JP2021117085A - Probe, measurement device, and measurement method - Google Patents

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Toshihiro Imai
俊博 今井
真一 古谷
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真一 古谷
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Abstract

To provide a probe capable of suppressing variations in measurements.SOLUTION: A probe for measuring an electrical property of an object under measurement has a contact surface to be brought into contact with the object under measurement. The contact surface has a maximum height Rz in a range of 3 to 8 μm, inclusive.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、プローブ、測定装置、及び測定方法に関する。 The present invention relates to probes, measuring devices, and measuring methods.

ひずみゲージの製造工程には、ひずみゲージの入力抵抗、出力抵抗や出力電圧を測定する測定工程が含まれる。この測定工程は、ひずみゲージが設計された電気的特性を備えているか否かを検査するために行われる。同様の測定工程は、回路基板を製品に実装する際などにも行われる。 The strain gauge manufacturing process includes a measurement process for measuring the input resistance, output resistance and output voltage of the strain gauge. This measuring step is performed to check whether the strain gauge has the designed electrical properties. The same measurement process is also performed when mounting the circuit board on the product.

上記の測定工程では、例えば、プローブ(探針)をひずみゲージや回路基板の端子に接触させて、試験電流を流す。特許文献1は、プローブの一例を示す。 In the above measurement step, for example, a probe is brought into contact with a strain gauge or a terminal of a circuit board to pass a test current. Patent Document 1 shows an example of a probe.

特開2009−210443号JP-A-2009-210443

被測定物(ひずみゲージ、回路基板等)の端子にプローブを接触させて被測定物の電気的特性を測定する際、測定値にばらつきが生じ得る。即ち、同一の被測定物に対して同一の条件で行った複数回の測定の結果が、互いに同一とならないことがある。このような測定値のばらつきは、測定結果の信頼性に影響を及ぼすため、望ましくない。 When the probe is brought into contact with the terminal of the object to be measured (strain gauge, circuit board, etc.) and the electrical characteristics of the object to be measured are measured, the measured values may vary. That is, the results of a plurality of measurements performed on the same object under the same conditions under the same conditions may not be the same. Such variations in measured values are not desirable because they affect the reliability of the measured results.

本発明は、測定値のばらつきを抑制することのできるプローブ、該プローブを備える測定装置、及び該プローブを用いる測定方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a probe capable of suppressing variation in measured values, a measuring device provided with the probe, and a measuring method using the probe.

本発明の第1の態様に従えば、
被測定物の電気的特性を測定するためのプローブであって、
前記被測定物に接触させる接触面を有し、
該接触面の最大高さRzが3μm以上且つ8μm以下であるプローブが提供される。
According to the first aspect of the present invention,
A probe for measuring the electrical characteristics of an object to be measured.
It has a contact surface that comes into contact with the object to be measured, and has a contact surface.
A probe having a maximum height Rz of the contact surface of 3 μm or more and 8 μm or less is provided.

第1の態様のプローブにおいて、 前記被測定物の、前記接触面と接触する部分に酸化被膜が形成されていてもよい。 In the probe of the first aspect, an oxide film may be formed on a portion of the object to be measured that comes into contact with the contact surface.

第1の態様のプローブにおいて、前記被測定物はひずみゲージであってもよい。 In the probe of the first aspect, the object to be measured may be a strain gauge.

本発明の第2の態様に従えば、
被測定物の電気的特性を測定するための測定装置であって、
第1の態様のプローブと、
前記プローブを保持する治具と、
前記被測定物を保持して、該被測定物を前記プローブの前記接触面に接触させる被測定物移動機構とを備える測定装置が提供される。
According to the second aspect of the present invention,
A measuring device for measuring the electrical characteristics of an object to be measured.
The probe of the first aspect and
A jig that holds the probe and
Provided is a measuring device including a measuring object moving mechanism that holds the measured object and brings the measured object into contact with the contact surface of the probe.

第2の態様の測定装置において、前記被測定物移動機構は、前記プローブの前記接触面と前記被測定物との間の接触圧力が850〜1150gf/mmとなるように前記被測定物を前記プローブの前記接触面に接触させてもよい。 In the measuring device of the second aspect, the object to be measured moves the object to be measured so that the contact pressure between the contact surface of the probe and the object to be measured is 850 to 1150 gf / mm 2. It may be brought into contact with the contact surface of the probe.

第2の態様の測定装置において、前記プローブの前記接触面を粗面化するための粗面化部材を保持して、該粗面化部材を前記接触面に接触させる粗面化部材移動機構を備えてもよい。 In the measuring device of the second aspect, a roughening member moving mechanism that holds a roughening member for roughening the contact surface of the probe and brings the roughening member into contact with the contact surface is provided. You may prepare.

第2の態様の測定装置において、前記治具は、複数の前記プローブをマトリックス状に保持するように構成されていてもよく、前記被測定物移動機構は、マトリックス状に保持された前記複数のプローブを前記被測定物に同時に接触させるよう構成されていてもよい。 In the measuring device of the second aspect, the jig may be configured to hold a plurality of the probes in a matrix, and the object moving mechanism to be measured may be configured to hold the plurality of probes in a matrix. The probe may be configured to come into contact with the object to be measured at the same time.

本発明の第3の態様に従えば、
被測定物の電気的特性を測定する測定方法であって、
第1の態様のプローブの前記接触面を前記被測定物に接触させて前記被測定物の電気的特性を測定することと、
前記接触面に粗面化処理を施すことを含む測定方法が提供される。
According to the third aspect of the present invention,
It is a measuring method for measuring the electrical characteristics of an object to be measured.
To measure the electrical characteristics of the object to be measured by bringing the contact surface of the probe of the first aspect into contact with the object to be measured.
A measuring method including roughening the contact surface is provided.

第3の態様の測定方法において、
前記粗面化処理を、所定数の前記被測定物の測定ごとに、又は所定時間が経過するごとに実行してもよい。
In the measurement method of the third aspect,
The roughening treatment may be performed every time a predetermined number of the objects to be measured are measured, or every time a predetermined time elapses.

本発明のプローブ、該プローブを備える測定装置、及び該プローブを用いる測定方法によれば、測定値のばらつきを抑制することができる。 According to the probe of the present invention, a measuring device provided with the probe, and a measuring method using the probe, variations in measured values can be suppressed.

図1(a)はひずみゲージストリップの上面図である。図1(b)は、ひずみゲージストリップに含まれるひずみゲージの上面図である。図1(c)はひずみゲージ内に構成されたホイートストンブリッジの回路図であるFIG. 1A is a top view of the strain gauge strip. FIG. 1B is a top view of the strain gauge included in the strain gauge strip. FIG. 1C is a circuit diagram of a Wheatstone bridge configured in a strain gauge. 図2は、本発明の実施形態に係る測定装置の側面図である。FIG. 2 is a side view of the measuring device according to the embodiment of the present invention. 図3は、測定装置が備えるテーブルの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a table included in the measuring device. 図4は、本発明の実施形態に係る測定装置の、一部を省略した上面図である。FIG. 4 is a top view of the measuring device according to the embodiment of the present invention, in which a part is omitted. 図5は、本発明の実施形態に係るプローブの側面図である。FIG. 5 is a side view of the probe according to the embodiment of the present invention. 図6は、本発明の実施形態に係る測定方法のフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart of the measurement method according to the embodiment of the present invention. 図7(a)〜図7(d)は測定装置の動作を説明する図である。図7(a)は、テーブルがワーク交換位置にある状態を示す。図7(b)はテーブルがスタンバイ位置にある状態を示す。図7(c)は、テーブルがワーク測定位置にある状態を示す。図7(d)は、テーブルがマーキング位置にある状態を示す。7 (a) to 7 (d) are diagrams illustrating the operation of the measuring device. FIG. 7A shows a state in which the table is in the work exchange position. FIG. 7B shows a state in which the table is in the standby position. FIG. 7C shows a state in which the table is in the work measurement position. FIG. 7D shows a state in which the table is in the marking position. 図8は、実施例1〜11のプローブと比較例1〜3のプローブについて、最大高さRz、及びばらつきの判定結果を示す表である。FIG. 8 is a table showing the determination results of the maximum height Rz and the variation for the probes of Examples 1 to 11 and the probes of Comparative Examples 1 to 3. 図9(a)、図9(b)、図9(c)は、プローブの接触面と端子との接触状態の変化が接触抵抗に与える影響を説明するための説明図である。9 (a), 9 (b), and 9 (c) are explanatory views for explaining the influence of the change in the contact state between the contact surface of the probe and the terminal on the contact resistance. 図10(a)、図10(b)、図10(c)は、プローブの接触面と端子との接触状態の変化が接触抵抗に与える影響を説明するための説明図である。10 (a), 10 (b), and 10 (c) are explanatory views for explaining the influence of the change in the contact state between the contact surface of the probe and the terminal on the contact resistance.

<実施形態>
本発明の実施形態のプローブ50、測定装置(インサーキットテスタ)100について、ひずみゲージストリップ900(図1(a))に含まれる複数のひずみゲージの電気的特性(入力抵抗、出力抵抗、出力電圧等)を測定する場合を例として説明する。
<Embodiment>
Regarding the probe 50 and the measuring device (in-circuit tester) 100 according to the embodiment of the present invention, the electrical characteristics (input resistance, output resistance, output voltage) of a plurality of strain gauges included in the strain gauge strip 900 (FIG. 1 (a)). Etc.) will be described as an example.

[ひずみゲージストリップ900]
被測定物であるひずみゲージストリップ900は、図1(a)に示す通り、平面視略矩形のゲージベース910と、ゲージベース910上に形成された配線層920とを含む。
[Strain gauge strip 900]
As shown in FIG. 1A, the strain gauge strip 900 to be measured includes a gauge base 910 having a substantially rectangular shape in a plan view and a wiring layer 920 formed on the gauge base 910.

ゲージベース910は、絶縁樹脂、例えばPI(ポリイミド)樹脂、エポキシ樹脂、PET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂等より形成されたフィルム状のシートとし得る。ゲージベース910の厚さは、一例として、20μm〜30μm程度とし得る。ゲージベース910の四隅の各々には、ゲージベース910を厚さ方向に貫通するアライメント孔910hが形成されている。 The gauge base 910 can be a film-like sheet formed of an insulating resin, for example, a PI (polyimide) resin, an epoxy resin, a PET (polyethylene terephthalate) resin, or the like. The thickness of the gauge base 910 can be, for example, about 20 μm to 30 μm. Alignment holes 910h that penetrate the gauge base 910 in the thickness direction are formed at each of the four corners of the gauge base 910.

配線層920は、一例として、銅ニッケル合金により形成されている。配線層920は、5行×4列のマトリックス状に配置された複数のゲージパターンGP11〜GP54を含む。配線層920の厚さは、一例として、3μm〜5μm程度とし得る。 The wiring layer 920 is formed of a copper-nickel alloy as an example. The wiring layer 920 includes a plurality of gauge patterns GP 11 to GP 54 arranged in a matrix of 5 rows × 4 columns. The thickness of the wiring layer 920 may be, for example, about 3 μm to 5 μm.

ゲージパターンGP11〜GP54の各々は、図1(b)、図1(c)に示す通り、4つの抵抗体R、R、R、Rと、4つの端子T、T、T、Tと、これらを接続する配線Wとを含む。4つの抵抗体R〜R、4つの端子T〜T、及び配線Wによりホイートストンブリッジ回路が構成されている。 Each gage patterns GP 11 ~GP 54 is FIG. 1 (b), the as shown in FIG. 1 (c), four resistors R 1, R 2, R 3 , R 4, 4 two terminals T A, T including B, T C, and T D, a wire W for connecting them. A Wheatstone bridge circuit is composed of four resistors R 1 to R 4, four terminals TA to T D, and wiring W.

ゲージベース910の一部分と、当該一部分の上に形成されたゲージパターンGP11〜GP54により、ひずみゲージSG11〜SG54がそれぞれ構成される。以下、ゲージパターンGP11〜GP54を総称して、ゲージパターンGPmnと呼び、ひずみゲージSG11〜SG54を総称して、ひずみゲージSGmnと呼ぶ。 A part of the gauge base 910 and gauge patterns GP 11 to GP 54 formed on the part form strain gauges SG 11 to SG 54 , respectively. Hereinafter, the gauge patterns GP 11 to GP 54 are collectively referred to as a gauge pattern GP mn, and the strain gauges SG 11 to SG 54 are collectively referred to as a strain gauge SG mn .

[測定装置100]
図2に示す通り、測定装置100は、ベース10と、ベース10に内蔵された駆動機構20と、駆動機構20によって移動可能に支持されたテーブル30と、ベース10の上面に配置されたプローブ保持機構40とを備える。プローブ保持機構40は、複数のプローブ50を保持している。
[Measuring device 100]
As shown in FIG. 2, the measuring device 100 includes a base 10, a drive mechanism 20 built in the base 10, a table 30 movably supported by the drive mechanism 20, and a probe holding arranged on the upper surface of the base 10. It includes a mechanism 40. The probe holding mechanism 40 holds a plurality of probes 50.

測定装置100は更に、複数のプローブ50の各々と配線(不図示)で接続された測定実行部60と、プローブ保持機構40に隣接するマーキング機構70と、測定装置100の全体的な動作を制御する制御部CONTとを備える。 The measuring device 100 further controls the measurement executing unit 60 connected to each of the plurality of probes 50 by wiring (not shown), the marking mechanism 70 adjacent to the probe holding mechanism 40, and the overall operation of the measuring device 100. It is provided with a control unit CONT.

以下においては、図2の左右方向を測定装置100のスライド方向と呼び、図2の奥行方向(紙面に直交する方向)を測定装置100の幅方向と呼ぶ。スライド方向は、駆動機構20がテーブル30を水平面に沿ってスライドさせる方向であり、幅方向は水平面内においてスライド方向に直交する方向である。また、図2の上下方向、即ちスライド方向及び幅方向に直交する方向を上下方向と呼ぶ。スライド方向においては、図2においてテーブル30が位置する側をワーク設置側と呼び、プローブ保持機構40が位置する側をワーク測定側と呼ぶ。 In the following, the left-right direction of FIG. 2 is referred to as the slide direction of the measuring device 100, and the depth direction of FIG. 2 (the direction orthogonal to the paper surface) is referred to as the width direction of the measuring device 100. The slide direction is the direction in which the drive mechanism 20 slides the table 30 along the horizontal plane, and the width direction is the direction orthogonal to the slide direction in the horizontal plane. Further, the vertical direction of FIG. 2, that is, the direction orthogonal to the slide direction and the width direction is referred to as a vertical direction. In the slide direction, the side where the table 30 is located is called the work installation side in FIG. 2, and the side where the probe holding mechanism 40 is located is called the work measurement side.

ベース10は、中空の箱状であり、水平面に沿って広がる天板10tを有する。天板10tには、スライド方向に延びる長手の開口10A(図2、図4)が形成されている。 The base 10 has a hollow box shape and has a top plate 10t extending along a horizontal plane. The top plate 10t is formed with a long opening 10A (FIGS. 2 and 4) extending in the sliding direction.

駆動機構20は、テーブル30をスライド方向及び上下方向に移動させるための機構である。駆動機構20は、本体部21と、本体部21によって移動される支持部22とを有する。 The drive mechanism 20 is a mechanism for moving the table 30 in the sliding direction and the vertical direction. The drive mechanism 20 has a main body portion 21 and a support portion 22 moved by the main body portion 21.

本体部21は、ベース10の内部に収容されて、天板10tの近傍に位置している。本体部21は、支持部22をスライド方向及び上下方向に移動可能な任意の機構であってよい。本体部21は、一例として、モータやピエゾアクチュエータを含む動力発生機構と、歯車、ベルト、チェーン、プーリ等を含む動力伝達機構とにより構成されている。 The main body 21 is housed inside the base 10 and is located in the vicinity of the top plate 10t. The main body 21 may be any mechanism that can move the support 22 in the sliding direction and the vertical direction. As an example, the main body 21 is composed of a power generation mechanism including a motor and a piezo actuator, and a power transmission mechanism including a gear, a belt, a chain, a pulley, and the like.

支持部22は、上下方向に延びる柱状の構造である。支持部22は、本体部21の上面から、天板10tの開口部10Aを通って、天板10tの上方まで延びている。 The support portion 22 has a columnar structure extending in the vertical direction. The support portion 22 extends from the upper surface of the main body portion 21 through the opening 10A of the top plate 10t to the upper side of the top plate 10t.

テーブル30は、図3に示す通り、平面視略正方形の平板である。 As shown in FIG. 3, the table 30 is a flat plate having a substantially square plan view.

テーブル30の上面30uの四隅の各々には、上面30uから直立する円柱状のアライメントピン30pが設けられている。テーブル30の上面30uの周縁部には、各辺に沿って並ぶ複数の吸気孔30hが設けられている。複数の吸気孔30hの各々は、テーブル30内部の空気流路(不図示)、及びテーブル30に接続されて空気流路に連通した可撓性の吸気ホース(不図示)を介して、吸気装置(不図示)に接続されている。 Each of the four corners of the upper surface 30u of the table 30 is provided with a columnar alignment pin 30p that stands upright from the upper surface 30u. A plurality of intake holes 30h arranged along each side are provided on the peripheral edge of the upper surface 30u of the table 30. Each of the plurality of intake holes 30h is an intake device via an air flow path inside the table 30 (not shown) and a flexible intake hose (not shown) connected to the table 30 and communicated with the air flow path. It is connected to (not shown).

テーブル30の下面は、駆動機構20の支持部22の上端に固定されている。これによりテーブル30は、スライド方向及び上下方向に移動可能な状態で、駆動機構20に支持される。 The lower surface of the table 30 is fixed to the upper end of the support portion 22 of the drive mechanism 20. As a result, the table 30 is supported by the drive mechanism 20 in a state where it can be moved in the sliding direction and the vertical direction.

プローブ保持機構40は、複数のプローブ50を保持する長方体の治具41と、治具41を支持する4つの支持柱42とを有する。 The probe holding mechanism 40 has a rectangular parallelepiped jig 41 that holds a plurality of probes 50, and four support columns 42 that support the jig 41.

図4に示す通り、治具41には、治具41を上下方向に貫通する複数の保持孔41hがマトリックス状に形成されている。本実施形態では、複数の保持孔41hが80個(幅方向に5行×スライド方向に16列)形成されている。 As shown in FIG. 4, the jig 41 is formed with a plurality of holding holes 41h penetrating the jig 41 in the vertical direction in a matrix shape. In the present embodiment, 80 plurality of holding holes 41h (5 rows in the width direction × 16 columns in the slide direction) are formed.

4つの支持柱42は、天板10tの上面から上方に延びて、治具41の下面の四隅に接続されている。幅方向に並ぶ2つの支持柱42は、開口10Aを幅方向に挟んでいる。 The four support columns 42 extend upward from the upper surface of the top plate 10t and are connected to the four corners of the lower surface of the jig 41. The two support columns 42 arranged in the width direction sandwich the opening 10A in the width direction.

複数のプローブ50の各々(図5)は、一例としてタングステン、銅、プラチナ、金等の金属で形成されている。複数のプローブ50の各々は、一例として円柱形状を有する。プローブ50の一端部は、測定時にひずみゲージSGmnの端子T〜Tに接触する接触面50cである。 Each of the plurality of probes 50 (FIG. 5) is made of a metal such as tungsten, copper, platinum, or gold as an example. Each of the plurality of probes 50 has a cylindrical shape as an example. One end portion of the probe 50 is a contact surface 50c that contacts the terminal T A through T D of strain gauge SG mn during measurement.

接触面50cは一例として円形状である。接触面50cの直径は、一例として約0.1mm〜1.2mm程度とし得る。接触面50cの表面粗さ(最大高さRz)は、3μm≦Rz≦8μmであることが好ましい。これにより、測定値のばらつきが抑制され、且つ測定時のひずみゲージの損傷が防止される。その理由は後述する。なお、本明細書及び本発明において、「最大高さRz」は、JIS B 0601−2001に準拠して定義、測定される最大高さRzを意味する。 The contact surface 50c has a circular shape as an example. The diameter of the contact surface 50c can be, for example, about 0.1 mm to 1.2 mm. The surface roughness (maximum height Rz) of the contact surface 50c is preferably 3 μm ≦ Rz ≦ 8 μm. As a result, variation in the measured value is suppressed, and damage to the strain gauge during measurement is prevented. The reason will be described later. In the present specification and the present invention, "maximum height Rz" means the maximum height Rz defined and measured in accordance with JIS B 0601-2001.

複数のプローブ50は、治具41の複数の保持孔41hにそれぞれが挿入されて、マトリックス状に配置される。図2に示す通り、複数のプローブ50の各々は、接触面50cを下方に向け、且つ治具41を上下に貫通した状態で、保持孔41hの内部に収容される。 Each of the plurality of probes 50 is inserted into the plurality of holding holes 41h of the jig 41 and arranged in a matrix. As shown in FIG. 2, each of the plurality of probes 50 is housed inside the holding hole 41h with the contact surface 50c facing downward and penetrating the jig 41 up and down.

図4に示す通り、治具41は、80個のプローブ50を保持して、5行×16列のマトリックス状に配置する。また、幅方向に並ぶ4つのプローブ50をプローブセット50S(図4)と捉えると、治具41は、20個のプローブセット50Sを保持して、5行×4列のマトリックス状に配置する。各プローブセット50Sの4つのプローブ50は、測定時に、各ひずみゲージSGmnの4つの端子T〜Tに接触する(詳細後述)。 As shown in FIG. 4, the jig 41 holds 80 probes 50 and arranges them in a matrix of 5 rows × 16 columns. Further, assuming that the four probes 50 arranged in the width direction are regarded as the probe set 50S (FIG. 4), the jig 41 holds the 20 probe sets 50S and arranges them in a matrix of 5 rows × 4 columns. Four probes 50 of each probe set 50S is the time of measurement, in contact with the four terminals T A through T D of the strain gauge SG mn (details below).

測定実行部60は、プローブ50を用いてひずみゲージSGmnの入力抵抗、出力抵抗、及び出力電圧を測定する部分である。測定実行部60は、ベース10の内部に配置され、不図示の配線により、複数のプローブ50の各々に接続されている。 The measurement execution unit 60 is a portion that measures the input resistance, output resistance, and output voltage of the strain gauge SG mn using the probe 50. The measurement execution unit 60 is arranged inside the base 10 and is connected to each of the plurality of probes 50 by a wiring (not shown).

測定実行部60は、電源61と、デジタルマルチメータ(DMM)62と、リレー回路(測定用回路)63とを含む。電源61は測定用の入力電圧を供給する。DMM62は、ひずみゲージSGmnの入力抵抗、出力抵抗、出力電圧等を測定する。リレー回路63は、電源61、DMM62、及び複数のプローブ50の各々を接続する回路である。リレー回路63の構成は、測定内容に応じて切り替え可能(変更可能)である。 The measurement execution unit 60 includes a power supply 61, a digital multimeter (DMM) 62, and a relay circuit (measurement circuit) 63. The power supply 61 supplies an input voltage for measurement. The DMM 62 measures the input resistance, output resistance, output voltage, etc. of the strain gauge SG mn. The relay circuit 63 is a circuit that connects each of the power supply 61, the DMM 62, and the plurality of probes 50. The configuration of the relay circuit 63 can be switched (changeable) according to the measurement content.

マーキング機構70は、測定実行部60が行った測定の結果に基づいて、所定のひずみゲージSGmnに印(マーク)を付すための機構である。マーキング機構70は、スライド方向において、治具41のワーク設置側に配置されている。 The marking mechanism 70 is a mechanism for marking a predetermined strain gauge SG mn based on the result of measurement performed by the measurement executing unit 60. The marking mechanism 70 is arranged on the work installation side of the jig 41 in the slide direction.

マーキング機構70は、ペン先71tを有するペン71と、ペン71を幅方向及び上下方向に移動可能に保持するペン保持機構72とを有する。なお、マーキング機構70は、ペンを用いたものに限らず、針やカッターでマーキングするものであっても良い。 The marking mechanism 70 includes a pen 71 having a pen tip 71t and a pen holding mechanism 72 that holds the pen 71 so as to be movable in the width direction and the vertical direction. The marking mechanism 70 is not limited to the one using a pen, and may be one that marks with a needle or a cutter.

ペン71は、ペン先71tを下方に向けて、ペン保持機構72に保持されている。ペン保持機構72は、ペン71を幅方向及び上下方向に移動可能な任意の機構であってよい。ペン保持機構72の一例は、エアスライダである。 The pen 71 is held by the pen holding mechanism 72 with the pen tip 71t facing downward. The pen holding mechanism 72 may be any mechanism capable of moving the pen 71 in the width direction and the vertical direction. An example of the pen holding mechanism 72 is an air slider.

制御部CONTは、ベース10の内部に収容されている。制御装置CONTは、駆動機構20、測定実行部60、マーキング機構70に接続されており、これらと通信可能である。 The control unit CONT is housed inside the base 10. The control device CONT is connected to the drive mechanism 20, the measurement execution unit 60, and the marking mechanism 70, and can communicate with these.

[測定方法]
プローブ50、測定装置100を用いたひずみゲージSGmnの電気的特性(入力抵抗、出力抵抗、出力電圧等)の測定は、図6のフローチャートに示す通り、ワーク設置工程S1、測定工程S2、マーキング工程S3を含む。
[Measuring method]
As shown in the flowchart of FIG. 6, the measurement of the electrical characteristics (input resistance, output resistance, output voltage, etc.) of the strain gauge SG mn using the probe 50 and the measuring device 100 is performed in the work installation process S1, the measurement process S2, and the marking. The step S3 is included.

ワーク設置工程S1においては、被測定物であるひずみゲージストリップ900を、測定装置100のテーブル30に設置する。ワーク設置工程S1は、具体的には例えば、次のように行う。 In the work installation step S1, the strain gauge strip 900, which is the object to be measured, is installed on the table 30 of the measuring device 100. Specifically, the work installation step S1 is performed as follows, for example.

まず、テーブル30を治具41から最も離れた位置(図7(a)。以下、「ワーク設置位置」と呼ぶ)に移動させて、テーブル30上にひずみゲージストリップ900を設置する。この時、テーブル30の四隅のアライメントピン41pをゲージベース910の四隅のアライメント孔910hの内部にそれぞれ配置することで、ひずみゲージストリップ900のテーブル30に対する位置合わせを容易に行うことができる。 First, the table 30 is moved to the position farthest from the jig 41 (FIG. 7 (a), hereinafter referred to as “work installation position”), and the strain gauge strip 900 is installed on the table 30. At this time, by arranging the alignment pins 41p at the four corners of the table 30 inside the alignment holes 910h at the four corners of the gauge base 910, the strain gauge strip 900 can be easily aligned with the table 30.

次に、テーブル30の吸気孔30hを介した吸気を行ってひずみゲージストリップ900を吸引し、ひずみゲージストリップ900をテーブル30に固定する。吸気孔30hを介した吸引に加えて、又はこれに代えて、おもりを用いることもできる。具体的には例えば、額縁状の金属枠の底面に樹脂を貼り付けたおもりをひずみゲージストリップ900の周縁部に乗せて、ひずみゲージストリップ900の周縁部を上から押さえつけてもよい。 Next, the strain gauge strip 900 is sucked by sucking air through the intake hole 30h of the table 30, and the strain gauge strip 900 is fixed to the table 30. In addition to, or in place of, suction through the intake hole 30h, a weight can also be used. Specifically, for example, a weight having a resin attached to the bottom surface of a frame-shaped metal frame may be placed on the peripheral edge of the strain gauge strip 900, and the peripheral edge of the strain gauge strip 900 may be pressed from above.

ひずみゲージストリップ900をテーブル30の上面30uに密着させることで、換言すればひずみゲージストリップ900が平坦となるように保持することで、複数のプローブ50を複数のひずみゲージSGmnの端子T〜Tに均一な状態で接触させることができる。これにより測定工程S2における測定の精度をより高めることができる。 By adhering the strain gauge strip 900 on the upper surface 30u of the table 30, by gauge strip 900 strain in other words it is held such that a flat, terminal T A ~ of the probes 50 a plurality of strain gauges SG mn It can be brought into contact with the T D in a uniform state. As a result, the accuracy of measurement in the measurement step S2 can be further improved.

測定工程S2においては、ひずみゲージストリップ900に含まれるひずみゲージSGmnの各々の電気的特性を、複数のプローブ50及び測定実行部60を主に用いて行う。測定工程S2は、具体的には例えば、次のように行う。 In the measurement step S2, the electrical characteristics of each of the strain gauge SG mn included in the strain gauge strip 900 are mainly performed by using the plurality of probes 50 and the measurement execution unit 60. Specifically, the measurement step S2 is performed as follows, for example.

まず、テーブル30を治具41の真下の位置(図7(b)。以下、「スタンバイ位置」と呼ぶ)までスライドさせる。その後、テーブル30を、複数のプローブ50の接触面50cがひずみゲージストリップ900に接触する位置(図7(c)。以下、「測定位置」と呼ぶ)まで上昇させて停止させる。 First, the table 30 is slid to a position directly below the jig 41 (FIG. 7 (b), hereinafter referred to as a “standby position”). After that, the table 30 is raised to a position where the contact surfaces 50c of the plurality of probes 50 come into contact with the strain gauge strip 900 (FIG. 7 (c), hereinafter referred to as “measurement position”) and stopped.

テーブル30が測定位置で停止した状態においては、複数のプローブ50の各々は、ひずみゲージストリップ900の複数のひずみゲージSGmnの各々に接触する。具体的には、各プローブセット50Sに含まれる4つのプローブ50が、ひずみゲージSGmnの各々の端子T〜Tにそれぞれ接触する。接触圧(プローブ押し圧)は、一例として、1本のプローブ50あたり約60〜約80gf(約850〜約1150gf/mm)程度とし得る。 With the table 30 stopped at the measurement position, each of the plurality of probes 50 contacts each of the plurality of strain gauges SG mns of the strain gauge strip 900. Specifically, four probes 50 included in each probe set 50S is in contact to terminals T A through T D of each of the strain gauges SG mn. The contact pressure (probe pushing pressure) can be, for example, about 60 to about 80 gf (about 850 to about 1150 gf / mm 2 ) per probe 50.

次に、測定実行部60が、ひずみゲージSGmnの各々について、入力抵抗、出力抵抗、出力電圧を測定する。具体的な測定方法は、一例として次の通りである。 Next, the measurement execution unit 60 measures the input resistance, the output resistance, and the output voltage for each of the strain gauges SG mn. The specific measurement method is as follows as an example.

測定実行部60は、まず、次の工程によりひずみゲージSG11の測定を行う。 First, the measurement execution unit 60 measures the strain gauge SG 11 by the following steps.

(1)リレー回路63を用いて、電源61、端子Tに接触するプローブ50、端子T、端子T、端子Tに接触するプローブ50、及びDMM62を繋ぐ閉回路を構成し、ひずみゲージSG11の入力抵抗を測定する。
(2)リレー回路63を用いて、電源61、端子Tに接触するプローブ50、端子T、端子T、端子Tに接触するプローブ50、DMM62を繋ぐ閉回路を構成し、ひずみゲージSG11の出力抵抗を測定する。
(3)リレー回路63及びプローブ50を用いて、電源部61を端子T、Tに接続し、DMM62を端子T、Tに接続する。電源部61によりひずみゲージSG11に入力電圧Vinを与えた状態で、DMM62でひずみゲージSG11の出力電圧Voutを測定する(ゼロバランスの測定)。
(1) using the relay circuit 63, power supply 61, the probe 50 in contact with the terminal T A, constitute the terminal T A, terminal T C, the closed circuit connecting the probe 50, and DMM62 contacts the terminal T C, strain Measure the input resistance of the gauge SG 11.
(2) using the relay circuit 63, power supply 61, constitute a probe 50 in contact with the terminal T B, the terminal T B, terminal T D, the closed circuit connecting the probe 50, DMM62 in contact with the terminal T D, strain gauge Measure the output resistance of SG 11.
(3) using the relay circuit 63 and the probe 50, and connect the power unit 61 terminal T A, the T C, connects the DMM62 terminal T B, the T D. In a state that provides an input voltage V in to the strain gauge SG 11 by the power supply unit 61 measures the output voltage V out of the gauge SG 11 strain in DMM62 (Measurement of zero balance).

測定実行部60は、測定されたひずみゲージSG11の入力抵抗、出力抵抗、及び出力電圧を制御部CONTに送る。 The measurement execution unit 60 sends the measured input resistance, output resistance, and output voltage of the strain gauge SG 11 to the control unit CONT.

測定実行部60は、ひずみゲージSG11の測定が終了した後、リレー回路63を切り替えて、ひずみゲージSG12について同様の測定を行う。測定実行部60は、20個のひずみゲージSGmnの全てについて順番に同様の測定を行う。測定されたひずみゲージSGmnの各々の入力抵抗、出力抵抗、出力電圧は、制御部CONTに送られる。 After the measurement of the strain gauge SG 11 is completed, the measurement execution unit 60 switches the relay circuit 63 to perform the same measurement on the strain gauge SG 12. The measurement execution unit 60 performs the same measurement in order for all 20 strain gauges SG mn. The input resistance, output resistance, and output voltage of each of the measured strain gauges SG mn are sent to the control unit CONT.

マーキング工程S3においては、マーキング機構70が、測定工程S2の測定結果に応じて、ひずみゲージSGmnの内の所定のひずみゲージにマーキングを行う。マーキング工程は、具体的には例えば、次のように行う。 In the marking step S3, the marking mechanism 70 marks a predetermined strain gauge in the strain gauge SG mn according to the measurement result in the measuring step S2. Specifically, the marking step is performed as follows, for example.

まず、テーブル30を、測定位置からスタンバイ位置まで降下させ、マーキング機構70の真下の位置(図7(d)。以下、「マーキング位置」と呼ぶ)までスライドさせる。 First, the table 30 is lowered from the measurement position to the standby position and slid to a position directly below the marking mechanism 70 (FIG. 7 (d), hereinafter referred to as “marking position”).

一方で、制御部CONTは、測定工程S2において測定実行部60から受け取ったひずみゲージSGmnの各々の測定値(入力抵抗、出力抵抗、出力電圧)を所定の基準値と比較し、各測定値が許容公差内であるか否かを判定する。 On the other hand, the control unit CONT compares each measured value (input resistance, output resistance, output voltage) of the strain gauge SG mn received from the measurement executing unit 60 in the measurement step S2 with a predetermined reference value, and each measured value. Determines if is within the permissible tolerance.

制御部CONTは、複数のひずみゲージSGmnの内のいずれかにおいて、測定値が許容公差外である場合は、当該ひずみゲージをペン71の真下に配置する。スライド方向の位置合わせはテーブル30を移動することにより行われ、幅方向の位置合わせはペン保持機構72を移動することにより行われる。 When the measured value is out of the allowable tolerance in any of the plurality of strain gauges SG mn, the control unit CONT arranges the strain gauge directly under the pen 71. The alignment in the slide direction is performed by moving the table 30, and the alignment in the width direction is performed by moving the pen holding mechanism 72.

次いで制御部CONTは、ペン保持機構72を用いてペン71を降下させ、測定値が許容公差内ではないと判定したひずみゲージに印をつける。 Next, the control unit CONT lowers the pen 71 using the pen holding mechanism 72, and marks the strain gauge determined that the measured value is not within the allowable tolerance.

制御部CONTは、測定値が許容公差内ではないと判定されたひずみゲージのすべてに対してマーキングを行った後、テーブル30をワーク設置位置に戻す。 The control unit CONT returns the table 30 to the work installation position after marking all the strain gauges whose measured values are not within the allowable tolerance.

その後は、測定済のひずみゲージストリップ900をテーブル30から取り外し、ワーク設置工程S1、測定工程S2、マーキング工程S3を繰り返す。 After that, the measured strain gauge strip 900 is removed from the table 30, and the work installation step S1, the measurement step S2, and the marking step S3 are repeated.

[ドレッシング方法]
ここで、プローブ50の接触面50cに対してドレッシング(粗面化)を行い、接触面50cに所望の表面粗さを与えるドレッシング方法(粗面化方法)について説明する。
[Dressing method]
Here, a dressing method (roughening method) in which the contact surface 50c of the probe 50 is dressed (roughened) to give a desired surface roughness to the contact surface 50c will be described.

測定装置100を用いたひずみゲージストリップ900の測定を継続的に行った場合、測定装置100のプローブ50において、接触面50cの表面粗さが低下する(最大高さRzが小さくなる)ことが観察されている。これは、接触面50cが測定の度に接触する端子T〜Tによって押圧され、接触面50cに平滑化が生じるためである。 When the strain gauge strip 900 is continuously measured using the measuring device 100, it is observed that the surface roughness of the contact surface 50c is reduced (the maximum height Rz is reduced) in the probe 50 of the measuring device 100. Has been done. This is pressed by the terminal T A through T D of the contact surface 50c contacts the time of measurement, in order to smooth the contact surface 50c is caused.

したがって、所定数のひずみゲージストリップ900の測定ごとに、又は所定時間経過ごとに(周期的に)、接触面50cのドレッシングを行い、接触面50cの最大高さRzを3μm≦Rz≦8μmの範囲に戻すことが好ましい。 Therefore, the contact surface 50c is dressed every measurement of a predetermined number of strain gauge strips 900 or every predetermined time (periodically), and the maximum height Rz of the contact surface 50c is in the range of 3 μm ≦ Rz ≦ 8 μm. It is preferable to return to.

ドレッシングは、具体的には例えば、次のように行う。 Specifically, dressing is performed as follows, for example.

まず、テーブル30をワーク設置位置に移動し、平面視矩形のサンドペーパー(粗面化部材)を、テーブル30の上に設置する。アライメントピン30pを用いた位置合わせが可能となるよう、サンドペーパーの四隅にアライメント孔を設けてもよい。サンドペーパーは、ひずみゲージストリップ900と同一の寸法、厚さを有していてもよい。 First, the table 30 is moved to the work installation position, and sandpaper (roughening member) having a rectangular shape in a plan view is installed on the table 30. Alignment holes may be provided at the four corners of the sandpaper so that alignment using the alignment pin 30p is possible. The sandpaper may have the same dimensions and thickness as the strain gauge strip 900.

次に、サンドペーパーが設置されたテーブル30を、スタンバイ位置まで移動し、上昇させる。これにより、サンドペーパーが所定の圧力(一例としてプローブ1本あたり約60gf〜約80gf程度とし得る)で接触面50cに押し付けられてサンドペーパーの粗さが接触面50cに転写され、接触面50cのドレッシングがなされる。テーブル30の上昇、降下を複数回繰り返して、サンドペーパーを接触面50cに複数回押し付けてもよい。 Next, the table 30 on which the sandpaper is installed is moved to the standby position and raised. As a result, the sandpaper is pressed against the contact surface 50c at a predetermined pressure (for example, about 60 gf to about 80 gf per probe), the roughness of the sandpaper is transferred to the contact surface 50c, and the contact surface 50c Dressing is done. The sandpaper may be pressed against the contact surface 50c a plurality of times by repeating the ascent and descent of the table 30 a plurality of times.

その後、テーブル30をワーク設置位置に戻してサンドペーパーをクリーンクロス(清拭布)に置き換え、サンドペーパーと同様に、接触面50cに、一回、又は複数回押し付ける。クリーンクロスにエタノール等を染み込ませておいてもよい。 After that, the table 30 is returned to the work installation position, the sandpaper is replaced with a clean cloth (cleaning cloth), and the table 30 is pressed against the contact surface 50c once or a plurality of times in the same manner as the sandpaper. The clean cloth may be impregnated with ethanol or the like.

清拭が完了した後は、テーブル30をワーク設置位置に戻してクリーンクロスを次の被測定物(ひずみゲージストリップ900)に置き換え、ひずみゲージSGmnの電気的特性の測定を再開する。 After the cleaning is completed, the table 30 is returned to the work installation position, the clean cloth is replaced with the next object to be measured (strain gauge strip 900), and the measurement of the electrical characteristics of the strain gauge SG mn is restarted.

[表面粗さ(最大高さRz)を3μm≦Rz≦8μmとすることの意義]
次に、本実施形態のプローブ50において、接触面50cの最大高さRzを3μm以上、且つ8μm以下とすることが好ましい理由を説明する。
[Significance of setting the surface roughness (maximum height Rz) to 3 μm ≦ Rz ≦ 8 μm]
Next, in the probe 50 of the present embodiment, the reason why it is preferable that the maximum height Rz of the contact surface 50c is 3 μm or more and 8 μm or less will be described.

まず、接触面50cの最大高さRzを3μm以上とすることが好ましい理由は次の通りである。 First, the reason why it is preferable to set the maximum height Rz of the contact surface 50c to 3 μm or more is as follows.

本発明の発明者は、プローブを用いてひずみゲージの電気的特性を測定する際に生じる測定値のばらつきを抑制する方法を鋭意研究し、プローブの接触面の表面粗さ(最大高さRz)に着目した。本発明の発明者の知見によれば、測定値のばらつきは、プローブの接触面とひずみゲージの端子との接触状態が、測定のたびにわずかに異なり、これにより接触面と端子との間に生じる接触抵抗が変化することに起因する。さらに本発明の発明者は、プローブの接触面の最大高さRzを3μm以上とすることで、プローブの接触面とひずみゲージの端子との接触状態を安定させることができ、接触抵抗の変化を十分に抑制することができることを見出した。 The inventor of the present invention has diligently studied a method of suppressing variations in measured values that occur when measuring the electrical characteristics of a strain gauge using a probe, and the surface roughness (maximum height Rz) of the contact surface of the probe. I paid attention to. According to the findings of the inventor of the present invention, the variation in the measured values is such that the contact state between the contact surface of the probe and the terminal of the strain gauge is slightly different for each measurement, and thus between the contact surface and the terminal. This is due to the change in the contact resistance that occurs. Further, the inventor of the present invention can stabilize the contact state between the contact surface of the probe and the terminal of the strain gauge by setting the maximum height Rz of the contact surface of the probe to 3 μm or more, and can change the contact resistance. It was found that it can be sufficiently suppressed.

本発明の発明者は、上記の知見に基づき、次の試験を行った。 The inventor of the present invention conducted the following tests based on the above findings.

まず、同種類のプローブの接触面を番手の異なるやすりで処理して、接触面の最大高さRzが約3μm以上である実施例1〜11のプローブと、接触面の最大高さRzが約3μm未満である比較例1〜3のプローブをそれぞれ4つずつ準備した。また、サンプルひずみゲージを1つ用意した。 First, the contact surfaces of the same type of probes are treated with files of different counts, and the probes of Examples 1 to 11 having a maximum height Rz of the contact surface of about 3 μm or more and the maximum height Rz of the contact surface are about. Four probes of Comparative Examples 1 to 3 having a size of less than 3 μm were prepared. In addition, one sample strain gauge was prepared.

実施例1〜11のプローブ、及び比較例1〜3のプローブはいずれも、タングステンにより形成されており、接触面は直径0.3mmの円形である。 The probes of Examples 1 to 11 and the probes of Comparative Examples 1 to 3 are both formed of tungsten, and the contact surface is circular with a diameter of 0.3 mm.

実施例1〜11のプローブ、及び比較例1〜3のプローブの各々の接触面の最大高さRzは図8に示す通りである。 The maximum height Rz of each contact surface of the probes of Examples 1 to 11 and the probes of Comparative Examples 1 to 3 is as shown in FIG.

実施例1〜11のプローブ、及び比較例1〜3のプローブの最大高さRzは、JISB 0601−2001に準拠して測定した。 The maximum height Rz of the probes of Examples 1 to 11 and the probes of Comparative Examples 1 to 3 was measured according to JISB 0601-2001.

また、サンプルひずみゲージは、図1(b)に示す構造を有するものとした。サンプルひずみゲージの配線層の材質は銅ニッケル合金、厚さは約5μmとした。サンプルひずみゲージのゲージベースの材質はPI(ポリイミド)、厚さは約25μmとした。 Further, the sample strain gauge was assumed to have the structure shown in FIG. 1 (b). The material of the wiring layer of the sample strain gauge was copper-nickel alloy, and the thickness was about 5 μm. The material of the gauge base of the sample strain gauge was PI (polyimide), and the thickness was about 25 μm.

次に、実施例1のプローブを、1つのプローブセット50Sを構成するように測定装置100の治具41によって保持し、測定装置100を用いてサンプルひずみゲージの入力抵抗、出力抵抗の測定を、それぞれ3回ずつ行った。3回の測定において、プローブ押し圧は一定(プローブ一本あたり70gf)とした。その後、入力抵抗、出力抵抗の各々について3回の測定により得られた3つの測定値のばらつき(最大値と最小値の差分)を求めた。 Next, the probe of the first embodiment is held by the jig 41 of the measuring device 100 so as to form one probe set 50S, and the input resistance and the output resistance of the sample strain gauge are measured by using the measuring device 100. Each was done 3 times. In the three measurements, the probe pressing pressure was constant (70 gf per probe). Then, the variation (difference between the maximum value and the minimum value) of the three measured values obtained by the three measurements for each of the input resistance and the output resistance was determined.

また、実施例2〜実施例11の各プローブ、比較例1〜3の各プローブについても、実施例1と同様にサンプルひずみゲージの入力抵抗、出力抵抗をそれぞれ3回ずつ測定し、入力抵抗、出力抵抗の各々について3つの測定値のばらつきを求めた。各実施例及び各比較例の測定において、サンプルひずみゲージは共通のものを使用した。 Further, for each probe of Examples 2 to 11 and each probe of Comparative Examples 1 to 3, the input resistance and output resistance of the sample strain gauge were measured three times each in the same manner as in Example 1, and the input resistance was determined. The variability of the three measured values was determined for each of the output resistors. In the measurement of each Example and each Comparative Example, a common sample strain gauge was used.

測定の結果を図8に示す。図8においては、入力抵抗、出力抵抗ともに3つの測定値の間のばらつきが±1Ω未満であるものを〇で示している。一方で、入力抵抗、出力抵抗ともに3つの測定値の間のばらつきが±1Ω以上であるものを×で示している。図8に示す通り、最大高さRzが3μm以上である実施例1〜11においては測定値のばらつきは±1Ω未満に収まっており、最大高さRzが3μm未満である比較例1〜3においては、測定値のばらつきが±1Ω以上となっている。 The measurement results are shown in FIG. In FIG. 8, the variation between the three measured values for both the input resistance and the output resistance is less than ± 1Ω, which is indicated by ◯. On the other hand, the variation between the three measured values for both the input resistance and the output resistance is ± 1Ω or more, which is indicated by ×. As shown in FIG. 8, in Examples 1 to 11 in which the maximum height Rz is 3 μm or more, the variation of the measured values is within ± 1 Ω, and in Comparative Examples 1 to 3 in which the maximum height Rz is less than 3 μm. The variation of the measured value is ± 1Ω or more.

なお、本発明の発明者の知見によれば、プローブの接触面の最大高さRzが小さい場合に測定値のばらつきが大きくなる理由の一つは、次の通りである。 According to the findings of the inventor of the present invention, one of the reasons why the variation in the measured values becomes large when the maximum height Rz of the contact surface of the probe is small is as follows.

図9(a)にプローブの接触面CS1の簡略化した断面図を、図10(a)にプローブの接触面CS2の簡略化した断面図をそれぞれ示す。接触面CS1の最大高さRzは、接触面CS2の最大高さRzよりも小さい。図9(a)、図10(a)において、点線L11、L21は、ひずみゲージの端子の表面の位置を示す。接触面CS1、CS2が点線L11、L21よりも下方に位置する部分は、接触面CS1、CS2が端子の表面を押し下げて端子の内部に埋まっている。即ち、接触面CS1、CS2が端子の表面に噛み込んでいる。 FIG. 9A shows a simplified cross-sectional view of the contact surface CS1 of the probe, and FIG. 10A shows a simplified cross-sectional view of the contact surface CS2 of the probe. The maximum height Rz of the contact surface CS1 is smaller than the maximum height Rz of the contact surface CS2. In FIGS. 9 (a) and 10 (a), the dotted lines L 11 and L 21 indicate the positions of the surfaces of the terminals of the strain gauge. In the portion where the contact surfaces CS1 and CS2 are located below the dotted lines L 11 and L 21 , the contact surfaces CS1 and CS2 push down the surface of the terminal and are buried inside the terminal. That is, the contact surfaces CS1 and CS2 are engaged with the surface of the terminal.

図9(b)、図10(b)に示すように、プローブが端子に対して微小角度θだけ傾斜し、端子の表面が点線L12、L22で示す位置に移動すると、接触面CS1、CS2と端子の表面との接触面の広さは、概ね、図9(b)、図10(b)に示した太線の長さに応じた量だけ変化する。図9(b)、図10(b)から読み取れるように、プローブの端子に対する角度が変化した場合には、最大高さRzの小さい接触面CS1において接触面積の変化が大きく、接触抵抗の変化も大きい傾向にある。 As shown in FIGS. 9 (b) and 10 (b), when the probe is tilted with respect to the terminal by a minute angle θ 0 and the surface of the terminal moves to the position indicated by the dotted lines L 12 and L 22, the contact surface CS1 , The width of the contact surface between the CS2 and the surface of the terminal changes by an amount corresponding to the length of the thick line shown in FIGS. 9 (b) and 10 (b). As can be read from FIGS. 9 (b) and 10 (b), when the angle with respect to the terminal of the probe changes, the contact area changes significantly on the contact surface CS1 having a small maximum height Rz, and the contact resistance also changes. It tends to be big.

また、最大高さRzが小さい接触面CS1においては、プローブが端子に対して微小角度θ13を超えて傾斜すると、接触面CS1の一部が、点線L13で示す位置にある端子の表面から離れてしまい、接触面積が小さくなる。最大高さRzが大きい接触面CS2においても、プローブが端子に対して微小角度θ23を超えて傾斜すると、接触面CS2の一部が、点線L23で示す位置にある端子の表面から完全に離れてしまうが、角度θ23は、角度θ13よりも大きい。 Further, in the contact surface CS1 having a small maximum height Rz, when the probe is tilted beyond the minute angle θ 13 with respect to the terminal, a part of the contact surface CS1 is removed from the surface of the terminal at the position indicated by the dotted line L 13. It will be separated and the contact area will be smaller. Even on the contact surface CS2 having a large maximum height Rz, when the probe is tilted beyond the minute angle θ 23 with respect to the terminal, a part of the contact surface CS2 is completely removed from the surface of the terminal at the position indicated by the dotted line L 23. Although they are separated, the angle θ 23 is larger than the angle θ 13.

このように、端子に対するプローブの角度が変化した場合には、最大高さRzが比較的小さい接触面CS1において、最大高さRzが比較的大きい接触面CS2よりも、接触面積がより大きく変化し、接触抵抗がより大きく変化する傾向にある。 In this way, when the angle of the probe with respect to the terminal changes, the contact area of the contact surface CS1 having a relatively small maximum height Rz changes more significantly than that of the contact surface CS2 having a relatively large maximum height Rz. , Contact resistance tends to change more.

また、図9(c)、図10(c)に示すように、プローブが端子から微小距離dだけ遠ざかり、端子の表面が点線L14、L24で示す位置に移動すると、接触面CS1、CS2と端子の表面との接触面は、概ね、図9(c)、図10(c)に示した太線の長さに応じた量だけ変化する。図9(c)、図10(c)から読み取れるように、プローブの端子に対する距離が変化した場合も、最大高さRzの小さい接触面CS1において接触面積の変化が大きく、接触抵抗の変化も大きくなる傾向にある。 Further, as shown in FIGS. 9 (c) and 10 (c), when the probe moves away from the terminal by a minute distance d 0 and the surface of the terminal moves to the position indicated by the dotted lines L 14 and L 24 , the contact surfaces CS1 and The contact surface between the CS2 and the surface of the terminal changes by an amount corresponding to the length of the thick line shown in FIGS. 9 (c) and 10 (c). As can be read from FIGS. 9 (c) and 10 (c), even when the distance to the terminal of the probe changes, the contact area changes significantly and the contact resistance changes significantly on the contact surface CS1 having a small maximum height Rz. It tends to be.

このように、プローブの接触面の最大高さRzが小さい場合には、端子に対する接触状態の変化に応じた接触面積、ひいては接触抵抗の変化量が大きくなり、測定値のばらつきも大きくなる傾向にある。 In this way, when the maximum height Rz of the contact surface of the probe is small, the contact area according to the change in the contact state with respect to the terminal, and thus the amount of change in the contact resistance tends to be large, and the variation in the measured value tends to be large. be.

なお、銅ニッケル合金で形成されたひずみゲージの端子には、通常、3μm程度か、これよりも薄い酸化被膜が形成されている。本発明の発明者の知見によれば、接触面の最大高さが3μmよりも大きい場合には、接触面の凸部(接触面の断面図においてミクロの山を形成する部分)が酸化被膜を突き破り、接触面のより多くの領域が、ひずみゲージの端子に直接的に接触する。このように、接触面のより多くの領域を、酸化被膜を介さずに端子に直接的に接触させることによっても、接触状態が安定し、接触状態の変化に応じた接触抵抗の変化量が抑制される。 The terminal of the strain gauge made of copper-nickel alloy usually has an oxide film of about 3 μm or thinner. According to the findings of the inventor of the present invention, when the maximum height of the contact surface is larger than 3 μm, the convex portion of the contact surface (the portion forming a micro peak in the cross-sectional view of the contact surface) forms an oxide film. Breakthrough, more areas of the contact surface come into direct contact with the terminals of the strain gauge. In this way, even if more regions of the contact surface are brought into direct contact with the terminals without passing through the oxide film, the contact state is stabilized and the amount of change in contact resistance in response to changes in the contact state is suppressed. Will be done.

以上より、接触面50cの最大高さRzは3μm以上とすることが好ましい。これにより、測定値のばらつきを良好に抑制することができる。 From the above, the maximum height Rz of the contact surface 50c is preferably 3 μm or more. As a result, variations in measured values can be satisfactorily suppressed.

次に、接触面50cの最大高さRzを8μm以下とすることが好ましい理由は次の通りである。 Next, the reason why the maximum height Rz of the contact surface 50c is preferably 8 μm or less is as follows.

ひずみゲージは一般に、可撓性の誘電体により形成されたゲージベースの上に、抵抗体を含む導電性の配線層が形成された構造を有し、使用時には、金属等の導電体である起歪体にゲージベースを貼り付ける。すなわち、ゲージベースは、配線と起歪体とを絶縁する機能を果たす。 Strain gauges generally have a structure in which a conductive wiring layer including a resistor is formed on a gauge base formed of a flexible dielectric, and is a conductor such as metal when used. Attach the gauge base to the strain. That is, the gauge base functions to insulate the wiring from the strain-causing body.

ここで、ひずみゲージを用いたひずみの計測を良好に行うためには、配線層の抵抗体を、起歪体の伸縮に応じて良好に伸縮させる必要がある。そのため、絶縁性のみを考慮してゲージベースを厚くすることは現実的ではない。 Here, in order to satisfactorily measure the strain using the strain gauge, it is necessary to expand and contract the resistor of the wiring layer satisfactorily according to the expansion and contraction of the strain-causing body. Therefore, it is not realistic to thicken the gauge base only in consideration of insulation.

上記の点を考慮して、ひずみゲージは一般に、配線層の厚さが3〜5μm程度であり、ゲージベースの厚さは25μm程度である。 In consideration of the above points, the strain gauge generally has a wiring layer thickness of about 3 to 5 μm and a gauge base thickness of about 25 μm.

本発明の発明者の知見によると、プローブの接触面の最大高さが8μm以下では、プローブの接触面をひずみゲージの端子に接触させた際に、プローブの接触面の凸部がゲージベースを過度に傷つけることがない。したがって、ゲージベースの損傷により、ゲージベースの絶縁性能が低下し、ひずみゲージの性能劣化が生じ得ることが防止される。 According to the knowledge of the inventor of the present invention, when the maximum height of the contact surface of the probe is 8 μm or less, when the contact surface of the probe is brought into contact with the terminal of the strain gauge, the convex portion of the contact surface of the probe forms the gauge base. Does not hurt excessively. Therefore, damage to the gauge base prevents the insulation performance of the gauge base from deteriorating and the performance of the strain gauge from deteriorating.

以上より、接触面50cの最大高さRzは8μm以下とすることが好ましい。 From the above, the maximum height Rz of the contact surface 50c is preferably 8 μm or less.

本実施形態のプローブ50、測定装置100、及び測定方法の効果を以下にまとめる。 The effects of the probe 50, the measuring device 100, and the measuring method of the present embodiment are summarized below.

本実施形態のプローブ50は、被測定物であるひずみゲージSGmnの端子T〜Tに接触する接触面の表面粗さ(最大高さRz)が、3μm以上である。したがって、端子T〜Tに対する接触状態の変化に応じた接触抵抗の変化が小さく、複数回の測定を行った場合に測定値のばらつきを抑制することができる。 Probe 50 of the present embodiment, the contact surface roughness of the contact with the terminal T A through T D strain gauges SG mn to be measured (maximum height Rz) of is 3μm or more. Therefore, the change in the contact resistance according to the change in the contact state with respect to the terminals T A to T D is small, and it is possible to suppress the variation in the measured value when a plurality of measurements are performed.

また、ひずみゲージSGmnの端子T〜Tには、一般的に3μm程度であるかこれよりも薄い酸化被膜が形成されているため、接触面の最大高さを3μm以上とすることで、酸化被膜を突き破って、接触面50cと端子T〜Tとを良好に接触させることができる。これにより、接触状態の変化に応じた接触抵抗の変化量を抑制し、測定値のばらつきを抑制することができる。 Further, the terminal T A through T D strain gauges SG mn, since generally thin oxide film than this or is about 3μm is formed, the maximum height of the contact surface by a least 3μm , breaking through the oxide film, the contact surface 50c and the terminal T a through T D can be good contact. As a result, it is possible to suppress the amount of change in the contact resistance according to the change in the contact state and suppress the variation in the measured value.

本実施形態のプローブ50は、接触面50cの表面粗さ(最大高さRz)が8μm以下である。したがって、接触面50cと端子T〜Tとの接触によるゲージベース910の損傷が防止されている。また、端子T〜Tに接触痕が残ることも抑制される。 In the probe 50 of the present embodiment, the surface roughness (maximum height Rz) of the contact surface 50c is 8 μm or less. Accordingly, damage to the gauge base 910 is prevented by contact between the contact surface 50c and the terminal T A through T D. Further, also suppressed to mark contact with the terminal T A through T D remains.

即ち本実施形態のプローブ50は、接触面50cの表面粗さ(最大高さRz)を3μm以上とすることにより、接触面50cの端子T〜Tに対する接触状態を安定させて測定値のばらつきを抑制することができ、且つ接触面50cの表面粗さ(最大高さRz)を8μm以下とすることにより、測定時に生じ得るひずみゲージSGmnの損傷を防止できるものである。 That probe 50 of the present embodiment, by surface roughness of the contact surface 50c (the maximum height Rz) not less than 3 [mu] m, the measurements to stabilize the contact state of terminals T A through T D of the contact surface 50c By suppressing the variation and setting the surface roughness (maximum height Rz) of the contact surface 50c to 8 μm or less, it is possible to prevent damage to the strain gauge SG mn that may occur during measurement.

本実施形態の測定装置100は、測定値のばらつきが抑制された(即ち測定値の信頼性が高い)プローブ50を備えるため、1つのひずみゲージSGmnにつき1回の測定を行うのみで信頼性の高い測定値を得ることができる。したがって、1つのひずみゲージに対して複数回の測定を行って平均値を求めることで測定値の信頼性を高める必要のある従来の測定装置に比較して、測定時間を大きく短縮することができる。 Since the measuring device 100 of the present embodiment includes the probe 50 in which the variation in the measured values is suppressed (that is, the measured values are highly reliable), the reliability is only one measurement per strain gauge SG mn. High measurement value can be obtained. Therefore, the measurement time can be greatly shortened as compared with the conventional measuring device which needs to improve the reliability of the measured value by performing a plurality of measurements on one strain gauge and obtaining the average value. ..

本実施形態の測定方法は、測定装置100を用いるため、測定装置100と同様の効果を生じる。また、所定のタイミングでプローブ50の接触面50cのドレッシング(粗面化)を行い、接触面50cの最大高さRzを3μm以上、8μm以下に維持するため、信頼性の高い測定を長期間、継続して行うことができる。 Since the measuring method of the present embodiment uses the measuring device 100, the same effect as that of the measuring device 100 is produced. In addition, the contact surface 50c of the probe 50 is dressed (roughened) at a predetermined timing to maintain the maximum height Rz of the contact surface 50c at 3 μm or more and 8 μm or less, so that highly reliable measurement can be performed for a long period of time. It can be done continuously.

<変形例>
上記実施形態のプローブ50、測定装置100、及び測定方法において、次の変形態様を用いることもできる。
<Modification example>
The following modifications can also be used in the probe 50, the measuring device 100, and the measuring method of the above embodiment.

上記実施形態のプローブ50を、測定装置100とは独立して用いてもよい。具体的には例えば、作業者がプローブ50を操作してひずみゲージSGmnの端子T〜Tにプローブを接触させることにより、ひずみゲージSGmnの電気的特性を測定してもよい。 The probe 50 of the above embodiment may be used independently of the measuring device 100. Specifically, for example, by contacting a probe to the terminal T A through T D gauge SG mn strain worker operates the probe 50 may be measuring the electrical characteristic of the strain gauge SG mn.

上記実施形態のプローブ50は円柱形状を有し、接触面50cは円形であったが、これには限られない。プローブ50、接触面50cの形状は任意である。例えば接触面50cの形状は正方形や多角形であってもよい。 The probe 50 of the above embodiment has a cylindrical shape, and the contact surface 50c is circular, but the present invention is not limited to this. The shapes of the probe 50 and the contact surface 50c are arbitrary. For example, the shape of the contact surface 50c may be a square or a polygon.

また、被測定物は、ひずみゲージSGmnには限られない。具体的には例えば、PCBA(プリント回路基板アセンブリ)の電気的特性(回路抵抗等)の測定において、プローブ50を用いることができる。PCBAの端子も、一般に銅ニッケル合金で形成されており、3μm程度かこれよりも薄い酸化被膜が形成されている。 Further, the object to be measured is not limited to the strain gauge SG mn. Specifically, for example, the probe 50 can be used in measuring the electrical characteristics (circuit resistance, etc.) of PCBA (printed circuit board assembly). The terminals of the PCBA are also generally formed of a copper-nickel alloy, and an oxide film of about 3 μm or thinner is formed.

被測定物は、その他、電気的特性を測定する必要のある任意の電気部品、電子部品等であってよい。 The object to be measured may be any other electrical component, electronic component, or the like whose electrical characteristics need to be measured.

上記実施形態の測定装置100においては、治具41には複数の保持孔41hが80個(幅方向に5行×スライド方向に16列)形成されていたがこれには限られない。治具41が有する保持孔41hの数及び配置、即ち治具41が保持するプローブ50の数及び配置は、測定装置100の設計に応じて任意に設定し得る。 In the measuring device 100 of the above embodiment, the jig 41 is formed with 80 plurality of holding holes 41h (5 rows in the width direction x 16 columns in the slide direction), but the present invention is not limited to this. The number and arrangement of the holding holes 41h of the jig 41, that is, the number and arrangement of the probes 50 held by the jig 41 can be arbitrarily set according to the design of the measuring device 100.

上記実施形態の測定装置100を適宜改変して、電気的特性を測定する必要のある任意の電気部品、電子部品等を測定するための測定装置とすることができる。具体的には例えば、テーブル30の構成や、治具41の構成を改変し得る。 The measuring device 100 of the above embodiment can be appropriately modified to be a measuring device for measuring any electrical component, electronic component, or the like that needs to measure electrical characteristics. Specifically, for example, the configuration of the table 30 and the configuration of the jig 41 can be modified.

本発明の特徴を維持する限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。 As long as the features of the present invention are maintained, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and other modes considered within the scope of the technical idea of the present invention are also included within the scope of the present invention. ..

10 ベース、20 駆動機構、30 テーブル、40 プローブ保持機構、50 プローブ、60、測定実行部、70 マーキング機構、100 測定装置、900 ひずみゲージストリップ、SGmn ひずみゲージ
10 base, 20 drive mechanism, 30 table, 40 probe holding mechanism, 50 probe, 60, measurement execution unit, 70 marking mechanism, 100 measuring device, 900 strain gauge strip, SG mn strain gauge

Claims (9)

被測定物の電気的特性を測定するためのプローブであって、
前記被測定物に接触させる接触面を有し、
該接触面の最大高さRzが3μm以上且つ8μm以下であるプローブ。
A probe for measuring the electrical characteristics of an object to be measured.
It has a contact surface that comes into contact with the object to be measured, and has a contact surface.
A probe having a maximum height Rz of the contact surface of 3 μm or more and 8 μm or less.
前記被測定物の、前記接触面と接触する部分に酸化被膜が形成されている請求項1に記載のプローブ。 The probe according to claim 1, wherein an oxide film is formed on a portion of the object to be measured that comes into contact with the contact surface. 前記被測定物はひずみゲージである請求項1又は2に記載のプローブ。 The probe according to claim 1 or 2, wherein the object to be measured is a strain gauge. 被測定物の電気的特性を測定するための測定装置であって、
請求項1〜3のいずれか一項に記載されたプローブと、
前記プローブを保持する治具と、
前記被測定物を保持して、該被測定物を前記プローブの前記接触面に接触させる被測定物移動機構とを備える測定装置。
A measuring device for measuring the electrical characteristics of an object to be measured.
The probe according to any one of claims 1 to 3 and
A jig that holds the probe and
A measuring device including a measuring object moving mechanism that holds the measured object and brings the measured object into contact with the contact surface of the probe.
前記被測定物移動機構は、前記プローブの前記接触面と前記被測定物との間の接触圧力が850〜1150gf/mmとなるように前記被測定物を前記プローブの前記接触面に接触させる請求項4に記載の測定装置。 The object moving mechanism brings the object to be measured into contact with the contact surface of the probe so that the contact pressure between the contact surface of the probe and the object to be measured is 850 to 1150 gf / mm 2. The measuring device according to claim 4. 前記プローブの前記接触面を粗面化するための粗面化部材を保持して、該粗面化部材を前記接触面に接触させる粗面化部材移動機構を備える請求項4又は5に記載の測定装置。 4. measuring device. 前記治具は、複数の前記プローブをマトリックス状に保持するように構成されており、前記被測定物移動機構は、マトリックス状に保持された前記複数のプローブを前記被測定物に同時に接触させるよう構成されている請求項4〜6のいずれか一項に記載の測定装置。 The jig is configured to hold a plurality of the probes in a matrix, and the object moving mechanism so as to bring the plurality of probes held in a matrix into contact with the object to be measured at the same time. The measuring device according to any one of claims 4 to 6, which is configured. 被測定物の電気的特性を測定する測定方法であって、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のプローブの前記接触面を前記被測定物に接触させて前記被測定物の電気的特性を測定することと、
前記接触面に粗面化処理を施すことを含む測定方法。
It is a measuring method for measuring the electrical characteristics of an object to be measured.
To measure the electrical characteristics of the object to be measured by bringing the contact surface of the probe according to any one of claims 1 to 3 into contact with the object to be measured.
A measuring method including roughening the contact surface.
前記粗面化処理を、所定数の前記被測定物の測定ごとに、又は所定時間が経過するごとに実行する請求項8に記載の測定方法。
The measuring method according to claim 8, wherein the roughening treatment is performed every time a predetermined number of the objects to be measured are measured, or every time a predetermined time elapses.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63170933A (en) * 1987-01-08 1988-07-14 Nec Corp Wafer prober
JP2000002746A (en) * 1998-06-12 2000-01-07 Nitto Denko Corp Probe structure
JP3061619B1 (en) * 1999-05-31 2000-07-10 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 How to measure probe contact resistance
WO2004034068A2 (en) * 2002-10-10 2004-04-22 Advantest Corporation Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same
JPWO2006068156A1 (en) * 2004-12-22 2008-06-12 株式会社 オプト・システム Kelvin probe
JP2007024613A (en) * 2005-07-14 2007-02-01 Genesis Technology Inc Contact terminal and connector for semiconductor device inspection using the same
JP4791865B2 (en) * 2006-03-23 2011-10-12 株式会社東芝 Multilayer probe pins and probe cards
IT1399906B1 (en) * 2010-04-28 2013-05-09 Technoprobe Spa METHOD FOR THE CLEANING OF A CONTACT PITCH OF A MICROSTRUCTURE AND RELATED SHUTTER CONTACT PROBE AND HEAD OF MEASURING PROBES [CANTILEVER].

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