JP2021106241A - 光スポット像照射装置および転写装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光線を分割し、被照射面上に、均一なパワーを有する光スポットからなる光スポット像を照射する光スポット像照射装置、およびそれを用いたチップ転写装置を提供する。【解決手段】被照射面Ｓ上に複数の光スポットよりなる光スポット像２を照射する光スポット像照射装置１であって、レーザー光源１１と、レーザー光源１１から出射されたレーザー光Ｂを複数の光線に分割する位相回折素子１３と、前記複数の光線を個別に反射させる複数のミラー１８１を有するマルチミラーユニット１８と、を少なくとも備え、複数のミラー１８１は個別に角度の切替が可能である。【選択図】図２

Description

本発明は、単一の光源から出射された光線を複数の光線に分割し、当該複数の光線に依る、複数の光スポットからなる光スポット像を被照射面上に照射する、光スポット像照射装置に関する。

さらに本発明は、当該光スポット像を用いて平面上基材に載置されたチップを、被転写面上に転写するチップ転写装置に関する。

近年、半導体チップはコスト低減のために小型化され、この小型化した半導体チップを高精度に実装するための取組みが行われている。特に、ディスプレイに用いられるＬＥＤはマイクロＬＥＤと呼ばれる５０ｕｍ×５０ｕｍ以下の半導体チップを数ｕｍの精度で高速に実装することが求められている。

この微小な半導体チップを高速で実装するにあたり、キャリア基板に接合された半導体チップのキャリア基板との接合面へレーザーを照射することによって半導体チップをキャリア基板から剥離、付勢させて被転写基板へと転写する、いわゆるレーザーリフトオフなる手法が採用されている。ただし、このレーザーリフトオフにも高速化が求められており、たとえば１回のレーザーの照射により複数の半導体チップを同時に転写されることができれば、レーザーリフトオフの高速化に寄与できる。

複数の半導体チップを同時に転写する方法として、ライン状のレーザーをキャリア基板に照射して、キャリア基板上で列をなす半導体チップを同時に剥離させる手法、１つのレーザー光源から出射されたレーザー光を分岐させて複数の半導体チップの接合面に同時に照射し、キャリア基板から剥離させる手法、などが考えられる。このうち、１つのレーザー光源から出射されたレーザー光を分岐させる技術として、特許文献１には、ＲＦパワーを印加された音響光学素子へ単一のレーザービームを入射させることによってラマンナス回折によりレーザービームを複数のビームに分岐させ、集光レンズを透過させて被加工物表面に照射することによりライン状の加工を行うレーザー加工装置が示されている。

特開２００９−２４８１７３号公報

しかしながら、特許文献１のレーザー加工装置では、複数のビームのパワーに差が生じ、チップの転写が不安定になるおそれがあった。具体的には、音響光学素子により回折する光の強度はベッセル関数に従うため、ゼロ次光のパワーが最も強く、大きく回折する光であるほどパワーが弱くなるため、分岐される複数のビームのパワーに差が生じるといった問題があった。

本願発明は、上記問題点を鑑み、光線を分割し、被照射面上に、均一なパワーを有する光スポットからなる光スポット像を照射する光スポット像照射装置、およびそれを用いたチップ転写装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために本発明の光スポット像照射装置は、被照射面上に複数の光スポットよりなる光スポット像を照射する光スポット像照射装置であって、レーザー光源と、該レーザー光源から出射されたレーザー光を複数の光線に分割する位相回折素子と、前記複数の光線を個別に反射させる複数のミラーを有するマルチミラーユニットと、を少なくとも備え、複数の前記ミラーは個別に角度の切替が可能であることを特長としている。

この光スポット像照射装置により、光線を分岐させ、被照射面の面内方向の任意の複数の位置に均一なパワーの光スポット像を照射することができる。具体的には、位相回折格子によって１本の光線を複数の光線に分岐させることによりそれぞれの光線のパワーが均等な光スポット像を形成することができ、また、ミラーの角度を個別に切替が可能なマルチミラーユニットを有していることにより、一部の光スポット像を選択的に被照射面へ照射させないようにすることができる。

また、前記位相回折素子は、前記レーザー光をそのレーザー光の進行方向に相対して見たときに、規則的に配列された複数の光線に分割するものであっても良い。

こうすることにより、被照射面上に容易にマトリクス状の光スポット像を形成することができる。

また、前記位相回折素子と前記被照射面との間に、可変焦点光学系がさらに設けられていても良い。

こうすることにより、位相回折格子により分割された複数の光線による、被照射面上におけるスポット像のピッチを任意に変更することができる。

また、前記複数の光線による前記光スポット像を前記被照射面の面内方向にシフトさせる光スポット像シフト手段をさらに有すると良い。

こうすることにより、複数配列されている被照射物へ連続して光スポット像を照射することができる。

また、前記可変焦点光学系と前記被照射面の間に、前記可変焦点光学系による結像を、前記被照射面上に結像する結像光学系をさらに有し、前記結像光学系中に、前記光スポット像シフト手段たるガルバノミラー光学系が存していても良い。

こうすることにより、光スポット像のシフト方向のシフトピッチを任意に調節することができる。

また、前記光スポット像シフト手段として、前記被照射面そのものを移動させる移動ステージを有していても良い。

こうすることにより、光スポット像のシフト方向のシフトピッチを任意に調節することができる。

また、上記課題を解決するために本発明の転写装置は、平面基材上にマトリクス状に配列された複数のチップ群のうち、任意の位置にあるチップに対し、請求項１乃至６のいずれかに記載の光スポット像照射装置により生成された光スポット像を照射することにより、当該チップを被転写面へ転写させることを特長としている。

この転写装置により、光線を分岐させ、被照射面の面内方向の任意の複数の位置に均一なパワーの光スポット像を照射することができる。具体的には、位相回折格子によって１本の光線を複数の光線に分岐させることによりそれぞれの光線のパワーが均等な光スポット像を形成することができ、また、ミラーの角度を個別に切替が可能なマルチミラーユニットを有していることにより、一部の光スポット像を選択的に被照射面へ照射させないようにすることができる。

本発明の光スポット像照射装置および転写装置により、光線を分割し、被照射面上に、均一なパワーを有する光スポットからなる光スポット像を照射することができる。

本発明の一実施形態における光スポット像照射装置を説明する図である。 本実施形態の光スポット像照射装置におけるマルチミラーユニットを説明する図である。 本実施形態の光スポット像照射装置により被照射面に光スポット像が順次照射される過程を説明する図である。 本実施形態の光スポット像照射装置におけるマルチミラーユニットを説明する図である。 本発明の光スポット像照射装置を用いたチップ転写装置によりチップが順次転写される過程を説明する図である。 本発明の光スポット像照射装置を用いたチップ転写装置がリペア用途に用いられた状態を示す図である。 本発明の他の実施形態における光スポット像照射装置を説明する図である。

本発明の一実施形態における光スポット像照射装置について、図１を参照して説明する。図１（ａ）は光スポット像照射装置１の側面図であり、図１（ｂ）は、光スポット像照射装置１の上面図である。

本実施形態の光線装置１は、光線を分岐させ、被照射面の面内方向の任意の複数の位置に光スポットよりなる光スポット像を照射するものであり、レーザー光源１１、ビームエキスパンダー１２、位相回折素子１３、結像レンズ１４、マルチミラーユニット１８、ミラー１９、コリメートレンズ１５、ガルバノミラー１６、およびＦθレンズ１７を有しており、レーザー光源１１から出射されたレーザー光Ｂはビームエキスパンダー１２、位相回折素子１３、結像レンズ１４、マルチミラーユニット１８、ミラー１９、コリメートレンズ１５、ガルバノミラー１６、Ｆθレンズ１７の順に経由して被照射面Ｓへと到達する。この間に、位相回折素子１３によって１本のレーザー光Ｂは複数の光線である光線束Ｂ１へと分岐される。また、結像レンズ１４とコリメートレンズ１５との間に設けられた、光線束Ｂ１の一部を遮断可能であるマルチミラーユニット１８によって光線束Ｂ２へと調節された状態で被照射面Ｓへと到達する。

なお、本説明では、鉛直方向をＺ軸方向、水平方向においてレーザー光源１１から光線が出射される方向をＸ軸方向、水平方向においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向と呼ぶ。

レーザー光源１１は、１本のレーザー光Ｂを出射する装置であり、本実施形態ではＹＡＧレーザー、可視光レーザーなどのレーザー光を出射する。

ビームエキスパンダー１２は、レーザー光源１１から出射されたレーザー光Ｂの径を拡張するためのレンズの組合わせであり、位相回折素子１３による分岐に適した径のレーザー光Ｂを位相回折素子１３に入射させるために、ビームエキスパンダー１２がレーザー光Ｂの径を調節する。

位相回折素子（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎｔ：ＤＯＥ）１３は、格子周期の異なる複数の回折格子が組合わされることにより構成され、光の回折現象を利用してレーザー光Ｂの形状を任意の形状に変換するものである。本実施形態で用いられる位相回折素子１３は、１本のレーザー光Ｂを所定方向（Ｘ軸方向からレーザー光Ｂが入射した場合、Ｚ軸方向）に等ピッチで１列に配列された複数本の光線からなる光線束Ｂ１に変換する。ここで、上記の構成を有する位相回折素子１３では、光線の形状だけでなく光線のパワーも任意に設計可能であり、本実施形態では光線束Ｂ１を形成する各光線のパワーが均一となるよう、位相回折素子１３が設計されている。

なお、ＤＯＥとは、レーザー光を回折格子によって回折パターンとして得られる複数の光束に分割するものであって、当該ＤＯＥから所定距離にある仮想面上に所望の回折パターンからなる光強度分布を得るものである。したがって、前記の所定距離以外の面上においてはその所望の光強度分布は得られないことが多い。よって、本明細書に言う、レーザー光を複数の光線に分割するとの表現は厳密には正しくないが、便宜上上記ＤＯＥによって複数個の回折パターンからなる光強度分布を得ることを、単に複数の光線に分割すると表現することとする。

位相回折素子１３のすぐ下流には、結像レンズ１４が設けられており、位相回折素子１３によって光線束Ｂ１へと変換された光線は、実像面にて一度結像し、その後コリメートレンズ１５へと入射する。

ここで、本発明では、被照射面Ｓに照射される光スポット像２を形成する各光線の配置が所定の配置となるよう、実像面における各光線の配置に合わせて各光線を個別に反射させる複数の小ミラー１８１が設けられたマルチミラーユニット１８が、被照射面Ｓより上流側であるこの実像面に設けられている。このマルチミラーユニット１８によって、光線束Ｂ１は光線束Ｂ２に整えられ、用途に適した配置の光スポット像を被照射面Ｓへ照射することができる。

図２は、本実施形態におけるマルチミラーユニット１８の概略図であり、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）はマルチミラーユニット１８が光線束Ｂ１を反射させる様子を示す図である。

マルチミラーユニット１８は、複数の小ミラー１８１を有しており、１枚の小ミラー１８１には光線束Ｂ１を形成する光線が１本のみ入射する。一方、光線束Ｂ１の構成によっては、光線が入射しない小ミラー１８１が存在しても構わない。なお、図２（ａ）では、図示しやすいようにマルチミラーユニット１８が９枚の小ミラー１８１（小ミラー１８１ａ乃至１８１ｉ）を有している形態としているが、実際は小ミラー１８１の枚数はさらに多く、何百枚、何千枚の小ミラー１８１によってマルチミラーユニット１８は構成されている。

小ミラー１８１は、たとえばＭＥＭＳミラーであり、図示しない駆動源により個別に回転駆動する。ここで、図２（ａ）に示す小ミラー１８１ａ、小ミラー１８１ｃ乃至１８１ｉのように、それぞれの小ミラー１８１の姿勢が所定の角度である場合には、図２（ｂ）に示すように小ミラー１８１は入射してきた光線をミラー１９の方向へ反射させ、被照射面Ｓへの光路を維持する。

一方、図２（ａ）および（ｂ）に示す小ミラー１８１ｂのように当該所定の角度以外の姿勢をとっている小ミラー１８１は、入射した光線をミラー１９への方向以外の方向へ反射させる。そのため、光線束Ｂ１を形成する複数の光線のうちこの小ミラー１８１ｂに入射した光線は、被照射面Ｓへの光路を阻止された状態となり、被照射面Ｓへと到達しなくなる。

各小ミラー１８１を駆動させる駆動源は、小ミラー１８１を上記所定の角度とそれ以外の角度の少なくとも２パターンの姿勢で切り替え可能なように各小ミラー１８１を駆動させる。

上記の構成のマルチミラーユニット１８によって、光線束Ｂ１は一部の光線が除去されて光線束Ｂ２となって、光線束Ｂ２がミラー１９以降へ進行する。

図１に戻り、本実施形態では、結像レンズ１４を通過した後、マルチミラーユニット１８の近傍で一度結像した光線束Ｂ２の各光線は、コリメートレンズ１５により平行光にされた後、Ｆθレンズ１７で集光されて被照射面Ｓで再度結像する。本説明では、光線を再度結像させる光学系を結像光学系と呼び、本実施形態では、コリメートレンズ１５とＦθレンズ１７の組合わせがこの結像光学系にあたる。また、本実施形態では、コリメートレンズ１５とＦθレンズ１７の間にガルバノミラー１６が設けられている。

ガルバノミラー１６は、２枚のミラーを有し、これらミラーの位置および角度を制御することにより、入射される光線を任意の方向へ出射させる。本実施形態では、このガルバノミラー１６が、被照射面Ｓ上で光スポット像２が照射される位置を変化させる光スポット像シフト手段として機能する。

図３は、光スポット像照射装置により被照射面に光線が順次照射される過程を説明する図である。レーザー光源１１から出射され、位相回折素子１３による分岐を経てガルバノミラー１６で反射された光線束Ｂ２の各光線は、被照射面Ｓに同時に照射される。ここで、本説明では被照射面Ｓ上で光線が照射された部位の集合を光スポット像２と呼ぶ。レーザー光源１１からの一度のレーザー光Ｂによる光スポット像２の形状は、位相回折素子１３の構成に依存し、本実施形態では図３（ａ）に示すように被照射面Ｓ上で光スポットが３×３のマトリクス状に配列された形状となる。

そして、ガルバノミラー１６の各ミラーの位置および角度を制御した後、レーザー光源１１から再度レーザー光Ｂを出射することにより、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示す通り、光スポット像２の照射位置を変化させて被照射面Ｓに照射させることができる。また、連続するレーザー光Ｂの出射による光線束Ｂ１の照射位置の間隔が図３（ｂ）に示すように隣り合う光スポット同士の間隔であるピッチＰ１となるようにレーザー光Ｂの出射が行われることにより、光スポット像の間隔を均一にすることができる。

このようにガルバノミラー１６が光スポット像シフト手段となってガルバノミラー１６の各ミラーの位置および角度を制御しながら順次レーザー光源１１からレーザー光Ｂを出射することにより、被照射面Ｓ上の広範囲にマトリクス状の光スポット像を形成することが可能である。

一方、このように被照射面Ｓ上にマトリクス状の光スポット像２を形成することは、１本の光線を照射位置をガルバノミラーで制御しながら繰り返し照射することによっても実施することは可能であるが、本発明のようにパワーが均等な複数本の光線に分岐させて照射することにより、より高速に複数位置に光スポット像２を照射することが可能となる。

ここで、図２（ｂ）で示したように一部の光線が被照射面Ｓに到達しないようにさせた場合、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示すように、被照射面Ｓ上でその光線が照射されたであろう箇所には光スポットは照射されない。このように、被照射面Ｓより上流側において一部の光線の光路を阻止することが可能なマルチミラーユニット１８が設けられていることによって、被照射面Ｓ上で光スポットが照射されない部分を選択的に形成しながら、高速に複数位置に光スポット像２を照射することが可能である。

また、本実施形態では結像レンズ１４として、可変焦点光学系、すなわちズームレンズが設けられている。この可変焦点光学系の焦点距離（ズームレンズにおける倍率）を変化させることによって、光スポットの面積およびピッチの拡大もしくは縮小が可能であり、図４（ｂ）のピッチＰ１’で示すように、図４（ａ）のピッチＰ１と比較して光スポットを形成する光線束Ｂ１の各光線のピッチが任意に設定、調節された光線束Ｂ１’を形成することが可能である。これにより、図３に示した被照射面Ｓ上での光スポット像２の各光スポットのピッチを変化させることが可能である。

このような光スポットの面積およびピッチの拡大もしくは縮小は、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、１枚の小ミラー１８１に光線束Ｂ１を形成する光線が１本のみ入射する条件を満たす範囲で任意に実施することが可能である。

以上の光スポット像照射装置１は、キャリア基板（本発明でいう平面基材）に接合された半導体チップをレーザーリフトオフによって被転写基板へ転写させるチップ転写装置に適用することが可能である。

図５は、上記の光スポット像照射装置１を用いたチップ転写装置によりチップが順次転写される過程を説明する図である。チップ転写装置内では、被転写基板２３が保持され、その上方に、複数のチップ２１からなるチップ群がＸＹ方向にマトリクス状に配列および接合されたキャリア基板２２が、チップ２１との接合面が被転写基板２３と対向するように配置される。ここで、チップ２１とキャリア基板２２の接合面が上記説明における被照射面Ｓにあたる。

このようにキャリア基板２２および被転写基板２３とが配置された状態において光スポット像照射装置１（図１参照）のレーザー光源１１からレーザー光Ｂが出射されることにより、チップ２１とキャリア基板２２の各接合部に光線束Ｂ２の各光線が照射される。なお、レーザー光源１１から出射されるレーザー光ＢはＹＡＧレーザーであり、各光線のパワーが均一になるよう、位相回折素子１３によって調節されている。

チップ２１とキャリア基板２２の接合部に光スポット像が照射されることにより、図５（ａ）に示すように、チップ２１がレーザーリフトオフされて被転写基板２３へ飛行し、被転写基板２３に転写される。具体的には、レーザー光の照射によりチップ２１とキャリア基板２２の接合部が分解され、ガスが発生し、このガスの発生によってチップ２１がキャリア基板２２から剥離するとともに付勢され、キャリア基板２２から被転写基板２３の方へ飛行する。たとえば、チップ２１がＧａＮチップの場合は、レーザー光の照射によりＧａとＮが分解しＮ２が発生し、膨張する事でチップ２１がキャリア基板２２からレーザーリフトオフされる。また、チップ２１がキャリア基板２２に樹脂により接着されている場合はレーザー光の照射により接着樹脂が分解されてガスが発生する事でチップ２１がキャリア基板２２からレーザーリフトオフされる。

また、本実施形態では、チップ２１のＸ軸方向の配列のピッチと等しいピッチの光線束Ｂ２による光スポット像が照射されることにより、光スポット像と同じマトリクス状に並んだ複数のチップ２１を同時にレーザーリフトオフさせることができる。

そして、ガルバノミラーが制御され、隣接する領域に順次光スポット像が照射されることにより、図５（ｂ）および図５（ｃ）に示すように順次チップ２１がレーザーリフトオフされ、その結果、チップ群を高速で被転写基板２３へ転写することができる。

また、マルチミラーユニット１８によって一部の光線を阻止することによって、たとえば一部のチップ２１に欠陥があった場合、図５（ｂ）および図５（ｃ）に示すようにその欠陥チップを選択的に転写させないでおくことが可能である。また、このようにチップの転写および非転写を選択的に実施することは、リペア用途にも適用可能であり、図６に示すように一度全面的にチップ２１の転写が実施された被転写基板２３上の良品のチップが転写されていない箇所に対してキャリア基板２２から選択的にチップ２１を補充することが可能である。

図７は、本発明の他の実施形態における光スポット像照射装置を説明する図である。本実施形態における光スポット像照射装置１では、被照射面Ｓ上で光線束Ｂ２による光スポット像が照射される位置を変化させる光スポット像シフト手段として、被照射面Ｓを有する基材Ｗを吸着保持してＹ軸方向に移動させる、すなわち被照射面Ｓそのものを移動させることによって、レーザー光源１１、ビームエキスパンダー１２、位相回折素子１３、結像レンズ１４、マルチミラーユニット１８、ミラー１９、１組のリレーレンズ３２（結像光学系に相当）、およびミラー３３からなる光学系全体と基材Ｗとを相対移動させる移動ステージ３１を採用している。この移動ステージ３１により基材Ｗを移動させながら、レーザー光源１１からレーザー光Ｂを順次出射することにより、基材Ｗの被照射面ＳにおけるＹ軸方向の照射位置を変更しながら光線束Ｂ２を被照射面Ｓへ照射することができる。

この実施形態では、光線束Ｂ２を形成する光線同士のピッチは、図１で説明した実施形態と同様、結像レンズ１４にズームレンズを採用し、の倍率を調節することにより調節することができる。また、光線束Ｂ２同士のＹ軸方向のピッチは、移動ステージ３１の移動速度とレーザー光源１１からのレーザー光Ｂの出射タイミングの少なくとも一方を調節することによって調節することができる。

以上の光スポット像照射装置およびチップ転写装置により、光線を分岐させ、被照射面の二次元方向の任意の複数の位置に均一なパワーの光線を照射することが可能である。

ここで、本発明の光スポット像照射装置およびチップ転写装置は、以上で説明した形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば、本発明の光スポット像照射装置は、半導体チップの転写用途に限らず他の用途に用いられても構わない。

また、図７に示す光スポット像照射装置１において、光スポット像を照射する領域の面積が大きい場合、Ｙ軸方向の移動手段３１だけでなくＸ軸方向の移動手段を設けても良い。また、図１に示す光スポット像照射装置１でも、光スポット像を照射する領域の面積が大きい場合、被照射面Ｓを有する基材をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させる移動手段を設けても良い。

また、位相回折素子１３によって形成される光スポット像２は、必ずしもマトリクス状に配列されたものでなくても構わない。レーザー光Ｂをそのレーザー光Ｂの進行方向に相対して見たときに、規則的に配列された複数の光線に分割されていれば良く、千鳥状に配列されていても良く、また、一列に配列されていても良い。

また、マルチミラーユニット１８の各小ミラー１８１は光線束Ｂ１を形成する各光線の実像面に設けられていることが好ましいが、それに限られない。結像レンズ１４が可変焦点光学系であった場合に光線の焦点距離を変化させた際、これによって小ミラー１８１が光線の実像面から外れる可能性もあるが、これも許容される。また、それとは逆に焦点距離の変化にあわせてマルチミラーユニット１８の位置を変化させるようにしても良い。

また、結像レンズ１４は、必ずしも可変焦点機能を有していなくても良い。

また、図１に示す光スポット像照射装置１では、光スポット像シフト手段としてガルバノミラー１６を用いているが、これに限らず、たとえばポリゴンミラー、音響光学素子（ＡＯＤ）であっても構わない。

１ 光スポット像照射装置
２ 光スポット像
１１ レーザー光源
１２ ビームエキスパンダー
１３ 位相回折素子
１４ 結像レンズ（ズームレンズ）
１５ コリメートレンズ
１６ ガルバノミラー（光スポット像シフト手段）
１７ Ｆθレンズ
１８ マルチミラーユニット
１９ ミラー
２１ チップ
２２ キャリア基板
２３ 被転写基板
３１ 移動ステージ（光スポット像シフト手段）
３２ リレーレンズ
３３ ミラー
１８１ 小ミラー
１８１ａ〜ｉ 小ミラー
Ｂ レーザー光
Ｂ１ 光線束
Ｂ１’ 光線束
Ｂ２ 光線束
Ｓ 被照射面
Ｗ 基材

Claims (9)

1. 被照射面上に複数の光スポットよりなる光スポット像を照射する光スポット像照射装置であって、レーザー光源と、該レーザー光源から出射されたレーザー光を複数の光線に分割する位相回折素子と、前記複数の光線を個別に反射させる複数の小ミラーを有するマルチミラーユニットと、を少なくとも備え、複数の前記小ミラーは個別に角度の切替が可能であることを特長とする光スポット像照射装置。
2. 前記位相回折素子は、前記レーザー光をそのレーザー光の進行方向に相対して見たときに、規則的に配列された複数の光線に分割するものであることを特長とする請求項１に記載の光スポット像照射装置。
3. 前記位相回折素子と前記被照射面との間に、可変焦点光学系がさらに設けられていることを特長とする、請求項１もしくは２に記載の光スポット像照射装置。
4. 前記複数の光線による前記光スポット像を前記被照射面の面内方向にシフトさせる光スポット像シフト手段をさらに有することを特長とする、請求項１から３のいずれかに記載の光スポット像照射装置。
5. 前記光スポット像シフト手段としてガルバノミラーを用いることを特長とする、請求項４に記載の光スポット像照射装置。
6. 前記光スポット像シフト手段としてポリゴンミラーを用いることを特長とする、請求項４に記載の光スポット像照射装置。
7. 前記光スポット像シフト手段として音響光学素子を用いることを特長とする、請求項４に記載の光スポット像照射装置。
8. 前記光スポット像シフト手段として、前記被照射面そのものを移動させる移動ステージを有することを特長とする、請求項４から７のいずれかに記載の光スポット像照射装置。
9. 平面基材上に配列された複数のチップのうち、任意の位置にあるチップに対し、請求項１乃至８のいずれかに記載の光スポット像照射装置により生成された光スポット像を照射することにより、当該チップを被転写面へ転写させるチップ転写装置。

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