JP2021153140A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】除去対象物を保持している状態の処理膜を基板の表面から効果的に剥離することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理方法では、基板の表面に供給された処理液を固化または硬化させることによって、基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜が基板の表面に形成される（処理膜形成工程）。基板の表面に向けて剥離液を供給することによって、剥離液に処理膜が部分的に溶解され、除去対象物を保持している状態の処理膜が基板の表面から剥離され、剥離された処理膜が基板外に排除される（剥離排除工程）。剥離排除工程後に基板の表面に向けて残渣除去液を供給することによって、処理膜の残渣が除去される（残渣除去工程）。剥離液が、有機溶剤と水との混合液であり、残渣除去液が、混合液中の前記有機溶剤と同じ物質からなる有機溶剤である。【選択図】図８

Description

この発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板、ならびに、液晶表示装置、プラズマディスプレイおよび有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板等の基板が含まれる。

半導体装置の製造工程では、基板に付着した各種汚染物、前工程で使用した処理液やレジスト等の残渣、あるいは各種パーティクル等（以下「除去対象物」と総称する場合がある。）を除去する工程が行われる。
具体的には、脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized Water）等を基板に供給することにより、除去対象物をＤＩＷの物理的作用によって除去したり、除去対象物と化学的に反応する薬液を基板に供給することにより、当該除去対象物を化学的に除去したりすることが一般的である。

しかし、基板上に形成される凹凸パターンの微細化および複雑化が進んでいる。そのため、凹凸パターンの損傷を抑制しながら除去対象物をＤＩＷまたは薬液によって除去することが容易でなくなりつつある。
そこで、基板の表面に処理液を供給し、基板上の処理液を固めることで基板上に存在する除去対象物を保持する保持層を形成した後、基板の上面に剥離液を供給することによって、除去対象物とともに保持層を基板の表面から剥離して除去する手法が提案されている（下記特許文献１を参照）。

特開２０１９−６２１７１号公報

除去対象物を保持している状態の保持層を基板から一層効果的に剥離することができる手法が求められている。そこで、この発明の１つの目的は、除去対象物を保持している状態の処理膜を基板の表面から効果的に剥離することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。

この発明の一実施形態は、基板の表面に向けて処理液を供給する処理液供給工程と、前記基板の表面に供給された前記処理液を固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、前記基板の表面に向けて剥離液を供給することによって、前記剥離液に前記処理膜を部分的に溶解させ、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離し、剥離された前記処理膜を前記基板外に排除する剥離排除工程と、前記剥離排除工程後に前記基板の表面に向けて残渣除去液を供給することによって、前記基板の表面に残る前記処理膜の残渣を除去する残渣除去工程とを含む、基板処理方法を提供する。そして、前記剥離液が、有機溶剤と水との混合液であり、前記残渣除去液が、前記混合液中の前記有機溶剤と同じ物質からなる有機溶剤である。

この方法によれば、基板の表面に供給された処理液を固化または硬化させることによって、除去対象物を保持する処理膜が形成される。その後、基板の表面に向けて剥離液が供給される。剥離液の供給によって、処理膜が部分的に溶解され、除去対象物を保持している状態の処理膜が基板の表面から剥離され、剥離された処理膜が基板外に排除される。
この方法によれば、剥離液は、有機溶剤と水との混合液である。処理膜は、水よりも、有機溶剤に溶解されやすい。そのため、有機溶剤と水との混合液である剥離液は、有機溶剤よりも処理膜を溶解させにくい。したがって、剥離液によって処理膜が部分的に溶解されて、処理膜中に隙間（経路）が形成される。

剥離液は、この隙間を通って基板の表面に到達することができる。基板の表面に到達した剥離液は、処理膜と基板との界面に作用する。したがって、処理膜中に隙間を形成せずに剥離液に処理膜内に浸透させて処理膜と基板との界面に剥離液を到達させる方法と比較して、処理膜と基板との界面に多量の剥離液を速やかに到達させることができる。
処理膜は、水よりも、有機溶剤に溶解されやすいため、有機溶剤と水との混合液は、水と比較して、処理膜を溶解しやすい。処理膜は、隙間の形成のために部分的に溶解されるものの、残りの部分は、固体状態で維持される。そのため、剥離液によって、処理膜のうち固体状態で維持されている部分の表面を適度に溶解できる。したがって、除去対象物を保持している状態の処理膜を基板の表面から効果的に剥離して基板から排除することができる。

剥離液の供給の継続によって基板の表面から処理膜が除去される。処理膜が基板の表面から除去された後においても前記基板の表面に処理膜の残渣が付着していることがある。このような場合であっても、残渣除去液によって処理膜の残渣が除去される。これにより、基板の表面を良好に洗浄することができる。
この方法によれば、残渣除去液が、混合液中の有機溶剤と同じ物質からなる有機溶剤である。すなわち、剥離液として用いられる混合液中の有機溶剤と、残渣除去液として用いられる有機溶剤とが、同じ有機化合物である。剥離液として用いられる混合液中の有機溶剤と残渣除去液として用いられる有機溶剤とが異なる物質である方法と比較して、使用する液体の種類を少なくできる。そのため、基板から除去対象物を除去するために要するコストを低減できる。

この発明の一実施形態では、前記剥離排除工程が、前記剥離液に前記処理膜を部分的に溶解させることによって、前記処理膜に貫通孔を形成する工程を含む。
この方法によれば、剥離液は、処理膜に貫通孔を形成する。そのため、剥離液は、貫通孔を通って基板の表面に到達する。基板の表面に到達した剥離液は、処理膜において貫通孔を取り囲む部分と基板との界面に作用する。したがって、処理膜に貫通孔を形成せずに剥離液に処理膜内を浸透させて処理膜と基板との界面に剥離液を到達させる方法と比較して、処理膜と基板との界面に多量の剥離液を速やかに到達させることができる。

この発明の一実施形態では、前記処理液が、溶媒と、前記溶媒に溶解される溶質とを含有している。前記溶質が、高溶解性成分と、前記高溶解性成分よりも前記剥離液に対する溶解性が低い低溶解性成分とを有する。前記処理膜形成工程が、前記高溶解性成分によって形成される高溶解性固体と、前記低溶解性成分によって形成される低溶解性固体とを有する前記処理膜を形成する工程を含む。そして、前記剥離排除工程が、前記高溶解性固体を前記剥離液に溶解させて、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離する工程を含む。

この方法によれば、剥離液に対する高溶解性成分の溶解性は、剥離液に対する低溶解性成分の溶解性よりも高い。そのため、高溶解性成分によって形成される高溶解性固体は、低溶解性成分によって形成される低溶解性固体よりも剥離液に溶解しやすい。そのため、剥離液で高溶解性固体を溶解させることによって処理膜中に隙間が形成される。その一方で、低溶解性固体は剥離液に溶解されずに固体状態で維持される。

したがって、高溶解性固体を剥離液に溶解させつつ、低溶解性固体を剥離液に溶解させずに固体状態に維持することができる。そのため、剥離液は、高溶解性固体の溶解によって形成された隙間を通って、基板と低溶解性固体との界面に到達する。
その結果、低溶解性固体で除去対象物を保持しながら、低溶解性固体と基板との界面に剥離液を作用させることができる。よって、処理膜を基板から速やかに剥離しつつ、除去対象物を基板から効果的に除去することができる。

この発明の一実施形態では、前記剥離排除工程が、前記基板の表面と前記処理膜との間に前記剥離液を進入させる剥離液進入工程を含む。そのため、処理膜と基板との界面に剥離液を作用させて処理膜を基板の表面から一層効率良く剥離することができる。
この発明の一実施形態では、前記剥離排除工程が、前記剥離液によって前記基板の表面を親水化する親水化工程を含む。

基板の上面の親水性が高いほど、基板と処理膜との界面に剥離液が作用しやすく、基板の表面から処理膜を効果的に剥離することができる。そのため、剥離液によって基板の表面を親水化することで、処理膜を効果的に剥離できる。
この発明の一実施形態では、前記有機溶剤がＩＰＡであり、前記混合液におけるＩＰＡの質量パーセント濃度が１２％以上で３３％以下である。混合液におけるＩＰＡの質量パーセント濃度が１２％以上で３３％以下であれば、処理膜の表面を適度に溶解させることができる。そのため、処理膜から除去対象物を離脱させずに、除去対象物を保持している状態の処理膜を基板の表面から剥離することができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記基板の表面に処理液が供給される前に、前記基板の表面に親水化するプレ親水化工程をさらに含む。
この方法によれば、基板の表面に処理液が供給される前に、基板の表面が親水化されている。すなわち、基板の表面が予め親水化されている。そのため、処理膜は、親水化された基板の表面に形成される。したがって、剥離液によって処理膜を基板から効果的に剥離することができる。

この発明の一実施形態は、基板の表面に向けて処理液を供給する処理液供給工程と、前記基板の表面に供給された前記処理液を固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、前記基板の表面に向けて溶解液を供給することによって、前記溶解液に前記処理膜を部分的に溶解させて前記処理膜に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、剥離液を前記基板の表面に向けて供給することによって、前記剥離液が、前記貫通孔を通過し、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離する剥離工程とを含む、基板処理方法を提供する。

この方法によれば、基板の表面に供給された処理液を固化または硬化させることによって、除去対象物を保持する処理膜が形成される。その後、基板の表面に向けて溶解液が供給される。それによって、処理膜が部分的に溶解されて処理膜に貫通孔が形成される。さらにその後、基板の表面に向けて剥離液が供給される。それによって、剥離液が貫通孔を通って基板と剥離液との界面に到達し、除去対象物を保持している状態の処理膜が剥離液によって基板の表面から剥離される。

溶解液によって処理膜に貫通孔が形成されるので、剥離液は、貫通孔を通って基板の表面に到達することができる。基板の表面に到達した剥離液は、処理膜において貫通孔を取り囲む部分と基板との界面に作用する。したがって、処理膜に貫通孔を形成せずに剥離液に処理膜内を通過させて処理膜と基板との界面に剥離液を到達させる方法と比較して、処理膜と基板との界面に多量の剥離液を速やかに到達させることができる。

処理膜は、貫通孔の形成のために部分的に溶解されるものの、残りの部分は、固体状態で維持される。したがって、除去対象物を保持している状態の処理膜を基板の表面から効果的に剥離することができる。
また、この方法によれば、貫通孔の形成と、処理膜の剥離とが別々の液体（溶解液および剥離液）によって行われる。そのため、剥離液および溶解液を、それぞれの役割に適した液体から選択することができる。すなわち、溶解液として、処理膜の部分的な溶解に適した液体を選択し、剥離液として、処理膜の剥離に適した液体を選択することができる。そのため、溶解液による処理膜の溶解を抑制でき、処理膜からの除去対象物の離脱を抑制できる。したがって、除去対象物を保持している状態の処理膜を効果的に剥離することができる。

この発明の一実施形態では、前記処理液が、溶媒と、前記溶媒に溶解される溶質とを含有している。前記溶質が、高溶解性成分と、前記高溶解性成分よりも前記溶解液に対する溶解性が低い低溶解性成分とを有する。前記処理膜形成工程が、前記高溶解性成分によって形成される高溶解性固体と、前記低溶解性成分によって形成される低溶解性固体とを有する前記処理膜を形成する工程を含む。そして、前記貫通孔形成工程が、前記高溶解性固体を前記溶解液に溶解させて、前記処理膜に前記貫通孔を形成する工程を含む。

この方法によれば、溶解液に対する高溶解性成分の溶解性は、溶解液に対する低溶解性成分の溶解性よりも高い。そのため、高溶解性成分によって形成される高溶解性固体は、低溶解性成分によって形成される低溶解性固体よりも溶解液に溶解しやすい。そのため、溶解液で高溶解性固体を溶解させることによって処理膜に貫通孔が形成される。その一方で、低溶解性固体を溶解液に溶解させずに固体状態で維持される。

したがって、高溶解性固体を溶解液に溶解させつつ、低溶解性固体を溶解液に溶解させずに固体状態に維持することができる。そのため、剥離液は、高溶解性固体の溶解によって形成された貫通孔を通って、基板と低溶解性固体との界面に到達する。
その結果、低溶解性固体で除去対象物を保持しながら、低溶解性固体と基板との界面に剥離液を作用させることができる。よって、処理膜を基板から速やかに剥離しつつ、処理膜とともに除去対象物を基板から効果的に除去することができる。

この発明の一実施形態では、前記剥離工程が、前記基板の表面と前記処理膜との間に前記剥離液を進入させる剥離液進入工程を含む。そのため、処理膜と基板との界面に剥離液を作用させて処理膜を基板の表面から一層効率良く剥離することができる。
この発明の一実施形態では、前記剥離液が有機溶剤と水との混合液である。処理膜は、有機溶剤に溶解されやすく、水に溶解されにくい。剥離液が有機溶剤と水との混合液であれば、除去対象物の保持を維持しながら基板の表面から処理膜を剥離できる程度に処理膜の表面を僅かに溶解させることができる。たとえば、有機溶剤がＩＰＡである場合、混合液におけるＩＰＡの質量パーセント濃度が１２％以上で３３％以下であれば、処理膜の表面を適度に溶解させることができる。そのため、処理膜から除去対象物を離脱させずに、除去対象物を保持している状態の処理膜を基板の表面から剥離することができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記処理膜が前記基板から剥離された後においても前記基板の表面への前記剥離液の供給を継続することによって、前記基板の表面から剥離された前記処理膜を前記基板外へ排除する排除工程と、前記排除工程後に前記基板の表面に向けて残渣除去液を供給することによって、前記基板の表面に残る前記処理膜の残渣を除去する残渣除去工程とをさらに含む。そして、前記残渣除去液が、前記混合液中の前記有機溶剤と同じ物質からなる有機溶剤である。

この方法によれば、剥離液の供給の継続によって基板の表面から処理膜が除去される。処理膜が基板の表面から除去された後においても前記基板の表面に処理膜の残渣が付着している場合がある。このような場合であっても、残渣除去液によって処理膜の残渣が除去される。これにより、基板の表面を良好に洗浄することができる。
この方法によれば、残渣除去液が、混合液中の有機溶剤と同じ物質からなる有機溶剤である。すなわち、剥離液として用いられる混合液中の有機溶剤と、残渣除去液として用いられる有機溶剤とが、同じ有機化合物である。剥離液として用いられる混合液中の有機溶剤と残渣除去液として用いられる有機溶剤とが異なる場合と比較して、使用する液体の種類を少なくできる。そのため、基板から除去対象物を除去するために要するコストを低減できる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記処理膜が前記基板から剥離された後においても前記基板の表面への前記剥離液の供給を継続することによって、前記基板の表面から剥離された前記処理膜を前記基板外へ排除する排除工程と、前記排除工程後に前記基板の表面に残渣除去液を供給することによって、前記基板の表面に残る前記処理膜の残渣を除去する残渣除去工程とをさらに含む。

この方法によれば、剥離液の供給の継続によって処理膜が基板外へ排除される。処理膜が基板の表面から除去された後においても前記基板の表面に処理膜の残渣が付着していることがある。このような場合であっても、残渣除去液によって処理膜の残渣が除去される。これにより、基板の表面を良好に洗浄することができる。
この発明の一実施形態では、前記剥離工程が、前記剥離液によって前記基板の表面を親水化する親水化工程を含む。

この方法によれば、剥離液によって、基板の表面が親水化される。そのため、基板の表面において貫通孔の形成によって露出した箇所が剥離液によって親水化されると同時に、処理膜において貫通孔を取り囲む部分と基板との界面に剥離液を作用させることができる。したがって、除去対象物を保持している状態の処理膜を基板の表面から効果的に剥離できる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記剥離工程の前に前記基板の表面に向けて親水化液を供給することによって、前記親水化液が前記貫通孔を通過して前記基板の表面を親水化する親水化工程をさらに含む。
この方法によれば、基板の表面に向けて親水化液が供給される。親水化液は、貫通孔を通って基板の表面に到達するため、基板の表面において貫通孔の形成によって露出した箇所が親水化される。

基板の上面の親水性が高いほど、基板と処理膜との界面に剥離液が作用しやすく、基板の表面から処理膜を効果的に剥離することができる。そのため、基板の表面に向けて剥離液が供給される前に基板の表面において貫通孔の形成によって露出した箇所が親水化されていれば、処理膜において貫通孔を取り囲む部分と基板との界面に剥離液を作用させて、処理膜を効果的に剥離できる。

この発明の一実施形態では、前記親水化液が、前記基板の表面を酸化させる酸化液である。親水化液として酸化液を用いる場合には、基板の表面付近の部分（表層）が酸化される。基板の表層が酸化されることによって、基板の表面から露出する物質に酸素原子が結合する。基板の表面から露出する物質に酸素原子が結合されることによって、基板の表面が親水化される。

この発明の一実施形態では、前記溶解液、前記親水化液、および前記剥離液が、互いに異なる物質を含有している。
この発明の一実施形態では、前記剥離液および前記溶解液が、互いに異なる物質を含有している。
この発明の一実施形態では、前記溶解液が、アルカリ性液体である。

この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記基板の表面に処理液が供給される前に、前記基板の表面に親水化するプレ親水化工程をさらに含む。
この方法によれば、基板の表面に処理液が供給される前に、すなわち、基板の表面が予め親水化されている。そのため、処理膜は、親水化された基板の表面に形成される。したがって、剥離液によって処理膜を基板から効果的に剥離することができる。

この発明の一実施形態は、基板の表面に向けて処理液を供給する処理液供給工程と、前記基板の表面に供給された前記処理液を固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、前記基板の表面に向けて溶解液を供給することによって、前記溶解液に前記処理膜を部分的に溶解させる溶解工程と、前記溶解工程の後に、剥離液を前記基板の表面に向けて供給することによって、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜が前記剥離液によって前記基板の表面から剥離される剥離工程とを含み、前記処理液が、溶媒と、前記溶媒に溶解される溶質とを含有し、前記溶質が、高溶解性成分と、前記高溶解性成分よりも前記溶解液に対する溶解性が低い低溶解性成分とを有し、前記処理膜形成工程が、前記高溶解性成分によって形成される高溶解性固体と前記低溶解性成分によって形成される低溶解性固体とを有する前記処理膜を形成する工程を含み、前記溶解工程が、前記高溶解性固体を前記溶解液に溶解させる工程を含む、基板処理方法を提供する。

この方法によれば、基板の表面に供給された処理液を固化または硬化させることによって、除去対象物を保持する処理膜が形成される。その後、基板の表面に溶解液が供給される。それによって、処理膜が部分的に溶解されて処理膜内に隙間が形成される。さらにその後、基板の表面に向けて剥離液が供給される。それによって、剥離液が処理膜内の隙間を通って基板と剥離液との界面に到達し、除去対象物を保持している状態の処理膜が剥離液によって基板の表面から剥離される。

溶解液に対する高溶解性成分の溶解性は、溶解液に対する低溶解性成分の溶解性よりも高い。そのため、高溶解性成分によって形成される高溶解性固体は、低溶解性成分によって形成される低溶解性固体よりも溶解液に溶解しやすい。そのため、溶解液で高溶解性固体を溶解させることによって処理膜中に隙間が形成される。その一方で、低溶解性固体は剥離液に溶解されずに固体状態で維持される。

したがって、高溶解性固体を溶解液に溶解させつつ、低溶解性固体を溶解液に溶解させずに固体状態に維持することができる。そのため、剥離液は、高溶解性固体の溶解によって形成された隙間を通って、基板と低溶解性固体との界面に到達する。
その結果、低溶解性固体で除去対象物を保持しながら、低溶解性固体と基板との界面に剥離液を作用させることができる。よって、処理膜を基板から速やかに剥離しつつ、処理膜とともに除去対象物を基板から効果的に除去することができる。

また、この方法によれば、高溶解性固体の溶解と処理膜の剥離とが、別々の液体（溶解液および剥離液）によって行われる。そのため、剥離液および溶解液を、それぞれの役割に合った液体から選択することができる。すなわち、溶解液として、高溶解性固体の部分的な溶解に適した液体を選択し、剥離液として、処理膜の剥離に適した液体を選択することができる。

たとえば、高溶解性固体の溶解性と低溶解性固体の溶解性との差が剥離液よりも大きい液体を溶解液として用いれば、溶解液による低溶解性固体のロスを抑制でき、低溶解性固体からの除去対象物の離脱を抑制できる。したがって、除去対象物を保持している状態の処理膜を効果的に剥離することができる。
この発明の一実施形態は、基板の表面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、基板の表面に接する処理液を固化または硬化させて処理膜を形成する処理膜形成ユニットと、基板の表面に形成された処理膜を剥離する剥離液を前記基板の表面に供給する剥離液供給ユニットと、基板の表面に存在する処理膜の残渣を除去する残渣除去液を前記基板の表面に供給する残渣除去液供給ユニットと、前記処理液供給ユニット、前記処理膜形成ユニット、前記剥離液供給ユニットおよび前記残渣除去液供給ユニットを制御するコントローラとを含む、基板処理装置を提供する。

そして、前記コントローラが、基板に向けて前記処理液供給ユニットから処理液を供給し、前記基板の表面に供給された前記処理液を前記処理膜形成ユニットによって固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成し、前記剥離液供給ユニットから前記基板に向けて前記剥離液を供給することによって、前記剥離液に前記処理膜を部分的に溶解させ、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離し、剥離された前記処理膜を前記基板外に排除し、前記残渣除去液供給ユニットから前記基板の表面に向けて残渣除去液を供給することによって、前記基板の表面に残る前記処理膜の残渣を除去するように、プログラムされている。さらに、前記剥離液が、有機溶剤と水との混合液であり、前記残渣除去液が、前記混合液中の前記有機溶剤と同じ物質からなる有機溶剤である。

この装置によれば、上述した基板処理方法と同様の効果を奏する。
この発明の一実施形態は、基板の表面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、基板の表面に接する処理液を固化または硬化させて処理膜を形成する処理膜形成ユニットと、基板の表面に形成された処理膜を部分的に溶解させる溶解液を前記基板の表面に供給する溶解液供給ユニットと、基板の表面に形成された処理膜を剥離する剥離液を前記基板の表面に供給する剥離液供給ユニットと、前記処理液供給ユニット、前記処理膜形成ユニット、前記溶解液供給ユニット、および前記剥離液供給ユニットを制御するコントローラとを含む基板処理装置を提供する。

そして、前記コントローラが、基板に向けて前記処理液供給ユニットから処理液を供給し、前記基板の表面に供給された前記処理液を前記処理膜形成ユニットによって固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成し、前記溶解液供給ユニットから前記基板に向けて溶解液を供給することによって前記溶解液に前記処理膜を部分的に溶解させて前記処理膜に貫通孔を形成し、前記剥離液供給ユニットから前記基板に向けて剥離液を供給することによって、前記剥離液が、前記貫通孔を通過し、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離するように、プログラムされている。

この装置によれば、上述した基板処理方法と同様の効果を奏する。
この発明の一実施形態は、基板の表面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、基板の表面に接する処理液を固化または硬化させて処理膜を形成する処理膜形成ユニットと、基板の表面に形成された処理膜を部分的に溶解させる溶解液を前記基板の表面に供給する溶解液供給ユニットと、基板の表面に形成された処理膜を剥離する剥離液を前記基板の表面に供給する剥離液供給ユニットと、前記処理液供給ユニット、前記処理膜形成ユニット、前記溶解液供給ユニット、および前記剥離液供給ユニットを制御するコントローラとを含み、前記処理液が、溶媒と、前記溶媒に溶解される溶質とを含有し、前記溶質が、高溶解性成分と、前記剥離液供給ユニットから供給される剥離液に対する溶解性が前記高溶解性成分よりも低い低溶解性成分とを有する、基板処理装置を提供する。

さらに、この基板処理装置に含まれる前記コントローラが、基板に向けて前記処理液供給ユニットから処理液を供給し、前記基板の表面に供給された前記処理液を前記処理膜形成ユニットによって固化または硬化させて、前記高溶解性成分によって形成される高溶解性固体と前記低溶解性成分によって形成される低溶解性固体とを有し、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成し、前記溶解液供給ユニットから前記基板に向けて溶解液を供給することによって、前記溶解液に前記処理膜の前記高溶解性固体を溶解させ、前記剥離液供給ユニットから前記基板に向けて剥離液を供給して、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離するように、プログラムされている。

この装置によれば、上述した基板処理方法と同様の効果を奏する。

図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す模式的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの概略構成を示す模式的な部分断面図である。 図３は、基板上の純水の液滴およびその周辺の模式図である。 図４は、剥離液によって基板の表面が親水化される様子を説明するための模式図である。 図５は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を示すブロック図である。 図６は、処理対象となる基板の表層の構成の一例である。 図７は、処理対象となる基板の表層の構成の別の例である。 図８は、前記基板処理装置による基板処理の一例を説明するための流れ図である。 図９Ａは、前記基板処理の処理液供給工程（ステップＳ２）の様子を説明するための模式図である。 図９Ｂは、前記基板処理の処理膜形成工程（ステップＳ３）の様子を説明するための模式図である。 図９Ｃは、前記基板処理の処理膜形成工程（ステップＳ３）の様子を説明するための模式図である。 図９Ｄは、前記基板処理の剥離液供給工程（ステップＳ４）の様子を説明するための模式図である。 図９Ｅは、前記基板処理のリンス工程（ステップＳ５）の様子を説明するための模式図である。 図９Ｆは、前記基板処理の残渣除去液供給工程（ステップＳ６）の様子を説明するための模式図である。 図１０Ａは、処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図１０Ｂは、処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図１０Ｃは、処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図１１は、前記基板処理装置の変形例による基板処理に係る剥離液供給工程（ステップＳ４）の様子を説明するための模式図である。 図１２は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる処理ユニットの概略構成を示す模式的な部分断面図である。 図１３は、第２実施形態に係る基板処理の一例を説明するための流れ図である。 図１４Ａは、第２実施形態に係る基板処理の溶解液供給工程（ステップＳ１０）の様子を説明するための模式図である。 図１４Ｂは、第２実施形態に係る基板処理のリンス工程（ステップＳ１１）の様子を説明するための模式図である。 図１５Ａは、第２実施形態に係る基板処理において、処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図１５Ｂは、第２実施形態に係る基板処理において、処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図１５Ｃは、第２実施形態に係る基板処理において、処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図１５Ｄは、第２実施形態に係る基板処理において、処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図１６は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置に備えられる処理ユニットの概略構成を示す模式的な部分断面図である。 図１７は、親水化液によって基板の表面が親水化される様子を説明するための模式図である。 図１８は、第３実施形態に係る基板処理の一例を説明するための流れ図である。 図１９Ａは、第３実施形態に係る基板処理の親水化液供給工程（ステップＳ２０）の様子を説明するための模式図である。 図１９Ｂは、第３実施形態に係る基板処理のリンス工程（ステップＳ２１）の様子を説明するための模式図である。 図２０Ａは、第３実施形態に係る基板処理において処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図２０Ｂは、第３実施形態に係る基板処理において処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図２０Ｃは、第３実施形態に係る基板処理において処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図２０Ｄは、第３実施形態に係る基板処理において処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図２０Ｅは、第３実施形態に係る基板処理において処理膜が基板の表面から剥離される様子を説明するための模式図である。 図２１は、第３実施形態に係る基板処理の別の例を説明するための流れ図である。 図２２Ａは、第３実施形態に係る基板処理の別の例で実行されるプレ親水化工程（ステップＳ３０）の様子を説明するための模式図である。 図２２Ｂは、第３実施形態に係る基板処理の別の例で実行されるリンス工程（ステップＳ３１）の様子を説明するための模式図である。 図２２Ｃは、第３実施形態に係る基板処理の別の例で実行される置換工程（ステップＳ３２）の様子を説明するための模式図である。 図２３は、処理膜の表面に対する純水の接触角を測定する手順を説明するための模式図である。 図２４は、処理膜の表面に対する純水の接触角を示すテーブルである。 図２５は、希釈ＩＰＡ中のＩＰＡの濃度と、実験用基板の表面に対する希釈ＩＰＡの接触角との関係を示すグラフである。 図２６は、表面に処理膜が形成された実験用基板に希釈ＩＰＡを滴下したときの実験用基板の表面の様子を説明するための顕微鏡像である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、この発明の一実施形態にかかる基板処理装置１のレイアウトを示す模式的な平面図である。
基板処理装置１は、シリコンウエハ等の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板Ｗとしては、表面にＳｉ（シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯ_２（酸化シリコン）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＣＮ（炭窒化ケイ素）、Ｗ（タングステン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｕ（銅）、Ｒｕ（ルテニウム）およびａ−Ｃ（アモルファスカーボン）のうちの少なくともいずれかが露出している基板を用いることができる。すなわち、基板Ｗの表面には、上述した物質のうち、１種類の物質のみが露出していてもよいし、上述した物質のうち複数の物質が露出していてもよい。

基板処理装置１は、基板Ｗを流体で処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリヤＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御するコントローラ３とを含む。
搬送ロボットＩＲは、キャリヤＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。詳しくは後述するが、処理ユニット２内で基板Ｗに向けて供給される処理流体には、処理液、剥離液、リンス液、残渣除去液、溶解液、親水化液、熱媒、不活性ガス（気体）、置換液等が含まれる。

各処理ユニット２は、チャンバ４と、チャンバ４内に配置された処理カップ７とを備えており、処理カップ７内で基板Ｗに対する処理を実行する。チャンバ４には、搬送ロボットＣＲによって、基板Ｗを搬入したり基板Ｗを搬出したりするための出入口（図示せず）が形成されている。チャンバ４には、この出入口を開閉するシャッタユニット（図示せず）が備えられている。

図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための模式図である。処理ユニット２は、スピンチャック５と、対向部材６と、処理カップ７と、第１移動ノズル８と、第２移動ノズル９と、中央ノズル１２と、下面ノズル１３とを含む。
スピンチャック５は、基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線Ａ１（鉛直軸線）まわりに基板Ｗを回転させる基板保持回転ユニットの一例である。回転軸線Ａ１は、基板Ｗの中央部を通る鉛直な直線である。スピンチャック５は、複数のチャックピン２０と、スピンベース２１と、回転軸２２と、スピンモータ２３とを含む。

スピンベース２１は、水平方向に沿う円板形状を有している。スピンベース２１の上面には、基板Ｗの周縁を把持する複数のチャックピン２０が、スピンベース２１の周方向に間隔を空けて配置されている。スピンベース２１および複数のチャックピン２０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持ユニットを構成している。基板保持ユニットは、基板ホルダともいう。

回転軸２２は、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。回転軸２２の上端部は、スピンベース２１の下面中央に結合されている。スピンモータ２３は、回転軸２２に回転力を与える。スピンモータ２３によって回転軸２２が回転されることにより、スピンベース２１が回転される。これにより、基板Ｗが回転軸線Ａ１のまわりに回転される。スピンモータ２３は、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる基板回転ユニットの一例である。

スピンチャック５は、複数のチャックピン２０を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックに限らず、基板Ｗの下面をスピンベース２１の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。
対向部材６は、スピンチャック５に保持された基板Ｗに上方から対向する。対向部材６は、基板Ｗとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成されている。対向部材６は、基板Ｗの上面（上側の表面）に対向する対向面６ａを有する。対向面６ａは、スピンチャック５よりも上方でほぼ水平面に沿って配置されている。

対向部材６において対向面６ａとは反対側には、中空軸６０が固定されている。対向部材６において平面視で回転軸線Ａ１と重なる部分には、対向部材６を上下に貫通する連通孔６ｂが形成されている。連通孔６ｂは、中空軸６０の内部空間６０ａと連通する。
対向部材６は、対向面６ａと基板Ｗの上面との間の空間内の雰囲気を当該空間の外部の雰囲気から遮断する。そのため、対向部材６は、遮断板ともいう。

処理ユニット２は、対向部材６を昇降させる対向部材昇降ユニット６１と、対向部材６を回転軸線Ａ１まわりに回転させる対向部材回転ユニット６２とをさらに含む。
対向部材昇降ユニット６１は、下位置から上位置までの任意の位置（高さ）に対向部材６を鉛直方向に位置させることができる。下位置とは、対向部材６の可動範囲において、対向面６ａが基板Ｗに最も近接する位置である。上位置とは、対向部材６の可動範囲において対向面６ａが基板Ｗから最も離間する位置である。対向部材６が上位置に位置するときに、基板Ｗの搬入および搬出のために搬送ロボットＣＲがスピンチャック５にアクセスすることができる。

対向部材昇降ユニット６１は、たとえば、中空軸６０を支持する支持部材（図示せず）に結合されたボールねじ機構（図示せず）と、当該ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータ（図示せず）とを含む。対向部材昇降ユニット６１は、対向部材リフタ（遮断板リフタ）ともいう。対向部材回転ユニット６２は、たとえば、中空軸６０を回転させるモータ（図示せず）を含む。

処理カップ７は、スピンチャック５に保持された基板Ｗから外方に飛散する液体を受け止める複数のガード７１と、複数のガード７１によって下方に案内された液体を受け止める複数のカップ７２と、複数のガード７１および複数のカップ７２を取り囲む円筒状の外壁部材７３とを含む。
この実施形態では、２つのガード７１（第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂ）と、２つのカップ７２（第１カップ７２Ａおよび第２カップ７２Ｂ）とが設けられている例を示している。

第１カップ７２Ａおよび第２カップ７２Ｂのそれぞれは、上向きに開放された環状溝の形態を有している。
第１ガード７１Ａは、スピンベース２１を取り囲むように配置されている。第２ガード７１Ｂは、第１ガード７１Ａよりも外側でスピンベース２１を取り囲むように配置されている。

第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂは、それぞれ、ほぼ円筒形状を有している。各ガード７１の上端部は、スピンベース２１に向かうように内方に傾斜している。
第１カップ７２Ａは、第１ガード７１Ａによって下方に案内された液体を受け止める。第２カップ７２Ｂは、第１ガード７１Ａと一体に形成されており、第２ガード７１Ｂによって下方に案内された液体を受け止める。

処理ユニット２は、第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂを別々に鉛直方向に昇降させるガード昇降ユニット７４を含む。ガード昇降ユニット７４は、下位置と上位置との間で第１ガード７１Ａを昇降させる。ガード昇降ユニット７４は、下位置と上位置との間で第２ガード７１Ｂを昇降させる。
第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂがともに上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する液体は、第１ガード７１Ａによって受けられる。第１ガード７１Ａが下位置に位置し、第２ガード７１Ｂが上位置に位置するとき、基板Ｗから飛散する液体は、第２ガード７１Ｂによって受けられる。第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂがともに下位置に位置するときに、基板Ｗの搬入および搬出のために搬送ロボットＣＲがスピンチャック５にアクセスすることが可能である。

ガード昇降ユニット７４は、たとえば、第１ガード７１Ａに結合された第１ボールねじ機構（図示せず）と、第１ボールねじ機構に駆動力を与える第１モータ（図示せず）と、第２ガード７１Ｂに結合された第２ボールねじ機構（図示せず）と、第２ボールねじ機構に駆動力を与える第２モータ（図示せず）とを含む。ガード昇降ユニット７４は、ガードリフタともいう。

第１移動ノズル８は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に向けて処理液を供給（吐出）する処理液ノズル（処理液供給ユニット）の一例である。
第１移動ノズル８は、第１ノズル移動ユニット３５によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第１移動ノズル８は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置（退避位置）との間で移動することができる。第１移動ノズル８は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の中央領域に対向する。

第１移動ノズル８は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第１移動ノズル８は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。
第１ノズル移動ユニット３５は、第１移動ノズル８に結合され水平に延びるアーム（図示せず）と、アームに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含んでいてもよい。

回動軸駆動ユニットは、鉛直な回動軸線まわりに回動軸を回動させることによってアームを揺動させる。さらに、回動軸駆動ユニットは、回動軸を鉛直方向に沿って昇降することにより、アームを昇降させる。アームの揺動および昇降に応じて、第１移動ノズル８が水平方向および鉛直方向に移動する。
第１移動ノズル８は、処理液を案内する処理液配管４０に接続されている。処理液配管４０に介装された処理液バルブ５０が開かれると、処理液が、第１移動ノズル８から下方に連続流で吐出される。第１移動ノズル８が中央位置に位置するときに処理液バルブ５０が開かれると、処理液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。

処理液には、溶質および溶媒が含有されている。処理液は、処理液に含まれる溶媒の少なくとも一部が揮発（蒸発）することによって固化または硬化する。処理液は、基板Ｗ上で固化または硬化することによって、基板Ｗ上に存在するパーティクル等の除去対象物を保持する固形の処理膜を形成する。
ここで、「固化」とは、たとえば、溶媒の揮発に伴い、分子間や原子間に作用する力等によって溶質が固まることを指す。「硬化」とは、たとえば、重合や架橋等の化学的な変化によって、溶質が固まることを指す。したがって、「固化または硬化」とは、様々な要因によって溶質が「固まる」ことを表している。

処理液には、溶質として、低溶解性成分および高溶解性成分が含有されている。処理液には、腐食防止成分が含まれていてもよい。詳しくは後述するが、腐食防止成分は、たとえば、ＢＴＡ（ベンゾトリアゾール）である。
低溶解性成分および高溶解性成分としては、後述する剥離液に対する溶解性が互いに異なる物質を用いることができる。低溶解性成分は、たとえば、ノボラックである。高溶解性成分は、たとえば、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンである。

処理液に含有される溶媒は、低溶解性成分および高溶解性成分を溶解させる液体であればよい。処理液に含有される溶媒は、剥離液と相溶性を有する（混和可能である）液体であることが好ましい。相溶性とは、２種類の液体が互いに溶けて混ざり合う性質のことである。
処理膜は、主に、固体状態の低溶解性成分と固体状態の高溶解成分とによって構成されている。処理膜中には、溶媒が残存していてもよい。処理膜は、アンモニア水等のアルカリ性水溶液（アルカリ性液体）、純水、および、中性または酸性の水溶液（非アルカリ性水溶液）よりも有機溶剤に溶解されやすい。処理液に含有される各成分（溶媒、低溶解性成分、高溶解性成分および腐食防止成分）の詳細については後述する。

第２移動ノズル９は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に向けて希釈ＩＰＡ等の剥離液を連続流で供給（吐出）する剥離液ノズル（剥離液供給ユニット）の一例である。剥離液は、除去対象物を保持している状態の処理膜を、基板Ｗの上面から剥離するための液体である。
第２移動ノズル９は、第２ノズル移動ユニット３６によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第２移動ノズル９は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置（退避位置）との間で移動することができる。

第２移動ノズル９は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の中央領域に対向する。第２移動ノズル９は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第２移動ノズル９は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。
第２ノズル移動ユニット３６は、第１ノズル移動ユニット３５と同様の構成を有している。すなわち、第２ノズル移動ユニット３６は、第２移動ノズル９に結合されて水平に延びるアーム（図示せず）と、アームに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含んでいてもよい。

第２移動ノズル９は、第２移動ノズル９に剥離液を案内する上側剥離液配管４１に接続されている。上側剥離液配管４１に介装された上側剥離液バルブ５１が開かれると、剥離液が、第２移動ノズル９の吐出口から下方に連続流で吐出される。第２移動ノズル９が中央位置に位置するときに上側剥離液バルブ５１が開かれると、剥離液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。

剥離液としては、処理液に含有されている低溶解性成分よりも処理液に含有されている高溶解性成分を溶解させやすい液体が用いられる。剥離液は、たとえば、希釈ＩＰＡ等の希釈有機溶剤である。希釈有機溶剤とは、有機溶剤を純水で希釈したものであり、有機溶剤と純水との混合液である。本実施形態では、純水としてＤＩＷが用いられる。
剥離液が希釈ＩＰＡである場合、剥離液中のＩＰＡの質量パーセント濃度は、１％以上で３３％以下であることが好ましく、１２％以上で３３％以下であることがより好ましく、２０％以上で３３％以下であることがより一層好ましい。

剥離液中のＩＰＡの質量パーセント濃度が１％以上で３３％以下であれば、基板Ｗ上の処理膜を適度に溶解させながら基板Ｗから処理膜を剥離することができる。
剥離液は、基板Ｗの上面を親水化させる（親水性を高める）ことができる液体である。親水性は、水に対する親和性のことである。親水性は、濡れ性ともいう。親水性の指標として接触角が挙げられる。

接触角とは、或る固体の上に液体を滴下したときにできる液滴のふくらみ（液の高さ）の程度を数値化したものである。具体的には、接触角とは、固体の表面に付着した液を横から見たときに、液面と固体の表面とのなす角度のことである。接触角が大きいほどその固体の表面の濡れ性が低く、接触角が小さいほどその固体の表面の濡れ性が高い。
図３は、基板Ｗ上の純水の液滴およびその周辺の模式図である。基板Ｗの表面に対する純水の接触角θは、０°よりも大きく、４１．７°よりも小さいことが好ましい。基板Ｗの表面に対する純水の接触角が０°よりも大きく、４１．７°よりも小さければ、剥離液によって基板Ｗの表面から処理膜が剥離されやすい。基板Ｗの表面に対する純水の接触角θは、０°よりも大きく、３６．０°以下であることがより好ましい。基板Ｗの表面に対する純水の接触角θは、０°よりも大きく３２．７°以下であることがより一層好ましい。

希釈ＩＰＡ中のＩＰＡの質量パーセント濃度が１２％以上であれば、基板Ｗの表面に対する希釈ＩＰＡの接触角が４１．７°よりも小さくなる。希釈ＩＰＡ中のＩＰＡの質量パーセント濃度が１２％以上であれば、基板Ｗの表面を適度に親水化することができる。
次に、基板Ｗの表面が親水化される様子について説明する。図４は、剥離液によって基板Ｗの表面が親水化される様子を説明するための模式図である。剥離液として希釈ＩＰＡ等の希釈有機溶剤を用いた場合には、図４に示すように、基板Ｗの表面に存在する疎水性の有機物１７０が剥離液に溶解されて基板Ｗの表面が親水化される。希釈有機溶剤に溶解しにくい有機物１７０Ａが基板Ｗの表面に存在する場合は、基板Ｗの表面の親水化後においても当該有機物１７０Ａが基板Ｗ上に残る。

有機物は、基板Ｗの表面に存在する除去対象物の一部であり、有機溶剤で有機物を除去したとしても、除去対象物の除去が充分とはいえない。そのため、希釈有機溶剤によって基板Ｗの表面が親水化される場合であっても、処理膜の剥離によって除去対象物を除去する必要がある。
Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、ＳｉＧｅ、Ｇｅ、ＳｉＣＮ、Ｗ、ＴｉＮ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｕおよびａ−Ｃの少なくともいずれか露出している表面を有する基板Ｗは、剥離液によって親水化可能である。特に、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、Ｗ、ＴｉＮ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｕおよびａ−Ｃの少なくともいずれか露出している表面を有する基板Ｗであれば、剥離液によって親水化されやすく、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、Ｗ、ＴｉＮ、ＣｏおよびＣｕのうちのいずれかが露出している表面を有する基板Ｗは、剥離液によって一層親水化されやすい。

処理膜に対する純水の接触角が５２°よりも大きく６１°よりも小さければ、基板Ｗと処理膜との界面に後述する剥離液を充分に作用させることができる。処理液を用いれば、純水の接触角が５２°よりも大きく６１°よりも小さい処理膜を形成することができる。
中央ノズル１２は、対向部材６の中空軸６０の内部空間６０ａに収容されている。中央ノズル１２の先端に設けられた吐出口１２ａは、連通孔６ｂから露出しており、基板Ｗの上面の中央領域に上方から対向している。

中央ノズル１２は、流体を下方に吐出する複数のチューブ（第１チューブ３１、第２チューブ３２および第３チューブ３３）と、複数のチューブを取り囲む筒状のケーシング３０とを含む。
複数のチューブおよびケーシング３０は、回転軸線Ａ１に沿って上下方向に延びている。中央ノズル１２の吐出口１２ａは、第１チューブ３１の吐出口でもあり、第２チューブ３２の吐出口でもあり、第３チューブ３３の吐出口でもある。

第１チューブ３１（中央ノズル１２）は、ＤＩＷ等のリンス液を基板Ｗの上面に供給するリンス液供給ユニットの一例である。第２チューブ３２（中央ノズル１２）は、ＩＰＡ等の残渣除去液を基板Ｗの上面に供給する残渣除去液供給ユニットの一例である。第３チューブ３３（中央ノズル１２）は、窒素ガス（Ｎ_２）等の気体を基板Ｗの上面と対向部材６の対向面６ａとの間に供給する気体供給ユニットの一例である。中央ノズル１２は、リンス液ノズルでもあり、残渣除去液ノズルでもあり、気体ノズルでもある。

第１チューブ３１は、リンス液を第１チューブ３１に案内する上側リンス液配管４２に接続されている。上側リンス液配管４２に介装された上側リンス液バルブ５２が開かれると、リンス液が、第１チューブ３１（中央ノズル１２）から基板Ｗの上面の中央領域に向けて連続流で吐出される。
リンス液は、基板Ｗの表面に付着した液体を洗い流す液体である。リンス液としては、ＤＩＷ、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水、還元水（水素水）等が挙げられる。

第２チューブ３２は、ＩＰＡ等の残渣除去液を第２チューブ３２に案内する残渣除去液配管４３に接続されている。残渣除去液配管４３に介装された残渣除去液バルブ５３が開かれると、残渣除去液が、第２チューブ３２（中央ノズル１２）から基板Ｗの上面の中央領域に向けて連続流で吐出される。
残渣除去液は、剥離液としての希釈有機溶剤中の有機溶剤と同じ物質（有機化合物）からなる有機溶剤である。そのため、残渣除去液は、剥離液と相溶性を有する。残渣除去液は、剥離液によって基板Ｗの上面から剥離されて排除された後に基板Ｗの上面に残る処理膜の残渣を溶解して除去する。残渣除去液は、残渣溶解液ともいう。

残渣除去液は、表面張力がリンス液よりも低い低表面張力液体であることが好ましい。後述する基板処理では、基板Ｗ上のリンス液が振り切られることによって、基板Ｗの上面が乾燥されるのではなく、基板Ｗ上のリンス液が残渣除去液によって置換された後に、基板Ｗ上の残渣除去液が振り切られることによって基板Ｗの上面が乾燥される。そのため、残渣除去液が低表面張力液体であれば、基板Ｗの上面が乾燥される際に基板Ｗの上面に作用する表面張力を低減することができる。

残渣除去液および低表面張力液体として機能する有機溶剤としては、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、メタノール、エタノール、アセトン、ＰＧＥＥ（プロピレングリコールモノエチルエーテル）およびTrans-1,2-ジクロロエチレンのうちの少なくとも１つを含む液等が挙げられる。
残渣除去液および低表面張力液体として機能する有機溶剤は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、ＩＰＡとＤＩＷとの混合液であってもよいし、ＩＰＡとＨＦＥとの混合液であってもよい。

第３チューブ３３は、気体を第３チューブ３３に案内する気体配管４４に接続されている。気体配管４４に介装された気体バルブ５４が開かれると、気体が、第３チューブ３３（中央ノズル１２）から下方に連続流で吐出される。
第３チューブ３３から吐出される気体は、たとえば、窒素ガス等の不活性ガスである。第３チューブ３３から吐出される気体は、空気であってもよい。不活性ガスとは、窒素ガスに限られず、基板Ｗの上面に対して不活性なガスのことである。不活性ガスの例としては、窒素ガスの他に、アルゴン等の希ガス類が挙げられる。

下面ノズル１３は、スピンベース２１の上面中央部で開口する貫通孔２１ａに挿入されている。下面ノズル１３の吐出口１３ａは、スピンベース２１の上面から露出されている。下面ノズル１３の吐出口１３ａは、基板Ｗの下面（下側の表面）の中央領域に下方から対向する。基板Ｗの下面の中央領域とは、基板Ｗの下面において基板Ｗの回転中心を含む領域のことである。

下面ノズル１３には、リンス液、剥離液、および熱媒を下面ノズル１３に共通に案内する共通配管８０の一端が接続されている。共通配管８０の他端には、共通配管８０にリンス液を案内する下側リンス液配管８１と、共通配管８０に剥離液を案内する下側剥離液配管８２と、共通配管８０に熱媒を案内する熱媒配管８３とが接続されている。
下側リンス液配管８１に介装された下側リンス液バルブ８６が開かれると、リンス液が、下面ノズル１３から基板Ｗの下面の中央領域に向けて連続流で吐出される。下側剥離液配管８２に介装された下側剥離液バルブ８７が開かれると、剥離液が、下面ノズル１３から基板Ｗの下面の中央領域に向けて連続流で吐出される。熱媒配管８３に介装された熱媒バルブ８８が開かれると、熱媒が、下面ノズル１３から基板Ｗの下面の中央領域に向けて連続流で吐出される。

下面ノズル１３は、基板Ｗの下面にリンス液を供給する下側リンス液供給ユニットの一例である。また、下面ノズル１３は、基板Ｗの下面に剥離液を供給する下側剥離液供給ユニットの一例である。また、下面ノズル１３は、基板Ｗを加熱するための熱媒を基板Ｗに供給する熱媒供給ユニットの一例である。下面ノズル１３は、基板Ｗを加熱する基板加熱ユニットでもある。

下面ノズル１３から吐出されるリンス液は、中央ノズル１２から吐出されるリンス液と同様であるため、記載を省略する。下面ノズル１３から吐出される剥離液は、第２移動ノズル９から吐出される剥離液と同様であるため、記載を省略する。
下面ノズル１３から吐出される熱媒は、たとえば、室温よりも高く、処理液に含まれる溶媒の沸点よりも低い温度の高温ＤＩＷである。処理液に含まれる溶媒がＩＰＡである場合、熱媒としては、たとえば、６０℃〜８０℃のＤＩＷが用いられる。下面ノズル１３から吐出される熱媒は、高温ＤＩＷには限られず、室温よりも高く、処理液に含有される溶媒の沸点よりも低い温度の高温不活性ガスや高温空気等の高温気体であってもよい。

図５は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を示すブロック図である。コントローラ３は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。
具体的には、コントローラ３は、プロセッサ（ＣＰＵ）３Ａと、制御プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含む。コントローラ３は、プロセッサ３Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。

とくに、コントローラ３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、スピンモータ２３、第１ノズル移動ユニット３５、第２ノズル移動ユニット３６、対向部材昇降ユニット６１、対向部材回転ユニット６２、ガード昇降ユニット７４、処理液バルブ５０、上側剥離液バルブ５１、上側リンス液バルブ５２、残渣除去液バルブ５３、気体バルブ５４、下側リンス液バルブ８６、下側剥離液バルブ８７および熱媒バルブ８８を制御するようにプログラムされている。コントローラ３によってバルブが制御されることによって、対応するノズルからの処理流体の吐出の有無や、対応するノズルからの処理流体の吐出流量が制御される。

図６は、基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗの表層１５０の詳細の一例を示している。基板Ｗの表層１５０には、半導体層１５１と、絶縁層１５２と、バリア層１５３とが設けられている。半導体層１５１は、たとえば、Ｓｉ（シリコン）によって形成されている。半導体層１５１の表層部には、不純物領域１５４が形成されている。
絶縁層１５２は、たとえば、ＳｉＯ_２（酸化シリコン）によって形成されている。不純物領域１５４の上方には、絶縁層１５２を貫通するコンタクト孔１５５が設けられている。

バリア層１５３は、絶縁層１５２の上面およびコンタクト孔１５５の内面に形成されている。バリア層１５３は、ＴｉＮ（窒化チタン）によって形成されたＴｉＮ層であり、ＡＬＤ（原子層堆積）法等によって成膜されている。そのため、基板Ｗの表面には、ＴｉＮが露出されている。
絶縁層１５２にコンタクト孔１５５が等間隔で設けられており、絶縁層１５２およびコンタクト孔１５５によって微細な凹凸パターンが形成されていてもよい。この場合、バリア層１５３は、凹凸パターンに倣う形状を有している。

図７は、基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗの表層１５０の詳細の別の例を示している。基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗの表層１５０には、図７に示すように、基板Ｗの表層１５０には、半導体層１５１、絶縁層１５２、およびバリア層１５３に加えて、金属層１５６が設けられていてもよい。金属層１５６は、たとえば、Ｗ（タングステン）によって形成されたタングステン層であり、ＣＶＤ（化学気相成長）法等によって成膜されている。金属層１５６は、コンタクト孔１５５を埋め、かつ、バリア層１５３の全体を覆っている。そのため、金属層１５６の表面は、平坦面である。図７に示す基板Ｗの表面には、金属層１５６を構成する金属が露出されている。金属層１５６がタングステンによって形成されている場合、基板Ｗの表面には、タングステンが露出される。

図８は、基板処理装置１による基板処理の一例を説明するための流れ図である。図８は、主として、コントローラ３がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。図９Ａ〜図９Ｆは、基板処理の各工程の様子を説明するための模式図である。
基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図８に示すように、基板搬入工程（ステップＳ１）、処理液供給工程（ステップＳ２）、処理膜形成工程（ステップＳ３）、剥離液供給工程（ステップＳ４）、リンス工程（ステップＳ５）、残渣除去液供給工程（ステップＳ６）、スピンドライ工程（ステップＳ７）および基板搬出工程（ステップＳ８）がこの順番で実行される。

以下では、主に図２および図８を参照する。図９Ａ〜図９Ｆについては適宜参照する。
まず、未処理の基板Ｗは、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ（図１参照）によってキャリヤＣから処理ユニット２に搬入され、スピンチャック５に渡される（ステップＳ１）。これにより、基板Ｗは、スピンチャック５によって水平に保持される（基板保持工程）。基板Ｗの搬入時には、対向部材６は、上位置に退避している。

スピンチャック５による基板Ｗの保持は、スピンドライ工程（ステップＳ７）が終了するまで継続される。基板保持工程が開始されてからスピンドライ工程（ステップＳ７）が終了するまでの間、ガード昇降ユニット７４は、少なくとも一つのガード７１が上位置に位置するように、第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂの高さ位置を調整する。
基板Ｗがスピンチャック５に保持された状態で、スピンモータ２３が、スピンベース２１を回転させる。これにより、水平に保持された基板Ｗの回転が開始される（基板回転工程）。対向部材回転ユニット６２は、対向部材６を、スピンベース２１と同期回転させてもよい。同期回転とは、スピンベース２１と同じ回転方向に同じ回転速度で対向部材６を回転させることである。

次に、搬送ロボットＣＲが処理ユニット２外に退避した後、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液供給工程（ステップＳ２）が実行される。具体的には、対向部材６が退避位置に位置する状態で、第１ノズル移動ユニット３５が、第１移動ノズル８を処理位置に移動させる。第１移動ノズル８の処理位置は、たとえば、中央位置である。対向部材６が退避位置に位置するとき、各移動ノズルが対向部材６と基板Ｗとの間を水平移動できる。退避位置は、上位置であってもよい。

第１移動ノズル８が処理位置に位置する状態で、処理液バルブ５０が開かれる。これにより、図９Ａに示すように、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、第１移動ノズル８から処理液が供給（吐出）される（処理液供給工程、処理液吐出工程）。基板Ｗの上面に供給された処理液は、遠心力によって、基板Ｗの全体に広がる。これにより、基板Ｗ上に処理液の液膜１０１（処理液膜）が形成される（処理液膜形成工程）。

第１移動ノズル８からの処理液の供給は、所定時間、たとえば、２秒〜４秒の間継続される。処理液供給工程において、基板Ｗは、所定の処理液回転速度、たとえば、１０ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍで回転される。
次に、図９Ｂおよび図９Ｃに示す処理膜形成工程（ステップＳ３）が実行される。処理膜形成工程では、基板Ｗ上の処理液が固化または硬化されて、基板Ｗ上に存在する除去対象物を保持する処理膜１００（図９Ｃを参照）が基板Ｗの上面に形成される。

処理膜形成工程では、まず、基板Ｗ上の処理液の液膜１０１の厚さを薄くする処理液薄膜化工程（処理液スピンオフ工程）が実行される。具体的には、処理液バルブ５０が閉じられる。これにより、図９Ｂに示すように、基板Ｗに対する処理液の供給が停止される。そして、第１ノズル移動ユニット３５によって第１移動ノズル８がホーム位置に移動される。

図９Ｂに示すように、処理液薄膜化工程では、基板Ｗの上面への処理液の供給が停止された状態で基板Ｗが回転するため、基板Ｗの上面から処理液の一部が排除される。これにより、基板Ｗ上の液膜１０１の厚さが適切な厚さになる。第１移動ノズル８がホーム位置に移動した後も、対向部材６は、退避位置に維持される。
処理液薄膜化工程では、スピンモータ２３が、基板Ｗの回転速度を所定の処理液薄膜化速度に変更する。処理液薄膜化速度は、たとえば、３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍである。基板Ｗの回転速度は、３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍの範囲内で一定に保たれてもよいし、処理液薄膜化工程の途中で３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍの範囲内で適宜変更されてもよい。処理液薄膜化工程は、所定時間、たとえば、３０秒間実行される。

処理膜形成工程では、処理液薄膜化工程後に、処理液の液膜１０１から溶媒の一部を蒸発（揮発）させる処理液溶媒蒸発工程が実行される。処理液溶媒蒸発工程では、基板Ｗ上の処理液の溶媒の一部を蒸発させるために、基板Ｗ上の液膜１０１を加熱する。
具体的には、図９Ｃに示すように、対向部材昇降ユニット６１が、対向部材６を、近接位置に移動させる。近接位置は、下位置であってもよい。近接位置は、基板Ｗの上面から対向面６ａまでの距離がたとえば１ｍｍの位置である。

そして、気体バルブ５４が開かれる。これにより、基板Ｗの上面（液膜１０１の上面）と、対向部材６の対向面６ａとの間の空間に気体が供給される（気体供給工程）。
基板Ｗ上の液膜１０１に気体が吹き付けられることによって、液膜１０１中の溶媒の蒸発（揮発）が促進される（処理液溶媒蒸発工程、処理液溶媒蒸発促進工程）。そのため、処理膜１００の形成に必要な時間を短縮することができる。処理膜形成工程において、中央ノズル１２は、処理液中の溶媒を蒸発させる蒸発ユニット（蒸発促進ユニット）として機能する。

液膜１０１処理液薄膜化工程によって処理液の一部が基板Ｗから排除された後も、対向部材６および基板Ｗの回転は継続される。そのため、対向部材６および基板Ｗの回転に起因する遠心力が中央ノズル１２から吐出される気体に作用する。遠心力の作用により、当該気体が基板Ｗの中心側から周縁側に向かう気流が形成される。そのため、液膜１０１に接する気体状態の溶媒が対向部材６と基板Ｗとの間の空間からの排除が促進される。これにより、液膜１０１中の溶媒の蒸発が促進される。このように、対向部材６およびスピンモータ２３は、処理液中の溶媒を蒸発(揮発)させる蒸発ユニット（蒸発促進ユニット）として機能する。対向部材６が回転しておらず、基板Ｗのみが回転していてもよい。

また、熱媒バルブ８８が開かれる。これにより、図９Ｃに示すように、回転状態の基板Ｗの下面の中央領域に向けて、下面ノズル１３から熱媒が供給（吐出）される（熱媒供給工程、熱媒吐出工程）。下面ノズル１３から基板Ｗの下面に供給された熱媒は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの下面の全体に行き渡る。
基板Ｗに対する熱媒の供給は、所定時間、たとえば、６０秒間継続される。処理液溶媒蒸発工程において、基板Ｗは、所定の蒸発回転速度、たとえば、１０００ｒｐｍで回転される。

基板Ｗの下面に熱媒が供給されることによって、基板Ｗを介して、基板Ｗ上の液膜１０１が加熱される。これにより、液膜１０１中の溶媒の蒸発（揮発）が促進される（処理液溶媒蒸発工程、処理液溶媒蒸発促進工程）。そのため、処理膜１００の形成に必要な時間を短縮することができる。処理膜形成工程においても、下面ノズル１３は、処理液中の溶媒を蒸発(揮発)させる蒸発ユニット（蒸発促進ユニット）として機能する。

処理液薄膜化工程および処理液溶媒蒸発工程が実行されることによって、処理液が固化または硬化される。これにより、除去対象物を保持する処理膜１００が基板Ｗの上面全体に形成される。
このように、基板回転ユニット（スピンモータ２３）、対向部材回転ユニット６２、中央ノズル１２および下面ノズル１３は、処理液を固化または硬化させて固形の処理膜１００を形成する処理膜形成ユニットを構成している。

気体の吹き付け、基板Ｗの回転、および基板Ｗの加熱を利用すれば処理膜１００を速やかに形成することができるが、気体の吹き付けおよび基板Ｗの回転によって処理膜１００を形成することも可能である。つまり、処理膜１００の形成には、熱媒による加熱は必ずしも必要ではない。そのため、基板Ｗへの熱媒の供給は、省略することが可能である。
処理液溶媒蒸発工程では、基板Ｗの温度が溶媒の沸点未満となるように、基板Ｗが加熱されることが好ましい。基板Ｗを溶媒の沸点未満の温度に加熱することにより、溶媒が蒸発し尽されることを抑制でき、処理膜１００中に溶媒を適度に残留させることができる。これにより、処理膜１００内に溶媒が残留していない場合と比較して、その後の剥離液供給工程（ステップＳ４）において、剥離液を処理膜１００に作用させやすい。

次に、基板Ｗの上面に向けて剥離液を供給する剥離液供給工程（ステップＳ４）が実行される。具体的には、熱媒バルブ８８が閉じられる。これにより、基板Ｗの下面に対する熱媒の供給が停止される。また、気体バルブ５４が閉じられる。これにより、対向部材６の対向面６ａと基板Ｗの上面との間の空間への気体の供給が停止される。
そして、対向部材昇降ユニット６１が対向部材６を退避位置に移動させる。対向部材６が退避位置に位置する状態で、第２ノズル移動ユニット３６が、第２移動ノズル９を処理位置に移動させる。第２移動ノズル９の処理位置は、たとえば、中央位置である。

そして、第２移動ノズル９が処理位置に位置する状態で、上側剥離液バルブ５１が開かれる。これにより、図９Ｄに示すように、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、第２移動ノズル９から剥離液が供給（吐出）される（上側剥離液供給工程、上側剥離液吐出工程）。基板Ｗの上面に供給された剥離液は、遠心力により、基板Ｗの上面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの上面の処理膜１００が剥離され、剥離液とともに基板Ｗ外に排除される。

上側剥離液バルブ５１が開かれると同時に、下側剥離液バルブ８７が開かれる。これにより、図９Ｄに示すように、回転状態の基板Ｗの下面の中央領域に向けて、下面ノズル１３から剥離液が供給（吐出）される（下側剥離液供給工程、下側剥離液吐出工程）。基板Ｗの下面に供給された剥離液は、遠心力により、基板Ｗの下面の全体に広がる。
基板Ｗの上面および下面に対する剥離液の供給は、所定時間、たとえば、６０秒間継続される。剥離液供給工程において、基板Ｗは、所定の剥離回転速度、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。

ここで、図９Ａに示す処理液供給工程（ステップＳ２）で基板Ｗの上面に供給された処理液は、基板Ｗの周縁を伝って基板Ｗの下面に付着し、基板Ｗの下面に付着した処理液が固化または硬化して固体を形成すること場合もあり得る。
そのような場合であっても、図９Ｄに示すように、剥離液供給工程（ステップＳ４）において基板Ｗの上面に剥離液が供給されている間、下面ノズル１３から基板Ｗの下面に剥離液が供給（吐出）される。そのため、基板Ｗの下面に処理液の固体が形成された場合であっても、その固体を基板Ｗの下面から剥離し除去することができる。

剥離液供給工程（ステップＳ４）の後、リンス液によって基板Ｗから剥離液を洗い流すリンス工程（ステップＳ５）が実行される。リンス液によって剥離液が基板Ｗ外に排出されるので、リンス工程（ステップＳ５）は、剥離液排出工程ともいう。
具体的には、上側剥離液バルブ５１および下側剥離液バルブ８７が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対する剥離液の供給が停止される。そして、第２ノズル移動ユニット３６が、第２移動ノズル９をホーム位置に移動させる。そして、図９Ｅに示すように、対向部材昇降ユニット６１が、対向部材６を退避位置と下位置との間の処理位置に移動させる。対向部材６が処理位置に位置するとき、基板Ｗの上面と対向面６ａとの間の距離は、たとえば、３０ｍｍである。

そして、対向部材６が処理位置に位置する状態で、上側リンス液バルブ５２が開かれる。これにより、図９Ｅに示すように、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、中央ノズル１２からリンス液が供給（吐出）される（上側リンス液供給工程、上側リンス液吐出工程）。基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、遠心力により、基板Ｗの上面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの上面に付着していた剥離液が、リンス液とともに基板Ｗ外に排出され、リンス液で置換される（剥離液排出工程）。

また、上側リンス液バルブ５２が開かれると同時に、下側リンス液バルブ８６が開かれる。これにより、図９Ｅに示すように、回転状態の基板Ｗの下面の中央領域に向けて、下面ノズル１３からリンス液が供給（吐出）される（下側リンス液供給工程、下側リンス液吐出工程）。これにより、基板Ｗの下面に付着していた剥離液が、リンス液とともに基板Ｗ外に排出され、リンス液で置換される（下側剥離液排出工程）。

基板Ｗの上面および下面へのリンス液の供給は、所定時間、たとえば、３０秒間継続される。リンス工程（ステップＳ５）において、基板Ｗは、所定の剥離液除去回転速度、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。
次に、ＩＰＡ等の残渣除去液を供給する残渣除去液供給工程（ステップＳ８）が実行される。

具体的には、上側リンス液バルブ５２および下側リンス液バルブ８６が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対するリンス液の供給が停止される。そして、対向部材６が処理位置に位置する状態で、残渣除去液バルブ５３が開かれる。これにより、図９Ｆに示すように、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、中央ノズル１２から残渣除去液が供給（吐出）される（残渣除去液供給工程、残渣除去液吐出工程）。

中央ノズル１２から基板Ｗの上面に供給された残渣除去液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。剥離液によって基板Ｗから処理膜が剥離されて基板Ｗ上から排除された後においても基板Ｗの上面に処理膜の残渣が残っていることある。基板Ｗの上面に供給された残渣除去液は、このような処理膜の残渣を溶解する。遠心力によって、処理膜の残渣を溶解した残渣除去液は、基板Ｗの上面の周縁から排出される。これにより、基板Ｗ上の処理膜の残渣が除去される（残渣除去工程）。

残渣除去液供給工程において、中央ノズル１２からの残渣除去液の吐出は、所定時間、たとえば、３０秒間継続される。残渣除去液供給工程において、基板Ｗは、所定の残渣除去回転速度、たとえば、３００ｒｐｍで回転される。
次に、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗの上面を乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ７）が実行される。具体的には、残渣除去液バルブ５３が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面への有機溶剤の供給が停止される。そして、対向部材昇降ユニット６１が、対向部材６を処理位置よりも下方の乾燥位置に移動させる。対向部材６が乾燥位置に位置するとき、対向部材６の対向面６ａと基板Ｗの上面との間の距離は、たとえば、１．５ｍｍである。そして、気体バルブ５４が開かれる。これにより、基板Ｗの上面と、対向部材６の対向面６ａとの間の空間に気体が供給される。

そして、スピンモータ２３が基板Ｗの回転を加速し、基板Ｗを高速回転させる。スピンドライ工程における基板Ｗは、乾燥速度、たとえば、１５００ｒｐｍで回転される。スピンドライ工程は、所定時間、たとえば、３０秒間の間実行される。それによって、大きな遠心力が基板Ｗ上の有機溶剤に作用し、基板Ｗ上の有機溶剤が基板Ｗの周囲に振り切られる。スピンドライ工程では、基板Ｗの上面と、対向部材６の対向面６ａとの間の空間への気体の供給によって有機溶剤の蒸発が促進される。

そして、スピンモータ２３が基板Ｗの回転を停止させる。ガード昇降ユニット７４が第１ガード７１Ａおよび第２ガード７１Ｂを下位置に移動させる。気体バルブ５４が閉じられる。そして、対向部材昇降ユニット６１が対向部材６を上位置に移動させる。
搬送ロボットＣＲが、処理ユニット２に進入して、スピンチャック５のチャックピン２０から処理済みの基板Ｗをすくい取って、処理ユニット２外へと搬出する（ステップＳ８）。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリヤＣに収納される。

次に、図１０Ａ〜図１０Ｃを用いて、処理膜１００が基板Ｗから剥離される様子を詳細に説明する。図１０Ａ〜図１０Ｃは、処理膜１００が基板Ｗから剥離される様子を説明するための模式図である。
処理膜１００は、図１０Ａに示すように、基板Ｗの表層１５０に付着している除去対象物１０３を保持している。処理膜１００は、高溶解性固体１１０（固体状態の高溶解性成分）と、低溶解性固体１１１（固体状態の低溶解性成分）とを有する。高溶解性固体１１０および低溶解性固体１１１は、処理液に含有される溶媒の少なくとも一部が蒸発することによって形成される。

処理膜１００中には、高溶解性固体１１０と低溶解性固体１１１とが混在している。厳密には、処理膜１００は、高溶解性固体１１０と低溶解性固体１１１とが処理膜１００の全体に均一に分布しているわけではない。処理膜１００には、高溶解性固体１１０が偏在している部分と、低溶解性固体１１１が偏在している部分とが存在している。
図１０Ｂを参照して、剥離液によって、高溶解性固体１１０が溶解される。すなわち、処理膜１００が部分的に溶解される（溶解工程、部分溶解工程）。高溶解性固体１１０が溶解されることによって、処理膜１００において高溶解性固体１１０が偏在している部分に貫通孔１０２が形成される（貫通孔形成工程）。

貫通孔１０２は、特に、処理膜１００の厚さ方向Ｔに高溶解性固体１１０が延びている部分に形成されやすい。貫通孔１０２は、平面視で、たとえば、直径数ｎｍの大きさである。
ここで、処理膜１００中に溶媒が適度に残留している場合には、剥離液は、処理膜１００に残留している溶媒に溶け込みながら処理膜１００を部分的に溶解する。詳しくは、剥離液が高溶解性固体１１０に残留している溶媒に溶け込みながら処理膜１００中の高溶解性固体１１０を溶解して貫通孔１０２を形成する。そのため、処理膜１００内に剥離液が進入しやすい（溶解進入工程）。

剥離液は、貫通孔１０２を通って基板Ｗの上面に到達し、基板Ｗの上面を親水化する（親水化工程）。基板Ｗの上面に親水化されて、基板Ｗの上面に対する純水の接触角が４１．７°よりも小さくなる（接触角低減工程）。基板Ｗの上面に到達した剥離液は、処理膜１００と基板Ｗとの界面に作用して処理膜１００を剥離し、剥離された処理膜１００を基板Ｗの上面から排除する（剥離排除工程）。

詳しくは、剥離液に対する低溶解性成分の溶解性は低く、低溶解性固体１１１は剥離液によって殆ど溶解されない。そのため、低溶解性固体１１１は、剥離液によってその表面付近が僅かに溶解されるだけである。そのため、貫通孔１０２を介して基板Ｗの上面付近まで到達した剥離液は、低溶解性固体１１１において基板Ｗの上面付近の部分を僅かに溶解させる。これにより、図１０Ｂの拡大図に示すように、剥離液が、基板Ｗの上面付近の低溶解性固体１１１を徐々に溶解させながら、処理膜１００と基板Ｗの上面との間の隙間Ｇ１に進入していく（剥離液進入工程）。

そして、たとえば、貫通孔１０２の周縁を起点として処理膜１００が分裂して膜片１０５となり、図１０Ｃに示すように、処理膜１００の膜片１０５が除去対象物１０３を保持している状態で基板Ｗから剥離される（処理膜分裂工程、処理膜剥離工程）。
そして、剥離液の供給を継続することによって、膜片１０５となった処理膜１００が、除去対象物１０３を保持している状態で、剥離液によって洗い流される。言い換えると、除去対象物１０３を保持する膜片１０５が基板Ｗ外に押し出されて基板Ｗの上面から排除される（処理膜排除工程、除去対象物排除工程）。これにより、基板Ｗの上面を良好に洗浄することができる。

以上のように、第１実施形態によれば、基板Ｗの上面に供給された処理液を固化または硬化させることによって、除去対象物１０３を保持する処理膜１００が形成される。その後、基板Ｗの上面に向けて剥離液が供給される。剥離液の供給によって、処理膜１００に貫通孔１０２が形成され、基板Ｗの上面が親水化され、除去対象物１０３を保持している状態の処理膜１００が基板Ｗの上面から剥離される。つまり、貫通孔１０２の形成と、基板Ｗの親水化と、処理膜１００の剥離とが、単一の剥離液の供給によって起こる。

第１実施形態によれば、剥離液は、有機溶剤と水との混合液である。処理膜１００は、水やアンモニア水よりも、有機溶剤に溶解されやすい。そのため、有機溶剤と水との混合液である剥離液は、有機溶剤よりも処理膜１００を溶解しにくい。したがって、剥離液によって処理膜１００が部分的に溶解される。これにより、処理膜１００中に貫通孔１０２（隙間）が形成される。剥離液は、貫通孔１０２を通って基板Ｗの上面に到達することができる。基板Ｗの上面に到達した剥離液は、処理膜１００と基板Ｗとの界面に作用する。

したがって、処理膜１００に貫通孔１０２のような隙間を形成せずに処理膜１００に剥離液を浸透させて処理膜１００と基板Ｗとの界面に剥離液を到達させる方法と比較して、処理膜１００と基板Ｗとの界面に多量の剥離液を速やかに到達させることができる。
剥離液は、希釈有機溶剤である。処理膜１００は、水やアンモニア水よりも、有機溶剤に溶解されやすいため、希釈有機溶剤は、水やアンモニア水と比較して、処理膜１００の溶解性が高い。処理膜１００は、貫通孔１０２の形成のために部分的に剥離液によって溶解されるものの、残りの部分は、固体状態で維持される。そのため、剥離液によって、処理膜１００のうち固体状態で維持されている部分（低溶解性固体１１１）の表面を適度に溶解して、除去対象物１０３を保持している状態の処理膜１００を基板Ｗの上面から効果的に剥離することができる。したがって、有機溶剤を用いずに処理膜１００を剥離する方法と比較して、処理膜１００を効率的に剥離することができる。

第１実施形態によれば、剥離液に対する高溶解性成分の溶解性は、剥離液に対する低溶解性成分の溶解性よりも高い。そのため、高溶解性固体１１０は、低溶解性固体１１１よりも剥離液に溶解しやすい。そのため、高溶解性固体１１０が剥離液に溶解されて処理膜１００中に貫通孔１０２が形成される。その一方で、低溶解性固体１１１は剥離液に溶解されずに固体状態で維持される。

したがって、高溶解性固体１１０を剥離液に溶解させつつ、低溶解性固体１１１を剥離液に溶解させずに固体状態に維持することができる。そのため、剥離液は、高溶解性固体１１０の溶解によって形成された貫通孔１０２を通って、基板Ｗと低溶解性固体１１１との界面に到達する。したがって、低溶解性固体１１１で除去対象物１０３を保持しながら、低溶解性固体１１１と基板Ｗとの界面に剥離液を作用させることができる。その結果、処理膜１００を基板Ｗから速やかに剥離しつつ、処理膜１００とともに除去対象物１０３を基板Ｗから効果的に除去することができる。

第１実施形態によれば、基板Ｗの上面と処理膜１００（低溶解性固体１１１）との間に剥離液が進入する。そのため、処理膜１００と基板Ｗとの界面に剥離液を作用させて処理膜１００を基板Ｗの上面から一層効率良く剥離することができる。
剥離液が希釈ＩＰＡである場合、剥離液におけるＩＰＡの質量パーセント濃度が１２％以上で３３％以下であれば、除去対象物１０３を保持している状態の処理膜１００を基板Ｗの上面から剥離することができるように、処理膜１００の表面を適度に溶解させることができる。

第１実施形態によれば、残渣除去液が、剥離液中の有機溶剤と同じ物質（ＩＰＡ）からなる有機溶剤である。すなわち、剥離液として用いられる希釈有機溶剤中の有機溶剤と、残渣除去液として用いられる有機溶剤とが、同じ有機化合物である。そのため、剥離液中の有機溶剤と残渣除去液として用いられる有機溶剤とが異なる物質（有機化合物）である方法と比較して、使用する液体の種類を少なくできる。したがって、基板Ｗから除去対象物１０３を除去するために要するコストを低減できる。

基板Ｗの上面の親水性が高いほど、基板と処理膜との界面に剥離液が作用しやすく、基板の表面から処理膜を効果的に剥離することができる。第１実施形態では、基板Ｗの上面において貫通孔１０２の形成によって露出した箇所が剥離液によって親水化される。そのため、処理膜１００において貫通孔１０２を取り囲む部分と基板Ｗとの界面に剥離液を効果的に作用させることができる。つまり、処理膜１００と基板Ｗとの間に剥離液を速やかに進入させることができる。したがって、除去対象物１０３を保持している状態の処理膜１００を基板Ｗの上面から効果的に除去することができる。

第１実施形態において、剥離液が希釈有機溶剤であり、残渣除去液が有機溶剤であるため、残渣除去液は剥離液と溶け合う。そのため、第１実施形態の基板処理（図８を参照）において、リンス工程（ステップＳ５）を省略できる。
図１１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の変形例による基板処理に係る剥離液供給工程（ステップＳ４）の様子を説明するための模式図である。当該変形例の基板処理装置１では、第２移動ノズル９に剥離液を供給する上側剥離液配管４１には、ミキシングバルブ９０が接続されている。

ミキシングバルブ９０には、有機溶剤配管９１および純水配管９２が接続されている。有機溶剤配管９１に介装された有機溶剤バルブ９３Ａが開かれることで、ミキシングバルブ９０にＩＰＡ等の有機溶剤が供給される。純水配管９２に介装された純水バルブ９４Ａが開かれることで、ミキシングバルブ９０にＤＩＷ等の純水が供給される。有機溶剤配管９１に介装された有機溶剤調整バルブ９３Ｂの開度と、純水配管９２に介装された純水調整バルブ９４Ｂの開度とを調整することによって、ミキシングバルブ９０内の希釈有機溶剤中の有機溶剤の濃度を調整することができる。

したがって、剥離液供給工程（ステップＳ４）において、基板Ｗの上面に剥離液を供給している途中に、有機溶剤調整バルブ９３Ｂおよび純水調整バルブ９４Ｂの開度を調整して、基板Ｗの上面に供給される剥離液中の有機溶剤の濃度を調整することができる（有機溶剤濃度調整工程）。たとえば、有機溶剤調整バルブ９３Ｂの開度を大きくすることで、基板Ｗの上面へ剥離液を供給している間に、剥離液中の有機溶剤の濃度を大きくすることができる。

有機溶剤の濃度を大きくして、最終的に剥離液に純水が含まれないようにすれば、基板Ｗの上面から処理膜１００の残渣を除去することができる。すなわち、第２移動ノズル９から吐出される有機溶剤を残渣除去液として機能させることができる。これにより、剥離液供給工程の後、残渣除去液供給工程を円滑に開始することができる。
逆に、有機溶剤調整バルブ９３Ｂの開度を小さくすることで、基板Ｗの上面へ剥離液を供給している間に、剥離液中の有機溶剤の濃度を小さくすることができる。

＜第２実施形態＞
図１２は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐに備えられる処理ユニット２の概略構成を示す模式的な部分断面図である。
図１２において、前述の図１〜図１１に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。後述する図１３〜図１５Ｄにおいても同様に、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐが、第１実施形態に係る基板処理装置１（図２を参照）と主に異なる点は、処理ユニット２が、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に向けてアンモニア水等の溶解液を供給（吐出）する第３移動ノズル１０を含む点である。第３移動ノズル１０は、溶解液供給ユニットの一例である。
第３移動ノズル１０は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の中央領域に対向する。第３移動ノズル１０は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第３移動ノズル１０は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。

第３ノズル移動ユニット３７は、第１ノズル移動ユニット３５と同様の構成を有している。すなわち、第３ノズル移動ユニット３７は、第３移動ノズル１０に結合されて水平に延びるアーム（図示せず）と、アームに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含んでいてもよい。

第３移動ノズル１０は、第３移動ノズル１０に溶解液を案内する溶解液配管４５に接続されている。溶解液配管４５に介装された溶解液バルブ５５が開かれると、溶解液が、第３移動ノズル１０の吐出口から下方に連続流で吐出される。第３移動ノズル１０が中央位置に位置するときに溶解液バルブ５５が開かれると、溶解液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。

溶解液は、基板Ｗ上の処理膜を適度に溶解させることができる液体を用いることができる。溶解液は、剥離液とは異なる物質を含有する液体である。
詳しくは、溶解液として、処理液に含有されている低溶解性成分よりも処理液に含有されている高溶解性成分を溶解させやすい液体が用いられる。溶解液は、たとえば、質量パーセント濃度が０．４％のアンモニア水である。

溶解液は、たとえば、アンモニア水以外のアルカリ性水溶液（アルカリ性液体）であってもよい。アンモニア水以外のアルカリ性水溶液の具体例としては、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液、および、コリン水溶液、ならびにこれらのいずれかの組合せが挙げられる。溶解液は、純水（好ましくはＤＩＷ）であってもよいし、中性または酸性の水溶液（非アルカリ性水溶液）であってもよい。

溶解液は、アルカリ性であることが好ましい。溶解液のｐＨは７〜１３であることが好ましい。詳しくは、溶解液のｐＨは、８〜１３であることが好ましく、１０〜１３であることがより好ましく、１１〜１２．５であることがよりさらに好ましい。ｐＨの測定は、空気中の炭酸ガスの溶解による影響を避けるために、脱ガスした後に行うことが好ましい。

溶解液の溶媒の大部分は純水である。溶解液の溶媒に占める純水の割合が５０〜１００質量％（好ましくは７０〜１００質量％、より好ましくは９０〜１００質量％、さらに好ましくは９５〜１００質量％、よりさらに好ましくは９９〜１００質量％）である。「質量％」とは、液体の全体の質量に対する或る成分の質量の割合である。溶解液の溶質の質量パーセント濃度は０．１〜１０％（好ましくは０．２〜８％、さらに好ましくは０．３〜６％）である。

図５に示すように、溶解液バルブ５５および第３ノズル移動ユニット３７は、コントローラ３によって制御される。
図１３は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐによる基板処理の一例を説明するための流れ図である。基板処理装置１Ｐによる基板処理が第１実施形態の基板処理装置１による基板処理（図８を参照）と主に異なる点は、処理膜形成工程（ステップＳ３）と剥離液供給工程（ステップＳ４）との間に、溶解液供給工程（ステップＳ１０）およびリンス工程（ステップＳ１１）がこの順番で実行されることである。以下では、溶解液供給工程（ステップＳ１０）およびリンス工程（ステップＳ１１）を中心に基板処理装置１Ｐによる基板処理について説明する。

なお、基板処理装置１Ｐの処理対象となる基板Ｗの構成については、基板処理装置１の処理対象となる基板と同様である。すなわち、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、ＳｉＧｅ、Ｇｅ、ＳｉＣＮ、Ｗ、ＴｉＮ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｕおよびａ−Ｃの少なくともいずれか露出している表面を有する基板Ｗを用いることができる。
図１４Ａは、溶解液供給工程（ステップＳ１０）の様子を説明するための模式図である。図１４Ｂは、リンス工程（ステップＳ１１）の様子を説明するための模式図である。処理膜形成工程（ステップＳ３）が終了した後、以下のように溶解液供給工程（ステップＳ１０）が実行される。

まず、熱媒バルブ８８が閉じられる。これにより、基板Ｗの下面に対する熱媒の供給が停止される。また、気体バルブ５４が閉じられる。これにより、対向部材６の対向面６ａと基板Ｗの上面との間の空間への気体の供給が停止される。
そして、対向部材昇降ユニット６１が対向部材６を退避位置に移動させる。対向部材６が上位置に位置する状態で、第３ノズル移動ユニット３７が、第３移動ノズル１０を処理位置に移動させる。第３移動ノズル１０の処理位置は、たとえば、中央位置である。

そして、第３移動ノズル１０が処理位置に位置する状態で、溶解液バルブ５５が開かれる。これにより、図１４Ａに示すように、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、第３移動ノズル１０から溶解液が供給（吐出）される（溶解液供給工程、溶解液吐出工程）。基板Ｗの上面に供給された溶解液は、遠心力により、基板Ｗの上面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの上面の処理膜１００が溶解液に部分的に溶解され、溶解液によって溶解された成分が溶解液とともに基板Ｗ外に排出される。

基板Ｗの上面に対する溶解液の供給は、所定時間、たとえば、６０秒間継続される。溶解液供給工程において、基板Ｗは、所定の溶解回転速度、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。
溶解液供給工程（ステップＳ１０）の後、以下で説明するリンス工程（ステップＳ１１）が実行される。このリンス工程では、リンス液によって基板Ｗから溶解液が洗い流される。リンス液によって溶解液が基板Ｗ外に排出されるので、リンス工程（ステップＳ１１）は、溶解液排出工程ともいう。

リンス工程（ステップＳ１１）では、まず、溶解液バルブ５５が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面に対する溶解液の供給が停止される。そして、第３ノズル移動ユニット３７が、第３移動ノズル１０をホーム位置に移動させる。そして、図１４Ｂに示すように、対向部材昇降ユニット６１が、対向部材６を処理位置に移動させる。
そして、対向部材６が処理位置に位置する状態で、上側リンス液バルブ５２が開かれる。これにより、図１４Ｂに示すように、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、中央ノズル１２からリンス液が供給（吐出）される（上側リンス液供給工程、上側リンス液吐出工程）。基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、遠心力により、基板Ｗの上面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの上面に付着していた溶解液が、リンス液とともに基板Ｗ外に排出され、リンス液で置換される（溶解液排出工程）。

また、上側リンス液バルブ５２が開かれると同時に、下側リンス液バルブ８６が開かれる。これにより、図１４Ｂに示すように、回転状態の基板Ｗの下面の中央領域に向けて、下面ノズル１３からリンス液が供給（吐出）される（下側リンス液供給工程、下側リンス液吐出工程）。これにより、基板Ｗの上面に付着していた溶解液が基板Ｗの周縁部を伝って基板Ｗの上面から基板Ｗの下面に移動することによって基板Ｗの下面に溶解液が付着した場合であっても、基板Ｗの下面の溶解液がリンス液で洗い流される。

基板Ｗの上面および下面へのリンス液の供給は、所定時間、たとえば、３０秒間継続される。リンス工程（ステップＳ１１）において、基板Ｗは、所定の溶解液排出回転速度、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。
図１３に示すように、リンス工程（ステップＳ１１）の後、剥離液供給工程（ステップＳ４。図９Ｄも参照。）が実行される。さらにその後、リンス工程（ステップＳ５）〜基板搬出工程（ステップＳ８）が順次に実行される。

次に、図１５Ａ〜図１５Ｄを用いて、第２実施形態に係る基板処理において処理膜１００が基板Ｗから剥離される様子を詳細に説明する。図１５Ａ〜図１５Ｄは、第２実施形態に係る基板処理において処理膜１００が基板Ｗから剥離される様子を説明するための模式図である。
図１５Ａに示すように、処理膜１００は、第１実施形態に係る基板処理と同様の構成を有している。すなわち、処理膜１００は、図１５Ａに示すように、基板Ｗの表層１５０に付着している除去対象物１０３を保持しており、高溶解性固体１１０と、低溶解性固体１１１とを有する。

第２実施形態に係る基板処理では、図１５Ｂを参照して、処理膜１００が形成されている状態の基板Ｗの上面に向けて溶解液が供給される（溶解液供給工程）。基板Ｗの上面に供給された溶解液によって、高溶解性固体１１０が溶解される。すなわち、処理膜１００が部分的に溶解される（溶解工程、部分溶解工程）。
高溶解性固体１１０が溶解されることによって、処理膜１００において高溶解性固体１１０が偏在している部分に貫通孔１０２が形成される（貫通孔形成工程）。溶解液によって、貫通孔１０２は形成されるが、処理膜１００の剥離までは起こらない。

ここで、処理膜１００中に溶媒が適度に残留している場合には、溶解液は、処理膜１００に残留している溶媒に溶け込みながら処理膜１００を部分的に溶解する。詳しくは、溶解液が高溶解性固体１１０に残留している溶媒に溶け込みながら処理膜１００中の高溶解性固体１１０を溶解して貫通孔１０２を形成する。そのため、処理膜１００内に溶解液が進入しやすい（溶解液進入工程）。

そして、リンス液によって溶解液が除去された後、基板Ｗの上面に向けて剥離液が供給される（剥離液供給工程）。図１５Ｃに示すように、剥離液は、溶解液によって形成された貫通孔１０２を通って基板Ｗの上面に到達する。これにより、基板Ｗの上面において、貫通孔１０２の形成によって露出された部分を親水化する（親水化工程）。基板Ｗの上面に親水化されて、基板Ｗの上面に対する純水の接触角が４１．７°よりも小さくなる（接触角低減工程）。

基板Ｗの上面に到達した剥離液は、処理膜１００と基板Ｗとの界面に作用して処理膜１００を剥離し、剥離された処理膜１００を基板Ｗの上面から排除する（剥離排除工程）。
詳しくは、剥離液に対する低溶解性成分の溶解性は低く、低溶解性固体１１１は剥離液によって殆ど溶解されない。そのため、低溶解性固体１１１は、剥離液によってその表面付近が僅かに溶解されるだけである。そのため、貫通孔１０２を介して基板Ｗの上面付近まで到達した剥離液は、低溶解性固体１１１において基板Ｗの上面付近の部分を僅かに溶解させる。これにより、図１５Ｃの拡大図に示すように、剥離液が、基板Ｗの上面付近の低溶解性固体１１１を徐々に溶解させながら、処理膜１００と基板Ｗの上面との間の隙間Ｇ１に進入していく（剥離液進入工程）。

剥離液が隙間Ｇ１に進入する過程で、貫通孔１０２の周縁を起点として処理膜１００が分裂して膜片１０５となり、図１５Ｄに示すように、処理膜１００の膜片１０５が除去対象物１０３を保持している状態で基板Ｗから剥離される（処理膜分裂工程、処理膜剥離工程）。

処理膜１００が剥離され始めた後においても剥離液の供給を継続することによって、膜片１０５となった処理膜１００が、除去対象物１０３を保持している状態で、剥離液によって洗い流される。言い換えると、除去対象物１０３を保持する膜片１０５が基板Ｗ外に押し出されて基板Ｗの上面から排除される（処理膜排除工程、除去対象物排除工程）。これにより、基板Ｗの上面を良好に洗浄することができる。

以上のように、第２実施形態によれば、処理膜１００が形成されている基板Ｗの上面に向けて溶解液および剥離液がそれぞれ供給される。溶解液の供給によって、処理膜１００に貫通孔１０２が形成される。そして、剥離液の供給によって、基板Ｗの上面が親水化され、かつ、処理膜１００が基板Ｗの上面から剥離される。つまり、貫通孔１０２の形成と、基板Ｗの親水化および処理膜１００の剥離とが、異なる液体の供給によって起こる。

第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。ただし、第２実施形態では、第１実施形態とは異なり、処理膜１００が形成された後で、剥離液が基板Ｗに供給される前に、溶解液が基板Ｗに供給される。
第２実施形態において、高溶解性固体１１０の溶解性と低溶解性固体１１１の溶解性との差が剥離液よりも大きい液体（たとえば、アンモニア水等のアルカリ性液体）を溶解液として用いれば、より選択的に高溶解性固体１１０を溶解させて貫通孔１０２を形成した後に、剥離液によって低溶解性固体１１１を基板Ｗから剥離することができる。つまり、溶解液による低溶解性固体１１１のロスを抑制でき、低溶解性固体１１１からの除去対象物の離脱を抑制できる。したがって、除去対象物１０３を保持している状態の処理膜１００を効果的に剥離することができる。
また、剥離液に対する高溶解性固体１１０の溶解性を考慮することなく剥離液を選択することができるため、剥離液の選択の自由度が向上する。

＜第３実施形態＞
図１６は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置１Ｑに備えられる処理ユニット２の概略構成を示す模式的な部分断面図である。
図１６において、前述の図１〜図１５Ｄに示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。後述する図１７〜図２３Ｂにおいても同様に、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第３実施形態に係る基板処理装置１Ｑが、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐ（図１２を参照）と主に異なる点は、処理ユニット２が、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に向けてＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）等の親水化液を供給（吐出）する第４移動ノズル１１を含む点である。第４移動ノズル１１は、親水化液供給ユニットの一例である。

第４移動ノズル１１は、中心位置に位置するとき、基板Ｗの上面の中央領域に対向する。第４移動ノズル１１は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。第４移動ノズル１１は、鉛直方向への移動によって、基板Ｗの上面に接近したり、基板Ｗの上面から上方に退避したりできる。
第４ノズル移動ユニット３８は、第１ノズル移動ユニット３５と同様の構成を有している。すなわち、第４ノズル移動ユニット３８は、第４移動ノズル１１に結合されて水平に延びるアーム（図示せず）と、アームに結合され鉛直方向に沿って延びる回動軸（図示せず）と、回動軸を昇降させたり回動させたりする回動軸駆動ユニット（図示せず）とを含んでいてもよい。

第４移動ノズル１１は、第４移動ノズル１１に親水化液を案内する親水化液配管４６に接続されている。親水化液配管４６に介装された親水化液バルブ５６が開かれると、親水化液が、第４移動ノズル１１の吐出口から下方に連続流で吐出される。第４移動ノズル１１が中央位置に位置するときに親水化液バルブ５６が開かれると、親水化液が基板Ｗの上面の中央領域に供給される。

親水化液は、基板Ｗの表面を適度に親水化する（親水性を高める）ことができる液体である。親水化液は、溶解液および剥離液とは異なる物質を含有する液体である。親水化液は、たとえば、ＳＣ１等の酸化液である。酸化液は、酸化力を有する物質（酸化剤）を含有する液体である。酸化液としては、ＳＣ１の他に、ＳＣ２（hydrochloric hydrogen peroxide mixed water solution：塩酸過酸化水素水混合水溶液）、過酸化水素水、オゾン水等が挙げられる。

ＳＣ１、ＳＣ２および過酸化水素水は、酸化剤として過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）を含有している。オゾン水は、酸化剤としてオゾン（Ｏ_３）を含有している。
後述する図２１に示す基板処理のように、上面に処理膜が形成されていない基板Ｗに向けて親水化液を供給する場合には、親水化液として、処理膜に対する溶解性が高い液体を使用することが可能である。このような液体としては、フッ酸（ＨＦ）、希フッ酸（ＤＨＦ）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、有機溶剤等が挙げられる。

フッ酸および希フッ酸は、酸化剤として、フッ化水素を含有している。ＳＰＭは、酸化剤として過硫酸を含有している。上面に処理膜が形成されていない基板Ｗに対して親水化液として使用できる有機溶剤としては、ＩＰＡ等が挙げられる。
図１７は、親水化液によって基板Ｗの表面が親水化される様子を説明するための模式図である。

親水化液としてＳＣ１等の酸化液を用いた場合には、図１７に示すように、基板Ｗの表面が酸化されて基板Ｗの表面に酸化膜１７１が形成される。基板Ｗの表面が酸化されることによって、基板Ｗの表面から露出する物質に酸素原子が結合する。基板Ｗの表面から露出する物質に酸素原子が結合されるため、基板Ｗの表面の親水性が向上する。
親水化液として酸化液を用いた場合には、有機物１７０の存在にかかわらず、基板Ｗを親水化できる。

Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、ＳｉＧｅ、Ｇｅ、ＳｉＣＮ、Ｗ、ＴｉＮ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｕおよびａ−Ｃの少なくともいずれか露出している表面を有する基板Ｗは、親水化液によって親水化可能である。特に、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、Ｗ、ＴｉＮ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｕおよびａ−Ｃの少なくともいずれか露出している表面を有する基板Ｗであれば、親水化液によって親水化されやすく、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、Ｗ、ＴｉＮ、ＣｏおよびＣｕのうちのいずれかが露出している表面を有する基板Ｗは、親水化液によって一層親水化されやすい。
図５に示すように、親水化液バルブ５６および第４移動ノズル３８は、コントローラによって制御される。

図１８は、第３実施形態に係る基板処理装置１Ｑによる基板処理の一例を説明するための流れ図である。基板処理装置１Ｑによる基板処理が第２実施形態の基板処理装置１Ｐによる基板処理（図１３を参照）と主に異なる点は、リンス工程（ステップＳ１１）と剥離液供給工程（ステップＳ４）との間に、親水化液供給工程（ステップＳ２０）およびリンス工程（ステップＳ２１）がこの順番で実行されることである。以下では、親水化液供給工程（ステップＳ２０）およびリンス工程（ステップＳ２１）を中心に基板処理装置１Ｑによる基板処理について説明する。

なお、基板処理装置１Ｑの処理対象となる基板Ｗの構成については、基板処理装置１の処理対象となる基板と同様である。すなわち、Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、ＳｉＧｅ、Ｇｅ、ＳｉＣＮ、Ｗ、ＴｉＮ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｕおよびａ−Ｃの少なくともいずれか露出している表面を有する基板Ｗを用いることができる。
図１９Ａは、親水化液供給工程（ステップＳ２０）の様子を説明するための模式図である。図１９Ｂは、リンス工程（ステップＳ２１）の様子を説明するための模式図である。

リンス工程（ステップＳ１１）が終了した後、以下で説明するように親水化液供給工程（ステップＳ２０）が実行される。
まず、上側リンス液バルブ５２および下側リンス液バルブ８６が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対するリンス液の供給が停止される。そして、対向部材昇降ユニット６１が対向部材６を退避位置に移動させる。対向部材６が退避位置に位置する状態で、第４ノズル移動ユニット３８が、第４移動ノズル１１を処理位置に移動させる。第４移動ノズル１１の処理位置は、たとえば、中央位置である。

そして、第４移動ノズル１１が処理位置に位置する状態で、親水化液バルブ５６が開かれる。これにより、図１９Ａに示すように、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、第４移動ノズル１１から親水化液が供給（吐出）される（親水化液供給工程、親水化液吐出工程）。基板Ｗの上面に供給された親水化液は、遠心力により、基板Ｗの上面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの上面の全体が親水化液によって親水化される。親水化液は、遠心力により、基板Ｗ外に排出される。

基板Ｗの上面に対する親水化液の供給は、所定時間、たとえば、６０秒間継続される。親水化液供給工程において、基板Ｗは、所定の親水化回転速度、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。
親水化液供給工程（ステップＳ２０）の後、以下で説明するように、リンス工程（ステップＳ２１）が実行される。このリンス工程では、リンス液によって基板Ｗから親水化液が洗い流される。リンス液によって親水化液が基板Ｗ外に排出されるので、リンス工程（ステップＳ２１）は、親水化液排出工程ともいう。

リンス工程（ステップＳ２１）では、まず、親水化液バルブ５６が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面に対する親水化液の供給が停止される。
そして、第４ノズル移動ユニット３８が、第４移動ノズル１１をホーム位置に移動させる。そして、図１９Ｂに示すように、対向部材昇降ユニット６１が、対向部材６を処理位置に移動させる。

そして、対向部材６が処理位置に位置する状態で、上側リンス液バルブ５２が開かれる。これにより、図１９Ｂに示すように、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、中央ノズル１２からリンス液が供給（吐出）される（上側リンス液供給工程、上側リンス液吐出工程）。基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、遠心力により、基板Ｗの上面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの上面に付着していた親水化液が、リンス液とともに基板Ｗ外に排出され、リンス液で置換される（親水化液排出工程）。

また、上側リンス液バルブ５２が開かれると同時に、下側リンス液バルブ８６が開かれる。これにより、図１９Ｂに示すように、回転状態の基板Ｗの下面の中央領域に向けて、下面ノズル１３からリンス液が供給（吐出）される（下側リンス液供給工程、下側リンス液吐出工程）。これにより、基板Ｗの上面に付着していた親水化液が基板Ｗの周縁部を伝って基板Ｗの上面から基板Ｗの下面に移動することによって、基板Ｗの下面に親水化液が付着した場合であっても、基板Ｗの下面の親水化液がリンス液で洗い流される。

基板Ｗの上面および下面へのリンス液の供給は、所定時間、たとえば、３０秒間継続される。リンス工程（ステップＳ２１）において、基板Ｗは、所定の親水化液排出回転速度、たとえば、８００ｒｐｍで回転される。
図１８に示すように、リンス工程（ステップＳ２１）の後、剥離液供給工程（ステップＳ４）〜基板搬出工程（ステップＳ８）が順次に実行される。

次に、図２０Ａ〜図２０Ｅを用いて、第３実施形態に係る基板処理において処理膜１００が基板Ｗから剥離される様子を詳細に説明する。図２０Ａ〜図２０Ｅは、第３実施形態に係る基板処理において処理膜１００が基板Ｗから剥離される様子を説明するための模式図である。
図２０Ａに示すように、処理膜１００は、第１実施形態に係る基板処理と同様の構成を有している。すなわち、処理膜１００は、図２０Ａに示すように、基板Ｗの表層１５０に付着している除去対象物１０３を保持しており、高溶解性固体１１０と、低溶解性固体１１１とを有する。

第３実施形態に係る基板処理では、第２実施形態に係る基板処理と同様に、図２０Ｂを参照して、処理膜１００が形成されている状態の基板Ｗの上面に向けて溶解液が供給される（溶解液供給工程）。基板Ｗの上面に供給された溶解液によって、高溶解性固体１１０が溶解される。すなわち、処理膜１００が部分的に溶解される（溶解工程、部分溶解工程）。

高溶解性固体１１０が溶解されることによって、処理膜１００において高溶解性固体１１０が偏在している部分に貫通孔１０２が形成される（貫通孔形成工程）。溶解液によって、貫通孔１０２は形成されるが、処理膜１００の剥離までは起こらない。
ここで、処理膜１００中に溶媒が適度に残留している場合には、溶解液は、処理膜１００に残留している溶媒に溶け込みながら処理膜１００を部分的に溶解する。詳しくは、溶解液が高溶解性固体１１０に残留している溶媒に溶け込みながら処理膜１００中の高溶解性固体１１０を溶解して貫通孔１０２を形成する。そのため、処理膜１００内に溶解液が進入しやすい（溶解液進入工程）。

そして、リンス液によって溶解液が除去された後、基板Ｗの上面に向けて親水化液が供給される（親水化液供給工程）。図２０Ｃに示すように、親水化液は、溶解液によって形成された貫通孔１０２を通って基板Ｗの上面に到達する。これにより、基板Ｗの上面において、貫通孔１０２の形成によって露出された部分を親水化する（親水化工程）。基板Ｗの上面に親水化されて、基板Ｗの上面に対する純水の接触角が４１．７°よりも小さくなる（接触角低減工程）。親水化液によって、基板Ｗの表面は親水化されるが、処理膜１００は剥離されない。

そして、リンス液によって親水化液が除去された後、基板Ｗの上面に向けて剥離液が供給される（剥離液供給工程）。図２０Ｄに示すように、剥離液は、貫通孔１０２を通って基板Ｗの上面に到達する。基板Ｗの上面に到達した剥離液は、処理膜１００と基板Ｗとの界面に作用して処理膜１００を剥離し、剥離された処理膜１００を基板Ｗの上面から排除する（剥離排除工程）。

基板Ｗの上面において貫通孔１０２の形成によって露出された箇所は親水化液によって親水化されているため、処理膜１００において貫通孔１０２を取り囲む部分と基板Ｗとの界面に剥離液を効果的に作用させることができる。つまり、図２０Ｄの拡大図に示すように、処理膜１００と基板Ｗとの間の隙間Ｇ１に剥離液を速やかに進入させることができる（剥離液進入工程）。

詳しくは、剥離液に対する低溶解性成分の溶解性は低く、低溶解性固体１１１は剥離液によって殆ど溶解されない。そのため、低溶解性固体１１１は、剥離液によってその表面付近が僅かに溶解されるだけである。そのため、貫通孔１０２を介して基板Ｗの上面付近まで到達した剥離液は、低溶解性固体１１１において基板Ｗの上面付近の部分を僅かに溶解させる。これにより、図２０Ｄの拡大図に示すように、剥離液が、基板Ｗの上面付近の低溶解性固体１１１を徐々に溶解させながら、処理膜１００と基板Ｗの上面との間の隙間Ｇ１に進入していく（剥離液進入工程）。

剥離液が隙間Ｇ１に進入する過程で、貫通孔１０２の周縁を起点として処理膜１００が分裂して膜片１０５となり、図２０Ｅに示すように、処理膜１００の膜片１０５が除去対象物１０３を保持している状態で基板Ｗから剥離される（処理膜分裂工程、処理膜剥離工程）。
剥離液の供給を継続することによって、膜片１０５となった処理膜１００が、除去対象物１０３を保持している状態で、剥離液によって洗い流される。言い換えると、除去対象物１０３を保持する膜片１０５が基板Ｗ外に押し出されて基板Ｗの上面から排除される（処理膜排除工程、除去対象物排除工程）。これにより、基板Ｗの上面を良好に洗浄することができる。

以上のように、第３実施形態によれば、処理膜１００が形成されている基板Ｗの上面に向けて溶解液、親水化液、および、剥離液がそれぞれ供給される。溶解液の供給によって、処理膜１００に貫通孔１０２が形成される。親水化液の供給によって、基板Ｗの上面が親水化される。そして、剥離液の供給によって、処理膜１００が基板Ｗの上面から剥離される。つまり、貫通孔１０２の形成と、基板Ｗの親水化と、処理膜１００の剥離とが別々の液体の供給によって起こる。

第３実施形態によれば、第２実施形態と同様の効果を奏する。ただし、第３実施形態では、第２実施形態とは異なり、溶解液が基板Ｗに供給された後で、剥離液が基板Ｗに供給される前に、親水化液が基板Ｗに供給される。
第３実施形態では、親水化液によって基板Ｗの上面を充分に親水化できる。そのため、剥離液の親水化性能を考慮せずに剥離液を選択することができる。

具体的には、剥離液中のＩＰＡの質量パーセント濃度が１２％以上であれば、基板Ｗの上面の親水性を充分に高めることができ、剥離液中のＩＰＡの質量パーセント濃度が１％以上で３３％以下であれば、基板Ｗ上の処理膜を適度に溶解させながら基板Ｗから処理膜を剥離することができる。そのため、ＩＰＡの質量パーセント濃度が１％以上で１２％未満の剥離液を用いた場合であっても処理膜１００を充分に剥離することができる。したがって、親水化液を用いれば、剥離液による親水化の度合（剥離液の親水化力）を考慮することなく剥離液を選択できる。したがって、剥離液の選択の自由度が向上する。

剥離液の親水化力を考慮することなく、処理膜１００の剥離に適した剥離液を選択できるため、除去対象物１０３を保持している状態の処理膜１００を効果的に剥離することができる。
第３実施形態の基板処理装置１Ｑを用いれば、図２１に示す基板処理を実行することもできる。図２１に示す基板処理では、図１８に示す基板処理とは異なり、親水化液供給工程（ステップＳ２０）およびリンス工程（ステップＳ２１）が実行されず、処理液供給工程（ステップＳ２）の前に、プレ親水化工程（ステップＳ３０）、リンス工程（ステップＳ３１）および置換工程（ステップＳ３２）が実行される。

図２２Ａ〜図２２Ｃは、図２１に示す基板処理の様子を説明するための模式図である。
まず、基板搬入工程（ステップＳ１）の後、プレ親水化工程（ステップＳ３０）が実行される。具体的には、図２２Ａに示すように、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて第４移動ノズル１１から基板Ｗの上面に向けて親水化液が供給（吐出）される（プレ親水化液供給工程、プレ親水化液吐出工程）。基板Ｗの上面に供給された親水化液は、遠心力により、基板Ｗの上面の全体に広がる。これにより、基板Ｗの上面の全体が親水化液によって親水化される。親水化液は、遠心力により、基板Ｗ外に排出される。

プレ親水化工程（ステップＳ３０）では、上面に処理膜が形成されていない基板Ｗに向けて親水化液が供給される。そのため、前述したように、親水化液として、処理膜に対する溶解性が高い液体を使用することが可能である。そのため、親水化液としては、ＳＣ１、ＳＣ２、過酸化水素水、オゾン水、ＳＰＭ、フッ酸等の酸化液や、ＩＰＡ等の有機溶剤を用いることができる。

図２２Ｂを参照して、プレ親水化工程（ステップＳ３０）の後、リンス工程（ステップＳ２１）と同様のリンス工程（ステップＳ３１）が実行される。このリンス工程（ステップＳ３１）では、リンス液によって基板Ｗから親水化液が洗い流される。リンス液によって親水化液が基板Ｗ外に排出されるので、リンス工程（ステップＳ３１）は、プレ親水化液排出工程ともいう。

図２２Ｃを参照して、リンス工程（ステップＳ３１）の後、基板Ｗ上のリンス液を有機溶剤等の置換液で置換する置換工程（ステップＳ３２）が実行される。置換工程では、基板Ｗ上のリンス液が置換液としての残渣除去液によって置換される。
具体的には、上側リンス液バルブ５２および下側リンス液バルブ８６が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面および下面に対するリンス液の供給が停止される。対向部材６は、処理位置に維持される。

対向部材６が処理位置に維持された状態で、残渣除去液バルブ５３が開かれる。これにより、図２２Ｃに示すように、回転状態の基板Ｗの上面の中央領域に向けて、中央ノズル１２からＩＰＡ等の置換液（残渣除去液）が供給（吐出）される（置換液供給工程、置換液吐出工程）。中央ノズル１２は、置換液供給ユニットの一例である。
中央ノズル１２から基板Ｗの上面に供給された置換液は、遠心力を受けて放射状に広がり、基板Ｗの上面の全体に行き渡る。これにより、基板Ｗ上のリンス液が置換液によって置換される。

置換工程において、中央ノズル１２からの置換液の吐出は、所定時間、たとえば、１０秒間継続される。置換工程において、基板Ｗは、所定の置換回転速度で、たとえば、３００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍで回転される。基板Ｗは、置換工程において一定の回転速度で回転する必要はない。たとえば、スピンモータ２３は、置換液の供給開始時に基板Ｗを３００ｒｐｍで回転させ、基板Ｗに置換液を供給しながら基板Ｗの回転速度が１５００ｒｐｍになるまで基板Ｗの回転を加速させてもよい。

第２チューブ３２から吐出されるＩＰＡ等の置換液は、リンス液の液膜で覆われた基板Ｗの上面に供給され、置換液の液膜で覆われた基板Ｗの上面に処理液が供給される。リンス液の液膜で覆われた基板Ｗの上面に置換液が供給されると、基板Ｗ上の殆どのリンス液は、置換液によって押し流され、基板Ｗから排出される。
残りの微量のリンス液は、置換液に溶け込み、置換液中に拡散する。拡散したリンス液は、置換液と共に基板Ｗから排出される。したがって、基板Ｗ上のリンス液を効率的に置換液に置換できる。同様の理由により、基板Ｗ上の置換液を効率的に処理液に置換できる。これにより、基板Ｗ上の処理液に含まれるリンス液を減らすことができる。

その後、図２１に示すように、処理液供給工程（ステップＳ２）〜基板搬出工程（ステップＳ８）が順次に実行される。
図２１に示す基板処理では、基板Ｗの上面に処理液が供給される前に、すなわち、基板Ｗの上面が予め親水化されている。そのため、処理膜１００は、親水化された基板Ｗの上面に形成される。したがって、剥離液によって処理膜１００を基板Ｗから効果的に剥離することができる。

＜処理膜についての接触角測定実験＞
次に、実験用基板の表面に形成された処理膜に対する純水の接触角を測定した接触角測定実験の結果について説明する。図２３は、処理膜の表面に対する純水の接触角を測定する手順を説明するための模式図である。この実験に用いられた実験用基板は、平面視で一辺の長さが３ｃｍの正方形状の小片基板である。

この実験では、実験用基板２０３として、Ｓｉ（ベアシリコン：Ｂａｒｅ−Ｓｉ）が表面から露出している基板を用い、親水化液として、ＩＰＡを用いた。処理液として、４種類の処理液ＰＬ１〜ＰＬ４を用いた。各処理液ＰＬ１〜ＰＬ４は、溶媒としてＩＰＡを含有している。各処理液ＰＬ１〜ＰＬ４は、溶質として、後述する低溶解性成分のうちから選択した少なくとも１種類の低溶解性成分と、後述する高溶解性成分のうちから選択した少なくとも１種類の高溶解性成分とを含有している。処理液ＰＬ１〜ＰＬ４に含有される低溶解性成分は共通しており、処理液ＰＬ１〜ＰＬ４の高溶解性成分は互いに異なる物質である。

図２３に示すように、実験用基板２０３を、親水化液としてのＩＰＡに浸漬した。その後、図示しないが、ＤＩＷを用いて実験用基板２０３を洗浄した。その後、実験用基板２０３の表面に処理液を滴下した。その後処理液中の溶媒を蒸発させることで、実験用基板２０３の表面に処理膜２０４を形成した。さらにその後、実験用基板２０３に形成された処理膜２０４に純水（ＤＩＷ）の液滴２０５を形成し、その液滴２０５の接触角θ１を測定した。

図２４は、処理膜２０４の表面に対する純水の接触角θ１と、剥離液による処理膜２０４の可否とを示すテーブルである。
図２４に示すテーブルには、「処理液」および「純水の接触角（°）」の欄が示されている。「処理液」の各行には、処理膜２０４の形成にいずれの処理液ＰＬ１〜ＰＬ４が用いられたかが記載されている。「純水の接触角（°）」の各行には、同一行に示す処理液を用いて形成された処理膜２０４に対する純水の接触角θ１が記載されている。処理膜２０４に対する純水の接触角θ１は、５２°以上６１°以下の範囲内の角度であった。したがって、処理膜２０４に対する純水の接触角θ１であれば、親水化された基板に形成された処理膜を、剥離液を用いて、効果的に剥離することができることが推察される。

＜希釈ＩＰＡを用いた接触角測定実験＞
以下では、基板の表面に対する希釈ＩＰＡの接触角を測定する接触角測定実験の結果について説明する。
この実験では、Ｒｕが表面から露出する実験用基板と、ベアシリコンが表面に露出された実験用基板とを用いた。Ｒｕが表面から露出する実験用基板は、ＣＶＤ法でＲｕ膜が成膜された基板である。この実験に用いられた実験用基板も、前述した実験と同様に、平面視で一辺の長さが３ｃｍの正方形状の小片基板である。

Ｒｕが表面から露出する実験用基板は、予めＩＰＡで処理されており、当該実験用基板に対する純水の接触角は６０°である。Ｓｉが表面から露出する実験用基板は、質量パーセント濃度が０．５％であるフッ酸によって予め処理されており、当該実験用基板に対する純水の接触角は６２°である。
この実験では、実験用基板に対して５種類のＩＰＡ濃度に調製した希釈ＩＰＡを滴下し、実験用基板の表面に対する各ＩＰＡ濃度の希釈ＩＰＡの接触角を測定した。５種類のＩＰＡ濃度の希釈ＩＰＡの接触角の測定を各実験用基板に対して行った。

図２５は、希釈ＩＰＡ中のＩＰＡの濃度と、実験用基板の表面に対する希釈ＩＰＡの接触角との関係を示すグラフである。図２５の横軸は、希釈ＩＰＡ中のＩＰＡの濃度（質量パーセント濃度）を示す。図２５の縦軸は、実験用基板の表面に対する希釈ＩＰＡの接触角を示す。
図２５に示すように、実験用基板の表面にＲｕおよびＳｉのいずれが露出する実験用基板であっても、希釈ＩＰＡ中のＩＰＡ濃度が高くなるほど、接触角が低下した。この実験から、Ｒｕが表面に露出する実験用基板では、ＩＰＡ濃度が約１２％以上であれば、接触角が４１．７°未満になるという結果が得られた。また、ベアシリコンが表面に露出する実験用基板では、ＩＰＡ濃度が約１５％以上であれば、接触角が４１．７°未満になるという結果が得られた。したがって、この実験によって、ＩＰＡ濃度が約１２％以上であれば、基板の表面を充分に親水化できる可能性が示唆された。

＜希釈ＩＰＡを用いた処理膜剥離実験＞
以下では、希釈ＩＰＡを用いて処理膜を剥離する処理膜剥離実験の結果について説明する。
この実験では、Ｓｉが表面から露出する基板を実験用基板として用いた。この実験に用いられた実験用基板も、前述した実験と同様に、平面視で一辺の長さが３ｃｍの正方形状の小片基板である。実験用基板は、ＩＰＡによって予め処理されており、当該実験用基板に対する純水の接触角は２３°である。

この実験では、実験用基板の表面に処理液を滴下して処理膜を形成し、処理膜が形成された実験用基板の表面に希釈ＩＰＡを滴下し、顕微鏡を用いて処理膜が除去される様子を観察した。
図２６は、表面に処理膜が形成された実験用基板に希釈ＩＰＡを滴下したときの実験用基板の表面の様子を説明するための顕微鏡像である。図２６に示すように、希釈ＩＰＡ中のＩＰＡの質量パーセント濃度が１％、２５％および３３％であるとき、希釈ＩＰＡによって処理膜が剥離された。詳しくは、希釈ＩＰＡ中のＩＰＡの質量パーセント濃度が１％、２５％および３３％であるときには、希釈ＩＰＡが処理膜と実験用基板との間に入り込み、処理膜に皺４００が生じた。その一方で、希釈ＩＰＡ中のＩＰＡの質量パーセント濃度が５０％であるとき、希釈ＩＰＡによって処理膜が溶解された。したがって、この実験によって、ＩＰＡ濃度が１％以上３３％以下の濃度であれば、基板の表面から処理膜を剥離することができることが分かった。
また、ＩＰＡ濃度が５０％以上であれば、処理膜が剥離不能な程度に溶解されることが分かった。これにより、処理膜が、水よりも、ＩＰＡ等の有機溶剤に溶解しやすい性質を有することが推察される。

＜処理液の詳細＞
以下では、上述の実施形態に用いられる処理液中の各成分について説明する。
以下では、「Ｃ_ｘ〜ｙ」、「Ｃ_ｘ〜Ｃ_ｙ」および「Ｃ_ｘ」などの記載は、分子または置換基中の炭素の数を意味する。例えば、Ｃ_１〜６アルキルは、１以上６以下の炭素を有するアルキル鎖（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等）を意味する。
ポリマーが複数種類の繰り返し単位を有する場合、これらの繰り返し単位は共重合する。特に限定されて言及されない限り、これら共重合は、交互共重合、ランダム共重合、ブロック共重合、グラフト共重合、またはこれらの混在のいずれであってもよい。ポリマーや樹脂を構造式で示す際、括弧に併記されるｎやｍ等は繰り返し数を示す。

＜低溶解性成分＞
（Ａ）低溶解性成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸誘導体、ポリマレイン酸誘導体、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール誘導体、ポリメタクリル酸誘導体、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも１つを含む。好ましくは、（Ａ）低溶解性成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリアクリル酸誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸誘導体、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも１つを含んでいてもよい。さらに好ましくは、（Ａ）低溶解性成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリカーボネート、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも１つを含んでいてもよい。ノボラックはフェノールノボラックであってもよい。

処理液は（Ａ）低溶解性成分として、上記の好適例を１または２以上組み合わせて含んでも良い。たとえば、（Ａ）低溶解性成分はノボラックとポリヒドロキシスチレンの双方を含んでもよい。
（Ａ）低溶解性成分は乾燥されることで膜化し、前記膜は剥離液で大部分が溶解されることなく除去対象物を保持したまま剥がされることが、好適な一態様である。なお、剥離液によって（Ａ）低溶解性成分のごく一部が溶解される態様は許容される。

好ましくは、（Ａ）低溶解性成分はフッ素および／またはケイ素を含有せず、より好ましくは双方を含有しない。
前記共重合はランダム共重合、ブロック共重合が好ましい。
権利範囲を限定する意図はないが、（Ａ）低溶解性成分の具体例として、下記化学式１〜化学式７に示す各化合物が挙げられる。

（アスタリスク＊は、隣接した構成単位への結合を示す。）

（ＲはＣ_１〜４アルキル等の置換基を意味する。アスタリスク＊は、隣接した構成単位への結合を示す。）

（Ｍｅは、メチル基を意味する。アスタリスク＊は、隣接した構成単位への結合を示す。）
（Ａ）低溶解性成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は好ましくは１５０〜５００，０００であり、より好ましくは３００〜３００，０００であり、さらに好ましくは５００〜１００，０００であり、よりさらに好ましくは１，０００〜５０，０００である。

（Ａ）低溶解性成分は合成することで入手可能である。また、購入することもできる。購入する場合、例として供給先は以下が挙げられる。供給先が（Ａ）ポリマーを合成することも可能である。
ノボラック：昭和化成（株）、旭有機材（株）、群栄化学工業（株）、住友ベークライト（株）
ポリヒドロキシスチレン：日本曹達（株）、丸善石油化学（株）、東邦化学工業（株）
ポリアクリル酸誘導体：（株）日本触媒
ポリカーボネート：シグマアルドリッチ
ポリメタクリル酸誘導体：シグマアルドリッチ
処理液の全質量と比較して、（Ａ）低溶解性成分が０．１〜５０質量％であり、好ましくは０．５〜３０質量％であり、より好ましくは１〜２０質量％であり、さらに好ましくは１〜１０質量％である。つまり、処理液の全質量を１００質量％とし、これを基準として（Ａ）低溶解性成分が０．１〜５０質量％である。すなわち、「と比較して」は「を基準として」と言い換えることが可能である。特に言及しない限り、以下においても同様である。

＜高溶解性成分＞
（Ｂ）高溶解性成分は（Ｂ’）クラック促進成分である。（Ｂ’）クラック促進成分は、炭化水素を含んでおり、さらにヒドロキシ基（−ＯＨ）および／またはカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）を含んでいる。（Ｂ’）クラック促進成分がポリマーである場合、構成単位の１種が１単位ごとに炭化水素を含んでおり、さらにヒドロキシ基および／またはカルボニル基を有する。カルボニル基とは、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、アルデヒド、ケトン、エステル、アミド、エノンが挙げられ、カルボン酸が好ましい。

権利範囲を限定する意図はなく、理論に拘束されないが、処理液が乾燥され基板上に処理膜を形成し、剥離液が処理膜を剥離する際に（Ｂ）高溶解性成分が、処理膜が剥がれるきっかけとなる部分を生むと考えられる。このために、（Ｂ）高溶解性成分は剥離液に対する溶解性が、（Ａ）低溶解性成分よりも高いものであることが好ましい。（Ｂ’）クラック促進成分がカルボニル基としてケトンを含む態様として環形の炭化水素が挙げられる。具体例として、１，２−シクロヘキサンジオンや１，３−シクロヘキサンジオンが挙げられる。

より具体的な態様として、（Ｂ）高溶解性成分は、下記（Ｂ−１）、（Ｂ−２）および（Ｂ−３）の少なくともいずれか１つで表される。
（Ｂ−１）は下記化学式８を構成単位として１〜６つ含んでなり（好適には１〜４つ）、各構成単位が連結基（リンカーＬ_１）で結合される化合物である。ここで、リンカーＬ_１は、単結合であってもよいし、Ｃ_１〜６アルキレンであってもよい。前記Ｃ_１〜６アルキレンはリンカーとして構成単位を連結し、２価の基に限定されない。好ましくは２〜４価である。前記Ｃ_１〜６アルキレンは直鎖、分岐のいずれであっても良い。

Ｃｙ_１はＣ_５〜３０の炭化水素環であり、好ましくはフェニル、シクロヘキサンまたはナフチルであり、より好ましくはフェニルである。好適な態様として、リンカーＬ_１は複数のＣｙ_１を連結する。
Ｒ_１はそれぞれ独立にＣ_１〜５アルキルであり、好ましくはメチル、エチル、プロピル、またはブチルである。前記Ｃ_１〜５アルキルは直鎖、分岐のいずれであっても良い。

ｎ_ｂ１は１、２または３であり、好ましくは１または２であり、より好ましくは１である。ｎ_ｂ１’は０、１、２、３または４であり、好ましくは０、１または２である。
下記化学式９は、化学式８に記載の構成単位を、リンカーＬ_９を用いて表した化学式である。リンカーＬ_９は単結合、メチレン、エチレン、またはプロピレンであることが好ましい。

権利範囲を限定する意図はないが、（Ｂ−１）の好適例として、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２’−メチレンビス（４−メチルフェノール）、２，６−ビス［（２-ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノール、１，３−シクロヘキサンジオール、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、２，６−ナフタレンジオール、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、が挙げられる。これらは、重合や縮合によって得てもよい。

一例として下記化学式１０に示す２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノールを取り上げ説明する。同化合物は（Ｂ−１）において、化学式８の構成単位を３つ有し、構成単位はリンカーＬ_１（メチレン）で結合される。ｎ_ｂ１＝ｎ_ｂ１’＝１であり、Ｒ_１はメチルである。

（Ｂ−２）は下記化学式１１で表される。

Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、およびＲ_２４は、それぞれ独立に水素またはＣ_１〜５のアルキルであり、好ましくは水素、メチル、エチル、ｔ−ブチル、またはイソプロピルであり、より好ましくは水素、メチル、またはエチルであり、さらに好ましくはメチルまたはエチルである。
リンカーＬ_２１およびリンカーＬ_２２は、それぞれ独立に、Ｃ_１〜２０のアルキレン、Ｃ_１〜２０のシクロアルキレン、Ｃ_２〜４のアルケニレン、Ｃ_２〜４のアルキニレン、またはＣ_６〜２０のアリーレンである。これらの基はＣ_１〜５のアルキルまたはヒドロキシで置換されていてもよい。ここで、アルケニレンとは、１以上の二重結合を有する二価の炭化水素を意味し、アルキニレンとは、１以上の三重結合を有する二価の炭化水素基を意味するものとする。リンカーＬ_２１およびリンカーＬ_２２は、好ましくはＣ_２〜４のアルキレン、アセチレン（Ｃ_２のアルキニレン）またはフェニレンであり、より好ましくはＣ_２〜４のアルキレンまたはアセチレンであり、さらに好ましくはアセチレンである。

ｎ_ｂ２は０、１または２であり、好ましくは０または１、より好ましくは０である。
権利範囲を限定する意図はないが、（Ｂ−２）の好適例として、３，６−ジメチル−４−オクチン−３,６−ジオール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオール、が挙げられる。別の一形態として、３−ヘキシン−２，５−ジオール、１，４−ブチンジオール、２，４−ヘキサジイン−１，６−ジオール、１，４−ブタンジオール、シス−１，４−ジヒドロキシ−２−ブテン、１，４−ベンゼンジメタノールも（Ｂ−２）の好適例として挙げられる。

（Ｂ−３）は下記化学式１２で表される構成単位を含んでなり、重量平均分子量 （Ｍｗ）が５００〜１０，０００のポリマーである。Ｍｗは、好ましくは６００〜５，０００であり、より好ましくは７００〜３，０００である。

ここで、Ｒ_２５は−Ｈ、−ＣＨ_３、または−ＣＯＯＨであり、好ましくは−Ｈ、または−ＣＯＯＨである。１つの（Ｂ−３）ポリマーが、それぞれ化学式１２で表される２種以上の構成単位を含んでなることも許容される。
権利範囲を限定する意図はないが、（Ｂ−３）ポリマーの好適例として、アクリル酸、マレイン酸、またはこれらの組合せの重合体が挙げられる。ポリアクリル酸、マレイン酸アクリル酸コポリマーがさらに好適な例である。

共重合の場合、好適にはランダム共重合またはブロック共重合であり、より好適にはランダム共重合である。
一例として、下記化学式１３に示す、マレイン酸アクリル酸コポリマーを挙げて説明する。同コポリマーは（Ｂ−３）に含まれ、化学式１２で表される２種の構成単位を有し、１の構成単位においてＲ_２５は−Ｈであり、別の構成単位においてＲ_２５は−ＣＯＯＨである。

言うまでもないが、処理液は（Ｂ）高溶解性成分として、上記の好適例を１または２以上組み合わせて含んでも良い。例えば、（Ｂ）高溶解性成分は２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンと３，６−ジメチル−４−オクチン−３,６−ジオールの双方を含んでも良い。
（Ｂ）高溶解性成分は、分子量８０〜１０，０００であってもよい。高溶解性成分は、好ましくは分子量９０〜５０００であり、より好ましくは１００〜３０００である。（Ｂ）高溶解性成分が樹脂、重合体またはポリマーの場合、分子量は重量平均分子量（Ｍｗ）で表す。

（Ｂ）高溶解性成分は合成しても購入しても入手することが可能である。供給先としては、シグマアルドリッチ、東京化成工業、日本触媒が挙げられる。
処理液中において、（Ｂ）高溶解性成分は、（Ａ）低溶解性成分の質量と比較して、好ましくは１〜１００質量％であり、より好ましくは１〜５０質量％である。処理液中において、（Ｂ）高溶解性成分は、（Ａ）低溶解性成分の質量と比較して、さらに好ましくは１〜３０質量％である。

＜溶媒＞
（Ｃ）溶媒は有機溶剤を含むことが好ましい。（Ｃ）溶媒は揮発性を有していてもよい。揮発性を有するとは水と比較して揮発性が高いことを意味する。例えば、（Ｃ）１気圧における溶媒の沸点は、５０〜２５０℃であることが好ましい。１気圧における溶媒の沸点は、５０〜２００℃であることがより好ましく、６０〜１７０℃であることがさらに好ましい。１気圧における溶媒の沸点は、７０〜１５０℃であることがよりさらに好ましい。（Ｃ）溶媒は、少量の純水を含むことも許容される。（Ｃ）溶媒に含まれる純水は、（Ｃ）溶媒全体と比較して、好ましくは３０質量％以下である。溶媒に含まれる純水は、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。溶媒に含まれる純水は、よりさらに好ましくは５質量％以下である。溶媒が純水を含まない（０質量％）ことも、好適な一形態である。純水とは、好適にはＤＩＷである。

有機溶剤としては、イソプロパノール（ＩＰＡ）等のアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）等の乳酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

好ましい一態様として、（Ｃ）溶媒が含む有機溶剤は、ＩＰＡ、ＰＧＭＥ、ＰＧＥＥ、ＥＬ、ＰＧＭＥＡ、これらのいかなる組合せから選ばれる。有機溶媒が２種の組合せである場合、その体積比は、好ましくは２０：８０〜８０：２０であり、より好ましくは３０：７０〜７０：３０である。
処理液の全質量と比較して、（Ｃ）溶媒は、０．１〜９９．９質量％である。処理液の全質量と比較して、（Ｃ）溶媒は、好ましくは５０〜９９．９質量％であり、より好ましくは７５〜９９．５質量％である。処理液の全質量と比較して、（Ｃ）溶媒は、さらに好ましくは８０〜９９質量％であり、よりさらに好ましくは８５〜９９質量％である。

＜その他の添加物＞
本発明の処理液は、（Ｄ）その他の添加物をさらに含んでいてもよい。本発明の一態様として、（Ｄ）その他の添加物は、界面活性剤、酸、塩基、抗菌剤、殺菌剤、防腐剤、または抗真菌剤を含んでなり（好ましくは、界面活性剤）、これらのいずれの組合せを含んでいてもよい。

本発明の一態様として、処理液中の（Ａ）低溶解性成分の質量と比較して、（Ｄ）その他の添加物（複数の場合、その和）は、０〜１００質量（好ましくは０〜１０質量％、より好ましくは０〜５質量％、さらに好ましくは０〜３質量％、よりさらに好ましくは０〜１質量％）である。処理液が（Ｄ）その他の添加剤を含まない（０質量％）ことも、本発明の態様の一つである。

＜腐食防止成分＞
（Ｆ）腐食防止成分としては、ＢＴＡ以外にも、尿酸、カフェイン、ブテリン、アデニン、グリオキシル酸、グルコース、フルクトース、マンノース等が挙げられる。

＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、プレ親水化工程（ステップＳ３０）における基板Ｗの上面の親水化は、ＵＶ照射、プラズマ処理、酸素アッシング等の液体状態の親水化液による処理以外の手法で行われてもよい。

また、図２１に示す基板処理では、置換液および残渣除去液として同一の有機溶剤が用いられる。しかしながら、置換液としての有機溶剤を吐出するノズルと残渣除去液を吐出するノズルとをそれぞれ設ければ、置換液として用いる有機溶剤と残渣除去液としての有機溶剤とを互いに異なる有機溶剤とすることができる。たとえば、置換液として、メタノールを用い、残渣除去液としてＩＰＡを用いることができる。

各処理流体（処理液、剥離液、リンス液、残渣除去液、溶解液、親水化液、熱媒、不活性ガス、置換液）を吐出するノズルは、上述した実施形態に示す態様である必要はない。たとえば、第３実施形態において、第４移動ノズル１１が設けられておらず、第３移動ノズル１０が、親水化液および溶解液を吐出できるように構成されていてもよい。
たとえば、親水化液がＳＣ１であり、溶解液がアンモニア水である場合、溶解液に過酸化水素水を混ぜることで親水化液を調製することができる。したがって、アンモニア水のみを第３移動ノズル１０に供給することで溶解液を第３移動ノズル１０から吐出でき、アンモニア水と過酸化水素水とを第３移動ノズル１０に供給することでＳＣ１を第３移動ノズル１０から吐出することができる。

全ての処理流体が移動ノズルから吐出される構成や、全ての処理流体が平面視で基板Ｗの外方に配置された固定ノズルから吐出される構成であれば、対向部材６が設けられていなくてもよい。
また、処理膜１００には必ずしも目視可能な貫通孔１０２が形成されるとは限られず、高溶解性固体１１０の溶解によって、処理膜１００に隙間が形成され、親水化液や剥離液がその隙間を通って基板Ｗと処理膜１００との界面に到達してもよい。

図１１の第１実施形態の変形例は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ｐおよび第３実施形態に係る基板処理装置１Ｑにも適用可能である。つまり、第２実施形態に係る基板処理の剥離液供給工程（ステップＳ４）や第３実施形態に係る基板処理の剥離液供給工程（ステップＳ４）においても、基板Ｗの上面に剥離液を供給している途中に、有機溶剤調整バルブ９３Ｂおよび純水調整バルブ９４Ｂの開度を調整して、基板Ｗの上面に供給される剥離液中の有機溶剤の濃度を調整することができる（有機溶剤濃度調整工程）。

また、図１８および図２１に示す基板処理において、溶解液供給工程（ステップＳ１０）およびリンス工程（ステップＳ１１）を省略することが可能である。
また、図８、図１３および図１８に示す基板処理において、プレ親水化工程（ステップＳ３０）、リンス工程（ステップＳ３１）および置換工程（ステップＳ３２）を実行することも可能である。

詳しくは、図８の基板処理において、基板搬入工程（ステップＳ１）の後に、プレ親水化工程（ステップＳ３０）、リンス工程（ステップＳ３１）および置換工程（ステップＳ３２）を実行し、その後、処理液供給工程（ステップＳ２）、処理膜形成工程（ステップＳ３）、剥離液供給工程（ステップＳ４）、リンス工程（ステップＳ５）、残渣除去液供給工程（ステップＳ６）、スピンドライ工程（ステップＳ７）および基板搬出工程（ステップＳ８）をこの順番で実行してもよい。

同様に、図１３の基板処理において、基板搬入工程（ステップＳ１）の後に、プレ親水化工程（ステップＳ３０）、リンス工程（ステップＳ３１）および置換工程（ステップＳ３２）を実行し、その後、処理液供給工程（ステップＳ２）、処理膜形成工程（ステップＳ３）、溶解液供給工程（ステップＳ１０）、リンス工程（ステップＳ１１）、剥離液供給工程（ステップＳ４）、リンス工程（ステップＳ５）、残渣除去液供給工程（ステップＳ６）、スピンドライ工程（ステップＳ７）および基板搬出工程（ステップＳ８）をこの順番で実行してもよい。

同様に、図１８の基板処理において、基板搬入工程（ステップＳ１）の後に、プレ親水化工程（ステップＳ３０）、リンス工程（ステップＳ３１）および置換工程（ステップＳ３２）を実行し、その後、処理液供給工程（ステップＳ２）、処理膜形成工程（ステップＳ３）、溶解液供給工程（ステップＳ１０）、リンス工程（ステップＳ１１）、親水化液供給工程（ステップＳ２０）、リンス工程（ステップＳ２１）、剥離液供給工程（ステップＳ４）、リンス工程（ステップＳ５）、残渣除去液供給工程（ステップＳ６）、スピンドライ工程（ステップＳ７）および基板搬出工程（ステップＳ８）をこの順番で実行してもよい。

また、図１８に示す基板処理では、親水化液が溶解液と相溶性を有する場合には、リンス工程（ステップＳ１１）を省略することも可能であり、親水化液が剥離液と相溶性を有する場合には、リンス工程（ステップＳ２１）を省略可能である。図１３および図２１に示す基板処理では、溶解液が剥離液と相溶性を有する場合には、リンス工程（ステップＳ１１）を省略可能である。

この明細書において、「〜」または「−」を用いて数値範囲を示した場合、特に限定されて言及されない限り、これらは両方の端点を含み、単位は共通する。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１ ：基板処理装置
１Ｐ ：基板処理装置
１Ｑ ：基板処理装置
３ ：コントローラ
８ ：第１移動ノズル（処理液供給ユニット）
９ ：第２移動ノズル（剥離液供給ユニット）
１０ ：第３移動ノズル（溶解液供給ユニット）
１２ ：中央ノズル（処理膜形成ユニット、残渣除去液供給ユニット）
１３ ：下面ノズル（処理膜形成ユニット）
２３ ：スピンモータ（処理膜形成ユニット）
１００ ：処理膜
１０２ ：貫通孔
１０３ ：除去対象物
１１０ ：高溶解性固体
１１１ ：低溶解性固体
Ｗ ：基板

Claims (26)

1. 基板の表面に向けて処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記基板の表面に供給された前記処理液を固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、
   前記基板の表面に向けて剥離液を供給することによって、前記剥離液に前記処理膜を部分的に溶解させ、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離し、剥離された前記処理膜を前記基板外に排除する剥離排除工程と、
   前記剥離排除工程後に前記基板の表面に向けて残渣除去液を供給することによって、前記基板の表面に残る前記処理膜の残渣を除去する残渣除去工程とを含み、
   前記剥離液が、有機溶剤と水との混合液であり、
   前記残渣除去液が、前記混合液中の前記有機溶剤と同じ物質からなる有機溶剤である、基板処理方法。
2. 前記処理膜は、水よりも前記有機溶剤に溶解されやすい、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記剥離排除工程が、前記剥離液に前記処理膜を部分的に溶解させることによって、前記処理膜に貫通孔を形成する工程を含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
4. 前記処理液が、溶媒と、前記溶媒に溶解される溶質とを含有しており、
   前記溶質が、高溶解性成分と、前記高溶解性成分よりも前記剥離液に対する溶解性が低い低溶解性成分とを有し、
   前記処理膜形成工程が、前記高溶解性成分によって形成される高溶解性固体と、前記低溶解性成分によって形成される低溶解性固体とを有する前記処理膜を形成する工程を含み、
   前記剥離排除工程が、前記高溶解性固体を前記剥離液に溶解させて、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離する工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
5. 前記剥離排除工程が、前記基板の表面と前記処理膜との間に前記剥離液を進入させる剥離液進入工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
6. 前記剥離排除工程が、前記剥離液によって前記基板の表面を親水化する親水化工程を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 前記有機溶剤がＩＰＡであり、
   前記混合液におけるＩＰＡの質量パーセント濃度が１２％以上で３３％以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
8. 前記基板の表面に処理液が供給される前に、前記基板の表面を親水化するプレ親水化工程をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
9. 基板の表面に向けて処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記基板の表面に供給された前記処理液を固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、
   前記基板の表面に向けて溶解液を供給することによって、前記溶解液に前記処理膜を部分的に溶解させて前記処理膜に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
   剥離液を前記基板の表面に向けて供給することによって、前記剥離液が、前記貫通孔を通過し、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離する剥離工程とを含む、基板処理方法。
10. 前記処理液が、溶媒と、前記溶媒に溶解される溶質とを含有しており、
    前記溶質が、高溶解性成分と、前記高溶解性成分よりも前記溶解液に対する溶解性が低い低溶解性成分とを有し、
    前記処理膜形成工程が、前記高溶解性成分によって形成される高溶解性固体と、前記低溶解性成分によって形成される低溶解性固体とを有する前記処理膜を形成する工程を含み、
    前記貫通孔形成工程が、前記高溶解性固体を前記溶解液に溶解させて、前記処理膜に前記貫通孔を形成する工程を含む、請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記剥離工程が、前記基板の表面と前記処理膜との間に前記剥離液を進入させる剥離液進入工程を含む、請求項９または１０に記載の基板処理方法。
12. 前記剥離液が有機溶剤と水との混合液である、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
13. 前記有機溶剤がＩＰＡであり、
    前記混合液におけるＩＰＡの質量パーセント濃度が１２％以上で３３％以下である、請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記処理膜が前記基板から剥離された後においても前記基板の表面への前記剥離液の供給を継続することによって、前記基板の表面から剥離された前記処理膜を前記基板外へ排除する排除工程と、
    前記排除工程後に前記基板の表面に向けて残渣除去液を供給することによって、前記基板の表面に残る前記処理膜の残渣を除去する残渣除去工程とをさらに含み、
    前記残渣除去液が、前記混合液中の前記有機溶剤と同じ物質からなる有機溶剤である、請求項１２または１３に記載の基板処理方法。
15. 前記処理膜が前記基板から剥離された後においても前記基板の表面への前記剥離液の供給を継続することによって、前記基板の表面から剥離された前記処理膜を前記基板外へ排除する排除工程と、
    前記排除工程後に前記基板の表面に残渣除去液を供給することによって、前記基板の表面に残る前記処理膜の残渣を除去する残渣除去工程とをさらに含む、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
16. 前記剥離工程が、前記剥離液によって前記基板の表面を親水化する親水化工程を含む、請求項９〜１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
17. 前記剥離工程の前に前記基板の表面に向けて親水化液を供給することによって、前記親水化液が前記貫通孔を通過して前記基板の表面を親水化する親水化工程をさらに含む、請求項９〜１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
18. 前記親水化液が、前記基板の表面を酸化させる酸化液である、請求項１７に記載の基板処理方法。
19. 前記溶解液、前記親水化液、および前記剥離液は、互いに異なる物質を含有している、請求項１７または１８に記載の基板処理方法。
20. 前記剥離液および前記溶解液は、互いに異なる物質を含有している、請求項９〜１８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
21. 前記溶解液が、アルカリ性液体である、請求項９〜２０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
22. 前記基板の表面に処理液が供給される前に、前記基板の表面を親水化するプレ親水化工程をさらに含む、請求項９〜２１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
23. 基板の表面に向けて処理液を供給する処理液供給工程と、
    前記基板の表面に供給された前記処理液を固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成する処理膜形成工程と、
    前記基板の表面に向けて溶解液を供給することによって、前記溶解液に前記処理膜を部分的に溶解させる溶解工程と、
    前記溶解工程の後に、剥離液を前記基板の表面に向けて供給することによって、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜が前記剥離液によって前記基板の表面から剥離される剥離工程とを含み、
    前記処理液が、溶媒と、前記溶媒に溶解される溶質とを含有し、
    前記溶質が、高溶解性成分と、前記高溶解性成分よりも前記溶解液に対する溶解性が低い低溶解性成分とを有し、
    前記処理膜形成工程が、前記高溶解性成分によって形成される高溶解性固体と前記低溶解性成分によって形成される低溶解性固体とを有する前記処理膜を形成する工程を含み、
    前記溶解工程が、前記高溶解性固体を前記溶解液に溶解させる工程を含む、基板処理方法。
24. 基板の表面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、
    基板の表面に接する処理液を固化または硬化させて処理膜を形成する処理膜形成ユニットと、
    基板の表面に形成された処理膜を剥離する剥離液を前記基板の表面に供給する剥離液供給ユニットと、
    基板の表面に存在する処理膜の残渣を除去する残渣除去液を前記基板の表面に供給する残渣除去液供給ユニットと、
    前記処理液供給ユニット、前記処理膜形成ユニット、前記剥離液供給ユニットおよび前記残渣除去液供給ユニットを制御するコントローラとを含み、
    前記コントローラが、
    基板に向けて前記処理液供給ユニットから処理液を供給し、
    前記基板の表面に供給された前記処理液を前記処理膜形成ユニットによって固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成し、
    前記剥離液供給ユニットから前記基板に向けて前記剥離液を供給することによって、前記剥離液に前記処理膜を部分的に溶解させ、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離し、剥離された前記処理膜を前記基板外に排除し、
    前記残渣除去液供給ユニットから前記基板の表面に向けて残渣除去液を供給することによって、前記基板の表面に残る前記処理膜の残渣を除去するように、プログラムされており、
    前記剥離液が、有機溶剤と水との混合液であり、
    前記残渣除去液が、前記混合液中の前記有機溶剤と同じ物質からなる有機溶剤である、基板処理装置。
25. 基板の表面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、
    基板の表面に接する処理液を固化または硬化させて処理膜を形成する処理膜形成ユニットと、
    基板の表面に形成された処理膜を部分的に溶解させる溶解液を前記基板の表面に供給する溶解液供給ユニットと、
    基板の表面に形成された処理膜を剥離する剥離液を前記基板の表面に供給する剥離液供給ユニットと、
    前記処理液供給ユニット、前記処理膜形成ユニット、前記溶解液供給ユニット、および前記剥離液供給ユニットを制御するコントローラとを含み、
    前記コントローラが、
    基板に向けて前記処理液供給ユニットから処理液を供給し、
    前記基板の表面に供給された前記処理液を前記処理膜形成ユニットによって固化または硬化させて、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成し、
    前記溶解液供給ユニットから前記基板に向けて溶解液を供給することによって前記溶解液に前記処理膜を部分的に溶解させて前記処理膜に貫通孔を形成し、
    前記剥離液供給ユニットから前記基板に向けて剥離液を供給することによって、前記剥離液が、前記貫通孔を通過し、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離するように、プログラムされている、基板処理装置。
26. 基板の表面に処理液を供給する処理液供給ユニットと、
    基板の表面に接する処理液を固化または硬化させて処理膜を形成する処理膜形成ユニットと、
    基板の表面に形成された処理膜を部分的に溶解させる溶解液を前記基板の表面に供給する溶解液供給ユニットと、
    基板の表面に形成された処理膜を剥離する剥離液を前記基板の表面に供給する剥離液供給ユニットと、
    前記処理液供給ユニット、前記処理膜形成ユニット、前記溶解液供給ユニット、および前記剥離液供給ユニットを制御するコントローラとを含み、
    前記処理液が、溶媒と、前記溶媒に溶解される溶質とを含有し、
    前記溶質が、高溶解性成分と、前記剥離液供給ユニットから供給される剥離液に対する溶解性が前記高溶解性成分よりも低い低溶解性成分とを有し、
    前記コントローラが、
    基板に向けて前記処理液供給ユニットから処理液を供給し、
    前記基板の表面に供給された前記処理液を前記処理膜形成ユニットによって固化または硬化させて、前記高溶解性成分によって形成される高溶解性固体と前記低溶解性成分によって形成される低溶解性固体とを有し、前記基板の表面に存在する除去対象物を保持する処理膜を前記基板の表面に形成し、
    前記溶解液供給ユニットから前記基板に向けて溶解液を供給することによって、前記溶解液に前記処理膜の前記高溶解性固体を溶解させ、
    前記剥離液供給ユニットから前記基板に向けて剥離液を供給して、前記除去対象物を保持している状態の前記処理膜を前記基板の表面から剥離するように、プログラムされている、基板処理装置。
    

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