JP6737256B2 - Display driver, electro-optical device and electronic device - Google Patents

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本発明は、表示ドライバー、電気光学装置及び電子機器等に関する。 The present invention relates to a display driver, an electro-optical device, an electronic device and the like.

電気光学パネルを駆動する表示ドライバーは、ラダー抵抗回路により生成された複数の電圧の中から表示データに対応する階調電圧を選択するD/A変換回路と、その階調電圧を増幅又はバッファリング(インピーダンス変換)してデータ電圧を出力する増幅回路と、を含んでいる。増幅回路は、データ電圧で電気光学パネルのデータ線を駆動することで画素への書き込みを行う。このような表示ドライバーの従来技術は、例えば特許文献1〜3に開示されている。特許文献1では、増幅回路を正転増幅回路で構成している。また特許文献2、3では、増幅回路を反転増幅回路で構成している。 A display driver that drives an electro-optical panel includes a D/A conversion circuit that selects a grayscale voltage corresponding to display data from a plurality of voltages generated by a ladder resistance circuit, and amplifies or buffers the grayscale voltage. And an amplifier circuit for (impedance conversion) and outputting a data voltage. The amplifier circuit writes to the pixel by driving the data line of the electro-optical panel with the data voltage. Conventional techniques of such a display driver are disclosed in Patent Documents 1 to 3, for example. In Patent Document 1, the amplifier circuit is configured by a non-inverting amplifier circuit. Further, in Patent Documents 2 and 3, the amplifier circuit is configured by an inverting amplifier circuit.

近年では電気光学パネルの高精細化や高フレームレート化等によって、表示ドライバーが画素を短い駆動時間内に高速に駆動することが求められている。このため、高速な応答性を有する(例えば高スルーレートや高感度の)演算増幅器を用いて増幅回路を構成し、増幅回路がデータ電圧を高速に変化させることができるように構成する。このような増幅回路の高速化によって画素への書き込み時間が短縮される。 In recent years, display drivers are required to drive pixels at high speed within a short drive time due to higher definition and higher frame rate of electro-optical panels. Therefore, the amplifier circuit is configured using an operational amplifier having a high-speed response (for example, a high slew rate or a high sensitivity) so that the amplifier circuit can change the data voltage at high speed. By increasing the speed of the amplifier circuit as described above, the writing time to the pixel is shortened.

特開2005−292856号公報JP, 2005-292856, A 特開2001−67047号公報JP 2001-67047 A 特開平10−260664号公報JP-A-10-260664

上記のような増幅回路の高速化を行った場合、画素への高速な書き込み(高スルーレート)が可能になる一方で、増幅回路の高速な応答性によってデータ電圧の安定性が影響を受け、目標電圧への収束性が低下したり、或いは画素への書き込み電圧の正確性が低下したりする。例えば、表示ドライバーは複数の出力(複数のデータ電圧出力端子)を有しており、出力毎に増幅回路が設けられている。このとき、増幅回路の特性にはばらつきがあるため、安定性の低下によって生じる書き込み電圧の誤差が、出力毎に異なり、表示品質が低下する(例えば表示ムラが発生する)おそれがある。このため、画素への書き込み時間を短縮するためには、画素への高速な書き込み(高スルーレート)とデータ電圧の安定性との両方が求められる。 When the speed of the amplifier circuit as described above is increased, high-speed writing (high slew rate) to the pixel becomes possible, while the high-speed response of the amplifier circuit affects the stability of the data voltage, Convergence to the target voltage is lowered, or accuracy of the writing voltage to the pixel is lowered. For example, the display driver has a plurality of outputs (a plurality of data voltage output terminals), and an amplifier circuit is provided for each output. At this time, since the characteristics of the amplifier circuit vary, the error in the write voltage caused by the decrease in stability may vary from output to output, and the display quality may deteriorate (for example, display unevenness may occur). Therefore, in order to shorten the writing time to the pixel, both high speed writing (high slew rate) to the pixel and stability of the data voltage are required.

本発明の幾つかの態様によれば、画素への高速な書き込み(高スルーレート)とデータ電圧の安定性との両方を実現可能な表示ドライバー、電気光学装置及び電子機器等を提供できる。 According to some aspects of the present invention, it is possible to provide a display driver, an electro-optical device, an electronic device, and the like that can realize both high-speed writing (high slew rate) to pixels and stability of data voltage.

本発明の一態様は、データ電圧出力端子と、データ電圧を出力する増幅回路と、前記増幅回路の出力ノードと前記データ電圧出力端子との間に設けられる可変抵抗回路と、を有し、前記データ電圧出力端子から前記データ電圧を出力して電気光学パネルのデータ線を駆動する駆動回路と、駆動期間の切り替えタイミングにおいて、前記可変抵抗回路の抵抗値を第1の抵抗値から前記第1の抵抗値より高い第2の抵抗値に切り替える制御を行う抵抗制御回路と、を含み、前記駆動回路は、第1の駆動期間では、第1の表示データに対応する第1のデータ電圧を前記データ電圧出力端子に出力し、前記第1の駆動期間の次の第2の駆動期間では、第2の表示データに対応する第2のデータ電圧を前記データ電圧出力端子に出力し、前記抵抗制御回路は、前記第2の駆動期間において、前記第1のデータ電圧と前記第2のデータ電圧の差が大きいほど遅くなる前記切り替えタイミングで前記可変抵抗回路の抵抗値を前記第1の抵抗値から前記第2の抵抗値に切り替える表示ドライバーに関係する。 One embodiment of the present invention includes a data voltage output terminal, an amplifier circuit for outputting a data voltage, and a variable resistance circuit provided between an output node of the amplifier circuit and the data voltage output terminal, A drive circuit that outputs the data voltage from the data voltage output terminal to drive the data line of the electro-optical panel, and a resistance value of the variable resistance circuit from the first resistance value to the first resistance value at the switching timing of the drive period. A resistance control circuit for performing control to switch to a second resistance value higher than the resistance value, wherein the drive circuit sets a first data voltage corresponding to first display data to the data in the first drive period. The voltage is output to the voltage output terminal, and the second data voltage corresponding to the second display data is output to the data voltage output terminal in the second driving period subsequent to the first driving period. In the second driving period, the resistance value of the variable resistance circuit is changed from the first resistance value to the resistance value of the variable resistance circuit at the switching timing which becomes slower as the difference between the first data voltage and the second data voltage becomes larger. Related to a display driver that switches to a second resistance value.

本発明の一態様によれば、切り替えタイミングで可変抵抗回路の抵抗値を第1の抵抗値から、それより高い第2の抵抗値に切り替える。これにより、切り替えタイミングより前の期間では電気光学パネルのソース線(画素)に対して高速に電荷を供給でき、ソース線の電圧を急峻に変化させることができる。一方、切り替えタイミングより後の期間では電気光学パネルのデータ線及びソース線の容量と増幅回路の出力ノードとの間の抵抗値が高くなり、増幅回路が出力する電圧(データ電圧)の安定性を確保できる。また、第1のデータ電圧と第2のデータ電圧の差が大きいほど切り替えタイミングを遅くすることで、高速に画素を駆動する期間を最大限に確保しつつ、出来るだけ早いタイミングでデータ電圧を安定化できる。以上のようにして、画素への高速な書き込みとデータ電圧の安定性との両方を実現できる。 According to one aspect of the present invention, the resistance value of the variable resistance circuit is switched from the first resistance value to the second resistance value higher than that at the switching timing. Thus, in the period before the switching timing, electric charges can be supplied to the source line (pixel) of the electro-optical panel at high speed, and the voltage of the source line can be changed sharply. On the other hand, in the period after the switching timing, the resistance value between the capacitance of the data line and the source line of the electro-optical panel and the output node of the amplifier circuit becomes high, and the stability of the voltage (data voltage) output by the amplifier circuit is improved. Can be secured. Further, by delaying the switching timing as the difference between the first data voltage and the second data voltage becomes larger, the data voltage is stabilized at the earliest possible timing while maximizing the period for driving the pixels at high speed. Can be converted. As described above, both high-speed writing to the pixel and stability of the data voltage can be realized.

また本発明の一態様では、前記抵抗制御回路は、前記第1の表示データと前記第2の表示データの差分値の大きさが大きいほど前記切り替えタイミングを遅くする制御を行ってもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the resistance control circuit may perform control such that the switching timing is delayed as the difference value between the first display data and the second display data increases.

第1の表示データと第2の表示データの差分値が大きいほど、第1のデータ電圧と第2のデータ電圧との差が大きくなる。即ち、第1の表示データと第2の表示データの差分値の大きさが大きいほど切り替えタイミングを遅くすることで、第1のデータ電圧と第2のデータ電圧の差が大きいほど遅くなる切り替えタイミングを実現できる。 The larger the difference value between the first display data and the second display data, the larger the difference between the first data voltage and the second data voltage. That is, the switching timing is delayed as the difference value between the first display data and the second display data is larger, and thus the switching timing is delayed as the difference between the first data voltage and the second data voltage is larger. Can be realized.

また本発明の一態様では、前記抵抗制御回路は、前記差分値と前記切り替えタイミングを対応付けるテーブルデータに基づいて、前記差分値に対応する前記切り替えタイミングを設定してもよい。 Further, in the aspect of the invention, the resistance control circuit may set the switching timing corresponding to the difference value based on table data that associates the difference value with the switching timing.

駆動期間の開始から、データ電圧出力端子の電圧が目標電圧付近まで到達するまでの時間は、表示データの差分値(データ電圧の差)に対して線形とは限らない。テーブルデータを用いることで、表示データの差分値に対して非線形な特性の切り替えタイミングを設定できるので、高速に画素を駆動できる期間(可変抵抗回路の抵抗値が第1の抵抗値である期間)を最適化できる。 The time from the start of the driving period until the voltage of the data voltage output terminal reaches the vicinity of the target voltage is not necessarily linear with respect to the difference value of display data (difference in data voltage). By using the table data, the switching timing of the non-linear characteristic with respect to the difference value of the display data can be set, so that the pixel can be driven at high speed (the resistance value of the variable resistance circuit is the first resistance value). Can be optimized.

また本発明の一態様では、前記抵抗制御回路は、前記データ電圧出力端子の電圧が、目標電圧である前記データ電圧に到達する前の前記切り替えタイミングで前記可変抵抗回路の抵抗値を前記第1の抵抗値から前記第2の抵抗値に切り替えてもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the resistance control circuit sets the resistance value of the variable resistance circuit to the first resistance value at the switching timing before the voltage of the data voltage output terminal reaches the data voltage which is a target voltage. The resistance value may be switched to the second resistance value.

仮に、データ電圧出力端子の電圧が目標電圧をオーバーシュートすると、そのオーバーシュートした電圧を増幅回路が目標電圧に収束させるために余分な時間がかかる。本発明の一態様によれば、データ電圧出力端子の電圧が目標電圧をオーバーシュートすることを回避できるので、短時間で電圧を目標電圧へ収束させることができる。 If the voltage of the data voltage output terminal overshoots the target voltage, it takes extra time for the amplifier circuit to converge the overshooted voltage to the target voltage. According to one aspect of the present invention, it is possible to prevent the voltage of the data voltage output terminal from overshooting the target voltage, so that the voltage can be converged to the target voltage in a short time.

また本発明の一態様では、前記可変抵抗回路は、前記増幅回路の出力ノードと前記データ電圧出力端子との間に設けられる第1〜第nの抵抗(nは2以上の整数)及び第1〜第nのスイッチを有し、前記抵抗制御回路は、前記第1〜第nのスイッチの各スイッチをオン又はオフに制御することで、前記可変抵抗回路の抵抗値を制御してもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the variable resistance circuit includes first to nth resistances (n is an integer of 2 or more) and a first resistance provided between an output node of the amplifier circuit and the data voltage output terminal. It may have an nth switch, and the resistance control circuit may control the resistance value of the variable resistance circuit by controlling each switch of the first to nth switches to be on or off.

このように、抵抗制御回路が第1〜第nのスイッチの各スイッチをオン又はオフに制御することで、第1〜第nの抵抗のうち1又は複数の抵抗が、増幅回路の出力ノードとデータ電圧出力端子との間に接続される。これにより、駆動期間の切り替えタイミングにおいて、可変抵抗回路の抵抗値を第1の抵抗から第2の抵抗に切り替えられるようになる。 In this way, the resistance control circuit controls each of the first to nth switches to be turned on or off, so that one or more of the first to nth resistors are connected to the output node of the amplifier circuit. Connected to the data voltage output terminal. As a result, the resistance value of the variable resistance circuit can be switched from the first resistance to the second resistance at the switching timing of the driving period.

また本発明の一態様では、前記データ電圧出力端子に接続され、前記第1〜第nのスイッチの切り替えノイズを低減するノイズ補償動作を行うノイズ補償回路を含んでもよい。 Further, according to one aspect of the present invention, a noise compensation circuit that is connected to the data voltage output terminal and performs a noise compensation operation for reducing switching noise of the first to nth switches may be included.

第1〜第nのスイッチの切り替えノイズは、データ電圧出力端子の電圧のノイズになるので、画素への書き込み電圧の精度を低下させる可能性がある。本発明の一態様によれば、ノイズ補償回路が第1〜第nのスイッチの切り替えノイズを低減するので、データ電圧出力端子の電圧のノイズが低減され、画素への書き込み電圧を高精度にできる。 The switching noise of the first to n-th switches becomes noise of the voltage of the data voltage output terminal, and thus the accuracy of the writing voltage to the pixel may be reduced. According to one embodiment of the present invention, since the noise compensation circuit reduces switching noise of the first to nth switches, noise in the voltage of the data voltage output terminal is reduced and the writing voltage to the pixel can be made highly accurate. ..

また本発明の一態様では、前記ノイズ補償回路は、一端が前記データ電圧出力端子に接続され、前記第1〜第nのスイッチのサイズに対応した容量値を有する第1〜第nのキャパシターを有し、前記抵抗制御回路は、前記第1〜第nのスイッチの各スイッチがオンであるかオフであるかに応じて、前記第1〜第nのキャパシターの各キャパシターの他端の電圧を制御することで、前記切り替えノイズを補償してもよい。 In one aspect of the present invention, the noise compensation circuit includes first to nth capacitors having one end connected to the data voltage output terminal and having capacitance values corresponding to sizes of the first to nth switches. The resistance control circuit has a voltage of the other end of each of the first to nth capacitors according to whether each of the first to nth switches is on or off. The switching noise may be compensated by controlling.

第1〜第nのスイッチのサイズが大きいほど、その切り替えで生じるノイズ(電荷)が大きくなる。本発明の一態様によれば、第1〜第nのスイッチのサイズに対応した容量値を有する第1〜第nのキャパシターの一端がデータ電圧出力端子に接続され、その第1〜第nのキャパシターの他端の電圧が制御される。これにより、第1〜第nのスイッチの切り替えで生じるノイズ(電荷)を、そのサイズに対応した容量値の第1〜第nのキャパシターによって吸収できる。 The larger the size of the first to nth switches, the larger the noise (charge) generated by the switching. According to one aspect of the present invention, one ends of the first to nth capacitors having capacitance values corresponding to the sizes of the first to nth switches are connected to the data voltage output terminal, and the first to nth capacitors are connected. The voltage at the other end of the capacitor is controlled. Accordingly, noise (charge) generated by switching the first to nth switches can be absorbed by the first to nth capacitors having a capacitance value corresponding to the size.

また本発明の一態様では、前記可変抵抗回路は、制御電圧に応じて抵抗値が可変に制御される可変抵抗素子を有し、前記抵抗制御回路は、前記制御電圧を変化させることで、前記可変抵抗回路の抵抗値を制御してもよい。 Further, in one aspect of the present invention, the variable resistance circuit includes a variable resistance element whose resistance value is variably controlled according to a control voltage, and the resistance control circuit changes the control voltage, The resistance value of the variable resistance circuit may be controlled.

このようにすれば、抵抗制御回路が制御電圧を変化させることで、可変抵抗素子(可変抵抗回路)の抵抗値を切り替えタイミングで切り替えられるようになる。 With this configuration, the resistance control circuit changes the control voltage, so that the resistance value of the variable resistance element (variable resistance circuit) can be switched at the switching timing.

また本発明の一態様では、前記第1の抵抗値を設定するための第1の設定値と、前記第2の抵抗値を設定するための第2の設定値とを記憶するレジスターを含み、前記抵抗制御回路は、前記第1の設定値と前記第2の設定値に基づいて、前記可変抵抗回路の抵抗値を前記第1の抵抗値から前記第2の抵抗値に切り替えてもよい。 Further, according to one aspect of the present invention, a register that stores a first setting value for setting the first resistance value and a second setting value for setting the second resistance value is included, The resistance control circuit may switch the resistance value of the variable resistance circuit from the first resistance value to the second resistance value based on the first set value and the second set value.

このようにすれば、レジスターに設定された第1、第2の設定値に基づいて、切り替えタイミングで可変抵抗回路の抵抗値を第1の抵抗値から第2の抵抗値に切り替えられるようになる。また、レジスターに第1、第2の設定値を設定できることで、電気光学パネルの種類(例えば機種等)に応じて最適な第1、第2の抵抗値を設定できる。 With this configuration, the resistance value of the variable resistance circuit can be switched from the first resistance value to the second resistance value at the switching timing based on the first and second setting values set in the register. .. Moreover, since the first and second set values can be set in the register, the optimum first and second resistance values can be set according to the type (for example, model) of the electro-optical panel.

また本発明の一態様では、前記第1の抵抗値に対する前記第2の抵抗値の比は2以上であってもよい。 Further, in one aspect of the present invention, a ratio of the second resistance value to the first resistance value may be 2 or more.

増幅回路から見た負荷は、可変抵抗回路の抵抗と電気光学パネルのデータ線及びソース線の容量である。電気光学パネルの静電保護抵抗が第2の抵抗値より十分小さいと仮定すると、第1の抵抗値に対する第2の抵抗値の比が2以上のとき、負荷の周波数特性が切り替えタイミングを境に約2倍以上になる。この周波数特性の比が2〜4倍程度であれば、増幅回路のフィードバックループの安定性を確保できると考えられるので、第1の抵抗値に対する第2の抵抗値の比が2以上であることで安定性を確保できる。 The load viewed from the amplifier circuit is the resistance of the variable resistance circuit and the capacitance of the data line and the source line of the electro-optical panel. Assuming that the electrostatic protection resistance of the electro-optical panel is sufficiently smaller than the second resistance value, when the ratio of the second resistance value to the first resistance value is 2 or more, the frequency characteristic of the load is at the switching timing. It will be more than doubled. If the ratio of the frequency characteristics is about 2 to 4 times, it is considered that the stability of the feedback loop of the amplifier circuit can be ensured. Therefore, the ratio of the second resistance value to the first resistance value should be 2 or more. Can ensure stability.

また本発明の一態様では、前記増幅回路は、非反転入力端子に基準電圧が入力される演算増幅器と、前記増幅回路の入力ノードと前記演算増幅器の反転入力端子との間に設けられる第1の抵抗と、前記演算増幅器の出力端子と前記反転入力端子との間に設けられる第2の抵抗と、を有してもよい。 In one aspect of the present invention, the amplifier circuit is provided between an operational amplifier having a non-inverting input terminal to which a reference voltage is input, and an input node of the amplifier circuit and an inverting input terminal of the operational amplifier. And a second resistor provided between the output terminal of the operational amplifier and the inverting input terminal.

この増幅回路は反転増幅回路である。反転増幅回路を採用したことで、演算増幅器の差動対の動作点が基準電圧に限定されるので、演算増幅器を高感度化(高ゲイン化)できるようになる。また、反転増幅回路では入力に対して出力の位相が180度回っているので位相余裕を確保できる帯域が広がり、周波数応答特性を向上できる。このような高感度化や広帯域化によって高速な書き込みに対して有利になるが、例えば電気光学パネルからのノイズ等によってデータ電圧の安定性が低下するおそれがある。本発明の一態様によれば、切り替えタイミングで可変抵抗回路の抵抗値を高抵抗値(第2の抵抗値)に切り替えることで、データ電圧の安定性を向上できる。 This amplifier circuit is an inverting amplifier circuit. By adopting the inverting amplifier circuit, the operating point of the differential pair of the operational amplifier is limited to the reference voltage, so that the operational amplifier can be made highly sensitive (high gain). Further, in the inverting amplifier circuit, the output phase is rotated by 180 degrees with respect to the input, so that the band in which the phase margin can be secured is widened, and the frequency response characteristic can be improved. Such higher sensitivity and wider band are advantageous for high-speed writing, but the stability of the data voltage may be deteriorated due to noise from the electro-optical panel, for example. According to one aspect of the present invention, the stability of the data voltage can be improved by switching the resistance value of the variable resistance circuit to the high resistance value (second resistance value) at the switching timing.

また本発明の他の態様は、データ電圧出力端子と、データ電圧を出力する増幅回路と、前記増幅回路の出力ノードと前記データ電圧出力端子との間に設けられる可変抵抗回路と、を有する駆動回路と、駆動期間の切り替えタイミングにおいて、前記可変抵抗回路の抵抗値を第1の抵抗値から前記第1の抵抗値より高い第2の抵抗値に切り替える制御を行う抵抗制御回路と、を含み、前記抵抗制御回路は、前記データ電圧出力端子の電圧が、目標電圧である前記データ電圧に到達する前の前記切り替えタイミングで前記可変抵抗回路の抵抗値を前記第1の抵抗値から前記第2の抵抗値に切り替える表示ドライバーに関係する。 Another aspect of the present invention is a drive having a data voltage output terminal, an amplifier circuit for outputting a data voltage, and a variable resistance circuit provided between an output node of the amplifier circuit and the data voltage output terminal. A circuit and a resistance control circuit that performs control to switch the resistance value of the variable resistance circuit from a first resistance value to a second resistance value higher than the first resistance value at a switching timing of a driving period, The resistance control circuit changes the resistance value of the variable resistance circuit from the first resistance value to the second resistance value at the switching timing before the voltage of the data voltage output terminal reaches the data voltage that is the target voltage. Related to the display driver that switches to resistance.

本発明の他の態様によれば、切り替えタイミングで可変抵抗回路の抵抗値を第1の抵抗値から、それより高い第2の抵抗値に切り替える。これにより、切り替えタイミングより前の期間では電気光学パネルのソース線(画素)に対して高速に電荷を供給でき、ソース線の電圧を急峻に変化させることができる。一方、切り替えタイミングより後の期間では電気光学パネルのデータ線及びソース線の容量と増幅回路の出力ノードとの間の抵抗値が高くなり、増幅回路が出力する電圧(データ電圧)の安定性を確保できる。また、仮にデータ電圧出力端子の電圧が目標電圧をオーバーシュートすると、そのオーバーシュートした電圧を増幅回路が目標電圧に収束させるために余分な時間がかかる。本発明の他の態様によれば、データ電圧出力端子の電圧が目標電圧をオーバーシュートすることを回避できるので、短時間で電圧を目標電圧へ収束させることができる。以上のようにして、画素への高速な書き込みとデータ電圧の安定性との両方を実現できる。 According to another aspect of the present invention, the resistance value of the variable resistance circuit is switched from the first resistance value to the second resistance value higher than that at the switching timing. Thus, in the period before the switching timing, electric charges can be supplied to the source line (pixel) of the electro-optical panel at high speed, and the voltage of the source line can be changed sharply. On the other hand, in the period after the switching timing, the resistance value between the capacitance of the data line and the source line of the electro-optical panel and the output node of the amplifier circuit becomes high, and the stability of the voltage (data voltage) output by the amplifier circuit is improved. Can be secured. Further, if the voltage of the data voltage output terminal overshoots the target voltage, it takes extra time for the amplifier circuit to converge the overshooted voltage to the target voltage. According to another aspect of the present invention, it is possible to prevent the voltage of the data voltage output terminal from overshooting the target voltage, so that the voltage can be converged to the target voltage in a short time. As described above, both high-speed writing to the pixel and stability of the data voltage can be realized.

また本発明の更に他の態様は、上記のいずれかに記載の表示ドライバーと、前記表示ドライバーにより駆動される電気光学パネルと、を含む電気光学装置に関係する。 Still another aspect of the present invention relates to an electro-optical device including the display driver according to any one of the above, and an electro-optical panel driven by the display driver.

また本発明の更に他の態様は、上記のいずれかに記載の表示ドライバーを含む電子機器に関係する。 Still another aspect of the present invention relates to an electronic device including the display driver according to any one of the above.

高スルーレートな増幅回路を用いると共に、増幅回路の出力から画素までの抵抗を低抵抗にした場合のデータ電圧出力端子の電圧の波形例。An example of the waveform of the voltage at the data voltage output terminal when a high slew rate amplifier circuit is used and the resistance from the output of the amplifier circuit to the pixel is low. 電気光学パネルのソース線にデータ電圧をサンプリングする際の、イネーブル信号の波形とデータ電圧出力端子の電圧の波形例。An example of the waveform of the enable signal and the voltage of the data voltage output terminal when sampling the data voltage on the source line of the electro-optical panel. 本実施形態の表示ドライバーの構成例。6 is a configuration example of a display driver of the present embodiment. 本実施形態の表示ドライバーの動作を説明する図。The figure explaining operation|movement of the display driver of this embodiment. 切り替えタイミングをデータ電圧出力端子の電圧が目標電圧に到達するよりも前に設定した場合の波形例。Waveform example when the switching timing is set before the voltage of the data voltage output terminal reaches the target voltage. 切り替えタイミングをデータ電圧出力端子の電圧が目標電圧に到達した後に設定した場合の波形例。Waveform example when the switching timing is set after the voltage of the data voltage output terminal reaches the target voltage. 可変抵抗回路及び抵抗制御回路の第1の詳細な構成例。The 1st detailed structural example of a variable resistance circuit and a resistance control circuit. ノイズ補償回路を含む場合の表示ドライバーの構成例。A configuration example of a display driver including a noise compensation circuit. ノイズ補償回路を含む表示ドライバーの動作を説明するタイミングチャート。6 is a timing chart illustrating the operation of a display driver including a noise compensation circuit. 可変抵抗回路及び抵抗制御回路の第2の詳細な構成例。The 2nd detailed example of composition of a variable resistance circuit and a resistance control circuit. MR素子である場合の可変抵抗素子の構成例。6 is a configuration example of a variable resistance element in the case of an MR element. ラダー抵抗回路、D/A変換回路、増幅回路の詳細な構成例。A detailed configuration example of a ladder resistance circuit, a D/A conversion circuit, and an amplification circuit. 電気光学装置の構成例。An example of composition of an electro-optical device. 電子機器の構成例。The structural example of an electronic device.

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. Note that the present embodiment described below does not unreasonably limit the content of the present invention described in the claims, and all the configurations described in the present embodiment are essential as a solution means of the present invention. Not necessarily.

1.表示ドライバー
上述したように、画素への高速な書き込みを可能にするために増幅回路の高速化を行った場合、増幅回路の高速な応答性によってデータ電圧の安定性が影響を受ける。この点について、図1、図2を用いて説明する。
1. Display Driver As described above, when the speed of the amplifier circuit is increased to enable high-speed writing to the pixel, the stability of the data voltage is affected by the high-speed response of the amplifier circuit. This point will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

画素への高速な書き込みを可能にするためには、増幅回路の高速化と共に、増幅回路の出力から画素(ソース線)までの抵抗の抵抗値を出来るだけ小さくしておく必要がある。例えば、表示ドライバーにおいて増幅回路の出力ノードとデータ電圧出力端子との間に設けられる抵抗や、電気光学パネルのデータ線(データ電圧入力端子に接続される配線)に設けられる静電保護用の抵抗である。これらの抵抗の抵抗値を小さくしておくことで、増幅回路の出力から画素までの電荷移動が速くなり、画素への書き込みが高速化される。 In order to enable high-speed writing to the pixel, it is necessary to increase the speed of the amplifier circuit and reduce the resistance value of the resistance from the output of the amplifier circuit to the pixel (source line) as much as possible. For example, a resistance provided between the output node of the amplifier circuit and the data voltage output terminal in the display driver, or a resistance for electrostatic protection provided in the data line (wiring connected to the data voltage input terminal) of the electro-optical panel. Is. By reducing the resistance value of these resistors, the charge transfer from the output of the amplifier circuit to the pixel is accelerated, and the writing to the pixel is accelerated.

図1は、高スルーレートな増幅回路を用いると共に、増幅回路の出力から画素までの抵抗を低抵抗にした場合のデータ電圧出力端子の電圧の波形例である。図1では、増幅回路が、駆動期間TDRにおいてデータ電圧出力端子の電圧を電圧VTAから電圧VTB(目標電圧)に駆動している。駆動期間TDRは、増幅回路が1つの画素を駆動する期間である。 FIG. 1 is a waveform example of the voltage of the data voltage output terminal when a high slew rate amplifier circuit is used and the resistance from the output of the amplifier circuit to the pixel is low. In FIG. 1, the amplifier circuit drives the voltage of the data voltage output terminal from the voltage VTA to the voltage VTB (target voltage) in the driving period TDR. The driving period TDR is a period in which the amplifier circuit drives one pixel.

図1に示すように、高スルーレートな増幅回路を用いると共に、増幅回路の出力から画素までの抵抗を低抵抗値にしたことで、データ電圧出力端子の電圧がVTAからVTBに向かって急峻に変化する。しかし、目標電圧であるVTBをオーバーシュートし、そのオーバーシュートした電圧にフィードバックがかかることで、データ電圧出力端子の電圧が振動しながら目標電圧VTBに漸近していく。このような振動が生じるのは、電気光学パネルのデータ線及びソース線(画素に接続される配線)の容量が、低抵抗値の抵抗を介して増幅回路の出力から見えることによって、増幅回路のフィードバックループの安定性が低下するためと考えられる。 As shown in FIG. 1, by using a high slew rate amplifier circuit and setting the resistance from the output of the amplifier circuit to the pixel to a low resistance value, the voltage of the data voltage output terminal sharply increases from VTA to VTB. Change. However, by overshooting the target voltage VTB and applying feedback to the overshot voltage, the voltage at the data voltage output terminal oscillates and gradually approaches the target voltage VTB. Such vibration occurs because the capacitance of the data line and the source line (wiring connected to the pixel) of the electro-optical panel is seen from the output of the amplifier circuit through the low resistance value resistor. This is probably because the stability of the feedback loop is reduced.

図1のような振動が生じた場合、駆動期間TDRの終了時点でのデータ電圧出力端子の電圧と、目標電圧VTBとの間に誤差が生じる。振動の波形は増幅回路の特性に依存しているため、増幅回路の特性のばらつきによって振動の波形もばらつく。このため、表示ドライバーが有する複数の増幅回路の各々で、書き込み電圧の誤差が異なり、表示品質を低下させる。例えば、表示画像に縦縞のようなムラ(帯ムラ)が発生する。 When the vibration as shown in FIG. 1 occurs, an error occurs between the voltage of the data voltage output terminal at the end of the driving period TDR and the target voltage VTB. Since the waveform of vibration depends on the characteristics of the amplifier circuit, the waveform of vibration also varies due to variations in the characteristics of the amplifier circuit. Therefore, the error of the write voltage is different in each of the plurality of amplifier circuits included in the display driver, and the display quality is deteriorated. For example, unevenness (belt unevenness) such as vertical stripes occurs in the display image.

図2は、電気光学パネルのソース線にデータ電圧をサンプリングする際の、イネーブル信号の波形とデータ電圧出力端子の電圧の波形例である。図1と同様に、高スルーレートな増幅回路を用いると共に、増幅回路の出力から画素までの抵抗を低抵抗にした場合の波形例を示す。 FIG. 2 shows an example of the waveform of the enable signal and the waveform of the voltage of the data voltage output terminal when sampling the data voltage on the source line of the electro-optical panel. Similar to FIG. 1, an example of a waveform when a high slew rate amplifier circuit is used and the resistance from the output of the amplifier circuit to the pixel is made low is shown.

電気光学パネルには、データ電圧入力端子(データ線)とソース線との間に、ソース線にデータ電圧をサンプリングするためのスイッチが設けられている。イネーブル信号は、このスイッチをオン又はオフに制御するための信号である。スイッチがN型トランジスターであるとすると、イネーブル信号がハイレベルからローレベルに変化したときにスイッチがオフになり、ソース線の電圧が確定する。 In the electro-optical panel, a switch for sampling the data voltage on the source line is provided between the data voltage input terminal (data line) and the source line. The enable signal is a signal for controlling the switch to be turned on or off. If the switch is an N-type transistor, the switch is turned off when the enable signal changes from the high level to the low level, and the voltage of the source line is fixed.

スイッチのN型トランジスターのゲートとデータ線との間には寄生容量があるので、イネーブル信号がハイレベルからローレベルに変化し始めたとき、容量カップリングによってデータ線の電圧が低下する。そして、この電圧低下によって増幅回路の出力ノードの電圧が低下する。表示ドライバーの増幅回路は、一定のデータ電圧(目標電圧)を出力しようとするので、低下した出力ノードの電圧を上昇させようとする。このようなフィードバックによって、出力ノードの電圧に振動(ノイズ)が発生し、それがソース線に伝搬する。画素の駆動期間の一例としては30〜40nsであり、それに対してイネーブル信号の信号レベルの遷移時間は10ns程度である。30〜40nsの駆動期間で画素に書き込みができるような高速な増幅回路を用いているので、イネーブル信号の電圧変化に対して増幅回路が応答してしまい、上記のような電圧の振動が発生する。 Since there is a parasitic capacitance between the gate of the N-type transistor of the switch and the data line, when the enable signal starts changing from the high level to the low level, the voltage of the data line drops due to the capacitive coupling. Then, due to this voltage drop, the voltage of the output node of the amplifier circuit drops. Since the amplifier circuit of the display driver tries to output a constant data voltage (target voltage), it tries to increase the voltage of the lowered output node. Such feedback causes oscillation (noise) in the voltage of the output node, which propagates to the source line. An example of the driving period of the pixel is 30 to 40 ns, while the transition time of the signal level of the enable signal is about 10 ns. Since a high-speed amplifier circuit capable of writing data to a pixel in a driving period of 30 to 40 ns is used, the amplifier circuit responds to the voltage change of the enable signal, and the above-mentioned voltage oscillation occurs. ..

電気光学パネルのスイッチがオフになるのは、イネーブル信号の電圧がN型トランジスターの閾値電圧Vthより低くなったときなので、その瞬間でのソース線の電圧が目標電圧からずれていると、ソース線にサンプリングされる電圧に誤差が発生する。この振動の波形は増幅回路の特性に依存しているため、増幅回路の特性のばらつきによって振動の波形もばらつく。このため、表示ドライバーが有する複数の増幅回路の各々で、書き込み電圧の誤差が異なり、表示品質を低下させる。例えば、表示画像に縦縞のようなムラ(帯ムラ)が発生する。 The switch of the electro-optical panel is turned off when the voltage of the enable signal becomes lower than the threshold voltage Vth of the N-type transistor. Therefore, if the voltage of the source line at that moment deviates from the target voltage, the source line An error occurs in the voltage sampled at. Since the waveform of this vibration depends on the characteristics of the amplifier circuit, the waveform of the vibration also varies due to variations in the characteristics of the amplifier circuit. Therefore, the error of the write voltage is different in each of the plurality of amplifier circuits included in the display driver, and the display quality is deteriorated. For example, unevenness (belt unevenness) such as vertical stripes occurs in the display image.

以上のように、画素の書き込みを高速化することによって、増幅回路が出力する電圧の安定性が低下し、表示品質を低下させる。これを抑制するためには、増幅回路の出力ノードとデータ電圧出力端子との間に設けられる抵抗の抵抗値を大きくする手法が考えられる。しかしながら、増幅回路の出力から画素までの電荷移動が遅くなるため、駆動時間内に画素への書き込みを完了できなくなる。 As described above, by speeding up the writing of pixels, the stability of the voltage output from the amplifier circuit deteriorates, and the display quality deteriorates. In order to suppress this, a method of increasing the resistance value of a resistor provided between the output node of the amplifier circuit and the data voltage output terminal can be considered. However, since the charge transfer from the output of the amplifier circuit to the pixel is delayed, the writing to the pixel cannot be completed within the driving time.

図3は、上記のような課題を解決できる本実施形態の表示ドライバー100の構成例である。表示ドライバー100は、駆動回路190と、抵抗制御回路194と、データ電圧出力端子TQと、を含む。また表示ドライバー100は、ラダー抵抗回路50(広義には階調電圧生成回路)と、D/A変換回路10と、メモリー55(記憶部)と、を含むことができる。表示ドライバー100は、例えば集積回路装置(IC)により実現される。なお、本実施形態は図3の構成に限定されず、その構成要素の一部(例えばラダー抵抗回路)を省略したり、他の構成要素を追加したりする等の種々の変形実施が可能である。 FIG. 3 is a configuration example of the display driver 100 of the present embodiment that can solve the above problems. The display driver 100 includes a drive circuit 190, a resistance control circuit 194, and a data voltage output terminal TQ. Further, the display driver 100 can include a ladder resistance circuit 50 (gray scale voltage generation circuit in a broad sense), a D/A conversion circuit 10, and a memory 55 (storage unit). The display driver 100 is realized by, for example, an integrated circuit device (IC). Note that the present embodiment is not limited to the configuration of FIG. 3, and various modifications such as omission of a part of the components (for example, a ladder resistance circuit) or addition of other components are possible. is there.

ラダー抵抗回路50は、2つの電圧(例えば高電位側電源電圧と低電位側電源電圧)の間をラダー抵抗により抵抗分割し、表示データGRD[6:0]の階調値に対応した128個の電圧(複数の電圧)を生成する。 The ladder resistance circuit 50 resistance-divides two voltages (for example, a high-potential-side power supply voltage and a low-potential-side power supply voltage) with a ladder resistance, and 128 pieces corresponding to the gradation value of the display data GRD [6:0]. To generate a voltage (a plurality of voltages) of.

D/A変換回路10は、表示データGRD[6:0]を階調電圧VDAに変換する。即ち、D/A変換回路10は、ラダー抵抗回路50が生成した128個の電圧から表示データGRD[6:0]に対応した電圧を選択し、その選択した電圧を階調電圧VDAとして出力する。例えば、階調電圧VDAは階調値に対して線形な電圧である。或いは、階調電圧VDAは、階調値に対して所与のガンマ特性を有する電圧であってもよい。 The D/A conversion circuit 10 converts the display data GRD[6:0] into the gradation voltage VDA. That is, the D/A conversion circuit 10 selects a voltage corresponding to the display data GRD[6:0] from the 128 voltages generated by the ladder resistance circuit 50, and outputs the selected voltage as the gradation voltage VDA. .. For example, the gradation voltage VDA is a linear voltage with respect to the gradation value. Alternatively, the gradation voltage VDA may be a voltage having a given gamma characteristic with respect to the gradation value.

駆動回路190は、データ電圧出力端子TQからデータ電圧を出力して電気光学パネルのデータ線を駆動する。駆動回路190は、データ電圧を出力する増幅回路20と、増幅回路20の出力ノードNQとデータ電圧出力端子TQとの間に設けられる可変抵抗回路192と、を有する。 The drive circuit 190 outputs a data voltage from the data voltage output terminal TQ to drive the data line of the electro-optical panel. The drive circuit 190 includes an amplifier circuit 20 that outputs a data voltage, and a variable resistance circuit 192 that is provided between the output node NQ of the amplifier circuit 20 and the data voltage output terminal TQ.

具体的には、可変抵抗回路192は、その抵抗値が可変に制御される回路である。可変抵抗回路192の一端は増幅回路20の出力ノードNQに接続され、他端は、データ電圧出力端子TQに接続されるノードNTに接続される。可変抵抗回路192は、一端がノードNQに接続されるスイッチSAA1、SAA2(例えばトランジスター)と、一端がノードNTに接続されるスイッチSAB1、SAB2(例えばトランジスター)と、抵抗RA1、RA2とを含む。抵抗RA1、RA2の一端は、各々、スイッチSAA1、SAA2の他端に接続され、抵抗RA1、RA2の他端は、各々、スイッチSAA1、SAA2の他端に接続される。なお、可変抵抗回路192の構成はこれに限定されない。例えば、図3では抵抗値が離散的に制御されるが、可変抵抗回路192は抵抗値が連続的に制御されてもよい。 Specifically, the variable resistance circuit 192 is a circuit whose resistance value is variably controlled. One end of the variable resistance circuit 192 is connected to the output node NQ of the amplifier circuit 20, and the other end is connected to the node NT connected to the data voltage output terminal TQ. The variable resistance circuit 192 includes switches SAA1 and SAA2 (for example, transistors) whose one ends are connected to the node NQ, switches SAB1 and SAB2 (for example, transistors) whose one ends are connected to the node NT, and resistors RA1 and RA2. One ends of the resistors RA1 and RA2 are connected to the other ends of the switches SAA1 and SAA2, respectively, and the other ends of the resistors RA1 and RA2 are connected to the other ends of the switches SAA1 and SAA2, respectively. The configuration of the variable resistance circuit 192 is not limited to this. For example, although the resistance value is discretely controlled in FIG. 3, the resistance value of the variable resistance circuit 192 may be continuously controlled.

増幅回路20は、階調電圧VDAを増幅(又はバッファリング)し、階調電圧VDAをゲイン倍した電圧をデータ電圧として出力する。増幅回路20の出力電圧VQとデータ電圧出力端子TQの電圧VT(ノードNTの電圧)は、駆動期間において過渡的に変化する電圧であり、可変抵抗回路192を介した電荷移動が収束するとVQ、VTが同じ電圧となり、VQ、VTが目標電圧になる。目標電圧は、表示データGRD[6:0]に対応したデータ電圧である。例えば増幅回路20がゲイン−1の反転増幅回路である場合、表示データGRD[6:0]に対応して選択された階調電圧VDAに対して目標電圧は−1×VDAである。 The amplifier circuit 20 amplifies (or buffers) the gradation voltage VDA and outputs a voltage obtained by multiplying the gradation voltage VDA by a gain as a data voltage. The output voltage VQ of the amplifier circuit 20 and the voltage VT of the data voltage output terminal TQ (voltage of the node NT) are voltages that transiently change during the driving period, and VQ when the charge transfer through the variable resistance circuit 192 converges, VT becomes the same voltage, and VQ and VT become the target voltage. The target voltage is a data voltage corresponding to the display data GRD[6:0]. For example, when the amplifier circuit 20 is an inverting amplifier circuit with a gain of -1, the target voltage is -1xVDA with respect to the grayscale voltage VDA selected corresponding to the display data GRD[6:0].

抵抗制御回路194は、駆動期間の切り替えタイミングにおいて、可変抵抗回路192の抵抗値を第1の抵抗値から第1の抵抗値より高い第2の抵抗値に切り替える制御を行う。例えば、抵抗制御回路194には、表示ドライバー100のタイミングコントローラー(例えば図13の制御回路180)から、駆動期間を規定する信号やクロック信号が入力される。抵抗制御回路194は、それらの信号に基づいて抵抗値の切り替えタイミングを制御し、その切り替えタイミングで可変抵抗回路192のスイッチSAA1、SAB1、SAA2、SAB2をオン又はオフに制御する。抵抗制御回路194は、ロジック回路により実現される。なお、抵抗制御回路194は、タイミングコントローラーと共に一体のロジック回路として構成されてもよい。 The resistance control circuit 194 performs control to switch the resistance value of the variable resistance circuit 192 from the first resistance value to the second resistance value higher than the first resistance value at the drive timing switching timing. For example, the resistance control circuit 194 receives a signal or a clock signal that defines a drive period from the timing controller of the display driver 100 (for example, the control circuit 180 in FIG. 13). The resistance control circuit 194 controls the switching timing of the resistance value based on those signals, and controls the switches SAA1, SAB1, SAA2, SAB2 of the variable resistance circuit 192 to be turned on or off at the switching timing. The resistance control circuit 194 is realized by a logic circuit. The resistance control circuit 194 may be configured as an integrated logic circuit together with the timing controller.

駆動期間とは、駆動回路190(増幅回路20)が電気光学パネルの1つの画素を駆動する期間である。例えば、その画素に接続されるソース線にデータ電圧をサンプリングするスイッチがオンになっている期間である。或いは、駆動回路190が、表示データGRD[6:0]に対応するデータ電圧での駆動を開始してから、次の表示データGRD[6:0]に対応するデータ電圧での駆動を開始するまでの期間である。 The drive period is a period in which the drive circuit 190 (amplifier circuit 20) drives one pixel of the electro-optical panel. For example, it is a period in which the switch for sampling the data voltage on the source line connected to the pixel is on. Alternatively, the drive circuit 190 starts driving at the data voltage corresponding to the display data GRD[6:0] and then starts driving at the data voltage corresponding to the next display data GRD[6:0]. Until.

図4は、本実施形態の表示ドライバー100の動作を説明する図である。図4に示すように、駆動回路190は、駆動期間TDR1(第1の駆動期間)では、表示データGRD1(第1の表示データ)に対応するデータ電圧VT1(第1のデータ電圧)をデータ電圧出力端子TQに出力する。駆動期間TDR1の次の駆動期間TDR2(第2の駆動期間)では、表示データGRD2(第2の表示データ)に対応するデータ電圧VT2(第2のデータ電圧)をデータ電圧出力端子TQに出力する。 FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the display driver 100 of this embodiment. As shown in FIG. 4, in the driving period TDR1 (first driving period), the driving circuit 190 changes the data voltage VT1 (first data voltage) corresponding to the display data GRD1 (first display data) to the data voltage. Output to the output terminal TQ. In the driving period TDR2 (second driving period) next to the driving period TDR1, the data voltage VT2 (second data voltage) corresponding to the display data GRD2 (second display data) is output to the data voltage output terminal TQ. ..

具体的には、D/A変換回路80が表示データGRD[6:0]をラッチする。例えば、このラッチタイミングによって駆動期間が規定される。駆動期間TDR1の開始時に表示データGRD1がラッチされ、駆動期間TDR2の開始時に表示データGRD2がラッチされる。D/A変換回路10は、駆動期間TDR1において表示データGRD1をD/A変換して階調電圧VDA1を出力し、増幅回路20は、階調電圧VDA1を増幅してデータ電圧VT1を出力する。またD/A変換回路10は、駆動期間TDR2において表示データGRD2をD/A変換して階調電圧VDA2を出力し、増幅回路20は、階調電圧VDA2を増幅してデータ電圧VT2を出力する。 Specifically, the D/A conversion circuit 80 latches the display data GRD[6:0]. For example, the driving period is defined by this latch timing. The display data GRD1 is latched at the start of the driving period TDR1 and the display data GRD2 is latched at the start of the driving period TDR2. The D/A conversion circuit 10 D/A converts the display data GRD1 in the driving period TDR1 and outputs the gradation voltage VDA1, and the amplification circuit 20 amplifies the gradation voltage VDA1 and outputs the data voltage VT1. Further, the D/A conversion circuit 10 D/A converts the display data GRD2 in the driving period TDR2 to output the gradation voltage VDA2, and the amplification circuit 20 amplifies the gradation voltage VDA2 and outputs the data voltage VT2. ..

抵抗制御回路194は、駆動期間TDR2において、データ電圧VT1とデータ電圧VT2の差DFB=|VT1−VT2|が大きいほど遅くなる切り替えタイミングta2で可変抵抗回路192の抵抗値を第1の抵抗値から第2の抵抗値に切り替える。 In the driving period TDR2, the resistance control circuit 194 changes the resistance value of the variable resistance circuit 192 from the first resistance value at the switching timing ta2 that becomes slower as the difference DFB=|VT1-VT2| between the data voltage VT1 and the data voltage VT2 increases. Switch to the second resistance value.

例えば、駆動期間TDR2の開始から切り替えタイミングta2までの期間TDA2(第1の期間)では、可変抵抗回路192のスイッチSAA1、SAB1、SAA2、SAB2がオンであり、切り替えタイミングta2から駆動期間TDR2の終了までの期間TDB2(第2の期間)では、スイッチSAA1、SAB1がオフであり、スイッチSAA2、SAB2がオフである。この場合、第1の抵抗値はRA1×RA2/(RA1+RA2)であり、第2の抵抗値はRA2であり、第2の抵抗値は第1の抵抗値よりも高い。 For example, in the period TDA2 (first period) from the start of the driving period TDR2 to the switching timing ta2, the switches SAA1, SAB1, SAA2, SAB2 of the variable resistance circuit 192 are on, and the driving period TDR2 ends from the switching timing ta2. In the period TDB2 (second period) up to, the switches SAA1 and SAB1 are off, and the switches SAA2 and SAB2 are off. In this case, the first resistance value is RA1×RA2/(RA1+RA2), the second resistance value is RA2, and the second resistance value is higher than the first resistance value.

駆動期間TDR1の前の駆動期間においてデータ電圧がVT0であり、DFA=|VT0−VTA1|<DFBだったとする。このとき、駆動期間TDR2の期間TDA2は、駆動期間TDR1の開始から切り替えタイミングta1までの期間TDA1より長い。このように、駆動期間において駆動回路190が変化させるデータ電圧の電圧差(変化幅)が大きいほど、切り替えタイミングが遅くなる。なお、期間TDA1ではスイッチSAA1、SAB1、SAA2、SAB2がオンであり、切り替えタイミングta1から駆動期間TDR1の終了までの期間TDB1では、スイッチSAA1、SAB1がオフであり、スイッチSAA2、SAB2がオフである。 It is assumed that the data voltage is VT0 and DFA=|VT0−VTA1|<DFB in the drive period before the drive period TDR1. At this time, the period TDA2 of the driving period TDR2 is longer than the period TDA1 from the start of the driving period TDR1 to the switching timing ta1. As described above, the larger the voltage difference (change width) of the data voltage changed by the drive circuit 190 in the drive period, the later the switching timing becomes. Note that the switches SAA1, SAB1, SAA2, and SAB2 are on in the period TDA1, and the switches SAA1 and SAB1 are off and the switches SAA2 and SAB2 are off in the period TDB1 from the switching timing ta1 to the end of the driving period TDR1. ..

以上の実施形態によれば、切り替えタイミングta2で可変抵抗回路192の抵抗値を第1の抵抗値から、それより高い第2の抵抗値に切り替える。これにより、切り替えタイミングta2より前の期間TDA2では可変抵抗回路192が相対的に低い第1の抵抗値に設定されるので、電気光学パネルのソース線(画素)に対して高速に電荷を供給でき、ソース線の電圧を急峻に変化させることができる。一方、切り替えタイミングta2より後の期間TDB2では可変抵抗回路192が相対的に高い第2の抵抗値に設定される。これにより、電気光学パネルのデータ線及びソース線の容量と増幅回路20の出力ノードNQとの間の抵抗値が高くなり、増幅回路20のフィードバックループの安定性を確保できる。また、電気光学パネルのスイッチ(ソース線にデータ電圧をサンプリングするためのスイッチ)がオフになる際にデータ電圧出力端子TQの電圧VTが変化したとしても、増幅回路20の出力ノードNQとデータ電圧出力端子TQとの間の抵抗値が高いので、出力ノードNQの電圧VQの変化が抑制される。これにより、高スルーレートの増幅回路20であっても、電気光学パネルのスイッチがオフした際のノイズに応答しにくくなり、画素への書き込み電圧を高精度にできる。 According to the above embodiment, the resistance value of the variable resistance circuit 192 is switched from the first resistance value to the second resistance value higher than the first resistance value at the switching timing ta2. As a result, the variable resistance circuit 192 is set to a relatively low first resistance value in the period TDA2 prior to the switching timing ta2, so that it is possible to rapidly supply charges to the source line (pixel) of the electro-optical panel. The voltage of the source line can be changed sharply. On the other hand, in the period TDB2 after the switching timing ta2, the variable resistance circuit 192 is set to the relatively high second resistance value. As a result, the resistance value between the capacitance of the data line and the source line of the electro-optical panel and the output node NQ of the amplifier circuit 20 becomes high, and the stability of the feedback loop of the amplifier circuit 20 can be secured. Further, even if the voltage VT of the data voltage output terminal TQ changes when the switch (switch for sampling the data voltage on the source line) of the electro-optical panel is turned off, the output node NQ of the amplifier circuit 20 and the data voltage Since the resistance value with the output terminal TQ is high, the change in the voltage VQ of the output node NQ is suppressed. As a result, even with the high slew rate amplifier circuit 20, it becomes difficult to respond to noise when the switch of the electro-optical panel is turned off, and the writing voltage to the pixel can be made highly accurate.

また、駆動期間TDR1でのデータ電圧VT1と駆動期間TDR2でのデータ電圧VT2の差に応じて切り替えタイミングta2を制御することで、最適な切り替えタイミングを実現できる。即ち、駆動期間の開始時では、増幅回路20の出力電圧VQと目標電圧(VT2)との差が大きいが、このときの電圧VTの時間変化の傾き(時間変化率)は、増幅回路20のスルーレートで決まっている。このため、データ電圧の差DFBが大きいほど、電圧VTが目標電圧付近になるまでの時間は長くなる。本実施形態では、データ電圧の差DFBが大きいほど、可変抵抗回路192の抵抗値を切り替えるタイミングta2が遅くなる。これにより、高速に画素を駆動する期間TDA2を最大限に確保しつつ、出来るだけ早いタイミングで可変抵抗回路192を高抵抗値に切り替えてデータ電圧を安定化できる。 Also, by controlling the switching timing ta2 according to the difference between the data voltage VT1 in the driving period TDR1 and the data voltage VT2 in the driving period TDR2, the optimum switching timing can be realized. That is, at the start of the driving period, the difference between the output voltage VQ of the amplifier circuit 20 and the target voltage (VT2) is large, but the slope of the time change (time change rate) of the voltage VT at this time is It is determined by the slew rate. Therefore, the larger the data voltage difference DFB, the longer the time until the voltage VT becomes close to the target voltage. In the present embodiment, the larger the data voltage difference DFB, the later the timing ta2 at which the resistance value of the variable resistance circuit 192 is switched. As a result, the variable resistance circuit 192 can be switched to a high resistance value and the data voltage can be stabilized at the earliest possible timing while ensuring the maximum period TDA2 for driving the pixel at high speed.

また本実施形態では、抵抗制御回路194は、表示データGRD1と表示データGRD2の差分値の大きさが大きいほど駆動期間TDR2での切り替えタイミングta2を遅くする制御を行う。 Further, in the present embodiment, the resistance control circuit 194 performs control such that the switching timing ta2 in the drive period TDR2 is delayed as the magnitude of the difference value between the display data GRD1 and the display data GRD2 increases.

差分値は、表示データGRD1の階調値と表示データGRD2の階調値との差分値である。即ち、差分値が大きいとは、階調差が大きいということである。例えば、抵抗制御回路194は、表示データGRD1、GRD2の差分値を演算する演算回路を有する。或いは、抵抗制御回路194の外部に設けられた演算回路(不図示)が、表示データGRD1、GRD2の差分値を演算し、その差分値が抵抗制御回路194に入力されてもよい。 The difference value is a difference value between the gradation value of the display data GRD1 and the gradation value of the display data GRD2. That is, a large difference value means a large gradation difference. For example, the resistance control circuit 194 includes an arithmetic circuit that calculates the difference value between the display data GRD1 and GRD2. Alternatively, an arithmetic circuit (not shown) provided outside the resistance control circuit 194 may calculate a difference value between the display data GRD1 and GRD2, and the difference value may be input to the resistance control circuit 194.

表示データGRD1と表示データGRD2の差分値が大きいほど、表示データGRD1に対応したデータ電圧VT1と表示データGRD2に対応したデータ電圧VT2との差が大きくなる。このため、表示データGRD1と表示データGRD2の差分値の大きさが大きいほど駆動期間TDR2での切り替えタイミングta2を遅くすることで、データ電圧VT1とデータ電圧VT2の差DFBが大きいほど遅くなる切り替えタイミングta2を実現できる。上述のように、データ電圧の差DFBが大きいほど、電圧VTが目標電圧付近になるまでの時間は長くなるが、本実施形態によれば、電圧VTが目標電圧付近になるまでの時間が長くなるのに合わせて、切り替えタイミングta2を遅くできる。 The larger the difference value between the display data GRD1 and the display data GRD2, the larger the difference between the data voltage VT1 corresponding to the display data GRD1 and the data voltage VT2 corresponding to the display data GRD2. Therefore, the switching timing ta2 in the driving period TDR2 is delayed as the difference value between the display data GRD1 and the display data GRD2 is larger, so that the switching timing becomes slower as the difference DFB between the data voltage VT1 and the data voltage VT2 is larger. Ta2 can be realized. As described above, the larger the data voltage difference DFB, the longer the time until the voltage VT becomes close to the target voltage. However, according to the present embodiment, the time until the voltage VT becomes close to the target voltage becomes longer. Accordingly, the switching timing ta2 can be delayed.

また本実施形態では、抵抗制御回路194は、上記の差分値と切り替えタイミングを対応付けるテーブルデータに基づいて、その差分値に対応する切り替えタイミングta2を設定する。 Further, in the present embodiment, the resistance control circuit 194 sets the switching timing ta2 corresponding to the difference value based on the table data that associates the difference value with the switching timing.

図3に示すように、メモリー55が、表示データの差分値と切り替えタイミングとを対応付けるテーブルデータ56を記憶している。そして、抵抗制御回路194が、テーブルデータ56を参照して、表示データGRD1、GRD2の差分値に対応する切り替えタイミングを読み出し、切り替えタイミングta2を設定する。テーブルデータ56として記憶される切り替えタイミングは、表示データの差分値が大きいほど遅くなる(駆動期間の開始から切り替えタイミングまでの期間の長さが、差分値に対して単調増加する)。例えば、表示ドライバー100の設計時に回路シミュレーション等によってテーブルデータを決定する。或いは、データ電圧出力端子TQの電圧VTの時間変化を測定し、その結果に基づいてテーブルデータを決定する。そして、表示ドライバー100の製造時等に、そのテーブルデータをメモリー55に書き込む。メモリー55は、例えば不揮発性メモリーである。 As shown in FIG. 3, the memory 55 stores table data 56 that associates the difference value of the display data with the switching timing. Then, the resistance control circuit 194 refers to the table data 56, reads the switching timing corresponding to the difference value between the display data GRD1 and GRD2, and sets the switching timing ta2. The switching timing stored as the table data 56 becomes slower as the difference value of the display data increases (the length of the period from the start of the driving period to the switching timing increases monotonically with respect to the difference value). For example, when designing the display driver 100, table data is determined by circuit simulation or the like. Alternatively, the time change of the voltage VT of the data voltage output terminal TQ is measured, and the table data is determined based on the result. Then, when the display driver 100 is manufactured, the table data is written in the memory 55. The memory 55 is, for example, a non-volatile memory.

このように、表示データの差分値と切り替えタイミングとを対応付けるテーブルデータ56に基づいて切り替えタイミングta2を設定することで、表示データの差分値の大きさが大きいほど切り替えタイミングta2を遅くできると共に、差分値に対して最適な切り替えタイミングta2を設定できるようになる。即ち、駆動期間の開始から、データ電圧出力端子TQの電圧VTが目標電圧付近まで到達するまでの時間は、表示データの差分値(データ電圧の差)に対して線形とは限らない。テーブルデータを用いることで、表示データの差分値に対して非線形な特性の切り替えタイミングを設定できるので、高速に画素を駆動できる期間(可変抵抗回路192が第1の抵抗値である期間)を最適化できる。 Thus, by setting the switching timing ta2 based on the table data 56 that associates the difference value of the display data with the switching timing, the switching timing ta2 can be delayed as the magnitude of the difference value of the display data increases, and the difference It becomes possible to set the optimum switching timing ta2 for the value. That is, the time from the start of the driving period until the voltage VT of the data voltage output terminal TQ reaches near the target voltage is not necessarily linear with respect to the difference value of display data (difference in data voltage). By using the table data, the switching timing of the non-linear characteristic with respect to the difference value of the display data can be set, so that the period in which the pixel can be driven at high speed (the period in which the variable resistance circuit 192 has the first resistance value) is optimal. Can be converted.

また、本実施形態では、抵抗制御回路194は、データ電圧出力端子TQの電圧VTが、目標電圧であるデータ電圧VT2に到達する前の切り替えタイミングta2で可変抵抗回路192の抵抗値を第1の抵抗値から第2の抵抗値に切り替える。 Further, in the present embodiment, the resistance control circuit 194 changes the resistance value of the variable resistance circuit 192 to the first value at the switching timing ta2 before the voltage VT of the data voltage output terminal TQ reaches the data voltage VT2 that is the target voltage. The resistance value is switched to the second resistance value.

電圧VTが目標電圧に到達する前とは、電圧VTが最初に目標電圧に到達するよりも前ということである。図4の駆動期間TDR2を例にとると、電圧VTがVT1から、目標電圧であるVT2に変化する。例えば、切り替えタイミングでの電圧VTがVT1+(VT2−VT1)/2≦VT<VT2となるように、切り替えタイミングを設定する。望ましくは、切り替えタイミングでの電圧VTがVT1+(VT2−VT1)×3/4≦VT<VT2となるように、切り替えタイミングを設定する。 Before the voltage VT reaches the target voltage is before the voltage VT first reaches the target voltage. Taking the drive period TDR2 of FIG. 4 as an example, the voltage VT changes from VT1 to VT2 which is the target voltage. For example, the switching timing is set so that the voltage VT at the switching timing is VT1+(VT2-VT1)/2≦VT<VT2. Desirably, the switching timing is set such that the voltage VT at the switching timing is VT1+(VT2-VT1)×3/4≦VT<VT2.

仮に、データ電圧出力端子TQの電圧VTが目標電圧をオーバーシュートすると、そのオーバーシュートした電圧を増幅回路20が目標電圧に収束させるために余分な時間がかかる。本実施形態によれば、データ電圧出力端子TQの電圧VTが目標電圧をオーバーシュートすることを回避できるので、短時間で電圧VTを目標電圧へ収束させることができる。この点について図5、図6を用いて説明する。 If the voltage VT of the data voltage output terminal TQ overshoots the target voltage, it takes extra time for the amplifier circuit 20 to converge the overshooted voltage to the target voltage. According to this embodiment, it is possible to prevent the voltage VT of the data voltage output terminal TQ from overshooting the target voltage, so that the voltage VT can be converged to the target voltage in a short time. This point will be described with reference to FIGS.

図5は、駆動期間TDRにおいて電圧VTをVTAからVTBに変化させ、切り替えタイミングtaを電圧VTが目標電圧(VTB)に到達するよりも前に設定した場合の波形例である。図5に示すように、切り替えタイミングtaまで電圧VTが急峻に変化する。切り替えタイミングtaで可変抵抗回路192が高抵抗値に切り替わるので、可変抵抗回路192と電気光学パネルの静電保護抵抗との間の分圧比が変化し、電圧VTが一次的に低下する。しかし、増幅回路20は切り替えタイミングta前と同方向に電圧VTを変化させようとしているため、切り替えタイミングta後はスムーズに電圧VTが目標電圧に漸近していく。 FIG. 5 is a waveform example when the voltage VT is changed from VTA to VTB in the driving period TDR and the switching timing ta is set before the voltage VT reaches the target voltage (VTB). As shown in FIG. 5, the voltage VT sharply changes until the switching timing ta. Since the variable resistance circuit 192 switches to a high resistance value at the switching timing ta, the voltage division ratio between the variable resistance circuit 192 and the electrostatic protection resistance of the electro-optical panel changes, and the voltage VT drops temporarily. However, since the amplifier circuit 20 tries to change the voltage VT in the same direction as before the switching timing ta, the voltage VT smoothly approaches the target voltage after the switching timing ta.

図6は、駆動期間TDRにおいて電圧VTをVTAからVTBに変化させ、切り替えタイミングta’を電圧VTが目標電圧(VTB)に到達した後に設定した場合の波形例である。この場合、切り替えタイミングta’では電圧VTが目標電圧(VTB)をオーバーシュートしている。このため、可変抵抗回路192が高抵抗値に切り替わった切り替えタイミングta’後、増幅回路20がオーバーシュートを引き戻そうとするため再び電圧VTが目標電圧を下回り、その電圧から目標電圧に漸近していくことになる。このため、図5の場合に比べて電圧VTが目標電圧に漸近する時間が遅くなり、画素への書き込み電圧の誤差が大きくなるおそれがある。 FIG. 6 is a waveform example when the voltage VT is changed from VTA to VTB in the driving period TDR and the switching timing ta′ is set after the voltage VT reaches the target voltage (VTB). In this case, the voltage VT overshoots the target voltage (VTB) at the switching timing ta'. Therefore, after the switching timing ta′ at which the variable resistance circuit 192 switches to a high resistance value, the amplifier circuit 20 tries to pull back the overshoot, so that the voltage VT falls below the target voltage again and the voltage gradually approaches the target voltage. It will be. Therefore, as compared with the case of FIG. 5, the time during which the voltage VT gradually approaches the target voltage is delayed, and there is a possibility that the error in the writing voltage to the pixel becomes large.

以上のように、データ電圧出力端子TQの電圧VTが目標電圧をオーバーシュートする前に、切り替えタイミングを設定することで、短時間で電圧VTを目標電圧へ収束させることができる。 As described above, by setting the switching timing before the voltage VT of the data voltage output terminal TQ overshoots the target voltage, the voltage VT can be converged to the target voltage in a short time.

また本実施形態では、第1の抵抗値に対する第2の抵抗値の比は2以上である。より望ましくは、第1の抵抗値に対する第2の抵抗値の比は4以上である。 Further, in the present embodiment, the ratio of the second resistance value to the first resistance value is 2 or more. More preferably, the ratio of the second resistance value to the first resistance value is 4 or more.

増幅回路20から見た負荷は、可変抵抗回路192の抵抗と電気光学パネルのデータ線及びソース線の容量である。電気光学パネルの静電保護抵抗が第2の抵抗値より十分小さいと仮定すると、第1の抵抗値に対する第2の抵抗値の比が2以上のとき、負荷の周波数特性が切り替えタイミングを境に約2倍以上になる。この周波数特性の比が2〜4倍程度であれば、増幅回路20のフィードバックループの安定性を確保できると考えられるので、第1の抵抗値に対する第2の抵抗値の比が2〜4程度であればよいことになる。 The load viewed from the amplifier circuit 20 is the resistance of the variable resistance circuit 192 and the capacitance of the data line and the source line of the electro-optical panel. Assuming that the electrostatic protection resistance of the electro-optical panel is sufficiently smaller than the second resistance value, when the ratio of the second resistance value to the first resistance value is 2 or more, the frequency characteristic of the load is at the switching timing. It will be more than doubled. If the ratio of the frequency characteristics is about 2 to 4 times, it is considered that the stability of the feedback loop of the amplifier circuit 20 can be ensured, so the ratio of the second resistance value to the first resistance value is about 2 to 4. That would be fine.

2.可変抵抗回路、抵抗制御回路の第1の詳細な構成例
図7は、可変抵抗回路192及び抵抗制御回路194の第1の詳細な構成例である。可変抵抗回路192は、スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4と、抵抗RB1〜RB4とを有する。抵抗制御回路194は、タイミング制御回路196と、レジスター198とを有する。図7では、既に説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、その構成要素についての説明を適宜省略する。なお、図7の構成に限定されず、その構成要素の一部(例えば、スイッチSBA1〜SBA4又はスイッチSBB1〜SBB4)を省略したり、他の構成要素を追加したりする等の種々の変形実施が可能である。
2. First Detailed Configuration Example of Variable Resistance Circuit and Resistance Control Circuit FIG. 7 is a first detailed configuration example of the variable resistance circuit 192 and the resistance control circuit 194. The variable resistance circuit 192 has switches SBA1 to SBA4, SBB1 to SBB4, and resistors RB1 to RB4. The resistance control circuit 194 has a timing control circuit 196 and a register 198. In FIG. 7, the same components as those already described are designated by the same reference numerals, and the description of the components will be appropriately omitted. Note that the present invention is not limited to the configuration of FIG. 7, and various modifications such as omitting a part of the components (for example, the switches SBA1 to SBA4 or the switches SBB1 to SBB4) or adding other components. Is possible.

抵抗RB1〜RB4及びスイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4は、増幅回路20の出力ノードNQとデータ電圧出力端子TQとの間に設けられる。具体的には、スイッチSBA1〜SBA4の一端が出力ノードNQに接続され、スイッチSBA1〜SBA4の他端が抵抗RB1〜RB4の一端に接続される。抵抗RB1〜RB4の他端は、スイッチSBB1〜SBB4の一端に接続される。スイッチSBB1〜SBB4の他端はデータ電圧出力端子TQ(ノードNT)に接続される。スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4は、例えばトランジスターである。 The resistors RB1 to RB4 and the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 are provided between the output node NQ of the amplifier circuit 20 and the data voltage output terminal TQ. Specifically, one ends of the switches SBA1 to SBA4 are connected to the output node NQ, and the other ends of the switches SBA1 to SBA4 are connected to one ends of the resistors RB1 to RB4. The other ends of the resistors RB1 to RB4 are connected to one ends of the switches SBB1 to SBB4. The other ends of the switches SBB1 to SBB4 are connected to the data voltage output terminal TQ (node NT). The switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 are, for example, transistors.

なお、可変抵抗回路192が含む抵抗及びスイッチの数は上記に限定されない。即ち、可変抵抗回路192は、第1〜第nの抵抗(nは2以上の整数)と、第1〜第nのスイッチとを有していればよい。上記はn=4の例である。第1〜第nのスイッチは、スイッチSBA1〜SBA4又はスイッチSBB1〜SBB4に対応する。スイッチSBA1〜SBA4及びスイッチSBB1〜SBB4は、いずれか一方だけ設けてもよい。その場合、設けた一方のスイッチが第1〜第nのスイッチに対応する。 The number of resistors and switches included in the variable resistance circuit 192 is not limited to the above. That is, the variable resistance circuit 192 may include the first to nth resistors (n is an integer of 2 or more) and the first to nth switches. The above is an example of n=4. The first to nth switches correspond to the switches SBA1 to SBA4 or the switches SBB1 to SBB4. Only one of the switches SBA1 to SBA4 and the switches SBB1 to SBB4 may be provided. In that case, one of the provided switches corresponds to the first to nth switches.

抵抗制御回路194は、スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4の各スイッチをオン又はオフに制御することで、可変抵抗回路192の抵抗値を制御する。具体的には、抵抗制御回路194は、スイッチSBA1、SBB1をオン又はオフに制御するスイッチ制御信号SS1と、スイッチSBA2、SBB2をオン又はオフに制御するスイッチ制御信号SS2と、スイッチSBA3、SBB3をオン又はオフに制御するスイッチ制御信号SS3と、スイッチSBA4、SBB4をオン又はオフに制御するスイッチ制御信号SS4と、を出力する。 The resistance control circuit 194 controls the resistance value of the variable resistance circuit 192 by controlling each of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 to be turned on or off. Specifically, the resistance control circuit 194 controls the switch control signal SS1 that controls the switches SBA1 and SBB1 to turn on or off, the switch control signal SS2 that controls the switches SBA2 and SBB2 to turn on or off, and the switches SBA3 and SBB3. A switch control signal SS3 for controlling on or off and a switch control signal SS4 for controlling the switches SBA4 and SBB4 on or off are output.

このようにすれば、抵抗制御回路194がスイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4の各スイッチをオン又はオフに制御することで、抵抗RB1〜RB4のうち1又は複数の抵抗が、増幅回路20の出力ノードNQとデータ電圧出力端子TQとの間に接続される。これにより、駆動期間の切り替えタイミングにおいて、可変抵抗回路192の抵抗値を第1の抵抗から第2の抵抗に切り替えられるようになる。 By doing so, the resistance control circuit 194 controls each of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 to be turned on or off, so that one or more of the resistors RB1 to RB4 output the amplifier circuit 20. It is connected between node NQ and data voltage output terminal TQ. As a result, the resistance value of the variable resistance circuit 192 can be switched from the first resistance to the second resistance at the switching timing of the driving period.

また本実施形態では、レジスター198は、第1の抵抗値を設定するための第1の設定値と、第2の抵抗値を設定するための第2の設定値とを記憶する。第1、第2の設定値は、抵抗RB1〜RB4のうち、どの抵抗を選択するか(出力ノードNQとデータ電圧出力端子TQとの間に接続するか)を指定する設定値である。即ち、スイッチ制御信号SS1〜SS4の信号レベルを指定する設定値である。レジスター198には、インターフェース回路(例えば図13のインターフェース回路170)を介して、表示ドライバー100の外部から第1、第2の設定値が書き込まれる。或いは、メモリー55に第1、第2の設定値が記憶されており、その第1、第2の設定値がレジスター198にロードされてもよい。 Further, in the present embodiment, the register 198 stores the first set value for setting the first resistance value and the second set value for setting the second resistance value. The first and second set values are set values that specify which of the resistors RB1 to RB4 is selected (connected between the output node NQ and the data voltage output terminal TQ). That is, it is a set value that specifies the signal levels of the switch control signals SS1 to SS4. First and second set values are written in the register 198 from outside the display driver 100 via an interface circuit (for example, the interface circuit 170 in FIG. 13). Alternatively, the first and second setting values may be stored in the memory 55, and the first and second setting values may be loaded into the register 198.

抵抗制御回路194は、第1の設定値と第2の設定値に基づいて、可変抵抗回路192の抵抗値を第1の抵抗値から第2の抵抗値に切り替える。具体的には、タイミング制御回路196が、表示データGRD[6:0]の差分(図4のGRD1、GRD2の差分)に対応する切り替えタイミングを、メモリー55(テーブルデータ)を参照して設定し、その切り替えタイミングを指示するタイミング制御信号を出力する。レジスター198は、タイミング制御信号に基づいて、切り替えタイミング前の第1の期間では第1の設定値に基づいてスイッチ制御信号SS1〜SS4を出力する。これにより、抵抗RB1〜RB4のうち第1の設定値が指定する抵抗が選択される。レジスター198は、タイミング制御信号に基づいて、切り替えタイミング後の第2の期間では第2の設定値に基づいてスイッチ制御信号SS1〜SS4を出力する。これにより、抵抗RB1〜RB4のうち第2の設定値が指定する抵抗が選択される。 The resistance control circuit 194 switches the resistance value of the variable resistance circuit 192 from the first resistance value to the second resistance value based on the first set value and the second set value. Specifically, the timing control circuit 196 sets the switching timing corresponding to the difference between the display data GRD[6:0] (the difference between GRD1 and GRD2 in FIG. 4) with reference to the memory 55 (table data). , And outputs a timing control signal for instructing the switching timing. The register 198 outputs the switch control signals SS1 to SS4 based on the timing control signal and based on the first set value in the first period before the switching timing. As a result, the resistor designated by the first set value is selected from the resistors RB1 to RB4. The register 198 outputs the switch control signals SS1 to SS4 based on the timing control signal and based on the second set value in the second period after the switching timing. As a result, the resistor designated by the second set value is selected from the resistors RB1 to RB4.

このようにすれば、レジスター198に設定された第1、第2の設定値に基づいて、切り替えタイミングで可変抵抗回路192の抵抗値を第1の抵抗値から第2の抵抗値に切り替えられるようになる。また、電気光学パネルの種類(例えば機種等)によってデータ線やソース線の容量値が異なるため、画素の駆動速度及びデータ電圧の安定性にとって最適な可変抵抗回路192の抵抗値が電気光学パネルの種類に応じて異なる。本実施形態では、レジスター198に第1、第2の設定値を設定できるので、電気光学パネルの種類に応じて最適な第1、第2の抵抗値を設定できる。 With this configuration, the resistance value of the variable resistance circuit 192 can be switched from the first resistance value to the second resistance value at the switching timing based on the first and second setting values set in the register 198. become. Further, since the capacitance values of the data line and the source line are different depending on the type (for example, model) of the electro-optical panel, the optimum resistance value of the variable resistance circuit 192 for the driving speed of the pixel and the stability of the data voltage is the electro-optical panel It depends on the type. In the present embodiment, the first and second set values can be set in the register 198, so that the optimum first and second resistance values can be set according to the type of the electro-optical panel.

3.ノイズ補償回路
図8は、ノイズ補償回路を含む場合の表示ドライバー100の構成例である。表示ドライバー100は、ノイズ補償回路195と、駆動回路(増幅回路20、可変抵抗回路192)と、抵抗制御回路194と、メモリー55とを含む。図8では、既に説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、その構成要素についての説明を適宜省略する。なお図8ではラダー抵抗回路50、D/A変換回路10の図示を省略する。
3. Noise Compensation Circuit FIG. 8 is a configuration example of the display driver 100 including a noise compensation circuit. The display driver 100 includes a noise compensation circuit 195, a drive circuit (amplifier circuit 20, variable resistance circuit 192), a resistance control circuit 194, and a memory 55. In FIG. 8, the same components as those already described are designated by the same reference numerals, and the description of the components will be appropriately omitted. Note that illustration of the ladder resistance circuit 50 and the D/A conversion circuit 10 is omitted in FIG.

ノイズ補償回路195は、スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4の切り替えノイズを低減するノイズ補償動作を行う回路であり、データ電圧出力端子TQに接続される。具体的には、スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4の各々は、P型トランジスターとN型トランジスターが組み合わされたトランスファーゲートである。P型トランジスターとN型トランジスターのオン抵抗をそろえた場合、P型トランジスターの方がゲートサイズが大きくなる。このため、ゲート−ソース間及びゲート−ドレイン間の容量カップリングにより、トランスファーゲートをオンからオフにした際にはソース及びドレインの電圧が上昇し、トランスファーゲートをオフからオンにした際にはソース及びドレインの電圧が低下する。この切り替え(スイッチング)による電圧変化はデータ電圧出力端子TQの電圧VTのノイズになる。ノイズ補償回路195は、トランスファーゲートの切り替えに合わせて電荷を出し入れすることで、トランスファーゲートの切り替えによるノイズを補償(低減)する。 The noise compensation circuit 195 is a circuit that performs a noise compensation operation that reduces switching noise of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4, and is connected to the data voltage output terminal TQ. Specifically, each of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 is a transfer gate in which a P-type transistor and an N-type transistor are combined. If the P-type transistor and the N-type transistor have the same on-resistance, the P-type transistor has a larger gate size. Therefore, due to the capacitive coupling between the gate and the source and between the gate and the drain, the voltage of the source and the drain rises when the transfer gate is turned on and off, and the source voltage increases when the transfer gate is turned off. And the drain voltage drops. The voltage change due to this switching becomes noise of the voltage VT of the data voltage output terminal TQ. The noise compensating circuit 195 compensates (reduces) noise due to switching of the transfer gate by taking in and out charges in accordance with switching of the transfer gate.

上述のようにスイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4の切り替えノイズは、データ電圧出力端子TQの電圧VTのノイズになるので、画素への書き込み電圧の精度を低下させる可能性がある。本実施形態によれば、ノイズ補償回路195がスイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4の切り替えノイズを補償するので、ノイズが低減され、画素への書き込み電圧を高精度にできる。 As described above, the switching noise of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 becomes the noise of the voltage VT of the data voltage output terminal TQ, and thus the accuracy of the writing voltage to the pixel may be reduced. According to the present embodiment, the noise compensation circuit 195 compensates the switching noise of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4, so that the noise is reduced and the writing voltage to the pixel can be made highly accurate.

より具体的には、ノイズ補償回路195は、キャパシターCN1〜CN4と、バッファー回路BF1〜BF4と、を含む。キャパシターCN1〜CN4の一端はデータ電圧出力端子TQ(ノードNT)に接続され、キャパシターCN1〜CN4は、スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4のサイズに対応した容量値を有する。スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4を構成するトランスファーゲートのトランジスターサイズは、抵抗RB1〜RB4の抵抗値に応じて異なっている。即ち、抵抗の抵抗値が大きいほど、その抵抗に接続されるトランスファーゲートのトランジスターサイズも大きい。キャパシターCN1の容量値は、スイッチSBA1、SBB1のトランジスターサイズに対応しており、スイッチSBA1、SBB1の切り替えノイズ(電荷)を吸収できる容量値になっている。同様に、キャパシターCN2、CN3、CN4の容量値は、各々、スイッチSBA2、SBB2、スイッチSBA3、SBB3、スイッチSBA4、SBB4のトランジスターサイズに対応している。例えば、キャパシターCN1〜CN4の容量値は、回路シミュレーション等により設定する。 More specifically, the noise compensation circuit 195 includes capacitors CN1 to CN4 and buffer circuits BF1 to BF4. One ends of the capacitors CN1 to CN4 are connected to the data voltage output terminal TQ (node NT), and the capacitors CN1 to CN4 have capacitance values corresponding to the sizes of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4. The transistor sizes of the transfer gates forming the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 differ depending on the resistance values of the resistors RB1 to RB4. That is, the larger the resistance value of the resistor, the larger the transistor size of the transfer gate connected to the resistor. The capacitance value of the capacitor CN1 corresponds to the transistor size of the switches SBA1 and SBB1, and is a capacitance value that can absorb the switching noise (charge) of the switches SBA1 and SBB1. Similarly, the capacitance values of the capacitors CN2, CN3, CN4 correspond to the transistor sizes of the switches SBA2, SBB2, the switches SBA3, SBB3, the switches SBA4, SBB4, respectively. For example, the capacitance values of the capacitors CN1 to CN4 are set by circuit simulation or the like.

抵抗制御回路194は、スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4の各スイッチがオンであるかオフであるかに応じて、キャパシターCN1〜CN4の各キャパシターの他端の電圧を制御することで、切り替えノイズを補償する。具体的には、抵抗制御回路194のタイミング制御回路196が、切り替えタイミングにおいて制御信号SNC1〜SNC4の信号レベルを切り替える。バッファー回路BF1〜BF4は、制御信号SNC1〜SNC4をバッファリングして、キャパシターCN1〜CN4の他端に出力する。制御信号SNC1〜SNC4の信号レベルが変化すると、キャパシターCN1〜CN4の他端の電圧が変化するので、キャパシターCN1〜CN4とノードNTとの間で電荷が移動する。この電荷移動により切り替えノイズを補償する。 The resistance control circuit 194 controls the voltage at the other end of each of the capacitors CN1 to CN4 according to whether each of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 is ON or OFF, thereby switching noise. To compensate. Specifically, the timing control circuit 196 of the resistance control circuit 194 switches the signal levels of the control signals SNC1 to SNC4 at the switching timing. The buffer circuits BF1 to BF4 buffer the control signals SNC1 to SNC4 and output them to the other ends of the capacitors CN1 to CN4. When the signal levels of the control signals SNC1 to SNC4 change, the voltages at the other ends of the capacitors CN1 to CN4 change, so that the charges move between the capacitors CN1 to CN4 and the node NT. Switching noise is compensated by this charge transfer.

図9は、図8の表示ドライバー100の動作を説明するタイミングチャートである。図9では、スイッチ制御信号SS1〜SS4がハイレベル(アクティブ)、ローレベル(非アクティブ)のときに、各々、スイッチがオン、オフになる場合を図示する。 FIG. 9 is a timing chart explaining the operation of the display driver 100 of FIG. FIG. 9 illustrates a case where the switches are turned on and off when the switch control signals SS1 to SS4 are at high level (active) and low level (inactive), respectively.

図9に示すように、駆動期間TDRの切り替えタイミングより前の期間TDA(第1の期間)では、スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4の全てがオンになり、抵抗RB1〜RB4の全てが選択される。駆動期間TDRの切り替えタイミングより後の期間TDB(第2の期間)では、スイッチSBA2、SBB2がオンになり、他のスイッチがオフになり、抵抗RB2が選択される。なお、抵抗の選択手法はこれに限定されず、期間TDBにおける抵抗値が期間TDAにおける抵抗値より高ければよい。 As shown in FIG. 9, in the period TDA (first period) before the switching timing of the driving period TDR, all the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 are turned on and all the resistors RB1 to RB4 are selected. It In the period TDB (second period) after the switching timing of the driving period TDR, the switches SBA2 and SBB2 are turned on, the other switches are turned off, and the resistor RB2 is selected. Note that the resistance selection method is not limited to this, and the resistance value in the period TDB may be higher than the resistance value in the period TDA.

図9に示すように、スイッチ制御信号SS1〜SS4がローレベルからハイレベルになるとき(対応するスイッチがオフからオンになるとき)、各々、制御信号SNC1〜SNC4がローレベルからハイレベルになる。スイッチがオフからオンになるとき、データ電圧出力端子TQの電圧VTが下がるので、キャパシターCN1〜CN4の他端の電圧を上げることで電荷を供給し、電圧VTのノイズをキャンセルする。一方、スイッチ制御信号SS1〜SS4がハイレベルからローレベルになるとき(対応するスイッチがオンからオフになるとき)、各々、制御信号SNC1〜SNC4がハイレベルからローレベルになる。スイッチがオンからオフになるとき、データ電圧出力端子TQの電圧VTが上がるので、キャパシターCN1〜CN4の他端の電圧を下げることで電荷を吸収し、電圧VTのノイズをキャンセルする。 As shown in FIG. 9, when the switch control signals SS1 to SS4 change from low level to high level (when the corresponding switch changes from off to on), the control signals SNC1 to SNC4 change from low level to high level, respectively. .. When the switch is turned from OFF to ON, the voltage VT of the data voltage output terminal TQ decreases, so that the electric charges are supplied by increasing the voltage of the other ends of the capacitors CN1 to CN4 to cancel the noise of the voltage VT. On the other hand, when the switch control signals SS1 to SS4 change from high level to low level (when the corresponding switch changes from on to off), the control signals SNC1 to SNC4 change from high level to low level, respectively. When the switch is turned off, the voltage VT of the data voltage output terminal TQ rises, so that the voltage at the other ends of the capacitors CN1 to CN4 is lowered to absorb the charge and cancel the noise of the voltage VT.

本実施形態によれば、スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4のサイズに対応した容量値を有するキャパシターCN1〜CN4の一端がデータ電圧出力端子TQに接続され、そのキャパシターCN1〜CN4の他端の電圧が制御されることで、スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4の切り替えノイズを補償(低減)できる。即ち、スイッチSBA1〜SBA4、SBB1〜SBB4のサイズが大きいほど、その切り替えで生じるノイズ(電荷)が大きくなるが、そのサイズに対応した容量値のキャパシターCN1〜CN4によってノイズ(電荷)を吸収できる。 According to this embodiment, one ends of the capacitors CN1 to CN4 having capacitance values corresponding to the sizes of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 are connected to the data voltage output terminal TQ, and the voltage of the other ends of the capacitors CN1 to CN4. Is controlled, the switching noise of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4 can be compensated (reduced). That is, the larger the size of the switches SBA1 to SBA4 and SBB1 to SBB4, the larger the noise (charge) generated by the switching, but the noise (charge) can be absorbed by the capacitors CN1 to CN4 having the capacitance value corresponding to the size.

なお、図8、図9では、ノイズ補償回路195が4つのキャパシターを含む場合を説明したが、キャパシターの数はこれに限定されない。即ち、可変抵抗回路192が含む抵抗に対応してキャパシターが設けられていればよい。例えば、可変抵抗回路192が含む第1〜第nの抵抗の各々に対して、1つずつのキャパシター(第1〜第nのキャパシター)が設けられる。なお、可変抵抗回路192が含む一部の抵抗にのみ、対応するキャパシターが設けられてもよい。例えば、スイッチのトランジスターサイズが小さい抵抗には、キャパシターを設けなくてもよい。 8 and 9, the case where the noise compensation circuit 195 includes four capacitors has been described, but the number of capacitors is not limited to this. That is, the capacitor may be provided corresponding to the resistance included in the variable resistance circuit 192. For example, one capacitor (first to nth capacitor) is provided for each of the first to nth resistors included in the variable resistance circuit 192. The corresponding capacitors may be provided only for some of the resistors included in the variable resistance circuit 192. For example, a capacitor may not be provided for a resistor having a small switch transistor size.

4.可変抵抗回路、抵抗制御回路の第2の詳細な構成例
図10は、可変抵抗回路192及び抵抗制御回路194の第2の詳細な構成例である。可変抵抗回路192は、可変抵抗素子VRG(可変抵抗回路素子、可変抵抗器)を含む。抵抗制御回路194は、電圧発生回路193と、レジスター191と、タイミング制御回路196とを含む。図10では、既に説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、その構成要素についての説明を適宜省略する。
4. Second Detailed Configuration Example of Variable Resistance Circuit and Resistance Control Circuit FIG. 10 is a second detailed configuration example of the variable resistance circuit 192 and the resistance control circuit 194. The variable resistance circuit 192 includes a variable resistance element VRG (variable resistance circuit element, variable resistor). The resistance control circuit 194 includes a voltage generation circuit 193, a register 191, and a timing control circuit 196. In FIG. 10, the same components as the components already described are designated by the same reference numerals, and the description of the components will be appropriately omitted.

可変抵抗素子VRGは、制御電圧VCNTに応じて抵抗値が可変に制御される抵抗素子である。具体的には、可変抵抗素子VRGの第1の端子が増幅回路20の出力ノードNQに接続され、第2の端子がデータ電圧出力端子TQに接続される。そして、可変抵抗素子VRGの第3の端子に入力された制御電圧VCNTによって、第1の端子と第2の端子の間の抵抗値が制御される。例えば、可変抵抗素子VRGは、磁場(磁界)によって抵抗値が可変に制御されるMR素子(Magneto Resistive element)である。MR素子は図11で後述する。 The variable resistance element VRG is a resistance element whose resistance value is variably controlled according to the control voltage VCNT. Specifically, the first terminal of the variable resistance element VRG is connected to the output node NQ of the amplifier circuit 20, and the second terminal is connected to the data voltage output terminal TQ. Then, the resistance value between the first terminal and the second terminal is controlled by the control voltage VCNT input to the third terminal of the variable resistance element VRG. For example, the variable resistance element VRG is an MR element (Magneto Resistive element) whose resistance value is variably controlled by a magnetic field (magnetic field). The MR element will be described later with reference to FIG.

抵抗制御回路194は、制御電圧VCNTを変化させることで、可変抵抗回路192の抵抗値を制御する。具体的には、タイミング制御回路196が、表示データGRD[6:0]の差分(図4のGRD1、GRD2の差分)に対応する切り替えタイミングを、メモリー55(テーブルデータ)を参照して設定し、その切り替えタイミングを指示するタイミング制御信号を出力する。レジスター191は、タイミング制御信号に基づいて、切り替えタイミング前の第1の期間では第1の抵抗値を指示する第1の設定値に基づいて第1の電圧設定値を出力する。電圧発生回路193は、第1の電圧設定値に対応した制御電圧VCNTを出力し、可変抵抗素子VRGが第1の抵抗値に設定される。レジスター191は、タイミング制御信号に基づいて、切り替えタイミング後の期間(第2の期間)では第2の抵抗値を指示する第2の設定値に基づいて第2の電圧設定値を出力する。電圧発生回路193は、第2の電圧設定値に対応した制御電圧VCNTを出力し、可変抵抗素子VRGが第2の抵抗値に設定される。例えば、電圧発生回路193はレギュレーターやD/A変換回路で構成され、第1、第2の電圧設定値は、レギュレーターの出力電圧を設定する設定値、或いはD/A変換回路の入力データである。 The resistance control circuit 194 controls the resistance value of the variable resistance circuit 192 by changing the control voltage VCNT. Specifically, the timing control circuit 196 sets the switching timing corresponding to the difference between the display data GRD[6:0] (the difference between GRD1 and GRD2 in FIG. 4) with reference to the memory 55 (table data). , And outputs a timing control signal for instructing the switching timing. The register 191 outputs the first voltage setting value based on the timing control signal and based on the first setting value indicating the first resistance value in the first period before the switching timing. The voltage generation circuit 193 outputs the control voltage VCNT corresponding to the first voltage setting value, and the variable resistance element VRG is set to the first resistance value. Based on the timing control signal, the register 191 outputs the second voltage setting value based on the second setting value indicating the second resistance value during the period after the switching timing (second period). The voltage generation circuit 193 outputs the control voltage VCNT corresponding to the second voltage setting value, and the variable resistance element VRG is set to the second resistance value. For example, the voltage generation circuit 193 is composed of a regulator and a D/A conversion circuit, and the first and second voltage setting values are setting values for setting the output voltage of the regulator or input data of the D/A conversion circuit. ..

図11は、MR素子である場合の可変抵抗素子VRGの構成例である。図11においてx、y、zは互いに直交する方向である。図11に示すように、表示ドライバー100の基板(半導体基板)に拡散層ADFが形成され、その拡散層ADFの一端に配線LN1(金属配線層の配線)が接続され、他端に配線LN2(金属配線層の配線)が接続される。例えば配線LN1は増幅回路20の出力ノードNQに対応し、配線LN2は、データ電圧出力端子TQに接続されるノードNTに対応する。拡散層ADFの上にはコイルCIが設けられる。コイルCIは例えば金属配線層の配線により形成される。コイルCIは抵抗を介して電圧発生回路193の出力に接続され、制御電圧VCNTが抵抗により電圧電流変換され、制御電圧VCNTに応じた電流がコイルCIに流れる。その電流によりコイルCIが磁場を生じさせる。例えば拡散層ADFを流れる電流の方向が図11のx方向であり、コイルCIが発生する磁場の方向がz方向である場合、電流の正電荷がy方向に力を受ける。この力は磁場(制御電圧VCNT)が大きいほど大きくなる。電流の正電荷がy方向に力を受けると、電流が拡散層ADFを流れる経路の長さが長くなり、拡散層ADFの抵抗値が実質的に高くなって見える。このようにして、制御電圧VCNTによってMR素子の抵抗値が制御される。 FIG. 11 is a configuration example of the variable resistance element VRG in the case of an MR element. In FIG. 11, x, y, and z are directions orthogonal to each other. As shown in FIG. 11, the diffusion layer ADF is formed on the substrate (semiconductor substrate) of the display driver 100, the wiring LN1 (wiring of the metal wiring layer) is connected to one end of the diffusion layer ADF, and the wiring LN2 ( The wiring of the metal wiring layer) is connected. For example, the wiring LN1 corresponds to the output node NQ of the amplifier circuit 20, and the wiring LN2 corresponds to the node NT connected to the data voltage output terminal TQ. The coil CI is provided on the diffusion layer ADF. The coil CI is formed by wiring of a metal wiring layer, for example. The coil CI is connected to the output of the voltage generation circuit 193 via a resistor, the control voltage VCNT is voltage-current converted by the resistor, and a current corresponding to the control voltage VCNT flows through the coil CI. The current causes the coil CI to generate a magnetic field. For example, when the direction of the current flowing through the diffusion layer ADF is the x direction in FIG. 11 and the direction of the magnetic field generated by the coil CI is the z direction, the positive charge of the current receives a force in the y direction. This force increases as the magnetic field (control voltage VCNT) increases. When the positive charge of the current receives a force in the y direction, the length of the path through which the current flows through the diffusion layer ADF becomes longer, and the resistance value of the diffusion layer ADF appears to be substantially higher. In this way, the resistance value of the MR element is controlled by the control voltage VCNT.

以上の実施形態によれば、抵抗制御回路194が制御電圧VCNTを変化させることで、可変抵抗素子VRG(可変抵抗回路192)の抵抗値を制御できるようになる。制御電圧VCNTを、第1、第2の抵抗値に対応した電圧に設定することで、切り替えタイミングで可変抵抗素子VRGの抵抗値を第1の抵抗値から第2の抵抗値に切り替えることができる。 According to the above embodiment, the resistance control circuit 194 changes the control voltage VCNT, so that the resistance value of the variable resistance element VRG (variable resistance circuit 192) can be controlled. By setting the control voltage VCNT to a voltage corresponding to the first and second resistance values, the resistance value of the variable resistance element VRG can be switched from the first resistance value to the second resistance value at the switching timing. ..

5.ラダー抵抗回路、D/A変換回路、増幅回路
図12は、ラダー抵抗回路50、D/A変換回路10、増幅回路20の詳細な構成例である。なお、図12では増幅回路20が抵抗でフィードバックを行う反転増幅回路である場合を例に説明するが、増幅回路20の構成はこれに限定されない。例えば、増幅回路20はキャパシターでフィードバックを行う反転増幅回路であってもよいし、或いは、ボルテージフォロア回路や正転増幅回路であってもよい。
5. Ladder Resistance Circuit, D/A Conversion Circuit, Amplification Circuit FIG. 12 is a detailed configuration example of the ladder resistance circuit 50, the D/A conversion circuit 10, and the amplification circuit 20. Note that, although the case where the amplifier circuit 20 is an inverting amplifier circuit that performs feedback with a resistor is described as an example in FIG. 12, the configuration of the amplifier circuit 20 is not limited to this. For example, the amplifier circuit 20 may be an inverting amplifier circuit that performs feedback with a capacitor, or may be a voltage follower circuit or a normal amplifier circuit.

ラダー抵抗回路50は、直列に接続された抵抗RV1〜RV129を含む。その直列に接続された抵抗RV1〜RV129の抵抗RV1側の一端に高電位側電源電圧VRHが入力され、抵抗RV129側の他端に低電位側電源電圧VRLが入力される。電圧VP1〜VP64、VM1〜VM64は、ラダー抵抗回路50の抵抗と抵抗の間のノード(タップ)から出力される。例えば、抵抗RV2〜RV128は同じ抵抗値を有する。なお、これに限定されず、例えば抵抗RV2〜RV65が負極性駆動のガンマ特性に対応した抵抗値を有し、抵抗RV66〜RV128が正極性駆動のガンマ特性に対応した抵抗値を有してもよい。 The ladder resistance circuit 50 includes resistors RV1 to RV129 connected in series. The high-potential-side power supply voltage VRH is input to one end of the resistors RV1 to RV129 connected in series on the resistance RV1 side, and the low-potential-side power supply voltage VRL is input to the other end of the resistance RV129 side. The voltages VP1 to VP64 and VM1 to VM64 are output from the nodes (tap) between the resistors of the ladder resistance circuit 50. For example, the resistors RV2 to RV128 have the same resistance value. Note that the present invention is not limited to this, and for example, the resistors RV2 to RV65 have a resistance value corresponding to the gamma characteristic of negative polarity driving, and the resistors RV66 to RV128 have a resistance value corresponding to the gamma characteristic of positive polarity driving. Good.

D/A変換回路10は、表示データGRD[6:0]を階調電圧VDAに変換する。即ち、D/A変換回路10は、複数の電圧VP1〜VP64、VM1〜VM64から表示データGRD[6:0]に対応した電圧を選択し、その選択した電圧を階調電圧VDAとして出力する。具体的には、GRD[6:0]=0000000、0000001、・・・、0111111の場合、各々、負極性駆動用の電圧VM64、VM63、・・・、VM1を階調電圧VDAとして出力する。GRD[6:0]=1000000、1000001、・・・、1111111の場合、各々、正極性駆動用の電圧VP1、VP2、・・・、VP64を階調電圧VDAとして出力する。なお、ここではGRD[6:0]を2進数で表した。画素、ライン、又はフレーム毎に駆動極性を反転する極性反転駆動において、正極性駆動のとき正極性駆動用の電圧VP1〜VP64が選択され、負極性駆動のとき負極性駆動用の電圧VM1〜VM64が選択される。 The D/A conversion circuit 10 converts the display data GRD[6:0] into the gradation voltage VDA. That is, the D/A conversion circuit 10 selects a voltage corresponding to the display data GRD [6:0] from the plurality of voltages VP1 to VP64 and VM1 to VM64, and outputs the selected voltage as the gradation voltage VDA. Specifically, when GRD[6:0]=0000000, 00000001,..., 0111111, the negative polarity driving voltages VM64, VM63,..., VM1 are output as the gradation voltage VDA, respectively. In the case of GRD[6:0]=1000000, 1000001,..., 1111111, the positive drive voltages VP1, VP2,..., VP64 are output as the grayscale voltage VDA, respectively. In addition, GRD [6:0] is represented here by a binary number. In polarity inversion drive in which the drive polarity is inverted for each pixel, line, or frame, voltages VP1 to VP64 for positive polarity drive are selected for positive polarity drive, and voltages VM1 to VM64 for negative polarity drive are selected for negative polarity drive. Is selected.

増幅回路20は、演算増幅器OPA(オペアンプ)と、抵抗R1(入力抵抗、第1の抵抗)と、抵抗R2(フィードバック抵抗、第2の抵抗)と、を有する。演算増幅器OPAは、非反転入力端子(正極端子、非反転入力ノードNIP)に基準電圧VCが入力される。抵抗R1は、階調電圧VDAが入力される入力ノードNIAと演算増幅器OPAの反転入力端子(負極端子、反転入力ノードNIM)との間に設けられる。抵抗R2は、演算増幅器OPAの出力端子(増幅回路20の出力ノードNQ)と演算増幅器OPAの反転入力端子との間に設けられる。抵抗R1、R2の抵抗値をr1、r2とすると、増幅回路20は階調電圧VDAをゲイン(−r2/r1)で反転増幅して出力電圧VQ(データ電圧)を出力する。例えば、VP64<VP63<・・・<VP1=VC<VM1<VM2<・・・<VM64である。負極性駆動用の電圧VM1〜VM64は、反転増幅により基準電圧VCより低い負極性のデータ電圧となり、正極性駆動用の電圧VP1〜VP64は、反転増幅により基準電圧VCより高い正極性のデータ電圧となる。 The amplifier circuit 20 has an operational amplifier OPA (op amp), a resistor R1 (input resistor, first resistor), and a resistor R2 (feedback resistor, second resistor). The reference voltage VC is input to the non-inverting input terminal (positive electrode terminal, non-inverting input node NIP) of the operational amplifier OPA. The resistor R1 is provided between the input node NIA to which the gray scale voltage VDA is input and the inverting input terminal (negative terminal, inverting input node NIM) of the operational amplifier OPA. The resistor R2 is provided between the output terminal of the operational amplifier OPA (the output node NQ of the amplifier circuit 20) and the inverting input terminal of the operational amplifier OPA. When the resistance values of the resistors R1 and R2 are r1 and r2, the amplifier circuit 20 inverts and amplifies the gradation voltage VDA with a gain (−r2/r1) and outputs an output voltage VQ (data voltage). For example, VP64<VP63<... <VP1=VC<VM1<VM2<... <VM64. The negative drive voltages VM1 to VM64 become negative data voltages lower than the reference voltage VC by inverting amplification, and the positive drive voltages VP1 to VP64 become positive data voltages higher than the reference voltage VC by inverting amplification. Becomes

以上の実施形態によれば、反転増幅回路を採用したことで、演算増幅器OPAの差動対の動作点が基準電圧VC(基準電圧VC付近の電圧)に限定される。これにより、広範囲な入力電圧において演算増幅器OPAの感度(ゲイン)を確保する必要がなくなり、演算増幅器OPAを高感度化(高ゲイン化)できるようになる。また、反転増幅回路では入力に対して出力の位相が180度回っているので位相余裕を確保できる帯域が広がり、データ電圧の出力にボルテージフォロア回路を用いた場合に比べて周波数応答特性を向上できる(帯域を広くできる)。このような高感度化や広帯域化によって高速な書き込みに対して有利になるが、例えば図2で説明したようなノイズに対する応答が問題となる。この点、図3等で説明した可変抵抗回路192の抵抗値を切り替える手法によれば、切り替えタイミングの後に可変抵抗回路192を高抵抗値(第2の抵抗値)に切り替えることで、ノイズに対する応答を抑制できる(画素への書き込み誤差を低減できる)。 According to the above-described embodiment, by adopting the inverting amplifier circuit, the operating point of the differential pair of the operational amplifier OPA is limited to the reference voltage VC (voltage near the reference voltage VC). As a result, it is not necessary to secure the sensitivity (gain) of the operational amplifier OPA in a wide range of input voltage, and the operational amplifier OPA can be made highly sensitive (gain). Further, in the inverting amplifier circuit, since the output phase is rotated by 180 degrees with respect to the input, the band in which the phase margin can be secured is widened, and the frequency response characteristic can be improved as compared with the case where the voltage follower circuit is used for the output of the data voltage. (Broadband can be widened). Such high sensitivity and wide band are advantageous for high-speed writing, but the response to noise as described in FIG. 2 becomes a problem. In this regard, according to the method of switching the resistance value of the variable resistance circuit 192 described with reference to FIG. 3 and the like, by switching the variable resistance circuit 192 to a high resistance value (second resistance value) after the switching timing, the response to noise is increased. Can be suppressed (writing error to pixels can be reduced).

6.電気光学装置
図13は、本実施形態の表示ドライバー100を含む電気光学装置400の構成例である。電気光学装置400(表示装置)は、表示ドライバー100、電気光学パネル200(表示パネル)を含む。なお以下では表示ドライバー100が相展開駆動を行う場合を例に説明するが、本発明の適用対象はこれに限定されず、例えばマルチプレクス駆動(デマルチプレクス駆動)等にも適用できる。
6. Electro-Optical Device FIG. 13 is a configuration example of an electro-optical device 400 including the display driver 100 of this embodiment. The electro-optical device 400 (display device) includes a display driver 100 and an electro-optical panel 200 (display panel). Note that the case where the display driver 100 performs phase expansion drive will be described below as an example, but the application target of the present invention is not limited to this, and can be applied to, for example, multiplex drive (demultiplex drive).

電気光学パネル200は、画素アレイ210、サンプルホールド回路220(スイッチ回路)を含む。電気光学パネル200は、例えば液晶表示パネルや、EL(Electro Luminescence)表示パネル等である。 The electro-optical panel 200 includes a pixel array 210 and a sample hold circuit 220 (switch circuit). The electro-optical panel 200 is, for example, a liquid crystal display panel, an EL (Electro Luminescence) display panel, or the like.

画素アレイ210は、複数の画素がアレイ状(マトリックス状)に配置されたものである。相展開駆動では、画素アレイ210のソース線が8本(広義にはk本。kは2以上の整数)ずつ順次に駆動される。具体的には、サンプルホールド回路220は、表示ドライバー100からのデータ電圧VT1〜VT8を画素アレイ210のソース線にサンプルホールドする回路である。具体的には、電気光学パネル200の第1〜第8のデータ線にデータ電圧VT1〜VT8が入力される。画素アレイ210が例えば第1〜第640のソース線を有するとする。サンプルホールド回路220は、第1の期間において第1〜第8のデータ線と第1〜第8のソース線を接続し、次の第2の期間において第1〜第8のデータ線と第9〜第16のソース線を接続し、以下同様にして、第80の期間において第1〜第8のデータ線と第633〜第640のソース線を接続する。このような動作を各水平走査期間において行う。 The pixel array 210 has a plurality of pixels arranged in an array (matrix). In the phase expansion driving, the source lines of the pixel array 210 are sequentially driven by eight lines (k lines in a broad sense, k is an integer of 2 or more). Specifically, the sample hold circuit 220 is a circuit that samples and holds the data voltages VT1 to VT8 from the display driver 100 on the source line of the pixel array 210. Specifically, the data voltages VT1 to VT8 are input to the first to eighth data lines of the electro-optical panel 200. It is assumed that the pixel array 210 has, for example, first to 640th source lines. The sample hold circuit 220 connects the first to eighth data lines and the first to eighth source lines in the first period, and in the next second period, the first to eighth data lines and the ninth line. To 16th source lines are connected, and in the same manner, the 1st to 8th data lines and the 633rd to 640th source lines are connected in the 80th period. Such an operation is performed in each horizontal scanning period.

表示ドライバー100は、ラダー抵抗回路50、D/A変換部110(D/A変換回路)、駆動部120(駆動回路)、電圧生成回路150、記憶部160(メモリー)、インターフェース回路170、制御回路180(コントローラー)を含む。 The display driver 100 includes a ladder resistance circuit 50, a D/A conversion unit 110 (D/A conversion circuit), a drive unit 120 (drive circuit), a voltage generation circuit 150, a storage unit 160 (memory), an interface circuit 170, a control circuit. Includes 180 (controller).

インターフェース回路170は、表示ドライバー100と外部の処理装置(例えば図14の処理部310)との間の通信を行う。例えば外部の処理装置からインターフェース回路170を介してクロック信号やタイミング制御信号、表示データが制御回路180に入力される。 The interface circuit 170 performs communication between the display driver 100 and an external processing device (for example, the processing unit 310 in FIG. 14). For example, a clock signal, a timing control signal, and display data are input to the control circuit 180 from an external processing device via the interface circuit 170.

制御回路180はインターフェース回路170を介して入力されたクロック信号やタイミング制御信号、表示データに基づいて表示ドライバー100の各部及び電気光学パネル200の各部を制御する。例えば制御回路180は、画素アレイ210の水平走査線の選択や垂直同期制御、相展開駆動の制御(上述の第1〜第80の期間)等の表示タイミングの制御を行い、その表示タイミングに従ってD/A変換部110や駆動部120の制御を行う。 The control circuit 180 controls each part of the display driver 100 and each part of the electro-optical panel 200 based on the clock signal, the timing control signal, and the display data input via the interface circuit 170. For example, the control circuit 180 controls display timing such as selection of horizontal scanning lines of the pixel array 210, vertical synchronization control, control of phase expansion drive (first to 80th periods described above), and D The A/A converter 110 and the driver 120 are controlled.

電圧生成回路150は、各種電圧を生成して駆動部120やD/A変換部110に出力する。例えば、電圧生成回路150は、D/A変換部110や駆動部120の電源を生成する。電圧生成回路150は、例えばレギュレーター等で構成される。 The voltage generation circuit 150 generates various voltages and outputs them to the drive unit 120 and the D/A conversion unit 110. For example, the voltage generation circuit 150 generates power for the D/A conversion unit 110 and the drive unit 120. The voltage generation circuit 150 is composed of, for example, a regulator.

D/A変換部110は、D/A変換回路11〜18を含む。D/A変換回路11〜18の各々は、図3等で説明したD/A変換回路10と同じ構成である。駆動部120は、駆動回路21〜28及び抵抗制御回路31〜38を含む。駆動回路21〜28の各々は、図3等で説明した駆動回路190と同じ構成である。抵抗制御回路31〜38の各々は、図3等で説明した抵抗制御回路194と同じ構成である。なお、抵抗制御回路31〜38は制御回路180に含まれてもよい。D/A変換回路11〜18は、制御回路180からの表示データをD/A変換し、そのD/A変換された電圧を駆動回路21〜28に出力する。駆動回路21〜28は、D/A変換回路11〜18からの電圧を増幅し、データ電圧VT1〜VT8を電気光学パネル200に出力する。 The D/A conversion unit 110 includes D/A conversion circuits 11-18. Each of the D/A conversion circuits 11 to 18 has the same configuration as the D/A conversion circuit 10 described with reference to FIG. The drive unit 120 includes drive circuits 21 to 28 and resistance control circuits 31 to 38. Each of the drive circuits 21 to 28 has the same configuration as the drive circuit 190 described with reference to FIG. Each of the resistance control circuits 31 to 38 has the same configuration as the resistance control circuit 194 described with reference to FIG. The resistance control circuits 31 to 38 may be included in the control circuit 180. The D/A conversion circuits 11 to 18 D/A convert the display data from the control circuit 180 and output the D/A converted voltage to the drive circuits 21 to 28. The drive circuits 21 to 28 amplify the voltages from the D/A conversion circuits 11 to 18 and output the data voltages VT1 to VT8 to the electro-optical panel 200.

記憶部160は、表示ドライバー100の制御に用いる種々のデータ(例えば設定データ)等を記憶する。なお図3等で説明したメモリー55が記憶部160に含まれてもよい。例えば記憶部160は不揮発性メモリーやRAM(SRAM、DRAM等)で構成される。 The storage unit 160 stores various data (for example, setting data) used for controlling the display driver 100. The memory 55 described with reference to FIG. 3 and the like may be included in the storage unit 160. For example, the storage unit 160 is composed of a non-volatile memory or a RAM (SRAM, DRAM, etc.).

7.電子機器
図14は、本実施形態の表示ドライバー100を含む電子機器300の構成例である。電子機器300の具体例としては、例えばプロジェクターやヘッドマウントディスプレイ、携帯情報端末、車載装置(例えばメーターパネル、カーナビゲーションシステム等)、携帯型ゲーム端末、情報処理装置等の、表示装置を搭載する種々の電子機器を想定できる。
7. Electronic Device FIG. 14 is a configuration example of an electronic device 300 including the display driver 100 of the present embodiment. Specific examples of the electronic device 300 include various types of display devices such as a projector, a head mounted display, a portable information terminal, an in-vehicle device (for example, a meter panel, a car navigation system, etc.), a portable game terminal, and an information processing device. Can be assumed to be electronic devices.

電子機器300は、処理部310(例えばCPU等のプロセッサー、或いは表示コントローラー、或いはASIC等)、記憶部320(例えばメモリー、ハードディスク等)、操作部330(操作装置)、インターフェース部340(インターフェース回路、インターフェース装置)、表示ドライバー100、電気光学パネル200を含む。 The electronic device 300 includes a processing unit 310 (for example, a processor such as a CPU, a display controller, or an ASIC), a storage unit 320 (for example, a memory, a hard disk, etc.), an operation unit 330 (an operation device), an interface unit 340 (an interface circuit, Interface device), a display driver 100, and an electro-optical panel 200.

操作部330は、ユーザーからの種々の操作を受け付けるユーザーインターフェースである。例えば、ボタンやマウス、キーボード、電気光学パネル200に装着されたタッチパネル等である。インターフェース部340は、画像データや制御データの入出力を行うデータインターフェースである。例えばUSB等の有線通信インターフェースや、或は無線LAN等の無線通信インターフェースである。記憶部320は、インターフェース部340から入力されたデータを記憶する。或は、記憶部320は、処理部310のワーキングメモリーとして機能する。処理部310は、インターフェース部340から入力された或いは記憶部320に記憶された表示データを処理して表示ドライバー100に転送する。表示ドライバー100は、処理部310から転送された表示データに基づいて電気光学パネル200に画像を表示させる。 The operation unit 330 is a user interface that receives various operations from the user. For example, a button, a mouse, a keyboard, a touch panel mounted on the electro-optical panel 200, or the like. The interface unit 340 is a data interface that inputs and outputs image data and control data. For example, it is a wired communication interface such as USB or a wireless communication interface such as a wireless LAN. The storage unit 320 stores the data input from the interface unit 340. Alternatively, the storage unit 320 functions as a working memory of the processing unit 310. The processing unit 310 processes the display data input from the interface unit 340 or stored in the storage unit 320 and transfers the display data to the display driver 100. The display driver 100 causes the electro-optical panel 200 to display an image based on the display data transferred from the processing unit 310.

例えば電子機器300がプロジェクターである場合、電子機器300は更に光源と光学装置(例えばレンズ、プリズム、ミラー等)とを含む。電気光学パネル200が透過型である場合、光学装置が光源からの光を電気光学パネル200に入射させ、電気光学パネル200を透過した光をスクリーン(表示部)に投影させる。電気光学パネル200が反射型である場合、光学装置が光源からの光を電気光学パネル200に入射させ、電気光学パネル200から反射された光をスクリーン(表示部)に投影させる。 For example, when the electronic device 300 is a projector, the electronic device 300 further includes a light source and an optical device (eg, lens, prism, mirror, etc.). When the electro-optical panel 200 is a transmissive type, the optical device causes the light from the light source to enter the electro-optical panel 200 and causes the light transmitted through the electro-optical panel 200 to be projected on the screen (display unit). When the electro-optical panel 200 is a reflection type, the optical device causes the light from the light source to enter the electro-optical panel 200 and causes the light reflected from the electro-optical panel 200 to be projected on the screen (display unit).

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また表示ドライバー、電気光学パネル、電気光学装置、電子機器の構成及び動作等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。 Although the present embodiment has been described in detail as described above, it will be easily understood by those skilled in the art that many modifications can be made without departing from the novel matters and effects of the present invention. Therefore, all such modifications are included in the scope of the present invention. For example, a term described in the specification or the drawings at least once together with a different term having a broader meaning or the same meaning can be replaced with the different term in any place in the specification or the drawing. Further, all combinations of the present embodiment and modifications are also included in the scope of the present invention. Further, the configurations and operations of the display driver, the electro-optical panel, the electro-optical device, and the electronic device are not limited to those described in this embodiment, and various modifications can be made.

10…D/A変換回路、11〜18…D/A変換回路、20…増幅回路、21〜28…駆動回路、31〜38…抵抗制御回路、50…ラダー抵抗回路、55…メモリー、56…テーブルデータ、80…D/A変換回路、100…表示ドライバー、110…D/A変換部、120…駆動部、150…電圧生成回路、160…記憶部、170…インターフェース回路、180…制御回路、190…駆動回路、191…レジスター、192…可変抵抗回路、193…電圧発生回路、194…抵抗制御回路、195…ノイズ補償回路、196…タイミング制御回路、198…レジスター、200…電気光学パネル、210…画素アレイ、220…サンプルホールド回路、300…電子機器、310…処理部、320…記憶部、330…操作部、340…インターフェース部、400…電気光学装置、BF1〜BF4…バッファー回路、CN1〜CN4…キャパシター、GRD[6:0]…表示データ、GRD1,GRD2…表示データ、OPA…演算増幅器、R1,R2…抵抗、RA1,RA2…抵抗、RB1〜RB4…抵抗、SAA1,SAA2,SAB1,SAB2…スイッチ、SBA1〜SBA4,SBB1〜SBB4…スイッチ、SNC1〜SNC4…制御信号、SS1〜SS4…スイッチ制御信号、TDA,TDB…期間、TDR…駆動期間、TQ…データ電圧出力端子、VC…基準電圧、VCNT…制御電圧、VDA…階調電圧、VRG…可変抵抗素子、VT…データ電圧出力端子の電圧、VTB…電圧(目標電圧)、ta…切り替えタイミング 10... D/A conversion circuit, 11-18... D/A conversion circuit, 20... Amplification circuit, 21-28... Drive circuit, 31-38... Resistance control circuit, 50... Ladder resistance circuit, 55... Memory, 56... Table data, 80... D/A conversion circuit, 100... Display driver, 110... D/A conversion unit, 120... Driving unit, 150... Voltage generation circuit, 160... Storage unit, 170... Interface circuit, 180... Control circuit, 190... Driving circuit, 191... Register, 192... Variable resistance circuit, 193... Voltage generating circuit, 194... Resistance control circuit, 195... Noise compensation circuit, 196... Timing control circuit, 198... Register, 200... Electro-optical panel, 210 ... Pixel array, 220... Sample and hold circuit, 300... Electronic equipment, 310... Processing section, 320... Storage section, 330... Operation section, 340... Interface section, 400... Electro-optical device, BF1 to BF4... Buffer circuit, CN1 to CN1. CN4... Capacitor, GRD[6:0]... Display data, GRD1, GRD2... Display data, OPA... Operational amplifier, R1, R2... Resistor, RA1, RA2... Resistor, RB1 to RB4... Resistor, SAA1, SAA2, SAB1, SAB2... switch, SBA1 to SBA4, SBB1 to SBB4... switch, SNC1 to SNC4... control signal, SS1 to SS4... switch control signal, TDA, TDB... period, TDR... drive period, TQ... data voltage output terminal, VC... reference Voltage, VCNT... Control voltage, VDA... Grayscale voltage, VRG... Variable resistance element, VT... Data voltage output terminal voltage, VTB... Voltage (target voltage), ta... Switching timing

Claims (10)

データ電圧出力端子と、
データ電圧を出力する増幅回路と、前記増幅回路の出力ノードと前記データ電圧出力端子との間に設けられる可変抵抗回路と、を有し、前記データ電圧出力端子から前記データ電圧を出力して電気光学パネルのデータ線を駆動する駆動回路と、
駆動期間の切り替えタイミングにおいて、前記可変抵抗回路の抵抗値を第1の抵抗値から前記第1の抵抗値より高い第2の抵抗値に切り替える制御を行う抵抗制御回路と、
前記データ電圧出力端子に接続されるノイズ補償回路と、
を含み、
前記駆動回路は、
第1の駆動期間では、第1の表示データに対応する第1のデータ電圧を前記データ電圧出力端子に出力し、
前記第1の駆動期間の次の第2の駆動期間では、第2の表示データに対応する第2のデータ電圧を前記データ電圧出力端子に出力し、
前記抵抗制御回路は、
前記第2の駆動期間において、前記第1のデータ電圧と前記第2のデータ電圧の差が大きいほど遅くなる前記切り替えタイミングで前記可変抵抗回路の抵抗値を前記第1の抵抗値から前記第2の抵抗値に切り替え
前記可変抵抗回路は、
前記増幅回路の前記出力ノードと前記データ電圧出力端子との間に設けられる第1〜第nの抵抗(nは2以上の整数)及び第1〜第nのスイッチを有し、
前記ノイズ補償回路は、
一端が前記データ電圧出力端子に接続され、前記第1〜第nのスイッチのサイズに対応した容量値を有する第1〜第nのキャパシターを有し、
前記抵抗制御回路は、
前記第1〜第nのスイッチの各スイッチをオン又はオフに制御することで、前記可変抵抗回路の抵抗値を制御し、
前記第1〜第nのスイッチの各スイッチがオンであるかオフであるかに応じて、前記第1〜第nのキャパシターの各キャパシターの他端の電圧を制御することで、前記第1〜第nのスイッチの切り替えノイズを補償することを特徴とする表示ドライバー。
A data voltage output terminal,
An amplifier circuit that outputs a data voltage, and a variable resistance circuit that is provided between the output node of the amplifier circuit and the data voltage output terminal are provided, and the data voltage is output from the data voltage output terminal to generate an electric signal. A drive circuit for driving the data line of the optical panel,
A resistance control circuit that performs control to switch the resistance value of the variable resistance circuit from a first resistance value to a second resistance value higher than the first resistance value at a switching timing of a driving period;
A noise compensation circuit connected to the data voltage output terminal,
Including
The drive circuit is
In the first driving period, the first data voltage corresponding to the first display data is output to the data voltage output terminal,
In a second driving period subsequent to the first driving period, a second data voltage corresponding to second display data is output to the data voltage output terminal,
The resistance control circuit,
In the second driving period, the resistance value of the variable resistance circuit is changed from the first resistance value to the second resistance value at the switching timing which becomes slower as the difference between the first data voltage and the second data voltage becomes larger. switching of the resistance value,
The variable resistance circuit,
A first to nth resistor (n is an integer of 2 or more) and a first to nth switch provided between the output node of the amplifier circuit and the data voltage output terminal,
The noise compensation circuit is
One end is connected to the data voltage output terminal, and includes first to nth capacitors having capacitance values corresponding to sizes of the first to nth switches,
The resistance control circuit,
The resistance value of the variable resistance circuit is controlled by controlling each of the first to nth switches to be turned on or off,
By controlling the voltage of the other end of each capacitor of the first to nth capacitors according to whether each switch of the first to nth switches is on or off, the first to nth switches are controlled. A display driver, which compensates switching noise of the n-th switch .
請求項1において、
前記抵抗制御回路は、
前記第1の表示データと前記第2の表示データの差分値の大きさが大きいほど前記切り替えタイミングを遅くする制御を行うことを特徴とする表示ドライバー。
In claim 1,
The resistance control circuit,
A display driver, wherein control is performed such that the switching timing is delayed as the magnitude of the difference value between the first display data and the second display data increases.
請求項2において、
前記抵抗制御回路は、
前記差分値と前記切り替えタイミングを対応付けるテーブルデータに基づいて、前記差分値に対応する前記切り替えタイミングを設定することを特徴とする表示ドライバー。
In claim 2,
The resistance control circuit,
A display driver, wherein the switching timing corresponding to the difference value is set based on table data that associates the difference value with the switching timing.
請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記抵抗制御回路は、
前記データ電圧出力端子の電圧が、目標電圧である前記データ電圧に到達する前の前記切り替えタイミングで前記可変抵抗回路の抵抗値を前記第1の抵抗値から前記第2の抵抗値に切り替えることを特徴とする表示ドライバー。
In any one of Claim 1 thru|or 3,
The resistance control circuit,
Switching the resistance value of the variable resistance circuit from the first resistance value to the second resistance value at the switching timing before the voltage of the data voltage output terminal reaches the data voltage which is the target voltage. Characteristic display driver.
請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記可変抵抗回路は、
制御電圧に応じて抵抗値が可変に制御される可変抵抗素子を有し、
前記抵抗制御回路は、
前記制御電圧を変化させることで、前記可変抵抗回路の抵抗値を制御することを特徴とする表示ドライバー。
In any one of Claim 1 thru|or 4,
The variable resistance circuit,
A variable resistance element whose resistance value is variably controlled according to a control voltage,
The resistance control circuit,
A display driver, wherein the resistance value of the variable resistance circuit is controlled by changing the control voltage.
請求項1乃至のいずれかにおいて、
前記第1の抵抗値を設定するための第1の設定値と、前記第2の抵抗値を設定するための第2の設定値とを記憶するレジスターを含み、
前記抵抗制御回路は、
前記第1の設定値と前記第2の設定値に基づいて、前記可変抵抗回路の抵抗値を前記第1の抵抗値から前記第2の抵抗値に切り替えることを特徴とする表示ドライバー。
In any one of Claim 1 thru|or 5 ,
A register for storing a first set value for setting the first resistance value and a second set value for setting the second resistance value;
The resistance control circuit,
A display driver, wherein the resistance value of the variable resistance circuit is switched from the first resistance value to the second resistance value based on the first set value and the second set value.
請求項1乃至のいずれかにおいて、
前記第1の抵抗値に対する前記第2の抵抗値の比は2以上であることを特徴とする表示ドライバー。
In any one of Claim 1 thru|or 6 ,
A display driver, wherein a ratio of the second resistance value to the first resistance value is 2 or more.
請求項1乃至のいずれかにおいて、
前記増幅回路は、
非反転入力端子に基準電圧が入力される演算増幅器と、
前記増幅回路の入力ノードと前記演算増幅器の反転入力端子との間に設けられる入力抵抗と、
前記演算増幅器の出力端子と前記反転入力端子との間に設けられるフィードバック抵抗と、
を有することを特徴とする表示ドライバー。
In any one of Claim 1 thru|or 7 ,
The amplifier circuit is
An operational amplifier whose reference voltage is input to the non-inverting input terminal,
An input resistor provided between the input node of the amplifier circuit and the inverting input terminal of the operational amplifier;
A feedback resistor provided between the output terminal of the operational amplifier and the inverting input terminal;
Display driver characterized by having.
請求項1乃至のいずれかに記載の表示ドライバーと、
前記表示ドライバーにより駆動される電気光学パネルと、
を含むことを特徴とする電気光学装置。
A display driver according to any one of claims 1 to 8 ,
An electro-optical panel driven by the display driver,
An electro-optical device comprising:
請求項1乃至のいずれかに記載の表示ドライバーを含むことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the display driver according to any one of claims 1 to 8.
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