JP2021109908A - Resin composition, polyimide, and method for producing polyimide film - Google Patents

Resin composition, polyimide, and method for producing polyimide film Download PDF

Info

Publication number
JP2021109908A
JP2021109908A JP2020002200A JP2020002200A JP2021109908A JP 2021109908 A JP2021109908 A JP 2021109908A JP 2020002200 A JP2020002200 A JP 2020002200A JP 2020002200 A JP2020002200 A JP 2020002200A JP 2021109908 A JP2021109908 A JP 2021109908A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
polyimide
group
film
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020002200A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
友裕 頼末
Tomohiro Yorisue
友裕 頼末
敏章 奥田
Toshiaki Okuda
敏章 奥田
隆行 金田
Takayuki Kaneda
隆行 金田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Original Assignee
Asahi Kasei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Corp filed Critical Asahi Kasei Corp
Priority to JP2020002200A priority Critical patent/JP2021109908A/en
Publication of JP2021109908A publication Critical patent/JP2021109908A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Abstract

To provide a resin composition forming a polyimide film that excels in both of optical properties and other properties required for a display.SOLUTION: A resin composition contains a polyimide precursor having a structure represented by the following formula (1) {in formula (1), P1 is a divalent organic group, P2 is a tetravalent organic group}, and a solvent. In the formula (1), P1 contains a diamino benzamide-derived structure, and a polyimide, which is an imidized product of the polyimide precursor, satisfies both conditions of: (A) a yellowness (YI) is 10 or less as a film of 10 μm in thickness and (B) a retardation (Rth) in thickness direction is 300 nm or less as a film of 10 μm in thickness.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、ポリイミド前駆体を含有する樹脂組成物、ポリイミド、及びポリイミドフィルムの製造方法に関し、更に、素子付きポリイミドフィルムの製造方法、素子付き積層体、及びフレキシブルデバイスの製造方法も提供する。 The present invention relates to a resin composition containing a polyimide precursor, a polyimide, and a method for producing a polyimide film, and further provides a method for producing a polyimide film with an element, a laminate with an element, and a method for producing a flexible device.

ポリイミド樹脂は、不溶、不融の超耐熱性樹脂であり、耐熱酸化性、耐熱特性、耐放射線性、耐低温性、耐薬品性等に優れた特性を有している。このため、ポリイミド樹脂は、電子材料を含む広範囲な分野で用いられている。電子材料分野におけるポリイミド樹脂の適用例としては、例えば絶縁コーティング材、絶縁膜、半導体、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ(TFT−LCD)の電極保護膜等を挙げることができる。最近は、ポリイミドフィルムの軽さ、柔軟性を利用して、ディスプレイ材料の分野において従来使用されていたガラス基板に代わり、フレキシブル基板としても採用が検討されている。 The polyimide resin is an insoluble and insoluble superheat resistant resin, and has excellent properties such as heat oxidation resistance, heat resistance, radiation resistance, low temperature resistance, and chemical resistance. For this reason, polyimide resins are used in a wide range of fields including electronic materials. Examples of applications of the polyimide resin in the field of electronic materials include an insulating coating material, an insulating film, a semiconductor, an electrode protective film of a thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD), and the like. Recently, taking advantage of the lightness and flexibility of the polyimide film, its adoption as a flexible substrate is being considered in place of the glass substrate conventionally used in the field of display materials.

特許文献1には、多孔質膜上に、モノマーの一部に3,5−ジアミノベンズアミド(DAB−H)を用いて得られたポリイミド膜が形成されたガス分離複合膜が記載されており、このガス分離複合膜は、耐溶剤性及びガス分離性能に優れると説明されている。
特許文献2、及び非特許文献1には、それぞれ、モノマーとしてDAB−H、2,2′−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン(TFMB)等を用いてポリイミド前駆体を硬化して得られるポリイミドフィルムが記載されており、このポリイミドフィルムは、XY方向の低熱膨張性を維持しつつ、Z方向の熱膨張も抑制可能であり、層間絶縁フィルムとして有用であると説明されている。
Patent Document 1 describes a gas-separated composite membrane in which a polyimide membrane obtained by using 3,5-diaminobenzamide (DAB-H) as a part of a monomer is formed on a porous membrane. It is explained that this gas separation composite membrane is excellent in solvent resistance and gas separation performance.
Patent Document 2 and Non-Patent Document 1 describe a polyimide film obtained by curing a polyimide precursor using DAB-H, 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine (TFMB), or the like as a monomer, respectively. Is described, and it is explained that this polyimide film is useful as an interlayer insulating film because it can suppress thermal expansion in the Z direction while maintaining low thermal expansion in the XY direction.

国際公開第2015/129554号International Publication No. 2015/129554 特開2019−127503号公報JP-A-2019-127503

Reactive and Functional Polymers,139(2019),pp181−188Reactive and Fundamental Polymers, 139 (2019), pp181-188

特許文献1及び2、並びに非特許文献1に記載されたポリイミドフィルムは、その用途が、ガス分離膜用途、及び層間絶縁フィルム用途に限られ、ポリイミドフィルムを光学材料として用いることについては、全く検討されていない。 The uses of the polyimide films described in Patent Documents 1 and 2 and Non-Patent Document 1 are limited to gas separation membrane applications and interlayer insulation film applications, and the use of polyimide films as optical materials has been completely investigated. It has not been.

本発明者らは、DAB−H(3,5−ジアミノベンズアミド)をモノマーとして用いて、上記の先行技術文献の記載にしたがって、ポリイミドフィルムを製造し、光学用途への適用可能性を検討した。
その結果、上記の先行技術文献に記載されたポリイミドフィルムは、光学特性には優れるものの、ディスプレイ用途に求められるその他の特性、例えば、フィルム上に無機膜を形成した積層体の耐熱性等が不十分であることを見出した。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、光学特性と、ディスプレイ用途に求められるその他の特性の双方に優れるポリイミドフィルム、及びこれを形成するための樹脂組成物を提供することを目的とする。
The present inventors have produced a polyimide film using DAB-H (3,5-diaminobenzamide) as a monomer in accordance with the above description in the prior art document, and examined its applicability to optical applications.
As a result, although the polyimide film described in the above-mentioned prior art document is excellent in optical characteristics, other characteristics required for display applications, for example, heat resistance of a laminate having an inorganic film formed on the film, etc. are not good. Found to be sufficient.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a polyimide film excellent in both optical properties and other properties required for display applications, and a resin composition for forming the polyimide film. The purpose.

以下、本発明の実施形態の非限定的な例を、下記の《態様1》〜《態様21》に列挙する。
《態様1》下記式(1):

Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドが、以下の要件(A)及び(B):
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(B)膜厚10μmのフィルムとしたときの厚さ方向のリターデーション(Rth)が300nm以下であること
の双方を満たす、
樹脂組成物。
《態様2》下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドが、以下の要件(B)及び(C):
(B)膜厚10μmのフィルムとしたときの厚さ方向のリターデーション(Rth)が300nm以下であること、及び
(C)膜厚10μmのフィルムとしたときの全光線透過率が80%以上であること
の双方を満たす、
樹脂組成物。
《態様3》下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、
前記樹脂組成物中のフッ素原子の含有割合が、前記ポリイミド前駆体の質量を基準として、5質量%未満であり、かつ、
前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドが、以下の要件(A)及び(D):
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(D)ガラス転移温度(Tg)が300℃以上であること
のうちの少なくとも一方を満たす、
樹脂組成物。
《態様4》下記式(1):
前記式(1)中のP及びPが、それぞれ、フッ素原子を含まない、態様3に記載の樹脂組成物。
《態様5》下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ
前記式(1)中のPが、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、9,9−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)フルオレン二無水物、ノルボルナン−2−スピロ−α−シクロペンタン−α’−スピロ−2”−ノルボルナン−5,5”,6、6”−テトラカルボン酸二無水物、p−フェニレンビス(トリメリテート無水物)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、及び1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物から成る特定テトラカルボン酸二無水物から選択される1種又は2種以上に由来する4価の基を含む、
樹脂組成物。
《態様6》下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記式(1)中のPが、4−アミノフェニル4−アミノベンゾエート、1,4−シクロヘキサンジアミン、及び4,4’−ビス(ジアミノフェニル)スルホンから成る特定ジアミンから選択される1種又は2種以上に由来する2価の基を更に含む、
樹脂組成物。
《態様7》下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記樹脂組成物が、フレキシブルディスプレイを製造するために用いられる、
樹脂組成物。
《態様8》前記式(A1)で表される構造が、下記式(A1−1):
Figure 2021109908
{式(A1−1)中、L、n1、及び「*」は、それぞれ、前記式(A1)におけるL、n1、及び「*」と同じ意味である。}で表される構造である、態様1〜7のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
《態様9》前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドのガラス転移温度(Tg)が300℃以上である、態様1〜8のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
《態様10》前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドのヤング率が3.5GPa以上である、態様1〜9のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
《態様11》前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドの残留応力が25MPa以下である、態様1〜10のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
《態様12》下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記ポリイミド前駆体が、下記式(2):
Figure 2021109908
{式(2)中、Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6〜10の1価の芳香族基であり、mは、1〜200の整数である。}で表される構造を更に含む、
樹脂組成物。
《態様13》前記式(2)で表される構造が、下記式(S1):
Figure 2021109908
{式(S1)中、
は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜10の2価の有機基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数6〜10の1価の芳香族基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数2〜10の不飽和脂肪族炭化水素基を含む有機基であり、
は、それぞれ独立に、酸無水物構造を含む1価の有機基、アミノ基、イソシアネート基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン化カルボニル基、ヒドロキシ基、エポキシ基、又はメルカプト基であり、
i及びjは、それぞれ独立に、1〜200の整数であり、
kは、0〜200の整数であり、そして、
0.05≦j/(i+j+k)≦0.50の関係を満たす。}で表されるシランモノマーに由来する構造であり、
前記樹脂組成物が、下記式(S2):
Figure 2021109908
{式(S2)中、R10は、メチル基又はフェニル基であり、aは2〜8の整数である。}で表される低分子シラン化合物を含み、
前記ポリイミド前駆体が、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミンと、前記シランモノマーとを含むモノマー組成物から得られる共重縮合物であり、そして、
前記樹脂組成物中の前記低分子シラン化合物の含有割合が、前記前記ポリイミド前駆体の共重縮合に用いた前記シランモノマーの質量を基準として、0ppm超280ppm以下である、
態様12に記載の樹脂組成物。
《態様14》前記ポリイミド前駆体が、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミンと、下記式(S1):
Figure 2021109908
{式(S1)中、
は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜10の2価の有機基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数6〜10の1価の芳香族基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数2〜10の不飽和脂肪族炭化水素基を含む有機基であり、
は、それぞれ独立に、酸無水物構造を含む1価の有機基、アミノ基、イソシアネート基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン化カルボニル基、ヒドロキシ基、エポキシ基、又はメルカプト基であり、
iは、1〜200の整数であり、
j及びkは、それぞれ独立に、0〜200の整数であり、そして、
0.05≦j/(i+j+k)≦0.50の関係を満たす。}で表されるシランモノマーと、下記式(S3):
Figure 2021109908
{式(S3)中、bは2以上の整数である。}で表される化合物とを含むモノマー組成物から得られる共重縮合物であり、かつ、
前記モノマー組成物に含まれる、前記式(S3)においてb=5である化合物の含有割合が、前記式(S1)で表される化合物及び前記式(S3)で表される化合物の合計に基づいて、0ppm超500ppm以下である、
態様12に記載の樹脂組成物。
《態様15》態様1〜14のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物である、ポリイミド。
《態様16》下記式(4):
Figure 2021109908
{式(4)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミドであって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記ポリイミドが、以下の要件(A)及び(E):
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(E)前記ポリイミド中のフッ素原子含有割合が、前記ポリイミドの質量に基づいて、5質量%未満であること
の双方を満たす、
ポリイミド。
《態様17》支持体の表面上に、態様1〜14のいずれか一項に記載の樹脂組成物を塗布して、前記支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
前記樹脂組成物の塗膜を加熱して、前記支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
前記ポリイミド樹脂膜を前記支持体から剥離して、ポリイミドフィルムを得る、剥離工程と、
をこの順に含む、ポリイミドフィルムの製造方法。
《態様18》前記ポリイミド樹脂膜形成工程の後、かつ、前記剥離工程の前に、
前記支持体の、前記ポリイミド樹脂膜が形成された側とは反対側の表面から、レーザーを照射する、レーザー照射工程を更に含む、
態様17に記載のポリイミドフィルムの製造方法。
《態様19》支持体の表面上に、態様1〜14のいずれか一項に記載の樹脂組成物を塗布して、前記支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
前記樹脂組成物の塗膜を加熱して、前記支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
前記ポリイミド樹脂膜上に素子を形成して、前記支持体上に素子付きポリイミド樹脂膜を形成する、素子形成工程と、
前記素子付きポリイミド樹脂膜を前記支持体から剥離して、素子付きポリイミドフィルムを得る、剥離工程と、
をこの順に含む、素子付きポリイミドフィルムの製造方法。
《態様20》支持体の表面上に、態様1〜14のいずれか一項に記載の樹脂組成物を塗布して、前記支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
前記樹脂組成物の塗膜を加熱して、前記支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
前記ポリイミド樹脂膜上に素子を形成して、前記支持体上に素子付きポリイミド樹脂膜を形成する、素子形成工程と、
をこの順に含む、素子付き積層体の製造方法。
《態様21》態様19に記載の素子付きポリイミドフィルムの製造方法、又は態様20に記載の素子付き積層体の製造方法を含む、フレキシブルディスプレイの製造方法。 Hereinafter, non-limiting examples of embodiments of the present invention will be listed in the following << Aspect 1 >> to << Aspect 21 >>.
<< Aspect 1 >> The following equation (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The polyimide, which is an imidized product of the polyimide precursor, has the following requirements (A) and (B):
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (B) the retardation (Rth) in the thickness direction of a film having a film thickness of 10 μm is 300 nm or less. Satisfy both sides of being
Resin composition.
<< Aspect 2 >> The following equation (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The polyimide, which is an imidized product of the polyimide precursor, has the following requirements (B) and (C):
(B) The retardation (Rth) in the thickness direction of a film having a film thickness of 10 μm is 300 nm or less, and (C) the total light transmittance of a film having a film thickness of 10 μm is 80% or more. Satisfy both sides of being
Resin composition.
<< Aspect 3 >> The following equation (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } Including the structure represented by
The content ratio of fluorine atoms in the resin composition is less than 5% by mass and is less than 5% by mass based on the mass of the polyimide precursor.
The polyimide, which is an imidized product of the polyimide precursor, has the following requirements (A) and (D):
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (D) the glass transition temperature (Tg) is 300 ° C. or more, whichever is satisfied.
Resin composition.
<< Aspect 4 >> The following equation (1):
The resin composition according to embodiment 3, wherein P 1 and P 2 in the formula (1) do not contain fluorine atoms, respectively.
<< Aspect 5 >> The following equation (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). It includes a structure represented by the} and the formula (1) P 2 is in, biphenyltetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis (3,4-carboxyphenyl) fluorene dianhydride, norbornane - 2-Spiro-α-Cyclopentane-α'-Spiro-2 "-norbornan-5,5", 6,6 "-tetracarboxylic dianhydride, p-phenylenebis (trimeritate anhydride), 3,3' , 4,4'-Diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, and 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, one or more selected from specific tetracarboxylic dianhydrides. Containing tetravalent groups derived from,
Resin composition.
<< Aspect 6 >> The following equation (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
P 1 in the formula (1) is selected from a specific diamine composed of 4-aminophenyl 4-aminobenzoate, 1,4-cyclohexanediamine, and 4,4'-bis (diaminophenyl) sulfone, or one of them. Further containing divalent groups derived from two or more species,
Resin composition.
<< Aspect 7 >> The following equation (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The resin composition is used for producing a flexible display.
Resin composition.
<< Aspect 8 >> The structure represented by the above formula (A1) is the following formula (A1-1):
Figure 2021109908
{Wherein (A1-1), L 1, n1, and "*", respectively, L 1 in Formula (A1), n1, and the same meaning as "*". } The resin composition according to any one of aspects 1 to 7, which has a structure represented by.
<< Aspect 9 >> The resin composition according to any one of aspects 1 to 8, wherein the glass transition temperature (Tg) of the polyimide, which is an imide of the polyimide precursor, is 300 ° C. or higher.
<< Aspect 10 >> The resin composition according to any one of aspects 1 to 9, wherein the polyimide, which is an imide of the polyimide precursor, has a Young's modulus of 3.5 GPa or more.
<< Aspect 11 >> The resin composition according to any one of aspects 1 to 10, wherein the polyimide, which is an imide of the polyimide precursor, has a residual stress of 25 MPa or less.
<< Aspect 12 >> The following equation (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The polyimide precursor has the following formula (2):
Figure 2021109908
{In formula (2), R is independently a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200. Is an integer of. } Further including the structure represented by
Resin composition.
<< Aspect 13 >> The structure represented by the above formula (2) is the following formula (S1):
Figure 2021109908
{In equation (S1),
R 1 is independently a single bond or a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms.
R 2 and R 3 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 2 and R 3 is a monovalent aliphatic group having 1 to 5 carbon atoms. It is a hydrocarbon group and
R 4 and R 5 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 4 and R 5 is a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. Is the basis and
R 6 and R 7 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 6 and R 7 is an unsaturated aliphatic hydrocarbon having 2 to 10 carbon atoms. It is an organic group containing a hydrogen group and
L 3 is independently a monovalent organic group containing an acid anhydride structure, an amino group, an isocyanate group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a halogenated carbonyl group, a hydroxy group, an epoxy group, or a mercapto group.
i and j are independently integers of 1 to 200, respectively.
k is an integer from 0 to 200, and
The relationship of 0.05 ≦ j / (i + j + k) ≦ 0.50 is satisfied. } Is a structure derived from the silane monomer.
The resin composition has the following formula (S2):
Figure 2021109908
{In formula (S2), R 10 is a methyl group or a phenyl group, and a is an integer of 2 to 8. } Contains a small molecule silane compound
The polyimide precursor is a polycondensate obtained from a monomer composition containing a tetracarboxylic dianhydride, a diamine, and the silane monomer, and
The content ratio of the small molecule silane compound in the resin composition is more than 0 ppm and 280 ppm or less based on the mass of the silane monomer used for the polycondensation of the polyimide precursor.
The resin composition according to aspect 12.
<< Aspect 14 >> The polyimide precursor is a tetracarboxylic dianhydride, a diamine, and the following formula (S1):
Figure 2021109908
{In equation (S1),
R 1 is independently a single bond or a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms.
R 2 and R 3 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 2 and R 3 is a monovalent aliphatic group having 1 to 5 carbon atoms. It is a hydrocarbon group and
R 4 and R 5 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 4 and R 5 is a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. Is the basis and
R 6 and R 7 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 6 and R 7 is an unsaturated aliphatic hydrocarbon having 2 to 10 carbon atoms. It is an organic group containing a hydrogen group and
L 3 is independently a monovalent organic group containing an acid anhydride structure, an amino group, an isocyanate group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a halogenated carbonyl group, a hydroxy group, an epoxy group, or a mercapto group.
i is an integer from 1 to 200,
j and k are each independently an integer from 0 to 200, and
The relationship of 0.05 ≦ j / (i + j + k) ≦ 0.50 is satisfied. } And the following formula (S3):
Figure 2021109908
{In equation (S3), b is an integer of 2 or more. } Is a polycondensate obtained from a monomer composition containing the compound represented by
The content ratio of the compound having b = 5 in the formula (S3) contained in the monomer composition is based on the total of the compound represented by the formula (S1) and the compound represented by the formula (S3). It is more than 0 ppm and less than 500 ppm.
The resin composition according to aspect 12.
<< Aspect 15 >> A polyimide which is a cured product of the resin composition according to any one of Aspects 1 to 14.
<< Aspect 16 >> The following equation (4):
Figure 2021109908
{In formula (4), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, Which is a polyimide having a structure represented by
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The polyimide has the following requirements (A) and (E):
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (E) the fluorine atom content in the polyimide is less than 5% by mass based on the mass of the polyimide. Satisfy both sides of being
Polyimide.
<< Aspect 17 >> A coating step of applying the resin composition according to any one of aspects 1 to 14 on the surface of a support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of the resin composition to form a polyimide resin film on the support.
A peeling step of peeling the polyimide resin film from the support to obtain a polyimide film.
A method for producing a polyimide film, which comprises the above in this order.
<< Aspect 18 >> After the polyimide resin film forming step and before the peeling step,
A laser irradiation step of irradiating the support from the surface of the support opposite to the side on which the polyimide resin film is formed is further included.
The method for producing a polyimide film according to aspect 17.
<< Aspect 19 >> A coating step of applying the resin composition according to any one of aspects 1 to 14 on the surface of a support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of the resin composition to form a polyimide resin film on the support.
An element forming step of forming an element on the polyimide resin film and forming a polyimide resin film with an element on the support.
A peeling step of peeling the polyimide resin film with an element from the support to obtain a polyimide film with an element.
A method for producing a polyimide film with an element, which comprises the above in this order.
<< Aspect 20 >> A coating step of applying the resin composition according to any one of aspects 1 to 14 on the surface of a support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of the resin composition to form a polyimide resin film on the support.
An element forming step of forming an element on the polyimide resin film and forming a polyimide resin film with an element on the support.
A method for manufacturing a laminate with an element, which includes the above in this order.
21. A method for manufacturing a flexible display, which comprises the method for manufacturing a polyimide film with an element according to the aspect 19 or the method for manufacturing a laminate with an element according to the aspect 20.

本発明によれば、光学特性と、ディスプレイ用途に求められるその他の特性の双方に優れるポリイミドフィルム、及びこれを形成するための樹脂組成物が提供される。
なお、上記の記載は、本発明のすべての実施形態及び本発明に関するすべての利点を開示したものと看做してはならない。本発明の更なる実施形態及びその利点は、以下の記載を参照することにより、明らかとなる。
According to the present invention, there is provided a polyimide film excellent in both optical properties and other properties required for display applications, and a resin composition for forming the polyimide film.
It should be noted that the above description should not be regarded as disclosing all the embodiments of the present invention and all the advantages relating to the present invention. Further embodiments of the present invention and their advantages will become apparent with reference to the following description.

以下、本発明の例示の実施の形態(以下、「本実施形態」と略記する。)について、詳細に説明する。本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。本願明細書において、各数値範囲の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。 Hereinafter, an exemplary embodiment of the present invention (hereinafter, abbreviated as “the present embodiment”) will be described in detail. The present invention is not limited to the present embodiment, and can be variously modified and implemented within the scope of the gist thereof. In the specification of the present application, the upper limit value and the lower limit value of each numerical range can be arbitrarily combined.

本実施形態の樹脂組成物は、
下記式(1):

Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含む。 The resin composition of this embodiment is
The following formula (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } Includes the structure represented by.

本実施形態の樹脂組成物に含まれるポリイミド前駆体は、下記式(2):

Figure 2021109908
{式(2)中、Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6〜10の1価の芳香族基であり、mは、1〜200の整数である。}で表される構造を更に含んでいてもよい。 The polyimide precursor contained in the resin composition of the present embodiment has the following formula (2):
Figure 2021109908
{In formula (2), R is independently a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200. Is an integer of. } May further include the structure represented by.

本実施形態の樹脂組成物は、上記のようなポリイミド前駆体に代えて、又はポリイミド前駆体とともに、ポリイミド前駆体のアミド酸構造の一部又は全部が、イミド化されているポリマーを用いてもよい。 In the resin composition of the present embodiment, instead of the polyimide precursor as described above, or together with the polyimide precursor, a polymer in which a part or all of the amidic acid structure of the polyimide precursor is imidized may be used. good.

《樹脂組成物の特性》
本発明の樹脂組成物は、更に、
ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドが、以下の要件(A)〜(D):
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、
(B)膜厚10μmのフィルムとしたときの厚さ方向のリターデーション(Rth)が300nm以下であること、
(C)膜厚10μmのフィルムとしたときの全光線透過率が80%以上であること、及び、
(D)ガラス転移温度(Tg)が300℃以上であること
のうちの、少なくとも1つを満たすことが好ましい。
<< Characteristics of resin composition >>
The resin composition of the present invention further comprises
The polyimide, which is an imidized product of the polyimide precursor, has the following requirements (A) to (D):
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less.
(B) The retardation (Rth) in the thickness direction of a film having a film thickness of 10 μm is 300 nm or less.
(C) The total light transmittance of a film having a film thickness of 10 μm is 80% or more, and
(D) It is preferable to satisfy at least one of the glass transition temperature (Tg) of 300 ° C. or higher.

より好ましくは、以下のいずれかの場合である。
ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドが、以下の要件(A)及び(B):
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(B)膜厚10μmのフィルムとしたときの厚さ方向のリターデーション(Rth)が300nm以下であること
の双方を満たすこと;
ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドが、以下の要件(B)及び(C):
(B)膜厚10μmのフィルムとしたときの厚さ方向のリターデーション(Rth)が300nm以下であること、及び
(C)膜厚10μmのフィルムとしたときの全光線透過率が80%以上であること
の双方を満たすこと;又は
ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドが、以下の要件(A)及び(D):
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(D)ガラス転移温度(Tg)が300℃以上であること
のうちの少なくとも一方を満たすこと。
More preferably, it is any of the following cases.
The polyimide, which is an imidized product of the polyimide precursor, has the following requirements (A) and (B):
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (B) the retardation (Rth) in the thickness direction of a film having a film thickness of 10 μm is 300 nm or less. Satisfy both of the things;
The polyimide, which is an imidized product of the polyimide precursor, has the following requirements (B) and (C):
(B) The polyimide (Rth) in the thickness direction when a film with a film thickness of 10 μm is 300 nm or less, and (C) the total light transmittance when a film with a film thickness of 10 μm is 80% or more. Both of the above are met; or the polyimide, which is an imidized version of the polyimide precursor, has the following requirements (A) and (D):
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (D) the glass transition temperature (Tg) is 300 ° C. or more, whichever is satisfied.

要件(A)について、膜厚10μm換算のYIの値が10以下のフィルムは、カラーフィルタを用いるディスプレイプロセスにおいて、色再現の調整が容易であるが、YIが10超の場合には、色再現の調整が困難又は不可能である。この観点から、ポリイミドを膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)は、10以下が好ましく、5以下がより好ましく、3以下が更に好ましい。 Regarding requirement (A), for a film having a YI value of 10 or less in terms of film thickness of 10 μm, it is easy to adjust the color reproduction in the display process using a color filter, but when the YI is more than 10, the color reproduction is easy. Is difficult or impossible to adjust. From this point of view, the yellowness (YI) when the polyimide is made into a film having a film thickness of 10 μm is preferably 10 or less, more preferably 5 or less, still more preferably 3 or less.

要件(B)について、膜厚10μm換算のRthが300nm以下であるフィルムは、ディスプレイプロセスにおける位相差の調整が、Cプレートを用いることによって容易に行えるか、又はCプレートの使用自体が不要であり、ディスプレイ材料への適用が容易である。一方、Rthが300nm超のフィルムは、Cプレートを用いても位相差の調整ができず、コントラストが不十分となって、ディスプレイ材料への適用が困難である。この観点から、ポリイミドを膜厚10μmのフィルムとしたときの厚さ方向のリターデーション(Rth)は、300nm以下が好ましく、200nm以下がより好ましく、100nm以下が特に好ましい。 Regarding requirement (B), for a film having an Rth of 300 nm or less in terms of film thickness of 10 μm, the phase difference in the display process can be easily adjusted by using the C plate, or the use of the C plate itself is unnecessary. , Easy to apply to display materials. On the other hand, in a film having an Rth of more than 300 nm, the phase difference cannot be adjusted even if a C plate is used, the contrast becomes insufficient, and it is difficult to apply the film to a display material. From this viewpoint, the retardation (Rth) in the thickness direction when the polyimide is made into a film having a film thickness of 10 μm is preferably 300 nm or less, more preferably 200 nm or less, and particularly preferably 100 nm or less.

要件(C)について、膜厚10μm換算の全光線透過率が80%以上のフィルムを用いると、ディスプレイの高輝度化が容易であり、透過率が特に高い場合は、ポリイミドを厚膜化することも可能であり、ディスプレイ材料として有用である。一方、透過率が80%未満のフィルムは、ディスプレイを高輝度化するためには、発光体(液晶パネルのバックライト、有機EL素子等)の輝度の向上が必要となり、ディスプレイ材料としての適用が困難である。この観点から、ポリイミドを膜厚10μmのフィルムとしたときの全光線透過率は、80%以上が好ましく、85%以上がより好ましく、90%以上が特に好ましい。 Regarding requirement (C), if a film having a total light transmittance of 80% or more in terms of a film thickness of 10 μm is used, it is easy to increase the brightness of the display, and if the transmittance is particularly high, the polyimide should be thickened. It is also possible and useful as a display material. On the other hand, a film having a transmittance of less than 80% needs to improve the brightness of a light emitting body (backlight of a liquid crystal panel, an organic EL element, etc.) in order to increase the brightness of a display, and is applicable as a display material. Have difficulty. From this point of view, the total light transmittance when the polyimide is made into a film having a film thickness of 10 μm is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and particularly preferably 90% or more.

要件(D)について、ガラス転移温度が300℃以上の樹脂から成るフィルムを用いると、フィルムにしわ、膨れ等が発生することなく、ディスプレイのプロセスを行うことが可能となる。ディスプレイのプロセス、特にフレキシブルディスプレイのプロセスにおいて、フィルムをTFT基板として用いる場合には、ディスプレイを製造する際に、フィルムが300℃以上、特に400℃以上の高温にさらされる工程がある。例えば、フィルム上に無機膜を形成する際のアニール工程等である。このような工程において、ガラス転移温度が300℃未満の樹脂から成るフィルムを用いると、フィルムにしわ、膨れ等が発生する場合が多い。この観点から、ポリイミドのガラス転移温度(Tg)は、300℃以上が好ましく、350℃以上がより好ましく、400℃以上が更に好ましい。 Regarding the requirement (D), if a film made of a resin having a glass transition temperature of 300 ° C. or higher is used, the display process can be performed without causing wrinkles, swelling, etc. in the film. When a film is used as a TFT substrate in a display process, particularly a flexible display process, there is a step of exposing the film to a high temperature of 300 ° C. or higher, particularly 400 ° C. or higher, when manufacturing the display. For example, an annealing step when forming an inorganic film on a film. In such a step, if a film made of a resin having a glass transition temperature of less than 300 ° C. is used, wrinkles, swelling, etc. often occur in the film. From this viewpoint, the glass transition temperature (Tg) of polyimide is preferably 300 ° C. or higher, more preferably 350 ° C. or higher, and even more preferably 400 ° C. or higher.

本実施形態の樹脂組成物におけるフッ素原子の含有割合は、ポリイミド前駆体の質量を基準として、5質量%未満であることが好ましい。このフッ素原子の含有割合が5質量%未満であれば、ポリイミドフィルム上に無機膜を形成した後のアニール工程において、ポリイミドフィルムにしわ、膨れ等が発生することが抑制される。
その理由は定かではないが、ポリイミド前駆体の上記式(1)に含まれる式(A1)で表される構造と関係していると考えられる。
すなわち、ポリイミドフィルム中のフッ素原子は、例えばポリマー側鎖中にC−F結合として含まれると考えられる。有意量のC−F結合を含むポリイミドフィルムでは、無機膜のアニール工程において、式(A1)で表される構造中のアミド基が分解して発生したアミン(又はアンモニア)によって、C−F結合が切断されることが、フィルムのしわ、膨れ等の発生と関係していると推察される。
これを回避する観点から、本実施形態の樹脂組成物におけるフッ素原子の含有割合は、ポリイミド前駆体の質量を基準として、5質量%未満であることが好ましく、3質量%以下がより好ましく、フッ素原子を全く含まないことが特に好ましい。
本実施形態の樹脂組成物に含まれるポリイミド前駆体は、式(1)中のP及びPが、いずれも、フッ素原子を含まないことが、特に好ましい。
The content ratio of fluorine atoms in the resin composition of the present embodiment is preferably less than 5% by mass based on the mass of the polyimide precursor. When the content ratio of the fluorine atoms is less than 5% by mass, wrinkles, swelling and the like are suppressed in the polyimide film in the annealing step after forming the inorganic film on the polyimide film.
The reason is not clear, but it is considered to be related to the structure of the polyimide precursor represented by the formula (A1) included in the above formula (1).
That is, it is considered that the fluorine atom in the polyimide film is contained as a CF bond in the polymer side chain, for example. In a polyimide film containing a significant amount of CF bond, in the annealing step of the inorganic film, the amine (or ammonia) generated by decomposing the amide group in the structure represented by the formula (A1) causes the CF bond. It is presumed that the cutting of the film is related to the occurrence of wrinkles, swelling, etc. of the film.
From the viewpoint of avoiding this, the content ratio of fluorine atoms in the resin composition of the present embodiment is preferably less than 5% by mass, more preferably 3% by mass or less, based on the mass of the polyimide precursor, and more preferably fluorine. It is particularly preferable that it contains no atoms.
In the polyimide precursor contained in the resin composition of the present embodiment, it is particularly preferable that neither P 1 nor P 2 in the formula (1) contains a fluorine atom.

ヤング率が3.0GPa以上の樹脂から成るフィルムは、巻き上げ及び巻き戻しを繰り返した場合でも、破れ等が発生し難いので、例えば、フレキディスプレイへの適用が可能である。一方、ヤング率が3.0GPa未満のフィルムは、巻き上げ及び巻き戻し繰り返す、破れ等が発生し、フレキディスプレイへ適用する際に、補強材等が必要となる。このような観点から、本実施形態の樹脂組成物に含まれるポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドのヤング率は、3.0GPa以上が好ましく、3.5GPa以上がより好ましく、4.0GPa以上が更に好ましい。 A film made of a resin having a Young's modulus of 3.0 GPa or more is unlikely to be torn even when it is repeatedly wound and rewound, and therefore can be applied to a flexible display, for example. On the other hand, a film having a Young's modulus of less than 3.0 GPa is repeatedly wound and rewound, torn, and the like, and a reinforcing material or the like is required when it is applied to a flexible display. From this point of view, the Young's modulus of polyimide, which is an imide of the polyimide precursor contained in the resin composition of the present embodiment, is preferably 3.0 GPa or more, more preferably 3.5 GPa or more, and 4.0 GPa or more. More preferred.

残留応力が25MPa以下の樹脂から成るフィルムは、例えば、G8(第8世代、2,160mm×2,460mm)等のサイズの大きい基板上に形成された場合でも、樹脂フィルム/基板積層体の「反り」の発生が抑制される傾向にあり、ディスプレイのプロセスを行うことが容易である。一方、残留応力が25MPaを超える樹脂から成るフィルムは、樹脂フィルム/基板積層体に「反り」が発生し易く、ディスプレイ材料としての適用が困難である。脂フィルム/基板積層体に「反り」が発生すると、ディスプレイ製造装置内で、他の積層体、装置中の構造物等との衝突のおそれがある。
このような観点から、本実施形態の樹脂組成物に含まれるポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドの残留応力は25MPa以下が好ましく、20MPa以下より好ましく、15MPa以下が更に好ましい。
なお、上記の樹脂フィルム/基板積層体における基板は、例えば、ガラス基板等であってよい。
Even when a film made of a resin having a residual stress of 25 MPa or less is formed on a large-sized substrate such as G8 (8th generation, 2,160 mm × 2,460 mm), the resin film / substrate laminate “ The occurrence of "warpage" tends to be suppressed, and it is easy to carry out the display process. On the other hand, a film made of a resin having a residual stress of more than 25 MPa tends to cause "warp" in the resin film / substrate laminate, which makes it difficult to apply as a display material. If "warp" occurs in the grease film / substrate laminate, there is a risk of collision with other laminates, structures in the apparatus, etc. in the display manufacturing apparatus.
From such a viewpoint, the residual stress of polyimide, which is an imide of the polyimide precursor contained in the resin composition of the present embodiment, is preferably 25 MPa or less, more preferably 20 MPa or less, and even more preferably 15 MPa or less.
The substrate in the resin film / substrate laminate may be, for example, a glass substrate or the like.

上記のような特性を有する本実施形態の樹脂組成物は、例えば、フレキシブルディスプレイを製造するために、好適に用いられる。本実施形態の樹脂組成物は、特に、フレキシブルディスプレイの基板、カバーウィンドウ等の構成材料として、好適である。 The resin composition of the present embodiment having the above-mentioned characteristics is preferably used for producing, for example, a flexible display. The resin composition of the present embodiment is particularly suitable as a constituent material for a substrate of a flexible display, a cover window, and the like.

《ポリイミド前駆体》
本実施形態の樹脂組成物に含まれるポリイミド前駆体は、上記のとおり、
下記式(1):

Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有し、
式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含むものである。 《Polyimide precursor》
The polyimide precursor contained in the resin composition of the present embodiment is as described above.
The following formula (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. } Has a structure represented by
P 1 is represented by the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } Includes the structure represented by.

上記式(A1)で表される構造は、例えば、下記式(A1−1):

Figure 2021109908
{式(A1−1)中、L、n1、及び「*」は、それぞれ、前記式(A1)におけるL、n1、及び「*」と同じ意味である。}で表される構造であってもよい。 The structure represented by the above formula (A1) is, for example, the following formula (A1-1):
Figure 2021109908
{Wherein (A1-1), L 1, n1, and "*", respectively, L 1 in Formula (A1), n1, and the same meaning as "*". } May be the structure represented by.

上記式(A1)及び(A1−1)中のLのアルキル基は、炭素数1〜6のアルキル基であってよく、炭素数1〜4のアルキル基であってよく、メチル基又はエチル基であってよい。フッ素原子以外のハロゲン原子としては、塩素原子又はヨウ素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。 The alkyl group of L 1 in the above formulas (A1) and (A1-1) may be an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a methyl group or ethyl. It may be a base. As the halogen atom other than the fluorine atom, a chlorine atom or an iodine atom is preferable, and a chlorine atom is more preferable.

本実施形態におけるポリイミド前駆体は、下記式(2):

Figure 2021109908
{式(2)中、Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6〜10の1価の芳香族基であり、mは、1〜200の整数である。}で表される構造を更に含んでいてもよい。 The polyimide precursor in this embodiment has the following formula (2):
Figure 2021109908
{In formula (2), R is independently a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200. Is an integer of. } May further include the structure represented by.

本実施形態の樹脂組成物は、上記のようなポリイミド前駆体に代えて、又はポリイミド前駆体とともに、ポリイミド前駆体のアミド酸構造の一部又は全部が、イミド化されているポリマーを用いてもよい。ポリイミド前駆体のイミド化方法については、後述する。 In the resin composition of the present embodiment, instead of the polyimide precursor as described above, or together with the polyimide precursor, a polymer in which a part or all of the amidic acid structure of the polyimide precursor is imidized may be used. good. The method for imidizing the polyimide precursor will be described later.

上記式(1)で表される構造を有するポリイミド前駆体は、例えば、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミンとを含むモノマー組成物から得られる共重縮合物であってよい。
上記式(1)で表される構造、及び上記式(2)で表される構造を有するポリイミド前駆体は、例えば、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミンと、式(2)で表される構造を含むシランモノマーとを含むモノマー組成物から得られる共重縮合物であってよい。
The polyimide precursor having the structure represented by the above formula (1) may be, for example, a polycondensate obtained from a monomer composition containing a tetracarboxylic dianhydride and a diamine.
The polyimide precursor having the structure represented by the above formula (1) and the structure represented by the above formula (2) is represented by, for example, tetracarboxylic dianhydride, diamine, and formula (2). It may be a copolycondensate obtained from a monomer composition containing a silane monomer containing a structure.

〈テトラカルボン酸二無水物〉
本実施形態におけるポリイミド前駆体において、上記式(1)中のPで表される4価の有機基は、ポリイミド前駆体の合成に用いるテトラカルボン酸二無水物に由来する。したがって、本実施形態におけるポリイミド前駆体の合成に用いられるテトラカルボン酸二無水物は、式(1)中の所望の4価の基Pに、2つの酸無水物構造を付加した化合物であってよい。
本実施形態におけるポリイミド前駆体の合成に用いられるテトラカルボン酸二無水物は、フッ素原子を含まないテトラカルボン酸二無水物、及びフッ素原子を含むテトラカルボン酸二無水物に分けられる。
<Tetracarboxylic dianhydride>
In the polyimide precursor in the present embodiment, the tetravalent organic group represented by P 2 in the above formula (1) is derived from the tetracarboxylic dianhydride used for synthesis of the polyimide precursor. Therefore, the tetracarboxylic dianhydride used for synthesis of the polyimide precursor in the present embodiment, the desired tetravalent group P 2 in formula (1), a compound obtained by adding two acid anhydride structures It's okay.
The tetracarboxylic dianhydride used for the synthesis of the polyimide precursor in the present embodiment is divided into a tetracarboxylic dianhydride containing no fluorine atom and a tetracarboxylic dianhydride containing a fluorine atom.

フッ素原子を含まないテトラカルボン酸二無水物としては、フッ素原子を含まない芳香族テトラカルボン酸二無水物、フッ素原子を含まない脂環式テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
フッ素原子を含まない芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−シクロヘキセン−1,2ジカルボン酸無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,1−エチリデン−4,4’−ジフタル酸二無水物、2,2−プロピリデン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,2−エチレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,3−トリメチレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,4−テトラメチレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,5−ペンタメチレン−4,4’−ジフタル酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、p−フェニレンビス(トリメリテート無水物)、チオ−4,4’−ジフタル酸二無水物、スルホニル−4,4’−ジフタル酸二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ベンゼン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,3−ビス[2−(3,4−ジカルボキシフェニル)−2−プロピル]ベンゼン二無水物、1,4−ビス[2−(3,4−ジカルボキシフェニル)−2−プロピル]ベンゼン二無水物、ビス[3−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、2,2−ビス[3−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジメチルシラン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、9,9−ビス[4−(3,1−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]フルオレン二無水物、9,9−ビス[4−(3,2−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]フルオレン二無水物、9,9−ビス[4−(3,3−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]フルオレン二無水物、9,9−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]フルオレン二無水物、1,2,7,8−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。
Examples of the tetracarboxylic dianhydride containing no fluorine atom include aromatic tetracarboxylic dianhydride containing no fluorine atom, alicyclic tetracarboxylic dianhydride containing no fluorine atom, and the like.
Examples of the aromatic tetracarboxylic acid dianhydride containing no fluorine atom include pyromellitic acid dianhydride, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,2', 3, 3'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-franyl) -3-methyl-cyclohexene-1,2 dicarboxylic acid anhydride, 1,2,3,4-benzene Tetracarboxylic acid dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, 2,2', 3,3'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, 3,3', 4, 4'-Diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic acid dianhydride, 1,1-ethylidene-4,4'-diphthalic acid dianhydride, 2,2-propylidene-4, 4'-Diphthalic Acid Dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-Diphthalic Acid Dianhydride, 1,3-Trimethylene-4,4'-Diphthalic Acid Dianhydride, 1,4-Tetramethylene- 4,4'-Diphthalic hydride, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic hydride, 4,4'-oxydiphthalic hydride, p-phenylenebis (trimeritate anhydride), Thio-4,4'-diphthalic hydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic hydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) benzene dianhydride, 1,3-bis (3,4-Dicarboxyphenoxy) benzene dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene dianhydride, 1,3-bis [2- (3,4-dicarboxyphenyl) -2-propyl] benzene dianhydride, 1,4-bis [2- (3,4-dicarboxyphenyl) -2-propyl] benzene dianhydride, bis [3- (3,4-dicarboxyphenoxy) Phenyl] methane dianhydride, bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] methane dianhydride, 2,2-bis [3- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride , 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenoxy) dimethylsilane dianhydride, 1,3-bis (3,4) −Dicarboxyphenyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid Dianhydride, 1,2,5,6-naphthalente Tracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis [4- (3,3) 1-dicarboxyphenoxy) phenyl] fluorene dianhydride, 9,9-bis [4- (3,2-dicarboxyphenoxy) phenyl] fluorene dianhydride, 9,9-bis [4- (3,3-3,3-) Dicarboxyphenoxy) phenyl] fluorene dianhydride, 9,9-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] fluorene dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride And so on.

フッ素原子を含まない脂環式テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(例えば、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−テトラメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物等)、シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物(例えば、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物等)、ノルボルナン−2−スピロ−α−シクロペンタノン−α’−スピロ−2”−ノルボルナン−5,5’’,6,6’’−テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。 Examples of the alicyclic tetracarboxylic dianhydride containing no fluorine atom include cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (for example, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3). , 4-Tetramethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, etc.), Cyclohexanetetracarboxylic dianhydride (eg, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, etc.) ), Norbornan-2-spiro-α-cyclopentanone-α'-spiro-2 "-norbornan-5,5", 6,6 "-tetracarboxylic dianhydride and the like.

フッ素原子を含むテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物、3,6−ビス(トリフルオロメチル)−1,2,4,5−ベンゼンテトラカルボン酸1,2:4,5−二無水物、9,9−ビス(トリフルオロメチル)−9H−キサンテン2,3,6,7−テトラカルボン酸2,3:6,7−二無水物等が挙げられる。 Examples of the tetracarboxylic dianhydride containing a fluorine atom include 4,4'-(hexafluoroisopropyridene) diphthalic anhydride and 3,6-bis (trifluoromethyl) -1,2,4,5-. Benzenetetracarboxylic acid 1,2: 4,5-2 anhydride, 9,9-bis (trifluoromethyl) -9H-xanthene 2,3,6,7-tetracarboxylic acid 2,3: 6,7-2 Anhydrous and the like can be mentioned.

本実施形態におけるポリイミド前駆体の合成に用いられるテトラカルボン酸二無水物としては、これらのうち、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、9,9−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)フルオレン二無水物、ノルボルナン−2−スピロ−α−シクロペンタン−α’−スピロ−2”−ノルボルナン−5,5”,6、6”−テトラカルボン酸二無水物、p−フェニレンビス(トリメリテート無水物)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、及び1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物から成る特定テトラカルボン酸二無水物から選択される1種又は2種以上を使用することが好ましい。
これらの特定テトララカルボン酸二無水物の使用割合は、ポリイミド前駆体の合成に用いられるテトラカルボン酸二無水物の全量に対して、10モル%以上が好ましく、30モル%以上がより好ましく、50モル%以上が更に好ましく、100モル%であってもよい。
Among these, the tetracarboxylic dianhydride used for the synthesis of the polyimide precursor in the present embodiment includes biphenyltetracarboxylic dianhydride and 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene dianhydride. , Norbornan-2-spiro-α-cyclopentane-α'-spiro-2 "-norbornan-5,5", 6,6 "-tetracarboxylic dianhydride, p-phenylenebis (trimeritate anhydride), One selected from a specific tetracarboxylic dianhydride consisting of 3,3', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, and 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride. Alternatively, it is preferable to use two or more types.
The proportion of these specific tetracarboxylic dianhydrides used is preferably 10 mol% or more, more preferably 30 mol% or more, based on the total amount of the tetracarboxylic dianhydrides used in the synthesis of the polyimide precursor. It is more preferably 50 mol% or more, and may be 100 mol%.

また、上述したように得られるポリイミドフィルム上に無機膜を形成した後の耐熱性の観点から、本実施形態の樹脂組成物は、フッ素原子の含有割合が少ないことが好ましい。この観点から、本実施形態におけるポリイミド前駆体の合成に用いられるテトラカルボン酸二無水物に含まれるフッ素原子を含むテトラカルボン酸二無水物の割合は、少ないことが好ましい。具体的にはフッ素原子を含むテトラカルボン酸二無水物の使用割合は、ポリイミド前駆体の合成に用いられるテトラカルボン酸二無水物の全量に対して、10モル%以下が好ましく、5モル%以下がより好ましく、3モル%以下が更に好ましく、1モル%以下が特に好ましく、フッ素原子を含むテトラカルボン酸二無水物を使用しないことが最も好ましい。 Further, from the viewpoint of heat resistance after forming an inorganic film on the obtained polyimide film as described above, the resin composition of the present embodiment preferably contains a small amount of fluorine atoms. From this viewpoint, the proportion of the tetracarboxylic dianhydride containing a fluorine atom contained in the tetracarboxylic dianhydride used for the synthesis of the polyimide precursor in the present embodiment is preferably small. Specifically, the ratio of the tetracarboxylic dianhydride containing a fluorine atom to the total amount of the tetracarboxylic dianhydride used for the synthesis of the polyimide precursor is preferably 10 mol% or less, preferably 5 mol% or less. Is more preferable, 3 mol% or less is further preferable, 1 mol% or less is particularly preferable, and it is most preferable not to use a tetracarboxylic dianhydride containing a fluorine atom.

本実施形態の樹脂組成物において、ポリイミド前駆体のアミド酸構造の一部又は全部がイミド化されている、イミド化ポリマーを用いる場合、ポリマーの溶解性の観点から、当該イミド化ポリマーを合成する際に用いるテトララカルボン酸二無水物は、脂環式テトラカルボン酸二無水物(例えば、フッ素原子を含まない脂環式テトラカルボン酸二無水物)を含むことが好ましい。 When an imidized polymer in which a part or all of the amidic acid structure of the polyimide precursor is imidized is used in the resin composition of the present embodiment, the imidized polymer is synthesized from the viewpoint of polymer solubility. The tetralacarboxylic acid dianhydride used in this case preferably contains an alicyclic tetracarboxylic acid dianhydride (for example, an alicyclic tetracarboxylic acid dianhydride containing no fluorine atom).

ポリイミド前駆体の合成に用いられるテトラカルボン酸二無水物では、ピロメリット酸二無水物及びm−フェニレンビス(トリメリテート無水物)の含有割合が、テトラカルボン酸二無水物の全量に対して、それぞれ、50モル%以下であることが、得られるポリイミドの透過率、YI、及び残留応力の観点から好ましい。 In the tetracarboxylic dianhydride used for the synthesis of the polyimide precursor, the content ratios of pyromellitic dianhydride and m-phenylenebis (trimeritate anhydride) are higher than the total amount of tetracarboxylic dianhydride, respectively. , 50 mol% or less is preferable from the viewpoint of the permeability, YI, and residual stress of the obtained polyimide.

〈ジアミン〉
本実施形態におけるポリイミド前駆体において、上記式(1)中のPで表される2価の有機基は、ポリイミド前駆体の合成に用いるジアミンに由来する。したがって、本実施形態におけるポリイミド前駆体の合成に用いられるジアミンは、式(1)中の所望の2価の基Pに、2つのアミノ基を付加した化合物であってよい。
本実施形態におけるポリイミド前駆体の合成に用いられるジアミンは、上記式(A1)で表される「構造A1」を含むジアミン、フッ素原子を含まないジアミン、及びフッ素原子を含むジアミンに分けられる。
<Diamine>
In the polyimide precursor in the present embodiment, the divalent organic group represented by P 1 in the formula (1) is derived from a diamine used in the synthesis of the polyimide precursor. Thus, a diamine used for synthesis of the polyimide precursor in the present embodiment, the desired divalent group P 1 in the formula (1) may be a compound obtained by adding two amino groups.
The diamine used for the synthesis of the polyimide precursor in the present embodiment is divided into a diamine containing "structure A1" represented by the above formula (A1), a diamine not containing a fluorine atom, and a diamine containing a fluorine atom.

構造A1を含むジアミンとしては、例えば、2,3−ジアミノベンズアミド、2,4−ジアミノベンズアミド、2,5−ジアミノベンズアミド、2,6−ジアミノベンズアミド、3,4−ジアミノベンズアミド、3,5−ジアミノベンズアミド、2−メチル−3,5−ジアミノベンズアミド、2,6−ジメチル−3,5−ジアミノベンズアミド、2,4,6−トリメチル−3,5−ジアミノベンズアミド、2−エチル−3,5−ジアミノベンズアミド、2−クロロ−3,5−ジアミノベンズアミド等が挙げられる。これらのうち、3,5−ジアミノ体を用いると、Pで表される2価の有機基は、下記式(A1−1):

Figure 2021109908
{式(A1−1)中、L、n1、及び「*」は、それぞれ、前記式(A1)におけるL、n1、及び「*」と同じ意味である。}で表される構造を含むことになる。特に、3,5−ジアミノベンズアミドを用いると、Pで表される2価の有機基は、下記式(A1−2):
Figure 2021109908
{式(A1−2)中、「*」は、前記式(A1)における「*」と同じ意味である。}
で表される構造を含むことになる。このようなポリイミド前駆体を含有する樹脂組成物から得られるポリイミドは、Rthが低く、ヤング率が高いとの利点があり、好ましい。 Examples of the diamine containing the structure A1 include 2,3-diaminobenzamide, 2,4-diaminobenzamide, 2,5-diaminobenzamide, 2,6-diaminobenzamide, 3,4-diaminobenzamide, and 3,5-diamino. Benzamide, 2-methyl-3,5-diaminobenzamide, 2,6-dimethyl-3,5-diaminobenzamide, 2,4,6-trimethyl-3,5-diaminobenzamide, 2-ethyl-3,5-diamino Benzamide, 2-chloro-3,5-diaminobenzamide and the like can be mentioned. Of these, when a 3,5-diamino compound is used, the divalent organic group represented by P 1 is represented by the following formula (A1-1):
Figure 2021109908
{Wherein (A1-1), L 1, n1, and "*", respectively, L 1 in Formula (A1), n1, and the same meaning as "*". } Will be included. In particular, when 3,5-diaminobenzamide is used, the divalent organic group represented by P 1 is represented by the following formula (A1-2):
Figure 2021109908
{In the formula (A1-2), "*" has the same meaning as "*" in the formula (A1). }
Will include the structure represented by. A polyimide obtained from a resin composition containing such a polyimide precursor has advantages of low Rth and high Young's modulus, and is preferable.

構造A1を含むジアミンの使用割合は、ポリイミド前駆体の合成に用いられるジアミンの全量に対して、10モル%以上が好ましく、30モル%以上がより好ましく、50モル%以上が更に好ましい。構造A1を含むジアミンの使用割合は、ポリイミド前駆体の合成に用いられるジアミンの全量に対して、100モル%であってもよい。 The proportion of the diamine containing the structure A1 is preferably 10 mol% or more, more preferably 30 mol% or more, still more preferably 50 mol% or more, based on the total amount of the diamine used in the synthesis of the polyimide precursor. The proportion of the diamine containing the structure A1 may be 100 mol% with respect to the total amount of the diamine used in the synthesis of the polyimide precursor.

フッ素原子を含まないジアミンとしては、例えば、ジアミノジフェニルスルホン(例えば4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン等)、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノビフェニル、3,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジアミノビフェニル、m−トリジン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、4,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼン、9,10−ビス(4−アミノフェニル)アントラセン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、シクロヘキサンジアミン(例えば、1,4−シクロヘキサンジアミン、1,2−シクロヘキサンジアミン等)、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、1,4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン等が挙げられる。 Examples of the diamine containing no fluorine atom include diaminodiphenylsulfone (for example, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, etc.), p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'. -Diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, m-tridin , 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1, , 4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] Sulfone, 4,4-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-amino) Phenoxy) phenyl] ether, 1,4-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl) benzene, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 2,2-bis (4-Aminophenyl) propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, cyclohexanediamine (eg, 1,4-cyclohexanediamine, 1,2-cyclohexanediamine, etc.), 4,4 ′ -Diaminodicyclohexylmethane, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene and the like can be mentioned.

フッ素原子を含むジアミンとしては、例えば、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、6−フルオロ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジアミン、4−フルオロ−1,3−フェニレンジアミン、5−トルフルオロメチル−1,3−フェニレンジアミン、2,4,5,6−テトラフルオロ−1,3−フェニレンジアミン、5−トルフルオロメチル−1,3−ベンゼンジアミン等が挙げられる。 Examples of the diamine containing a fluorine atom include 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, and 2,2-bis [4- (4-amino). Phenoxy) Phenyl) Hexafluoropropane, 6-fluoro-1,3,5-triazine-2,4-diamine, 4-fluoro-1,3-phenylenediamine, 5-tolufluoromethyl-1,3-phenylenediamine, Examples thereof include 2,4,5,6-tetrafluoro-1,3-phenylenediamine, 5-torfluoromethyl-1,3-benzenediamine and the like.

これらのうち、本実施形態におけるポリイミド前駆体の合成に用いられるジアミンは、4−アミノフェニル4−アミノベンゾエート、1,4−シクロヘキサンジアミン、及び4,4’−ビス(ジアミノフェニル)スルホンから成る特定ジアミンから選択される1種又は2種以上を含むことが好ましい。
これらの特定ジアミンの使用割合は、ポリイミド前駆体の合成に用いられるジアミンの全量に対して、10モル%以上が好ましく、30モル%以上がより好ましく、50モル%以上が更に好ましく、100モル%であってもよい。
Of these, the diamine used in the synthesis of the polyimide precursor in the present embodiment is specified to consist of 4-aminophenyl4-aminobenzoate, 1,4-cyclohexanediamine, and 4,4'-bis (diaminophenyl) sulfone. It preferably contains one or more selected from diamines.
The proportion of these specific diamines used is preferably 10 mol% or more, more preferably 30 mol% or more, further preferably 50 mol% or more, and even more preferably 100 mol%, based on the total amount of diamines used in the synthesis of the polyimide precursor. It may be.

また、上述したように得られるポリイミドフィルム上に無機膜を形成した後の耐熱性の観点から、本実施形態の樹脂組成物は、フッ素原子の含有割合が少ないことが好ましい。この観点から、本実施形態におけるポリイミド前駆体の合成に用いられるジアミンに含まれるフッ素原子を含むジアミンの割合は、少ないことが好ましい。具体的にはフッ素原子を含むジアミンの使用割合は、ポリイミド前駆体の合成に用いられるジアミンの全量に対して、10モル%以下が好ましく、5モル%以下がより好ましく、3モル%以下が更に好ましく、1モル%以下が特に好ましく、フッ素原子を含むジアミンを使用しないことが最も好ましい。 Further, from the viewpoint of heat resistance after forming an inorganic film on the obtained polyimide film as described above, the resin composition of the present embodiment preferably contains a small amount of fluorine atoms. From this point of view, the proportion of the diamine containing a fluorine atom contained in the diamine used for the synthesis of the polyimide precursor in the present embodiment is preferably small. Specifically, the ratio of diamine containing a fluorine atom is preferably 10 mol% or less, more preferably 5 mol% or less, and further preferably 3 mol% or less, based on the total amount of diamine used in the synthesis of the polyimide precursor. Preferably, 1 mol% or less is particularly preferable, and it is most preferable not to use a diamine containing a fluorine atom.

〈シランモノマー〉
本実施形態におけるポリイミド前駆体は、上記式(1)で表される構造とともに、上記式(2)で表される構造を有していてもよい。ポリイミド前駆体中の、式(2)で表される構造の含有割合は、ポリイミド前駆体の質量を基準として、5質量%以上40質量%以下が好ましい。ポリイミド前駆体が式(2)で表される構造をこの範囲で含むと、得られるポリイミドフィルムにおいて、低い残留応力と、高度の透明性及び耐熱性とを両立することができ、好ましい。式(2)で表される構造の含有割合は、ポリイミド前駆体の質量を基準として、6質量%以上、又は7質量%以上であってもよく、30質量%以下、又は25質量%以下であってもよい。
<Silane monomer>
The polyimide precursor in the present embodiment may have a structure represented by the above formula (1) as well as a structure represented by the above formula (2). The content ratio of the structure represented by the formula (2) in the polyimide precursor is preferably 5% by mass or more and 40% by mass or less based on the mass of the polyimide precursor. When the polyimide precursor contains the structure represented by the formula (2) in this range, it is possible to achieve both low residual stress and high transparency and heat resistance in the obtained polyimide film, which is preferable. The content ratio of the structure represented by the formula (2) may be 6% by mass or more, 7% by mass or more, and 30% by mass or less, or 25% by mass or less, based on the mass of the polyimide precursor. There may be.

ポリイミド前駆体中の式(2)で表される構造は、ポリイミド前駆体の合成に用いるシランモノマーに由来する。したがって、本実施形態におけるポリイミド前駆体の合成に用いられるシランモノマーは、式(2)で表される構造と、テトラカルボン酸二無水物及びジアミンのうちの少なくとも一方と共縮合し得る反応性基とを有する化合物であってよい。 The structure represented by the formula (2) in the polyimide precursor is derived from the silane monomer used for the synthesis of the polyimide precursor. Therefore, the silane monomer used in the synthesis of the polyimide precursor in the present embodiment has a structure represented by the formula (2) and a reactive group capable of cocondensing with at least one of tetracarboxylic dianhydride and diamine. It may be a compound having and.

このようなシランモノマーは、例えば、下記式(S1):

Figure 2021109908
{式(S1)中、
は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜10の2価の有機基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数6〜10の1価の芳香族基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数2〜10の不飽和脂肪族炭化水素基を含む有機基であり、
は、それぞれ独立に、酸無水物構造を含む1価の有機基、アミノ基、イソシアネート基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン化カルボニル基、ヒドロキシ基、エポキシ基、又はメルカプト基であり、
iは、1〜200の整数であり、
j及びkは、それぞれ独立に、0〜200の整数であり、そして、
0.05≦j/(i+j+k)≦0.50の関係を満たす。}で表される化合物が挙げられる。
jは、1〜200の整数であってもよい。 Such a silane monomer is, for example, the following formula (S1):
Figure 2021109908
{In equation (S1),
R 1 is independently a single bond or a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms.
R 2 and R 3 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 2 and R 3 is a monovalent aliphatic group having 1 to 5 carbon atoms. It is a hydrocarbon group and
R 4 and R 5 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 4 and R 5 is a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. Is the basis and
R 6 and R 7 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 6 and R 7 is an unsaturated aliphatic hydrocarbon having 2 to 10 carbon atoms. It is an organic group containing a hydrogen group and
L 3 is independently a monovalent organic group containing an acid anhydride structure, an amino group, an isocyanate group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a halogenated carbonyl group, a hydroxy group, an epoxy group, or a mercapto group.
i is an integer from 1 to 200,
j and k are each independently an integer from 0 to 200, and
The relationship of 0.05 ≦ j / (i + j + k) ≦ 0.50 is satisfied. } Can be mentioned.
j may be an integer of 1 to 200.

式(S1)中のRは、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜10の2価の有機基である。炭素数1〜10の2価の有機基は、直鎖状、環状、及び分枝状のいずれでもよく、飽和していても不飽和であってもよい。炭素数1〜10の2価の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、i−プロピレン基、n−ブチレン基、s−ブチレン基、t−ブチレン基、n−ペンチレン基、ネオペンチレン基、n−ヘキシレン基、n−ヘプチレン基、n−オクチレン基、n−ノニレン基、n−デシレン基等の直鎖又は分岐鎖アルキレン基;シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基等のシクロアルキレン基が挙げられる。炭素数1〜10の2価の脂肪族炭化水素基としては、エチレン基、n−プロピレン基、及びi−プロピレン基からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。 R 1 in the formula (S1) is independently a single bond or a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms. The divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms may be linear, cyclic, or branched, and may be saturated or unsaturated. Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an i-propylene group, an n-butylene group, an s-butylene group and a t-butylene group. Linear or branched alkylene groups such as n-pentylene group, neopentylene group, n-hexylene group, n-heptylene group, n-octylene group, n-nonylene group, n-decylene group; cyclopropylene group, cyclobutylene group, Cycloalkylene groups such as a cyclopentylene group, a cyclohexylene group, a cycloheptylene group, and a cyclooctylene group can be mentioned. The divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms is preferably at least one selected from the group consisting of an ethylene group, an n-propylene group, and an i-propylene group.

式(S1)中のR及びRそれぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であり、少なくとも1つは炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基である。
炭素数1〜10の1価の有機基は、直鎖状、環状、分枝状のいずれでもよく、飽和していても不飽和であってもよい。例えば、炭素数1〜10の1価の有機基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基i−プロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等の直鎖又は分岐鎖アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基等の芳香族基等が挙げられる。
炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、環状、分枝状のいずれでもよく、飽和していても不飽和であってもよい。例えば、炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基等の直鎖または分岐鎖アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基等のシクロアルキル基等が挙げられる。炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、及びn−プロピル基からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
R 2 and R 3 in the formula (S1) are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one is a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms.
The monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms may be linear, cyclic or branched, and may be saturated or unsaturated. For example, the monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, a t-butyl group, and an n-pentyl group. , Neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group and other linear or branched alkyl groups; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group , Cycloalkyl group such as cycloheptyl group, cyclooctyl group; aromatic group such as phenyl group, tolyl group, xsilyl group, α-naphthyl group, β-naphthyl group and the like.
The monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms may be linear, cyclic or branched, and may be saturated or unsaturated. For example, the monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, a t-butyl group, and the like. Linear or branched alkyl groups such as n-pentyl group and neopentyl group; cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group and cyclopentyl group can be mentioned. The monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms is preferably at least one selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, and an n-propyl group.

式(S1)中のR及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であり、少なくとも1つは炭素数6〜10の1価の芳香族基である。炭素数1〜10の1価の有機基は、直鎖状、環状、分枝状のいずれでもよく、飽和していても不飽和であってもよい。例えば、炭素数1〜10の1価の有機基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等の直鎖又は分岐鎖アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基等の芳香族基等が挙げられる。炭素数6〜10の1価の芳香族基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基等が挙げられ、フェニル基、トリル基、又はキシリル基であることが好ましい。 R 4 and R 5 in the formula (S1) are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one is a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. The monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms may be linear, cyclic or branched, and may be saturated or unsaturated. For example, monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group and n-pentyl. Linear or branched alkyl groups such as groups, neopentyl groups, n-hexyl groups, n-heptyl groups, n-octyl groups, n-nonyl groups, n-decyl groups; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl. Cycloalkyl groups such as groups, cycloheptyl groups and cyclooctyl groups; aromatic groups such as phenyl group, trill group, xsilyl group, α-naphthyl group and β-naphthyl group can be mentioned. Examples of the monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group, a xsilyl group, an α-naphthyl group, a β-naphthyl group and the like, and may be a phenyl group, a tolyl group, or a xsilyl group. It is preferable to have.

式(S1)中のR及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であり、少なくとも1つは不飽和脂肪族炭化水素基を有する有機基である。炭素数1〜10の1価の有機基は、直鎖状、環状、分枝状のいずれでもよい。炭素数1〜10の1価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等の直鎖又は分岐鎖アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基等の芳香族基等が挙げられる。炭素数1〜10の1価の有機基としては、メチル基、エチル基、及び基フェニルから成る群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
不飽和脂肪族炭化水素基を有する有機基は、炭素数3〜10の不飽和脂肪族炭化水素基であってよく、直鎖状、環状、分枝状のいずれでもよい。炭素数3〜10の不飽和脂肪族炭化水素基としては、例えば、ビニル基、アリル基、1−プロペニル基、3−ブテニル基、2−ブテニル基、ペンテニル基、シクロペンテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基等が挙げられる。炭素数3〜10の不飽和脂肪族炭化水素基としては、ビニル基、アリル基、及び3−ブテニル基から成る群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
R 6 and R 7 in the formula (S1) are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one is an organic group having an unsaturated aliphatic hydrocarbon group. The monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms may be linear, cyclic or branched. Examples of the monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, a t-butyl group and an n-pentyl group. Linear or branched alkyl groups such as groups, neopentyl groups, n-hexyl groups, n-heptyl groups, n-octyl groups, n-nonyl groups, n-decyl groups; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl. Cycloalkyl groups such as groups, cycloheptyl groups and cyclooctyl groups; aromatic groups such as phenyl group, trill group, xsilyl group, α-naphthyl group and β-naphthyl group can be mentioned. The monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms is preferably at least one selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, and a group phenyl.
The organic group having an unsaturated aliphatic hydrocarbon group may be an unsaturated aliphatic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms, and may be linear, cyclic or branched. Examples of the unsaturated aliphatic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, a 1-propenyl group, a 3-butenyl group, a 2-butenyl group, a pentenyl group, a cyclopentenyl group, a hexenyl group and a cyclo. Examples thereof include a hexenyl group, a heptenyl group, an octenyl group, a nonenyl group, a decenyl group, an ethynyl group, a propynyl group, a butynyl group, a pentynyl group and a hexynyl group. The unsaturated aliphatic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms is preferably at least one selected from the group consisting of a vinyl group, an allyl group, and a 3-butenyl group.

式(S1)中のR〜Rの水素原子の一部又は全部は、F、Cl、Br等のハロゲン原子等の置換基で置換されていてもよく、非置換であってもよい。
選択される少なくとも1種であることが好ましい。
A part or all of the hydrogen atoms of R 1 to R 7 in the formula (S1) may be substituted with a substituent such as a halogen atom such as F, Cl or Br, or may be unsubstituted.
It is preferably at least one selected.

式(S1)中のLは、それぞれ独立に、酸無水物構造を含む1価の有機基、アミノ基、イソシアネート基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン化カルボニル基、ヒドロキシ基、エポキシ基、又はメルカプト基である。
酸無水物構造を含む1価の有機基としては、例えば、下記式:

Figure 2021109908
{上記式中、「*」は、結合手を表す。}で表される、2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル基が挙げられる。
アルコキシカルボニル基におけるアルコキシル基は、炭素数1〜6のアルコキシル基であってよく、例えば、メトキシル基、エトキシル基、n−プロポキシル基、i−プロポキシル基、n−ブトキシル基、i−ブトキシル基、t−ブトキシル基等であってよい。
ハロゲン化カルボニル基におけるハロゲン原子は、フッ素原子以外のハロゲン原子が好ましく、より好ましくは、塩素原子又はヨウ素原子である。 L 3 in the formula (S1) is independently a monovalent organic group containing an acid anhydride structure, an amino group, an isocyanate group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a halogenated carbonyl group, a hydroxy group, an epoxy group, and the like. Or it is a mercapto group.
Examples of the monovalent organic group containing an acid anhydride structure include the following formula:
Figure 2021109908
{In the above formula, "*" represents a bond. }, Examples thereof include a 2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl group.
The alkoxyl group in the alkoxycarbonyl group may be an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, for example, a methoxyl group, an ethoxyl group, an n-propoxyl group, an i-propoxyl group, an n-butoxyl group, or an i-butoxyl group. , T-butoxyl group and the like.
The halogen atom in the halogenated carbonyl group is preferably a halogen atom other than a fluorine atom, and more preferably a chlorine atom or an iodine atom.

式(S1)中のiは、1〜200の整数であり、好ましくは2〜100の整数、より好ましくは4〜80の整数、更に好ましくは8〜40の整数である。j及びkは、それぞれ独立に、0〜200の整数であり、好ましくは0〜50の整数、より好ましくは0〜20の整数、更に好ましくは0〜50の整数である。 I in the formula (S1) is an integer of 1 to 200, preferably an integer of 2 to 100, more preferably an integer of 4 to 80, and even more preferably an integer of 8 to 40. j and k are independently integers of 0 to 200, preferably an integer of 0 to 50, more preferably an integer of 0 to 20, and even more preferably an integer of 0 to 50.

シランモノマーは、合成の過程で副生する不純物を、一定の割合で含むことが多い。
従来技術では、シランモノマーを使用前に精製することにより、これらの不純物をできる限り除去したうえで、使用に供してきた。
しかしながら、本実施形態では、樹脂組成物が、環状の低分子シラン化合物を所定の割合で含むと、得られるポリイミドフィルムの透明性が向上することが見出された。このような低分子シラン化合物としては、例えば、下記式(S2)及び(S3):

Figure 2021109908
{式(S2)中のR10は、メチル基又はフェニル基であり、aは2〜8の整数であり;
式(S3)中のbは、2以上の整数である}のそれぞれで表される化合物が挙げられる。式(S3)中のbは、例えば、2〜8の整数であってよい。 Silane monomers often contain impurities that are by-produced in the process of synthesis in a certain ratio.
In the prior art, the silane monomer has been purified before use to remove these impurities as much as possible before use.
However, in the present embodiment, it has been found that when the resin composition contains a cyclic low molecular weight silane compound in a predetermined ratio, the transparency of the obtained polyimide film is improved. Examples of such a small molecule silane compound include the following formulas (S2) and (S3):
Figure 2021109908
{R 10 in formula (S2) is a methyl group or a phenyl group, and a is an integer of 2-8;
B in the formula (S3) is an integer of 2 or more}. B in the formula (S3) may be, for example, an integer of 2 to 8.

本実施形態の樹脂組成物は、上記式(S2)で表される低分子シラン化合物を、シランモノマーの質量を基準として、0ppm超280ppm以下の割合で含むことが好ましい。また、本実施形態の樹脂組成物は、上記式(S3)で表される低分子シラン化合物のうちの、bが5である、デカメチルシクロペンタシロキサンを、上記式(S1)で表される化合物及び上記式(S3)で表される化合物の合計に基づいて、0ppm超500ppm以下の割合で含むことが好ましい。
シランモノマー中の低分子シラン化合物の量は、シランモノマーを適宜の方法で精製して、所定の範囲まで低減することによって、調整されてよい。
The resin composition of the present embodiment preferably contains a small molecule silane compound represented by the above formula (S2) in a proportion of more than 0 ppm and 280 ppm or less based on the mass of the silane monomer. Further, in the resin composition of the present embodiment, among the small molecule silane compounds represented by the above formula (S3), decamethylcyclopentasiloxane having b of 5 is represented by the above formula (S1). Based on the total of the compound and the compound represented by the above formula (S3), it is preferably contained in a ratio of more than 0 ppm and not more than 500 ppm.
The amount of the small molecule silane compound in the silane monomer may be adjusted by purifying the silane monomer by an appropriate method and reducing it to a predetermined range.

〈ポリイミド前駆体の重量平均分子量〉
本実施形態におけるポリイミド前駆体の重量平均分子量は、得られるポリイミドフィルムのYI値を低減させる観点から、好ましくは50,000以上、より好ましくは60,000以上である。また、ポリイミドフィルムのヘイズを低減させる観点から、ポリイミド前駆体の重量平均分子量は、好ましくは150,000以下、より好ましくは120,000以下である。ポリイミド前駆体の望ましい重量平均分子量は、所望される用途、ポリイミド前駆体の種類、樹脂組成物の固形分含有量、樹脂組成物が含み得る溶媒の種類等によって異なってよい。
ポリイミド前駆体の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって測定される、ポリスチレン換算の値である。
<Weight average molecular weight of polyimide precursor>
The weight average molecular weight of the polyimide precursor in the present embodiment is preferably 50,000 or more, more preferably 60,000 or more, from the viewpoint of reducing the YI value of the obtained polyimide film. Further, from the viewpoint of reducing the haze of the polyimide film, the weight average molecular weight of the polyimide precursor is preferably 150,000 or less, more preferably 120,000 or less. The desired weight average molecular weight of the polyimide precursor may vary depending on the desired application, the type of the polyimide precursor, the solid content of the resin composition, the type of solvent that the resin composition can contain, and the like.
The weight average molecular weight of the polyimide precursor is a polystyrene-equivalent value measured by gel permeation chromatography.

〈ポリイミド前駆体の合成〉
本実施形態のポリイミド前駆体は、テトラカルボン酸二無水物及びジアミン、並びに必要に応じてケイ素含有化合物、並びに溶媒を含む、モノマー組成物を共重縮合させることにより、合成することができる。
ポリイミド前駆体を合成する際の、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとのモル比は、ポリイミド前駆体樹脂の高分子量化、樹脂組成物のスリットコーティング特性の向上等の観点から、テトラカルボン酸二無水物1モル部に対するジアミンのモル部数として、0.90〜1.10モル部の範囲が好ましく、0.95〜1.05モル部の範囲が更に好ましい。
<Synthesis of polyimide precursor>
The polyimide precursor of the present embodiment can be synthesized by polycondensation of a monomer composition containing a tetracarboxylic dianhydride and a diamine, and if necessary, a silicon-containing compound and a solvent.
The molar ratio of tetracarboxylic dianhydride to diamine in synthesizing the polyimide precursor is determined from the viewpoint of increasing the molecular weight of the polyimide precursor resin and improving the slit coating characteristics of the resin composition. The number of moles of diamine with respect to 1 mole of the anhydride is preferably in the range of 0.99 to 1.10 moles, and more preferably in the range of 0.95 to 1.05 moles.

本実施形態では、ポリイミド前駆体合成の際に用いた溶媒を、そのまま樹脂組成物に含まれる溶媒として用いてよい。この場合、ポリイミド前駆体の合成溶媒としては、アミド系溶媒と、沸点が160℃以上の非アミド系溶媒との混合物を用いることが好ましい。 In the present embodiment, the solvent used in the synthesis of the polyimide precursor may be used as it is as the solvent contained in the resin composition. In this case, as the synthetic solvent for the polyimide precursor, it is preferable to use a mixture of an amide-based solvent and a non-amide-based solvent having a boiling point of 160 ° C. or higher.

アミド系溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチルカプロラクタム、テトラメチル尿素等が挙げられる。
沸点が160℃以上の非アミド系溶媒としては、例えば、γ−ブチロラクトン、アセト酢酸エチル、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジイソブチルケトン、3−メトキシ−3−メチルブチルアセテート、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート等が挙げられる。
Examples of the amide solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, tetramethylurea and the like.
Examples of non-amide solvents having a boiling point of 160 ° C. or higher include γ-butyrolactone, ethyl acetoacetate, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, dimethyl sulfoxide, sulfolane, diisobutyl ketone, 3-methoxy-3-methyl. Examples thereof include butyl acetate, butyl cellosolve, butyl cellosolve acetate, ethylene glycol, diethylene glycol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, propylene glycol, dipropylene glycol dimethyl ether, and dipropylene glycol methyl ether acetate.

別の観点では、テトラカルボン酸二無水物及びジアミン、並びに任意的に用いられるシランモノマー、並びに生じるポリイミド前駆体を溶解することができ、高分子量の重合体が得られる溶媒を用いることができる。このような溶媒としては、例えば、非プロトン性溶媒、フェノール系溶媒、エーテル、グリコール系溶媒等が挙げられる。
非プロトン性溶媒としては、上記のアミド系溶媒を使用できる他、
ヘキサメチルホスホリックアミド、ヘキサメチルホスフィントリアミド等の含リン系アミド系溶媒;
γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等のラクトン系溶媒;
ジメチルスルホン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒;
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等のケトン系溶媒;
ピコリン、ピリジン等の3級アミン系溶媒;
酢酸(2−メトキシ−1−メチルエチル)等のエステル系溶媒;
等が挙げられる。
From another aspect, a solvent capable of dissolving the tetracarboxylic dianhydride and the diamine, the optionally used silane monomer, and the resulting polyimide precursor can be used to obtain a high molecular weight polymer. Examples of such a solvent include an aprotic solvent, a phenol-based solvent, an ether, a glycol-based solvent and the like.
As the aprotic solvent, the above-mentioned amide solvent can be used, and
Phosphorus-containing amide solvents such as hexamethylphosphoric amide and hexamethylphosphine triamide;
Lactone-based solvents such as γ-butyrolactone and γ-valerolactone;
Sulfur-containing solvents such as dimethyl sulfone, dimethyl sulfoxide, and sulfolane;
Ketone solvents such as cyclohexanone and methylcyclohexanone;
Tertiary amine solvents such as picoline and pyridine;
Ester solvent such as acetic acid (2-methoxy-1-methyl ethyl);
And so on.

フェノ−ル系溶媒としては、例えばフェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール等が挙げられる。
エーテル及びグリコール系溶媒としては、例えば、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、1,2−ビス(2−メトキシエトキシ)エタン、ビス[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]エーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等が挙げられる。
Examples of the phenolic solvent include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4. -Xylenol, 3,5-xylenol and the like can be mentioned.
Examples of the ether and glycol-based solvent include 1,2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether, 1,2-bis (2-methoxyethoxy) ethane, and bis [2- (2-methoxyethoxy) ethyl. ] Ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane and the like can be mentioned.

ポリイミド前駆体を合成する際の反応温度としては、好ましくは0℃〜120℃、40℃〜100℃、又は60〜100℃であってよく、重合時間としては、好ましくは1〜100時間、又は2〜10時間であってよい。重合時間を1時間以上とすることによって均一な重合度のポリイミド前駆体となり、重合時間を100時間以下とすることによって重合度の高いポリイミド前駆体を得ることができる。 The reaction temperature when synthesizing the polyimide precursor may be preferably 0 ° C. to 120 ° C., 40 ° C. to 100 ° C., or 60 to 100 ° C., and the polymerization time is preferably 1 to 100 hours or more. It may be 2 to 10 hours. A polyimide precursor having a uniform degree of polymerization can be obtained by setting the polymerization time to 1 hour or more, and a polyimide precursor having a high degree of polymerization can be obtained by setting the polymerization time to 100 hours or less.

〈ポリイミド前駆体のイミド化〉
本実施形態の樹脂組成物は、上記のようなポリイミド前駆体に代えて、又はポリイミド前駆体とともに、ポリイミド前駆体のアミド酸構造の一部又は全部が、イミド化されているポリマーを用いてもよい。ポリイミド前駆体のイミド化は、加熱による熱イミド化、若しくは脱水剤による化学イミド化、又はこれらの双方によって行うことができる。化学イミド化に用いられる脱水剤は、公知のものであってよく、例えば、カルボン酸無水物(例えば無水酢酸)と3級アミン(例えば、ピリジン、トリエチルアミン等)との組み合わせから成る脱水剤等が挙げられる。
<Imidization of polyimide precursor>
In the resin composition of the present embodiment, instead of the polyimide precursor as described above, or together with the polyimide precursor, a polymer in which a part or all of the amidic acid structure of the polyimide precursor is imidized may be used. good. The imidization of the polyimide precursor can be carried out by thermal imidization by heating, chemical imidization by a dehydrating agent, or both of these. The dehydrating agent used for chemical imidization may be a known one, and for example, a dehydrating agent composed of a combination of a carboxylic acid anhydride (for example, acetic anhydride) and a tertiary amine (for example, pyridine, triethylamine, etc.) may be used. Can be mentioned.

〈溶媒〉
本実施形態の樹脂組成物は、溶媒を含む。溶媒としては、ポリイミド前駆体の溶解性が良好であり、かつ、樹脂組成物の溶液粘度を適切に制御できるものが好ましい。本実施形態における溶媒としては、例えば、ポリイミド前駆体を合成する際の反応溶媒を用いることができる他、上記式(S1)で表されるシランモノマーを溶媒として用いてもよい。
本実施形態の樹脂組成物における溶媒としては、ポリイミド前駆体を合成する際の反応溶媒が好ましく、特に、N−メチル−2−ピロリドンを単独で用いるか、又はN−メチル−2−ピロリドン及びγ−ブチロラクトンを含む混合溶媒が好適である。
<solvent>
The resin composition of the present embodiment contains a solvent. As the solvent, a solvent having good solubility of the polyimide precursor and capable of appropriately controlling the solution viscosity of the resin composition is preferable. As the solvent in this embodiment, for example, a reaction solvent for synthesizing a polyimide precursor can be used, or a silane monomer represented by the above formula (S1) may be used as the solvent.
As the solvent in the resin composition of the present embodiment, a reaction solvent for synthesizing the polyimide precursor is preferable, and in particular, N-methyl-2-pyrrolidone is used alone, or N-methyl-2-pyrrolidone and γ are used. -A mixed solvent containing butyrolactone is suitable.

溶媒の使用量は、樹脂組成物の塗布性を確保する観点から、適宜に設定されてよい。
樹脂組成物をスリットコート法によって塗布する場合、スリットノズルからの液漏れと、スリットノズルの目詰まりとを抑制する観点から、樹脂組成物の溶液粘度は、好ましくは500〜100,000mPa・s、より好ましくは1,000〜50,000mPa・s、更に好ましくは3,000〜20,000mPa・sである。
したがってこの場合、樹脂組成物の溶液粘度が上記範囲になるように、溶媒量を調節することが好ましい。
The amount of the solvent used may be appropriately set from the viewpoint of ensuring the coatability of the resin composition.
When the resin composition is applied by the slit coating method, the solution viscosity of the resin composition is preferably 500 to 100,000 mPa · s from the viewpoint of suppressing liquid leakage from the slit nozzle and clogging of the slit nozzle. It is more preferably 1,000 to 50,000 mPa · s, and even more preferably 3,000 to 20,000 mPa · s.
Therefore, in this case, it is preferable to adjust the amount of the solvent so that the solution viscosity of the resin composition is within the above range.

本実施形態の樹脂組成物は、ポリイミド前駆体及び溶媒の他に、必要に応じて、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、例えば、界面活性剤、アルコキシシラン化合物等が挙げられる。 The resin composition of the present embodiment may contain other components, if necessary, in addition to the polyimide precursor and the solvent. Examples of other components include surfactants, alkoxysilane compounds and the like.

《ポリイミドフィルムの製造方法》
本実施形態の別の観点では、
支持体の表面上に、本実施形態の樹脂組成物を塗布して、支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
樹脂組成物の塗膜を加熱して、支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
ポリイミド樹脂膜を支持体から剥離して、ポリイミドフィルムを得る、剥離工程と、
をこの順に含む、ポリイミドフィルムの製造方法が提供される。
ポリイミド樹脂膜形成工程の後、かつ、剥離工程の前に、
支持体の面のうちの、ポリイミド樹脂膜が形成された側とは反対側の表面から、レーザーを照射する、レーザー照射工程を更に含んでいてもよい。
<< Manufacturing method of polyimide film >>
From another point of view of this embodiment
A coating step of applying the resin composition of the present embodiment on the surface of the support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of a resin composition to form a polyimide resin film on a support,
The peeling process of peeling the polyimide resin film from the support to obtain the polyimide film,
Is provided in this order, a method for producing a polyimide film.
After the polyimide resin film forming step and before the peeling step,
A laser irradiation step of irradiating the laser from the surface of the support surface opposite to the side on which the polyimide resin film is formed may be further included.

〈塗布工程〉
塗布工程では、支持体の表面上に本実施形態の樹脂組成物を塗布する。
支持体は、その後の、加熱を伴うポリイミド樹脂膜形成工程における加熱温度に対する耐熱性を有し、かつ、剥離工程における剥離性が良好であれば特に限定されない。支持体としては、例えば、ガラス基板(例えば無アルカリガラス基板);シリコンウェハー;PET(ポリエチレンテレフタレート)、OPP(延伸ポリプロピレン)、ポリエチレングリコールテレフタレート、ポリエチレングリコールナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリフェニレンスルフィド等の樹脂基板;ステンレス、アルミナ、銅、ニッケル等の金属基板等が挙げられる。
<Applying process>
In the coating step, the resin composition of the present embodiment is coated on the surface of the support.
The support is not particularly limited as long as it has heat resistance to the heating temperature in the subsequent polyimide resin film forming step accompanied by heating and the peelability in the peeling step is good. Examples of the support include a glass substrate (for example, a non-alkali glass substrate); a silicon wafer; PET (polyethylene terephthalate), OPP (stretched polypropylene), polyethylene glycol terephthalate, polyethylene glycol naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyamideimide, and polyether. Resin substrates such as imide, polyetheretherketone, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, and polyphenylene sulfide; and metal substrates such as stainless steel, alumina, copper, and nickel can be mentioned.

塗布方法としては、ドクターブレードナイフコート、エアナイフコート、ロールコート、ロータリーコート、フローコート、ダイコート、バーコート、スピンコート、スプレイコート、ディップコート等の塗布方法;スクリーン印刷及びグラビア印刷等に代表される印刷技術等が挙げられる。本実施形態の樹脂組成物には、スリットコートによる塗布が好ましい。塗布厚は、所望のポリイミドフィルムの厚さと樹脂組成物中のポリイミド前駆体の含有量に応じて適宜調整するべきであるが、好ましくは1〜1,000μm程度である。塗布工程における温度は室温でもよく、粘度を下げて作業性をよくするために、樹脂組成物を例えば40〜80℃に加温してもよい。
塗布後の塗膜に対して、乾燥を行ってもよく、又は乾燥工程を省略して直接次のポリイミド樹脂膜形成工程に進んでもよい。乾燥は、樹脂組成物中の有機溶剤を除去するために樹脂組成物の塗膜を、例えば、100Pa以下の減圧下におくことにより、行うことができる。塗膜の乾燥を行う場合、例えば、ホットプレート、箱型乾燥機、コンベヤー型乾燥機等の適宜の装置を使用することができる。乾燥時の温度は、好ましくは80〜200℃、より好ましくは100〜150℃である。乾燥の実施時間は、好ましくは1分〜10時間、より好ましくは3分〜5時間である。
このようにして、支持体上にポリイミド前駆体を含有する塗膜が形成される。
Application methods include doctor blade knife coat, air knife coat, roll coat, rotary coat, flow coat, die coat, bar coat, spin coat, spray coat, dip coat, etc .; typified by screen printing and gravure printing. Printing technology and the like can be mentioned. The resin composition of the present embodiment is preferably coated with a slit coat. The coating thickness should be appropriately adjusted according to the desired thickness of the polyimide film and the content of the polyimide precursor in the resin composition, but is preferably about 1 to 1,000 μm. The temperature in the coating step may be room temperature, and the resin composition may be heated to, for example, 40 to 80 ° C. in order to reduce the viscosity and improve the workability.
The coating film after coating may be dried, or the drying step may be omitted and the process may proceed directly to the next polyimide resin film forming step. Drying can be performed by, for example, placing the coating film of the resin composition under a reduced pressure of 100 Pa or less in order to remove the organic solvent in the resin composition. When drying the coating film, for example, an appropriate device such as a hot plate, a box-type dryer, or a conveyor-type dryer can be used. The drying temperature is preferably 80 to 200 ° C, more preferably 100 to 150 ° C. The drying time is preferably 1 minute to 10 hours, more preferably 3 minutes to 5 hours.
In this way, a coating film containing the polyimide precursor is formed on the support.

〈ポリイミド樹脂膜形成工程〉
ポリイミド樹脂膜形成工程では、支持体上に形成された樹脂組成物の塗膜を加熱して、支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する。
本工程は、樹脂組成物の塗膜中に含まれる溶媒の除去を行うとともに、塗膜中のポリイミド前駆体のイミド化反応を進行させ、ポリイミド樹脂膜を得る工程である。
加熱は、例えば、イナートガスオーブン、ホットプレート、箱型乾燥機、コンベヤー型乾燥機等の装置を用いて、樹脂組成物の塗膜を有する支持体を、例えば、100Pa以下の減圧下におくことにより、行うことができる。この工程は、上記の乾燥工程と同時に行っても、両工程を逐次的に行ってもよい。
<Polyimide resin film forming process>
In the polyimide resin film forming step, the coating film of the resin composition formed on the support is heated to form the polyimide resin film on the support.
This step is a step of removing the solvent contained in the coating film of the resin composition and advancing the imidization reaction of the polyimide precursor in the coating film to obtain a polyimide resin film.
Heating is performed by, for example, using an apparatus such as an inert gas oven, a hot plate, a box-type dryer, and a conveyor-type dryer, and placing a support having a coating film of the resin composition under a reduced pressure of, for example, 100 Pa or less. ,It can be carried out. This step may be carried out at the same time as the above-mentioned drying step, or both steps may be carried out sequentially.

ポリイミド樹脂膜形成工程は、空気雰囲気下で行ってもよいが、安全性、並びに、得られるポリイミドフィルムの良好な透明性、低い厚み方向リタデーション(Rth)、及び低いYI値を得る観点から、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスとしては、例えば、窒素、アルゴン等が挙げられる。
加熱温度は、ポリイミド前駆体の種類、及び樹脂組成物中の溶媒の種類に応じて適宜に設定されてよい。加熱温度は、好ましくは250℃〜550℃、より好ましくは300〜450℃である。250℃以上であればイミド化が良好に進行し、550℃以下であれば得られるポリイミドフィルムの透明性の低下、耐熱性の悪化等の不都合を回避できる。
加熱時間は、好ましくは0.1〜10時間程度である。
The polyimide resin film forming step may be performed in an air atmosphere, but it is not suitable from the viewpoint of safety, good transparency of the obtained polyimide film, low thickness direction retardation (Rth), and low YI value. It is preferable to carry out in an active gas atmosphere. Examples of the inert gas include nitrogen, argon and the like.
The heating temperature may be appropriately set according to the type of the polyimide precursor and the type of the solvent in the resin composition. The heating temperature is preferably 250 ° C. to 550 ° C., more preferably 300 to 450 ° C. If the temperature is 250 ° C. or higher, imidization proceeds satisfactorily, and if the temperature is 550 ° C. or lower, inconveniences such as deterioration of transparency and heat resistance of the obtained polyimide film can be avoided.
The heating time is preferably about 0.1 to 10 hours.

〈レーザー照射工程〉
任意的に行われるレーザー照射工程では、支持体の面のうちの、ポリイミド樹脂膜が形成された側とは反対側の表面から、レーザーを照射する。この操作により、支持体とポリイミド樹脂膜との界面が、アブレーション加工されて、支持体からのポリイミド樹脂膜の剥離が容易になる。
レーザーの種類は、例えば、YAGレーザー、UVエキシマレーザー等であってよい。レーザーとして、例えば、波長308nmの輝線を含むレーザー光が例示できる。
<Laser irradiation process>
In the optional laser irradiation step, the laser is irradiated from the surface of the support surface opposite to the side on which the polyimide resin film is formed. By this operation, the interface between the support and the polyimide resin film is ablated, and the polyimide resin film can be easily peeled off from the support.
The type of laser may be, for example, a YAG laser, a UV excimer laser, or the like. As the laser, for example, a laser beam including a bright line having a wavelength of 308 nm can be exemplified.

〈剥離工程〉
そして、剥離工程において、ポリイミド樹脂膜を支持体から剥離することにより、ポリイミドフィルムを得ることができる。
ポリイミドフィルムの厚さは、任意であるが、例えば、1μm以上200μm以下とすることができ、好ましくは5μm以上100μm以下である。
<Peeling process>
Then, in the peeling step, the polyimide film can be obtained by peeling the polyimide resin film from the support.
The thickness of the polyimide film is arbitrary, but can be, for example, 1 μm or more and 200 μm or less, preferably 5 μm or more and 100 μm or less.

《素子付き積層体、及び素子付きポリイミドフィルムの製造方法》
本実施形態の更に別の観点では、
支持体の表面上に、本実施形態の樹脂組成物を塗布して、支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
樹脂組成物の塗膜を加熱して、支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
ポリイミド樹脂膜上に素子を形成して、支持体上に素子付きポリイミド樹脂膜を形成する、素子形成工程と、
をこの順に含む、素子付き積層体の製造方法が提供される。
<< Manufacturing method of laminate with element and polyimide film with element >>
From yet another point of view of this embodiment,
A coating step of applying the resin composition of the present embodiment on the surface of the support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of a resin composition to form a polyimide resin film on a support,
An element forming step of forming an element on a polyimide resin film and forming a polyimide resin film with an element on a support.
Is provided in this order, and a method for manufacturing a laminate with an element is provided.

本実施形態の更に別の観点では、
支持体の表面上に、本実施形態の樹脂組成物を塗布して、支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
樹脂組成物の塗膜を加熱して、支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
ポリイミド樹脂膜上に素子を形成して、支持体上に素子付きポリイミド樹脂膜を形成する、素子形成工程と、
素子付きポリイミド樹脂膜を支持体から剥離して、素子付きポリイミドフィルムを得る、剥離工程と、
この順に含む、素子付きポリイミドフィルムの製造方法が提供される。
素子付きポリイミドフィルムの製造方法において、
ポリイミド樹脂膜形成工程の後、かつ、
剥離工程の前に、
支持体の面のうちの、ポリイミド樹脂膜が形成された側とは反対側の表面から、レーザーを照射する、レーザー照射工程
を更に含んでいてもよい。
From yet another point of view of this embodiment,
A coating step of applying the resin composition of the present embodiment on the surface of the support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of a resin composition to form a polyimide resin film on a support,
An element forming step of forming an element on a polyimide resin film and forming a polyimide resin film with an element on a support.
A peeling step of peeling a polyimide resin film with an element from a support to obtain a polyimide film with an element.
A method for producing a polyimide film with an element including this order is provided.
In the method of manufacturing a polyimide film with an element
After the polyimide resin film forming process and
Before the peeling process,
A laser irradiation step of irradiating the laser from the surface of the support surface opposite to the side on which the polyimide resin film is formed may be further included.

素子付き積層体の製造方法、及び素子付きポリイミドフィルムの製造方法における、塗布工程、ポリイミド樹脂膜形成工程、レーザー照射工程、及び剥離工程は、それぞれ、ポリイミドフィルムの製造方法と同様に行うことができる。
以下に、素子付き積層体の製造方法、及び素子付きポリイミドフィルムの製造方法における素子形成工程について説明する。
The coating step, the polyimide resin film forming step, the laser irradiation step, and the peeling step in the method for manufacturing the laminate with the element and the method for manufacturing the polyimide film with the element can be performed in the same manner as the method for manufacturing the polyimide film. ..
The element forming step in the method for manufacturing a laminate with an element and the method for producing a polyimide film with an element will be described below.

〈素子形成工程〉
素子形成工程では、支持体上に形成されたポリイミド樹脂膜上に、例えば、薄膜トランジスタ(TFT)を形成する。このTFTの形成は、例えば、アモルファスシリコン、金属酸化物半導体、低温ポリシリコン等から選択される適宜の材料を使用して、公知の方法により、行うことができる。
本実施形態の樹脂組成物から得られたポリイミド樹脂膜は、少なくとも350℃、好ましくは400℃、より好ましくは500℃、更に好ましくは650℃程度の加熱に耐えるので、公知の材料を使用した公知の方法により、ポリイミド樹脂膜上に素子を形成することができる。
<Element formation process>
In the element forming step, for example, a thin film transistor (TFT) is formed on the polyimide resin film formed on the support. The TFT can be formed by a known method using, for example, an appropriate material selected from amorphous silicon, metal oxide semiconductor, low temperature polysilicon, and the like.
Since the polyimide resin film obtained from the resin composition of the present embodiment can withstand heating at at least 350 ° C., preferably 400 ° C., more preferably 500 ° C., and even more preferably about 650 ° C., a known material is used. The device can be formed on the polyimide resin film by the above method.

《フレキシブルディスプレイの製造方法》
本実施形態の更に別の観点では、本実施形態の素子付きポリイミドフィルムの製造方法、又は素子付き積層体の製造方法を含む、フレキシブルディスプレイの製造方法が提供される。
本実施形態の方法によって製造されるフレキシブルディスプレイは、例えば、フレキシブル有機ELディスプレイ、フレキシブル液晶ディスプレイ等であってよい。
<< Manufacturing method of flexible display >>
From still another aspect of the present embodiment, there is provided a method for manufacturing a flexible display, including a method for manufacturing a polyimide film with an element of the present embodiment, or a method for manufacturing a laminate with a device.
The flexible display manufactured by the method of the present embodiment may be, for example, a flexible organic EL display, a flexible liquid crystal display, or the like.

フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法は、
支持体の表面上に、本実施形態の樹脂組成物を塗布して、支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
樹脂組成物の塗膜を加熱して、支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
ポリイミド樹脂膜上に有機EL素子を形成して、支持体上に有機EL素子付きポリイミド樹脂膜を形成する、素子形成工程と、
有機EL素子付きポリイミド樹脂膜を支持体から剥離して、フレキシブル有機ELディスプレイを得る、剥離工程と、
この順に含む。
有機EL素子は、例えば、下部電極、正孔輸送層、発光層、及び上部電極をこの順に有し、これらが、駆動TFTが埋め込まれた層間絶縁膜と、封止基板との間に、挟持されていてよい。下部電極よりもの下側(ポリイミド樹脂膜側)に、マルチバリア層を更に形成してもよい。
これら各要素の形成は、公知の材料を用いて公知の方法によって行うことができる。
The manufacturing method of the flexible organic EL display is
A coating step of applying the resin composition of the present embodiment on the surface of the support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of a resin composition to form a polyimide resin film on a support,
An element forming step of forming an organic EL element on a polyimide resin film and forming a polyimide resin film with an organic EL element on a support.
A peeling step of peeling a polyimide resin film with an organic EL element from a support to obtain a flexible organic EL display.
Included in this order.
The organic EL element has, for example, a lower electrode, a hole transport layer, a light emitting layer, and an upper electrode in this order, and these are sandwiched between the interlayer insulating film in which the driving TFT is embedded and the sealing substrate. It may have been done. A multi-barrier layer may be further formed on the lower side (polyimide resin film side) of the lower electrode.
The formation of each of these elements can be performed by a known method using a known material.

フレキシブル液晶ディスプレイの製造方法は、
支持体の表面上に、本実施形態の樹脂組成物を塗布して、支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
樹脂組成物の塗膜を加熱して、支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
ポリイミド樹脂膜上に液晶素子を形成して、支持体上に液晶素子付きポリイミド樹脂膜を形成する、素子形成工程と、
液晶素子付きポリイミド樹脂膜を支持体から剥離して、フレキシブル液晶ディスプレイを得る、剥離工程と、
この順に含む。
液晶素子は、例えば、TFT、カラーフィルタ、液晶、及び封止材料をこの順に有していてよい。
これら各要素の形成は、公知の材料を用いて公知の方法によって行うことができる。
The manufacturing method of the flexible liquid crystal display is
A coating step of applying the resin composition of the present embodiment on the surface of the support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of a resin composition to form a polyimide resin film on a support,
An element forming step of forming a liquid crystal element on a polyimide resin film and forming a polyimide resin film with a liquid crystal element on a support.
A peeling process in which a polyimide resin film with a liquid crystal element is peeled from a support to obtain a flexible liquid crystal display.
Included in this order.
The liquid crystal element may have, for example, a TFT, a color filter, a liquid crystal, and a sealing material in this order.
The formation of each of these elements can be performed by a known method using a known material.

《ポリイミド》
本実施形態の更に別の観点では、本実施形態の樹脂組成物の硬化物である、ポリイミドが提供される。
このポリイミドは、例えば、
下記式(4):

Figure 2021109908
{式(4)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミドであって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記ポリイミドが、以下の要件(A)及び(E):
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(E)前記ポリイミド中のフッ素原子含有割合が、前記ポリイミドの質量に基づいて、5質量%未満であること
の双方を満たす、
ポリイミドであってよい。 《Polyimide》
From yet another aspect of the present embodiment, polyimide, which is a cured product of the resin composition of the present embodiment, is provided.
This polyimide is, for example,
The following formula (4):
Figure 2021109908
{In formula (4), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, Which is a polyimide having a structure represented by
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The polyimide has the following requirements (A) and (E):
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (E) the fluorine atom content in the polyimide is less than 5% by mass based on the mass of the polyimide. Satisfy both sides of being
It may be polyimide.

以下、実験例により本発明の実施形態を具体的に説明するが、本発明はこれらの実験例に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to Experimental Examples, but the present invention is not limited to these Experimental Examples.

〈黄色度(YI)及び全光線透過率の評価〉
支持体として、表面にアルミニウム蒸着層を設けた6インチシリコンウェハー基板を用い、そのアルミニウム蒸着層の面上に、各実験例において調製した樹脂組成物を、イミド化後の膜厚が10μmになるようにスピンコートして、塗膜を形成した。この塗膜を、100℃、6分間プリベークした後、庫内の酸素濃度が10質量ppm以下に調整された縦型キュア炉(光洋サーモシステム(株)製、型式名「VF−2000B」)を用いて、400℃にて1時間加熱し、塗膜をイミド化して、ウェハー上にポリイミドフィルムを形成した。得られたポリイミドフィルム付きウェハーを、希塩酸水溶液に一晩浸して、ポリイミドフィルム片を剥離して、乾燥させた。分光色差計(日本電色工業(株)製、型式名「SE600」)を用い、光源をD65光源として、乾燥後のポリイミドフィルム片を試料として、黄色度(YI)値及び全光線透過率を測定した。得られた結果は、膜厚10μm換算値として、表1に示した。
<Evaluation of yellowness (YI) and total light transmittance>
A 6-inch silicon wafer substrate having an aluminum-deposited layer on its surface is used as a support, and the resin composition prepared in each experimental example is placed on the surface of the aluminum-deposited layer to have a film thickness of 10 μm after imidization. As described above, a coating film was formed by spin coating. After prebaking this coating film at 100 ° C. for 6 minutes, a vertical curing furnace (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd., model name "VF-2000B") in which the oxygen concentration in the refrigerator was adjusted to 10 mass ppm or less was used. Using, the film was heated at 400 ° C. for 1 hour to imidize the coating film to form a polyimide film on the wafer. The obtained wafer with a polyimide film was immersed in a dilute aqueous hydrochloric acid solution overnight to peel off the polyimide film pieces and dried. Using a spectral color difference meter (manufactured by Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd., model name "SE600"), the yellowness (YI) value and total light transmittance are measured using the D65 light source as the light source and the dried polyimide film piece as a sample. It was measured. The obtained results are shown in Table 1 as a value converted to a film thickness of 10 μm.

〈厚み方向レタデーション(Rth)の評価〉
支持体として、ガラス基板を用い、その片面上に、「〈黄色度(YI)及び透過率の評価〉」と同様にして、ガラス基板上にポリイミドフィルムを形成し、剥離及び乾燥して、ポリイミドフィルム片試料を得た。位相差複屈折測定装置(王子計測機器(株)製、型式名「KOBRA−WR」)を用い、測定波長を589nmとして、Rthを測定した。た。得られた結果は、膜厚10μm換算値として、表1に示した。
<Evaluation of retardation (Rth) in the thickness direction>
A glass substrate is used as a support, and a polyimide film is formed on the glass substrate on one side thereof in the same manner as in "<Evaluation of yellowness (YI) and transmittance>", peeled and dried, and the polyimide is formed. A film piece sample was obtained. Rth was measured using a phase difference birefringence measuring device (manufactured by Oji Measuring Instruments Co., Ltd., model name "KOBRA-WR") with a measurement wavelength of 589 nm. rice field. The obtained results are shown in Table 1 as a value converted to a film thickness of 10 μm.

〈ヤング率の評価〉
「〈黄色度(YI)及び透過率の評価〉」と同様にして、表面にアルミニウム蒸着層を設けた6インチシリコンウェハー基板のアルミニウム蒸着層面上に、ポリイミドフィルムを形成した。ダイシングソー((株)ディスコ製、品名「DAD 3350」)を用いて、得られたポリイミドフィルムに3mm幅の切れ目を入れた後、ポリイミドフィルム付きウェハーを、希塩酸水溶液に一晩浸して、ポリイミドフィルム片を剥離して、乾燥させて、幅3mmのポリイミド片を得た。これを長さ50mmにカットして、幅3mm、長さ50mmのポリイミド測定試料を得た。TENSILON((株)オリエンテック社製、型式名「UTM−II−20」)を用いて、試験速度40mm/分、初期加重0.5fsにて、ポリイミド測定試料のヤング率を測定した。得られた結果は、表1に示した。
<Evaluation of Young's modulus>
A polyimide film was formed on the aluminum-deposited layer surface of a 6-inch silicon wafer substrate having an aluminum-deposited layer on the surface in the same manner as in "<Evaluation of yellowness (YI) and transmittance>". After making a 3 mm wide cut in the obtained polyimide film using a dicing saw (manufactured by Disco Co., Ltd., product name "DAD 3350"), the wafer with the polyimide film is immersed in a dilute hydrochloric acid aqueous solution overnight to form the polyimide film. The pieces were peeled off and dried to obtain a polyimide piece having a width of 3 mm. This was cut to a length of 50 mm to obtain a polyimide measurement sample having a width of 3 mm and a length of 50 mm. Using TENSILON (manufactured by Orientec Co., Ltd., model name "UTM-II-20"), the Young's modulus of the polyimide measurement sample was measured at a test speed of 40 mm / min and an initial load of 0.5 fs. The results obtained are shown in Table 1.

〈残留応力の評価〉
予め「反り量」を測定しておいた、厚み625μm±25μmの6インチシリコンウェハーの片面上に、各実験例において調製した樹脂組成物を、イミド化後の膜厚が10μmになるようにスピンコートして、塗膜を形成した。この塗膜を、100℃、7分間プリベークした後、庫内の酸素濃度が10質量ppm以下に調整された縦型キュア炉(光洋サーモシステム(株)製、型式名「VF−2000B」)を用いて、400℃にて1時間加熱し、塗膜をイミド化して、ウェハー上にポリイミドフィルムを形成した。残留応力測定装置(ケーエルエー・テンコール(株)製、型式名FLX−2320)を用いて、得られたポリイミドフィルム付きウェハーの反り量を測定し、シリコンウェハーとポリイミドフィルムとの間に生じた残留応力を評価した。結果は、表1に示した。
<Evaluation of residual stress>
The resin composition prepared in each experimental example was spun on one side of a 6-inch silicon wafer having a thickness of 625 μm ± 25 μm for which the “warp amount” was measured in advance so that the film thickness after imidization was 10 μm. It was coated to form a coating film. After prebaking this coating film at 100 ° C. for 7 minutes, a vertical curing furnace (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd., model name "VF-2000B") in which the oxygen concentration in the refrigerator was adjusted to 10 mass ppm or less was used. Using, the film was heated at 400 ° C. for 1 hour to imidize the coating film to form a polyimide film on the wafer. Using a residual stress measuring device (manufactured by KLA Tencor Co., Ltd., model name FLX-2320), the amount of warpage of the obtained wafer with a polyimide film was measured, and the residual stress generated between the silicon wafer and the polyimide film was measured. Was evaluated. The results are shown in Table 1.

〈ガラス転移温度Tgの評価〉
「〈ヤング率の評価〉」と同様にして、幅3mm、長さ50mmのポリイミド測定試料を得た。熱機械分析装置((株)島津製作所製、型式名「TMA−50」)を用い、荷重5g、昇温速度10℃/分の条件にて、窒素気流下(流量20ml/分)で、ポリイミド測定試料の破断伸びを、温度50〜500℃の範囲で測定した。測定結果から、破断伸びの温度依存性をチャート化し、グラフの変曲点をガラス転移温度として評価した。結果は、表1に示した。50〜500℃の範囲に変曲点が観察されなかった場合は、ガラス転移点が500℃を超える温度領域にあるとして、表には「500<」と記載した。
<Evaluation of glass transition temperature Tg>
In the same manner as in "<Evaluation of Young's modulus>", a polyimide measurement sample having a width of 3 mm and a length of 50 mm was obtained. Using a thermomechanical analyzer (manufactured by Shimadzu Corporation, model name "TMA-50"), under the conditions of a load of 5 g and a temperature rise rate of 10 ° C./min, under a nitrogen stream (flow rate 20 ml / min), polyimide The breaking elongation of the measurement sample was measured in the temperature range of 50 to 500 ° C. From the measurement results, the temperature dependence of the elongation at break was charted, and the inflection point of the graph was evaluated as the glass transition temperature. The results are shown in Table 1. When no inflection point was observed in the range of 50 to 500 ° C., it was assumed that the glass transition point was in the temperature range exceeding 500 ° C., and "500 <" was described in the table.

〈フッ素原子含量の評価〉
(1)計算値
各実験例におけるポリイミド前駆体の合成に用いたモノマー(テトラカルボン酸二無水物、ジアミン、及びシランモノマー)に含まれるフッ素原子の合計質量を、得られるポリイミドの質量(モノマーの合計質量から、イミド化によって除かれる水の質量を減じた値)で除し、百分率で表した値を、ポリイミドのフッ素原子含量として評価した。このとき、樹脂組成物に含まれる、ポリイミド前駆体以外の添加剤(例えば、アルコキシシラン、界面活性剤等)に含まれるフッ素原子は、計算に参入しなかった。得られた計算結果を、表1の「F原子含量 計算値」欄に示す。
<Evaluation of fluorine atom content>
(1) Calculated value The total mass of fluorine atoms contained in the monomers (tetracarboxylic dianhydride, diamine, and silane monomer) used for the synthesis of the polyimide precursor in each experimental example is the mass of the obtained polyimide (monomer). It was divided by the total mass minus the mass of water removed by imidization), and the value expressed as a percentage was evaluated as the fluorine atom content of the polyimide. At this time, the fluorine atom contained in the additive (for example, alkoxysilane, surfactant, etc.) other than the polyimide precursor contained in the resin composition did not enter the calculation. The obtained calculation results are shown in the "F atom content calculated value" column of Table 1.

(2)測定値
各実験例で得られたポリイミドフィルムのフッ素原子含量を、燃焼イオンクロマトグラフィー分析により求めた。
「〈ヤング率の評価〉」と同様にして、幅3mmのポリイミド片を得て、その約20mgを測定試料とした。質量を精秤した測定試料を、イオンクロマトグラフ前処理用自動試料燃焼装置((株)三菱ケミカルアナリティック製、型式名「AQF−100」)により加熱燃焼させ、得られた燃焼ガスを吸収液中に吸収させた後、燃焼イオンクロマトグラフ(サーモフィッシャーサイエンティフィック(株)製、型式名「ICS−1600」)により、吸収液中のフッ素イオン量を定量して、試料質量からフッ素原子含量を算出した。結果は、表1に示した。測定は3回行い、フッ素原子含量としてはその平均値を採用した。得られた結果が10ppm未満であった場合は、検出限界以下として、表1には、「N.D.」と記載した。
(2) Measured values The fluorine atom content of the polyimide film obtained in each experimental example was determined by combustion ion chromatography analysis.
In the same manner as in "<Evaluation of Young's modulus>", a polyimide piece having a width of 3 mm was obtained, and about 20 mg thereof was used as a measurement sample. The measured sample whose mass has been precisely weighed is heated and burned by an automatic sample combustion device for ion chromatograph pretreatment (manufactured by Mitsubishi Chemical Analytics Co., Ltd., model name "AQF-100"), and the obtained combustion gas is absorbed. After absorption into the sample, the amount of fluorine ions in the absorption liquid is quantified by a combustion ion chromatograph (manufactured by Thermo Fisher Scientific Co., Ltd., model name "ICS-1600"), and the fluorine atom content is calculated from the sample mass. Was calculated. The results are shown in Table 1. The measurement was performed three times, and the average value was adopted as the fluorine atom content. When the obtained result was less than 10 ppm, it was described as "ND" in Table 1 as below the detection limit.

〈低分子シラン化合物(低分子SiO)量、及び式(S3)においてb=5の化合物(デカメチルシクロペンタシロキサン、DMCPSiO)量の評価〉
シランモノマー中の低分子シラン化合物の含有量は、内部標準物質としてn−テトラデカンを含むアセトン中に、シランモノマーを溶解し、得られた溶液をガスクロマトグラフィー(GC)によって分析した。得られた各化合物のピーク面積から、後述する方法にしたがって、n−テトラデカンのピーク面積を基準として各化合物の濃度を求めた。
GCの測定は、以下の装置を用い、以下の条件にて行った。
測定装置:型式名「7890A」(アジレントテクノロジー(株)製)
カラム:J&W Scientific Durabond DB−5MS (MEGABORE社製、内径0.53mm、長さ30m、液相厚1.0μm)
カラム温度:50℃、10℃/分で昇温、280℃で17分保持、合計40分
注入口温度:270℃
キャリアガス:He
注入法:スプリット法(スプリット比1/10)
検出器:FID(300℃)
<Evaluation of the amount of small molecule silane compound (small molecule SiO) and the amount of compound (decamethylcyclopentasiloxane, DMCPSiO) of b = 5 in the formula (S3)>
The content of the low molecular weight silane compound in the silane monomer was determined by dissolving the silane monomer in acetone containing n-tetradecane as an internal standard substance, and the obtained solution was analyzed by gas chromatography (GC). From the peak area of each of the obtained compounds, the concentration of each compound was determined based on the peak area of n-tetradecane according to the method described later.
The GC was measured using the following devices under the following conditions.
Measuring device: Model name "7890A" (manufactured by Agilent Technologies)
Column: J & W Scientific Durabond DB-5MS (manufactured by MEGABORE, inner diameter 0.53 mm, length 30 m, liquid phase thickness 1.0 μm)
Column temperature: 50 ° C, temperature rise at 10 ° C / min, hold at 280 ° C for 17 minutes, total 40 minutes Injection inlet temperature: 270 ° C
Carrier gas: He
Injection method: Split method (split ratio 1/10)
Detector: FID (300 ° C)

GC分析で得られた各化合物のピーク面積に、下記式:
GC面積係数=分子量÷炭素数
にしたがって計算したGC面積係数を乗じることにより、ピーク面積を質量単位の比に換算して、シランモノマー中の低分子シラン化合物の含有量を算出した。
各化合物の保持時間は、以下のとおりであった。
式(S3)においてb=3の化合物(ヘキサメチルシクロトリシロキサン):3.8分
式(S3)においてb=4の化合物(オクタメチルシクロテトラシロキサン):6.1分
式(S3)においてb=5の化合物(デカメチルシクロペンタシロキサン):8.4分
式(S3)においてb=6の化合物(ドデカメチルシクロヘキサシロキサン):10.7分
式(S3)においてb=7の化合物(テトラデカメチルシクロへプタシロキサン):12.8分
式(S3)においてb=8の化合物(ヘキサデカメチルシクロオクタシロキサン):14.6分
式(S2)において、R10がフェニル基であり、aが3の化合物:16.4分
式(S2)において、R10がフェニル基であり、aが4の化合物:17.4分
式(S2)において、R10がフェニル基であり、aが5の化合物:18.6分
テトラデカン:12.2分
The peak area of each compound obtained by GC analysis is calculated by the following formula:
By multiplying the GC area coefficient calculated according to GC area coefficient = molecular weight ÷ carbon number, the peak area was converted into a mass unit ratio to calculate the content of the low molecular weight silane compound in the silane monomer.
The retention time of each compound was as follows.
Compound with b = 3 in formula (S3) (hexamethylcyclotrisiloxane): 3.8 minutes Compound with b = 4 in formula (S3) (octamethylcyclotetrasiloxane): 6.1 minutes b in formula (S3) = 5 compound (decamethylcyclopentasiloxane): 8.4 compound (S3) b = 6 compound (dodecamethylcyclohexasiloxane): 10.7 compound (S3) b = 7 compound (tetra) Decamethylcycloheptasiloxane): Compound of b = 8 in the 12.8 fraction (S3) (Hexadecamethylcyclooctasiloxane): 14.6 In the formula (S2), R 10 is a phenyl group and a In the compound of 3: 16.4 fraction (S2), R 10 is a phenyl group, and in the compound of a of 4: 17.4 fraction (S2), R 10 is a phenyl group and a is 5. Compound: 18.6 minutes Tetradecane: 12.2 minutes

〈無機膜形成後の耐熱性評価〉
支持体として、6インチシリコンウェハー基板を用い、「〈残留応力の評価〉」と同様にして、ウェハーの片面上に膜厚10μmのポリイミドフィルムを形成した。得られたポリイミドフィルム上に、CVD法によって膜厚100nmの窒化ケイ素(SiNx)膜(無機膜)を形成して、ウェハー、ポリイミドフィルム、及び窒化ケイ素膜この順に積層された積層体を得た。
得られた積層体について、庫内の酸素濃度が10質量ppm以下に調整された縦型キュア炉(光洋サーモシステム(株)製、型式名「VF−2000B」)を用いて、400℃、30分間の加熱処理を行い、窒化ケイ素膜表面を、肉眼及び光学顕微鏡にて観察し、以下の基準で評価した。
AA:しわも膨れも観察されなかった(耐熱性「優良」)
A:しわは観察されなかったが、最大径10mmΦ未満の膨れの発生が観察された(耐熱性「良好」)
B:しわは観察されなかったが、最大径10mmΦ以上の膨れの発生が観察された(耐熱性「不良」)
C:しわの発生が観察された(耐熱性「極めて不良」)
<Evaluation of heat resistance after forming an inorganic film>
A 6-inch silicon wafer substrate was used as the support, and a polyimide film having a thickness of 10 μm was formed on one side of the wafer in the same manner as in “<Evaluation of residual stress>”. A silicon nitride (SiNx) film (inorganic film) having a thickness of 100 nm was formed on the obtained polyimide film by a CVD method, and a wafer, a polyimide film, and a silicon nitride film were laminated in this order to obtain a laminate.
The obtained laminate was used at 400 ° C. and 30 using a vertical curing furnace (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd., model name "VF-2000B") in which the oxygen concentration in the refrigerator was adjusted to 10 mass ppm or less. After a minute of heat treatment, the surface of the silicon nitride film was observed with the naked eye and an optical microscope, and evaluated according to the following criteria.
AA: No wrinkles or swelling were observed (heat resistance "excellent")
A: No wrinkles were observed, but swelling with a maximum diameter of less than 10 mmΦ was observed (heat resistance "good").
B: No wrinkles were observed, but swelling with a maximum diameter of 10 mmΦ or more was observed (heat resistance "poor").
C: Wrinkles were observed (heat resistance "extremely poor")

《実験例1−1〜1−19及び2−1〜2−7》
撹拌棒を装着した容量3Lのセパラブルフラスコに、窒素ガス流通下で、溶媒としてのN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を入れた後、撹拌下で、表1に示した種類及び量のジアミン、テトラカルボン酸二無水物、並びにシランモノマーを加え、モノマー組成物を調製した。このときの溶媒NMPの量は、モノマー組成物中のモノマーの合計含有量が、15質量%となるように調整した。得られたモノマー組成物を、室温(23℃)にて48時間撹拌することにより、無色透明のポリアミド酸のNMP溶液(ワニス)を得た。
得られたワニスは、庫内温度−20℃の冷凍庫中に保管し、評価をするごとに冷凍庫から取り出して使用した。
<< Experimental Examples 1-1-1-19 and 2-1-2-7 >>
N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) as a solvent was placed in a separable flask having a capacity of 3 L equipped with a stirring rod under nitrogen gas flow, and then under stirring, the types and amounts shown in Table 1 were used. Diamine, tetracarboxylic acid dianhydride, and silane monomer were added to prepare a monomer composition. The amount of solvent NMP at this time was adjusted so that the total content of the monomers in the monomer composition was 15% by mass. The obtained monomer composition was stirred at room temperature (23 ° C.) for 48 hours to obtain an NMP solution (varnish) of a colorless and transparent polyamic acid.
The obtained varnish was stored in a freezer having an internal temperature of −20 ° C., and was taken out from the freezer for each evaluation and used.

各実験例における評価結果を、下記の表1及び表2に示した。 The evaluation results in each experimental example are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 2021109908
Figure 2021109908

Figure 2021109908
Figure 2021109908

Figure 2021109908
Figure 2021109908

Figure 2021109908
Figure 2021109908

Figure 2021109908
Figure 2021109908

Figure 2021109908
Figure 2021109908

表1及び表2におけるモノマーの略称は、それぞれ、以下の意味である。
〈テトラカルボン酸二無水物〉
(特定テトラカルボン酸二無水物)
BPDA:ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
BPAF:9,9−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)フルオレン二酸無水物
CpODA:ノルボルナン−2−スピロ−α−シクロペンタン−α’−スピロ−2”−ノルボルナン−5,5”,6,6”−テトラカルボン酸二無水物
TAHQ:p−フェニレンビス(トリメリテート無水物)
DSDA:3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物
HPMDA:1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物
(その他のテトラカルボン酸二無水物)
−フッ素原子を含むテトラカルボン酸二無水物−
6FDA:4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物
−その他のテトラカルボン酸二無水物−
PMDA:ピロメリット酸二無水物
TA−RC:m−フェニレンビス(トリメリテート無水物)
The abbreviations for the monomers in Tables 1 and 2 have the following meanings, respectively.
<Tetracarboxylic dianhydride>
(Specific tetracarboxylic dianhydride)
BPDA: Biphenyltetracarboxylic dianhydride BPAF: 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene dianhydride CpODA: Norbornane-2-spiro-α-cyclopentane-α'-spiro-2 " -Norbornane-5,5 ", 6,6" -Tetracarboxylic dianhydride TAHQ: p-phenylenebis (trimeritate anhydride)
DSDA: 3,3', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride HPMDA: 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride (other tetracarboxylic dianhydrides)
-Tetracarboxylic dianhydride containing fluorine atom-
6FDA: 4,4'-(hexafluoroisopropyridene) diphthalic anhydride-other tetracarboxylic dianhydrides-
PMDA: Pyromellitic Acid Dianhydride TA-RC: m-Phenylene Bis (Trimeritate Anhydride)

〈ジアミン〉
(構造A1含有ジアミン)
DAB−H:3,5−ジアミノベンズアミド
(特定ジアミン)
APAB:4-アミノフェニル4−アミノベンゾエート
DAS:4,4’−ビス(ジアミノジフェニル)スルホン
CHDA:1,4−シクロヘキサンジアミン
BAFL:9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン
(その他のジアミン)
−フッ素原子を含むジアミン−
TFMB:2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン
−その他のジアミン−
mPD:m−フェニレンジアミン
pPD−4Me:2,3,5,6−テトラメチル−1,4−フェニレンジアミン
<Diamine>
(Structure A1 containing diamine)
DAB-H: 3,5-diaminobenzamide (specific diamine)
APAB: 4-Aminophenyl 4-aminobenzoate DAS: 4,4'-bis (diaminodiphenyl) sulfone CHDA: 1,4-Cyclohexanediamine BAFL: 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene (other diamines)
-Diamine containing fluorine atom-
TFMB: 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine-other diamines-
mPD: m-phenylenediamine pPD-4Me: 2,3,5,6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine

〈シランモノマー〉
(1):下記式(SiO−1)(i及びjは、それぞれ、繰り返し単位数である。)で表される、数平均分子量4,400の化合物(式(S2)において、R10がフェニル基であり、aが3の化合物を13ppm含む)
(2):下記式(SiO−2)(iは繰り返し単位数である。)で表される、数平均分子量3,000の化合物(デカメチルシクロペンタシロキサンを60ppm含む)
(3):下記式(SiO−3)(iは繰り返し単位数である。)で表される、数平均分子量3,200の化合物(デカメチルシクロペンタシロキサンを27ppm含む)

Figure 2021109908
<Silane monomer>
(1): In a compound having a number average molecular weight of 4,400 represented by the following formula (SiO-1) (where i and j are repeating units, respectively) (R 10 is phenyl in the formula (S2)). It is a group and contains 13 ppm of a compound having a of 3)
(2): A compound having a number average molecular weight of 3,000 represented by the following formula (SiO-2) (i is the number of repeating units) (containing 60 ppm of decamethylcyclopentasiloxane).
(3): A compound having a number average molecular weight of 3,200 represented by the following formula (SiO-3) (i is the number of repeating units) (containing 27 ppm of decamethylcyclopentasiloxane).
Figure 2021109908

上記の表1は、本実施態様の全体像を示す実験例に関し、実験例1−1〜1−19の樹脂組成物の優位性を、実験例2−1〜2−7の樹脂組成物との対比で示している。
表2は、そのうちの態様12〜14に該当する実験例の樹脂組成物の優位性を、実験例2−1〜2−7の樹脂組成物との対比で示している。
Table 1 above shows the superiority of the resin composition of Experimental Examples 1-1 to 1-19 with respect to the resin composition of Experimental Examples 2-1 to 2-7 with respect to the experimental example showing the whole picture of the present embodiment. It is shown in comparison with.
Table 2 shows the superiority of the resin composition of the experimental examples corresponding to the aspects 12 to 14 in comparison with the resin composition of the experimental examples 2-1 to 2-7.

表1を参照すると、実験例1−1〜1−19の樹脂組成物から得られたポリイミドは、
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(B)膜厚10μmのフィルムとしたときの厚さ方向のリターデーション(Rth)が300nm以下であること
の双方を満たしており;
(B)膜厚10μmのフィルムとしたときの厚さ方向のリターデーション(Rth)が300nm以下であること、及び
(C)膜厚10μmのフィルムとしたときの全光線透過率が80%以上であること
の双方を満たしており;かつ、
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(D)ガラス転移温度(Tg)が300℃以上であること
のうちの少なくとも一方を満たしていることが理解される。
With reference to Table 1, the polyimides obtained from the resin compositions of Experimental Examples 1-1-1-19 are
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (B) the retardation (Rth) in the thickness direction of a film having a film thickness of 10 μm is 300 nm or less. Meet both of the things;
(B) The retardation (Rth) in the thickness direction of a film having a film thickness of 10 μm is 300 nm or less, and (C) the total light transmittance of a film having a film thickness of 10 μm is 80% or more. It meets both of the things; and
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (D) the glass transition temperature (Tg) is 300 ° C. or more, whichever is satisfied. Is understood.

また、表2を参照すると、ポリイミド前駆体が、式(A1)で表される構造とともに、式(2)で表される構造を有する、実験例1−2、1−4、1−6、1−8、1−13、1−16、及び1−18の樹脂組成物から得られたポリイミドフィルムは、残留応力に優れる他、YI、全光線透過率、Rth、ヤング率、Tg、及び無機膜形成後の耐熱性のすべてに優れていることが実験的に明らかになり、フレキシブルディスプレイの製造に好適であることが検証された。 Further, referring to Table 2, Experimental Examples 1-2, 1-4, 1-6, wherein the polyimide precursor has a structure represented by the formula (A1) and a structure represented by the formula (2). The polyimide films obtained from the resin compositions 1-8, 1-13, 1-16, and 1-18 are excellent in residual stress, YI, total light transmittance, Rth, Young's modulus, Tg, and inorganic. It was experimentally revealed that it was excellent in all of the heat resistance after film formation, and it was verified that it was suitable for manufacturing a flexible display.

更に、実験例1−1〜1−19の樹脂組成物から得られたポリイミドフィルムを、フレキシブル液晶ディスプレイ及びフレキシブル有機ELディスプレイの、基板及びカバーウィンドウに適用することにより、優れた表示性能を示すフレキシブルディスプレイを製造することができた。 Further, by applying the polyimide film obtained from the resin composition of Experimental Examples 1-1 to 1-19 to the substrate and the cover window of the flexible liquid crystal display and the flexible organic EL display, the flexible display performance is exhibited. I was able to manufacture a display.

Claims (21)

下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドが、以下の要件(A)及び(B):
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(B)膜厚10μmのフィルムとしたときの厚さ方向のリターデーション(Rth)が300nm以下であること
の双方を満たす、
樹脂組成物。
The following formula (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The polyimide, which is an imidized product of the polyimide precursor, has the following requirements (A) and (B):
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (B) the retardation (Rth) in the thickness direction of a film having a film thickness of 10 μm is 300 nm or less. Satisfy both sides of being
Resin composition.
下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドが、以下の要件(B)及び(C):
(B)膜厚10μmのフィルムとしたときの厚さ方向のリターデーション(Rth)が300nm以下であること、及び
(C)膜厚10μmのフィルムとしたときの全光線透過率が80%以上であること
の双方を満たす、
樹脂組成物。
The following formula (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The polyimide, which is an imidized product of the polyimide precursor, has the following requirements (B) and (C):
(B) The retardation (Rth) in the thickness direction of a film having a film thickness of 10 μm is 300 nm or less, and (C) the total light transmittance of a film having a film thickness of 10 μm is 80% or more. Satisfy both sides of being
Resin composition.
下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、
前記樹脂組成物中のフッ素原子の含有割合が、前記ポリイミド前駆体の質量を基準として、5質量%未満であり、かつ、
前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドが、以下の要件(A)及び(D):
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(D)ガラス転移温度(Tg)が300℃以上であること
のうちの少なくとも一方を満たす、
樹脂組成物。
The following formula (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } Including the structure represented by
The content ratio of fluorine atoms in the resin composition is less than 5% by mass and is less than 5% by mass based on the mass of the polyimide precursor.
The polyimide, which is an imidized product of the polyimide precursor, has the following requirements (A) and (D):
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (D) the glass transition temperature (Tg) is 300 ° C. or more, whichever is satisfied.
Resin composition.
前記式(1)中のP及びPが、それぞれ、フッ素原子を含まない、請求項3に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 3, wherein P 1 and P 2 in the formula (1) do not contain fluorine atoms, respectively. 下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ
前記式(1)中のPが、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、9,9−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)フルオレン二無水物、ノルボルナン−2−スピロ−α−シクロペンタン−α’−スピロ−2”−ノルボルナン−5,5”,6、6”−テトラカルボン酸二無水物、p−フェニレンビス(トリメリテート無水物)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、及び1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物から成る特定テトラカルボン酸二無水物から選択される1種又は2種以上に由来する4価の基を含む、
樹脂組成物。
The following formula (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). It includes a structure represented by the} and the formula (1) P 2 is in, biphenyltetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis (3,4-carboxyphenyl) fluorene dianhydride, norbornane - 2-Spiro-α-Cyclopentane-α'-Spiro-2 "-norbornan-5,5", 6,6 "-tetracarboxylic dianhydride, p-phenylenebis (trimeritate anhydride), 3,3' , 4,4'-Diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, and 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, one or more selected from specific tetracarboxylic dianhydrides. Containing tetravalent groups derived from,
Resin composition.
下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記式(1)中のPが、4−アミノフェニル4−アミノベンゾエート、1,4−シクロヘキサンジアミン、及び4,4’−ビス(ジアミノフェニル)スルホンから成る特定ジアミンから選択される1種又は2種以上に由来する2価の基を更に含む、
樹脂組成物。
The following formula (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
P 1 in the formula (1) is selected from a specific diamine composed of 4-aminophenyl 4-aminobenzoate, 1,4-cyclohexanediamine, and 4,4'-bis (diaminophenyl) sulfone, or one of them. Further containing divalent groups derived from two or more species,
Resin composition.
下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記樹脂組成物が、フレキシブルディスプレイを製造するために用いられる、
樹脂組成物。
The following formula (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The resin composition is used for producing a flexible display.
Resin composition.
前記式(A1)で表される構造が、下記式(A1−1):
Figure 2021109908
{式(A1−1)中、L、n1、及び「*」は、それぞれ、前記式(A1)におけるL、n1、及び「*」と同じ意味である。}で表される構造である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
The structure represented by the formula (A1) is the following formula (A1-1):
Figure 2021109908
{Wherein (A1-1), L 1, n1, and "*", respectively, L 1 in Formula (A1), n1, and the same meaning as "*". } The resin composition according to any one of claims 1 to 7, which has a structure represented by.
前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドのガラス転移温度(Tg)が300℃以上である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 8, wherein the glass transition temperature (Tg) of polyimide, which is an imide of the polyimide precursor, is 300 ° C. or higher. 前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドのヤング率が3.5GPa以上である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 9, wherein the Young's modulus of polyimide, which is an imide of the polyimide precursor, is 3.5 GPa or more. 前記ポリイミド前駆体のイミド化物であるポリイミドの残留応力が25MPa以下である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to any one of claims 1 to 10, wherein the residual stress of polyimide, which is an imide of the polyimide precursor, is 25 MPa or less. 下記式(1):
Figure 2021109908
{式(1)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミド前駆体と、溶媒と、を含む樹脂組成物であって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記ポリイミド前駆体が、下記式(2):
Figure 2021109908
{式(2)中、Rは、それぞれ独立に、炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6〜10の1価の芳香族基であり、mは、1〜200の整数である。}で表される構造を更に含む、
樹脂組成物。
The following formula (1):
Figure 2021109908
{In formula (1), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, A resin composition containing a polyimide precursor having a structure represented by} and a solvent.
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The polyimide precursor has the following formula (2):
Figure 2021109908
{In formula (2), R is independently a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m is 1 to 200. Is an integer of. } Further including the structure represented by
Resin composition.
前記式(2)で表される構造が、下記式(S1):
Figure 2021109908
{式(S1)中、
は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜10の2価の有機基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数6〜10の1価の芳香族基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数2〜10の不飽和脂肪族炭化水素基を含む有機基であり、
は、それぞれ独立に、酸無水物構造を含む1価の有機基、アミノ基、イソシアネート基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン化カルボニル基、ヒドロキシ基、エポキシ基、又はメルカプト基であり、
i及びjは、それぞれ独立に、1〜200の整数であり、
kは、0〜200の整数であり、そして、
0.05≦j/(i+j+k)≦0.50の関係を満たす。}で表されるシランモノマーに由来する構造であり、
前記樹脂組成物が、下記式(S2):
Figure 2021109908
{式(S2)中、R10は、メチル基又はフェニル基であり、aは2〜8の整数である。}で表される低分子シラン化合物を含み、
前記ポリイミド前駆体が、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミンと、前記シランモノマーとを含むモノマー組成物から得られる共重縮合物であり、そして、
前記樹脂組成物中の前記低分子シラン化合物の含有割合が、前記前記ポリイミド前駆体の共重縮合に用いた前記シランモノマーの質量を基準として、0ppm超280ppm以下である、
請求項12に記載の樹脂組成物。
The structure represented by the formula (2) is the following formula (S1):
Figure 2021109908
{In equation (S1),
R 1 is independently a single bond or a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms.
R 2 and R 3 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 2 and R 3 is a monovalent aliphatic group having 1 to 5 carbon atoms. It is a hydrocarbon group and
R 4 and R 5 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 4 and R 5 is a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. Is the basis and
R 6 and R 7 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 6 and R 7 is an unsaturated aliphatic hydrocarbon having 2 to 10 carbon atoms. It is an organic group containing a hydrogen group and
L 3 is independently a monovalent organic group containing an acid anhydride structure, an amino group, an isocyanate group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a halogenated carbonyl group, a hydroxy group, an epoxy group, or a mercapto group.
i and j are independently integers of 1 to 200, respectively.
k is an integer from 0 to 200, and
The relationship of 0.05 ≦ j / (i + j + k) ≦ 0.50 is satisfied. } Is a structure derived from the silane monomer.
The resin composition has the following formula (S2):
Figure 2021109908
{In formula (S2), R 10 is a methyl group or a phenyl group, and a is an integer of 2 to 8. } Contains a small molecule silane compound
The polyimide precursor is a polycondensate obtained from a monomer composition containing a tetracarboxylic dianhydride, a diamine, and the silane monomer, and
The content ratio of the small molecule silane compound in the resin composition is more than 0 ppm and 280 ppm or less based on the mass of the silane monomer used for the polycondensation of the polyimide precursor.
The resin composition according to claim 12.
前記ポリイミド前駆体が、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミンと、下記式(S1):
Figure 2021109908
{式(S1)中、
は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜10の2価の有機基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数1〜5の1価の脂肪族炭化水素基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数6〜10の1価の芳香族基であり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜10の1価の有機基であって、R及びRのうちの少なくとも1つは、炭素数2〜10の不飽和脂肪族炭化水素基を含む有機基であり、
は、それぞれ独立に、酸無水物構造を含む1価の有機基、アミノ基、イソシアネート基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン化カルボニル基、ヒドロキシ基、エポキシ基、又はメルカプト基であり、
iは、1〜200の整数であり、
j及びkは、それぞれ独立に、0〜200の整数であり、そして、
0.05≦j/(i+j+k)≦0.50の関係を満たす。}で表されるシランモノマーと、下記式(S3):
Figure 2021109908
{式(S3)中、bは2以上の整数である。}で表される化合物とを含むモノマー組成物から得られる共重縮合物であり、かつ、
前記モノマー組成物に含まれる、前記式(S3)においてb=5である化合物の含有割合が、前記式(S1)で表される化合物及び前記式(S3)で表される化合物の合計に基づいて、0ppm超500ppm以下である、
請求項12に記載の樹脂組成物。
The polyimide precursor is a tetracarboxylic dianhydride, a diamine, and the following formula (S1):
Figure 2021109908
{In equation (S1),
R 1 is independently a single bond or a divalent organic group having 1 to 10 carbon atoms.
R 2 and R 3 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 2 and R 3 is a monovalent aliphatic group having 1 to 5 carbon atoms. It is a hydrocarbon group and
R 4 and R 5 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 4 and R 5 is a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. Is the basis and
R 6 and R 7 are independently monovalent organic groups having 1 to 10 carbon atoms, and at least one of R 6 and R 7 is an unsaturated aliphatic hydrocarbon having 2 to 10 carbon atoms. It is an organic group containing a hydrogen group and
L 3 is independently a monovalent organic group containing an acid anhydride structure, an amino group, an isocyanate group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a halogenated carbonyl group, a hydroxy group, an epoxy group, or a mercapto group.
i is an integer from 1 to 200,
j and k are each independently an integer from 0 to 200, and
The relationship of 0.05 ≦ j / (i + j + k) ≦ 0.50 is satisfied. } And the following formula (S3):
Figure 2021109908
{In equation (S3), b is an integer of 2 or more. } Is a polycondensate obtained from a monomer composition containing the compound represented by
The content ratio of the compound having b = 5 in the formula (S3) contained in the monomer composition is based on the total of the compound represented by the formula (S1) and the compound represented by the formula (S3). It is more than 0 ppm and less than 500 ppm.
The resin composition according to claim 12.
請求項1〜14のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物である、ポリイミド。 A polyimide which is a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 14. 下記式(4):
Figure 2021109908
{式(4)中、Pは2価の有機基であり、Pは4価の有機基である。}で表される構造を有するポリイミドであって、
前記式(1)中のPが下記式(A1):
Figure 2021109908
{式(A1)中、Lは、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子で置換されているアルキル基、又はフッ素原子以外のハロゲン原子であり、n1は、0〜3の整数であり、「*」は、式(1)中の窒素原子と結合している結合手を示す。}で表される構造を含み、かつ、
前記ポリイミドが、以下の要件(A)及び(E):
(A)膜厚10μmのフィルムとしたときの黄色度(YI)が10以下であること、及び
(E)前記ポリイミド中のフッ素原子含有割合が、前記ポリイミドの質量に基づいて、5質量%未満であること
の双方を満たす、
ポリイミド。
The following formula (4):
Figure 2021109908
{In formula (4), P 1 is a divalent organic group and P 2 is a tetravalent organic group. }, Which is a polyimide having a structure represented by
P 1 is the following formula in the formula (1) (A1):
Figure 2021109908
{In formula (A1), L 1 is an alkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom other than a fluorine atom, or a halogen atom other than a fluorine atom, and n1 is an integer of 0 to 3, and ""*" Indicates a bond that is bonded to the nitrogen atom in the formula (1). } And contains the structure represented by
The polyimide has the following requirements (A) and (E):
(A) The yellowness (YI) of a film having a film thickness of 10 μm is 10 or less, and (E) the fluorine atom content in the polyimide is less than 5% by mass based on the mass of the polyimide. Satisfy both sides of being
Polyimide.
支持体の表面上に、請求項1〜14のいずれか一項に記載の樹脂組成物を塗布して、前記支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
前記樹脂組成物の塗膜を加熱して、前記支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
前記ポリイミド樹脂膜を前記支持体から剥離して、ポリイミドフィルムを得る、剥離工程と、
をこの順に含む、ポリイミドフィルムの製造方法。
A coating step of applying the resin composition according to any one of claims 1 to 14 on the surface of the support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of the resin composition to form a polyimide resin film on the support.
A peeling step of peeling the polyimide resin film from the support to obtain a polyimide film.
A method for producing a polyimide film, which comprises the above in this order.
前記ポリイミド樹脂膜形成工程の後、かつ、前記剥離工程の前に、
前記支持体の、前記ポリイミド樹脂膜が形成された側とは反対側の表面から、レーザーを照射する、レーザー照射工程を更に含む、
請求項17に記載のポリイミドフィルムの製造方法。
After the polyimide resin film forming step and before the peeling step,
A laser irradiation step of irradiating the support from the surface of the support opposite to the side on which the polyimide resin film is formed is further included.
The method for producing a polyimide film according to claim 17.
支持体の表面上に、請求項1〜14のいずれか一項に記載の樹脂組成物を塗布して、前記支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
前記樹脂組成物の塗膜を加熱して、前記支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
前記ポリイミド樹脂膜上に素子を形成して、前記支持体上に素子付きポリイミド樹脂膜を形成する、素子形成工程と、
前記素子付きポリイミド樹脂膜を前記支持体から剥離して、素子付きポリイミドフィルムを得る、剥離工程と、
をこの順に含む、素子付きポリイミドフィルムの製造方法。
A coating step of applying the resin composition according to any one of claims 1 to 14 on the surface of the support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of the resin composition to form a polyimide resin film on the support.
An element forming step of forming an element on the polyimide resin film and forming a polyimide resin film with an element on the support.
A peeling step of peeling the polyimide resin film with an element from the support to obtain a polyimide film with an element.
A method for producing a polyimide film with an element, which comprises the above in this order.
支持体の表面上に、請求項1〜14のいずれか一項に記載の樹脂組成物を塗布して、前記支持体上に樹脂組成物の塗膜を形成する、塗布工程と、
前記樹脂組成物の塗膜を加熱して、前記支持体上にポリイミド樹脂膜を形成する、ポリイミド樹脂膜形成工程と、
前記ポリイミド樹脂膜上に素子を形成して、前記支持体上に素子付きポリイミド樹脂膜を形成する、素子形成工程と、
をこの順に含む、素子付き積層体の製造方法。
A coating step of applying the resin composition according to any one of claims 1 to 14 on the surface of the support to form a coating film of the resin composition on the support.
A polyimide resin film forming step of heating a coating film of the resin composition to form a polyimide resin film on the support.
An element forming step of forming an element on the polyimide resin film and forming a polyimide resin film with an element on the support.
A method for manufacturing a laminate with an element, which includes the above in this order.
請求項19に記載の素子付きポリイミドフィルムの製造方法、又は請求項20に記載の素子付き積層体の製造方法を含む、フレキシブルディスプレイの製造方法。 A method for manufacturing a flexible display, which comprises the method for manufacturing a polyimide film with an element according to claim 19, or the method for manufacturing a laminate with an element according to claim 20.
JP2020002200A 2020-01-09 2020-01-09 Resin composition, polyimide, and method for producing polyimide film Pending JP2021109908A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020002200A JP2021109908A (en) 2020-01-09 2020-01-09 Resin composition, polyimide, and method for producing polyimide film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020002200A JP2021109908A (en) 2020-01-09 2020-01-09 Resin composition, polyimide, and method for producing polyimide film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021109908A true JP2021109908A (en) 2021-08-02

Family

ID=77059133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020002200A Pending JP2021109908A (en) 2020-01-09 2020-01-09 Resin composition, polyimide, and method for producing polyimide film

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2021109908A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023063202A1 (en) * 2021-10-12 2023-04-20 株式会社カネカ Polyamic acid, polyamic acid composition, polyimide, polyimide film, laminate, method for producing laminate, and electronic device
WO2024214600A1 (en) * 2023-04-14 2024-10-17 三菱瓦斯化学株式会社 Polyimide resin precursor, polyimide resin, and polyimide film

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016129329A1 (en) * 2015-02-09 2016-08-18 コニカミノルタ株式会社 Method for manufacturing transparent heat-resistant layered film, transparent heat-resistant layered film, flexible printed circuit board, substrate for flexible display, front plate for flexible display, led illumination device, and organic electroluminescence display device
JP2019127503A (en) * 2018-01-22 2019-08-01 株式会社カネカ Thermally crosslinkable polyimide, thermally cured product of the same, and interlayer insulation film

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016129329A1 (en) * 2015-02-09 2016-08-18 コニカミノルタ株式会社 Method for manufacturing transparent heat-resistant layered film, transparent heat-resistant layered film, flexible printed circuit board, substrate for flexible display, front plate for flexible display, led illumination device, and organic electroluminescence display device
JP2019127503A (en) * 2018-01-22 2019-08-01 株式会社カネカ Thermally crosslinkable polyimide, thermally cured product of the same, and interlayer insulation film

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023063202A1 (en) * 2021-10-12 2023-04-20 株式会社カネカ Polyamic acid, polyamic acid composition, polyimide, polyimide film, laminate, method for producing laminate, and electronic device
WO2024214600A1 (en) * 2023-04-14 2024-10-17 三菱瓦斯化学株式会社 Polyimide resin precursor, polyimide resin, and polyimide film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7152381B2 (en) Resin precursor, resin composition containing the same, polyimide resin film, resin film, and method for producing the same
CN107429057B (en) Polyimide precursor resin composition
JP6820827B2 (en) Polyimide film with voids and its manufacturing method
TWI615441B (en) Resin composition, polyimine resin film and method of producing the same
TWI770374B (en) Polyimide, polyimide solution, polyimide, polyimide film, laminate and flexible device, and method for producing polyimide film
KR102641711B1 (en) Polyamic acid solution composition and polyimide film
TWI758245B (en) Manufacturing method of flexible electronic device
JP6492934B2 (en) Polyamic acid solution composition and polyimide film
TW202017972A (en) Polyimide precursor composition for improving adhesion property of polyimide film, polyimide film prepared therefrom and preparation method thereof, and electronic device comprising the same
KR20230147181A (en) Polyimide, resin composition, polyimide film, and method for producing the same
JP7461145B2 (en) Resin composition, polyimide, and method for producing polyimide film
JP2021109908A (en) Resin composition, polyimide, and method for producing polyimide film
JP7215904B2 (en) Polyimide and flexible devices using it
WO2018163884A1 (en) Transparent electrode substrate film and method for producing same
TWI843974B (en) Polyimide precursor and polyimide resin composition
JP2023008996A (en) resin composition
JPWO2019208590A1 (en) Silicon-containing compounds
JP7506152B2 (en) Resin composition
WO2024048740A1 (en) Resin composition
TWI859238B (en) Polyimide precursor and polyimide resin composition
JP7376274B2 (en) Polyimide precursor resin composition
JP2024035165A (en) resin composition
JP2024159658A (en) Resin composition
JP2022082450A (en) Resin composition
KR20240158801A (en) Resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230822

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20231019

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240206

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20240328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240618

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240816

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20240924