JP2021124409A

JP2021124409A - ストロークセンサの取り付け方法

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Publication number: JP2021124409A
Application number: JP2020018512A
Authority: JP
Inventors: 貴裕守屋; Takahiro Moriya; 俊夫石川原; Toshio Ishikawara; 俊彦大山; Toshihiko Oyama
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2020-02-06
Filing date: 2020-02-06
Publication date: 2021-08-30
Also published as: DE102021102111A1; US20220214154A1; CN113212395A; US11674790B2; US11320252B2; US20210247172A1

Abstract

【課題】より簡易な工程でストロークセンサを調整する手段を提供する。
【解決手段】ストロークセンサは、磁界を検出する磁界検出素子２１と、磁界を発生させるとともに磁界検出素子２１に対して第１の方向に相対移動可能な第１の磁石３と、磁界検出素子２１の検出した磁界に基づき、第１の磁石３の磁界検出素子２１に対する相対位置を示す指標値を求める処理部２２と、を有する。マスター磁石５を、磁界検出素子２１に対し、物理的に確定可能な第１の基準位置ＸＲ１に位置させ、指標値Ｓ１を求める。第１の磁石３と磁界検出素子２１とを別々の構造物３３，２４に取り付け、第１の磁石３を、磁界検出素子２１に対し、第１の基準位置ＸＲ１に相当し且つ物理的に確定可能な第２の基準位置ＸＲ２に位置させ、指標値Ｓ２を求める。指標値Ｓ１と指標値Ｓ２との差分＝Ｓ１―Ｓ２を求める。指標値に差分を加算して出力するように処理部２２の処理方法を変更する。
【選択図】図５

Description

本発明はストロークセンサの取り付け方法に関する。

ストロークセンサは自動車のトランスミッション、ブレーキなど様々な分野に用いられている。特許文献１には、回転角検出用のセンサを備えたアクチュエータが開示されている。センサは予めアクチュエータに取り付けられる。アクチュエータの取付け誤差を補正するため、アクチュエータを作動させ、アクチュエータの駆動軸の移動量とセンサ出力とが求められ、それに応じて、センサで記憶されているセンサ特性が書き換えられる。

特開２００９−４４８８８号公報

特許文献１に記載されたセンサ特性の書き換え方法は、センサをアクチュエータに取り付けた後にアクチュエータを動かす必要がある。このため、センサをアクチュエータに取り付けた後の工程が複雑となる。

本発明は、より簡易な工程でストロークセンサの調整が可能なストロークセンサの取り付け方法を提供することを目的とする。

本発明のストロークセンサの取り付け方法は、磁界を検出する磁界検出素子と、磁界を発生させるとともに磁界検出素子に対して第１の方向に相対移動可能な第１の磁石と、磁界検出素子の検出した磁界に基づき、第１の磁石の磁界検出素子に対する相対位置を示す指標値Ｓを求める処理部と、を有するストロークセンサの取り付け方法であって、第２の磁石を、磁界検出素子に対し、物理的に確定可能な第１の基準位置に位置させ、指標値Ｓ１を求めることと、第１の磁石と磁界検出素子とを別々の構造物に取り付け、第１の磁石を、磁界検出素子に対し、第１の基準位置に相当し且つ物理的に確定可能な第２の基準位置に位置させ、指標値Ｓ２を求めることと、指標値Ｓ１と指標値Ｓ２との差分ΔＳ＝Ｓ１―Ｓ２を求めることと、指標値ＳにΔＳを加算して出力するように処理部の処理方法を変更することと、を有する。

本発明によれば、より簡易な工程でストロークセンサの調整が可能なストロークセンサの取り付け方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係るストロークセンサの概略構成図である。ストロークセンサのストロークと出力電圧の関係を示す概念図である。ストロークセンサのキャリブレーションに用いる変換式の一例である。位置ずれが測定精度に与える影響を説明するための概念図である。ストロークセンサの調整方法を示す概念図である。変形例のストロークセンサの概略構成図である。変形例のストロークセンサの概略構成図である。

以下、図面を参照して本発明のストロークセンサ１の取り付け方法の実施形態について説明する。以下の説明において、第１の磁石が移動する方向を第１の方向またはＸ方向という。Ｘ方向と直交し、第１の磁石３の磁界検出素子２１と対向する面と垂直な方向をＹ方向という。また、「相対位置」あるいは「第１の磁石３の相対位置」とは、特記ない限り、第１の磁石３の磁界検出素子２１に対するＸ方向の相対位置を意味する。

図１は、自動車等に取り付けられたストロークセンサ１の概念図を示す。ストロークセンサ１は、磁界を検出する磁界検出素子２１と処理部２２とを備えるセンサアセンブリ２と、磁界検出素子２１が検出する磁界を発生させる第１の磁石３と、を有している。第１の磁石３は、Ｘ方向に等間隔で配置された３つのサブ磁石３１と、３つのサブ磁石３１を相互に連結するヨーク３２と、を有している。３つのサブ磁石３１の磁界検出素子２１と対向する面には、Ｎ極とＳ極が交互に配置されている。第１の磁石３は支持プレートなどの第１の構造物３３に固定され、第１の構造物３３はブレーキペダル等の可動部材（図示せず）に接続されている。第１の磁石３は、センサアセンブリ２、すなわち磁界検出素子２１に対してＸ方向に相対移動可能である。第１の磁石３の磁界検出素子２１に対する相対位置を検知することで、例えばブレーキペダルの踏み込み量を検出することができる。第１の構造物３３の両側に一対のストッパ４が設けられており、第１の構造物３３は両側のストッパ４の範囲を移動することができる。換言すれば、第１の構造物３３の移動範囲は両側のストッパ４の間の区間となり、これに応じて第１の磁石３の移動範囲が定められる。

センサアセンブリ２は、第１の構造物３３とは別の第２の構造物２４に取り付けられている。第２の構造物２４は、例えば第１の構造物３３を覆うカバー部材であり、第１の構造物３３に対してＸ方向に相対移動可能である。磁界検出素子２１を第１の磁石３の近傍に配置するため、先端に磁界検出素子２１が形成された突起部２３が第２の構造物２４に設けた穴２５に挿入されている。センサアセンブリ２は磁界検出素子２１と処理部２２とを覆う筐体２６を有している。第２の構造物２４が磁界検出素子２１と処理部２２の収容部を備えている場合、筐体２６は省略してもよい。磁界検出素子２１は、Ｘ方向の磁界を検出する素子と、Ｙ方向の磁界を検出する素子（ともに図示せず）と、を有している。これらの素子の種類は限定されず、ホール素子、ＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子などを用いることができる。センサアセンブリ２は電源ケーブルや出力ケーブルなどが接続されているため、静止していることが好ましい。従って、本実施形態では、センサアセンブリ２が固定され、第１の磁石３が可動である。しかし、センサアセンブリ２が可動で、第１の磁石３が固定されていてもよい。

処理部２２は磁界検出素子２１の検出した磁界に基づき、第１の磁石３の相対位置を示す指標値Ｓを求める。３つのサブ磁石３１はそれらの間に概ね正弦波状の磁束を形成する。ある位置における磁束のＸ成分をＢｘ，Ｙ成分をＢｙとすると、当該位置における磁束の、Ｘ方向に対する角度θ（以下、磁界角度θという）は、ａｒｃｔａｎ（Ｂｙ／Ｂｘ）で表すことができる。第１の磁石３の周囲の磁界は、解析等によって予め知ることができる。磁界検出素子２１と第１の磁石３のＹ方向の間隔は既知であるから、磁界角度θが分かれば、第１の磁石３の相対位置を知ることができる。処理部２２は磁界検出素子２１の検出したＢｘ，Ｂｙから磁界角度θ＝ａｒｃｔａｎ（Ｂｙ／Ｂｘ）を算出し、磁界角度θを相対位置に対応した出力電圧Ｖに変換して出力する。磁界角度θは０〜３６０°の角度範囲で検出可能である。このように、指標値Ｓは磁界角度θに基づき決定される出力電圧Ｖである。

相対位置と出力電圧Ｖとの関係は通常は曲線状であり、図２（ａ）に実線で示すように、３次関数に近似した曲線で表される。そこで、ストロークセンサ１を実機に取り付ける前に、ストロークセンサ１毎に、相対位置と出力電圧Ｖ（原指標値）との関係を線形に変換するキャリブレーションを行う。以下、キャリブレーションの方法について説明する。

まず、第１の磁石３と異なるマスター磁石５（第２の磁石）が取り付けられたキャリブレーション装置６（図４，５参照）にセンサアセンブリ２を取り付ける。キャリブレーション装置６は、第１の磁石３が取り付けられる第１の構造物３３と、センサアセンブリ２が取り付けられる第２の構造物２４とを模擬している。マスター磁石５の磁気特性や形状も第１の磁石３の磁気特性や形状と同一である。以上より、キャリブレーション装置６は製作誤差などの誤差要因を除き、図１に示す実機と実質的に同じ構成を有している。キャリブレーション装置６におけるマスター磁石５の可動範囲は、実機における第１の磁石３の可動範囲より広く設定されている。このようなキャリブレーション装置６を用いることで、多数のセンサアセンブリ２に対する効率的なキャリブレーションが可能となる。また、センサアセンブリ２は、マスター磁石５と実質的に同一の、任意の第１の磁石３と組み合わせることができるため、第１の磁石３の管理が容易となる。キャリブレーション装置６は、マスター磁石５を移動範囲の全域に渡りセンサアセンブリ２に対してＸ方向に相対移動させながら、磁界角度θ＝ａｒｃｔａｎ（Ｂｙ／Ｂｘ）を計算し、磁界角度θを相対位置に対応した出力電圧Ｖに変換して出力する。マスター磁石５と第１の磁石３はほぼ同一であるため、相対位置と出力電圧Ｖとの関係は図２（ａ）の実線とほぼ同じ曲線で表される。

次に、移動範囲の両端における出力電圧Ｖ１とＶ２を結ぶ直線を求める。この直線を、相対位置とキャリブレーション後の出力電圧Ｖ（以下、出力電圧Ｗという）との関係式とする。相対位置と出力電圧Ｗとの関係式は１次関数となる。この関係式を得るために、処理部２２は磁界角度θを出力電圧Ｗに変換する変換手段を有している。変換手段は図３に示す変換マップの形で作成される。図３では便宜上グラフで示しているが、変換手段は実際には、テーブルの形で処理部２２のメモリーに書き込まれている。変換マップは、θ₀，θ₁，θ₂，・・，θ_N-2，θ_N-1，θ_N（ただし，Δθ＝θ_i−θ_i-1＝３６０°／Ｎ）（Ｎは自然数）に対する出力電圧Ｗ₀，Ｗ₁，Ｗ₂，・・，Ｗ_N-2，Ｗ_N-1，Ｗ_Nのセットとして作成される。Ｎは例えば３０〜４０の範囲から選択される。本実施形態では、変換手段は磁界角度θを出力電圧Ｗに変換しているが、出力電圧Ｖを出力電圧Ｗに変換してもよい。

ストロークセンサ１は以下のように作動する。センサアセンブリ２の磁界検出素子２１がＢｘとＢｙを検出する。処理部２２は磁界角度θ＝ａｒｃｔａｎ（Ｂｙ／Ｂｘ）を算出する。処理部２２は変換手段によって、磁界角度θを相対位置に対応した出力電圧Ｗに変換して出力する。磁界角度θは、必要な場合、変換マップから内挿して求める。このようにして、ストロークセンサ１は、相対位置と線形の関係にある出力電圧Ｗを出力する。

しかし、第１の磁石３を第１の構造物３３に取り付け、キャリブレーションを行ったセンサアセンブリ２を第２の構造物２４に取り付けた際に、相対位置と出力電圧Ｗとの関係、すなわち図２（ａ）に破線で示す関係が維持されないことがある。例えば、第１の構造物３３と第２の構造物２４がそれぞれ有する製造公差のため、第１の磁石３とセンサアセンブリ２がＸ方向に相対的にずれることがある。第２の構造物２４の穴２５の位置がＸ方向にずれることもある。第１の磁石３を第１の構造物３３に取り付ける際、またはセンサアセンブリ２を第２の構造物２４に取り付ける際にも位置ずれが生じることがある。例えば、センサアセンブリ２の突起部２３と第２の構造物２４の穴２５との間にはギャップが存在するため、センサアセンブリ２を第２の構造物２４に取り付ける位置を正確に制御することは難しい。センサアセンブリ２や第１の磁石３の位置ずれは、これらを接着剤等で固定する場合にも発生する可能性がある。

図４は、位置ずれが測定精度に与える影響を模式的に示している。図４の上図に示すように、キャリブレーションはセンサアセンブリ２の突起部２３が穴２５と同心に取り付けられた状態で行われたと仮定する。これに対し、実機では、図４の中図に示すように、センサアセンブリ２の突起部２３が穴２５の右側縁部に接する位置で取り付けられている。第１の磁石３はマスター磁石５と同じ位置に取り付けられている。つまり、センサアセンブリ２の第１の磁石３に対する相対位置と、センサアセンブリ２のマスター磁石５に対する相対位置は、距離Ｄだけ互いにずれている。この場合、実機に取り付けられたセンサアセンブリ２は、図４の中図に示す位置にある第１の磁石３が、図４の下図における破線の位置にあると認識する。すなわち、センサアセンブリ２は、第１の磁石３が実際の位置よりも右側に距離Ｄだけ寄った位置にあると認識する。換言すれば、センサアセンブリ２は、第１の磁石３の端部が位置Ｘ０にあるときに出力すべき出力電圧Ｗを、第１の磁石３の端部が位置Ｘ０より距離Ｄだけ右側の位置Ｘ１にあるときに出力する。この結果、図２（ｂ）に示すように、出力直線が右側に距離Ｄだけオフセットし、ストロークセンサ１の測定精度が低下する。なお、センサアセンブリ２の第１の磁石３に対する相対位置と、センサアセンブリ２のマスター磁石５に対する相対位置が、Ｚ方向（図１において、Ｘ方向及びＹ方向と直交する方向）にずれることもあり得る。しかし、Ｚ方向はストロークセンサ１が位置を検出する方向ではないこと、及び磁界分布はＺ方向に大きく変化しないことから、Ｚ方向のずれは測定精度に大きな影響を与えない。Ｚ方向のずれによる測定誤差はＸ方向の同程度のずれによる測定誤差より１桁程度小さい。センサアセンブリ２の第１の磁石３に対する相対位置と、センサアセンブリ２のマスター磁石５に対する相対位置とがＹ方向にずれる場合の測定誤差も、Ｚ方向にずれる場合の測定誤差と同程度である。

そこで、本実施形態では、ストロークセンサ１の処理部２２における処理方法を変更する。まず、図５（ａ）に示すように、キャリブレーション装置６において、マスター磁石５の左端を、物理的に確定可能な相対位置である第１の基準位置ＸＲ１に位置させる。「物理的に確定可能」とは、機械的手段、電気的手段、磁気的手段等の何らかの物理的手段によって、マスター磁石５の磁界検出素子２１に対するＸ方向の相対位置が確定可能であることを意味する。本実施形態では、第１の構造物３３の移動範囲は、第１の構造物３３を駆動するモータ３５で規制される。従って、モータ３５の制御によって決まる第１の構造物３３の可動範囲の左端は、電気的手段によって確定可能な位置である。機械的手段によって確定される位置としては、キャリブレーション装置６に設けた、実機のストッパ４を模擬したストッパの位置や、ばねの圧縮量が最大となる位置などであってもよい。ここでは、第１の基準位置ＸＲ１を、第１の構造物３３の可動範囲における、モータ３５によって規制される左端位置Ｐから、距離Ａだけ右にずれた位置とする。位置Ｐは、モータ３５によって模擬される、実機の左側のストッパ４の位置である。マスター磁石５は第１の構造物３３の所定の位置に正確に取り付けられているため、距離Ａの精度は高い。次に、処理部２２は第１の基準位置ＸＲ１を示す指標値Ｓ１を求め、指標値Ｓ１である出力電圧Ｗ１を出力する。指標値Ｓ１は後の処理のため、調整装置７または他の記憶装置に書き出される。以上の操作は上述したキャリブレーションの一部として行われる。第１の基準位置ＸＲ１を示す指標値Ｓ１はキャリブレーションによって取得されるため、指標値Ｓ１を取得するための追加の操作は不要である。

次に、図５（ｂ）に示すように、第１の磁石３を第１の構造物３３に取り付け、センサアセンブリ２を第２の構造物２４に取り付ける。図５では、図４と同様、センサアセンブリ２は、突起部２３が穴２５の右側縁部に接する位置で第２の構造物２４に取り付けられている。しかし、センサアセンブリ２の穴２５に対する相対位置は未知であってよい。以下の工程では、ストロークセンサ１の処理部２２の処理方法を変更するための調整装置７を用いる。第１の磁石３を、第１の基準位置ＸＲ１に相当し且つ物理的に確定可能な相対位置である第２の基準位置ＸＲ２に位置させる。「第１の基準位置ＸＲ１に相当」とは、第１の構造物３と第２の構造物２４の全体構成に基づき、実機における第２の基準位置ＸＲ２がキャリブレーション装置６における第１の基準位置ＸＲ１と対応することである。本実施形態では、第２の基準位置ＸＲ２は、第１の磁石３の移動範囲の一方の端部、すなわち第１の構造物３３が左側のストッパ４と当接するときの第１の磁石３の左端の位置であり、第１の基準位置ＸＲ１と一致している。すなわち、本実施形態では、第１の基準位置ＸＲ１は、（実機における第１の磁石３の移動範囲を模擬した）キャリブレーション装置６における、マスター磁石５の移動範囲の端部に位置しており、第２の基準位置ＸＲ２は、実機における、第１の磁石３の移動範囲のこれと対応する端部に位置している。

次に、処理部２２は第２の基準位置ＸＲ２を示す指標値Ｓ２を求め、調整装置７は指標値Ｓ２である出力電圧Ｗ２を読み取る。ここでは、キャリブレーションと異なり、第１の磁石３を移動させる必要はない。第１の磁石３の左端は第２の基準位置ＸＲ２に留まったままである。また、第２の基準位置ＸＲ２は、第１の基準位置ＸＲ１との対応関係が一義的に確定できる限り、どの位置にあってもいいが、取付時の初期位置とするのが好ましい。これによって、第１の磁石３を取り付けた後、第１の磁石３をさらに移動させる必要性がなくなる。

次に、調整装置７は、指標値Ｓ１と指標値Ｓ２との差分ΔＳ＝Ｓ１―Ｓ２を求める。指標値Ｓ１は、調整装置７に直接入力されているか、または上述の記憶装置を介して、予め調整装置７に入力されている。上述の通り、センサアセンブリ２の位置がキャリブレーション装置６と実機とで異なっているため、指標値Ｓ２は指標値Ｓ１と異なる。そして、調整装置７は、指標値ＳにΔＳを加算して出力するように処理部２２の処理方法を変更する。具体的には、調整装置７は、上述の方法によって算出した出力電圧ＷにΔＷ＝Ｗ１−Ｗ２を加えて出力するように、処理部２２に記憶されたプログラムを書き換える。例えば、出力電圧Ｗ１＝４．０Ｖ、出力電圧Ｗ２＝３．９Ｖである場合、ストロークセンサ１は第２の基準位置ＸＲ２で、出力電圧Ｗ２＝４．０Ｖを出力する必要がある。なぜなら、ストロークセンサ１は、第２の基準位置ＸＲ２に対応する第１の基準位置ＸＲ１で出力電圧Ｗ１＝４．０Ｖを出力するように調整されているため、第２の基準位置ＸＲ２で出力電圧Ｗ１＝４．０Ｖを出力しなければ、第１の磁石３の正確な位置を検出できないからである。そこで、調整装置７は、ΔＷ＝４．０−３．９＝０．１Ｖを出力電圧Ｗ２＝３．９Ｖに加え、出力電圧Ｗ２＝４．０Ｖを出力するように処理部２２の処理方法を変更する。代替案として、出力電圧ＷがΔＷ増加するように、書き込み装置で変換マップを直接書き換えてもよい。

これによって、図２（ｃ）に示すように、実機に取り付けた際に生じるオフセットがキャンセルされ、キャリブレーションで求めた相対位置と出力Ｗとの関係が再現される。これは、オフセットが一般的にはそれほど大きくなく、一つの基準位置において求めたΔＳを他の位置にも適用することで、他の位置においてもほぼ同程度にオフセットがキャンセルされるためである。換言すれば、図２（ｂ）における実測値と理想値はほぼ平行移動の関係にある。このため、ある一点でシフト量を決め、実測値のグラフをそのシフト量だけ平行移動することによって、実測値全体を同程度の精度で補正できることになる。

本実施形態では、実機でストロークセンサ１の調整を行う際に、第１の磁石３を移動させる必要がない。第１の磁石３とセンサアセンブリ２を実機に取り付けた後は、取付時の初期位置で指標値Ｓ２を取得し、ΔＳを計算し、これに基づいて処理部２２の処理方法を変更するだけである。一般に、ストロークセンサ１のキャリブレーションはストロークセンサ１の製造者が行うが、実機に取り付けられた後のストロークセンサ１の調整は、ストロークセンサ１が組み込まれたアセンブリまたは最終製品の製造者が行う。このため、本実施形態では、アセンブリまたは最終製品の製造者で実施する工程が簡略化され、ストロークセンサ１の付加価値が高められる。

本実施形態では、第１の磁石３が特定の位置にしか（すなわち、離散的にしか）動かせない場合にも、高精度のキャリブレーションが可能である。例えば、第１の構造物３３が、プランジャのように、可動範囲の両端のみで停止するように構成された部材に接続されていることがある。ストロークセンサ１を実機に組み込んだ後にストロークセンサ１のキャリブレーションを行う場合、キャリブレーションに使用できるのは２点の測定結果だけである。本実施形態では、ストロークセンサ１を実機に組み込む前に、多点の測定結果を使ってキャリブレーションができるため、キャリブレーションの精度の向上が可能である。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明はこの実施形態に限定されない。例えば、キャリブレーション用の第２の磁石５として、第１の磁石３を用いることができる。第１の磁石３はマスター磁石５とほぼ同一の磁気特性を有しているが、両者の磁気特性は完全に同じでない可能性がある。キャリブレーションが、マスター磁石５の代わりに、実機に取り付けられる第１の磁石３を用いて行われるため、第１の磁石３とマスター磁石５の磁気特性の違いに伴う測定誤差が生じない。

図６に示すように、第１の磁石３は単一の磁石であってもよい。磁界検出素子２１の検出するＹ方向の磁束強度Ｂｙは第１の磁石３の相対位置に応じて変化する。このため、磁束強度Ｂｙを第１の磁石３の相対位置の指標値として用いることができる。すなわち、本変形例では、指標値Ｓは磁界強度に基づき決定される出力電圧である。

図７に示すように、第１の磁石３がラッチ機構３４などによって可動範囲の中間位置で停止可能な場合、停止可能な中間位置を第１の基準位置ＸＲ１及び第２の基準位置ＸＲ２としてもよい。すなわち、物理的に確定可能な第１の基準位置ＸＲ１及び第２の基準位置ＸＲ２は可動範囲の端部でなくてもよい。

さらに、キャリブレーションは省略することができる。図２（ａ）に示すように、キャリブレーションを行って相対位置と出力電圧の関係を線形化するほうが、ストロークセンサ１の出力特性としては好ましいが、線形化は必須ではない。キャリブレーションを省略することで、製造工程の簡略化が可能である。

１ストロークセンサ
２センサアセンブリ
２１磁界検出素子
２２処理部
２４第２の構造物
３第１の磁石
３３第１の構造物
５第２の磁石（マスター磁石）
ＸＲ１第１の基準位置
ＸＲ２第２の基準位置

Claims

磁界を検出する磁界検出素子と、前記磁界を発生させるとともに前記磁界検出素子に対して第１の方向に相対移動可能な第１の磁石と、前記磁界検出素子の検出した磁界に基づき、前記第１の磁石の前記磁界検出素子に対する相対位置を示す指標値Ｓを求める処理部と、を有するストロークセンサの取り付け方法であって、
第２の磁石を、前記磁界検出素子に対し、物理的に確定可能な第１の基準位置に位置させ、指標値Ｓ１を求めることと、
前記第１の磁石と前記磁界検出素子とを別々の構造物に取り付け、前記第１の磁石を、前記磁界検出素子に対し、前記第１の基準位置に相当し且つ物理的に確定可能な第２の基準位置に位置させ、指標値Ｓ２を求めることと、
前記指標値Ｓ１と前記指標値Ｓ２との差分ΔＳ＝Ｓ１―Ｓ２を求めることと、
指標値ＳにΔＳを加算して出力するように前記処理部の処理方法を変更することと、を有する、ストロークセンサの取り付け方法。
前記第２の基準位置は前記第１の磁石の移動範囲の端部に位置し、前記第１の基準位置は前記移動範囲を模擬した移動範囲の対応する端部に位置する、請求項１に記載のストロークセンサの取り付け方法。
前記相対位置と前記指標値Ｓとの関係は１次関数で表される、請求項１または２に記載のストロークセンサの取り付け方法。
前記第２の磁石を前記磁界検出素子に対して前記第１の方向に相対移動させながら、前記第２の磁石の前記磁界検出素子に対する複数の相対位置と、各相対位置を示す原指標値と、の関係を求めることと、
前記関係を前記１次関数に変換する変換手段を求めることと、
前記変換手段を前記処理部に書き込むことと、を有する、請求項３に記載のストロークセンサの取り付け方法。
前記第２の磁石はマスター磁石である、請求項４に記載のストロークセンサの取り付け方法。
前記第２の磁石は前記第１の磁石である、請求項４に記載のストロークセンサの取り付け方法。
前記指標値Ｓは、前記磁界検出素子の検出した磁界から求められる磁界角度に基づく、前記ストロークセンサの出力電圧である、請求項１から６のいずれか１項に記載のストロークセンサの取り付け方法。
前記指標値Ｓは、前記磁界検出素子の検出した磁界から求められる磁界強度に基づく、前記ストロークセンサの出力電圧である、請求項１から６のいずれか１項に記載のストロークセンサの取り付け方法。
前記第２の基準位置は、前記第１の磁石を前記構造物に取り付けたときの初期位置である、請求項１から８のいずれか１項に記載のストロークセンサの取り付け方法。