JP2021132346A - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化が可能な高周波モジュールを提供する。【解決手段】高周波モジュール１は、電力増幅器１１と、電力増幅器１１に電源電圧を供給するための電源端子１３０と電力増幅器１１との間に接続されたインダクタ１２と、インダクタ１２及び電源端子１３０の間のノード１４とグランドとの間に接続されたキャパシタ１３と、互いに対向する主面７１及び７２を有するモジュール基板７０と、主面７２に配置された複数のポスト電極９０と、を備え、インダクタ１２は、主面７１又はモジュール基板７０内部に配置され、電力増幅器１１及びキャパシタ１３の少なくとも一方は、主面７２に配置されている。【選択図】図２

Description

本発明は、高周波モジュール及び通信装置に関する。

携帯電話などの移動体通信装置では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子数が増加する。

特許文献１には、多層基板内の２つの有機誘電体層の間に位置する導電層にキャパシタなどの受動素子を形成することが開示されている。

米国特許出願公開第２００８／０１１１２２６号明細書

しかしながら、上記従来の技術では、高周波モジュールのさらなる小型化が望まれている。

そこで、本発明は、小型化が可能な高周波モジュール及び通信装置を提供する。

本発明の一態様に係る高周波モジュールは、電力増幅器と、前記電力増幅器に電源電圧を供給するための電源端子と前記電力増幅器との間に接続されたインダクタと、前記インダクタ及び前記電源端子の間のノードとグランドとの間に接続されたキャパシタと、互いに対向する第１主面及び第２主面を有するモジュール基板と、前記第２主面に配置された複数の外部接続端子と、を備え、前記インダクタは、前記第１主面又は前記モジュール基板内部に配置され、前記電力増幅器及び前記キャパシタの少なくとも一方は、前記第２主面に配置されている。

本発明によれば、小型化が可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することができる。

実施の形態１〜４に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図 実施の形態１に係る高周波モジュールの平面図 実施の形態１に係る高周波モジュールの断面図 実施の形態２に係る高周波モジュールの断面図 実施の形態３に係る高周波モジュールの断面図 実施の形態４に係る高周波モジュールの断面図

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。

なお、各図は、本発明を示すために適宜強調、省略、又は比率の調整を行った模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、実際の形状、位置関係、及び比率とは異なる場合がある。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡素化される場合がある。

以下の各図において、ｘ軸及びｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。

（実施の形態１）
［１ 高周波モジュール１及び通信装置８の回路構成］
本実施の形態に係る高周波モジュール１及び通信装置８の回路構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施の形態１〜４に係る高周波モジュール１、１Ａ、１Ｂ及び１Ｃ並びに通信装置８の回路構成図である。

なお、以下の回路構成の説明において、「接続される」とは、配線導体、端子、コネクタ、スイッチ、又はそれらの任意の組み合わせを介して電気的に接続されることだけでなく、受動素子及び／又は能動素子を介して電気的に接続されることも含む。また、「ＡとＢとの間に接続される」とは、Ａ及びＢを結ぶ経路上に配置されＡ及びＢの両方に接続されることを意味する。

［１．１ 通信装置８の回路構成］
通信装置８は、通信システムで用いられる装置であり、例えばスマートフォン及びタブレットコンピュータ等である。図１に示すように、通信装置８は、高周波モジュール１と、送信フィルタ１６と、受信フィルタ２６と、低雑音増幅器２１と、アンテナ５と、ＲＦＩＣ６と、ＢＢＩＣ７と、を備える。

アンテナ５は、アンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を送信し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

ＲＦＩＣ６は、高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ６は、ＢＢＩＣ７から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波信号を、高周波モジュール１の送信入力端子１１０に出力する。

また、ＲＦＩＣ６は、アンテナ５から受信フィルタ２６及び低雑音増幅器２１を介して入力された高周波信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ７へ出力する。

ＢＢＩＣ７は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ７で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、又は、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。

低雑音増幅器２１は、受信フィルタ２６と受信出力端子１２０との間に接続されている。低雑音増幅器２１は、受信フィルタ２６を介して入力された高周波信号を低雑音で増幅してＲＦＩＣ６へ出力する。

送信フィルタ１６は、高周波モジュール１の整合回路１５とアンテナ接続端子１００との間に接続されている。送信フィルタ１６は、電力増幅器１１で増幅された高周波信号のうち、所定の送信帯域の高周波信号を通過させる。

受信フィルタ２６は、低雑音増幅器２１とアンテナ接続端子１００との間に接続されている。受信フィルタ２６は、アンテナ接続端子１００から入力された高周波信号のうち、所定の受信帯域の高周波信号を通過させる。

本実施の形態では、送信フィルタ１６及び受信フィルタ２６は、所定の周波数帯域の高周波信号を同時に送信及び受信することが可能なデュプレクサを構成している。なお、送信フィルタ１６及び受信フィルタ２６とアンテナ接続端子１００との間にスイッチなどの回路素子が接続されてもよい。

送信フィルタ１６及び受信フィルタ２６の各々は、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、及び誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。

なお、本実施の形態に係る通信装置８において、アンテナ５及びＢＢＩＣ７は、必須の構成要素ではない。また、通信装置８は、受信フィルタ２６、低雑音増幅器２１、及び受信出力端子１２０を含まなくてもよい。この場合、通信装置８は、所定の送信帯域の高周波信号を送信する送信装置となる。

また、送信フィルタ１６、受信フィルタ２６、低雑音増幅器２１、又は、それらの任意の組み合わせが、高周波モジュール１に含まれてもよい。つまり、電力増幅器１１、インダクタ１２、キャパシタ１３、整合回路１５、送信フィルタ１６、受信フィルタ２６、及び低雑音増幅器２１が同一のモジュール基板に実装されていてもよい。

また、本実施の形態に係る通信装置８は、所定の通信バンドだけでなく複数の通信バンドの高周波信号を伝送する回路であってもよい。この場合には、通信装置８は、複数の電力増幅器と、複数の低雑音増幅器と、複数の送信フィルタと、複数の受信フィルタと、複数の送信フィルタ及び複数の受信フィルタを切り替えるスイッチと、を備えてもよい。

［１．２ 高周波モジュール１の回路構成］
次に、ＲＦＩＣ６で処理された高周波信号を伝送する高周波モジュール１の構成について説明する。図１に示すように、高周波モジュール１は、電力増幅器１１と、インダクタ１２と、キャパシタ１３と、整合回路１５と、を備える。

電力増幅器１１は、電源端子１３０からインダクタ１２を介して供給される電源電圧を用いて、送信入力端子１１０から入力された送信信号を増幅して送信フィルタ１６へ出力する。電力増幅器１１は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）又はＧａＡｓを材料とする電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）等で構成されている。

インダクタ１２は、電力増幅器１１に電源電圧を印加するための電源端子１３０と電力増幅器１１との間に接続されている。インダクタ１２は、電源電圧を供給するための電源ラインに高周波信号が流出することを抑制する。つまり、インダクタ１２は、いわゆるチョークコイルとして機能する。

キャパシタ１３は、インダクタ１２及び電源端子１３０の間のノード１４とグランドとの間に接続されている。キャパシタ１３は、電源電圧の変動を抑制し、高周波信号ラインへのノイズの侵入を抑制する。つまり、キャパシタ１３は、いわゆるバイパスコンデンサあるいはデカップリングコンデンサとして機能する。

整合回路１５は、電力増幅器１１と送信フィルタ１６との間に接続されている。整合回路１５は、電力増幅器１１と送信フィルタ１６とのインピーダンス整合をとる。整合回路１５は、インダクタ、及び／又は、キャパシタを含む。なお、整合回路１５は、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。

［２ 高周波モジュール１の部品配置］
次に、以上のように構成された高周波モジュール１の部品配置について、図２及び図３を参照しながら具体的に説明する。

なお、以下の部品配置の説明において、「モジュール基板の平面視」とは、ｚ方向からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。また、「部品がモジュール基板の主面に配置される」とは、部品がモジュール基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることだけでなく、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、及び、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。また、「モジュール基板の平面視においてＡがＢに重なる又は重ならない」とは、ｘｙ平面に正投影されたＡの領域が、ｘｙ平面に正投影されたＢの領域と重なる又は重ならないことを意味する。

図２は、実施の形態１に係る高周波モジュール１の平面図である。図２において、（ａ）はｚ軸正側からモジュール基板７０の主面７１を見た図を示し、（ｂ）は、ｚ軸正側からモジュール基板７０の主面７２を透視した図を示す。図２の（ｂ）において、破線は、モジュール基板７０内又はモジュール基板７０の主面７１上の物体を示す。

図３は、実施の形態１に係る高周波モジュール１の断面図である。図３における高周波モジュール１の断面は、図２のｉｉｉ−ｉｉｉ線における断面である。

図２及び図３に示すように、高周波モジュール１は、パッケージ化されたモジュールであり、図１に示された回路素子を内蔵する電子部品に加えて、さらに、モジュール基板７０と、樹脂部材８１及び８２と、シールド電極層８３と、複数のポスト電極９０と、を備える。なお、図２では、部品を図示するために樹脂部材８１及び８２並びにシールド電極層８３の記載が省略されている。

モジュール基板７０は、互いに対向する主面７１及び７２を有する。主面７１及び７２には、それぞれ部品が配置される。モジュール基板７０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板等を用いることができるが、これらに限定されない。

モジュール基板７０の主面７１は、第１主面の一例であり、上面又は表面と呼ばれる場合がある。主面７１には、図２の（ａ）に示すように、電力増幅器１１と、インダクタ１２と、整合回路１５と、が配置されている。これらの主面７１上の部品は、図３に示すように樹脂部材８１で封止されている。

モジュール基板７０の主面７２は、第２主面の一例であり、下面又は裏面と呼ばれる場合がある。主面７２には、図２の（ｂ）に示すように、キャパシタ１３と、複数のポスト電極９０と、が配置されている。これらの主面７２上の部品は、図３に示すように樹脂部材８２で封止されている。

シールド電極層８３は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜であり、モジュール基板７０の主面７１及び側面を覆っている。シールド電極層８３は、グランド電位に設定され、高周波モジュール１に入射する外来ノイズを低減する。

複数のポスト電極９０は、複数の外部接続端子の一例である。複数のポスト電極９０の各々は、主面７２からｚ軸負側に突出して、樹脂部材８２を貫通している。複数のポスト電極９０の各々の一端は、樹脂部材８２から露出して、高周波モジュール１のｚ軸負側に配置されたマザー基板上の入出力端子及び／又はグランド電極等に接続される。複数のポスト電極９０は、電力増幅器１１の放熱用電極として機能するポスト電極９０Ｇと、電源端子１３０として機能するポスト電極９０Ｐと、を含む。ポスト電極９０Ｇ及び９０Ｐは、例えばマザー基板上のグランド電極及び電源電極にそれぞれ接続される。

図２の（ｂ）に示すように、モジュール基板７０の平面視において、キャパシタ１３の少なくとも一部は、インダクタ１２の少なくとも一部と重なっている。インダクタ１２及びキャパシタ１３は、モジュール基板７０内に形成されたビア導体７４を介して互いに接続されている。ビア導体７４は、モジュール基板７０内に形成された平面配線パターン７３を介してポスト電極９０Ｐに接続されている。

なお、図３では、ビア導体７４は、モジュール基板７０をｚ軸に沿って貫通するスルービアに充填された導体であるが、これに限定されない。例えば、ビア導体７４は、主面７１側に形成されたブラインドビアに充填された導体と、主面７２側に形成されたブラインドビアに充填された導体と、２つの導体をモジュール基板７０内で接続する平面配線パターンと、で構成されてもよい。

また、モジュール基板７０の平面視において、キャパシタ１３は、電力増幅器１１と重なっておらず、放熱用のポスト電極９０Ｇと重なっている。電力増幅器１１は、モジュール基板７０内に形成されたビア導体７５を介して、ポスト電極９０Ｇと接続されている。

［３ 効果など］
以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、電力増幅器１１と、電力増幅器１１に電源電圧を供給するための電源端子１３０と電力増幅器１１との間に接続されたインダクタ１２と、インダクタ１２及び電源端子１３０の間のノード１４とグランドとの間に接続されたキャパシタ１３と、互いに対向する主面７１及び７２を有するモジュール基板７０と、主面７２に配置された複数のポスト電極９０と、を備え、インダクタ１２は、主面７１又はモジュール基板７０内部に配置され、電力増幅器１１及びキャパシタ１３の少なくとも一方は、主面７２に配置されている。

これによれば、電力増幅器１１、並びに、電力増幅器１１に電源電圧を供給するための電源ラインに接続されたインダクタ１２及びキャパシタ１３を、モジュール基板７０の両主面に分散して配置することが可能となり、高周波モジュール１の小型化を図ることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、電力増幅器１１及びキャパシタ１３の一方は、主面７１に配置され、電力増幅器１１及びキャパシタ１３の他方は、主面７２に配置されてもよい。

これによれば、キャパシタ１３を電力増幅器１１と反対側の主面に配置することができる。したがって、電力増幅器１１とキャパシタ１３との間にモジュール基板７０を配置することができ、電力増幅器１１から放出される熱によってキャパシタ１３が破壊される危険性を低減することができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、電力増幅器１１は、主面７１に配置され、キャパシタ１３は、主面７２に配置されてもよい。

これによれば、電力増幅器１１を複数のポスト電極９０と反対側の主面７１に配置することができ、電力増幅器１１の放熱性を向上させることができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、モジュール基板７０の平面視において、キャパシタ１３の少なくとも一部は、インダクタ１２の少なくとも一部と重なってもよい。

これによれば、キャパシタ１３及びインダクタ１２の間の配線長を短縮することができ、キャパシタ１３及びインダクタ１２の間の配線に流入するノイズを低減することができる。特に、キャパシタ１３及びインダクタ１２の間の配線に流入するノイズは、キャパシタ１３によって除去できない可能性が高いので、キャパシタ１３及びインダクタ１２の間の配線長の短縮は、高周波モジュール１の電気特性（例えば雑音指数（ＮＦ）など）の改善に効果的である。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、キャパシタ１３及びインダクタ１２は、モジュール基板７０内に形成されたビア導体７４を介して互いに接続されてもよい。

これによれば、キャパシタ１３及びインダクタ１２の間の配線長をさらに短縮することが可能となり、キャパシタ１３及びインダクタ１２の間の配線に流入するノイズをさらに低減することができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、モジュール基板７０の平面視において、キャパシタ１３は、電力増幅器１１と重なっていなくてもよい。

これによれば、キャパシタ１３を電力増幅器１１から離して配置することができ、電力増幅器１１から放出される熱によってキャパシタ１３が破壊される危険性を低減することができる。

また例えば、本実施の形態に係る高周波モジュール１において、複数のポスト電極９０に含まれるポスト電極９０Ｇは、モジュール基板７０の平面視において、電力増幅器１１と重なっており、電力増幅器１１は、モジュール基板７０内に形成されたビア導体７５を介してポスト電極９０Ｇに接続されてもよい。

これによれば、電力増幅器１１で発生した熱をビア導体７５及びポスト電極９０Ｇを介して高周波モジュール１外に伝達することができ、電力増幅器１１の放熱性を向上させることができる。

また、本実施の形態に係る通信装置８は、高周波信号を処理するＲＦＩＣ６と、ＲＦＩＣ６で処理された高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

これによれば、通信装置８において上記高周波モジュール１と同様の効果を実現することができる。

（実施の形態２）
次に、実施の形態２について説明する。本実施の形態では、高周波モジュールの部品配置が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態に係る高周波モジュールについて上記実施の形態１と異なる点を中心に説明する。

本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａの部品配置について、図４を参照しながら説明する。図４は、実施の形態２に係る高周波モジュール１Ａの断面図である。

図４に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａでは、モジュール基板７０の主面７１に、インダクタ１２と、キャパシタ１３と、整合回路１５と、が配置されている。一方、モジュール基板７０の主面７２には、電力増幅器１１と、複数のポスト電極９０と、が配置されている。

以上のように、主面７１にキャパシタ１３が配置され、主面７２に電力増幅器１１が配置されても、電力増幅器１１、インダクタ１２及びキャパシタ１３をモジュール基板７０の両主面に分散して配置することができ、高周波モジュール１の小型化を図ることができる。さらに、キャパシタ１３を電力増幅器１１が配置された主面７２と反対側の主面７１に配置することができるので、電力増幅器１１からの熱によりキャパシタ１３が破壊されることを抑制することができる。

（実施の形態３）
次に、実施の形態３について説明する。本実施の形態では、高周波モジュールの部品配置が上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態に係る高周波モジュールについて上記実施の形態１と異なる点を中心に説明する。

本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂの部品配置について、図５を参照しながら説明する。図５は、実施の形態３に係る高周波モジュール１Ｂの断面図である。

図５に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｂでは、モジュール基板７０の主面７１に、インダクタ１２と、整合回路１５と、が配置されている。一方、モジュール基板７０の主面７２には、電力増幅器１１と、キャパシタ１３と、複数のポスト電極９０と、が配置されている。

以上のように、モジュール基板７０の主面７２に、電力増幅器１１及びキャパシタ１３の両方が配置されても、電力増幅器１１、インダクタ１２及びキャパシタ１３をモジュール基板７０の両主面に分散して配置することができ、高周波モジュール１の小型化を図ることができる。

（実施の形態４）
次に、実施の形態４について説明する。本実施の形態では、高周波モジュールが、複数のポスト電極の代わりに、複数のバンプ電極を備える点が、上記実施の形態１と主として異なる。以下に、本実施の形態について、上記実施の形態１と異なる点を中心に図面を参照しながら説明する。

本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃの部品配置について、図６を参照しながら説明する。図６は、実施の形態４に係る高周波モジュール１Ｃの断面図である。

図６に示すように、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｃは、複数のポスト電極９０の代わりに、複数のバンプ電極９１を備える。電力増幅器１１は、ビア導体７５を介して、放熱用電極として機能するバンプ電極９１Ｇと接続されている。高周波モジュール１Ｃは、主面７２側に樹脂部材８２を備えていない。

以上のように、高周波モジュール１Ｃは、複数のポスト電極９０の代わりに複数のバンプ電極９１を、複数の外部接続端子として備えてもよい。

この場合であっても、高周波モジュール１Ｃは、上記実施の形態１と同様の効果を実現することができる。

（他の実施の形態）
以上、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュール及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

例えば、上記各実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成において、図面に開示された各回路素子及び信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子及び配線などが挿入されてもよい。例えば、図１において低雑音増幅器２１と受信フィルタ２６との間に整合回路が挿入されてもよい。

なお、上記各実施の形態では、電力増幅器の詳細な構成については特に説明していなかったが、電力増幅器の構成は特に限定されない。電力増幅器は、例えば、多段接続された複数の増幅器、及び／又は、差動増幅器で構成されてもよい。

なお、上記各実施の形態において、インダクタ１２は、モジュール基板７０の主面７１に配置されていたが、これに限定されない。例えば、インダクタ１２は、モジュール基板７０内部に配置されてもよい。この場合、インダクタ１２は、例えばモジュール基板７０内の配線パターンで構成されてもよい。また例えば、インダクタ１２は、モジュール基板７０内に埋め込まれた集積型受動デバイス（ＩＰＤ）で構成されてもよい。

本発明は、フロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 高周波モジュール
５ アンテナ
６ ＲＦＩＣ
７ ＢＢＩＣ
８ 通信装置
１１ 電力増幅器
１２ インダクタ
１３ キャパシタ
１４ ノード
１５ 整合回路
１６ 送信フィルタ
２１ 低雑音増幅器
２６ 受信フィルタ
７０ モジュール基板
７１、７２ 主面
７３ 平面配線パターン
７４、７５ ビア導体
８１、８２ 樹脂部材
８３ シールド電極層
９０、９０Ｇ、９０Ｐ ポスト電極
９１、９１Ｇ バンプ電極
１００ アンテナ接続端子
１１０ 送信入力端子
１２０ 受信出力端子
１３０ 電源端子

Claims (8)

1. 電力増幅器と、
   前記電力増幅器に電源電圧を供給するための電源端子と前記電力増幅器との間に接続されたインダクタと、
   前記インダクタ及び前記電源端子の間のノードとグランドとの間に接続されたキャパシタと、
   互いに対向する第１主面及び第２主面を有するモジュール基板と、
   前記第２主面に配置された複数の外部接続端子と、を備え、
   前記インダクタは、前記第１主面又は前記モジュール基板内部に配置され、
   前記電力増幅器及び前記キャパシタの少なくとも一方は、前記第２主面に配置されている、
   高周波モジュール。
2. 前記電力増幅器及び前記キャパシタの一方は、前記第１主面に配置され、
   前記電力増幅器及び前記キャパシタの他方は、前記第２主面に配置されている、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記電力増幅器は、前記第１主面に配置され、
   前記キャパシタは、前記第２主面に配置されている、
   請求項２に記載の高周波モジュール。
4. 前記モジュール基板の平面視において、前記キャパシタの少なくとも一部は、前記インダクタの少なくとも一部と重なっている、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
5. 前記キャパシタ及び前記インダクタは、前記モジュール基板内に形成されたビア導体を介して互いに接続されている、
   請求項４に記載の高周波モジュール。
6. 前記モジュール基板の平面視において、前記キャパシタは、前記電力増幅器と重なっていない、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
7. 前記複数の外部接続端子の少なくとも１つは、前記モジュール基板の平面視において、前記電力増幅器と重なっており、
   前記電力増幅器は、前記モジュール基板内に形成されたビア導体を介して前記複数の外部接続端子の前記少なくとも１つに接続されている、
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
8. 高周波信号を処理する信号処理回路と、
   前記信号処理回路で処理された前記高周波信号を伝送する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
   通信装置。

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