JP2021117244A - Circuit arrangement, electro-optical device, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

To provide a circuit arrangement that can transmit a data voltage signal at a high speed in transmission from a display driver to an electro-optical panel through a flexible substrate.SOLUTION: A circuit arrangement 100 includes a distortion adjustment circuit 130, a first voltage withstanding buffer circuit 110, analog latch circuits AL1 to ALm, and second voltage withstanding buffer circuits BF21 to BF2m. The distortion adjustment circuit 130 adjusts waveform distortion of data voltage signal DVS in which the first to the m-th gradation voltages are multiplexed and outputs a signal after the adjustment TGS. The first voltage withstanding buffer circuit 110 buffers the signal after the adjustment TGS and outputs a first output signal QS1. The analog latch circuit ALj latches a voltage corresponding to the j-th gradation voltage in the first output signal QS1. The second voltage withstanding buffer circuit BF2j amplifies an output signal ALQj from the analog latch circuit ALj and outputs a second output signal QS2j.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、回路装置、電気光学装置及び電子機器等に関する。 The present invention relates to a circuit device, an electro-optical device, an electronic device, and the like.

プロジェクター等の表示装置において、表示ドライバーが実装された基板と電気光学パネルとをフレキシブル基板で接続した構成が知られている。例えば特許文献1には、液晶パネルの素子基板に接合されたフレキシブル配線基板を介して液晶パネルとプリント基板が接続され、そのプリント基板に制御回路及び画像信号処理回路が実装された液晶装置が開示されている。また特許文献2には、画素アレイが設けられた基板に対して、基板の外部から相展開駆動の映像信号が供給される液晶表示装置が開示されている。また表示装置において、電気光学パネルに接続されたフレキシブル基板に表示ドライバーが実装された構成が知られている。例えば特許文献3、4には、電気光学パネルフレキシブル回路基板に駆動用集積回路が実装され、多重化された表示データが外部の装置から駆動用集積回路に入力され、駆動用集積回路が表示データをデータ電圧にD/A変換して電気光学パネルに出力し、多重化されたデータ電圧が電気光学パネルにおいてデマルチプレクスされる電気光学装置が開示されている。 In a display device such as a projector, a configuration in which a substrate on which a display driver is mounted and an electro-optical panel are connected by a flexible substrate is known. For example, Patent Document 1 discloses a liquid crystal device in which a liquid crystal panel and a printed circuit board are connected via a flexible wiring board bonded to an element substrate of the liquid crystal panel, and a control circuit and an image signal processing circuit are mounted on the printed circuit board. Has been done. Further, Patent Document 2 discloses a liquid crystal display device in which a phase expansion drive video signal is supplied from the outside of the substrate to the substrate provided with the pixel array. Further, in a display device, a configuration in which a display driver is mounted on a flexible substrate connected to an electro-optical panel is known. For example, in Patent Documents 3 and 4, a drive integrated circuit is mounted on an electro-optical panel flexible circuit board, multiplexed display data is input to the drive integrated circuit from an external device, and the drive integrated circuit is displayed data. Is D / A converted into a data voltage and output to an electro-optical panel, and an electro-optical device is disclosed in which the multiplexed data voltage is demultiplexed in the electro-optical panel.

特開2005−157304号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-157304 特開2008−139610号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-139610 特開2015−79138号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-79138 特開2016−197199号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-197199

近年では、電気光学パネルの高精細化が進んでいるため1画素あたりの駆動時間が短くなっている。しかしながら、フレキシブル基板等の伝送経路には配線負荷容量が寄生するため、データ電圧信号又は表示データを高速に伝送することが困難という課題がある。即ち、表示ドライバーが実装された基板と電気光学パネルとをフレキシブル基板で接続した構成では、表示ドライバーから電気光学パネルへデータ電圧信号を高速に伝送することが困難である。また電気光学パネルに接続されたフレキシブル基板に表示ドライバーが実装された構成では、表示コントローラー等の外部装置から表示ドライバーへ表示データを高速に伝送することが困難である。 In recent years, the drive time per pixel has been shortened due to the advancement of high-definition electro-optical panels. However, since the wiring load capacitance is parasitic on the transmission path of the flexible substrate or the like, there is a problem that it is difficult to transmit the data voltage signal or the display data at high speed. That is, in a configuration in which a substrate on which a display driver is mounted and an electro-optical panel are connected by a flexible substrate, it is difficult to transmit a data voltage signal from the display driver to the electro-optic panel at high speed. Further, in a configuration in which a display driver is mounted on a flexible substrate connected to an electro-optical panel, it is difficult to transmit display data from an external device such as a display controller to the display driver at high speed.

本開示の一態様は、第1〜第mの階調電圧(mは2以上の整数)が多重化されたデータ電圧信号が、表示ドライバーから入力され、前記データ電圧信号の波形歪みを調整して調整後信号を出力する歪み調整回路と、第1耐圧のトランジスターで構成され、前記調整後信号をバッファリングして第1出力信号を出力する第1耐圧バッファー回路と、前記第1出力信号が入力される第1〜第mのアナログラッチ回路と、第1〜第mの第2耐圧バッファー回路と、を含み、前記第jのアナログラッチ回路(jは1以上m以下の整数)は、前記第1出力信号において前記第jの階調電圧に対応した電圧をラッチし、前記第jの第2耐圧バッファー回路は、前記第1耐圧より高い第2耐圧のトランジスターで構成され、前記第jのアナログラッチ回路の出力信号を増幅して第2出力信号を電気光学パネルに出力する回路装置に関係する。 In one aspect of the present disclosure, a data voltage signal in which the first to mth gradation voltages (m is an integer of 2 or more) are multiplexed is input from the display driver, and the waveform distortion of the data voltage signal is adjusted. The distortion adjustment circuit that outputs the adjusted signal, the first withstand voltage buffer circuit that is composed of the first withstand voltage transistor and buffers the adjusted signal and outputs the first output signal, and the first output signal. The jth analog latch circuit (j is an integer of 1 or more and m or less) includes the first to first m analog latch circuits and the first to m second withstand voltage buffer circuits to be input. The voltage corresponding to the j-th gradation voltage is latched in the first output signal, and the j-second withstand voltage buffer circuit is composed of a transistor having a second withstand voltage higher than the first withstand voltage, and the j-th It relates to a circuit device that amplifies the output signal of the analog latch circuit and outputs the second output signal to the electro-optical panel.

また本開示の他の態様は、上記に記載の回路装置と、前記表示ドライバーと、前記電気光学パネルと、を含む電気光学装置に関係する。 Further, another aspect of the present disclosure relates to an electro-optical device including the circuit device described above, the display driver, and the electro-optic panel.

また本開示の更に他の態様は、上記に記載の回路装置を含む電子機器に関係する。 Yet another aspect of the present disclosure relates to electronic devices including the circuit devices described above.

従来の電気光学装置の構成例。Configuration example of a conventional electro-optic device. 従来の電気光学装置におけるデータ電圧信号の波形例。Waveform example of a data voltage signal in a conventional electro-optic device. 電気光学装置の第1構成例。A first configuration example of an electro-optical device. 表示ドライバー、回路装置及び電気光学パネルの回路構成例。Example of circuit configuration of display driver, circuit device and electro-optic panel. 相展開駆動方式における表示ドライバー、回路装置及び電気光学パネルの動作を説明する図。The figure explaining the operation of a display driver, a circuit device and an electro-optics panel in a phase expansion drive system. 回路装置の第1詳細構成例。First detailed configuration example of a circuit device. 回路装置における信号波形例。Example of signal waveform in a circuit device. 第1耐圧バッファー回路の詳細構成例。Detailed configuration example of the first withstand voltage buffer circuit. 第jのアナログラッチ回路の詳細構成例。Detailed configuration example of the j-th analog latch circuit. 第jの第2耐圧バッファー回路の詳細構成例。A detailed configuration example of the second withstand voltage buffer circuit of the second j. 第1詳細構成例における回路装置の動作を説明する波形図。The waveform diagram explaining the operation of the circuit apparatus in 1st detailed configuration example. 回路装置の第2詳細構成例。A second detailed configuration example of a circuit device. 第2詳細構成例における回路装置の動作を説明する波形図。The waveform diagram explaining the operation of the circuit apparatus in the 2nd detailed configuration example. デマルチプレクス駆動方式における表示ドライバー、回路装置及び電気光学パネルの動作を説明する図。The figure explaining the operation of a display driver, a circuit device and an electro-optics panel in a demultiplex drive system. 回路装置の第3詳細構成例。A third detailed configuration example of a circuit device. 第3詳細構成例における回路装置の動作を説明する波形図。The waveform diagram explaining the operation of the circuit apparatus in the 3rd detailed configuration example. 電気光学装置の第2構成例。A second configuration example of an electro-optical device. 電子機器の構成例。Configuration example of electronic equipment.

以下、本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが必須構成要件であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present disclosure will be described in detail. It should be noted that the present embodiment described below does not unreasonably limit the contents described in the claims, and not all of the configurations described in the present embodiment are essential constituent requirements.

1.電気光学装置
図1は、従来の電気光学装置1の構成例である。電気光学装置1は、表示ドライバー2とコネクター3とフレキシブル基板4と電気光学パネル5と基板6とを含む。
1. 1. Electro-optic device FIG. 1 is a configuration example of a conventional electro-optical device 1. The electro-optical device 1 includes a display driver 2, a connector 3, a flexible substrate 4, an electro-optical panel 5, and a substrate 6.

電気光学パネル5は液晶表示パネルであり、液晶表示パネルのガラス基板にフレキシブル基板4の一端が接続される。基板6はプリント基板であり、表示ドライバー2及びコネクター3が設けられる。フレキシブル基板4の他端がコネクター3に接続されることで、フレキシブル基板4上の配線を介して表示ドライバー2と電気光学パネル5とが電気的に接続される。 The electro-optical panel 5 is a liquid crystal display panel, and one end of the flexible substrate 4 is connected to the glass substrate of the liquid crystal display panel. The board 6 is a printed circuit board, and is provided with a display driver 2 and a connector 3. By connecting the other end of the flexible substrate 4 to the connector 3, the display driver 2 and the electro-optical panel 5 are electrically connected via the wiring on the flexible substrate 4.

表示ドライバー2が出力するデータ電圧信号と制御信号は、フレキシブル基板4の配線により伝送され、電気光学パネル5に入力される。表示ドライバー2は、各画素に対応した階調電圧を順次に出力し、その時系列の階調電圧がデータ電圧信号として電気光学パネル5に入力される。そして、制御信号により順次に選択される画素に対して、その選択される各画素に対応した階調電圧が書き込まれる。 The data voltage signal and the control signal output by the display driver 2 are transmitted by the wiring of the flexible substrate 4 and input to the electro-optical panel 5. The display driver 2 sequentially outputs the gradation voltage corresponding to each pixel, and the time-series gradation voltage is input to the electro-optical panel 5 as a data voltage signal. Then, the gradation voltage corresponding to each selected pixel is written to the pixels sequentially selected by the control signal.

図2は、電気光学装置1におけるデータ電圧信号の波形図である。図2には、フレキシブル基板4を通過した後の、即ち電気光学パネル5の入力におけるデータ電圧信号の波形例を示す。 FIG. 2 is a waveform diagram of a data voltage signal in the electro-optical device 1. FIG. 2 shows an example of the waveform of the data voltage signal after passing through the flexible substrate 4, that is, at the input of the electro-optical panel 5.

実線で示す波形において、TGAは1画素を駆動する期間に相当する。フレキシブル基板4の配線には寄生容量及び寄生抵抗が存在し、また電気光学パネル5の入力には静電保護用の抵抗が存在するため、データ電圧信号の波形に歪みが生じる。ここでの歪みは、表示ドライバー2が出力した信号の元の波形に対して、電気光学パネル5に到達した信号の波形が変形していることを意味する。どのように波形が歪むのかは、伝送経路の周波数特性によって決まるが、図2には一例として矩形波の高周波成分が低減した場合の波形を示す。 In the waveform shown by the solid line, TGA corresponds to the period for driving one pixel. Since the wiring of the flexible substrate 4 has a parasitic capacitance and a parasitic resistance, and the input of the electro-optical panel 5 has a resistance for electrostatic protection, the waveform of the data voltage signal is distorted. The distortion here means that the waveform of the signal reaching the electro-optical panel 5 is deformed with respect to the original waveform of the signal output by the display driver 2. How the waveform is distorted is determined by the frequency characteristics of the transmission path, but FIG. 2 shows the waveform when the high frequency component of the rectangular wave is reduced as an example.

高品質な表示を行うためには画素に正確な階調電圧を書き込む必要があるが、画素に正確な階調電圧を書き込むためには、少なくとも期間TGAの終了時点においてデータ電圧信号が目標電圧に到達している必要がある。例えば表示ドライバー2の駆動アンプ数を変えずに電気光学パネル5の画素数を2倍にした場合、TGBに示すように、1画素を駆動する期間はTGAの半分になる。高画素化又は高フレームレート化が進むほど、期間TGBは短くなるので、期間TGBの終了時点においてデータ電圧信号が目標電圧に到達しない可能性が高くなる。波形の歪みは伝送経路の周波数特性によって決まってしまうため、期間TGBを短くすることには限界がある。即ち、高画素化又は高フレームレート化又はそれら両方に伴ってデータ電圧信号の転送レートを上げる必要が生じるが、フレキシブル基板4等に起因した波形の歪みによって転送レートの向上が困難になる。 In order to display high quality, it is necessary to write an accurate gradation voltage to the pixel, but in order to write an accurate gradation voltage to the pixel, the data voltage signal becomes the target voltage at least at the end of the period TGA. Must have been reached. For example, if the number of pixels of the electro-optical panel 5 is doubled without changing the number of drive amplifiers of the display driver 2, the period for driving one pixel is half that of TGA, as shown in TGB. As the number of pixels increases or the frame rate increases, the period TGB becomes shorter, so that there is a high possibility that the data voltage signal does not reach the target voltage at the end of the period TGB. Since the distortion of the waveform is determined by the frequency characteristics of the transmission path, there is a limit to shortening the period TGB. That is, it becomes necessary to increase the transfer rate of the data voltage signal with the increase in the number of pixels, the increase in the frame rate, or both, but it becomes difficult to improve the transfer rate due to the distortion of the waveform caused by the flexible substrate 4 and the like.

図1では表示ドライバー2が基板6に実装される例を示したが、デマルチプレクス駆動方式等の電気光学装置10においては表示ドライバー2がフレキシブル基板4に実装される。この場合、フレキシブル基板4におけるデータ電圧信号の伝送経路は短くなるが、基板6に実装された表示コントローラー等からフレキシブル基板4を介して表示ドライバー2に送信される表示データの伝送経路が長くなる。電気光学パネル5の高画素化又は高フレームレート化が進むと表示データの転送レートが高くなるが、フレキシブル基板4の寄生容量及び寄生抵抗によって転送レートの向上が困難となる。 Although FIG. 1 shows an example in which the display driver 2 is mounted on the substrate 6, the display driver 2 is mounted on the flexible substrate 4 in the electro-optic device 10 such as the demultiplex drive system. In this case, the transmission path of the data voltage signal on the flexible board 4 becomes short, but the transmission path of the display data transmitted from the display controller or the like mounted on the board 6 to the display driver 2 via the flexible board 4 becomes long. As the number of pixels or the frame rate of the electro-optical panel 5 increases, the transfer rate of display data increases, but it becomes difficult to improve the transfer rate due to the parasitic capacitance and the parasitic resistance of the flexible substrate 4.

以上のように、表示ドライバー2が基板6に実装されるタイプ、及び表示ドライバー2がフレキシブル基板4に実装されるタイプのいずれの電気光学装置10においても、高画素化又は高フレームレート化に対応することが困難となるという課題がある。 As described above, both the type in which the display driver 2 is mounted on the substrate 6 and the type in which the display driver 2 is mounted on the flexible substrate 4 correspond to high pixel count or high frame rate. There is a problem that it becomes difficult to do.

図3は、本実施形態における電気光学装置10の第1構成例である。電気光学装置10は、表示ドライバー12とコネクター13とフレキシブル基板14と電気光学パネル15と基板16と回路装置100とを含む。 FIG. 3 is a first configuration example of the electro-optical device 10 in the present embodiment. The electro-optical device 10 includes a display driver 12, a connector 13, a flexible substrate 14, an electro-optical panel 15, a substrate 16, and a circuit device 100.

基板16は、集積回路装置等の回路部品を実装可能な回路基板であり、例えばプリント基板である。基板16には、表示ドライバー12及びコネクター13が実装される。基板16には、表示ドライバー12を制御する表示コントローラー等が更に設けられてもよい。表示ドライバー12は、電気光学パネル15を駆動するためのデータ電圧信号及び制御信号を表示データに基づいて生成し、そのデータ電圧信号及び制御信号を出力する。表示ドライバー12は、例えば集積回路装置である。表示ドライバー12とコネクター13は、基板16上に設けられた配線によって電気的に接続されている。その基板16上に設けられた配線は、コネクター13を介して、フレキシブル基板14上に設けられた配線に接続される。 The board 16 is a circuit board on which circuit components such as integrated circuit devices can be mounted, and is, for example, a printed circuit board. The display driver 12 and the connector 13 are mounted on the board 16. The substrate 16 may be further provided with a display controller or the like that controls the display driver 12. The display driver 12 generates a data voltage signal and a control signal for driving the electro-optical panel 15 based on the display data, and outputs the data voltage signal and the control signal. The display driver 12 is, for example, an integrated circuit device. The display driver 12 and the connector 13 are electrically connected by wiring provided on the board 16. The wiring provided on the substrate 16 is connected to the wiring provided on the flexible substrate 14 via the connector 13.

フレキシブル基板14は、FPCとも呼ばれ、柔軟性があるため曲げることが可能な回路基板である。FPCは、Flexible Printed Circuitsの略である。フレキシブル基板14上には、回路装置100が実装される。回路装置100の入力端子は、フレキシブル基板14上に設けられた配線に接続され、コネクター13に電気的に接続される。 The flexible substrate 14, also called an FPC, is a circuit board that can be bent because it is flexible. FPC is an abbreviation for Flexible Printed Circuits. The circuit device 100 is mounted on the flexible substrate 14. The input terminal of the circuit device 100 is connected to the wiring provided on the flexible substrate 14, and is electrically connected to the connector 13.

回路装置100は、例えば、ICと呼ばれる集積回路装置である。回路装置100は、半導体プロセスにより製造されるICであり、半導体基板上に回路素子が形成された半導体チップである。回路装置100の入力端子には、表示ドライバー12から出力されたデータ電圧信号及び制御信号が、基板16上に設けられた配線、コネクター13及びフレキシブル基板14上に設けられた配線を介して入力される。 The circuit device 100 is, for example, an integrated circuit device called an IC. The circuit device 100 is an IC manufactured by a semiconductor process, and is a semiconductor chip in which a circuit element is formed on a semiconductor substrate. The data voltage signal and control signal output from the display driver 12 are input to the input terminal of the circuit device 100 via the wiring provided on the board 16, the connector 13, and the wiring provided on the flexible board 14. NS.

回路装置100は、入力されたデータ電圧信号の波形歪みを調整し、その歪み調整後のデータ電圧信号を出力する。また、回路装置100は、入力された制御信号に基づいて、回路装置100内の回路動作を制御する。また回路装置100は、入力された制御信号をレベルシフトし、そのレベルシフト後の制御信号を電気光学パネル15に出力する。回路装置100から出力された歪み調整後のデータ信号およびレベルシフト後の制御信号は、フレキシブル基板14上に設けられた配線を介して電気光学パネル15に入力される。 The circuit device 100 adjusts the waveform distortion of the input data voltage signal, and outputs the data voltage signal after the distortion adjustment. Further, the circuit device 100 controls the circuit operation in the circuit device 100 based on the input control signal. Further, the circuit device 100 level-shifts the input control signal and outputs the control signal after the level shift to the electro-optical panel 15. The strain-adjusted data signal and the level-shifted control signal output from the circuit device 100 are input to the electro-optical panel 15 via the wiring provided on the flexible substrate 14.

図3に示したように、回路装置100は、フレキシブル基板14上において、表示ドライバー12よりも電気光学パネル15に近い位置に配置されている。回路装置100は、回路装置100と電気光学パネル15との間の配線により、歪み調整後のデータ電圧信号に、波形歪みの影響が出ないように、回路装置100と電気光学パネル15との間の配線長が所定の長さ以下になるように配置されている。回路装置100と電気光学パネル15との間の配線長は、電気光学パネルで表示する画像の解像度およびフレームレートに応じて必要となるデータ電圧信号の転送レートに応じた所定の長さ以下になるように設定されている。具体的には、フルハイビジョン(2K×1Kドット)の画像をフレームレート120fps(1画素を駆動する期間は約72ns)で電気光学パネル15に表示する場合のデータ電圧信号の転送レートが約3.6Gbpsである場合は、電気光学パネル15と回路装置100との間の配線長は、7cm以下にすることが好ましい。また、フルハイビジョン(2K×1Kドット)の画像をフレームレート2倍の240fps(1画素を駆動する期間が約36ns)で電気光学パネル15に表示する場合のデータ電圧信号の転送レートが2倍の約7.2Gbpsである場合は、電気光学パネル15と回路装置100との間の配線長は2分の1の3.5cm以下にすることが好ましい。また、解像度フルハイビジョン(2K×1Kドット)の画像をフレームレート4倍の480fps(1画素を駆動する期間が約18ns)で電気光学パネル15に表示する場合のデータ電圧信号の転送レートが4倍の約14.4Gbpsである場合は、電気光学パネル15と回路装置100との間の配線長は約4分の1の1.75cm以下にすることが好ましい。また、解像度4倍の4K(4K×2Kドット)の画像をフレームレート120fps(1画素を駆動する期間が約72ns)で電気光学パネル15に表示する場合のデータ電圧信号の転送レートが4倍の約14.4Gbpsである場合は、電気光学パネル15と回路装置100との間の配線長は約4分の1の1.75cm以下にすることが好ましい。 As shown in FIG. 3, the circuit device 100 is arranged on the flexible substrate 14 at a position closer to the electro-optical panel 15 than the display driver 12. The circuit device 100 is connected between the circuit device 100 and the electro-optical panel 15 by wiring between the circuit device 100 and the electro-optical panel 15 so that the data voltage signal after distortion adjustment is not affected by the waveform distortion. Is arranged so that the wiring length of the above is less than or equal to a predetermined length. The wiring length between the circuit device 100 and the electro-optical panel 15 is equal to or less than a predetermined length according to the transfer rate of the data voltage signal required according to the resolution and frame rate of the image displayed on the electro-optical panel. Is set to. Specifically, the transfer rate of the data voltage signal when displaying a full high-definition (2K x 1K dot) image on the electro-optical panel 15 at a frame rate of 120 fps (the period for driving one pixel is about 72 ns) is about 3. When it is 6 Gbps, the wiring length between the electro-optical panel 15 and the circuit device 100 is preferably 7 cm or less. In addition, the transfer rate of the data voltage signal when displaying a full high-definition (2K x 1K dot) image on the electro-optical panel 15 at 240 fps (the period for driving one pixel is about 36 ns), which is twice the frame rate, is doubled. When it is about 7.2 Gbps, the wiring length between the electro-optical panel 15 and the circuit device 100 is preferably halved to 3.5 cm or less. In addition, the transfer rate of the data voltage signal when displaying a full high-definition (2K x 1K dot) image on the electro-optical panel 15 at 480 fps (the period for driving one pixel is about 18 ns), which is four times the frame rate, is four times. In the case of about 14.4 Gbps, the wiring length between the electro-optical panel 15 and the circuit device 100 is preferably 1.75 cm or less, which is about a quarter. In addition, the transfer rate of the data voltage signal when displaying a 4K (4K x 2K dot) image with a resolution of 4 times on the electro-optical panel 15 at a frame rate of 120 fps (the period for driving one pixel is about 72 ns) is 4 times. When it is about 14.4 Gbps, the wiring length between the electro-optical panel 15 and the circuit device 100 is preferably 1.75 cm or less, which is about a quarter.

電気光学パネル15の入力端子は、フレキシブル基板14上に設けられた配線によって回路装置100の出力端子に接続されている。電気光学パネル15は、回路装置100が波形成型したデータ電圧信号及び回路装置100がレベルシフトした制御信号に基づいて、画像表示を行う。電気光学パネル15は表示パネルとも呼ばれ、例えば液晶表示パネルである。液晶表示パネルは、ガラス基板と、ガラス基板上に形成される画素アレイと、を含む。また液晶表示パネルは、ガラス基板上に形成され且つTFTにより構成された回路と、回路と画素アレイを接続し且つガラス基板上に形成される透明電極配線と、を含むことができる。TFTはThin Film Transistorの略である。電気光学装置10がプロジェクターに適用された場合、光源と投影光学系の間に電気光学パネル15が挿入され、電気光学パネル15を透過した光が投影光学系によりスクリーンに結像されることで、スクリーンに画像が投影される。なお電気光学装置10はプロジェクターに限らず、種々の表示装置に適用可能である。また電気光学パネル15は液晶表示パネルに限定されず、有機EL表示パネル等であってもよい。 The input terminal of the electro-optical panel 15 is connected to the output terminal of the circuit device 100 by wiring provided on the flexible substrate 14. The electro-optical panel 15 displays an image based on a data voltage signal whose waveform is molded by the circuit device 100 and a control signal whose level is shifted by the circuit device 100. The electro-optical panel 15 is also called a display panel, and is, for example, a liquid crystal display panel. The liquid crystal display panel includes a glass substrate and a pixel array formed on the glass substrate. Further, the liquid crystal display panel can include a circuit formed on the glass substrate and configured by the TFT, and a transparent electrode wiring that connects the circuit and the pixel array and is formed on the glass substrate. TFT is an abbreviation for Thin Film Transistor. When the electro-optical device 10 is applied to a projector, the electro-optical panel 15 is inserted between the light source and the projection optical system, and the light transmitted through the electro-optical panel 15 is imaged on the screen by the projection optical system. The image is projected on the screen. The electro-optical device 10 is not limited to the projector, and can be applied to various display devices. Further, the electro-optical panel 15 is not limited to the liquid crystal display panel, and may be an organic EL display panel or the like.

図4は、表示ドライバー12、回路装置100及び電気光学パネル15の回路構成例である。表示ドライバー12は、制御回路21とD/A変換回路DAC1〜DACnとアンプ回路AM1〜AMnと出力端子TD1〜TDn、TSとを含む。nは2以上の整数である。回路装置100は、波形成形回路HSC1〜HSCnとタイミング信号出力回路195と入力端子TI1〜TIn、TISと出力端子TQ11〜TQ1m、TQ21〜TQ2m、・・・、TQn1〜TQnm、TQSとを含む。mは2以上の整数であり、「nm」はn×mを意味する。電気光学パネル15は、スイッチ回路51と画素アレイ52と入力端子TP11〜TP1m、TP21〜TP2m、・・・、TPn1〜TPnm、TPSとを含む。 FIG. 4 is a circuit configuration example of the display driver 12, the circuit device 100, and the electro-optical panel 15. The display driver 12 includes a control circuit 21, D / A conversion circuits DAC1 to DACn, amplifier circuits AM1 to AMn, output terminals TD1 to TDn, and TS. n is an integer of 2 or more. The circuit device 100 includes waveform forming circuits HSC1 to HSCn, timing signal output circuits 195, input terminals TI1 to TI, TIS and output terminals TQ11 to TQ1m, TQ21 to TQ2m, ..., TQn1 to TQnm, and TQS. m is an integer of 2 or more, and "nm" means n × m. The electro-optical panel 15 includes a switch circuit 51, a pixel array 52, and input terminals TP11 to TP1m, TP21 to TP2m, ..., TPn1 to TPnm, and TPS.

以下、相展開駆動方式を例に動作を説明するが、これに限定されず、例えば電気光学装置10はデマルチプレクス駆動方式を採用してもよい。駆動方式に応じてスイッチ回路51の動作、及び表示ドライバー12からの階調電圧の出力順を変更すればよい。 Hereinafter, the operation will be described by taking the phase expansion drive method as an example, but the operation is not limited to this, and for example, the electro-optical device 10 may adopt the demultiplex drive method. The operation of the switch circuit 51 and the output order of the gradation voltage from the display driver 12 may be changed according to the drive method.

制御回路21は、第1〜第n表示データをD/A変換回路DAC1〜DACnに出力する。各D/A変換回路に出力される表示データは、複数の階調値が多重化されたデータとなっている。また制御回路21は、波形成形回路HSC1〜HSCn及びスイッチ回路51を制御する制御信号を出力端子TSに出力する。図4では制御回路21が1つの制御信号を1つの出力端子TSから出力しているが、制御回路21が複数の制御信号を出力する場合、表示ドライバー12は、複数の制御信号を出力するための複数の出力端子を含んでもよい。この場合、回路装置100は、複数の制御信号が入力される複数の入力端子をふくんでもよい。 The control circuit 21 outputs the first to nth display data to the D / A conversion circuits DAC1 to DACn. The display data output to each D / A conversion circuit is data in which a plurality of gradation values are multiplexed. Further, the control circuit 21 outputs a control signal for controlling the waveform forming circuits HSC1 to HSCn and the switch circuit 51 to the output terminal TS. In FIG. 4, the control circuit 21 outputs one control signal from one output terminal TS, but when the control circuit 21 outputs a plurality of control signals, the display driver 12 outputs a plurality of control signals. It may include a plurality of output terminals of. In this case, the circuit device 100 may include a plurality of input terminals into which a plurality of control signals are input.

D/A変換回路DAC1〜DACnは、第1〜第n表示データを第1〜第n電圧にD/A変換する。アンプ回路AM1〜AMnは、第1〜第n電圧をバッファリング又は増幅することで第1〜第nデータ電圧信号を出力する。各データ電圧信号は複数の階調電圧が多重化された信号であり、その複数の階調電圧は、表示データにおいて多重化された複数の階調値に対応している。 The D / A conversion circuits DAC1 to DACn D / A convert the first to nth display data into the first to nth voltages. The amplifier circuits AM1 to AMn output the 1st to nth data voltage signals by buffering or amplifying the 1st to nth voltages. Each data voltage signal is a signal in which a plurality of gradation voltages are multiplexed, and the plurality of gradation voltages correspond to a plurality of multiple gradation values in the display data.

出力端子TD1〜TDnは、基板16、コネクター13及びフレキシブル基板14を介して回路装置100の入力端子TI1〜TInに電気的に接続される。入力端子TI1〜TInに入力された第1〜第nデータ電圧信号は、波形成形回路HSC1〜HSCnに入力される。波形成形回路HSC1〜HSCnは、アンプ回路AM1〜AMnが出力した元の第1〜第nデータ電圧信号の波形に近づくように第1〜第nデータ電圧信号の波形歪みを調整する。また波形成形回路HSC1〜HSCnは、調整後の第1〜第nデータ電圧信号において多重化された階調電圧をデマルチプレクスし、デマルチプレクス後の階調電圧を出力する。波形成形回路HSC1を例にとると、第1データ電圧信号はm個の階調電圧が多重化された信号であり、波形成形回路HSC1は、その多重化されたm個の階調電圧をデマルチプレクスし、デマルチプレクス後のm個の階調電圧を出力端子TQ11〜TQ1mに出力する。 The output terminals TD1 to TDn are electrically connected to the input terminals TI1 to TI of the circuit device 100 via the substrate 16, the connector 13, and the flexible substrate 14. The first to nth data voltage signals input to the input terminals TI1 to TI are input to the waveform forming circuits HSC1 to HSCn. The waveform shaping circuits HSC1 to HSCn adjust the waveform distortion of the first to nth data voltage signals so as to approach the waveform of the original first to nth data voltage signals output by the amplifier circuits AM1 to AMn. Further, the waveform shaping circuits HSC1 to HSCn demultiplex the gradation voltage multiplexed in the adjusted first to nth data voltage signals, and output the gradation voltage after the demultiplexing. Taking the waveform shaping circuit HSC1 as an example, the first data voltage signal is a signal in which m gradation voltages are multiplexed, and the waveform shaping circuit HSC1 decodes the multiplexed m gradation voltages. Multiplexing is performed, and m gradation voltages after demultiplexing are output to the output terminals TQ11 to TQ1m.

出力端子TSは、基板16、コネクター13及びフレキシブル基板14を介して回路装置100の入力端子TISに電気的に接続される。入力端子TISに入力された制御信号はタイミング信号出力回路195に入力される。その制御信号に基づいて、タイミング信号出力回路195は、デマルチプレクス動作をタイミング制御する信号を波形成形回路HSC1〜HSCnに出力する。またタイミング信号出力回路195は、スイッチ回路51を構成するTFTの動作電圧に制御信号をレベルシフトし、レベルシフト後の制御信号を出力端子TQSに出力する。 The output terminal TS is electrically connected to the input terminal TIS of the circuit device 100 via the board 16, the connector 13, and the flexible board 14. The control signal input to the input terminal TIS is input to the timing signal output circuit 195. Based on the control signal, the timing signal output circuit 195 outputs a signal for timing control of the demultiplexing operation to the waveform shaping circuits HSC1 to HSCn. Further, the timing signal output circuit 195 level-shifts the control signal to the operating voltage of the TFTs constituting the switch circuit 51, and outputs the control signal after the level shift to the output terminal TQS.

回路装置100の出力端子TQ11〜TQ1m、TQ21〜TQ2m、・・・、TQn1〜TQnm、TQSは、フレキシブル基板14を介して電気光学パネル15の入力端子TP11〜TP1m、TP21〜TP2m、・・・、TPn1〜TPnm、TPSに電気的に接続される。入力端子TP11〜TP1m、TP21〜TP2m、・・・、TPn1〜TPnmに入力された第1〜第nmデータ電圧信号、及び入力端子TPSに入力された制御信号は、スイッチ回路51に入力される。画素アレイ52は第1〜第kデータ線を有し、その第1〜第kデータ線はスイッチ回路51に電気的に接続される。kは2nm以上の整数である。第1〜第kデータ線は、その順に水平走査方向に並ぶものとする。以下、ある水平走査期間において選択されている走査線を選択走査線と呼ぶ。スイッチ回路51は、制御信号に基づいて入力端子TP11〜TP1m、TP21〜TP2m、・・・、TPn1〜TPnmと第1〜第nmデータ線を接続する。このとき、選択走査線及び第1〜第nmデータ線に接続された画素にデータ電圧信号が書き込まれる。次に、スイッチ回路51は、制御信号に基づいて入力端子TP11〜TP1m、TP21〜TP2m、・・・、TPn1〜TPnmと第nm+1〜第2nmデータ線を接続する。このとき、選択走査線及び第nm+1〜第2nmデータ線に接続された画素にデータ電圧信号が書き込まれる。これが第kデータ線まで繰り返されることで、1つの走査線の画素に階調電圧が書き込まれる。 The output terminals TQ11 to TQ1m, TQ21 to TQ2m, ..., TQn1 to TQnm, and TQS of the circuit device 100 are input terminals TP11 to TP1m, TP21 to TP2m, ..., Of the electro-optical panel 15 via the flexible substrate 14. TPn1 to TPnm, electrically connected to TPS. The first to nm data voltage signals input to the input terminals TP11 to TP1m, TP21 to TP2m, ..., TPn1 to TPnm, and the control signal input to the input terminal TPS are input to the switch circuit 51. The pixel array 52 has first to kth data lines, and the first to kth data lines are electrically connected to the switch circuit 51. k is an integer of 2 nm or more. The first to first k data lines shall be arranged in the horizontal scanning direction in that order. Hereinafter, the scanning line selected in a certain horizontal scanning period is referred to as a selective scanning line. The switch circuit 51 connects the input terminals TP11 to TP1m, TP21 to TP2m, ..., TPn1 to TPnm and the first to nmth data lines based on the control signal. At this time, the data voltage signal is written to the pixels connected to the selective scanning line and the first to nmth data lines. Next, the switch circuit 51 connects the input terminals TP11 to TP1m, TP21 to TP2m, ..., TPn1 to TPnm and the nm + 1 to 2 nm data lines based on the control signal. At this time, the data voltage signal is written to the pixels connected to the selective scanning line and the nm + 1 to 2 nm data lines. By repeating this up to the kth data line, the gradation voltage is written in the pixels of one scanning line.

図5は、相展開駆動方式における表示ドライバー12、回路装置100及び電気光学パネル15の動作を説明する図である。ここでは、n=2、m=3である場合を例に説明するが、n、mの数値はこれに限定されない。THは水平走査期間であり、水平走査期間THは期間P1、P2、・・・、Pxを含む。x=k/nmである。 FIG. 5 is a diagram illustrating the operation of the display driver 12, the circuit device 100, and the electro-optical panel 15 in the phase expansion drive system. Here, the case where n = 2 and m = 3 will be described as an example, but the numerical values of n and m are not limited to this. TH is the horizontal scanning period, and the horizontal scanning period TH includes periods P1, P2, ..., Px. x = k / nm.

期間P1において、アンプ回路AM1は階調電圧V1、V2、V3を順次に出力し、アンプ回路AM2は階調電圧V4、V5、V6を順次に出力する。波形成形回路HSC1は、順次に出力された階調電圧V1、V2、V3をデマルチプレクスし、出力端子TQ11に階調電圧V1を出力し、出力端子TQ12に階調電圧V2を出力し、出力端子TQ13に階調電圧V3を出力する。波形成形回路HSC2は、順次に出力された階調電圧V4、V5、V6をデマルチプレクスし、出力端子TQ21に階調電圧V4を出力し、出力端子TQ22に階調電圧V5を出力し、出力端子TQ23に階調電圧V6を出力する。 In the period P1, the amplifier circuit AM1 sequentially outputs the gradation voltages V1, V2, and V3, and the amplifier circuit AM2 sequentially outputs the gradation voltages V4, V5, and V6. The waveform shaping circuit HSC1 demultiplexes the gradation voltages V1, V2, and V3 that are sequentially output, outputs the gradation voltage V1 to the output terminal TQ11, outputs the gradation voltage V2 to the output terminal TQ12, and outputs the gradation voltage V2. The gradation voltage V3 is output to the terminal TQ13. The waveform shaping circuit HSC2 demultiplexes the sequentially output gradation voltages V4, V5, and V6, outputs the gradation voltage V4 to the output terminal TQ21, outputs the gradation voltage V5 to the output terminal TQ22, and outputs the gradation voltage V5. The gradation voltage V6 is output to the terminal TQ23.

階調電圧V3、V6が出力された後、期間P1が終了する前において、スイッチ回路51が入力端子TI11〜TI13、TI21〜TI23と第1〜第6データ線とを接続する。これにより、選択走査線と第1〜第6データ線に接続された画素に階調電圧V1〜V6が書き込まれる。期間P2においても同様な動作により選択走査線と第7〜第12データ線に接続された画素に階調電圧V9〜V12が書き込まれ、これと同様な動作が第kデータ線まで繰り返されることで、1つの走査線の画素に階調電圧が書き込まれる。 After the gradation voltages V3 and V6 are output and before the period P1 ends, the switch circuit 51 connects the input terminals TI11 to TI13, TI21 to TI23 and the first to sixth data lines. As a result, the gradation voltages V1 to V6 are written to the pixels connected to the selective scanning line and the first to sixth data lines. In the period P2, the gradation voltages V9 to V12 are written to the pixels connected to the selected scanning line and the 7th to 12th data lines by the same operation, and the same operation is repeated up to the kth data line. The gradation voltage is written in the pixels of one scanning line.

2.回路装置の第1詳細構成例
回路装置100の波形成形回路HSC1〜HSCnの詳細を説明する。以下、HSCiに関する構成のみを図示及び説明する。iは1以上n以下の任意の整数である。
2. First Detailed Configuration Example of Circuit Device The details of the waveform forming circuits HSC1 to HSCn of the circuit device 100 will be described. Hereinafter, only the configuration related to HSCi will be illustrated and described. i is an arbitrary integer of 1 or more and n or less.

図6は、回路装置100の第1詳細構成例である。回路装置100は、波形成形回路HSCiと記憶部180と入力端子TIiと出力端子TQi1〜TQimとを含む。波形成形回路HSCiは、歪み調整回路130と第1耐圧バッファー回路110と第1〜第mのアナログラッチ回路AL1〜ALmと第1〜第mの第2耐圧バッファー回路BF21〜BF2mと容量C3とを含む。 FIG. 6 is a first detailed configuration example of the circuit device 100. The circuit device 100 includes a waveform forming circuit HSCi, a storage unit 180, an input terminal TIi, and output terminals TQi1 to TQim. The waveform forming circuit HSSi includes a strain adjustment circuit 130, a first withstand voltage buffer circuit 110, first to first m analog latch circuits AL1 to ALm, first to first m second withstand voltage buffer circuits BF21 to BF2m, and a capacitance C3. include.

容量C3は、入力端子TIiに対する静電保護回路の容量である。容量C3の一端はデータ電圧信号入力ノードNAに接続され、他端はグランドノードNGに接続される。データ電圧信号入力ノードNAは入力端子TIiに接続される。容量C3は、静電保護回路に含まれるキャパシター、又は静電保護回路の寄生容量、又はそれらの両方を合わせたものである。 The capacitance C3 is the capacitance of the electrostatic protection circuit with respect to the input terminal TIi. One end of the capacitance C3 is connected to the data voltage signal input node NA, and the other end is connected to the ground node NG. The data voltage signal input node NA is connected to the input terminal TIi. The capacitance C3 is a capacitor included in the electrostatic protection circuit, a parasitic capacitance of the electrostatic protection circuit, or a combination thereof.

歪み調整回路130には、表示ドライバーからフレキシブル基板上の配線を介してデータ電圧信号DVSが入力され、そのデータ電圧信号DVSの波形歪みを調整して調整後信号TGSを出力する。歪み調整回路130は、電圧分割回路105と第1キャパシターC1と第2キャパシターC2とを含む。 A data voltage signal DVS is input from the display driver to the distortion adjustment circuit 130 via wiring on the flexible substrate, and the waveform distortion of the data voltage signal DVS is adjusted to output the adjusted signal TGS. The strain adjusting circuit 130 includes a voltage dividing circuit 105, a first capacitor C1 and a second capacitor C2.

電圧分割回路105は、データ電圧信号DVSが入力されるデータ電圧信号入力ノードNAと、グランドノードNGとの間に設けられる。具体的には、電圧分割回路105は第1抵抗R1と第2抵抗R2とを含む。第1抵抗R1はデータ電圧信号入力ノードNAと電圧分割ノードNBとの間に設けられる。即ち、第1抵抗R1の一端がデータ電圧信号入力ノードNAに接続され、他端が電圧分割ノードNBに接続される。第2抵抗R2は、電圧分割ノードNBとグランドノードNGとの間に設けられる。即ち、第2抵抗R2の一端が電圧分割ノードNBに接続され、他端がグランドノードNGに接続される。 The voltage dividing circuit 105 is provided between the data voltage signal input node NA to which the data voltage signal DVS is input and the ground node NG. Specifically, the voltage dividing circuit 105 includes a first resistor R1 and a second resistor R2. The first resistor R1 is provided between the data voltage signal input node NA and the voltage dividing node NB. That is, one end of the first resistor R1 is connected to the data voltage signal input node NA, and the other end is connected to the voltage division node NB. The second resistor R2 is provided between the voltage dividing node NB and the ground node NG. That is, one end of the second resistor R2 is connected to the voltage dividing node NB, and the other end is connected to the ground node NG.

第1キャパシターC1は、データ電圧信号入力ノードNAと電圧分割ノードNBとの間に設けられる。即ち、第1キャパシターC1の一端はデータ電圧信号入力ノードNAに接続され、他端は電圧分割ノードNBに接続される。第2キャパシターC2の容量値は可変であり、第2キャパシターC2は電圧分割ノードNBとグランドノードNGとの間に設けられる。即ち、第2キャパシターC2の一端は電圧分割ノードNBに接続され、他端はグランドノードNGに接続される。第2キャパシターC2は、例えば容量設定データに基づいて容量値が可変に制御される可変容量回路である。可変容量回路は、キャパシターアレイとスイッチアレイとを含む。スイッチアレイは、キャパシターアレイを構成する複数のキャパシターのうち、容量設定データが指示する1又は複数のキャパシターを選択する。これにより、選択された1又は複数のキャパシターが電圧分割ノードNBとグランドノードNGの間に並列に接続される。 The first capacitor C1 is provided between the data voltage signal input node NA and the voltage division node NB. That is, one end of the first capacitor C1 is connected to the data voltage signal input node NA, and the other end is connected to the voltage division node NB. The capacitance value of the second capacitor C2 is variable, and the second capacitor C2 is provided between the voltage dividing node NB and the ground node NG. That is, one end of the second capacitor C2 is connected to the voltage dividing node NB, and the other end is connected to the ground node NG. The second capacitor C2 is, for example, a variable capacitance circuit in which the capacitance value is variably controlled based on the capacitance setting data. The variable capacitance circuit includes a capacitor array and a switch array. The switch array selects one or a plurality of capacitors indicated by the capacitance setting data from the plurality of capacitors constituting the capacitor array. As a result, one or more selected capacitors are connected in parallel between the voltage dividing node NB and the ground node NG.

記憶部180は容量設定データを記憶し、その容量設定データを第2キャパシターC2に出力する。記憶部180はレジスター又はメモリーである。メモリーはRAM又は不揮発性メモリー等である。記憶部180は、表示コントローラー等の外部装置から不図示のインターフェース回路を介してアクセス可能に構成されてもよい。この場合、外部装置から記憶部180に容量設定データが書き込まれる。記憶部180は、波形成形回路HSC1〜HSCnの各々に設けられてもよい。或いは、記憶部180は、全ての波形成形回路HSC1〜HSCnに対して共通に設けられてもよい。この場合、容量設定データは、波形成形回路HSC1〜HSCnの各々に対して個別に設定可能であってもよい。 The storage unit 180 stores the capacity setting data and outputs the capacity setting data to the second capacitor C2. The storage unit 180 is a register or a memory. The memory is RAM, non-volatile memory, or the like. The storage unit 180 may be configured to be accessible from an external device such as a display controller via an interface circuit (not shown). In this case, the capacity setting data is written from the external device to the storage unit 180. The storage unit 180 may be provided in each of the waveform forming circuits HSC1 to HSCn. Alternatively, the storage unit 180 may be provided in common for all the waveform forming circuits HSC1 to HSCn. In this case, the capacitance setting data may be individually set for each of the waveform forming circuits HSC1 to HSCn.

電圧分割ノードNBは、第1耐圧バッファー回路110の入力ノードである第1入力ノードに接続される。即ち、歪み調整回路130は、電圧分割ノードNBの信号を調整後信号TGSとして第1耐圧バッファー回路110に出力する。この調整後信号TGSは、データ電圧信号DVSの波形歪みが調整された信号となっている。この点について以下に説明する。なお以下では、第1入力ノードにも符号NBを用いる。 The voltage division node NB is connected to the first input node, which is the input node of the first withstand voltage buffer circuit 110. That is, the distortion adjustment circuit 130 outputs the signal of the voltage division node NB to the first withstand voltage buffer circuit 110 as the adjusted signal TGS. The adjusted signal TGS is a signal in which the waveform distortion of the data voltage signal DVS is adjusted. This point will be described below. In the following, the code NB is also used for the first input node.

図6には、フレキシブル基板に寄生する寄生抵抗RP及び寄生容量CP1、CP2を示す。RP1及びCP1は、表示ドライバー12の出力端子TDiと回路装置100の入力端子TIiとの間に発生する寄生抵抗及び寄生容量である。CP2は、出力端子TDiとグランドとの間に発生する寄生容量である。 FIG. 6 shows the parasitic resistance RP parasitizing the flexible substrate and the parasitic capacitances CP1 and CP2. RP1 and CP1 are parasitic resistors and capacitances generated between the output terminal TDi of the display driver 12 and the input terminal TIi of the circuit device 100. CP2 is a parasitic capacitance generated between the output terminal TDi and the ground.

図7は、回路装置100における信号波形例である。ここでは一例として、アンプ回路AMiが矩形波のデータ電圧信号を出力する例を示す。矩形波のパルス幅は、多重化されたデータ電圧信号において1画素分の階調電圧が出力される期間に対応する。 FIG. 7 is an example of a signal waveform in the circuit device 100. Here, as an example, an example in which the amplifier circuit AMi outputs a rectangular wave data voltage signal is shown. The pulse width of the square wave corresponds to the period during which the gradation voltage for one pixel is output in the multiplexed data voltage signal.

図7の上段図に示すように、歪み調整回路130に入力されるデータ電圧信号DVSは、フレキシブル基板の寄生抵抗RP及び寄生容量CP1、CP2と、静電保護回路の容量C3と、によって歪む。図7には一例として矩形波の高周波成分が低減した場合の波形を示す。図7の下段図に示すように、歪み調整回路130が出力する調整後信号TGSは、データ電圧信号DVSよりも振幅が小さく、且つデータ電圧信号DVSよりも歪みが低減されている。 As shown in the upper part of FIG. 7, the data voltage signal DVS input to the strain adjustment circuit 130 is distorted by the parasitic resistance RP and the parasitic capacitances CP1 and CP2 of the flexible substrate and the capacitance C3 of the electrostatic protection circuit. FIG. 7 shows, as an example, a waveform when the high frequency component of the square wave is reduced. As shown in the lower part of FIG. 7, the adjusted signal TGS output by the distortion adjustment circuit 130 has a smaller amplitude than the data voltage signal DVS and has less distortion than the data voltage signal DVS.

具体的には、電圧分割回路105の分圧比によって調整後信号TGSの振幅が決まる。また、電圧分割回路105の分圧比と、第1キャパシターC1及び第2キャパシターC2の容量比とによって、歪み調整回路130の周波数特性が決まり、その周波数特性によってデータ電圧信号DVSの波形歪みが調整される。分圧比と容量比とが同じになるように第2キャパシターC2の容量値が設定されることで、歪みが補正された調整後信号TGSが得られる。 Specifically, the amplitude of the adjusted signal TGS is determined by the voltage division ratio of the voltage dividing circuit 105. Further, the frequency characteristic of the distortion adjustment circuit 130 is determined by the voltage division ratio of the voltage dividing circuit 105 and the capacitance ratio of the first capacitor C1 and the second capacitor C2, and the waveform distortion of the data voltage signal DVS is adjusted by the frequency characteristic. NS. By setting the capacitance value of the second capacitor C2 so that the voltage division ratio and the capacitance ratio are the same, a distortion-corrected adjusted signal TGS can be obtained.

より具体的には、フレキシブル基板等の寄生抵抗及び寄生容量を含めた分圧比と容量比とが同じになるように第2キャパシターC2の容量値が設定されることで、歪みが補正された調整後信号TGSが得られる。ここで、RP、R1、R2の抵抗値をrp、r1、r2とし、CP1、C1、C2の容量値をcp1、c1、c2とする。寄生抵抗及び寄生容量を含めた分圧比はrp+r1:r2であり、容量比はcp1+c1:c2である。これらの比が同じになるように、第2キャパシターC2の容量値が設定される。rp、cp1は未知なので、例えば実際に波形を測定した結果、又は回路シミュレーション結果に基づいて、第2キャパシターC2の容量値を決めてもよい。或いは、回路装置100に不図示のモニター回路を内蔵し、モニター回路が第1出力信号QS1と基準信号とを比較し、その比較結果に基づいて第2キャパシターC2の容量値が自動的に設定されてもよい。なお、上記の分圧比と容量比は厳密に同一である必要はない。即ち、データ電圧信号DVSの歪みが適切に調整されていれば、分圧比と容量比が異なっていてもよい。 More specifically, the distortion is corrected by setting the capacitance value of the second capacitor C2 so that the partial voltage ratio including the parasitic resistance and the parasitic capacitance of the flexible substrate and the capacitance ratio are the same. The back signal TGS is obtained. Here, the resistance values of RP, R1 and R2 are rp, r1 and r2, and the capacitance values of CP1, C1 and C2 are cp1, c1 and c2. The voltage division ratio including the parasitic resistance and the parasitic capacitance is rp + r1: r2, and the capacitance ratio is cp1 + c1: c2. The capacitance value of the second capacitor C2 is set so that these ratios are the same. Since rp and cp1 are unknown, the capacitance value of the second capacitor C2 may be determined based on, for example, the result of actually measuring the waveform or the result of circuit simulation. Alternatively, a monitor circuit (not shown) is built in the circuit device 100, the monitor circuit compares the first output signal QS1 with the reference signal, and the capacitance value of the second capacitor C2 is automatically set based on the comparison result. You may. The voltage division ratio and the volume ratio do not have to be exactly the same. That is, the voltage division ratio and the capacitance ratio may be different as long as the distortion of the data voltage signal DVS is adjusted appropriately.

本実施形態によれば、歪み調整回路130を設けたことで、フレキシブル基板等により伝送されることで波形歪みが生じたデータ電圧信号DVSの歪みを調整できる。これにより、回路装置100を設けない場合にはフレキシブル基板で伝送できないような高速なデータ電圧信号を、回路装置100を設けたことで伝送可能になり、電気光学パネル15の高画素化に対応できるようになる。 According to the present embodiment, by providing the distortion adjustment circuit 130, it is possible to adjust the distortion of the data voltage signal DVS in which waveform distortion occurs due to transmission by a flexible substrate or the like. As a result, a high-speed data voltage signal that cannot be transmitted on a flexible substrate without the circuit device 100 can be transmitted by providing the circuit device 100, and it is possible to cope with an increase in the number of pixels of the electro-optical panel 15. Will be.

また本実施形態によれば、電圧分割回路105を設けたことで、分圧比rp+r1:r2と容量比cp1+c1:c2を同じにすることが可能となっている。定性的には、アンプ回路AMiの出力ノードから歪み調整回路130の電圧分割ノードNBまでの経路において、分圧比rp+r1:r2により低周波数帯域のゲインが決まり、容量比cp1+c1:c2により高周波数帯域のゲインが決まる。分圧比と容量値が同じとき、低周波数帯域のゲインと高周波数帯域のゲインが同じになり、上記経路における周波数特性がフラットに近くなる。これにより、歪みの少ない調整後信号TGSが得られる。なお、第2キャパシターC2の容量値を大きくすると、相対的に調整後信号TGSの高周波成分が低下し、第2キャパシターC2の容量値を小さくすると、相対的に調整後信号TGSの高周波成分が増加する。 Further, according to the present embodiment, by providing the voltage dividing circuit 105, it is possible to make the coefficient of determination ratio rp + r1: r2 and the capacitance ratio cp1 + c1: c2 the same. Qualitatively, in the path from the output node of the amplifier circuit AMi to the voltage division node NB of the strain adjustment circuit 130, the gain in the low frequency band is determined by the voltage division ratio rp + r1: r2, and the gain in the high frequency band is determined by the capacitance ratio cp1 + c1: c2. The gain is determined. When the voltage division ratio and the capacitance value are the same, the gain in the low frequency band and the gain in the high frequency band are the same, and the frequency characteristics in the above path are close to flat. As a result, the adjusted signal TGS with less distortion can be obtained. When the capacitance value of the second capacitor C2 is increased, the high frequency component of the adjusted signal TGS is relatively decreased, and when the capacitance value of the second capacitor C2 is decreased, the high frequency component of the adjusted signal TGS is relatively increased. do.

本実施形態では、歪み調整回路130の入力インピーダンスは第2耐圧バッファー回路BF2jからの第2出力信号QS2jが入力される電気光学パネル15の入力端子TPjの入力インピーダンスよりも低い。jは1以上m以下の整数である。歪み調整回路130の入力インピーダンスは、入力端子TIiから見た歪み調整回路130の入力インピーダンスである。このようにすれば、回路装置100を設けない場合において電気光学パネル15に入力されるデータ電圧信号の波形歪みよりも、回路装置100を設けた場合において電気光学パネル15に入力されるデータ電圧信号の波形歪みの方が、小さくなる。本実施形態では、このデータ電圧信号が更に歪み調整回路130により歪み調整されるので、高速なデータ電圧信号の伝送が可能となっている。 In the present embodiment, the input impedance of the strain adjustment circuit 130 is lower than the input impedance of the input terminal TPj of the electro-optical panel 15 to which the second output signal QS2j from the second withstand voltage buffer circuit BF2j is input. j is an integer of 1 or more and m or less. The input impedance of the strain adjustment circuit 130 is the input impedance of the strain adjustment circuit 130 as seen from the input terminal TIi. In this way, the data voltage signal input to the electro-optical panel 15 when the circuit device 100 is provided is more than the waveform distortion of the data voltage signal input to the electro-optical panel 15 when the circuit device 100 is not provided. The waveform distortion of is smaller. In the present embodiment, since the data voltage signal is further strain-adjusted by the strain adjusting circuit 130, high-speed data voltage signal transmission is possible.

次に図6の第1耐圧バッファー回路110について説明する。また、第jのアナログラッチ回路ALj、第jの第2耐圧バッファー回路BF2jを例にとり、第1〜第mのアナログラッチ回路AL1〜ALm、第1〜第mの第2耐圧バッファー回路BF21〜BF2mについて説明する。 Next, the first withstand voltage buffer circuit 110 of FIG. 6 will be described. Taking the jth analog latch circuit ALj and the j second withstand voltage buffer circuit BF2j as examples, the first to mth analog latch circuits AL1 to ALm and the first to m second withstand voltage buffer circuits BF21 to BF2m Will be described.

歪み調整回路130には、第1〜第mの階調電圧が多重化されたデータ電圧信号DVSが、入力端子TIiを介して入力される。例えばi=1、m=3としたとき、図5のV1〜V3等が第1〜第mの階調電圧に相当する。歪み調整回路130が出力する調整後信号TGSは、第1〜第mの階調電圧に対応してm個の電圧が多重化された信号となっている。 A data voltage signal DVS in which the first to mth gradation voltages are multiplexed is input to the distortion adjustment circuit 130 via the input terminal TIi. For example, when i = 1 and m = 3, V1 to V3 and the like in FIG. 5 correspond to the first to mth gradation voltages. The adjusted signal TGS output by the distortion adjustment circuit 130 is a signal in which m voltages are multiplexed corresponding to the first to mth gradation voltages.

第1耐圧バッファー回路110は、第1耐圧のトランジスターで構成され、調整後信号TGSをバッファリングして第1出力信号QS1を出力する。 The first withstand voltage buffer circuit 110 is composed of a transistor with a first withstand voltage, buffers the adjusted signal TGS, and outputs the first output signal QS1.

図8は、第1耐圧バッファー回路110の詳細構成例である。第1耐圧バッファー回路110は、第1耐圧のトランジスターで構成された演算増幅器ABF1を含む。第1耐圧バッファー回路110は、演算増幅器ABF1により構成されたボルテージフォロア回路である。即ち、演算増幅器ABF1の非反転入力ノードは第1入力ノードNBに接続される。演算増幅器ABF1の反転入力ノードは演算増幅器ABF1の出力ノードに接続される。演算増幅器ABF1の出力ノードは第1耐圧バッファー回路110の出力ノードであり、これを第1出力ノードNCとする。第1出力ノードNCは、第jのアナログラッチ回路ALjの入力ノードに接続される。 FIG. 8 is a detailed configuration example of the first withstand voltage buffer circuit 110. The first withstand voltage buffer circuit 110 includes an operational amplifier ABF1 composed of a first withstand voltage transistor. The first withstand voltage buffer circuit 110 is a voltage follower circuit configured by the operational amplifier ABF1. That is, the non-inverting input node of the operational amplifier ABF1 is connected to the first input node NB. The inverting input node of the operational amplifier ABF1 is connected to the output node of the operational amplifier ABF1. The output node of the operational amplifier ABF1 is the output node of the first withstand voltage buffer circuit 110, and this is referred to as the first output node NC. The first output node NC is connected to the input node of the jth analog latch circuit ALj.

第jのアナログラッチ回路ALjには第1出力信号QS1が入力される。第1出力信号QS1は、第1〜第mの階調電圧に対応してm個の電圧が多重化された信号となっている。第jのアナログラッチ回路ALjは、第1出力信号QS1において第jの階調電圧に対応した電圧をラッチ信号ENIjに基づいてラッチし、そのラッチした電圧を出力信号ALQjとして出力ノードNEjに出力する。ラッチ信号ENIjは、タイミング信号出力回路195からアナログラッチ回路ALjに入力される。 The first output signal QS1 is input to the jth analog latch circuit ALj. The first output signal QS1 is a signal in which m voltages are multiplexed corresponding to the first to mth gradation voltages. The j-th analog latch circuit ALj latches the voltage corresponding to the j-th gradation voltage in the first output signal QS1 based on the latch signal ENIj, and outputs the latched voltage to the output node NEj as the output signal ALQj. .. The latch signal ENIj is input from the timing signal output circuit 195 to the analog latch circuit ALj.

図9は、第jのアナログラッチ回路ALjの詳細構成例である。第jのアナログラッチ回路ALjは、スイッチSWAとキャパシターCAとを含む。スイッチSWAはトランジスターであり、ラッチ信号ENIjによりオン又はオフに制御される。スイッチSWAの一端は第1出力ノードNCに接続され、他端は出力ノードNEjに接続される。キャパシターCAの一端は出力ノードNEjに接続され、他端はグランドノードに接続される。スイッチSWAがオンのとき、第1出力信号QS1が出力信号ALQjとして出力される。スイッチSWAがオンからオフになったとき、キャパシターCAに保持される電圧が確定して出力信号ALQjとして出力される。出力ノードNEjは、第jの第2耐圧バッファー回路BF2jの入力ノードである第2入力ノードに接続される。以下、第2入力ノードにも符号NEjを用いる。 FIG. 9 is a detailed configuration example of the j-th analog latch circuit ALj. The j-th analog latch circuit ALj includes a switch SWA and a capacitor CA. The switch SWA is a transistor and is controlled on or off by the latch signal ENIj. One end of the switch SWA is connected to the first output node NC, and the other end is connected to the output node NEj. One end of the capacitor CA is connected to the output node NEj, and the other end is connected to the ground node. When the switch SWA is on, the first output signal QS1 is output as the output signal ALQj. When the switch SWA is turned from on to off, the voltage held in the capacitor CA is fixed and output as an output signal ALQj. The output node NEj is connected to a second input node which is an input node of the second withstand voltage buffer circuit BF2j of the jth. Hereinafter, the reference numeral NEj is also used for the second input node.

第jの第2耐圧バッファー回路BF2jは、第1耐圧より高い第2耐圧のトランジスターで構成され、第jのアナログラッチ回路ALjの出力信号ALQjを増幅して第2出力信号QS2jを電気光学パネル15に出力する。出力信号ALQjの振幅は第1出力信号QS1の振幅と同じであり、図7で説明したようにデータ電圧信号DVSの振幅より小さい。第2耐圧バッファー回路BF2jは、1より大きいゲインを有し、出力信号ALQjの振幅を増加させて第2出力信号QS2jとして出力する。例えば、第2耐圧バッファー回路BF2jは、第2出力信号QS2jの振幅がデータ電圧信号DVSの振幅と同程度となるようなゲインを有する。第2耐圧バッファー回路BF2jのゲインは、電圧分割回路105の分圧比の逆数程度である。 The second withstand voltage buffer circuit BF2j of the second j is composed of a transistor with a second withstand voltage higher than the first withstand voltage, amplifies the output signal ALQj of the analog latch circuit ALj of the jth, and outputs the second output signal QS2j to the electro-optical panel 15 Output to. The amplitude of the output signal ALQj is the same as the amplitude of the first output signal QS1 and is smaller than the amplitude of the data voltage signal DVS as described with reference to FIG. The second withstand voltage buffer circuit BF2j has a gain larger than 1, and increases the amplitude of the output signal ALQj to output as the second output signal QS2j. For example, the second withstand voltage buffer circuit BF2j has a gain such that the amplitude of the second output signal QS2j is about the same as the amplitude of the data voltage signal DVS. The gain of the second withstand voltage buffer circuit BF2j is about the reciprocal of the voltage division ratio of the voltage dividing circuit 105.

図10は、第jの第2耐圧バッファー回路BF2jの詳細構成例である。第jの第2耐圧バッファー回路BF2jは、第2耐圧のトランジスターで構成された演算増幅器ABF2と、抵抗RBF1、RBF2とを含む。第jの第2耐圧バッファー回路BF2jは、正転アンプ回路である。即ち、演算増幅器ABF2の非反転入力ノードは第2入力ノードNEjに接続される。演算増幅器ABF2の出力ノードは抵抗RBF1の一端に接続され、演算増幅器ABF2の反転入力ノードは抵抗RBF1の他端及び抵抗RBF2の一端に接続される。抵抗RBF2の他端はグランドノードNGに接続される。演算増幅器ABF2の出力ノードは第2耐圧バッファー回路120の出力ノードであり、これを第2出力ノードNDjとする。第2出力ノードNDjは、出力端子TQijに接続される。 FIG. 10 is a detailed configuration example of the second withstand voltage buffer circuit BF2j of the jth. The second withstand voltage buffer circuit BF2j j includes an operational amplifier ABF2 composed of a second withstand voltage transistor, resistors RBF1 and RBF2. The second withstand voltage buffer circuit BF2j of the jth is a forward rotation amplifier circuit. That is, the non-inverting input node of the operational amplifier ABF2 is connected to the second input node NEj. The output node of the operational amplifier ABF2 is connected to one end of the resistor RBF1, and the inverting input node of the operational amplifier ABF2 is connected to the other end of the resistor RBF1 and one end of the resistor RBF2. The other end of the resistor RBF2 is connected to the ground node NG. The output node of the operational amplifier ABF2 is the output node of the second withstand voltage buffer circuit 120, and this is referred to as the second output node NDj. The second output node NDj is connected to the output terminal TQij.

トランジスターの耐圧は、トランジスターの端子に印加可能な最大定格電圧であり、例えば半導体プロセスによって規定される。トランジスターの耐圧は、ゲート酸化膜の厚さ、不純物領域の不純物濃度、及び電界緩和構造によって決まっている。即ち、第1耐圧のトランジスターと第2耐圧のトランジスターは、ゲート酸化膜の厚さ、不純物領域の不純物濃度、及び電界緩和構造のうち少なくとも1つが異なっている。例えば高耐圧と低耐圧の2種類のトランジスターを有するプロセスが用いられた場合、第1耐圧は低耐圧に対応し、第2耐圧は高耐圧に対応する。或いは、高耐圧と中耐圧と低耐圧の3種類のトランジスターを有するプロセスが用いられた場合、第1耐圧は低耐圧に対応し、第2耐圧は中耐圧又は高耐圧に対応する。又は、第1耐圧は中耐圧に対応し、第2耐圧は高耐圧に対応する。 The withstand voltage of a transistor is the maximum rated voltage that can be applied to the terminals of the transistor, and is defined by, for example, a semiconductor process. The withstand voltage of the transistor is determined by the thickness of the gate oxide film, the impurity concentration in the impurity region, and the electric field relaxation structure. That is, the transistor having the first withstand voltage and the transistor having the second withstand voltage differ in at least one of the thickness of the gate oxide film, the concentration of impurities in the impurity region, and the electric field relaxation structure. For example, when a process having two types of transistors, high withstand voltage and low withstand voltage, is used, the first withstand voltage corresponds to low withstand voltage and the second withstand voltage corresponds to high withstand voltage. Alternatively, when a process having three types of transistors, high withstand voltage, medium withstand voltage, and low withstand voltage, is used, the first withstand voltage corresponds to low withstand voltage and the second withstand voltage corresponds to medium withstand voltage or high withstand voltage. Alternatively, the first withstand voltage corresponds to a medium withstand voltage, and the second withstand voltage corresponds to a high withstand voltage.

本実施形態によれば、歪み調整回路130が電圧分割を行うことで、第1耐圧バッファー回路110を、第2耐圧より低い第1耐圧のトランジスターで構成可能となっている。第2耐圧としては、電気光学パネル15を駆動するために必要な耐圧が必要である。この第2耐圧より低い第1耐圧のトランジスターで第1耐圧バッファー回路110が構成されることで、第1耐圧バッファー回路110の小規模化、高速化、低消費電力化が可能となっている。 According to this embodiment, the strain adjusting circuit 130 divides the voltage, so that the first withstand voltage buffer circuit 110 can be configured by a transistor having a first withstand voltage lower than the second withstand voltage. As the second withstand voltage, the withstand voltage required to drive the electro-optical panel 15 is required. By forming the first withstand voltage buffer circuit 110 with transistors having a first withstand voltage lower than the second withstand voltage, the first withstand voltage buffer circuit 110 can be made smaller, faster, and consume less power.

図11は、第1詳細構成例における回路装置100の動作を説明する波形図である。図11は、m=3である場合の例である。第1耐圧バッファー回路110は、第1出力信号QS1として複数の電圧VA1〜VA3を順次に出力する。これは、表示ドライバー12がデータ電圧信号DVSとして複数の階調電圧を順次に出力することに対応している。 FIG. 11 is a waveform diagram illustrating the operation of the circuit device 100 in the first detailed configuration example. FIG. 11 is an example in the case where m = 3. The first withstand voltage buffer circuit 110 sequentially outputs a plurality of voltages VA1 to VA3 as the first output signal QS1. This corresponds to the display driver 12 sequentially outputting a plurality of gradation voltages as a data voltage signal DVS.

図11に示すように、多重化されたデータ電圧信号DVSに同期してラッチ信号ENI1〜ENI3が順次にハイレベルとなる。具体的には、QS1=VA1のときラッチ信号ENI1がハイレベルとなり、ラッチ信号ENI1がハイレベルからローレベルとなったとき、アナログラッチ回路AL1が出力信号ALQ1=VA1を保持する。同様に、QS1=VA2、VA3のときラッチ信号ENI2、ENI3がハイレベルとなり、ラッチ信号ENI2、ENI3がハイレベルからローレベルとなったとき、アナログラッチ回路AL2、AL3が出力信号ALQ2=VA2、ALQ3=VA3を保持する。 As shown in FIG. 11, the latch signals ENI1 to ENI3 are sequentially set to high levels in synchronization with the multiplexed data voltage signal DVS. Specifically, when the latch signal ENI1 becomes a high level when QS1 = VA1, and the latch signal ENI1 changes from a high level to a low level, the analog latch circuit AL1 holds the output signal ALQ1 = VA1. Similarly, when QS1 = VA2 and VA3, the latch signals ENI2 and ENI3 become high level, and when the latch signals ENI2 and ENI3 change from high level to low level, the analog latch circuits AL2 and AL3 output signals ALQ2 = VA2 and ALQ3. = Holds VA3.

第2耐圧バッファー回路BF21は、アナログラッチ回路AL1の出力信号ALQ1を増幅して出力信号QS21を出力する。同様に、第2耐圧バッファー回路BF22、BF23は、アナログラッチ回路AL2、AL3の出力信号ALQ2、ALQ3を増幅して出力信号QS21を出力する。 The second withstand voltage buffer circuit BF21 amplifies the output signal ALQ1 of the analog latch circuit AL1 and outputs the output signal QS21. Similarly, the second withstand voltage buffer circuits BF22 and BF23 amplify the output signals ALQ2 and ALQ3 of the analog latch circuits AL2 and AL3 and output the output signal QS21.

本実施形態によれば、表示ドライバー12が複数の階調電圧を多重化してデータ電圧信号DVSとして出力し、その多重化された電圧をアナログラッチ回路AL1〜ALmがデマルチプレクスできる。これにより、表示ドライバー12の出力数を低減しつつ、電気光学パネル15の高画素化又は高フレームレート化に対応できる。即ち、表示ドライバー12の出力数は、電気光学パネル15の入力数に対して1/mで良くなるが、表示ドライバー12から回路装置100へのデータ電圧信号の転送レートはm倍となる。上述したように、本実施形態では歪み調整回路130によって波形歪みを調整できるため、転送レートがm倍となっても高精度且つ高速にデータ電圧信号を伝送できる。 According to this embodiment, the display driver 12 multiplexes a plurality of gradation voltages and outputs the data voltage signal DVS, and the analog latch circuits AL1 to ALm can demultiplex the multiplexed voltage. As a result, it is possible to increase the number of pixels or the frame rate of the electro-optical panel 15 while reducing the number of outputs of the display driver 12. That is, the number of outputs of the display driver 12 may be 1 / m with respect to the number of inputs of the electro-optical panel 15, but the transfer rate of the data voltage signal from the display driver 12 to the circuit device 100 is m times. As described above, in the present embodiment, since the waveform distortion can be adjusted by the distortion adjusting circuit 130, the data voltage signal can be transmitted with high accuracy and high speed even if the transfer rate is increased by m times.

3.回路装置の第2詳細構成例
図12は、回路装置100の第2詳細構成例である。図12では、波形成形回路HSCiは、第1〜第mの電圧シフト回路VSH1〜VSHmを更に含む。なお、既に説明した構成要素には同一の符号を付し、その構成要素についての説明を適宜に省略する。図12には波形成形回路HSCiに関する構成のみ図示するが、波形成形回路HSC1〜HSCnは同様な構成である。
3. 3. Second Detailed Configuration Example of Circuit Device FIG. 12 is a second detailed configuration example of the circuit device 100. In FIG. 12, the waveform shaping circuit HSSi further includes first to mth voltage shift circuits VSH1 to VSHm. The components already described are designated by the same reference numerals, and the description of the components will be omitted as appropriate. Although only the configuration related to the waveform forming circuit HSCi is shown in FIG. 12, the waveform forming circuits HSC1 to HSCn have the same configuration.

第jの電圧シフト回路VSHjを例に説明する。第jの電圧シフト回路VSHjは、極性信号POLに基づいて第jの第2耐圧バッファー回路BF2jの入力信号を電圧シフトする。図12では、第jの第2耐圧バッファー回路BF2jの入力信号は、アナログラッチ回路ALjの出力信号ALQjである。極性信号POLはタイミング信号出力回路195から第jの電圧シフト回路VSHjに入力される。 The second voltage shift circuit VSHj will be described as an example. The j-th voltage shift circuit VSHj voltage-shifts the input signal of the second withstand voltage buffer circuit BF2j of the jth based on the polarity signal POL. In FIG. 12, the input signal of the second withstand voltage buffer circuit BF2j of the jth is the output signal ALQj of the analog latch circuit ALj. The polarity signal POL is input from the timing signal output circuit 195 to the j-th voltage shift circuit VSHj.

第jの電圧シフト回路VSHjは、キャパシターCSjとバッファー回路BFSjとを含む。キャパシターCSjの一端は、第2入力ノードNEjに接続され、他端はバッファー回路BFSjの出力ノードに接続される。バッファー回路BFSjの入力ノードに極性信号POLが入力される。バッファー回路BFSjは極性信号POLをバッファリングしてキャパシターCSjの他端に出力する。極性信号POLの信号レベルが変化したとき、キャパシターCSjのカップリングにより第2入力ノードNEjの電圧が変化する。この変換によって、パネル駆動の極性を制御する。 The j-th voltage shift circuit VSHj includes a capacitor CSj and a buffer circuit BFSj. One end of the capacitor CSj is connected to the second input node NEj, and the other end is connected to the output node of the buffer circuit BFSj. The polarity signal POL is input to the input node of the buffer circuit BFSj. The buffer circuit BFSj buffers the polarity signal POL and outputs it to the other end of the capacitor CSj. When the signal level of the polar signal POL changes, the voltage of the second input node NEj changes due to the coupling of the capacitor CSj. This conversion controls the polarity of the panel drive.

例えば、電気光学パネル15の画素を駆動する負極性電圧が0〜5Vであり、正極性電圧が5〜10Vであり、第jの第2耐圧バッファー回路BF2jのゲインが2であるとする。表示ドライバー12は、正極性駆動の期間においても負極性電圧0〜5Vの範囲でデータ電圧信号を出力する。この場合、極性信号POLをローレベルからハイレベルにすることで、第2入力ノードNEjの電圧が2.5VだけシフトするようにキャパシターCSjの容量を設定しておく。そうすると、第2入力ノードNEjの電圧が0〜2.5Vの範囲から2.5V〜5Vの範囲にシフトされ、第jの第2耐圧バッファー回路BF2jで2倍されることで、正極性電圧5V〜10Vとなる。 For example, it is assumed that the negative electrode voltage for driving the pixels of the electro-optical panel 15 is 0 to 5 V, the positive electrode voltage is 5 to 10 V, and the gain of the second withstand voltage buffer circuit BF2j of the jth is 2. The display driver 12 outputs a data voltage signal in the negative electrode voltage range of 0 to 5 V even during the positive electrode drive period. In this case, the capacitance of the capacitor CSj is set so that the voltage of the second input node NEj shifts by 2.5V by changing the polarity signal POL from the low level to the high level. Then, the voltage of the second input node NEj is shifted from the range of 0 to 2.5V to the range of 2.5V to 5V, and is doubled by the second withstand voltage buffer circuit BF2j of the j, so that the positive electrode voltage is 5V. It becomes 10V.

図13は、第2詳細構成例における回路装置100の動作を説明する波形図である。ラッチ信号ENI1〜ENI3によってアナログラッチ回路AL1〜AL3が電圧VA1〜VA3をラッチするまでの動作は、図11と同様である。図13では、ラッチ信号ENI3がハイレベルからローレベルになった後、ラッチ信号ENI1がローレベルからハイレベルになる前において、極性信号POLがハイレベルとなる。これにより、第2耐圧バッファー回路BF21〜BF23に入力されるAL1〜AL3の電圧が正方向にシフトする。これにより、負極性電圧が正極性電圧にシフトされる。電気光学パネル15の画素には、極性信号POLがハイレベルとなっているときに書き込みが行われる。 FIG. 13 is a waveform diagram illustrating the operation of the circuit device 100 in the second detailed configuration example. The operation until the analog latch circuits AL1 to AL3 latch the voltages VA1 to VA3 by the latch signals ENI1 to ENI3 is the same as in FIG. In FIG. 13, the polarity signal POL becomes high level after the latch signal ENI3 changes from high level to low level and before the latch signal ENI1 changes from low level to high level. As a result, the voltages of AL1 to AL3 input to the second withstand voltage buffer circuits BF21 to BF23 are shifted in the positive direction. As a result, the negative electrode voltage is shifted to the positive electrode voltage. Writing is performed on the pixels of the electro-optical panel 15 when the polarity signal POL is at a high level.

なお、図13には正極性駆動を行う場合を図示したが、負極性駆動のときには、ラッチ信号ENI3がハイレベルからローレベルになった後、ラッチ信号ENI1がローレベルからハイレベルになる前において、極性信号POLはローレベルに維持される。 Although the case of performing positive electrode drive is shown in FIG. 13, in the case of negative electrode drive, after the latch signal ENI3 changes from high level to low level and before the latch signal ENI1 changes from low level to high level. , The polarity signal POL is maintained at a low level.

本実施形態によれば、第1〜第mの電圧シフト回路VSH1〜VSHmを設けたことで、表示ドライバー12及び第1耐圧バッファー回路110を構成するトランジスターの耐圧を下げることが可能となる。即ち、表示ドライバー12は負極性電圧のみを出力すればよく、正極性電圧を出力する必要がなくなるので、従来よりも低い耐圧のトランジスターで回路を構成できる。また第1耐圧バッファー回路110には、電圧分割回路131により負極性電圧が分圧された電圧が入力されるので、電圧シフト回路を設けない場合に比べて、入力される電圧が低くなる。これにより、電圧シフト回路を設けない場合に比べて、低い耐圧のトランジスターで第1耐圧バッファー回路110を構成できる。より低い耐圧のトランジスターを用いることで、回路の小規模化、回路の低消費電力化、又は回路の高速動作が可能となる。 According to the present embodiment, by providing the first to mth voltage shift circuits VSH1 to VSHm, it is possible to reduce the withstand voltage of the transistors constituting the display driver 12 and the first withstand voltage buffer circuit 110. That is, since the display driver 12 only needs to output the negative electrode voltage and does not need to output the positive electrode voltage, the circuit can be configured with a transistor having a withstand voltage lower than that of the conventional one. Further, since the voltage obtained by dividing the negative electrode voltage by the voltage dividing circuit 131 is input to the first withstand voltage buffer circuit 110, the input voltage is lower than that in the case where the voltage shift circuit is not provided. As a result, the first withstand voltage buffer circuit 110 can be configured with transistors having a lower withstand voltage as compared with the case where the voltage shift circuit is not provided. By using a transistor with a lower withstand voltage, it is possible to reduce the size of the circuit, reduce the power consumption of the circuit, or operate the circuit at high speed.

4.回路装置の第3詳細構成例
以上では1つのアナログラッチ回路に1つの第2耐圧バッファー回路が設けられる例を説明したが、複数のアナログラッチ回路に1つの第2耐圧バッファー回路が設けられてもよい。以下、複数のアナログラッチ回路に1つの第2耐圧バッファー回路が設けられる構成について説明する。このような構成は、電気光学パネルがデマルチプレクス駆動方式である場合に適用可能である。
4. Third Detailed Configuration Example of Circuit Device In the above, an example in which one second withstand voltage buffer circuit is provided in one analog latch circuit has been described, but even if one second withstand voltage buffer circuit is provided in a plurality of analog latch circuits. good. Hereinafter, a configuration in which one second withstand voltage buffer circuit is provided in a plurality of analog latch circuits will be described. Such a configuration is applicable when the electro-optical panel is of the demultiplex drive system.

図14は、デマルチプレクス駆動方式における図4の表示ドライバー12、回路装置100及び電気光学パネル15の動作を説明する図である。ここでは、n=3、m=2であり、デマルチ数が2である場合を例に説明するが、n、mの数値とデマルチ数はこれに限定されない。THは表示ドライバー12がデータ電圧信号を出力する際の水平走査期間に相当し、TH’は電気光学パネル15が駆動される際の水平走査期間に相当する。 FIG. 14 is a diagram illustrating the operation of the display driver 12, the circuit device 100, and the electro-optic panel 15 of FIG. 4 in the demultiplex drive system. Here, the case where n = 3 and m = 2 and the number of demultis is 2 will be described as an example, but the numerical values of n and m and the number of demultis are not limited to this. TH corresponds to the horizontal scanning period when the display driver 12 outputs a data voltage signal, and TH'corresponds to the horizontal scanning period when the electro-optical panel 15 is driven.

水平走査期間THにおいて、表示ドライバー12のアンプ回路AM1は、階調電圧V1’、V3’、V2’、V4’を順次に出力する。波形成形回路HSC1は、階調電圧V1、V3に対応した電圧をラッチし、出力端子TQ11、TQ12から出力し、次に階調電圧V2、V4に対応した電圧をラッチし、出力端子TQ11、TQ12から出力する。これにより、水平走査期間TH’において出力端子TQ11からV1’、V2’が順次に出力され、出力端子TQ12からV3’、V4’が順次に出力される。 In the horizontal scanning period TH, the amplifier circuit AM1 of the display driver 12 sequentially outputs the gradation voltages V1', V3', V2', and V4'. The waveform forming circuit HSC1 latches the voltage corresponding to the gradation voltage V1 and V3, outputs the voltage from the output terminals TQ11 and TQ12, and then latches the voltage corresponding to the gradation voltage V2 and V4, and outputs the output terminals TQ11 and TQ12. Output from. As a result, V1'and V2' are sequentially output from the output terminals TQ11 and V3'and V4' are sequentially output from the output terminals TQ12 during the horizontal scanning period TH'.

同様に、水平走査期間THにおいて、表示ドライバー12のアンプ回路AM2は、階調電圧V5’、V7’、V6’、V8’を順次に出力し、表示ドライバー12のアンプ回路AM3は、階調電圧V9’、V11’、V10’、V12’を順次に出力する。水平走査期間TH’において、出力端子TQ21からV5’、V6’が順次に出力され、出力端子TQ22からV7’、V8’が順次に出力され、出力端子TQ31からV9’、V10’が順次に出力され、出力端子TQ32からV11’、V12’が順次に出力される。 Similarly, during the horizontal scanning period TH, the amplifier circuit AM2 of the display driver 12 sequentially outputs the gradation voltages V5', V7', V6', and V8', and the amplifier circuit AM3 of the display driver 12 has the gradation voltage. V9', V11', V10', and V12' are output in sequence. In the horizontal scanning period TH', output terminals TQ21 to V5' and V6' are sequentially output, output terminals TQ22 to V7'and V8' are sequentially output, and output terminals TQ31 to V9'and V10' are sequentially output. Then, V11'and V12' are sequentially output from the output terminal TQ32.

電気光学パネル15のスイッチ回路51は、水平走査期間TH’において、入力端子TP11に第1データ線、第2データ線を順次に接続する。これにより、選択走査線と第1データ線に接続された画素に階調電圧V1’が書き込まれ、選択走査線と第2データ線に接続された画素に階調電圧V2’が書き込まれる。同様に、スイッチ回路51は、水平走査期間TH’において、入力端子TP12に第3データ線、第4データ線を順次に接続し、入力端子TP21に第5データ線、第6データ線を順次に接続し、入力端子TP22に第7データ線、第8データ線を順次に接続し、入力端子TP31に第9データ線、第10データ線を順次に接続し、入力端子TP32に第11データ線、第12データ線を順次に接続する。これにより、選択走査線と第3〜第12データ線に接続された画素に階調電圧V3’〜V12’が書き込まれる。 The switch circuit 51 of the electro-optical panel 15 sequentially connects the first data line and the second data line to the input terminal TP11 during the horizontal scanning period TH'. As a result, the gradation voltage V1'is written to the pixels connected to the selective scanning line and the first data line, and the gradation voltage V2'is written to the pixels connected to the selective scanning line and the second data line. Similarly, in the horizontal scanning period TH', the switch circuit 51 sequentially connects the third data line and the fourth data line to the input terminal TP12, and sequentially connects the fifth data line and the sixth data line to the input terminal TP21. Connect, connect the 7th data line and 8th data line to the input terminal TP22 in sequence, connect the 9th data line and 10th data line to the input terminal TP31 in sequence, and connect the 11th data line to the input terminal TP32. The twelfth data line is connected in sequence. As a result, the gradation voltages V3'to V12' are written to the pixels connected to the selective scanning line and the third to twelfth data lines.

図15は、回路装置100の第3詳細構成例である。図15では、波形成形回路HSCiは、第m+1〜第2mのアナログラッチ回路ALm+1〜AL2mと第1〜第mのセレクターSEL1〜SELmと第1〜第mの初期化回路SINT1〜SINTmとを更に含む。なお、既に説明した構成要素には同一の符号を付し、その構成要素についての説明を適宜に省略する。図12には波形成形回路HSCiに関する構成のみ図示するが、波形成形回路HSC1〜HSCnは同様な構成である。 FIG. 15 is a third detailed configuration example of the circuit device 100. In FIG. 15, the waveform forming circuit HSSi further includes the analog latch circuits ALm + 1 to AL2m of the first m + 1 to 2 m, the selectors SEL1 to SELm of the first to m, and the initialization circuits SINT1 to SINTm of the first to m. .. The components already described are designated by the same reference numerals, and the description of the components will be omitted as appropriate. Although only the configuration related to the waveform forming circuit HSCi is shown in FIG. 12, the waveform forming circuits HSC1 to HSCn have the same configuration.

なお図15には、デマルチ数が2である例を図示するが、これに限定されず、デマルチ数をpとしたとき、1つの第2耐圧バッファー回路BF2jに対してp個のアナログラッチ回路ALj、ALm+j、・・・、ALpm+jが設けられればよい。pは2以上の整数である。 Note that FIG. 15 illustrates an example in which the number of demultis is 2, but the present invention is not limited to this, and when the number of demultis is p, p analog latch circuits ALj are used for one second withstand voltage buffer circuit BF2j. , ALm + j, ..., ALpm + j may be provided. p is an integer of 2 or more.

第jのアナログラッチ回路ALj、第m+jのアナログラッチ回路ALm+j、第jのセレクターSELj、及び初期化回路SINTjを例に説明する。第m+jのアナログラッチ回路ALm+jの構成は図9と同様である。 The j-th analog latch circuit ALj, the m + j analog latch circuit ALm + j, the j-th selector SELj, and the initialization circuit SINTj will be described as examples. The configuration of the analog latch circuit ALm + j of the m + j is the same as that in FIG.

第jのセレクターSELjは、スイッチSSj、SSm+jを含む。第jのアナログラッチ回路ALj及び第m+jのアナログラッチ回路ALm+jの入力ノードは、第1出力ノードNCに共通接続され、出力ノードは、スイッチSSj、SSm+jの一端に接続される。スイッチSSj、SSm+jの他端は、ノードNFjに接続される。NFjは、第jの第2耐圧バッファー回路BF2jの入力ノードである。初期化回路SINTjはスイッチであり、その一端がノードNFjに接続され、他端が基準電圧VRのノードに接続される。基準電圧VRは例えばグランド電圧であるが、これに限定されない。 The jth selector SELj includes switches SSj and SSm + j. The input node of the j-th analog latch circuit ALj and the analog latch circuit ALm + j of the m + j is commonly connected to the first output node NC, and the output node is connected to one end of the switches SSj and SSm + j. The other ends of the switches SSj and SSm + j are connected to the node NFj. NFj is an input node of the second withstand voltage buffer circuit BF2j of the jth. The initialization circuit SINTj is a switch, one end of which is connected to the node NFj and the other end of which is connected to the node of the reference voltage VR. The reference voltage VR is, for example, a ground voltage, but is not limited thereto.

歪み調整回路130には、第1〜第2mの階調電圧の階調電圧が多重化されたデータ電圧信号DVSが、入力端子TIiを介して入力される。例えばi=1、m=2としたとき、図14のV1’、V3’、V2’、V4’が第1〜第4の階調電圧に相当する。第1耐圧バッファー回路110が出力する第1出力信号QS1は、第1〜第2mの階調電圧に対応して2m個の電圧が多重化された信号となっている。 A data voltage signal DVS in which the gradation voltage of the first to second m gradation voltages is multiplexed is input to the distortion adjustment circuit 130 via the input terminal TIi. For example, when i = 1 and m = 2, V1', V3', V2', and V4'in FIG. 14 correspond to the first to fourth gradation voltages. The first output signal QS1 output by the first withstand voltage buffer circuit 110 is a signal in which 2 m of voltages are multiplexed corresponding to the gradation voltages of the first to second m.

第jのアナログラッチ回路ALjは、第1出力信号QS1において第jの階調電圧に対応した電圧をラッチ信号ENIjに基づいてラッチし、そのラッチした電圧を出力信号ALQjとして出力する。第m+jのアナログラッチ回路ALm+jは、第1出力信号QS1において第m+jの階調電圧に対応した電圧をラッチ信号ENIm+jに基づいてラッチし、そのラッチした電圧を出力信号ALQm+jとして出力する。ラッチ信号ENIj、ENIm+jは、タイミング信号出力回路195からアナログラッチ回路ALj、ALm+jに入力される。 The j-th analog latch circuit ALj latches the voltage corresponding to the j-th gradation voltage in the first output signal QS1 based on the latch signal ENIj, and outputs the latched voltage as the output signal ALQj. The analog latch circuit ALm + j of the m + j latches the voltage corresponding to the gradation voltage of the m + j in the first output signal QS1 based on the latch signal ENIm + j, and outputs the latched voltage as the output signal ALQm + j. The latch signals ENIj and ENIm + j are input from the timing signal output circuit 195 to the analog latch circuits ALj and ALm + j.

第jのセレクターSELjは、出力信号ALQj又は出力信号ALQm+jを選択し、その選択した信号を出力信号SLQjとして出力する。具体的には、タイミング信号出力回路195からスイッチSSj、SSm+jに選択信号ENQj、ENQm+jが入力される。選択信号ENQj、ENQm+jに基づいて、スイッチSSj又はスイッチSSm+jがオンになる。スイッチSSjがオンのとき第jのセレクターSELjは出力信号ALQjを出力し、スイッチSSm+jがオンのとき第jのセレクターSELjは出力信号ALQm+jを出力する。第jの第2耐圧バッファー回路BF2jは、第jのセレクターSELjの出力信号SLQjをバッファリングして第2出力信号QS2jを電気光学パネル15に出力する。 The jth selector SELj selects the output signal ALQj or the output signal ALQm + j, and outputs the selected signal as the output signal SLQj. Specifically, the selection signals ENQj and ENQm + j are input to the switches SSj and SSm + j from the timing signal output circuit 195. The switch SSj or the switch SSm + j is turned on based on the selection signals ENQj and ENQm + j. When the switch SSj is on, the jth selector SELj outputs the output signal ALQj, and when the switch SSm + j is on, the jth selector SELj outputs the output signal ALQm + j. The second withstand voltage buffer circuit BF2j of the second buffers the output signal SLQj of the selector SELj of the jth and outputs the second output signal QS2j to the electro-optical panel 15.

初期化回路SINTjは、ノードNFjの電荷を初期化する。ノードNFjは第2入力ノード、即ち第jの第2耐圧バッファー回路BF2jの入力ノードである。具体的には、タイミング信号出力回路195から初期化回路SINTjに初期化信号INITが入力され、初期化信号INITに基づいて初期化回路SINTjのスイッチがオン又はオフになる。第jのセレクターSELjのスイッチSSj、SSm+jが共にオフのときに初期化回路SINTjのスイッチがオンになり、第2入力ノードNFjと基準電圧VRのノードが接続される。これにより、第2入力ノードNFjの電荷が初期化される。 The initialization circuit SINTj initializes the charge of the node NFj. The node NFj is a second input node, that is, an input node of the j second withstand voltage buffer circuit BF2j. Specifically, the initialization signal INIT is input from the timing signal output circuit 195 to the initialization circuit SINTj, and the switch of the initialization circuit SINTj is turned on or off based on the initialization signal INIT. When both the switches SSj and SSm + j of the second selector SELj are off, the switch of the initialization circuit SINTj is turned on, and the second input node NFj and the node of the reference voltage VR are connected. As a result, the electric charge of the second input node NFj is initialized.

アナログラッチ回路ALj、ALm+jはキャパシターにより電荷を保持するので、第2入力ノードNFjに残留した電荷の影響を受けて、第2入力ノードNFjの電圧が不正確になる。本実施形態では、初期化回路SINTjにより第2入力ノードNFjの電荷が初期化されるので、第2入力ノードNFjの電圧が正確になる。 Since the analog latch circuits ALj and ALm + j hold the electric charge by the capacitor, the voltage of the second input node NFj becomes inaccurate due to the influence of the electric charge remaining in the second input node NFj. In the present embodiment, the charge of the second input node NFj is initialized by the initialization circuit SINTj, so that the voltage of the second input node NFj becomes accurate.

図16は、第3詳細構成例における回路装置100の動作を説明する波形図である。図16は、m=2であり、デマルチ数が2である場合の例である。第1耐圧バッファー回路110は、第1出力信号QS1として複数の電圧VB1、VB3、VB2、VB4を順次に出力する。これは、表示ドライバー12がデータ電圧信号DVSとして複数の階調電圧を順次に出力することに対応している。 FIG. 16 is a waveform diagram illustrating the operation of the circuit device 100 in the third detailed configuration example. FIG. 16 shows an example in which m = 2 and the number of demultis is 2. The first withstand voltage buffer circuit 110 sequentially outputs a plurality of voltages VB1, VB3, VB2, and VB4 as the first output signal QS1. This corresponds to the display driver 12 sequentially outputting a plurality of gradation voltages as a data voltage signal DVS.

電圧VB1、VB3、VB2、VB4のタイミングに同期して、ラッチ信号ENI1、ENI2、ENI3、ENI4が順にハイレベルになる。これにより、電圧VB1、VB3、VB2、VB4が、アナログラッチ回路AL1、AL2、AL3、AL4にラッチされる。 The latch signals ENI1, ENI2, ENI3, and ENI4 become high levels in order in synchronization with the timing of the voltages VB1, VB3, VB2, and VB4. As a result, the voltages VB1, VB3, VB2, and VB4 are latched by the analog latch circuits AL1, AL2, AL3, and AL4.

選択信号ENQ1は、ラッチ信号ENI2がハイレベルからローレベルとなった後、ラッチ信号ENI3がローレベルからハイレベルとなる前に、ローレベルからハイレベルとなる。選択信号ENQ1は、ラッチ信号ENI4がハイレベルからローレベルとなった後、ハイレベルからローレベルとなる。選択信号ENQ1がハイレベルである期間において、第2耐圧バッファー回路BF21が出力信号QS21=VB1を出力し、第2耐圧バッファー回路BF22が出力信号QS22=VB3を出力する。 The selection signal ENQ1 changes from low level to high level after the latch signal ENI2 changes from high level to low level and before the latch signal ENI3 changes from low level to high level. The selection signal ENQ1 changes from high level to low level after the latch signal ENI4 changes from high level to low level. During the period when the selection signal ENQ1 is at a high level, the second withstand voltage buffer circuit BF21 outputs the output signal QS21 = VB1, and the second withstand voltage buffer circuit BF22 outputs the output signal QS22 = VB3.

選択信号ENQ2は、選択信号ENQ1がハイレベルからローレベルとなった後、ラッチ信号ENI1がローレベルからハイレベルとなる前に、ローレベルからハイレベルとなる。選択信号ENQ2は、ラッチ信号ENI2がハイレベルからローレベルとなった後、選択信号ENQ1がローレベルからハイレベルとなる前に、ハイレベルからローレベルとなる。選択信号ENQ2がハイレベルである期間において、第2耐圧バッファー回路BF21が出力信号QS21=VB2を出力し、第2耐圧バッファー回路BF22が出力信号QS22=VB4を出力する。 The selection signal ENQ2 changes from low level to high level after the selection signal ENQ1 changes from high level to low level and before the latch signal ENI1 changes from low level to high level. The selection signal ENQ2 changes from high level to low level after the latch signal ENI2 changes from high level to low level and before the selection signal ENQ1 changes from low level to high level. During the period when the selection signal ENQ2 is at a high level, the second withstand voltage buffer circuit BF21 outputs the output signal QS21 = VB2, and the second withstand voltage buffer circuit BF22 outputs the output signal QS22 = VB4.

初期化信号INITは、選択信号ENQ1、ENQ2が共にローレベルであるときに、ハイレベルとなる。例えば基準電圧VRがグランド電圧であるとすると、初期化信号INITがハイレベルになることで第2耐圧バッファー回路BF21、BF22の入力信号がグランド電圧となり、第2耐圧バッファー回路BF21、BF22がグランド電圧を出力する。この後、選択信号ENQ1、ENQ2のいずれかがハイレベルとなるまで、第2耐圧バッファー回路BF21、BF22の入力信号がグランド電圧に維持される。 The initialization signal INIT becomes a high level when both the selection signals ENQ1 and ENQ2 are at a low level. For example, if the reference voltage VR is the ground voltage, the input signals of the second withstand voltage buffer circuits BF21 and BF22 become the ground voltage when the initialization signal INIT becomes high level, and the second withstand voltage buffer circuits BF21 and BF22 become the ground voltage. Is output. After that, the input signals of the second withstand voltage buffer circuits BF21 and BF22 are maintained at the ground voltage until any of the selection signals ENQ1 and ENQ2 reaches a high level.

なお、図15の構成に図12の電圧シフト回路VSH1〜VSHmを組み合わせてもよい。この場合、電圧シフト回路VSHjは、図15の第2入力ノードNFjに接続される。負極性駆動において極性信号POLはローレベルに維持される。正極性駆動において、選択信号ENQ1又はENQ2がハイレベルである期間において、極性信号POLがローレベルからハイレベルとなり、ハイレベルからローレベルとなる。極性信号POLがハイレベルである期間において、電気光学パネル15の画素への書き込みが行われる。 The voltage shift circuits VSH1 to VSHm of FIG. 12 may be combined with the configuration of FIG. In this case, the voltage shift circuit VSHj is connected to the second input node NFj in FIG. The polarity signal POL is maintained at a low level in the negative electrode drive. In the positive electrode drive, the polarity signal POL changes from low level to high level and from high level to low level during the period when the selection signal ENQ1 or ENQ2 is at a high level. During the period when the polarity signal POL is at a high level, writing to the pixels of the electro-optical panel 15 is performed.

5.電気光学装置の第2構成例
図17は、電気光学装置10の第2構成例である。電気光学装置10は、表示ドライバー12とコネクター13と電気光学パネル15と基板16と細線同軸ケーブル群17とコネクター18と回路装置100とを含む。なお、既に説明した構成要素には同一の符号を付し、その構成要素についての説明を適宜に省略する。
5. Second Configuration Example of Electro-Optical Device FIG. 17 is a second configuration example of the electro-optical device 10. The electro-optical device 10 includes a display driver 12, a connector 13, an electro-optical panel 15, a substrate 16, a thin coaxial cable group 17, a connector 18, and a circuit device 100. The components already described are designated by the same reference numerals, and the description of the components will be omitted as appropriate.

細線同軸ケーブル群17は複数の細線同軸ケーブルを含み、その一端がコネクター13に接続され、その他端がコネクター18に接続される。表示ドライバー12の1出力に対して1本の細線同軸ケーブルが設けられる。細線同軸ケーブルは、非常に細い同軸ケーブルであり、例えばケーブル外径が1mm以下の同軸ケーブルである。 The thin coaxial cable group 17 includes a plurality of thin coaxial cables, one end of which is connected to the connector 13 and the other end of which is connected to the connector 18. One thin coaxial cable is provided for one output of the display driver 12. The thin coaxial cable is a very thin coaxial cable, for example, a coaxial cable having a cable outer diameter of 1 mm or less.

コネクター18はフレキシブル基板19の一端に実装される。フレキシブル基板19の他端は電気光学パネル15に接続され、フレキシブル基板19には回路装置100が実装される。表示ドライバー12が出力したデータ電圧信号及び制御信号は細線同軸ケーブル群17及びフレキシブル基板19を介して回路装置100に入力されることになる。回路装置100の構成及び動作は上述した通りである。 The connector 18 is mounted on one end of the flexible substrate 19. The other end of the flexible substrate 19 is connected to the electro-optical panel 15, and the circuit device 100 is mounted on the flexible substrate 19. The data voltage signal and control signal output by the display driver 12 are input to the circuit device 100 via the thin coaxial cable group 17 and the flexible substrate 19. The configuration and operation of the circuit device 100 are as described above.

6.電子機器
図18は、回路装置100を含む電子機器300の構成例である。電子機器300は、電気光学装置10、処理装置310、表示コントローラー320、記憶部330、通信部340、操作部360を含む。電気光学装置10は、表示ドライバー12、回路装置100、電気光学パネル15を含む。
6. Electronic device FIG. 18 is a configuration example of an electronic device 300 including a circuit device 100. The electronic device 300 includes an electro-optical device 10, a processing device 310, a display controller 320, a storage unit 330, a communication unit 340, and an operation unit 360. The electro-optical device 10 includes a display driver 12, a circuit device 100, and an electro-optical panel 15.

電子機器300の具体例としては、例えばプロジェクターやヘッドマウントディスプレイ、携帯情報端末、車載装置、携帯型ゲーム端末、情報処理装置等の、表示装置を搭載する種々の電子機器を想定できる。車載装置は、例えばメーターパネル、カーナビゲーションシステム等である。 As a specific example of the electronic device 300, various electronic devices equipped with a display device such as a projector, a head-mounted display, a portable information terminal, an in-vehicle device, a portable game terminal, and an information processing device can be assumed. The in-vehicle device is, for example, a meter panel, a car navigation system, or the like.

操作部360は、ユーザーからの種々の操作を受け付けるユーザーインターフェースである。例えば、ボタンやマウスやキーボード、電気光学パネル15に装着されたタッチパネル等である。通信部340は、画像データや制御データの入出力を行うデータインターフェースである。通信部340は、例えば無線LANや近距離無線通信等の無線通信インターフェース、或いは有線LANやUSB等の有線通信インターフェースである。記憶部330は、例えば通信部340から入力されたデータを記憶したり、或いは、処理装置310のワーキングメモリーとして機能したりする。記憶部330は、例えばRAMやROM等のメモリー、或いはHDD等の磁気記憶装置、或いはCDドライブ、DVDドライブ等の光学記憶装置等である。表示コントローラー320は、通信部340から入力された或いは記憶部330に記憶された画像データを処理して表示ドライバー12に転送する。表示ドライバー12は、表示コントローラー320から転送された画像データに基づいてデータ電圧信号及び制御信号を出力する。回路装置100は、データ電圧信号の歪み調整及び制御信号のレベルシフトを行い、それらを電気光学パネル15に出力する。これにより、電気光学パネル15に画像が表示される。処理装置310は、電子機器300の制御処理及び、種々の信号処理等を行う。処理装置310は、例えばCPUやMPU等のプロセッサー、或いはASIC等である。 The operation unit 360 is a user interface that receives various operations from the user. For example, a button, a mouse, a keyboard, a touch panel attached to the electro-optical panel 15, and the like. The communication unit 340 is a data interface that inputs and outputs image data and control data. The communication unit 340 is, for example, a wireless communication interface such as a wireless LAN or short-range wireless communication, or a wired communication interface such as a wired LAN or USB. The storage unit 330 stores, for example, the data input from the communication unit 340, or functions as a working memory of the processing device 310. The storage unit 330 is, for example, a memory such as a RAM or ROM, a magnetic storage device such as an HDD, or an optical storage device such as a CD drive or a DVD drive. The display controller 320 processes the image data input from the communication unit 340 or stored in the storage unit 330 and transfers the image data to the display driver 12. The display driver 12 outputs a data voltage signal and a control signal based on the image data transferred from the display controller 320. The circuit device 100 adjusts the distortion of the data voltage signal and shifts the level of the control signal, and outputs them to the electro-optical panel 15. As a result, the image is displayed on the electro-optical panel 15. The processing device 310 performs control processing of the electronic device 300, various signal processing, and the like. The processing device 310 is, for example, a processor such as a CPU or MPU, or an ASIC or the like.

例えば電子機器300がプロジェクターである場合、電子機器300は更に光源と光学系とを含む。光学系は、例えばレンズ、プリズム、ミラー等である。電気光学パネル15が透過型である場合、光学装置が光源からの光を電気光学パネル15に入射させ、電気光学パネル15を透過した光をスクリーンに投影させる。電気光学パネル15が反射型である場合、光学装置が光源からの光を電気光学パネル15に入射させ、電気光学パネル15から反射された光をスクリーンに投影させる。 For example, when the electronic device 300 is a projector, the electronic device 300 further includes a light source and an optical system. The optical system is, for example, a lens, a prism, a mirror, or the like. When the electro-optical panel 15 is a transmission type, the optical device causes the light from the light source to enter the electro-optical panel 15 and projects the light transmitted through the electro-optical panel 15 onto the screen. When the electro-optical panel 15 is a reflection type, the optical device causes the light from the light source to enter the electro-optical panel 15 and projects the light reflected from the electro-optical panel 15 onto the screen.

以上に説明した本実施形態の回路装置は、歪み調整回路と第1耐圧バッファー回路と第1〜第mのアナログラッチ回路と第1〜第mの第2耐圧バッファー回路とを含む。歪み調整回路は、第1〜第mの階調電圧が多重化されたデータ電圧信号が、表示ドライバーから入力され、データ電圧信号の波形歪みを調整して調整後信号を出力する。第1耐圧バッファー回路は、第1耐圧のトランジスターで構成され、調整後信号をバッファリングして第1出力信号を出力する。第jのアナログラッチ回路は、第1出力信号において第jの階調電圧に対応した電圧をラッチする。第jの第2耐圧バッファー回路は、第1耐圧より高い第2耐圧のトランジスターで構成され、第jのアナログラッチ回路の出力信号を増幅して第2出力信号を電気光学パネルに出力する。 The circuit device of the present embodiment described above includes a strain adjustment circuit, a first withstand voltage buffer circuit, first to first m analog latch circuits, and first to first m second withstand voltage buffer circuits. In the distortion adjustment circuit, a data voltage signal in which the first to mth gradation voltages are multiplexed is input from the display driver, the waveform distortion of the data voltage signal is adjusted, and the adjusted signal is output. The first withstand voltage buffer circuit is composed of transistors with a first withstand voltage, buffers the adjusted signal, and outputs the first output signal. The j-th analog latch circuit latches the voltage corresponding to the j-th gradation voltage in the first output signal. The second withstand voltage buffer circuit of j is composed of transistors having a second withstand voltage higher than that of the first withstand voltage, amplifies the output signal of the analog latch circuit of j, and outputs the second output signal to the electro-optical panel.

このようにすれば、フレキシブル基板等により伝送されることで波形歪みが生じたデータ電圧信号の歪みを、歪み調整回路が調整できる。これにより、回路装置を設けない場合にはフレキシブル基板で伝送できないような高速なデータ電圧信号を、回路装置を設けたことで伝送可能になる。高速なデータ電圧信号が伝送可能となることで、電気光学パネルの高画素化に対応できるようになる。また本実施形態によれば、表示ドライバーが第1〜第mの階調電圧を多重化してデータ電圧信号として出力し、その多重化された電圧を第1〜第mのアナログラッチ回路がデマルチプレクスできる。これにより、表示ドライバーの出力数を低減しつつ、電気光学パネル15の高画素化又は高フレームレート化に対応できる。本実施形態では歪み調整回路によって波形歪みを調整できるため、デマルチプレクスによって転送レートが上がっても、高精度且つ高速にデータ電圧信号を伝送できる。 In this way, the distortion adjusting circuit can adjust the distortion of the data voltage signal caused by the waveform distortion caused by the transmission by the flexible substrate or the like. As a result, high-speed data voltage signals that cannot be transmitted on a flexible substrate without a circuit device can be transmitted by providing a circuit device. By enabling high-speed data voltage signals to be transmitted, it becomes possible to cope with an increase in the number of pixels of an electro-optical panel. Further, according to the present embodiment, the display driver multiplexes the first to mth gradation voltages and outputs them as a data voltage signal, and the first to mth analog latch circuits demultiply the multiplexed voltage. You can plex. As a result, it is possible to increase the number of pixels or the frame rate of the electro-optical panel 15 while reducing the number of outputs of the display driver. In the present embodiment, since the waveform distortion can be adjusted by the distortion adjustment circuit, the data voltage signal can be transmitted with high accuracy and high speed even if the transfer rate is increased by the demultiplexing.

また本実施形態の回路装置は、第1〜第mの電圧シフト回路を含んでもよい。第jの電圧シフト回路は、極性信号に基づいて第jの第2耐圧バッファー回路の入力信号を電圧シフトしてもよい。 Further, the circuit device of the present embodiment may include the first to third voltage shift circuits. The j-th voltage shift circuit may voltage-shift the input signal of the second withstand voltage buffer circuit of the jth based on the polarity signal.

このようにすれば、負極性電圧を電圧シフト回路により正極性電圧に電圧シフトできるので、正極性駆動においても表示ドライバーが負極性電圧を出力すればよくなる。これにより、表示ドライバーを構成するトランジスター、及び第1耐圧バッファー回路を構成するトランジスターの耐圧を下げることが可能となる。耐圧を下げることで、回路の小規模化、回路の低消費電力化、又は回路の高速動作が可能となる。 In this way, the negative electrode voltage can be voltage-shifted to the positive electrode voltage by the voltage shift circuit, so that the display driver only needs to output the negative electrode voltage even in the positive electrode drive. This makes it possible to reduce the withstand voltage of the transistors that make up the display driver and the transistors that make up the first withstand voltage buffer circuit. By lowering the withstand voltage, it is possible to reduce the size of the circuit, reduce the power consumption of the circuit, or operate the circuit at high speed.

また本実施形態では、歪み調整回路は電圧分割回路を有してもよい。電圧分割回路は、データ電圧信号が入力されるデータ電圧信号入力ノードと、グランドノードとの間に設けられてもよい。電圧分割回路の電圧分割ノードが、第1耐圧バッファー回路の第1入力ノードに接続されてもよい。 Further, in the present embodiment, the distortion adjusting circuit may have a voltage dividing circuit. The voltage dividing circuit may be provided between the data voltage signal input node into which the data voltage signal is input and the ground node. The voltage dividing node of the voltage dividing circuit may be connected to the first input node of the first withstand voltage buffer circuit.

このようにすれば、表示ドライバーの出力から歪み調整回路の電圧分割ノードまでの経路において、データ電圧信号に対する分圧比と容量比を同じにすることが可能となる。分圧比と容量値が同じとき、低周波数帯域のゲインと高周波数帯域のゲインが同じになり、上記経路における周波数特性がフラットに近くなる。これにより、歪みの少ない調整後信号が得られる。 In this way, it is possible to make the voltage division ratio and the capacitance ratio to the data voltage signal the same in the path from the output of the display driver to the voltage division node of the distortion adjustment circuit. When the voltage division ratio and the capacitance value are the same, the gain in the low frequency band and the gain in the high frequency band are the same, and the frequency characteristics in the above path are close to flat. As a result, an adjusted signal with less distortion can be obtained.

また本実施形態では、歪み調整回路は第1キャパシターと第2キャパシターとを有してもよい。第1キャパシターは、データ電圧信号入力ノードと電圧分割ノードとの間に設けられてもよい。第2キャパシターは、電圧分割ノードとグランドノードとの間に設けられ、容量値が可変であってもよい。 Further, in the present embodiment, the strain adjusting circuit may have a first capacitor and a second capacitor. The first capacitor may be provided between the data voltage signal input node and the voltage dividing node. The second capacitor may be provided between the voltage dividing node and the ground node, and the capacitance value may be variable.

このようにすれば、第2キャパシターの容量値が調整されることで、上述の容量比が調整される。これにより、表示ドライバーの出力から歪み調整回路の電圧分割ノードまでの経路において、データ電圧信号に対する分圧比と容量比を同じにすることが可能となる。 By doing so, the above-mentioned capacitance ratio is adjusted by adjusting the capacitance value of the second capacitor. This makes it possible to make the voltage division ratio and the capacitance ratio to the data voltage signal the same in the path from the output of the display driver to the voltage division node of the distortion adjustment circuit.

また本実施形態では、電圧分割回路は、第1抵抗と第2抵抗とを有してもよい。第1抵抗は、データ電圧信号入力ノードと電圧分割ノードとの間に設けられてもよい。第2抵抗は、電圧分割ノードとグランドノードとの間に設けられてもよい。 Further, in the present embodiment, the voltage dividing circuit may have a first resistor and a second resistor. The first resistor may be provided between the data voltage signal input node and the voltage dividing node. The second resistor may be provided between the voltage dividing node and the ground node.

このようにすれば、第1抵抗と第2抵抗によりデータ電圧信号を分圧できる。フレキシブル基板等の伝送経路の寄生抵抗と、第1抵抗と、第2抵抗とによって、上述の分圧比が決まる。 In this way, the data voltage signal can be divided by the first resistor and the second resistor. The above-mentioned voltage division ratio is determined by the parasitic resistance of the transmission path such as a flexible substrate, the first resistance, and the second resistance.

また本実施形態では、歪み調整回路の入力インピーダンスは、第2出力信号が入力される電気光学パネルの入力端子の入力インピーダンスよりも低くてもよい。 Further, in the present embodiment, the input impedance of the distortion adjustment circuit may be lower than the input impedance of the input terminal of the electro-optical panel to which the second output signal is input.

このようにすれば、回路装置を設けない場合において電気光学パネルに入力されるデータ電圧信号の波形歪みよりも、回路装置を設けた場合において回路装置に入力されるデータ電圧信号の波形歪みの方が、小さくなる。本実施形態では、このデータ電圧信号が更に歪み調整回路により歪み調整されるので、高速なデータ電圧信号の伝送が可能となっている。 In this way, the waveform distortion of the data voltage signal input to the circuit device when the circuit device is provided is larger than the waveform distortion of the data voltage signal input to the electro-optical panel when the circuit device is not provided. However, it becomes smaller. In the present embodiment, since the data voltage signal is further strain-adjusted by the distortion adjusting circuit, high-speed data voltage signal transmission is possible.

また本実施形態の回路装置は、第1出力信号が入力される第m+1〜第2mのアナログラッチ回路と、第1〜第mのセレクターと、を含んでもよい。歪み調整回路には、第1〜第mの階調電圧及び第m+1〜第2mの階調電圧が多重化されたデータ電圧信号が、表示ドライバーから入力されてもよい。第m+jのアナログラッチ回路は、第1出力信号において第m+jの階調電圧に対応した電圧をラッチしてもよい。第jのセレクターは、第jのアナログラッチ回路の出力信号、又は第m+jのアナログ回路の出力信号を選択して出力してもよい。第jの第2耐圧バッファー回路は、第jのセレクターの出力信号をバッファリングして第2出力信号を電気光学パネルに出力してもよい。 Further, the circuit device of the present embodiment may include a first m + 1st and 2nd m analog latch circuit into which a first output signal is input, and a first to mth selector. A data voltage signal in which the first to mth gradation voltage and the first m + 1st to second m gradation voltage are multiplexed may be input to the distortion adjustment circuit from the display driver. The m + j analog latch circuit may latch a voltage corresponding to the gradation voltage of the m + j in the first output signal. The j-th selector may select and output the output signal of the j-th analog latch circuit or the output signal of the m + j analog circuit. The second withstand voltage buffer circuit of j may buffer the output signal of the selector of j and output the second output signal to the electro-optic panel.

このようにすれば、電気光学パネルがデマルチプレクス駆動方式である場合に回路装置を適用できるようになる。即ち、第jのセレクターは、第jのアナログラッチ回路の出力信号、又は第m+jのアナログ回路の出力信号を選択して出力することで、第jのアナログラッチ回路の出力信号と第m+jのアナログ回路の出力信号とが多重化される。この多重化された信号を第jの第2耐圧バッファー回路が増幅して出力することで、電気光学パネルに、多重化された階調電圧が入力される。この多重化された階調電圧は、電気光学パネルのスイッチ回路によってデマルチプレクスされる。 In this way, the circuit device can be applied when the electro-optical panel is of the demultiplex drive system. That is, the j-th selector selects and outputs the output signal of the j-th analog latch circuit or the output signal of the m + j analog circuit, so that the output signal of the j-th analog latch circuit and the analog of the m + j The output signal of the circuit is multiplexed. The second withstand voltage buffer circuit of the jth amplifies and outputs the multiplexed signal, so that the multiplexed gradation voltage is input to the electro-optical panel. This multiplexed gradation voltage is demultiplexed by the switch circuit of the electro-optical panel.

また本実施形態の回路装置は、第1〜第mの初期化回路を含んでもよい。第jの初期化回路は、第jの第2耐圧バッファー回路の第2入力ノードに接続され、第2入力ノードの電荷を初期化してもよい。 Further, the circuit device of the present embodiment may include the first to first m initialization circuits. The initialization circuit of the jth may be connected to the second input node of the second withstand voltage buffer circuit of the jth, and may initialize the charge of the second input node.

第jのアナログラッチ回路と第j+mのアナログラッチ回路ALm+jは電荷を保持するので、第jの第2耐圧バッファー回路の入力ノードである第2入力ノードに残留した電荷の影響を受けて、第2入力ノードの電圧が不正確になる。本実施形態では、初期化回路により第2入力ノードの電荷が初期化されるので、第2入力ノードの電圧が正確になる。これにより、第jの第2耐圧バッファー回路が正確な階調電圧を出力できる。 Since the j-th analog latch circuit and the j + m analog latch circuit ALm + j hold the electric charge, the second input node, which is the input node of the second withstand voltage buffer circuit, is affected by the electric charge remaining on the second input node. The voltage at the input node becomes inaccurate. In the present embodiment, the charge of the second input node is initialized by the initialization circuit, so that the voltage of the second input node becomes accurate. As a result, the second withstand voltage buffer circuit of j can output an accurate gradation voltage.

また本実施形態の電気光学装置は、上記のいずれかに記載の回路装置と、表示ドライバーと、電気光学パネルと、を含む。 Further, the electro-optical device of the present embodiment includes the circuit device according to any one of the above, a display driver, and an electro-optical panel.

また本実施形態では、電気光学装置はフレキシブル基板を含んでもよい。フレキシブル基板には回路装置が設けられ、フレキシブル基板は電気光学パネルに接続されてもよい。 Further, in the present embodiment, the electro-optical device may include a flexible substrate. A circuit device is provided on the flexible substrate, and the flexible substrate may be connected to an electro-optical panel.

また本実施形態の電子機器は、上記のいずれかに記載の回路装置を含む。 Further, the electronic device of the present embodiment includes the circuit device according to any one of the above.

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本開示の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本開示の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本開示の範囲に含まれる。また回路装置、表示ドライバー、電気光学パネル、電気光学装置及び電子機器の構成及び動作等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。 Although the present embodiment has been described in detail as described above, those skilled in the art will easily understand that many modifications that do not substantially deviate from the new matters and effects of the present disclosure are possible. Therefore, all such variations are included in the scope of the present disclosure. For example, a term described at least once in a specification or drawing with a different term in a broader or synonymous manner may be replaced by that different term anywhere in the specification or drawing. All combinations of the present embodiment and modifications are also included in the scope of the present disclosure. Further, the configuration and operation of the circuit device, the display driver, the electro-optical panel, the electro-optic device, the electronic device, and the like are not limited to those described in the present embodiment, and various modifications can be performed.

10…電気光学装置、12…表示ドライバー、13…コネクター、14…フレキシブル基板、15…電気光学パネル、16…基板、17…細線同軸ケーブル群、18…コネクター、19…フレキシブル基板、21…制御回路、51…スイッチ回路、52…画素アレイ、100…回路装置、105…電圧分割回路、110…第1耐圧バッファー回路、130…歪み調整回路、131…電圧分割回路、180…記憶部、195…タイミング信号出力回路、300…電子機器、310…処理装置、320…表示コントローラー、330…記憶部、340…通信部、360…操作部、AL1〜ALm…アナログラッチ回路、BF21〜BF2m…第2耐圧バッファー回路、C1…第1キャパシター、C2…第2キャパシター、DVS…データ電圧信号、POL…極性信号、QS1…第1出力信号、QS21〜QS2m…第2出力信号、SEL1〜SELm…セレクター、SINT1〜SINTm…初期化回路、TGS…調整後信号、VSH1〜VSHm…電圧シフト回路 10 ... Electro-optical device, 12 ... Display driver, 13 ... Connector, 14 ... Flexible board, 15 ... Electro-optical panel, 16 ... Board, 17 ... Thin coaxial cable group, 18 ... Connector, 19 ... Flexible board, 21 ... Control circuit , 51 ... switch circuit, 52 ... pixel array, 100 ... circuit device, 105 ... voltage dividing circuit, 110 ... first withstand voltage buffer circuit, 130 ... distortion adjustment circuit, 131 ... voltage dividing circuit, 180 ... storage unit, 195 ... timing Signal output circuit, 300 ... Electronic equipment, 310 ... Processing device, 320 ... Display controller, 330 ... Storage unit, 340 ... Communication unit, 360 ... Operation unit, AL1 to ALm ... Analog latch circuit, BF21 to BF2m ... Second withstand voltage buffer Circuit, C1 ... 1st capacitor, C2 ... 2nd capacitor, DVS ... Data voltage signal, POL ... Polarity signal, QS1 ... 1st output signal, QS21 to QS2m ... 2nd output signal, SEL1 to SELm ... Selector, SINT1 to SINTm ... initialization circuit, TGS ... adjusted signal, VSH1 to VSHm ... voltage shift circuit

Claims (11)

第1〜第mの階調電圧(mは2以上の整数)が多重化されたデータ電圧信号が、表示ドライバーから入力され、前記データ電圧信号の波形歪みを調整して調整後信号を出力する歪み調整回路と、
第1耐圧のトランジスターで構成され、前記調整後信号をバッファリングして第1出力信号を出力する第1耐圧バッファー回路と、
前記第1出力信号が入力される第1〜第mのアナログラッチ回路と、
第1〜第mの第2耐圧バッファー回路と、
を含み、
前記第jのアナログラッチ回路(jは1以上m以下の整数)は、
前記第1出力信号において前記第jの階調電圧に対応した電圧をラッチし、
前記第jの第2耐圧バッファー回路は、
前記第1耐圧より高い第2耐圧のトランジスターで構成され、前記第jのアナログラッチ回路の出力信号を増幅して第2出力信号を電気光学パネルに出力することを特徴とする回路装置。
A data voltage signal in which the first to mth gradation voltages (m is an integer of 2 or more) is multiplexed is input from the display driver, the waveform distortion of the data voltage signal is adjusted, and the adjusted signal is output. Distortion adjustment circuit and
A first withstand voltage buffer circuit composed of transistors with a first withstand voltage, buffering the adjusted signal and outputting a first output signal, and a first withstand voltage buffer circuit.
The first to mth analog latch circuits to which the first output signal is input, and
The first to second m second withstand voltage buffer circuits and
Including
The j-th analog latch circuit (j is an integer of 1 or more and m or less) is
The voltage corresponding to the j-th gradation voltage is latched in the first output signal, and the voltage corresponding to the j-th gradation voltage is latched.
The second withstand voltage buffer circuit of the jth is
A circuit device composed of transistors having a second withstand voltage higher than the first withstand voltage, amplifying the output signal of the j-th analog latch circuit, and outputting the second output signal to an electro-optical panel.
請求項1に記載の回路装置において、
第1〜第mの電圧シフト回路を含み、
前記第jの電圧シフト回路は、
極性信号に基づいて前記第jの第2耐圧バッファー回路の入力信号を電圧シフトすることを特徴とする回路装置。
In the circuit device according to claim 1,
Including the first to mth voltage shift circuits, including
The j-th voltage shift circuit is
A circuit device characterized in that the input signal of the second withstand voltage buffer circuit of the jth is voltage-shifted based on a polarity signal.
請求項1又は2に記載の回路装置において、
前記歪み調整回路は、
前記データ電圧信号が入力されるデータ電圧信号入力ノードと、グランドノードとの間に設けられる電圧分割回路を有し、
前記電圧分割回路の電圧分割ノードが、前記第1耐圧バッファー回路の第1入力ノードに接続されることを特徴とする回路装置。
In the circuit device according to claim 1 or 2.
The distortion adjustment circuit
It has a voltage dividing circuit provided between a data voltage signal input node into which the data voltage signal is input and a ground node.
A circuit device characterized in that a voltage dividing node of the voltage dividing circuit is connected to a first input node of the first withstand voltage buffer circuit.
請求項3に記載の回路装置において、
前記歪み調整回路は、
前記データ電圧信号入力ノードと前記電圧分割ノードとの間に設けられる第1キャパシターと、
前記電圧分割ノードと前記グランドノードとの間に設けられ、容量値が可変である第2キャパシターと、
を有することを特徴とする回路装置。
In the circuit device according to claim 3,
The distortion adjustment circuit
A first capacitor provided between the data voltage signal input node and the voltage dividing node,
A second capacitor provided between the voltage dividing node and the ground node and having a variable capacitance value,
A circuit device characterized by having.
請求項3又は4に記載の回路装置において、
前記電圧分割回路は、
前記データ電圧信号入力ノードと前記電圧分割ノードとの間に設けられる第1抵抗と、
前記電圧分割ノードと前記グランドノードとの間に設けられる第2抵抗と、
を有することを特徴とする回路装置。
In the circuit device according to claim 3 or 4.
The voltage dividing circuit
A first resistor provided between the data voltage signal input node and the voltage dividing node,
A second resistor provided between the voltage dividing node and the ground node,
A circuit device characterized by having.
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記歪み調整回路の入力インピーダンスは、
前記第2出力信号が入力される前記電気光学パネルの端子の入力インピーダンスよりも低いことを特徴とする回路装置。
In the circuit device according to any one of claims 1 to 5.
The input impedance of the distortion adjustment circuit is
A circuit device characterized in that the input impedance of the terminal of the electro-optical panel to which the second output signal is input is lower than the input impedance.
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記第1出力信号が入力される第m+1〜第2mのアナログラッチ回路と、
第1〜第mのセレクターと、
を含み、
前記歪み調整回路には、前記第1〜第mの階調電圧及び第m+1〜第2mの階調電圧が多重化された前記データ電圧信号が、前記表示ドライバーから入力され、
前記第m+jのアナログラッチ回路(jは1以上m以下の整数)は、
前記第1出力信号において前記第m+jの階調電圧に対応した電圧をラッチし、
前記第jのセレクターは、
前記第jのアナログラッチ回路の出力信号、又は前記第m+jのアナログ回路の出力信号を選択して出力し、
前記第jの第2耐圧バッファー回路は、
前記第jのセレクターの出力信号をバッファリングして第2出力信号を前記電気光学パネルに出力することを特徴とする回路装置。
In the circuit device according to any one of claims 1 to 6.
The m + 1 to 2 m analog latch circuits to which the first output signal is input, and
The first to mth selectors and
Including
The data voltage signal in which the first to mth gradation voltage and the m + 1st to second m gradation voltage are multiplexed is input to the distortion adjustment circuit from the display driver.
The m + j analog latch circuit (j is an integer of 1 or more and m or less) is
In the first output signal, the voltage corresponding to the gradation voltage of the m + j is latched, and the voltage corresponding to the gradation voltage is latched.
The jth selector is
The output signal of the j-th analog latch circuit or the output signal of the m + j analog circuit is selected and output.
The second withstand voltage buffer circuit of the jth is
A circuit device characterized in that the output signal of the j-th selector is buffered and the second output signal is output to the electro-optical panel.
請求項7に記載の回路装置において、
第1〜第mの初期化回路を含み、
前記第jの初期化回路は、
前記第jの第2耐圧バッファー回路の第2入力ノードに接続され、前記第2入力ノードの電荷を初期化することを特徴とする回路装置。
In the circuit device according to claim 7.
Including the first to mth initialization circuits
The j-th initialization circuit is
A circuit device that is connected to a second input node of the second withstand voltage buffer circuit of j and initializes the electric charge of the second input node.
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の回路装置と、
前記表示ドライバーと、
前記電気光学パネルと、
を含むことを特徴とする電気光学装置。
The circuit device according to any one of claims 1 to 8.
With the display driver
With the electro-optic panel
An electro-optic device comprising.
請求項9に記載の電気光学装置において、
前記回路装置が設けられ、前記電気光学パネルに接続されるフレキシブル基板を含むことを特徴とする電気光学装置。
In the electro-optical device according to claim 9.
An electro-optical device provided with the circuit device and including a flexible substrate connected to the electro-optical panel.
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする電子機器。 An electronic device comprising the circuit device according to any one of claims 1 to 8.
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