JP2021111714A - 絶縁トランス及び絶縁トランスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電気的特性が安定した絶縁トランス及び絶縁トランスの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁トランス５０は、第１貫通孔５０Ｆが形成された回路基板４０と、回路基板４０において第１貫通孔５０Ｆの周りに配置される第１パターン５０Ｂと、回路基板４０において第１貫通孔５０Ｆの周りに配置され、第１パターン５０Ｂに対して絶縁される第２パターン５０Ｃと、第１磁性体５０Ｄと第２磁性体５０Ｅとを有する磁性体部５０Ａとを備え、第２磁性体５０Ｅは、回路基板４０の一方面と対向して配置され、第１磁性体５０Ｄは、少なくとも一部が第１貫通孔５０Ｆ内に挿入される第１挿入部５０Ｇを有し、第１挿入部５０Ｇの一方面側の第１端部５０Ｎは、第２磁性体５０Ｅと対向して配置され、一方面に沿った第１方向Ｄｉにおける第２磁性体５０Ｅの外形寸法は、第１方向Ｄｉにおける第１端部５０Ｎの外形寸法よりも大きい【選択図】図６

Description

本開示は、絶縁トランス及び絶縁トランスの製造方法に関する。

特許文献１には、基板に形成された１次側回路と２次側回路とを２つのフェライトコアを用いて挟み込むことによって基板上にトランス構造を形成することが開示されている。このトランス構造において２つのフェライトコアの各々の断面形状は、Ｅ字状及びＩ字状をなしている。このトランス構造においてＥ字状をなしたフェライトコアは、基板に形成された貫通孔に挿入する挿入部を有しており、挿入部の端部がＩ字状のフェライトコアに接触している。

特開２０００−９１１３８号公報 特開２０１１−４０５０９号公報 特開平５−１３５９６８号公報

特許文献１に開示された構成の場合、Ｉ字状のフェライトコアは、基板に沿った方向の位置が定まり難いという問題が生じ易い。このため、基板に対してＩ字状のフェライトコアの位置がばらつくと、Ｅ字状のフェライトコアの挿入部の端部とＩ字状のフェライトコアと対向して接触する面積がばらつき、その結果、トランス構造の電気的特性がばらつくおそれがある。

そこで、本開示は、電気的特性が安定した絶縁トランス及び絶縁トランスの製造方法を提供することを目的とする。

本開示の第１態様に係る絶縁トランスは、
貫通孔が形成された基板と、
前記基板において前記貫通孔の周りに配置される第１パターンと、
前記基板において前記貫通孔の周りに配置され、前記第１パターンに対して絶縁される第２パターンと、
第１磁性体と第２磁性体とを有する磁性体部と、
を備え、
前記第２磁性体は、前記基板の一方面と対向して配置され、
前記第１磁性体は、少なくとも一部が前記貫通孔内に挿入される挿入部を有し、
前記挿入部の前記一方面側の端部は、前記第２磁性体と対向して配置され、
前記一方面に沿った第１方向における前記第２磁性体の外形寸法は、前記第１方向における前記端部の外形寸法よりも大きい絶縁トランス。

本開示の第２態様に係る絶縁トランスの製造方法は、
互いに絶縁された第１パターン及び第２パターンが形成され、前記第１パターン及び前記第２パターンが周りに配置される貫通孔が形成される基板に対して、
前記貫通孔に挿入される挿入部を有した第１磁性体を、前記貫通孔に前記挿入部を挿入する第１磁性体配置工程と、
第２磁性体を、前記基板の一方面に対向させ、且つ前記挿入部の端部に対向させて配置する第２磁性体配置工程と、
を備え、
前記一方面に沿った第１方向における前記第２磁性体の外形寸法は、前記第１方向における前記端部の外形寸法よりも大きい。

本開示に係る技術は、絶縁トランスの電気的特性を安定させることができる。

図１は、実施形態１に係る蓄電モジュールを概略的に例示する斜視図である。 図２は、実施形態１に係る蓄電モジュールを概略的に例示する平面図である。 図３は、実施形態１に係る蓄電モジュールにおける回路基板及びその周辺を拡大して例示する平面図である。 図４は、実施形態１に係る絶縁トランスを拡大して例示する平面図である。 図５は、図４におけるＡ−Ａ断面図である。 図６は、図５におけるＢ−Ｂ断面図である。 図７は、図５におけるＣ−Ｃ断面図である。 図８は、図５におけるＤ−Ｄ断面図である。 図９は、図５におけるＥ−Ｅ断面図である。 図１０は、実施形態１に係る蓄電モジュール及び電池監視ユニットの構成を概念的に例示する回路図である。

以下では、本開示の実施形態が列記されて例示される。なお、以下で示す〔１〕〜〔７〕の特徴は、矛盾しない態様でどのように組み合わせてもよい。

〔１〕貫通孔が形成された基板と、前記基板において前記貫通孔の周りに配置される第１パターンと、前記基板において前記貫通孔の周りに配置され、前記第１パターンに対して絶縁される第２パターンと、第１磁性体と第２磁性体とを有する磁性体部と、を備え、前記第２磁性体は、前記基板の一方面と対向して配置され、前記第１磁性体は、少なくとも一部が前記貫通孔内に挿入される挿入部を有し、前記挿入部の前記一方面側の端部は、前記第２磁性体と対向して配置され、前記一方面に沿った第１方向における前記第２磁性体の外形寸法は、前記第１方向における前記端部の外形寸法よりも大きい絶縁トランス。

上記〔１〕の絶縁トランスは、製造段階において挿入部の端部が第２磁性体の対向面（基板の一方面に対向する面）からずれて配置され難いため、電気的特性が安定し易い。更に、第２磁性体の一部を第１方向において挿入部の端部よりも張り出して配置することができるため、張り出した部分においても磁性体に起因する磁気的影響を生じさせることができる。一方面は、基板における厚さ方向（板厚方向）の一方側の板面である。

〔２〕前記基板は、前記第１方向において前記貫通孔の少なくとも一方側に１以上の第２貫通孔が形成され、前記挿入部は、前記貫通孔に挿入される第１挿入部と、前記第２貫通孔に挿入される１以上の第２挿入部と、を有し、前記第１挿入部における前記一方面側の第１端部と前記第２挿入部における前記一方面側の第２端部とが前記第１方向に並び、前記第１方向における前記第２磁性体の外形寸法は、前記第１端部及び前記第２端部を含んだ前記端部全体の前記第１方向の外形寸法よりも大きい〔１〕に記載の絶縁トランス。

上記〔２〕に記載された絶縁トランスは、第２磁性体の一部を第１方向において第１挿入部の第１端部、及び第２挿入部の第２端部よりも張り出して配置することができるため、張り出した部分においても磁性体に起因する磁気的影響を良好に生じさせることができる。「挿入部の一方面側の端部が第２磁性体と対向して配置される構成」は、端部が第２磁性体に接合される構成と、端部が第２磁性体に接合されずに接触する構成とを含む。

〔３〕前記一方面に沿ったいずれの方向でも、前記第２磁性体の外形寸法は、前記端部の外形寸法よりも大きい〔１〕に記載の絶縁トランス。

上記〔３〕に記載された絶縁トランスは、基板に沿ったいずれの方向において、第２磁性体の位置がずれても、挿入部の端部が第２磁性体と対向する状態を維持し易くなる。

〔４〕前記基板の温度を検知する温度検知部を備え、前記温度検知部は、前記基板において前記第１磁性体及び前記第２磁性体の少なくとも一方の周囲に設けられる〔１〕から〔３〕までのいずれかに記載の絶縁トランス。

上記〔４〕に記載された絶縁トランスは、温度検知部によって基板の温度を検知することができるため、第１磁性体及び第２磁性体が設けられた基板の温度に基づいた動作が可能となる。第１磁性体の周囲は、基板において第１磁性体の温度変化の影響を受ける位置であり、具体的には、基板の外縁よりも第１磁性体に近い位置が望ましい。第２磁性体の周囲は、基板において第２磁性体の温度変化の影響を受ける位置であり、具体的には、基板の外縁よりも第２磁性体に近い位置が望ましい。

〔５〕前記基板の温度を検知する温度検知部と、前記温度検知部によって検知された温度が閾値以上である場合に前記基板の温度上昇を抑制する保護動作を行う保護動作部と、を備えている〔１〕から〔４〕までのいずれかに記載の絶縁トランス。

上記〔５〕に記載された絶縁トランスは、温度検知部及び保護動作部によって第１磁性体及び第２磁性体が設けられた基板の温度が上昇することを抑えることができる。これによって、第１磁性体及び第２磁性体に起因する基板の温度上昇も抑えることができる。

第１磁性体、及び第２磁性体はフェライト系の材料で形成されている〔５〕に記載の絶縁トランス。

この絶縁トランスは、温度検知部及び保護動作部によって第１磁性体及び第２磁性体が設けられた基板の温度上昇を抑えることができるため、第１磁性体及び第２磁性体に温度上昇によって磁気飽和し易いフェライト系の材料を用いても、第１磁性体及び第２磁性体における磁気飽和を抑えることができ、これによって第１磁性体及び第２磁性体に係るコストを抑えることができる。

〔６〕複数の蓄電素子が一体的に設けられた蓄電モジュールに組み付けられる〔４〕に記載の絶縁トランス。

上記〔６〕に記載された絶縁トランスは、蓄電モジュールが温度検知部によって蓄電素子の温度を検知して、保護動作部によって蓄電素子の温度上昇を抑制することが行われる。こうした構成を有する蓄電モジュールに絶縁トランスを設ければ、第１磁性体及び第２磁性体に起因する基板の温度上昇も抑えることができる。

〔７〕互いに絶縁された第１パターン及び第２パターンが形成され、前記第１パターン及び前記第２パターンが周りに配置される貫通孔が形成される基板に対して、前記貫通孔に挿入される挿入部を有した第１磁性体を、前記貫通孔に前記挿入部を挿入する第１磁性体配置工程と、第２磁性体を、前記基板の一方面に対向させ、且つ前記挿入部の端部に対向させて配置する第２磁性体配置工程と、を備え、前記一方面に沿った第１方向における前記第２磁性体の外形寸法は、前記第１方向における前記端部の外形寸法よりも大きい絶縁トランスの製造方法。

上記〔７〕に記載された絶縁トランスの製造方法は、第１磁性体配置工程と第２磁性体配置工程とを実行することによって基板に絶縁トランス構造を形成することができる。一方面に沿った第１方向における第２磁性体の外形寸法は、第１方向における端部の外形寸法よりも大きい。このため、第２磁性体の一部を第１方向において挿入部の端部よりも張り出して配置することができるため、張り出した部分においても磁性体に起因する磁気的影響を生じさせることができる。

〔８〕第２磁性体配置工程は、第１磁性体配置工程を実行する前に実行される〔７〕に記載の絶縁トランスの製造方法。

上記〔８〕に記載された絶縁トランスの製造方法は、先に第２磁性体を基板の一方面に配置することによって、挿入部の端部を第２磁性体に接触させた状態にしたときに、挿入部の端部の位置を基板の一方面に揃え易い。

［本開示の実施形態の詳細］

＜実施形態１＞
図１には、実施形態１に係る絶縁トランス５０を備えた回路基板４０が取り付けられた蓄電モジュール１が例示される。蓄電モジュール１は、例えば、電気自動車、又はハイブリッド自動車等の車両に搭載され、搭載された車両を駆動するための電源として使用される。蓄電モジュール１は、複数の蓄電素子１Ａ、電池配線モジュール１０Ａを有する。蓄電モジュール１は、単位電池である蓄電素子１Ａが複数まとめられて構成されている。

（蓄電モジュールの構成）
蓄電モジュール１は、図２に示すように、正極Ｐ及び負極Ｎを備えた複数の蓄電素子１Ａが所定方向に並べられている。複数の蓄電素子１Ａは、正極Ｐ及び負極Ｎの配置される向きが交互に入れ替わるように一方向に並べられている。蓄電モジュール１は、正極Ｐ及び負極Ｎが交互に一列をなして構成された端子列Ｒが二つならんでいる。蓄電モジュール１は直方体状の構成をなす（図１参照。）。複数の蓄電素子１Ａを一体的に保持するための保持部の構造は特に限定されない。各蓄電素子１Ａは、正極Ｐ及び負極Ｎを有する１つの単位電池として機能する。各蓄電素子１Ａは、例えば所定サイズの直方体状をなしている。図１、２では、蓄電素子１Ａが所定方向に一列に並んだ形態にされた蓄電モジュール１が例示されているが、複数の蓄電素子１Ａを一体的に配列するためのレイアウトはこの例に限定されない。

（電池配線モジュールの構成）
電池配線モジュール１０Ａは、図１に示すように、ケース本体１１、複数のバスバー１２、及び蓋１３を有している。ケース本体１１は、合成樹脂製であり、四角形状をなした平板状をなしている。バスバー１２は四角形状をなした板金で形成されている。ケース本体１１にはバスバー１２が複数取り付けられている。複数のバスバー１２は、ケース本体１１における、互いに平行をなす一対の辺の各々に沿うように配置され、ケース本体１１に取り付けられている。つまり、複数のバスバー１２は二列をなしてケース本体１１に取り付けられている。電池配線モジュール１０Ａは、蓄電モジュール１の端子列Ｒを覆うように蓄電モジュール１に取り付けられる（図２参照。）。

各バスバー１２は、蓄電モジュール１における隣合う蓄電素子１Ａの電極同士を電気的に接続する。具体的には、図２に示すように、一方の列をなすバスバー１２は、蓄電モジュール１の一方の端子列Ｒを覆うように配置され、他方の列をなすバスバー１２は、他方の端子列Ｒを覆うように配置される。各バスバー１２は、隣合う正極Ｐと負極Ｎとを跨ぐように配置される。両側に蓄電素子１Ａが配置された蓄電素子１Ａの一つに着目すると、正極Ｐを覆うバスバー１２は、一方側に隣合う蓄電素子１Ａの負極Ｎを覆い、負極Ｎを覆うバスバー１２は、他方側に隣合う蓄電素子１Ａの正極Ｐを覆う。各バスバー１２は、自身が覆う正極Ｐと負極Ｎとに電気的に接続することによって、複数の蓄電素子１Ａを電気的に直列に接続する。直列に接続された複数の蓄電素子１Ａの最も高電位の正極Ｐには、板金で形成された高電位側電極ＢＨが電気的に接続されている。直列に接続された複数の蓄電素子１Ａの最も低電位の負極Ｎには、板金で形成された低電位側電極ＢＬが電気的に接続されている。つまり、複数の蓄電素子１Ａは、二列に配置された複数のバスバー１２によって電気的に接続される。

本開示において、「電気的に接続される」とは、接続対象の両方の電位が等しくなるように互いに導通した状態（電流を流せる状態）で接続される構成であることが望ましい。ただし、この構成に限定されない。例えば、「電気的に接続される」とは、両接続対象の間に電気部品が介在しつつ両接続対象が導通し得る状態で接続された構成であってもよい。

蓋１３は合成樹脂製であり四角形状をなした平板状である。蓋１３は、ケース本体１１との間にバスバー１２、及び回路基板４０を挟み込み、バスバー１２、及び回路基板４０を覆う。

電池配線モジュール１０Ａには、回路基板４０が取り付けられている。回路基板４０は、プリント基板として構成され、平板状に形成され、板厚方向から見た平面視における外形が四角形状をなしている。回路基板４０は、複数の導電層と絶縁層とが交互に積層された、所謂、多層基板である。回路基板４０には、回路基板４０の表面や内部に形成されるパターンや、各導電層を電気的に接続するスルーホールやビア等が設けられている（図示せず。）。回路基板４０は、蓄電モジュール１における各蓄電素子１Ａを電気的に接続する電池配線モジュール１０Ａに配置される。

回路基板４０には、電池監視ユニット１０Ｂが形成されている。電池監視ユニット１０Ｂは、図３に示すように、隣合うバスバー１２の列の間であって、複数の蓄電素子１Ａによって構成された蓄電モジュール１の端縁部に設けられた回路基板４０に形成される。電池監視ユニット１０Ｂは、回路基板４０に実装されたサーミスタ４２、セルバランス回路４３、コネクタ４４、放電制御部４５、及び絶縁トランス５０等を有している。

サーミスタ４２は、自身が設けられた位置の温度を示す温度信号を出力する素子である。サーミスタ４２は、回路基板４０においてセルバランス回路４３及び絶縁トランス５０の近傍に実装される。サーミスタ４２は、回路基板４０の所定位置の温度を検出するように機能する。例えば、サーミスタ４２は、セルバランス回路４３の抵抗器４３Ａの温度や蓄電素子１Ａの温度や絶縁トランス５０の後述する第１磁性体５０Ｄ、及び第２磁性体５０Ｅの少なくとも一方の周囲の温度等を検知する温度検知部として機能する。なお、サーミスタ４２によって蓄電素子１Ａの温度の検知に重きを置く場合には、サーミスタ４２の回路基板４０における実装位置を蓄電素子１Ａにより近づけた位置にすることも考えられる。つまり、サーミスタ４２の実装位置は、正確に温度を検知したい対象の位置により近づけることによって、温度を検知したい対象の温度をより正確に検知することができる。

セルバランス回路４３は、蓄電モジュール１での蓄電量の偏りを補正するセルバランス動作を行う回路であり、具体的には、蓄電素子１Ａのそれぞれの電圧又は容量を均等にするセルバランス回路として機能する。セルバランス回路４３には、複数の抵抗器４３Ａが設けられている。これら抵抗器４３Ａは、セルバランス回路４３がバランス動作を行う際に各蓄電素子１Ａに蓄電された電気エネルギーを熱エネルギーに変換する機能を有する。コネクタ４４には、他の機器等（例えば、外部ＥＣＵ等）と信号のやり取りをするケーブル７３が電気的に接続される。

放電制御部４５は、例えばマイクロコンピュータなどの情報処理装置によって構成されており、ケーブル７３を介して他の機器と通信可能とされている。放電制御部４５は、セルバランス回路４３のセルバランス動作を制御する機能を有する。

絶縁トランス５０は、図５に示すように、回路基板４０と、磁性体部５０Ａと、第１パターン５０Ｂと、第２パターン５０Ｃとを備える。回路基板４０には、貫通孔である第１貫通孔５０Ｆ、及び一対の第２貫通孔５０Ｋが貫通して形成されている。第１貫通孔５０Ｆは、図４に示すように、円形状をなしている。一対の第２貫通孔５０Ｋは、一方向に長く形成されている。一対の第２貫通孔５０Ｋは、一方向に長く伸びる向きが互いに平行である。一対の第２貫通孔５０Ｋは、第１貫通孔５０Ｆを挟んで回路基板４０に形成されている（図５参照。）。

磁性体部５０Ａは、第１磁性体５０Ｄと、第２磁性体５０Ｅとを有している。第１磁性体５０Ｄは、フェライト系の材料によって形成されている。フェライト系の材料は、アモルファス系や圧粉系の材料に比べて、温度上昇によって磁気飽和し易い。第１磁性体５０Ｄは、第１磁性体本体５０Ｈ、及び挿入部５０Ｑを有している。第１磁性体本体５０Ｈは、四角形状をなし平板状に形成されている。挿入部５０Ｑは第１挿入部５０Ｇ、及び一対の第２挿入部５０Ｊを有している。第１挿入部５０Ｇは、円柱状をなし、第１磁性体本体５０Ｈの一方の面の中央部から突出する。第２挿入部５０Ｊは、第１磁性体本体５０Ｈの反対に位置する一対の辺に沿って第１挿入部５０Ｇと同じ方向に突出する。第１挿入部５０Ｇ、及び一対の第２挿入部５０Ｊの第１磁性体本体５０Ｈから突出する寸法は互いに同じであり、回路基板４０の板厚よりも僅かに大きい（図５参照。）。

第１磁性体５０Ｄは、図５に示すように、第１挿入部５０Ｇが回路基板４０の第１貫通孔５０Ｆに挿入され、一対の第２挿入部５０Ｊの各々が回路基板４０の第２貫通孔５０Ｋに挿入されている。第１磁性体５０Ｄは、接着剤を用いて第１磁性体本体５０Ｈが回路基板４０の他方面に貼付けられている。第１磁性体５０Ｄは、第１貫通孔５０Ｆに挿入される第１挿入部５０Ｇを有し、回路基板４０の他方面に配置される。

第２磁性体５０Ｅは、フェライト系の材料によって形成されている。第２磁性体５０Ｅは、四角形状をなした平板状に形成されている。第２磁性体５０Ｅは、接着剤を用いて第１磁性体本体５０Ｈに対向する位置であって、回路基板４０の一方面に貼り付けられている。第１磁性体５０Ｄの第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎの先端面、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐの先端面の全体は、第２磁性体５０Ｅに対向した状態にされる（図４、５参照。）。第１端部５０Ｎ、及び第２端部５０Ｐは第１磁性体５０Ｄの端部５０Ｒに含まれる（図５参照。）。具体的には、第１磁性体５０Ｄの第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐの先端面の全体は、第２磁性体５０Ｅに密着して接触した状態にされる（図５参照。）。第２磁性体５０Ｅは、第１磁性体５０Ｄに対して対向する位置であって、回路基板４０の一方面に配置される。

第１磁性体５０Ｄは、回路基板４０の他方面（回路基板４０の厚さ方向において一方面とは反対側の面）と対向する第１磁性体本体５０Ｈ（対向部）と、第１挿入部５０Ｇと、第２挿入部５０Ｊとを有する。第１挿入部５０Ｇ、及び第２挿入部５０Ｊは、第１磁性体本体５０Ｈ（対向部）から回路基板４０の厚さ方向に突出する部位である。更に、第１挿入部５０Ｇ、及び第２挿入部５０Ｊは、自身の回路基板４０の一方面側の第１端部５０Ｎ、第２端部５０Ｐが第２磁性体５０Ｅと対向する部位であり、少なくとも一部が第１貫通孔５０Ｆ、及び第２貫通孔５０Ｋに挿入される部位である。

図４は、第１磁性体５０Ｄ、及び第２磁性体５０Ｅが回路基板４０に取り付けられた状態を示す。回路基板４０に沿ったいずれの方向において、第２磁性体５０Ｅの外形寸法は、第１磁性体５０Ｄの第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐの外形寸法よりも大きい（図４、５参照。）。少なくとも、第１方向Ｄｉにおける第２磁性体５０Ｅの外形寸法は、第１端部５０Ｎ及び第２端部５０Ｐを含んだ端部５０Ｒ全体の第１方向Ｄｉの外形寸法よりも大きい（図５参照。）。回路基板４０の一方面に沿った方向の内の第１方向Ｄｉと直交する第２方向Ｄｉ２においても、第２磁性体５０Ｅの外形寸法は、第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐの外形寸法よりも大きい（図４参照。）。

回路基板４０に沿ったいずれの方向において、第２磁性体５０Ｅの周縁部は、第１磁性体５０Ｄの第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐにおける周縁よりも突出している（図４、５参照。）。回路基板４０に沿ったいずれの方向において、第２磁性体５０Ｅの外形寸法は、第１磁性体５０Ｄの外形寸法よりも大きい（図４参照。）。

第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐの外側に張り出すようにフランジ状に第２磁性体５０Ｅは設けられる。具体的には、第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐの全体が、第２磁性体５０Ｅの対向面（回路基板４０の一方面と対向する面）における外縁の内側に収まるように配置される。

回路基板４０の厚さ方向と直交する仮想平面に第２磁性体５０Ｅの対向面を投影した第１投影図形Ｓ１の外縁の内側に、第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐを上記仮想平面に投影した第２投影図形Ｓ２の全体が配置される（図４参照。）。

第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃは、回路基板４０に設けられ、第１貫通孔５０Ｆの周囲を周回して配置される。第２パターン５０Ｃは第１パターン５０Ｂに対して絶縁されている。第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃは、回路基板４０の内部に形成される（図５参照。）。第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃは、回路基板４０の内部に積層される四つの導電層に形成される（図５参照。）。具体的には、第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃは、図６から９に示すように、各導電層において、第１貫通孔５０Ｆの周囲を互いに同じ方向であって、同じ数周回している。各導電層において、第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃは、第１貫通孔５０Ｆの径方向に互いに交互に配置されている。

図６、７に示すように、回路基板４０の他方面に最も近い一つ目の導電層において、第１パターン５０Ｂの一端は、一つ目の導電層よりも回路基板４０の他方面から離れた二つ目の導電層に形成された第１パターン５０Ｂの一端に対してビアＳｖ１を介して電気的に接続している。一つ目の導電層において、第２パターン５０Ｃの一端は、二つ目の導電層に形成された第２パターン５０Ｃの一端に対してビアＳｖ２を介して電気的に接続している。一つ目の導電層において、第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃの各々の他端は、絶縁トランス５０の外部に向けて、互いに反対方向に伸びている（図６参照。）。

図７、８に示すように、二つ目の導電層において、第１パターン５０Ｂの他端は、二つ目の導電層よりも回路基板４０の他方面から離れた三つ目の導電層に形成された第１パターン５０Ｂの他端にビアＳｖ３を介して電気的に接続している。二つ目の導電層において、第２パターン５０Ｃの他端は、三つ目の導電層に形成された第２パターン５０Ｃの他端にビアＳｖ４を介して電気的に接続している。

図８、９に示すように、三つ目の導電層において、第１パターン５０Ｂの一端は、回路基板４０の一方面に最も近い四つ目の導電層に形成された第１パターン５０Ｂの一端にビアＳｖ５を介して電気的に接続している。三つ目の導電層において、第２パターン５０Ｃの一端は、四つ目の導電層に形成された第２パターン５０Ｃの一端にビアＳｖ６を介して電気的に接続している。

図９に示すように、四つ目の導電層において、第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃの各々の他端は、絶縁トランス５０の外部に向けて、互いに反対方向に伸びている。四つ目の導電層における第１パターン５０Ｂの他端は、一つ目の導電層における第１パターン５０Ｂの他端と同じ方向に伸びて、第１端子５０Ｌを形成している（図６、９参照。）。四つ目の導電層における第２パターン５０Ｃの他端は、一つ目の導電層における第２パターン５０Ｃの他端と同じ方向に伸びて第２端子５０Ｍを形成している（図６、９参照。）。第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃの少なくとも一部は、回路基板４０の板厚方向において交互に並ぶように配置される（図５参照。）。

こうして構成された絶縁トランス５０は、例えば、放電制御部４５とケーブル７３との間に介在して設けられる（図１０参照。）。例えば、絶縁トランス５０の第１端子５０Ｌがケーブル７３、及び放電制御部４５のいずれか一方に電気的に接続され、第２端子５０Ｍがケーブル７３、及び放電制御部４５のいずれか他方に電気的に接続される。これによって、絶縁トランス５０は、放電制御部４５とケーブル７３とを絶縁し、放電制御部４５とケーブル７３との間でパルス状の波形を有するパルス信号をやり取りすることができる。

回路基板４０は、ケース本体１１に取り付けられている。具体的には、回路基板４０は、ケース本体１１の一方の辺に沿って並ぶバスバー１２と、ケース本体１１の他方の辺に沿って並ぶバスバー１２との間であって、ケース本体１１の一方側の端縁部に配置されている。回路基板４０は、フレキシブル基板２０（図２参照）を介して蓄電モジュール１における複数の蓄電素子１Ａに対して電気的に接続されている。フレキシブル基板２０には、ＦＰＣ（Flexible printed circuits）が採用されている。フレキシブル基板２０は、柔軟性を有するとともに変形可能な構成であり、変形した場合にも電気的特性が維持される構成をなす。フレキシブル基板２０と回路基板４０とは、回路基板４０に設けられたコネクタ４８（図３参照）を介して電気的に接続されている。つまり、絶縁トランス５０は、複数の蓄電素子１Ａによって構成される蓄電モジュール１に設けられている。

回路基板４０に形成された電池監視ユニット１０Ｂは、フレキシブル基板２０を介して蓄電モジュール１の各蓄電素子１Ａにおける電圧、電流の状態を検知する機能を有する。回路基板４０に形成された電池監視ユニット１０Ｂは、サーミスタ４２を用いて抵抗器４３Ａの温度や蓄電素子１Ａの温度や絶縁トランス５０の温度等の状態を検知する機能を有する。回路基板４０に形成された電池監視ユニット１０Ｂは、複数の蓄電素子１Ａのバランス制御を行う際に各蓄電素子１Ａに蓄電された電気エネルギーを抵抗器４３Ａによって熱エネルギーに変換する機能を有する。

蓄電モジュール１に組み付けられた電池配線モジュール１０Ａのケース本体１１には、蓄電素子１Ａの電圧、電流、温度等の状態を検知する電池監視ユニット１０Ｂが形成された回路基板４０が設けられている（図３参照。）。電池監視ユニット１０Ｂは、自身が検知した各蓄電素子１Ａにおける電圧、電流、温度等の状態を、ケーブル７３を介して他の機器に送信する。他の機器は、複数の電池監視ユニット１０Ｂが検知した各蓄電素子１Ａにおける電圧、電流、温度等の状態に基づいて、各蓄電素子１Ａにおけるバランス制御等の充放電を制御する。つまり、電池監視ユニット１０Ｂは、車載用バッテリとして機能する蓄電モジュール１を構成する複数の蓄電素子１Ａの充放電を制御する電池管理システムとして機能する。

（絶縁トランスの製造方法）
次に、絶縁トランスの製造方法について説明する。先ず、回路基板４０の一方面において、第２磁性体５０Ｅを配置する領域に接着剤を塗布する。接着剤は、例えば、熱が加えられることによって硬化する性質を有した物や、熱の影響を受けずに所定の時間が経過することによって硬化する性質を有した物等である。

次に、第２磁性体５０Ｅを回路基板４０の一方面に沿って配置する第２磁性体配置工程を実行する。第２磁性体５０Ｅは、表面実装機等を用いて回路基板４０の一方面であって、接着剤が塗布された領域を覆うように配置される。このとき、回路基板４０は一方面が上向きにされている。第２磁性体５０Ｅは、回路基板４０を板厚方向から見たときに、第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃにおける第１貫通孔５０Ｆを周回する部分を覆うように配置される（図６から９参照。）。第２磁性体５０Ｅと回路基板４０の一方面とは、接着剤を介して接触している。第１貫通孔５０Ｆ、及び第２貫通孔５０Ｋ内には接着剤が入り込まないようにされている。そして、回路基板４０の一方面において、他の実装部品を配置した後に回路基板４０をリフロー炉に投入する。こうして、回路基板４０の一方面への第２磁性体５０Ｅ及び他の実装部品の実装が完了する。

次に、回路基板４０の他方面において、第１磁性体５０Ｄを配置する領域に接着剤を塗布する。次に、第１貫通孔５０Ｆに挿入される第１挿入部５０Ｇを有した第１磁性体５０Ｄを、第１貫通孔５０Ｆに第１挿入部５０Ｇを挿入して回路基板４０の他方面に沿って配置する第１磁性体配置工程を実行する。つまり、第２磁性体配置工程は、第１磁性体配置工程を実行する前に実行される。第１磁性体５０Ｄは、表面実装機等を用いて回路基板４０の他方面であって、接着剤が塗布された領域を覆うように配置される。このとき、回路基板４０は他方面が上向きにされている。第１磁性体５０Ｄの第１挿入部５０Ｇは第１貫通孔５０Ｆに挿入され、一対の第２挿入部５０Ｊは一対の第２貫通孔５０Ｋに挿入される。第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐの全体は、第２磁性体５０Ｅにおける回路基板４０の一方面に対向する面に密着して接触する。これによって、第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐは、回路基板４０の一方面に対して面一にすることができる。

第１磁性体５０Ｄは、回路基板４０を板厚方向から見たときに、第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃにおける第１貫通孔５０Ｆを周回する部分を覆うように配置される（図６から９参照。）。そして、回路基板４０の他方面において、他の実装部品を配置した後に回路基板４０をリフロー炉に投入する。こうして、回路基板４０の他方面への第１磁性体５０Ｄ及び他の実装部品の実装が完了する。第１磁性体５０Ｄの第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐの先端面の全体は、第２磁性体５０Ｅに対向する（図４、５参照。）。

次に、電池監視ユニット１０Ｂの電気的構成及び制御について説明する。図１０に示すように、電池監視ユニット１０Ｂは、蓄電モジュール１に関する信号を伝送する導電路である配線４７によって各蓄電素子１Ａと電気的に接続されている。例えば、各配線４７は、フレキシブル基板２０や回路基板４０に形成されたパターンである。各配線４７は、蓄電モジュール１の各位置の電圧を示す信号を伝送する電圧検出線として機能し、具体的には、蓄電モジュール１の各位置と電池監視ユニット１０Ｂの放電制御部４５とを導通させる導電路として機能する。このように複数の配線４７が設けられているため、蓄電モジュール１の各位置の電圧値が電池監視ユニット１０Ｂの放電制御部４５の各端子に入力される。

放電制御部４５が検知する信号は、蓄電モジュール１の所定位置の電圧を特定し得る信号であってもよい。この場合、上記信号は、蓄電モジュール１の所定位置の電圧値そのものを示す信号であってもよく、当該電圧値を分圧した値を示す信号などであってもよく、上記電圧値が閾値よりも高いか否かを示す信号などであってもよい。

放電制御部４５が検知する信号は、蓄電モジュール１の所定位置を流れる電流を特定し得る信号であってもよい。この場合、上記検出信号は、上記所定位置を流れる電流の値を示す電圧信号であってもよく、上記所定位置を流れる電流が閾値よりも高いか否かを示す信号などであってもよく、上記所定位置を流れる電流が所定範囲内にあるか否かを示す信号などであってもよい。

放電制御部４５が検知する信号は、蓄電モジュール１又は回路基板４０に組み付けられた部品の所定位置の温度を特定し得る信号であってもよい。この場合、上記検出信号は、上記所定位置の温度を示す電圧信号であってもよく、上記所定位置の温度が閾値よりも高いか否かを示す信号などであってもよく、上記所定位置の温度が所定範囲内にあるか否かを示す信号などであってもよい。

蓄電モジュール１は、蓄電モジュール１の一部又は全部において複数の蓄電素子１Ａが電気的に直列に接続されている。蓄電モジュール１における電池監視ユニット１０Ｂは、配線４７を介して、直列に接続された複数の蓄電素子１Ａの電池間電極部又は端部電極部に電気的に接続されている。各々の配線４７は、自身が接続された電極部と導通し、自身が接続された電極部の電圧を示す信号を放電制御部４５に入力する。

放電制御部４５、及びセルバランス回路４３は、協働してセルバランス動作を行い得る。例えば、放電制御部４５は、他の機器からセルバランス指令が与えられた場合にセルバランス動作を開始する。まず、放電制御部４５及びセルバランス回路４３は、セルバランス動作に際し、蓄電モジュール１におけるセルバランス回路４３が割り当てられた部分のうちで、正極Ｐと負極Ｎの電位差（端子間電圧）が最小となる蓄電素子１Ａを検出する。そして、放電制御部４５は、「正極Ｐと負極Ｎの電位差が最小となる蓄電素子１Ａ」以外の他の蓄電素子１Ａの電圧を、「正極Ｐと負極Ｎの電位差が最小となる蓄電素子１Ａ」の電圧に合わせる放電動作をセルバランス回路４３の放電部４３Ｂに行わせる。この場合、放電制御部４５は、セルバランス回路４３をパッシブ型セルバランス回路として動作させることができる。均等化のための放電動作は、複数の蓄電素子１Ａに対応して設けられた抵抗器４３Ａを有する複数の放電部４３Ｂを用いて行うことができる。なお、ここで例示されたセルバランス回路４３及びセルバランス動作はあくまで一例であり、他のセルバランス回路や他のセルバランス動作を用いてもよい。

次に、電池監視ユニット１０Ｂにおける保護動作について説明する。回路基板４０に形成された電池監視ユニット１０Ｂは保護動作部として機能する。保護動作部は、サーミスタ４２で検知した温度が閾値以上である場合に周囲の温度上昇を抑制する保護動作を行う。具体的には、例えば、放電制御部４５はサーミスタ４２からの温度信号を継続的に監視する。そして、放電制御部４５は、サーミスタ４２からの温度信号が閾値以上である場合、即ち、サーミスタ４２が出力する温度信号が示す温度の値が閾値以上である場合に、セルバランス回路４３の抵抗器４３Ａの温度や蓄電素子１Ａの温度上昇を抑制する保護動作を行う。具体的には、放電制御部４５は、セルバランス回路４３が上述したセルバランス動作を行っている場合においてサーミスタ４２からの温度信号が閾値以上である場合にセルバランス動作を停止させる。

次に、本開示に係る構成の効果が例示される。絶縁トランス５０は、第１貫通孔５０Ｆが形成された回路基板４０と、回路基板４０において第１貫通孔５０Ｆの周りに配置される第１パターン５０Ｂと、回路基板４０において第１貫通孔５０Ｆの周りに配置され、第１パターン５０Ｂに対して絶縁される第２パターン５０Ｃと、第１磁性体５０Ｄと第２磁性体５０Ｅとを有する磁性体部５０Ａとを備え、第２磁性体５０Ｅは、回路基板４０の一方面と対向して配置され、第１磁性体５０Ｄは、少なくとも一部が第１貫通孔５０Ｆ内に挿入される第１挿入部５０Ｇを有し、第１挿入部５０Ｇの回路基板４０の一方面側の第１端部５０Ｎは、第２磁性体５０Ｅと対向して配置され、一方面に沿った第１方向Ｄｉにおける第２磁性体５０Ｅの外形寸法は、第１方向Ｄｉにおける第１端部５０Ｎの外形寸法よりも大きい。

絶縁トランス５０は、製造段階において第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎが第２磁性体５０Ｅの対向面（回路基板４０の一方面に対向する面）からずれて配置され難いため、電気的特性が安定し易い。更に、第２磁性体５０Ｅの一部を第１方向Ｄｉにおいて第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎよりも張り出して配置することができるため、張り出した部分においても磁性体に起因する磁気的影響を生じさせることができる。一方面は、回路基板４０における厚さ方向（板厚方向）の一方側の板面である。

絶縁トランス５０の回路基板４０は、第１方向Ｄｉにおいて第１貫通孔５０Ｆの少なくとも一方側に１つの第２貫通孔５０Ｋが形成され、挿入部５０Ｑは、第１貫通孔５０Ｆに挿入される第１挿入部５０Ｇと、第２貫通孔５０Ｋに挿入される１以上の第２挿入部５０Ｊと、を有し、第１挿入部５０Ｇにおける一方面側の第１端部５０Ｎと第２挿入部５０Ｊにおける一方面側の第２端部５０Ｐとが第１方向Ｄｉに並び、第１方向Ｄｉにおける第２磁性体５０Ｅの外形寸法は、第１端部５０Ｎ、及び第２端部５０Ｐを含んだ端部５０Ｒ全体の第１方向Ｄｉの外形寸法よりも大きい。これによって、第２磁性体５０Ｅの一部を第１方向Ｄｉにおいて第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎ、及び第２挿入部５０Ｊの第２端部５０Ｐよりも張り出して配置することができるため、張り出した部分においても磁性体に起因する磁気的影響を良好に生じさせることができる。「第１挿入部５０Ｇの一方面側の第１端部５０Ｎ及び第２端部５０Ｐが第２磁性体５０Ｅと対向して配置される構成」は、端部５０Ｒが第２磁性体５０Ｅに接合される構成と、端部５０Ｒが第２磁性体５０Ｅに接合されずに接触する構成とを含む。

絶縁トランス５０は、一方面に沿ったいずれの方向でも、第２磁性体５０Ｅの外形寸法が、端部５０Ｒの外形寸法よりも大きい。これによって、絶縁トランス５０は、回路基板４０に沿ったいずれの方向において、第２磁性体５０Ｅの位置がずれても、第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎの先端面の全体が第２磁性体５０Ｅと対向する状態を維持し易くなる。

絶縁トランス５０は、回路基板４０の温度を検知するサーミスタ４２を備え、サーミスタ４２は、回路基板４０において第１磁性体５０Ｄ、及び第２磁性体５０Ｅの少なくとも一方の周囲に設けられる。これによって、絶縁トランス５０は、サーミスタ４２によって回路基板４０の温度を検知することができるため、第１磁性体５０Ｄ、及び第２磁性体５０Ｅが設けられた回路基板４０の温度に基づいた動作が可能となる。第１磁性体５０Ｄの周囲は、回路基板４０において第１磁性体５０Ｄの温度変化の影響を受ける位置であり、具体的には、回路基板４０の外縁よりも第１磁性体５０Ｄに近い位置が望ましい。第２磁性体５０Ｅの周囲は、回路基板４０において第２磁性体５０Ｅの温度変化の影響を受ける位置であり、具体的には、回路基板４０の外縁よりも第２磁性体５０Ｅに近い位置が望ましい。

絶縁トランス５０は、回路基板４０の温度を検知するサーミスタ４２と、サーミスタ４２によって検知された温度が閾値以上である場合に回路基板４０の温度上昇を抑制する保護動作を行う電池監視ユニット１０Ｂとを備えている。これによって、サーミスタ４２、及び電池監視ユニット１０Ｂによって第１磁性体５０Ｄ、及び第２磁性体５０Ｅが設けられた回路基板４０の温度が上昇することを抑えることができる。これによって、第１磁性体５０Ｄ、及び第２磁性体５０Ｅに起因する回路基板４０の温度上昇も抑えることができる。

絶縁トランス５０は、複数の蓄電素子１Ａが一体的に設けられた蓄電モジュール１に組み付けられる。蓄電モジュール１はサーミスタ４２によって蓄電素子１Ａの温度を検知して、電池監視ユニット１０Ｂによって蓄電素子１Ａの温度上昇を抑制することが行われる。こうした構成を有する蓄電モジュール１に絶縁トランス５０を設ければ、第１磁性体５０Ｄ、及び第２磁性体５０Ｅに起因する回路基板４０の温度上昇も抑えることができる。

絶縁トランスの製造方法は、互いに絶縁された第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃが形成され、第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃが周りに配置される第１貫通孔５０Ｆが形成される回路基板４０に対して、第１貫通孔５０Ｆに挿入される第１挿入部５０Ｇを有した第１磁性体５０Ｄを、第１貫通孔５０Ｆに第１挿入部５０Ｇを挿入する第１磁性体配置工程と、第２磁性体５０Ｅを、回路基板４０の一方面に対向させ、且つ第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎに対向させて配置する第２磁性体配置工程と、を備え、一方面に沿った第１方向Ｄｉにおける第２磁性体５０Ｅの外形寸法は、第１方向Ｄｉにおける第１端部５０Ｎの外形寸法よりも大きい。これによって、絶縁トランスの製造方法は、第１磁性体配置工程と第２磁性体配置工程とを実行することによって回路基板４０に絶縁トランス構造を形成することができる。一方面に沿った第１方向Ｄｉにおける第２磁性体５０Ｅの外形寸法は、第１方向Ｄｉにおける第１端部５０Ｎの外形寸法よりも大きい。このため、第２磁性体５０Ｅの一部を第１方向Ｄｉにおいて第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎよりも張り出して配置することができるため、張り出した部分においても磁性体に起因する磁気的影響を生じさせることができる。

絶縁トランスの製造方法の第２磁性体配置工程は、第１磁性体配置工程を実行する前に実行される。これによって、絶縁トランスの製造方法は、先に第２磁性体５０Ｅを回路基板４０の一方面に配置することによって、第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎを第２磁性体５０Ｅに接触させた状態にしたときに、第１挿入部５０Ｇの第１端部５０Ｎの位置を回路基板４０の一方面に揃え易い。

＜他の実施形態＞
本開示は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述又は後述の実施形態の特徴は、矛盾しない範囲であらゆる組み合わせが可能である。また、上述又は後述の実施形態のいずれの特徴も、必須のものとして明示されていなければ省略することもできる。更に、上述した実施形態は、次のように変更されてもよい。

第１パターン５０Ｂ、及び第２パターン５０Ｃを形成する導電層の数は、実施形態１に限定されない。各導電層における、第１パターン、及び第２パターンが第１貫通孔の周囲を周回する回数は、実施形態１に限定されない。

実施形態１では、セルバランス回路４３が回路基板４０に設けられている。これに限らず、セルバランス回路の一部又は全部がフレキシブル基板に設けられていてもよい。

実施形態１では、１つの単位電池によって１つの蓄電素子１Ａが構成されるが、蓄電素子を構成する単位はこの例に限定されない。例えば、複数の単位電池によって１つの蓄電素子が構成されていてもよい。

実施形態１では、電池監視ユニット１０Ｂが保護動作部として機能することが例示されている。これに限らず、蓄電モジュールの周囲に通水路を設け、通水路に水を流すことによって蓄電モジュールを冷却する冷却部を保護動作部として用いてもよい。

実施形態１では、温度検知部としてサーミスタ４２を用いている。これに限らず、温度検知部として、測温抵抗体やリニア抵抗器等を用いてもよい。

実施形態１では、第１方向Ｄｉに沿って第１挿入部５０Ｇと第２挿入部５０Ｊとが並ぶ、つまり、第１方向Ｄｉは、第１挿入部５０Ｇと第２挿入部５０Ｊとが並ぶ方向である。但し、この例に限定されず、これ以外の任意の方向であってもよい。

実施形態１では、第１方向Ｄｉにおいて第１貫通孔５０Ｆの両側に配置される孔部が第２貫通孔５０Ｋである。実施形態１では、第１方向Ｄｉにおいて、第１挿入部５０Ｇの両側に配置される挿入部が第２挿入部５０Ｊである。第２挿入部は１つでも３以上でもよい。

なお、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、今回開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示された範囲内又は特許請求の範囲と均等の範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

１…蓄電モジュール
１Ａ…蓄電素子
１０Ａ…電池配線モジュール
１０Ｂ…電池監視ユニット（保護動作部）
１１…ケース本体
１２…バスバー
１３…蓋
２０…フレキシブル基板
４０…回路基板（基板）
４２…サーミスタ（温度検知部）
４３…セルバランス回路
４３Ａ…抵抗器
４３Ｂ…放電部
４４…コネクタ
４５…放電制御部
４７…配線
４８…コネクタ
５０…絶縁トランス
５０Ｂ…第１パターン
５０Ｃ…第２パターン
５０Ｄ…第１磁性体
５０Ｅ…第２磁性体
５０Ｆ…第１貫通孔（貫通孔）
５０Ｇ…第１挿入部（挿入部）
５０Ｈ…第１磁性体本体
５０Ｊ…第２挿入部（挿入部）
５０Ｋ…第２貫通孔
５０Ｌ…第１端子
５０Ｍ…第２端子
５０Ｎ…第１端部（端部）
５０Ｐ…第２端部（端部）
５０Ｑ…挿入部
５０Ｒ…端部
７３…ケーブル
ＢＨ…高電位側電極
ＢＬ…低電位側電極
Ｄｉ…第１方向
Ｄｉ２…第２方向
Ｎ…負極
Ｐ…正極
Ｒ…端子列
Ｓｖ１，Ｓｖ２，Ｓｖ３，Ｓｖ４，Ｓｖ５，Ｓｖ６…ビア

Claims (8)

1. 貫通孔が形成された基板と、
   前記基板において前記貫通孔の周りに配置される第１パターンと、
   前記基板において前記貫通孔の周りに配置され、前記第１パターンに対して絶縁される第２パターンと、
   第１磁性体と第２磁性体とを有する磁性体部と、
   を備え、
   前記第２磁性体は、前記基板の一方面と対向して配置され、
   前記第１磁性体は、少なくとも一部が前記貫通孔内に挿入される挿入部を有し、
   前記挿入部の前記一方面側の端部は、前記第２磁性体と対向して配置され、
   前記一方面に沿った第１方向における前記第２磁性体の外形寸法は、前記第１方向における前記端部の外形寸法よりも大きい絶縁トランス。
2. 前記基板は、前記第１方向において前記貫通孔の少なくとも一方側に１以上の第２貫通孔が形成され、
   前記挿入部は、前記貫通孔に挿入される第１挿入部と、前記第２貫通孔に挿入される１以上の第２挿入部と、を有し、前記第１挿入部における前記一方面側の第１端部と前記第２挿入部における前記一方面側の第２端部とが前記第１方向に並び、
   前記第１方向における前記第２磁性体の外形寸法は、前記第１端部及び前記第２端部を含んだ前記端部全体の前記第１方向の外形寸法よりも大きい請求項１に記載の絶縁トランス。
3. 前記一方面に沿ったいずれの方向でも、前記第２磁性体の外形寸法は、前記端部の外形寸法よりも大きい請求項１に記載の絶縁トランス。
4. 前記基板の温度を検知する温度検知部を備え、
   前記温度検知部は、前記基板において前記第１磁性体及び前記第２磁性体の少なくとも一方の周囲に設けられる請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の絶縁トランス。
5. 前記基板の温度を検知する温度検知部と、
   前記温度検知部によって検知された温度が閾値以上である場合に前記基板の温度上昇を抑制する保護動作を行う保護動作部と、
   を備えている請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の絶縁トランス。
6. 複数の蓄電素子が一体的に設けられた蓄電モジュールに組み付けられる請求項４に記載の絶縁トランス。
7. 互いに絶縁された第１パターン及び第２パターンが形成され、前記第１パターン及び前記第２パターンが周りに配置される貫通孔が形成される基板に対して、
   前記貫通孔に挿入される挿入部を有した第１磁性体を、前記貫通孔に前記挿入部を挿入する第１磁性体配置工程と、
   第２磁性体を、前記基板の一方面に対向させ、且つ前記挿入部の端部に対向させて配置する第２磁性体配置工程と、
   を備え、
   前記一方面に沿った第１方向における前記第２磁性体の外形寸法は、前記第１方向における前記端部の外形寸法よりも大きい絶縁トランスの製造方法。
8. 前記第２磁性体配置工程は、前記第１磁性体配置工程を実行する前に実行される請求項７に記載の絶縁トランスの製造方法。

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