JP2021106346A - Method for manufacturing resonance structure - Google Patents

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Abstract

To provide a method for manufacturing a new resonance structure.SOLUTION: A method for manufacturing a resonance structure is a method for manufacturing a resonance structure including a first conductor, a second conductor, a third conductor, and a fourth conductor. The third conductor is configured to spread along a first direction, be located between the first conductor and the second conductor, and capacitively connect the first conductor with the second conductor. The fourth conductor spreads along the first direction and is electrically connected with the first conductor and the second conductor. The method for manufacturing a resonance structure includes preparing a rectangular substrate in which a plurality of units corresponding to the resonance structure is arranged in a second direction intersecting the first direction. The method for manufacturing a resonance structure includes forming, by hot dipping, a conductor corresponding to the first conductor and a conductor corresponding to the second conductor at two ends in the first direction of the rectangular substrate. The method for manufacturing a resonance structure includes cutting, on the rectangular substrate, the plurality of units adjacent in the second direction along the first direction.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本開示は、共振構造体の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a method for manufacturing a resonant structure.

アンテナから放射された電磁波は、金属導体で反射される。金属導体で反射された電磁波は、180°の位相ずれが生じる。反射された電磁波は、アンテナから放射された電磁波と合成される。アンテナから放射された電磁波は、位相のずれのある電磁波との合成によって、振幅が小さくなる場合がある。結果、アンテナから放射される電磁波の振幅は、小さくなる。アンテナと金属導体との距離を、放射する電磁波の波長λの1/4とすることで、反射波による影響を低減している。 The electromagnetic waves radiated from the antenna are reflected by the metal conductor. The electromagnetic wave reflected by the metal conductor has a phase shift of 180 °. The reflected electromagnetic wave is combined with the electromagnetic wave radiated from the antenna. The amplitude of the electromagnetic wave radiated from the antenna may be reduced by combining with the electromagnetic wave having a phase shift. As a result, the amplitude of the electromagnetic wave radiated from the antenna becomes small. By setting the distance between the antenna and the metal conductor to 1/4 of the wavelength λ of the radiated electromagnetic wave, the influence of the reflected wave is reduced.

これに対して、金属導体上でも、電波強度の低下が低減されるアンテナが知られている(特許文献1)。 On the other hand, an antenna in which a decrease in radio wave intensity is reduced is known even on a metal conductor (Patent Document 1).

国際公開第2018/174026号International Publication No. 2018/174026

特許文献1に記載のアンテナは、共振構造体を備える。この共振構造体を効率良く製造する方法が求められている。 The antenna described in Patent Document 1 includes a resonance structure. There is a demand for a method for efficiently manufacturing this resonant structure.

本開示の目的は、共振構造体を効率良く製造可能な、共振構造体の製造方法を提供することにある。 An object of the present disclosure is to provide a method for manufacturing a resonance structure, which can efficiently manufacture the resonance structure.

本開示の一実施形態に係る共振構造体の製造方法は、第1導体と、第2導体と、第3導体と、第4導体とを含む共振構造体の製造方法である。前記第2導体は、第1方向において前記第1導体と対向する。前記第3導体は、前記第1方向に沿って広がり、前記第1導体と前記第2導体との間に位置し、前記第1導体と前記第2導体とを容量的に接続するように構成されている。前記第4導体は、前記第1方向に沿って広がり、前記第1導体及び前記第2導体に電気的に接続されている。前記共振構造体の製造方法は、前記共振構造体に対応する複数のユニットが前記第1方向と交わる第2方向に並ぶ矩形基板を準備することを含む。前記共振構造体の製造方法は、溶融めっき法により、前記矩形基板の第1方向における2つの端部に、前記第1導体に対応する導体及び前記第2導体に対応する導体を形成することを含む。前記共振構造体の製造方法は、前記矩形基板において、前記第2方向において隣り合う前記複数のユニットを前記第1方向に沿って切断することを含む。 The method for manufacturing a resonance structure according to an embodiment of the present disclosure is a method for manufacturing a resonance structure including a first conductor, a second conductor, a third conductor, and a fourth conductor. The second conductor faces the first conductor in the first direction. The third conductor extends along the first direction, is located between the first conductor and the second conductor, and is configured to capacitively connect the first conductor and the second conductor. Has been done. The fourth conductor extends along the first direction and is electrically connected to the first conductor and the second conductor. The method for manufacturing the resonance structure includes preparing a rectangular substrate in which a plurality of units corresponding to the resonance structure are arranged in a second direction intersecting with the first direction. The method for manufacturing the resonance structure is to form a conductor corresponding to the first conductor and a conductor corresponding to the second conductor at two ends of the rectangular substrate in the first direction by a hot-dip plating method. include. The method for manufacturing the resonance structure includes cutting the plurality of units adjacent to each other in the second direction along the first direction in the rectangular substrate.

本開示の一実施形態に係る共振構造体の製造方法によれば、共振構造体を効率良く製造することができる。 According to the method for manufacturing a resonance structure according to an embodiment of the present disclosure, the resonance structure can be efficiently manufactured.

本開示の一実施形態に係るアンテナの平面図である。It is a top view of the antenna which concerns on one Embodiment of this disclosure. 図1に示すL1−L1線に沿ったアンテナの断面図である。It is sectional drawing of the antenna along the L1-L1 line shown in FIG. 本開示の一実施形態に係る共振構造体の製造方法の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the manufacturing method of the resonance structure which concerns on one Embodiment of this disclosure. 本開示の一実施形態に係る積層基板の平面図である。It is a top view of the laminated substrate which concerns on one Embodiment of this disclosure. 図4に示すL2−L2線に沿った積層基板の断面図である。It is sectional drawing of the laminated substrate along the L2-L2 line shown in FIG. 本開示の一実施形態に係る矩形基板の平面図である。It is a top view of the rectangular substrate which concerns on one Embodiment of this disclosure. 形成工程後の矩形基板の平面図である。It is a top view of the rectangular substrate after a forming process. 切断工程を説明する図である。It is a figure explaining the cutting process.

本開示において「誘電体材料」は、セラミック材料及び樹脂材料の何れかを組成として含み得る。セラミック材料は、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミック焼結体、ガラス母材中に結晶成分を析出させた結晶化ガラス、及び、雲母若しくはチタン酸アルミニウム等の微結晶焼結体を含む。樹脂材料は、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、及び、液晶ポリマー等の未硬化物を硬化させたものを含む。 In the present disclosure, the "dielectric material" may include either a ceramic material or a resin material as a composition. Ceramic materials include aluminum oxide sintered body, aluminum nitride sintered body, mulite sintered body, glass-ceramic sintered body, crystallized glass in which crystal components are precipitated in the glass base material, and mica or titanium. Includes microcrystalline sintered body such as aluminum acid. The resin material includes a cured product such as an epoxy resin, a polyester resin, a polyimide resin, a polyamide-imide resin, a polyetherimide resin, and a liquid crystal polymer.

本開示において「導電性材料」は、金属材料、金属材料の合金、金属ペーストの硬化物、及び、導電性高分子の何れかを組成として含み得る。金属材料は、銅、銀、パラジウム、金、白金、アルミニウム、クロム、ニッケル、カドミウム鉛、セレン、マンガン、錫、バナジウム、リチウム、コバルト、及び、チタン等を含む。合金は、複数の金属材料を含む。金属ペースト剤は、金属材料の粉末を有機溶剤、及び、バインダとともに混練したものを含む。バインダは、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、及び、ポリエーテルイミド樹脂を含む。導電性ポリマーは、ポリチオフェン系ポリマー、ポリアセチレン系ポリマー、ポリアニリン系ポリマー、及び、ポリピロール系ポリマー等を含む。 In the present disclosure, the "conductive material" may include any of a metal material, an alloy of metal materials, a cured product of a metal paste, and a conductive polymer as a composition. Metallic materials include copper, silver, palladium, gold, platinum, aluminum, chromium, nickel, cadmium lead, selenium, manganese, tin, vanadium, lithium, cobalt, titanium and the like. Alloys include multiple metallic materials. The metal paste agent includes a powder of a metal material kneaded with an organic solvent and a binder. The binder includes an epoxy resin, a polyester resin, a polyimide resin, a polyamide-imide resin, and a polyetherimide resin. The conductive polymer includes a polythiophene-based polymer, a polyacetylene-based polymer, a polyaniline-based polymer, a polypyrrole-based polymer, and the like.

以下、本開示の複数の実施形態について、図面を参照して説明する。図1から図8に示す構成要素において、同じ構成要素には、同じ符号を付す。 Hereinafter, a plurality of embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In the components shown in FIGS. 1 to 8, the same components are designated by the same reference numerals.

本開示の実施形態では、XYZ座標系が採用される。以下、X軸正方向とX軸負方向とを特に区別しない場合、X軸正方向とX軸負方向は、まとめて「X方向」と記載される。Y軸正方向とY軸負方向とを特に区別しない場合、Y軸正方向とY軸負方向は、まとめて「Y方向」と記載される。Z軸正方向とZ軸負方向とを特に区別しない場合、Z軸正方向とZ軸負方向は、まとめて「Z方向」と記載される。 In the embodiments of the present disclosure, the XYZ coordinate system is adopted. Hereinafter, when the X-axis positive direction and the X-axis negative direction are not particularly distinguished, the X-axis positive direction and the X-axis negative direction are collectively referred to as "X direction". When the Y-axis positive direction and the Y-axis negative direction are not particularly distinguished, the Y-axis positive direction and the Y-axis negative direction are collectively referred to as "Y direction". When the Z-axis positive direction and the Z-axis negative direction are not particularly distinguished, the Z-axis positive direction and the Z-axis negative direction are collectively referred to as "Z direction".

以下、第1方向は、X方向として示す。第2方向は、Y方向として示す。第3方向は、Z方向として示す。第1平面は、XY平面として示す。ただし、第1方向は、第2方向と直交しなくてよい。第1方向は、第2方向と交わればよい。第3方向は、第1平面と直交しなくてよい。第3方向は、第1平面と交わればよい。 Hereinafter, the first direction is shown as the X direction. The second direction is shown as the Y direction. The third direction is shown as the Z direction. The first plane is shown as the XY plane. However, the first direction does not have to be orthogonal to the second direction. The first direction may intersect the second direction. The third direction does not have to be orthogonal to the first plane. The third direction may intersect the first plane.

図1は、本開示の一実施形態に係るアンテナ1の平面図である。図2は、図1に示すアンテナ1の断面図である。 FIG. 1 is a plan view of the antenna 1 according to the embodiment of the present disclosure. FIG. 2 is a cross-sectional view of the antenna 1 shown in FIG.

図1に示すように、アンテナ1は、共振構造体10と、給電線70とを含む。図1及び図2に示すように、共振構造体10は、基体20と、第1導体30と、第2導体40と、第3導体50と、第4導体60とを含む。第1導体30と第2導体40とは、対導体ともいう。第1導体30、第2導体40、第3導体50、第4導体60及び給電線70の各々は、導電性材料を含む。第1導体30と、第2導体40と、第3導体50と、第4導体60と、給電線70とは、同じ導電性材料を含んでよいし、異なる導電性材料を含んでよい。 As shown in FIG. 1, the antenna 1 includes a resonance structure 10 and a feeder line 70. As shown in FIGS. 1 and 2, the resonance structure 10 includes a base 20, a first conductor 30, a second conductor 40, a third conductor 50, and a fourth conductor 60. The first conductor 30 and the second conductor 40 are also referred to as anti-conductors. Each of the first conductor 30, the second conductor 40, the third conductor 50, the fourth conductor 60, and the feeder line 70 contains a conductive material. The first conductor 30, the second conductor 40, the third conductor 50, the fourth conductor 60, and the feeder line 70 may contain the same conductive material or may contain different conductive materials.

アンテナ1は、外部から第3導体50が位置する共振構造体10の面に入射する所定周波数の電磁波に対して、人工磁気壁特性(Artificial Magnetic Conductor Character)を示し得る。 The antenna 1 may exhibit an Artificial Magnetic Conductor Character with respect to an electromagnetic wave having a predetermined frequency incident on the surface of the resonance structure 10 in which the third conductor 50 is located from the outside.

本開示において「人工磁気壁特性」は、1つの共振周波数における入射波と反射波との位相差が0度となる面の特性を意味する。アンテナ1は、少なくとも1つの共振周波数のうちの少なくとも1つの近傍を動作周波数とし得る。人工磁気壁特性を有する面では、動作周波数帯において、入射波と反射波の位相差が−90度から+90度までの範囲より小さくなる。 In the present disclosure, the "artificial magnetic wall characteristic" means the characteristic of the surface where the phase difference between the incident wave and the reflected wave at one resonance frequency is 0 degrees. The antenna 1 may have an operating frequency in the vicinity of at least one of at least one resonance frequency. On the surface having artificial magnetic wall characteristics, the phase difference between the incident wave and the reflected wave becomes smaller than the range from −90 degrees to +90 degrees in the operating frequency band.

基体20は、誘電体材料を含む。基体20は、第3導体50等の形状に応じた、任意の形状であってよい。基体20は、略直方体形状であってよい。基体20の比誘電率は、アンテナ1の所望の動作周波数に応じて、適宜調整されてよい。 The substrate 20 contains a dielectric material. The substrate 20 may have an arbitrary shape according to the shape of the third conductor 50 or the like. The substrate 20 may have a substantially rectangular parallelepiped shape. The relative permittivity of the substrate 20 may be appropriately adjusted according to the desired operating frequency of the antenna 1.

第1導体30は、X方向において第2導体40と対向する。第1導体30は、基体20のX軸負方向側の端部に位置してよい。第1導体30は、Y方向に沿う。第1導体30は、少なくとも1つの第1接続導体31と、接続部32とを含む。本実施形態では、第1導体30は、2つの第1接続導体31を含む。ただし、第1導体30は、3つ以上の第1接続導体31を含んでよい。第1接続導体31と、接続部32とは、同じ導電性材料を含んでよいし、異なる導電性材料を含んでよい。 The first conductor 30 faces the second conductor 40 in the X direction. The first conductor 30 may be located at the end of the substrate 20 on the negative direction side of the X axis. The first conductor 30 is along the Y direction. The first conductor 30 includes at least one first connecting conductor 31 and a connecting portion 32. In this embodiment, the first conductor 30 includes two first connecting conductors 31. However, the first conductor 30 may include three or more first connecting conductors 31. The first connecting conductor 31 and the connecting portion 32 may contain the same conductive material or may contain different conductive materials.

図1に示すように、複数の第1接続導体31は、Y方向に並ぶ。第1導体30が3つ以上の第1接続導体31を含む場合、複数の第1接続導体31は、略等間隔で、Y方向に並んでよい。図2に示すように、第1接続導体31は、Z方向に沿って延びる。 As shown in FIG. 1, the plurality of first connecting conductors 31 are arranged in the Y direction. When the first conductor 30 includes three or more first connecting conductors 31, the plurality of first connecting conductors 31 may be arranged in the Y direction at substantially equal intervals. As shown in FIG. 2, the first connecting conductor 31 extends along the Z direction.

第1接続導体31は、第3導体50と第4導体60とを電気的に接続するように、構成されている。例えば、第1接続導体31は、2つの端部を含む。第1接続導体31の一方の端部は、第3導体50の後述の接続部54に電気的に接続されるように、構成されている。第1接続導体31の他方の端部は、第4導体60のX軸負方向側の一部に電気的に接続されるように、構成されている。第1接続導体31は、スルーホール導体又はビア導体等であってよい。 The first connecting conductor 31 is configured to electrically connect the third conductor 50 and the fourth conductor 60. For example, the first connecting conductor 31 includes two ends. One end of the first connecting conductor 31 is configured to be electrically connected to a connecting portion 54 of the third conductor 50, which will be described later. The other end of the first connecting conductor 31 is configured to be electrically connected to a part of the fourth conductor 60 on the negative direction side of the X axis. The first connecting conductor 31 may be a through-hole conductor, a via conductor, or the like.

図2に示すように、接続部32は、共振構造体10の断面視において、共振構造体10のX軸負方向側の端部をU字状に囲む。例えば、接続部32は、XY平面に広がる部分33及び部分34と、YZ平面に広がる部分35とを含む。部分33と、部分34と、部分35とは、一体である。部分33は、第3導体50の後述の接続部54上に位置する。部分33は、接続部54に電気的に接続されるように、構成されている。部分34は、第4導体60のX軸負方向側の一部上に位置する。部分34は、第4導体60のX軸負方向側の一部に電気的に接続されるように、構成されている。部分35は、基体20のX軸負方向側の面上に位置する。部分35は、第3導体50の後述の接続部56のX軸負方向側の端部に電気的に接続されるように、構成されている。 As shown in FIG. 2, the connecting portion 32 surrounds the end portion of the resonance structure 10 on the negative direction side of the X axis in a U shape in a cross-sectional view of the resonance structure 10. For example, the connecting portion 32 includes a portion 33 and a portion 34 extending in the XY plane and a portion 35 extending in the YZ plane. The portion 33, the portion 34, and the portion 35 are integrated. The portion 33 is located on the connecting portion 54 described later of the third conductor 50. The portion 33 is configured to be electrically connected to the connecting portion 54. The portion 34 is located on a part of the fourth conductor 60 on the negative direction side of the X axis. The portion 34 is configured to be electrically connected to a part of the fourth conductor 60 on the negative direction side of the X axis. The portion 35 is located on the surface of the substrate 20 on the negative side of the X-axis. The portion 35 is configured to be electrically connected to the end of the third conductor 50 on the negative side of the X-axis of the connecting portion 56 described later.

接続部32が共振構造体10のX軸負方向側の端部をU字状に囲むことにより、共振構造体10のX軸負方向側の端部の厚みが増し得る。共振構造体10のX軸負方向側の端部の厚みが増すことにより、共振構造体10のX軸負方向側の端部は、変形しにくくなり得る。共振構造体10のX軸負方向側の端部が変形しにくくなることにより、第1接続導体31にかかる応力が低減され得る。第1接続導体31にかかる応力が低減されることにより、第1接続導体31が破損する可能性が低減され得る。 When the connecting portion 32 surrounds the end portion of the resonance structure 10 on the negative direction side of the X axis in a U shape, the thickness of the end portion of the resonance structure 10 on the negative direction side of the X axis can be increased. By increasing the thickness of the end portion of the resonance structure 10 on the negative direction side of the X axis, the end portion of the resonance structure 10 on the negative direction side of the X axis may be less likely to be deformed. Since the end portion of the resonance structure 10 on the negative direction side of the X axis is less likely to be deformed, the stress applied to the first connecting conductor 31 can be reduced. By reducing the stress applied to the first connecting conductor 31, the possibility of damage to the first connecting conductor 31 can be reduced.

図1に示すように、第2導体40は、X方向において第1導体30と対向する。第2導体40は、基体20のX軸正方向側の端部に位置してよい。第2導体40は、Y方向に沿う。第2導体40は、少なくとも1つの第2接続導体41と、接続部42とを含む。本実施形態では、第2導体40は、2つの第2接続導体41を含む。ただし、第2導体40は、3つ以上の第2接続導体41を含んでよい。第2接続導体41と、接続部42とは、同じ導電性材料を含んでよいし、異なる導電性材料を含んでよい。 As shown in FIG. 1, the second conductor 40 faces the first conductor 30 in the X direction. The second conductor 40 may be located at the end of the substrate 20 on the positive direction side of the X axis. The second conductor 40 is along the Y direction. The second conductor 40 includes at least one second connecting conductor 41 and a connecting portion 42. In this embodiment, the second conductor 40 includes two second connecting conductors 41. However, the second conductor 40 may include three or more second connecting conductors 41. The second connecting conductor 41 and the connecting portion 42 may contain the same conductive material or may contain different conductive materials.

複数の第2接続導体41は、Y方向に並ぶ。第2導体40が3つ以上の第2接続導体41を含む場合、複数の第2接続導体41は、略等間隔で、Y方向に並んでよい。図2に示すように、第2接続導体41は、Z方向に沿って延びる。 The plurality of second connecting conductors 41 are arranged in the Y direction. When the second conductor 40 includes three or more second connecting conductors 41, the plurality of second connecting conductors 41 may be arranged in the Y direction at substantially equal intervals. As shown in FIG. 2, the second connecting conductor 41 extends along the Z direction.

第2接続導体41は、第3導体50と第4導体60とを電気的に接続するように、構成されている。例えば、第2接続導体41は、2つの端部を含む。第2接続導体41の一方の端部は、第3導体50の後述の接続部55に電気的に接続されるように、構成されている。第2接続導体41の他方の端部は、第4導体60のX軸正方向側の一部に電気的に接続されるように、構成されている。第2接続導体41は、スルーホール導体又はビア導体等であってよい。 The second connecting conductor 41 is configured to electrically connect the third conductor 50 and the fourth conductor 60. For example, the second connecting conductor 41 includes two ends. One end of the second connecting conductor 41 is configured to be electrically connected to a connecting portion 55 of the third conductor 50, which will be described later. The other end of the second connecting conductor 41 is configured to be electrically connected to a part of the fourth conductor 60 on the positive direction side of the X axis. The second connecting conductor 41 may be a through-hole conductor, a via conductor, or the like.

図2に示すように、接続部42は、共振構造体10の断面視において、共振構造体10のX軸正方向側の端部をU字状に囲む。例えば、接続部42は、XY平面に広がる部分43及び部分44と、YZ平面に広がる部分45とを含む。部分43と、部分44と、部分45とは、一体である。部分43は、第3導体50の後述の接続部55上に位置する。部分43は、接続部55に電気的に接続されるように、構成されている。部分44は、第4導体60のX軸正方向側の一部上に位置する。部分44は、第4導体60のX軸正方向側の一部に電気的に接続されるように、構成されている。部分45は、基体20のX軸正方向側の面上に位置する。部分45は、第3導体50の後述の接続部57のX軸正方向側の端部に電気的に接続されるように、構成されている。 As shown in FIG. 2, the connecting portion 42 surrounds the end portion of the resonance structure 10 on the positive direction side of the X axis in a U shape in a cross-sectional view of the resonance structure 10. For example, the connecting portion 42 includes a portion 43 and a portion 44 extending in the XY plane and a portion 45 extending in the YZ plane. The portion 43, the portion 44, and the portion 45 are integrated. The portion 43 is located on the connecting portion 55 of the third conductor 50, which will be described later. The portion 43 is configured to be electrically connected to the connecting portion 55. The portion 44 is located on a part of the fourth conductor 60 on the positive direction side of the X axis. The portion 44 is configured to be electrically connected to a part of the fourth conductor 60 on the positive direction side of the X axis. The portion 45 is located on the surface of the substrate 20 on the positive direction side of the X axis. The portion 45 is configured to be electrically connected to the end of the third conductor 50 on the positive direction side of the X-axis of the connecting portion 57 described later.

接続部42が共振構造体10のX軸正方向側の端部をU字状に囲むことにより、共振構造体10のX軸正方向側の端部の厚みが増し得る。共振構造体10のX軸正方向側の端部の厚みが増すことにより、共振構造体10のX軸正方向側の端部は、変形しにくくなり得る。共振構造体10のX軸正方向側の端部が変形しにくくなることにより、第2接続導体41にかかる応力が低減され得る。第2接続導体41にかかる応力が低減されることにより、第2接続導体41が破損する可能性が低減され得る。 When the connecting portion 42 surrounds the end portion of the resonance structure 10 on the positive direction side of the X axis in a U shape, the thickness of the end portion of the resonance structure 10 on the positive direction side of the X axis can be increased. By increasing the thickness of the end portion of the resonance structure 10 on the X-axis positive direction side, the end portion of the resonance structure 10 on the X-axis positive direction side may be less likely to be deformed. Since the end portion of the resonance structure 10 on the positive direction side of the X axis is less likely to be deformed, the stress applied to the second connecting conductor 41 can be reduced. By reducing the stress applied to the second connecting conductor 41, the possibility of damage to the second connecting conductor 41 can be reduced.

第3導体50は、X方向に沿う。第3導体50は、X方向に沿って広がってよい。第3導体50は、XY平面に沿って広がってよい。第3導体50は、第1導体30と第2導体40との間に位置する。第3導体50は、第5導体51と、第6導体52とを含む。第3導体50は、内導体53と、接続部54,55,56,57とを含んでよい。第5導体51と、第6導体52と、内導体53と、接続部54〜57とは、同じ導電性材料を含んでよいし、異なる導電性材料を含んでよい。 The third conductor 50 is along the X direction. The third conductor 50 may spread along the X direction. The third conductor 50 may extend along the XY plane. The third conductor 50 is located between the first conductor 30 and the second conductor 40. The third conductor 50 includes a fifth conductor 51 and a sixth conductor 52. The third conductor 50 may include an inner conductor 53 and connecting portions 54, 55, 56, 57. The fifth conductor 51, the sixth conductor 52, the inner conductor 53, and the connecting portions 54 to 57 may contain the same conductive material or may contain different conductive materials.

第5導体51及び第6導体52は、基体20の上面に位置する。第5導体51の一部及び第6導体52の一部は、基体20の中に位置してよい。第5導体51と第6導体52とは、X方向に並ぶ。第5導体51及び第6導体52は、略長方形状であってよい。 The fifth conductor 51 and the sixth conductor 52 are located on the upper surface of the substrate 20. A part of the fifth conductor 51 and a part of the sixth conductor 52 may be located in the substrate 20. The fifth conductor 51 and the sixth conductor 52 are arranged in the X direction. The fifth conductor 51 and the sixth conductor 52 may have a substantially rectangular shape.

第5導体51は、端部51a,51bを含む。端部51aは、第5導体51のX軸正方向側に位置する。端部51bは、第5導体51のX軸負方向側に位置する。端部51a,51bは、Y方向に沿う。 The fifth conductor 51 includes the ends 51a and 51b. The end portion 51a is located on the X-axis positive direction side of the fifth conductor 51. The end portion 51b is located on the X-axis negative direction side of the fifth conductor 51. The ends 51a and 51b are along the Y direction.

第6導体52は、端部52a,52bを含む。端部52aは、第6導体52のX軸負方向側に位置する。端部52bは、第6導体52のX軸正方向側に位置する。端部52a,52bは、Y方向に沿う。 The sixth conductor 52 includes the ends 52a and 52b. The end portion 52a is located on the X-axis negative direction side of the sixth conductor 52. The end portion 52b is located on the X-axis positive direction side of the sixth conductor 52. The ends 52a and 52b are along the Y direction.

第5導体51の端部51aと、第6導体52の端部52aとは、X方向において、隙間を空けて対向する。端部51aと端部52aとが隙間を空けて対向することにより、第5導体51と第6導体52とは、容量的に接続されるように、構成されている。端部51aと端部52aとの間の隙間は、アンテナ1の所望の動作周波数を考慮して、適宜選択されてよい。 The end portion 51a of the fifth conductor 51 and the end portion 52a of the sixth conductor 52 face each other with a gap in the X direction. The fifth conductor 51 and the sixth conductor 52 are configured to be capacitively connected by facing the end portion 51a and the end portion 52a with a gap. The gap between the end portion 51a and the end portion 52a may be appropriately selected in consideration of the desired operating frequency of the antenna 1.

第5導体51の端部51bは、接続部54に電気的に接続されるように、構成されている。第5導体51と接続部54とは、一体化されてよい。第6導体52の端部52bは、接続部55に電気的に接続されるように、構成されている。第6導体52と接続部55とは、一体化されてよい。 The end portion 51b of the fifth conductor 51 is configured to be electrically connected to the connecting portion 54. The fifth conductor 51 and the connecting portion 54 may be integrated. The end portion 52b of the sixth conductor 52 is configured to be electrically connected to the connecting portion 55. The sixth conductor 52 and the connecting portion 55 may be integrated.

第5導体51のY方向における幅は、Y方向に並ぶ複数の第1接続導体31のうちの、Y方向において両端に位置する第1接続導体31の間隔よりも狭くてよい。このような構成により、アンテナ1は、Y方向において両端に位置する第1接続導体31の間隔にばらつきが生じても、当該ばらつきによるアンテナ特性の変動が小さくなり得る。第6導体52のY方向における幅は、Y方向に並ぶ複数の第2接続導体41のうちの、Y方向において両端に位置する第2接続導体41の間隔よりも、狭くてよい。このような構成により、アンテナ1は、Y方向において両端に位置する複数の第2接続導体41の間隔にばらつきが生じても、当該ばらつきによるアンテナ特性の変動が小さくなり得る。 The width of the fifth conductor 51 in the Y direction may be narrower than the distance between the first connecting conductors 31 located at both ends in the Y direction among the plurality of first connecting conductors 31 arranged in the Y direction. With such a configuration, even if the spacing between the first connecting conductors 31 located at both ends of the antenna 1 varies in the Y direction, the variation in antenna characteristics due to the variation can be reduced. The width of the sixth conductor 52 in the Y direction may be narrower than the distance between the second connecting conductors 41 located at both ends in the Y direction among the plurality of second connecting conductors 41 arranged in the Y direction. With such a configuration, even if the distance between the plurality of second connecting conductors 41 located at both ends of the antenna 1 varies in the Y direction, the variation in the antenna characteristics due to the variation can be reduced.

第5導体51の構造及び第6導体52の構造は、アンテナ1の所望の動作周波数に応じて、適宜調整されてよい。アンテナ1の動作周波数は、第5導体51及び第6導体52の構造に応じて、変化し得る。第5導体51の端部51bから第6導体52の端部52bまでの長さAは、後述の図6に示すような第1領域201のX方向における長さB、及び、後述の図6に示すような第2領域202のX方向における長さCよりも、長くてよい。長さAが長さB及び長さCよりも長くなることにより、後述のように、アンテナ1の動作周波数の設計値からのずれ量が低減され得る。 The structure of the fifth conductor 51 and the structure of the sixth conductor 52 may be appropriately adjusted according to the desired operating frequency of the antenna 1. The operating frequency of the antenna 1 may change depending on the structures of the fifth conductor 51 and the sixth conductor 52. The length A from the end portion 51b of the fifth conductor 51 to the end portion 52b of the sixth conductor 52 is the length B of the first region 201 in the X direction as shown in FIG. 6 described later, and FIG. 6 described later. It may be longer than the length C of the second region 202 in the X direction as shown in. By making the length A longer than the length B and the length C, the amount of deviation of the operating frequency of the antenna 1 from the design value can be reduced as described later.

図2に示すように、内導体53は、基体20の中に位置する。内導体53は、第5導体51及び第6導体52に接続されていない。内導体53は、第5導体51及び第6導体52よりも、Z軸負方向側に位置する。図1に示すように、内導体53は、略長方形状であってよい。 As shown in FIG. 2, the inner conductor 53 is located in the substrate 20. The inner conductor 53 is not connected to the fifth conductor 51 and the sixth conductor 52. The inner conductor 53 is located on the negative side of the Z axis with respect to the fifth conductor 51 and the sixth conductor 52. As shown in FIG. 1, the inner conductor 53 may have a substantially rectangular shape.

内導体53は、第5導体51と第6導体52とを容量的に接続するように、構成されている。例えば、Z方向において、内導体53は、第5導体51及び第6導体52から離れている。XY平面において、内導体53の一部は、第5導体51の一部に重なり得る。XY平面において、内導体53の他の一部は、第6導体52の一部に重なり得る。内導体53は、第5導体51の一部及び第6導体52の一部に重なることにより、第5導体51の一部及び第6導体52の一部に容量的に接続され得る。 The inner conductor 53 is configured to capacitively connect the fifth conductor 51 and the sixth conductor 52. For example, in the Z direction, the inner conductor 53 is separated from the fifth conductor 51 and the sixth conductor 52. In the XY plane, a portion of the inner conductor 53 may overlap a portion of the fifth conductor 51. In the XY plane, the other part of the inner conductor 53 may overlap the part of the sixth conductor 52. The inner conductor 53 can be capacitively connected to a part of the fifth conductor 51 and a part of the sixth conductor 52 by overlapping a part of the fifth conductor 51 and a part of the sixth conductor 52.

接続部54及び接続部55は、基体20の上面に位置する。接続部54は、基体20の上面のX軸負方向側に位置する。接続部55は、基体20の上面のX軸正方向側に位置する。接続部54の一部及び接続部55の一部は、基体20の中に位置してよい。 The connecting portion 54 and the connecting portion 55 are located on the upper surface of the substrate 20. The connecting portion 54 is located on the upper surface of the substrate 20 on the negative side of the X-axis. The connecting portion 55 is located on the X-axis positive direction side of the upper surface of the substrate 20. A part of the connecting part 54 and a part of the connecting part 55 may be located in the substrate 20.

接続部54は、第5導体51の端部51bに電気的に接続されるように、構成されている。接続部54は、第5導体51と一体化されてよい。接続部54のY方向における幅は、第5導体51のY方向における幅よりも、広くてよい。接続部54は、接続部54上に部分33が接することにより、及び、接続部54のX軸負方向側の端部に部分35が接することにより、接続部32に電気的に接続されるように構成されている。接続部54は、接続部54を第1接続導体31が貫通することにより、第1接続導体31に電気的に接続されるように、構成されている。 The connecting portion 54 is configured to be electrically connected to the end portion 51b of the fifth conductor 51. The connecting portion 54 may be integrated with the fifth conductor 51. The width of the connecting portion 54 in the Y direction may be wider than the width of the fifth conductor 51 in the Y direction. The connecting portion 54 is electrically connected to the connecting portion 32 by contacting the portion 33 on the connecting portion 54 and by contacting the portion 35 with the end portion of the connecting portion 54 on the negative direction side of the X axis. It is configured in. The connecting portion 54 is configured to be electrically connected to the first connecting conductor 31 by penetrating the connecting portion 54 through the first connecting conductor 31.

接続部55は、第6導体52の端部52bに電気的に接続されるように、構成されている。接続部55は、第6導体52と一体化されてよい。接続部55のY方向における幅は、第6導体52のY方向における幅よりも、広くてよい。接続部55は、接続部55上に部分43が接することにより、及び、接続部55のX軸正方向側の端部に部分45が接することにより、接続部42に電気的に接続されるように構成されている。接続部55は、接続部55を第2接続導体41が貫通することにより、第2接続導体41に電気的に接続されるように、構成されている。 The connecting portion 55 is configured to be electrically connected to the end portion 52b of the sixth conductor 52. The connecting portion 55 may be integrated with the sixth conductor 52. The width of the connecting portion 55 in the Y direction may be wider than the width of the sixth conductor 52 in the Y direction. The connecting portion 55 is electrically connected to the connecting portion 42 by contacting the portion 43 on the connecting portion 55 and by contacting the portion 45 with the end portion of the connecting portion 55 on the positive direction side of the X axis. It is configured in. The connecting portion 55 is configured so that the second connecting conductor 41 penetrates the connecting portion 55 to be electrically connected to the second connecting conductor 41.

接続部56及び接続部57は、基体20の内部に位置する。接続部56は、接続部54よりも、Z軸負方向側に位置する。接続部57は、接続部55よりも、Z軸負方向側に位置する。接続部56は、接続部56を第1接続導体31が貫通することにより、第1接続導体31に電気的に接続されるように、構成されている。接続部57は、接続部57を第2接続導体41が貫通することにより、第2接続導体41に電気的に接続されるように、構成されている。接続部56は、接続部56のX軸負方向側の端部に部分35が接することにより、接続部32に電気的に接続されるように、構成されている。接続部57は、接続部57のX軸正方向側の端部に部分45が接することにより、接続部42に電気的に接続されるように、構成されている。 The connecting portion 56 and the connecting portion 57 are located inside the substrate 20. The connecting portion 56 is located on the negative side of the Z axis with respect to the connecting portion 54. The connecting portion 57 is located on the negative side of the Z axis with respect to the connecting portion 55. The connecting portion 56 is configured to be electrically connected to the first connecting conductor 31 by penetrating the connecting portion 56 through the first connecting conductor 31. The connecting portion 57 is configured to be electrically connected to the second connecting conductor 41 by penetrating the connecting portion 57 through the second connecting conductor 41. The connecting portion 56 is configured to be electrically connected to the connecting portion 32 by contacting the portion 35 with the end portion of the connecting portion 56 on the negative direction side of the X axis. The connecting portion 57 is configured to be electrically connected to the connecting portion 42 by contacting the portion 45 with the end portion of the connecting portion 57 on the positive direction side of the X axis.

接続部54と接続部56とは、Z方向に沿って並ぶ。Z方向において接続部54と接続部56とが並ぶ間隔は、共振構造体10の共振周波数の波長の1/2以下であってよい。接続部55と接続部57とは、Z方向に沿って並ぶ。Z方向において接続部55と接続部57とが並ぶ間隔は、共振構造体10の共振周波数の波長の1/2以下であってよい。このような構成により、第1導体30及び第2導体40の各々から共振構造体10の外部へ、共振周波数を含む所定周波数帯の電磁波が漏れることが低減され得る。共振構造体10の外部へ所定周波数帯の電磁波が漏れることが低減されることにより、第1導体30及び第2導体40は、後述の電気壁として、より機能し得る。 The connecting portion 54 and the connecting portion 56 are arranged along the Z direction. The distance between the connecting portion 54 and the connecting portion 56 in the Z direction may be ½ or less of the wavelength of the resonance frequency of the resonance structure 10. The connecting portion 55 and the connecting portion 57 are arranged along the Z direction. The distance between the connecting portion 55 and the connecting portion 57 in the Z direction may be ½ or less of the wavelength of the resonance frequency of the resonance structure 10. With such a configuration, it is possible to reduce leakage of electromagnetic waves in a predetermined frequency band including the resonance frequency from each of the first conductor 30 and the second conductor 40 to the outside of the resonance structure 10. By reducing the leakage of electromagnetic waves in a predetermined frequency band to the outside of the resonance structure 10, the first conductor 30 and the second conductor 40 can more function as an electric wall described later.

第3導体50は、第1導体30と第2導体40とを容量的に接続するように、構成されている。例えば、第3導体50は、上述のように、接続部54及び接続部56によって、第1導体30に電気的に接続されるように、構成されている。第3導体50は、上述のように、接続部55及び接続部57によって、第2導体40に電気的に接続されるように、構成されている。接続部54,56に電気的に接続された第1導体30と、接続部55,57に電気的に接続された第2導体40とは、第5導体51と第6導体52とが容量的に接続されることにより、容量的に接続され得る。 The third conductor 50 is configured to capacitively connect the first conductor 30 and the second conductor 40. For example, the third conductor 50 is configured to be electrically connected to the first conductor 30 by the connecting portion 54 and the connecting portion 56 as described above. As described above, the third conductor 50 is configured to be electrically connected to the second conductor 40 by the connecting portion 55 and the connecting portion 57. The first conductor 30 electrically connected to the connecting portions 54 and 56 and the second conductor 40 electrically connected to the connecting portions 55 and 57 are capacitively composed of the fifth conductor 51 and the sixth conductor 52. By being connected to, it can be connected capacitively.

第4導体60は、X方向に沿っている。第4導体60は、X方向に沿って広がってよい。第4導体60は、XY平面に沿って広がってよい。第4導体60は、第3導体50から離れている。第4導体60は、Z方向において、第3導体50と対向してよい。第4導体60は、基体20の下面に位置してよい。第4導体60の一部は、基体20の中に位置してよい。第4導体60は、第3導体50の形状に応じた、任意の形状であってよい。第4導体60は、略長方形状であってよい。 The fourth conductor 60 is along the X direction. The fourth conductor 60 may extend along the X direction. The fourth conductor 60 may extend along the XY plane. The fourth conductor 60 is separated from the third conductor 50. The fourth conductor 60 may face the third conductor 50 in the Z direction. The fourth conductor 60 may be located on the lower surface of the substrate 20. A part of the fourth conductor 60 may be located in the substrate 20. The fourth conductor 60 may have any shape depending on the shape of the third conductor 50. The fourth conductor 60 may have a substantially rectangular shape.

第4導体60は、第1導体30及び第2導体40に電気的に接続されるように、構成されている。例えば、第4導体60は、第4導体60を第1接続導体31が貫通することにより、第1接続導体31に電気的に接続されるように構成されている。第4導体60は、第4導体のX軸負方向側の端部に部分35が接することにより、接続部32に電気的に接続されるように、構成されている。第4導体60は、第4導体60を第2接続導体41が貫通することにより、第2接続導体41に電気的に接続されるように、構成されている。第4導体60は、第4導体のX軸正方向側の端部に部分45が接することにより、接続部42に電気的に接続されるように、構成されている。 The fourth conductor 60 is configured to be electrically connected to the first conductor 30 and the second conductor 40. For example, the fourth conductor 60 is configured to be electrically connected to the first connecting conductor 31 by the first connecting conductor 31 penetrating the fourth conductor 60. The fourth conductor 60 is configured to be electrically connected to the connecting portion 32 by contacting the portion 35 with the end portion of the fourth conductor on the negative direction side of the X axis. The fourth conductor 60 is configured so that the second connecting conductor 41 penetrates the fourth conductor 60 and is electrically connected to the second connecting conductor 41. The fourth conductor 60 is configured to be electrically connected to the connecting portion 42 by contacting the portion 45 with the end portion of the fourth conductor on the positive direction side of the X axis.

第4導体60は、アンテナ1において基準となる電位を提供するように、構成されている。第4導体60は、アンテナ1を備える機器のグラウンドに電気的に接続されるように構成されていてよい。第4導体60のZ軸負方向側には、アンテナ1を備える機器の多様な部品が位置してよい。アンテナ1は、当該多様な部品が第4導体60のZ軸負方向側に位置しても、上述の人工磁気壁特性を有することにより、動作周波数での放射効率を維持し得る。 The fourth conductor 60 is configured to provide a reference potential in the antenna 1. The fourth conductor 60 may be configured to be electrically connected to the ground of the device including the antenna 1. Various components of the device including the antenna 1 may be located on the Z-axis negative direction side of the fourth conductor 60. The antenna 1 can maintain the radiation efficiency at the operating frequency by having the above-mentioned artificial magnetic wall characteristics even when the various parts are located on the Z-axis negative direction side of the fourth conductor 60.

給電線70は、第3導体50に電磁気的に接続されるように、構成されている。本開示において「電磁気的な接続」は、電気的な接続又は磁気的な接続であってよい。本実施形態では、給電線70の一端は、第3導体50の第6導体52に電気的に接続されるように、構成されている。給電線70の他端は、アンテナ1を備える機器のRF(Radio Frequency)モジュール等に電気的に接続されるように、構成されてよい。給電線70の一部は、基体20の上面に位置してよい。 The feeder line 70 is configured to be electromagnetically connected to the third conductor 50. In the present disclosure, the "electromagnetic connection" may be an electrical connection or a magnetic connection. In the present embodiment, one end of the feeder line 70 is configured to be electrically connected to the sixth conductor 52 of the third conductor 50. The other end of the feeder line 70 may be configured to be electrically connected to an RF (Radio Frequency) module or the like of a device including the antenna 1. A part of the feeder line 70 may be located on the upper surface of the substrate 20.

給電線70は、アンテナ1によって電磁波を放射する場合、アンテナ1を備える機器のRFモジュール等からの電力を、第3導体50に供給するように、構成されている。給電線70は、アンテナ1によって電磁波を受信する場合、第3導体50からの電力を、RFモジュール等に供給するように、構成されている。 When the electromagnetic wave is radiated by the antenna 1, the feeder line 70 is configured to supply the electric power from the RF module or the like of the device including the antenna 1 to the third conductor 50. The feeder line 70 is configured to supply the electric power from the third conductor 50 to the RF module or the like when the electromagnetic wave is received by the antenna 1.

共振構造体10が所定周波数で共振するとき、第1導体30、第2導体40、第3導体50及び第4導体60をループ状に流れるループ電流が生じ得る。当該ループ電流からは、第1導体30がX軸負方向側にてYZ平面に広がる電気壁として観え、第2導体40がX軸正方向側にてYZ平面に広がる電気壁として観える。また、当該ループ電流から観て、Y軸正方向側及びY軸負方向側には、導体等が位置していない。つまり当該ループ電流から観て、Y軸正方向側及びY軸負方向側は、電気的に開放されている。Y軸正方向側及びY軸負方向側が電気的に開放されていることにより、当該ループ電流からは、Y軸正方向側のXZ平面と、Y軸負方向側のXY平面とは、磁気壁として観える。当該ループ電流がこれら2つの電気壁及び2つの磁気壁によって囲まれることにより、アンテナ1は、Z軸正方向側から共振構造体10の上面に入射する所定周波数の電磁波に対して、人工磁気壁特性を示す。 When the resonance structure 10 resonates at a predetermined frequency, a loop current that flows in a loop through the first conductor 30, the second conductor 40, the third conductor 50, and the fourth conductor 60 can be generated. From the loop current, the first conductor 30 can be seen as an electric wall extending in the YZ plane on the negative direction side of the X axis, and the second conductor 40 can be seen as an electric wall spreading in the YZ plane on the positive direction side of the X axis. Further, when viewed from the loop current, no conductor or the like is located on the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side. That is, when viewed from the loop current, the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side are electrically open. Since the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side are electrically opened, the XZ plane on the Y-axis positive direction side and the XY plane on the Y-axis negative direction side are magnetic walls from the loop current. Can be seen as. By surrounding the loop current with these two electric walls and the two magnetic walls, the antenna 1 has an artificial magnetic wall with respect to an electromagnetic wave of a predetermined frequency incident on the upper surface of the resonance structure 10 from the positive direction side of the Z axis. Shows the characteristics.

図3は、本開示の一実施形態に係る共振構造体10の製造方法の製造工程を示すフローチャートである。 FIG. 3 is a flowchart showing a manufacturing process of the manufacturing method of the resonance structure 10 according to the embodiment of the present disclosure.

準備工程S10では、例えば図4及び図5に示すような積層基板100(基板)から、図6に示すような矩形基板200が準備される。 In the preparation step S10, for example, the rectangular substrate 200 as shown in FIG. 6 is prepared from the laminated substrate 100 (substrate) as shown in FIGS. 4 and 5.

図4に示すように、積層基板100には、複数のユニット110がX方向及びY方向に沿って格子状に並ぶ。ユニット110は、共振構造体10に対応する。図5に示すように、積層基板100は、第1層101と、第2層102と、第3層103と、第4層104と、第5層105とが積層されている。積層基板100は、第1層101〜第5層105を貼り合わせることにより、形成されてよい。積層基板100は、フレキシブル配線基板(FPC:Flexible Printed Circuit)として形成されてよい。 As shown in FIG. 4, a plurality of units 110 are arranged in a grid pattern along the X direction and the Y direction on the laminated substrate 100. The unit 110 corresponds to the resonant structure 10. As shown in FIG. 5, in the laminated substrate 100, the first layer 101, the second layer 102, the third layer 103, the fourth layer 104, and the fifth layer 105 are laminated. The laminated substrate 100 may be formed by laminating the first layer 101 to the fifth layer 105. The laminated substrate 100 may be formed as a flexible printed circuit board (FPC).

第1層101は、第4導体60に対応する導体層160を含む。第2層102は、基体20の一部に対応する誘電体層120を含む。第3層103は、内導体53に対応する導体層153と、接続部56に対応する導体層156と、接続部57に対応する導体層157と、基体20の一部に対応する誘電体層120を含む。第4層104は、基体20の一部に対応する誘電体層120を含む。第5層105は、第5導体51及び接続部54に対応する導体層151と、第6導体52及び接続部55に対応する導体層152とを含む。給電線70が配線層として形成される場合、第5層105は、給電線70に対応する配線層を含んでよい。給電線70は、共振構造体10が形成された後に、別途形成されてよい。 The first layer 101 includes a conductor layer 160 corresponding to the fourth conductor 60. The second layer 102 includes a dielectric layer 120 corresponding to a part of the substrate 20. The third layer 103 includes a conductor layer 153 corresponding to the inner conductor 53, a conductor layer 156 corresponding to the connecting portion 56, a conductor layer 157 corresponding to the connecting portion 57, and a dielectric layer corresponding to a part of the substrate 20. Includes 120. The fourth layer 104 includes a dielectric layer 120 corresponding to a part of the substrate 20. The fifth layer 105 includes a conductor layer 151 corresponding to the fifth conductor 51 and the connecting portion 54, and a conductor layer 152 corresponding to the sixth conductor 52 and the connecting portion 55. When the feeder 70 is formed as a wiring layer, the fifth layer 105 may include a wiring layer corresponding to the feeder 70. The feeder line 70 may be formed separately after the resonance structure 10 is formed.

積層基板100には、第1接続導体31に対応する位置に、第1貫通孔131が形成されてよい。積層基板100には、第2接続導体41に対応する位置に、第2貫通孔141が形成されてよい。 The first through hole 131 may be formed in the laminated substrate 100 at a position corresponding to the first connecting conductor 31. A second through hole 141 may be formed in the laminated substrate 100 at a position corresponding to the second connecting conductor 41.

積層基板100は、領域100a,100b,100c,100dを含んでよい。領域100a〜100dには、ユニット110が並べられなくてよい。領域100a〜100dには、積層基板100を切断する際に用いられるアライメント用のマークが付されていてよい。領域100aは、積層基板100のX軸負方向側の端部に位置する。領域100bは、積層基板100のX軸正方向側の端部に位置する。領域100a,100bは、Y方向に沿う。領域100cは、積層基板100のY軸負方向側の端部である。領域100dは、積層基板100のY軸正方向側の端部である。領域100c,100dは、X方向に沿う。 The laminated substrate 100 may include regions 100a, 100b, 100c, 100d. Units 110 do not have to be arranged in the regions 100a to 100d. The regions 100a to 100d may be marked with an alignment mark used when cutting the laminated substrate 100. The region 100a is located at the end of the laminated substrate 100 on the negative direction side of the X axis. The region 100b is located at the end of the laminated substrate 100 on the positive direction side of the X axis. The regions 100a and 100b are along the Y direction. The region 100c is an end portion of the laminated substrate 100 on the negative direction side of the Y axis. The region 100d is an end portion of the laminated substrate 100 on the positive direction side of the Y axis. The regions 100c and 100d are along the X direction.

積層基板100は、線106,107,108を含む。線106は、X方向において隣り合うユニット110を区画する線である。線106は、Y方向に沿う。線107は、隣り合う領域100aと、X方向において領域100aと隣り合うユニット110とを区画する線である。線107は、Y方向に沿う。線108は、領域100bと、X方向において領域100bと隣り合うユニット110とを区画する線である。線108は、Y方向に沿う。線106,107,108の幅は、後述の積層基板100を切断する際の切り代を考慮した幅であってよい。 The laminated substrate 100 includes lines 106, 107, 108. The line 106 is a line that separates adjacent units 110 in the X direction. The line 106 is along the Y direction. The line 107 is a line that separates the adjacent region 100a and the unit 110 adjacent to the region 100a in the X direction. The line 107 is along the Y direction. The line 108 is a line that separates the region 100b from the unit 110 adjacent to the region 100b in the X direction. Line 108 is along the Y direction. The widths of the lines 106, 107, and 108 may be a width in consideration of a cutting allowance when cutting the laminated substrate 100, which will be described later.

準備工程S10では、Y方向に沿って、例えば線106,107,108に沿って、積層基板100を切断することにより、図6に示すような矩形基板200が準備されてよい。例えば、準備工程S10では、領域100a〜100dに付されているマークを基準にして、積層基板100が切断されてよい。積層基板100の切断には、型抜き及び/又はレーザカットにより、実施されてよい。ただし、準備工程S10において、矩形基板200を準備する方法は、積層基板100を切断することに限定されない。第1層101と、第2層102と、第3層103と、第4層104と、第5層105とが積層されている矩形基板200が準備できれば、任意の方法で、矩形基板200は、準備されてよい。 In the preparation step S10, the rectangular substrate 200 as shown in FIG. 6 may be prepared by cutting the laminated substrate 100 along the Y direction, for example, along the lines 106, 107, 108. For example, in the preparation step S10, the laminated substrate 100 may be cut with reference to the marks attached to the regions 100a to 100d. Cutting of the laminated substrate 100 may be carried out by die cutting and / or laser cutting. However, in the preparation step S10, the method of preparing the rectangular substrate 200 is not limited to cutting the laminated substrate 100. If the rectangular substrate 200 on which the first layer 101, the second layer 102, the third layer 103, the fourth layer 104, and the fifth layer 105 are laminated can be prepared, the rectangular substrate 200 can be formed by any method. , May be prepared.

矩形基板200には、複数のユニット110がY方向に沿って並ぶ。矩形基板200には、複数のユニット110がY方向に沿って接続されている。矩形基板200は、領域200cと、領域200dとを含む。領域200cは、積層基板100の領域100cの一部である。領域200dは、積層基板100の領域100dの一部である。領域200a,200dには、矩形基板200を切断する際に用いられるアライメント用のマークが付されていてよい。 A plurality of units 110 are arranged along the Y direction on the rectangular substrate 200. A plurality of units 110 are connected to the rectangular substrate 200 along the Y direction. The rectangular substrate 200 includes a region 200c and a region 200d. The region 200c is a part of the region 100c of the laminated substrate 100. The region 200d is a part of the region 100d of the laminated substrate 100. The regions 200a and 200d may be marked for alignment, which is used when cutting the rectangular substrate 200.

形成工程S11では、溶融めっき法により、矩形基板200のX方向における2つの端部に、図7に示すような、第1導体30に対応する導体230と、第2導体40に対応する導体240が形成される。図7及び後述の図8においては、説明の便宜上、導体230及び導体240にドットが施されている。溶融めっき法において、図6に示すような、第1領域201及び第2領域202の各々が溶融金属中に浸漬されてよい。 In the forming step S11, a conductor 230 corresponding to the first conductor 30 and a conductor 240 corresponding to the second conductor 40, as shown in FIG. 7, are formed at two ends of the rectangular substrate 200 in the X direction by a hot-dip plating method. Is formed. In FIG. 7 and FIG. 8 described later, dots are provided on the conductor 230 and the conductor 240 for convenience of explanation. In the hot-dip plating method, each of the first region 201 and the second region 202 may be immersed in the molten metal as shown in FIG.

第1領域201は、矩形基板200のX軸負方向側の領域である。第1領域201は、第1導体30に対応する領域を含む。第1領域201は、領域200c,200dのX軸負方向側の端部を含む。第1領域201内には、第1貫通孔131が位置する。第1領域201は、図1に示すような第5導体51の端部51bから離れるように、設定されてよい。第1領域201のX方向における長さBは、図1を参照した上述したような長さAよりも、短くてよい。 The first region 201 is a region on the negative side of the X-axis of the rectangular substrate 200. The first region 201 includes a region corresponding to the first conductor 30. The first region 201 includes the ends of the regions 200c and 200d on the negative side of the X-axis. The first through hole 131 is located in the first region 201. The first region 201 may be set so as to be away from the end portion 51b of the fifth conductor 51 as shown in FIG. The length B of the first region 201 in the X direction may be shorter than the length A as described above with reference to FIG.

第2領域202は、矩形基板200のX軸正方向側の領域である。第2領域202は、第2導体40に対応する領域を含む。第2領域202は、領域200c,200dのX軸正方向側の端部を含む。第2領域202内には、第2貫通孔141が位置する。第2領域202は、図1に示すような第6導体52の端部52bから離れるように、設定されてよい。第2領域202のX方向における長さCは、第1領域201のX方向における長さBと同じであってよいし、異なってよい。長さCは、図1を参照した上述したような長さAよりも、短くてよい。 The second region 202 is a region on the positive direction side of the X-axis of the rectangular substrate 200. The second region 202 includes a region corresponding to the second conductor 40. The second region 202 includes the ends of the regions 200c and 200d on the positive direction side of the X axis. The second through hole 141 is located in the second region 202. The second region 202 may be set away from the end 52b of the sixth conductor 52 as shown in FIG. The length C of the second region 202 in the X direction may be the same as or different from the length B of the first region 201 in the X direction. The length C may be shorter than the length A as described above with reference to FIG.

第1領域201が溶融金属中に浸漬されることにより、第1領域201の表面には溶融金属が付着し得る。第1領域201が溶融金属中に浸漬されることにより、第1領域201内に位置する第1貫通孔131に、溶融金属が充填され得る。第1領域201の表面に付着した溶融金属及び第1貫通孔131に充填された溶融金属は、硬化される。当該溶融金属が硬化されることにより、導体230が形成され得る。 By immersing the first region 201 in the molten metal, the molten metal can adhere to the surface of the first region 201. By immersing the first region 201 in the molten metal, the molten metal can be filled in the first through hole 131 located in the first region 201. The molten metal adhering to the surface of the first region 201 and the molten metal filled in the first through hole 131 are cured. The conductor 230 can be formed by curing the molten metal.

第2領域202が溶融金属中に浸漬されることにより、第2領域202の表面には、溶融金属が付着し得る。第2領域202が溶融金属中に浸漬されることにより、第2領域202内に位置する第2貫通孔141に、溶融金属が充填され得る。第2領域202の表面に付着した溶融金属及び第2貫通孔141に充填された溶融金属は、硬化される。当該溶融金属が硬化されることにより、導体240が形成され得る。 By immersing the second region 202 in the molten metal, the molten metal can adhere to the surface of the second region 202. By immersing the second region 202 in the molten metal, the molten metal can be filled in the second through hole 141 located in the second region 202. The molten metal adhering to the surface of the second region 202 and the molten metal filled in the second through hole 141 are cured. The conductor 240 can be formed by curing the molten metal.

溶融金属中に第1領域201を浸漬させることにより、第1領域201の表面に溶融金属を付着させる際、第1領域201を超えてユニット110のX軸正方向側にも、溶融金属が付着する場合がある。第1領域201と類似に、第2領域202の表面に溶融金属を付着させる際、第2領域202を超えてユニット110のX軸負方向側にも、溶融金属が付着する場合がある。 When the molten metal is attached to the surface of the first region 201 by immersing the first region 201 in the molten metal, the molten metal also adheres to the X-axis positive direction side of the unit 110 beyond the first region 201. May be done. Similar to the first region 201, when the molten metal is adhered to the surface of the second region 202, the molten metal may be adhered to the X-axis negative direction side of the unit 110 beyond the second region 202.

ここで、図1を参照して上述したように、アンテナ1の動作周波数は、第5導体51及び第6導体52の構造に応じて、変化し得る。上述のように、第1領域201は、図1に示すような第5導体51の端部51bから離れるように設定されてよい。第5導体51の端部51bが第1領域201から離れていることにより、第1領域201を超えてユニット110のX軸正方向側に溶融金属が付着しても、当該溶融金属が第5導体51にまで付着する可能性が低減され得る。上述のように、第2領域202は、図1に示すような第6導体52の端部52bから離れるように、設定されてよい。第6導体52の端部52bが第2領域202から離れていることにより、第2領域202を超えてユニット110のX軸負方向側に溶融金属が付着しても、当該溶融金属が第6導体52にまで付着する可能性が低減され得る。第5導体51及び第6導体52に溶融金属が付着する可能性が低減することにより、第5導体51及び第6導体52の構造が設計値から変化する可能性が低減され得る。第5導体51及び第6導体52の構造が設計値から変化する可能性が低減されることにより、アンテナ1の動作周波数が設計値からずれる可能性が低減され得る。 Here, as described above with reference to FIG. 1, the operating frequency of the antenna 1 may change depending on the structures of the fifth conductor 51 and the sixth conductor 52. As described above, the first region 201 may be set away from the end 51b of the fifth conductor 51 as shown in FIG. Since the end portion 51b of the fifth conductor 51 is separated from the first region 201, even if the molten metal adheres to the X-axis positive direction side of the unit 110 beyond the first region 201, the molten metal is the fifth. The possibility of adhering to the conductor 51 can be reduced. As described above, the second region 202 may be set away from the end 52b of the sixth conductor 52 as shown in FIG. Since the end portion 52b of the sixth conductor 52 is separated from the second region 202, even if the molten metal adheres to the negative side of the X-axis of the unit 110 beyond the second region 202, the molten metal remains in the sixth region 202. The possibility of adhering to the conductor 52 can be reduced. By reducing the possibility of molten metal adhering to the fifth conductor 51 and the sixth conductor 52, the possibility that the structures of the fifth conductor 51 and the sixth conductor 52 change from the design values can be reduced. By reducing the possibility that the structures of the fifth conductor 51 and the sixth conductor 52 change from the design value, the possibility that the operating frequency of the antenna 1 deviates from the design value can be reduced.

図1を参照して上述したように、第5導体51の端部51bから第6導体52の端部52bまでの長さAは、第1領域201のX方向における長さB、及び、第2領域202のX方向における長さCよりも、長くてよい。長さAが長いことにより、第5導体51及び第6導体52に溶融金属が付着しても、第5導体51及び第6導体62のX方向における長さの設計値からの変化が低減され得る。第5導体51及び第6導体62のX方向における長さの設計値からの変化が低減されることにより、アンテナ1の動作周波数の設計値からのずれ量が低減され得る。 As described above with reference to FIG. 1, the length A from the end portion 51b of the fifth conductor 51 to the end portion 52b of the sixth conductor 52 is the length B of the first region 201 in the X direction and the first It may be longer than the length C of the two regions 202 in the X direction. Due to the long length A, even if molten metal adheres to the 5th conductor 51 and the 6th conductor 52, the change in the length of the 5th conductor 51 and the 6th conductor 62 in the X direction from the design value is reduced. obtain. By reducing the change from the design value of the lengths of the fifth conductor 51 and the sixth conductor 62 in the X direction, the amount of deviation of the operating frequency of the antenna 1 from the design value can be reduced.

切断工程S12では、図7に示すような導体230及び導体240が形成された矩形基板300が、X方向に沿って、例えば線301,302,303に沿って、切断される。例えば、切断工程S12では、領域200a,200dに付されているマークを基準にして、矩形基板300が切断されてよい。矩形基板300の切断は、型抜き及び/又はレーザカットにより、実施されてよい。線301は、Y方向において隣り合うユニット110を区画する線である。線301は、X方向に沿う。線302は、領域200cと、Y方向において領域200cと隣り合うユニット110とを区画する線である。線302は、X方向に沿う。線303は、領域200dと、Y方向において領域200dと隣り合うユニット110とを区画する線である。線303は、X方向に沿う。線301,302,303の幅は、矩形基板300を切断する際の切り代を考慮した幅であってよい。 In the cutting step S12, the rectangular substrate 300 on which the conductor 230 and the conductor 240 as shown in FIG. 7 are formed is cut along the X direction, for example, along the lines 301, 302, and 303. For example, in the cutting step S12, the rectangular substrate 300 may be cut with reference to the marks attached to the regions 200a and 200d. Cutting of the rectangular substrate 300 may be performed by die cutting and / or laser cutting. The line 301 is a line that divides adjacent units 110 in the Y direction. Line 301 is along the X direction. The line 302 is a line that separates the area 200c from the unit 110 adjacent to the area 200c in the Y direction. The line 302 is along the X direction. The line 303 is a line that separates the area 200d and the unit 110 adjacent to the area 200d in the Y direction. The line 303 is along the X direction. The width of the lines 301, 302, and 303 may be a width in consideration of a cutting allowance when cutting the rectangular substrate 300.

形成工程S11で導体230及び導体240を形成した後に、切断工程S12が実行されることにより、共振構造体10のY軸正方向側の面及びY軸負方向側の面に、金属が付着することが低減され得る。共振構造体10のY軸正方向側の面及びY軸負方向側の面に金属が付着することが低減されることにより、共振構造体10のY軸正方向側のXZ平面と、Y軸負方向側のXY平面とは、磁気壁としてより機能し得る。 After forming the conductor 230 and the conductor 240 in the forming step S11, the cutting step S12 is executed, so that the metal adheres to the Y-axis positive direction surface and the Y-axis negative direction side surface of the resonance structure 10. Can be reduced. By reducing the adhesion of metal to the Y-axis positive direction surface and the Y-axis negative direction side surface of the resonance structure 10, the XZ plane on the Y-axis positive direction side of the resonance structure 10 and the Y-axis The negative XY plane can better function as a magnetic wall.

このように本実施形態によれば、新たな共振構造体10の製造方法が提供され得る。 As described above, according to the present embodiment, a new method for manufacturing the resonance structure 10 can be provided.

本開示に係る構成は、以上説明してきた実施形態にのみ限定されるものではなく、幾多の変形又は変更が可能である。例えば、各構成部等に含まれる機能等は論理的に矛盾しないように再配置可能であり、複数の構成部等を1つに組み合わせたり、或いは、分割したりすることが可能である。 The configuration according to the present disclosure is not limited to the embodiments described above, and can be modified or modified in many ways. For example, the functions and the like included in each component and the like can be rearranged so as not to be logically inconsistent, and a plurality of components and the like can be combined or divided into one.

本開示に係る構成を説明する図は、模式的なものである。図面上の寸法比率等は、現実のものと必ずしも一致しない。 The figure illustrating the configuration according to the present disclosure is schematic. The dimensional ratios on the drawings do not always match the actual ones.

本開示において「第1」、「第2」、「第3」等の記載は、当該構成を区別するための識別子の一例である。本開示における「第1」及び「第2」等の記載で区別された構成は、当該構成における番号を交換することができる。例えば、第1導体は、第2導体と識別子である「第1」と「第2」とを交換することができる。識別子の交換は同時に行われる。識別子の交換後も当該構成は区別される。識別子は削除してよい。識別子を削除した構成は、符号で区別される。本開示における「第1」及び「第2」等の識別子の記載のみに基づいて、当該構成の順序の解釈、小さい番号の識別子が存在することの根拠、及び、大きい番号の識別子が存在することの根拠に利用してはならない。 In the present disclosure, the description of "first", "second", "third" and the like is an example of an identifier for distinguishing the configuration. The configurations distinguished by the descriptions such as "first" and "second" in the present disclosure can exchange numbers in the configurations. For example, the first conductor can exchange the identifiers "first" and "second" with the second conductor. The exchange of identifiers takes place at the same time. Even after exchanging identifiers, the configuration is distinguished. The identifier may be deleted. The configuration with the identifier removed is distinguished by a code. Based only on the description of identifiers such as "first" and "second" in the present disclosure, the interpretation of the order of the configurations, the grounds for the existence of the lower number identifier, and the existence of the higher number identifier. It should not be used as a basis for.

1 アンテナ
10 共振構造体
20 基体
30 第1導体
31 第1接続導体
32 接続部
33,34,35 部分
40 第2導体
41 第2接続導体
42 接続部
43,44,45 部分
50 第3導体
51 第5導体
51a,51b 端部
52 第6導体
52a,52b 端部
53 導体
54,55,56,57 接続部
60 第4導体
70 給電線
100 積層基板(基板)
100a,100b,100c,100d 領域
101 第1層
102 第2層
103 第3層
104 第4層
105 第5層
106,107,108, 線
110 ユニット
120 誘電体層
131 第1貫通孔
141 第2貫通孔
151,152,153,156,157,160, 導体層
200 矩形基板
200c,200d 領域
201 第1領域
202 第2領域
230,240 導体
300 矩形基板
301,302,303 線
1 Antenna 10 Resonant structure 20 Base 30 First conductor 31 First connecting conductor 32 Connection part 33, 34, 35 Part 40 Second conductor 41 Second connecting conductor 42 Connection part 43, 44, 45 Part 50 Third conductor 51 No. 5 Conductor 51a, 51b End 52 6th Conductor 52a, 52b End 53 Conductor 54, 55, 56, 57 Connection 60 4th Conductor 70 Feeding Line 100 Laminated Substrate (Substrate)
100a, 100b, 100c, 100d region 101 1st layer 102 2nd layer 103 3rd layer 104 4th layer 105 5th layer 106, 107, 108, wire 110 Unit 120 Dielectric layer 131 1st through hole 141 2nd through Holes 151,152,153,156,157,160, Conductor layer 200 Rectangular substrate 200c, 200d Region 201 1st region 202 2nd region 230,240 Conductor 300 Rectangular substrate 301, 302, 303 Lines

Claims (7)

共振構造体の製造方法であって、
前記共振構造体は、
第1導体と、
第1方向において前記第1導体と対向する第2導体と、
前記第1方向に沿って広がり、前記第1導体と前記第2導体との間に位置し、前記第1導体と前記第2導体とを容量的に接続するように構成されている第3導体と、
前記第1方向に沿って広がり、前記第1導体及び前記第2導体に電気的に接続されている第4導体と、を含み、
前記共振構造体の製造方法は、
前記共振構造体に対応する複数のユニットが前記第1方向と交わる第2方向に並ぶ矩形基板を準備することと、
溶融めっき法により、前記矩形基板の第1方向における2つの端部に、前記第1導体に対応する導体及び前記第2導体に対応する導体を形成することと、
前記矩形基板において、前記第2方向において隣り合う前記複数のユニットを前記第1方向に沿って切断することと、を含む、共振構造体の製造方法。
It is a method of manufacturing a resonance structure.
The resonance structure is
With the first conductor
A second conductor facing the first conductor in the first direction,
A third conductor that extends along the first direction, is located between the first conductor and the second conductor, and is configured to capacitively connect the first conductor and the second conductor. When,
Includes a fourth conductor that extends along the first direction and is electrically connected to the first conductor and the second conductor.
The method for manufacturing the resonance structure is as follows.
To prepare a rectangular substrate in which a plurality of units corresponding to the resonance structure are arranged in a second direction intersecting with the first direction.
By the hot-dip plating method, a conductor corresponding to the first conductor and a conductor corresponding to the second conductor are formed at two ends of the rectangular substrate in the first direction.
A method for manufacturing a resonance structure, comprising cutting the plurality of units adjacent to each other in the second direction along the first direction in the rectangular substrate.
請求項1に記載の共振構造体の製造方法であって、
前記第1導体は、前記第1方向及び前記第2方向を含む第1平面に交わる第3方向に沿って延び、前記第3導体と前記第4導体とを電気的に接続している1又は複数の第1接続導体を含み、
前記第2導体は、前記第3方向に沿って延び、前記第3導体と前記第4導体とを電気的に接続している1又は複数の第2接続導体を含み、
前記矩形基板を準備することは、
前記ユニットの前記1又は複数の第1接続導体に対応する位置に1又は複数の第1貫通孔を形成すること、及び、
前記ユニットの前記1又は複数の第2接続導体に対応する位置に1又は複数の第2貫通孔を形成すること、を含み、
前記導体を形成することは、前記溶融めっき法により、前記1又は複数の第1貫通孔に前記1又は複数の第1接続導体を形成すること、及び、前記1又は複数の第2貫通孔に前記1又は複数の第2接続導体を形成することを含む、共振構造体の製造方法。
The method for manufacturing a resonant structure according to claim 1.
The first conductor extends along a third direction intersecting a first plane including the first direction and the second direction, and electrically connects the third conductor and the fourth conductor 1 or Includes multiple first connecting conductors
The second conductor includes one or more second connecting conductors extending along the third direction and electrically connecting the third conductor and the fourth conductor.
Preparing the rectangular substrate
Forming one or more first through holes at positions corresponding to the one or more first connecting conductors of the unit, and
Including forming one or more second through holes at positions corresponding to the one or more second connecting conductors of the unit.
To form the conductor, the one or more first through holes are formed in the one or more first through holes by the hot-dip plating method, and the one or more second through holes are formed. A method for manufacturing a resonant structure, which comprises forming the one or more second connecting conductors.
請求項2に記載の共振構造体の製造方法であって、
前記1又は複数の第1接続導体は、前記第2方向に並ぶ複数の前記第1接続導体であり、
前記1又は複数の第2接続導体は、前記第2方向に並ぶ複数の前記第2接続導体であり、
前記第3導体は、前記第1方向において互いに対向する第5導体及び第6導体を含み、
前記第5導体の前記第2方向における幅は、前記複数の第1接続導体の前記第2方向における両端の間隔よりも狭く、
前記第6導体の前記第2方向における幅は、前記複数の第2接続導体の前記第2方向における両端の間隔よりも狭い、共振構造体の製造方法。
The method for manufacturing a resonant structure according to claim 2.
The one or a plurality of first connecting conductors are a plurality of the first connecting conductors arranged in the second direction.
The one or a plurality of second connecting conductors are a plurality of the second connecting conductors arranged in the second direction.
The third conductor includes a fifth conductor and a sixth conductor facing each other in the first direction.
The width of the fifth conductor in the second direction is narrower than the distance between both ends of the plurality of first connecting conductors in the second direction.
A method for manufacturing a resonance structure, wherein the width of the sixth conductor in the second direction is narrower than the distance between both ends of the plurality of second connecting conductors in the second direction.
請求項3に記載の共振構造体の製造方法であって、
前記導体を形成することは、前記第1導体の位置に対応する第1領域、及び、前記第2導体の位置に対応する第2領域を、溶融金属中に浸漬させることを含み、
前記第1領域は、前記第5導体の前記第1導体側の端部を含むように設定され、
前記第2領域は、前記第6導体の前記第2導体側の端部を含むように設定される、共振構造体の製造方法。
The method for manufacturing a resonant structure according to claim 3.
Forming the conductor includes immersing a first region corresponding to the position of the first conductor and a second region corresponding to the position of the second conductor in the molten metal.
The first region is set to include the end of the fifth conductor on the first conductor side.
A method for manufacturing a resonance structure, wherein the second region is set to include an end portion of the sixth conductor on the second conductor side.
請求項4に記載の共振構造体の製造方法であって、
前記第5導体の前記第1導体側の端部から前記第6導体の前記第2導体側の端部までの長さは、前記第1領域の前記第1方向における長さ、及び、前記第2領域の前記第1方向における長さの各々よりも長い、共振構造体の製造方法。
The method for manufacturing a resonant structure according to claim 4.
The length from the end of the fifth conductor on the first conductor side to the end of the sixth conductor on the second conductor side is the length of the first region in the first direction and the first. A method for manufacturing a resonant structure, which is longer than each of the lengths of the two regions in the first direction.
請求項1から5までの何れか一項に記載の共振構造体の製造方法であって、
前記矩形基板を準備することは、
前記複数のユニットが前記第1方向に沿って接続されている基板を準備すること、
前記基板を前記第2方向に沿って切断することにより、前記矩形基板を準備することと、を含む、共振構造体の製造方法。
The method for manufacturing a resonant structure according to any one of claims 1 to 5.
Preparing the rectangular substrate
Preparing a substrate to which the plurality of units are connected along the first direction.
A method for manufacturing a resonant structure, comprising preparing the rectangular substrate by cutting the substrate along the second direction.
請求項1から6までの何れか一項に記載の共振構造体の製造方法であって、
前記矩形基板は、前記第3導体に対応する導体層と前記第4導体に対応する導体層とが誘電体層を介して積層されている、共振構造体の製造方法。
The method for manufacturing a resonant structure according to any one of claims 1 to 6.
The rectangular substrate is a method for manufacturing a resonance structure in which a conductor layer corresponding to the third conductor and a conductor layer corresponding to the fourth conductor are laminated via a dielectric layer.
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