JP2021116437A - ターゲット容器、成膜方法、ターゲット容器製造方法、及び、圧力センサー - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 149
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 137
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims abstract description 49
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 40
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 216
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 216
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 141
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 63
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 41
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 26
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 271
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 28
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 27
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 23
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 21
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 21
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 8
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(iii) oxide Chemical compound O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910001849 group 12 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
図1〜図8を参照して、本発明の実施形態1に係るターゲット容器100、ターゲット容器製造方法、及び、成膜方法を説明する。
レアメタルは、ベースメタル(鉄、銅、亜鉛、及び、アルミニウム等)及び貴金属(金、及び、銀等)以外で、産業に利用されている非鉄金属を示す。レアメタルは、例えば、リチウム、ベリリウム、ホウ素、希土類元素(レアアース)、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、ガリウム、ゲルマニウム、セレン、ストロンチウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、インジウム、アンチモン、テルル、セシウム、バリウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、白金、タリウム、及び、ビスマスである。希土類元素(レアアース)は、例えば、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及び、ルテチウムである。
レアメタル化合物は、レアメタルと他の元素(例えば気体)との化合物である。レアメタル化合物は、例えば、レアメタルの窒化物(例えば、窒化ガリウム)、レアメタルの酸化物(例えば、酸化ガリウム(III))、レアメタルのフッ化物(例えば、フッ化ガリウム)、及び、レアメタルのリン化物(例えば、リン化インジウム)である。レアメタル化合物は、例えば、ガリウム化合物である。ガリウム化合物は、ガリウムと他の元素との化合物である。ガリウム化合物は、例えば、窒化ガリウム、酸化ガリウム(III)、及び、フッ化ガリウムである。
化合物半導体は、III−V族半導体、及び、II−VI族半導体である。III−V族半導体は、III族元素とV族元素とを用いた半導体である。III族元素は、例えば、アルミニウム、ガリウム、及び、インジウムである。V族元素は、例えば、窒素、リン、ヒ素、及び、アンチモンである。その他、III−V族半導体を構成する元素としては、例えば、ホウ素、タリウム、及び、ビスマスがある。III−V族半導体は、例えば、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、ガリウムヒ素、及び、リン化インジウムである。
化合物半導体を構成する固体材料は、例えば、III族元素、V族元素、II族元素、及び、VI族元素である。
図9〜図11を参照して、本発明の実施形態2に係るターゲット容器100Aを説明する。実施形態2に係るターゲット容器100の全体がターゲットTAである粉体材料MTと同じ成分からなる点で、実施形態2は実施形態1と主に異なる。以下、実施形態2が実施形態1と異なる点を主に説明する。
図7及び図12を参照して、本発明の実施形態3に係る成膜方法を説明する。実施形態3に係る成膜方法では、窒化ガリウム膜の窒素欠損を制御する。
本発明の実施形態4に係る圧力センサー(以下、「圧力センサーSN」と記載する。)を説明する。圧力センサーSNは、圧力を検出する。つまり、圧力センサーSNは、圧力を測定する。圧力センサーSNは、実施形態3に係る成膜方法によって形成された窒化ガリウム膜を備えている。窒化ガリウム膜の電気抵抗(具体的には電気抵抗率)は、窒化ガリウム膜に加わる圧力に応じて変化する。従って、実施形態4では、窒化ガリウム膜の電気抵抗を測定することで、窒化ガリウム膜に加わる圧力を検出できる。つまり、窒化ガリウム膜を圧力センサーSNの検知素子として効果的に機能させることができる。特に、実施形態4では、圧力センサーSNを絶対圧力センサーとして機能させることができる。絶対圧力センサーは、完全真空状態をゼロの基準とする絶対圧力を測定するセンサーである。
図5、図6、図13(a)、及び、図13(b)を参照して、本発明の実施例1及び実施例2を説明する。実施例1及び実施例2では、図5及び図6を参照して説明したAD装置200及びターゲット容器製造方法を使用して、窒化ガリウム膜を成膜した。
本発明の実施例3〜実施例8では、窒化ガリウム膜に加わる圧力を変化させながら、窒化ガリウム膜の電気抵抗を測定した。まず、実施例3〜実施例8に共通する実験条件を説明する。
図14を参照して、本発明の実施例3に係る窒化ガリウム膜を説明する。実施例3では、電気抵抗を測定した時の窒化ガリウム膜の雰囲気ガスは、空気であった。
図15〜図18を参照して、本発明の実施例4〜実施例7に係る窒化ガリウム膜を説明する。実施例4〜実施例6の各々において、3種類の雰囲気ガス(窒素ガス、ヘリウムガス、及び、アルゴンガス)中で、窒化ガリウムの電気抵抗を測定した。実施例7では、雰囲気ガスはヘリウムガスであった。
図19を参照して、本発明の実施例8に係る窒化ガリウム膜を説明する。実施例8では、2種類の雰囲気ガス(窒素ガス及びヘリウムガス)中で、窒化ガリウムの電気抵抗を測定した。また、実施例8では、窒化ガリウム膜の雰囲気の温度が200℃であったときの窒化ガリウム膜の電気抵抗を測定した。
3、3A 凹部
15 縁面
31 第1コーティング層
32 第2コーティング層
100、100A ターゲット容器
200 アエロゾルデポジッション装置
400 高周波マグネトロンスパッタリング装置
TA スパッタリングターゲット
MT 粉体材料
Claims (9)
- スパッタリングターゲットである粉体材料が配置されることの可能な凹部と、
前記凹部が形成された本体部と
を備え、
前記凹部は、
凹部本体と、
前記凹部本体を覆い、前記粉体材料に接触することの可能な第1コーティング層と
を含み、
前記凹部本体は、前記第1コーティング層と異なる成分を有し、
前記第1コーティング層は、前記粉体材料と同じ成分からなるか、前記粉体材料に含まれる固体材料と同じ成分からなるか、前記粉体材料に含まれる固体材料と同じ成分と気体との化合物からなるか、又は、前記粉体材料と同じ成分と気体との化合物からなる、ターゲット容器。 - 前記本体部は、前記凹部本体の開口縁から前記凹部本体の外方に向かって延びる縁面を有し、
前記第1コーティング層に連続しており、前記縁面を覆う第2コーティング層をさらに備え、
前記第2コーティング層は、前記第1コーティング層と同じ成分からなる、請求項1に記載のターゲット容器。 - 前記粉体材料は、レアメタル又はレアメタル化合物である、請求項1又は請求項2に記載のターゲット容器。
- スパッタリングターゲットである粉体材料が配置されることの可能な凹部と、
前記凹部が形成された本体部と
を備え、
前記凹部と前記本体部とは、単一の部材の部分を構成しており、
前記凹部及び前記本体部は、前記粉体材料と同じ成分からなるか、前記粉体材料に含まれる固体材料と同じ成分からなるか、前記粉体材料に含まれる固体材料と同じ成分と気体との化合物からなるか、又は、前記粉体材料と同じ成分と気体との化合物からなり、
前記粉体材料は、レアメタル又はレアメタル化合物であり、
前記レアメタルは、チタンを含まない、ターゲット容器。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のターゲット容器の前記凹部に前記粉体材料を配置する工程と、
スパッタリングにより、前記粉体材料によって基板の表面に膜を形成する工程と
を含む、成膜方法。 - スパッタリングターゲットである粉体材料が配置されることの可能なターゲット容器を製造するターゲット容器製造方法であって、
凹所を有する容器を用意する工程と、
エアロゾルデポジッション法によって、所定材料を用いて、前記凹所にコーティング層を形成する工程と
を含み、
前記所定材料は、前記粉体材料と同じ成分からなるか、前記粉体材料に含まれる固体材料と同じ成分からなるか、前記粉体材料に含まれる固体材料と同じ成分と気体との化合物からなるか、又は、前記粉体材料と同じ成分と気体との化合物からなる、ターゲット容器製造方法。 - スパッタガスの圧力と、前記スパッタガスの組成と、成膜対象である窒化ガリウム膜が形成される基板の温度とを決定して、前記窒化ガリウム膜に生成する窒素欠損の程度を決定する工程と、
スパッタリングターゲットである窒化ガリウムの粉体又はガリウムの粉体をターゲット容器に配置する工程と、
前記窒素欠損の程度を決定する前記工程で決定された前記スパッタガスの圧力と前記スパッタガスの組成と前記基板の温度とに基づいてスパッタリングを実行して、前記粉体によって、前記窒化ガリウム膜を前記基板の表面に形成する工程と
を含む、成膜方法。 - 窒化ガリウム膜を備え、
前記窒化ガリウム膜の電気抵抗は、前記窒化ガリウム膜に加わる圧力に応じて変化する、圧力センサー。 - 前記圧力に応じた前記窒化ガリウム膜の前記電気抵抗の変化は、前記窒化ガリウム膜に前記圧力を加える気体の種類に応じて異なる、請求項8に記載の圧力センサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020008636A JP2021116437A (ja) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | ターゲット容器、成膜方法、ターゲット容器製造方法、及び、圧力センサー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020008636A JP2021116437A (ja) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | ターゲット容器、成膜方法、ターゲット容器製造方法、及び、圧力センサー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021116437A true JP2021116437A (ja) | 2021-08-10 |
Family
ID=77174113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020008636A Pending JP2021116437A (ja) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | ターゲット容器、成膜方法、ターゲット容器製造方法、及び、圧力センサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2021116437A (ja) |
-
2020
- 2020-01-22 JP JP2020008636A patent/JP2021116437A/ja active Pending
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