JP2021137927A - 研磨装置および処理システム - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 839
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 483
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 68
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 63
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 40
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 108
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010720 hydraulic oil Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
置は、前記対象物に対して前記研磨パッドの回転上流側に配置された状態において、前記研磨パッドの回転方向と交差する方向に配列された複数の研磨液供給口を有し、前記複数の研磨液供給口から供給される研磨液が所定の流量分布となるように研磨液を供給する、ことを特徴とする研磨装置が開示される。
図1は、本発明の一実施形態に係る研磨装置の概略構成を示す図である。本実施形態の研磨装置1は、研磨面102を有する研磨パッド100を使用して、研磨対象物としての半導体ウェハ等の基板WFの研磨を行うことができるように構成されている。図示するように、研磨装置1は、研磨パッド100を支持するための研磨テーブル20と、基板WFを保持して研磨パッド100の研磨面102に押し当てるための研磨ヘッド(基板保持部)30と、を備えている。さらに、研磨装置1は、研磨パッド100と基板WFとの間に研磨液(スラリー)を供給するための研磨液供給装置40と、研磨パッド100の外に旋回された研磨液供給装置40に対して洗浄液を供給するための洗浄機構300と、研磨面102に純水等の液体および/または窒素等のガスを噴射して、使用済みの研磨液、研磨残渣等を洗い流すためのアトマイザー50と、を備えている。研磨液供給装置40は、基板WFに対して研磨パッド100の回転上流側に配置されている。なお、図1の実施形態では洗浄機構300が研磨液供給装置40の上部に配置される例を示したが、これに限らず、例えば研磨液供給装置40の上部および下部に洗浄機構300をそれぞれ配置して、研磨液供給装置40を上下方向から洗浄するように構成することもできる。
ロコンピュータとして構成されてもよいし、専用の演算処理を行うハードウェア回路として構成されてもよいし、マイクロコンピュータと、専用の演算処理を行うハードウェア回路との組み合わせで構成されてもよい。
図2は、研磨液供給装置の斜視図である。図3は、昇降旋回機構の構成を示す模式図である。なお、本明細書において、上流および下流は、図1において研磨テーブル20(研磨パッド100)が時計回りに回転する場合の上流および下流を示すものとする。
端部60aには、連結部材61を介して研磨液供給部材41が取り付けられている。研磨液供給部材41は、連結部材61に対して脱着可能になっており、連結部材61は、アーム60に対して着脱可能になっている。これにより、研磨仕様や基板WF性状に応じて、研磨液供給部材41を取り替えたり、研磨液供給部材41と連結部材61をまとめて取り換えたりすることができる。
アーム60の基端部60bは、図3に示すように、アーム60を昇降旋回させる昇降旋回機構70に接続されている。昇降旋回機構70は、アーム60を昇降させるための昇降機構80と、アーム60を旋回させるための旋回機構90とを備えている。昇降機構80および旋回機構90は、制御装置200により制御される。
ることで、任意の角度にアーム60を旋回させてもよい。本旋回機構90により、研磨液供給部材41は研磨面102上の所定位置への移動が可能となる。
次に、研磨液供給部材41の詳細を説明する。図4は、研磨液供給部材の構成を概略的に示す断面図である。図4に示すように、研磨液供給部材41は、供給部材本体410と、パッキン440を介して供給部材本体410と連結されるカバー部材430と、を含む。供給部材本体410は、矩形の板状に形成され、中央に窪みを有する。供給部材本体410の窪み部分には所定方向に沿って配列された複数の研磨液供給口414が形成されている。複数の研磨液供給口414は、研磨液供給部材41が基板WFに対して研磨パッド100の回転上流側に配置された状態において、研磨パッド100の回転方向と交差する方向に配列される。複数の研磨液供給口414は、一例として、開口径が0.3から2mmとなるように形成されるが、任意の開口径を採用することができる。
定の研磨液の供給流量分布が得られないことがある。ここで、供給部材本体410はPEEKやPVC、PP等の樹脂材料で製作されていてもよいが、上記の濡れ性の影響が無視できない場合はPTFEやPCTFE、PFA等のフッ素樹脂材料により製作してもよい。また、図5は、研磨液供給部材41の側面断面を示す図である。図5(a)に示すように、供給部材本体410の供給面410aの短手方向側にテーパ形状等の傾斜を設けてもよく、図5(b)に示すように、供給面410aの複数の研磨液供給口414の周縁部に凸部410cを設けてもよい。また、図5(c)に示すように、供給部材本体410の供給面410aに突起部410dを設け、突起部410dに研磨液供給口414を設けてもよい。突起部410dは、供給部材本体410の供給面410aの長手方向に沿って複数設けることができる。突起部410dは、円柱、四角柱、円錐、四角錐など任意の形状で設けることができる。
次に、洗浄機構300の詳細を説明する。図6は、研磨液供給部材41、連結部材61、およびアーム60の洗浄機構300を示す図である。図6に示すように、洗浄機構300は、研磨液供給部材41、連結部材61、およびアーム60の上部および下部に配置された複数の洗浄ノズル301を含み、研磨テーブル20の外側に配置される。洗浄機構300は、基板WFの研磨間において、研磨液供給部材41が旋回機構90により、研磨テーブルの外側に退避した際に研磨液供給部材41、連結部材61、およびアーム60を洗浄する。洗浄ノズル301は円錐型もしくは扇型の少なくとも一方もしくはその組合せからなり、純水301aを供給する。なお、洗浄機構300は洗浄ノズル301による洗浄後に研磨液供給部材41、連結部材61、およびアーム60を乾燥させるための乾燥ノズル302を有してもよい。乾燥ノズル302は円錐型もしくは扇型の少なくとも一方もしくはその組合せからなり、N2もしくは圧縮空気302aを供給する。純水が残留すると、次研磨において、研磨液供給部材41が再度研磨テーブル20上に移動した際に、残留した純水が研磨パッド100の研磨面102に落下することで研磨性能に影響を及ぼしたり、供給面410aに残留すると、研磨液供給口414からの研磨液の流れを乱したりするためである。洗浄ノズル301による洗浄後に乾燥ノズル302にて研磨液供給部材41の供給部材本体410、カバー部430、およびアーム60を乾燥させることで、純水が残留することを抑制できる。
もよい。複数の研磨液供給口414を複数列にすることにより、供給される研磨液の研磨パッド102上のカバー率が増加することで、より均一な研磨液の供給量分布を得ることができる。
磨液供給口414の開口中心間の間隔(複数の研磨液供給口414のピッチ)が減少してもよい。さらに、図12(c)に示すように、複数の研磨液供給口414は、開口径が同一であり、位置CT´から位置EG1´,EG2´に向かって、複数列にするなど、単位面積当たりの各研磨液供給口414の数を連続的または一定数毎に増加してもよい。
向に沿った基板WFの直径DIの研磨パッド100の回転軌跡上の対応する範囲DI´に形成されており、範囲DI´において研磨パッド100の回転中心に近い側の基板WFの外周EG1に対応する位置EG1´から、研磨パッド100の回転中心から遠い側の基板WFの外周EG2に対応する位置EG2´に向かって、研磨液SLの流量が増加するように研磨液を供給することができる。この流量分布を実現するために、研磨液供給部材41の供給部材本体410は、研磨パッド100の半径に相当する長さを有しており、図16に示すように、複数の研磨液供給口414は、開口径が同一であり、位置EG1´から位置EG2´に向かって、各研磨液供給口414の開口中心間の間隔が連続的に減少する。また、これに限らず、複数の研磨液供給口414は、位置EG1´から位置EG2´に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに開口径が連続的または一定数毎に増加してもよい。
図23は、一実施形態としての処理システムの概略構成を示す平面図である。図示の処理システム1000は、本明細書で説明されるような、基板WFを研磨処理する研磨装置1−A〜1−Cと、基板WFを洗浄するための洗浄装置350−A,350−Bと、基板WFの搬送装置としてのロボット400と、基板WFのロードポート500と、乾燥装置600と、を有する。かかるシステム構成において、処理される基板WFは、ロードポート500に入れられる。ロードポート500にロードされた基板WFは、ロボット400により研磨装置1−A〜1−Cのいずれかに搬送され、研磨処理が行われる。基板WFは、複数の研磨装置で順次研磨処理されてもよい。研磨処理が行われた基板WFは、ロボット400により洗浄装置350−A,350−Bのいずれかに搬送され、洗浄される。基板WFは、洗浄装置350−A,350−Bで順次洗浄されてもよい。洗浄処理が行われた基板WFは、乾燥装置600へ搬送されて、乾燥処理が行われる。乾燥した基板WFは、再びロードポート500に戻される。
記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
から前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに開口径が連続的または一定数毎に増加する、研磨装置を開示する。
20 研磨テーブル
30 研磨ヘッド
31 シャフト
34 支持アーム
40 研磨液供給装置
41 研磨液供給部材
50 アトマイザー
51 旋回軸
60 アーム
60a 先端部
60b 基端部
61 連結部材
70 昇降旋回機構
80 昇降機構
81 昇降シリンダ
82 軸
83 ボールスプライン
84 軸
85 フレーム
86 センサ
90 旋回機構
92 シャフト
93 モータ
100 研磨パッド
102 研磨面
120 研磨液供給ライン
125 流量調整機構
130 流体ライン
140 電気ケーブル
200 制御装置
300 洗浄機構
301 洗浄ノズル
302 乾燥ノズル
350−A,350−B 洗浄装置
400 ロボット(搬送装置)
410 供給部材本体
410a 供給面
410b 背面
410c 凸部
410d 突起部
414 研磨液供給口
420 バッファ部
430 カバー部材
440 パッキン
500 ロードポート
600 乾燥装置
1000 処理システム
AA,BB,CC 仮想軸
DI 直径
RA 半径
WF 基板
Claims (18)
- 研磨パッドを支持するためのテーブルと、
対象物を保持するための研磨ヘッドと、
前記研磨パッドと前記対象物との間に研磨液を供給するための研磨液供給装置と、
を含み、
研磨液の存在下で前記研磨パッドと前記対象物とを接触させて互いに回転運動させることにより前記対象物の研磨を行う研磨装置であって、
前記研磨液供給装置は、前記対象物に対して前記研磨パッドの回転上流側に配置された状態において、前記研磨パッドの回転方向と交差する方向に配列された複数の研磨液供給口を有し、
前記複数の研磨液供給口から供給される研磨液が所定の流量分布となるように研磨液を供給する、
ことを特徴とする研磨装置。 - 前記研磨液供給装置は、
研磨液を供給するための研磨液供給部材と、
前記研磨液供給部材を保持するためのアームと、
前記研磨液供給部材から供給する研磨液の流量を調整するための流量調整機構と、を含み、
前記アームは、前記研磨パッド外に配置された旋回軸を中心に旋回可能に構成され、
前記研磨液供給部材は、
前記複数の研磨液供給口と、
前記流量調整機構と前記複数の研磨液供給口に接続されたバッファ部と、
を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。 - 前記複数の研磨液供給口は、開口径が0.3から2mmである、
請求項1または2に記載の研磨装置。 - 前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記対象物の直径に対応する範囲に形成され、前記範囲における研磨液の流量分布が均一になるように研磨液を供給する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の半径に対応する範囲に形成され、前記範囲における研磨液の流量分布が均一になるように研磨液を供給する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記複数の研磨液供給口は開口径が同一であり、前記対象物の直径に対応する範囲、または、前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の半径に対応する範囲において、均等間隔で配置されている、
ことを特徴とする請求項4または5に記載の研磨装置。 - 前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって等距離の範囲に形成され、前記範囲において前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって研磨液の流量が増加するように研磨液を供給する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の半径に対応する範囲に形成され、前記範囲において前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって研磨液の流量が増加するように研磨液を供給する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記複数の研磨液供給口は、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって、または、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに開口径が連続的または一定数毎に増加する、
ことを特徴とする請求項7または8に記載の研磨装置。 - 前記複数の研磨液供給口は、開口径が同一であり、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記対象物の両外周に対応する位置に向かって、または、前記対象物の回転中心の前記研磨パッドの回転軌跡上の対応する位置から前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、各研磨液供給口の間隔が、連続的または一定数毎に減少する、
ことを特徴とする請求項7または8に記載の研磨装置。 - 前記研磨液供給装置は、前記複数の研磨液供給口が前記対象物の直径に対応する範囲に形成され、前記範囲において前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置から、前記研磨パッドの回転中心から遠い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、研磨液の流量が増加するように研磨液を供給する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記複数の研磨液供給口は、前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置から、前記研磨パッドの回転中心から遠い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、開口中心が均等間隔で配置されるとともに開口径が連続的または一定数毎に増加する、
ことを特徴とする請求項11に記載の研磨装置。 - 前記複数の研磨液供給口は、開口径が同一であり、前記研磨パッドの回転中心に近い側の前記対象物の外周に対応する位置から、前記研磨パッドの回転中心から遠い側の前記対象物の外周に対応する位置に向かって、各研磨液供給口の間隔が、連続的または一定数毎に減少する、
ことを特徴とする請求項11に記載の研磨装置。 - 前記研磨液供給部材は、前記アームの旋回運動により前記研磨パッド上で揺動可能である、
ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記研磨液供給部材は、前記複数の研磨液供給口が配列された第1の方向、前記研磨パッドの研磨面に対して垂直な第2の方向、および前記第1の方向と前記第2の方向と直交する第3の方向、のそれぞれに対してスライド移動可能に構成される、
ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記研磨液供給部材は、前記複数の研磨液供給口が配列された第1の方向、前記研磨パ
ッドの研磨面に対して垂直な第2の方向、および前記第1の方向と前記第2の方向と直交する第3の方向、のそれぞれの仮想軸に対して回転可能に構成される、
ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記アームの旋回運動により前記研磨パッド外に旋回された前記研磨液供給装置に対して洗浄液を供給するための洗浄機構をさらに含む、
ことを特徴とする請求項1乃至16のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 対象物を処理する処理システムであって、
請求項1乃至17のいずれか一項に記載の研磨装置と、
前記研磨装置によって研磨された対象物を洗浄するための洗浄装置と、
前記洗浄装置によって洗浄された対象物を乾燥するための乾燥装置と、
前記研磨装置、前記洗浄装置、および前記乾燥装置間で前記対象物を搬送するための搬送装置と、
を含む処理システム。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020038725A JP7493966B2 (ja) | 2020-03-06 | 2020-03-06 | 研磨装置および処理システム |
KR1020210023161A KR20210113041A (ko) | 2020-03-06 | 2021-02-22 | 연마 장치, 처리 시스템 및 연마 방법 |
SG10202102212P SG10202102212PA (en) | 2020-03-06 | 2021-03-04 | Apparatus for polishing, processing system, and method of polishing |
US17/193,049 US20210283746A1 (en) | 2020-03-06 | 2021-03-05 | Apparatus for polishing, processing system, and method of polishing |
TW110108030A TW202140202A (zh) | 2020-03-06 | 2021-03-05 | 研磨裝置、處理系統及研磨方法 |
CN202110253439.5A CN113352229B (zh) | 2020-03-06 | 2021-03-05 | 研磨装置和处理系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020038725A JP7493966B2 (ja) | 2020-03-06 | 2020-03-06 | 研磨装置および処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021137927A true JP2021137927A (ja) | 2021-09-16 |
JP7493966B2 JP7493966B2 (ja) | 2024-06-03 |
Family
ID=77667390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020038725A Active JP7493966B2 (ja) | 2020-03-06 | 2020-03-06 | 研磨装置および処理システム |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP7493966B2 (ja) |
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JP7493966B2 (ja) | 2024-06-03 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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