JP2021118347A5 - - Google Patents

Description

基板Ｗの第１例において、領域ＲＥは、有機材料から形成される。基板Ｗの第２例において、領域ＲＥは、酸化シリコンから形成される。基板Ｗの第３例において、領域ＲＥは、窒化シリコンから形成される。基板Ｗの第４例において、領域ＲＥは、シリコン（例えば多結晶シリコン）及び／又はゲルマニウムから形成される。基板Ｗの第５例において、領域ＲＥは、交互に積層された一つ以上のシリコン酸化膜と一つ以上のシリコン窒化膜を含む。基板Ｗの第５例において、領域ＲＥは、単一のシリコン酸化膜と単一のシリコン窒化膜を含んでいてもよい。基板Ｗの第５例において、単一のシリコン窒化膜は、単一のシリコン酸化膜とマスクＭＫとの間に設けられ得る。基板Ｗの第６例において、領域ＲＥは、交互に積層された一つ以上のシリコン酸化膜と一つ以上の多結晶シリコン膜を含む。基板Ｗの第７例において、領域ＲＥは、一つ以上のシリコン酸化膜、一つ以上のシリコン窒化膜、及び一つ以上の多結晶シリコン膜を含む積層体から形成される。基板Ｗの第８例において、領域ＲＥは、低誘電率材料から形成される。基板Ｗの第８例において、領域ＲＥは、シリコン、炭素、酸素、及び水素を含む。即ち、基板Ｗの第８例において、膜ＰＦは、ＳｉＣＯＨ膜であり得る。

プラズマ処理装置１は、バッフル部材４８を更に備えていてもよい。バッフル部材４８は、筒状部２８とチャンバ本体１２の側壁との間に設けられている。バッフル部材４８は、板状の部材であり得る。バッフル部材４８は、例えば、アルミニウムから形成された部材の表面上に耐腐食性を有する膜を形成することにより構成される。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウムといったセラミックから形成された膜であり得る。バッフル部材４８には、複数の貫通孔が形成されている。バッフル部材４８の下方、且つ、チャンバ本体１２の底部には、排気口が設けられている。排気口には、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプといった真空ポンプを有している。

Claims (18)

1. ａ）基板の表面上に膜を形成する工程であり、該基板はマスク及び該マスクがその上に設けられた領域を有し、該マスクは該領域を部分的に露出させる開口を提供し、該膜は前記領域の材料と同種の材料から形成される、該工程と、
   ｂ）前記領域をエッチングする工程と、
   を含むエッチング方法。
2. 前記ｂ）において、前記膜のエッチングレートは前記領域のエッチングレート以上又は該領域の該エッチングレート以下である、請求項１に記載のエッチング方法。
3. 前記領域は有機材料から形成されている、請求項１又は２に記載のエッチング方法。
4. 前記領域は酸化シリコン又は窒化シリコンから形成されている、請求項１又は２に記載のエッチング方法。
5. 前記領域は、酸化シリコン、窒化シリコン、及び多結晶シリコンのうち二つ以上の材料からそれぞれ形成された複数の層を有する、請求項１又は２に記載のエッチング方法。
6. 前記領域はシリコン及び／又はゲルマニウムから形成されている、請求項１又は２に記載のエッチング方法。
7. 前記膜は、アモルファスシリコンから形成される、請求項６に記載のエッチング方法。
8. 前記領域は、低誘電率材料から形成されている、請求項１又は２に記載のエッチング方法。
9. ｃ）前記領域を部分的にエッチングする工程を更に含み、
   前記膜は、前記ｃ）において形成された側壁面上に形成され、
   前記ｃ）において前記領域に形成された開口の深さが、前記ｂ）において増大される、
   請求項１～８の何れか一項に記載のエッチング方法。
10. 前記ａ）は、
    第１のガスを基板に供給することにより前記基板上に前駆体層を形成する工程と、
    第２のガスを前記前駆体層に供給すること又は前記前駆体層を活性化することにより前記前駆体層から前記膜を形成する工程と、
    を含む、請求項１～９の何れか一項に記載のエッチング方法。
11. 前記膜は、前記第２のガスから生成されたプラズマからの化学種を用いて形成される、請求項１０に記載のエッチング方法。
12. 前記膜は、ＣＶＤにより形成される、請求項１～９の何れか一項に記載のエッチング方法。
13. 前記膜は、その厚さが前記基板内での該基板の上端からの深さに応じて減少するように形成される、請求項１～１２の何れか一項に記載のエッチング方法。
14. 前記領域に１０以上のアスペクト比を有する開口が形成される、請求項１～１３の何れか一項に記載のエッチング方法。
15. 前記マスクが提供する前記開口の幅は、１００ｎｍ以下である、請求項１～１４の何れか一項に記載のエッチング方法。
16. 膜を形成する前記工程と前記領域をエッチングする前記工程とが交互に繰り返される、請求項１～１５の何れか一項に記載のエッチング方法。
17. チャンバと、
    前記チャンバ内にガスを供給するように構成されたガス供給部と、
    前記ガス供給部を制御するように構成された制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    開口を提供するマスク及び該マスクがその上に設けられた領域を有する基板上に、該領域の材料と同種の材料の膜を形成するために前記チャンバ内にガスを供給するように前記ガス供給部を制御し、
    前記領域をエッチングするために前記チャンバ内にガスを供給するように前記ガス供給部を制御する、
    基板処理装置。
18. 開口を提供するマスク及び該マスクがその上に設けられた領域を有する基板上に、該領域の材料と同種の材料の膜を形成するように構成された成膜装置と、
    前記領域をエッチングするように構成された基板処理装置と、
    を備える基板処理システム。