JP2021169102A - レーザリフトオフ装置及びレーザリフトオフ方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な装置構成で複数のＬＥＤチップに対するレーザ光の照射精度を向上する。【解決手段】サファイア基板９の第１面９ａに複数のＬＥＤチップ１０を設けた加工対象物６を載置して保持するステージ１と、ステージ１に対向配置、複数のＬＥＤチップ１０に対応して複数の開口１２を形成し、サファイア基板９の第１面９ａとは反対側の第２面９ｂに近接対向配置され又は密着される遮光マスク２と、レーザヘッド１３から放出されるレーザ光Ｌの横断面内のエネルギー分布を均一化して遮光マスク２に照射するレーザ照射装置３と、レーザヘッド１３のパルス発振を制御する制御装置５と、を備えたものである。【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＥＤチップのレーザリフトオフ装置に関し、特に、簡単な装置構成で複数のＬＥＤチップに対するレーザ光の照射精度を向上し得るレーザリフトオフ装置及びレーザリフトオフ方法に係るものである。

従来のレーザリフトオフ装置は、レーザ光を所定の形状に成形するためのレーザ光学系をシリンドリカルレンズと、レーザ光をワークの方向へ反射するミラーと、レーザ光を透過させる開口を有するマスクと、マスクを通過したレーザ光の像をワーク上に投影する投影レンズとを備えて構成し、レーザ源から発したレーザ光を分割し互いに離隔した複数の照射領域を形成することにより、照射面積を小さくして材料層を基板から剥離させるときに材料層に加わるダメージを低減するものとなっている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１２−８１４７８号公報

しかし、このような従来のレーザリフトオフ装置においては、一般に、図９に示すように対向配置された第１のフライアイレンズ１８及び第２のフライアイレンズ１９とコンデンサレンズ１７とを備えて構成された均一光学系１４を通してエネルギー分布が均一化される共に、マスク（遮光マスク２）を通過したレーザ光の像を縮小投影レンズ２６によりワーク（加工対象物６）上に投影するものであったので、マスクを通過したレーザ光の投影像を材料層上に該材料層の形状に合わせて精度よく形成するためには、ＮＡの大きい縮小投影レンズ２６が必要であった。このような要求に対しては、径の大きい縮小投影レンズ２６を使用するのが望ましい。又は、レンズの構成枚数が多い縮小投影レンズ２６を設計することも考えられる。しかしながら、何れにしても縮小投影レンズ２６のコストが高くなるという問題があった。また、図９に示す従来のレーザ照射装置の照明光学系は、マスク上の複数の開口が形成された一領域を照明するものである。この場合、開口が占める領域の面積が照明領域の面積に比して小さいため、光利用効率が低いという問題がある。

そこで、本発明は、このような問題に対処し、簡単な装置構成で複数のＬＥＤチップに対するレーザ光の照射精度を向上し得るレーザリフトオフ装置及びレーザリフトオフ方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明によるレーザリフトオフ装置は、サファイア基板の第１面に複数のＬＥＤチップを設けた加工対象物を載置して保持するステージと、前記ステージに対向配置され、前記複数のＬＥＤチップに対応して複数の開口を形成し、前記サファイア基板の前記第１面とは反対側の第２面に近接対向配置又は密着される遮光マスクと、レーザヘッドから放出されるレーザ光の横断面内のエネルギー分布を均一化して前記遮光マスクに照射するレーザ照射装置と、前記レーザヘッドのパルス発振を制御する制御装置と、を備えたものである。

また、本発明によるレーザリフトオフ方法は、サファイア基板の第１面に複数のＬＥＤチップを設けた加工対象物をステージに載置して保持する段階と、前記サファイア基板の前記第１面とは反対側の第２面に前記複数のＬＥＤチップに対応して複数の開口を形成した遮光マスクを近接対向配置又は密着させる段階と、前記遮光マスクを介して横断面内のエネルギー分布が均一なレーザ光を前記加工対象物に照射し、前記遮光マスクの複数の開口を通過した前記レーザ光により前記ＬＥＤチップを前記サファイア基板からリフトオフする段階と、を含むものである。

本発明によれば、遮光マスクを加工対象物に近接又は密着させて使用するものであるため、高価な縮小投影レンズは必要とされない。また遮光マスクの開口は、例えばフォトリソグラフィ技術を使用して加工対象物のＬＥＤチップの端面形状に合わせて高精度に形成することがきる。したがって、簡単な装置構成で複数のＬＥＤチップに対するレーザ光の照射精度を向上することができ、レーザリフトオフ時にＬＥＤチップの割れや欠け等の不良が発生するのを抑制することができる。

本発明によるレーザリフトオフ装置の一実施形態の概略構成を示すブロック図である。 加工対象物を説明する図であり、（ａ）は透視図、（ｂ）はＡ−Ａ線断面矢視図である。 遮光マスクを説明する図であり、（ａ）は遮光マスクの平面図、（ｂ）は遮光マスクに対応するレーザ加工領域のＬＥＤチップを示す平面図である。 本発明によるレーザリフトオフを示す説明図である。 一般的な均一光学系の構成例を示す説明図である。 図５の均一光学系の変形例であり、分割照明光学系の構成例を示す説明図である。 図６の分割照明光学系を使用したレーザ照射を示す説明図である。 図６の分割照明光学系の効果を説明する図であり、（ａ）は遮光マスクに照射されるレーザ光を示し、（ｂ）はレーザ加工されるＬＥＤチップを示す。 従来技術のレーザリフトオフ装置のレーザ照射装置を示す説明図である。

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明によるレーザリフトオフ装置の一実施形態の概略構成を示すブロック図である。このレーザリフトオフ装置は、例えばマイクロＬＥＤチップ（以下、単に「ＬＥＤチップ」という）のレーザリフトオフに使用するもので、ステージ１と、遮光マスク２と、レーザ照射装置３と、アライメントカメラ４と、制御装置５と、を備えて構成されている。

上記ステージ１は、加工対象物６を載置して保持するもので、レーザ照射装置３の光軸に直交する面内をＸＹ方向に移動すると共に、上記光軸に平行にＺ方向に昇降し、載置面に垂直な中心軸回りに回動するＸＹＺθテーブル７と、ＸＹＺθテーブル７に重ねて設けられ、上記加工対象物６を吸着保持するための吸着テーブル８とを備えて構成されている。

上記加工対象物６は、図２に示すように、サファイア基板９と、サファイア基板９の第１面９ａに設けられた複数のＬＥＤチップ１０と、複数のＬＥＤチップ１０に接着された転写用フィルム１１又は配線基板とを含むもので、転写用フィルム１１又は配線基板が上記ステージ１の吸着テーブル８に吸着保持されるようになっている。

上記ステージ１の載置面に対向して遮光マスク２が配置されている。この遮光マスク２は、図３に示すように、複数のＬＥＤチップ１０に対応して複数の開口１２を形成しており、サファイア基板９の上記第１面９ａとは反対側の第２面９ｂに近接対向配置又は密着して使用されるもので、例えば石英基板のような透明基板の一面に設けられたクロム等の不透明な金属薄膜に、例えばフォトリソグラフィ技術を使用して複数の開口１２を形成したものである。又は、薄い金属板に複数の開口１２を形成したものであってもよい。そして、図４に示すようにレーザ光Ｌを複数の開口１２で複数に分離し、分離された複数のレーザ光Ｌを対応するＬＥＤチップ１０に照射させるようになっている。

なお、図３においては、一例として、図３（ａ）に示すように遮光マスク２の複数の開口１２が図３（ｂ）に示すようにサファイア基板９の複数のＬＥＤチップ１０のうち、２列置きのＬＥＤチップ列のＬＥＤチップ１０に対応して形成されている場合を示している。しかし、これに限定されるものではなく、開口１２は、必要に応じて適宜の位置に設けるとよい。

遮光マスク２の開口１２は、ＬＥＤチップ１０の光取出し側の端面と同じ形状寸法に形成されている。これにより、開口１２を通過したレーザ光Ｌは、ＬＥＤチップ１０の上記端面から許容範囲を超えてはみ出すことなく上記端面を精度よく照射する。その結果、レーザリフトオフ時のＬＥＤチップ１０の割れや欠けを防止してＬＥＤチップ１０のレーザリフトオフが可能となる。

上記遮光マスク２は、ステージ１の載置面に対向配置された図示省略のマスクステージに吸着保持される。詳細には、上記マスクステージは、遮光マスク２の複数の開口１２を内包する大きさの厚み方向に貫通する開口部を有しており、上記ステージ１側の面に遮光マスク２の外形に合わせて凹部を形成している。又は、ステージ１側の面に遮光マスク２の縁部の位置を規制する位置決めピンを設けてもよい。そして、マスクステージには、遮光マスク２の周縁近傍領域を吸着して保持することができるように複数の吸引口が設けられている。

上記ステージ１の上方には、レーザ照射装置３が設けられている。このレーザ照射装置３は、レーザヘッドから放出されるレーザ光Ｌの横断面内のエネルギー分布を均一化して遮光マスク２に照射するもので、レーザヘッド１３と、均一光学系１４とを含んで構成されている。

ここで、レーザヘッド１３は、紫外光を放出する紫外線レーザである。好ましくは、例えば波長が２００ｎｍ〜３００ｎｍである深紫外（Deep Ultraviolet: DUV）のレーザ光Ｌを放出する例えばエキシマレーザやＹＡＧ第４高調波等であるとよい。また、均一光学系１４は、ビーム径を拡張するビームエキスパンダ１５と、径が拡張されたレーザ光Ｌの横断面内のエネルギー分布を均一化する例えばフライアイレンズ等から成るホモジナイザ１６と、ホモジナイザ１６を射出したレーザ光Ｌを遮光マスク２上に集光するコンデンサレンズ１７とを含んで構成されている。

図５は一般的な均一光学系１４の構成例を示す説明図である。図５に示すように、通常の均一光学系１４は、同一平面内に複数のレンズエレメントを配置した第１のフライアイレンズ１８と、該第１のフライアイレンズ１８の各レンズエレメントに対応させて複数のレンズエレメントを配置した第２のフライアイレンズ１９とを対向配置したもので、第１のフライアイレンズ１８の焦点が第２のフライアイレンズ１９の主面に位置するようにされている。これにより、フライアイレンズの各レンズエレメントの入射側の端面像（第１のフライアイレンズ１８の各レンズエレメントの入射側の端面像）が後段のコンデンサレンズ１７により同軸上に重ね合わされて遮光マスク２上に結像され、各レンズエレメントを通過したレーザ光Ｌのエネルギー分布が平均化されて均一化される。

一方、図６に示す均一光学系１４は、図５に示す均一光学系１４の変形例であり、ホモジナイザ１６としての分割照明光学系２０の構成例を示す説明図である。この分割照明光学系２０は、径が拡張されたレーザ光Ｌを複数に分割すると同時に均一化し、分割された複数のレーザ光Ｌを遮光マスク２の複数領域に照射させるようにしたもので、図５の第１のフライアイレンズ１８に替えて各レンズエレメントが縦横に複数に分割（図６においては、一例として縦方向に２つに分割した場合を示す。）された第３のフライアイレンズ２１を使用すると共に、第３のフライアイレンズ２１は、第１のフライアイレンズ１８を配置した位置よりも光源側にシフトした状態で配置されている。この場合、図６に示す「光線が分割された面」は、図５における第１のフライアイレンズ１８の入射側の面に一致し、遮光マスク２と共役の面となっている。したがって、「光線が分割された面」上での光束の断面形状が遮光マスク２上に結像する。

具体的には、図６において、上側の分割レンズエレメントを通過したレーザ光Ｌが遮光マスク２上の同図において下側に集光し、下側の分割レンズエレメントを通過したレーザ光Ｌが遮光マスク２上の同図において上側に集光する。このように、分割照明光学系２０においては、２つに分割されたストライプ状のレーザ光Ｌを夫々、遮光マスク２の２つの領域に独立して照射させることができる。

図７においては、第３のフライアイレンズ２１の分割レンズエレメントは、横方向（Ｘ方向に対応）に４つに分割されているから、遮光マスク２上には、４つに分割されたストライプ状のレーザ光Ｌが照射する。したがって、図８（ａ）に示すように、遮光マスク２に例えば４列の開口１２が設けられているときには、各列の開口１２にストライプ状のレーザ光Ｌを独立して照射させることができ、遮光マスク２の全面にレーザ光Ｌを照射させる場合に比して光利用効率を向上することができる。図８（ｂ）は、図８（ａ）の遮光マスク２の各開口１２に対応したサファイア基板９上のレーザ加工領域を示しており、網掛けの領域がレーザリフトオフされるＬＥＤチップ１０を示している。

なお、上記分割照明光学系２０は、分割された複数のレーザ光Ｌが夫々、遮光マスク２の隣接する複数の開口１２又は隣接する複数列の開口１２を照射するように設計されてもよい。又は、遮光マスク２に形成された複数の開口１２のうち、いずれかの開口１２を選択的にレーザ照射できるように設計することもでき、光量ロスを減らすことができる。

遮光マスク２の上方には、アライメントカメラ４が設けられている。このアライメントカメラ４は、遮光マスク２のアライメントマークと加工対象物６に設けられたアライメントマークとを同時に撮影して、両アライメントマークが所定の関係となるように位置合わせするもので、例えばＣＣＤカメラやＣＭＯＳカメラ等である。アライメントカメラ４を使用したアライメントの実施により、加工対象物６の複数のＬＥＤチップ１０を遮光マスク２の複数の開口１２に位置精度よく合致させることができる。

上記ステージ１と、レーザ照射装置３のレーザヘッド１３と、アライメントカメラ４とに電気的に接続して制御装置５が設けられている。この制御装置５は、レーザヘッド１３のパルス発振を制御すると共に、ステージ１のＸＹ方向への移動及びＺ方向への昇降並びにθ回動を制御して遮光マスク２と加工対象物６とのアライメントを実施させるものであり、ステージ制御部２２と、レーザ電源・制御部２３と、中央制御部２４と、を備えて構成されている。

上記ステージ制御部２２は、ステージ１の駆動部及び各種センサに電気的に接続して設けられている。このステージ制御部２２は、ステージ１の移動を制御すると共に、ステージ１の移動に同期してレーザ発振させる制御パルスとしてのレーザ同期パルスを生成するものであり、例えばモータコントローラと、モータドライバと、分周回路と、を備えて構成されている。

ここで、モータコントローラは、後述の中央制御部２４からの指示に基づいて、ステージ１の移動方向や移動速度等を設定及び制御するためのモータ制御パルスを生成するものである。

また、モータドライバは、上記モータ制御パルスに基づいてステージ１をＸＹ方向へ移動させると共に回動させるモータ（Ｘ，Ｙ，θ軸用を含む）を駆動するものである。具体的には、モータドライバは、ステージ１に備える、例えばエンコーダ等の移動量検出センサから出力する一定周期のパルスから成るスケール信号（エンコーダ信号）を入力してステージ１の移動を制御するようになっている。

さらに、分周回路は、後述のレーザ電源・制御部２３を通してレーザヘッド１３のパルス発振を制御するレーザ同期パルスをステージ１がＸ方向に予め定められた距離移動する毎に生成するものであり、ステージ１のＸ方向への移動に伴って生じるスケール信号（エンコーダ信号）を分周して上記レーザ同期パルスを生成するようになっている。例えば、遮光マスク２を通して照射されるサファイア基板９上のレーザ加工領域がＸ方向にピッチＰで設定されている場合には、ステージ１がＸ方向に距離Ｐだけ進む毎に上記レーザ同期パルスが生成されるようになっている。

上記レーザ電源・制御部２３は、ステージ制御部２２に電気的に接続して設けられている。このレーザ電源・制御部２３は、レーザヘッド１３への電源供給及びレーザヘッド１３のパルス発振を制御するものであり、ステージ制御部２２から入力するレーザ同期パルスをトリガとしてレーザヘッド１３をパルス発振させ、レーザヘッド１３から１パルスのレーザ光Ｌ又は高周波発振するレーザ光Ｌを放出させるようになっている。

上記中央制御部２４は、アライメントカメラ４、ステージ制御部２２及びレーザ電源・制御部２３に電気的に接続して設けられている。この中央制御部２４は、レーザリフトオフ装置全体を統合して制御するものであり、パーソナルコンピュータである。

なお、図１において符号２５は、レーザ光Ｌの光路を遮光マスク２に向けて折り曲げる平面反射ミラーである。

次に、このように構成されたレーザリフトオフ装置を使用して行うレーザリフトオフ方法について説明する。
先ず、サファイア基板９の第１面９ａに設けられた複数のＬＥＤチップ１０を転写用フィルム１１又は配線基板に接着した加工対象物６が準備される。そして、この加工対象物６は、レーザ照射装置３の光軸に直交するＸＹ平面に平行なステージ１の載置面に転写用フィルム１１又は配線基板が吸着されて保持される。

一方、サファイア基板９に形成された複数のＬＥＤチップ１０に対応して複数の開口１２を形成した遮光マスク２が準備される。そして、この遮光マスク２は、ステージ１に対向配置され、遮光マスク２の複数の開口１２を内包する開口部を有するマスクステージに取り付けられる。具体的には、遮光マスク２は、例えばマスクステージのステージ１側の面に遮光マスク２の外形に合わせて形成された凹部に収められ、遮光マスク２の周縁近傍領域が吸着されてマスクステージに保持される。又は、遮光マスク２は、マスクステージのステージ１側の面に設けられた遮光マスク２の縁部の位置を規制する位置決めピンにより位置決めされてマスクステージに吸着保持されてもよい。

加工対象物６及び遮光マスク２がレーザ照射装置３に設置されると、ステージ１がステージ制御部２２によって制御されてＸＹ平面に平行な面内を移動され、加工対象物６の第１のレーザ加工領域が遮光マスク２の真下に位置付けられる。

次に、サファイア基板９の複数のＬＥＤチップ１０を形成した第１面９ａとは反対側の第２面９ｂが遮光マスク２に近接対向する位置まで、ステージ１がステージ制御部２２によって制御されてＺ方向に上昇する。

次いで、アライメントカメラ４により、遮光マスク２に設けられたアライメントマークと、加工対象物６のサファイア基板９に設けられたアライメントマークとが撮影される。その撮影画像は中央制御部２４に取り込まれ、中央制御部２４により両アライメントマークのずれ量及びずれ方向が演算される。その演算結果はステージ制御部２２に送られる。ステージ制御部２２は、演算結果に基づいてステージ１をＸＹ方向に微動及び載置面に垂直な中心軸回りにθ回動して、両アライメントマークが所定の位置関係となるように調整し、遮光マスク２と加工対象物６とのアライメントを実施する。

遮光マスク２と加工対象物６とのアライメントが終了すると、ステージ制御部２２からレーザ同期パルスがレーザ電源・制御部２３に出力され、該レーザ同期パルスをトリガとしてレーザ電源・制御部２３によりレーザヘッド１３が駆動される。そして、レーザヘッド１３からＤＵＶの１パルスのレーザ光Ｌ又は高周波のレーザ光Ｌが放出される。

レーザヘッド１３から出力したレーザ光Ｌは、均一光学系１４のビームエキスパンダ１５を経てビーム径が拡張され、ホモジナイザ１６に入射する。

ホモジナイザ１６に入射したレーザ光Ｌは、図５に示す第１のフライアイレンズ１８の複数のレンズエレメントにより複数に分割されて、夫々、第２のフライアイレンズ１９の対応するレンズエレメントに入射する。そして、第１のフライアイレンズ１８の各レンズエレメントの、入射側（光源側）の端面の像がコンデンサレンズ１７により、遮光マスク２上に重ね合わされて形成される。これにより、遮光マスク２に照射するレーザ光Ｌの横断面内のエネルギー分布が均一化される。

図４に示すように、遮光マスク２に入射したレーザ光Ｌは、遮光マスク２の複数の開口１２を通過して微小な複数のレーザ光Ｌに分離される。そして、サファイア基板９を透過して対応するＬＥＤチップ１０の光取出し側の端面に照射する。該端面のＧａＮ層は、ＤＵＶのレーザ光Ｌを吸収して、Ｇａ（ガリウム）とＮ_２（窒素）に分解される。これにより、ＬＥＤチップ１０がサファイア基板９から隔離される。

１回目のレーザ照射が終了すると、ステージ１は、ＸＹ平面に平行にＸ方向に距離Ｐだけ移動して加工対象物６の第２のレーザ加工領域が遮光マスク２の真下の位置に位置付けられる。ステージ１が距離Ｐだけ移動するとステージ制御部２２からレーザ同期パルスが生成されてレーザ電源・制御部２３に向けて出力される。

レーザ電源・制御部２３は、ステージ制御部２２から入力するレーザ同期パルスをトリガとしてレーザヘッド１３をパルス発振させ、レーザヘッド１３から１パルスのレーザ光Ｌ又は高周波発振するレーザ光Ｌを放出させる。そして、上述と同様にして遮光マスク２を通して第２のレーザ加工領域の複数のＬＥＤチップ１０にレーザ光Ｌが照射され、サファイア基板９から第２のレーザ加工領域の複数のＬＥＤチップ１０がレーザリフトオフされる。

以降、上記動作が繰り返し実行され、所定のレーザ加工領域のＬＥＤチップ１０に対するレーザリフトオフが終了すると、サファイア基板９が転写用フィルム１１又は配線基板から引き剥がされる。これにより、レーザリフトオフされた複数のＬＥＤチップ１０が転写用フィルム１１又は配線基板に接着されて残る。

本発明によれば、例えばＬＥＤチップ１０をリフトオフするのに必要なエネルギー密度が３００ｍＪ／ｃｍ^２であり、加工エリアサイズが１２．５ｍｍ×１２．５ｍｍであるとすると、加工面上に照射されるエネルギーは約４７０ｍＪとなる。この場合、レーザ照射装置の効率が７０％である時には、約７７０ｍＪのＤＵＶレーザが必要となる。

また、上記加工エリア内にＬＥＤチップ１０が縦横に８０μｍピッチで設けられている場合には、１回のレーザショットで約２５０００個のＬＥＤチップ１０をレーザリフトオフすることができ、タクトタイムを短縮することができる。

さらに、レーザ照射装置３として、遮光マスク２上の複数の領域を分割照明することができる分割照明光学系２０を使用すれば、遮光マスク２上の複数の開口１２を選択的に照明することができ、光利用効率を向上することができる。

なお、上記実施形態において、レーザ照射は、サファイア基板９が遮光マスク２から離隔した近接対向状態でなされる場合について説明したが、本発明はこれに限られず、レーザ照射は、サファイア基板９と遮光マスク２とを密着させた状態で行ってもよい。この場合、例えばステージ１に設けた圧力センサによりサファイア基板９と遮光マスク２との密着を検知してレーザ同期パルスを生成するようにしてもよい。

本発明によれば、レーザ光Ｌは、サファイア基板９を通してＬＥＤチップ１０に照射されるため、遮光マスク２がサファイア基板９に近接対向配置又は密着されていても遮光マスク２がリフトオフ時のデブリの影響を受けない。

上記実施形態は、本発明が理解及び実施できる程度に概略的に示したものであり、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲を逸脱しない限り種々に変更及び修正をすることができる。

１…ステージ
２…遮光マスク
３…レーザ照射装置
５…制御装置
６…加工対象物
７…ＸＹＺθテーブル
９…サファイア基板
９ａ…第１面
９ｂ…第２面
１０…ＬＥＤチップ
１１…転写用フィルム
１２…開口
１３…レーザヘッド
１４…均一光学系
１６…ホモジナイザ
Ｌ…レーザ光

Claims (8)

1. サファイア基板の第１面に複数のＬＥＤチップを設けた加工対象物を載置して保持するステージと、
   前記ステージに対向配置され、前記複数のＬＥＤチップに対応して複数の開口を形成し、前記サファイア基板の前記第１面とは反対側の第２面に近接対向配置又は密着される遮光マスクと、
   レーザヘッドから放出されるレーザ光の横断面内のエネルギー分布を均一化して前記遮光マスクに照射するレーザ照射装置と、
   前記レーザヘッドのパルス発振を制御する制御装置と、
   を備えたことを特徴とするレーザリフトオフ装置。
2. 前記ステージは、前記レーザ照射装置の光軸に直交する面内をＸＹ方向に移動すると共に、前記光軸に平行にＺ方向に昇降し、載置面に垂直な中心軸回りに回動するＸＹＺθテーブルを備えていることを特徴とする請求項１記載のレーザリフトオフ装置。
3. 前記加工対象物は、前記複数のＬＥＤチップに接着された転写用フィルム又は配線基板を含み、前記転写用フィルム又は配線基板が前記ステージに吸着保持されることを特徴とする請求項１又は２記載のレーザリフトオフ装置。
4. 前記遮光マスクの前記複数の開口を内包する大きさの開口部を有し、前記遮光マスクの周縁近傍領域を吸着して保持するマスクステージをさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のレーザリフトオフ装置。
5. 前記レーザ照射装置は、均一光学系として２つのフライアイレンズを対向配置したホモジナイザを含み、光入射側のフライアイレンズは、レンズエレメントが縦及び横方向の少なくとも一方向に複数に分割されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のレーザリフトオフ装置。
6. 前記制御装置は、前記ステージのＸＹ方向への移動及びＺ方向への昇降並びにθ回動を制御して前記遮光マスクと前記加工対象物とのアライメントを実施することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のレーザリフトオフ装置。
7. 前記レーザヘッドは、深紫外（Deep Ultraviolet: DUV）レーザであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のレーザリフトオフ装置。
8. サファイア基板の第１面に複数のＬＥＤチップを設けた加工対象物をステージに載置して保持する段階と、
   前記サファイア基板の前記第１面とは反対側の第２面に前記複数のＬＥＤチップに対応して複数の開口を形成した遮光マスクを近接対向配置又は密着させる段階と、
   前記遮光マスクを介して横断面内のエネルギー分布が均一なレーザ光を前記加工対象物に照射し、前記遮光マスクの複数の開口を通過した前記レーザ光により前記ＬＥＤチップを前記サファイア基板からリフトオフする段階と、
   を含むレーザリフトオフ方法。

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