の形成構造はこれに限らず、基板を半導体基板で形成する場合等、キャパシタ113とキャパシタ114を、チップ部品型のキャパシタ、より具体的な一例としては、MIMキャパシタによって実現することも可能である。これらキャパシタ113とキャパシタ114とによって、本発明の「第1検出部」が実現される。
このような構成によって、キャパシタ113とキャパシタ114とからなる部分(第1検出部)は、信号伝送線路101に容量性結合し、検波部12に対して、第1検出信号を出力する。第1検出信号は、RF増幅器20から出力されたRF信号の電圧振幅を反映する。
キャパシタ113とキャパシタ114とを接続する線路の長さは、RF信号の波長(第2検出信号の波長)よりも十分に短いことが好ましい。これにより、キャパシタ113から出力される第1検出信号とキャパシタ114から出力される第1検出信号との位相差を小さくできる。したがって、検波部12に入力される第1検出信号の特性は、RF信号の特性をより精度良く反映できる。なお、第1検波部は、キャパシタ113とキャパシタ114とのいずれか一方だけでもよく、3個以上のキャパシタによって構成されていてもよい。これは、所望とする容量性結合の大きさに応じて、適宜設定されていればよい。例えば、RF信号に対して第1検出部における誘導性結合の大きさと同等の大きさの容量性結合を得る等のように、キャパシタのキャパシタンスおよび個数を設定すればよい。
抵抗115は、容量結合に対する終端素子として機能する。なお、抵抗115は、他のインピーダンス終端素子によって置き換えることができる。
検波部12は、検波回路121と検波回路122とを備える。検波回路121は、インダクタ112に接続する。検波回路122は、キャパシタ113およびキャパシタ114に接続する。これにより、検波回路121には、第1検出信号が入力される。検波回路122には、第2検出信号が入力される。
検波回路121および検波回路122は、例えば、包絡線検波を行う回路である。検波回路121は、第1検出信号を検波して、第1検波信号を出力する。検波回路122は、第2検出信号を検波して、第2検波信号を出力する。
演算部13は、対数変換器131、対数変換器132、加減算器133、増幅器134、増幅器135を備える。対数変換器131および対数変換器132は、加減算器133の入力端に接続し、加減算器133の出力端は、増幅器134および増幅器135に接続する。
対数変換器131は、検波回路121に接続する。対数変換器131は、第1検波信号の振幅を対数変換して第1対数信号を生成する。対数変換器131は、第1対数信号を加減算器133に出力する。対数変換器132は、検波回路122に接続する。対数変換器132は、第2検波信号の振幅を対数変換して第2対数信号を生成する。対数変換器132は、第2対数信号を加減算器133に出力する。
加減算器133は、第2対数信号と第1対数信号とを減算する。本実施形態では、より具体的に、加減算器133は、第2対数信号から第1対数信号を減算する。なお、加減算器133は、第1対数信号から第2対数信号を減算してもよい。上述のように、第1対数信号の元となる第1検出信号は、RF信号の電圧振幅を反映し、第2対数信号の元となる第2検出信号は、RF信号の電流振幅を反映する。したがって、第2対数信号と第1対数信号とを減算して得られる信号は、RF信号に対する負荷インピーダンスを反映する。すなわち、第2対数信号と第1対数信号とを減算して得られる信号は、負荷インピーダンス検出信号Szである。
加減算器133は、負荷インピーダンス検出信号Szを、増幅器134に出力する。増幅器134は、負荷インピーダンス検出信号Szを、所定の増幅率で増幅して、出力する。なお、増幅器134は、省略可能である。
加減算器133は、第1対数信号と第2対数信号とを加算する。上述のように、第1対数信号の元となる第1検出信号は、RF信号の電圧振幅を反映し、第2対数信号の元となる第2検出信号は、RF信号の電流振幅を反映する。したがって、第2対数信号と第1対数信号とを加算して得られる信号は、RF信号の電力を反映する。すなわち、第2対数信号と第1対数信号とを加算して得られる信号は、電力検出信号Spである。
加減算器133は、電力検出信号Spを、増幅器135に出力する。増幅器135は、電力検出信号Spを、所定の増幅率で増幅して、出力する。なお、増幅器135は、省略可能である。
このように、負荷インピーダンス検出信号Szは、負荷インピーダンスを、精度良く反映する。したがって、負荷検出回路10は、負荷インピーダンスを、精度良く検出できる。同様に、電力検出信号Spは、RF信号の電力を、精度良く反映する。したがって、負荷検出回路10は、RF信号の出力電力を、精度良く検出できる。
また、例えば、負荷インピーダンスを検出するために、本発明の構成ではなく、方向性結合器を用いた場合、負荷インピーダンス検出信号を直接検出できない。したがって、方向性結合器を用いる場合には、方向性結合器から出力される電力検出信号をもとに、過負荷な状態となっているか否かを検出して、負荷インピーダンスを間接的に検出することしかできない。
一方、本発明に係る負荷検出回路によれば、電力検出信号と分離して、負荷インピーダンス検出信号を直接検出できる。したがって、方向性結合器を用いて負荷インピーダンスを検出する場合に比べて、負荷インピーダンスを精度良く検出できる。
また、負荷検出回路10は、対数変換器131と対数変換器132とを備える。これにより、負荷検出回路10は、除算等の回路構成やプログラム上で複雑な構成を用いなくても、回路構成やプログラム上の構成が簡単な減算によって、負荷インピーダンス検出信号Szを生成できる。また、対数変換器131と対数変換器132とを用いることで、負荷検出回路10は、より定量的、より精度良く、負荷インピーダンス検出信号Szを生成できる。
また、負荷検出回路10は、検波回路121および検波回路122を用いることで、負荷インピーダンス検出信号Szを生成するための信号を、より直流に近い信号に変換できる。また、負荷インピーダンス検出信号Szを生成するための信号のノイズを抑制できる。これより、負荷検出回路10は、より安定して、より精度良く、負荷インピーダンス検出信号Szを生成できる。
なお、上述の負荷検出回路10は、負荷インピーダンス検出信号Szとともに、電力検出信号Spも生成する。しかしながら、負荷インピーダンス検出信号Szのみを生成するのであれば、負荷検出回路10は、加減算器133に代えて、減算器を備えていてもよい。ただし、電力検出信号Spを生成することによって、後述の制御部は、より適正に、各種の制御を実行できる。
このような構成の負荷検出回路10は、例えば、次に示す増幅回路に用いられる。
(増幅回路)
図2は、第1の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図2に示すように、増幅回路1は、負荷検出回路10、RF増幅器20、出力整合回路30、および、制御回路40を備える。負荷検出回路10、RF増幅器20、および、出力整合回路30は、上述の説明の通りであり、具体的な説明は省略する。
図2は、第1の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図2に示すように、増幅回路1は、負荷検出回路10、RF増幅器20、出力整合回路30、および、制御回路40を備える。負荷検出回路10、RF増幅器20、および、出力整合回路30は、上述の説明の通りであり、具体的な説明は省略する。
制御回路40は、IC、マイコン等によって実現される。制御回路40は、負荷検出回路10および出力整合回路30に接続する。制御回路40には、負荷検出回路10から、負荷インピーダンス検出信号Szおよび電力検出信号Spが入力される。なお、制御回路40には、負荷インピーダンス検出信号Szが少なくとも入力されていればよい。
制御回路40は、負荷インピーダンス検出信号Szを用いて、出力整合回路30のインピーダンスを制御する。例えば、制御回路40は、所定のサンプリング間隔で負荷インピーダンス検出信号Szを取得し、負荷インピーダンスの変動を検出する。制御回路40は、負荷インピーダンスの変動に応じて、出力整合回路30のインピーダンスを調整する。これにより、増幅回路1は、負荷インピーダンスの変動を、精度良く補償できる。
これにより、RF増幅器20と負荷ZLDとのインピーダンス整合を安定化させ、例えば、増幅器の特性劣化を抑制できる。なお、ここで、増幅器の特性とは、例えば、歪み特性、EVM(Error Vector Magnitude)、効率、飽和パワー等である。
また、この構成では、出力整合回路30でインピーダンスの調整を行うので、増幅回路1は、負荷インピーダンスを直接的に補償できる。
(第2の実施形態)
図3は、第2の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図3に示すように、第2の実施形態に係る増幅回路1Aは、制御回路40が制御を行う対象において、第1の実施形態に係る増幅回路1と異なる。増幅回路1Aのその他の構成は、増幅回路1と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
図3は、第2の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図3に示すように、第2の実施形態に係る増幅回路1Aは、制御回路40が制御を行う対象において、第1の実施形態に係る増幅回路1と異なる。増幅回路1Aのその他の構成は、増幅回路1と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
増幅回路1Aは、バイアス回路51および駆動電圧回路52を備える。図3に示すように、RF増幅器20は、例えば、FET201、入力コンデンサ202、バイアス用抵抗203、および、コイル204を備える。FET201のソースは、接地されている。FET201のゲートは、入力コンデンサ202を介して、RF信号の入力端に接続する。FET201のゲートは、バイアス用抵抗203を介して、バイアス回路51に接続する。FET201のドレインは、コイル204を介して、駆動電圧回路52に接続する。また、FET201のドレインは、RF増幅器20の出力端に接続する。
バイアス回路51は、バイアス電圧を生成し、バイアス用抵抗203を通して、FET201のゲートに供給する。駆動電圧回路52は、駆動電圧を生成し、コイル204を通して、FET201のドレインに供給する。
制御回路40は、負荷インピーダンス検出信号Szを用いて、バイアス回路51を制御する。言い換えれば、制御回路40は、負荷インピーダンス検出信号Szを用いて、RF増幅器20に対するバイアス電圧を調整する。増幅回路1Aは、バイアス電圧を調整することによって、RF増幅器20の特性を調整でき、負荷インピーダンスを、間接的に調整できる。すなわち、増幅回路1Aは、負荷インピーダンスを、間接的に補償できる。
(第3の実施形態)
図4は、第3の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図4に示すように、第32の実施形態に係る増幅回路1Bは、制御回路40が制御を行う対象において、第2の実施形態に係る増幅回路1Aと異なる。増幅回路1Bのその他の構成は、増幅回路1Aと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
図4は、第3の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図4に示すように、第32の実施形態に係る増幅回路1Bは、制御回路40が制御を行う対象において、第2の実施形態に係る増幅回路1Aと異なる。増幅回路1Bのその他の構成は、増幅回路1Aと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
制御回路40は、負荷インピーダンス検出信号Szを用いて、駆動電圧回路52を制御する。言い換えれば、制御回路40は、負荷インピーダンス検出信号Szを用いて、RF増幅器20に対する駆動電圧を調整する。増幅回路1Bは、駆動電圧を調整することによって、RF増幅器20の特性を調整でき、負荷インピーダンスを、間接的に調整できる。すなわち、増幅回路1Bは、負荷インピーダンスを、間接的に補償できる。
(第4の実施形態)
図5は、第4の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図5に示すように、第4の実施形態に係る増幅回路1Cは、副RF増幅器20Sを有する点、副RF増幅器20Sを有することによる回路の変更点、および、制御回路40が制御を行う対象において、第1の実施形態に係る増幅回路1と異なる。増幅回路1Cのその他の構成は、増幅回路1と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
図5は、第4の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図5に示すように、第4の実施形態に係る増幅回路1Cは、副RF増幅器20Sを有する点、副RF増幅器20Sを有することによる回路の変更点、および、制御回路40が制御を行う対象において、第1の実施形態に係る増幅回路1と異なる。増幅回路1Cのその他の構成は、増幅回路1と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
増幅回路1Cは、副RF増幅器20S、バイアス回路51S、および、入力整合回路60を備える。
入力整合回路60は、RF増幅器20の入力端と、増幅回路1CのRF信号の入力端との間に接続する。
副RF増幅器20Sの入力端は、入力整合回路60に接続し、副RF増幅器20Sの出力端は、出力整合回路30に接続する。言い換えれば、副RF増幅器20Sは、RF増幅器20に対して並列に接続される。
バイアス回路51Sは、副RF増幅器20Sにバイアス電圧を供給する。
制御回路40は、負荷インピーダンス検出信号Szを用いて、バイアス回路51Sを制御する。言い換えれば、制御回路40は、負荷インピーダンス検出信号Szを用いて、副RF増幅器20Sに対するバイアス電圧を調整する。増幅回路1Cは、副RF増幅器20Sのバイアス電圧を調整することによって、副RF増幅器20Sの特性を調整でき、負荷インピーダンスを、間接的に調整できる。すなわち、増幅回路1Cは、負荷インピーダンスを、間接的に補償できる。
さらに、この構成では、主たる増幅器であるRF増幅器20のバイアス電圧や駆動電圧を変更しなくてもよい。
なお、本実施形態では、副RF増幅器20Sのバイアス電圧を調整する態様を示したが、駆動電圧を調整することもできる。
(第5の実施形態)
図6は、第5の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図6に示すように、第5の実施形態に係る増幅回路1Dは、制御回路40が制御を行う対象において、第4の実施形態に係る増幅回路1Cと異なる。増幅回路1Dのその他の構成は、増幅回路1Cと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
図6は、第5の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図6に示すように、第5の実施形態に係る増幅回路1Dは、制御回路40が制御を行う対象において、第4の実施形態に係る増幅回路1Cと異なる。増幅回路1Dのその他の構成は、増幅回路1Cと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
制御回路40は、負荷インピーダンス検出信号Szを用いて、出力整合回路30のインピーダンス、および、入力整合回路60のインピーダンスの少なくとも一方を制御する。このような構成および処理でも、増幅回路1Dは、負荷インピーダンスを調整、補償できる。なお、増幅回路1Dにおいて、入力整合回路60は、必ずしも副RF増幅器20Sとともに備わっていなくてもよく、入力整合回路60のみが備わっていてもよい。
(第6の実施形態)
図7は、第6の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図7に示すように、第6の実施形態に係る増幅回路1Eは、第1の実施形態に係る増幅回路1に対して、出力整合回路30と負荷検出回路10との接続順が逆である点で異なる。増幅回路1Eの他の構成は、増幅回路1と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
図7は、第6の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図7に示すように、第6の実施形態に係る増幅回路1Eは、第1の実施形態に係る増幅回路1に対して、出力整合回路30と負荷検出回路10との接続順が逆である点で異なる。増幅回路1Eの他の構成は、増幅回路1と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
増幅回路1Eでは、RF増幅器20の出力端に、出力整合回路30が接続し、出力整合回路30は、負荷検出回路10を介して、負荷ZLDに接続する。
このような構成であっても、増幅回路1Eは、負荷インピーダンスを調整、補償できる。さらに、この構成では、負荷検出回路10が接続される部分は、RF増幅器20の出力端と比較してインピーダンスが高い。これにより、負荷検出回路10での損失を小さくし易い。
(第7の実施形態)
図8は、第7の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図8に示すように、第7の実施形態に係る増幅回路1Fは、第6の実施形態に係る増幅回路1Eに対して、制御回路40が制御を行う対象において異なる。増幅回路1Fの他の構成は、増幅回路1Eと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
図8は、第7の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図8に示すように、第7の実施形態に係る増幅回路1Fは、第6の実施形態に係る増幅回路1Eに対して、制御回路40が制御を行う対象において異なる。増幅回路1Fの他の構成は、増幅回路1Eと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
増幅回路1Fでは、制御回路40は、負荷インピーダンス検出信号Szを用いて、RF増幅器20に対するバイアス回路51を制御する。このような構成であっても、増幅回路1Fは、負荷インピーダンスを調整、補償できる。
(第8の実施形態)
図9は、第8の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図9に示すように、第8の実施形態に係る増幅回路1Gは、第6の実施形態に係る増幅回路1Eに対して、複数のRF信号の増幅系統を有する点で異なる。増幅回路1Gのその他の構成は、増幅回路1Eと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
図9は、第8の実施形態に係る増幅回路の等価回路図である。図9に示すように、第8の実施形態に係る増幅回路1Gは、第6の実施形態に係る増幅回路1Eに対して、複数のRF信号の増幅系統を有する点で異なる。増幅回路1Gのその他の構成は、増幅回路1Eと同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
増幅回路1Gは、負荷検出回路10、制御回路40、複数のRF増幅器(RF増幅器21、RF増幅器22、RF増幅器23)、複数の出力整合回路(出力整合回路31、出力整合回路32、出力整合回路33)、複数の入力整合回路(入力整合回路61、入力整合回路62、入力整合回路63)、スイッチ回路71、および、スイッチ回路72を備える。
増幅回路1GのRF信号の入力端は、スイッチ回路71に接続する。スイッチ回路71は、入力整合回路61、入力整合回路62、および、入力整合回路63に接続する。スイッチ回路71は、入力整合回路61、入力整合回路62、および、入力整合回路63のいずれかを選択して、RF信号の入力端に接続する。
入力整合回路61は、RF増幅器21の入力端に接続し、RF増幅器21の出力端は、出力整合回路31に接続する。入力整合回路62は、RF増幅器22の入力端に接続し、RF増幅器22の出力端は、出力整合回路32に接続する。入力整合回路63は、RF増幅器23の入力端に接続し、RF増幅器23の出力端は、出力整合回路33に接続する。
出力整合回路31、出力整合回路32、および、出力整合回路33は、スイッチ回路72に接続する。スイッチ回路72は、負荷検出回路10に接続する。スイッチ回路72は、出力整合回路31、出力整合回路32、および、出力整合回路33のいずれかを選択して、負荷検出回路10に接続する。
スイッチ回路71の接続切り替えとスイッチ回路72の接続切り替えとは、同期している。すなわち、スイッチ回路71が入力整合回路61を選択するとき、スイッチ回路72は、出力整合回路31を選択する。同様に、スイッチ回路71が入力整合回路62を選択するとき、スイッチ回路72は、出力整合回路32を選択し、スイッチ回路71が入力整合回路63を選択するとき、スイッチ回路72は、出力整合回路33を選択する。
制御回路40は、出力整合回路31、出力整合回路32、出力整合回路33のインピーダンスを制御する。より具体的には、入力整合回路61、RF増幅器21、および、出力整合回路31が選択されて、第1のRF信号が増幅されるとき、制御回路40は、出力整合回路31のインピーダンスを制御する。同様に、入力整合回路62、RF増幅器22、および、出力整合回路32が選択されて、第2のRF信号が増幅されるとき、制御回路40は、出力整合回路32のインピーダンスを制御する。入力整合回路63、RF増幅器23、および、出力整合回路33が選択されて、第3のRF信号が増幅されるとき、制御回路40は、出力整合回路33のインピーダンスを制御する。
この構成により、増幅回路1Gは、複数種類のRF信号を増幅でき、各RF信号に対して、負荷インピーダンスを補償できる。例えば、増幅回路1Gは、1つのRF増幅器で対応できない周波数帯域に複数のRF信号が設定されていても、RF信号毎にRF増幅器を切り替え、それぞれのRF増幅器に対する負荷インピーダンスを補償できる。また、この構成では、RF増幅器毎に負荷検出回路10を備えなくてもよく、増幅回路1Gの回路構成を簡素化できる。
なお、上述の各実施形態における制御回路40による制御対象は、組合せが可能である。例えば、制御回路40は、バイアス回路と駆動電圧回路とを制御することも可能である。また、例えば、制御回路40は、バイアス回路と出力整合回路30とを制御することも可能である。
また、上述の各実施形態の構成は、適宜組み合わせることが可能であり、それぞれの組合せに応じた作用効果を奏することができる。
1、1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G:増幅回路
10:負荷検出回路
11:検出部
12:検波部
13:演算部
20、21、22、23:RF増幅器
20S:副RF増幅器
30、31、32、33:出力整合回路
40:制御回路
51、51S:バイアス回路
52:駆動電圧回路
60、61、62、63:入力整合回路
71、72:スイッチ回路
101:信号伝送線路
111、112:インダクタ
113、114:キャパシタ
115:抵抗
121、122:検波回路
131、132:対数変換器
133:加減算器
134、135:増幅器
201:FET
202:入力コンデンサ
203:バイアス用抵抗
204:コイル
ZLD:負荷
10:負荷検出回路
11:検出部
12:検波部
13:演算部
20、21、22、23:RF増幅器
20S:副RF増幅器
30、31、32、33:出力整合回路
40:制御回路
51、51S:バイアス回路
52:駆動電圧回路
60、61、62、63:入力整合回路
71、72:スイッチ回路
101:信号伝送線路
111、112:インダクタ
113、114:キャパシタ
115:抵抗
121、122:検波回路
131、132:対数変換器
133:加減算器
134、135:増幅器
201:FET
202:入力コンデンサ
203:バイアス用抵抗
204:コイル
ZLD:負荷
Claims (12)
- RF増幅器の出力端と負荷との間を接続する信号伝送線路に対して容量性結合して、第1信号を出力する第1検出部と、
前記信号伝送線路に対して誘導性結合して第2信号を出力する第2検出部と、
を備える、負荷検出回路。 - 前記第1信号と前記第2信号とを減算して負荷インピーダンス検出信号を生成する演算部を備える、
請求項1に記載の負荷検出回路。 - 前記演算部は、
前記第1信号と前記第2信号とを加算して電力検出信号を生成する、
請求項2に記載の負荷検出回路。 - 前記演算部は、
前記第1信号および前記第2信号を対数変換する対数変換器を備える、
請求項2または請求項3に記載の負荷検出回路。 - 前記演算部への入力前の前記第1信号および前記第2信号を検波する検波回路を備える、
請求項2乃至請求項4のいずれかに記載の負荷検出回路。 - 請求項2乃至請求項4のいずれかに記載の負荷検出回路と、
前記RF増幅器と、
出力整合回路と、
前記負荷インピーダンス検出信号が入力される制御回路と、を備え、
前記制御回路は、前記負荷インピーダンス検出信号を用いて、前記出力整合回路のインピーダンスを制御する、
増幅回路。 - 前記RF増幅器の入力端に接続された入力整合回路を備え、
前記制御回路は、前記負荷インピーダンス検出信号を用いて、前記入力整合回路のインピーダンスを制御する、
請求項6に記載の増幅回路。 - 前記RF増幅器に並列に接続される副RF増幅器を備え、
前記入力整合回路は、前記副RF増幅器の入力端にも接続され、
前記制御回路は、前記負荷インピーダンス検出信号を用いて、前記入力整合回路のインピーダンスを制御する、
請求項7に記載の増幅回路。 - 請求項2乃至請求項4のいずれかに記載の負荷検出回路と、
前記RF増幅器と、
出力整合回路と、
前記負荷インピーダンス検出信号が入力される制御回路と、を備え、
前記制御回路は、前記負荷インピーダンス検出信号を用いて、前記RF増幅器の駆動条件を制御する、
増幅回路。 - 前記制御回路は、前記駆動条件として、前記RF増幅器のバイアス電圧を制御する、
請求項9に記載の増幅回路。 - 前記制御回路は、前記駆動条件として、前記RF増幅器の駆動電圧を制御する、
請求項9または請求項10に記載の増幅回路。 - 前記RF増幅器に並列に接続される副RF増幅器を備え、
前記制御回路は、前記負荷インピーダンス検出信号を用いて、前記副RF増幅器の駆動条件を制御する、
請求項9乃至請求項11のいずれかに記載の増幅回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020080300A JP2021175147A (ja) | 2020-04-30 | 2020-04-30 | 負荷検出回路、および、増幅回路 |
KR1020210040876A KR102623717B1 (ko) | 2020-04-30 | 2021-03-30 | 부하 검출 회로 및 증폭 회로 |
CN202110433039.2A CN113589039A (zh) | 2020-04-30 | 2021-04-21 | 负载检测电路及放大电路 |
US17/242,474 US20210344307A1 (en) | 2020-04-30 | 2021-04-28 | Load detection circuit and amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020080300A JP2021175147A (ja) | 2020-04-30 | 2020-04-30 | 負荷検出回路、および、増幅回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021175147A true JP2021175147A (ja) | 2021-11-01 |
Family
ID=78243014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020080300A Pending JP2021175147A (ja) | 2020-04-30 | 2020-04-30 | 負荷検出回路、および、増幅回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210344307A1 (ja) |
JP (1) | JP2021175147A (ja) |
KR (1) | KR102623717B1 (ja) |
CN (1) | CN113589039A (ja) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5266926A (en) * | 1991-05-31 | 1993-11-30 | Avid Marketing, Inc. | Signal transmission and tag power consumption measurement circuit for an inductive reader |
US6756849B2 (en) * | 2000-09-12 | 2004-06-29 | Dupuis Timothy J. | Absolute power detector |
US6977562B2 (en) | 2002-09-19 | 2005-12-20 | Agilent Technologies, Inc. | Self-tuned matching network for high efficient power amplifiers |
FI114057B (fi) * | 2002-10-18 | 2004-07-30 | Nokia Corp | Menetelmä ja järjestely kuorman epäsovituksen havaitsemiseksi, sekä sellaista käyttävä radiolaite |
KR20050024515A (ko) * | 2003-09-01 | 2005-03-10 | 주식회사 에이. 에스. 이 | 고주파 대전력 신호 측정용 센서 |
WO2006070809A1 (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-06 | Daihen Corporation | 高周波電源装置 |
JP2007096585A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅用電子部品 |
JP4960764B2 (ja) * | 2007-05-21 | 2012-06-27 | ティーオーエー株式会社 | 増幅器 |
KR101065180B1 (ko) * | 2008-08-18 | 2011-09-19 | 숭실대학교산학협력단 | 디지털 록인 앰프를 이용한 대용량 전기화학기기의 임피던스 측정 방법 및 측정 장치 |
US8779868B2 (en) * | 2011-03-10 | 2014-07-15 | Harris Corporation | Mobile wireless communications device with adjustable impedance matching network and associated methods |
US20140112414A1 (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Mediatek Singapore Pte. Ltd. | Power amplifier and the related power amplifying method |
US9276552B2 (en) * | 2013-09-26 | 2016-03-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Output match directional coupler |
-
2020
- 2020-04-30 JP JP2020080300A patent/JP2021175147A/ja active Pending
-
2021
- 2021-03-30 KR KR1020210040876A patent/KR102623717B1/ko active IP Right Grant
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- 2021-04-28 US US17/242,474 patent/US20210344307A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210344307A1 (en) | 2021-11-04 |
KR20210134219A (ko) | 2021-11-09 |
KR102623717B1 (ko) | 2024-01-11 |
CN113589039A (zh) | 2021-11-02 |
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