JP2021132101A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
先ず、本実施形態にかかるウェハ処理装置について説明する。図1は、本実施形態にかかるウェハ処理装置1の構成の概略を示す平面図である。ウェハ処理装置1では、基板としてのウェハWに対して、例えばエッチング処理、成膜処理、拡散処理などの処理を行う。
次に、上述した処理モジュール60について説明する。図2は、処理モジュール60の構成の概略を示す縦断面図である。
次に、上述したチラーモジュール200について説明する。図3は、チラーモジュール200の構成の概略を示す側面図である。図4は、チラーモジュール200の構成の概略を示す平面図である。なお、図3及び図4におけるチラーモジュール200の各要素は、技術の理解を容易にするため、模式的に示されており、その配置や寸法は必ずしも実際とは一致しない。
以上の実施形態では、温度制御対象部が載置台111である場合について説明したが、当該温度制御対象部はこれに限定されない。例えば、プラズマ処理チャンバ110の側壁の温度や上部電極シャワーヘッド112の温度を制御する場合にも、本実施形態のチラーモジュール200を用いることができる。
101 制御部
110 プラズマ処理チャンバ
111 載置台
210 デュアルチラー
220 流量調整部
W ウェハ
Claims (14)
- 基板を処理する装置であって、
前記基板を収容する複数のチャンバと、
前記複数のチャンバの各々に設けられた複数の温度制御対象部と、
前記複数の温度制御対象部に共通に設けられ、第1の温調媒体と第2の温調媒体とを供給する単一のチラーと、
前記複数の温度制御対象部の各々に接続され、且つ、前記チラーに接続され、前記第1の温調媒体と前記第2の温調媒体の流量比を調整可能に構成された複数の流量調整部と、
前記流量調整部を制御して、前記温度制御対象部毎に独立して温度を調整する制御部と、
を有する、基板処理装置。 - 前記チラーは、前記第1の温調媒体を第1の温度に調整する第1の温調媒体調整部と、前記第2の温調媒体を前記第1の温度より高い第2の温度に調整する第2の温調媒体調整部とを有し、
前記第1の温調媒体調整部は、前記第1の温調媒体を前記温度制御対象部に供給する第1の供給口と、前記温度制御対象部の温度を調整した後の温調媒体を回収する第1の回収口とを備え、
前記第2の温調媒体調整部は、前記第2の温調媒体を前記温度制御対象部に供給する第2の供給口と、前記温度制御対象部の温度を調整した後の温調媒体を回収する第2の回収口とを備える、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1の供給口と前記流量調整部を接続する第1の供給路と、
前記第1の回収口と前記流量調整部を接続する第1の回収路と、
前記第2の供給口と前記流量調整部を接続する第2の供給路と、
前記第2の回収口と前記流量調整部を接続する第2の回収路と、
を有する、請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記第1の供給路の長さ、前記第1の回収路の長さ、前記第2の供給路の長さ、及び前記第2の回収路の長さはそれぞれ等しい、
請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記第1の供給口と前記第1の回収口は、前記第1の温調媒体調整部の中心に配置され、
前記第1の供給路と前記第1の回収路は、異なる高さに配置され、
前記第2の供給口と前記第2の回収口は、前記第2の温調媒体調整部の中心に配置され、
前記第2の供給路と前記第2の回収路は、異なる高さに配置される、
請求項3又は4に記載の基板処理装置。 - 前記第1の温調媒体調整部には、平面視において多角形の第1の供給マニホールドと、平面視において多角形の第1の回収マニホールドとが設けられ、
前記第1の供給路は、前記第1の供給口から前記第1の供給マニホールドを介して分岐して前記複数の流量調整部に接続され、
前記第1の回収路は、前記第1の回収口から前記第1の回収マニホールドを介して分岐して前記複数の流量調整部に接続され、
前記第2の温調媒体調整部は、平面視において多角形の第2の供給マニホールドと、平面視において多角形の第2の回収マニホールドとを有し、
前記第2の供給路は、前記第2の供給口から前記第2の供給マニホールドを介して分岐して前記複数の流量調整部に接続され、
前記第2の回収路は、前記第2の回収口から前記第2の回収マニホールドを介して分岐して前記複数の流量調整部に接続される、
請求項3〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1の供給マニホールドから分岐して前記複数の流量調整部に接続される複数の前記第1の供給路の長さは等しく、
前記第1の回収マニホールドから分岐して前記複数の流量調整部に接続される複数の前記第1の回収路の長さは等しく、
前記第2の供給マニホールドから分岐して前記複数の流量調整部に接続される複数の前記第2の供給路の長さは等しく、
前記第2の回収マニホールドから分岐して前記複数の流量調整部に接続される複数の前記第2の回収路の長さは等しい、
請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記第1の温調媒体調整部は、前記第2の温調媒体調整部の下方に配置される、
請求項2〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1の温調媒体調整部は、前記チャンバが設置される床面の上方に配置され、
前記第2の温調媒体調整部は、前記床面の下方に配置される、請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記複数のチャンバは、前記基板を搬送するトランスファモジュールに接続され、
前記チラーは、前記トランスファモジュールの下方に配置される、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記チラー及び複数の流量調整部を収容するチラーモジュールの上面は平坦形状を有する、請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記温度制御対象部は、前記チャンバの内部に設けられ、前記基板を載置する載置台、前記チャンバの上部に設けられ、高周波電力が供給される電極、又は前記チャンバを構成する側壁である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記温度制御対象部は、当該温度制御対象部の温度を測定する温度センサを備え、
前記制御部は、前記温度センサの測定結果に基づいて、前記流量調整部を制御する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板処理装置を用いて基板を処理する方法であって、
前記基板処理装置は、
前記基板を収容する複数のチャンバと、
前記複数のチャンバの各々に設けられ、温度制御の対象となる複数の温度制御対象部と、
前記複数の温度制御対象部に共通に設けられ、第1の温調媒体と第2の温調媒体とを供給する単一のチラーと、
前記複数の温度制御対象部の各々に接続され、且つ、前記チラーに接続され、前記第1の温調媒体と前記第2の温調媒体の流量比を調整可能に構成された複数の流量調整部と、を有し、
前記流量調整部を制御して、前記温度制御対象部毎に独立して温度を調整する、基板処理方法。
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