JP2021089425A - 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 - Google Patents

機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 Download PDF

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Abstract

【課題】利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供する。【解決手段】光を射出する領域と第１の機能層と第２の機能層とを有する機能パネルであって、光を射出する領域は第１の素子を備え、第１の素子は第１の電極、第２の電極および発光性の材料を含む層を備え、発光性の材料を含む層は第１の電極および第２の電極の間に挟まれる領域を備え、発光性の材料を含む層は窒化ガリウムを含み、第１の機能層は光を射出する領域および第２の機能層の間に挟まれる領域を備え、第１の機能層は第１の絶縁膜を備え、第１の絶縁膜は光を射出する領域と重なる部分の外側に、第１の開口部および第２の開口部を備え、第２の機能層は駆動回路を備え、駆動回路は光を射出する領域と重なる部分を備え、駆動回路は第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを備え、第１のトランジスタは、第１の開口部を介して第１の電極と電気的に接続され、第２のトランジスタは、第２の開口部を介して第２の電極と電気的に接続される。【選択図】図４

Description

本発明の一態様は、機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置または半導体装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
電流密度に対してマイクロ発光ダイオードの色度変化が小さいディスプレイが知られている（特許文献１）。具体的には、複数の画素はそれぞれ、表示素子と、マイクロコントローラと、を有する。マイクロコントローラは、第１のトランジスタと、三角波生成回路と、コンパレータと、スイッチと、定電流回路と、を有する。第１のトランジスタは、オフ状態とすることで画素に書き込まれるデータに応じた電位を保持する機能を有する。三角波生成回路は、三角波の信号を生成する機能を有する。コンパレータは、保持した電位と、三角波の信号と、に応じた出力信号を生成する機能を有する。スイッチは、出力信号に応じて定電流回路を流れる電流を表示素子に流すか否かを制御する機能を有するディスプレイである。
国際公開第ＷＯ２０１９／１３０１３８号パンフレット
本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な機能パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
（１）本発明の一態様は、光を射出する領域と、第１の機能層と、第２の機能層と、を有する機能パネルである。
光を射出する領域は、第１の素子を備え、第１の素子は、第１の電極、第２の電極および発光性の材料を含む層を備える。また、発光性の材料を含む層は、第１の電極および第２の電極の間に挟まれる領域を備え、発光性の材料を含む層は、窒化ガリウムを含む。
第１の機能層は、光を射出する領域および第２の機能層の間に挟まれる領域を備え、第１の機能層は第１の絶縁膜を備える。第１の絶縁膜は、光を射出する領域と重なる部分の外側に第１の開口部および第２の開口部を備える。
第２の機能層は、駆動回路を備え、駆動回路は光を射出する領域と重なる部分を備え、駆動回路は、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを備える。第１のトランジスタは、第１の開口部を介して第１の電極と電気的に接続され、第２のトランジスタは、第２の開口部を介して第２の電極と電気的に接続される。
（２）また、本発明の一態様は、一組の画素と、第１の機能層と、を有する表示パネルである。
一組の画素は第１の画素および第２の画素を備え、第１の画素は第１の素子を備え、第２の画素は第２の素子を備える。
第１の機能層は第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を備え、第１の絶縁膜は、第２の絶縁膜との間に第１の素子を挟む領域を備え、第１の絶縁膜は、第２の絶縁膜との間に、第２の素子を挟む領域を備える。また、第２の絶縁膜は、第２の素子を第１の素子から分離する機能を備える。
第１の素子は光を射出する機能を備え、第１の素子は第１の電極、第２の電極および発光性の材料を含む層を備える。発光性の材料を含む層は、第１の電極および第２の電極の間に挟まれる領域を備え、発光性の材料を含む層は、窒化ガリウムを含む。
（３）また、本発明の一態様は、第２の機能層を有する上記の機能パネルである。なお、第１の絶縁膜は、第１の開口部および第２の開口部を備える。
第２の機能層は、第３の絶縁膜、第１の駆動回路および第２の駆動回路を備え、第３の絶縁膜は第１の絶縁膜と接し、第３の絶縁膜は、第３の開口部および第４の開口部を備える。
第１の駆動回路は第１のトランジスタを備え、第１のトランジスタは、第１の開口部および第３の開口部を介して、第１の電極と電気的に接続される。また、第２の駆動回路は第２のトランジスタを備え、第２のトランジスタは、第２の開口部および第４の開口部を介して、第２の電極と電気的に接続される。
これにより、第１の駆動回路および第２の駆動回路を用いて、第１の画素を駆動できる。または、第１の画素に画素回路を設けることなく、第１の素子をパッシブ駆動することができる。または、第１の素子の動作が第２の素子の動作に与える影響を抑制することができる。または、第２の素子を第１の素子に近づけて配置することができる。または、第１の素子の面積が第１の画素の面積に占める割合および第２の素子の面積が第２の画素の面積に占める割合を大きくすることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（４）また、本発明の一態様は、第１の絶縁膜が第４の絶縁膜を備え、第４の絶縁膜はシリコンおよび酸素を含む上記の機能パネルである。
また、第２の絶縁膜は、第５の絶縁膜および第６の絶縁膜を備え、第５の絶縁膜はシリコンおよび酸素を含み、第５の絶縁膜は第４の絶縁膜と接合する領域を備える。
第６の絶縁膜はシリコンおよび窒素を含み、第６の絶縁膜は第５の絶縁膜および第１のトランジスタの間に挟まれる領域を備える。また、第１のトランジスタは、単結晶シリコンを含む。
これにより、動作に不具合を引き起こす不純物の第１のトランジスタへの拡散を、抑制することができる。または、例えば、第１の画素に重ねて、第１の駆動回路を配置することができる。または、機能パネルの外形を小型化できる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（５）また、本発明の一態様は、第１の画素が色変換層を備える上記の機能パネルである。なお、色変換層は第１の素子が射出する光の色を、異なる色に変換する機能を備える。
また、第２の画素は第２の素子が射出する光の色を表示し、第２の素子は第１の素子が射出する光と同じ色の光を射出する。
これにより、第２の素子を第１の素子と同一の工程で形成することができる。または、第１の画素を用いて、第２の画素とは異なる色を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（６）また、本発明の一態様は、領域を有する上記の機能パネルである。
領域は、一群の一組の画素、他の一群の一組の画素、第１の導電膜および第２の導電膜を備える。
一群の一組の画素は行方向に配設され、一群の一組の画素は上記の一組の画素を含み、一群の一組の画素は第１の導電膜と電気的に接続される。
他の一群の一組の画素は行方向と交差する列方向に配設され、他の一群の一組の画素は上記の一組の画素を含み、他の一群の一組の画素は第２の導電膜と電気的に接続される。
これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
（７）また、本発明の一態様は、制御部と、上記の機能パネルとを有する表示装置である。
制御部は画像情報および制御情報を供給され、制御部は画像情報に基づいて情報を生成し、制御部は制御情報に基づいて制御信号を生成し、制御部は情報および制御信号を供給する。
機能パネルは情報および制御信号を供給され、上記の一組の画素は情報に基づいて表示する。
これにより、機能パネルを用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。
（８）また、本発明の一態様は、入力部と、表示部と、を有する入出力装置である。なお、表示部は上記の機能パネルを備える。
入力部は検知領域を備え、入力部は検知領域に近接するものを検知し、検知領域は上記の一組の画素と重なる領域を備える。
これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
（９）また、本発明の一態様は、演算装置と、入出力装置と、を有する情報処理装置である。
演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は入力情報または検知情報に基づいて、制御情報および画像情報を生成し、演算装置は制御情報および画像情報を供給する。
入出力装置は入力情報および検知情報を供給し、入出力装置は制御情報および画像情報を供給され、入出力装置は表示部、入力部および検知部を備える。
表示部は上記の機能パネルを備え、表示部は制御情報に基づいて、画像情報を表示し、入力部は入力情報を生成し、検知部は検知情報を生成する。
これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。または、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
（１０）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の機能パネルと、を含む、情報処理装置である。
これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。
本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。
本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。
本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。
本発明の一態様によれば、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な機能パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。 図２（Ａ）および（Ｂ）は実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。 図３は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。 図４（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。 図５（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する断面図である。 図６は、実施の形態に係る機能パネルの構成を説明する図である。 図７（Ａ）乃至（Ｄ）は、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 図８は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図である。 図９（Ａ）乃至（Ｃ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図である。 図１０（Ａ）乃至（Ｅ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。 図１１（Ａ）乃至（Ｅ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。 図１２（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。 図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、電子機器の構成例を示す図である。
本発明の一態様の機能パネルは、光を射出する領域と第１の機能層と第２の機能層とを有する。光を射出する領域は第１の素子を備え、第１の素子は第１の電極、第２の電極および発光性の材料を含む層を備え、発光性の材料を含む層は第１の電極および第２の電極の間に挟まれる領域を備え、発光性の材料を含む層は窒化ガリウムを含み、第１の機能層は光を射出する領域および第２の機能層の間に挟まれる領域を備え、第１の機能層は第１の絶縁膜を備え、第１の絶縁膜は光を射出する領域と重なる部分の外側に、第１の開口部および第２の開口部を備え、第２の機能層は駆動回路を備え、駆動回路は光を射出する領域と重なる部分を備え、駆動回路は第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを備え、第１のトランジスタは、第１の開口部を介して第１の電極と電気的に接続され、第２のトランジスタは、第２の開口部を介して第２の電極と電気的に接続される。
これにより、画素に画素回路を設けることなく、第１の素子をパッシブ駆動することができる。または、第１の素子の動作が隣接する第２の素子の動作に与える影響を抑制することができる。または、第２の素子を第１の素子に近づけて配置することができる。または、第１の素子の面積が第１の画素の面積に占める割合および第２の素子の面積が第２の画素の面積に占める割合を大きくすることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図１乃至図４を参照しながら説明する。
図１（Ａ）は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の一部を説明する図である。図１（Ｃ）は図１（Ｂ）の一部を説明する図である。
図２（Ａ）は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する上面図であり、図１（Ａ）の一部を説明する図である。図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。
図３は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する断面図であり、図１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４、Ｘ５−Ｘ６および一組の画素７０３（ｉ，ｊ）における断面図である。
図４（Ａ）は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図であり、図２（Ａ）の切断線Ｘ７−Ｘ８における断面図である。図４（Ｂ）は図４（Ａ）の一部を説明する断面図である。
図５（Ａ）は本発明の一態様の機能パネルの構成を説明する図であり、図３の切断線Ｘ３−Ｘ４における断面図であり、図５（Ｂ）は図３の切断線Ｘ５−Ｘ６における断面図である。図５（Ｃ）は図５（Ａ）の一部を説明する断面図である。
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
＜機能パネル７００の構成例＞
本実施の形態で説明する機能パネル７００は、一組の画素７０３（ｉ，ｊ）を有する（図１（Ａ）、図１（Ｂ）および図２（Ａ）参照）。また、機能パネル７００は、機能層５２０と、機能層１２０と、を有する（図３参照）。また、機能パネル７００は、一組の画素７０３（ｉ＋１，ｊ）を有する。
《一組の画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例》
一組の画素７０３（ｉ，ｊ）は、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）および画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）を備える（図２（Ａ）参照）。また、一組の画素７０３（ｉ＋１，ｊ）は素子５５０Ｇ（ｉ＋１，ｊ）を備える。
画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を備え、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）は素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を備える。また、画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）は素子５５０Ｒ（ｉ，ｊ）を備える。例えば、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は緑色を表示し、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）は青色を表示し、画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）は赤色を表示する機能を備える。なお、画素回路を画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）に設けて、素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）をアクティブ駆動することもできる。例えば、トランジスタを機能層５２０に形成し、画素回路に用いることができる。または、当該トランジスタを素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続することもできる。
《機能層５２０の構成例》
機能層５２０は絶縁膜５２１および絶縁膜５７３を備える（図３および図４（Ａ）参照）。
絶縁膜５２１は、絶縁膜５７３との間に素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を挟む領域を備え、絶縁膜５２１は、絶縁膜５７３との間に素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える。また、絶縁膜５２１は、開口部５９１Ｘ（ｉ）および開口部５９１Ｙ２（ｊ）を備える（図５（Ａ）および図５（Ｂ）参照）。
絶縁膜５７３は、素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）から分離する機能を備える（図４（Ａ）参照）。
《素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例》
素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は光を射出する機能を備え、素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は電極５５１（ｉ）、電極５５２（ｊ）および発光性の材料を含む層５５３を備える。
発光性の材料を含む層５５３は、電極５５１（ｉ）および電極５５２（ｊ）の間に挟まれる領域を備え、発光性の材料を含む層５５３は窒化ガリウムを含む。
例えば、ミニＬＥＤを素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、光を射出する領域の面積が１ｍｍ２以下、好ましくは５００００μｍ２以下、より好ましくは３００００μｍ２以下、さらに好ましくは１００００μｍ２以下、２００μｍ２以上であるミニＬＥＤを素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
または、マイクロＬＥＤを素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、光を射出する領域の面積が２００μｍ２未満、好ましくは６０μｍ２以下、より好ましくは１５μｍ２以下、さらに好ましくは５μｍ２以下、３μｍ２以上であるマイクロＬＥＤを素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
［発光性の材料を含む層５５３の構成例１］
素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、例えば、Ｐ型のクラッド層５５３Ｐ、Ｎ型のクラッド層５５３Ｎ、発光層５５３ＥＭを備える。発光層５５３ＥＭはＰ型のクラッド層５５３ＰおよびＮ型のクラッド層５５３Ｎに挟まれる領域を備える。これにより、キャリアを発光層５５３ＥＭにおいて再結合させることができる。その結果、キャリアの再結合にともなう発光を得ることができる。
例えば、青色の光を射出するように積層された積層材料、緑色の光を射出するように積層された積層材料または赤色の光を射出するように積層された積層材料等を画素に用いることができる。具体的には、ガリウム・リン化合物、ガリウム・ヒ素化合物、ガリウム・アルミニウム・ヒ素化合物、アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン化合物、インジウム・窒化ガリウム化合物等を、画素に用いることができる。
特に、青色の光を射出する素子を素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を同一の工程で形成することができる。
また、紫外線を射出する素子を素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）に用いることもできる。なお、素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）に重なるように色変換層を配置して、紫外線を青色の光に変換することができる。
《機能層１２０の構成例》
機能層１２０は、絶縁膜１１８、駆動回路ＤＸおよび駆動回路ＤＹを備える（図３参照）。また、機能層１２０は絶縁膜１１６を備える。
絶縁膜１１８は絶縁膜５２１と接し、絶縁膜１１８は開口部１９１Ｘ（ｉ）および開口部１９１Ｙ２（ｊ）を備える（図４（Ａ）、図５（Ａ）および図５（Ｂ）参照）。
駆動回路ＤＸはトランジスタＭＤＸ（ｉ）を備え、トランジスタＭＤＸ（ｉ）は、開口部５９１Ｘ（ｉ）および開口部１９１Ｘ（ｉ）を介して、電極５５１（ｉ）と電気的に接続される（図５（Ａ）参照）。なお、駆動回路ＤＸは、複数の電極から一を選択し、所定の電圧を供給する機能を備える。例えば、電極５５１（ｉ）を選択し、電極５５２（ｊ）より高い電圧を供給する。
例えば、接点１１９Ｘ（ｉ）は接点５１９Ｘ（ｉ）と電気的に接続され、接点５１９Ｘ（ｉ）は電極５５１（ｉ）と電気的に接続される。また、接点１１９Ｙ２（ｊ）は接点５１９Ｙ２（ｊ）と電気的に接続され、接点５１９Ｙ２（ｊ）はＮ型のクラッド層５５３Ｎを介して電極５５２（ｊ）と電気的に接続される。
例えば、金属を接点１１９Ｘ（ｉ）、接点５１９Ｘ（ｉ）、接点１１９Ｙ２（ｊ）および接点５１９Ｙ２（ｊ）に用いることができる。具体的には、銅または金などを用いることができる。
駆動回路ＤＹはトランジスタＭＤＹ（ｊ）を備え、トランジスタＭＤＹ（ｊ）は、開口部５９１Ｙ２（ｉ）および開口部１９１Ｙ２（ｊ）を介して、電極５５２（ｊ）と電気的に接続される（図５（Ｂ）参照）。なお、駆動回路ＤＹは、複数の電極から一を選択し、所定の電圧を供給する機能を備える。例えば、電極５５２（ｊ）を選択し、電極５５１（ｉ）より低い電圧を供給する。
これにより、駆動回路ＤＸおよび駆動回路ＤＹを用いて、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）を駆動できる。または、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）に画素回路を設けることなく、素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）をパッシブ駆動することができる。または、素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の動作が素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）の動作に与える影響を抑制することができる。または、素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に近づけて配置することができる。または、素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の面積が画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）の面積に占める割合を大きくすることができる。または、素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）の面積が画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）の面積に占める割合を大きくすることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《絶縁膜の構成例》
絶縁膜５２１は絶縁膜５２１Ａおよび絶縁膜５２１Ｂを備え、絶縁膜５２１Ａはシリコンおよび酸素を含む（図５（Ａ）および図５（Ｂ）参照）。
絶縁膜１１８は絶縁膜１１８Ａおよび絶縁膜１１８Ｂを備える。また、絶縁膜１１６は絶縁膜１１６Ａおよび絶縁膜１１６Ｂを備える。
絶縁膜１１８Ｂはシリコンおよび酸素を含み、絶縁膜１１８Ｂは絶縁膜５２１Ａと接合する領域を備える。これにより、例えば、表面活性化接合法を用いて、絶縁膜１１８Ｂおよび絶縁膜５２１Ａを接合することができる。または、機能層５２０および機能層１２０を貼り合わせることができる。
また、絶縁膜１１８Ａはシリコンおよび窒素を含み、絶縁膜１１８Ａは絶縁膜１１８ＢおよびトランジスタＭＤＸ（ｉ）の間に挟まれる領域を備える（図５（Ａ）参照）。
《トランジスタの構成例》
トランジスタＭＤＸ（ｉ）は、単結晶シリコンを含む。また、トランジスタＭＤＸ（ｉ）を形成する工程で、トランジスタＭＤＹ（ｊ）およびトランジスタＭＤを形成することができる（図４（Ｂ）および図５（Ｂ）参照）。例えば、単結晶シリコン基板を基材１１０Ｓに用いて、基材１１０Ｓ上にトランジスタを形成することができる。これにより、トランジスタＭＤを駆動回路などに用いることができる（図４（Ａ）参照）。
トランジスタＭＤＸ（ｉ）は、半導体膜１０８、導電膜１０４、導電膜１１２Ａおよび導電膜１１２Ｂを備える（図５（Ｃ）参照）。
半導体膜１０８は、導電膜１１２Ａと電気的に接続される領域１０８Ａ、導電膜１１２Ｂと電気的に接続される領域１０８Ｂを備える。半導体膜１０８は、領域１０８Ａおよび領域１０８Ｂの間に領域１０８Ｃを備える。
導電膜１０４は領域１０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜１０４はゲート電極の機能を備える。
絶縁膜１０６は、半導体膜１０８および導電膜１０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜１０６はゲート絶縁膜の機能を備える。
導電膜１１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜１１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。
これにより、動作に不具合を引き起こす不純物の、トランジスタＭＤＸ（ｉ）への拡散を、抑制することができる。または、例えば、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）に重ねて、駆動回路ＤＸを配置することができる。または、機能パネルの外形を小型化できる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《半導体膜１０８の構成例１》
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜１０８に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜１０８に用いることができる。
［水素化アモルファスシリコン］
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜１０８に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜１０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜１０８に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、機能パネルの大型化が容易である。
［ポリシリコン］
例えば、ポリシリコンを半導体膜１０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜１０８に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜１０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜１０８に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。
または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜１０８に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。
または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。
または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。
［単結晶シリコン］
例えば、単結晶シリコンを半導体膜１０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜１０８に用いる機能パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜１０８に用いる機能パネルより、表示ムラが少ない機能パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。
《半導体膜１０８の構成例２》
例えば、金属酸化物を半導体膜１０８に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。
例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体、インジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛と錫とを含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。
一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタをスイッチ等に利用することができる。これにより、アモルファスシリコンを用いたトランジスタをスイッチに利用する回路より長い時間、フローティングノードの電位を保持することができる。
これにより、表示のチラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《半導体膜１０８の構成例３》
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリウム・ヒ素を含む半導体を用いることができる。
例えば、有機半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。
《画素の構成例》
画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は色変換層ＣＣ（Ｇ）を備える（図４（Ａ）参照）。
色変換層ＣＣ（Ｇ）は素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光の色を、異なる色に変換する機能を備える。
画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）は素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）が射出する光の色を表示する。なお、素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）は素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光と同じ色の光を射出する。
《色変換層》
色変換層ＣＣ（Ｇ）は、基材７７０および素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。
例えば、入射する光の波長より長い波長を有する光を射出する材料を色変換層に用いることができる。例えば、青色の光または紫外線を吸収して緑色の光に変換して放出する材料、青色の光または紫外線を吸収して赤色の光に変換して放出する材料、または紫外線を吸収して青色の光に変換して放出する材料を色変換層に用いることができる。例えば、蛍光体を色変換層に用いることができる。具体的には、直径数ｎｍの量子ドットを色変換層に用いることができる。これにより、半値幅が狭いスペクトルを有する光を放出できる。または、彩度の高い光を放出することができる。
例えば、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は色変換層ＣＣ（Ｇ）および素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を備え、素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は青色の光を射出し、色変換層ＣＣ（Ｇ）は青色の光を緑色の光に変換する（図２（Ｂ）参照）。また、画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）は色変換層ＣＣ（Ｒ）および素子５５０Ｒ（ｉ，ｊ）を備え、素子５５０Ｒ（ｉ，ｊ）は青色の光を射出し、色変換層ＣＣ（Ｒ）は青色の光を赤色の光に変換する。また、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）は素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を備え、素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）は青色の光を射出する。
これにより、素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）、素子５５０Ｒ（ｉ，ｊ）および素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を同一の工程で形成することができる。また、一組の画素７０３（ｉ，ｊ）を用いて、多彩な色を表示することができる。
これにより、素子５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と同一の工程で形成することができる。または、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）を用いて、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）とは異なる色を表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
＜機能パネル７００の構成例＞
機能パネル７００は、基材１１０Ｓ、基材７７０および封止材７０５を備える（図４（Ａ）参照）。また、機能パネル７００は構造体ＫＢを備える。
《構造体ＫＢ》
構造体ＫＢは、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備える（図５（Ａ）参照）。また、構造体ＫＢは、機能層５２０および基材７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。
《機能膜７７０Ｐ等》
機能膜７７０Ｐは、素子５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える（図４（Ａ）参照）。
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。
例えば、厚さ１μｍ以下の反射防止膜を、機能膜７７０Ｐに用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層膜を機能膜７７０Ｐに用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。
例えば、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。
また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、汚れを付着しにくくする撥油性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、発生した傷が修復する自己修復性のフィルムなどを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。
なお、例えば、導電材料を用いて、端子５１９Ｂをフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に接続することができる（図３参照）。具体的には、導電材料ＣＰを用いて、端子５１９Ｂをフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に接続することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルの構成について、図６を参照しながら説明する。
図６は、本発明の一態様の機能パネルの構成を説明するブロック図である。
＜機能パネル７００の構成例＞
本実施の形態で説明する機能パネル７００は、領域２３１を有する（図６参照）。
《領域２３１の構成例１》
領域２３１は、一群の一組の画素７０３（ｉ，１）乃至一組の画素７０３（ｉ，ｎ）、他の一群の一組の画素７０３（１，ｊ）乃至一組の画素７０３（ｍ，ｊ）、導電膜Ｘ（ｉ）および導電膜Ｙ２（ｊ）を備える。なお、電極５５１（ｉ）およびＰ型のクラッド層５５３Ｐを積層した膜を、導電膜Ｘ（ｉ）に用いることができる（図５（Ａ）参照）。また、電極５５２（ｊ）およびＮ型のクラッド層５５３Ｎを積層した膜を、導電膜Ｙ２（ｊ）に用いることができる（図５（Ｂ）参照）。また、領域２３１は、導電膜Ｘ（ｉ＋１）および導電膜Ｙ１（ｊ）を備える（図２（Ａ）参照）。
一群の一組の画素７０３（ｉ，１）乃至一組の画素７０３（ｉ，ｎ）は、行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設され、一群の一組の画素７０３（ｉ，１）乃至一組の画素７０３（ｉ，ｎ）は、一組の画素７０３（ｉ，ｊ）を含む。また、一群の一組の画素は、導電膜Ｘ（ｉ）と電気的に接続される。
他の一群の一組の画素７０３（１，ｊ）乃至一組の画素７０３（ｍ，ｊ）は、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設され、他の一群の一組の画素７０３（１，ｊ）乃至一組の画素７０３（ｍ，ｊ）は、一組の画素７０３（ｉ，ｊ）を含む。また、他の一群の一組の画素７０３（１，ｊ）乃至一組の画素７０３（ｍ，ｊ）は、導電膜Ｙ２（ｊ）と電気的に接続される。
これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
《領域２３１の構成例２》
領域２３１は、例えば、１インチあたり６００個以上の複数の一組の画素を備える。なお、複数の一組の画素は一組の画素７０３（ｉ，ｊ）を含む。好ましくは、１インチあたり１０００個以上、より好ましくは１インチあたり３０００個以上、さらに好ましくは１インチあたり６０００個以上の一組の画素を備える。これにより、例えば、スクリーン・ドア効果を軽減することができる。
《領域２３１の構成例３》
領域２３１は、複数の画素を行列状に備える。例えば、領域２３１は、７６００個以上の画素を行方向に備え、領域２３１は４３００個以上の画素を列方向に備える。具体的には、７６８０個の画素を行方向に備え、４３２０個の画素を列方向に備える。
これにより、精細な画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な機能パネルを提供することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図７を参照しながら説明する。
図７（Ａ）は本発明の一態様の表示装置のブロック図であり、図７（Ｂ）乃至図７（Ｄ）は本発明の一態様の表示装置の外観を説明する斜視図である。
＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、機能パネル７００と、を有する（図７（Ａ）参照）。
《制御部２３８の構成例１》
制御部２３８は画像情報ＶＩおよび制御情報ＣＩを供給される。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
制御部２３８は画像情報ＶＩに基づいて情報を生成し、制御部２３８は制御情報ＣＩに基づいて制御信号を生成する。また、制御部２３８は情報および制御信号を供給する。
例えば、情報は、８ｂｉｔ以上好ましくは１２ｂｉｔ以上の階調を含む。また、例えば、駆動回路に用いるシフトレジスタのクロック信号またはスタートパルスなどを、制御信号に用いることができる。
《制御部２３８の構成例２》
例えば、伸張回路２３４および画像処理回路２３５を制御部２３８に用いることができる。
《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報ＶＩを伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
《画像処理回路２３５》
画像処理回路２３５は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報ＶＩに含まれる情報を記憶する機能を備える。
画像処理回路２３５は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報ＶＩを補正して情報を生成する機能と、情報を供給する機能を備える。
《機能パネル７００の構成例１》
機能パネル７００は情報および制御信号を供給され、一組の画素７０３（ｉ，ｊ）は情報に基づいて表示する。例えば、実施の形態１または実施の形態２において説明する機能パネル７００を用いることができる。
これにより、機能パネル７００を用いて画像情報ＶＩを表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、例えば、情報機器端末（図７（Ｂ）参照）、映像表示システム（図７（Ｃ）参照）またはコンピュータ（図７（Ｄ）参照）などを提供することができる。
《機能パネル７００の構成例２》
例えば、機能パネル７００は駆動回路および制御回路を備える。
《駆動回路》
駆動回路は制御信号に基づいて動作する。制御信号を用いることにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる（図７（Ａ）参照）。
例えば、駆動回路ＤＸを機能パネル７００に用いることができる。駆動回路ＤＸは、制御信号を供給され、第１の選択信号を供給する機能を備える。
また、例えば、駆動回路ＤＹを機能パネル７００に用いることができる。駆動回路ＤＹは、制御信号および情報を供給され、画像信号を供給することができる。
《制御回路》
制御回路は制御信号を生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号に用いることができる。
例えば、機能層１２０に制御回路を設けることができる。具体的には、駆動回路および制御回路が形成された単結晶シリコン基板を機能層１２０に用いることができる。これにより、駆動回路だけでなく制御回路を、領域２３１に重ねて配置することができる。または、部品点数を削減することができる。または、表示装置の外形を小型化できる。
または、リジッド基板上に形成された制御回路を機能パネルに用いることができる。または、リジッド基板上に形成された制御回路を、フレキシブルプリント基板を用いて、制御部２３８と電気的に接続することができる。
例えば、タイミングコントローラ２３３を制御回路に用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図８を参照しながら説明する。
図８は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。
＜入出力装置の構成例＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図８参照）。
《表示部２３０の構成例》
表示部２３０は、機能パネル７００を備える。例えば、実施の形態１または実施の形態２に記載の機能パネル７００を表示部２３０に用いることができる。なお、入力部２４０および表示部２３０を有する構成を機能パネル７００ＴＰということができる。
《入力部２４０の構成例１》
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知する。
検知領域２４１は一組の画素７０３（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。
これにより、表示部２３０を用いて画像情報を表示しながら、表示部２３０と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部２３０に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部２３０に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。
《検知領域２４１の構成例》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知器を備える。
検知領域２４１は、一群の検知器８０２（ｇ，１）乃至検知器８０２（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知器８０２（１，ｈ）乃至検知器８０２（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。
一群の検知器８０２（ｇ，１）乃至検知器８０２（ｇ，ｑ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設され、配線ＣＬ（ｇ）と電気的に接続されている。なお、矢印Ｒ２で示す方向は、矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。
また、他の一群の検知器８０２（１，ｈ）乃至検知器８０２（ｐ，ｈ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設され、配線ＭＬ（ｈ）と電気的に接続されている。
《検知器》
検知器は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。
具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知器に用いることができる。
また、複数の方式の検知器を併用することもできる。例えば、指を検知する検知器と、スタイラスペンを検知する検知器とを、併用することができる。
これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。
具体的には、静電容量方式、感圧方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。
《入力部２４０の構成例２》
入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図８参照）。
発振回路ＯＳＣは探索信号を検知器８０２（ｇ，ｈ）に供給する。例えば、矩形波、のこぎり波、三角波、サイン波等を、探索信号に用いることができる。
検知器８０２（ｇ，ｈ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）に近接するポインタまでの距離および探索信号に基づいて変化する検知信号を生成し供給する。
検知回路ＤＣは検知信号に基づいて入力情報を供給する。
これにより、近接するポインタから検知領域２４１までの距離を検知することができる。または、検知領域２４１内においてポインタが最も近接する位置を検知することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図９を参照しながら説明する。
図９（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図９（Ｂ）および図９（Ｃ）は、情報処理装置の外観の一例を説明する投影図である。
＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有する（図９（Ａ）参照）。なお、入出力装置２２０は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図９（Ｂ）および図９（Ｃ）参照）。
《演算装置２１０の構成例１》
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを生成し、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを供給する。
演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、演算装置２１０は、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。
伝送路２１４は、演算部２１１、記憶部２１２、および入出力インターフェース２１５と電気的に接続される。
《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。
《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。
具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。
《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。
伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。
《入出力装置２２０の構成例》
入出力装置２２０は、入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳを供給する。入出力装置２２０は、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを供給される（図９（Ａ）参照）。
例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。
例えば、画像情報ＶＩを表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報ＶＩの一部の表示を変化する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。
入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０および検知部２５０を備える。例えば、実施の形態４において説明する入出力装置を、入出力装置２２０に用いることができる。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。
《表示部２３０の構成例》
表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報ＶＩを表示する。例えば、実施の形態３において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。
《入力部２４０の構成例》
入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。例えば、入力部２４０は、位置情報を供給する機能を備える。
例えば、ヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図９（Ａ）参照）。具体的には、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。
また、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。なお、表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。
例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。
例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、所定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。
一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。
また、使用者は、領域２３１の端部にナビゲーションパネルＮＰを引き出して表示する「ドラッグ命令」を、領域２３１の端部に接する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる（図９（Ｃ）参照）。また、使用者は、ナビゲーションパネルＮＰにインデックス画像ＩＮＤ、他のページの一部または他のページのサムネイル画像ＴＮを、所定の順番でパラパラ表示する「リーフスルー命令」を、指を強く押し付ける位置を移動するジェスチャーを用いて供給できる。または、指を押し付ける圧力を用いて供給できる。これにより、紙の書籍のページをパラパラめくるように、電子書籍端末のページをめくることができる。または、サムネイル画像ＴＮまたはインデックス画像ＩＮＤを頼りに、所定のページを探すことができる。
《検知部２５０の構成例》
検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。例えば、検知部２５０は、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。
検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供給できる。
例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、感圧スイッチ、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。
《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。
《筐体》
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。
これにより、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを生成することができる。または、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、画像情報ＶＩを表示することができる。または、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えば、表示パネルにタッチセンサが重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。
《演算装置２１０の構成例２》
演算装置２１０は人工知能部２１３を備える（図９（Ａ）参照）。
人工知能部２１３は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給され、人工知能部２１３は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを推論する。また、人工知能部２１３は制御情報ＣＩを供給する。
これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報ＣＩを生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報ＣＩを生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。
［入力情報ＩＩに対する自然言語処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体から１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する情報を生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。
［入力情報ＩＩに対する画像処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。
［検知情報ＤＳを用いる推論］
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを用いて、推論ＲＩを生成することができる。または、推論ＲＩに基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられるように制御情報ＣＩを生成することができる。
具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。または、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるように、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。
なお、表示部２３０が備える制御部２３８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える制御部に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１０乃至図１２を参照しながら説明する。
図１０乃至図１２は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図１０（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図１０（Ｂ）乃至図１０（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図１１（Ａ）乃至図１１（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。
＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０と、を有する（図１０（Ａ）参照）。
演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。
入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。
入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。
具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５２４０に用いることができる。
表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１または実施の形態２において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。
検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。
具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。
通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。
《情報処理装置の構成例１》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１０（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。
《情報処理装置の構成例２》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図１０（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。
《情報処理装置の構成例３》
他の装置から情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図１０（Ｄ）参照）。または、いくつかの選択肢を表示できる。または、使用者は選択肢からいくつかを選択し、当該情報の送信元に返信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。
《情報処理装置の構成例４》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１０（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面、上面および背面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。
《情報処理装置の構成例５》
例えば、インターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図１１（Ａ）参照）。または、作成したメッセージを表示部５２３０で確認することができる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。
《情報処理装置の構成例６》
リモートコントローラーを入力部５２４０に用いることができる（図１１（Ｂ）参照）。または、例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、検知部５２５０を用いて使用者を撮影できる。または、使用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。
《情報処理装置の構成例７》
例えば、インターネットから教材を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図１１（Ｃ）参照）。または、入力部５２４０を用いて、レポートを入力し、インターネットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果または評価を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、評価に基づいて、好適な教材を選択し、表示できる。
例えば、他の情報処理装置から画像信号を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、スタンドなどに立てかけて、表示部５２３０をサブディスプレイに用いることができる。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。
《情報処理装置の構成例８》
情報処理装置は、例えば、複数の表示部５２３０を備える（図１１（Ｄ）参照）。例えば、検知部５２５０で撮影しながら表示部５２３０に表示することができる。または、撮影した映像を検知部に表示することができる。または、入力部５２４０を用いて、撮影した映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インターネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を備える。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。
《情報処理装置の構成例９》
例えば、他の情報処理装置をスレイブに用い、本実施の形態の情報処理装置をマスターに用いて、他の情報処理装置を制御することができる（図１１（Ｅ）参照）。または、例えば、画像情報の一部を表示部５２３０に表示し、画像情報の他の一部を他の情報処理装置の表示部に表示することができる。画像信号を供給することができる。または、通信部５２９０を用いて、他の情報処理装置の入力部から書き込む情報を取得できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領域を利用することができる。
《情報処理装置の構成例１０》
情報処理装置は、例えば、加速度または方位を検知する検知部５２５０を備える（図１２（Ａ）参照）。または、検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成することができる。または、表示部５２３０は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を備える。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、ゴーグル型の情報処理装置に表示することができる。
《情報処理装置の構成例１１》
情報処理装置は、例えば、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部５２５０を備える（図１２（Ｂ）参照）。または、検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これにより、例えば、現実の風景に情報を添付して表示することができる。または、拡張現実空間の映像を、めがね型の情報処理装置に表示することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の機能パネルを備える電子機器の構成例について説明する。
図１３（Ａ）に、メガネ型の電子機器５７００の斜視図を示す。電子機器５７００は、一対の表示パネル５７０１、一対の筐体５７０２、一対の光学部材５７０３、一対の装着部５７０４、フレーム５７０７、鼻パッド５７０８等を有する。
電子機器５７００は、光学部材５７０３の表示領域５７０６に、表示パネル５７０１で表示した画像を投影することができる。また、光学部材５７０３は透光性を有するため、ユーザーは光学部材５７０３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域５７０６に表示された画像を見ることができる。したがって電子機器５７００は、ＡＲ表示が可能な電子機器である。
また一方または双方の筐体５７０２には、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、筐体５７０２は無線通信機を有していてもよく、当該無線通信機により筐体５７０２に映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号や電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。また、筐体５７０２に、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、ユーザーの頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域５７０６に表示することもできる。
また一方または双方の筐体５７０２には、プロセッサが設けられていてもよい。プロセッサは、カメラ、無線通信機、一対の表示パネル５７０１等、電子機器５７００が有する各種コンポーネントを制御する機能や、画像を生成する機能等を有している。プロセッサは、ＡＲ表示のための合成画像を生成する機能を有していてもよい。
また、無線通信機によって、外部の機器とデータの通信を行うことができる。例えば外部から送信されるデータをプロセッサに出力し、プロセッサは、当該データに基づいて、ＡＲ表示のための画像データを生成することもできる。外部から送信されるデータの例としては、画像データのほか、生体センサ装置などから送信される生体情報を含むデータなどが挙げられる。
続いて、図１３（Ｂ）を用いて、電子機器５７００の表示領域５７０６への画像の投影方法について説明する。筐体５７０２の内部には、表示パネル５７０１が設けられている。また、光学部材５７０３には、反射板５７１２が設けられ、光学部材５７０３の表示領域５７０６に相当する部分には、ハーフミラーとして機能する反射面５７１３が設けられる。
表示パネル５７０１から発せられた光５７１５は、反射板５７１２により光学部材５７０３側へ反射される。光学部材５７０３の内部において、光５７１５は光学部材５７０３の端面で全反射を繰り返し、反射面５７１３に到達することで、反射面５７１３に画像が投影される。これにより、ユーザーは、反射面５７１３に反射された光５７１５と、光学部材５７０３（反射面５７１３を含む）を透過した透過光５７１６の両方を視認することができる。
図１３では、反射板５７１２及び反射面５７１３がそれぞれ曲面を有する例を示している。これにより、これらが平面である場合に比べて、光学設計の自由度を高めることができ、光学部材５７０３の厚さを薄くすることができる。なお、反射板５７１２及び反射面５７１３を平面としてもよい。
反射板５７１２としては、鏡面を有する部材を用いることができ、反射率が高いことが好ましい。また、反射面５７１３としては、金属膜の反射を利用したハーフミラーを用いてもよいが、全反射を利用したプリズムなどを用いると、透過光５７１６の透過率を高めることができる。
ここで、筐体５７０２は、表示パネル５７０１と反射板５７１２との間に、レンズを有していてもよい。このとき、筐体５７０２は、レンズと表示パネル５７０１との距離や、これらの角度を調整する機構を有していることが好ましい。これにより、ピントの調整や、画像の拡大、縮小などを行うことが可能となる。例えば、レンズまたは表示パネル５７０１の一方または両方が、光軸方向に移動可能な構成とすればよい。
また筐体５７０２は、反射板５７１２の角度を調整可能な機構を有していることが好ましい。反射板５７１２の角度を変えることで、画像が表示される表示領域５７０６の位置を変えることが可能となる。これにより、ユーザーの目の位置に応じて最適な位置に表示領域５７０６を配置することが可能となる。
また、筐体５７０２にはバッテリー５７１７及び無線給電モジュール５７１８が設けられていることが好ましい。バッテリー５７１７を有することで、電子機器５７００に別途バッテリーを接続することなく、使用することができるため、利便性を高めることができる。また、無線給電モジュール５７１８を有することで、無線によって充電することができるため、利便性や意匠性を高めることができる。さらに、コネクタ等により有線で充電する場合に比べて、接点不良などの故障のリスクを低減でき、電子機器５７００の信頼性を高めることができる。
筐体５７０２には、タッチセンサモジュール５７１９が設けられている。タッチセンサモジュール５７１９は、筐体５７０２の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。図１３（Ｂ）では、筐体５７０２の表面を指５７２０で触れる様子を示している。タッチセンサモジュール５７１９により、ユーザーのタップ操作やスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止や再開などの処理を実行することや、スライド操作により、早送りや早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体５７０２のそれぞれにタッチセンサモジュール５７１９を設けることで、操作の幅を広げることができる。
タッチセンサモジュール５７１９としては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュール５７１９に適用することが好ましい。
光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光素子として、光電変換素子を用いることができる。光電変換素子としては、活性層に無機半導体を用いたもの、または有機半導体を用いたもの、などがある。
表示パネル５７０１には、本発明の一態様の表示装置、または機能パネルを適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器５７００とすることができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものとする。
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
ＣＣ（Ｇ） 色変換層
ＣＣ（Ｒ） 色変換層
ＣＩ 制御情報
ＣＰ 導電材料
ＤＳ 検知情報
ＤＸ 駆動回路
ＤＹ 駆動回路
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＩＩ 入力情報
ＩＮＤ インデックス画像
ＫＢ 構造体
ＭＤ トランジスタ
ＭＤＸ トランジスタ
ＭＤＹ トランジスタ
ＮＰ ナビゲーションパネル
ＴＮ サムネイル画像
ＶＩ 画像情報
Ｘ（ｉ） 導電膜
Ｙ１（ｊ） 導電膜
Ｙ２（ｊ） 導電膜
１０４ 導電膜
１０６ 絶縁膜
１０８ 半導体膜
１０８Ａ 領域
１０８Ｂ 領域
１０８Ｃ 領域
１１２Ａ 導電膜
１１２Ｂ 導電膜
１１６ 絶縁膜
１１６Ａ 絶縁膜
１１６Ｂ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１１８Ａ 絶縁膜
１１８Ｂ 絶縁膜
１２０ 機能層
１９１Ｘ 開口部
１９１Ｙ２ 開口部
２００ 情報処理装置
２１０ 演算装置
２１１ 演算部
２１２ 記憶部
２１３ 人工知能部
２１４ 伝送路
２１５ 入出力インターフェース
２２０ 入出力装置
２３０ 表示部
２３１ 領域
２３３ タイミングコントローラ
２３４ 伸張回路
２３５ 画像処理回路
２３８ 制御部
２４０ 入力部
２４１ 検知領域
２５０ 検知部
２９０ 通信部
５２０ 機能層
５２１ 絶縁膜
５２１Ａ 絶縁膜
５２１Ｂ 絶縁膜
５５０Ｂ 素子
５５０Ｇ 素子
５５０Ｒ 素子
５５１ 電極
５５２ 電極
５５３ 層
５５３ＥＭ 発光層
５５３Ｎ クラッド層
５５３Ｐ クラッド層
５７３ 絶縁膜
５９１Ｘ 開口部
５９１Ｙ２ 開口部
７００ 機能パネル
７００ＴＰ 機能パネル
７０２ 画素
７０２Ｂ 画素
７０２Ｇ 画素
７０２Ｒ 画素
７０３ 画素
８０２ 検知器
５２００Ｂ 情報処理装置
５２１０ 演算装置
５２２０ 入出力装置
５２３０ 表示部
５２４０ 入力部
５２５０ 検知部
５２９０ 通信部
５７００ 電子機器
５７０１ 表示パネル
５７０２ 筐体
５７０３ 光学部材
５７０４ 装着部
５７０６ 表示領域
５７０７ フレーム
５７０８ 鼻パッド
５７１２ 反射板
５７１３ 反射面
５７１５ 光
５７１６ 透過光
５７１７ バッテリー
５７１８ 無線給電モジュール
５７１９ タッチセンサモジュール
５７２０ 指

Claims (10)

  1. 光を射出する領域と、
    第１の機能層と、
    第２の機能層と、を有し、
    前記光を射出する領域は、第１の素子を備え、
    前記第１の素子は、第１の電極、第２の電極および発光性の材料を含む層を備え、
    前記発光性の材料を含む層は、前記第１の電極および前記第２の電極の間に挟まれる領域を備え、
    前記発光性の材料を含む層は、窒化ガリウムを含み、
    前記第１の機能層は、前記光を射出する領域および第２の機能層の間に挟まれる領域を備え、
    前記第１の機能層は、第１の絶縁膜を備え、
    前記第１の絶縁膜は、前記光を射出する領域と重なる部分の外側に、第１の開口部および第２の開口部を備え、
    前記第２の機能層は、駆動回路を備え、
    前記駆動回路は、前記光を射出する領域と重なる部分を備え、
    前記駆動回路は、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを備え、
    前記第１のトランジスタは、前記第１の開口部を介して、前記第１の電極と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタは、前記第２の開口部を介して、前記第２の電極と電気的に接続される、機能パネル。
  2. 一組の画素と、
    第１の機能層と、を有し、
    前記一組の画素は、第１の画素および第２の画素を備え、
    前記第１の画素は、第１の素子を備え、
    前記第２の画素は、第２の素子を備え、
    前記第１の機能層は、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を備え、
    前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜との間に、前記第１の素子を挟む領域を備え、
    前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜との間に、前記第２の素子を挟む領域を備え、
    前記第２の絶縁膜は、前記第２の素子を前記第１の素子から分離する機能を備え、
    前記第１の素子は、光を射出する機能を備え、
    前記第１の素子は、第１の電極、第２の電極および発光性の材料を含む層を備え、
    前記発光性の材料を含む層は、前記第１の電極および前記第２の電極の間に挟まれる領域を備え、
    前記発光性の材料を含む層は、窒化ガリウムを含む、機能パネル。
  3. 第２の機能層、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、第１の開口部および第２の開口部を備え、
    前記第２の機能層は、第３の絶縁膜、第１の駆動回路および第２の駆動回路を備え、
    前記第３の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と接し、
    前記第３の絶縁膜は、第３の開口部および第４の開口部を備え、
    前記第１の駆動回路は、第１のトランジスタを備え、
    前記第１のトランジスタは、前記第１の開口部および前記第３の開口部を介して、前記第１の電極と電気的に接続され、
    前記第２の駆動回路は、第２のトランジスタを備え、
    前記第２のトランジスタは、前記第２の開口部および前記第４の開口部を介して、前記第２の電極と電気的に接続される、請求項２に記載の機能パネル。
  4. 前記第１の絶縁膜は、第４の絶縁膜を備え、
    前記第４の絶縁膜は、シリコンおよび酸素を含み、
    前記第２の絶縁膜は、第５の絶縁膜および第６の絶縁膜を備え、
    前記第５の絶縁膜は、シリコンおよび酸素を含み、
    前記第５の絶縁膜は、前記第４の絶縁膜と接合する領域を備え、
    前記第６の絶縁膜は、シリコンおよび窒素を含み、
    前記第６の絶縁膜は、前記第５の絶縁膜および前記第１のトランジスタの間に挟まれる領域を備え、
    前記第１のトランジスタは、単結晶シリコンを含む、請求項２または請求項３に記載の機能パネル。
  5. 前記第１の画素は、色変換層を備え、
    前記色変換層は、前記第１の素子が射出する光の色を、異なる色に変換する機能を備え、
    前記第２の画素は、前記第２の素子が射出する光の色を表示し、
    前記第２の素子は、前記第１の素子が射出する光と同じ色の光を射出する、請求項２乃至請求項４のいずれか一に記載の機能パネル。
  6. 領域を有し、
    前記領域は、一群の一組の画素、他の一群の一組の画素、第１の導電膜および第２の導電膜を備え、
    前記一群の一組の画素は、行方向に配設され、
    前記一群の一組の画素は、前記一組の画素を含み、
    前記一群の一組の画素は、前記第１の導電膜と電気的に接続され、
    前記他の一群の一組の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、
    前記他の一群の一組の画素は、前記一組の画素を含み、
    前記他の一群の一組の画素は、第２の導電膜と電気的に接続される、請求項２乃至請求項５のいずれか一に記載の機能パネル。
  7. 制御部と、
    請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の機能パネルと、を有し、
    前記制御部は、画像情報および制御情報を供給され、
    前記制御部は、前記画像情報に基づいて情報を生成し、
    前記制御部は、前記制御情報に基づいて制御信号を生成し、
    前記制御部は、前記情報および前記制御信号を供給し、
    前記機能パネルは、前記情報および前記制御信号を供給され、
    前記一組の画素は前記情報に基づいて表示する、表示装置。
  8. 入力部と、表示部と、を有し、
    前記表示部は、請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の機能パネルを備え、
    前記入力部は、検知領域を備え、
    前記入力部は、前記検知領域に近接するものを検知し、
    前記検知領域は、前記一組の画素と重なる領域を備える入出力装置。
  9. 演算装置と、入出力装置と、を有し、
    前記演算装置は、入力情報または検知情報を供給され、
    前記演算装置は、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報および画像情報を生成し、
    前記演算装置は、前記制御情報および前記画像情報を供給し、
    前記入出力装置は、前記入力情報および前記検知情報を供給し、
    前記入出力装置は、前記制御情報および前記画像情報を供給され、
    前記入出力装置は、表示部、入力部および検知部を備え、
    前記表示部は、請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の機能パネルを備え、
    前記表示部は、前記制御情報に基づいて、前記画像情報を表示し、
    前記入力部は、前記入力情報を生成し、
    前記検知部は、前記検知情報を生成する、情報処理装置。
  10. キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の機能パネルと、を含む、情報処理装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021089423A (ja) * 2019-11-12 2021-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3973471B2 (ja) 2001-12-14 2007-09-12 三洋電機株式会社 デジタル駆動型表示装置
KR101255532B1 (ko) * 2002-12-27 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
EP2326143B1 (en) * 2003-01-24 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic book
US7692610B2 (en) * 2005-11-30 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1879170A1 (en) 2006-07-10 2008-01-16 THOMSON Licensing Current drive for light emitting diodes
TWI406589B (zh) 2008-10-28 2013-08-21 Ind Tech Res Inst Ｌｅｄ光源控制電路與方法，及應用其之影像顯示裝置與照明設備
JP2013145833A (ja) 2012-01-16 2013-07-25 Fujifilm Corp Ｌｅｄ発光素子用反射基板およびｌｅｄパッケージ
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9153171B2 (en) 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller
JP6157178B2 (ja) 2013-04-01 2017-07-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
CN116560607A (zh) * 2013-07-02 2023-08-08 株式会社半导体能源研究所 数据处理装置
US10158043B2 (en) 2014-05-30 2018-12-18 Mikro Mesa Technolgy Co., Ltd. Light-emitting diode and method for manufacturing the same
CN117119820A (zh) 2014-05-30 2023-11-24 株式会社半导体能源研究所 发光装置、显示装置及电子设备
US9105813B1 (en) 2014-05-30 2015-08-11 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
US9219197B1 (en) 2014-05-30 2015-12-22 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
US9231153B2 (en) 2014-05-30 2016-01-05 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
US9590137B2 (en) 2014-05-30 2017-03-07 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light-emitting diode
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
TW202404148A (zh) 2015-03-09 2024-01-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設備
US20170062749A1 (en) 2015-09-01 2017-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element, Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device
CN107924653B (zh) * 2015-09-11 2020-02-28 夏普株式会社 图像显示装置以及图像显示元件的制造方法
US20170090246A1 (en) 2015-09-25 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
WO2017098375A1 (en) 2015-12-11 2017-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102617041B1 (ko) 2015-12-28 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기
JP2017157724A (ja) 2016-03-02 2017-09-07 デクセリアルズ株式会社 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法
US10332949B2 (en) 2016-07-06 2019-06-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
KR102651097B1 (ko) 2016-10-28 2024-03-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
JP7143278B2 (ja) 2017-03-24 2022-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW202405777A (zh) 2017-12-25 2024-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示器及包括該顯示器的電子裝置
CN108878626B (zh) * 2018-06-29 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
KR102488068B1 (ko) * 2018-10-12 2023-01-13 삼성디스플레이 주식회사 광원부 및 이를 포함하는 표시장치
KR102666834B1 (ko) * 2018-12-07 2024-05-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11341878B2 (en) * 2019-03-21 2022-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of testing display panel
US11710760B2 (en) 2019-06-21 2023-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device
KR20210130331A (ko) * 2020-04-21 2021-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN111863906A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

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