JP2021152572A - Drawing device, data processing device, drawing method and drawing data generation method - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、描画データに基づいて基板に画像を形成する技術に関し、特に、基板の形状に応じて描画データを補正する技術に関する。 The present invention relates to a technique for forming an image on a substrate based on drawing data, and more particularly to a technique for correcting drawing data according to the shape of the substrate.
プリント基板、半導体基板、液晶基板などの基板の対象面を、レーザ光などで走査することによって、回路パターンを描画する直描装置が知られている。直描装置による回路パターンの描画は、回路パターンの設計データから変換された描画データに従って行われる。描画データは、直描装置が処理可能な記述形式を有するデータである。 A direct drawing device for drawing a circuit pattern by scanning a target surface of a substrate such as a printed circuit board, a semiconductor substrate, or a liquid crystal substrate with a laser beam or the like is known. The drawing of the circuit pattern by the direct drawing device is performed according to the drawing data converted from the design data of the circuit pattern. The drawing data is data having a description format that can be processed by the direct drawing device.
基板は、それ自体が元々反りや歪みを有するほか、前工程の処理に起因して、わずかに変形している場合がある。一方、設計データは、通常、基板の変形を考慮せずに作成されている。このため、変換後の描画データをそのまま用いて回路パターンを描画した場合、歩留まりが低下するおそれがある。そこで、直描装置による描画は、あらかじめ基板の形状を測定しておき、得られた測定結果に基づいて、描画データが補正される場合がある。 The substrate itself has warpage and distortion, and may be slightly deformed due to the processing in the previous process. On the other hand, the design data is usually created without considering the deformation of the substrate. Therefore, when the circuit pattern is drawn using the converted drawing data as it is, the yield may decrease. Therefore, in drawing by the direct drawing device, the shape of the substrate may be measured in advance, and the drawing data may be corrected based on the obtained measurement result.
例えば特許文献1では、基板の描画領域が仮想的に複数のメッシュ領域に分割され、分割後の各メッシュ領域の描画内容を表す分割描画データが生成される。描画時には、描画対象の基板に設けられたアライメントマークの位置に基づいて、メッシュ領域の位置が再配置される。そして、再配置後の各メッシュ領域に対応する描画内容が合成されることによって、補正後の描画データが生成される。
For example, in
しかしながら、従来技術の場合、基板ごとのアライメントマークの位置に基づいてメッシュ領域を再配置することにより、描画データが生成される。メッシュ領域の大きさは、基板の変形の度合いに関わらず一定であるため、描画データの生成には、毎回同程度の計算処理が必要となる。このため、基板の変形に応じた描画データの補正処理に、多くの計算資源または計算時間が必要とされていた。 However, in the case of the prior art, drawing data is generated by rearranging the mesh region based on the position of the alignment mark for each substrate. Since the size of the mesh region is constant regardless of the degree of deformation of the substrate, the same degree of calculation processing is required each time to generate drawing data. Therefore, a lot of calculation resources or calculation time are required for the correction processing of the drawing data according to the deformation of the substrate.
本発明の目的は、基板の変形に応じた描画データの補正処理に必要な計算資源または計算時間を低減させる技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a technique for reducing computational resources or computational time required for correction processing of drawing data according to deformation of a substrate.
上記課題を解決するため、第1態様は、基板に所定パターンを描画する描画装置である。描画装置は、複数のアライメントマークを有する基板を載置するためのステージと、前記ステージに載置された前記基板の前記アライメントマークを撮像する撮像部と、描画データを生成するデータ処理部と、前記描画データに基づいて、前記ステージに載置された前記基板に光を照射する照射部と、を備える。前記データ処理部は、所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第1メッシュ領域の各描画内容を表す第1分割データを生成する第1分割処理と、前記撮像部が第1基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第1基板の前記アライメントマークの位置を特定する第1マーク位置特定処理と、前記第1基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第1メッシュ領域を再配置する第1再配置処理と、前記第1再配置処理により再配置された各前記第1メッシュ領域の位置に合わせて、前記第1分割データが表す各前記第1メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第1描画領域を表現する第1描画データを生成する第1合成処理とを実行する。また、データ処理部は、前記第1描画データに基づいて、前記第1描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第2メッシュ領域の各描画内容を表す第2分割データを生成する第2分割処理と、前記撮像部が第2基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第2基板の前記アライメントマークの位置を特定する第2マーク位置特定処理と、前記第2基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第2メッシュ領域を再配置する第2再配置処理と、前記第2再配置処理により再配置された各前記第2メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第2メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第2描画領域を表す第2描画データを生成する第2合成処理とを実行する。 In order to solve the above problems, the first aspect is a drawing device that draws a predetermined pattern on a substrate. The drawing device includes a stage for mounting a substrate having a plurality of alignment marks, an imaging unit for imaging the alignment marks of the substrate mounted on the stage, and a data processing unit for generating drawing data. An irradiation unit that irradiates the substrate mounted on the stage with light based on the drawing data is provided. The data processing unit is a plurality of data acquisition processes obtained by acquiring initial drawing data representing an initial drawing area including a predetermined pattern, and dividing the initial drawing area by an initial mesh width based on the initial drawing data. The alignment of the first substrate is based on the first division process for generating the first division data representing each drawing content of the first mesh region of the above and the captured image obtained by the imaging unit imaging the first substrate. The first mark position specifying process for specifying the mark position, the first rearrangement process for rearranging each of the first mesh regions based on the position of the alignment mark on the first substrate, and the first rearrangement process. A first drawing area including a predetermined pattern is expressed by synthesizing the drawing contents of each of the first mesh areas represented by the first divided data according to the position of each of the first mesh areas rearranged by the process. 1 Execute the first synthesis process for generating drawing data. Further, the data processing unit represents each drawing content of a plurality of second mesh areas obtained by dividing the first drawing area with a mesh width larger than the initial mesh width based on the first drawing data. Second mark position identification that specifies the position of the alignment mark on the second substrate based on the second division process that generates the second division data and the captured image obtained by the imaging unit imaging the second substrate. Each of the second meshes rearranged by the process, the second rearrangement process of rearranging each of the second mesh regions based on the position of the alignment mark on the second substrate, and the second rearrangement process. The second composition process of synthesizing the drawing contents of each of the second mesh areas according to the position of the area and generating the second drawing data representing the second drawing area including the predetermined pattern is executed.
第2態様は、第1態様の描画装置であって、前記第2分割処理は、前記データ処理部が、前記第1描画領域を、互いに異なる複数の事前メッシュ幅で分割することによって、前記事前メッシュ幅ごとに、複数の前記第2メッシュ領域の各描画内容を表す事前分割データを生成する処理を含み、前記第2再配置処理は、前記データ処理部が、前記第2基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、複数の前記事前分割データの中から一の事前分割データを選択し、選択した前記事前分割データが表す各前記第2メッシュ領域を再配置する処理を含む。 The second aspect is the drawing device of the first aspect, and in the second division processing, the data processing unit divides the first drawing area into a plurality of pre-mesh widths different from each other. Each front mesh width includes a process of generating pre-divided data representing each drawing content of the second mesh region, and in the second rearrangement process, the data processing unit causes the alignment of the second substrate. The process includes selecting one pre-divided data from the plurality of pre-divided data based on the position of the mark, and rearranging each of the second mesh regions represented by the selected pre-divided data.
第3態様は、第1態様または第2態様の描画装置であって、前記第2再配置処理は、前記データ処理部が、前記第2基板が前記第1基板に対して有する、各前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む。 The third aspect is the drawing apparatus of the first aspect or the second aspect, and in the second rearrangement processing, the data processing unit has each of the alignments that the second substrate has with respect to the first substrate. The process of determining the mesh width based on the deformation between the marks is included.
第4態様は、第3態様の描画装置であって、前記第2再配置処理は、前記データ処理部が、隣接する2つの前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む。 The fourth aspect is the drawing apparatus of the third aspect, and in the second rearrangement process, the data processing unit determines the mesh width based on the deformation between the two adjacent alignment marks. including.
第5態様は、第3態様または第4態様の描画装置であって、前記第2再配置処理は、前記データ処理部が、隅に位置する2つの前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む。 The fifth aspect is the drawing apparatus of the third aspect or the fourth aspect, and in the second rearrangement processing, the data processing unit is based on the deformation between the two alignment marks located at the corners. Includes processing to determine the mesh width.
第6態様は、基板に所定パターンを描画する描画装置で用いられる描画データを生成するデータ処理装置である。データ処理装置は、プロセッサと、前記プロセッサと電気的に接続されるメモリとを備える。前記プロセッサは、所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第1メッシュ領域の各描画内容を表す第1分割データを生成する第1分割処理と、第1基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第1基板の前記アライメントマークの位置を特定する第1マーク位置特定処理と、前記第1基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第1メッシュ領域を再配置する第1再配置処理と、前記第1再配置処理により再配置された各前記第1メッシュ領域の位置に合わせて、前記第1分割データが表す各前記第1メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第1描画領域を表現する第1描画データを生成する第1合成処理とを実行する。また、前記プロセッサは、前記第1描画データに基づいて、前記第1描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第2メッシュ領域の各描画内容を表す第2分割データを生成する第2分割処理と、第2基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第2基板の前記アライメントマークの位置を特定する第2マーク位置特定処理と、前記第2基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第2メッシュ領域を再配置する第2再配置処理と、前記第2再配置処理により再配置された各前記第2メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第2メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第2描画領域を表す第2描画データを生成する第2合成処理とを実行する。 A sixth aspect is a data processing device that generates drawing data used in a drawing device that draws a predetermined pattern on a substrate. The data processing device includes a processor and a memory that is electrically connected to the processor. The processor has a data acquisition process for acquiring initial drawing data representing an initial drawing area including a predetermined pattern, and a plurality of thirths obtained by dividing the initial drawing area by an initial mesh width based on the initial drawing data. The position of the alignment mark on the first substrate is specified based on the first division process for generating the first division data representing each drawing content of one mesh region and the captured image obtained by imaging the first substrate. It was rearranged by the first mark position specifying process, the first rearrangement process of rearranging each of the first mesh regions based on the position of the alignment mark on the first substrate, and the first rearrangement process. The drawing contents of each of the first mesh areas represented by the first divided data are combined according to the position of each of the first mesh areas, and the first drawing data representing the first drawing area including a predetermined pattern is generated. Execute the first synthesis process. Further, the processor represents each drawing content of a plurality of second mesh areas obtained by dividing the first drawing area with a mesh width larger than the initial mesh width based on the first drawing data. The second division process for generating the two division data, the second mark position identification process for specifying the position of the alignment mark on the second substrate based on the captured image obtained by imaging the second substrate, and the second mark position identification process. Based on the position of the alignment mark on the two substrates, the second rearrangement process for rearranging each of the second mesh regions and the position of each of the second mesh regions rearranged by the second rearrangement process are aligned with each other. Then, the drawing contents of each of the second mesh areas are combined, and the second composition process of generating the second drawing data representing the second drawing area including the predetermined pattern is executed.
第7態様は、基板に所定パターンを描画する描画方法である。描画方法は、所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第1メッシュ領域の各描画内容を表す第1分割データを生成する第1分割処理と、第1基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第1基板のアライメントマークの位置を特定する第1マーク位置特定処理と、前記第1基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第1メッシュ領域を再配置する第1再配置処理と、前記第1再配置処理により再配置された各前記第1メッシュ領域の位置に合わせて、前記第1分割データが表す各前記第1メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第1描画領域を表現する第1描画データを生成する第1合成処理と、前記第1描画データに基づいて、前記第1基板に描画を行う第1描画処理とを含む。また、描画方法は、前記第1描画データに基づいて、前記第1描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第2メッシュ領域の各描画内容を表す第2分割データを生成する第2分割処理と、第2基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第2基板のアライメントマークの位置を特定する第2マーク位置特定処理と、前記第2基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第2メッシュ領域を再配置する第2再配置処理と、前記第2再配置処理により再配置された各前記第2メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第2メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第2描画領域を表す第2描画データを生成する第2合成処理と、前記第2描画データに基づいて、前記第2基板に描画を行う第2描画処理とを含む。 A seventh aspect is a drawing method for drawing a predetermined pattern on a substrate. The drawing method includes a data acquisition process for acquiring initial drawing data representing an initial drawing area including a predetermined pattern, and a plurality of first drawing methods obtained by dividing the initial drawing area by an initial mesh width based on the initial drawing data. The position of the alignment mark on the first substrate is specified based on the first division process for generating the first division data representing each drawing content of the 1 mesh region and the captured image obtained by imaging the first substrate. 1 mark position identification process, a first rearrangement process for rearranging each of the first mesh regions based on the position of the alignment mark on the first substrate, and each rearranged by the first rearrangement process. The first drawing data representing the first drawing area including a predetermined pattern is generated by synthesizing the drawing contents of each of the first mesh areas represented by the first divided data according to the position of the first mesh area. 1 Compositing process and a first drawing process for drawing on the first substrate based on the first drawing data are included. Further, the drawing method represents each drawing content of a plurality of second mesh areas obtained by dividing the first drawing area into a mesh width larger than the initial mesh width based on the first drawing data. The second division process for generating the two division data, the second mark position identification process for specifying the position of the alignment mark on the second substrate based on the captured image obtained by imaging the second substrate, and the second mark position identification process. Based on the position of the alignment mark on the substrate, the second rearrangement process for rearranging each of the second mesh regions and the position of each of the second mesh regions rearranged by the second rearrangement process are matched. , The second composition process that synthesizes the drawing contents of each of the second mesh regions and generates the second drawing data representing the second drawing region including the predetermined pattern, and the second substrate based on the second drawing data. Includes a second drawing process for drawing.
第8態様は、基板に所定パターンを描画する描画装置で用いられる描画データを生成する描画データ生成方法である。描画データ生成方法は、所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第1メッシュ領域の各描画内容を表す第1分割データを生成する第1分割処理と、第1基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第1基板のアライメントマークの位置を特定する第1マーク位置特定処理と、前記第1基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第1メッシュ領域を再配置する第1再配置処理と、前記第1再配置処理により再配置された各前記第1メッシュ領域の位置に合わせて、前記第1分割データが表す各前記第1メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第1描画領域を表現する第1描画データを生成する第1合成処理とを含む。また、描画データ生成方法は、前記第1描画データに基づいて、前記第1描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第2メッシュ領域の各描画内容を表す第2分割データを生成する第2分割処理と、第2基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第2基板のアライメントマークの位置を特定する第2マーク位置特定処理と、前記第2基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第2メッシュ領域を再配置する第2再配置処理と、前記第2再配置処理により再配置された各前記第2メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第2メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第2描画領域を表す第2描画データを生成する第2合成処理とを含む。 The eighth aspect is a drawing data generation method for generating drawing data used in a drawing apparatus that draws a predetermined pattern on a substrate. A plurality of drawing data generation methods are obtained by a data acquisition process for acquiring initial drawing data representing an initial drawing area including a predetermined pattern and dividing the initial drawing area by an initial mesh width based on the initial drawing data. The position of the alignment mark on the first substrate is specified based on the first division process for generating the first division data representing each drawing content of the first mesh region and the captured image obtained by imaging the first substrate. The first mark position identification process is performed, the first rearrangement process for rearranging each of the first mesh regions based on the position of the alignment mark on the first substrate, and the first rearrangement process for rearranging the data. The drawing contents of each of the first mesh areas represented by the first divided data are combined according to the position of each of the first mesh areas, and the first drawing data representing the first drawing area including a predetermined pattern is generated. The first synthetic process to be performed is included. Further, in the drawing data generation method, each drawing content of a plurality of second mesh areas obtained by dividing the first drawing area into a mesh width larger than the initial mesh width based on the first drawing data is obtained. The second division process for generating the second division data to be represented, the second mark position identification process for specifying the position of the alignment mark on the second substrate based on the captured image obtained by imaging the second substrate, and the above-mentioned Based on the position of the alignment mark on the second substrate, the second rearrangement process for rearranging each of the second mesh regions and the position of each of the second mesh regions rearranged by the second rearrangement process are performed. In addition, it includes a second compositing process that synthesizes the drawing contents of each of the second mesh regions and generates second drawing data representing the second drawing region including a predetermined pattern.
第1態様の描画装置によると、第2描画データを生成するために再配置される第2メッシュ領域が、第1描画データを生成するために再配置される第1メッシュ領域よりも大きい。このため、各第2メッシュ領域を再配置する処理、および、各第2メッシュ領域の描画内容を合成する処理に必要な計算資源または計算時間を低減できる。 According to the drawing apparatus of the first aspect, the second mesh area rearranged to generate the second drawing data is larger than the first mesh area rearranged to generate the first drawing data. Therefore, it is possible to reduce the calculation resources or the calculation time required for the process of rearranging each second mesh area and the process of synthesizing the drawing contents of each second mesh area.
第2態様の描画装置によると、複数の事前メッシュ幅で分割することによって、複数の事前分割データを生成しておくことにより、基板ごとに分割データを生成する場合よりも、計算資源または計算時間を軽減できる。 According to the drawing apparatus of the second aspect, by generating a plurality of pre-divided data by dividing by a plurality of pre-mesh widths, the calculation resource or the calculation time is higher than that in the case of generating the divided data for each substrate. Can be reduced.
第3態様の描画装置によると、第2基板における各アライメントマーク間の変形に基づいて、第1描画データを有効に補正できる。 According to the drawing apparatus of the third aspect, the first drawing data can be effectively corrected based on the deformation between the alignment marks on the second substrate.
第4態様の描画装置によると、第2基板における隣接する2つのアライメントマーク間の変形に基づいて、第1描画データを有効に補正できる。 According to the drawing apparatus of the fourth aspect, the first drawing data can be effectively corrected based on the deformation between two adjacent alignment marks on the second substrate.
第5態様の描画装置によると、第2基板における隅に位置する2つのアライメントマーク間の変形に基づいて、第1描画データを有効に補正できる。 According to the drawing apparatus of the fifth aspect, the first drawing data can be effectively corrected based on the deformation between the two alignment marks located at the corners of the second substrate.
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張又は簡略化して図示されている場合がある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the components described in this embodiment are merely examples, and the scope of the present invention is not limited to them. In the drawings, the dimensions and numbers of each part may be exaggerated or simplified as necessary for easy understanding.
<実施形態>
図1は、実施形態に係る描画システム100の概略構成をデータの流れとともに示す図である。図2は、実施形態に係る描画システム100の概略構成を示す図である。描画システム100は、描画装置1およびパターン設計装置4を備える。描画装置1は、基板9の対象面9aを露光用のレーザ光LBで走査することによって、基板9の対象面に回路パターンである露光画像を描画する直描装置である。
<Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a
描画装置1は、描画データDDを生成するデータ処理装置2(データ処理部)と、描画データDDに基づいて描画(露光)を行う露光装置3とを備える。データ処理装置2および露光装置3は、一体に設けられることは必須ではなく、両者間でデータが授受可能な限りにおいて、物理的に離隔されてもよい。
The
図2に示すように、データ処理装置2は、互いにバスラインBS1で電気的に接続された、プロセッサ201、ROM202、RAM203、および記憶部204を備える。プロセッサ201は、CPUまたはGPUなどを含む。RAM203は、情報の読み出しおよび書き込みが可能な記憶媒体であって、具体的には、SDRAMである。記憶部204は、情報の読み出しおよび書き込みが可能な非一過性の記録媒体であって、HDD(ハードディスクドラブ)またはSSD(ソリッドステートドライブ)を含む。記憶部204は、プログラムPを記憶している。
As shown in FIG. 2, the
プロセッサ201は、RAM203を作業領域として、記憶部204に保存されたプログラムPを実行する。これにより、データ処理装置2は、描画データDDを生成する。
The
バスラインBS1には、入力部205および表示部206が電気的に接続されている。入力部205は、例えばキーボードやマウス等で構成され、コマンドやパラメータ等の入力を受け付ける。表示部206は、例えば液晶ディスプレイ等で構成され、処理結果やメッセージ等の種々の情報を表示する。さらにバスラインBS1には、可搬性を有する記録媒体RM(光ディスク、磁気ディスクまたは半導体メモリなど)から記録内容を読み取る読取装置207が接続される。プログラムPは、記録媒体RMから読取装置207によって読み出されて、記憶部204に保存されてもよい。また、プログラムPは、ネットワークを介して、記憶部204に保存されてもよい。
The
バスラインBS1には、露光装置3およびパターン設計装置4が接続される。データ処理装置2は、パターン設計装置4によって作成されたパターンデータDPに基づき、露光装置3で使用される描画データDDを生成する。パターンデータDPは、回路パターンの設計データである。パターンデータDPは、通常、ポリゴンなどのベクターデータとして記述される。露光装置3は、ラスターデータとして記述されている描画データDDに基づいて露光を行う。このため、データ処理装置2は、パターンデータDPをラスターデータに変換する。なお、描画装置1は、後述するように、描画対象の基板9の変形に応じて補正された描画データDDを生成する。このため、露光装置3は、変形を有する基板9であっても、補正後の描画データDDに基づいて、回路パターンを良好に描画できる。
The
露光装置3は、複数の基板9を1枚ずつ描画処理する。このため、データ処理装置2は、露光装置3が処理する複数の基板9について、それぞれの変形に応じた描画データDDを生成する。露光装置3において描画処理される1枚目の基板9を、基板91とする。また、露光装置3において基板91よりも後に描画処理される2枚目以降の基板9を、基板92とする。基板91および基板92を描画処理するための描画データDDとして、データ処理装置2は、描画データDD1および第2描画データDD2を生成する。
The
図1に示すように、データ処理装置2は、変換部21、第1分割部22、再配置部23、合成部24、および第2分割部25を備える。変換部21、第1分割部22、再配置部23、合成部24、および第2分割部25は、プロセッサ201がプログラムPを実行することによってソフトウェア的に実現される機能である。なお、各処理部は、ASIC(特定用途向け集積回路)等の専用回路によってハードウェア的に実現されてもよい。また、図1に示す、パターンデータDP、初期描画データDD0、分割条件データDC、初期分割データD20、マーク撮像データDM、再配置データDS(再配置データDS1,DS2)、描画データDD(描画データDD1,DD2)、および事前分割データセットD21は、RAM203または記憶部204に適宜記憶されるデータである。
As shown in FIG. 1, the
変換部21は、パターン設計装置4からパターンデータDPを取得し、パターンデータDPを初期描画データDD0に変換する。初期描画データDD0は、露光装置3で処理可能なラスター形式のデータである。第1分割部22は、初期描画データDD0および分割条件データDCに基づいて、初期分割データD20を生成する。
The
再配置部23は、マーク撮像データDMに基づいて、再配置データDSを生成する。マーク撮像データDMは、露光装置3の撮像部34が、ステージ32に載置された基板9に設けられているアライメントマークMaを撮像した撮像画像を表す。撮像部34は、基板91のアライメントマークMaを撮像したマーク撮像データDM1、および、基板92のアライメントマークMaを撮像したマーク撮像データDM2を取得する。再配置部23は、マーク撮像データDM1に基づいて、再配置データDS1を生成する。また、再配置部23は、マーク撮像データDM1,DM2に基づいて、再配置データDS2を生成する。
The
合成部24は、初期分割データD20および再配置データDS1に基づいて、描画データDD1を生成する。第2分割部25は、描画データDD1に基づいて、事前分割データセットD21を生成する。さらに、合成部24は、再配置データDS2、事前分割データセットD21に基づいて、描画データDD2を生成する。
The
データ処理装置2において、変換部21、第1分割部22、再配置部23、合成部24、第2分割部25が行う処理の詳細については後述する。
The details of the processing performed by the
露光装置3は、データ処理装置2から与えられた描画データDDに従って、基板9に対する描画を行う。図1に示すように、露光装置3は、各部の動作を制御する描画コントローラ31と、基板9を載置するためのステージ32と、レーザ光LBを出射する照射部33と、ステージ32に載置された基板9の対象面9aを撮像する撮像部34とを備える。レーザ光LBの種類は、基板9の対象面9aに塗布された感光材料などに応じて適宜に定められる。
The
露光装置3においては、ステージ32および照射部33のうち少なくとも一方が、互いに直交する水平二軸方向である主走査方向と副走査方向とに移動可能である。このため、露光装置3は、基板9をステージ32に載置した状態で、ステージ32と照射部33とを主走査方向に相対的に移動させつつ照射部33からレーザ光LBを照射可能である。なお、ステージ32は水平面内で回転移動可能とされてもよいし、照射部33は垂直方向に移動可能とされてもよい。
In the
照射部33は、レーザ光を出射する光源(不図示)と、光源から出射されたレーザ光を変調するDMD(デジタルミラーデバイス)などの変調部33aとを備える。描画コントローラ31は、変調部33aによって変調されたレーザ光LBを、ステージ32上の基板9に照射する。より具体的には、描画コントローラ31は、画素位置ごとの露光の有無を定義した描画データDDの記述内容に従って、変調部33aの変調単位ごとのレーザ光LBの照射のオン/オフ設定を行う。そして、描画コントローラ31は、照射部33がステージ32に対して主走査方向に相対移動させる間に、オン/オフ設定に従って照射部33からレーザ光LBを出射することによって、ステージ32上の基板9に、描画データDDに基づく変調を受けたレーザ光LBを照射する。
The
描画コントローラ31は、主走査方向における描画領域の一端部まで走査すると、ステージ32を副走査方向に所定距離だけ移動させる。そして、描画コントローラ31は、主走査方向における描画領域の他端部に向かって走査する。このように、描画コントローラ31は、主走査方向の走査と、副走査方向へのステージ32の移動とを交互に所定の回数、繰り返すことによって、基板9の対象面9aに、描画データDDに基づく露光画像を形成する。
When the drawing
撮像部34は、ステージ32に載置された基板9が有する複数のアライメントマークMaを撮像する。アライメントマークMaの撮像画像は、マーク撮像データDMとして、データ処理装置2の再配置部23に提供される。
The
アライメントマークMaは、基板9の対象面9aに設けられる。なお、アライメントマークMaは、貫通孔など、機械的加工により設けられてもよいし、印刷プロセスやフォトリソグラフィープロセスなどによってパターニングされたものでもよい。
The alignment mark Ma is provided on the
<補正処理の基本概念>
以下、次に、データ処理装置2が描画データDDを生成する際に行う補正処理について説明する。一般に、パターンデータDPは、変形がなく被描画面が平坦で理想的な形状の基板9を想定して作成される。しかしながら、実際の基板9には、反り、歪みや、前工程での処理に伴う歪などの変形が生じ得る。そのため、パターンデータDPのまま、基板9に回路パターンを描画しても、所望の回路パターンを得ることが困難である。そこで、基板9の形状に応じた回路パターンが形成されるように、データ処理装置2が、パターンデータDPに記述された回路パターンの位置(座標)を変換する。描画データDDを生成する際に行う補正処理とは、端的に言えば、座標変換処理である。データ処理装置2は、以下に説明するように、補正処理を、露光装置3における露光分解能を考慮して行う。
<Basic concept of correction processing>
Next, the correction process performed when the
図3は、露光装置3における露光分解能と、描画される図形との関係を説明するための図である。なお、図3では、主走査方向に対応するX軸と、副走査方向に対応するY軸とを図示している。
FIG. 3 is a diagram for explaining the relationship between the exposure resolution in the
露光装置3では、ステージ32が照射部33に対して主走査方向および副走査方向に移動することによって、露光が行われる。このため、図3(a)に示す図形F1のようなX方向に対して傾斜角α1にて傾斜する辺については、描画データDDにおいては、図3(b)に示すように階段状図形F2に近似されて記述される。このとき、階段状図形F2の段差は、露光装置3における副走査方向の露光分解能に相当する。以下、副走査方向の露光分解能を「δ」とする。階段状図形F2は、図3(b)に示すように、複数回の主走査方向の走査によって(1)から(8)まで段階的に描画される。
In the
図形F1を含む描画データDDを生成するための補正処理においては、図形F1を忠実に表現する座標値を生成する必要は無く、直接、階段状図形F2を表現する座標値が生成されればよい。 In the correction process for generating the drawing data DD including the figure F1, it is not necessary to generate the coordinate values that faithfully represent the figure F1, and the coordinate values that directly represent the stepped figure F2 may be generated. ..
図3(c)は、図形F1の傾斜角α1よりも小さい傾斜角α2の図形F3を、露光分解能δとして階段状図形F4で近似した様子を示す。階段状図形F2における段幅(各段の主走査方向の長さ)をw1とし、階段状図形F4の段幅をw2とする。すると、w2>w1となる。 FIG. 3C shows a state in which the figure F3 having an inclination angle α2 smaller than the inclination angle α1 of the figure F1 is approximated by the stepped figure F4 with the exposure resolution δ. The step width (the length of each step in the main scanning direction) in the step-shaped figure F2 is w1, and the step width of the step-shaped figure F4 is w2. Then, w2> w1.
図3(d)は、図3(c)と同様に、図形F3を、露光分解能δで近似する様子を示す。ただし、図3(d)では、図形F3を近似した階段状図形F5の段幅w3を、w3=2・w1としている。この場合、図3(c)と比較して、近似の精度は劣るものの、δが充分に小さければ、実用上、充分な精度となる。 FIG. 3 (d) shows how the figure F3 is approximated by the exposure resolution δ, similarly to FIG. 3 (c). However, in FIG. 3D, the step width w3 of the stepped figure F5 that approximates the figure F3 is set to w3 = 2 · w1. In this case, although the accuracy of approximation is inferior to that of FIG. 3C, if δ is sufficiently small, the accuracy is practically sufficient.
図形F1の傾斜が、回路パターンについて許容される最大の傾斜(主走査方向に対する最大変形誤差)であるとすると、図形F1よりも傾斜が小さい回路パターンは、δの整数倍の段差とw1の整数倍の段幅とを有する階段状図形で近似できる。また、同様の議論は、副走査方向についても成り立つ(ただし、この場合の露光分解能は変調部33aの変調単位のサイズで規定される)。したがって、基板9の変形を考慮した補正処理(座標変換処理)を行った場合、変換後の回路パターンは、主走査方向については副走査方向の露光分解能に基づいて定まる幅を単位とし、副走査方向については主走査方向の露光分解能に基づいて定まる幅を単位として、描画される。
Assuming that the inclination of the figure F1 is the maximum inclination allowed for the circuit pattern (maximum deformation error with respect to the main scanning direction), the circuit pattern having a smaller inclination than the figure F1 has a step that is an integral multiple of δ and an integer of w1. It can be approximated by a stepped figure having double the step width. The same argument also holds for the sub-scanning direction (however, the exposure resolution in this case is defined by the size of the modulation unit of the
以上のことから、データ処理装置2は、予め、パターンデータDPから得られたラスターデータある初期描画データDD0によって表現される回路パターン全体(描画対象画像)を、複数のメッシュ領域に分割する。メッシュ領域は、矩形状であり、縦横の長さは、露光分解能と、許容されるパターンの変形度合いとに応じて定められる。そして、データ処理装置2は、メッシュ領域ごとに、座標変換を行うことによって、描画データDDを取得する。これら一連の処理が、補正処理に相当する。
From the above, the
<データ処理装置の動作>
次に、データ処理装置2が実行する処理について詳述する。データ処理装置2は、実際に基板9に描画を実行する前に準備処理を実行する。準備処理の結果は、基板9に対する回路パターンの描画において、利用される。準備処理について、図4を参照しつつ説明する。
<Operation of data processing device>
Next, the process executed by the
<準備処理>
図4は、データ処理装置2が実行する準備処理の流れを示す図である。最初に、変換部21は、パターン設計装置4からベクター形式のパターンデータDPを取得する(図4:ステップS1)。変換部21は、取得したパターンデータDPを、ラスター形式の初期描画データDD0に変換する(図4:ステップS2)。以下、パターンデータDPが表現する回路パターンは、露光装置3において、基板9の対象面9aに対して設定される矩形の描画領域の内側に描画される。図1に示すように、変換部21が生成した初期描画データDD0は、第1分割部22に渡される。
<Preparation process>
FIG. 4 is a diagram showing a flow of preparatory processing executed by the
第1分割部22は、分割条件データDCの記述内容に従って、初期描画データDD0から初期分割データD20を生成するためのメッシュ領域の初期メッシュ幅を求める(ステップS3)。分割条件データDCは、補正処理の際に、回路パターンに許容される最大の変形度合いを特定する情報と、露光装置3における主走査方向および副走査方向の露光分解能とを、データ要素として含む。
The
図5は、第1分割部22が実行する処理を説明するための概念図である。図5には、主走査方向に対応するX軸と、副走査方向に対応するY軸とを図示している。図5中、実線で示す各頂点A,B,C,およびDからなる矩形は、パターンデータDPまたは初期描画データDD0における回路パターンの初期描画領域RA0を表す。頂点Aの座標を(X1,Y1)、頂点Bの座標を(X2,Y1)、頂点Cの座標を(X2,Y2)、頂点Dの座標を(X1,Y2)とする。また、X2−X1=Lx、Y2−Y1=Lyとすると、Lx、Lyは主走査方向および副走査方向における初期描画領域RA0のサイズを表す。
FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining the process executed by the
破線にて示す初期描画領域RA0の各頂点A,B,C,およびDを中心に持つ4つの矩形Sq1〜Sq4(それぞれ、頂点A1〜A4,B1〜B4,C1〜C4,D1〜D4からなる矩形)は、補正処理の際に各頂点について許容される誤差の範囲を示している。誤差範囲は、回路パターンの構成単位に許容される最大の誤差範囲に相当する。 It consists of four rectangles Sq1 to Sq4 (respectively, vertices A1 to A4, B1 to B4, C1 to C4, and D1 to D4) centered on the vertices A, B, C, and D of the initial drawing area RA0 shown by the broken line. (Rectangle) indicates the range of error allowed for each vertex during the correction process. The error range corresponds to the maximum error range allowed for the building blocks of the circuit pattern.
ここで、いずれの矩形Sq1〜Sq4も、X軸方向の寸法がp・Lx、Y軸方向の寸法がq・Lyであるとする(ただし0<p,q≪1)。すると、矩形Sq1内の任意の点と、矩形Sq2内の任意の点とを結ぶ線分が、基板9の変形に対応して辺ABが取り得る変形後の状態を表現することになる。このとき、辺ABが線分A3B1(もしくは線分A2B4)になる変形が、辺ABに許容されている最大の傾斜を与える変形となる。線分ABに対する辺A3B1の傾斜角αは、辺ABについて許容される最大の傾斜角となる。なお、傾斜角αは次の式をみたす。 Here, it is assumed that the dimensions of all the rectangles Sq1 to Sq4 are p · Lx in the X-axis direction and q · Ly in the Y-axis direction (where 0 <p, q << 1). Then, the line segment connecting the arbitrary point in the rectangle Sq1 and the arbitrary point in the rectangle Sq2 expresses the deformed state that the side AB can take in response to the deformation of the substrate 9. At this time, the deformation in which the side AB becomes the line segment A3B1 (or the line segment A2B4) is the deformation that gives the side AB the maximum allowable inclination. The inclination angle α of the side A3B1 with respect to the line segment AB is the maximum inclination angle allowed for the side AB. The inclination angle α satisfies the following equation.
tanα=qLy/(X2-X1-pLx)=qLy/(1-p)Lx≒qLy/Lx ・・・式(1) tan α = qLy / (X2-X1-pLx) = qLy / (1-p) Lx ≒ qLy / Lx ・ ・ ・ Equation (1)
上記議論は、辺ABに平行な辺CDについても同様に成り立つ。すなわち、辺CDについても、傾斜角αを有する線分C4D2(または線分C1D3)までの変形が許容される。すなわち、主走査方向については、主走査方向に平行な状態から傾斜角αまでの変形が許容される。ちなみに、図5においては、辺CDの変形の例として線分C3D1を示しているが、辺CDから線分C3D1への変形による傾斜角α’は、傾斜角αよりも小さいので、当該変形は、メッシュ領域の初期メッシュ幅の算出には考慮されない。 The above argument holds true for the side CD parallel to the side AB. That is, the side CD is also allowed to be deformed up to the line segment C4D2 (or the line segment C1D3) having the inclination angle α. That is, with respect to the main scanning direction, deformation from a state parallel to the main scanning direction to an inclination angle α is allowed. Incidentally, in FIG. 5, the line segment C3D1 is shown as an example of the deformation of the side CD, but since the inclination angle α'due to the deformation from the side CD to the line segment C3D1 is smaller than the inclination angle α, the deformation is , It is not considered in the calculation of the initial mesh width of the mesh area.
ここで、副走査方向の露光分解能をδyとすると、主走査方向についてのメッシュ領域の初期メッシュ幅wxは、次の式で求められる。 Here, assuming that the exposure resolution in the sub-scanning direction is δy, the initial mesh width wx of the mesh region in the main scanning direction can be obtained by the following equation.
wx=δy/tanα=δyLx/qLy ・・・式(2) wx = δy / tan α = δyLx / qLy ・ ・ ・ Equation (2)
主走査方向についての傾斜角αと同様に、副走査方向について、辺BCおよび辺DAの変形について許容される最大の傾斜角βは、次の式をみたす。 Similar to the tilt angle α for the main scan direction, the maximum tilt angle β allowed for the deformation of the side BC and the side DA in the sub scan direction satisfies the following equation.
tanβ=pLx/(Y2-Y1-qLy)=pLx/(1-q)Ly≒pLx/Ly ・・・式(3) tanβ = pLx / (Y2-Y1-qLy) = pLx / (1-q) Ly ≒ pLx / Ly ・ ・ ・ Equation (3)
主走査方向の露光分解能をδxとすると、副走査方向についてのメッシュ領域の初期メッシュ幅wyは、次の式で求められる。 Assuming that the exposure resolution in the main scanning direction is δx, the initial mesh width wy of the mesh region in the sub scanning direction can be obtained by the following equation.
wy=δx/tanβ=δxLy/pLx ・・・式(4) wy = δx / tanβ = δxLy / pLx ・ ・ ・ Equation (4)
露光装置3の露光分解能δx、δyおよび頂点A,B,C,およびDの誤差範囲は、分割条件データDCとしてあらかじめ与えられる。また、LxおよびLyは、初期描画データDD0から特定される既知の値であり、例えば、分割条件データDCのデータ要素として与えられてもよい。いずれにせよ、これらは全て既知の値である。第1分割部22は、これらの値に基づいて、式(3)および式(4)に示す演算式に従って、メッシュ領域の初期メッシュ幅wx、wyを求める。
The exposure resolutions δx, δy and the error ranges of the vertices A, B, C, and D of the
例えば、描画領域のサイズがLx=Ly=500mm、露光分解能がδx=δy=1μm、描画領域の各頂点の許容誤差範囲がpLx=qLy=500μm(つまりは許容誤差範囲が描画領域のサイズの0.1%)とする。すると、wx、wyは、約1μmとなる。 For example, the size of the drawing area is Lx = Ly = 500 mm, the exposure resolution is δx = δy = 1 μm, and the permissible error range of each vertex of the drawing area is pLx = qLy = 500 μm (that is, the permissible error range is 0 of the size of the drawing area). .1%). Then, wx and wy become about 1 μm.
なお、頂点A,B,C,およびDの誤差範囲がそれぞれ異なる場合も、同様の考え方で初期メッシュ幅wx,wyを求めることができる。頂点A、B、C、およびDのX軸方向とY軸方向の誤差範囲の組をそれぞれ(2axLx,2ayLy)、(2bxLx,2byLy)、(2cxLx,2cyLy)、(2dxLx,2dyLy)とすると、第1メッシュ領域RE1の初期メッシュ幅wx,wyは、それぞれ、以下のようになる。 Even when the error ranges of the vertices A, B, C, and D are different, the initial mesh widths wx and wy can be obtained in the same way. Assuming that the sets of error ranges of the vertices A, B, C, and D in the X-axis direction and the Y-axis direction are (2axLx, 2ayLy), (2bxLx, 2byLy), (2cxLx, 2cyLy), and (2dxLx, 2dyLy), respectively. The initial mesh widths wx and wy of the first mesh region RE1 are as follows, respectively.
wx≒Min{δyLx/(ay+by)Ly,δyLx/(cy+dy)Ly} ・・・式(5)
wy≒Min{δxLy/(bx+cx)Lx,δxLy/(dx+ax)Lx} ・・・式(6)
wx ≒ Min {δyLx / (ay + by) Ly, δyLx / (cy + dy) Ly} ・ ・ ・ Equation (5)
wy ≒ Min {δxLy / (bx + cx) Lx, δxLy / (dx + ax) Lx} ・ ・ ・ Equation (6)
図4に戻って、ステップS3により、第1分割部22がメッシュ領域の初期メッシュ幅wx,wyを求める。すると、第1分割部22が、初期描画データDD0が表現する回路パターンを含む描画領域を、仮想的に、複数の領域に分割する(ステップS4)。そして第1分割部22は、分割により得られる複数の第1メッシュ領域RE1の各描画内容を表す初期分割データD20を、初期描画データDD0から生成する(ステップS5)(図1参照)。
Returning to FIG. 4, in step S3, the
図6は、描画領域が複数の第1メッシュ領域RE1へ分割される様子を概念的に示す図である。まず、初期描画領域RA0を初期メッシュ幅wx,wyで区画した各領域を、基本領域RC1とする。そして、基本領域RC1の周囲に、主走査方向および副走査方向の露光分解能δx,δyに相当する幅の付加領域RC2を加えた領域が、1つの第1メッシュ領域RE1とされる。図6では、破線で区画された矩形状の各領域が基本領域RC1であり、基本領域RC1の周囲に位置する枠状の領域が付加領域RC2であり、実線で区画された矩形状の各領域が第1メッシュ領域RE1である。図6に示すように、隣り合う第1メッシュ領域RE1は、互いにオーバーラップする。隣り合う第1メッシュ領域RE1をオーバーラップさせるのは、基板9の変形に応じて第1メッシュ領域RE1を移動させたときに、隣り合う第1メッシュ領域RE1間に空白が生じることを避けるためである。 FIG. 6 is a diagram conceptually showing how the drawing area is divided into a plurality of first mesh areas RE1. First, each area in which the initial drawing area RA0 is divided by the initial mesh widths wx and wy is designated as the basic area RC1. Then, a region in which an additional region RC2 having a width corresponding to the exposure resolutions δx and δy in the main scanning direction and the sub-scanning direction is added around the basic region RC1 is defined as one first mesh region RE1. In FIG. 6, each rectangular region divided by a broken line is a basic region RC1, a frame-shaped region located around the basic region RC1 is an additional region RC2, and each rectangular region partitioned by a solid line. Is the first mesh region RE1. As shown in FIG. 6, adjacent first mesh regions RE1 overlap each other. The reason why the adjacent first mesh regions RE1 are overlapped is to avoid a gap between the adjacent first mesh regions RE1 when the first mesh region RE1 is moved according to the deformation of the substrate 9. be.
第1分割部22は、各第1メッシュ領域RE1を特定するデータ要素として、各第1メッシュ領域RE1の、基準位置Msの座標と、描画内容の情報と、主走査方向および副走査方向のサイズmx,myを、初期分割データD20に記述する。基準位置Msは任意に設定可能であるが、例えば、図6に示すように第1メッシュ領域RE1の中心(重心)を基準位置Msとしてもよい。また、mx=wx+2δxであり、my=wy+2δyであるため、第1分割部22は、mx,myの代わりに、初期メッシュ幅wx,wyと、露光分解能δx,δyが、初期分割データD20に記述してもよい。第1分割部22が初期分割データD20を生成すると、データ処理装置2は準備処理を終了する。
The
<描画処理の流れ>
図7および図8は、実施形態に係る描画装置1が実行する処理の流れを示す図である。準備処理の後、描画装置1は、複数の基板9の描画処理を順番に実行する。まず、図7に示すように、露光装置3のステージ32上に、基板91が搬入される(図7:ステップS11)。基板91の搬入は、人の手作業によって行われてもよいし、不図示の搬送装置によって行われてもよい。基板91がステージ32に載置されると、撮像部34が、基板91の対象面9aに設けられたアライメントマークMaを撮像する(図7:ステップS12)。なお、撮像部34の撮像領域は、基板9全体を含む大きさであってもよいし、1つまたは複数のアライメントマークMaのみを含む大きさであってもよい。後者の場合、ステージ32を水平二軸方向に移動させることによって、全てのアライメントマークMaが撮像されてもよい。撮像部34により得られた撮像画像は、マーク撮像データDM1として、描画コントローラ31を通じて再配置部23に与えられる(図1参照)。
<Flow of drawing process>
7 and 8 are diagrams showing a flow of processing executed by the
図9は、回路パターン設計時に想定された理想状態における複数のアライメントマークMaの配置を示す図である。図9に示すように、複数のアライメントマークMaは、水平二軸方向において等間隔で配置されるものとする。また、図9には、参考のため、第1メッシュ領域RE1の基準位置Msの配置についても併せて示している。アライメントマークMaが等間隔に配置されている場合(理想状態の場合)、第1メッシュ領域RE1の基準位置Msも等間隔に配置される。なお、図9に示す実線および破線は図の理解を助けるためのものであり、基板9において観察されるわけではない。 FIG. 9 is a diagram showing the arrangement of a plurality of alignment marks Ma in an ideal state assumed at the time of circuit pattern design. As shown in FIG. 9, a plurality of alignment marks Ma are arranged at equal intervals in the horizontal biaxial direction. In addition, FIG. 9 also shows the arrangement of the reference position Ms in the first mesh region RE1 for reference. When the alignment marks Ma are arranged at equal intervals (in the ideal state), the reference positions Ms of the first mesh region RE1 are also arranged at equal intervals. The solid line and the broken line shown in FIG. 9 are for the purpose of assisting the understanding of the figure, and are not observed on the substrate 9.
実際の基板9に変形がない場合、図9に示すように、アライメントマークMaは等間隔に位置する。一方、基板9が変形を有する場合、アライメントマークMaの位置が理想的な位置からずれる。変形の程度は、基板9によって異なり得る。露光装置3において各基板9に対して所望のパターンを形成するため、基板9の変形指標としてのアライメントマークMaの位置が、各基板9について実測により特定される。
When the actual substrate 9 is not deformed, the alignment marks Ma are located at equal intervals as shown in FIG. On the other hand, when the substrate 9 is deformed, the position of the alignment mark Ma deviates from the ideal position. The degree of deformation may vary depending on the substrate 9. In order to form a desired pattern for each substrate 9 in the
図7に戻って、再配置部23は、マーク撮像データDM1に基づき、基板91に設けられた各アライメントマークMaの座標を特定するとともに、特定した座標を第1マーク座標情報として記憶部204に保存する。(図7:ステップS13)。座標の特定は、例えば、撮像画像に対し二値化処理やパターン認識など、公知の画像処理によって行われてもよい。
Returning to FIG. 7, the
図10は、変形を有する1枚目の基板91におけるアライメントマークMaの配置を示す図である。図10では、図9に示す理想的な配置の各アライメントマークMaを、破線+印で示している。再配置部23は、特定した各アライメントマークMaの座標に基づく基板91の変形に応じて、各第1メッシュ領域RE1を再配置する(図7:ステップS14)。具体的には、再配置部23は、各第1メッシュ領域RE1の基準位置Msの再配置後の座標を、各第1メッシュ領域RE1の周囲にあるアライメントマークMaの位置座標に基づいて特定する。すなわち、再配置部23は、理想的な状態では整然と配置される第1メッシュ領域RE1(図6参照)を、基板91の形状に応じて再配置した際の、各第1メッシュ領域RE1の位置を特定する。
FIG. 10 is a diagram showing the arrangement of the alignment mark Ma on the
例えば、図10に示す基準位置Ms1,Ms2,Ms3,およびMs4の再配置後の座標は、その周囲に位置するアライメントマークMa1、Ma2、Ma3およびMa4(あるいはその一部)の座標に基づいて特定される。図10では、再配置後の座標が特定された基準位置Msが例示されている。なお、基準位置Msの座標の特定には、公知の座標変換手法が利用可能である。一例としては、アライメントマークMa1,Ma2,Ma4からなる三角形に着目し、図9に示す理想的な配置の場合の三角形から図10に示す実際の配置に基づく三角形へのアフィン変換を表す行列が求められる。そして、求めた行列を用いて、基準位置Msの座標変換が行われるとよい。 For example, the coordinates of the reference positions Ms1, Ms2, Ms3, and Ms4 shown in FIG. 10 after rearrangement are specified based on the coordinates of the alignment marks Ma1, Ma2, Ma3, and Ma4 (or a part thereof) located around the reference positions Ms1, Ms2, Ms3, and Ms4. Will be done. In FIG. 10, the reference position Ms in which the coordinates after the rearrangement are specified is illustrated. A known coordinate conversion method can be used to specify the coordinates of the reference position Ms. As an example, paying attention to the triangle consisting of the alignment marks Ma1, Ma2, and Ma4, a matrix representing the affine transformation from the triangle in the case of the ideal arrangement shown in FIG. 9 to the triangle based on the actual arrangement shown in FIG. 10 is obtained. Be done. Then, it is preferable that the coordinate transformation of the reference position Ms is performed using the obtained matrix.
再配置部23は、再配置後の各第1メッシュ領域RE1の基準位置Msの座標を求め、各第1メッシュ領域RE1の再配置後の座標を表す再配置データDS1を生成する(図1参照)。
The
再配置部23が再配置データDS1を生成すると、合成部24が、初期分割データD20および再配置データDS1に基づいて描画データDD1を生成する(図7:ステップS15)。具体的には、合成部24は、各第1メッシュ領域RE1の位置を、理想的な位置から、再配置データDS1に記述された位置にシフトさせる。そして、合成部24は、シフトさせた各第1メッシュ領域RE1の描画内容を合成し、描画領域全体に対する描画内容を表現する一の描画データDDを生成する。なお、第1メッシュ領域RE1のシフトは、基準位置Msの座標移動(並進移動)に応じて各第1メッシュ領域RE1を構成する画素の座標を移動させることにより実現される。
When the
図11は、再配置データDS1の記述内容に従って、再配置された各第1メッシュ領域RE1を示す図である。図11に示すように、隣り合う第1メッシュ領域RE1の間で描画内容がオーバーラップする箇所が生じる。このオーバーラップする箇所の描画内容は、例えば、両者の乗算をとるなど所定の論理演算によって、適宜調整される。 FIG. 11 is a diagram showing each of the first mesh regions RE1 rearranged according to the description contents of the rearranged data DS1. As shown in FIG. 11, there are places where the drawing contents overlap between the adjacent first mesh regions RE1. The drawing contents of the overlapping portions are appropriately adjusted by a predetermined logical operation such as multiplying the two.
図12は、合成部24によって生成される描画データDD1が規定する第1描画領域RA1を示す図である。図12には、参考のため、位置が測定されたアライメントマークMaを併せて図示している。なお、図11では図示が省略されているが、実際には、描画領域RA2内に、初期分割データD20に記述された内容に基づく回路パターンが配置される。
FIG. 12 is a diagram showing a first drawing area RA1 defined by the drawing data DD1 generated by the
データ処理装置2は、合成部24が生成した描画データDD1を、描画コントローラ31へ送信する。描画コントローラ31は、描画データDD1に基づいて、変調部33aを制御することにより、基板91の対象面9aに回路パターンを描画する(図7:ステップS16)。描画データDD1は、アライメントマークMaの配置に基づく基板91の変形に合わせて、初期描画データDD0を補正したデータである。このため、露光装置3は、描画データDD1に基づいて露光を行うことによって、基板91に所望の回路パターンを精度良く描画できる。
The
基板91の描画処理が完了すると、次の基板92に対する描画が行われる。ここで、基板92が基板91と同じロットに属する場合、基板91の変形と基板92との変形の差異は小さい場合が多い。基板91,92間の変形に差がない場合、基板92に対する描画データDD2は、基板91に対する描画データDD1と同じとすることができる。また、基板91,92間の変形に僅かな差があったとしても、初期メッシュ幅wx,wyよりも大きいメッシュ幅で、描画データDD1を補正すればよい。この観点から、データ処理装置2は、後述するように、基板92の変形に応じて描画データDD1を補正することによって、描画データDD2を生成する補正処理を行う。
When the drawing process of the
データ処理装置2では、補正処理を効率良く行うため、事前に、描画データDD1が表現する第1描画領域RA1を、初期メッシュ幅wx,wyよりも大きい複数の事前メッシュ幅で、仮想的に分割する(図7:ステップS17)。各事前メッシュ幅の大きさは、例えば、初期メッシュ幅wx,wyの整数倍(2倍、3倍、4倍・・・)としてもよいが、これは必須ではない。第2分割部25は、事前メッシュ幅ごとの分割により得られる各メッシュ領域の描画内容を記述した事前分割データを生成する。これにより、第2分割部25は、複数の分割データのセットである事前分割データセットD21を生成する(図7:ステップS18)。
In the
図13は、第1描画領域RA1を初期メッシュ幅wx,wyよりも大きい事前メッシュ幅で分割した様子を概念的に示す図である。図13に示す例は、第2分割部25が、第1描画領域RA1を、初期メッシュ幅wx,wyの2倍の大きさの事前メッシュ幅2wx,2wyで分割した例である。第2分割部25は、第1分割部22と同様に、事前メッシュ幅2wx,2wyで区画された各領域を基本領域とする。そして、基本領域の周囲に、所定の幅の付加領域を加えた領域を1つの第2メッシュ領域RE2とする。これにより、隣り合う第2メッシュ領域RE2は、互いにオーバーラップする。第2分割部25は、第2メッシュ領域RE2を設定すると、描画データDD1に基づいて、各第2メッシュ領域RE2の描画内容を特定し、各第2メッシュ領域RE2の描画内容を記述した事前分割データを生成する。第2分割部25は、他の事前メッシュ幅に対する事前分割データも、図13で説明した手法と同じ要領で取得する。
FIG. 13 is a diagram conceptually showing how the first drawing area RA1 is divided by a pre-mesh width larger than the initial mesh widths wx and wy. The example shown in FIG. 13 is an example in which the
基板91の描画処理が完了すると、露光装置3から基板91が搬出され、露光装置3に次の基板92が搬入される(図8:ステップS20)。そして、撮像部34が、基板92のアライメントマークMaを撮像することによって、マーク撮像データDM2を取得する(図8:ステップS21)。再配置部23は、マーク撮像データDM2に基づき、基板92のアライメントマークMaの座標を特定するとともに、特定した座標を第2マーク位置情報として、記憶部204に保存する(図8:ステップS22)。
When the drawing process of the
さらに、再配置部23は、記憶部204に保存された第1マーク座標情報と、第2マーク位置情報とに基づいて、第2メッシュ幅を決定する(ステップS23)。第2メッシュ幅は、描画データDD1を、基板91に対する基板92の相対的な変形(以下、単に基板92の変形と称する。)を補正するために必要なメッシュ幅である。以下、第2メッシュ幅を求める処理について、図14および図15参照しつつ説明する。
Further, the
<隣接2点間の変形に基づく、第2メッシュ幅の算出>
図14は、隣接2点間の変形に基づいて第2メッシュ幅を求める流れを説明するための図である。まず、再配置部23は、主走査方向または副走査方向に隣接する2つのアライメントマークMa間の位置関係から、基板92の変形を求める。例えば、図14に示すように、主走査方向に隣接する2つのアライメントマークMa11,Ma12に着目する。第1マーク座標情報から求まるアライメントマークMa11,Ma12間のベクトルをaとし、第2マーク座標情報から求まるアライメントマークMa11,Ma12間のベクトルをbとすると、アライメントマークMa11,Ma12間の変形が、ベクトルa,bの主走査方向および副走査方向の各成分の差(Δx1,Δy1)(すなわち、b−aの大きさ)として求まる。基板92におけるアライメントマークMa11,Ma12の2点間の変形を補正するために必要なメッシュ幅wx1,wy1を考える。
<Calculation of the second mesh width based on the deformation between two adjacent points>
FIG. 14 is a diagram for explaining a flow of obtaining a second mesh width based on a deformation between two adjacent points. First, the
ここで、基板92が有する、アライメントマークMa11,Ma12間の変形量(Δx1,Δy1)を補正するためのメッシュ幅wx1,wy1について検討する。まず、主走査方向について検討すると、描画精度を維持するために分割後のメッシュ領域を移動させることができる距離は、最大で露光分解能δxとする。このため、アライメントマークMa11,Ma12間の最小分割数は、変形量Δx1を露光分解能δxで割って得られる値である。副走査方向については、変形量Δy1を露光分解能δyで割った値である。基板92におけるアライメントマークMa11,Ma12の距離をL11とすると、基板92が有するアライメントマークMa11,Ma12間の変形を補正するために必要なメッシュ幅wx1,wy1は、次式で求められる。
Here, the mesh widths wx1 and wy1 for correcting the deformation amount (Δx1, Δy1) between the alignment marks Ma11 and Ma12 possessed by the
wx1=L11/(ΔX1/δx) ・・・式(7)
wy1=L11/(ΔY1/δy) ・・・式(8)
wx1 = L11 / (ΔX1 / δx) ・ ・ ・ Equation (7)
wy1 = L11 / (ΔY1 / δy) ・ ・ ・ Equation (8)
再配置部23は、上記要領で、各隣接する2つのアライメントマークMa間について、変形を補正するために必要なメッシュ幅wx1,wy1を求める。そして、求められた全てのメッシュ幅wx1,wy1のうち最小である最小メッシュ幅wx1m,wy1mを、第2メッシュ幅の第1候補として、記憶部204に保存する。
The
<基板92全体の変形に基づく、第2メッシュ幅の算出>
図15は、基板92の全体の変形に基づいて第2メッシュ幅を求める流れを説明するための図である。全体の変形は、例えば、図15に示すように、全てのアライメントマークMaのうち、隅にある4点のアライメントマークMa21,Ma22,Ma23,Ma24から選択された2点間の距離と、選択された2点間における基板92の変形に基づいて、メッシュ幅wx2,wy2を求める。アライメントマークMa21,Ma22,Ma23,Ma24の各間には、少なくとも1つ以上のアライメントマークMaが位置する。
<Calculation of the second mesh width based on the deformation of the
FIG. 15 is a diagram for explaining a flow of obtaining a second mesh width based on the overall deformation of the
例えば、基板92におけるアライメントマークMa21,Ma22に対するメッシュ幅wx2,wy2は、アライメントマークMa21,22間の距離をL21とし、基板92におけるアライメントマークMa21,Ma22間の変形量をΔx2,Δy2とすると、次式で求められる。
For example, the mesh widths wx2 and wy2 with respect to the alignment marks Ma21 and Ma22 on the
wx2=L21/(Δx2/δx) ・・・式(9)
wy2=L21/(Δy2/δy) ・・・式(10)
wx2 = L21 / (Δx2 / δx) ・ ・ ・ Equation (9)
wy2 = L21 / (Δy2 / δy) ・ ・ ・ Equation (10)
再配置部23は、他の2つアライメントマークMa間に対するメッシュ幅wx2,wy2についても、同じ要領で求める。再配置部23は、全てのメッシュ幅wx2,wy2のうち最小である最小メッシュ幅wx2m,wy2mを、第2メッシュ幅の候補として、記憶部204に保存する。
The
再配置部23は、主走査方向に関して求めた最小メッシュ幅wx1m,wx2mのうち小さい方を、第2メッシュ幅wx2として選択する。また、再配置部23は、副走査方向に関して求めた最小メッシュ幅wy1m,wy2mのうち小さい方を、第2メッシュ幅wy2として選択する。
The
図8に戻って、再配置部23は、ステップS23により、第2メッシュ幅wy2,wy2を決定すると、第2メッシュ幅wy2,wy2が、最小の事前メッシュ幅よりも小さいか否かを判定する(図8:ステップS231)。第2メッシュ幅wx2,wy2が最小の事前メッシュ幅よりも小さい場合(ステップS231においてNO)、事前分割データセットD21を使用して、基板92の変形に合わせた描画データDD1の補正が困難である。このため、データ処理装置2は、ステップS14へ戻ることにより、初期分割データD20を使用して、基板92に対する描画データDD2を生成する。
Returning to FIG. 8, when the
第2メッシュ幅wx2,wy2が最小の事前メッシュ幅よりも大きい場合(ステップS231においてYES)、再配置部23は、第2メッシュ幅wx2,wy2が最大事前メッシュ幅よりも大きいか否かを判定する(図8:ステップS24)。第2メッシュ幅wx2,wy2が最大の事前メッシュ幅よりも大きい場合(ステップS24においてYES)、データ処理装置2は、描画データDD1をそのまま描画コントローラ31に送信する。これにより、描画コントローラ31は、描画データDD1を用いて、基板92の描画を行う(図8:ステップS25)。
When the second mesh widths wx2 and wy2 are larger than the minimum pre-mesh width (YES in step S231), the
再配置部23は、第2メッシュ幅wx2,wy2が最大の事前メッシュ幅と同じ、または、最大の事前メッシュ幅よりも小さいと判定した場合(ステップS24においてNO)、事前分割データセットD21から使用する事前分割データを決定する(図8:ステップS26)。具体的には、再配置部23は、事前分割データセットD21において、第2メッシュ幅よりも小さい事前メッシュ幅のうち、最大の事前メッシュ幅で生成された事前分割データを選択する。このように、できるだけ大きい事前メッシュ幅の事前分割データを選択することにより、後述する第2メッシュ領域RE2を再配置する処理(ステップS27)、および、各第2メッシュ領域RE2の描画内容を合成する処理(ステップS28)に必要な演算量を小さくできる。
When it is determined that the second mesh width wx2 and wy2 are the same as the maximum pre-mesh width or smaller than the maximum pre-mesh width (NO in step S24), the
再配置部23は、選択された事前分割データを用いて、第1マーク座標情報および第2マーク座標情報に基づいて特定される、基板91に対する基板92の変形に応じて、事前分割データに記述された各第2メッシュ領域RE2を再配置する(ステップS27)。再配置部23による再配置の処理は、図7に示すステップS14と同様に行われる。再配置部23は、再配置後の各メッシュ領域の位置を表す再配置データDS2を生成する(図1参照)。
The
再配置部23が再配置データDS2を生成すると、合成部24が、事前分割データおよび再配置データDS2に基づいて、描画データDD2を生成する(図8:ステップS28)。事前分割データは、ステップS26で再配置部23が事前分割データセットD21の中から選択したデータである。合成部24による描画データDD2の生成処理は、図7に示すステップS15と同様に行われる。
When the
データ処理装置2は、合成部24が生成した描画データDD2を、描画コントローラ31へ送信する。描画コントローラ31は、描画データDD2に基づいて、変調部33aを制御することにより、基板92の対象面9aに回路パターンを描画する(図8:ステップS29)。
The
続いて、データ処理装置2は、描画処理が完了したか否かを判定する(ステップS30)。描画すべき基板9が存在する場合、データ処理装置2は、ステップS20に戻り、ステップS20以降の処理を繰り返す。これにより、次の基板9に対する描画処理が実行される。
Subsequently, the
以上のように、描画装置1では、2枚目以降の基板9に対する描画データDD2は、1枚目の基板9に対する描画データDD1を補正することによって生成される。1枚目の基板9に対する2枚目以降の基板9の変形が小さい場合、描画データDD1に対する補正量が小さいため、描画データDD2の生成に必要な計算資源または計算時間を低減できる。
As described above, in the
ステップS27で再配置される第2メッシュ領域RE2は、ステップS14で再配置される第1メッシュ領域RE1よりもサイズが大きい。このため、第2メッシュ領域RE2の数が、第1メッシュ領域RE1の数よりも少なくなる。したがって、ステップS27における再配置の処理、および、ステップS28における描画内容を合成する処理に必要な計算資源または計算時間を級数的に低減できる。 The second mesh region RE2 rearranged in step S27 is larger in size than the first mesh region RE1 rearranged in step S14. Therefore, the number of the second mesh region RE2 is smaller than the number of the first mesh region RE1. Therefore, the computational resources or calculation time required for the rearrangement process in step S27 and the process of synthesizing the drawing contents in step S28 can be reduced series.
また、描画装置1では、事前に、描画データDD1が表現する第1描画領域RA1を、異なる大きさの事前メッシュ幅で分割することによって、事前分割データセットD21が生成される。このため、基板9ごとに、分割データを生成する場合よりも、計算資源または計算時間を低減できる。
Further, in the
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although the present invention has been described in detail, the above description is exemplary in all aspects and the invention is not limited thereto. It is understood that innumerable variations not illustrated can be assumed without departing from the scope of the present invention. The configurations described in the above embodiments and the modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not conflict with each other.
1 描画装置
2 データ処理装置
201 プロセッサ
203 RAM
204 記憶部
21 変換部
22 第1分割部
23 再配置部
24 合成部
25 第2分割部
3 露光装置
31 描画コントローラ
32 ステージ
33 照射部
34 撮像部
9,91,92 基板
D20 初期分割データ
D21 事前分割データセット
DD0 初期描画データ
DD1,DD2 描画データ
DM1,DM2 マーク撮像データ
DP パターンデータ
DS1,DS2 再配置データ
Ma アライメントマーク
RA0 初期描画領域
RA1 第1描画領域
RA2 描画領域
RE1 第1メッシュ領域
RE2 第2メッシュ領域
1 Drawing
Claims (8)
複数のアライメントマークを有する基板を載置するためのステージと、
前記ステージに載置された前記基板の前記アライメントマークを撮像する撮像部と、
描画データを生成するデータ処理部と、
前記描画データに基づいて、前記ステージに載置された前記基板に光を照射する照射部と、
を備え、
前記データ処理部は、
所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、
前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第1メッシュ領域の各描画内容を表す第1分割データを生成する第1分割処理と、
前記撮像部が第1基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第1基板の前記アライメントマークの位置を特定する第1マーク位置特定処理と、
前記第1基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第1メッシュ領域を再配置する第1再配置処理と、
前記第1再配置処理により再配置された各前記第1メッシュ領域の位置に合わせて、前記第1分割データが表す各前記第1メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第1描画領域を表現する第1描画データを生成する第1合成処理と、
前記第1描画データに基づいて、前記第1描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第2メッシュ領域の各描画内容を表す第2分割データを生成する第2分割処理と、
前記撮像部が第2基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第2基板の前記アライメントマークの位置を特定する第2マーク位置特定処理と、
前記第2基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第2メッシュ領域を再配置する第2再配置処理と、
前記第2再配置処理により再配置された各前記第2メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第2メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第2描画領域を表す第2描画データを生成する第2合成処理と、
を実行する、描画装置。 A drawing device that draws a predetermined pattern on a substrate.
A stage for mounting a substrate with multiple alignment marks,
An imaging unit that images the alignment mark of the substrate mounted on the stage, and an imaging unit.
A data processing unit that generates drawing data and
An irradiation unit that irradiates the substrate placed on the stage with light based on the drawing data.
With
The data processing unit
Data acquisition processing to acquire initial drawing data representing the initial drawing area including a predetermined pattern, and
Based on the initial drawing data, the first division process for generating the first division data representing the drawing contents of the plurality of first mesh areas obtained by dividing the initial drawing area by the initial mesh width, and the first division processing.
The first mark position specifying process for specifying the position of the alignment mark on the first substrate based on the captured image obtained by the imaging unit imaging the first substrate.
A first rearrangement process for rearranging each of the first mesh regions based on the position of the alignment mark on the first substrate, and
The drawing contents of each of the first mesh regions represented by the first division data are combined according to the position of each of the first mesh regions rearranged by the first rearrangement processing, and the first drawing including a predetermined pattern is performed. The first compositing process that generates the first drawing data that expresses the area, and
Based on the first drawing data, second division data representing each drawing content of a plurality of second mesh areas obtained by dividing the first drawing area with a mesh width larger than the initial mesh width is generated. Second division processing and
The second mark position specifying process for specifying the position of the alignment mark on the second substrate based on the captured image obtained by the imaging unit imaging the second substrate.
A second rearrangement process for rearranging each of the second mesh regions based on the position of the alignment mark on the second substrate, and
Second drawing data representing a second drawing area including a predetermined pattern by synthesizing the drawing contents of each of the second mesh areas according to the position of each of the second mesh areas rearranged by the second relocation process. The second synthesis process to generate
A drawing device that runs.
前記第2分割処理は、前記データ処理部が、前記第1描画領域を、互いに異なる複数の事前メッシュ幅で分割することによって、前記事前メッシュ幅ごとに、複数の前記第2メッシュ領域の各描画内容を表す事前分割データを生成する処理を含み、
前記第2再配置処理は、前記データ処理部が、前記第2基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、複数の前記事前分割データの中から一の事前分割データを選択し、選択した前記事前分割データが表す各前記第2メッシュ領域を再配置する処理を含む、描画装置。 The drawing apparatus according to claim 1.
In the second division process, the data processing unit divides the first drawing area into a plurality of pre-mesh widths different from each other, so that each of the plurality of second mesh areas is divided for each pre-mesh width. Includes processing to generate pre-divided data that represents the drawing content
In the second rearrangement process, the data processing unit selects one pre-divided data from the plurality of pre-divided data based on the position of the alignment mark on the second substrate, and before the selection. Article A drawing device including a process of rearranging each of the second mesh regions represented by the pre-divided data.
前記第2再配置処理は、前記データ処理部が、前記第2基板が前記第1基板に対して有する、各前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む、描画装置。 The drawing apparatus according to claim 1 or 2.
The second rearrangement process includes a process in which the data processing unit determines the mesh width based on the deformation between the alignment marks that the second substrate has with respect to the first substrate. Device.
前記第2再配置処理は、前記データ処理部が、隣接する2つの前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む、描画装置。 The drawing apparatus according to claim 3.
The second rearrangement process is a drawing apparatus including a process in which the data processing unit determines the mesh width based on a deformation between two adjacent alignment marks.
前記第2再配置処理は、前記データ処理部が、隅に位置する2つの前記アライメントマーク間の変形に基づいて、前記メッシュ幅を決定する処理を含む、描画装置。 The drawing apparatus according to claim 3 or 4.
The second rearrangement process is a drawing apparatus including a process in which the data processing unit determines the mesh width based on the deformation between the two alignment marks located at the corners.
プロセッサと、
前記プロセッサと電気的に接続されるメモリと、
を備え、
前記プロセッサは、
所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、
前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第1メッシュ領域の各描画内容を表す第1分割データを生成する第1分割処理と、
第1基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第1基板の前記アライメントマークの位置を特定する第1マーク位置特定処理と、
前記第1基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第1メッシュ領域を再配置する第1再配置処理と、
前記第1再配置処理により再配置された各前記第1メッシュ領域の位置に合わせて、前記第1分割データが表す各前記第1メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第1描画領域を表現する第1描画データを生成する第1合成処理と、
前記第1描画データに基づいて、前記第1描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第2メッシュ領域の各描画内容を表す第2分割データを生成する第2分割処理と、
第2基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第2基板の前記アライメントマークの位置を特定する第2マーク位置特定処理と、
前記第2基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第2メッシュ領域を再配置する第2再配置処理と、
前記第2再配置処理により再配置された各前記第2メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第2メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第2描画領域を表す第2描画データを生成する第2合成処理と、
を実行する、データ処理装置。 A data processing device that generates drawing data used in a drawing device that draws a predetermined pattern on a substrate.
With the processor
A memory that is electrically connected to the processor
With
The processor
Data acquisition processing to acquire initial drawing data representing the initial drawing area including a predetermined pattern, and
Based on the initial drawing data, the first division process for generating the first division data representing the drawing contents of the plurality of first mesh areas obtained by dividing the initial drawing area by the initial mesh width, and the first division processing.
The first mark position specifying process for specifying the position of the alignment mark on the first substrate based on the captured image obtained by imaging the first substrate, and
A first rearrangement process for rearranging each of the first mesh regions based on the position of the alignment mark on the first substrate, and
The drawing contents of each of the first mesh regions represented by the first division data are combined according to the position of each of the first mesh regions rearranged by the first rearrangement processing, and the first drawing including a predetermined pattern is performed. The first compositing process that generates the first drawing data that expresses the area, and
Based on the first drawing data, second division data representing each drawing content of a plurality of second mesh areas obtained by dividing the first drawing area with a mesh width larger than the initial mesh width is generated. Second division processing and
Based on the captured image obtained by imaging the second substrate, the second mark position specifying process for specifying the position of the alignment mark on the second substrate and the second mark position specifying process.
A second rearrangement process for rearranging each of the second mesh regions based on the position of the alignment mark on the second substrate, and
Second drawing data representing a second drawing area including a predetermined pattern by synthesizing the drawing contents of each of the second mesh areas according to the position of each of the second mesh areas rearranged by the second relocation process. The second synthesis process to generate
A data processing device that runs.
所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、
前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第1メッシュ領域の各描画内容を表す第1分割データを生成する第1分割処理と、
第1基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第1基板のアライメントマークの位置を特定する第1マーク位置特定処理と、
前記第1基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第1メッシュ領域を再配置する第1再配置処理と、
前記第1再配置処理により再配置された各前記第1メッシュ領域の位置に合わせて、前記第1分割データが表す各前記第1メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第1描画領域を表現する第1描画データを生成する第1合成処理と、
前記第1描画データに基づいて、前記第1基板に描画を行う第1描画処理と、
前記第1描画データに基づいて、前記第1描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第2メッシュ領域の各描画内容を表す第2分割データを生成する第2分割処理と、
第2基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第2基板のアライメントマークの位置を特定する第2マーク位置特定処理と、
前記第2基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第2メッシュ領域を再配置する第2再配置処理と、
前記第2再配置処理により再配置された各前記第2メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第2メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第2描画領域を表す第2描画データを生成する第2合成処理と、
前記第2描画データに基づいて、前記第2基板に描画を行う第2描画処理と、
を含む、描画方法。 It is a drawing method that draws a predetermined pattern on the board.
Data acquisition processing to acquire initial drawing data representing the initial drawing area including a predetermined pattern, and
Based on the initial drawing data, the first division process for generating the first division data representing the drawing contents of the plurality of first mesh areas obtained by dividing the initial drawing area by the initial mesh width, and the first division processing.
The first mark position specifying process for specifying the position of the alignment mark on the first substrate based on the captured image obtained by imaging the first substrate, and
A first rearrangement process for rearranging each of the first mesh regions based on the position of the alignment mark on the first substrate, and
The drawing contents of each of the first mesh regions represented by the first division data are combined according to the position of each of the first mesh regions rearranged by the first rearrangement processing, and the first drawing including a predetermined pattern is performed. The first compositing process that generates the first drawing data that expresses the area, and
A first drawing process for drawing on the first substrate based on the first drawing data, and
Based on the first drawing data, second division data representing each drawing content of a plurality of second mesh areas obtained by dividing the first drawing area with a mesh width larger than the initial mesh width is generated. Second division processing and
Based on the captured image obtained by imaging the second substrate, the second mark position specifying process for specifying the position of the alignment mark on the second substrate and the second mark position specifying process.
A second rearrangement process for rearranging each of the second mesh regions based on the position of the alignment mark on the second substrate, and
Second drawing data representing a second drawing area including a predetermined pattern by synthesizing the drawing contents of each of the second mesh areas according to the position of each of the second mesh areas rearranged by the second relocation process. The second synthesis process to generate
A second drawing process for drawing on the second substrate based on the second drawing data,
How to draw, including.
所定パターンを含む初期描画領域を表す初期描画データを取得するデータ取得処理と、
前記初期描画データに基づいて、前記初期描画領域を初期メッシュ幅で分割することによって得られる複数の第1メッシュ領域の各描画内容を表す第1分割データを生成する第1分割処理と、
第1基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第1基板のアライメントマークの位置を特定する第1マーク位置特定処理と、
前記第1基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第1メッシュ領域を再配置する第1再配置処理と、
前記第1再配置処理により再配置された各前記第1メッシュ領域の位置に合わせて、前記第1分割データが表す各前記第1メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第1描画領域を表現する第1描画データを生成する第1合成処理と、
前記第1描画データに基づいて、前記第1描画領域を前記初期メッシュ幅よりも大きいメッシュ幅で分割することにより得られる複数の第2メッシュ領域の各描画内容を表す第2分割データを生成する第2分割処理と、
第2基板を撮像して得られる撮像画像に基づいて、前記第2基板のアライメントマークの位置を特定する第2マーク位置特定処理と、
前記第2基板の前記アライメントマークの位置に基づいて、各前記第2メッシュ領域を再配置する第2再配置処理と、
前記第2再配置処理により再配置された各前記第2メッシュ領域の位置に合わせて、各前記第2メッシュ領域の描画内容を合成し、所定パターンを含む第2描画領域を表す第2描画データを生成する第2合成処理と、
を含む、描画データ生成方法。 A drawing data generation method for generating drawing data used in a drawing apparatus that draws a predetermined pattern on a substrate.
Data acquisition processing to acquire initial drawing data representing the initial drawing area including a predetermined pattern, and
Based on the initial drawing data, the first division process for generating the first division data representing the drawing contents of the plurality of first mesh areas obtained by dividing the initial drawing area by the initial mesh width, and the first division processing.
The first mark position specifying process for specifying the position of the alignment mark on the first substrate based on the captured image obtained by imaging the first substrate, and
A first rearrangement process for rearranging each of the first mesh regions based on the position of the alignment mark on the first substrate, and
The drawing contents of each of the first mesh regions represented by the first division data are combined according to the position of each of the first mesh regions rearranged by the first rearrangement processing, and the first drawing including a predetermined pattern is performed. The first compositing process that generates the first drawing data that expresses the area, and
Based on the first drawing data, second division data representing each drawing content of a plurality of second mesh areas obtained by dividing the first drawing area with a mesh width larger than the initial mesh width is generated. Second division processing and
Based on the captured image obtained by imaging the second substrate, the second mark position specifying process for specifying the position of the alignment mark on the second substrate and the second mark position specifying process.
A second rearrangement process for rearranging each of the second mesh regions based on the position of the alignment mark on the second substrate, and
Second drawing data representing a second drawing area including a predetermined pattern by synthesizing the drawing contents of each of the second mesh areas according to the position of each of the second mesh areas rearranged by the second relocation process. The second synthesis process to generate
Drawing data generation method including.
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